DE1621272C3 - Verfahren zur Induzierung eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiter - Google Patents

Verfahren zur Induzierung eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiter

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DE1621272C3 DE1621272A DEJ0035252A DE1621272C3 DE 1621272 C3 DE1621272 C3 DE 1621272C3 DE 1621272 A DE1621272 A DE 1621272A DE J0035252 A DEJ0035252 A DE J0035252A DE 1621272 C3 DE1621272 C3 DE 1621272C3
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Thomas Oliver Crompound Sedgwick
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • H10P14/6328—
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