DE1524919C3 - Matrixspeicher - Google Patents

Matrixspeicher

Info

Publication number
DE1524919C3
DE1524919C3 DE1524919A DE1524919A DE1524919C3 DE 1524919 C3 DE1524919 C3 DE 1524919C3 DE 1524919 A DE1524919 A DE 1524919A DE 1524919 A DE1524919 A DE 1524919A DE 1524919 C3 DE1524919 C3 DE 1524919C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
information
read
fixed value
storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1524919A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1524919B2 (de
DE1524919A1 (de
Inventor
Richard P. Shively
Burton C. Sigal
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Litton Industries Inc
Original Assignee
Litton Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Litton Industries Inc filed Critical Litton Industries Inc
Publication of DE1524919A1 publication Critical patent/DE1524919A1/de
Publication of DE1524919B2 publication Critical patent/DE1524919B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1524919C3 publication Critical patent/DE1524919C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
    • G11C11/06021Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
    • G11C11/06028Matrixes
    • G11C11/06042"word"-organised, e.g. 2D organisation or linear selection, i.e. full current selection through all the bit-cores of a word during reading
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
    • G11C11/06021Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
    • G11C11/06028Matrixes
    • G11C11/06035Bit core selection for writing or reading, by at least two coincident partial currents, e.g. "bit"- organised, 2L/2D, or 3D
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/02Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using magnetic or inductive elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Magnetically Actuated Valves (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Digital Magnetic Recording (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

3 4
alle Speicherkerne, die den unterschiedlichen Bits in ersten Satzes von Stromleitern zu treiben. Durch
einem gegebenen Speicherwort entsprechen, ein ge- jeden der Worttreiberkerne 36, 38, 40 und 42 ist ein
meinsamer Leiter hindurchgesteckt ist, und diese anderer Leiter 22, 24, 26 und 28 hindurchgesteckt.
Speicherkerne werden von dem Strom durch diesen Durch jeden Worttreiberkern 36, 38, 40 und 42 ist
Leiter angesteuert. Durch alle Speicherkerne, die 5 ein Leiter geführt, der mit einer Quelle 44 des
einer bestimmten Bitstelle in einer Anzahl von Magnetisierungsstromes /ß verbunden ist, um jeden
Speicherwörtern entsprechen, ist ein gemeinsamer der Worttreiberkerne 36, 38, 40 und 42 in den einen
Leiter durchgesteckt, und diese Speicherkerne wer- der vorbestimmten Remanenzzustände zu versetzen,
den von dem Strom durch diesen Leiter angesteuert. Die Koinzidenz des Stromes /γ aus einer Spalten-
Die Matrix 10 enthält vier Wörter, wobei jedes io stromquelle 46 und der Ströme /χι und /χ2 aus den
Wort vier Bits besitzt. Die Wörter sind der Einfach- parallel geschalteten Stromquellen 48 und 50 be-
heit halber nacheinander von oben nach unten in wirkt, daß der Worttreiberkern 36 seinen Remanenz-
der Figur beziffert. Die Bits sind nacheinander von zustand ändert und dabei einen Abfragestrom durch
links nach rechts in der Figur fortlaufend beziffert. den Leiter 22 treibt, der durch alle Speicherkerne
Der Bitstelle 4 ist eine Anzahl von wirksamen 15 des Wortes 1 hindurchgesteckt ist. '.' Speicherkernen 14, 16, 18 und 20 zugeordnet, die Bei der dargestellten Ausführungsform können die dem »Bit 4« in den Wörtern 1, 2, 3 und 4 entspre-: Ströme aus den Stromquellen 46, 48 und 50 entweder chen. Die unterbrochenen Kerne 14 a, 16 a, 18 α und getrennt oder gleichzeitig in der nachbeschrieberien 20 a brauchen nicht einmal vorhanden zu sein. Die Weise abgeschaltet werden. Es können jedoch auch Leiter 22, 24, 26 und 28 bilden einen ersten Satz 20 andere Stromquellenanordnungen verwendet werden, von Stromleitern, wobei jeder dieser Leiter durch Der Vollständigkeit halber sind in der Figur noch einen der Speicherkerne 14,16, 18 und 20 hindurch- weitere Zeilen- und Spaltenstromquellen zur Ausgesteckt ist. Durch jeden wirksamen Speicherkern wahl der Worttreiberkerne 38, 40, 42 dargestellt. Die 14,16,18 und 20 wird nur einer von beiden Strom- Stärke eines jeden der drei Ströme aus den Strom-' leitern 30 und 32 hindurchgesteckt, die als Leseleiter 25 quellen 46, 48 und 50 ist so gewählt, daß beim Zueihes zweiten Satzes von Stromleitern in Abhängig- führen der Ströme aus den Stromquellen 46, 48 und keit von der Information verwendet werden, die in 50 das Abschalten des Stromes aus nur einer Stromr zerstörend lesbarer Form gespeichert werden soll. quelle, z. B. der Stromquelle 50, nicht bewirkt, daß Die Leseleiter 30 und 32 sind miteinander an zwei der Worttreiberkern 36 seinen Remanenzzustand Anschlußstellen durch einen Leiter 31 und einen 30 ändert. Das weitere Weglassen des Stromes aus eine? Widerstand 33 verbunden, so daß sie einen Strom- der anderen zwei Stromquellen, z. B. aus der Strompfad mit geschlossener Schleife bilden. Dann bewirkt quelle 48, bewirkt, daß der Worttreiberkern 36 in ein Stromimpuls, der in der Schleife 30, 31, 32, 33 seinen ursprünglichen Remanenzzustand mit verhält durch Schalten eines der wirksamen Kerne, durch nismäßig niedriger Geschwindigkeit übergeführt die der Leseleiter 30 oder 32 hindurchgesteckt ist, 35 wird. Das gleichzeitige Weglassen der Ströme aus induziert wird, das Auftreten eines Signales in Form allen drei Stromquellen 46, 48 und 50 bewirkt, daß eines Spannungsabfalls am Widerstand 33. Eine der Worttreiberkern 36 in den ursprünglichen Remar Lesevorrichtung 34, die einen Verstärker aufweist, nenzzustand mit hoher Geschwindigkeit übergeführt der in der Lage ist, ein in der einen oder in der an- wird. Das gleichzeitige Abschalten aller drei Stromderen Richtung in der Schleife in Abhängigkeit von 40 quellen bewirkt dabei einen Vollstrom in Schreibeiner Änderung des Remanenzzustandes eines der richtung in dem Leiter 22, das getrennte Abschalten wirksamen Kerne 14, 16, 18, 20 induziertes Signal jedoch nur einen Halbstrom in Schreibrichtung,
auszuwerten, ist mit dem Widerstand 33 verbunden, Eine Zweirichtungsstromquelle 52 A und 52 B so daß sie feststellen kann, ob ein Speicherkern an- kann einen Strom, der Ziffernstrom genannt wird, gesteuert war oder nicht. Die Lesevorrichtung 34 45 in der einen oder in der anderen Richtung durch weist ferner eine Vorrichtung (in der Figur nicht dar- beide Leseleiter 30 und 32 treiben, um das Eingestellt) auf, die sie selektiv sperrt (z. B. mit Hilfe schreiben von zerstörend lesbarer Information in die von Torschaltungen od. dgl.), um nur in einer Rieh- Speicherkerne 14, 16, 18 und 20 zu sperren oder zu tung am Widerstand 33 auftretende Signale abzu- ermöglichen. ; führen, so daß sie auf die Lage des wirksamen 50 Der Ausgang der Lesevorrichtung 34 ist über eine Speicherkernes anspricht, der mit dem der Leseleiter UND-Torschaltung 54 mit einem Flip-Flop 56 eines 30 oder 32 gekoppelt ist. Wenn der wirksame Spei- Flip-Flop-Registers (nicht dargestellt) und über eine cherkern, der angesteuert wird, mit dem Unken Lese- UND-Torschaltung 58 mit einem Flip-Flop 60 eines leiter 30 gekoppelt ist, z. B. durch den Speicherkern zweiten Flip-Flop-Registers (ebenfalls nicht dar-14 oder 20, wird der in der Schleife 30, 31, 32, 33 55 gestellt) verbunden. Die Torschaltungen 54 und 58 induzierte Strom in einer der beiden Richtungen sind mit einem Rechnersteuerungsmechanismus fließen, während das Ansteuern eines mit dem rech- (nicht dargestellt) verbunden, der zur Betätigung der ten Leseleiter 30 gekoppelten wirksamen Speicher- UND-Torscnaltungen 54 und 58 in Abhängigkeit kernes 16 oder 18 einem in der anderen Richtung von Signalen auf den Leitungen C 4 und C 5 dient, induzierten Strom entspricht. Das Sperrsignal kommt 60 Die Ausgänge des Flip-Flops 56 sind über UND-aus dem zentralen (nicht dargestellten) Rechner und Torschaltungen 62, 64, 66 und 68 zur Steuerung von liegt an dem mit C 6 bezeichneten Leiter an. Im all- Stromquellen 52 A und 52 B in Abhängigkeit vom gemeinen kommen alle Signale, die mit einem C und Ausgang des Flip-Flops 56 und synchron zu Signalen einem Ziffernindex bezeichnet sind, z. B. C1, C2 usw., auf den Leitungen C 7, C10, C 8, C 9 geschaltet. Das aus dem zentralen Rechner. " 65 Flip-Flop 56 kann ferner durch eine äußere Quelle, ,Die Matrix 12 der Worttreiberkerne 36, 38, 40 die als Schreiblogik 70 dient, gesetzt oder rückgesetzt und 42 ermöglicht es, selektiv Schreib- und Abfrage- werden. Beide Flip-Flops 56 und 60 können durch ströme durch die Stromleiter 22, 24, 26 und 28 des Rücksetzsignale aus einer zentralen Rechnersteue-
5 6
rung (nicht dargestellt) rückgesetzt werden. Sie wei- tet; dies reicht jedoch nicht aus, um den Remanenz-
sen dazu besondere Eingänge auf, an welche der zustand des Worttreiberkernes 36 zu ändern. Der
Rücksetztakt-Impuls angelegt wird. Strom /X1 aus der Quelle 48 wird dann als nächster
Einrichtungen ähnlich den Stromquellen 52,4, abgeschaltet, wodurch der remanente Zustand des 52 B, der Lesevorrichtung 34 und der Elemente 54 5 Worttreiberkernes 36 allmählich (nicht sprunghaft) bis 70 sind mit den Leseleitern verbunden, die durch geändert und ein Stromimpuls durch den Leiter 22 die Kerne des Bits 1, des Bits 2 und des Bits 3 bin- in Schreibrichtung erzeugt wird, d. h. eine magnetodurchgesteckt sind. ' motorische Kraft entsteht, welche den Remanenz-
Die beiden Leseleiter 30 und 32 sind durch die zustand aller Speicherkerne des Wortes 1 in Rich-
vorgewählten Arbeitskerne 14, 16, 18 und 20 ge- ίο tung auf den Zustand »1« zu ändern bestrebt ist. Die
führt. Wenn jeder Leiter durch einen zusätzlichen Stärke des Stromes/χι selbst ist jedoch nicht aus-
Kem für jedes Wort 1,2, 3, 4 hindurchgesteckt ist, reichend, um beim Ausbleiben dieses Stromes den
können die Kerne dauernd durch eine Kurzschluß- Remanenzzustand aller Speicherkerne des Wortes 1
schleife unwirksam gehalten werden. Die Kerne kön- zu ändern.
nen auch unterbrochen werden, um unwirksam zu 15 Da das Flip-Flop 56 auf »1« gesetzt ist, hat das
sein. Vorhandensein von Impulsen an den Eingängen C 8
In der Speicherkernmatrix 10 ist die Festwert- und C 9 der UND-Torschaltungen 66 und 68 zur
information für jedes dargestellte Wort durch die Folge, daß die Ausgangswerte der Torschaltungen 66
Lage des wirksamen Speicherkernes in einem der und 68 bewirken, daß die Stromquellen 52 A und
Leseleiter 30 und 32 dargestellt. Sie ist von oben 20 52 B den Leseleitern 30 und 32 einen Strom solcher
nach unten gelesen 0001 für Wort 1, 1010 für Stärke zuführen, daß er nicht ausreicht, den Rema-
Wort2, 0110 für Wort 3 und 1111 für Wort 4. Ein nenzzustand der Speicherkerne 16, 18 und 20 zu
gegebenes Bit, das einem nicht unterbrochenen und verändern, jedoch in Verbindung mit dem Einfluß'
einem unterbrochenen Kern entspricht, ist mit »1« des Worttreiberstromes im Leiter22 genügend groß-
bezeichnet, wenn der linke Leseleiter 30 mit einem 35 ist, um den Kern 14 in seinen »1 «-Zustand zu setzen,
wirksamen (nicht unterbrochenen) Kern versehen ist. Zu diesem Zeitpunkt, d. h. nach Änderung des Re-
Das Bit ist mit »0« bezeichnet, wenn umgekehrt der manenzzustandes des Kernes 14, ist die zerstörend
unke Leseleiter 30 mit einem unwirksamen (unter- lesbare Information im Speicher 0001 für das Wort 1
brochenen) Kern versehen ist. Diese Zuordnung ist und 0000 für jedes der Wörter 2, 3 und 4. „ .
willkürlich gewählt. Sie ist nur in Verbindung mit 30 Nach der Schreibphase setzt ein Signal aus dem
Festwertinformationen gültig, denn eine zerstörend Rücksetztaktgeber (nicht dargestellt) das Flip-Flop
lesbare Information ist durch die Richtung des 56 in seinen »0«-Zustand zurück,
magnetischen Flusses im wirksamen Speicherkern Es sei nunmehr angenommen, daß es erwünscht
eines Paares dargestellt, unabhängig davon, welcher ist, die zerstörend lesbare Information im Wort 1,
Leiter durch diesen Speicherkern gesteckt ist. 35 die in der oben beschriebenen Weise eine gespei-
Zu Beginn werden alle Speicherkerne in den Re- cherte »1« ist, zerstörend auszulesen. Die Strom-
manenzzustand »0« der zerstörend lesbaren Infor- quellen 46, 48 und 50 werden wiederum erregt, wie
mation übergeführt. Alle Flip-Flops der Register, dies für die Schreibphase beschrieben wurde. Nun-
von denen die Flip-Flops 56 und 60 einen Teil dar- mehr jedoch wird der Speicherkern 14 von einem
stellen, werden anfangs in den Zustand »0« rück- 40 »1«-Zustand in einen »0«-Zustand gesetzt, wodurch
gesetzt. ein Signalimpuls in der durch die Leiter 30, 31, 32
Die Festwertinformation für das Wort 1 entspricht und den Widerstand 33 gebildeten Schleife induziert dem Ausdruck 0001, die Festwertinformation, die wird, wobei der Spannungsabfall am Widerstand 33 beispielsweise in Bit 4 des Wortes 1 gespeichert ist, an die Lesevorrichtung 34 gelegt wird. Es wird kein welches einen nicht unterbrochenen Kern 14 enthält, 45 Stromimpuls an der Stelle des fehlenden oder unterist somit eine »1«. brochenen Kernes 14 Λ erzeugt, da keine Änderung
Es sei nunmehr davon ausgegangen, daß es er- des magnetischen Flusses in diesem Kern auftreten wünscht ist, den Speicherkern 14 in den einer »1« kann. Wenn der Kern 14 seinen »0«-Zustand einentsprechenden Remanenzzustand für zerstörende genommen gehabt hätte, hätte kein Stromimpuls in Auslesung überzuführen. Die Schreiblogik-Schaltung 50 der Schleife 30, 31, 32, 33 induziert und kein Signal 70 setzt zunächst den Flip-Flop 56 in den »1«-Zu- an die Lesevorrichtung angelegt werden können, stand. Die Stromquellen 46, 48 und 50 werden Somit spricht die Lesevorrichtung 34 während der gleichzeitig erregt, damit der Worttreiberkern 36 zerstörenden Auslesung auf Ströme in einer der beiseinen Remanenzzustand ändert, wobei diese Zu- den Richtungen in der Schleife an, wobei das Vorstandsänderung einen Impuls im Leiter 22 erzeugt, 55 handensein eines Signals die willkürlich angenomder durch alle Speicherkerne im Wort 1 hindurch- mene Auslegung einer »1« anzeigt, während das gesteckt ist. Jeder Speicherkern im Wortl würde Fehlen eines Signales dem Auslesen einer »0« entdabei in seinen »0«-Zustand gesetzt werden. Weil spricht. Wird eine »1« ausgelesen, wird das Signal aber alle nicht unterbrochenen Kerne des Wortes 1 am Ausgang der Lesevorrichtung 34 über die UND-bereits auf »0« gesetzt sind, wird mit Ausnahme 60 Torschaltung 54 in den Flip-Flop 56 (das durch einer unbedeutenden Spannung, die als Pendelspan- einen Taktgeberimpuls in seinen »0«-Zustand rücknung bezeichnet wird, keine Spannung am Wider- gesetzt worden ist) eingespeist, damit das Flip-Flop stand 33 erzeugt und werden bei keinem der Flip- 56 in seinen »1 «-Zustand gesetzt wird. Der Binär-Flops 56 im Ausleseregister für die zerstörend les- zustand des Flip-Flop 56 zeigt dann die zerstörend bare Information die Ausgangswerte geändert. 65 gelesene Information des Bits 4 des Wortes 1 an.
Der Strom aus den Stromquellen 46, 48 und 50 Unmittelbar nach dem Auslesen der zerstörend
wird nun, aber nicht gleichzeitig abgeschaltet. Der gelesenen Information im Kern 14 wird der Strom /χ2
Strom Ιχ2 aus der Quelle 50 wird zuerst abgeschal- der Stromquelle 50 und bald darauf der Stromlxi
7 8
der Stromquelle 48 abgeschaltet, so daß ein Schreib- 33, wodurch ein Spannungsabfall am Widerstand 33
stromimpuls erzeugt wird, der durch den Wort- in einer Richtung, für welche die Lesevorrichtung 34
treiberleiter 22 geführt wird. Das Flip-Flop 56 nicht gesperrt ist und somit auf das Signal anspricht,
steuert die Stromquellen 52 A und 52 B und bewirkt, Das gleichzeitige Auftreten des Steuersignals bei
daß ein Strom durch die Leiter 30 und 32 fließt. Das 5 C 5 öffnet die Torschaltung 58, damit das Signal das
gleichzeitige Auftreten von Strom in den Leitern 30 Flip-Flop 60 in den »1 «-Zustand setzen kann. Das
und 32 setzt den Speicherkern 14 in seinen »1«- Flip-Flop 60 ist das Flip-Flop des Bits 4 eines nicht
Zustand zurück. dargestellten Festwertregisters. Der Binärzustand des
Falls es erwünscht ist, die Festwertinformation im Flip-Flops 60 stellt somit den Binärzustand der
Wort 1 auszulesen, muß die vorübergehend gespei- io Festwertinformation im Bit 4 des Wortes 1 dar.
cherte Information ausgelesen werden, wie dies für Wenn die ausgelesene Festwertinformation eine
die zerstörende Auslesung der Fall war. Die Ströme »0« ist, z. B. das Bit 4 des Wortes 2, wobei der wirk-
Ιγ, /χι und Zx2 werden durch die Stromquellen 46, 48 same Speicherkern mit dem rechten Leseleiter 32
und 50 abgegeben, damit der Remanenzzustand des gekoppelt ist, wird ein Signal in der entgegengesetz-
Worttreiberkernes 36 geändert wird, wodurch ein 15 ten Richtung in der Schleife, verglichen mit dem
Abfrage-Stromimpuls durch den Worttreiberleiter 22 Signal beim Auslesen des Wortes 1, induziert. Für
getrieben wird. Alle Speicherkerne im Wort 1 wer- dieses Signal bewirkt das gleichzeitige Auftreten des
den in ihren »0«-Zustand übergeführt. Das zer- Sperrsignals C6 aus dem Hauptrechner, daß die
störende Auslesen findet somit in allen Speicher- Lesevorrichtung 34 das in dieser Richtung induzierte
kernen des Wortes 1 einschließlich des Speicherker- 2o Signal sperrt, so daß wegen der Änderung des Rema-
nes 14 statt. In der Figur der Zeichnung ist jedoch nenzzustandes des Speicherkernes 16 das Flip-Flop
nur die Schaltanordnung zum Auslesen des Kernes 60 auf »0« gesetzt bleibt.
14 dargestellt. Die Änderung des Remanenzzustan- Unmittelbar nach dem Auslesen der Festwert- :'" des des Speicherkernes 14 bewirkt, daß der Lese- information wird die zerstörend lesbare Information " vorrichtung 34 ein Signal aufgegeben wird. Das 25 in den Kernen des Wortes 1 der Speichermatrix ergleichzeitige Auftreten eines Signals am Ausgang neut gespeichert, indem die Ströme/X2,/χι und /γ der Lesevorrichtung 34 und des Rechnersteuersigna- der Stromquellen 50, 48 und 46 nacheinander in den les C 4 bewirkt, daß die UND-Torschaltung 54 öffnet oben angegebenen Schritten abgeschaltet werden,
und die zerstörend gelesene Information im Flip- Damit können die ferromagnetischen Speicher-Flop 56 speichert. Unmittelbar im Anschluß an den 30 kerne gleichzeitig zerstörend lesbare Informationen Abfrage-Stromimpuls im Worttreiberleiter 22 wer- und Festwertinformationen festhalten, wobei die lesdec die Ströme /γ, /χι und /X2 gleichzeitig aus den bare Information durch den Remanenzzustand der Stromquellen 46, 48 und 50 abgeschaltet, wodurch Speicherkerne und die Festwertinformation durch ein Rücksetzstromimpuls durch den Worttreiberleiter das Vorhandensein oder Fehlen eines Kernes in einer 22 und die Speicherkerne des Wortes 1 fließt, und 35 oder der anderen der zwei Stellen eines Bits dardie Speicherkerne des Wortes 1 in den remanenten gestellt wird, welche als die Kreuzungsstellen des »1 «-Zustand setzt, so daß sie für das Auslesen der Worttreiberleiters und eines der beiden Leseleiter Festwertinformation in der nachstehend beschriebe- bestimmt sind. Mit anderen Worten heißt dies, daß nen Weise vorbereitet werden. die Stellung der unterbrochenen und nicht unter-Unmittelbar nachdem die Speicherkerne des Wor- 40 brochenen Kerne der beiden Leseleiter festlegt, ob tes 1 in ihren »!.«-Zustand gesetzt worden sind, wer- eine »1« oder eine »0« dauernd gespeichert ist, unden die Ströme /γ, /χι und Ix2 wiederum durch die abhängig von dem Remanenzzustand des Speicher-Stromquellen 46, 48 und 50 aufgegeben, wobei alle kernes. Die Leseleiter sind miteinander so verbun-Speicherkerne im Wort 1 in ihren »0«-Zustand ge- v den, daß sie die geschlossene Schleife bilden, wobei setzt werden. Damit bewirken alle Speicherkerne des 45 die in beiden Richtungen induzierten Signale für das Wortes 1, daß Stromimpulse oder Signale in den zerstörende Auslesen verwendet werden, wohingegen Leseleitern auftreten, welche durch diese Speicher- während des Auslesens der Festwertinformationen kerne hindurchgesteckt sind, so daß in der Schleife eines der in beiden Richtungen induzierten Signale die Richtung dieser Stromimpulse davon abhängt, gesperrt wird. Um den Festwertspeicher auszulesen, welcher der beiden Leseleiter 30, 32 durch den wirk- 50 muß die zerstörend lesbare Information zuerst auf samen Speicherkern hindurchgesteckt ist. Im Wort 1 ein Register zur vorübergehenden Speicherung überinduziert der Speicherkern 14 ein Signal in einer tragen werden, und die Speicherkerne müssen ge-Richtung in der Schleife 30, 31, 32, 33, während der setzt werden, damit bei der Auslesung ein Signal Speicherkern 16 im Wort 2 in dieser Schleife ein erzeugt wird.
Signal in entgegengesetzter Richtung induziert. Auf 55 Obgleich der Speicher als zweidimensionale
diese Weise ist die Festwertinformation im Bit 4 des Matrix 10 gezeigt ist, kann er auch in einer drei-
Wortes 1 eine »1«, während die Festwertinformation dimensionalen Matrix vorgesehen werden. Die Spei-
im Bit 4 des Wortes 2 eine »0« ist. Damit die Lese- chermatrix 10 wird im Falle vorliegender Erfindung
vorrichtung 34 zwischen den beiden möglichen Rieh- durch ferromagnetische Kerne angesteuert, sie kann
tungen unterscheiden kann, wird ein Sperrsignal C 6 60 jedoch auch durch elektronische Schaltungen,
dieser Lesevorrichtung aufgegeben, so daß sie nur Magnetverstärker u. dgl. angesteuert werden. Ob-
auf in einer Richtung induzierte Signale anspricht, gleich die Kerne des Speichers der Einfachheit halber
während sie die in der anderen Richtung induzierten in Matrixform angeordnet dargestellt sind, ist die
Signale sperrt. geometrische Anordnung der Speicherkerne nicht
Wenn die Festwertinformation im Bit 4 des Wor- 65 kritisch. Ferner ist zwar der Speicher in der Weise
tes 1 ausgelesen wird, erzeugt der Speicherkern 14, erläutert, daß die eine Koordinate ein »Wort« und
der aus dem »!.«-Zustand in seinen »0«-Zustand die andere Koordinate ein »Bit« darstellt, die beiden
geschaltet wird, ein Signal in der Schleife 30, 31, 32, Koordinaten können jedoch einfach als »X«- und
309 524/405
»Y«-Koordinaten betrachtet und die Wort- und Bitbezeichnungen gegeneinander vertauscht werden. Des weiteren ist nur eine bestimmte Ziffernstromquelle mit 52 A und 52 B dargestellt, es können aber auch andere Stromgeneratoren verwendet werden. Ferner ergibt sich, daß an Stelle der dargestellten
10
und beschriebenen transistorisierten Steuerungen auch Vakuumröhren oder aridere Steuereinrichtungen verwendet werden können. Als Register sind die Flip-Flops 56 und 60 dargestellt, es können jedoch auch andere Register, z. B. Verzögerungsleitungen, verwendet werden. . ■ .
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Schreibdrähte voreingestellt. Dann erfolgt die Abfrage über einen Taktverteiler. Bei dieser Voreinstellung der Festwertinformation ist es unvermeidbar, daß die zerstörend abgefragte Information gelöscht wird, so daß mit diesem Speicher ein Simultanbetrieb, d. h. eine Festwertabgabe bzw. eine zerstörende Abfrage mit Rückschreiben bzw. Neueinschreiben, nicht möglich ist.
    Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, einen
    Matrixspeicher zur simultanen Speicherung
    von Festwertinformationen und zerstörend abgefragten Informationen, mit in-Zeileri und Spalten angeordneten Magnetkernspeicherelementen,
    den Zeilen zugeordneten Wortleitungen und den
    Spalten zugeordneten Bit-Leitungen, mit einem io Matrixspeicher anzugeben, der im Gegensatz dazu Leseregister und einer Lesesignalauswertevor- als Festwertspeicher und als Schreib/Lese-Speicher richtung, dadurch gekennzeichnet, daß (Zwischenspeicher) in der Weise arbeiten kann, daß zur kontradiktorischen Speicherung der Fest- pro Speicherzyklus zwischen einer Festwertabfrage Wertinformation die Bit-Leitungen als Doppel- und einer Abfrage nach der zerstörend abfragbaren leitungen ausgebildet · und die Speicherelemente 15 Information gewählt werden kann, wobei keine Art jeweils mit dem einen oder anderen Leiter einer der Abfrage die der jeweils anderen Abfrageart zuDoppelleitung gekoppelt sind, daß die Lese- gehörige Information zerstört. Signalauswertevorrichtung (34) zur wahlweisen Gemäß der Erfindung wird hierzu vorgeschlagen,
    Auswertung einer Festwertinformation bzw. einer daß zur kontradiktorischen Speicherung der Festzerstörend abgefragten Information auf die Ar- 20 Wertinformation die Bit-Leitungen als Doppelleitunbeitsweisen Phasendiskrimination. bzw. Amplitu- gen ausgebildet und die Speicherelemente jeweils dendiskrimination umschaltbar ist (Steuereingang mit dem einen oder anderen Leiter einer Doppel-C 6) und daß ein zweites Leseregister (Flip-Flop leitung gekoppelt sind, daß die Lesesignalauswerte-56) zur Zwischenspeicherung der zerstörend ab- vorrichtung zur wahlweisen Auswertung einer Fest- * gefragten Information vorgesehen ist, wobei das 25 Wertinformation bzw. einer zerstörend abgefragten* eine oder andere Leseregister wahlweise unwirk- Information auf die Arbeitsweisen Phasendiskrimisam geschaltet werden kann (Torschaltungen nation bzw. Amplitudendiskrimination umschaltbar 54, 48). ist und daß ein zweites Leseregister zur Zwischen
    speicherung der zerstörend abgefragten Information 30 vorgesehen ist, wobei das eine oder andere tese-
    — register wahlweise unwirksam geschaltet werden
    kann.
    Bei dem erfindungsgemäßen Matrixspeicher ist jede Information, die als Festwertinformation ein-
    Die Erfindung bezieht sich auf einen Matrix- 35 getragen ist, zu einem beliebigen Zeitpunkt wieder speicher zur simultanen Speicherung von Festwert- auffindbar, obgleich der Speicher in der anderen informationen und zerstörend abgefragten Informa- Betriebsart, d. h. als Zwischenspeicher, verwendet tionen, mit in Zeilen und Spalten angeordneten worden ist. Umgekehrt ist die vorübergehend ge-Magnetkernspeicherelementen, den Zeilen zugeord- speicherte Information wieder auffindbar und die in neten Wortleitungen und den Spalten zugeordneten 40 den Speicher für den Betrieb als Festwertbetrieb ein-Bit-Leitungen, mit einem Leseregister und einer geschriebene Information ist ebenfalls laufend und Lesesignalauswertevorrichtung. dauernd wieder auffindbar. Damit ergibt sich, daß
    Es sind Festwertspeicher mit Kondensatoren der erfindungsgemäße Speicher gleichzeitig in der als Koppelelemente bekannt (USA.-Patentschrift einen oder der anderen Betriebsart betrieben werden 3 248 711), in welchen die einzelnen Bitwerte in 45 kann, ohne daß die Verwendung in der einen Bekdntradiktorischer Form gespeichert sind, wobei triebsart die Verwendung in der anderen Betriebsart zwei Leseleitungen pro Spalte vorgesehen sind, das störend beeinflußt.
    Koppelelement entweder mit der einen oder der an- Bei der gemischten Betriebsart, die mit dem Spei-
    deren Leseleitung verbunden ist und das positiv oder eher gemäß vorliegender Erfindung möglich ist, wird negativ erscheinende Lesesignal durch Phasendiskri- 50 die fest gespeicherte Information und die zerstörend mination ausgewertet wird. lesbare Information zugleich im Speicher gespeichert
    Des weiteren ist eine Speicheranordnung aus und wahlweise die eine Informationsart oder die Magnetkernen zum Ein- und Ausspeichern von Im- andere abgerufen. Dazu wird bei der Abfrage nach pulskombinationen bekannt (deutsche Auslegeschrift einer fest gespeicherten Information zunächst die 1 087 381), die entweder nur als Festwertspeicher 55 zerstörend lesbare Information zwischengespeichert, oder nur als Schreib/Lese-Speicher arbeiten kann. damit diese nicht verlorengeht. Beim Betrieb als Schreib/Lese-Speicher, d. h. als Nachstehend wird die Erfindung in Verbindung
    Arbeitsspeicher oder Zwischenspeicher, arbeitet der mit der Zeichnung an Hand eines Ausführungsbei-Speicher mit zerstörender Auslegung der Informa- spiels erläutert; die Zeichnung zeigt in einer einzigen tion, d. h. es bedarf der Rückspeicherung der aus- 60 Figur ein Schaltbild eines Teiles eines Speichers gegelesenen Information in den Speicher. Die Festwert- maß der Erfindung, teilweise in schematischer Darspeicherung erfolgt bei diesem Speicher nicht durch stellung und teilweise in Blockdarstellung, die Lage eines wirksamen Kernes auf einer von zwei Bei der speziellen Ausführungsform eines Spei-
    Lesedrähten, sondern dadurch, daß ein Kern von chers, wie er in der einzigen Figur dargestellt ist, einem Schreibdraht durchsetzt wird oder nicht. 65 wird eine Matrix 10 aus ferromagnetischen Speicher-Durch die gegebene Drahtführung ist die Festwert- kernen durch eine Matrix 12 aus Worttreiberkernen information ein für allemal fest eingeschrieben. Die angesteuert. Die ferromagnetischen Speicherkerne abzufragenden Worte werden lediglich durch die sind in der Matrix 10 derart angeordnet, daß durch
DE1524919A 1966-02-23 1967-05-13 Matrixspeicher Expired DE1524919C3 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US52931966A 1966-02-23 1966-02-23
US54449566A 1966-04-22 1966-04-22
US55746966A 1966-06-14 1966-06-14

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1524919A1 DE1524919A1 (de) 1970-11-26
DE1524919B2 DE1524919B2 (de) 1973-06-14
DE1524919C3 true DE1524919C3 (de) 1974-01-24

Family

ID=27415023

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671524911 Pending DE1524911B2 (de) 1966-02-23 1967-02-14 Verfahren zum ansteuern einer auswaehlmatrix
DE1524914A Expired DE1524914C3 (de) 1966-02-23 1967-03-25 Magnetkernspeichermatrix
DE1524919A Expired DE1524919C3 (de) 1966-02-23 1967-05-13 Matrixspeicher

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671524911 Pending DE1524911B2 (de) 1966-02-23 1967-02-14 Verfahren zum ansteuern einer auswaehlmatrix
DE1524914A Expired DE1524914C3 (de) 1966-02-23 1967-03-25 Magnetkernspeichermatrix

Country Status (8)

Country Link
US (3) US3469246A (de)
BE (3) BE694341A (de)
CH (3) CH465673A (de)
DE (3) DE1524911B2 (de)
FR (1) FR1515320A (de)
GB (3) GB1150984A (de)
NL (3) NL6702297A (de)
SE (2) SE346648B (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3700861A (en) * 1970-10-19 1972-10-24 Amp Inc Data card terminal

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2691155A (en) * 1953-02-20 1954-10-05 Rca Corp Memory system
US3244902A (en) * 1959-06-03 1966-04-05 Ncr Co Inhibit logic circuit
US3011158A (en) * 1960-06-28 1961-11-28 Bell Telephone Labor Inc Magnetic memory circuit
US3142049A (en) * 1961-08-25 1964-07-21 Ibm Memory array sensing
US3287710A (en) * 1962-08-31 1966-11-22 Hughes Aircraft Co Word organized high speed magnetic memory system
DE1181276B (de) * 1963-05-02 1964-11-12 Zuse K G Datengeber aus matrixfoermig angeordneten Ferrit-Ringkernen
US3341830A (en) * 1964-05-06 1967-09-12 Bell Telephone Labor Inc Magnetic memory drive circuits
US3388387A (en) * 1964-07-07 1968-06-11 James E. Webb Drive circuit utilizing two cores

Also Published As

Publication number Publication date
GB1150985A (en) 1969-05-07
NL6702297A (de) 1967-08-24
NL6707054A (de) 1967-12-15
DE1524919B2 (de) 1973-06-14
CH472090A (de) 1969-04-30
SE334257B (de) 1971-04-19
DE1524914C3 (de) 1974-01-10
DE1524919A1 (de) 1970-11-26
DE1524914A1 (de) 1972-03-02
BE694341A (de) 1967-08-21
FR1515320A (fr) 1968-03-01
NL139085B (nl) 1973-06-15
GB1150984A (en) 1969-05-07
CH456693A (de) 1968-07-31
US3469249A (en) 1969-09-23
BE696859A (de) 1967-10-10
US3434128A (en) 1969-03-18
DE1524911B2 (de) 1971-06-24
BE699364A (de) 1967-12-01
CH465673A (de) 1968-11-30
SE346648B (de) 1972-07-10
NL6705750A (de) 1967-10-23
DE1524914B2 (de) 1973-05-30
DE1524911A1 (de) 1970-10-22
GB1159099A (en) 1969-07-23
US3469246A (en) 1969-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1108953B (de) Anordnung zum Vergleich von Datenworten mit einem Pruefwort
DE1168127B (de) Schaltungsanordnung zum Vergleich von Zahlen
DE2450528B2 (de) Einrichtung zur Anpassung von Taktan Informationssignale auf Übertragungsleitungen mit unterschiedlichen Laufzeitverhältnissen
DE2905676A1 (de) Integrierte schaltung mit einem einzigen chip
DE1058284B (de) Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer Schaltkernmatrix
DE1280935B (de) Verfahren zum Einspeichern von Daten in Magnetspeicher und Anordnung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE1114044B (de) Datenuebertragungsvorrichtung fuer programmgesteuerte Ziffernrechenmaschinen
DE1449806C3 (de) Matrixspeicher
DE1119567B (de) Geraet zur Speicherung von Informationen
DE1149391B (de) Anordnung zur Steuerung des Auslesevorgangs bei Magnetkernspeichern
DE1524919C3 (de) Matrixspeicher
DE1186509B (de) Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern
DE1295656B (de) Assoziativer Speicher
DE1574590B2 (de) Matrixartig aufgebaute Schalteranordnung zur wahlweisen Verbindung einer von mehreren Eingabe-Ausgabe-Steuereinheiten mit einer von mehreren Eingabe/Ausgabe-Einheiten
DE1774991B1 (de) Pruefschaltung fuer eine Auswahlschaltung
DE1276375B (de) Speichereinrichtung
DE3016269C2 (de)
DE1474380A1 (de) Matrixspeicheranordnung
DE1449581B2 (de) Vorrichtung zum auslesen eines rechenmaschinen grosspeichers
DE1067617B (de) Magnetische Schaltungseinheit fuer elektronische Rechner und andere Daten verarbeitende Maschinen
DE1097182B (de) Magnetkernspeicher fuer digital arbeitende Nachrichtenverarbeitungsmaschinen
DE4038328C2 (de)
DE1953364C (de) Datenverarbeitungsanordnung
DE1499680C3 (de) Treib- und Leseverstärkeranordnung für magnetische Matrixspeicher
DE1161710B (de) Abfrageeinrichtung fuer Magnetspeicher

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee