DE1276606B - Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen

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DE1276606B DE1965S0097864 DES0097864A DE1276606B DE 1276606 B DE1276606 B DE 1276606B DE 1965S0097864 DE1965S0097864 DE 1965S0097864 DE S0097864 A DES0097864 A DE S0097864A DE 1276606 B DE1276606 B DE 1276606B
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Dr Heinz Henker
Kurt Schlueter
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE883784C (de) * 1949-04-06 1953-06-03 Sueddeutsche App Fabrik G M B Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten aus Elementen
DE1029941B (de) * 1955-07-13 1958-05-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten

Patent Citations (2)

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DE1029941B (de) * 1955-07-13 1958-05-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten

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