DE1276606B - Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen

Info

Publication number
DE1276606B
DE1276606B DES97864A DES0097864A DE1276606B DE 1276606 B DE1276606 B DE 1276606B DE S97864 A DES97864 A DE S97864A DE S0097864 A DES0097864 A DE S0097864A DE 1276606 B DE1276606 B DE 1276606B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
doping
base material
compound
evaporator
germanium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES97864A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dr Heinz Henker
Kurt Schlueter
Dipl-Phys Hermann Steggewentz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES97864A priority Critical patent/DE1276606B/de
Priority to NL6605988A priority patent/NL6605988A/xx
Priority to AT611566A priority patent/AT263085B/de
Priority to GB28674/66A priority patent/GB1105429A/en
Priority to CH927466A priority patent/CH494066A/de
Priority to FR67035A priority patent/FR1484943A/fr
Publication of DE1276606B publication Critical patent/DE1276606B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/00—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • H10P14/24—
    • H10P14/3411—
    • H10P14/3442—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DES97864A 1965-06-28 1965-06-28 Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen Pending DE1276606B (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES97864A DE1276606B (de) 1965-06-28 1965-06-28 Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen
NL6605988A NL6605988A (OSRAM) 1965-06-28 1966-05-03
AT611566A AT263085B (de) 1965-06-28 1966-06-27 Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen
GB28674/66A GB1105429A (en) 1965-06-28 1966-06-27 Improvements in or relating to the production of doped monocrystalline layers of semiconductor material
CH927466A CH494066A (de) 1965-06-28 1966-06-27 Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen
FR67035A FR1484943A (fr) 1965-06-28 1966-06-27 Procédé pour préparer par croissance épitaxiale des couches de substance semiconductrice, monocristallines et dopées

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES97864A DE1276606B (de) 1965-06-28 1965-06-28 Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1276606B true DE1276606B (de) 1968-09-05

Family

ID=7521040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES97864A Pending DE1276606B (de) 1965-06-28 1965-06-28 Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen

Country Status (5)

Country Link
AT (1) AT263085B (OSRAM)
CH (1) CH494066A (OSRAM)
DE (1) DE1276606B (OSRAM)
GB (1) GB1105429A (OSRAM)
NL (1) NL6605988A (OSRAM)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE883784C (de) * 1949-04-06 1953-06-03 Sueddeutsche App Fabrik G M B Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten aus Elementen
DE1029941B (de) * 1955-07-13 1958-05-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE883784C (de) * 1949-04-06 1953-06-03 Sueddeutsche App Fabrik G M B Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten aus Elementen
DE1029941B (de) * 1955-07-13 1958-05-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten

Also Published As

Publication number Publication date
GB1105429A (en) 1968-03-06
AT263085B (de) 1968-07-10
CH494066A (de) 1970-07-31
NL6605988A (OSRAM) 1966-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE865160C (de) Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper
DE1029941B (de) Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten
EP1936012B1 (de) Verfahren zum Herstellen kristallisierten Siliciums sowie kristallisiertes Silicium
DE1667432A1 (de) Neues Verfahren zur Herstellung von einfachen oder gemischten Carbonitriden oder Oxycarbonitriden von UEbergangsmetallen und neue Metallcarbonitride oder -oxycarbonitride,die diese Metalle enthalten
DE1288571B (de) Verfahren zur genauen Regelung des Dotierstoffgehalts von epitaktisch abgelagertem Halbleitermaterial
DE2207056A1 (de) Verfahren zum selektiven epitaxialen Aufwachsen aus der flüssigen Phase
DE1225148B (de) Verfahren zum Niederschlagen eines halbleitenden Elementes und eines Aktivator-stoffes aus einem Reaktionsgas
DE1250789B (de) Verfahren zum Züchten eines epitaktisch gewachsenen Einkristalles mit Hilfe einer Transportreaktion
DE1644031A1 (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinen,epitaktischen Galliumarsenidniederschlaegen
DE1224279B (de) Verfahren zur Herstellung kristalliner, insbesondere einkristalliner, aus Halbleiter-material bestehender, dotierter Schichten auf kristallinen Grundkoerpern aus Halbleitermaterial
DE2310117A1 (de) Verfahren zum aufwachsen von versetzungsfreien einkristallinen schichten auf keimkristallen
DE1245340B (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristallnadeln aus Siliciumnitrid
DE1276606B (de) Verfahren zum Herstellen einkristalliner dotierter Schichten aus Halbleitermaterial durch epitaktisches Aufwachsen
DE1191794B (de) Verfahren zur Herstellung gereinigter Borphosphideinkristalle
DE1281404B (de) Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten
DE2212295C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium- oder Germanium-Epitaxialschichten
DE2111946C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsenlassen eines Kristalls auf einer Unterlage
DE1161036B (de) Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen
DE1519892A1 (de) Verfahren zum Herstellen von hochreinen kristallinen,insbesondere einkristallinen Materialien
DE1247278B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpern durch thermische Zersetzung gasfoermiger Verbindungen
DE1444396A1 (de) Verfahren zur Regelung der Zusammensetzung einer Dampfphase
DE1544241C (de) Verfahren zum Abscheiden einer Schicht aus Galliumarsenid auf einer Unterlage
AT250441B (de) Verfahren zum Herstellen von kristallinem vorzugsweise einkristallinem Silizium
DE2104329C3 (de) 29.12.70 Japan 45-124823 Verfahren zur Bildung einer Schicht eines ternären Materials auf einem Substrat
DE1544241B2 (de) Verfahren zum abscheiden einer schicht aus galliumarsenid auf einer unterlage