DE1272886B - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes

Info

Publication number
DE1272886B
DE1272886B DES106085A DES0106085A DE1272886B DE 1272886 B DE1272886 B DE 1272886B DE S106085 A DES106085 A DE S106085A DE S0106085 A DES0106085 A DE S0106085A DE 1272886 B DE1272886 B DE 1272886B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rod
zone melting
melting chamber
chamber wall
carriage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DES106085A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr-Ing Dipl-Phys Reimer Emeis
Dr Rer Nat Wolfgang Keller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES106085A priority Critical patent/DE1272886B/de
Priority to NL676711662A priority patent/NL145469B/xx
Priority to US669967A priority patent/US3615245A/en
Priority to GB43613/67A priority patent/GB1129488A/en
Publication of DE1272886B publication Critical patent/DE1272886B/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/32Mechanisms for moving either the charge or the heater
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/106Seed pulling including sealing means details
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/1072Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1076Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES JmWml· PATENTAMT Int. Cl.:
BOId
AUSLEGESCHRIFT
BOIj
Deutsche Kl.: 12 c-2
Nummer: 1272 886
Aktenzeichen: P 12 72 886.8-43 (S 106085)
Anmeldetag: 24. September 1966
Auslegetag: 18. Juli 1968
Es ist bereits ein Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines lotrecht an seinen Enden gehalterten kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes, bekannt, dessen Halterungen, von denen mindestens eine um ihre lotrechte Achse in Drehung versetzt wird, relativ zueinander und zu einer den Stab ringförmig umgebenden Heizeinrichtung in Richtung der Stabachse mit derart aufeinander abgestimmten Geschwindigkeiten bewegt werden, daß die Dicke des aus der Schmelze wiedererstarrenden Stabteiles über die lichte Weite der Heizeinrichtung hinaus vergrößert wird. Bei diesem Verfahren wird die sich drehende Halterung des wiedererstarrenden Stabteiles relativ zur Heizeinrichtung seitlich verschoben. Der aus der Schmelze wiedererstarrende Stabteil kann wahlweise unterhalb oder oberhalb der Heizeinrichtung angeordnet werden (vgl. belgische Patentschrift 664 435). Mit diesem Verfahren wird es ermöglicht, Halbleiterstäbe, vorzugsweise Siliziumstäbe, mit größerem Querschnitt als nach den älteren konzentrisehen Zonenschmelzverfahren herzustellen. Wie sich gezeigt hat, kann das vorstehend beschriebene Verfahren aber auch mit Vorteil bei Halbleiterstäben angewandt werden, die nicht gestaucht werden, d. h. bei Verfahren, bei denen der wiedererstarrende Stabteil die gleichen oder auch geringere Abmessungen besitzt als der der Schmelze zugeführte Stabteil. Hierbei wird insbesondere die Kristallqualität verbessert und die radiale Widerstandsverteilung über den Stabquerschnitt vergleichmäßigt.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines lotrecht an seinen Enden gehalterten kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes, mit mindestens einer um ihre lotrechte Achse in Umdrehung versetzbaren und relativ zu einer den Stab ringförmig umgebenden Heizeinrichtung in Richtung der Stabachse verschiebbaren Halterung, deren Antriebswelle durch eine Öffnung einer Zonenschmelzkammerwand hindurchgeführt ist, wobei die Halterung des wiedererstarrenden Stabteiles auch seitlich verschiebbar ist. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die Antriebswelle für die Halterung des wiedererstarrenden Stabteiles durch einen auf einer horizontalen Zonenschmelzkammerwand seitlich verschiebbaren Schlitten vakuumdicht geführt ist und daß der Schlitten seinerseits die für die seitliche Verschiebung der Antriebswelle für die Stabhalterung notwendige öffnung in der Zonenschmelzkammerwand vakuumdicht verschließt.
Der Schlitten kann nicht nur in einer Richtung verschoben werden, sondern die seitliche Verschie-Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
eines kristallinen Stabes,
insbesondere Halbleiterstabes
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8520 Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dr.-Ing. Dipl.-Phys. Reimer Emeis,
8553 Ebermannstadt;
Dr. rer. nat. Wolfgang Keller, 8551 Pretzfeld --
bung erfolgt günstigerweise mehrmals während des Behandlungsverfahrens in einander entgegengesetzten Richtungen, beispielsweise etwa zwanzigmal pro Minute. An Stelle einer linearen Hin- und Herbewegung kann der Schlitten auch mit einer kreisenden, vorzugsweise exzentrischen Bewegung beaufschlagt werden. Dieser Verfahrensschritt zeichnet sich dadurch aus, daß er besonders erschütterungsfrei ist.
In Weiterbildung der Erfindung ist in einer oder in beiden Berührungsflächen zwischen der horizontalen Zonenschmelzkammerwand und dem Schlitten eine umlaufende, die öffnung in der horizontalen Zonenschmelzkammerwand vollständig umschließende Nut eingelassen, die mit einer Dichtungsflüssigkeit, vorzugsweise Öl, gefüllt ist und in jeder Stellung des Schlittens von diesem überdeckt ist.
Eine derartige Anordnung ist besonders leichtgängig, weil sich ein Flüssigkeitsfilm über den größten Teil der beiden Berührungsflächen zwischen dem Schlitten und der horizontalen Zonenschmelzkammerwand legt und somit die Reibung der Berührungsflächen herabsetzt. Andererseits sind keine Verschleißteile zwischen den beiden Berührungsflächen vorhanden.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden an einem Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung näher erläutert.
F i g. 1 zeigt einen Querschnitt der Vorrichtung gemäß der Erfindung in der konzentrischen (Ausgangs-) Stellung;
F i g. 2 zeigt die Draufsicht auf die Vorrichtung nach F ig. 1.
In Fig. 1 ist ein Teilausschnitt einer Zonenschmelzkammer mit 1 bezeichnet. In der einen horizontalen Wand 2 der Zonenschmelzkammer 1 ist eine
809 570/462
Antriebswelle 3 für die Halterung 4 des wiedererstarrenden Stabteiles 5 vakuumdicht in einem seitlich verschiebbaren Schlitten 6 geführt. Der kirstalline Stab 7 setzt sich aus dem wiedererstarrenden Stabteil 5 und dem der Schmelzzone 8 zugeführten Stabteil 9 zusammen. In die horizontale Schmelzkammerwand 2 ist eine umlaufende Nut 10 eingelassen, die mit einer Dichtungsflüssigkeit, vorzugsweise Öl, gefüllt ist. Der Schlitten 6 ist so ausgelegt, daß er in jeder Stellung die Nut 10 allseitig überdeckt und damit eine vakuumdichte Abdichtung zwischen den Berührungsflächen 11 und 12 des Schlittens und der horizontalen Schmelzkammerwand 2 ergibt. Die Antriebswelle 3 für den wiedererstarrenden Stabteil 5 wird durch an sich bekannte Antriebsmittel in Umdrehung versetzt und kann außerdem relativ zur vorzugsweise ortsfesten Heizeinrichtung 13 in Richtung der Stabachse bewegt werden. Die vakuumdichte Durchführung der Antriebswelle 3 durch den Schlitten 6 ist durch an sich bekannte Dichtungselemente, beispielsweise Simmerringe 14, hergestellt. Die Simmerringe 14 sind in einer Fassung 15 gehalten, die ihrerseits mittels eines Dichtungsringes 16 abgedichtet ist. Zur Begrenzung der seitlichen Verschiebung des Schlittens 6 ist günstigerweise an der horizontalen Zonenschmelzkammerwand 2 ein die Öffnung 17 für die Antriebswelle 3 der Stabhalterung 4 umschließendes Anschlagteil 18 angebracht. Das Anschlagteil 18 besitzt einen Dichtungsring 19, der verhindert, daß die in der Nut 10 und zwischen den einander zugekehrten Berührungsflächen 11,12 befindliche Dichtungsflüssigkeit in die Zonenschmelzkammer 1 gelangt. An der freien Stirnfläche 20 des Schlittens 6 sind Abstandshalter 21 angebracht, auf denen eine Tragplatte 22 befestigt ist. An dieser Tragplatte 22 kann die Antriebsvorrichtung für die Antriebswelle 3 der Stabhalterung 4 angebracht sein.
Seitlich im Schlitten 6 ist eine Mutter 23 eingelassen, die mit einer auf der Schmelzkammerwand 2 gelagerten Spindel 24 zusammenwirkt. Die Spindel 24 kann entweder von Hand oder durch eine Antriebsvorrichtung, beispielsweise einen Reversiermotor, betätigt werden. Anschläge 25 geben dem Schlitten 6 während seiner seitlichen Verschiebung eine gute Führung (F i g. 2).
Es kann auch an Stelle der Dichtungsflüssigkeit in die umlaufende Nut 10 ein elastisches Dichtungselement, beispielsweise ein Dichtungsring, eingelegt sein. Wie bereits oben angedeutet, kann an Stelle der Spindelführung an den Schlitten 6 auch eine Exzentervorrichtung angekoppelt sein, die den Schlitten 6 mit einer exzentrischen Kreisbewegung beaufschlagt.
Die erfindungsgemäße Zuordnung zwischen dem Schlitten 6 und der einen horizontalen Schmelzkammerwand2 kann auch an der gegenüberliegenden, zeichnerisch nicht dargestellten anderen horizontalen Schmelzkammerwand vorhanden sein. Damit kann auch der der Schmelzzone 8 zugeführte Stabteil 9 des kristallinen Stabes 7 seitlich verschoben werden. Eine derartige Ausführung ist besonders dann günstig, wenn der Schlitten 6 die vorgenannte exzentrische Kreisbewegung ausführt, weil in diesem Fall der Rühreffekt der beiden Stabteile 5 und 9 auf die Schmelze erhöht wird, was eine besonders gleichmäßige radiale Widerstandsverteilung bedingt. Andererseits ist es auch möglich, den Schlitten 6 lediglich an der unteren horizontalen Schmelzkammerwand der Schmelzkammer 1 anzubringen. Diese Ausführung wird günstigerweise dann gewählt, wenn die Heizeinrichtung 13 oberhalb des wiedererstarrenden Stabteiles 5 angebracht ist.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines lotrecht an seinen Enden gehalterten kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes, mit mindestens einer um ihre lotrechte Achse in Umdrehung versetzbaren und relativ zu einer den Stab ringförmig umgebenden Heizeinrichtung in Richtung der Stabachse verschiebbaren Halterung, deren Antriebswelle durch eine öffnung einer Zonenschmelzkammer hindurchgeführt ist, wobei die Halterung des wiedererstarrenden Stabteiles auch seitlich verschiebbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die Antriebswelle (3) für die Halterung (4) des wiedererstarrenden Stabteiles (5) durch einen auf einer horizontalen Zonenschmelzkammerwand (2) seitlich verschiebbaren Schlitten (6) vakuumdicht geführt ist und daß der Schlitten (6) seinerseits die für die seitliche Verschiebung der Antriebswelle (3) für die Stabhalterung (4) notwendige Öffnung (17) in der Zonenschmelzkammerwand (2) vakuumdicht verschließt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in einer oder in beiden Berührungsflächen (11,12) zwischen der horizontalen Zonenschmelzkammerwand (2) und dem Schlitten (6) eine umlaufende, die Öffnung (17) in der Zonenschmelzkammerwand (2) vollständig umschließende Nut (10) eingelassen ist, die mit einer Dichtungsflüssigkeit, vorzugsweise Öl, gefüllt ist und in jeder Stellung des Schlittens (6) von diesem überdeckt ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in die Nut (10) ein elastisches Dichtungselement, insbesondere ein Dichtungsring, eingelegt ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß an der horizontalen Schmelzkammerwand (2) ein flüssigkeitsdichtes, die öffnung (17) in der Zonenschmelzkammerwand vollständig umschließendes Anschlagteil (18) für den Schlitten (6) angebracht ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1. bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schlitten (6) und damit die in ihm geführte Antriebswelle (3) für die Stabhalterung (4) mittels einer vorzugsweise auf der horizontalen Zonenschmelzkammerwand (2) gelagerten Spindel (24) seitlich verschiebbar ist.
In Betracht gezogene Druckschriften: Belgische Patentschrift Nr. 664 435.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 570/462 7.68 © Bundesdruckerei Berlin
DES106085A 1966-09-24 1966-09-24 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes Withdrawn DE1272886B (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES106085A DE1272886B (de) 1966-09-24 1966-09-24 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
NL676711662A NL145469B (nl) 1966-09-24 1967-08-24 Inrichting voor het in vacuuem of in een inerte atmosfeer kroesloos zonesmelten van een kristallijne staaf.
US669967A US3615245A (en) 1966-09-24 1967-09-22 Apparauts for rod displacement crucible-free zone melting
GB43613/67A GB1129488A (en) 1966-09-24 1967-09-25 A method of melting a rod of crystalline material zone-by-zone

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES106085A DE1272886B (de) 1966-09-24 1966-09-24 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1272886B true DE1272886B (de) 1968-07-18

Family

ID=7527116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES106085A Withdrawn DE1272886B (de) 1966-09-24 1966-09-24 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3615245A (de)
DE (1) DE1272886B (de)
GB (1) GB1129488A (de)
NL (1) NL145469B (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4002523A (en) * 1973-09-12 1977-01-11 Texas Instruments Incorporated Dislocation-free growth of silicon semiconductor crystals with <110> orientation
DE602004001510T2 (de) * 2003-02-11 2007-07-26 Topsil Semiconductor Materials A/S Vorrichtung und verfahren zur herstellung eines einkristallstabs
US20070216238A1 (en) * 2006-03-16 2007-09-20 Itt Industries Self contained pump electrical equipment power supply integrated into sealing device
CN109727693B (zh) * 2019-01-08 2022-09-23 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种用于i-131吸收瓶的连接器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE664435C (de) * 1936-09-15 1938-08-26 Otto Keinath Buestenhalter

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061527B (de) * 1953-02-14 1959-07-16 Siemens Ag Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
US3228753A (en) * 1962-07-27 1966-01-11 Texas Instruments Inc Orbital-spin crystal pulling
DE1218404B (de) * 1964-02-01 1966-06-08 Siemens Ag Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
US3359077A (en) * 1964-05-25 1967-12-19 Globe Union Inc Method of growing a crystal
DE1262226B (de) * 1965-04-28 1968-03-07 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen mit einer Vakuumkammer
US3370927A (en) * 1966-02-28 1968-02-27 Westinghouse Electric Corp Method of angularly pulling continuous dendritic crystals

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE664435C (de) * 1936-09-15 1938-08-26 Otto Keinath Buestenhalter

Also Published As

Publication number Publication date
NL6711662A (de) 1968-03-25
GB1129488A (en) 1968-10-09
NL145469B (nl) 1975-04-15
US3615245A (en) 1971-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0182158B2 (de) Schleifkopf
DE102009026935B4 (de) Härtemaschine zum induktiven Härten unter Schutzgas
DE3242095C2 (de) Schleifmaschine für das Feinschleifen einer Kurbelwelle
DE3524377C2 (de)
DE1272886B (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
EP0063674A1 (de) Support für das Drehen von tiefen Ringnuten
DE4002191A1 (de) Funkenerodiermaschine
DE1519893C3 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines stabförmigen Körpers
DE552664C (de) Anhebevorrichtung fuer Arbeitstroege von Knet- und Mischmaschinen
DE2343779C3 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes
DE1148525B (de) Verfahren zum Vergroessern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial
DE2061959A1 (de) Werkzeugmaschine
DE392495C (de) Vorschubvorrichtung fuer die Werkstoffstange an selbsttaetigen Drehbaenken
DE1719513A1 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes
AT30405B (de) Maschine zur Herstellung von Metallspänen.
AT302096B (de) Werkzeugmaschine zur Herstellung von Graphitelektroden
DE2415788C3 (de) Vorrichtung zur Wärmebehandlung von Metallwerkstücken durch teilweises Eintauchen in ein Bad
DE2829636A1 (de) Schraubelement zur regulierung von zaehnen
DE1719512C3 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
DE1181525B (de) Bohrmaschine
DE2209655A1 (de) Abdichtung
DE3136245A1 (de) &#34;werkzeugtraegeranordnung an einer zahnflankenschleifmaschine&#34;
DE1193340B (de) Tiefenvorschub fuer eine Waelzfraesmaschine
DE3310307A1 (de) Vorrichtung zum verputzen der schweissraupe an fensterrahmen od. dgl.
DE1502690A1 (de) Bearbeitungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
E771 Valid patent as to the heymanns-index 1977, willingness to grant licences
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee