DE112021001199T5 - Verfahren zum Herstellen eines Metallgitters, Dünnschichtsensor und Verfahren zum Herstellen desselben - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Metallgitters, Dünnschichtsensor und Verfahren zum Herstellen desselben Download PDF

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Abstract

Die vorliegende Offenbarung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters, einen Dünnschichtsensor und ein Verfahren zum Herstellen desselben bereit, welche zum technischen Gebiet elektronischer Bauelementen gehören. Das Verfahren zum Herstellen eines Metallgitters gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst Bereitstellen eines Basissubstrats, Bilden eines Musters mit einer ersten dielektrischen Schicht auf dem Basissubstrat durch einen Strukturierungsprozess, wobei die erste dielektrische Schicht eine erste gitterförmige Rille aufweist; Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite der ersten dielektrischen Schicht, wobei die zweite dielektrische Schicht zumindest auf einer Seitenwand der ersten Rille abgeschieden wird, um eine zweite gitterförmige Rille zu bilden; Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rille und zumindest Entfernen des Materials solches Teils der zweiten dielektrischen Schicht, der in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat nicht mit dem Metallmaterial überlappt, um das Metallgitter zu bilden.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft das technische Gebiet von elektronischen Bauelement und betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters, einen Dünnschichtsensor und ein Verfahren zum Herstellen desselben.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gegenwärtig beträgt eine Linienbreite in einem Mikro-Nano-Prozess, der üblicherweise in der Halbleiterindustrie auf Glasbasis verwendet wird, etwa 2 bis 3 µm. Einige Dünnfilm-Anzeige- und Sensorbauelementen, wie etwa eine transparente Antenne oder ein Radiofrequenzbauelement, stellen höhere Anforderungen an die Linienbreite in der Mikro-Nano-Prozess. Die transparente Antenne verwendet hauptsächlich ein Metallgitter mit einer schmalen Linienbreite als Signalsende- und -empfangseinheit, während das Radiofrequenzbauelement einen schmaleren Kanal verwendet, um eine höhere Sperrfrequenz zu erreichen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung zielt darauf ab, mindestens ein technisches Problem im Stand der Technik zu lösen, und stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters, einen Dünnschichtsensor und ein Verfahren zum Herstellen desselben bereit.
  • In einem ersten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters bereit, umfassend:
    • Bereitstellen eines Basissubstrats,
    • Bilden eines Musters mit einer ersten dielektrischen Schicht auf dem Basissubstrat durch einen Strukturierungsprozess, wobei die erste dielektrische Schicht eine erste gitterförmige Rille aufweist;
    • Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite der ersten dielektrischen Schicht, wobei die zweite dielektrische Schicht zumindest auf einer Seitenwand der ersten Rille abgeschieden wird, um eine zweite gitterförmige Rille zu bilden; und
    • Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rille und zumindest Entfernen des Materials solches Teils der zweiten dielektrischen Schicht, der in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat nicht mit dem Metallmaterial überlappt, um das Metallgitter zu bilden.
  • Dabei umfasst der Schritt des Bildens eines Musters mit einer ersten dielektrischen Schicht auf dem Basissubstrat durch einen Strukturierungsprozess:
    • Bilden einer ersten Materialschicht und einer zweiten Materialschicht nacheinander auf dem Basissubstrat;
    • Strukturieren der zweiten Materialschicht, um eine Opferschicht mit einem gitterförmigen Hohlmuster zu bilden;
    • Entfernen des ersten Materials an solcher Position der ersten Materialschicht, die dem gitterförmigen Hohlmuster der Opferschicht entspricht, durch einen Strukturierungsprozess; Entfernen der Opferschicht, um die erste dielektrische Schicht zu bilden.
  • Dabei umfasst die erste Materialschicht einen bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoff, wobei der Schritt des Bildens einer ersten Materialschicht und einer zweiten Materialschicht nacheinander auf dem Basissubstrat umfasst:
    • Aufbringen des bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoffs auf dem Basissubstrat durch einen Beschichtungsprozess und Aushärten des bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoffs;
    • Abscheiden eines zweiten Materials auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite des bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoffs nach dem Aushärten.
  • Dabei umfasst das Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rille:
    • Bilden einer Metallfilmschicht als Keimschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite der zweiten dielektrischen Schicht;
    • Durchführen eines Elektroplattierungsprozesses auf der Keimschicht, um ein Metallmaterial sowohl in der zweiten Rille als auch auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite der zweiten dielektrischen Schicht zu bilden; und
    • zumindest Entfernen eines sich außerhalb der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials.
  • Dabei umfasst zumindest das Entfernen eines sich außerhalb der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials:
    • Entfernen des sich außerhalb der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials und Entfernen des sich in der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials mit einer vorbestimmten Dicke.
  • Dabei umfasst das Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rille:
    • Bilden einer Metallfilmschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite der zweiten dielektrischen Schicht durch einen Verdampfungsprozess; und
    • zumindest Entfernen des sich außerhalb der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials durch einen Ätzprozess.
  • Dabei umfasst das Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rillen:
    • Bilden einer Metallfilmschicht als Keimschicht auf dem Basissubstrat vor dem Bilden eines Musters mit einer ersten dielektrischen Schicht auf dem Basissubstrat durch einen Strukturierungsprozess;
    • Bilden einer Schutzschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandenten Seite der Keimschicht;
    • Entfernen einer Bodenwand der zweiten Rille und eines sich an einer Position der Bodenwand der zweiten Rille befindenten Teils der Schutzschicht nach dem Schritt des Bildens einer zweiten dielektrischen Schicht auf einer dem Basissubstrat abgewandenten Seite der ersten dielektrischen Schicht; und
    • Durchführen eines Elektroplattierungsprozesses auf der Keimschicht, um das Metallmaterial in der zweiten Rille zu bilden.
  • Dabei umfasst der Schritt des zumindest Entfernens des Materials solches Teils der zweiten dielektrischen Schicht, der in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat nicht mit dem Metallmaterial überlappt:
    • Entfernen des Materials solches Teils der zweiten dielektrischen Schicht durch Nassätzen, der in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat nicht mit dem Metallmaterial überlappt;
    • Entfernen der ersten dielektrischen durch Trockenätzen.
  • Dabei umfasst das Herstellungsverfahren in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ferner nach dem Bilden des Metallgitters:
    • Bilden einer Passivierungsschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandenten Seite des Metallgitters. Dabei beträgt die Dicke der ersten dielektrischen Schicht 2-3 µm.
  • Dabei beträgt die Breite der ersten Rille auf der ersten dielektrischen Schicht 3-4 µm und ihre Tiefe 2-3 µm.
  • Dabei beträgt die Breite der zweiten Rille nicht größer als 1,5 µm.
  • In einem zweiten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsensors bereit, das das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters umfasst.
  • In einem dritten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Dünnschichtsensor bereit, der umfasst:
    • ein Basissubstrat;
    • eine zweite dielektrische Schicht, die auf dem Basissubstrat angeordnet ist;
    • ein Metallgitter, das auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten dielektrischen Schicht angeordnet ist, wobei sich die orthographische Projektion des Metallgitters auf das Basissubstrat innerhalb der orthographischen Projektion der zweiten dielektrischen Schicht auf das Basissubstrat befindet.
  • Dabei ist die Dicke des Metallgitters nicht größer als die Dicke der ersten dielektrischen Schicht.
  • Dabei ist die Linienbreite des Metallgitters nicht größer als 2 µm.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein schematisches Diagramm einer Struktur eines beispielhaften Dünnschichtsensors.
    • 2 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des Dünnschichtsensors in 1 entlang einer Linie A-A'.
    • 3 ist eine Draufsicht auf ein Zwischenprodukt, das in einem Schritt S2 eines Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 4 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des Zwischenprodukts beim Bilden des Metallgitters in 3 entlang einer Linie B-B'.
    • 5 ist eine Draufsicht auf ein Zwischenprodukt, das in einem Schritt S3 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 6 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des Zwischenprodukts beim Bilden des Metallgitters in 5 entlang einer Linie C-C'.
    • 7 ist eine Draufsicht des Metallgitters, das in einem Schritt S4 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des gebildten Metallgitters in 7 entlang einer Linie D-D'.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S21 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S22 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 11 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S23 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 12 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S42 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 13 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S43 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 14 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des Zwischenprodukts beim Bildens des Metallgitters in 5 entlang einer Linie C-C'.
    • 15 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des Zwischenprodukts in einer anderen schematischen Darstellung, das in einem Schritt S42 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 16 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des Zwischenprodukts in einer anderen schematischen Darstellung, das in einem Schritt S43 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 17 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S47 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 18 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Metallgitters, das durch das Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 19 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S04 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 20 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S05 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 21 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S06 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
    • 22 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S07 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Um die technischen Lösungen der vorliegenden Offenbarung für den Fachmann besser verständlich zu machen, wird die vorliegende Offenbarung nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen und spezifischen Ausführungsformen weiter im Detail beschrieben.
  • Sofern nicht anders definiert, sollen hierin verwendete technische oder wissenschaftliche Begriffe die übliche Bedeutung haben, wie sie von Fachleuten auf dem Gebiet verstanden wird, zu dem die vorliegende Offenbarung gehört. Die Wörter „erster“, „zweiter“ und dergleichen, die in der vorliegenden Offenbarung verwendet werden, sollen keine Reihenfolge, Menge oder Wichtigkeit angeben, sondern werden vielmehr verwendet, um einen Bestandteil von einem anderen zu unterscheiden. Auch das Wort „ein“, „eine“, „das oder der oder die“ oder dergleichen bezeichnet keine Mengenbegrenzung, sondern das Vorhandensein mindestens einer. Das Wort „aufweisen“, „einschließen“, „umfassen“ oder dergleichen bedeutet, dass das Element oder der Gegenstand, das oder der dem Wort vorausgeht, ein Element oder ein Gegenstand und das entsprechende Äquivalent enthält, das oder der nach dem Wort aufgeführt ist, beiinhalten, ohne andere Elemente oder Gegenstände auszuschließen. Das Wort „verbunden“, „anschließen“, „kopplen“ oder dergleichen ist nicht auf eine physische oder mechanische Verbindung beschränkt, sondern kann auch eine elektrische Verbindung umfassen, sowohl unmittelbare als auch mittelbare Verbindung. Die Wörter „oben“, „unten“, „links“, „rechts“ und dergleichen werden nur verwendet, um relative Positionsbeziehungen anzugeben, und wenn die absolute Position des beschriebenen Objekts geändert wird, können die relativen Positionsbeziehungen ebenfalls entsprechend geändert werden.
  • 1 ist eine schematische Ansicht einer Struktur eines beispielhaften Dünnschichtsensors. 2 ist ist eine Querschnittsansicht der Struktur des Dünnschichtsensors in 1 entlang einer Linie A-A'. Wie in 1 und 2 gezeigt, umfasst der Dünnschichtsensor: ein Basissubstrat 100 mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, d. h. einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche, die gegenüberliegend angeordnet sind; und eine erste leitfähige Schicht 101 und eine zweite leitfähige Schicht 102 , die jeweils auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche des Basissubstrats 100 angeordnet sind. Wenn der Dünnschichtsensor beispielsweise eine transparente Antenne darstellt, kann die erste leitfähige Schicht 101 eine Strahlungsschicht und die zweite leitende Schicht 102 eine Erdungsschicht sein. Die Strahlungsschicht kann dabei als Empfangseinheit einer Antennenstruktur verwendet werden und kann auch als Sendeeinheit der Antennenstruktur verwendet werden.
  • Um sicherzustellen, dass die erste leitfähige Schicht 101 und die zweite leitfähige Schicht 102 eine gute Lichtdurchlässigkeit aufweisen, müssen die erste leitfähige Schicht 101 und die zweite leitfähige Schicht 102 strukturiert werden. Beispielsweise kann die erste leitende Schicht 101 durch Gitterdrähte gebildet sein, die aus einem Metallmaterial hergestellt sind, und die zweite leitende Schicht 102 kann auch durch Gitterdrähte gebildet sein, die aus einem Metallmaterial hergestellt sind. Es versteht sich, dass die erste leitende Schicht 101 und die zweite leitende Schicht 102 auch durch eine Struktur anderer Muster gebildet werden können, beispielsweise durch Blockelektroden in Form von Diamant, Dreieck usw., die hier nicht aufgeführt sind. Aus 1 ist ersichtlich, sind die erste leitfähige Schicht 101 und die zweite leitfähige Schicht 102 , d. h. die Gitterdrähte, nicht vollfläching auf beiden Oberflächen des Basissubstrats 100 vorgesehen. Jeder Gitterdraht wird durch Metallgitter gebildet, die elektrisch miteinander verbunden sind. Aufgrund des Materials und des Prozessverfahrens des Metallgitters ist eine Linienbreite des Metallgitters relativ groß, was die Lichtdurchlässigkeit des Dünnschichtsensors ernsthaft beeinflusst und somit die Erfahrung des Benutzers negativ beeinflusst.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass das obige Metallgitter nicht darauf beschränkt ist, in einer Antennenstruktur angewendet zu werden, und alternativ in einem Berührungsfeld angewendet werden kann, um als eine Berührungselektrode zu fungieren. Natürlich kann das Metallgitter auch in hier nicht aufgeführten verschiedenen Anwendungen unter Verwendung der Metalldrähte verwendet werden.
  • Um das obige technische Problem zu lösen, wird in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters bereitgestellt. In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird das Metallgitter beispielsweise nur auf eine Antenne als eine Empfangseinheit und/oder eine Sendeeinheit der Antenne angewendet, aber es versteht sich, dass der Umfang der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt wird.
  • 3 veranschaulicht eine Draufsicht auf ein Zwischenprodukt, das in einem Schritt S2 eines Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. 4 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des Zwischenprodukts entlang einer Linie B-B', das während des Bildens des Metallgitters in 3 gezeigt gebildet wird. 5 ist eine Draufsicht auf ein Zwischenprodukt, das in einem Schritt S3 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. 6 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des Zwischenprodukts entlang einer Linie C-C', das während des Bildens des Metallgitters in 5 gezeigt gebildet wird. 7 ist eine Draufsicht des Metallgitters, das in einem Schritt S4 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. 8 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur des gebildten Metallgitters in 7 entlang einer Linie D-D'.
  • In einem ersten Aspekt wird unter Bezugnahme auf 3 bis 8 in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters 400 bereitgestellt, das die folgenden Schritte umfasst:
    • S1, Bereitstellen eines Basissubstrats 100.
  • In einigen Ausführungsformen kann das Basissubstrat 100 ein flexibler Film darstellen, wobei das Material des flexiblen Films mindestens eines von einem COP-Film, einem Polyimid(PI)-Material oder einem Polyethylenterephthalat(PET)-Material umfassen kann. In diesem Fall kann in S1 ein flexible COP-Film durch einen transparenten optischen Klebstoff (OCA-Klebstoff) an einem Glassubstrat angehaftet werden und dann das Glassubstrat, auf dem der COP-Film ausgebildet ist, gereinigt werden kann.
  • S2, Bilden eines Musters mit einer ersten dielektrischen Schicht 200 auf dem Basissubstrat 100 durch einen Strukturierungsprozess, wobei die erste dielektrische Schicht 200 eine erste gitterförmige Rille 201 aufweist, wobei eine Breite der ersten Rille 201 eine erste Breite W1 darstellt, wie sie in 3 und 4 gezeigt.
  • Die erste Rille 201 kann dabei ein Durchgangsschlitz sein, der die erste dielektrische Schicht 200 durchdringt, oder kann auch ein Blindschlitz sein, der die erste dielektrische Schicht 200 um eine bestimmte Dicke durchdringt. In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird die erste Rille 201 beispielweise als der in 3 gezeigte Durchgangsschlitz beschrieben. In einigen Beispielen kann die erste dielektrische Schicht 200 ein bei niedriger Temperatur aushärtender organischer Klebstoff sein, dessen Dicke von etwa 2,5 µm bis etwa 3,5 µm beträgt. Die Breite W1 der ersten Rille 201 in der ersten dielektrischen Schicht 200 beträgt etwa 3 µm bis 4 µm, und eine entsprechende Tiefe beträgt etwa 2 µm bis 3 µm, wobei eine spezifische Tiefe der ersten Rille 201 von der Dicke der ersten dielektrische Schicht 200 abhängig ist. Natürlich ist in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste dielektrische Schicht 200 nicht auf den organischen aushärtenden Klebstoff beschränkt, sondern kann auch aus einem Material einer isolierenden dielektrischen Schicht wie etwa Siliziumoxid und Siliziumnitrid etw. hergestellt sein. Der Grund dafür, dass der organische aushärtende Klebstoff als das Material der ersten dielektrischen Schicht 200 in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verwendet wird, besteht darin, dass es sichergestellt wird, dass eine Seitenwand der gebildeten ersten Rille 201 senkrecht zu einer Oberfläche des Basissubstrats 100 ist, was eine gleichmäßige Linienbreite des nachfolgend gebildeten Metallgitters 400 begünstigt.
  • S3, Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht 300 auf einer dem Basissubstrat 100 abgewandeten Seite der ersten dielektrischen Schicht 200, wobei die zweite dielektrische Schicht 300 zumindest auf einer Seitenwand der ersten Rille 201 abgeschieden wird, um eine zweite gitterförmige Rille 301 zu bilden, wie in 5 und 6 gezeigt.
  • Wie in 6 gezeigt, ist die zweite Rille 301 tatsächlich ein Blindschlitz, der durch die zweite dielektrische Schicht 300 definiert ist, die auf der Seitenwand der ersten Rille 201 abgeschieden ist, d.h. dadurch eine zweite Rille 301 gebildet ist. Eine Breite der zweiten Rille 301 ist eine zweite Breite W2, wobei offensichtlich die zweite Breite W2 kleiner als die erste Breite W1 ist und die zweite Breite W2 des Blindschlitzes von der Dicke der gebildeten zweiten dielektrischen Schicht 300 abhängig ist. In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die zweite dielektrische Schicht 300 nur auf der Seitenwand der ersten Rille 201 abgeschieden werden, oder kann diese Schicht nicht nur auf der Seitenwand der ersten Rille 201 abgeschieden werden, sondern auch auf der dem Basissubstrat 100 abgewandeteen Oberfläche der ersten dielektrischen Schicht 200 gebildet ist, d. h. die orthogonale Projektion der zweiten dielektrischen Schicht 300 auf das Basissubstrat 100 deckt das Basissubstrat 100 ab. In einigen Beispielen wird die zweite dielektrische Schicht 300 mit einer solchen Dicke abgeschieden, dass eine Rillenbreite der ersten Rille 201 von 3-4 µm auf weniger als 2,0 µm reduziert wird, d. h. die Breite W2 der durch die zweite dielektrische Schicht 300 gebildeten zweiten Rille 301 ist nicht größer als 1,5 µm. In einigen Beispielen kann die zweite dielektrische Schicht 300 eine Einzelschichtstruktur aus einem Siliziumoxidfilm oder einem Siliziumnitridfilm oder eine Schichtstruktur eines Verbundfilms aus einem Siliziumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm sein.
  • S4, Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rille 301 und Entfernen der Materialen solcher Teilen der ersten dielektrischen Schicht 200 und der zweiten dielektrischen Schicht 300, die in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat nicht mit dem Metallmaterial überlappen, um ein Metallgitter 400 zu bilden, wie in 7 und 8 gezeigt.
  • In einigen Beispielen umfasst das Metallmaterial eines oder mehrere von Kupfer, Titan, Aluminium und Silber, ist aber nicht darauf beschränkt. Eine Linienbreite des Metallgitters 400, das in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet ist, beträgt 1,5 µm oder weniger, wobei sich die Linienbreite des Metallgitters 400 auf eine Breite eines Metalldrahts bezieht, die aus einem Metallmaterial in der zweiten Rille 301 gebildet ist, wobei die Breite des Metalldrahts gleich oder im Wesentlichen gleich der Rillenbreite der zweiten Rille 301 ist.
  • Auf diese Weise wird das Metallgitter 400 erhalten.
  • In dem Herstellungsverfahren in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird die zweite dielektrische Schicht 300 auf der Seitenwand der ersten Rille 201 abgeschieden, um eine Breite der ersten Rille 201 zu reduzieren, das heißt, um die zweite Rille 301 zu bilden (eine Breite der Rille wird von der ersten Breite W1 auf die zweite Breite W2 geändert, wobei W2 kleiner als W1 ist). Dann wird das Metallmaterial in der zweiten Rille 301 gebildet. Zu diesem Zeitpunkt ist die Linienbreite des gebildeten Metallgitters 400 ist relativ schmal. Das Metallgitter 400 wird auf den Dünnschichtsensor angewendet, was zur Verbesserung der Lichtdurchlässigkeit des Produkts hilfreich ist.
  • In einigen Beispielen kann der Schritt S2, d.h. das Bilden eines Musters mit einer ersten dielektrischen Schicht 200 auf dem Basissubstrat 100 durch einen Strukturierungsprozess, wobei die erste dielektrische Schicht 200 eine erste gitterförmige Rille 201 aufweist; insbesondere wie folgt implementiert werden. 9 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S21 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters 400 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. 10 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S22 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters 400 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. 11 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S23 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters 400 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
  • S21, Bilden einer ersten Materialschicht 20 und einer zweiten Materialschicht 50 nacheinander auf dem Basissubstrat 100, wie in 9 gezeigt.
  • Das Material der ersten Materialschicht 20 umfasst einen bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoff, aber nicht darauf beschränkt. Das Material der zweiten Materialschicht 50 umfasst ein transparentes leitfähiges Metall, wie z. B. ITO (Indium-ZinnOxid), aber nicht darauf beschränkt. In einer beispielhaft beschrieben Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist das Material der ersten Materialschicht 20 der bei niedriger Temperatur aushärtende organische Klebstoff, und das Material der zweiten Materialschicht 50 ist ITO.
  • Schritt S21 kann insbesondere umfassen: zuerst Bilden eines bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoffs mit einer Dicke von etwa 2 µm bis 3 µm auf dem Basissubstrat 100 durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren (aber nicht darauf beschränkt) und Härten desselben, wobei die Härtetemperatur zwischen 110°C und 150°C, insbesondere bei 130 °C liegt. Als nächstes wird eine ITO-Materialschicht mit einer Dicke von ungefähr 50 nm bis 80 nm (z. B. 70 nm) auf einer dem Basissubstrat 100 abgewandeten Seite des bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoffs durch einen Sputterprozess (aber nicht darauf beschränkt) gebildet.
  • S22, Strukturieren der zweiten Materialschicht 50, um eine Opferschicht 500 mit einem gitterförmigen Hohlmuster 501 zu bilden, wie in 10 gezeigt.
  • Schritt S22 kann insbesondere umfassen: das Bilden eines Fotolacks auf einer dem Basissubstrat 100 abgewandeten Seite der zweiten Materialschicht 50 , d.h. der ITO-Materialschicht und dann das Durchführen von Belichtungs-, Entwicklungs- und Ätzprozessen zum Bilden des Opferschicht 500 mit dem gitterförmigen Hohlmuster 501.
  • S23, Entfernen des ersten Materials an solcher Position der ersten Materialschicht 20, die dem gitterförmigen Hohlmuster 501 der Opferschicht 500 entspricht, durch einen Strukturierungsprozess, wie in 11 gezeigt.
  • Schritt S23 kann insbesondere umfassen: das Entfernen des bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoffs (das Material der ersten Materialschicht 20) an der Position des gitterförmigen Hohlmusters 501 durch Trockenätzen.
  • S24, Entfernen der Opferschicht 500, um die erste dielektrische Schicht 200 zu bilden, wie in 3 und 4 gezeigt.
  • Schritt S24 kann insbesondere umfassen: das Entfernen der Opferschicht 500 durch Nassätzen, d.h. das Entfernen des verbleibenden ITO-Materials, um die erste dielektrische Schicht 200 mit der ersten Rille 201 zu bilden.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird die Opferschicht 500 als Maske zum Bilden der ersten Rille 201 verwendet, so dass eine Beschädigung einer Seitenkante der ersten Rille 201 beim Ätzen des organischen aushärtenden Klebstoffs effektiv vermieden wird und somit die Tiefe der ersten Rille 201 sichergestellt wird.
  • In einigen Beispielen kann der Schritt S4, d.h. das Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rille 301 und das Entfernen der Materialien solcher Teilen der ersten dielektrischen Schicht 200 und der zweiten dielektrischen Schicht 300, die in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat 100 nicht mit dem Metallmaterial überlappen, um ein Metallgitter 400 zu bilden, wie folgt implementiert werden. In diesem Fall ist das gebildete Metallgitter 400 beispielsweise eine Titan/Kupfer-Laminatstruktur. 12 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S42 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters 400 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. 13 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S43 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters 400 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
  • S41, Abscheiden eines Titanfilms und eines Kupferfilms nacheinander auf einer dem Basissubstrat 100 abgewandeten Seite der zweiten dielektrischen Schicht 300 durch einen Sputterprozess (aber nicht darauf beschränkt), d.h. Bilden einer Metallfilmschicht 40.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass in diesem Schritt nur ein Kupferfilm abgeschieden werden kann. Der Titanfilm wird nur verwendet wird, um die Haftung des Kupferfilms zu erhöhen.
  • S42, Durchführen eines Elektroplattierungsprozesses für die Metallfilmschicht 40 als Keimschicht, wie in 12 gezeigt.
  • Schritt S42 umfasst insbesondere: Platzieren des Basissubstrats 100 auf einem Träger einer Elektroplattierungmaschine, wobei die mit der zweiten dielektrischen Schicht 300 vorgesehene Seite des Basissubstrats 100 dem Träger zugewandt ist; Drücken eines Einschaltpads darauf; Anordnen des Basissubstrats in einem lochfüllenden Elektroplattierungsbad (mit einem speziellen lochfüllenden Elektrolyten in dem Bad); Anlegen eines elektrischen Stroms derart, dass die Elektroplattierungslösung kontinuierlich und schnell auf der Oberfläche des Basissubstrats 100 fließt, wobei die Kationen in der Elektroplattierungslösung auf der Seitenwand der zweiten Rille 301 Elektronen erhalten, um Atome zu werden, die auf der Seitenwand abgeschieden werden. Durch den dedizierten Lochfüllelektrolyten mit einem speziellen Mischverhältnis kann das Metallkupfer hauptsächlich in der zweiten Rille 301 mit hoher Geschwindigkeit (Abscheidungsgeschwindigkeit von 0,5 bis 3 µm/min) abgeschieden werden, während die Abscheidungsgeschwindigkeit des Metallkupfer auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 ziemlich gering (0,005 bis 0,05 µm/min) ist. Im Laufe der Zeit wird das Metallkupfer an der Seitenwand der zweiten Rille 301 allmählich dicker, und sogar die zweite Rille 301 kann vollständig gefüllt werden, und schließlich wird das Basissubstrat 100 herausgenommen und einer Reinigung mit deionisiertem Wasser unterzogen.
  • S43, Entfernen des Metallmaterials außerhalb der zweiten Rille 301 durch eine Kupferätzlösung, wie in 13 gezeigt.
  • Natürlich kann in Schritt S43 das Metallmaterial außerhalb der zweiten Rille 301 durch Trockenätzen entfernt werden.
  • S44, Entfernen solches Teils der zweiten dielektrischen Schicht 300 durch Nassätzen, der in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat 100 nicht mit dem Metallmaterial überlappt.
  • S45, Entfernen der ersten dielektrischen Schicht 200 durch Trockenätzen, d.h. Bilden des Metallgitters, wie in 8 und 9 gezeigt.
  • 14 zeigt in einigen Ausführungsformen eine andere Querschnittsansicht einer Struktur des Zwischenprodukts während des Bildens des Metallgitters in 5 entlang einer Linie C-C'. Wie in 14 gezeigt, wird aufgrund des Prozesses eine zweite dielektrische Schicht 300 auf einer dem Basissubstrat 100 abgewandeten Seite der ersten dielektrischen Schicht 200 mit der ersten Rille 201 gebildet, wobei eine Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 300 auf den Seitenwand der ersten Rille 201 mit unterschiedlichen Dicken abgeschieden ist, wobei offensichtlich in einer Richtung weg von dem Basissubstrat 100 die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 200, die auf der Seitenwand der ersten Rille 201 abgeschieden ist, allmählich dünner wird, so dass die Rillenbreite der gebildeten zweiten Rille 301 nicht einheitlich ist. Wie in 14 gezeigt, ist die Breite der zweiten Rille 301 an einem dem Basissubstrat 100 abgewandeten Ende deutlich größer als die Breite an einem Ende nahe dem Basissubstrat 100. In diesem Fall umfasst der Schritt S4 in einigen Beispielen nicht nur die oben beschriebenen Schritte S41-43, sondern auch die folgenden Schritte S46 und S47. Da die Breite der zweiten Rille 301 an dem dem Basissubstrat 100 abgewandeten Ende deutlich größer ist als die Breite an dem Ende nahe dem Basissubstrat 100, wird in dem Elektroplattierungsprozess von Schritt S42 für das in der zweiten Rille gebildeten Metallmaterial 301 ebenfalls die Breite desselbe an dem von Basissubstrat 100 abgewandeten Ende deutlich größer ist als die Breite an dem Ende nahe dem Basissubstrat 100, wie in 15 gezeigt. Die in Schritt S43 gebildete Struktur ist in 17 gezeigt. Das Folgende beschreibt insbesondere die Schritte S46 und S47.
  • S46, Entfernen des Materials der zweiten dielektrischen Schicht 300 auf einer dem Basissubstrat 100 abgewandeten Seite der ersten dielektrischen Schicht 200 durch Nassätzen oder einen Veraschungsprozess.
  • S47, Entfernen des Metallmaterials mit einer vorbestimmten Dicke in der zweiten Rille 301 unter Verwendung der Kupferätzlösung, wie in 17 gezeigt.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass die vorbestimmte Dicke eine Differenz zwischen der Dicke des Metallmaterials, das im Schritt S42 in der zweiten Rille 301 gebildet wird, und der Dicke des zu bildenden Metallgitters 400 darstellen sollt.
  • Außerdem wird die Metallfilmschicht 30 auf den Oberflächen der zweiten Rille 301 und der zweiten dielektrischen Schicht 300 auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 durch Sputter- und Elektroplattierungsprozess wie oben gebildet. In einigen Beispielen kann die Metallfilmschicht 30 auch auf den Oberflächen der zweiten Rille 301 und der zweiten dielektrischen Schicht 300 durch einen Verdampfungsprozess gebildet werden.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Verfahren nach Bilden des Muster des Metallgitters 400 ferner das Abdecken einer Passivierungsschicht 500 auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite des Metallgitters 400 umfassen, um das Metallgitter 400 zu schützen, so dass es vermieden wird, dass das Metallgitter 400 durch Wasser und Sauerstoff korrodiert wird.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters bereit. 19 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S04 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. 20 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S05 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. 21 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S06 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. 22 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines Zwischenprodukts, das in einem Schritt S07 des Verfahrens zur Herstellung eines Metallgitters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:
    • S01, Bereitstellen eines Basissubstrats 100.
  • Dieser Schritt kann insbesondere gleich wie der oben beschriebene Schritt S1 sein und wird daher hierin nicht im Detail beschrieben.
  • S02, Bilden einer Metallfilmschicht 40 und einer Schutzschicht nacheinander auf dem Basissubstrat 100.
  • Das Bilden der Metallfilmschicht 40 in Schritt S02 kann durch Sputtern durchgeführt werden, aber nicht darauf beschränkt. Die Schutzschicht umfasst eine organische dielektrische Schicht, aber nicht darauf beschränkt.
  • S03, Bilden einer ersten dielektrischen Schicht 200 auf einer dem Basissubstrat 100 abgewandeten Seite der Schutzschicht, wobei die erste dielektrische Schicht 200 eine erste Rille 201 aufweist.
  • Der Schritt S03 kann dabei insbesondere die Schritte S21-S24 umfassen und wird daher hierin nicht im Detail beschrieben.
  • S04, Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht 300 auf einer dem Basissubstrat 100 abgewandeten Seite der ersten dielektrischen Schicht 200, um eine zweite Rille 301 zu bilden, wie in 19 gezeigt.
  • Der Schritt S04 kann insbesondere gleich wie das Bilden der zweiten dielektrischen Schicht im Schirtt S3 sein und wird daher hierin nicht im Detail beschrieben.
  • S05, Entfernen einer Bodenwand der zweiten Rille 301 und eines Teils der Schutzschicht, der der Bodenwand der zweiten Rille 301 entspricht, wie in 20 gezeigt.
  • In Schritt S05 können die Bodenwand der zweiten Rille 301 und der Teil der Schutzschicht, der der Bodenwand der zweiten Rille 301 entspricht, durch Nassätzen entfernt werden, um die Metallfilmschicht 40 an einer Position der zweiten Rille 301 freizulegen.
  • S06, Durchführen eines Elektroplattierungsprozesses für die Metallfilmschicht 40 als Keimschicht, so dass ein Metallmaterial in der zweiten Rille gebildet wird, wie in 21 gezeigt.
  • Der Elektropattierungsprozess in Schritt S06 ist insbesondere gleich wie in Schritt S42 und wird daher hierin nicht im Detail beschrieben.
  • S07, Entfernen der ersten dielektrischen Schicht 200, der zweiten dielektrischen Schicht 300, der Schutzschicht und eines Teils der Metallfilmschicht 40 auf dem Basissubstrat 100 mit Ausnahme des Metallmaterials in der zweiten Rille 301, um ein Metallgitter 400 zu bilden, wie in 22 gezeigt.
  • Nachdem das Metallgitter 400 gebildet wurde, kann natürlich weiterhin eine Passivierungsschicht 500 auf einer dem Basissubstrat 100 abgewandeten Seite des Metallgitters 400 gebildet werden, um das Metallgitter 400 zu schützen, damit es vermieden wird, dass Metallgitter 400 durch Wasser und Sauerstoff korrodiert wird.
  • In einem zweiten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsensors bereit, der eine transparente Antenne umfasst, aber nicht darauf beschränkt, wobei das Verfahren das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung des Metallgitters 400 umfassen kann.
  • Da das Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsensors in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung des Metallgitters 400 umfasst, ist die Lichtdurchlässigkeit des durch dieses Verfahren gebildeten Dünnschichtsensors hoch. Dabei wird der Einfluss auf die Optikwirkung der Anzeigevorrichtung erheblich reduziert, nachdem der Dünnschichtsensor auf die Anzeigevorrichtung angewendet wurde.
  • In einem dritten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Dünnschichtsensor bereit, der unter Verwendung des vorstehenden Verfahrens hergestellt werden kann. Der Dünnschichtsensor umfasst eine transparente Antenne, aber nicht darauf beschränkt. Das Metallgitter in dem Dünnschichtsensor in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird durch das obige Verfahren hergestellt, so dass die Linienbreite des Metallgitters nicht größer als 2 µm, beispielsweise kleiner als 1,5 µm ist. Die Dicke des Metallgitters 400 in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist nicht geringer als die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 300.
  • Unter Bezugnahme auf 8, umfasst der Dünnschichtsensor insbesondere ein Basissubstrat 100, eine zweite dielektrische Schicht 300 und ein Metallgitter 400 auf der zweiten dielektrischen Schicht 300. In diesem Fall weisen das Metallgitter 400 und die zweite dielektrische Schicht 300 ein gleiches Muster auf, wobei ihre orthografischen Projektionen auf das Basissubstrat 100 einander vollständig überlappen. Es sei darauf hingewiesen, dass in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die räumliche Beziehungen der gebildeten Struktur anhand der Reihenfolge des Abscheidens der Schichten im Herstellungsverfahren definiert sind. Beispielsweise wird die Abscheidungsschicht der zweiten dielektrischen Schicht 300 vor dem Metallgitter 400 gebildet, sodass davon ausgegangen wird, dass sich das Metallgitter auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 befindet.
  • Unter Bezugnahme auf 13, umfasst der Dünnschichtsensor insbesondere ein Basissubstrat 100, eine erste dielektrische Schicht 200, die auf dem Basissubstrat 100 angeordnet ist, eine zweite dielektrische Schicht 300, die auf der ersten dielektrischen Schicht 200 angeordnet ist, und ein Metallgitter 400, das auf der zweiten dielektrischen Schicht 200 angeordnet ist. In diesem Fall wird das Metallgitter 400 in der zweiten Rille 301 der zweiten dielektrischen Schicht 200 gebildet. Außerdem wird eine Außenwand des Metallgitters 400 von der ersten dielektrischen Schicht 200 und der zweiten dielektrischen Schicht 300 umgeschlossen, so dass das Metallgitter geschützt werden kann.
  • In einigen Beispielen, wie in 19 gezeigt, umfasst der Dünnschichtsensor ferner eine Passivierungsschicht 500, die eine dem Basissubstrat abgewandete Seite des Metallgitters 400 bedeckt, um das Metallgitter 400 zu schützen, damit es vermieden wird, dass das Metallgitter 400 durch Wasser und Sauerstoff korrodiert wird.
  • Es versteht sich, dass die vorstehenden Ausführungsformen lediglich beispielhafte Ausführungsformen sind, die nur der Erklärung der Prinzipien der vorliegenden Erfindung dienen, und die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Für den Fachmann ist ersichtlich, dass verschiedene Modifikationen und Verbesserungen vorgenommen werden können, ohne vom Geist und Umfang der Erfindung zu verlassen, und solche Modifikationen und Verbesserungen werden ebenfalls in den Schutzumfang der Erfindung aufgenommen.

Claims (16)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters, umfassend: Bereitstellen eines Basissubstrats, Bilden eines Musters mit einer ersten dielektrischen Schicht auf dem Basissubstrat durch einen Strukturierungsprozess, wobei die erste dielektrische Schicht eine erste gitterförmige Rille aufweist; Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite der ersten dielektrischen Schicht, wobei die zweite dielektrische Schicht zumindest auf einer Seitenwand der ersten Rille abgeschieden wird, um eine zweite gitterförmige Rille zu bilden; und Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rille und zumindest Entfernen des Materials solches Teils der zweiten dielektrischen Schicht, der in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat nicht mit dem Metallmaterial überlappt, um das Metallgitter zu bilden.
  2. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Bildens eines Musters mit einer ersten dielektrischen Schicht auf dem Basissubstrat durch einen Strukturierungsprozess umfasst: Bilden einer ersten Materialschicht und einer zweiten Materialschicht nacheinander auf dem Basissubstrat; Strukturieren der zweiten Materialschicht, um eine Opferschicht mit einem gitterförmigen Hohlmuster zu bilden; Entfernen des ersten Materials an solcher Position der ersten Materialschicht, die dem gitterförmigen Hohlmuster der Opferschicht entspricht, durch einen Strukturierungsprozess; Entfernen der Opferschicht, um die erste dielektrische Schicht zu bilden.
  3. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach Anspruch 2, wobei die erste Materialschicht einen bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoff umfasst, wobei der Schritt des Bildens einer ersten Materialschicht und einer zweiten Materialschicht nacheinander auf dem Basissubstrat umfasst: Aufbringen des bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoffs auf dem Basissubstrat durch einen Beschichtungsprozess und Aushärten des bei niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoffs; Abscheiden eines zweiten Materials auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite des niedriger Temperatur aushärtenden organischen Klebstoffs nach dem Aushärten.
  4. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach Anspruch 1, wobei das Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rille umfasst: Bilden einer Metallfilmschicht als Keimschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite der zweiten dielektrischen Schicht; Durchführen eines Elektroplattierungsprozesses auf der Keimschicht, um ein Metallmaterial sowohl in der zweiten Rille als auch auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite der zweiten dielektrischen Schicht zu bilden; und zumindest Entfernen des sich außerhalb der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials.
  5. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach Anspruch 4, wobei der Schritt, zumindest Entfernen eines sich außerhalb der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials, umfasst: Entfernen des sich außerhalb der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials und Entfernen des sich in der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials mit einer vorbestimmten Dicke.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach Anspruch 1, wobei das Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rille umfasst: Bilden einer Metallfilmschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandeten Seite der zweiten dielektrischen Schicht durch einen Verdampfungsprozess; und zumindest Entfernen des sich außerhalb der zweiten Rille befindeten Teils des Metallmaterials durch einen Ätzprozess.
  7. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach Anspruch 1, wobei das Bilden eines Metallmaterials in der zweiten Rillen umfasst: Bilden einer Metallfilmschicht als Keimschicht auf dem Basissubstrat vor dem Bilden eines Musters mit einer ersten dielektrischen Schicht auf dem Basissubstrat durch einen Strukturierungsprozess; Bilden einer Schutzschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandenten Seite der Keimschicht; Entfernen einer Bodenwand der zweiten Rille und eines sich an einer Position der Bodenwand der zweiten Rille befindenten Teils der Schutzschicht nach dem Schritt des Bildens einer zweiten dielektrischen Schicht auf einer dem Basissubstrat abgewandenten Seite der ersten dielektrischen Schicht; und Durchführen eines Elektroplattierungsprozesses auf der Keimschicht, um das Metallmaterial in der zweiten Rille zu bilden.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach Anspruch 1, wobei der Schritt, zumindest Entfernen des Materials solches Teils der zweiten dielektrischen Schicht, der in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat nicht mit dem Metallmaterial überlappt, umfasst: Entfernen des Materials solches Teils der zweiten dielektrischen Schicht durch Nassätzen, der in einer orthographischen Projektion auf das Basissubstrat nicht mit dem Metallmaterial überlappt; Entfernen der ersten dielektrischen durch Trockenätzen.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach einem der Ansprüche 1-8, wobei das Verfahren nach dem Bilden des Metallgitters ferner umfasst: Bilden einer Passivierungsschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandenten Seite des Metallgitters.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach einem der Ansprüche 1-9, wobei die Dicke der ersten dielektrischen Schicht 2-3 µm beträgt.
  11. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach einem der Ansprüche 1-9, wobei die Breite der ersten Rille auf der ersten dielektrischen Schicht 3-4 µm und ihre Tiefe 2-3 µm beträgt.
  12. Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach einem der Ansprüche 1-9, wobei die Breite der zweiten Rille nicht größer als 1,5 µm beträgt.
  13. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsensors, umfassend das Verfahren zur Herstellung eines Metallgitters nach einem der Ansprüche 1-12.
  14. Dünnschichtsensor, umfassend: ein Basissubstrat; eine zweite dielektrische Schicht, die auf dem Basissubstrat angeordnet ist; ein Metallgitter, das auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten dielektrischen Schicht angeordnet ist, wobei sich die orthographische Projektion des Metallgitters auf das Basissubstrat sich innerhalb der orthographischen Projektion der zweiten dielektrischen Schicht auf das Basissubstrat befindet.
  15. Dünnschichtsensor nach Anspruch 14, wobei die Dicke des Metallgitters nicht kleiner als die Dicke der ersten dielektrischen Schicht ist.
  16. Dünnschichtsensor nach Anspruch 14 oder 15, wobei die Linienbreite des Metallgitters nicht größer als 2 µm ist.
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