DE112021001032T5 - Lichtemittierendes substrat und anzeigevorrichtung - Google Patents

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Wanzhi CHEN
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Abstract

Es werden ein lichtemittierendes Substrat und eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, und das lichtemittierende Substrat (100) umfasst: ein Basissubstrat (110); eine Elektrodenplanarisierungsschicht (170), die sich auf dem Basissubstrat (110) befindet; und eine Elektrodenschicht (180), die sich auf einer einer von dem Basissubstrat (110) abgewandten Seite der Elektrodenplanarisierungsschicht (170) befindet; wobei die Elektrodenschicht (180) eine erste Elektrode (181) und eine zweite Elektrode (182) umfasst, und die erste Elektrode (181) umfasst mindestens einen ersten Elektrodenstreifen (1810), und die zweite Elektrode (182) umfasst mindestens einen zweiten Elektrodenstreifen (1820), wobei der mindestens eine erste Elektrodenstreifen (1810) und der mindestens ein zweiter Elektrodenstreifen (1820) in einer ersten Richtung beabstandet und abwechselnd angeordnet sind, und jeder der mindestens einen ersten Elektrodenstreifens (1810) und jeder der mindestens einen zweiten Elektrodenstreifens (1820) erstrecken sich entlang einer zweiten Richtung; die Elektrodenplanarisierungsschicht (170) umfasst eine erste Aussparung (171) zwischen einem ersten Elektrodenstreifen (1810) und einem zweiten Elektrodenstreifen (1820), die benachbart zueinander sind, und die erste Aussparung (171) ist zur Aufnahme von lichtemittierenden Dioden (200) konfiguriert. Das lichtemittierende Substrat höhere Lichtausbeute, längere Lebensdauer, höhere Produktausbeute und höhere Anzeigequalität.

Description

  • GEBIET DER TECHNIK
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen ein lichtemittierendes Substrat und eine Anzeigevorrichtung.
  • STAND DER TECHNIK
  • Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Displaytechnologie wird die organische Leuchtdioden (Organic Light Emitting Diode, OLED)-Displaytechnologie aufgrund ihrer Vorteile der Selbstbeleuchtung, des großen Betrachtungswinkels, des hohen Kontrasts, des niedrigen Stromverbrauchs und der hohen Reaktionsgeschwindigkeit usw. zunehmend in verschiedenen elektronischen Geräten eingesetzt.
  • Andererseits stellten die Menschen mit der kontinuierlichen Entwicklung der Anzeigetechnologie mit organischen Leuchtdioden höhere Anforderungen an die Leistung des Anzeigeprodukts mit organischen Leuchtdioden, wie z. B. Stromverbrauch, Farbabweichung, Helligkeit, Stabilität und so weiter.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen ein lichtemittierendes Substrat und eine Anzeigevorrichtung bereit. Das lichtemittierende Substrat ist mit einer ersten Aussparung in einer Elektrodenplanarisierungsschicht versehen, und ein erster Elektrodenstreifen und ein zweiter Elektrodenstreifen sind jeweils auf zwei Seiten der ersten Aussparung angeordnet, so dass eine lichtemittierende Diode in der ersten Aussparung angebracht und durch den ersten Elektrodenstreifen und den zweiten Elektrodenstreifen zum Emittieren von Licht angetrieben werden kann. Daher kann das lichtemittierende Substrat ein neuartiges lichtemittierendes Substrat bereitstellen und weist eine höhere Lichtausbeute, eine längere Lebensdauer, eine höhere Produktausbeute und eine höhere Anzeigequalität auf.
  • Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ein lichtemittierendes Substrat bereit, das umfasst: ein Basissubstrat; eine Elektrodenplanarisierungsschicht, die sich auf dem Basissubstrat befindet; und eine Elektrodenschicht, die sich auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der Elektrodenplanarisierungsschicht befindet, wobei die Elektrodenschicht eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode umfasst, die erste Elektrode mindestens einen ersten Elektrodenstreifen umfasst und die zweite Elektrode mindestens einen zweiten Elektrodenstreifen umfasst, wobei der mindestens eine erste Elektrodenstreifen und der mindestens eine zweite Elektrodenstreifen in einer ersten Richtung beabstandet und abwechselnd angeordnet sind, wobei sich jeder der mindestens einen ersten Elektrodenstreifen und jeder der mindestens einen zweiten Elektrodestreifen entlang einer zweiten Richtung erstrecken und die zweite Richtung die erste Richtung schneidet, wobei die Elektrodenplanarisierungsschicht eine erste Aussparung umfasst, die sich zwischen benachbarten ersten Elektrodenstreifen und zweiten Elektrodenstreifen befindet, wobei die erste Aussparung zur Aufnahme von lichtemittierenden Dioden konfiguriert ist.
  • Zum Beispiel umfasst in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, die erste Elektrode eine Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen und die zweite Elektrode umfasst eine Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen, wobei die Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen und die Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen in der ersten Richtung abwechselnd angeordnet sind; wobei mindestens eine der ersten Aussparungen zwischen einem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen und einem in der ersten Richtung zu dem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen benachbarten zweiten Elektrodenstreifen angeordnet ist.
  • Zum Beispiel sind in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, eine Vielzahl von ersten Aussparungen zwischen einem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen und einem in der ersten Richtung zu dem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen benachbarten zweiten Elektrodenstreifen angeordnet, wobei die Vielzahl von ersten Aussparungen entlang der zweiten Richtung angeordnet sind, die die erste Richtung schneidet.
  • Beispielsweise umfasst die erste Elektrode in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ferner eine erste Verbindungselektrode, wobei sich die erste Verbindungselektrode entlang der zweiten Richtung erstreckt, die die erste Richtung schneidet, und die Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen verbindet; die zweite Elektrode umfasst ferner eine zweite Verbindungselektrode, wobei sich die zweite Verbindungselektrode entlang der zweiten Richtung erstreckt und die Vielzahl der zweiten Elektrodenstreifen verbindet; und die erste Verbindungselektrode befindet sich an einer von der zweiten Verbindungselektrode abgewandten Seite der Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen oder der Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen.
  • Beispielsweise umfasst die Elektrodenplanarisierungsschicht in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ferner: eine zweite Aussparung, die sich zwischen der ersten Verbindungselektrode und einem der zweiten Elektrodenstreifen befindet; und eine dritte Aussparung, die sich zwischen der zweiten Verbindungselektrode und einem der ersten Elektrodenstreifen befindet.
  • Zum Beispiel hat in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, die zweite Aussparung eine gleiche Größe und eine gleiche Form wie die erste Aussparung, und die dritte Aussparung hat eine gleiche Größe und eine gleiche Form wie die erste Aussparung.
  • Das lichtemittierende Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner: eine isolierende definierende Schicht, die sich auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der Elektrodenschicht befindet, wobei die isolierende definierende Schicht eine Pixelöffnung umfasst und eine orthographische Projektion der mindestens einen ersten Aussparung auf dem Basissubstrat in eine orthographische Projektion der Pixelöffnung auf dem Basissubstrat fällt.
  • Zum Beispiel umfasst in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, die isolierende definierende Schicht ferner: eine Haltewandstruktur, die in der Pixelöffnung und zumindest an zwei Seiten der ersten Aussparung in der ersten Richtung angeordnet ist.
  • Zum Beispiel beträgt in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ein Größenbereich einer orthographischen Projektion der ersten Aussparung auf dem Basissubstrat in der ersten Richtung 2 bis 50 Mikrometer, und ein Größenbereich einer orthographie Projektion der ersten Aussparung auf dem Basissubstrat in einer Richtung senkrecht zu der ersten Richtung beträgt 2 bis 50 Mikrometer.
  • Beispielsweise beträgt in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ein Größenbereich der ersten Aussparung in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 100 bis 5000 nm.
  • Beispielsweise umfasst das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellte lichtemittierende Substrat ferner: eine lichtemittierende Diode, die zumindest teilweise in der ersten Aussparung angeordnet ist, wobei die lichtemittierende Diode einen ersten Stift und einen zweiten Stift umfasst, wobei der erste Stift mit dem ersten Elektrodenstreifen verbunden ist und der zweite Stift mit dem zweiten Elektrodenstreifen verbunden ist.
  • Beispielsweise ist in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, eine Größe der orthographischen Projektion der ersten Aussparung auf dem Basissubstrat in der ersten Richtung größer als eine Größe der lichtemittierenden Diode in der ersten Richtung, und eine Größe der ersten Aussparung in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat ist größer als 1/4 einer Größe der lichtemittierenden Diode in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat.
  • Zum Beispiel umfasst in dem durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten lichtemittierenden Substrat die lichtemittierende Diode ferner: eine erste Halbleiterschicht, die sich an einer Seite des ersten Stifts befindet; eine lichtemittierende Schicht, die sich auf einer von dem ersten Stift abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht befindet; und eine zweite Halbleiterschicht, die sich auf einer von der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der lichtemittierenden Schicht befindet, wobei der zweite Stift auf einer von der lichtemittierenden Schicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist.
  • Das lichtemittierende Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner: eine Treiberschaltungsschicht, die sich zwischen dem Basissubstrat und der Elektrodenplanarisierungsschicht befindet, wobei die Treiberschaltungsschicht eine Vielzahl von Treiberschaltungen umfasst, wobei die Anodenschicht eine Vielzahl von ersten Elektroden umfasst, wobei die Vielzahl von Treiberschaltungen und die Vielzahl von ersten Elektroden in einer Eins-zu-Eins-Entsprechung angeordnet sind, wobei die Treiberschaltung elektrisch mit einer entsprechenden ersten Elektrode verbunden ist.
  • Zum Beispiel umfasst in dem durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten lichtemittierenden Substrat die Treiberschaltung einen Treibertransistor, einen Datenschreibtransistor, einen ersten Lichtemissionssteuertransistor, einen zweiten Lichtemissionssteuertransistor, einen Elektrodenrücksetztransistor, einen Rücksetztransistor und einen Kompensationstransistor, wobei aktive Schichten des Treibertransistors, des Datenschreibtransistors, des ersten Lichtemissionssteuertransistors, des zweiten Lichtemissionssteuertransistors und des Elektrodenrücksetztransistors Niedertemperatur-Polysilikon sind und aktive Schichten des Rücksetztransistors und des Kompensationstransistors Metalloxid sind.
  • Beispielsweise ist in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ein Breiten-Längen-Verhältnis des Kanals des Treibertransistors größer als das Zweifache eines Breiten-Längen-Verhältnisses des Kanals des Datenschreibtransistors.
  • Beispielsweise nehmen in dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, der Rücksetztransistor und der Kompensationstransistor eine Doppelgatestruktur an.
  • Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ferner eine Anzeigevorrichtung bereit, die eines der oben erwähnten lichtemittierenden Substrate umfasst.
  • Figurenliste
  • Um die technischen Lösungen der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung klarer zu erläutern, werden die Zeichnungen der Ausführungsformen im Folgenden kurz beschrieben, es ist offensichtlich, dass sich die beschriebenen Zeichnungen nur auf einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen und somit die vorliegende Offenbarung nicht einschränken.
    • 1A ist eine schematische Draufsicht auf ein lichtemittierendes Substrat, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 1B ist eine schematische Draufsicht auf ein lichtemittierendes Substrat, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.
    • 2A ist eine schematische Querschnittsansicht eines lichtemittierenden Substrats entlang einer Linie AB in 1A, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 2B ist eine schematische Querschnittsansicht eines lichtemittierenden Substrats entlang einer Linie EF in 1B, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 3A ist eine schematische Querschnittsansicht eines weiteren lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 3B ist eine schematische Querschnittsansicht eines weiteren lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 4 ist ein schematisches Diagramm einer lichtemittierenden Diode, die durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 5 ist eine schematische Draufsicht auf ein weiteres lichtemittierendes Substrat, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 6 ist eine schematische Draufsicht auf ein weiteres lichtemittierendes Substrat, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 7A ist eine schematische Querschnittsansicht eines anderen lichtemittierenden Substrats entlang einer Linie CD in 6, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 7B ist eine schematische Querschnittsansicht eines anderen lichtemittierenden Substrats entlang einer Linie GH in 6, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 8 ist ein äquivalentes schematisches Diagramm einer Treiberschaltung eines anderen lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 9A- 9E sind schematische Layoutdiagramme einer Treiberschaltung eines lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 10A-10C sind schematische Layoutdiagramme einer Treiberschaltung eines anderen lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 11 ist ein schematisches Diagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 12A ist ein schematisches Diagramm einer anderen Anzeigevorrichtung, die durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; und
    • 12B ist ein schematisches Diagramm noch einer anderen Anzeigevorrichtung, die durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Um Aufgaben, technische Lösungen und Vorteile der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung deutlich zu machen, werden die technischen Lösungen der Ausführungsformen klar und vollständig verständlich in Verbindung mit den Zeichnungen beschrieben, die sich auf die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen. Offensichtlich sind die beschriebenen Ausführungsformen nur ein Teil, aber nicht alle Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Basierend auf den beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der Fachmann andere Ausführungsform(en) ohne erfinderische Tätigkeit erhalten, die innerhalb des Umfangs der vorliegenden Offenbarung liegen sollten.
  • Sofern nicht anders definiert, haben alle hierin verwendeten technischen und wissenschaftlichen Begriffe die gleichen Bedeutungen, wie sie allgemein von einem Fachmann auf dem Gebiet verstanden werden, zu dem die vorliegende Offenbarung gehört. Die Begriffe „erster“, „zweiter“ usw., die in der vorliegenden Offenbarung verwendet werden, sollen keine Reihenfolge, Menge oder Wichtigkeit angeben, sondern verschiedene Komponenten unterscheiden. Die Begriffe „umfassen“, „enthalten“, „einschließen“ usw. sollen spezifizieren, dass die vor diesen Begriffen genannten Elemente oder Objekte die nach diesen Begriffen aufgeführten Elemente oder Objekte und Äquivalente davon umfassen, aber schließen die anderen Elemente oder Objekte nicht aus.
  • Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ein lichtemittierendes Substrat und eine Anzeigevorrichtung bereit. Das lichtemittierende Substrat umfasst ein Basissubstrat, eine Elektrodenplanarisierungsschicht und eine Elektrodenschicht; die Elektrodenplanarisierungsschicht befindet sich auf dem Basissubstrat, und die Elektrodenschicht befindet sich auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der Elektrodenplanarisierungsschicht; die Elektrodenschicht umfasst eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die erste Elektrode umfasst mindestens einen ersten Elektrodenstreifen, die zweite Elektrode umfasst mindestens einen zweiten Elektrodenstreifen, der mindestens eine ersten Elektrodenstreifen und der mindestens eine zweiten Elektrodenstreifen beabstandet und abwechselnd in einer ersten Richtung angeordnet sind, jeder der mindestens einen ersten Elektrodenstreifen und jeder der mindestens einen zweiten Elektrodenstreifens sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken und die zweite Richtung die erste Richtung schneidet; die Elektrodenplanarisierungsschicht umfasst eine erste Aussparung, die sich zwischen einem ersten Elektrodenstreifen und einem zweiten Elektrodenstreifen befindet, die benachbart zueinander sind; die erste Aussparung ist zur Aufnahme von lichtemittierenden Dioden konfiguriert. Das lichtemittierende Substrat ist mit einer ersten Aussparung in einer Elektrodenplanarisierungsschicht versehen, so dass eine lichtemittierende Diode in der ersten Aussparung angebracht und durch jeweils auf zwei Seiten der ersten Aussparung angeordneten ersten Elektrodenstreifen und zweiten Elektrodenstreifen zum Emittieren von Licht angetrieben werden kann. Daher kann das lichtemittierende Substrat ein neuartiges lichtemittierendes Substrat bereitstellen und weist eine höhere Lichtausbeute, eine längere Lebensdauer, eine höhere Produktausbeute und eine höhere Anzeigequalität auf.
  • Im Folgenden werden das lichtemittierende Substrat und die Anzeigevorrichtung, die durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt werden, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ein lichtemittierendes Substrat bereit. 1A ist eine schematische Draufsicht auf ein lichtemittierendes Substrat, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; 1B ist eine schematische Draufsicht auf ein weiteres lichtemittierendes Substrat, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; 2A ist eine schematische Querschnittsansicht eines lichtemittierenden Substrats entlang einer Linie AB in 1A, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; 2B ist eine schematische Querschnittsansicht eines lichtemittierenden Substrats entlang einer Linie EF in 1B, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.
  • Wie in 1A und 2A gezeigt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ein Basissubstrat 110, eine Elektrodenplanarisierungsschicht 170 und eine Elektrodenschicht 180; die Elektrodenplanarisierungsschicht 170 ist auf dem Basissubstrat 110 angeordnet, und die Elektrodenschicht 180 ist auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der Elektrodenplanarisierungsschicht 170 angeordnet. Zum Beispiel kann die Elektrodenschicht 180 eine laminierte Struktur aus Titan-Aluminium-Titan sein, und eine Dicke der Elektrodenschicht 180 kann im Bereich von 800 nm bis 1500 nm liegen, wie beispielsweise 1000 nm bis 1200 nm; die Elektrodenplanarisierungsschicht 170 kann aus Polyimid (PI) bestehen und eine Dicke im Bereich von 10 bis 15 Mikrometer aufweisen. Natürlich ist die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt, und die Materialien und Dicken der Elektrodenschicht und der Elektrodenplanarisierungsschicht können gemäß tatsächlichen Anforderungen eingestellt werden.
  • Wie in 1A und 2A gezeigt, umfasst die Elektrodenschicht 180 eine erste Elektrode 181 und eine zweite Elektrode 182; Die erste Elektrode 181 umfasst mindestens einen ersten Elektrodenstreifen 1810 und die zweite Elektrode 182 umfasst mindestens einen zweiten Elektrodenstreifen 1820. Der mindestens eine erste Elektrodenstreifen 1810 und der mindestens eine zweite Elektrodenstreifen 1820 sind beabstandet und abwechselnd angeordnet in einer ersten Richtung X. Jeder der ersten Elektrodenstreifen 1810 und jeder der zweiten Elektrodenstreifen 1820 erstrecken sich entlang einer zweiten Richtung Y, und die zweite Richtung schneidet die erste Richtung. Die Elektrodenplanarisierungsschicht 170 umfasst eine erste Aussparung 171, die zwischen einem ersten Elektrodenstreifen 1810 und einem zweiten Elektrodenstreifen 1820 angeordnet ist, die benachbart zueinander sind. Die erste Aussparung 171 ist zur Aufnahme von lichtemittierenden Dioden 200 konfiguriert.
  • In dem lichtemittierenden Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, kann die erste Aussparung in der Elektrodenplanarisierungsschicht verwendet werden, um die lichtemittierende Diode aufzunehmen, und die erste Aussparung ist zwischen dem ersten Elektrodenstreifen und dem zweiten Elektrodenstreifen angeordnet, die benachbart zueinander sind. Somit können eine Anode und eine Kathode der lichtemittierenden Diode jeweils elektrisch mit dem ersten Elektrodenstreifen bzw. dem zweiten Elektrodenstreifen verbunden werden, nachdem die lichtemittierende Diode in der ersten Aussparung platziert wurde. Daher kann das lichtemittierende Substrat durch den ersten Elektrodenstreifen und den zweiten Elektrodenstreifen die lichtemittierende Diode ansteuern, um Licht zu emittieren, wodurch ein neuartiges lichtemittierendes Substrat bereitgestellt wird. Da die lichtemittierende Diode (LED) selbst eine hohe Lichtausbeute und eine lange Lebensdauer hat, hat auch das lichtemittierende Substrat eine hohe Lichtausbeute und eine lange Lebensdauer. Außerdem kann die erste Aussparung in einem Herstellungsprozess des lichtemittierenden Substrats eine Rolle beim Kalibrieren und Positionieren der lichtemittierenden Diode spielen und kann verhindern, dass benachbarte lichtemittierende Dioden Defekte wie einen Kurzschluss erzeugen, wodurch die Produktausbeute und die Anzeigequalität des lichtemittierenden Substrats verbessert werden. Es sei darauf hingewiesen, dass die Anode und die Kathode der oben erwähnten lichtemittierenden Dioden auch Stifts der lichtemittierenden Dioden sein können.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass im Herstellungsprozess des lichtemittierenden Substrats, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, die Vielzahl von lichtemittierende Dioden mit Flüssigkeit gemischt werden können, um eine gemischte Flüssigkeit zu bilden, und dann die gemischte Flüssigkeit auf lichtemittierendes Substrat aufgebracht wird, das mit der ersten Aussparung gebildet ist; an die erste Elektrode und die zweite Elektrode wird eine Spannung angelegt, um ein elektrisches Feld zu bilden, in diesem Fall können die lichtemittierenden Dioden unter der Wirkung des elektrischen Feldes gerichtet angeordnet werden, beispielsweise eine Verbindungsleitung zwischen der Anode und der Kathode der lichtemittierenden Diode parallel zur ersten Richtung ist; schließlich werden die Anode und die Kathode der angeordneten lichtemittierenden Diode jeweils mit dem ersten Elektrodenstreifen und dem zweiten Elektrodenstreifen fixiert. Jedoch ist die lichtemittierende Diode nicht unter der Wirkung eines elektrischen Feldes streng angeordnet, zum Beispiel weist die Verbindungslinie zwischen der Anode und der Kathode der lichtemittierenden Diode einen bestimmten Winkel mit der ersten Richtung auf. Wenn die oben erwähnte erste Aussparung nicht vorgesehen ist, können zwischen zwei benachbarten lichtemittierenden Dioden Gefahren wie Kurzschluss und ungleichmäßige Verteilung auftreten. Daher kann das lichtemittierende Substrat, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, die lichtemittierende Diode durch die erste Aussparung kalibrieren und positionieren und kann die benachbarten lichtemittierenden Dioden vor Kurzschlüssen und anderen Defekten schützen, wodurch die Produktausbeute und Anzeigequalität des lichtemittierenden Substrats verbessert werden.
  • Obwohl kann der Abstand zwischen dem ersten Elektrodenstreifen und dem zweiten Elektrodenstreifen zwar als Aussparungenstruktur betrachtet werden, sind die Dicken des ersten Elektrodenstreifens und des zweiten Elektrodenstreifens relativ dünn und viel kleiner als die Größe der lichtemittierende Diode in der Richtung senkrecht zum Basissubstrat, und der erste Elektrodenstreifen und der zweite Elektrodenstreifen können daher keine relativ gute Rolle beim Kalibrieren und Positionieren spielen. Außerdem hat der Abstand zwischen dem ersten Elektrodenstreifen und dem zweiten Elektrodenstreifen keine einschränkende Wirkung in der Erstreckungsrichtung des ersten Elektrodenstreifens und kann daher keine relativ gute Rolle beim Kalibrieren und Positionieren spielen. Daher stellt die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein lichtemittierendes Substrat bereit, in dem die erste Aussparung durch Grabenbildung der Elektrodenplanarisierungsschicht ausgebildet ist, was besser die Rolle des Kalibrierens und Positionierens der lichtemittierenden Diode spielen kann.
  • In einigen Beispielen kann das Basissubstrat 110 ein transparentes Substrat sein, wie beispielsweise ein Glassubstrat, ein Quarzsubstrat, und ein Kunststoffsubstrat, und kann auch ein flexibles Substrat sein, wie beispielsweise ein Polyimidsubstrat. Die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist hierin nicht beschränkt.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, umfasst die erste Elektrode 181 eine Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen 1810 und die zweite Elektrode 182 eine Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen 1820, wobei die die Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen 1810 und die die Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen 1820 in der ersten Richtung X abwechselnd angeordnet sind; wobei mindestens eine der ersten Aussparungen 171 zwischen einem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen 1810 und einem in der ersten Richtung X benachbarten zweiten Elektrodenstreifen 1820 angeordnet ist. Eine erste Elektrode 181 und eine zweite Elektrode 182 können ein Elektrodenpaar bilden, und ein durch ein Elektrodenpaar definierter Bereich entspricht einem Subpixelbereich; da die erste Elektrode eine Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen umfasst und die zweite Elektrode eine Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen umfasst, kann eine Vielzahl von ersten Aussparungen zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet werden. Daher kann eine Vielzahl von lichtemittierende Dioden in einem Subpixelbereich des lichtemittierenden Substrats angeordnet werden; das heißt, die lichtemittierenden Dioden, die in der Vielzahl von ersten Aussparungen 171 zwischen der ersten Elektrode 181 und der zweiten Elektrode 182 angeordnet sind, emittieren Licht in einem Subpixelbereich 180. Selbst wenn in diesem Fall einige lichtemittierende Dioden in einem Subpixelbereich aufgrund von Lebensdauer oder anderen Defekten nicht normal arbeiten können, kann der Subpixelbereich immer noch eine normale Anzeige als Ganzes erreichen, da der Subpixelbereich eine Vielzahl von lichtemittierenden Dioden umfasst. Daher kann das Anzeigesubstrat eine höhere Lebensdauer und Produktausbeute aufweisen.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, ist eine Vielzahl von ersten Aussparungen 171 zwischen einem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen 1810 und einem in der ersten Richtung X benachbarten zweiten Elektrodenstreifen 1820 angeordnet ist, und die Vielzahl von ersten Aussparungen 171 sind in der zweiten Richtung Y angeordnet, die die erste Richtung X schneidet. Daher kann das lichtemittierende Substrat die Anzahl und Dichte der ersten Aussparungen erhöhen, wodurch die Anzahl und Dichte von lichtemittierenden Dioden erhöht wird und die Lichtemissionshelligkeit des lichtemittierenden Substrats weiter erhöht wird.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A gezeigt, ist in einem Subpixelbereich oder einem durch ein Elektrodenpaar definierten Bereich eine Vielzahl von ersten Aussparungen 171 in einem Array angeordnet, so dass das lichtemittierende Substrat eine bessere Lichtemissionsgleichmäßigkeit aufweisen kann.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, umfasst die erste Elektrode 181 ferner eine erste Verbindungselektrode 1812, wobei sich die erste Verbindungselektrode 1812 entlang der zweiten Richtung Y erstreckt, die sich mit der ersten Richtung X schneidet, und die Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen 1810 verbindet, so dass eine kammartige Elektrodenstruktur gebildet werden kann. In ähnlicher Weise umfasst die zweite Elektrode 182 ferner eine zweite Verbindungselektrode 1822, wobei sich die zweite Verbindungselektrode 1822 entlang der zweiten Richtung Y erstreckt und die Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen 1820 verbindet, so dass eine kammartige Elektrodenstruktur gebildet werden kann. Dabei sind die Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen 1810 und die Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen 1820 abwechselnd in der ersten Richtung X angeordnet. Die erste Verbindungselektrode 1812 befindet sich in einer von der zweiten Verbindungselektrode 1822 abgewandten Seite der Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen 1810 bzw. der Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen 1820. Daher können die erste Elektrode und die zweite Elektrode eine eingefügte fingerartige Struktur bilden, so dass mehr erste Elektrodenstreifen und mehr zweite Elektrodenstreifen in einer Flächeneinheit angeordnet werden können, so dass mehr erste Aussparungen angeordnet werden können. Ferner können mehr lichtemittierende Dioden angeordnet werden, um die Anzeigehelligkeit des lichtemittierenden Substrats zu verbessern.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, umfasst die Elektrodenplanarisierungsschicht 170 ferner eine zweite Aussparung 172 und eine zweite Aussparung 173; die zweite Aussparung 172 befindet sich zwischen der ersten Verbindungselektrode 1812 und dem zweiten Elektrodenstreifen 1820 und die dritte Aussparung 173 befindet sich zwischen der zweiten Verbindungselektrode 1822 und dem ersten Elektrodenstreifen 1810. Auf diese Weise kann das lichtemittierende Substrat die Anzahl der Aussparungen weiter erhöhen. Ferner können mehr lichtemittierende Dioden angeordnet werden, um die Anzeigehelligkeit des lichtemittierenden Substrats zu verbessern.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, sind die zweite Aussparung 172 und die dritte Aussparung 173 zur Aufnahme von lichtemittierenden Dioden konfiguriert. Um die Übertragung und Platzierung einer großen Anzahl von lichtemittierenden Dioden in der ersten Aussparung 171, der zweiten Aussparung 172 und der dritten Aussparung 173 zu erleichtern, sind die Formen und Größen der ersten Aussparung 171, der zweiten Aussparung 172 und der dritten Aussparung 173 gleich. Beispielsweise ist die Größe der ersten Aussparung 171 in der ersten Richtung ungefähr dieselbe wie die der zweiten Aussparung 172 und der dritten Aussparung 173 in der zweiten Richtung; die Größe der ersten Aussparung 171 in der zweiten Richtung ist ungefähr dieselbe wie die der zweiten Aussparung 172 und der dritten Aussparung 173 in der ersten Richtung.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A dargestellt, sind die Vielzahl von ersten Aussparungen 171, die Vielzahl von zweiten Aussparungen 172 und die Vielzahl von dritten Aussparungen 173 in einer zentrosymmetrischen Verteilung in dem lichtemittierenden Bereich eines Subpixelbereichs oder in einem definierten Bereichs durch ein Elektrodenpaar, so dass das lichtemittierende Substrat eine bessere Lichtemissionsgleichmäßigkeit aufweisen kann.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, durchdringt die erste Aussparung 171 die Elektrodenplanarisierungsschicht 170 in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 110 nicht, das heißt, eine Tiefe der zweiten Aussparung 171 in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 110 ist kleiner als eine Dicke der Elektrodenplanarisierungsschicht 170 in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 110.
  • In einigen Beispielen reicht eine Größe der ersten Aussparung 171 in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 110 von 100 nm bis 5000 nm.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, beträgt ein Größenbereich einer orthographischen Projektion der ersten Aussparung 171 auf dem Basissubstrat 110 in der ersten Richtung X 2 bis 50 Mikrometer und ein Größenbereich der orthographie Projektion der ersten Aussparung 171 auf dem Basissubstrat 110 in einer Richtung senkrecht zu der ersten Richtung X beträgt 2 bis 50 Mikrometer. Natürlich ist die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt, und eine Größe der ersten Aussparung kann gemäß tatsächlichem Bedarf eingestellt werden.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, kann eine Form der orthographischen Projektion der ersten Aussparung 171 auf dem Basissubstrat 110 rechteckig sein. Natürlich ist die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt, und die Form der orthografischen Projektion der ersten Aussparung 171 auf dem Basissubstrat 110 kann andere Formen haben, solange die Form mit der Form der lichtemittierenden Diode übereinstimmen kann. Da die lichtemittierende Diode nicht notwendigerweise in Kontakt mit dem Boden der ersten Aussparung angeordnet ist, kann die erste Aussparung in der Richtung senkrecht zum Basissubstrat in einen oberen Teil und einen unteren Teil unterteilt werden, wobei die Form der orthografischen Projektion des oberen Teils auf dem Basissubstrat mit der Form der orthografischen Projektion der lichtemittierenden Diode auf dem Basissubstrat übereinstimmen muss, während die Form der orthografischen Projektion des unteren Teils auf dem Basissubstrat mit der Form der orthografischen Projektion der lichtemittierenden Diode auf dem Basissubstrat unterschiedlich sein kann oder nicht übereinstimmt. Beispielsweise kann ein Querschnitt der ersten Aussparung trapezförmig sein, das heißt, der untere Teil der ersten Aussparung kann eine verengte Struktur haben.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, ist die Größe der zweiten Aussparung 172 die gleiche wie die der ersten Aussparung 171, und die Größe der dritten Aussparung 173 ist die gleiche wie die der ersten Aussparung 171. Das heißt, ein Größenbereich der orthographie Projektion der zweiten Aussparung 172 auf dem Basissubstrat 110 in der ersten Richtung X kann 2 bis 50 Mikrometer betragen, und ein Größenbereich der orthographischen Projektion der zweiten Aussparung 172 auf dem Basissubstrat 110 in der Richtung senkrecht zu der ersten Richtung X kann 2 bis 50 Mikrometer betragen; ein Größenbereich der orthografischen Projektion der dritten Aussparung 173 auf dem Basissubstrat 110 in der ersten Richtung X kann 2 bis 50 Mikrometer betragen, und der Größenbereich der orthografischen Projektion der dritten Aussparung 173 auf dem Basissubstrat 110 in der Richtung senkrecht zur ersten Richtung X kann 2 bis 50 Mikrometer betragen. Da die zweite Aussparung und die dritte Aussparung beide zur Aufnahme von lichtemittierenden Dioden konfiguriert sind, ist zu beachten, dass die Formen und Größen der ersten Aussparung, der zweiten Aussparung und der dritten Aussparung alle gleich sind, um die Übertragung und die Platzierung einer großen Anzahl von lichtemittierenden Dioden gleicher Größe in der ersten Aussparung, der zweiten Aussparung und der dritten Aussparung zu erleichtern
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine isolierende definierende Schicht 190, die sich auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der Elektrodenschicht 180 befindet; die isolierende definierende Schicht 190 umfasst eine Pixelöffnung 192, und die orthografische Projektion der ersten Aussparung 171 auf dem Basissubstrat 110 fällt in eine orthografische Projektion der Pixelöffnung 192 auf dem Basissubstrat 110. Es ist zu beachten, dass der durch die Pixelöffnung definierte Bereich ein Subpixelbereich des lichtemittierenden Bereichs sein kann, und die orthographische Projektion der Pixelöffnung auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des Elektrodenpaars, das aus einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode besteht, auf dem Basissubstrat überlappt.
  • In einigen Beispielen, wie in 1A und 2A gezeigt, ist in dem Fall, in dem die erste Elektrode 181 eine Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen 1810 umfasst und die zweite Elektrode 182 eine Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen 1820 umfasst, fällt die orthographische Projektion aller ersten Aussparungen 171 zwischen der Vielzahl von ersten Elektroden Streifen 1810 und der Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen 1820 auf dem Basissubstrat 110 innerhalb der orthographischen Projektion der Pixelöffnungen 192 auf dem Basissubstrat 110.
  • In einigen Beispielen, wie in 1B und 2B gezeigt, umfasst die isolierende definierende Schicht 190 ferner eine Haltewandstruktur 194, die sich in der Pixelöffnung 192 und zumindest an zwei Seiten der ersten Aussparung 171 in der ersten Richtung X befindet. Daher in einem Herstellungsprozess des lichtemittierenden Substrats kann die Einbauposition der lichtemittierenden Dioden weiter durch die Haltewandstruktur definiert werden.
  • Beispielsweise, wie in 1B und 2B gezeigt, können jeder der ersten Elektrodenstreifen 1810 und jeder der zweiten Elektrodenstreifen 1820 auf einer vom Basissubstrat 110 abgewandten Seite mit einer Haltewandstruktur 194 versehen sein, und die Haltewandstruktur 194 kann sich auch in einer zweiten Richtung Y erstrecken.
  • 3A ist eine schematische Querschnittsansicht eines anderen lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 3A dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine lichtemittierende Diode 200, die zumindest teilweise in der ersten Aussparung 171 angeordnet ist; die lichtemittierende Diode 200 umfasst einen Hauptkörper 280 und einen ersten Stift 210 und einen zweiten Stift 220, die jeweils an zwei Seiten des Hauptkörpers 280 angeordnet sind. Der erste Stift 210 ist mit dem ersten Elektrodenstreifen 1810 verbunden und der zweite Stift 220 ist mit dem zweiten Elektrodenstreifen 1820 verbunden.
  • In einigen Beispielen, wie in 3A dargestellt, ist eine Größe der orthografischen Projektion der ersten Aussparung 171 auf dem Basissubstrat 110 in der ersten Richtung X größer als eine Größe des Hauptkörpers 280 der lichtemittierenden Dioden 200 in der erste Richtung X, und eine Größe der ersten Aussparung 171 in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 110 ist größer als 1/4 einer Größe der lichtemittierenden Diode 200 in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 110. Daher kann die erste Aussparung die lichtemittierenden Dioden besser positionieren und kalibrieren.
  • In einigen Beispielen, wie in 3A gezeigt, überlappt eine orthographische Projektion des ersten Stifts 210 auf dem Basissubstrat 110 eine orthographischen Projektion des ersten Elektrodenstreifens 1810 auf dem Basissubstrat 110, und eine orthographische Projektion des zweiten Stifts 220 auf dem Basissubstrat 110 überlappt eine orthogonale Projektion des zweiten Elektrodenstreifens 1820 auf dem Basissubstrat 110.
  • In einigen Beispielen, wie in 3A dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine erste Befestigungselektrode 310 und eine zweite Befestigungselektrode 320; die erste Befestigungselektrode 310 befindet sich an einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite des ersten Stifts 210 und ist konfiguriert, um den ersten Stift 210 mit dem ersten Elektrodenstreifen 1810 zu befestigen; die zweite Befestigungselektrode 320 befindet sich an einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite des zweiten Stifts 220 und ist konfiguriert, um den zweiten Stift 220 mit dem zweiten Elektrodenstreifen 1810 zu befestigen, wodurch die Stabilität des lichtemittierenden Substrats verbessert wird.
  • Beispielsweise können die Materialien der ersten Befestigungselektrode und der zweiten Befestigungselektrode aus Silberpaste, leitfähigem Klebeband oder Metallmaterialien wie Kupfer und Gold ausgewählt werden. Natürlich sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt. Um außerdem den Kontaktwiderstand zwischen der ersten Befestigungselektrode und dem ersten Stift und dem ersten Elektrodenstreifen zu verringern und die Stabilität der Kontaktwiderstandsverbindung zwischen der ersten Befestigungselektrode und dem ersten Stift und dem ersten Elektrodenstreifen zu erhöhen, kann die erste Befestigungselektrode nach dem Strukturieren getempert werden. In ähnlicher Weise kann die zweite Befestigungselektrode nach dem Strukturieren getempert werden, um den Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Befestigungselektrode und dem zweiten Stift und dem zweiten Elektrodenstreifen zu verringern und die Stabilität der Kontaktwiderstandsverbindung zwischen der zweiten Befestigungselektrode und dem zweiten Stift und dem zweiten Elektrodenstreifen zu erhöhen.
  • 3B ist eine schematische Querschnittsansicht eines weiteren lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 3B dargestellt, kann das lichtemittierende Substrat 100 eine andere lichtemittierende Diode 200 umfassen, wie etwa eine lichtemittierende Diode mit einer invertierten Struktur, und die lichtemittierende Diode 200 ist zumindest teilweise in der ersten Aussparung 171 angeordnet. Das lichtemittierende Diode 200 umfasst einen Hauptkörper 280 und einen ersten Stift 210 und einen zweiten Stift 220, die sich auf derselben Seite des Hauptkörpers 280 befinden. Der erste Stift 210 ist mit dem ersten Elektrodenstreifen 1810 verbunden, und der zweite Stift 220 ist mit dem zweiten Elektrodenstreifen 1820 verbunden.
  • In einigen Beispielen, wie in 3B gezeigt, ist eine Größe der orthografischen Projektion der ersten Aussparung 171 auf dem Basissubstrat 110 in der ersten Richtung X größer als eine Größe der lichtemittierenden Diode 200 in der ersten Richtung X. In In diesem Fall überlappt die orthographische Projektion des ersten Stifts 210 auf dem Basissubstrat 110 nicht mit der orthographischen Projektion des ersten Elektrodenstreifens 1810 auf dem Basissubstrat 110, aber eine Grenze der orthographischen Projektion des ersten Stifts 210 auf dem Basissubstrat 110 ist in Kontakt mit einer Grenze der orthografischen Projektion des ersten Elektrodenstreifens 1810 auf dem Basissubstrat 110, und die orthografische Projektion des zweiten Stifts 220 auf dem Basissubstrat 110 ist nicht mit der orthografischen Projektion des zweiten Elektrodenstreifen 1820 auf dem Basissubstrat 110 überlappt, aber eine Grenze der orthographischen Projektion des zweiten Stifts 220 auf dem Basissubstrat 110 ist in Kontakt mit einer Grenze der orthographischen Projektion des zweiten Elektrodenstreifens 1820 auf dem Basissubstrat 110. Der erste Stift 210 kann durch seine seitliche Oberfläche den ersten Elektrodenstreifen 1810 kontaktieren oder durch die erste Befestigungselektrode 310 mit dem ersten Elektrodenstreifen 1810 elektrisch verbunden sein; der zweite Stift 220 kann durch seine seitliche Oberfläche den zweiten Elektrodenstreifen 1820 kontaktieren oder durch die zweite Befestigungselektrode 320 mit dem zweiten Elektrodenstreifen 1810 elektrisch verbunden sein.
  • In einigen Beispielen, um die Lichtausbeuteeffizienz des lichtemittierenden Substrats zu verbessern, können reflektierende Materialien an der unteren und seitlichen Oberfläche der Aussparung (einschließlich mindestens einer der oben beschriebenen ersten Aussparung, der zweiten Aussparung und der dritten Aussparung) angeordnet werden, so dass das von der lichtemittierenden Diode emittierte Licht so weit wie möglich aus einer Richtung weg von dem Basissubstrat emittiert werden kann. Natürlich ist die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt, eine Reflexionsschicht kann auch an einer Seite der lichtemittierenden Dioden nahe dem Basissubstrat angeordnet sein, so dass das von der lichtemittierenden Dioden emittierte Licht so weit wie möglich aus der Richtung weg von dem Basissubstrat emittiert werden.
  • In einigen Beispielen können die Boden- und Seitenfläche der Aussparung (einschließlich mindestens einer der oben erwähnten ersten Aussparung, zweiten Aussparung und dritten Aussparung) aufgeraut werden, um spiegelnde Reflexionen des Umgebungslichts zu verhindern, die die normale Anzeige oder Emission von Licht aus dem lichtemittierenden Substrat stören würden.
  • 4 ist ein schematisches Diagramm einer lichtemittierenden Diode, die durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 4 dargestellt, umfasst die lichtemittierenden Dioden 200 ferner eine erste Halbleiterschicht 230, die sich an einer Seite des ersten Stifts 210 befindet; eine lichtemittierende Schicht 250, die sich auf einer Seite von dem ersten Stift 210 abgewandten der ersten Halbleiterschicht 230 befindet; und eine zweite Halbleiterschicht 240, die sich auf einer von der ersten Halbleiterschicht 230 abgewandten Seite der lichtemittierenden Schicht 250 befindet; der zweite Stift 220 ist an einer von der lichtemittierenden Schicht 240 abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht 250 angeordnet.
  • In einigen Beispielen, wie in 4 dargestellt, umfasst die lichtemittierenden Dioden 200 ferner eine Isolierschicht 260 und eine hydrophobe Schicht 270; die Isolierschicht 260 befindet sich an der Peripherie der ersten Halbleiterschicht 230, der lichtemittierenden Schicht 250 und der zweiten Halbleiterschicht 260 und kapselt die erste Halbleiterschicht 230, die lichtemittierende Schicht 250 und die zweite Halbleiterschicht 260 ein; die hydrophobe Schicht 270 befindet sich an der Peripherie der Isolierschicht 260 und kapselt die Isolierschicht 260 ein. Daher können die Isolierschicht 260 und die hydrophobe Schicht 270 die erste Halbleiterschicht 230, die lichtemittierende Schicht 250 und die zweite Halbleiterschicht 260 vor Wasser- und Sauerstoffkorrosion schützen.
  • In einigen Beispielen, wie in 4 dargestellt, kann eine Größe L1 der lichtemittierenden Dioden 200 in einer Richtung von dem ersten Stift 210 zu dem zweiten Stift 220 im Bereich von 1,8 bis 2,2 Mikrometer liegen, beispielsweise 2 Mikrometer; eine Größe L2 des ersten Stifts 210 oder des zweiten Stifts 220 der lichtemittierenden Dioden 200 in der Richtung senkrecht zu der Richtung vom ersten Stift 210 zum zweiten Stift 220 kann im Bereich von 0,5 bis 0,74 Mikrometer liegen, wie etwa 0,62 Mikrometer. Es versteht sich, dass die in 3A gezeigte schematische Querschnittsansicht erhalten werden kann, wenn die in 4 gezeigte lichtemittierende Diode 200 auf einer Struktur des lichtemittierenden Substrats angeordnet ist, das durch die vorliegende Anmeldung bereitgestellt wird.
  • In einigen Beispielen können die Materialien des ersten Stifts 210 und des zweiten Stifts 220 aus mindestens einem der Werkstoffe Chrom (Cr), Titan (Ti), Aluminium (Al), Gold (Au), Nickel (Ni) und Indiumzinnoxid (ITO) ausgewählt werden oder eine Legierung umfassen, die mindestens zwei der Werkstoffe Chrom (Cr), Titan (Ti), Aluminium (Al), Gold (Au), Nickel (Ni) und Indiumzinnoxid (ITO) umfasst. Die Dicke des ersten Stifts 210 und des zweiten Stifts 220 kann im Bereich von 1 nm bis 100 nm liegen. Natürlich ist die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt, und die Materialien und Dicken des ersten Stifts und des zweiten Stifts können gemäß tatsächlichem Bedarf festgelegt werden.
  • In einigen Beispielen kann die erste Halbleiterschicht 230 eine Halbleiterschicht vom N-Typ sein, wie etwa ein Halbleitermaterial, das durch eine Strukturformel InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+ y≤1) dargestellt wird.
  • Die erste Halbleiterschicht 230 kann beispielsweise aus einem oder mehreren der folgenden Materialien ausgewählt werden: Aluminium-Indium-Gallium-Nitrid, Gallium-Nitrid (GaN), Aluminium-Gallium-Nitrid (AlGaN), Indium-Gallium-Nitrid (InGaN), Aluminium-Nitrid (AlN), Indium-Nitrid (InN); eine Dicke der ersten Halbleiterschicht 230 kann von 500 nm bis 5000 nm reichen.
  • Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 250 eine Einzel-Quantentopfstruktur oder eine Multi-Quantentopfstruktur sein; ein Material der lichtemittierenden Schicht 250 kann Aluminium-Gallium-Nitrid, Indium-Aluminium-Gallium-Nitrid (AlInGaN) usw. sein. Eine Dicke der lichtemittierenden Schicht 250 kann 10 bis 200 nm betragen.
  • In einigen Beispielen kann die zweite Halbleiterschicht 240 eine Halbleiterschicht vom P-Typ sein, wie etwa ein Halbleitermaterial, das durch eine Strukturformel InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) dargestellt wird.
  • Das Material der zweiten Halbleiterschicht 240 kann beispielsweise eines oder mehrere der folgenden Materialien sein: Aluminium-Indium-Gallium-Nitrid, Gallium-Nitrid, Aluminium-Gallium-Nitrid, Indium-Gallium-Nitrid, Aluminium-Nitrid, Indium-Nitrid; und eine Dicke der zweiten Halbleiterschicht 250 kann 50 bis 500 nm betragen.
  • 5 ist eine schematische Draufsicht auf ein weiteres lichtemittierendes Substrat, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; 6 ist eine schematische Draufsicht auf ein weiteres lichtemittierendes Substrat, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; 7A ist eine schematische Querschnittsansicht eines anderen lichtemittierenden Substrats entlang einer Linie CD in 6, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; 7B ist eine schematische Querschnittsansicht eines anderen lichtemittierenden Substrats entlang einer Linie GH in 6, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; 8 ist ein äquivalentes schematisches Diagramm einer Treiberschaltung eines anderen lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Es sollte angemerkt werden, dass das in 6 gezeigte lichtemittierende Substrat die Elektrodenschicht nicht zeigt, um die Linie CD besser zu zeigen.
  • Wie in 5, 6, 7A und 7B dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ein Basissubstrat 110, eine Elektrodenplanarisierungsschicht 170 und eine Elektrodenschicht 180; die Elektrodenplanarisierungsschicht 170 ist auf dem Basissubstrat 110 angeordnet, und die Elektrodenschicht 180 ist auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der Elektrodenplanarisierungsschicht 170 angeordnet. Die Elektrodenschicht 180 umfasst eine erste Elektrode 181 und eine zweite Elektrode 182; die erste Elektrode 181 umfasst mindestens einen ersten Elektrodenstreifen 1810 und die zweite Elektrode 182 umfasst mindestens einen zweiten Elektrodenstreifen 1820. Der mindestens eine erste Elektrodenstreifen 1810 und der mindestens eine zweite Elektrodenstreifen 1820 sind in der ersten Richtung X abwechselnd angeordnet; die Elektrodenplanarisierungsschicht 170 umfasst eine erste Aussparung 171, und die erste Aussparung 171 ist zwischen dem ersten Elektrodenstreifen 1810 und dem zweiten Elektrodenstreifen 1820 angeordnet, die benachbart zueinander sind. Die erste Aussparung 171 ist zur Aufnahme von lichtemittierenden Dioden 200 konfiguriert. Weil die erste Aussparung in der Elektrodenplanarisierungsschicht zur Aufnahme der lichtemittierenden Diode verwendet werden kann und die erste Aussparung mit einem ersten Elektrodenstreifen und einem zweiten Elektrodenstreifen auf jeder Seite der ersten Aussparung versehen ist, wenn die lichtemittierende Diode in der ersten Aussparung angeordnet ist, können eine Anode und eine Kathode der lichtemittierenden Diode in Kontakt mit dem ersten Elektrodenstreifen bzw. dem zweiten Elektrodenstreifen sein. Daher kann die lichtemittierende Diode durch den ersten Elektrodenstreifen und den zweiten Elektrodenstreifen angesteuert werden, um Licht zu emittieren, so dass ein neuartiges lichtemittierendes Substrat bereitgestellt werden kann. Da die lichtemittierende Diode (LED) selbst eine hohe Lichtausbeute und Lebensdauer hat, hat auch das lichtemittierende Substrat eine hohe Lichtausbeute und Lebensdauer. Außerdem kann die erste Aussparung im Herstellungsprozess des lichtemittierenden Substrats eine Rolle beim Kalibrieren und Positionieren der lichtemittierenden Diode spielen und kann verhindern, dass benachbarte lichtemittierende Dioden Defekte wie Kurzschlüsse erzeugen, wodurch die Produktausbeute und Anzeigequalität des lichtemittierenden Substrats verbessert werden.
  • Wie in 5, 6, 7A und 7B dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine Treiberschaltungsschicht 120, die zwischen dem Basissubstrat 110 und der Elektrodenplanarisierungsschicht 170 angeordnet ist; die Treiberschaltungsschicht 120 umfasst eine Vielzahl von Treiberschaltungen 125; die Elektrodenschicht 180 umfasst eine Vielzahl von ersten Elektroden 181; die Vielzahl von Treiberschaltungen 125 und die Vielzahl von ersten Elektroden 181 können in einer Eins-zu-Eins-Entsprechung angeordnet sein, das heißt, eine erste Elektrode 181 entspricht einer Treiberschaltung 125; die Treiberschaltung 120 ist elektrisch mit einer entsprechenden ersten Elektrode 181 verbunden, wodurch ein Treibersignal für die erste Elektrode 181 bereitgestellt wird.
  • In einigen Beispielen, wie in 5, 6, 7A und 7B dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine Sperrschicht 111 und eine Pufferschicht 112, die verwendet werden, um Defekte auf dem Basissubstrat zu modifizieren oder ein flacheres, besser auf das Material der herzustellenden Filmschicht abgestimmtes Substrat für die anschließende Bildung von Halbleiterschichten bereitzustellen.
  • In einigen Beispielen können die Sperrschicht 111 und die Pufferschicht 112 eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur annehmen. Beispielsweise kann die Sperrschicht 111 eine laminierte Struktur aus Siliziumoxid-monokristallinem Silizium-Siliziumoxid sein, und die Pufferschicht 112 kann eine laminierte Struktur aus Siliziumnitrid und Siliziumoxid sein. Eine Dicke der Sperrschicht 111 kann im Bereich von 10 bis 30 Mikrometer liegen; eine Dicke der Pufferschicht 112 kann im Bereich von 2 bis 5 Mikrometer liegen. Natürlich ist die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt, die Materialien und Dicken der Barriereschicht und der Pufferschicht können entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen eingestellt werden.
  • In einigen Beispielen, wie in 6, 7A und 7B und 8 gezeigt, umfasst die Treiberschaltung 125 einen Treibertransistor T1, einen Datenschreibtransistor T2, einen ersten Lichtemissionssteuertransistor T4, einen zweiten Lichtemissionssteuertransistor T5, einen Elektrodenrücksetztransistor T7, einen Rücksetztransistor T6 und einen Kompensationstransistor T3. Daher kann die Treiberschaltung eine 7T1C-Struktur annehmen, und in diesem Fall kann die Treiberschaltung 125 ferner einen Speicherkondensator Cst umfassen. Natürlich ist die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt, und die Treiberschaltung kann auch andere geeignete Strukturen annehmen.
  • In einigen Beispielen, wie in 6, 7A, 7B und 8 gezeigt, sind eine Source-Elektrode des Treibertransistors T1, eine Drain-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 und eine Drain-Elektrode des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 mit einem ersten Knoten N1 verbunden; eine Drain-Elektrode des Treibertransistors T1, eine Source-Elektrode des Kompensationstransistors T3 und eine Source-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 sind mit einem zweiten Knoten N2 verbunden; eine Gate-Elektrode des Treibertransistors T1, eine Drain-Elektrode des Kompensationstransistors T3 und eine Drain-Elektrode des Rücksetztransistors T6 sind mit einem dritten Knoten N3 verbunden.
  • Da der Treibertransistor T1, der Datenschreibtransistor T2, der erste Lichtemissionssteuertransistor T4, der zweite Lichtemissionssteuertransistor T5 und der Elektrodenrücksetztransistor T7 in einigen Beispielen eine höhere Beweglichkeit und eine stabilere Quellenspannung benötigen, können Transistoren von Niedertemperatur-Polysilikon (LTPS) verwendet werden, das heißt, aktive Schichten des Treibertransistors T1, des Datenschreibtransistors T2, des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4, des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 und des Elektrodenrücksetztransistors T7 sind Niedertemperatur-Polysilikon.
  • Da der Rücksetztransistor T6 und der Kompensationstransistor T3 einen niedrigeren Leckstrom aufweisen müssen, können in einigen Beispielen Transistoren des Oxidtyps verwendet werden, das heißt, aktive Schichten des Rücksetztransistors T6 und des Kompensationstransistors T3 sind Metalloxide, wie etwa Indiumgalliumzinkoxid, oder c-Achsen-orientierte Kristalloxid-Halbleiter. In diesem Fall können der Rücksetztransistor T6 und der Kompensationstransistor T1 auch die Spannungsstabilität des Speicherkondensators besser aufrechterhalten.
  • 9A-9E sind schematische Layoutdiagramme einer Treiberschaltung eines lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Die in 9A-9E gezeigte Treiberschaltung ist derselbe wie die in 6 gezeigte Treiberschaltung.
  • Wie in 9A dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ein Basissubstrat 110, eine erste Halbleiterschicht 131 und eine erste Gateschicht 141; die erste Halbleiterschicht 131 ist auf dem Basissubstrat 110 angeordnet, und die erste Gateschicht 141 ist auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht 131 angeordnet. Die erste Halbleiterschicht 131 umfasst eine aktive Schicht C1 des Treibertransistors T1, eine aktive Schicht C2 des Datenschreibtransistors T2, eine aktive Schicht C4 des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4, eine aktive Schicht C5 der zweiten Lichtemissionssteuerung Transistor T5 und eine aktive Schicht C7 des Elektrodenrücksetztransistors T7. Die erste Halbleiterschicht 131 kann aus Niedertemperatur-Polysilikon (LTPS)-Material hergestellt sein, so dass der Treibertransistor T1, der Datenschreibtransistor T2, der erste Lichtemissionssteuertransistor T4, der zweite Lichtemissionssteuertransistor T5 und der Elektrodenrücksetztransistor T7 eine höhere Beweglichkeit und eine stabilere Quellenspannung benötigt.
  • Es sollte angemerkt werden, dass eine erste Isolierschicht 151 zwischen der ersten Halbleiterschicht 131 und der ersten Gateschicht 141 angeordnet ist. Um die Beziehung zwischen der ersten Halbleiterschicht 131 und der ersten Gateschicht 141 deutlich zu zeigen, wird die erste Isolierschicht 151 in 9A nicht gezeigt. Die Anordnung der ersten Isolierschicht 151 ist in 7A und 7B zu sehen..
  • In einigen Beispielen besteht die erste Halbleiterschicht 131 aus Polysilikon, und eine Dicke der ersten Halbleiterschicht 131 kann im Bereich von 400 bis 600 nm liegen, beispielsweise 582 nm. Die erste Gateschicht 141 besteht aus Molybdän, und eine Dicke der ersten Gateschicht 141 kann im Bereich von 2000 bis 4000 nm liegen, beispielsweise 2800 nm.
  • Wie in 9A dargestellt, umfasst die erste Gateschicht 141 eine erste Rücksetzsignalleitung 141A, eine Lichtemissionssteuerleitung 141B, eine erste Gateleitung 141C und einen ersten Elektrodenblock CE1; die erste Rücksetzsignalleitung 141A, die Lichtemissionssteuerleitung 141B, der erste Elektrodenblock CE1 und die erste Gateleitung 141C können hintereinander angeordnet sein, und eine orthografische Projektion des ersten Elektrodenblocks CE1 auf dem Basissubstrat 110 liegt zwischen der orthografische Projektion der Lichtemissionssteuerleitung 141B und der orthografische Projektion der ersten Gateleitung 141C auf dem Basissubstrat 110.
  • Wie in 9A dargestellt, wird die erste Rücksetzsignalleitung 141A mit einer aktiven Schicht C7 des Elektrodenrücksetztransistors T7 überlappt, das heißt, eine orthographische Projektion der ersten Rücksetzsignalleitung 141A auf dem Basissubstrat 110 wird mit einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht C7 des Elektrodenrücksetztransistors T7 auf dem Basissubstrat 110 überlappt. Die Lichtemissionssteuerleitung 141B ist mit einer aktiven Schicht C4 des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 und einer aktiven Schicht C5 der zweiten Lichtemissionssteuertransistor T5 überlappt, das heißt, eine orthographische Projektion der Lichtemissionssteuerleitung 141B auf dem Basissubstrat 110 wird mit der orthographischen Projektion der aktiven Schicht C4 des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 und der aktiven Schicht C5 der zweiten Lichtemissionssteuertransistor T5 auf dem Basissubstrat 110 überlappt. Die erste Gateleitung 141C wird mit einer aktiven Schicht C2 des Datenschreibtransistors T2 überlappt, das heißt, eine orthografische Projektion der ersten Gateleitung 141C auf dem Basissubstrat 110 wird mit einer orthografischen Projektion der aktiven Schicht C2 der Datenschreibtransistor T2 auf dem Basissubstrat 110 überlappt.
  • Wie in 9A dargestellt, ein Breiten-Längen-Verhältnis des Kanals des Treibertransistors T1 größer als das Zweifache eines Breiten-Längen-Verhältnisses des Kanals des Datenschreibtransistors, was zum Reduzieren von Stromschwankungen und zum Verbessern der Stabilität des Ausgangsstroms vorteilhaft ist.
  • Wie in 9A dargestellt, sind eine Source-Elektrode des Treibertransistors T1, eine Drain-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 und eine Drain-Elektrode des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 in der ersten Halbleiterschicht 131 verbunden; eine Drain-Elektrode des Treibertransistors T1 und eine Source-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 sind ebenfalls in der ersten Halbleiterschicht 131 verbunden.
  • Wie in 9B dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine zweite Gateschicht 142 und eine zweite Halbleiterschicht 132; die zweite Gateschicht 142 ist auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der ersten Gateschicht 141 angeordnet, und die zweite Halbleiterschicht 132 ist auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der zweiten Gateschicht 142 angeordnet. Die Halbleiterschicht 132 kann aus Metalloxid bestehen, so dass der Rücksetztransistor T6 und der Kompensationstransistor T3 einen geringeren Leckstrom haben.
  • Es sollte angemerkt werden, dass eine zweite Isolierschicht 152 zwischen der zweiten Halbleiterschicht 132 und der zweiten Gateschicht 142 angeordnet ist. Um die Beziehung zwischen der zweiten Halbleiterschicht 132 und der zweiten Gateschicht 142 deutlich zu zeigen, wird die zweite Isolierschicht 152 in 9B nicht gezeigt. Die Anordnung der zweiten Isolierschicht 152 ist in 7A und 7B zu sehen.
  • In einigen Beispielen kann die zweite Gateschicht 142 aus Molybdän bestehen und hat eine Dicke im Bereich von 2000 bis 4000 nm, beispielsweise 3000 nm. Die zweite Halbleiterschicht 132 besteht aus Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), und eine Dicke der zweiten Halbleiterschicht 132 kann im Bereich von 300 nm bis 600 nm liegen, beispielsweise 445 nm. Natürlich kann die zweite Halbleiterschicht 132 auch aus anderen Metalloxid-Halbleitern hergestellt sein, wie z.B. aus c-Achsen-orientierten Kristalloxid-Halbleitern.
  • Wie in 9B dargestellt, umfasst die zweite Gateschicht 142 einen zweiten Elektrodenblock CE2, eine zweite Gateleitung 142A, eine zweite Rücksetzleitung 142B und eine erste Initialisierungssignalleitung 142C; der zweite Elektrodenblock CE2, die zweite Gateleitung 142A, die zweite Rücksetzleitung 142B und die erste Initialisierungssignalleitung 142C können nacheinander angeordnet sein. Orthographische Projektionen des zweiten Elektrodenblocks CE2 und der zweiten Gateleitung 142A auf dem Basissubstrat 110 befinden sich zwischen einer orthographischen Projektion der Lichtemissionssteuerleitung 141B und einer orthographischen Projektion der ersten Gateleitung 141C auf dem Basissubstrat 110; die orthographische Projektion der zweiten Rücksetzleitung 142B und der ersten Initialisierungssignalleitung 142C auf dem Basissubstrat 110 befinden sich auf einer von der orthographischen Projektion des zweiten Gates Linie 142A auf dem Basissubstrat 110 entfernten Seite der orthographischen Projektion der ersten Gateleitung 141C auf dem Basissubstrat 110.
  • Wie in 9B dargestellt, umfasst die zweite Halbleiterschicht 132 eine aktive Schicht C3 des Kompensationstransistors T3 und eine aktive Schicht C6 des Rücksetztransistors T6; und eine Drain-Elektrode des Kompensationsdünnschichttransistors T3 und eine Drain-Elektrode des Rücksetztransistors T6 sind in der zweiten Halbleiterschicht 132 verbunden.
  • Wie in 9B dargestellt, überlappt eine orthographische Projektion des zweiten Elektrodenblocks CE2 auf dem Basissubstrat 110 mit einer orthographischen Projektion des ersten Elektrodenblocks CE1 auf dem Basissubstrat 110, so dass ein Speicherkondensator Cst gebildet werden kann. Der zweite Elektrodenblock CE2 kann mit einer Öffnung 1420 versehen sein, um einen Teil des ersten Elektrodenblocks CE1 freizulegen. Eine orthografische Projektion der Öffnung 1420 auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit einer orthografischen Projektion der aktiven Schicht C1 des Treibertransistors T1 auf dem Basissubstrat 110. Die zweite Gateleitung 142A überlappt mit der aktiven Schicht C3 des Kompensationstransistors T3, das heißt, eine orthografische Projektion der zweiten Gateleitung 142 auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit einer orthografischen Projektion der aktiven Schicht C3 des Kompensationstransistors T3 auf dem Basissubstrat 110. Die zweite Rücksetzleitung 142B überlappt mit einer aktiven Schicht C6 von des Rücksetztransistors T6, d.h. eine orthographische Projektion der zweiten Rücksetzleitung 142B auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht C6 des Rücksetztransistors T6 auf dem Basissubstrat 110. Die erste Initialisierungssignalleitung 142C überlappt mit einer Source-Elektrode des Rücksetztransistors T6, d.h. einer orthogonalen Projektion der ersten Initialisierungssignalleitung 142C auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit einer orthographischen Projektion der Source-Elektrode des Rücksetztransistors T6 auf dem Basissubstrat 110.
  • Wie in 9C dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine dritte Gateschicht 143, die sich auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht 132 befindet. Es sei darauf hingewiesen, dass eine dritte Isolierschicht 153 zwischen der zweiten Halbleiterschicht 132 und der dritten Gateschicht 143 angeordnet ist. Um die Beziehung zwischen der zweiten Halbleiterschicht 132 und der dritten Gateschicht 143 deutlich zu zeigen, ist die dritte Isolierschicht 153 in 9C nicht gezeigt. Die Anordnung der dritten Isolierschicht 153 ist in 7A und 7B zu sehen.
  • In einigen Beispielen kann die dritte Gateschicht 143 eine laminierte Struktur aus Molybdänmetall und Titannitrid sein, das Titannitrid befindet sich auf einer Seite des Molybdänmetalls nahe dem Basissubstrat 14 und eine Dicke der dritten Gateschicht 143 kann zwischen 2000 nm bis 4000 nm liegen, beispielsweise eine Dicke von 2678 nm für Molybdänmetall und eine Dicke von 338 nm für Titannitrid. Es sei darauf hingewiesen, weil die dritte Isolierschicht relativ dünn eingestellt ist, kann Titannitrid vorgesehen werden, um die Diffusion von metallischem Molybdän in die dritte Isolierschicht zu verhindern und einen Anti-Diffusionseffekt zu erzielen.
  • Wie in 9C dargestellt, umfasst die dritte Gateschicht 143 eine erste Hilfsleitung 143A und eine zweite Hilfsleitung 143B; eine orthografische Projektion der ersten Hilfsleitung 143A auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit einer orthografischen Projektion der aktiven Schicht C3 des Kompensationstransistors T3 auf dem Basissubstrat 110; eine orthografische Projektion der zweiten Hilfsleitung 143B auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit einer orthografischen Projektion einer aktiven Schicht C6 des Rücksetztransistors T6 auf dem Basissubstrat 110. In diesem Fall haben die erste Hilfsleitung 143A und die zweite Gateleitung 142A das gleiche Potential, und die zweite Hilfsleitung 143B und die zweite Rücksetzsignalleitung 142B haben das gleiche Potential. Daher haben der Rücksetztransistor T6 und der Kompensationstransistor T3 eine Doppelgatestruktur, so dass der Leckstrom weiter reduziert werden kann. Natürlich ist die Ausführungsform nicht darauf beschränkt, und der Rücksetztransistor T6 und der Kompensationstransistor T3 keine Doppelgatestruktur annehmen müssen.
  • Wie in 9C dargestellt, überlappt die orthographische Projektion der ersten Hilfsleitung 143A auf dem Basissubstrat 110 mit der orthographischen Projektion der zweiten Gateleitung 142A auf dem Basissubstrat 110; die orthographische Projektion der zweiten Hilfsleitung 143B auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit der orthographischen Projektion der zweiten Rücksetzleitung 142B auf dem Basissubstrat 110.
  • Wie in 9D dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 110 ferner eine erste leitende Schicht 161, die sich auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der dritten Gateschicht 143 befindet. Es sollte angemerkt werden, dass eine vierte Isolierschicht 154 ist zwischen der dritten Gateschicht 143 und der ersten leitenden Schicht 161 angeordnet. Um die Beziehung zwischen der ersten leitenden Schicht 161 und der Filmschicht unter der ersten leitenden Schicht 161 deutlich zu zeigen, ist die vierte Isolierschicht 154 in 9D nicht gezeigt. Die Anordnung der vierten Isolierschicht 154 ist in 7A und 7B zu sehen.
  • In einigen Beispielen kann die erste leitende Schicht 161 eine laminierte Struktur aus Titan-Aluminium-Titan mit einer Dicke im Bereich von 5.000 nm bis 8.000 nm sein; beispielsweise kann die Dicke von Titanmetall 342 nm bzw. 570 nm betragen, und eine Dicke von Aluminiummetall kann 6026 nm betragen.
  • Wie in 9D dargestellt, umfasst die erste leitende Schicht 161 einen ersten Verbindungsblock 161A, einen zweiten Verbindungsblock 161B, einen dritten Verbindungsblock 161C, einen vierten Verbindungsblock 161D, einen fünften Verbindungsblock 161E, einen sechsten Verbindungsblock 161F und a zweite Initialisierungssignalleitung 161G.
  • Wie in 9D dargestellt, ist der erste Verbindungsblock 161A elektrisch mit einer Source-Elektrode des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 durch ein erstes Durchgangsloch H1 verbunden, und der erste Verbindungsblock 161A ist elektrisch mit dem zweiten Elektrodenblock CE2 durch ein zweites Durchgangsloch H2 verbunden, so dass die Source-Elektrode des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 mit dem zweiten Elektrodenblock CE2 verbunden werden kann.
  • Wie in 9D dargestellt, ist der zweite Verbindungsblock 161B mit einer Drain-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 durch ein drittes Durchgangsloch H3 verbunden, und der zweite Verbindungsblock 161B kann verwendet werden, um mit der nachfolgenden gebildeten ersten Elektrode 181 verbunden zu werden, um ein Treibersignal der Drain-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 an die erste Elektrode 181 anzulegen. Aufgrund der großen Anzahl von Filmschichten der Treiberschaltung dieses lichtemittierenden Substrats kann die Stabilität der elektrischen Verbindung zwischen der ersten Elektrode und der Drain-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors durch die Bereitstellung eines zweiten Verbindungsblocks im Vergleich zur direkten Verbindung der ersten Elektrode und der Drain-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors durch ein einziges Durchgangsloch verbessert werden, und die Schwierigkeit der Herstellung eines Durchgangslochs wird verringert.
  • Wie in 9D dargestellt, ist der dritte Verbindungsblock 161C mit der Source-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 durch ein viertes Durchgangsloch H4 verbunden, und der dritte Verbindungsblock 161C ist mit der Source-Elektrode des Kompensationstransistors T3 durch ein fünftes Durchgangsloch H5 verbunden, wodurch die Source-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 mit der Source-Elektrode des Kompensationstransistors T3 verbunden wird. Da die Treiberschaltung zwei Arten von Halbleiterschichten verwendet (d.h. die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht), kann die Source-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 über einen dritten Verbindungsblock mit der Source-Elektrode des Kompensationstransistors T3 verbunden werden.
  • Wie in 9D dargestellt, ist der vierte Verbindungsblock 161D mit einer Source-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 durch ein sechstes Durchgangsloch H6 verbunden, und der vierte Verbindungsblock 161D kann verwendet werden, um elektrisch mit einer nachfolgenden gebildeten Datenleitung verbunden zu werden, um die Datenleitung mit der Source-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 zu verbinden. Aufgrund der großen Anzahl von Filmschichten der Treiberschaltung dieses lichtemittierenden Substrats kann die Stabilität der elektrischen Verbindung zwischen der Datenleitung und der Source-Elektrode des Datenschreibtransistors durch die Bereitstellung eines vierten Verbindungsblocks im Vergleich zur direkten Verbindung der Datenleitung und der Source-Elektrode des Datenschreibtransistors durch ein einziges Durchgangsloch verbessert werden, und die Schwierigkeit der Herstellung eines Durchgangslochs wird verringert.
  • Wie in 9D dargestellt, ist der fünfte Verbindungsblock 161E mit dem ersten Elektrodenblock CE1 durch ein siebtes Durchgangsloch H7 verbunden, und der fünfte Verbindungsblock 161E ist mit der Drain-Elektrode des Kompensationstransistors T3 und der Source-Elektrode des Rücksetztransistors T6 durch ein achtes Durchgangsloch H8 verbunden, so dass die erste Elektrodenblock CE1 (die auch als Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 dient), die Drain-Elektrode des Kompensationstransistors T3 und die Source-Elektrode des Rücksetztransistors T6 kann elektrisch verbunden sein.
  • Wie in 9D dargestellt, ist der sechste Verbindungsblock 161F mit der Source-Elektrode des Rücksetztransistors T6 durch ein neuntes Durchgangsloch H9 verbunden, und der sechste Verbindungsblock 161F ist mit der ersten Initialisierungssignalleitung 142C durch ein zehntes Durchgangsloch H10 verbunden, so dass die Source-Elektrode des Rücksetztransistors T6 elektrisch mit der ersten Initialisierungssignalleitung 142C verbunden werden kann.
  • Wie in 9D dargestellt, ist die zweite Initialisierungssignalleitung 161G mit der Source-Elektrode des Elektrodenrücksetztransistors T7 durch ein elftes Durchgangsloch H11 verbunden, so dass ein Initialisierungssignal an die Source-Elektrode des Elektrodenrücksetztransistors T7 angelegt werden kann.
  • Wie in 9E dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine zweite leitende Schicht 162, die sich auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der ersten leitenden Schicht 161 befindet. Es sei darauf hingewiesen, dass eine fünfte Isolierschicht 155 zwischen der ersten leitenden Schicht 161 und der zweiten leitenden Schicht 162 angeordnet. Um die Beziehung zwischen der zweiten leitenden Schicht 162 und der Filmschicht unter der zweiten leitenden Schicht 162 deutlich zu zeigen, ist die fünfte Isolierschicht 155 in 9E nicht gezeigt. Die Anordnung der fünften Isolierschicht 155 ist inFig. 7A und 7B zu sehen.
  • In einigen Beispielen kann das Material der zweiten leitenden Schicht 162 eine laminierte Struktur aus Titan-Aluminium-Titan sein, mit einer Dicke im Bereich von 5000 bis 8000 nm; beispielsweise kann die Dicke von Titanmetall 457 nm bzw. 495 nm betragen, und eine Dicke von Aluminiummetall kann 6010 nm betragen.
  • Wie in 9E dargestellt, umfasst die zweite leitende Schicht 162 eine Datenleitung 162A, eine Stromleitung 162B, einen Stromleitungsverbreiterungsabschnitt 162C und eine Verbindungselektrode 162D. Die Datenleitung 162A ist mit der vierten Verbindung 161D durch ein zwölftes Durchgangsloch H12 verbunden, um mit der Source-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 verbunden zu sein. Die Stromleitung 162B ist mit dem ersten Verbindungsblock 161A durch ein dreizehntes Durchgangsloch H13 verbunden, um mit der Source-Elektrode des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 und dem zweiten Elektrodenblock CE2 verbunden zu sein.
  • Wie in 9E dargestellt, ist der Stromleitungsverbreiterungsabschnitt 162C mit der Stromleitung 162B verbunden, und eine Größe des Stromleitungsverbreiterungsabschnitts 162C in einer Richtung senkrecht zu der Stromleitung 162B ist größer als das Dreifache einer Größe der Datenleitung 162A in der Richtung senkrecht zu der Stromleitung 162B, so dass der Widerstand der Stromleitung 162B reduziert werden kann. Wenn die nachfolgende Filmherstellung in einer Hochtemperaturumgebung ausgeführt werden muss, kann der Stromleitungsverbreiterungsabschnitt 162C außerdem auch die Filmschicht unter dem Stromleitungsverbreiterungsabschnitt 162C schützen.
  • Wie in 9E dargestellt, ist die Verbindungselektrode 162D mit dem zweiten Verbindungsblock 161B durch ein vierzehntes Durchgangsloch H14 verbunden. Die Verbindungselektrode 162D kann verwendet werden, um mit der nachfolgenden gebildeten ersten Elektrode 181 verbunden zu werden, so dass durch den zweiten Verbindungsblock 161B und die Verbindungselektrode 162D ein Treibersignal der Drain-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 an die erste Elektrode 181 angelegt wird. Aufgrund der großen Anzahl von Filmschichten der Treiberschaltung dieses lichtemittierenden Substrats kann die Stabilität der elektrischen Verbindung zwischen der ersten Elektrode und der Drain-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors durch die Bereitstellung eines zweiten Verbindungsblocks und einer Verbindungselektrode im Vergleich zur direkten Verbindung der ersten Elektrode und der Drain-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors durch ein einziges Durchgangsloch verbessert werden, und die Schwierigkeit der Herstellung eines Durchgangslochs wird verringert.
  • Ein Betriebsmodus der in 8 und 9A-9E gezeigten Treiberschaltung wird im Folgenden schematisch beschrieben. Nachdem ein Rücksetzsignal an die erste Rücksetzsignalleitung 141A übertragen und der Elektrodenrücksetztransistor T7 eingeschaltet wurde, wird der Reststrom, der durch die erste Elektrode jedes Subpixelbereichs fließt, durch den Elektrodenrücksetztransistor T7 entladen, so dass Lichtemission, die durch den Reststrom verursacht wird, der durch eine Anode jedes Subpixelbereichs fließt, unterdrückt werden kann. Wenn dann ein Rücksetzsignal an die zweite Rücksetzsignalleitung 142B und ein Initialisierungssignal an die erste Initialisierungssignalleitung 142C übertragen wird, wird der Rücksetztransistor T6 eingeschaltet, und eine Initialisierungsspannung Vint wird über den Rücksetztransistor T6 an die Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 und den ersten Elektrodenblock CE1 des Speicherkondensators Cst angelegt, wodurch die Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 und der Speicherkondensator Cst initialisiert werden. Die Initialisierung der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 kann dazu führen, dass der erste Dünnschichttransistor T1 eingeschaltet wird.
  • Wenn das Gate-Signal an die erste Gateleitung 141C und das Datensignal an die Datenleitung 162A übertragen wird, wird der Datenschreibtransistor T2 eingeschaltet; wenn das Gate-Signal an die zweite Gateleitung 142A übertragen wird, wird der Kompensationsdünnschichttransistor T3 eingeschaltet, und eine Datenspannung Vd wird über den Datenschreibtransistor T2 und den Kompensationsdünnschichttransistor T3 an die Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 angelegt. In diesem Fall wird die an die Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 angelegte Spannung eine Kompensationsspannung Vd+Vth, und die an die Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 angelegte Kompensationsspannung wird auch an den ersten Elektrodenblock CE1 des Speicherkondensators Cst angelegt.
  • Anschließend legt die Stromversorgungsleitung 162B eine Treiberspannung Vel an den zweiten Elektrodenblock CE2 des Speicherkondensators Cst an und legt die Kompensationsspannung Vd+Vth an den ersten Elektrodenblock CE1 an, so dass die Ladung, die der Differenz zwischen den an die zwei Elektroden des Speicherkondensators Cst angelegten Spannungen entspricht, in dem Speicherkondensator Cst gespeichert wird, und der Treibertransistor T1 wird für eine vorbestimmte Zeit eingeschaltet.
  • Wenn anschließend ein Emissionssteuersignal an die Lichtemissionssteuerleitung 141B angelegt wird, werden sowohl der erste Lichtemissionssteuertransistor T4 als auch der zweite Lichtemissionssteuertransistor T5 eingeschaltet, so dass der erste Lichtemissionssteuertransistor T4 und der zweite Lichtemissionssteuertransistor T5 eine Treiberspannung Vel anlegen. Wenn die Treiberspannung Vel durch den Treibertransistor T1 fließt, der durch den Speicherkondensator Cst geleitet wird, fließt durch die Drain-Elektrode des Treibertransistors T1 ein Treiberstrom Id, der der Differenz zwischen der entsprechenden Treiberspannung Vel und derüber den Speicherkondensator Cst an die Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 angelegten Spannung entspricht. Dann wird der Treiberstrom Id über den zweiten Lichtemissionssteuertransistor T5 an die erste Elektrode 181 jedes Subpixelbereichs angelegt, wodurch die lichtemittierende Schicht jedes Subpixelbereichs Licht emittiert.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass der oben erwähnte Betriebsmodus der Treiberschaltung nur ein möglicher Ansteuermodus der Treiberschaltung ist und die Ausführungsform nicht darauf beschränkt ist.
  • In einigen Beispielen können die Materialien der ersten Isolierschicht, der zweiten Isolierschicht, der dritten Isolierschicht und der vierten Isolierschicht aus einem von Siliziumnitrid, Siliziumoxid und Siliziumoxynitrid oder einer laminierten Struktur von mindestens zwei von Siliziumnitrid, Siliziumoxid und Siliziumoxynitrid ausgewählt werden.
  • Feigen. 10A-10C sind schematische Layoutdiagramme von Treiberschaltungen eines anderen lichtemittierenden Substrats, das durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.
  • Wie in 10A dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ein Basissubstrat 110, eine erste Halbleiterschicht 131 und eine erste Gateschicht 141; die erste Halbleiterschicht 131 ist auf dem Basissubstrat 110 angeordnet, und die erste Gateschicht 141 ist auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht 131 angeordnet. Die erste Halbleiterschicht 131 umfasst eine aktive Schicht C1 des Treibertransistors T1, eine aktive Schicht C2 des Datenschreibtransistors T2, eine aktive Schicht C4 des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4, eine aktive Schicht C5 der zweiten Lichtemissionssteuerung Transistor T5 und eine aktive Schicht C7 des Elektrodenrücksetztransistors T7. Die erste Halbleiterschicht 131 kann aus Niedertemperatur-Polysilikon (LTPS)-Material hergestellt sein, so dass der Treibertransistor T1, der Datenschreibtransistor T2, der erste Lichtemissionssteuertransistor T4, der zweite Lichtemissionssteuertransistor T5 und die Elektrode Der Rücksetztransistor T7 benötigt eine höhere Beweglichkeit und eine stabilere Source-Elektrodenspannung.
  • In einigen Beispielen besteht die erste Halbleiterschicht 131 aus Polysilikon, und eine Dicke der ersten Halbleiterschicht 131 kann im Bereich von 400 bis 600 nm liegen, beispielsweise 582 nm. Die erste Gateschicht 141 besteht aus Molybdän, und eine Dicke der ersten Gateschicht 141 kann im Bereich von 2000 bis 4000 nm liegen, beispielsweise 2800 nm.
  • Wie in 10A dargestellt, umfasst die erste Gateschicht 141 eine erste Rücksetzsignalleitung 141A, eine Lichtemissionssteuerleitung 141B, eine erste Gateleitung 141C, einen ersten Elektrodenblock CE1, eine zweite Gateleitung 141D und eine zweite Rücksetzleitung 141E; die erste Rücksetzsignalleitung 141A, die Lichtemissionssteuerleitung 141B, der erste Elektrodenblock CE1, die erste Gateleitung 141C, die zweite Gateleitung 141D und die zweite Rücksetzleitung 141E können entlang der Richtung senkrecht zu der ersten Rücksetzsignalleitung 141 aufeinanderfolgend angeordnet sein, und eine orthographische Projektion des ersten Elektrodenblocks CE1 auf dem Basissubstrat 110 ist zwischen der orthographischen Projektion der Lichtemissionssteuerleitung 141B und der ersten Gateleitung 141C auf dem Basissubstrat 110 angeordnet; eine orthografische Projektionen der zweiten Gateleitung 141D und der zweiten Rücksetzleitung 141E auf dem Basissubstrat 110 befinden sich auf einer von der Lichtemissionssteuerleitung 141B entfernten Seite einer orthografischen Projektion der ersten Gateleitung 141C auf dem Basissubstrat 110.
  • Wie in 10A dargestellt, überlappt die erste Rücksetzsignalleitung 141A mit der aktiven Schicht C7 des Elektrodenrücksetztransistors T7, das heißt, eine orthographische Projektion der ersten Rücksetzsignalleitung 141A auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit der orthographischen Projektion der aktiven Schicht C7 des Elektrodenrücksetztransistors T7 auf dem Basissubstrat 110. Die Lichtemissionssteuerleitung 141B überlappt mit der aktiven Schicht C4 des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 und der aktiven Schicht C5 des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5, das heißt, eine orthographische Projektion der Lichtemissionssteuerleitung 141B auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit der orthographischen Projektion der aktiven Schicht C4 des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 und der orthographischen Projektion der aktiven Schicht C5 der zweiten Lichtemission Steuertransistor T5 auf dem Basissubstrat 110. Die erste Gateleitung 141C überlappt mit der aktiven Schicht C2 des Datenschreibtransistors T2, das heißt, eine orthographische Projektion der ersten Gateleitung 141C auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht C2 des Datenschreibtransistors T2 auf dem Basissubstrat 110.
  • Wie in 10A dargestellt, ist ein Breiten-Längen-Verhältnis des Kanals des Treibertransistors T1 größer als das Zweifache eines Breiten-Längen-Verhältnisses des Kanals des Datenschreibtransistors T2, was vorteilhaft ist, um Stromschwankungen zu reduzieren und die Stabilität des Ausgangsstroms zu verbessern.
  • Wie in 10A dargestellt, sind eine Source-Elektrode des Treibertransistors T1, eine Drain-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 und eine Drain-Elektrode des ersten Lichtemissionssteuertransistors T4 in der ersten Halbleiterschicht 131 verbunden; eine Drain-Elektrode des Treibertransistors T1 und eine Source-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 sind ebenfalls in der ersten Halbleiterschicht 131 verbunden.
  • Wie in 10B dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine zweite Gateschicht 142 und eine zweite Halbleiterschicht 132; die zweite Halbleiterschicht 132 ist auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der ersten Gateschicht 141 angeordnet, und die zweite Gateschicht 142 ist auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht 132 angeordnet. Die Halbleiterschicht 132 kann aus Oxidhalbleitermaterial bestehen, so dass der Rücksetztransistor T6 und der Kompensationstransistor T3 einen geringeren Leckstrom aufweisen.
  • In einigen Beispielen kann die zweite Gateschicht 142 aus Molybdän bestehen, und die Dicke der zweiten Gateschicht 142 kann im Bereich von 2000 bis 4000 nm liegen, beispielsweise 3000 nm. Die zweite Halbleiterschicht 132 besteht aus Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), und eine Dicke der zweiten Halbleiterschicht 132 kann im Bereich von 300 nm bis 600 nm liegen, beispielsweise 445 nm. Natürlich kann die zweite Halbleiterschicht 132 auch aus anderen Metalloxid-Halbleitern hergestellt sein, wie z. B. aus c-Achsen-orientierten Kristalloxid-Halbleitern.
  • Wie in 10B dargestellt, umfasst die zweite Halbleiterschicht 132 eine aktive Schicht C3 des Kompensationstransistors T3 und eine aktive Schicht C6 des Rücksetztransistors T6; die Drain-Elektrode des Kompensationsdünnschichttransistors T3 und die Drain-Elektrode des Rücksetztransistors T6 sind in der zweiten Halbleiterschicht 132 verbunden. Eine orthographische Projektion der zweiten Halbleiterschicht 132 auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit der orthographischen Projektion der zweiten Gateleitung 141D bzw. der zweiten Rücksetzleitung 141E auf dem Basissubstrat 110, so dass die aktive Schicht C3 des Kompensationstransistors T3 und die aktive Schicht C6 des Rücksetztransistors T6 definiert werden können.
  • Wie in 10B dargestellt, umfasst die zweite Gateschicht 142 einen zweiten Elektrodenblock CE2, eine dritte Hilfsleitung 142B, eine vierte Hilfsleitung 142C, eine erste Initialisierungssignalleitung 142D und eine zweite Initialisierungssignalleitung 142E; der zweite Elektrodenblock CE2, die dritte Hilfsleitung 142B, die vierte Hilfsleitung 142C und die erste Initialisierungssignalleitung 142D können entlang einer Richtung senkrecht zu einer Erstreckungsrichtung der ersten Initialisierungssignalleitung 142D aufeinanderfolgend angeordnet sein. Die orthographische Projektion des zweiten Elektrodenblocks CE2 auf dem Basissubstrat 110 ist zwischen der orthographischen Projektion der Lichtemissionssteuerleitung 141B und der ersten Gateleitung 141C auf dem Basissubstrat 110 angeordnet.
  • Wie in 10B dargestellt, überlappt eine orthographische Projektion der dritten Hilfsleitung 142B auf dem Basissubstrat 110 mit einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht C3 des Kompensationstransistors T3 auf dem Basissubstrat 110, wodurch die dritte Hilfsleitung 142B mit der zweiten Gateleitung 141D zusammen eine Doppelgatestruktur des Kompensationstransistors T3 bilden können; die orthographische Projektion der vierten Hilfsleitung 142C auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit der orthographischen Projektion der aktiven Schicht C6 des Rücksetztransistors T6 auf dem Basissubstrat 110, wodurch die vierte Hilfsleitung 142C mit der zweiten Rücksetzleitung 141E eine Doppelgatestruktur des Rücksetztransistors T6 bilden können, wodurch der Leckstrom des Kompensationstransistors T3 und des Rücksetztransistors T6 weiter verringert wird.
  • Wie in 10B dargestellt, überlappt die orthografische Projektion der dritten Hilfsleitung 142B auf dem Basissubstrat 110 mit oder sogar vollständig mit der orthografischen Projektion der zweiten Gateleitung 141D auf dem Basissubstrat 110; die orthographische Projektion der vierten Hilfsleitung 142C auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit oder sogar vollständig mit der orthographischen Projektion der zweiten Rücksetzleitung 141E auf dem Basissubstrat 110.
  • Wie in 10B dargestellt, überlappt die orthographische Projektion des zweiten Elektrodenblocks CE2 auf dem Basissubstrat 110 mit der orthographischen Projektion des ersten Elektrodenblocks CE1 auf dem Basissubstrat 110, so dass ein Speicherkondensator Cst gebildet werden kann. Der zweite Elektrodenblock CE2 kann mit einer Öffnung 1420 versehen sein, um einen Teil des ersten Elektrodenblocks CE1 freizulegen. Die orthographische Projektion der Öffnung 1420 auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit der orthographischen Projektion der aktiven Schicht C1 des Treibertransistors T1 auf dem Basissubstrat 110.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass die in den 10A - 10E gezeigte Pixeltreiberschaltung im Vergleich zu der in den 9A - 9E gezeigten Treiberschaltung nicht mit einer dritten Gateschicht versehen werden muss, wodurch Maskenprozesse und Materialien eingespart und somit Kosten reduziert werden.
  • Wie in 10C dargestellt, umfasst das lichtemittierende Substrat 100 ferner eine erste leitende Schicht 161, die sich auf einer von dem Basissubstrat 110 abgewandten Seite der zweiten Gateschicht 142 befindet. Die erste leitende Schicht 161 umfasst eine Datenleitung 161H. eine Stromleitung 1611, einen siebten Verbindungsblock 161J, einen achten Verbindungsblock 161K, einen neunten Verbindungsblock 161L, einen zehnten Verbindungsblock 161M und einen elften Verbindungsblock 161N.
  • Wie in 10C dargestellt, umfasst die Datenleitung 161H einen Verlängerungsabschnitt und einen Vorsprung, der von dem Verlängerungsabschnitt vorsteht, und der Vorsprung ist mit der Source-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 durch ein fünfzehntes Durchgangsloch H15 verbunden. Eine orthographische Projektion der Stromleitung 1611 auf dem Basissubstrat 110 überlappt mit einer orthographischen Projektion der Source-Elektrode des Lichtemissionssteuertransistors T4 auf dem Basissubstrat bzw. einer orthographischen Projektion des zweiten Elektrodenblocks CE2 auf dem Basissubstrat 110. Die Stromleitung 1611 kann mit der Source-Elektrode des Lichtemissionssteuertransistors T4 durch ein sechzehntes Durchgangsloch H16 verbunden werden, und die Stromleitung 1611 kann mit dem zweiten Elektrodenblock CE2 durch ein siebzehntes Durchgangsloch H17 verbunden werden.
  • Wie beispielsweise in 10C dargestellt, weist die Stromleitung 1611 an einer Stelle, an der sich die Source-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 befindet, einen Hohlraum auf, so dass der Vorsprung mit der Source-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 durch das fünfzehnte Durchgangsloch H15 leicht verbunden werden kann.
  • Wie in 10C dargestellt, überlappt eine orthographische Projektion des siebten Verbindungsblocks 161J auf dem Basissubstrat 110 jeweils mit der orthographischen Projektion der Source-Elektrode des Elektrodenrücksetztransistors T7 auf dem Basissubstrat 110 und der orthographischen Projektion des zweiten Initialisierungssignalleitung 142E auf dem Basissubstrat 110. Der siebte Verbindungsblock 161J kann mit der zweiten Initialisierungssignalleitung 142E durch das achtzehnte Durchgangsloch H18 verbunden werden, und der siebte Verbindungsblock 161J kann mit der Source-Elektrode des Elektrodenrücksetztransistors T7 durch ein neunzehntes Durchgangsloch H19 verbunden werden.
  • Wie in 10C dargestellt, überlappt eine orthographische Projektion des achten Verbindungsblocks 161K auf dem Basissubstrat 110 mit der orthographischen Projektion der Drain-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 auf dem Basissubstrat 110. Der achte Verbindungsblock 161K kann mit der Drain-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 durch das zwanzigste Durchgangsloch H20 verbunden werden.
  • Wie in 10C dargestellt, überlappt eine orthographische Projektion des neunten Verbindungsblocks 161L auf dem Basissubstrat 110 jeweils mit der orthographischen Projektion der Source-Elektrode des zweiten Lichtemissionssteuertransistors T5 auf dem Basissubstrat 110 und der orthographischen Projektion der Source-Elektrode der Kompensationsdünnschichttransistor T3 auf dem Basissubstrat 110. Der neunte Verbindungsblock 161L kann mit der Source-Elektrode des Lichtemissionssteuertransistors T5 durch ein einundzwanzigstes Durchgangsloch H21 verbunden werden, und der neunte Verbindungsblock 161L kann mit der Source-Elektrode des Kompensationsdünnschichttransistors T3 durch ein zweiundzwanzigstes Durchgangsloch H22 verbunden werden.
  • Wie in 10C dargestellt, überlappt eine orthographische Projektion des zehnten Verbindungsblocks 161M auf dem Basissubstrat 110 jeweils mit einer orthographischen Projektion der Öffnung 1420 des zweiten Elektrodenblocks CE2 auf dem Basissubstrat 110 und einer orthographischen Projektion der Drain-Elektrode des Kompensationstransistors T3 auf dem Basissubstrat 110. Der zehnte Verbindungsblock 161M kann mit dem ersten Elektrodenblock CE1 durch ein dreiundzwanzigstes Durchgangsloch H23 verbunden werden, und der zehnte Verbindungsblock 161M kann mit der Drain-Elektrode des Kompensationstransistor T3 durch ein vierundzwanzigstes Durchgangsloch H24 verbunden werden.
  • Beispielsweise kann, wie in 10C dargestellt, eine Form einer orthographischen Projektion des zehnten Verbindungsblocks 161M auf dem Basissubstrat L-förmig sein. Natürlich sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
  • Wie in 10C dargestellt, überlappt die orthographische Projektion des elften Verbindungsblocks 161N auf dem Basissubstrat 110 jeweils mit der orthographischen Projektion der Source-Elektrode des Rücksetztransistors T6 auf dem Basissubstrat 110 und der orthographischen Projektion der ersten Initialisierungssignalleitung 142D auf dem Basissubstrat 110. Der elfte Verbindungsblock 161N kann mit der Source-Elektrode des Rücksetztransistors T6 durch ein fünfundzwanzigstes Durchgangsloch H25 verbunden werden, und der elfte Verbindungsblock 161N kann mit der ersten Initialisierungssignalleitung 142D durch ein sechsundzwanzigstes Durchgangsloch H26 verbunden werden.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass im Gegensatz zu der in 9A-9E gezeigten Treiberschaltung die erste leitende Schicht in der in 10A-10E gezeigten Pixeltreiberschaltung die Funktion einer zweiten leitenden Schicht integriert, so dass auf eine zweite leitende Schicht verzichtet werden kann, wodurch Maskenprozesse und Materialien eingespart und somit Kosten reduziert werden können.
  • In einigen Beispielen kann die erste leitende Schicht 161 eine laminierte Struktur aus Titan-Aluminium-Titan mit einer Dicke im Bereich von 5000 nm bis 8000 nm sein; beispielsweise kann die Dicke von Titanmetall 342 nm bzw. 570 nm betragen, und die Dicke von Aluminiummetall kann 6026 nm betragen.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ferner eine Anzeigevorrichtung bereit. 11 ist ein schematisches Diagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 11 dargestellt, umfasst die Anzeigevorrichtung 400 eines der oben erwähnten Anzeigesubstrate 100. Daher hat die Anzeigevorrichtung vorteilhafte Wirkungen, die denen des Anzeigesubstrats entsprechen. Beispielsweise kann die Anzeigevorrichtung die Belastung der Gateschicht verringern, wodurch die Ladezeit der Treiberschaltung verlängert und der Anzeigeeffekt des Anzeigesubstrats weiter verbessert wird.
  • 12A ist ein schematisches Diagramm einer anderen Anzeigevorrichtung, die durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 12A dargestellt, umfasst in der Anzeigevorrichtung das lichtemittierende Substrat 100 eine Vielzahl von ersten Elektroden 181, die in einem Array angeordnet sind, und eine Vielzahl von zweiten Elektroden 182, die in einem Array angeordnet sind; da eine erste Elektrode 181 und eine zweite Elektrode 182 ein Elektrodenpaar bilden können, entspricht ein Elektrodenpaar einem Subpixelbereich 410. Daher kann das lichtemittierende Substrat eine Vielzahl von Subpixelbereichen 410 umfassen. Die Vielzahl von Subpixelbereichen 410 können einen Subpixelbereich 411, der Licht einer ersten Farbe emittiert, einen Subpixelbereich 412, der Licht einer zweiten Farbe emittiert, und einen Subpixelbereich 413, der Licht einer dritten Farbe emittiert, umfassen, wodurch eine Farbanzeige realisiert wird. Beispielsweise kann die erste Farbe rot sein, die zweite Farbe kann grün sein und die dritte Farbe kann blau sein.
  • 12B ist ein schematisches Diagramm einer anderen Anzeigevorrichtung, die durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 12B dargestellt, umfasst die Anzeigevorrichtung 400 ferner eine Farbumwandlungsschicht 420, die auf einer lichtemittierenden Seite des lichtemittierenden Substrats 100 angeordnet ist. In diesem Fall sind die Vielzahl von Subpixelbereichen 400 in dem lichtemittierenden Substrat 100 Licht des gleichen Wellenlängenbandes emittieren, wie beispielsweise weißes Licht oder blaues Licht; das von dem lichtemittierenden Substrat 100 emittierte Licht kann durch die Farbumwandlungsschicht 420 in verschiedene Farben umgewandelt werden, wodurch eine Farbanzeige realisiert wird.
  • Beispielsweise kann die Farbumwandlungsschicht 420 eine Farbfilmschicht, eine Quantenpunkt-Lichtemittierende Schicht oder eine laminierte Struktur aus einer Farbfilmschicht und einer Quantenpunkt-Lichtemittierende Schicht umfassen.
  • Wenn zum Beispiel alle Subpixelbereiche 400 weißes Licht emittieren, kann die Farbumwandlungsschicht 420 eine erste Farbumwandlungsschicht 421, eine zweite Farbumwandlungsschicht 422 und eine dritte Farbumwandlungsschicht 423 umfassen. Die erste Farbumwandlungsschicht 421 ist dazu konfiguriert, von dem Subpixelbereich 400 emittiertes Licht in Licht einer ersten Farbe umzuwandeln, die zweite Farbumwandlungsschicht 422 ist dazu konfiguriert, von dem Subpixelbereich 400 emittiertes Licht in Licht einer zweiten Farbe umzuwandeln, die dritte Farbumwandlungsschicht 423 ist dazu konfiguriert, von dem Subpixelbereich 400 emittiertes Licht in Licht einer dritten Farbe umzuwandeln. Beispielsweise kann die erste Farbe rot sein, die zweite Farbe kann grün sein und die dritte Farbe kann blau sein.
  • Wenn beispielsweise die Subpixelbereichen 400 alle blaues Licht emittieren, kann die Farbumwandlungsschicht 420 eine erste Farbumwandlungsschicht 421, eine zweite Farbumwandlungsschicht 422 und eine transparente Materialschicht 423 mit Streupartikeln umfassen. Die erste Farbumwandlungsschicht 421 ist dazu konfiguriert, das von der Subpixelbereich 400 emittierte blaue Licht in Licht einer ersten Farbe umzuwandeln, die zweite Farbumwandlungsschicht 422 ist dazu konfiguriert, das von der Subpixelbereich 400 emittierte blaue Licht in Licht einer zweiten Farbe umzuwandeln, und die transparente Materialschicht 423 ist so konfiguriert, dass sie das von der Subpixelbereich 400 emittierte blaue Licht durchlässt und emittiert. Beispielsweise kann die erste Farbe rot sein und die zweite Farbe kann grün sein.
  • Beispielsweise kann die Anzeigevorrichtung ein elektronisches Produkt mit Anzeigefunktion sein, wie etwa ein Fernseher, ein Computer, ein Notebook-Computer, ein Tablet-Computer, ein Mobiltelefon, ein Navigationsgerät, ein elektronischer Fotorahmen und dergleichen.
  • Die folgenden Aussagen sollten beachtet werden:
    • (1) In den begleitenden Zeichnungen der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich die Zeichnungen nur auf die Struktur(en) in Verbindung mit der (den) Ausführungsform(en) der vorliegenden Offenbarung, und andere Struktur(en) können auf die gemeinsame(n) Ausführung(en) bezogen werden.
    • (2) Falls es keinen Konflikt gibt, können Merkmale in einer Ausführungsform oder in verschiedenen Ausführungsformen kombiniert werden.
  • Was oben beschrieben wurde, sind nur spezifische Implementierungen der vorliegenden Offenbarung, der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt, und der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollte auf dem Schutzumfang der Ansprüche basieren.

Claims (18)

  1. Lichtemittierendes Substrat, umfassend: ein Basissubstrat; eine Elektrodenplanarisierungsschicht, die sich auf dem Basissubstrat befindet; und eine Elektrodenschicht, die sich auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der Elektrodenplanarisierungsschicht befindet, wobei die Elektrodenschicht eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode umfasst, und die erste Elektrode umfasst mindestens einen ersten Elektrodenstreifen und die zweite Elektrode umfasst mindestens einen zweiten Elektrodenstreifen, der mindestens eine erste Elektrodenstreifen und der mindestens eine zweite Elektrodenstreifen sind in einer ersten Richtung beabstandet und abwechselnd angeordnet, und jeder der mindestens einen ersten Elektrodenstreifen und jeder der mindestens einen zweiten Elektrodenstreifen erstrecken sich entlang einer zweiten Richtung, und die zweite Richtung schneidet sich mit der ersten Richtung; die Elektrodenplanarisierungsschicht umfasst eine erste Aussparung, die sich zwischen einem ersten Elektrodenstreifen und einem zweiten Elektrodenstreifen befindet, die benachbart zueinander sind, und die erste Aussparung ist zur Aufnahme von lichtemittierenden Dioden konfiguriert.
  2. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 1, wobei die erste Elektrode eine Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen umfasst und die zweite Elektrode eine Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen umfasst, und die Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen und die Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen sind in der ersten Richtung abwechselnd angeordnet; mindestens eine der ersten Aussparungen ist zwischen einem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen und einem in der ersten Richtung zu dem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen benachbarten zweiten Elektrodenstreifen angeordnet.
  3. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 2, wobei eine Vielzahl von ersten Aussparungen zwischen einem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen und einem in der ersten Richtung zu dem beliebigen der ersten Elektrodenstreifen benachbarten zweiten Elektrodenstreifen angeordnet sind, und die Vielzahl von ersten Aussparungen sind entlang der zweiten Richtung angeordnet, die die erste Richtung schneidet.
  4. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 2, wobei die erste Elektrode ferner eine erste Verbindungselektrode umfasst, und die erste Verbindungselektrode erstreckt sich entlang der zweiten Richtung, die die erste Richtung schneidet, und verbindet die Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen; die zweite Elektrode umfasst ferner eine zweite Verbindungselektrode, die zweite Verbindungselektrode erstreckt sich entlang der zweiten Richtung und verbindet die Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen; die erste Verbindungselektrode befindet sich an einer von der zweiten Verbindungselektrode abgewandten Seite der Vielzahl von ersten Elektrodenstreifen oder der Vielzahl von zweiten Elektrodenstreifen.
  5. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 4, wobei die Elektrodenplanarisierungsschicht ferner umfasst: eine zweite Aussparung, die sich zwischen der ersten Verbindungselektrode und der zweiten Elektrodenstreifen befindet; und eine dritte Aussparung, die sich zwischen der zweiten Verbindungselektrode und der ersten Elektrodenstreifen befindet.
  6. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 5, wobei die zweite Aussparung dieselbe Größe und dieselbe Form wie die erste Aussparung hat und die dritte Aussparung dieselbe Größe und dieselbe Form wie die erste Aussparung hat.
  7. Lichtemittierendes Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner umfassend: eine isolierende definierende Schicht, die sich auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der Elektrodenschicht befindet, wobei die isolierende definierende Schicht eine Pixelöffnung umfasst, und eine orthographische Projektion der mindestens einen ersten Aussparung auf dem Basissubstrat fällt in eine orthographische Projektion der Pixelöffnung auf dem Basissubstrat.
  8. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 7, wobei die isolierende definierende Schicht ferner umfasst: eine Haltewandstruktur, die in der Pixelöffnung und zumindest an zwei Seiten der ersten Aussparung in der ersten Richtung angeordnet ist.
  9. Lichtemittierendes Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei ein Größenbereich der orthographischen Projektion der ersten Aussparung auf dem Basissubstrat in der ersten Richtung 2 bis 50 Mikrometer beträgt und ein Größenbereich der orthographischen Projektion der ersten Aussparung auf dem Basissubstrat in einer Richtung senkrecht zu der ersten Richtung 2 bis 50 Mikrometer beträgt.
  10. Lichtemittierendes Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei ein Größenbereich der ersten Aussparung in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 100 bis 5000 nm beträgt.
  11. Lichtemittierendes Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner umfassend: eine lichtemittierende Diode, die sich zumindest teilweise in der ersten Aussparung befindet, wobei die lichtemittierende Diode einen ersten Stift und einen zweiten Stift umfasst, und der erste Stift ist mit dem ersten Elektrodenstreifen verbunden und der zweite Stift ist mit dem zweiten Elektrodenstreifen verbunden.
  12. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 11, wobei eine Größe der orthografischen Projektion der ersten Aussparung auf dem Basissubstrat in der ersten Richtung größer als eine Größe der lichtemittierenden Diode in der ersten Richtung ist und eine Größe der erste Aussparung in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat größer als 1/4 einer Größe der lichtemittierenden Diode in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat ist.
  13. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 11, wobei die lichtemittierende Diode ferner umfasst: eine erste Halbleiterschicht, die sich an einer Seite des ersten Stifts befindet; eine lichtemittierende Schicht, die sich auf einer von dem ersten Stift abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht befindet; und eine zweite Halbleiterschicht, die sich auf einer von der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der lichtemittierenden Schicht befindet, wobei der zweite Stift sich an einer von der lichtemittierenden Schicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht befindet.
  14. Lichtemittierendes Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 13, ferner umfassend: eine Treiberschaltungsschicht, die sich zwischen dem Basissubstrat und der Elektrodenplanarisierungsschicht befindet, wobei die Treiberschaltungsschicht eine Vielzahl von Treiberschaltungen umfasst, die Anodenschicht umfasst eine Vielzahl von ersten Elektroden, und die Vielzahl von Treiberschaltungen und die Vielzahl von ersten Elektroden sind in einer Eins-zu-Eins-Entsprechung angeordnet, und die Treiberschaltung ist mit einer entsprechenden ersten Elektrode elektrisch verbunden.
  15. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 14, wobei die Treiberschaltung einen Treibertransistor, einen Datenschreibtransistor, einen ersten Lichtemissionssteuertransistor, einen zweiten Lichtemissionssteuertransistor, einen Elektrodenrücksetztransistor, einen Rücksetztransistor und einen Kompensationstransistor umfasst, wobei aktive Schichten des Treibertransistors, des Datenschreibtransistors, des ersten Lichtemissionssteuertransistors, des zweiten Lichtemissionssteuertransistors und des Elektrodenrücksetztransistors Niedertemperatur-Polysilikon sind und aktive Schichten des Rücksetztransistors und des Kompensationstransistors Metalloxid sind.
  16. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 15, wobei ein Breiten-Längen-Verhältnis des Kanals des Treibertransistors größer als das Zweifache eines Breiten-Längen-Verhältnisses des Kanals des Datenschreibtransistors ist.
  17. Lichtemittierendes Substrat nach Anspruch 15, wobei der Rücksetztransistor und der Kompensationstransistor eine Doppelgatestruktur annehmen.
  18. Anzeigevorrichtung, die das lichtemittierende Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 17 umfasst.
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