DE19832852A1 - Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung - Google Patents
Halbleiter-LichtemissionsvorrichtungInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 241001101998 Galium Species 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical class [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Lichtemissionsvor
richtung und speziell auf eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit einer
spezifischen Elektrodenstruktur. Insbesondere betrifft die Erfindung Struktur,
Gestalt und Anordnung von Elektrodenpads bzw. -kissen einer Halbleiter-
Lichtemissionsvorrichtung, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet ist.
Eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung (beispielsweise eine Leuchtdiode bzw.
LED), die Lichtemissionen liefert, die vom sichtbaren Lichtbereich bis zum Ultra
violett-Bereich reichen, wurde mittels eines Nitrid-Typ-Halbleitermaterials, wie
beispielsweise eines Mischkristalles aus GaN, AlN oder InN realisiert. In einer
solchen LED-Vorrichtung wird vorzugsweise ein Saphir oder dergleichen als ein
Wachstumssubstrat verwendet. Da ein derartiges Substrat ein isolierendes
Substrat ist, wurden eine positive Elektrode und eine negative Elektrode auf der
Wachstumsoberflächenseite der Vorrichtung vorgesehen. Verschiedene Struktu
ren für den obigen Zweck wurden entwickelt.
Im folgenden wird eine herkömmliche Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung
(vergleiche die Japanische offengelegte Patentpublikation Nr. 7-94782), die ein
Nitrid-Halbleitermaterial verwendet, beschrieben.
Fig. 3A ist eine Draufsicht, die die herkömmliche Galliumnftrid-Typ-Verbin
dungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung veranschaulicht und 3B ist eine
schematische Schnittdarstellung längs einer Linie 3B-3B in der Draufsicht von
Fig. 3A.
In Fig. 3B sind eine n-Typ-Galliumnitrid-Typ-Verbindungshalbleiterschicht 31
und eine p-Typ-Galliumnitrid-Typ-Verbindungshalbleiterschicht 33 in dieser
Reihenfolge zur Lichterzeugung auf einem isolierenden Substrat 30, wie bei
spielsweise einem Saphirsubstrat, abgelagert.
Ein negativer Elektrodenabschnitt einschließlich eines negativen Elektroden
draht-Bondpads 32 ist auf der n-Typ-Galliumnitrid-Typ-Verbindungshalbleiter
schicht 31 ausgebildet. Ein positiver Elektrodenabschnitt einschließlich eines
positiven Elektrodendraht-Bondpads 34 und einer lichtübertragenden
Elektrodenschicht 35 ist auf der p-Typ-Galliumnitrid-Typ-Verbindungshalb
leiterschicht 33 vorgesehen. Die lichtübertragende Elektrodenschicht 35 zur
Stromdiffusion ist im wesentlichen über der gesamten Oberfläche der p-Typ-Gal
liumnitrid-Typ-Verbindungshalbleiterschicht 33 angeordnet. Ein Fenster
abschnitt 36 ist auf der lichtübertragenden Elektrodenschicht 35 vorgesehen,
durch welche das positive Elektrodendraht-Bondpad 34 die p-Typ-Galliumnitrid-
Typ-Verbindungshalbleiterschicht 33 kontaktiert.
In der Draufsicht von Fig. 3A sind das positive Elektrodendraht-Bondpad 34 in
dem positiven Elektrodenabschnitt und das negative Elektrodendraht-Bondpad
32 in dem negativen Elektrodenabschnitt an gegenüberliegenden Ecken der Vor
richtung angeordnet.
Eine andere herkömmliche Vorrichtung, die eine ähnliche positive/negative
Elektrodenstruktur verwendet, ist in der Japanischen offengelegten Patentpubli
kation Nr. 8-274377 beschrieben.
Die Lichtemissionsvorrichtungen des oben erläuterten Typs sind gewöhnlich auf
der Elektrodenoberfläche angebracht, die nach oben weist, so daß Licht durch
die transparente Elektrode abgestrahlt werden kann. Jedoch ist das positive
Elektrodendraht-Bondpad 34 in dem positiven Elektrodenabschnitt, der in den
Fig. 3A und 3B gezeigt ist, nicht übertragend bzw. durchlässig, da das Pad 34
vorzugsweise mittels eines Metallfilmes gebildet wird, der zu dick ist, um dort
Licht durchzulassen bzw. zu übertragen. Somit kann Licht, das in einem Teil der
Lichtemissionsschicht (d. h. den Schichten 31 und 33) unter dem positiven
Elektrodendraht-Bondpad 34 erzeugt ist, nicht wirksam ausgegeben werden.
Somit trägt in der herkömmlichen Struktur, die oben erläutert ist, lediglich der
Strom, der durch einen Teil der lichtübertragenden bzw. lichtdurchlässigen
Elektrodenschicht 35 fließt, der nicht mit dem positiven Elektrodendraht-Bond
pad 34 bedeckt ist, zu dem optischen Ausgang der in den Fig. 3A und 3B gezeig
ten Vorrichtung bei. Mit anderen Worten, der Strom, der in einem Teil unter dem
positiven Elektrodendraht-Bondpad 34 fließt, hat keinen oder nur einen
geringen Beitrag zu der effektiven Lichtemission der Vorrichtung in den Fig. 3A
und 3B.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiter-Lichtemissions
vorrichtung zu schaffen, die die obigen Nachteile vermeidet und eine wirksame
Lichtemission erlaubt.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist erfindungsgemäß eine Halbleiter-Lichtemissions
vorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 vorgesehen.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung ist in Patentanspruch 2 angege
ben.
Die erfindungsgemäß Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung umfaßt also: ein
isolierendes Substrat und eine geschichtete Struktur, die auf dem isolierenden
Substrat ausgebildet ist, wobei die geschichtete Struktur wenigstens einen
Lichtemissionsabschnitt, einen positiven Elektrodenabschnitt und einen negati
ven Elektrodenabschnitt aufweist. Ein Teil des positiven Elektrodenabschnittes
und ein Teil des negativen Elektrodenabschnittes überlappen einander mittels
bzw. über einen isolierenden Film.
In einem Ausführungsbeispiel sind ein erstes Drahtbondpad, das für den positi
ven Elektrodenabschnitt vorgesehen ist, und ein zweites Drahtbondpad, das für
den negativen Elektrodenabschnitt vorgesehen ist, in der Nähe zueinander längs
der gleichen Seite des isolierenden Substrates gebildet.
In der herkömmlichen Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ist die direkt unter
einem Elektrodendraht-Bondpad erzeugte interne Lichtemission durch das Elek
trodendraht-Bondpad gesperrt oder blockiert und trägt so nicht zu der optischen
Ausgangsleistung der Vorrichtung bei. Dagegen wird bei der erfindungsgemäßen
Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung das Fließen eines Stromes in einen Teil
direkt unter einem Elektrodendraht-Bondpad für einen Elektrodenabschnitt
durch Vorsehen einer isolierenden Schicht verhindert. Somit ist die Menge an
Strom, die weniger stark zu der optischen Ausgangsleistung der sich ergebenden
Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung beiträgt, reduziert, und die Lichtemis
sionswirksamkeit hiervon ist verbessert. Da darüber hinaus die Kontaktfläche
für den anderen Elektrodenabschnitt zunimmt, ist es möglich, die Vorwärts
spannung (Betriebsspannung) der sich ergebenden Halbleiter-Lichtemissionsvor
richtung zu reduzieren.
Weiterhin kann durch Ausgestalten des Lichtemissionsabschnittes in einer ein
fachen Form, wie beispielsweise einem Rechteck, ein einfaches Lichtemissions
muster der sich ergebenden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung erhalten wer
den.
Somit ermöglicht die hier beschriebene Erfindung den Vorteil, eine Halbleiter-
Lichtemissionsvorrichtung zu schaffen, die eine reduzierte Betriebsspannung und
eine gesteigerte optische Ausgangsleistung hat.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1A bis 1D eine Struktur einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ge
mäß Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung, wobei Fig. 1A
eine Draufsicht der Vorrichtung ist und Fig. 1B, 1C und 1D
jeweils Schnittdarstellungen längs einer Linie 1B-1B, einer
Linie 1C-1C und einer Linie 1D-1D in Fig. 1A sind,
Fig. 2A bis 2D eine Struktur einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ge
mäß Beispiel 2 der vorliegenden Erfindung, wobei Fig. 2A
eine Draufsicht der Vorrichtung ist und Fig. 2B, 2C und 2D
Schnittdarstellungen längs einer Linie 2B-2B, einer Linie
2C-2C bzw. einer Linie 2D-2D in Fig. 2A sind, und
Fig. 3A und 3B eine herkömmliche Galliumnitrid-Typ-Halbleiter-Lichtemissi
onsvorrichtung, die ein Nitrid-Typ-Halbleitermaterial verwen
det, wobei Fig. 3A eine Draufsicht der Vorrichtung ist und
Fig. 3B eine schematische Schnittdarstellung längs einer Li
nie 3B-3B in Fig. 3A zeigt.
Fig. 1A bis 1D und 2A bis 2D beziehen sich jeweils auf ein Beispiel der vorlie
genden Erfindung. Im folgenden werden die Beispiele der vorliegenden Erfindung
anhand der Figuren beschrieben.
Die Fig. 1A bis 1D veranschaulichen eine Struktur einer Halbleiter-Lichtemissi
onsvorrichtung gemäß Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung, wobei Fig. 1A eine
Draufsicht der Vorrichtung ist und die Fig. 1B, 1C und 1D schematische
Schnittdarstellungen von Fig. 1A sind. Insbesondere sind die Fig. 1B, 1C und 1D
Schnittdarstellungen einer Linie 1B-1B, einer Linie 1C-1C bzw. einer Linie
1D-1D in Fig. 1A.
Die Lichtemissionsvorrichtung des vorliegenden Beispiels umfaßt: Ein Saphir
substrat 10 (eine quadratische Gestalt mit einer Fläche von etwa 350 µm mal
etwa 350 µm), einen Lichtemissionsabschnitt 19 (grundsätzlich eine quadrati
sche Gestalt mit einer Fläche von etwa 300 µm mal etwa 300 µm mit zwei Ein
kerbungen), ein positives Elektrodendraht-Bondpad 15 für einen positiven Elek
trodenabschnitt und ein negatives Elektrodendraht-Bondpad 17 für einen nega
tiven Elektrodenabschnitt. Die positiven und negativen Elektrodendraht-Bond
pads 15 und 17 (jeweils in quadratischer Gestalt mit einer Fläche von etwa
130 µm mal etwa 130 µm gebildet) sind an gegenüberliegenden Ecken des
Saphirsubstrates 10 vorgesehen.
In den Fig. 1B, 1C und 1D ist eine n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht (0 ≦ X ≦ 1 und
0 ≦ Y ≦ 1) 11 auf dem Saphirsubstrat 10 vorgesehen. Eine AlZGaTIn1-Z-TN-Schicht
(0 ≦ Z ≦ 1 und 0 ≦ T ≦ 1) 12 als eine Lichtemissionsschicht und eine
p-Typ-AlUGaVIn1-U-VN-Schicht (0 ≦ U ≦ 1 und 0 ≦ V ≦ 1) 13 sind auf der
n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht 11 angeordnet, so daß ein Teil der Oberfläche der
Schicht 11, der im wesentlichen parallel zu dem Saphirsubstrat 10 ist, teilweise nicht mit den
Schichten 12 und 13 bedeckt ist. Die Lichtemissionsschicht 12 kann eine un
dotierte oder mit Si dotierte AlZGaTIn1-Z-TN-Schicht sein.
Eine negative Elektrode 16 ist auf dem Teil der n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht
11 vorgesehen, der nicht mit den Schichten 12 und 13 bedeckt ist. Das negative
Elektrodendraht-Bondpad 17 ist weiterhin auf einem Teil der negativen Elektro
de 16 vorgesehen.
Eine Isolierschicht 18 ist auf einem Teil der negativen Elektrode 16 und/oder
dem negativen Elektrodendraht-Bondpad 17 zur Isolation von einer positiven
Elektrode 14, die in einem folgenden Schritt gebildet wird, vorgesehen. Der iso
lierende bzw. Isolierfilm kann unter Verwendung von beispielsweise einem SiO2-Film,
einem SiNX-Film, einem TiO2-Film oder dergleichen hergestellt sein. Der
Isolierfilm kann durch Verwenden eines Zerstäubungs- bzw. Sputter-Abschei
dungsverfahrens oder eines Elektronenstrahl-Abscheidungsverfahrens erzeugt
sein. Ein SOG-(Spin-auf-Glas-)Verfahren kann ebenfalls verwendet werden.
Nach der Bildung der Isolierschicht 18 werden unnötige Teile der Schicht 18, die
nicht zum Verhindern des Kurzschlusses zwischen der negativen Elektrode 16
und der positiven Elektrode 14 erforderlich sind, mittels Photolithographie- und
Ätzprozessen entfernt.
Die Isolierschicht 18 hat eine Dicke, die ausreichend ist, um eine elektrische
Isolation zwischen der negativen Elektrode 16 und der positiven Elektrode 14 zu
realisieren und beträgt insbesondere etwa 0,2 µm oder mehr.
Spezifische Beispiele des Elektrodenmaterials für die negative Elektrode (n-Typ-Elek
trode) 16 können beispielsweise eine Ti/Al-Schichtelektrode oder einen
Al-Einzelschichtfilm umfassen.
Die positive Elektrode 14 ist auf der p-Typ-AlUGaVIn1-U-VN-Schicht 13 und der
Isolierschicht 18 gebildet. Die positive Elektrode (tansparente p-Typ-Elektrode)
14 ist transparent und kann erhalten werden, indem ein dünner Au-Film oder
eine Metallschicht von einem oder mehreren Bestandteilen aus Ni, Pd, Pt und
dergleichen abgeschieden wird, oder sie kann eine Schicht sein, die lediglich
aus Ni, Pd oder Pt gebildet ist. Darüber hinaus kann sie auch durch Auftragen
oder Abscheiden einer transparenten Elektrode aus ITO oder TiN auf einer
dünnen Schicht aus Ni, Pd oder Pt erhalten werden. Die Dicke der Elektroden
metallschicht der positiven Elektrode 14 ist so eingestellt, daß sie so wenig als
möglich die interne Lichtemission der Vorrichtung blockiert, während die Leit
fähigkeit aufrechterhalten wird. Insbesondere kann die Dicke etwa 1 nm bis
etwa 100 nm betragen.
Das positive Elektrodendraht-Bondpad 15 ist weiterhin auf einem Teil der posi
tiven Elektrode 14 direkt über der Isolierschicht 18 gebildet. Das positive Elek
trodendraht-Bondpad 15 ist gebildet unter Verwendung eines Materials eines
Typs, der ähnlich zu demjenigen der positiven Elektrode 14 hinsichtlich des
Herstellungsprozesses ist, wobei jedoch eine Au-Schicht auf der Oberfläche hier
von vorgesehen ist. Daher kann die geschichtete oder Schichtstruktur des sich
ergebenden positiven Elektrodendraht-Bondpads 15 von oben nach unten
Au/(Ni, Pd, Pt)/p-GaN umfassen. Die gesamte Dicke des positiven Elektro
dendraht-Bondpads 15 beträgt insbesondere etwa 0,1 µm bis etwa 2 µm.
Die Struktur der Fig. 1A und 1D, in welcher ein Teil der negativen Elektrode 16
vergraben ist, um direkt unter dem positiven Elektrodendraht-Bondpad 15 über
der Isolierschicht 18 vorzuliegen, liefert die folgenden Vorteile.
Es ist möglich, einen Teil des Stromes, der weniger stark zu der optischen Aus
gangsleistung der Lichtemissionsvorrichtung beiträgt, von dem Strom, der
direkt unter einem Hauptteil des positiven Elektrodendraht-Bondpads 15 fließt,
der die Lichtemissionsschicht 12 überlagert, auszuschließen, während die
Kontaktfläche zwischen der n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht 11 und der negativen
Elektrode 16 gesteigert ist. Als ein Ergebnis ist es möglich, die Betriebsspan
nung zu vermindern, die für die Lichtemission erforderlich ist, und die externe
Emissionswirksamkeit der sich ergebenden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung
zu verbessern.
Wenn insbesondere das verwendete Saphirsubstrat 10 eine Fläche von beispiels
weise etwa 350 µm mal etwa 350 µm hat, beträgt die Fläche der positiven und
negativen Drahtbondpads 15 bzw. 17 jeweils etwa 130 µm mal etwa 130 µm, und
die Fläche des Lichtemissionsabschnittes 19 beträgt etwa 300 bis 320 µ mal 300
bis 320 µm, subtrahiert um die Fläche, mit der sich die positiven und negativen
Elektrodenpads 15 und 17 überlagern. Weiterhin beträgt die Fläche des Haupt
teiles des positiven Elektrodendraht-Bondpads 15, die die Lichtemissionsschicht
12 überlagert, etwa 100 µm mal etwa 100 µm.
Die Fig. 2A bis 2D veranschaulichen eine Struktur einer Lichtemissionsvorrich
tung gemäß Beispiel 2 der vorliegenden Erfindung, wobei ein Lichtemissions
abschnitt 21 (eine Lichtemissionsschicht 12) in einer rechteckförmigen Gestalt
gebildet ist. Fig. 2A ist eine Draufsicht der Vorrichtung, und die Fig. 2B, 2C und
2D sind jeweils schematische Schnittdarstellungen von Fig. 2A. Insbesondere
sind Fig. 2B, 2C und 2D Schnittdarstellungen längs einer Linie 2B-2B, einer
Linie 2C-2C bzw. einer Linie 2D-2D in Fig. 2A. Gleiche Bauteile in den Fig. 1A
bis 1D und 2A bis 2D sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen und
werden nicht nochmals näher erläutert.
Die Lichtemissionsvorrichtung des vorliegenden Beispiels umfaßt: ein Saphir
substrat 20 (einer quadratischen Gestalt mit einer Fläche von etwa 350 µm mal
etwa 350 µm), einen Lichtemissionsabschnitt 21 (einer rechteckförmigen Gestalt
mit einer Fläche von etwa 300 µm mal etwa 170 µm), ein positives Elektroden
draht-Bondpad 15 für einen positiven Elektrodenabschnitt und ein negatives
Elektrodendraht-Bondpad 17 für einen negativen Elektrodenabschnitt. Die posi
tiven und negativen Elektrodendraht-Bondpads 15 und 17 (jeweils geformt in ei
ner quadratischen Gestalt mit einer Fläche von etwa 130 µm mal etwa 130 µm)
sind in der Nähe zueinander längs der gleichen Seite des Saphirsubstrates 20
vorgesehen.
Wie in Beispiel 1 ist ein Teil der negativen Elektrode 16 in diesem Beispiel ver
graben, um teilweise direkt unterhalb dem positiven Elektrodendraht-Bondpad
15 über bzw. durch die isolierende bzw. Isolierschicht 18 vorzuliegen, um so die
folgenden Vorteile zu liefern.
Es ist möglich, einen Teil des Stromes, der direkt unter dem positiven Elektro
dendraht-Bondpad 15 fließt, auszuschließen, welcher weniger stark zu der opti
schen Ausgangsleistung der Lichtemissionsvorrichtung beiträgt, während eine
vergrößerte Kontaktfläche zwischen der n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht 11 und
der negativen Elektrode 16 realisiert wird. Insbesondere beträgt die Kontaktflä
che der negativen Elektrode 16 in diesem Beispiel etwa das 1,8fache von derje
nigen des herkömmlichen Beispiels; d. h., die Kontaktfläche ist von etwa 150 µm
mal etwa 130 µm in dem herkömmlichen Beispiel auf etwa 150 µm mal 130 µm
plus etwa 150 µm mal etwa 100 µm in dem vorliegenden Beispiel gewachsen.
Demgemäß ist die Betriebsspannung um etwa 0,05 V auf etwa 0, 1 V reduziert,
d. h., von etwa 3,5 V in dem herkömmlichen Beispiel auf etwa 3,4 bis etwa 3,45 V
in dem vorliegenden Beispiel (ein Spannungswert für einen Vorwärtsstrom von
etwa 20 mA). Weiterhin ist die optische Ausgangsleistung um etwa 2% bis etwa
5% gesteigert.
Zusätzlich ist es durch Vorsehen der positiven und negativen Elektrodendraht-
Bondpads 15 und 17 längs einer Seite des Saphirsubstrates 20 möglich, den
Lichtemissionsabschnitt 21 in einer einfachen polygonalen Gestalt zu bilden.
Daher ist es durch Verwenden einer derartigen Lichtemissionsvorrichtung mög
lich, auf einfache Weise ein Lichtemissionsgerät zu schaffen, das Emissionsei
genschaften mit weniger Ungleichmäßigkeit hat.
Wie oben beschrieben ist, umfaßt erfindungsgemäß die Halbleiter-Lichtemissi
onsvorrichtung ein isolierendes Substrat und eine auf dem isolierenden Substrat
den Substrat gebildete geschichtete Struktur, wobei die geschichtete Struktur
wenigstens einen Lichtemissionsabschnitt, einen positiven Elektrodenabschnitt
und einen negativen Elektrodenabschnitt hat. Ein Teil des positiven Elektroden
abschnittes und ein Teil des negativen Elektrodenabschnittes überlappen ein
ander über einen isolierenden Film. Mit einer derartigen Struktur ist es möglich,
den direkt unter einem Teil von einem der Elektrodenabschnitte fließenden
Strom zu reduzieren, der weniger wahrscheinlich zu der optischen Ausgangs
leistung der Lichtemissionsvorrichtung beiträgt während die Kontaktfläche für
den anderen der Elektrodenabschnitte gesteigert wird. Als ein Ergebnis ist es
möglich, die optische Ausgangsleistung zu verbessern und die Betriebsspannung
der sich ergebenden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung zu reduzieren.
Weiterhin ist es gemäß der vorliegenden Erfindung auch möglich, ein (erstes)
Drahtbondpad für den positiven Elektrodenabschnitt und ein anderes (zweites)
Drahtbondpad für den negativen Elektrodenabschnitt vorzusehen, um nahe
beieinander längs der gleichen Seite des isolierenden Substrates gebildet zu
sein. Bei einer derartigen Struktur hat der Lichtemissionsabschnitt eine einfa
che Gestalt, so daß das erhaltene Emissionsmuster nicht kompliziert ist, was
beispielsweise von einem Muster mit Einkerbungen abweicht. Daher ist es nach
Einbau der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung In ein Lichtemissionsgerät, wie
beispielsweise eine Lampe, möglich, ein Lichtemissionsgerät mit einfachen
Emissionseigenschaften zu erhalten.
Darüber hinaus ist es möglich, die Kontaktfläche der negativen Elektrode mit
der n-Typ-Schicht (beispielsweise der n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht) zu
vergrößern. Als Ergebnis ist es möglich, die Betriebsspannung zu reduzieren,
und die optische Ausgangsleistung der sich ergebenden Halbleiter-Lichtemis
sionsvorrichtung zu steigern.
Claims (2)
1. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, umfassend:
ein isolierendes Substrat (10), und
eine auf dem isolierenden Substrat (10) ausgebildete Schichtstruktur (11, 12, 13, 14, 16, 17), die wenigstens einen Lichtemissionsabschnitt (12), einen positiven Elektrodenabschnitt (14) und einen negativen Elektrodenabschnitt (16) aufweist,
wobei ein Teil des positiven Elektrodenabschnittes (14) und ein Teil des negativen Elektrodenabschnittes (16) einander über einen isolierenden Film (18) überlappen.
ein isolierendes Substrat (10), und
eine auf dem isolierenden Substrat (10) ausgebildete Schichtstruktur (11, 12, 13, 14, 16, 17), die wenigstens einen Lichtemissionsabschnitt (12), einen positiven Elektrodenabschnitt (14) und einen negativen Elektrodenabschnitt (16) aufweist,
wobei ein Teil des positiven Elektrodenabschnittes (14) und ein Teil des negativen Elektrodenabschnittes (16) einander über einen isolierenden Film (18) überlappen.
2. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein für den positiven Elektrodenabschnitt (14) vorgesehenes
erstes Drahtbondpad (15) und ein für den negativen Elektrodenabschnitt (16)
vorgesehenes zweites Drahtbondpad (17) in der Nähe zueinander längs der
gleichen Seite des isolierenden Substrates (10) ausgebildet sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19679097A JP3693468B2 (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19832852A1 true DE19832852A1 (de) | 1999-01-28 |
DE19832852C2 DE19832852C2 (de) | 2003-05-28 |
Family
ID=16363697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19832852A Expired - Fee Related DE19832852C2 (de) | 1997-07-23 | 1998-07-21 | Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit Elektroden-Drahtbondpads |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6097040A (de) |
JP (1) | JP3693468B2 (de) |
KR (1) | KR100386543B1 (de) |
CN (1) | CN1155116C (de) |
DE (1) | DE19832852C2 (de) |
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KR19990014042A (ko) | 1999-02-25 |
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CN1155116C (zh) | 2004-06-23 |
JPH1140854A (ja) | 1999-02-12 |
JP3693468B2 (ja) | 2005-09-07 |
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