JPH1140854A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH1140854A JPH1140854A JP19679097A JP19679097A JPH1140854A JP H1140854 A JPH1140854 A JP H1140854A JP 19679097 A JP19679097 A JP 19679097A JP 19679097 A JP19679097 A JP 19679097A JP H1140854 A JPH1140854 A JP H1140854A
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- H01L33/42—Transparent materials
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁性基板上に形成された半導体発光素子に
おいて、正電極用ワイヤボンディングパッド部分の下部
に流れる電流による発光は外部光出力として十分に利用
できない状態にあった。 【解決手段】 絶縁性基板上に形成された半導体発光素
子において、該半導体発光素子は少なくとも発光部と正
電極部と負電極部とを有し、且つ、正電極部の一部と負
電極部の一部とが絶縁膜を介して積層して形成されるこ
とを特徴とするものである。
おいて、正電極用ワイヤボンディングパッド部分の下部
に流れる電流による発光は外部光出力として十分に利用
できない状態にあった。 【解決手段】 絶縁性基板上に形成された半導体発光素
子において、該半導体発光素子は少なくとも発光部と正
電極部と負電極部とを有し、且つ、正電極部の一部と負
電極部の一部とが絶縁膜を介して積層して形成されるこ
とを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子の
電極構造に関し、特に、絶縁性基板上に形成された半導
体発光素子の電極パッドの構造、形状、配置に関する。
電極構造に関し、特に、絶縁性基板上に形成された半導
体発光素子の電極パッドの構造、形状、配置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、またはこれら
の混晶に代表される窒化物系半導体材料により、可視か
ら紫外領域まで発光する半導体発光素子（ＬＥＤ素子）
が実現されている。これらのＬＥＤ素子では、成長基板
としてサファイア等が用いられるが、これらの基板は絶
縁性基板であるため、成長面側から正電極及び負電極を
取り出す必要があり、種々の構造が提案されている。
の混晶に代表される窒化物系半導体材料により、可視か
ら紫外領域まで発光する半導体発光素子（ＬＥＤ素子）
が実現されている。これらのＬＥＤ素子では、成長基板
としてサファイア等が用いられるが、これらの基板は絶
縁性基板であるため、成長面側から正電極及び負電極を
取り出す必要があり、種々の構造が提案されている。
【０００３】図３は窒化物系半導体材料を用いた従来例
であり、特開平７―９４７８２号公報、発明の名称：窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子、出願人：日亜化学
工業株式会社である。
であり、特開平７―９４７８２号公報、発明の名称：窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子、出願人：日亜化学
工業株式会社である。
【０００４】図３（ａ）は従来例の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の平面図であり、図３（ｂ）は図３
（ａ）の平面図のＦ―Ｆ’線で切断した模式断面図であ
る。図３（ｂ）において、サファイア基板等の絶縁性基
板３０の上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３１
とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層３３とが順に積層
されており、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３１に
は負電極部３２が形成され、ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層３３には正電極部３４が形成されている。３５
はｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層３３表面のほぼ全
面に形成された電流拡散用の透光性電極層であり、３６
は前記透光性電極層３５に設けられた正電極部３４を取
り出すための窓部である。
物半導体発光素子の平面図であり、図３（ｂ）は図３
（ａ）の平面図のＦ―Ｆ’線で切断した模式断面図であ
る。図３（ｂ）において、サファイア基板等の絶縁性基
板３０の上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３１
とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層３３とが順に積層
されており、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３１に
は負電極部３２が形成され、ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層３３には正電極部３４が形成されている。３５
はｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層３３表面のほぼ全
面に形成された電流拡散用の透光性電極層であり、３６
は前記透光性電極層３５に設けられた正電極部３４を取
り出すための窓部である。
【０００５】図３（ｂ）の平面部において、３０はサフ
ァイア基板等の絶縁性基板、３１はｎ型窒化ガリウム系
化合物半導体層、３２はｎ側の負電極部、３３は負電極
用ワイヤボンディングパッド部、３４はｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層、３５はｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体３４の表面のほぼ全面に形成された電流拡散用の
透光性正電極層、３６は正電極用ワイヤボンディングパ
ッド部である。同図に示されるように、正電極用ワイヤ
ボンディングパッド部３６と負電極用ワイヤボンディン
グパッド部３３とは対角位置隅部に形成されている。
ァイア基板等の絶縁性基板、３１はｎ型窒化ガリウム系
化合物半導体層、３２はｎ側の負電極部、３３は負電極
用ワイヤボンディングパッド部、３４はｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層、３５はｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体３４の表面のほぼ全面に形成された電流拡散用の
透光性正電極層、３６は正電極用ワイヤボンディングパ
ッド部である。同図に示されるように、正電極用ワイヤ
ボンディングパッド部３６と負電極用ワイヤボンディン
グパッド部３３とは対角位置隅部に形成されている。
【０００６】また、同じような正負の電極構造を取った
他の従来例に、特開平８―２７４３７７号公報、発明の
名称：ＬＥＤランプ、出願人：日亜化学工業株式会社が
ある。
他の従来例に、特開平８―２７４３７７号公報、発明の
名称：ＬＥＤランプ、出願人：日亜化学工業株式会社が
ある。
【０００７】
【発明の解決しようとする課題】しかしながら、上述の
発光素子は通常電極面を上面とし、透明電極を透過して
光が放射されるように実装されるが、上述の正電極用ワ
イヤボンディングパッド部３６は光を透過する厚さ以上
の膜厚の金属膜を使用した非透光性電極であるため、正
電極用ワイヤボンディングパッド部３６の下側の発光層
から放射された光は素子外部に有効に取り出すことが出
来ない。
発光素子は通常電極面を上面とし、透明電極を透過して
光が放射されるように実装されるが、上述の正電極用ワ
イヤボンディングパッド部３６は光を透過する厚さ以上
の膜厚の金属膜を使用した非透光性電極であるため、正
電極用ワイヤボンディングパッド部３６の下側の発光層
から放射された光は素子外部に有効に取り出すことが出
来ない。
【０００８】このため、素子から放射される光出力に寄
与するのは、正電極用ワイヤボンディングパッド部３６
に覆われていない透光性正電極層３５の部分での電流で
あり、正電極用ワイヤボンディングパッド部３６の部分
から下部に流れる電流は発光素子全体へ寄与が無いか、
或いは小さい状態であった。
与するのは、正電極用ワイヤボンディングパッド部３６
に覆われていない透光性正電極層３５の部分での電流で
あり、正電極用ワイヤボンディングパッド部３６の部分
から下部に流れる電流は発光素子全体へ寄与が無いか、
或いは小さい状態であった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体発光素子は、絶縁性基板上に形成された半導体発
光素子であり、該半導体発光素子は少なくとも発光部と
正電極部と負電極部とを有し、且つ、正電極部の一部と
負電極部の一部とが絶縁膜を介して積層して形成される
ことを特徴とするものである。
半導体発光素子は、絶縁性基板上に形成された半導体発
光素子であり、該半導体発光素子は少なくとも発光部と
正電極部と負電極部とを有し、且つ、正電極部の一部と
負電極部の一部とが絶縁膜を介して積層して形成される
ことを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項２記載の半導体発光
素子は、正電極部に形成されているワイヤボンディング
パッド部と負電極部に形成されているワイヤボンディン
グパッド部とを近接して配設し、かつ、該正電極用ワイ
ヤボンディングパッド部の外形形状と負電極用ワイヤボ
ンディングパッド部の外形形状とで形作る擬似長辺形の
長辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部を配設す
ることを特徴とするものである。
素子は、正電極部に形成されているワイヤボンディング
パッド部と負電極部に形成されているワイヤボンディン
グパッド部とを近接して配設し、かつ、該正電極用ワイ
ヤボンディングパッド部の外形形状と負電極用ワイヤボ
ンディングパッド部の外形形状とで形作る擬似長辺形の
長辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部を配設す
ることを特徴とするものである。
【００１１】本発明の請求項１記載の半導体発光素子に
おいて、従来例の半導体発光素子においては、電極用ワ
イヤボンディングパッド部直下で発生する内部発光は電
極用ワイヤボンディングパッド部で遮光されて外部への
光出力として寄与しなかった。しかし、本発明の請求項
１記載の半導体発光素子では、この電極用ワイヤボンデ
ィングパッド部直下に流れる電流を絶縁層を介在させて
流れなくするため、光出力に寄与しにくい電流が少なく
なり、発光効率の改善が図れる。また、不要な電流が無
くなるため、順方向電圧の低減を図ることができる。
おいて、従来例の半導体発光素子においては、電極用ワ
イヤボンディングパッド部直下で発生する内部発光は電
極用ワイヤボンディングパッド部で遮光されて外部への
光出力として寄与しなかった。しかし、本発明の請求項
１記載の半導体発光素子では、この電極用ワイヤボンデ
ィングパッド部直下に流れる電流を絶縁層を介在させて
流れなくするため、光出力に寄与しにくい電流が少なく
なり、発光効率の改善が図れる。また、不要な電流が無
くなるため、順方向電圧の低減を図ることができる。
【００１２】さらに、本発明の請求項２記載の半導体発
光素子によれば、発光部の形状が四辺形のような単純な
形状となるため、半導体発光素子の単純な発光パターン
が得られる。
光素子によれば、発光部の形状が四辺形のような単純な
形状となるため、半導体発光素子の単純な発光パターン
が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１乃図２は、本発明の一実施の
形態に関する図である。以下に、本発明の実施の形態に
ついて説明する。
形態に関する図である。以下に、本発明の実施の形態に
ついて説明する。
【００１４】（実施の形態１）図１は、本発明の第１の
実施の形態よりなる半導体発光素子の構成を示す図であ
り、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）は模式断面図である。
実施の形態よりなる半導体発光素子の構成を示す図であ
り、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）は模式断面図である。
【００１５】図１（ａ）において、１０はサファイア基
板（約３５０μｍの正方形）であり、１９は発光部（２
カ所にくびれのある約３００μｍ□）であり、１５は正
電極用ワイヤボンディングパッド部、１７は負電極用ワ
イヤボンディングパッド部であり、正負の電極用ワイヤ
ボンディングパッド部（各１３０μｍの正方形）１５及
び１７はサファイア基板の対角位置に配設されている。
図１（ａ）のＡ―Ａ’線における略断面図を図１（ｂ）
に、図１（ａ）のＢ―Ｂ’線における略断面図を図１
（ｃ）に、図１（ａ）のＣ―Ｃ’線における略断面図を
図１（ｄ）に示す。
板（約３５０μｍの正方形）であり、１９は発光部（２
カ所にくびれのある約３００μｍ□）であり、１５は正
電極用ワイヤボンディングパッド部、１７は負電極用ワ
イヤボンディングパッド部であり、正負の電極用ワイヤ
ボンディングパッド部（各１３０μｍの正方形）１５及
び１７はサファイア基板の対角位置に配設されている。
図１（ａ）のＡ―Ａ’線における略断面図を図１（ｂ）
に、図１（ａ）のＢ―Ｂ’線における略断面図を図１
（ｃ）に、図１（ａ）のＣ―Ｃ’線における略断面図を
図１（ｄ）に示す。
【００１６】図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）において、サ
ファイア基板１０の上に、基板と略平行な面が一部露出
したｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦
Ｙ≦１）１１が形成され、その上には、発光層であるＡ
ｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）１
２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦
Ｖ≦１）１３が積層されている。発光層１２はノンドー
プ、或いはＳｉドープのＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層が用
いられる。
ファイア基板１０の上に、基板と略平行な面が一部露出
したｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦
Ｙ≦１）１１が形成され、その上には、発光層であるＡ
ｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）１
２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦
Ｖ≦１）１３が積層されている。発光層１２はノンドー
プ、或いはＳｉドープのＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層が用
いられる。
【００１７】負電極部１６はｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-Y
Ｎ層１１の一部露出した面上に形成され、その上に負電
極用ワイヤボンディングパッド部１７を形成する。
Ｎ層１１の一部露出した面上に形成され、その上に負電
極用ワイヤボンディングパッド部１７を形成する。
【００１８】この負電極部１６及び、又は負電極用ワイ
ヤボンディングパッド部１７の一部に、後の工程で形成
する正電極部１４との間を絶縁分離するための絶縁膜１
８を形成する。この絶縁膜には、例えばＳｉＯ2膜、Ｓ
ｉＮｘ膜、ＴｉＯ2等を使用する。
ヤボンディングパッド部１７の一部に、後の工程で形成
する正電極部１４との間を絶縁分離するための絶縁膜１
８を形成する。この絶縁膜には、例えばＳｉＯ2膜、Ｓ
ｉＮｘ膜、ＴｉＯ2等を使用する。
【００１９】絶縁膜の形成方法は、スパッタ蒸着法や電
子ビーム蒸着法が用いられる。また、ＳＯＧ（スピン・
オン・グラス）法を用いてもよい。絶縁膜の形成後、少
なくとも前記負電極部１６と後述の正電極部１４との間
が電気的に短絡しないように作用する部分以外の絶縁膜
は、フォトリソグラフィーとエッチングの手法を用いて
除去する。絶縁膜の膜厚は、負電極部１６と正電極部１
４との間の電気的な絶縁が目的の膜厚であり、０．５μ
ｍ以上の膜厚が用いられる。
子ビーム蒸着法が用いられる。また、ＳＯＧ（スピン・
オン・グラス）法を用いてもよい。絶縁膜の形成後、少
なくとも前記負電極部１６と後述の正電極部１４との間
が電気的に短絡しないように作用する部分以外の絶縁膜
は、フォトリソグラフィーとエッチングの手法を用いて
除去する。絶縁膜の膜厚は、負電極部１６と正電極部１
４との間の電気的な絶縁が目的の膜厚であり、０．５μ
ｍ以上の膜厚が用いられる。
【００２０】負電極部（ｎ型電極部）１６の具体的な電
極材料としては、例えば、Ｔｉ／Ａｌの積層電極、また
は、Ａｌの単層膜などが用いられる。
極材料としては、例えば、Ｔｉ／Ａｌの積層電極、また
は、Ａｌの単層膜などが用いられる。
【００２１】正電極部１４は、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ
1-U-VＮ層１３、および、絶縁膜１８上に形成する。正
電極部（ｐ型透明電極部）１４は、透明であり、例え
ば、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、などの少なくとも一種、または
それらの金属層の上に、Ａｕの薄膜を積層してもよく、
Ａｕ単独の層であってもよい。さらに、ＩＴＯやＴｉＮ
の透明電極にＡｕの薄膜を積層してもよい。正電極部１
４の電極金属の厚さは、導電性を維持しつつ、素子内部
からの発光を可能な限り遮らない厚さが用いられ、具体
的には、１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さである。
1-U-VＮ層１３、および、絶縁膜１８上に形成する。正
電極部（ｐ型透明電極部）１４は、透明であり、例え
ば、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、などの少なくとも一種、または
それらの金属層の上に、Ａｕの薄膜を積層してもよく、
Ａｕ単独の層であってもよい。さらに、ＩＴＯやＴｉＮ
の透明電極にＡｕの薄膜を積層してもよい。正電極部１
４の電極金属の厚さは、導電性を維持しつつ、素子内部
からの発光を可能な限り遮らない厚さが用いられ、具体
的には、１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さである。
【００２２】正電極部１４上で、且つ、絶縁膜１８の直
上部分に正電極用ワイヤボンディングパッド部１５を形
成する。正電極用ワイヤボンディングパッド部１５は、
工程上正電極部１４と同じ系統の材料が用いられるが、
最上面にはＡｕ層が設けられ、０．１μｍ〜約２μｍ程
度の膜厚が用いられる。従って、正電極用ワイヤボンデ
ィングパッド部１５の積層構造は、表面から、Ａｕ／
（Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ）／ｐ−ＧａＮ、となる。
上部分に正電極用ワイヤボンディングパッド部１５を形
成する。正電極用ワイヤボンディングパッド部１５は、
工程上正電極部１４と同じ系統の材料が用いられるが、
最上面にはＡｕ層が設けられ、０．１μｍ〜約２μｍ程
度の膜厚が用いられる。従って、正電極用ワイヤボンデ
ィングパッド部１５の積層構造は、表面から、Ａｕ／
（Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ）／ｐ−ＧａＮ、となる。
【００２３】図１の構造を用いることにより、正電極用
ワイヤボンディングパッド部１５の直下の部分にも絶縁
膜１８を介して負電極部１６を埋設することで、発光層
と重なる正電極用ワイヤボンディングパッド部１５の大
部分の領域の直下に流れる発光素子から放射される光出
力に寄与しにくかった電流を削減することが可能とな
り、且つ、ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１と負電極
部１６との接触面積を増加することが可能となり、その
結果、発光時の素子の動作電圧の低減と、外部発光効率
を向上することができる。具体的な大きさとしては、例
えば、約３５０μｍ角のサファイア基板１０を用いる場
合、正負の電極用ワイヤボンディングパッド部は約１３
０μｍ角であり、発光層の大きさは、（約３００〜３２
０μｍ角−正負の電極パッドの重なる領域）程度とな
り、発光層と重なる正電極用ワイヤボンディングパッド
部１５の大部分の領域は約１００μｍ角程度となる。
ワイヤボンディングパッド部１５の直下の部分にも絶縁
膜１８を介して負電極部１６を埋設することで、発光層
と重なる正電極用ワイヤボンディングパッド部１５の大
部分の領域の直下に流れる発光素子から放射される光出
力に寄与しにくかった電流を削減することが可能とな
り、且つ、ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１と負電極
部１６との接触面積を増加することが可能となり、その
結果、発光時の素子の動作電圧の低減と、外部発光効率
を向上することができる。具体的な大きさとしては、例
えば、約３５０μｍ角のサファイア基板１０を用いる場
合、正負の電極用ワイヤボンディングパッド部は約１３
０μｍ角であり、発光層の大きさは、（約３００〜３２
０μｍ角−正負の電極パッドの重なる領域）程度とな
り、発光層と重なる正電極用ワイヤボンディングパッド
部１５の大部分の領域は約１００μｍ角程度となる。
【００２４】（実施の形態２）図２は、本発明の第２の
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、発
光部２１は長方形に形作られたものである。図２（ａ）
は平面図であり、図２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は模式断
面図である。
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、発
光部２１は長方形に形作られたものである。図２（ａ）
は平面図であり、図２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は模式断
面図である。
【００２５】図２（ａ）において、２０はサファイア基
板（約３５０μｍ□の正方形）であり、２１は発光部
（約３００μｍ×１７０μｍの長方形）であり、１５は
正電極用ワイヤボンディングパッド部、１７は負電極用
ワイヤボンディングパッド部であり、正負の電極用ワイ
ヤボンディングパッド部（各１３０μｍの正方形）１５
及び１７はサファイア基板の同一辺に並んで、近接し
て、配設されている。図２（ａ）のＡ―Ａ’線における
略断面図を図２（ｂ）に、図２（ａ）のＢ―Ｂ’線にお
ける略断面図を図２（ｃ）に、図２（ａ）のＣ―Ｃ’線
における略断面図を図２（ｄ）に示す。
板（約３５０μｍ□の正方形）であり、２１は発光部
（約３００μｍ×１７０μｍの長方形）であり、１５は
正電極用ワイヤボンディングパッド部、１７は負電極用
ワイヤボンディングパッド部であり、正負の電極用ワイ
ヤボンディングパッド部（各１３０μｍの正方形）１５
及び１７はサファイア基板の同一辺に並んで、近接し
て、配設されている。図２（ａ）のＡ―Ａ’線における
略断面図を図２（ｂ）に、図２（ａ）のＢ―Ｂ’線にお
ける略断面図を図２（ｃ）に、図２（ａ）のＣ―Ｃ’線
における略断面図を図２（ｄ）に示す。
【００２６】上記の通り、正電極用ワイヤボンディング
パッド部１５の直下の部分にも絶縁膜１８を介して負電
極部１６を埋設することで、正電極用ワイヤボンディン
グパッド部１５の直下に流れる発光素子から放射される
光出力に寄与しにくかった電流を削減することが可能と
なり、かつ、ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１と負電
極１６との接触面積を約１．８倍（従来例の接触面積が
約１５０×約１３０μｍ角であったが、本発明の接触面
積は（約１５０×約１３０μｍ角）＋（約１５０×約１
００μｍ角）と増加することができ、従来例の動作電圧
約３．５Ｖが本発明の動作電圧（順方向電流２０ｍＡで
の電圧）では約３．４Ｖ〜３．４５Ｖとなり、約０．０
５Ｖ〜０．１Ｖ低減することができ、また光出力を約２
〜５％増加させることができる。
パッド部１５の直下の部分にも絶縁膜１８を介して負電
極部１６を埋設することで、正電極用ワイヤボンディン
グパッド部１５の直下に流れる発光素子から放射される
光出力に寄与しにくかった電流を削減することが可能と
なり、かつ、ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１と負電
極１６との接触面積を約１．８倍（従来例の接触面積が
約１５０×約１３０μｍ角であったが、本発明の接触面
積は（約１５０×約１３０μｍ角）＋（約１５０×約１
００μｍ角）と増加することができ、従来例の動作電圧
約３．５Ｖが本発明の動作電圧（順方向電流２０ｍＡで
の電圧）では約３．４Ｖ〜３．４５Ｖとなり、約０．０
５Ｖ〜０．１Ｖ低減することができ、また光出力を約２
〜５％増加させることができる。
【００２７】また、正負ワイヤボンディングパッド部を
サファイア基板の一辺に並べて配設することにより、発
光部２１の形状が、単純な多角形の形状にすることが可
能となるため、この発光素子を使った半導体発光装置に
おいてムラの少ない放射特性を持った半導体発光装置を
得やすくなった。
サファイア基板の一辺に並べて配設することにより、発
光部２１の形状が、単純な多角形の形状にすることが可
能となるため、この発光素子を使った半導体発光装置に
おいてムラの少ない放射特性を持った半導体発光装置を
得やすくなった。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
半導体発光素子によれば、絶縁性基板上に形成された半
導体発光素子であり、該半導体発光素子は少なくとも発
光部と正電極部と負電極部とを有し、且つ、正電極部の
一部と負電極部の一部とが絶縁膜を介して積層して形成
されることを特徴とするものである。
半導体発光素子によれば、絶縁性基板上に形成された半
導体発光素子であり、該半導体発光素子は少なくとも発
光部と正電極部と負電極部とを有し、且つ、正電極部の
一部と負電極部の一部とが絶縁膜を介して積層して形成
されることを特徴とするものである。
【００２９】請求項１記載の構成により、絶縁膜を介し
て一部重ね合わせることで、一方のワイヤボンディング
パッド部の直下を流れ、発光素子から放射される光出力
に寄与しにくかった電流を削減することが可能となり、
且つ、他方の電極とそれに接触する半導体層の接触面積
を増加することが可能となり、その結果、光出力の向
上、および、動作電圧の低減を図ることが出来る。
て一部重ね合わせることで、一方のワイヤボンディング
パッド部の直下を流れ、発光素子から放射される光出力
に寄与しにくかった電流を削減することが可能となり、
且つ、他方の電極とそれに接触する半導体層の接触面積
を増加することが可能となり、その結果、光出力の向
上、および、動作電圧の低減を図ることが出来る。
【００３０】また、本発明の請求項２記載の半導体発光
素子によれば、正電極部に形成されているワイヤボンデ
ィングパッド部と負電極部に形成されているワイヤボン
ディングパッド部とを近接して配設し、かつ、該正電極
用ワイヤボンディングパッド部の外形形状と負電極用ワ
イヤボンディングパッド部の外形形状とで形作る擬似長
辺形の長辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部を
配設することを特徴とするものである。
素子によれば、正電極部に形成されているワイヤボンデ
ィングパッド部と負電極部に形成されているワイヤボン
ディングパッド部とを近接して配設し、かつ、該正電極
用ワイヤボンディングパッド部の外形形状と負電極用ワ
イヤボンディングパッド部の外形形状とで形作る擬似長
辺形の長辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部を
配設することを特徴とするものである。
【００３１】請求項２記載の構成により、発光部の形状
が単純な形状となり、例えばくびれ等のある複雑な発光
パターンとはならないことから、ランプ等の発光装置に
組み立てた場合には単純な放射特性を持つ発光装置を得
ることができる。さらに、ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ
層と負電極１６との接触面積を増加することができ、動
作電圧の低減と、光出力の増加を行うことができる。
が単純な形状となり、例えばくびれ等のある複雑な発光
パターンとはならないことから、ランプ等の発光装置に
組み立てた場合には単純な放射特性を持つ発光装置を得
ることができる。さらに、ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ
層と負電極１６との接触面積を増加することができ、動
作電圧の低減と、光出力の増加を行うことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態よりなる半導体発光
素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡ―Ａ’線における略断面図、（ｃ）
は（ａ）のＢ―Ｂ’線における略断面図、（ｄ）は
（ａ）のＣ―Ｃ’線における略断面図である。
素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡ―Ａ’線における略断面図、（ｃ）
は（ａ）のＢ―Ｂ’線における略断面図、（ｄ）は
（ａ）のＣ―Ｃ’線における略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態よりなる半導体発光
素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡ―Ａ’線における略断面図、（ｃ）
は（ａ）のＢ―Ｂ’線における略断面図、（ｄ）は
（ａ）のＣ―Ｃ’線における略断面図である。
素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡ―Ａ’線における略断面図、（ｃ）
は（ａ）のＢ―Ｂ’線における略断面図、（ｄ）は
（ａ）のＣ―Ｃ’線における略断面図である。
【図３】従来例の窒化物系半導体材料を用いた窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子の説明図であり、（ａ）は
平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ―Ｆ’線で切断した
略断面図である。
ウム系化合物半導体発光素子の説明図であり、（ａ）は
平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ―Ｆ’線で切断した
略断面図である。
１０ サファイア基板などの絶縁性基板 １１ ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０
≦Ｙ≦１） １２ 発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層（０≦Ｚ
≦１、０≦Ｔ≦１） １３ ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０
≦Ｖ≦１） １４ 正電極部 １５ 正電極用ワイヤボンディングパッド部 １６ 負電極部 １７ 負電極用ワイヤボンディングパッド部 １８ 絶縁膜 １９ 発光部 ２０ サファイア基板などの絶縁性基板 ２１ 発光部
≦Ｙ≦１） １２ 発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層（０≦Ｚ
≦１、０≦Ｔ≦１） １３ ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０
≦Ｖ≦１） １４ 正電極部 １５ 正電極用ワイヤボンディングパッド部 １６ 負電極部 １７ 負電極用ワイヤボンディングパッド部 １８ 絶縁膜 １９ 発光部 ２０ サファイア基板などの絶縁性基板 ２１ 発光部
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成された半導体発光素
子において、該半導体発光素子は少なくとも発光部と正
電極部と負電極部とを有し、且つ、正電極部の一部と負
電極部の一部とが絶縁膜を介して積層して形成されるこ
とを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体発光素子におい
て、正電極部に形成されているワイヤボンディングパッ
ド部と負電極部に形成されているワイヤボンディングパ
ッド部とを近接して配設し、かつ、該正電極用ワイヤボ
ンディングパッド部の外形形状と負電極用ワイヤボンデ
ィングパッド部の外形形状とで形作る擬似長辺形の長辺
部側に近接して該半導体発光素子の発光部を配設するこ
とを特徴とする半導体発光素子。
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| KR100833309B1 (ko) | 2006-04-04 | 2008-05-28 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
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| US10388897B2 (en) | 2012-05-18 | 2019-08-20 | Oxford University Innovation Limited | Optoelectronic device comprising porous scaffold material and perovskites |
| US11038132B2 (en) | 2012-05-18 | 2021-06-15 | Oxford University Innovation Limited | Optoelectronic devices with organometal perovskites with mixed anions |
| US11302833B2 (en) | 2012-05-18 | 2022-04-12 | Oxford University Innovation Limited | Optoelectronic device comprising perovskites |
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