DE112020007192T5 - Pixelantriebsschaltung und antriebsverfahren dafür und anzeigetafel - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigetechnologie und stellt eine Pixelantriebsschaltung, ein Antriebsverfahren dafür und ein Anzeigetafel bereit. Die Pixelantriebsschaltung umfasst einen Antriebstransistor, eine Datenschreibschaltung, eine Kompensationsschaltung, eine Lichtemissionssteuerschaltung, eine Speicherschaltung, einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor. Der Antriebstransistor ist über seinen ersten Pol mit einem ersten Knoten, über seinen zweiten Pol mit einem zweiten Knoten und über sein Gate mit einem dritten Knoten verbunden. Die Datenschreibschaltung ist mit dem ersten Knoten und einem Datensignalanschluss verbunden. Die Kompensationsschaltung ist mit dem zweiten Knoten und dem dritten Knoten verbunden. Die Lichtemissionssteuerschaltung ist mit dem ersten Pol und dem zweiten Pol des Antriebstransistors, einem ersten Stromversorgungsanschluss, einer ersten Elektrode einer lichtemittierenden Einheit und einem Freigabesignalanschluss verbunden. Die Speicherschaltung ist zwischen den dritten Knoten verbindet. Der erste Transistor und der zweite Transistor sind zwischen dem dritten Knoten und dem Anfangssignalanschluss in Reihe geschaltet, wobei der erste Transistor ein Oxidtransistor vom N-Typ ist, und der Antriebstransistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigetechnologie, insbesondere auf eine Pixelantriebsschaltung, ein Antriebsverfahren dafür und ein Anzeigetafel.
  • Stand der Technik
  • Die Pixelantriebsschaltung wird verwendet, lichtemittierende Einheiten in einer Pixeleinheit zum Leuchten anzutreiben. Im Stand der Technik umfasst die Pixelantriebsschaltung einen Antriebstransistor und einen Kondensator. Der Antriebstransistor wird verwendet, entsprechend seiner Gate-Spannungsausgabe einen Antriebsstrom an die lichtemittierenden Einheiten auszugeben. Der Kondensator ist zum Speichern von Ladungen mit einem Gate des Antriebstransistors verbunden, um dem Antriebstransistor während des Leuchtens der Pixelantriebsschaltung eine Spannung kontinuierlich bereitzustellen.
  • Jedoch neigt das Gate des Antriebstransistors zu einer Leckage durch den damit verbundenen Transistor, wodurch die Stabilität der Pixelantriebsschaltung in der Leuchtenphase beeinträchtigt wird.
  • Es sollte beachtet werden, dass die in diesem Hintergrundabschnitt offenbarten Informationen nur dazu dienen, das Verständnis des Hintergrunds der vorliegenden Offenbarung zu verbessern, und daher Informationen enthalten können, die nicht den dem Durchschnittsfachmann bekannten Stand der Technik darstellen.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Pixelantriebsschaltung bereitgestellt, die einen Antriebstransistor, eine Datenschreibschaltung, eine Kompensationsschaltung, eine Lichtemissionssteuerschaltung, eine Speicherschaltung und eine Rücksetzschaltung umfasst. Der Antriebstransistor ist über seinen ersten Pol mit einem ersten Knoten, über seinen zweiten Pol mit einem zweiten Knoten und über sein Gate mit einem dritten Knoten verbunden; wobei die Datenschreibschaltung mit dem ersten Knoten und einem Datensignalanschluss verbunden ist, um in Antwort auf ein Steuersignal ein Signal vom Datensignalanschluss an den ersten Knoten zu übertragen; wobei die Kompensationsschaltung mit dem zweiten Knoten und dem dritten Knoten verbunden ist, um in Antwort auf ein Steuersignal den zweiten Knoten mit dem dritten Knoten zu verbinden; wobei die Lichtemissionssteuerschaltung mit dem ersten Pol und dem zweiten Pol des Antriebstransistors, einem ersten Stromversorgungsanschluss, einer ersten Elektrode einer lichtemittierenden Einheit und einem Freigabesignalanschluss verbunden ist, um in Antwort auf ein Signal vom Freigabesignalanschluss den ersten Stromversorgungsanschluss mit einer Elektrode des Antriebstransistors zu verbinden und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit mit einer anderen Elektrode des Antriebstransistors zu verbinden; wobei die Speicherschaltung zwischen den dritten Knoten verbindet ist; wobei die Rücksetzschaltung einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfassen. Der erste Transistor ist über seinen ersten Pol mit dem dritten Knoten, über seinen zweiten Pol mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit, und über sein Gate mit einem Rücksetzsignalanschluss verbunden. Der zweite Transistor ist über seinen ersten Pol mit dem zweiten Pol des ersten Transistors, über seinen zweiten Pol mit einem Anfangssignalanschluss und über sein Gate mit dem Rücksetzsignalanschluss verbunden; wobei der erste Transistor und der zweite Transistor jeweils ein Oxidtransistor vom N-Typ sind, und der Antriebstransistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ ist.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung ist die Lichtemissionssteuerschaltung ausgebildet, in Antwort auf das Signal vom Freigabesignalanschluss den ersten Stromversorgungsanschluss mit dem zweiten Pol des Antriebstransistors zu verbinden, und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit mit dem ersten Pol des Antriebstransistors zu verbinden.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Datenschreibschaltung einen dritten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem Datensignalanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem ersten Knoten und über sein Gate mit einem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Kompensationsschaltung einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit einem zweiten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist, wobei der dritte Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ ist und der vierte Transistor ein Oxidtransistor vom N-Typ ist.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Kompensationsschaltung einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit dem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist, wobei sowohl der dritte Transistor als auch der vierte Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sind.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Kompensationsschaltung einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit dem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist, wobei sowohl der dritte Transistor als auch der vierte Transistor ein Oxidtransistor vom N-Typ sind.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Lichtemissionssteuerschaltung einen fünften Transistor und einen sechsten Transistor, wobei der fünfte Transistor über seinen ersten Pol mit dem ersten Stromversorgungsanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem zweiten Knoten und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss verbunden ist, und wobei der sechste Transistor über seinen ersten Pol mit dem ersten Knoten, über seinen zweiten Pol mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss verbunden ist.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung sind der fünfte Transistor und der sechste Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Speicherschaltung einen Kondensator, der zwischen dem ersten Stromversorgungsanschluss und dem dritten Knoten geschaltet ist.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Anzeigetafel bereitgestellt, die die oben erwähnte Pixelantriebsschaltung umfasst, wobei die Anzeigetafel ein Basissubstrat, eine erste aktive Schicht, eine erste leitfähige Schicht, eine zweite aktive Schicht, eine zweite leitfähige Schicht und eine dritte leitfähige Schicht umfasst. Die erste aktive Schicht befindet sich auf einer Seite des Basissubstrats, wobei die erste aktive Schicht einen ersten aktiven Abschnitt umfasst, der ausgebildet ist, einen Kanalbereich des Antriebstransistors zu bilden; wobei sich die erste leitfähige Schicht auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten aktiven Schicht befindet, wobei die erste leitfähige Schicht einen ersten leitfähigen Abschnitt umfasst, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat eine orthografische Projektion des ersten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt, wobei der erste leitfähige Abschnitt ausgebildet ist, das Gate des Antriebstransistors zu bilden. Die zweite aktive Schicht befindet sich auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten leitfähigen Schicht, wobei die zweite aktive Schicht einen zweiten aktiven Abschnitt, einen dritten aktiven Abschnitt, einen vierten aktiven Abschnitt, den fünften aktiven Abschnitt und den sechsten aktiven Abschnitt umfasst. Eine orthografische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite einer orthografischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat in einer ersten Richtung, in der sich eine orthografische Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet. Die orthographische Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat in einer zweiten Richtung, wobei die erste Richtung die zweite Richtung schneidet; wobei der vierte aktive Abschnitt zwischen dem zweiten aktiven Abschnitt und dem dritten aktiven Abschnitt verbunden ist und sich eine orthographische Projektion des vierten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat in einer dritten Richtung befindet, wobei die zweite Richtung der dritten Richtung entgegengesetzt ist, und wobei in der ersten Richtung sich die orthografische Projektion des vierten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, wobei der fünfte aktive Abschnitt mit dem zweiten aktiven Abschnitt verbunden ist, und sich eine orthographische Projektion des fünften aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat in der ersten Richtung befindet; wobei der sechste aktive Abschnitt mit dem dritten aktiven Abschnitt verbunden ist, und sich eine orthographische Projektion des sechsten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat in der zweiten Richtung befindet. Die zweite leitfähige Schicht ist auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten aktiven Schicht angeordnet, wobei die zweite leitfähige Schicht eine erste Gateleitung und einen ersten Vorsprung umfasst. Eine orthographische Projektion der ersten Gateleitung auf das Basissubstrat erstreckt sich entlang der zweiten Richtung, wobei die erste Gateleitung einen zweiten leitfähigen Abschnitt umfasst, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zusammenfällt und der ausgebildet ist, das erste Gate des zweiten Transistors zu bilden; wobei der erste Vorsprung mit der ersten Gateleitung verbunden ist und in der ersten Richtung sich eine orthographische Projektion des ersten Vorsprungs auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion der ersten Gateleitung auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, wobei der erste Vorsprung einen dritten leitfähigen Abschnitt umfasst, dessen orthographische Projektion auf das Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zusammenfällt, um das erste Gate des ersten Transistors zu bilden. Die dritte leitfähige Schicht ist auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten leitfähigen Schicht angeordnet, und die dritte leitfähige Schicht umfasst einen ersten Verbindungsabschnitt und eine Anfangssignalleitung. Der erste Verbindungsabschnitt ist mit dem sechsten aktiven Abschnitt und dem ersten leitfähigen Abschnitt jeweils durch ein Durchgangsloch verbindet; wobei sich eine orthographische Projektion der Anfangssignalleitung auf das Basissubstrat entlang der zweiten Richtung erstreckt und auf einer Seite der orthographischen Projektion der ersten Gateleitung auf das Basissubstrat in der ersten Richtung befindet, wobei die Anfangssignalleitung mit dem fünften aktiven Abschnitt durch ein Durchgangsloch verbunden ist.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Anzeigetafel ferner eine vierte leitfähige Schicht, die zwischen der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten aktiven Schicht angeordnet ist. Die vierte leitfähige Schicht umfasst eine zweite Gateleitung und einen zweiten Vorsprung, wobei sich eine orthographische Projektion der zweiten Gateleitung auf das Basissubstrat entlang der zweiten Richtung erstreckt und die zweite Gateleitung einen vierten leitfähigen Abschnitt umfasst, wobei sich die orthographische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrats auf der orthographischen Projektion des vierten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, der ausgebildet ist, ein zweites Gate des zweiten Transistor zu bilden; wobei der zweite Vorsprung mit der zweiten Gateleitung verbunden ist, und in der ersten Richtung sich die orthografische Projektion des zweiten Vorsprungs auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion der zweiten Gateleitung auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, und der zweite Vorsprung einen fünften leitfähigen Abschnitt umfasst, wobei sich die orthographische Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrats auf einer orthographischen Projektion des fünften leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, der ausgebildet ist, ein zweites Gate des ersten Transistors zu bilden.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Lichtemissionssteuerschaltung einen fünften Transistor und einen sechsten Transistor. Der fünfte Transistors ist über seinen ersten Pol mit dem ersten Stromversorgungsanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem zweiten Knoten und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss verbunden, und der sechste Transistors ist über seinen ersten Pol mit dem ersten Knoten, über seinen zweiten Pol mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss verbunden. Die erste aktive Schicht umfasst ferner einen siebten aktiven Abschnitt und einen achten aktiven Abschnitt. Der siebte aktive Abschnitt ist ausgebildet, einen Kanalbereich des fünften Transistors zu bilden, wobei in der ersten Richtung sich eine orthografische Projektion des siebten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des vierten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, und der achte aktive Abschnitt ist ausgebildet, einen Kanalbereich des sechsten Transistors zu bilden, wobei in der ersten Richtung sich eine orthografische Projektion des achten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des vierten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet. Die erste leitfähige Schicht umfasst ferner eine dritte Gateleitung, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt und die orthografischen Projektionen des siebten aktiven Abschnitts und des achten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt, wobei ein Teil der dritten Gateleitung ausgebildet ist, ein Gate des fünften Transistors zu bilden, und ein Teil der dritten Gateleitung ausgebildet ist, ein Gate des sechsten Transistors zu bilden.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Datenschreibschaltung einen dritten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem Datensignalanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem ersten Knoten und über sein Gate mit einem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist. Die Kompensationsschaltung umfasst einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit einem zweiten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist, wobei sowohl der dritte Transistor als auch der vierte Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sind. Die erste aktive Schicht umfasst ferner einen neunten aktiven Abschnitt und einen zehnten aktiven Abschnitt, wobei der neunte aktive Abschnitt ausgebildet ist, einen Kanalbereich des dritten Transistors zu bilden, und sich eine orthographische Projektion des neunten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat in einer vierten Richtung befindet, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist; wobei der zehnte aktive Abschnitt ausgebildet ist, einen Kanalbereich des vierten Transistors zu bilden, und sich eine orthographische Projektion des zehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat in der vierten Richtung befindet. Die erste leitfähige Schicht umfasst ferner eine vierte Gateleitung, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt und die orthografischen Projektionen des neunten aktiven Abschnitts und des zehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt, wobei ein Teil der vierten Gateleitung ausgebildet ist, das Gate des dritten Transistors zu bilden, und ein Teil der vierten Gateleitung ausgebildet ist, das Gate des vierten Transistors zu bilden.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Anzeigetafel ferner eine fünfte leitfähige Schicht, die auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der dritten leitfähigen Schicht angeordnet ist. Die fünfte leitfähige Schicht umfasst eine erste Stromleitung, einen ersten Abschirmabschnitt, eine erste Datenleitung und einen zweiten Abschirmabschnitt. Eine orthographische Projektion der ersten Stromleitung auf das Basissubstrat erstreckt sich entlang der ersten Richtung und enthält eine erste Kante; wobei der erste Abschirmabschnitt mit der Stromleitung verbunden ist und eine mit der ersten Kante der ersten Stromleitung verbundene zweite Kante umfasst, wobei ein Winkel zwischen einer orthographischen Projektion der ersten Kante auf das Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der zweiten Kante auf das Basissubstrat kleiner als 180° ist, wobei eine orthographische Projektion des ersten Abschirmabschnitts auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt; wobei eine orthografische Projektion der ersten Datenleitung auf das Basissubstrat sich entlang der ersten Richtung erstreckt und eine dritte Kante enthält; wobei der zweite Abschirmabschnitt mit der Datenleitung verbunden ist und eine mit der dritten Kante der ersten Datenleitung verbundene vierte Kante umfasst, wobei ein Winkel zwischen einer orthographischen Projektion der dritten Kante auf das Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der vierten Kante auf das Basissubstrat kleiner als 180° ist, wobei eine orthographische Projektion des zweiten Abschirmabschnitts auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die Datenschreibschaltung einen dritten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem Datensignalanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem ersten Knoten und über sein Gate mit einem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist. Die Kompensationsschaltung umfasst einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit einem zweiten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist, wobei der dritte Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ ist und der vierte Transistor ein Oxidtransistor vom N-Typ ist. Die erste aktive Schicht umfasst ferner einen elften aktiven Abschnitt, der ausgebildet ist, den Kanalbereich des dritten Transistors zu bilden, wobei sich eine orthographische Projektion des elften aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat in einer vierten Richtung befindet, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist; wobei die erste leitfähige Schicht auch eine fünfte Gateleitung umfasst, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt und den elften aktiven Abschnitt bedeckt, wobei ein Teil der fünften Gateleitung ausgebildet ist, das Gate des dritten Transistors zu bilden. Die vierte leitfähige Schicht umfasst ferner eine sechste Gateleitung, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt und sich auf einer Seite der orthographischen Projektion der fünften Gateleitung auf das Basissubstrat in der vierten Richtung befindet. Die zweite aktive Schicht umfasst ferner einen zwölften aktiven Abschnitt, einen dreizehnten aktiven Abschnitt und einen vierzehnten aktiven Abschnitt, wobei der zwölfte aktive Abschnitt ausgebildet ist, einen ersten Kanalbereich des vierten Transistors zu bilden, und sich eine orthographische Projektion des zwölften aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf der orthographischen Projektion der sechsten Gateleitung auf das Basissubstrat befindet; wobei der dreizehnte aktive Abschnitt ausgebildet ist, einen zweiten Kanalbereich des vierten Transistors zu bilden, und sich eine orthographische Projektion des dreizehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf der orthographischen Projektion der sechsten Gateleitung auf das Basissubstrat befindet; wobei der vierzehnte aktive Abschnitt zwischen dem zwölften aktiven Abschnitt und dem dreizehnten aktiven Abschnitt verbunden ist, und sich eine orthographische Projektion des viertzehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion der sechsten Gateleitung auf das Basissubstrat in der vierten Richtung befindet. Die zweite leitfähige Schicht umfasst ferner eine siebte Gateleitung, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt und die orthografischen Projektionen des zwölften aktiven Abschnitts und des dreizehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die fünfte leitfähige Schicht ferner eine zweite Stromleitung, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der ersten Richtung erstreckt und die orthografische Projektion des vierzehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt.
  • In einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst die zweite Stromleitung eine fünfte Kante und umfasst die fünfte leitfähige Schicht ferner einen dritten Abschirmabschnitt, der mit der zweiten Stromleitung verbunden ist und der eine mit der fünften Kante der zweiten Stromleitung verbundene sechste Kante umfasst, wobei ein Winkel zwischen einer orthographischen Projektion der sechsten Kante auf das Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der fünften Kante auf das Basissubstrat kleiner als 180° ist, wobei eine orthographische Projektion des dritten Abschirmabschnitts auf das Basissubstrat den zweiten aktiven Abschnitt und den dritten aktiven Abschnitt bedeckt.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Anzeigetafel bereitgestellt, die die oben erwähnte Pixelantriebsschaltung umfasst.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Antriebsverfahren für eine Pixelantriebsschaltung zum Abtreiben der oben erwähnten Pixelantriebsschaltung bereitgestellt, wobei das Antriebsverfahren umfasst:
    • Einschalten des ersten Transistors und des zweiten Transistors in einer Rücksetzphase, um ein Anfangssignal über den Anfangssignalanschluss in den dritten Knoten und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit einzugeben;
    • Einschalten des ersten Knoten und des dritten Knoten mittels der Kompensationsschaltung und gleichzeitig Schreiben eines Datensignals in den ersten Knoten mittels der Datenschreibschaltung in einer Kompensationsphase;
  • Verbinden des ersten Stromversorgungsanschluss mit einer Elektrode des Antriebstransistors und Verbinden der ersten Elektrode der lichtemittierden Einheit mit einer anderen Elektrode des Antriebstransistors in einer Lichtemissionsphase mittels der Lichtemissionssteuerschaltung.
  • Es versteht sich, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung nur beispielhaft und erläuternd sind und die vorliegende Offenbarung nicht einschränken.
  • Figurenliste
  • Die Zeichnungen, die in dieser Beschreibung enthalten sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen Ausführungsbeispiele in Übereinstimmung mit der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Offenbarung zu erläutern. Offensichtlich stellen die Zeichnungen in der folgenden Beschreibung nur einige Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung dar, und Fachleute können andere Zeichnungen gemäß diesen Zeichnungen ohne kreative Anstrengungen erhalten.
    • 1 ist eine schematische Struktursdarstellung einer Pixelantriebsschaltung in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 2 ist eine schematische Struktursdarstellung einer Pixelantriebsschaltung in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 3 ist ein Zeitablaufdiagramm jedes Knotens in einem Antriebsverfahren für die Pixelantriebsschaltung in 2;
    • 4 ist eine schematische Struktursdarstellung einer Pixelantriebsschaltung in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 5 ist eine schematische Struktursdarstellung einer Pixelantriebsschaltung in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 6 ist ein strukturelles Layout einer ersten aktiven Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 7 ist ein strukturelles Layout einer ersten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 8 ist ein strukturelles Layout einer vierten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 9 ist ein strukturelles Layout einer zweiten aktiven Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 10 ist ein strukturelles Layout einer zweiten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 11 ist ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht und einer zweiten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 12 ist ein strukturelles Layout einer dritten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 13 ist ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht, einer zweiten leitfähigen Schicht und einer dritten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 14 ist ein strukturelles Layout einer fünften leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 15 ist ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht, einer zweiten leitfähigen Schicht, einer dritten leitfähigen Schicht und einer fünften leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 16 ist eine teilweise Schnittsansicht entlang einer gestrichelten Linie AA in 15;
    • 17 ist ein strukturelles Layout einer ersten aktiven Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 18 ist ein strukturelles Layout einer ersten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 19 ist ein strukturelles Layout einer vierten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 20 ist ein strukturelles Layout einer zweiten aktiven Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 21 ist ein strukturelles Layout einer zweiten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 22 ist ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht und einer zweiten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 23 ist ein strukturelles Layout einer dritten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 24 ist ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht, einer zweiten leitfähigen Schicht und einer dritten leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 25 ist ein strukturelles Layout einer fünften leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 26 ist ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht, einer zweiten leitfähigen Schicht, einer dritten leitfähigen Schicht und einer fünften leitfähigen Schicht einer Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 27 ist eine teilweise Schnittsansicht entlang einer gestrichelten Linie AA in 26.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • Beispielhafte Ausführungsbeispiele werden nun vollständiger unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Beispielhafte Ausführungsbeispiele können jedoch in vielen Formen umgesetzt werden und sollten nicht als auf die hierin dargelegten Beispiele beschränkt ausgelegt werden; vielmehr werden diese Ausführungsbeispiele bereitgestellt, damit diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und die Konzepte von beispielhaften Ausführungsbeispielen vollständig an den Fachmann vermittelt werden. Gleiche Bezugszeichen in den Zeichnungen bezeichnen gleiche oder ähnliche Strukturen, und daher wird ihre detaillierte Beschreibung weggelassen.
  • Obwohl relative Begriffe wie „obere“ und „untere“ in dieser Beschreibung verwendet werden, die relative Beziehung einer Komponente eines Symbols zu einer weiteren Komponente zu beschreiben, werden diese Begriffe in dieser Beschreibung nur der Einfachheit halber verwendet, beispielsweise gemäß den Richtungen für die Beispiele in den Zeichnungen. Es versteht sich, dass, wenn die dargestellte Vorrichtung umgedreht wird, so dass sie auf dem Kopf steht, dann Komponente, die als „oben“ beschrieben wurden, zu Komponenten werden, die „unten“ sind. Weitere relative Begriffe wie „hoch“, „tief”, „oben“, „unten“, „links“, „rechts“ usw. haben ebenfalls ähnliche Bedeutungen. Wenn sich eine Struktur „auf” einer anderen Struktur befindet, kann dies bedeuten, dass die eine Struktur integral auf der einen anderen Struktur ausgebildet ist oder dass die eine Struktur „direkt“ auf der einen anderen Struktur angeordnet ist oder dass die eine Struktur „indirekt“ über eine weitere Struktur auf der einen anderen Struktur angeordnet ist.
  • Die Begriffe „ein“, „eine“ und „das“ werden verwendet, das Vorhandensein von einem oder mehreren Elementen/Bestandteilen/usw. anzuzeigen; und die Begriffe „umfassend“ und „aufweisend“ werden in einem offenen, inklusiven Sinn verwendet und bedeuten, dass zusätzlich zu den aufgeführten Elementen/Bestandteilen/usw. zusätzliche Elemente/Bestandteile/usw. vorhanden sein können.
  • Dieses beispielhafte Ausführungsbeispiel stellt eine Pixelantriebsschaltung bereit, wie in 1 gezeigt, die eine schematische Struktursdarstellung der Pixelantriebsschaltung in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Die Pixelantriebsschaltung kann einen Antriebstransistor DT, eine Datenschreibschaltung 1, eine Kompensationsschaltung 2, eine Lichtemissionssteuerschaltung 3, eine Speicherschaltung 4 und eine Rücksetzschaltung 5 umfasst. Der Antriebstransistor DT ist über seinen ersten Pol mit einem ersten Knoten N1, über seinen zweiten Pol mit einem zweiten Knoten N2 und über sein Gate mit einem dritten Knoten N3 verbunden; wobei die Datenschreibschaltung 1 mit dem ersten Knoten N1 und einem Datensignalanschluss Da verbunden ist, um in Antwort auf ein Steuersignal ein Signal am Datensignalanschluss Da an den ersten Knoten N1 zu übertragen; wobei die Kompensationsschaltung 2 mit dem zweiten Knoten N2 und dem dritten Knoten N3 verbunden ist, um in Antwort auf ein Steuersignal den zweiten Knoten N2 mit dem dritten Knoten N3 zu verbinden; wobei die Lichtemissionssteuerschaltung mit dem ersten Pol und dem zweiten Pol des Antriebstransistors DT, einem ersten Stromversorgungsanschluss VDD, einer ersten Elektrode einer lichtemittierenden Einheit OLED und einem Freigabesignalanschluss EM verbunden ist und die Lichtemissionssteuerschaltung 3 ausgebildet ist, in Antwort auf ein Signal vom Freigabesignalanschluss EM den ersten Stromversorgungsanschluss VDD mit einer ersten Elektrode des Antriebstransistors DT (d.h. den ersten Knoten N1) zu verbinden und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED mit einer zweiten Elektrode des Antriebstransistors DT (d.h. den zweiten Knoten N2) zu verbinden; wobei die Rücksetzschaltung einen ersten Transistor T1 und einen zweiten Transistor T2 umfassen. Der erste Transistor T1 ist über seinen ersten Pol mit dem dritten Knoten N3, über seinen zweiten Pol mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED, und über sein Gate mit einem Rücksetzsignalanschluss Re verbunden. Der zweite Transistor T2 ist über seinen ersten Pol mit dem zweiten Pol des ersten Transistors T1, über seinen zweiten Pol mit einem Anfangssignalanschluss Vinit und über sein Gate mit dem Rücksetzsignalanschluss Re verbunden; wobei der erste Transistor T1 und der zweite Transistor T2 jeweils ein Oxidtransistor vom N-Typ sind, und der Antriebstransistor DT ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ ist. Die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED kann eine Anode der lichtemittierenden Einheit sein und eine Kathode der lichtemittierenden Einheit OLED kann mit dem zweiten Stromversorgungsanschluss VSS verbunden sein.
  • In einer Rücksetzphase kann die Pixelantriebsschaltung den ersten Transistor T1 und den zweiten Transistor T2 einschalten, um ein Anfangssignal in den dritten Knoten N3 und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED über den Anfangssignalanschluss Vinit einzugeben. In einer Kompensationsstufe kann die Pixelantriebsschaltung mittels der Kompensationsschaltung 2 den ersten Knoten N1 und den dritten Knoten N3 einschalten und gleichzeitig mittels der Datenschreibschaltung 1 ein Datensignal in den ersten Knoten N1 schreiben, so dass eine Spannung Vdata + Vth in den dritten Knoten geschrieben wird und in der Speicherschaltung gespeichert wird, wobei Vdata eine Spannung des Datensignals ist und Vth eine Schwellenspannung des Antriebstransistors ist. In einer Lichtemissionsstufe verbindet die Pixelantriebsschaltung mittels der Lichtemissionssteuerschaltung 3 den ersten Stromversorgungsanschluss VDD mit dem ersten Pol des Antriebstransistors DT (d. h. dem zweiten Knoten N1) und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED mit dem zweiten Pol des Antriebstransistors DT (d. h. dem zweiten Knoten N2). Der Antriebstransistor DT gibt unter der Ladung des dritten Knotens N3 einen Antriebsstrom an die lichtemittierende Einheit OLED aus.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel kann einerseits der Antriebstransistor DT in der Pixelantriebsschaltung ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sein, der eine relativ hohe Ladungsträgermobilität hat, so dass die Pixelantriebsschaltung vorteilhaft für Realisierung einer Anzeigetafel mit hoher Auflösung, hoher Ansprechgeschwindigkeit, hoher Pixeldichte und hohem Öffnungsverhältnis, andererseits sind der erste Transistor T1 und der zweite Transistor T2 jeweils ein Oxidtransistor vom N-Typ, der einen kleinen Leckstrom hat, so dass bei der Pixelantriebsschaltung in der Lichtemissionsphase ein Leckstrom des dritten Knotens N3 durch den ersten Transistor T1 und den zweiten Transistor T2 verringert werden kann. Außerdem sind der erste Transistor T1 und der zweite Transistor T2 zwischen dem dritten Knoten N3 und dem Anfangssignalanschluss Vinit in Reihe geschaltet, wodurch der Leckstrom von dem dritten Knoten N3 zu dem Anfangssignalanschluss Vinit verringert werden kann. Außerdem muss in der Rücksetzphase die durch den Anfangssignalanschluss Vinit in den dritten Knoten N3 geschriebene Spannung in der Lage sein, den Antriebstransistor DT einzuschalten, um die Spannung Vdata + Vth in den dritten Knoten N3 in der Kompensationsphase zu schreiben. Daher ist die Spannung des Anfangssignalanschlusses Vinit relativ klein und im Allgemeinen ein negativer Wert. In der Lichtemissionsphase ist die Spannung des zweiten Knotens N2 kleiner als die Spannung des dritten Knotens N3 und größer als die Spannung des Anfangssignalanschlusses Vinit, das heißt, die Spannung der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED ist kleiner als die Spannung des dritten Knotens N3 und größer als die Spannung des Anfangssignalanschlusses Vinit. Da der zweite Pol des ersten Transistors T1 gleichzeitig mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED verbunden ist, kann die Spannung der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED eine größere Querspannung zwischen dem dritten Knoten N3 und dem Anfangssignalanschluss Vinit effektiv isolieren, wodurch der Leckstrom des dritten Knotens zum Anfangssignalanschluss Vinit reduziert wird.
  • In der in 1 gezeigten Pixelantriebsschaltung variiert die Spannung des zweiten Knotens N2 mit der Spannung des dritten Knotens N3. Zum Beispiel ist in einem hohen Graustufenzustand die Spannung des dritten Knotens N3 relativ niedrig und die Spannung des zweiten Knotens N2 relativ hoch, und ist in einem niedrigen Graustufenzustand die Spannung des dritten Knotens N3 relativ hoch und die Spannung des zweiten Knotens relativ niedrig. Daher gibt es bei unterschiedlichen Anzeige-Graustufen unterschiedliche Spannungsdifferenzen zwischen dem dritten Knoten N3 und dem zweiten Knoten N2, so dass es bei unterschiedlichen Anzeige-Graustufen unterschiedliche Leckströme des dritten Knotens N3 zu dem zweiten Knoten N gibt. Insbesondere ist im niedrigen Graustufenzustand der Leckstrom vom dritten Knoten N3 zum zweiten Knoten N2 relativ groß. Da gleichzeitig das menschliche Auge bei geringer Helligkeit sehr empfindlich auf Helligkeitsänderungen reagiert, kann der Leckstrom vom dritten Knoten N3 zum zweiten Knoten N2 einen Anzeigeeffekt der Anzeigetafel stark beeinträchtigen.
  • Wie in 2 gezeigt, die eine schematische Struktursdarstellung der Pixelantriebsschaltung in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, kann die Lichtemissionssteuerschaltung 3 ausgebildet sein, in Antwort auf das Signal des Freigabesignalanschlusses EM den ersten Stromversorgungsanschluss VDD mit dem zweiten Pol des Antriebstransistors DT (d. h. dem zweiten Knoten N2) zu verbinden und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED mit dem ersten Pol des Antriebstransistors DT (d.h. dem ersten Knoten N1). Andere Strukturen der Pixelantriebsschaltung können die gleichen wie die in 1 gezeigte Pixelantriebsschaltung sein.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel ist der erste Stromversorgungsanschluss VDD mit dem zweiten Knoten N2 verbunden, und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED ist mit dem ersten Knoten verbunden. In der Lichtemissionsphase der Pixelantriebsschaltung wird die Spannung des zweiten Knotens N2 auf die Spannung des ersten Stromversorgungsanschlusses VDD stabilisiert, und ändert sie sich nicht mit einer Änderung der Antriebsgraustufe. Daher hat die Pixelantriebsschaltung einen relativ stabilen Antriebseffekt. Insbesondere im niedrigen Graustufen-Antriebszustand ist die Spannung des dritten Knotens N3 relativ hoch, und ist gleichzeitig die Spannung des zweiten Knotens N2 ebenfalls relativ hoch. Daher gibt es einen kleinen Leckstrom vom dritten Knoten N3 zum zweiten Knoten N2.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 1 und 2 gezeigt, kann die Datenschreibschaltung 1 einen dritten Transistor T3 umfassen, der über seinen ersten Pol mit dem Datensignalanschluss Da, über seinen zweiten Pol mit dem ersten Knoten N 1 und über sein Gate mit einem ersten Gateantriebssignalanschluss Gate 1 verbunden ist.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in den 1 und 2 gezeigt, kann die Kompensationsschaltung 2 einen vierten Transistor 4 umfasst, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten N2, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten N3 und über sein Gate mit dem ersten Gateantriebssignalanschluss Gate 1 verbunden ist, wobei sowohl der dritte Transistor T3 als auch der vierte Transistor T4 ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sind.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 1 gezeigt, kann die Lichtemissionssteuerschaltung 3 einen fünften Transistor T5 und einen sechsten Transistor T6 umfasst, wobei der fünfte Transistor T5 über seinen ersten Pol mit dem ersten Stromversorgungsanschluss VDD, über seinen zweiten Pol mit dem ersten Knoten N1 und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss EM verbunden ist, und wobei der sechste Transistor T6 über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten N2, über seinen zweiten Pol mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss EM verbunden ist, wobei der fünfte Transistor T5 und der sechste Transistor T6 ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sein können.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 2 gezeigt, kann die Lichtemissionssteuerschaltung 3 einen fünften Transistor T5 und einen sechsten Transistor T6 umfasst, wobei der fünfte Transistor T5 über seinen ersten Pol mit dem ersten Stromversorgungsanschluss VDD, über seinen zweiten Pol mit dem zweiten Knoten N2 und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss EM verbunden ist, und wobei der sechste Transistor T6 über seinen ersten Pol mit dem ersten Knoten N1, über seinen zweiten Pol mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss EM verbunden ist, wobei der fünfte Transistor T5 und der sechste Transistor T6 ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sein können.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel kann, wie in 1 und 2 gezeigt, die Speicherschaltung 4 einen Kondensator C enthalten, der zwischen den ersten Stromversorgungsanschluss VDD und den dritten Knoten N3 geschaltet sein kann. Es versteht sich, dass der Kondensator C auch zwischen den dritten Knoten N3 und einem anderen stabilen Signalanschluss geschaltet sein kann.
  • Wie in 3 gezeigt, die ein Zeitablaufdiagramm jedes Knotens in einem Antriebsverfahren für die Pixelantriebsschaltung in 2 ist, stellt EM eine Signalfolge des Freigabesignalanschlusses dar, stellt Re eine Signalfolge des Rücksetzsignalanschlusses dar und stellt Gate 1 eine Signalfolge des ersten Gateantriebssignalanschlusses dar. Das Antriebsverfahren für die Pixelantriebsschaltung umfasst drei Phasen: eine Rücksetzphase T1, eine Kompensationsphase T2 und eine Lichtemissionsphase T3. In der Rücksetzphase T1 gibt der Rücksetzsignalanschluss ein Signal mit hochem Pegel aus, um den ersten Transistor T1 und den zweiten Transistor T2 einzuschalten und das Signal des Anfangssignalanschlusses Vinit an den dritten Knoten und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit OLED zu übertragen, wobei der Antriebstransistor DT unter der Wirkung des Anfangssignalanschlusses eingeschaltet wird. In der Kompensationsphase T2 gibt der erste Gateantriebssignalanschluss Gate 1 ein Signal mit niedrigem Pegel aus, werden der dritte Transistor T3 und der vierte Transistor T4 eingeschaltet und schreibt der Datensignalanschluss eine Spannung Vdata + Vth in den dritten Knoten, wobei Vdata die Spannung des Datensignalanschlusses ist und Vth die Schwellenspannung des Antriebstransistors ist. In der Lichtemissionsphase T3 gibt der Freigabesignalanschluss ein Signal mit niedrigem Pegel aus, um den sechsten Transistor T6 und den fünften Transistor T5 einzuschalten, und leuchtet der Antriebstransistor DT unter der Wirkung der Spannung Vdata + Vth, die in dem Kondensator C gespeichert ist. Es gibt eine Formel für den Ausgangsstrom des Antriebstransistors I=(µWCox/2L)(Vgs-Vth)2, wobei µ die Ladungsträgermobilität ist, Cox die Gate-Kapazität pro Flächeneinheit ist, W die Breite eines Kanals des Antriebstransistors ist, L die Länge eines Kanals des Antriebstransistors ist, Vgs die Gate-Source- Spannungsdifferenz des Antriebstransistors ist und Vth die Schwellenspannung des Antriebstransistors ist. Der Ausgangsstrom des Antriebstransistors in der Pixelantriebsschaltung der vorliegenden Offenbarung I = (µWCox/2L)(Vdata + Vth - Vdd - Vth)2. Somit kann die Pixelantriebsschaltung einen Einfluss des Schwellenwerts des Antriebstransistors auf seinen Ausgangsstrom vermeiden.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel ist 4 eine schematische Struktursdarstellung der Pixelantriebsschaltung in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Die Pixelantriebsschaltung unterscheidet sich von der in 2 gezeigten Pixelantriebsschaltung darin, dass der dritte Transistor T3 ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sein kann und der vierte Transistor T4 ein Oxidtransistor vom N-Typ sein kann. Dementsprechend kann der vierte Transistor T4 mit dem zweiten Gateantriebssignalanschluss Gate2 verbunden sein, um den vierten Transistor T4 durch den zweiten Gateantriebssignalanschluss Gate2 in der Kompensationsphase einzuschalten. Da der Oxidtransistor einen kleinen Leckstrom hat, kann bei der Pixelantriebsschaltung der Leckstrom von dem dritten Knoten N3 zu dem zweiten Knoten durch den vierten Transistor in der Lichtemissionsphase reduziert werden.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel ist 5 eine schematische Struktursdarstellung der Pixelantriebsschaltung in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Die Pixelantriebsschaltung unterscheidet sich von der in 2 gezeigten Pixelantriebsschaltung darin, dass sowohl der dritte Transistor T3 als auch der vierte Transistor T4 ein Oxidtransistor vom N-Typ sein können. Sowohl der dritte Transistor T3 als auch der vierte Transistor T4 können unter der Wirkung des hohen Pegels des ersten Gateantriebssignalanschlusses Gate 1 in der Kompensationsstufe eingeschaltet werden, um eine Kompensationsspannung in den dritten Knoten zu schreiben. Diese Ausbildung kann bei einer Verringerung des Leckstroms vom dritten Knoten N3 zum zweiten Knoten durch den vierten Transistor das Antreiben des dritten Transistors T3 und des vierten Transistors T4 nur durch den ersten Gateantriebssignalanschluss Gate 1 realisieren, d.h. die Anzeigetafel, auf die die Pixelantriebsschaltung angewendet ist, kann gleichzeitig den dritten Transistor T3 und den vierten Transistor T4 durch eine Gateantriebsschaltung antreiben.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, können sowohl der dritte Transistor T3 und der vierte Transistor T4 in 1, 2, 4 and 5 eine Doppelgatestruktur aufweisen, das heißt, der dritte Transistor T3 und der vierte Transistor T4 können zwei aktive Bereiche enthalten, was den Leckstrom des dritten Transistors T3 und des vierten Transistors T4 reduzieren kann.
  • Dieses beispielhafte Ausführungsbeispiel stellt auch eine Anzeigetafel bereit, die eine Pixelantriebsschaltung, wie in 2 gezeigt, umfassen kann. Wie in den 6 bis 15 gezeigt, ist 6 ein strukturelles Layout einer ersten aktiven Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 7 ist ein strukturelles Layout einer ersten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 8 ist ein strukturelles Layout einer vierten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 9 ist ein strukturelles Layout einer zweiten aktiven Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 10 ist ein strukturelles Layout einer zweiten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 11 ist ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht und einer zweiten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 12 ist ein strukturelles Layout einer dritten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 13 ist ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht, einer zweiten leitfähigen Schicht und einer dritten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 14 ist ein strukturelles Layout einer fünften leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 15 ist ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht, einer zweiten leitfähigen Schicht, einer dritten leitfähigen Schicht und einer fünften leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung.
  • Wie in den 6 bis 13 gezeigt, kann die Anzeigetafel ein Basissubstrat 1, eine erste aktive Schicht, eine erste leitfähige Schicht, eine zweite aktive Schicht, eine zweite leitfähige Schicht und eine dritte leitfähige Schicht umfassen. Die erste aktive Schicht befindet sich auf einer Seite des Basissubstrats 1, wobei die erste aktive Schicht einen ersten aktiven Abschnitt 21 umfasst, der ausgebildet ist, einen Kanalbereich des Antriebstransistors DT zu bilden; wobei sich die erste leitfähige Schicht auf einer dem Basissubstrat 1 abgewandten Seite der ersten aktiven Schicht befinden kann, wobei die erste leitfähige Schicht einen ersten leitfähigen Abschnitt 31 umfassen kann, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat eine orthografische Projektion des ersten aktiven Abschnitts 21 auf das Basissubstrat bedeckt, wobei der erste leitfähige Abschnitt 31 ausgebildet ist, das Gate des Antriebstransistors DT zu bilden. Die zweite aktive Schicht kann sich auf einer dem Basissubstrat 1 abgewandten Seite der ersten leitfähigen Schicht befinden, wobei die zweite aktive Schicht einen zweiten aktiven Abschnitt 42, einen dritten aktiven Abschnitt 43, einen vierten aktiven Abschnitt 44, den fünften aktiven Abschnitt 45 und den sechsten aktiven Abschnitt 46 umfassen kann. Eine orthografische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite einer orthografischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat in einer ersten Richtung Y1; eine orthografische Projektion des dritten aktiven Abschnitt 43 auf das Basissubstrat befindet sich auf der Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat in der ersten Richtung Y1; und die orthographische Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat in einer zweiten Richtung X1, wobei die erste Richtung Y1 die zweite Richtung X1 schneidet. Zum Beispiel ist die erste Richtung Y1 senkrecht zu der zweiten Richtung X1. Der vierte aktive Abschnitt 44 ist zwischen dem zweiten aktiven Abschnitt 42 und dem dritten aktiven Abschnitt 43 verbunden. Eine orthographische Projektion des vierten aktiven Abschnitts 44 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat in einer dritten Richtung X2 befindet, wobei die zweite Richtung X1 der dritten Richtung X2 entgegengesetzt ist. In der ersten Richtung Y1 befindet sich die orthografische Projektion des vierten aktiven Abschnitt 44 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat. Der fünfte aktive Abschnitt 45 kann mit dem zweiten aktiven Abschnitt 42 verbunden sein. Eine orthographische Projektion des fünften aktiven Abschnitts 45 auf das Basissubstrat kann sich auf einer Seite der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat in der ersten Richtung Y1 befinden. Das sechste aktive Abschnitt 46 kann mit dem dritten aktiven Abschnitt 43 verbunden sein. Eine orthographische Projektion des sechsten aktiven Abschnitts 46 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat in der zweiten Richtung X 1. Die zweite leitfähige Schicht kann auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten aktiven Schicht angeordnet sein, wobei die zweite leitfähige Schicht eine erste Gateleitung 51 und einen ersten Vorsprung 52 umfassen kann. Die erste Gateleitung 51 kann ausgebildet werden, den Rücksetzsignalanschluss in 2 bereitzustellen. Eine orthographische Projektion der ersten Gateleitung 51 auf das Basissubstrat erstreckt sich entlang der zweiten Richtung X1, wobei die erste Gateleitung 51 einen zweiten leitfähigen Abschnitt 512 umfassen kann, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat zusammenfallen kann und der ausgebildet ist, das erste Gate des zweiten Transistors T2 zu bilden; wobei der erste Vorsprung 52 mit der ersten Gateleitung 51 verbunden sein kann und in der ersten Richtung sich eine orthographische Projektion des ersten Vorsprungs 52 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion der ersten Gateleitung 51 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat befinden kann, wobei der erste Vorsprung 52 einen dritten leitfähigen Abschnitt 523 umfassen kann, dessen orthographische Projektion auf das Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat zusammenfallen kann und der ausgebildet ist, das erste Gate des ersten Transistors T1 zu bilden. Dabei kann die erste aktive Schicht aus Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet sein und kann die zweite aktive Schicht aus Indium-Gallium-Zinkoxid-Material gebildet sein.
  • Wie in 8 und 11 gezeigt, kann die Anzeigetafel ferner eine vierte leitfähige Schicht enthalten, die zwischen der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten aktiven Schicht angeordnet ist. Die vierte leitfähige Schicht kann eine zweite Gateleitung 81 und einen zweiten Vorsprung 82 umfassen, wobei die zweite Gateleitung 81 den Rücksetzsignalanschluss in 2 bereitstellen kann und in einem Verdrahtungsbereich um die Anzeigetafel herum mit der ersten Gateleitung 51 durch ein Durchgangsloch verbunden sein kann. Eine orthographische Projektion der zweiten Gateleitung 81 auf das Basissubstrat erstreckt sich entlang der zweiten Richtung X 1 und die zweite Gateleitung 81 kann einen vierten leitfähigen Abschnitt 814 umfassen, wobei sich die orthographische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrats auf einer orthographischen Projektion des vierten leitfähigen Abschnitts 814 auf das Basissubstrat befinden kann, der ausgebildet ist, ein zweites Gate des zweiten Transistors T2 zu bilden; wobei der zweite Vorsprung 82 mit der zweiten Gateleitung 81 verbunden sein kann, und in der ersten Richtung Y 1 sich die orthografische Projektion des zweiten Vorsprungs 82 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion der zweiten Gateleitung 81 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat befinden kann. Der zweite Vorsprung 82 kann einen fünften leitfähigen Abschnitt 825 umfassen, wobei sich die orthographische Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrats auf einer orthographischen Projektion des fünften leitfähigen Abschnitts 825 auf das Basissubstrat befinden kann, der ausgebildet ist, ein zweites Gate des ersten Transistors T1 zu bilden.
  • Wie in 8 und 11 gezeigt, kann die vierte leitfähige Schicht ferner einen sechsten leitfähigen Abschnitt 86 umfassen, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt. Der sechste leitfähige Abschnitt 86 kann ausgebildet werden, eine Elektrode des Kondensators C zu bilden. Auf dem sechsten leitfähigen Abschnitt 86 kann eine Öffnung 861 angeordnet sein.
  • Wie in 7, 12 und 13 gezeigt, kann die dritte leitfähige Schicht auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten leitfähigen Schicht angeordnet sein. Die dritte leitfähige Schicht kann einen ersten Verbindungsabschnitt 61 und eine Anfangssignalleitung 62 umfasst, die ausgebildet sein kann, den Anfangssignalanschluss in 2 bereitzustellen. Der erste Verbindungsabschnitt 61 kann mit dem sechsten aktiven Abschnitt 46 durch ein Durchgangsloch 71 verbindet sein. Außderdem kann der erste Verbindungsabschnitt 61 mit dem ersten leitfähigen Abschnitt 31 durch ein Durchgangsloch 78 verbindet sein, so dass das Gate des Antriebstransistors DT mit dem ersten Pol des ersten Transistor T1 verbindet sein kann. Dabei befindet sich eine orthografische Projektion des Durchgangslochs 78 auf das Basissubstrat innerhalb der orthografischen Projektion der auf dem sechsten leitfähigen Abschnitt 86 angeordneten Öffnung 861 auf das Basissubstrat, das heißt, es gibt einen gewissen Abstand zwischen einer Kante der orthographischen Projektion des Durchgangslochs 78 auf das Basissubstrat und einer Kante der orthografischen Projektion der Öffnung 861 auf das Basissubstrat, so dass das in das Durchgangsloch 78 gefüllte leitfähige Material von dem sechsten leitfähigen Abschnitt 86 isoliert werden kann.
  • Wie in 7, 12 und 13 gezeigt, kann sich eine orthographische Projektion der Anfangssignalleitung 62 auf das Basissubstrat entlang der zweiten Richtung X1 erstrecken und auf einer Seite der orthographischen Projektion der ersten Gateleitung 51 auf das Basissubstrat in der ersten Richtung Y1 befinden, wobei die Anfangssignalleitung 62 den Anfangssignalanschluss in 2 bereitstellen kann. Die Anfangssignalleitung 62 kann mit dem fünften aktiven Abschnitt 45 durch ein Durchgangsloch 72 verbunden sein, so dass der zweite Pol des zweiten Transistors T2 mit dem Anfangssignalanschluss verbindet sein kann.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 9 und 11 gezeigt, können in der ersten Richtung Y1 sich die orthografischen Projektionen des vierten aktiven Abschnitts 44 und des sechsten aktiven Abschnitts 46 auf das Basissubstrat zwischen der orthografischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat und der orthografischen Projektion der ersten Gitterleitung 51 auf das Basissubstrat befinden. Der vierte aktive Abschnitt 44 kann über eine zwischen dem ersten leitfähigen Abschnitt 31 und der ersten Gitterleitung 51 angeordnet leitfähige Struktur mit dem Antriebstransistor verbunden werden, und der sechste aktive Abschnitt 46 kann über die zwischen der ersten Gateleitung 51 und dem ersten leitfähigen Abschnitt 31 angeordnete leitfähige Struktur elektrisch mit dem ersten leitfähigen Abschnitt 31 verbunden werden, so dass die Pixelantreibsschaltung der Anzeigetafel einen hohen Integrationsgrad aufweist. Außerdem ist sowohl beim ersten Transistor T1 als auch beim zweiten Transistor T2 eine Doppelgatestruktur eingenommen, so dass die erste Gateleitung 51 und die zweite Gateleitung 81 gleichzeitig Gatespannungen an den ersten Transistor T1 und den zweiten Transistor T2 bereitstellen können, was die Ansprechgeschwindigkeit des ersten Transistors T1 und des zweiten Transistors T2 erhöht. Dabei kann das Gate des ersten Transistors T1 bzw. des zweiten Transistors T2, das sich in der vierten leitfähigen Schicht befindet, einen Abschirmeffekt auf seinen Kanalbereich aufweisen, wodurch ein Einfluss von Beleuchtung auf die Kanalbereicheigenschaften des ersten Transistor T1 und des zweiten Transistors T2 verhindert wird und somit die elektrische Stabilität des ersten Transistors T1 und des zweiten Transistors T2 verbessert wird. Es versteht sich, dass in anderen beispielhaften Ausführungsbeispielen die Anzeigetafel mit keinen zweiten Gateleitungen 81 versehen ist.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 6, 7 und 11 gezeigt, kann die erste aktive Schicht ferner einen siebten aktiven Abschnitt 27 und einen achten aktiven Abschnitt 28 umfassen. Der siebte aktive Abschnitt 27 kann auch ausgebildet sein, einen Kanalbereich des fünften Transistors T5 zu bilden, wobei in der ersten Richtung Y 1 sich eine orthografische Projektion des siebten aktiven Abschnitts 27 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des vierten aktiven Abschnitts 44 auf das Basissubstrat befinden kann. Der achte aktive Abschnitt 28 kann ausgebildet sein, einen Kanalbereich des sechsten Transistors T6 zu bilden, wobei in der ersten Richtung Y1 sich eine orthografische Projektion des achten aktiven Abschnitts 28 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des vierten aktiven Abschnitts 44 auf das Basissubstrat befinden kann. Die erste leitfähige Schicht kann ferner eine dritte Gateleitung 33 umfassen, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung X 1 erstrecken kann. Die dritte Gitterleitung 33 kann ausgebildet werden, den Freigabesignalanschluss in 2 bereitzustellen. Die dritte Gateleitung 33 kann einen ersten Gateabschnitt 331 und einen zweiten Gateabschnitt 332 umfassen, wobei eine orthografische Projektion des ersten Gateabschnitts 331 auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des siebten aktiven Abschnitts 27 auf das Basissubstrat bedecken kann und eine orthografische Projektion des zweiten Gateabschnitts 332 auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des achten aktiven Abschnitts 28 auf das Basissubstrat bedecken kann. Der erste Gateabschnitt 331 kann ausgebildet werden, das Gate des fünften Transistors T5 zu bilden, und der zweite Gateabschnitt 332 kann ausgebildet werden, das Gate des sechsten Transistors zu bilden.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 6, 7 und 11 gezeigt, kann die erste aktive Schicht ferner einen neunten aktiven Abschnitt 29 und einen zehnten aktiven Abschnitt 210 umfassen, wobei der neunte aktive Abschnitt 29 ausgebildet ist, einen Kanalbereich des dritten Transistors T3 zu bilden, und sich eine orthographische Projektion des neunten aktiven Abschnitts 29 auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat in einer vierten Richtung Y2 befindet, die der ersten Richtung Y1 entgegengesetzt ist; wobei das zehnte aktive Abschnitt 210 ausgebildet ist, einen Kanalbereich des vierten Transistors T4 zu bilden, und sich eine orthographische Projektion des zehnten aktiven Abschnitts 210 auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat in der vierten Richtung Y2 befindet. Die erste leitfähige Schicht kann ferner eine vierte Gateleitung 34 umfassen, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung X1 erstrecken kann. Die vierte Gateleitung 34 kann einen dritten Gateabschnitt 343 und einen vierten Gateabschnitt 344 umfassen, wobei eine orthografische Projektion des dritten Gateabschnitts 343 auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des neunten aktiven Abschnitts 29 auf das Basissubstrat bedecken kann und eine orthografische Projektion des vierten Gateabschnitts 344 auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des zehnten aktiven Abschnitts 210 auf das Basissubstrat bedecken kann. Der dritte Gateabschnitt 343 kann ausgebildet werden, das Gate des dritten Transistors T3 zu bilden, und der vierte Gateabschnitt 344 kann ausgebildet werden, das Gate des vierten Transistors T4 zu bilden.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 12 und 13 gezeigt, umfasst die dritte leitfähige Schicht ferner einen dritten Verbindungsabschnitt 63, einen vierten Verbindungsabschnitt 64 und einen fünften Verbindungsabschnitt 65. Dabei ist der dritte Verbindungsabschnitt 63 mit dem vierten aktiven Abschnitt 44 durch ein Durchgangsloch 73 verbunden und ist mit dem aktiven Abschnitt 219 auf der Seite des achten aktiven Abschnitts durch ein Durchgangsloch 74 verbunden, um den zweiten Pol des ersten Transistors T1 mit dem zweiten Pol des sechsten Transistors T6 zu verbinden. Dabei kann der dritte Verbindungsabschnitt 63 auch mit dem vierten aktiven Abschnitt 44 durch mehrere Durchgangslöcher verbunden sein. Beispielsweise kann der dritte Verbindungsabschnitt 63 mit dem vierten aktiven Abschnitt 44 durch zwei Durchgangslöcher verbunden sein. Der vierte Verbindungsabschnitt 64 kann mit einer Seite des siebten aktiven Abschnitts 27 durch ein Durchgangsloch 75 verbunden sein, und der vierte Verbindungsabschnitt 64 ist auch mit dem sechsten leitfähigen Abschnitt 86 durch ein Durchgangsloch 77 verbunden, um den ersten Pol des fünften Transistors T5 mit einer Elektrode des Kondensators C zu verbinden. Der fünfte Verbindungsabschnitt 65 ist mit einer Seite des neunten aktiven Abschnitts durch ein Durchgangsloch 76 verbunden, um den ersten Pol des dritten Transistors T3 zu verbinden. Es versteht sich, dass der erste Verbindungsabschnitt 61, der dritte Verbindungsabschnitt 63, der vierte Verbindungsabschnitt 64 und der fünfte Verbindungsabschnitt 65 als Übertragungsschichten auch auf anderen leitfähigen Schichten angeordnet sein können. Beispielsweise kann der erste Verbindungsabschnitt 61 auch in einer Schicht der zweiten leitfähigen Schicht und der fünften leitfähigen Schicht angeordnet sein. Der dritte Verbindungsabschnitt 63 kann auch in einer Schicht der ersten leitfähigen Schicht, der zweiten leitfähigen Schicht, der vierten leitfähigen Schicht und der fünften leitfähigen Schicht angeordnet sein. Der vierte Verbindungsabschnitt 64 kann auch in der zweiten leitfähigen Schicht angeordnet sein. Der fünfte Verbindungsabschnitt 65 kann auch in einer Schicht der zweiten leitfähigen Schicht und der vierten leitfähigen Schicht angeordnet sein.
  • Wie in 14 und 15 gezeigt, kann die Anzeigetafel ferner eine fünfte leitfähige Schicht umfassen, die auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der dritten leitfähigen Schicht angeordnet sein kann. Die fünfte leitfähige Schicht kann eine erste Stromleitung 91, einen ersten Abschirmabschnitt 92, eine erste Datenleitung 93 und einen zweiten Abschirmabschnitt 94 umfassen. Eine orthographische Projektion der ersten Stromleitung 91 auf das Basissubstrat kann sich entlang der ersten Richtung Y1 erstrecken und enthält eine erste Kante 911; wobei der erste Abschirmabschnitt 92 mit der Stromleitung 91 verbunden ist und eine mit der ersten Kante 911 der ersten Stromleitung 91 verbundene zweite Kante 922 umfasst, wobei ein Winkel zwischen einer orthographischen Projektion der ersten Kante 911 auf das Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der zweiten Kante 922 auf das Basissubstrat kleiner als 180° ist. Das heißt, eine orthographische Projektion des ersten Abschirmabschnitts 92 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthografischen Projektion der ersten Stromleitung 91 auf das Basissubstrat. Wie in 14 und 15 gezeigt, kann sich die orthografische Projektion des ersten Abschirmabschnitts 92 auf das Basissubstrat auf der Seite der orthografischen Projektion der ersten Stromleitung 91 auf das Basissubstrat in der dritten Richtung X2 befinden. In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel kann die orthographische Projektion des ersten Abschirmabschnitts 92 auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat bedecken. Mit dem ersten Abschirmabschnitt 92 kann ein Einfluss von Beleuchtung auf die Kanalbereicheigenschaften des ersten Transistor T 1 verhindert werden, um die elektrische Stabilität des ersten Transistors T1 zu verbessern. Eine orthografische Projektion der ersten Datenleitung 93 auf das Basissubstrat kann sich entlang der ersten Richtung Y1 erstrecken und umfasst eine dritte Kante 933; wobei das zweite Abschirmabschnitt 94 mit der Datenleitung 93 verbunden sein kann und eine mit der dritten Kante 933 der ersten Datenleitung verbundene vierte Kante 944 umfassen kann, wobei ein Winkel zwischen einer orthographischen Projektion der dritten Kante 933 auf das Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der vierten Kante 944 auf das Basissubstrat kleiner als 180° ist. Das heißt, eine orthographische Projektion des zweiten Abschirmabschnitts 94 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthografischen Projektion der Datenleitung 93 auf das Basissubstrat. Wie in 14 und 15 gezeigt, kann sich die orthografische Projektion des zweiten Abschirmabschnitts 94 auf das Basissubstrat auf der Seite der orthografischen Projektion der Datenleitung 93 auf das Basissubstrat in der zweiten Richtung X1 befinden. Die orthographische Projektion des zweiten Abschirmabschnitts 944 auf das Basissubstrat bedeckt die orthografische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat. Mit dem zweiten Abschirmabschnitt 92 kann ein Einfluss von Beleuchtung auf die Kanalbereicheigenschaften des zweiten Transistor T2 verhindert werden, um die elektrische Stabilität des zweiten Transistors T2 zu verbessern. Dabei kann die erste Stromleitung 91 den ersten Stromanschluss in 2 bereitstellen und kann die Datenleitung 93 den Datensignalanschluss in 2 bereitstellen. Die erste Stromleitung 91 kann mit dem vierten Verbindungsabschnitt 64 durch ein Durchgangsloch 79 verbunden werden, um den ersten Pol des fünften Transistors T5 zu verbinden. Die Datenleitung 93 kann mit dem fünften Verbindungsabschnitt 65 durch ein Durchgangsloch 710 verbunden werden, um den ersten Pol des dritten Transistors zu verbinden. Wie in 14 und 15 gezeigt, kann die fünfte leitfähige Schicht ferner einen Verbindungsabschnitt 99 umfassen, der mit dem dritten Verbindungsabschnitt 63 durch ein Durchgangsloch 716 verbunden sein kann und auch mit einer Anode der lichtemittierenden Einheit durch ein Durchgangsloch verbunden sein kann, um den zweiten Pol des sechsten Transistors T6 mit der Anode der lichtemittierenden Einheit zu verbinden.
  • Es versteht sich, dass in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel die fünfte leitfähige Schicht ferner eine mit der ersten Stromleitung 91 verbundene Abschirmschicht umfassen kann, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat bedecken kann. Die Abschirmschicht kann Einflüsse anderer Signale auf die Gate-Spannung des Antriebstransistors abschirmen.
  • 16 ist die eine teilweise Schnittsansicht entlang einer gestrichelten Linie AA in 15. Die Anzeigetafel umfasst auch eine Sperrschicht 101, eine erste Gate-Isolierschicht 102, eine zweite Gate-Isolierschicht 103, eine dritte Gate-Isolierschicht 104, eine Pufferschicht 105, eine vierte Gate-Isolierschicht 106, eine erste dielektrische Schicht 107, eine zweite dielektrische Schicht 108, eine Passivierungsschicht 109 und eine erste Planarisierungsschicht 110. Dabei sind das Basissubstrat 1, die Sperrschicht 101, die erste aktive Schicht, die erste Gate-Isolierschicht 102, die erste leitfähige Schicht, die zweite Gate-Isolierschicht 103, die vierte leitfähige Schicht, die dritte Gate-Isolierschicht 104, die Pufferschicht 105, die zweite aktive Schicht, die vierte Gate-Isolierschicht 106, die zweite leitfähige Schicht, die erste dielektrische Schicht 107, die zweite dielektrische Schicht 108, die dritte leitfähige Schicht, die Passivierungsschicht 109, die erste Planarisierungsschicht 110 und die fünfte leitfähige Schicht nacheinander gestapelt. Dabei kann der dritte Verbindungsabschnitt 63 durch ein Durchgangsloch 73 mit dem vierten aktiven Abschnitt 44 verbunden sein und durch ein Durchgangsloch 74 mit dem aktiven Abschnitt 219 verbunden sein. Der Verbindungsabschnitt 99 in der fünften leitfähigen Schicht kann mit dem dritten Verbindungsabschnitt 63 durch ein Durchgangsloch 716 verbunden werden und auch mit einer Anodenschicht auf der dem Basissubstrat abgewandten Seite der fünften leitfähigen Schicht durch ein Durchgangsloch verbunden werden, um die Anode der lichtemittierenden Einheit zu verbinden. Zwischen der fünften leitfähigen Schicht und der Anodenschicht kann auch eine zweite Planarisierungsschicht angeordnet sein.
  • Dabei kann die dielektrische Schicht und die Passivierungsschicht aus anorganischem Material herstellt werden, zum Beispiel mindestens eines von Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Siliziumoxinitrid oder einer Kombination davon; oder aus organischem Material, zum Beispiel transparentes Polyimid (CPI), Polyimid (PI), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), usw.
  • Eine leitfähige Schicht kann auch aus mindestens einem von Kupfer, Molybdän, Titan, Aluminium, Nickel, Silber, Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder einer Kombination davon oder aus Legierungsmaterial der obigen Materialien hergestellt werden, oder ein Laminat sein, z B. ein Tri-Laminat mit Titan/Aluminium/Titan.
  • Die Barriereschicht und die Pufferschicht können aus anorganischen Materialien hergestellt werden, wie beispielsweise mindestens einem von Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Siliziumoxynitrid oder einer Kombination davon.
  • Dabei kann die Planarisierungsschicht aus organischem Material herstellt werden, wie beispeilsweise transparentes Polyimid (CPI), Polyimid (PI), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), usw.
  • Dabei kann eine Gate-Isolierschicht aus anorganischem Material herstellt werden, zum Beispiel mindestens einem von Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Siliziumoxinitrid oder einer Kombination davon.
  • Es versteht sich, dass 16 nur relative Positionen der verschiedenen Ebenen der Anzeigetafel zeigt und nicht eine spezifische Struktur der Anzeigetafel darstellt. In einer tatsächlichen Struktur der Anzeigetafel bedeckt eine anorganische Schicht (einschließlich anderer Isolierschichten außer der Planarisierungsschicht), die auf einer vorstehenden Struktur ausgebildet ist, konform die vorstehende Struktur. Beispielsweise bedeckt die erste Gate-Isolierschicht 102 konform den ersten aktiven Abschnitt 21 und bedeckt die dritte Gate-Isolierschicht 104 konform den vierten leitfähigen Abschnitt 814.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel können unter Bezugnahme auf 16 die Durchgangslöcher 71, 72 und 73 durch die vierte Gate-Isolierschicht 106, die erste dielektrische Schicht 107 und die zweite dielektrische Schicht 108 durchdringen, können die Durchgangslöcher 74, 75, und 76 durch die erste Gate-Isolierschicht 102, die zweite Gate-Isolierschicht 103, die dritte Gate-Isolierschicht 104, die Pufferschicht 105, die vierte Gate-Isolierschicht 106, die erste dielektrische Schicht 107 und die zweite dielektrische Schicht 108 durchdringen, kann das Durchgangsloch 77 die dritte Gate-Isolierschicht 104, die Pufferschicht 105, die vierte Gate-Isolierschicht 106, die erste dielektrische Schicht 107 und die zweite dielektrische Schicht 108 durchdringen, und können die Durchgangslöcher 79, 710, 716 die Passivierungsschicht 109 und die erste Planarisierungsschicht 110 durchdringen. Es sei darauf hingewiesen, dass die Passivierungsschicht 109 in diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung je nach tatsächlichen Entwurfsanforderungen weggelassen werden kann, das heißt, oberhalb der dritten leitfähigen Schicht (einschließlich des Musters der ersten Verbindungsabschnitt 61 usw.) kann keine Passivierungsschicht 109 angeordnet werden, sondern direkt die erste Planarisierungsschicht 110 angeordnet werden.
  • Dieses beispielhafte Ausführungsbeispiel stellt auch eine weitere Anzeigetafel bereit, die eine Pixelantriebsschaltung, wie in 4 gezeigt, umfassen kann. Wie in 17 - 26 gezeigt, ist 17 ist ein strukturelles Layout einer ersten aktiven Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, 18 ein strukturelles Layout einer ersten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, 19 ein strukturelles Layout einer vierten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, 20 ein strukturelles Layout einer zweiten aktiven Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, 21 ein strukturelles Layout einer zweiten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, 22 ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht und einer zweiten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, 23 ein strukturelles Layout einer dritten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, 24 ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht, einer zweiten leitfähigen Schicht und einer dritten leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, 25 ein strukturelles Layout einer fünften leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, und 26 ein Layout einer Stapelstruktur einer ersten aktiven Schicht, einer ersten leitfähigen Schicht, einer vierten leitfähigen Schicht, einer zweiten aktiven Schicht, einer zweiten leitfähigen Schicht, einer dritten leitfähigen Schicht und einer fünften leitfähigen Schicht der Anzeigetafel in einem weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung.
  • Wie in den 17 - 24 gezeigt, kann die Anzeigetafel ein Basissubstrat 1, eine erste aktive Schicht, eine erste leitfähige Schicht, eine zweite aktive Schicht, eine zweite leitfähige Schicht und eine dritte leitfähige Schicht umfassen. Die erste aktive Schicht befindet sich auf einer Seite des Basissubstrats 1, wobei die erste aktive Schicht einen ersten aktiven Abschnitt 21 umfasst, der ausgebildet ist, einen Kanalbereich des Antriebstransistors DT zu bilden; wobei sich die erste leitfähige Schicht auf einer dem Basissubstrat 1 abgewandten Seite der ersten aktiven Schicht befinden kann, wobei die erste leitfähige Schicht einen ersten leitfähigen Abschnitt 31 umfassen kann, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat eine orthografische Projektion des ersten aktiven Abschnitts 21 auf das Basissubstrat bedeckt, wobei der erste leitfähige Abschnitt 31 ausgebildet ist, das Gate des Antriebstransistors DT zu bilden. Die zweite aktive Schicht kann sich auf einer dem Basissubstrat 1 abgewandten Seite der ersten leitfähigen Schicht befinden, wobei die zweite aktive Schicht einen zweiten aktiven Abschnitt 42, einen dritten aktiven Abschnitt 43, einen vierten aktiven Abschnitt 44, den fünften aktiven Abschnitt 45 und den sechsten aktiven Abschnitt 46 umfassen kann. Eine orthografische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite einer orthografischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat in einer ersten Richtung Y1, in der sich eine orthografische Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat befindet, und die orthographische Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat in einer zweiten Richtung X1, wobei die erste Richtung Y1 die zweite Richtung X1 schneidet. Zum Beispiel ist die erste Richtung Y1 senkrecht zu der zweiten Richtung X 1. Der vierte aktive Abschnitt 44 ist zwischen dem zweiten aktiven Abschnitt 42 und dem dritten aktiven Abschnitt 43 verbunden. Eine orthographische Projektion des vierten aktiven Abschnitts 44 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat in einer dritten Richtung X2 befindet, wobei die zweite Richtung X 1 der dritten Richtung X2 entgegengesetzt ist. In der ersten Richtung Y1 befindet sich die orthografische Projektion des vierten aktiven Abschnitts 44 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat. Der fünfte aktive Abschnitt 45 kann mit dem zweiten aktiven Abschnitt 42 verbunden sein. Eine orthographische Projektion des fünften aktiven Abschnitts 45 auf das Basissubstrat kann sich auf einer Seite der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat in der ersten Richtung Y1 befinden. Das sechste aktive Abschnitt 46 kann mit dem dritten aktiven Abschnitt 43 verbunden sein. Eine orthographische Projektion des sechsten aktiven Abschnitts 46 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat in der zweiten Richtung X 1. Die zweite leitfähige Schicht kann auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten aktiven Schicht angeordnet sein, wobei die zweite leitfähige Schicht eine erste Gateleitung 51 und einen ersten Vorsprung 52 umfassen kann. Die erste Gateleitung 51 kann ausgebildet werden, den Rücksetzsignalanschluss in 4 bereitzustellen. Eine orthographische Projektion der ersten Gateleitung 51 auf das Basissubstrat erstreckt sich entlang der zweiten Richtung X1, wobei die erste Gateleitung 51 einen zweiten leitfähigen Abschnitt 512 umfassen kann, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrat zusammenfallen kann und der ausgebildet ist, das erste Gate des zweiten Transistors T2 zu bilden; wobei der erste Vorsprung 52 mit der ersten Gateleitung 51 verbunden sein kann und in der ersten Richtung sich eine orthographische Projektion des ersten Vorsprungs 52 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion der ersten Gateleitung 51 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat befinden kann, wobei der erste Vorsprung 52 einen dritten leitfähigen Abschnitt 523 umfassen kann, dessen orthographische Projektion auf das Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrat zusammenfallen kann und der ausgebildet ist, das erste Gate des ersten Transistors T1 zu bilden. Dabei kann die erste aktive Schicht aus Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet sein und kann die zweite aktive Schicht aus Indium-Gallium-Zinkoxid-Material gebildet sein.
  • Wie in 19 und 22 gezeigt, kann die Anzeigetafel ferner eine vierte leitfähige Schicht enthalten, die zwischen der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten aktiven Schicht angeordnet ist. Die vierte leitfähige Schicht kann eine zweite Gateleitung 81 und einen zweiten Vorsprung 82 umfassen, wobei die zweite Gateleitung 81 den Rücksetzsignalanschluss in 2 bereitstellen kann und in einem Verdrahtungsbereich um die Anzeigetafel herum mit der ersten Gateleitung 51 durch ein Durchgangsloch verbunden sein kann. Eine orthographische Projektion der zweiten Gateleitung 81 auf das Basissubstrat kann sich entlang der zweiten Richtung X1 erstrecken und die zweite Gateleitung 81 kann einen vierten leitfähigen Abschnitt 814 umfassen, wobei sich die orthographische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts 42 auf das Basissubstrats auf einer orthographischen Projektion des vierten leitfähigen Abschnitts 814 auf das Basissubstrat befinden kann, der ausgebildet ist, ein zweites Gate des zweiten Transistors T2 zu bilden; wobei der zweite Vorsprung 82 mit der zweiten Gateleitung 81 verbunden sein kann, und in der ersten Richtung Y1 sich die orthografische Projektion des zweiten Vorsprungs 82 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion der zweiten Gateleitung 81 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat befinden kann. Der zweite Vorsprung 82 kann einen fünften leitfähigen Abschnitt 825 umfassen, wobei sich die orthographische Projektion des dritten aktiven Abschnitts 43 auf das Basissubstrats auf einer orthographischen Projektion des fünften leitfähigen Abschnitts 825 auf das Basissubstrat befinden kann, der ausgebildet ist, ein zweites Gate des ersten Transistors T1 zu bilden.
  • Wie in 19 und 22 gezeigt, kann die vierte leitfähige Schicht ferner einen sechsten leitfähigen Abschnitt 86 umfassen, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat bedecken kann. Der sechste leitfähige Abschnitt 86 kann ausgebildet werden, eine Elektrode des Kondensators C zu bilden. Auf dem sechsten leitfähigen Abschnitt 86 kann eine Öffnung 861 angeordnet sein.
  • Wie in 23 und 24 gezeigt, kann die dritte leitfähige Schicht auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten leitfähigen Schicht angeordnet sein. Die dritte leitfähige Schicht kann einen ersten Verbindungsabschnitt 61 und eine Anfangssignalleitung 62 umfasst, die ausgebildet sein kann, den Anfangssignalanschluss in 4 bereitzustellen. Der erste Verbindungsabschnitt 61 kann mit dem sechsten aktiven Abschnitt 46 durch ein Durchgangsloch 71 verbindet sein. Außderdem kann der erste Verbindungsabschnitt 61 mit dem ersten leitfähigen Abschnitt 31 durch ein Durchgangsloch 78 verbindet sein, so dass das Gate des Antriebstransistors DT mit dem ersten Pol des ersten Transistor T1 verbindet sein kann. Dabei befindet sich eine orthografische Projektion des Durchgangslochs 78 auf das Basissubstrat innerhalb der orthografischen Projektion der auf dem sechsten leitfähigen Abschnitt 86 angeordneten Öffnung 861 auf das Basissubstrat, das heißt, es gibt einen gewissen Abstand zwischen einer Kante der orthographischen Projektion des Durchgangslochs 78 auf das Basissubstrat und einer Kante der orthografischen Projektion der Öffnung 861 auf das Basissubstrat, so dass das in das Durchgangsloch 78 gefüllte leitfähige Material von dem sechsten leitfähigen Abschnitt 86 isoliert werden kann.
  • Eine orthographische Projektion der Anfangssignalleitung 62 auf das Basissubstrat kann sich entlang der zweiten Richtung X 1 erstrecken und auf einer Seite der orthographischen Projektion der ersten Gateleitung 51 auf das Basissubstrat in der ersten Richtung Y1 befinden, wobei die Anfangssignalleitung 62 den Anfangssignalanschluss in 4 bereitstellen kann. Die Anfangssignalleitung 62 kann mit dem fünften aktiven Abschnitt 45 durch ein Durchgangsloch 72 verbunden sein, so dass der erste Pol des zweiten Transistors T2 mit dem Anfangssignalanschluss verbindet sein kann.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel befinden sich in der ersten Richtung Y1 die orthografischen Projektionen des vierten aktiven Abschnitts 44 und des sechsten aktiven Abschnitts 46 auf das Basissubstrat zwischen der orthografischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat und der orthografischen Projektion der ersten Gitterleitung 51 auf das Basissubstrat. Der vierte aktive Abschnitt 44 kann über eine zwischen dem ersten leitfähigen Abschnitt 31 und der ersten Gitterleitung 51 angeordnet leitfähige Struktur mit dem Antriebstransistor verbunden werden, und der sechste aktive Abschnitt 46 kann über die zwischen der ersten Gateleitung 51 und dem ersten leitfähigen Abschnitt 31 angeordnete leitfähige Struktur elektrisch mit dem ersten leitfähigen Abschnitt 31 verbunden werden, so dass die Pixelantreibsschaltung der Anzeigetafel einen hohen Integrationsgrad aufweist. Außerdem ist sowohl beim ersten Transistor T1 als auch beim zweiten Transistor T2 eine Doppelgatestruktur eingenommen, so dass die erste Gateleitung 51 und die zweite Gateleitung 81 gleichzeitig Gatespannungen an den ersten Transistor T1 und den zweiten Transistor T2 bereitstellen können, was die Ansprechgeschwindigkeit des ersten Transistors T1 und des zweiten Transistors T2 erhöht. Dabei kann das Gate des ersten Transistors T1 bzw. des zweiten Transistors T2, das sich in der vierten leitfähigen Schicht befindet, einen Abschirmeffekt auf seinen Kanalbereich aufweisen, wodurch ein Einfluss von Beleuchtung auf die Kanalbereicheigenschaften des ersten Transistor T1 und des zweiten Transistors T2 verhindert wird und somit die elektrische Stabilität des ersten Transistors T1 und des zweiten Transistors T2 verbessert wird. Es versteht sich, dass in anderen beispielhaften Ausführungsbeispielen die Anzeigetafel mit keinen zweiten Gateleitungen 81 versehen ist.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 17, 18 und 22 gezeigt, kann die erste aktive Schicht ferner einen siebten aktiven Abschnitt 27 und einen achten aktiven Abschnitt 28 umfassen. Der siebte aktive Abschnitt 27 kann ausgebildet sein, einen Kanalbereich des fünften Transistors T5 zu bilden, wobei in der ersten Richtung Y1 sich eine orthografische Projektion des siebten aktiven Abschnitts 27 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des vierten aktiven Abschnitts 44 auf das Basissubstrat befinden kann. Der achte aktive Abschnitt 28 kann ausgebildet sein, einen Kanalbereich des sechsten Transistors T6 zu bilden, wobei in der ersten Richtung Y1 sich eine orthografische Projektion des achten aktiven Abschnitts 28 auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des vierten aktiven Abschnitts 44 auf das Basissubstrat befindet. Die erste leitfähige Schicht kann ferner eine dritte Gateleitung 33 umfassen, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung X1 erstrecken kann. Die dritte Gitterleitung 33 kann ausgebildet werden, den Freigabesignalanschluss in 4 bereitzustellen. Die dritte Gateleitung 33 kann einen ersten Gateabschnitt 331 und einen zweiten Gateabschnitt 332 umfassen, wobei eine orthografische Projektion des ersten Gateabschnitts 331 auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des siebten aktiven Abschnitts 27 auf das Basissubstrat bedecken kann und eine orthografische Projektion des zweiten Gateabschnitts 332 auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des achten aktiven Abschnitts 28 auf das Basissubstrat bedecken kann. Der erste Gateabschnitt 331 kann ausgebildet werden, das Gate des fünften Transistors T5 zu bilden, und der zweite Gateabschnitt 332 kann ausgebildet werden, das Gate des sechsten Transistors zu bilden.
  • Die erste aktive Schicht umfasst ferner einen elften aktiven Abschnitt 211, der ausgebildet ist, den Kanalbereich des dritten Transistors T3 zu bilden, wobei sich eine orthographische Projektion des elften aktiven Abschnitts 211 auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts 31 auf das Basissubstrat in einer vierten Richtung Y2 befindet, die der ersten Richtung Y 1 entgegengesetzt ist. Die erste leitfähige Schicht kann auch eine fünfte Gateleitung 35 umfassen, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung X1 erstreckt. Die fünfte Gateleitung 35 kann einen Gateabschnitt 351 umfassen, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat den elften aktiven Abschnitt 211 bedeckt und der ausgebildet werden kann, das Gate des dritten Transistors T3 zu bilden.
  • Wie in 19, 20, 21 und 22 gezeigt, kann die vierte leitfähige Schicht ferner eine sechste Gateleitung 87 umfassen, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung X1 erstrecken kann und sich auf einer Seite der orthographischen Projektion der fünften Gateleitung 35 auf das Basissubstrat in der vierten Richtung Y2 befinden kann. Die zweite aktive Schicht kann ferner einen zwölften aktiven Abschnitt 412, einen dreizehnten aktiven Abschnitt 413 und einen vierzehnten aktiven Abschnitt 414 umfassen, wobei der zwölfte aktive Abschnitt 412 ausgebildet ist, einen ersten Kanalbereich des vierten Transistors T4 zu bilden, und sich eine orthographische Projektion des zwölften aktiven Abschnitts 412 auf das Basissubstrat auf der orthographischen Projektion der sechsten Gateleitung 87 auf das Basissubstrat befinden kann; wobei der dreizehnte aktive Abschnitt 413 ausgebildet ist, einen zweiten Kanalbereich des vierten Transistors T4 zu bilden, und sich eine orthographische Projektion des dreizehnten aktiven Abschnitts 413 auf das Basissubstrat auf der orthographischen Projektion der sechsten Gateleitung 87 auf das Basissubstrat befinden kann. Der vierzehnte aktive Abschnitt 414 kann zwischen dem zwölften aktiven Abschnitt 412 und den dreizehnten aktiven Abschnitten 413 verbunden sein, und eine orthographische Projektion des viertzehnten aktiven Abschnitts 414 auf das Basissubstrat kann sich auf einer Seite der orthographischen Projektion der sechsten Gateleitung 87 auf das Basissubstrat in der vierten Richtung Z2 befinden. Die zweite leitfähige Schicht kann ferner eine siebte Gateleitung 57 umfassen, deren orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung X1 erstreckt und die orthografischen Projektionen des zwölften aktiven Abschnitts 412 und des dreizehnten aktiven Abschnitts 414 auf das Basissubstrat bedeckt. Der vierte Transistor T4 weist zwei Kanalbereiche auf, so dass ein Leckstrom vom dritten Knoten durch den vierten Transistor weiter reduziert werden kann. Die siebte Gateleitung 57 und die sechste Gateleitung 87 können durch Durchgangslöcher in dem Verdrahtungsbereich um die Anzeigetafel herum verbunden werden, und die siebte Gateleitung 57 und die sechste Gateleitung 87 können gleichzeitig Gate-Ansteuersignale an den vierten Transistor bereitstellen, so dass die Ansprechgeschwindigkeit des vierten Transistors T4 erhöht wird. Die siebte Gateleitung 57 und die sechste Gateleitung 87 können ausgebildet werden, den zweiten Gateantriebssignalanschluss in 4 bereitzustellen.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 23 und 24 gezeigt, ist der erste Verbindungsabschnitt 61 auch mit der dem vierzehnten aktiven Abschnitt 414 abgewandten Seite des dreizehnten aktiven Abschnitts 413 durch ein Durchgangsloch 75 verbunden, um den zweiten Pol des Transistors T4 mit dem Gate des Antriebstransistors DT zu verbinden. Die dritte leitfähige Schicht umfasst ferner einen Verbindungsabschnitt 63, einen Verbindungsabschnitt 64, einen Verbindungsabschnitt 65, einen Verbindungsabschnitt 66 und einen Verbindungsabschnitt 67 . Der Verbindungsabschnitt 63 kann mit der dem vierzehnten aktiven Abschnitt 414 abgewandten Seite des zwölften aktiven Abschnitts 412 durch das Durchgangsloch 73 verbunden werden und kann mit einer Seite des siebten aktiven Abschnitts 27 durch das Durchgangsloch 74 verbunden werden, um den ersten Pol des vierten Transistors T4 mit dem zweiten Pol des fünften Transistors T5 zu verbinden. Der Verbindungsabschnitt 64 kann mit dem sechsten leitfähigen Abschnitt 86 durch das Durchgangsloch 76 verbunden sein. Der Verbindungsabschnitt 65 kann mit einer dem Verbindungsabschnitt 62 abgewandten Seite des siebten aktiven Abschnitts 27 durch das Durchgangsloch 77 verbunden sein, um den ersten Pol des fünften Transistors zu verbinden. Der Verbindungsabschnitt 66 kann mit dem aktiven Abschnitt 219 auf der Seite des achten aktiven Abschnitts 28 durch das Durchgangsloch 715 verbinden sind und gleichzeitig mit dem vierten aktiven Abschnitt durch das Durchgangsloch 79 verbinden sind, um den zweiten Pol des sechsten Transistors mit dem ersten Pol des ersten Transistors zu verbinden. Der Verbindungsabschnitt 67 kann mit einer Seite des elften aktiven Abschnitts 211 durch das Durchgangsloch 714 verbunden sein, um den ersten Pol des dritten Transistors T3 zu verbinden.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel ist der vierzehnte aktive Abschnitt 414 ein Leiter, wobei parasitäre Kapazitäten zwischen dem vierzehnten aktiven Abschnitt 414 und der siebten Gateleitung 57 und zwischen dem vierzehnten aktiven Abschnitt 414 und der sechsten Gateleitung 87 gebildet werden. Wenn sich die Spannungen auf die siebte Gateleitung 57 und die sechste Gateleitung 87 ändern, ändert sich basierend auf dem Kapazitäts-Bootstrap-Effekt auch die Spannung des vierzehnten aktiven Abschnitts 414 entsprechend, wodurch ein Leckstrom vom vierzehnten aktiven Abschnitt 414 zur Source und Drain des vierten Transistors T4 erzeugt wird, was schließlich zu einem anormalen Antreiben der Pixelantriebsschaltung führt. Wie in 25 und 26 gezeigt, kann die Anzeigetafel ferner eine fünfte leitfähige Schicht umfassen, die auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der dritten leitfähigen Schicht angeordnet sein kann. Die fünfte leitfähige Schicht umfasst ferner eine zweite Stromleitung 95, die ausgebildet ist, den ersten Stromanschluss in 4 bereitzustellen. Eine orthografische Projektion der zweiten Stromleitung 95 auf das Basissubstrat kann sich entlang der ersten Richtung Y1 erstrecken und die orthografische Projektion des vierzehnten aktiven Abschnitts 414 auf das Basissubstrat bedecken. Die zweite Stromleitung 95 hat eine stabile Spannung und kann eine Potentialänderung des vierzehnten aktiven Abschnitts 414 unterdrücken, wodurch der Leckstrom von dem vierzehnten aktiven Abschnitt 414 zu Source und Drain des vierten Transistors T4 reduziert wird.
  • In diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel, wie in 25 und 26 gezeigt, kann die zweite Stromleitung 95 eine fünfte Kante 955 umfassen und kann die fünfte leitfähige Schicht ferner einen dritten Abschirmabschnitt 98 umfassen, der mit der zweiten Stromleitung 95 verbunden ist und der eine mit der fünften Kante 955 der zweiten Stromleitung 95 verbundene sechste Kante 986 umfasst, wobei ein Winkel zwischen einer orthographischen Projektion der sechsten Kante 986 auf das Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der fünften Kante 955 auf das Basissubstrat kleiner als 180° ist. Das heißt, die orthografische Projektion des dritten Abschirmabschnitts 98 auf das Basissubstrat befindet sich auf einer Seite der orthografischen Projektion der zweiten Stromleitung 95 auf das Basissubstrat. Die orthographische Projektion des dritten Abschirmabschnitt 98 auf das Basissubstrat bedeckt den zweiten aktiven Abschnitt und den dritten aktiven Abschnitt. Mit dem dritten Abschirmabschnitt 98 kann ein Einfluss von Beleuchtung auf die Kanalbereicheigenschaften des ersten Transistors T1 und des zweiten Transistors T2 vermieden werden, um die elektrische Stabilität des ersten Transistors T1 und des zweiten Transistors T2 zu verbessern. Die zweite Stromleitung 95 kann auch durch ein Durchgangsloch 710 mit dem Verbindungsabschnitt 64 verbunden sein. Wie in 26 gezeigt, bedeckt in diesem beispielhaften Ausführungsbeispiel die orthographische Projektion der zweiten Stromleitung 95 auf das Basissubstrat die orthographische Projektion des ersten Verbindungsabschnitts 61 auf das Basissubstrat. Es versteht sich, dass in anderen beispielhaften Ausführungsbeispielen die orthografische Projektion der zweiten Stromleitung 95 auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des ersten Verbindungsabschnitts 61 auf das Basissubstrat nicht oder nur teilweise schneiden kann.
  • Die fünfte leitfähige Schicht kann ferner eine Datenleitung 96 und einen Verbindungsabschnitt 97 umfassen, wobei die Datenleitung 96 mit dem Verbindungsabschnitt 67 durch ein Durchgangsloch 713 verbunden ist, um mit dem ersten Pol des dritten Transistors T3 verbindet zu sein. Der Verbindungsabschnitt 97 ist durch ein Durchgangsloch 712 mit dem Verbindungsabschnitt 66 verbunden, um mit dem zweiten Pol des sechsten Transistors T6 verbindet zu sein. Damit kann der Verbindungsabschnitt 97 durch das Durchgangsloch mit der Anode der lichtemittierenden Einheit verbunden sein.
  • 27 ist die eine teilweise Schnittsansicht entlang einer gestrichelten Linie AA in 26. Die Anzeigetafel umfasst auch eine Sperrschicht 101, eine erste Gate-Isolierschicht 102, eine zweite Gate-Isolierschicht 103, eine dritte Gate-Isolierschicht 104, eine Pufferschicht 105, eine vierte Gate-Isolierschicht 106, eine erste dielektrische Schicht 107, eine zweite dielektrische Schicht 108, eine Passivierungsschicht 109 und eine erste Planarisierungsschicht 110. Dabei sind das Basissubstrat 1, die Sperrschicht 101, die erste aktive Schicht, die erste Gate-Isolierschicht 102, die erste leitfähige Schicht, die zweite Gate-Isolierschicht 103, die vierte leitfähige Schicht, die dritte Gate-Isolierschicht 104, die Pufferschicht 105, die zweite aktive Schicht, die vierte Gate-Isolierschicht 106, die zweite leitfähige Schicht, die erste dielektrische Schicht 107, die zweite dielektrische Schicht 108, die dritte leitfähige Schicht, die Passivierungsschicht 109, die erste Planarisierungsschicht 110 und die fünfte leitfähige Schicht nacheinander gestapelt. Dabei kann der dritte Verbindungsabschnitt 63 durch ein Durchgangsloch 715 mit dem aktiven Abschnitt 219 verbunden sein und gleichzeitig durch ein Durchgangsloch 79 mit dem vierten aktiven Abschnitt 44 verbunden sein, um den zweiten Pol des sechsten Transistors mit dem ersten Pol des zweiten Transistors zu verbinden. Der Verbindungsabschnitt 97 in der fünften leitfähigen Schicht kann mit dem Verbindungsabschnitt 66 durch ein Durchgangsloch 712 verbunden werden und auch mit einer Anodenschicht auf der dem Basissubstrat abgewandten Seite der fünften leitfähigen Schicht durch ein Durchgangsloch verbunden werden, um die Anode der lichtemittierenden Einheit zu verbinden. Zwischen der fünften leitfähigen Schicht und der Anodenschicht kann auch eine zweite Planarisierungsschicht angeordnet sein.
  • Dabei kann die dielektrische Schicht und die Passivierungsschicht aus Siliziumnitrid oder transparentem organischem Harz, usw. herstellt werden. Die Planarisierungsschicht kann auch aus Material wie Polyimid (PI), transparentem Polyimid (CPI), Polyimid-Polyethylenphthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN) herstellt werden. Eine leitfähigen Schicht kann auch aus Metallmaterial wie Kupfer und Molybdän herstellt werden. Für die Barriereschicht können anorganische Materialien verwendet werden.
  • Es versteht sich, dass 27 nur relative Positionen der verschiedenen Ebenen der Anzeigetafel zeigt und nicht eine spezifische Struktur der Anzeigetafel darstellt. In einer tatsächlichen Struktur der Anzeigetafel bedeckt eine anorganische Schicht (einschließlich anderer Isolierschichten außer der Planarisierungsschicht), die auf einer vorstehenden Struktur ausgebildet ist, konform die vorstehende Struktur. Beispielsweise bedeckt die erste Gate-Isolierschicht 102 konform den ersten aktiven Abschnitt 21 und bedeckt die dritte Gate-Isolierschicht 104 konform den vierten leitfähigen Abschnitt 814.
  • Dieses beispielhafte Ausführungsbeispiel stellt ein Antriebsverfahren für eine Pixelantriebsschaltung zum Abtreiben der oben erwähnten Pixelantriebsschaltung bereitgestellt, wobei das Antriebsverfahren umfasst:
    • Einschalten des ersten Transistors und des zweiten Transistors in einer Rücksetzphase, um ein Anfangssignal über den Anfangssignalanschluss in den dritten Knoten und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit einzugeben;
    • Einschalten des ersten Knoten und des dritten Knoten mittels der Kompensationsschaltung und gleichzeitig Schreiben eines Datensignals in den ersten Knoten mittels der Datenschreibschaltung in einer Kompensationsphase;
  • Verbinden des ersten Stromversorgungsanschluss mit einer Elektrode des Antriebstransistors mittels der Lichtemissionssteuerschaltung und Verbinden der ersten Elektrode der lichtemittierden Einheit mit der anderen Elektrode des Antriebstransistors in einer Lichtemissionsphase.
  • Das Antriebsverfahren wurde obigen ausführlich analysiert und wird hier nicht wiederholt.
  • Andere Ausführungsbeispiele der Offenbarung werden Fachleuten aus der Betrachtung der Beschreibung und der Anwendung der Offenbarung hierin leicht ersichtlich sein. Diese Anmeldung soll alle Varianten, Verwendungen oder Anpassungen der vorliegenden Offenbarung bedecken, die den allgemeinen Prinzipien der vorliegenden Offenbarung folgen und Allgemeinwissen oder herkömmliche technische Mittel auf dem technischen Gebiet umfassen, die in der vorliegenden Offenbarung nicht offenbart sind. Die Beschreibung und die Ausführungsbeispiele sind nur als beispielhaft anzusehen, wobei der wahre Umfang und Geist der Offenbarung durch die beigefügten Ansprüche angegeben ist.
  • Es versteht sich, dass die vorliegende Offenbarung nicht auf die genauen Konstruktionen eingeschränkt ist, die oben beschrieben und in den Zeichnungen gezeigt wurden, und verschiedene Modifikationen und Änderungen vorgenommen werden können, ohne von deren Umfang abzuweichen. Der Umfang der vorliegenden Offenbarung ist nur durch die beigefügten Ansprüche begrenzt.

Claims (19)

  1. Pixelantriebsschaltung, umfassend: einen Antriebstransistor, der über seinen ersten Pol mit einem ersten Knoten, über seinen zweiten Pol mit einem zweiten Knoten und über sein Gate mit einem dritten Knoten verbunden ist; eine Datenschreibschaltung, die mit dem ersten Knoten und einem Datensignalanschluss verbunden ist, um in Antwort auf ein Steuersignal ein Signal vom Datensignalanschluss an den ersten Knoten zu übertragen; eine Kompensationsschaltung, die mit dem zweiten Knoten und dem dritten Knoten verbunden ist, um in Antwort auf ein Steuersignal den zweiten Knoten mit dem dritten Knoten zu verbinden; eine Lichtemissionssteuerschaltung, die mit dem ersten Pol und dem zweiten Pol des Antriebstransistors, einem ersten Stromversorgungsanschluss, einer ersten Elektrode einer lichtemittierenden Einheit und einem Freigabesignalanschluss verbunden ist, um in Antwort auf ein Signal vom Freigabesignalanschluss den ersten Stromversorgungsanschluss mit einer Elektrode des Antriebstransistors zu verbinden und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit mit einer anderen Elektrode des Antriebstransistors zu verbinden; eine Speicherschaltung, die zwischen den dritten Knoten verbindet ist; und eine Rücksetzschaltung, die umfasst: einen ersten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem dritten Knoten, über seinen zweiten Pol mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit, und über sein Gate mit einem Rücksetzsignalanschluss verbunden ist; und einen zweiten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Pol des ersten Transistors, über seinen zweiten Pol mit einem Anfangssignalanschluss und über sein Gate mit dem Rücksetzsignalanschluss verbunden ist; wobei der erste Transistor und der zweite Transistor jeweils ein Oxidtransistor vom N-Typ sind, und der Antriebstransistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ ist.
  2. Pixelantriebsschaltung nach Anspruch 1, wobei die Lichtemissionssteuerschaltung ausgebildet ist, in Antwort auf das Signal vom Freigabesignalanschluss den ersten Stromversorgungsanschluss mit dem zweiten Pol des Antriebstransistors zu verbinden und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit mit dem ersten Pol des Antriebstransistors zu verbinden.
  3. Pixelantriebsschaltung nach Anspruch 1, wobei die Datenschreibschaltung umfasst: einen dritten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem Datensignalanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem ersten Knoten und über sein Gate mit einem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist.
  4. Pixelantriebsschaltung nach Anspruch 3, wobei die Kompensationsschaltung umfasst: einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit einem zweiten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist, wobei der dritte Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ ist und der vierte Transistor ein Oxidtransistor vom N-Typ ist.
  5. Pixelantriebsschaltung nach Anspruch 3, wobei die Kompensationsschaltung umfasst: einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit dem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist, wobei sowohl der dritte Transistor als auch der vierte Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sind.
  6. Pixelantriebsschaltung nach Anspruch 3, wobei die Kompensationsschaltung umfasst: einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit dem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist, wobei sowohl der dritte Transistor als auch der vierte Transistor ein Oxidtransistor vom N-Typ sind.
  7. Pixelantriebsschaltung nach Anspruch 2, wobei die Lichtemissionssteuerschaltung umfasst: einen fünften Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem ersten Stromversorgungsanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem zweiten Knoten und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss verbunden ist, und einen sechsten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem ersten Knoten, über seinen zweiten Pol mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss verbunden ist.
  8. Pixelantriebsschaltung nach Anspruch 7, wobei der fünfte Transistor und der sechste Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sind.
  9. Pixelantriebsschaltung nach Anspruch 1, wobei die Speicherschaltung umfasst: einen Kondensator, der zwischen dem ersten Stromversorgungsanschluss und dem dritten Knoten geschaltet ist.
  10. Anzeigetafel, die eine Pixelantriebsschaltung nach Anpruch 1 umfasst, wobei die Anzeigetafel umfasst: ein Basissubstrat, eine erste aktive Schicht, die sich auf einer Seite des Basissubstrats befindet, wobei die erste aktive Schicht einen ersten aktiven Abschnitt umfasst, der ausgebildet ist, einen Kanalbereich des Antriebstransistors zu bilden; eine erste leitfähige Schicht, die sich auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten aktiven Schicht befindet, wobei die erste leitfähige Schicht umfasst: einen ersten leitfähigen Abschnitt, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat eine orthografische Projektion des ersten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt, wobei der erste leitfähige Abschnitt ausgebildet ist, das Gate des Antriebstransistors zu bilden; eine zweite aktive Schicht, die sich auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten leitfähigen Schicht befindet, wobei die zweite aktive Schicht umfasst: einen zweiten aktiven Abschnitt,dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat sich auf einer Seite einer orthografischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat in einer ersten Richtung befindet; einen dritten aktiven Abschnitt, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat in der ersten Richtung sich zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, wobei sich die orthographische Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat in einer zweiten Richtung befindet, wobei die erste Richtung die zweite Richtung schneidet; einen vierten aktiven Abschnitt, der zwischen dem zweiten aktiven Abschnitt und dem dritten aktiven Abschnitt verbunden ist, wobei sich eine orthographische Projektion des vierten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat in einer dritten Richtung befindet, wobei die zweite Richtung der dritten Richtung entgegengesetzt ist, und wobei in der ersten Richtung sich die orthografische Projektion des vierten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet; einen fünften aktiven Abschnitt, der mit dem zweiten aktiven Abschnitt verbunden ist, wobei sich eine orthographische Projektion des fünften aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat in der ersten Richtung befindet; und einen sechsten aktiven Abschnitt, der mit dem dritten aktiven Abschnitt verbunden ist, wobei sich eine orthographische Projektion des sechsten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat in der zweiten Richtung befindet; eine zweite leitfähige Schicht, die auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten aktiven Schicht angeordnet ist, wobei die zweite leitfähige Schicht umfasst: eine erste Gateleitung, deren orthographische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, wobei die erste Gateleitung einen zweiten leitfähigen Abschnitt umfasst, dessen orthografische Projektion auf das Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zusammenfällt und der ausgebildet ist, das erste Gate des zweiten Transistors zu bilden; und einen ersten Vorsprung, der mit der ersten Gateleitung verbunden ist, wobei in der ersten Richtung sich eine orthographische Projektion des ersten Vorsprungs auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion der ersten Gateleitung auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, wobei der erste Vorsprung einen dritten leitfähigen Abschnitt umfasst, dessen orthographische Projektion auf das Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zusammenfällt, um das erste Gate des ersten Transistors zu bilden; eine dritte leitfähige Schicht, die auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten leitfähigen Schicht angeordnet ist, wobei die dritte leitfähige Schicht umfasst: einen ersten Verbindungsabschnitt, der mit dem sechsten aktiven Abschnitt und dem ersten leitfähigen Abschnitt jeweils durch ein Durchgangsloch verbindet ist; und eine Anfangssignalleitung, deren orthographische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt und auf einer Seite der orthographischen Projektion der ersten Gateleitung auf das Basissubstrat in der ersten Richtung befindet, wobei die Anfangssignalleitung mit dem fünften aktiven Abschnitt durch ein Durchgangsloch verbunden ist.
  11. Anzeigetafel nach Anspruch 10, wobei die Anzeigetafel ferner umfasst: eine vierte leitfähige Schicht, die zwischen der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten aktiven Schicht angeordnet ist, wobei die vierte leitfähige Schicht umfasst: eine zweite Gateleitung, deren orthographische Projektion auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, wobei die zweite Gateleitung einen vierten leitfähigen Abschnitt umfasst, wobei sich die orthographische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrats auf der orthographischen Projektion des vierten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, der ausgebildet ist, ein zweites Gate des zweiten Transistor zu bilden; und einen zweiten Vorsprung, der mit der zweiten Gateleitung verbunden ist, wobei in der ersten Richtung sich die orthografische Projektion des zweiten Vorsprungs auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion der zweiten Gateleitung auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, wobei der zweite Vorsprung einen fünften leitfähigen Abschnitt umfasst, wobei sich die orthographische Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrats auf einer orthographischen Projektion des fünften leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, der ausgebildet ist, ein zweites Gate des ersten Transistors zu bilden.
  12. Anzeigetafel nach Anspruch 10, wobei die Lichtemissionssteuerschaltung umfasst: einen fünften Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem ersten Stromversorgungsanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem zweiten Knoten und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss verbunden ist; und einen sechsten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem ersten Knoten, über seinen zweiten Pol mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Einheit und über sein Gate mit dem Freigabesignalanschluss verbunden ist; wobei die erste aktive Schicht ferner umfasst: einen siebten aktiven Abschnitt, der ausgebildet ist, einen Kanalbereich des fünften Transistors zu bilden, wobei in der ersten Richtung sich eine orthografische Projektion des siebten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des vierten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, und einen achten aktiven Abschnitt, der ausgebildet ist, einen Kanalbereich des sechsten Transistors zu bilden, wobei in der ersten Richtung sich eine orthografische Projektion des achten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat und der orthographischen Projektion des vierten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat befindet, wobei die erste leitfähige Schicht ferner umfasst: eine dritte Gateleitung, die ausgebildet ist, den Freigabesignalanschluss bereitzustellen, wobei sich eine orthografische Projektion der dritten Gateleitung auf das Basissubstrat entlang der zweiten Richtung erstreckt und die orthografischen Projektionen des siebten aktiven Abschnitts und des achten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt, wobei ein Teil der dritten Gateleitung ausgebildet ist, ein Gate des fünften Transistors zu bilden, und ein Teil der dritten Gateleitung ausgebildet ist, ein Gate des sechsten Transistors zu bilden.
  13. Anzeigetafel nach Anspruch 10, wobei die Datenschreibschaltung umfasst: einen dritten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem Datensignalanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem ersten Knoten und über sein Gate mit einem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist; wobei die Kompensationsschaltung umfasst: einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit einem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist; wobei sowohl der dritte Transistor als auch der vierte Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ sind; wobei die erste aktive Schicht ferner umfasst: einen neunten aktiven Abschnitt, der ausgebildet ist, einen Kanalbereich des dritten Transistors zu bilden, wobei sich eine orthographische Projektion des neunten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat in einer vierten Richtung befindet, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist; und einen zehnten aktiven Abschnitt, der ausgebildet ist, einen Kanalbereich des vierten Transistors zu bilden, wobei sich eine orthographische Projektion des zehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat in der vierten Richtung befindet; wobei die erste leitfähige Schicht ferner umfasst: eine vierte Gateleitung, die ausgebildet ist, den ersten Gateantriebssignalanschluss bereitzustellen, wobei sich eine orthografische Projektion der vierten Gateleitung auf das Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt und die orthografischen Projektionen des neunten aktiven Abschnitts und des zehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt, wobei ein Teil der vierten Gateleitung ausgebildet ist, das Gate des dritten Transistors zu bilden, und ein Teil der vierten Gateleitung ausgebildet ist, das Gate des vierten Transistors zu bilden.
  14. Anzeigetafel nach Anspruch 13, ferner umfassend: eine fünfte leitfähige Schicht, die auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der dritten leitfähigen Schicht angeordnet ist, wobei die fünfte leitfähige Schicht umfasst: eine erste Stromleitung, die ausgebildet ist, den ersten Stromversorgungsanschluss bereitzustellen, wobei sich eine orthographische Projektion der ersten Stromleitung auf das Basissubstrat entlang der ersten Richtung erstreckt und eine erste Kante enthält; einen ersten Abschirmabschnitt, der mit der Stromleitung verbunden ist, wobei der erste Abschirmabschnitt eine mit der ersten Kante der ersten Stromleitung verbundene zweite Kante umfasst, wobei ein Winkel zwischen einer orthographischen Projektion der ersten Kante auf das Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der zweiten Kante auf das Basissubstrat kleiner als 180° ist, wobei eine orthographische Projektion des ersten Abschirmabschnitts auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des dritten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt; eine erste Datenleitung, die ausgebildet ist, den Datasignalanschluss bereitzustellen, wobei sich eine orthografische Projektion der ersten Datenleitung auf das Basissubstrat entlang der ersten Richtung erstreckt und eine dritte Kante enthält; einen zweiten Abschirmabschnitt, der mit der Datenleitung verbunden ist, wobei der zweite Abschirmabschnitt eine mit der dritten Kante der ersten Datenleitung verbundene vierte Kante umfasst, wobei ein Winkel zwischen einer orthographischen Projektion der dritten Kante auf das Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der vierten Kante auf das Basissubstrat kleiner als 180° ist, wobei eine orthographische Projektion des zweiten Abschirmabschnitts auf das Basissubstrat die orthografische Projektion des zweiten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt.
  15. Anzeigetafel nach Anspruch 11, wobei die Datenschreibschaltung umfasst: einen dritten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem Datensignalanschluss, über seinen zweiten Pol mit dem ersten Knoten und über sein Gate mit einem ersten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist; wobei die Kompensationsschaltung umfasst: einen vierten Transistor, der über seinen ersten Pol mit dem zweiten Knoten, über seinen zweiten Pol mit dem dritten Knoten und über sein Gate mit einem zweiten Gateantriebssignalanschluss verbunden ist; wobei der dritte Transistor ein Niedertemperatur-Polysiliziumtransistor vom P-Typ ist und der vierte Transistor ein Oxidtransistor vom N-Typ ist; wobei die erste aktive Schicht ferner umfasst: einen elften aktiven Abschnitt, der ausgebildet ist, den Kanalbereich des dritten Transistors zu bilden, wobei sich eine orthographische Projektion des elften aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion des ersten leitfähigen Abschnitts auf das Basissubstrat in einer vierten Richtung befindet, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist; wobei die erste leitfähige Schicht ferner umfasst: eine fünfte Gateleitung, die ausgebildet ist, den ersten Gateantriebssignalanschluss bereitzustellen, wobei sich eine orthografische Projektion der fünften Gateleitung auf das Basissubstrat entlang der zweiten Richtung erstreckt und den elften aktiven Abschnitt bedeckt, wobei ein Teil der fünften Gateleitung ausgebildet ist, das Gate des dritten Transistors zu bilden; wobei die vierte leitfähige Schicht ferner umfasst: eine sechste Gateleitung, die ausgebildet ist, den zweiten Gateantriebssignalanschluss bereitzustellen, wobei sich eine orthografische Projektion der sechsten Gateleitung auf das Basissubstrat entlang der zweiten Richtung erstreckt und auf einer Seite der orthographischen Projektion der fünften Gateleitung auf das Basissubstrat in der vierten Richtung befindet; wobei die zweite aktive Schicht ferner umfasst: einen zwölften aktiven Abschnitt, der ausgebildet ist, einen ersten Kanalbereich des vierten Transistors zu bilden, wobei sich eine orthographische Projektion des zwölften aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf der orthographischen Projektion der sechsten Gateleitung auf das Basissubstrat befindet, einen dreizehnten aktiven Abschnitt, der ausgebildet ist, einen zweiten Kanalbereich des vierten Transistors zu bilden, wobei sich eine orthographische Projektion des dreizehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf der orthographischen Projektion der sechsten Gateleitung auf das Basissubstrat befindet; und einen vierzehnten aktiven Abschnitt, der zwischen dem zwölften aktiven Abschnitt und dem dreizehnten aktiven Abschnitt verbunden ist, wobei sich eine orthographische Projektion des viertzehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat auf einer Seite der orthographischen Projektion der sechsten Gateleitung auf das Basissubstrat in der vierten Richtung befindet; wobei die zweite leitfähige Schicht ferner umfasst: eine siebte Gateleitung, die ausgebildet ist, den zweiten Gateantriebssignalanschluss bereitzustellen, wobei sich eine orthografische Projektion der siebten Gateleitung auf das Basissubstrat entlang der zweiten Richtung erstreckt und die orthografischen Projektionen des zwölften aktiven Abschnitts und des dreizehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt.
  16. Anzeigetafel nach Anspruch 15, wobei die fünfte leitfähige Schicht ferner umfasst: eine zweite Stromleitung, die ausgebildet ist, den Datasignalanschluss bereitzustellen, wobei sich eine orthografische Projektion der zweiten Stromleitung auf das Basissubstrat entlang der ersten Richtung erstreckt und die orthografische Projektion des vierzehnten aktiven Abschnitts auf das Basissubstrat bedeckt.
  17. Anzeigetafel nach Anspruch 16, wobei die zweite Stromleitung eine fünfte Kante umfasst und die fünfte leitfähige Schicht ferner umfasst: einen dritten Abschirmabschnitt, der mit der zweiten Stromleitung verbunden ist und der eine mit der fünften Kante der zweiten Stromleitung verbundene sechste Kante umfasst, wobei ein Winkel zwischen einer orthographischen Projektion der sechsten Kante auf das Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der fünften Kante auf das Basissubstrat kleiner als 180° ist, wobei eine orthographische Projektion des dritten Abschirmabschnitts auf das Basissubstrat den zweiten aktiven Abschnitt und den dritten aktiven Abschnitt bedeckt.
  18. Anzeigetafel, umfassend eine Pixelantriebsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9.
  19. Antriebsverfahren für eine Pixelantriebsschaltung zum Antreiben der Pixelantriebsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, umfassend: Einschalten des ersten Transistors und des zweiten Transistors in einer Rücksetzphase, um ein Anfangssignal über den Anfangssignalanschluss in den dritten Knoten und die erste Elektrode der lichtemittierenden Einheit einzugeben; Einschalten den ersten Knoten und den dritten Knoten mittels der Kompensationsschaltung und gleichzeitig Schreiben eines Datensignals in den ersten Knoten mittels der Datenschreibschaltung in einer Kompensationsphase; Verbinden des ersten Stromversorgungsanschluss mit einer Elektrode des Antriebstransistors und Verbinden der ersten Elektrode der lichtemittierden Einheit mit einer anderen Elektrode des Antriebstransistors in einer Lichtemissionsphase mittels der Lichtemissionssteuerschaltung.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114937435B (zh) * 2022-06-13 2023-09-29 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动方法及显示面板

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150138527A (ko) * 2014-05-29 2015-12-10 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로 및 이를 포함하는 전계발광 디스플레이 장치
CN105679236B (zh) * 2016-04-06 2018-11-30 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、阵列基板、显示面板和显示装置
CN106448560B (zh) * 2016-12-21 2019-03-12 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其驱动方法、有机发光显示装置
KR102636515B1 (ko) * 2017-01-06 2024-02-15 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102464131B1 (ko) * 2017-06-30 2022-11-04 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR20200040344A (ko) * 2018-10-08 2020-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109817165B (zh) * 2019-03-08 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、像素驱动方法、显示面板和显示装置
CN110085170B (zh) * 2019-04-29 2022-01-07 昆山国显光电有限公司 一种像素电路、像素电路的驱动方法和显示面板
CN110728952B (zh) * 2019-10-31 2021-04-30 厦门天马微电子有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
KR20210101347A (ko) * 2020-02-07 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111312129A (zh) * 2020-02-28 2020-06-19 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、发光器件老化的检测补偿方法及显示基板
CN111445848B (zh) * 2020-04-30 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示基板
CN111445854B (zh) * 2020-05-11 2021-11-05 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板
CN111627387B (zh) * 2020-06-24 2022-09-02 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板及显示装置
KR20220025989A (ko) * 2020-08-24 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

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