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[QUERVERWEIS AUF ZUGEHÖRIGE ANMELDUNG]
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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität basierend auf der am 30. März, 2018 eingereichten Japanischen Patentanmeldung
JP-2018-068270 A deren gesamter Inhalt hierin durch Bezugnahme aufgenommen ist.
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[Technisches Gebiet]
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Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Technik unter Verwendung eines Mehrschichtsubstrats zum Übertragen eines Signals.
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[Stand der Technik]
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Patentdokument 1 offenbart ein Mehrschicht-Übertragungsleitungssubstrat einschließlich einer Metalllochausbildungsschicht, die ein Metallloch entlang einer Stapelrichtung ausgebildet hat und als ein Wellenleiter dient, und einer äußersten Leiterschicht, die auf der Metalllochausbildungsschicht mit einer dielektrischen Schicht dazwischen gestapelt ist.
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In dem Mehrschicht-Übertragungsleitungssubstrat ist eine Übertragungsleitung in der äußersten Leiterschicht ausgebildet und überträgt in Verbindung mit dem Metallloch ein Hochfrequenzsignal durch das Metallloch von einer Oberfläche zur anderen Oberfläche des Mehrschicht-Übertragungsleitungssubstrats.
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[Literaturliste]
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[Patentliteratur]
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[Patentdokument 1]
JP 2014-165529 B -
[Überblick über die Erfindung]
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Wenn die äußerste Leiterschicht auf der Metalllochausbildungsschicht mit einer dielektrischen Schicht dazwischen wie bei dem vorstehend beschriebenen Mehrschicht-Übertragungsleitungssubstrat gestapelt ist, wird typischerweise ein Prepreg als die dielektrische Schicht verwendet, das der äußersten Leiterschicht ermöglicht, an der Metalllochausbildungsschicht zu haften.
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Aufgrund einer eingehenden Untersuchung durch die Erfinder wurde jedoch folgender Nachteil festgestellt: Der Abstand zwischen der äußersten Leiterschicht und der zweitäußersten Leiterschicht (nachfolgend als „Äußerste-Schicht-zu-Leiter-Abstand“ bezeichnet) wird durch das Verfahren unter Verwendung des Prepregs, um der äußersten Leiterschicht zu ermöglichen, an der Metalllochausbildungsschicht zu haften, weniger wahrscheinlich genau gesteuert. In dem Mehrschicht-Übertragungsleitungssubstrat entspricht die zweitäußerste Leiterschicht einer Leiterschicht auf der Oberfläche der Metalllochausbildungsschicht.
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Übertragungscharakteristika eines Hochfrequenzsignals, das entlang der äußersten Leiterschicht übertragen wird, und Operationen von Schaltungselementen (beispielsweise Antenne), die in der äußersten Leiterschicht ausgebildet sind, werden durch Genauigkeit des Äußerste-Schicht-zu-Leiter-Abstand beeinträchtigt. Das heißt, eine Reduzierung der Genauigkeit des Äußerste-Schicht-zu-Leiter-Abstands kann eine Schwierigkeit beim Aufrechterhalten guter Übertragungscharakteristika für das Hochfrequenzsignal, das entlang der äußersten Leiterschicht übertragen wird, verursachen oder kann eine Verschlechterung einer Operationsleistung jedes Schaltungselements, das in der äußersten Leiterschicht ausgebildet ist, verursachen.
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Ein Aspekt der Offenbarung ist es, eine Technik unter Verwendung eines Mehrschichtsubstrats bereitzustellen, das einen Innenschichtteil, der einen Leiterlochteil hat, der als ein Wellenleiter dient, und eine Leiterschicht beinhaltet, die auf dem Innenschichtteil gestapelt ist, um ein Signal durch den Leiterlochteil zwischen den zwei Seiten des Mehrschichtsubstrats zu übertragen.
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Eine Mehrschichtübertragungsleitung gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung beinhaltet ein Mehrschichtsubstrat. Ein Mehrschichtsubstrat beinhaltet n Leiterschichten von einer ersten Schicht zu einer n-ten (n ist eine natürliche Zahl von 5 oder mehr) Schicht, die in einer vorbestimmten Richtung mit dazwischen angeordneten dielektrischen Schichten gestapelt sind. Jede der Leiterschichten in einem Innenschichtteil von einer n1-ten Schicht (n1 ist eine natürliche Zahl gleich oder größer als 1) bis zu einer n2-ten Schicht (n2 ist eine natürliche Zahl größer als n1 und kleiner als n) beinhaltet eine Masseebene.
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Der Innenschichtteil beinhaltet einen Leiterlochteil. Der Leiterlochteil ist die jeweiligen Masseebenen in dem Innenschichtteil in der vorbestimmten Richtung penetrierend vorgesehen, hat eine zylindrische Form und hat einen Leiterteil zum elektrischen Verbinden der Masseebenen miteinander.
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Die Leiterschicht von jeder der ersten bis n-ten Schicht als zwei äußerste Schichten des Mehrschichtsubstrats beinhaltet eine Übertragungsleitung und einen Konvertierungsteil.
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Der Konvertierungsteil ist den Leiterlochteil in der vorbestimmten Richtung überlappend vorgesehen und konfiguriert, um jeweilige Übertragungsmodi der Übertragungsleitung und des Leiterlochteils zu konvertieren, um Energie zwischen der Übertragungsleitung und dem Leiterlochteil zu verbreiten.
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Das Mehrschichtsubstrat beinhaltet einen ersten Außenschichtteil einschließlich der Erste-Schicht-Leiterschicht, die auf einer Seite der n1-ten Schicht bezüglich des Innenschichtteils gestapelt ist, und einen zweiten Außenschichtteil einschließlich der n-te-Schicht-Leiterschicht, die auf der Seite der n2-ten Schicht bezüglich des Innenschichtteils gestapelt ist, und mindestens einer des ersten und des zweiten Außenschichtteils beinhaltet die Leiterschicht als die äußerste Schicht und eine innere Leiterschicht als die Leiterschicht gegenüber zur Leiterschicht als die äußerste Schicht mit einer dielektrischen Schicht dazwischen.
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In einer Mehrschichtübertragungsleitung, die auf diese Weise konfiguriert ist, hat mindestens einer (nachfolgend als „Mehrschicht-Außenschichtteil“ bezeichnet) des ersten und zweiten Außenschichtteils mehrere Leiterschichten einschließlich der Leiterschicht, die die äußerste Schicht ist, und der inneren Leiterschicht.
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Im Falle des Stapelns einer Leiterschicht auf dem Innenschichtteil mit einer dielektrischen Schicht dazwischen ist es für den Äußerste-Schicht-zu-Leiter-Abstand weniger wahrscheinlich, dass er genau aufrechterhalten wird, wie vorstehend beschrieben ist. Andererseits, wenn der Mehrschicht-Außenschichtteil auf dem Innenschichtteil gestapelt ist, ist es beispielsweise möglich, dass ein gestapelter Körper vorher produziert wird, so dass die Leiterschicht als die äußerste Schicht und die innere Leiterschicht mit einer dielektrischen Schicht dazwischen gestapelt sind, und der gestapelte Körper ist auf dem Innenschichtteil mit einer dielektrischen Schicht (beispielsweise Prepreg) dazwischen gestapelt. Es ist demnach möglich, den Äußerste-Schicht-zu-Leiter-Abstand in dem Mehrschicht-Außenschichtteil genau aufrechtzuerhalten.
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Die Mehrschichtübertragungsleitung der vorliegenden Offenbarung ermöglicht es demnach, erfolgreich ein Signal durch einen Leiterlochteil zwischen zwei Seiten eines Mehrschichtsubstrats zu übertragen.
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Figurenliste
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- 1 ist eine Draufsicht einer Mehrschichtübertragungsleitung einer ersten Ausführungsform;
- 2 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie II-II in 1 der Mehrschichtübertragungsleitung der ersten Ausführungsform;
- 3 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie III-III in 1 der Mehrschichtübertragungsleitung der ersten Ausführungsform;
- 4 ist eine Unteransicht der Mehrschichtübertragungsleitung der ersten Ausführungsform;
- 5 ist eine Draufsicht einer Siebte-Schicht-Leiterschicht in der Mehrschichtübertragungsleitung der ersten Ausführungsform;
- 6 ist eine Draufsicht einer Sechste-Schicht-Leiterschicht in der Mehrschichtübertragungsleitung der ersten Ausführungsform;
- 7 ist eine Draufsicht einer Mehrschichtübertragungsleitung einer zweiten Ausführungsform; und
- 8 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie VIII-VIII in 7 der Mehrschichtübertragungsleitung der zweiten Ausführungsform;
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[Beschreibung von Ausführungsformen]
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Nachfolgend werden manche exemplarische Ausführungsformen der Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
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Erste Ausführungsform
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Gesamtkonfiguration der Mehrschichtübertragungsleitung
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Eine Mehrschichtübertragungsleitung 1 einer ersten Ausführungsform wird nun mit Bezug auf 1 bis 7 beschrieben. Wie in 1 bis 7 illustriert ist, beinhaltet die Mehrschichtübertragungsleitung 1 der ersten Ausführungsform ein Mehrschichtsubstrat 2. Das Mehrschichtsubstrat 2 beinhaltet acht Leiterschichten L1 bis L8 von einer ersten Schicht bis zu einer achten Schicht, die in einer vorbestimmten Richtung gestapelt sind (nachfolgend als „Stapelrichtung“ bezeichnet). Die Erste-Schicht-Leiterschicht L1 und die Achte-Schicht-Leiterschicht L8 sind jeweils eine Leiterschicht als eine äußerste Schicht, die zur Außenseite in dem Mehrschichtsubstrat 2 freigelegt ist.
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In der ersten Ausführungsform, wie in 1 bis 7 illustriert ist, sind drei Richtungen x, y, und z, die orthogonal zueinander in einem dreidimensionalen Raum sind, für das Mehrschichtsubstrat 2 definiert. Die vorbestimmte Richtung oder die Stapelrichtung, in der die Leiterschichten L1 bis L8 gestapelt sind, ist die z-Richtung.
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Wie in 2 und 3 gezeigt ist, sind die Leiterschichten L1 bis L8 sequentiell mit der dazwischen angeordneten dielektrischen Schicht gestapelt. Insbesondere ist eine dielektrische Schicht P1 zwischen der Erste-Schicht-Leiterschicht L1 und der Zweite-Schicht-Leiterschicht L2 angeordnet. Eine dielektrische Schicht P2 ist zwischen der Zweite-Schicht-Leiterschicht und der Dritte-Schicht-Leiterschicht L3 angeordnet. Eine dielektrische Schicht P3 ist zwischen der Dritte-Schicht-Leiterschicht L3 und der Vierte-Schicht-Leiterschicht L4 angeordnet. Eine dielektrische Schicht P4 ist zwischen der Vierte-Schicht-Leiterschicht L4 und der Fünfte-Schicht-Leiterschicht L5 angeordnet. Eine dielektrische Schicht P5 ist zwischen der Fünfte-Schicht-Leiterschicht L5 und der Sechste-Schicht-Leiterschicht L6 angeordnet. Eine dielektrische Schicht P6 ist zwischen der Sechste-Schicht-Leiterschicht L6 und der Siebte-Schicht-Leiterschicht L7 angeordnet. Eine dielektrische Schicht P7 ist zwischen der Siebte-Schicht-Leiterschicht L7 und der Achte-Schicht-Leiterschicht L8 angeordnet.
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In der ersten Ausführungsform sind die dielektrischen Schichten P1 bis P7 aus dem gleichen Material ausgebildet (beispielsweise ein Harzmaterial mit einer vorbestimmten Dielektrizitätskonstante). Jedoch müssen die dielektrischen Schichten P1 bis P7 nicht das gleiche Material beinhalten (müssen in anderen Worten nicht die gleiche Dielektrizitätskonstante haben). Beispielsweise können die dielektrischen Schichten derart entworfen sein, dass die dielektrische Schicht P1 aus einem Material mit einer Dielektrizitätskonstante εa ausgebildet ist, die dielektrische Schicht P7 aus einem Material mit einer Dielektrizitätskonstante εb ausgebildet ist, die sich von εa unterscheidet, und die dielektrischen Schichten P2 bis P6 jeweils aus einem Material ausgebildet sind, die eine Dielektrizitätskonstante εc haben, die sich von den Dielektrizitätskonstanten εa und εb unterscheidet.
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Wie in 2 und 3 gezeigt ist, ist das Mehrschichtsubstrat 2 in drei Regionen in der Stapelrichtung unterteilt. Insbesondere beinhaltet das Mehrschichtsubstrat 2 einen Innenschichtteil 3, einen ersten Außenschichtteil 4 und einen zweiten Außenschichtteil 5.
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Der Innenschichtteil 3 beinhaltet zwei Leiterschichten, die von den Leiterschichten L1 bis L8 in dem Mehrschichtsubstrat 2 nicht zur Außenseite des Mehrschichtsubstrats 2 freigelegt sind, und beinhaltet eine Region zwischen den zwei Leiterschichten. Der Innenschichtteil 3 der ersten Ausführungsform beinhaltet die dritte bis sechste Leiterschicht L3 bis L6 und die dielektrischen Schichten P3 bis P5, die zwischen entsprechenden zwei der Leiterschichten L3 bis L6 angeordnet sind.
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Wie nachfolgend beschrieben ist, hat der Innenschichtteil 3 einen Leiterlochteil 20, der den Innenschichtteil 3 entlang der Stapelrichtung penetriert. Der Leiterlochteil 20 definiert einen Teil eines Übertragungspfads entlang dem ein Hochfrequenzsignal in der Mehrschichtübertragungsleitung 1 übertragen wird. Das Hochfrequenzsignal wird in elektromagnetische Wellen konvertiert und in dem Leiterlochteil 20 verbreitet.
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Der erste Außenschichtteil 4 ist auf einer Seite der dritten Schicht bezüglich des Innenschichtteils 3 in dem Mehrschichtsubstrat 2 gestapelt. Das heißt, der erste Außenschichtteil 4 beinhaltet die Erste-Schicht-Leiterschicht L1 als die äußerste Schicht und beinhaltet ferner eine Region von der Leiterschicht L1 zu einer Grenze mit dem Innenschichtteil 3 (das heißt, Grenze mit der Dritte-Schicht-Leiterschicht L3). Der erste Außenschichtteil 4 der ersten Ausführungsform beinhaltet die Erste-Schicht-Leiterschicht L1 und die Zweite-Schicht-Leiterschicht L2 und die dielektrischen Schichten P1 und P2, die auf den Leiterschichten L1 und L2 entsprechend zugeordnet gestapelt sind. Das heißt, der erste Außenschichtteil 4 beinhaltet die Erste-Schicht-Leiterschicht L1 als die äußerste Schicht und die Zweite-Schicht-Leiterschicht L2 (nachfolgend als „innere Leiterschicht L2“ bezeichnet) gegenüber der Leiterschicht L1 mit der dielektrischen Schicht P1 dazwischen.
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Der zweite Außenschichtteil 5 ist auf einer Seite der sechsten Schicht bezüglich des Innenschichtteils 3 in dem Mehrschichtsubstrat 2 gestapelt. Das heißt, der zweite Außenschichtteil 5 beinhaltet die Achte-Schicht-Leiterschicht L8 als die äußerste Schicht und beinhaltet ferner eine Region von der Leiterschicht L8 zu einer Grenze mit dem Innenschichtteil 3 (das heißt, Grenze mit der Sechste-Schicht-Leiterschicht L6). Der zweite Außenschichtteil 5 der ersten Ausführungsform beinhaltet die Siebte-Schicht-Leiterschicht L7 und die Achte-Schicht-Leiterschicht L8 und die dielektrischen Schichten P6 und P7, auf denen die jeweiligen Leiterschichten L7 und L8 gestapelt sind. Das heißt, der zweite Außenschichtteil 5 beinhaltet die Achte-Schicht-Leiterschicht L8 als die äußerste Schicht und die Siebte-Schicht-Leiterschicht L7 (nachfolgend als „innere Leiterschicht L7“ bezeichnet) gegenüber der Leiterschicht L8 mit der dielektrischen Schicht P7 dazwischen.
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Wie in 2 bis 4 gezeigt ist, sind eine Mikrostreifenleitung 31 und ein Konvertierungsteil 33 in der Erste-Schicht-Leiterschicht L1 vorgesehen. Die Mikrostreifenleitung 31 und der Konvertierungsteil 33 sind jeweils aus einem Leiter gefertigt. Der Konvertierungsteil 33 hat eine rechteckige Form und ist das gesamte Leiterlochteil 20 in der Stapelrichtung überlappend vorgesehen. Die Mikrostreifenleitung 31 erstreckt sich in der x-Richtung von einem spezifischen Abschnitt des Konvertierungsteils 33.
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Der Konvertierungsteil 33 ist konfiguriert, um Energie zwischen der Mikrostreifenleitung 31 und dem Leiterloch 20 durch Konvertieren des Übertragungsmodus zwischen der Mikrostreifenleitung 31 und dem Leiterloch 20 zu verbreiten.
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Ein Hochfrequenzsignal, das an den Konvertierungsteil 33 durch die Mikrostreifenleitung 31 übertragen wird, wird demnach in die elektromagnetischen Wellen durch den Konvertierungsteil 33 übertragen und zum Leiterlochteil 20 verbreitet. Umgekehrt werden elektromagnetische Wellen, die sich in dem Leiterlochteil 20 zu dem Konvertierungsteil 33 verbreiten, in ein Hochfrequenzsignal in dem Konvertierungsteil 33 konvertiert und zur Mikrostreifenleitung 31 übertragen.
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Wie in 1 bis 3 gezeigt ist, sind Mikrostreifenleitungen 61 und 62 und ein Konvertierungsteil 63 in der Achte-Schicht-Leiterschicht L8 vorgesehen. Die Mikrostreifenleitungen 61 und 62 und der Konvertierungsteil 63 sind jeweils aus einem Leiter gefertigt.
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Der Konvertierungsteil 63 hat die gleiche Größe und rechteckige Form wie der Erste-Schicht-Konvertierungsteil 33. Der Konvertierungsteil 63 ist den gesamten Leiterlochteil 20 in der Stapelrichtung überlappend wie bei dem Erste-Schicht-Konvertierungsteil 33 vorgesehen. In der ersten Ausführungsform überlappen die Konvertierungsteile 33 und 63 einander, wenn die Mehrschichtübertragungsleitung 1 von außerhalb in der z-Richtung betrachtet wird. Wenn die dielektrische Schicht P1 eine andere Dielektrizitätskonstante als die dielektrische Schicht P7 hat, hat der Konvertierungsteil 33 demzufolge eine andere Form oder Größe als der Konvertierungsteil 63.
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Jedoch müssen die Konvertierungsteile 33 und 63 nicht notwendigerweise einander komplett überlappend in der z-Richtung vorgesehen sein. Ferner muss nicht jeder der Konvertierungsteile 33 und 63 komplett den Leiterlochteil 20 in der Stapelrichtung überlappen.
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Die Mikrostreifenleitung 61 erstreckt sich in der x-Richtung von einem spezifischen Abschnitt des Konvertierungsteils 63. Die Mikrostreifenleitung 62 erstreckt sich in einer Richtung entgegengesetzt zur x-Richtung von einem anderen spezifischen Abschnitt des Konvertierungsteils 63. In anderen Worten erstrecken sich die Mikrostreifenleitungen 61 und 62 jeweils in einer Richtung parallel zur X-Richtung von dem Konvertierungsteil 63. Die Mikrostreifenleitungen 61 und 62 sind an der gleichen Position in Y-Richtung angeordnet.
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Der Konvertierungsteil 63 hat im Grunde die gleiche Funktion wie der Erste-Schicht-Konvertierungsteil 33. Das heißt, der Konvertierungsteil 63 ist konfiguriert, um jeweilige Übertragungsmodi der Mikrostreifenleitung 61, der Mikrostreifenleitung 62 und des Leiterlochteils 20 zu konvertieren, um Energie zwischen jeder der Mikrostreifenleitungen 61 und 62 und dem Leiterlochteil 20 zu verbreiten.
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Ein Hochfrequenzsignal, das an den Konvertierungsteil 63 durch die Mikrostreifenleitungen 61 und 62 übertragen wird, wird demnach in die elektromagnetischen Wellen durch den Konvertierungsteil 63 übertragen und zum Leiterlochteil 20 verbreitet. Umgekehrt werden elektromagnetische Wellen, die sich in dem Leiterlochteil 20 zu dem Konvertierungsteil 63 verbreiten, in ein Hochfrequenzsignal in dem Konvertierungsteil 63 konvertiert und werden von dem Konvertierungsteil 63 zu jeder Mikrostreifenleitung 61, 62 abgezweigt und übertragen.
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Wie in 1 illustriert ist, sind in der Achte-Schicht-Leiterschicht L8 die Mikrostreifenleitungen 61 und 62 jeweils mit einem Antennenelement 72 durch eine Speiseleitung 71 verbunden. Eine nicht abgebildete Kommunikationsschaltung ist in der Erste-Schicht-Leiterschicht L1 vorgesehen und mit der Mikrostreifenleitung 31 verbunden.
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Ein Hochfrequenzsignal, das von einer nicht dargestellten Kommunikationsschaltung der Mikrostreifenleitung 31 zugeführt wird, wird dann von der Mikrostreifenleitung 31 zu dem Konvertierungsteil 33 übertragen und dann durch den Konvertierungsteil 33 zur Verbreitung in der Z-Richtung durch den Leiterlochteil 20 in eine elektromagnetische Welle konvertiert. Die elektromagnetische Welle, die sich in der Z-Richtung durch den Leiterlochteil 20 verbreitet wird in ein Hochfrequenzsignal durch den Achte-Schicht-Konvertierungsteil 63 konvertiert und das Hochfrequenzsignal wird an die Mikrostreifenleitungen 61 und 62 übertragen und in Form einer elektromagnetischen Welle von den jeweiligen Antennenelementen 72 abgestrahlt.
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Ausgehend vom Empfang elektromagnetischer Wellen durch die jeweiligen Antennenelemente 72 werden Hochfrequenzsignale von den Antennenelementen 72 an die jeweiligen Mikrostreifenleitungen 61 und 62 gesendet. Die Hochfrequenzsignale werden dann von den Mikrostreifenleitungen 61 und 62 an den Konvertierungsteil 63 übertragen. Die Hochfrequenzsignale werden gemischt und in eine elektromagnetische Welle durch den Konvertierungsteil 63 konvertiert und die elektromagnetische Welle wird von dem Leiterlochteil 20 in einer Richtung entgegengesetzt zur Z-Richtung verbreitet. Die elektromagnetische Welle, die durch den Leiterlochteil 20 verbreitet wird, wird in ein Hochfrequenzsignal durch den Erste-Schicht-Konvertierungsteil 33 konvertiert und das Hochfrequenzsignal wird an die nicht dargestellte Kommunikationsschaltung durch die Mikrostreifenleitung 31 übertragen. Die Kommunikationsschaltung führt unterschiedliche Typen von Signalverarbeitungen des Hochfrequenzsignals aus, das von der Mikrostreifenleitung 31 empfangen wird.
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Spezifische Konfiguration von Innenschichtteil 3
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Eine elektrisch geerdete Masseebene ist in jeder der Leiterschichten L3 bis L6 in dem Innenschichtteil 3 vorgesehen. Das heißt, eine Masseebene 11 ist in der Dritte-Schicht-Leiterschicht L3 vorgesehen, eine Masseebene 12 ist in der Vierte-Schicht-Leiterschicht L4 vorgesehen, eine Masseebene 13 ist in der Fünfte-Schicht-Leiterschicht L5 vorgesehen und eine Masseebene 14 ist in der Sechste-Schicht-Leiterschicht L6 vorgesehen. Die Masseebenen 11 bis 14 sind jeweils aus einem Leiter ausgebildet.
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Der Innenschichtteil 3 hat den Leiterlochteil 20, der elektrisch als ein Wellenleiter dient. Der Leiterlochteil 20 hat eine zylindrische Form, die sich entlang der Stapelrichtung (Z-Richtung) erstreckt.
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Der Leiterlochteil 20 ist die Masseebenen 11 bis 14 in dem Innenschichtteil 3 in der Stapelrichtung penetrierend vorgesehen. Der Leiterlochteil 20 beinhaltet einen Leiterteil 21.
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Der Leiterteil 21 ist vorgesehen, um mit jeder der Masseebenen 11 bis 14 verbunden zu sein. Die Masseebenen 11 bis 14 sind elektrisch miteinander durch den Leiterteil 21 (das heißt, den Leiterlochteil 20) verbunden. In der ersten Ausführungsform ist der Leiterteil 21 über die gesamte innere Peripherie des zylindrischen Leiterlochteils 20 vorgesehen. Die Schnittform des Leiterlochteils 20 der ersten Ausführungsform ist beispielsweise eine elliptische Form mit einer Länge, die in der Y-Richtung länger als in der X-Richtung ist.
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Ein Schlitz ist in der äußersten Leiterschicht in dem Innenschichtteil 3, das heißt, in jeder der dritten und sechsten Leiterschicht L3 und L6 vorgesehen.
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Insbesondere hat die Dritte-Schicht-Leiterschicht L3 zwei Schlitze 11a und 11b. Die Schlitze 11a und 11b sind jeweils durch Öffnen eines Teils der Masseebene 11 ausgebildet, die in der Dritte-Schicht-Leiterschicht L3 vorgesehen ist.
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Die Schlitze 11a und 11b sind in der Dritte-Schicht-Leiterschicht L3 an symmetrischen Position bezüglich des Leiterlochteils 20 vorgesehen. Insbesondere ist der Schlitz 11a an einer Position eine vorbestimmte Distanz weg von dem Leiterlochteil 20 in der X-Richtung vorgesehen, während der Schlitz 11b an einer Position eine vorbestimmte Distanz weg von der Leiterlochteil 20 in der Richtung entgegengesetzt zur X-Richtung vorgesehen ist.
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Jeder der Schlitze 11a und 11b hat eine verlängerte Lochform, die sich in der Y-Richtung erstreckt. Die Schlitze 11a und 11b und der Leiterlochteil 20 haben eine verlängerte Lochform und sind jeweils sich in der Y-Richtung erstreckend vorgesehen.
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Jeder der Schlitze 11a und 11b unterdrückt, dass die elektromagnetische Welle, die sich zwischen dem Leiterlochteil 20 und dem Erste-Schicht-Konvertierungsteil 33 verbreitet, entlang der dritten Schicht (das heißt, in einer Richtung parallel zur X-Y-Ebene) in zwischen die dritte Schicht und die zweite Schicht leckt.
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Mehrere Innenschichtvias 16 sind in der Umgebung jedes der Schlitze 11a und 11b vorgesehen. Jedes Innenschichtvia 16 ist ein sogenanntes interstitielles Vialoch (interstitial via hole, IVH), das vorgesehen ist, um die Dritte-Schicht-Masseebene 11 mit der Vierte-Schicht-Masseebene 12 elektrisch zu verbinden.
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Die Innenschichtvias 16, die in der Umgebung des Schlitzes 11a vorgesehen sind, sind mit einem regelmäßigen Intervall entlang der Y-Richtung an Positionen angeordnet, die gleichabständig weg von dem Schlitz 11a in der X-Richtung angeordnet sind. Die Innenschichtvias 16, die in der Umgebung des Schlitzes 11b vorgesehen sind, sind mit einem regelmäßigen Intervall entlang der Y-Richtung an Positionen angeordnet, die gleichabständig weg von dem Schlitz 11b in der Richtung entgegengesetzt zur X-Richtung angeordnet sind.
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In der ersten Ausführungsform sind die jeweiligen Innenschichtvias 16 in der Umgebung des Schlitzes 11a und die jeweiligen Innenschichtvias 16 in der Umgebung des Schlitzes 11b in einer symmetrischen Positionsbeziehung bezüglich des Leiterlochteils 20 vorgesehen.
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Die Innenschichtvias 16 in der Umgebung des Schlitzes 11a verstärken die Wirkung des Schlitzes 11a, das heißt, helfen, das Lecken der elektromagnetischen Welle zu unterdrücken. Die Innenschichtvias 16 in der Umgebung des Schlitzes 11b verstärken ebenso die Wirkung des Schlitzes 11b, das heißt, helfen, das Lecken der elektromagnetischen Welle zu unterdrücken.
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Die Sechste-Schicht-Leiterschicht L6 hat zwei Schlitze 14a und 14b wie bei der dritten Schicht. Die Schlitze 14a und 141b sind jeweils durch Öffnen eines Teils der Masseebene 14 ausgebildet, die in der Sechste-Schicht-Leiterschicht L6 vorgesehen ist.
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Die Schlitze 14a und 14b sind in der Sechste-Schicht-Leiterschicht L6 an symmetrischen Positionen bezüglich des Leiterlochteils 20 vorgesehen. Insbesondere ist der Schlitz 14a an einer Position eine vorbestimmte Distanz weg von dem Leiterlochteil 20 in der X-Richtung vorgesehen, während der Schlitz 14b an einer Position eine vorbestimmte Distanz weg von der Leiterlochteil 20 in der Richtung entgegengesetzt zur X-Richtung vorgesehen ist.
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Die jeweiligen Schlitze 14a und 14b haben die gleichen Größen und Formen und haben die gleichen Positionsbeziehungen bezüglich des Leiterlochteils 20 wie die jeweiligen Schlitze 11a und 11b, die in der dritten Schicht vorgesehen sind.
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Jeder der Schlitze 14a und 14b unterdrückt, dass die elektromagnetische Welle, die sich zwischen dem Leiterlochteil 20 und dem Achte-Schicht-Konvertierungsteil 63 verbreitet, entlang der sechsten Schicht (das heißt, in einer Richtung parallel zur X-Y-Ebene) in zwischen die sechste Schicht und die siebte Schicht leckt.
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Mehrere Innenschichtvias 17 sind in der Umgebung jedes der Schlitze 14a und 14b vorgesehen. Jedes Innenschichtvia 17 ist ein sogenanntes IVH, das vorgesehen ist, um die Sechste-Schicht-Masseebene 14 mit der Fünfte-Schicht-Masseebene 13 zu verbinden.
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Die Innenschichtvias 17, die in der Umgebung des Schlitzes 14a vorgesehen sind, sind mit einem regelmäßigen Intervall entlang der Y-Richtung an Positionen angeordnet, die gleichabständig von dem Schlitz 14a in der X-Richtung angeordnet sind. Die Innenschichtvias 17, die in der Umgebung des Schlitzes 14b vorgesehen sind, sind mit einem regelmäßigen Intervall entlang der Y-Richtung an Positionen angeordnet, die gleichabständig weg von dem Schlitz 14b in der Richtung entgegengesetzt zur X-Richtung angeordnet sind.
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In der ersten Ausführungsform sind die jeweiligen Innenschichtvias 17 in der Umgebung des Schlitzes 14a und die jeweiligen Innenschichtvias 17 in der Umgebung des Schlitzes 14b in einer symmetrischen Positionsbeziehung bezüglich des Leiterlochteils 20 vorgesehen.
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Die Innenschichtvias 17 in der Umgebung des Schlitzes 14a verstärken die Wirkung des Schlitzes 14a, das heißt, helfen, das Lecken der elektromagnetischen Welle zu unterdrücken. Die Innenschichtvias 17 in der Umgebung des Schlitzes 14b verstärken ebenso die Wirkung des Schlitzes 14b, das heißt, helfen, das Lecken der elektromagnetischen Welle zu unterdrücken.
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Spezifische Konfiguration von erstem Außenschichtteil 4
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In dem ersten Außenschichtteil 4 sind die Mikrostreifenleitung 31 und der Konvertierungsteil 33 in der Erste-Schicht-Leiterschicht L1 vorgesehen, wie vorstehend beschrieben ist. Eine elektrisch geerdete Masseebene 41 ist in der Zweite-Schicht-innere-Leiterschicht L2 vorgesehen.
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Die innere Leiterschicht L2 hat einen Schlitz 42 mit einer elektromagnetischen Abstrahlfunktion. Die elektromagnetische Abstrahlfunktion des Schlitzes 42 ist eine Funktion zum Abstrahlen der elektromagnetischen Welle, die sich von dem Erste-Schicht-Konvertierungsteil 33 zum Leiterlochteil 20 verbreitet, und zum Abstrahlen der elektromagnetischen Welle, die sich von dem Leiterlochteil 20 zum Konvertierungsteil 33 verbreitet.
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Der Schlitz 42 ist durch Öffnen eines Teils der Masseebene 41 ausgebildet, die in der Zweite-Schicht-innere-Leiterschicht L2 ausgebildet ist. Der Schlitz 42 der ersten Ausführungsform hat eine verlängerte Lochform wie die X-Y-Schnittform des Leiterlochteils 20.
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Der Schlitz 42 ist vorgesehen, um teilweise aber nicht komplett den Leiterlochteil 20 in der Stapelrichtung zu überlappen. Insbesondere ist der Schlitz 42 länger als der Leiterlochteil 20 in der Y-Richtung. Ein Ende in der Y-Richtung des Schlitzes 42 steht weiter in der Y-Richtung von dem Y-Richtungsende des Leiterlochteils 20 hervor. Das andere Ende in der Richtung entgegengesetzt zur Y-Richtung des Schlitzes 42 steht ebenso weiter in der Richtung entgegengesetzt zur Y-Richtung von dem Ende in der Richtung entgegengesetzt zur Y-Richtung des Leiterlochteils 20 hervor.
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Mehrere Außenschichtvias 36 sind den Schlitz 42 in der Peripherie des Schlitzes 42 umgebend vorgesehen. Jedoch ist kein Außenschichtvia 36 in der Umgebung des Verbindungsabschnitts zwischen der Mikrostreifenleitung 31 und dem Konvertierungsteil 33 in der Peripherie des Schlitzes 42 vorgesehen. In anderen Worten existiert ein Abschnitt, der kein Außenschichtvia 36 hat, in der Umgebung des Verbindungsabschnitts in der Schlitzperipherie, in der die Außenschichtvias 36 vorgesehen sind. Jedes Außenschichtvia 36 ist ein sogenanntes IVH, das vorgesehen ist, um elektrisch den Erste-Schicht-Konvertierungsteil 33 und die Zweite-Schicht-Masseebene 41 zu verbinden.
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Spezifische Konfiguration von zweitem Außenschichtteil 5
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In dem zweiten Außenschichtteil 5 sind die zwei Mikrostreifenleitungen 61 und 62 und der Konvertierungsteil 63 in der Achte-Schicht-Leiterschicht L8 vorgesehen, wie vorstehend beschrieben ist. Eine elektrisch geerdete Masseebene 51 ist in der Siebte-Schicht-innere-Leiterschicht L7 vorgesehen.
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Die innere Leiterschicht L7 hat einen Schlitz 52 mit einer elektromagnetischen Abstrahlfunktion. Die elektromagnetische Abstrahlfunktion des Schlitzes 52 ist eine Funktion zum Abstrahlen der elektromagnetischen Welle, die sich von dem Achte-Schicht-Konvertierungsteil 63 zum Leiterlochteil 20 verbreitet, und zum Abstrahlen der elektromagnetischen Welle, die sich von dem Leiterlochteil 20 zum Konvertierungsteil 63 verbreitet.
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Der Schlitz 52 ist durch Öffnen eines Teils der Masseebene 51 ausgebildet, die in der Siebte-Schicht-innere-Leiterschicht L7 ausgebildet ist. Der Schlitz 52 der ersten Ausführungsform hat die gleiche Größe und Form wie der Schlitz 42, der in der Zweite-Schicht-innere-Leiterschicht L2 vorgesehen ist, und ist an der gleichen Position wie der Schlitz 42 in der Stapelrichtung angeordnet. Eine relative Positionsbeziehung des Schlitzes 52 in der inneren Leiterschicht L7 und dem Leiterlochteil 20 ist die gleiche wie die relative Positionsbeziehung des Schlitzes 42 in der inneren Leiterschicht L2 und dem Leiterlochteil 20. Wenn die dielektrische Schicht P1 eine andere Dielektrizitätskonstante als die dielektrische Schicht P7 hat, hat der Schlitz 42 demzufolge eine andere Form oder Größe als der Schlitz 52.
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Mehrere Außenschichtvias 66 sind ebenso den Schlitz 52 in der Peripherie des Schlitzes 52 in der inneren Leiterschicht L7 umgebend vorgesehen. Jedoch ist in der Peripherie des Schlitzes 52 kein Außenschichtvia 66 in der Umgebung des Verbindungsabschnitts der Mikrostreifenleitung 61 und des Konvertierungsteils 63 und in der Umgebung des Verbindungsabschnitts der Mikrostreifenleitung 62 und des Konvertierungsteils 63 vorgesehen. In anderen Worten existiert ein Abschnitt, der kein Außenschichtvia 36 hat, in der Umgebung von jedem der vorstehenden Verbindungsabschnitte in der Schlitzperipherie, in der die Außenschichtvias 66 vorgesehen sind. Jedes Außenschichtvia 66 ist ein sogenanntes IVH, das vorgesehen ist, um elektrisch den Achte-Schicht-Konvertierungsteil 63 und die Siebte-Schicht-Masseebene 51 zu verbinden. In der ersten Ausführungsform sind die Anzahl der Außenschichtvias 66 und die Form, Größe und Positionsbeziehung mit dem Schlitz 52 jedes Außenschichtvias 66 die gleichen wie die Anzahl der Außenschichtvias 36 und die Form, Größe und Positionsbeziehung mit dem Schlitz 42 jedes Außenschichtvias 36 in dem ersten Außenschichtteil 4.
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Wirkungen der ersten Ausführungsform
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Die vorstehend beschriebene erste Ausführungsform erzielt die folgenden Wirkungen (1a) bis (1c).
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(1a) Der erste Außenschichtteil 4 beinhaltet die Erste-Schicht-Leiterschicht L1 als die äußerste Schicht und die Zweite-Schicht-Leiterschicht (innere Leiterschicht) L2. Hierbei ist es beispielsweise beim Fertigen der Mehrschichtübertragungsleitung 1 möglich, vorher den ersten Außenschichtteil 4 separat von dem Innenschichtteil 3 zu erzeugen und den ersten Außenschichtteil 4 auf dem Innenschichtteil 3 mit beispielsweise einem Prepreg dazwischen zu stapeln. Das Prepreg kann ebenso als die dielektrische Schicht P2 verwendet werden, so dass die dielektrische Schicht P2 als ein Haftmittel zum Anhaften des ersten Außenschichtteils 4 an dem Innenschichtteil 3, während es elektrisch als ein Dielektrikum dient.
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Dies ermöglicht es, genau einen Abstand zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht in dem ersten Außenschichtteil 4 aufrechtzuerhalten und wiederum eine gute Hochfrequenzsignalübertragungscharakteristik der Erste-Schicht-Leiterschicht L1 oder gute Operationscharakteristika unterschiedlicher Schaltungselemente, die in der Leiterschicht L1 vorgesehen sind, aufrechtzuerhalten. Demzufolge kann ein Signal erfolgreich durch den Leiterlochteil 20 zwischen der ersten und achten Schicht in der Mehrschichtübertragungsleitung 1 übertragen werden.
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In der ersten Ausführungsform beinhaltet nicht nur der erste Außenschichtteil 4, sondern ebenso der zweite Außenschichtteil 5 die Siebte-Schicht-Leiterschicht (innere Leiterschicht) L7 zusätzlich zur Achte-Schicht-Leiterschicht L8 als die äußerste Schicht. Dies ermöglicht es ebenso, genau einen Abstand zwischen der achten und siebten Schicht in dem zweiten Außenschichtteil 5 aufrechtzuerhalten und wiederum eine gute Hochfrequenzsignalübertragungscharakteristik der Achte-Schicht-Leiterschicht L8 oder gute Operationscharakteristika unterschiedlicher Schaltungselemente (beispielsweise der Antennenelemente 72), die in der Leiterschicht L8 vorgesehen sind, aufrechtzuerhalten. Demzufolge kann ein Signal erfolgreich durch den Leiterlochteil 20 zwischen der ersten und achten Schicht in der Mehrschichtübertragungsleitung 1 übertragen werden.
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(1b) Der Schlitz 42, der die Emissionsfunktion für elektromagnetische Wellen hat, ist in der Zweite-Schicht-innere-Leiterschicht L2 vorgesehen und der Schlitz 52, der die Emissionsfunktion für elektromagnetische Wellen hat, ist ebenso in der Siebte-Schicht-innere-Leiterschicht L7 vorgesehen. Es ist demnach möglich, Dämpfung der elektromagnetischen Welle, die sich zwischen dem Leiterlochteil 20 und jedem der Konvertierungsteile 33 und 63 verbreitet, zu unterdrücken.
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Ferner ist jeder der Schlitze 42 und 52 vorgesehen, um teilweise aber nicht komplett den Leiterlochteil 20 in der Stapelrichtung zu überlappen. Dies ermöglicht ist, die elektromagnetische Abstrahlfunktion von jedem der Schlitze 42 und 52 zu verbessern.
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(1c) Die Schlitze 11a, 11b und die Schlitze 14a, 14b sind in den jeweiligen äußersten Leiterschichten L3 und L6 in dem Innenschichtteil 3 vorgesehen, um Lecken der elektromagnetischen Welle zu unterdrücken. Es ist demnach möglich, Dämpfung der elektromagnetischen Welle, die sich zwischen dem Leiterlochteil 20 und jedem der Konvertierungsteile 33 und 63 verbreitet, wirkungsvoller zu unterdrücken.
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In der ersten Ausführungsform entsprechen der Schlitz 42, der in der Zweite-Schicht-innere-Leiterschicht L2 vorgesehen ist, und der Schlitz 52, der in der Siebte-Schicht-innere-Leiterschicht L7 vorgesehen ist, jeweils einem Beispiel des Abstrahlteils der Offenbarung. Die Schlitze 11a, 11b und die Schlitze 14a, 14b, die in den jeweiligen äußersten Leiterschichten L3 und L6 in dem Innenschichtteil 3 vorgesehen sind, entsprechen jeweils einem Beispiel des Leckageunterdrückungsteils der Offenbarung. Die Mikrostreifenleitung 31, 61 und 62 entsprechen jeweils einem Beispiel der Übertragungsleitung der Offenbarung.
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Zweite Ausführungsform
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Eine zweite Ausführungsform hat die gleiche Basiskonfiguration wie die erste Ausführungsform und wird nun hinsichtlich der Unterschiede zur ersten Ausführungsform beschrieben. Das gleiche Bezugszeichen wie in der ersten Ausführungsform gibt die gleiche Konfiguration an und es wird auf die vorstehende Beschreibung Bezug genommen.
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In der ersten Ausführungsform wurden die Schlitze 42 und 52 jeweils beispielhaft als der Abstrahlteil der Offenbarung veranschaulicht. Andererseits ist in der zweiten Ausführungsform ein Leiterpatch alternativ als der Abstrahlteil der Offenbarung veranschaulicht.
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In einer Mehrschichtübertragungsleitung 100 der zweiten Ausführungsform, wie in 7 und 8 gezeigt ist, ist ein Leiterpatch 102 in der inneren Leiterschicht L7 in dem zweiten Außenschichtteil 5 vorgesehen. Insbesondere ist eine Öffnung 101 in der Masseebene 51 in der inneren Leiterschicht L7 vorgesehen. Das Leiterpatch 102 ist in der Öffnung 101 angeordnet. Das Leiterpatch 102 ist separat von (in anderen Worten, ist galvanisch isoliert von) der Masseebene 51 in der Öffnung 101 angeordnet.
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Die Öffnung 101 hat beispielsweise eine rechteckige Form und das Leiterpatch 102 hat die gleiche rechteckige Form wie die Öffnung 101. Die Öffnung 101 und das Leiterpatch 102 sind jeweils vorgesehen, um teilweise aber nicht komplett den Leiterlochteil 20 in der Stapelrichtung zu überlappen.
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In dem ersten Außenschichtteil 4, wie in 8 illustriert ist, ist ein Leiterpatch 112 ebenso in der inneren Leiterschicht L2 vorgesehen. Insbesondere ist eine Öffnung 111 in der Masseebene 41 in der inneren Leiterschicht L2 vorgesehen. Das Leiterpatch 112 ist in der Öffnung 111 angeordnet. Das Leiterpatch 112 ist abseits von der Masseebene 41 in der Öffnung 111 angeordnet.
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Die Formen, Größen und Positionen der jeweiligen Öffnung 111 und des Leiterpatches 112 in der inneren Leiterschicht L2 sind im Wesentlichen die gleichen wie die Formen, Größen und Positionen der jeweiligen Öffnung 101 und des Leiterpatches 102 in der inneren Leiterschicht L7. Wenn die dielektrische Schicht P1 und die dielektrische Schicht P7 unterschiedliche Dielektrizitätskonstanten haben, haben mindestens die Leiterpatches 112 und 102 oder mindestens die Öffnungen 111 und 101 unterschiedliche Formen oder Größen.
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Die jeweiligen Leiterpatches 102 und 112 haben elektromagnetische Abstrahlfunktionen wie bei den jeweiligen Schlitzen 42 und 52 in den inneren Leiterschichten L2 und L7 in der ersten Ausführungsform. Die Mehrschichtübertragungsleitung 100 der zweiten Ausführungsform bringt demnach die gleichen Wirkungen wie die Mehrschichtübertragungsleitung der ersten Ausführungsform mit.
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Weitere Ausführungsformen
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Obwohl manche Ausführungsformen der Offenbarung beschrieben wurden, ist die Offenbarung nicht darauf beschränkt und unterschiedliche Modifikationen können getätigt werden.
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3-1 Obwohl die Schlitze 42 und 52, die die Schnittform (im Detail die Schnittform parallel zur X-Y-Ebene) mit der verlängerten Lochform haben, beispielhaft als der Abstrahlteil der Offenbarung in der ersten Ausführungsform veranschaulicht wurden, können die Schlitze 42 und 52 irgendeine andere Schnittform haben. Ferner muss die Schnittform des Leiterlochteils 20 nicht nur die verlängerte Lochform sein, sondern kann auch irgendeine andere Form sein.
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Eine relative Positionsbeziehung zwischen jedem der Schlitze 42 und 52 und dem Leiterlochteil 20 und eine Schnittgrößenbeziehung zwischen den zwei sind ebenso nicht auf die beschränkt, die in der ersten Ausführungsform beschrieben sind.
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Wenn beispielsweise der Schlitz 42 in der Stapelrichtung (Z-Richtung) von außerhalb der Mehrschichtübertragungsleitung 1 betrachtet wird, kann der Schlitz 42 komplett in der Region des Leiterlochteils 20 enthalten sein oder umgekehrt kann der Leiterlochteil 20 komplett in der Region des Schlitzes 42 enthalten sein (das heißt, der Schlitz 42 kann den gesamten Leiterlochteil 20 bedecken) oder der Schlitz 42 kann nur einen Teil des Leiterlochteils 20 überlappen.
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3-2 Obwohl die Leiterpatches 102 und 112, die jeweils die Schnittform der rechteckigen Form haben, jeweils beispielhaft als der Abstrahlteil der Offenbarung in der zweiten Ausführungsform veranschaulicht wurden, können die Leiterpatches 102 und 112 jeweils irgendeine andere Schnittform haben.
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Eine relative Positionsbeziehung zwischen jedem der Leiterpatches 102 und 112 und dem Leiterlochteil 20 und eine Schnittgrößenbeziehung zwischen den zwei sind ebenso nicht auf die beschränkt, die in der zweiten Ausführungsform beschrieben sind.
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Wenn beispielsweise der Leiterpatch 102 in der Stapelrichtung (Z-Richtung) von außerhalb der Mehrschichtübertragungsleitung 1 betrachtet wird, kann der Leiterpatch 102 komplett in der Region des Leiterlochteils 20 enthalten sein oder umgekehrt kann der Leiterlochteil 20 komplett in der Region des Leiterpatches 102 enthalten sein (das heißt, der Leiterpatch 102 kann den gesamten Leiterlochteil 20 bedecken) oder der Leiterpatch 102 kann nur einen Teil des Leiterlochteils 20 überlappen.
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3-3 Obwohl die Schlitze 11a, 11b und die Schlitze 14a, 14b jeweils als der Leckageunterdrückungsteil der Offenbarung in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beispielhaft veranschaulicht wurden, kann der Leckageunterdrückungsteil irgendeine Schnittform oder irgendeine Größe haben und kann an irgendeiner Position in jeder äußersten Leiterschicht (jeder der dritten und sechsten Schicht in den Ausführungsformen) in dem Innenschichtteil 3 vorgesehen sein.
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Der Leckageunterdrückungsteil kann in nur einer der zwei Seiten des Innenschichtteils 3 vorgesehen sein. Für die Innenschichtvias 16 und 17 zum Verstärken der Wirkung des Leckageunterdrückungsteils können die Innenschichtvias in beliebiger Anzahl vorgesehen sein, können irgendeine Schnittform haben und können in irgendeiner Positionsbeziehung zu dem Leckageunterdrückungsteil vorgesehen sein.
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3-4 Die Anzahl der Leiterschichten muss nicht acht sein, sondern kann irgendeine Anzahl von fünf oder mehr sein.
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Obwohl die Anzahl der Leiterschichten in dem Innenschichtteil 3 in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen vier ist, kann die Anzahl irgendeine Anzahl von zwei oder mehr sein.
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Obwohl die Anzahl der Leiterschichten in jedem des ersten und zweiten Leiterschichtteils 4 und 5 in den vorstehend beschriebenen jeweiligen Ausführungsformen zwei ist, kann die Anzahl drei oder mehr sein. Wenn der Außenschichtteil mindestens drei Leiterschichten hat, können die mehreren inneren Leiterschichten außer der Leiterschicht, die die äußerste Schicht in dem Außenschichtteil darstellt, jeweils eine Öffnung an einer Position haben, die den Leiterlochteil 20 in der Z-Richtung überlappt. Ein Abstrahlteil (beispielsweise Schlitz) kann in der Öffnung von mindestens einer der inneren Leiterschichten vorgesehen sein.
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Nur einer der ersten und zweiten Außenschichtteile 4 und 5 kann mehrere Leiterschichten haben, während der andere nur eine Leiterschicht hat.
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3-5 Mehrere Funktionen, die durch eine Komponente in den vorstehend beschriebenen jeweiligen Ausführungsformen gezeigt werden können durch mehrere Komponenten erreicht werden oder eine Funktion, die durch eine Komponente gezeigt wird, kann durch mehrere Komponenten erreicht werden. Ferner können mehrere Funktionen, die durch mehrere Komponenten gezeigt werden, durch eine Komponente erreicht werden oder eine Funktion, die durch mehrere Komponenten erreicht wird, kann durch eine Komponente erreicht werden. Eine Konfiguration von einer der Ausführungsformen kann teilweise weggelassen werden. Mindestens ein Teil einer Konfiguration von einer der Ausführungsformen kann zu einer Konfiguration einer anderen der Ausführungsformen hinzugefügt werden oder durch diese ersetzt werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 2018068270 A [0001]
- JP 2014165529 B [0005]
