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Die vorliegende Offenbarung betrifft eine elektronische Vorrichtung.
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Eine integrierte Hochfrequenzschaltung (Hochfrequenz-IC), die eine Signalverarbeitung eines Hochfrequenzsignals ausführt, ist auf einer Verdrahtungsplatine bzw. Leiterplatte montiert, die innerhalb einer elektronischen Vorrichtung wie einem Millimeterwellenradar angeordnet ist. Hinsichtlich dieser Verdrahtungsplatine ist es erforderlich, die Rauigkeit von aus Metallfolie wie beispielsweise Kupferfolie hergestellter Verdrahtung zu reduzieren, um den Verlust während der Signalübertragung zu minimieren. Wenn jedoch die Rauigkeit der Verdrahtung reduziert wird, wird eine Verankerungswirkung reduziert und eine Ablösefestigkeit wird verringert. Daher kann die Verdrahtung durch das Gewicht von elektronischen Bauteilen bei Vibrationen oder Stößen gelöst werden.
JP 2001-102 696 A offenbart, dass das Lösen der Verdrahtung nicht auftritt, selbst wenn die Verdrahtungsbreite der Verdrahtung schlanker gemacht wird und die Rauigkeit verringert wird; oder der Verlust zum Zeitpunkt der Signalübertragung nicht beeinflusst wird, selbst wenn die Rauigkeit an der Grenzfläche zwischen einem Massepegel und einer Isolierschicht größer gemacht wird.
JP 2001-102696 A offenbart eine Konfiguration, die das Minimieren des Verlusts zum Zeitpunkt der Signalübertragung und das Verbessern sowohl der Vibrationsfestigkeit als auch der Stoßfestigkeit der elektronischen Komponenten erreicht, indem (i) die Breite der Verdrahtung dünner gemacht wird, um die Rauigkeit zu reduzieren; und (ii) die Rauigkeit der Grenzfläche zwischen der Masseschicht und der Isolierschicht vergrößert wird.
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Hinsichtlich der Konfiguration, die in
JP 2001-102696 A offenbart ist, ist es jedoch erforderlich, dass die Verdrahtungsbreite in sehr kleiner Größe wie beispielsweise weniger als 0,5 mm hergestellt wird. Demnach gibt es eine Einschränkung beim Konfigurieren der Verdrahtungsbreite.
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine elektronische Vorrichtung bereitzustellen, die eine Verringerung des Verlusts während der Signalübertragung und eine Verbesserung sowohl der Vibrationsfestigkeit als auch der Stoßfestigkeit der elektronischen Komponenten erreicht, ohne eine Beschränkung bei der Konfiguration der Breite der verwendeten Verdrahtung zu haben, die zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals verwendet wird.
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Eine elektronische Vorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet: ein Gehäuse; und eine Mehrschichtverdrahtungsplatine einschließlich einer Isolierschicht. Die Mehrschichtverdrahtungsplatine ist innerhalb des Gehäuses angeordnet. Die elektronische Vorrichtung beinhaltet ferner: einen Oberflächenschichtleiter, der an einer vorderen Oberfläche der Mehrschichtverdrahtungsplatine angeordnet ist und der eine elektronische Hochfrequenzkomponente aufweist, die auf dem Oberflächenschichtleiter angebracht ist; eine Hochfrequenzleiterschicht, die innerhalb der Mehrschichtverdrahtungsplatine angeordnet ist, um elektrisch mit dem Oberflächenschichtleiter verbunden zu sein, und die eine Verdrahtung aufweist, die konfiguriert ist, um ein Hochfrequenzsignal zu übertragen; und eine Masseschicht, die innerhalb der Mehrschichtverdrahtungsplatine angeordnet ist und eine Breite aufweist, die größer als eine Breite der Hochfrequenzleiterschicht ist. Zusätzlich hat die Isolierschicht ein niederdielektrisches Basismaterial, das zumindest zwischen der Hochfrequenzleiterschicht und der Masseschicht angeordnet ist. Die Verdrahtung weist eine Oberfläche auf, die der Masseschicht zugewandt ist, und eine Rauigkeit der Oberfläche der Verdrahtung, die der Masseschicht zugewandt ist, ist kleiner als eine vorbestimmte Rauigkeit. Ferner ist eine Rauigkeit einer Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter und der Isolierschicht größer als die vorbestimmte Rauigkeit.
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Wie vorstehend beschrieben ist, ist die Hochfrequenzleiterschicht nicht auf der Oberfläche der Mehrschichtverdrahtungsplatine angeordnet, wo die hohe Ablösefestigkeit erforderlich ist, sondern ist innerhalb der Mehrschichtverdrahtungsplatine angeordnet, wo ein Ablösen der Verdrahtung nicht wahrscheinlich ist. Zusätzlich weist die Verdrahtung zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals eine Oberfläche auf, die der Masseschicht zugewandt ist. Da die Rauigkeit der Oberfläche, die der Masseschicht zugewandt ist, so konfiguriert ist, dass sie kleiner als eine vorbestimmte Rauigkeit ist, kann der Verlust während der Signalübertragung reduziert werden, ohne dass die Verdrahtungsbreite eingeschränkt wird. Darüber hinaus ist der Oberflächenschichtleiter auf der Oberfläche der Mehrschichtverdrahtungsplatine angeordnet. Da die Rauigkeit der Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter und der Isolierschicht konfiguriert ist, um größer als die vorbestimmte Rauigkeit zu sein, können Verankerungswirkung und Ablösefestigkeit erhöht werden. Dementsprechend erreicht die vorstehend erwähnte Konfiguration eine Reduzierung des Verlustes während der Signalübertragung und eine Verbesserung sowohl der Vibrationsfestigkeit als auch der Stoßfestigkeit der elektronischen Komponenten, ohne eine Beschränkung beim Konfigurieren der Breite der Verdrahtung zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals zu haben.
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Die vorstehenden und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung in Zusammenschau mit den Zeichnungen deutlicher. Es zeigen:
- 1 eine Querschnittsseitenansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform;
- 2 eine Querschnittsseitenansicht eines Teils einer Mehrschichtverdrahtungsplatine;
- 3 ein Graph, der eine Beziehung zwischen einer Rauigkeit und einem Verlust während der Signalübertragung darstellt;
- 4 eine Querschnittsseitenansicht eines Abschnitts einer Mehrschichtverdrahtungsplatine gemäß einer zweiten Ausführungsform;
- 5 eine Querschnittsseitenansicht eines Abschnitts einer Mehrschichtverdrahtungsplatine gemäß einer dritten Ausführungsform;
- 6 eine Querschnittsseitenansicht eines Abschnitts einer Mehrschichtverdrahtungsplatine gemäß einer vierten Ausführungsform; und
- 7 eine Querschnittsseitenansicht eines Abschnitts einer Mehrschichtverdrahtungsplatine und eines Abschnitts eines Gehäuses gemäß einer fünften Ausführungsform;
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(Erste Ausführungsform)
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Nachfolgend wird eine erste Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gemäß 1 bis 3 beschrieben. Eine elektronische Vorrichtung 1 verarbeitet beispielsweise ein Millimeterwellenradarsignal. Wie in 1 dargestellt ist, ist in Bezug auf die elektronische Vorrichtung 1 ein Gehäuse 2 durch ein oberes Element 3 und ein unteres Element 4 konfiguriert, die miteinander verbunden sind und aus einem nichtmetallischen Element bestehen. Irgendein Haftmittel wie Schrauben oder Klebemittel kann zum Verbinden des oberen Elements 3 und des unteren Elements 4 verwendet werden. Zusätzlich kann das untere Element 4 aus einem metallischen Element bestehen.
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Die Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 ist innerhalb des Gehäuses 2 angeordnet. Die Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 ist auf einen Installationsabschnitt 4a, 4b des unteren Elements 4 mit einer Schraube 6a, 6b geschraubt, um an dem Endteil in der In-Ebenen-Richtung der Leiterplatte fixiert zu sein. Die Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 kann beispielsweise jedoch auch auf dem unteren Element 4 fixiert werden, indem sie durch Gummi gehalten wird. Ein Hochfrequenz-IC 7 (entsprechend einer Hochfrequenzelektronikkomponente), der ein Hochfrequenzsignal von mindestens 1 GHz verarbeitet, ist auf einer oberen Oberfläche 5a der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 angebracht. Vier Niederfrequenz-ICs 8 bis 11, die ein niederfrequentes Signal verarbeiten, sind auf der unteren Oberfläche 5b der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 montiert. Die Anzahl der Hochfrequenz-ICs oder die Anzahl der Niederfrequenz-ICs ist nicht auf den vorstehenden Fall beschränkt.
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Im Folgenden wird beschrieben, wie der Hochfrequenz-IC 7 und der Niederfrequenz-IC 8 montiert sind. In Bezug auf die Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 ist die gesamte Struktur von der oberen Oberfläche 5a zu der unteren Oberfläche 5b eine Isolierschicht 12. Die Isolierschicht 12 ist aus einem niederdielektrischen Basismaterial 13 aufgebaut. Das niederdielektrische Basismaterial 13 besteht aus einem Material mit einer Dielektrizitätskonstante von weniger als oder gleich 3,5 bei beispielsweise 1 GHz.
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Die Oberflächenschichtleiter 14, 15, die aus einer Metallfolie wie beispielsweise einer Kupferfolie hergestellt sind, sind auf der oberen Oberfläche 5a der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 angeordnet. Der Hochfrequenz-IC 7 ist elektrisch mit den Oberflächenschichtleitern 14, 15 durch Lot 16, 17 verbunden und ist auf der oberen Oberfläche 5a der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 montiert. Die Oberflächenschichtleiter 18 bis 20, die aus einer Metallfolie wie beispielsweise einer Kupferfolie hergestellt sind, sind auf der unteren Oberfläche 5b der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 angeordnet. Der Niederfrequenz-IC 8 ist elektrisch mit den Oberflächenschichtleitern 19, 20 durch Lot 21, 22 verbunden und ist auf der unteren Oberfläche 5b der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 montiert. Es ist zu beachten, dass die Niederfrequenz-ICs 9 bis 11 auch auf der unteren Oberfläche 5b der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 montiert sind.
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Eine Hochfrequenzleiterschicht 23, eine Masseschicht 24 und Niederfrequenzleiterschichten 25 bis 27 sind von der oberen Oberfläche 5a zu der unteren Oberfläche 5b innerhalb der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 angeordnet. Die Hochfrequenzleiterschicht 23 beinhaltet eine Verdrahtung mit einer Breite von weniger als oder gleich 1 mm zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals, das von dem Hochfrequenz-IC 7 verarbeitet wird, und ist elektrisch mit dem Oberflächenschichtleiter 15 über ein Durchgangsloch 28 verbunden. Die auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 ausgebildete Verdrahtung weist ein Antennenmuster zum Senden oder Empfangen eines Hochfrequenzsignals (entsprechend einem Drahtlossignal) auf. Die Hochfrequenzleiterschicht 23 kann auch elektrisch mit dem Oberflächenschichtleiter 14 durch ein Durchgangsloch (nicht gezeigt) verbunden sein. Im Hinblick auf eine derartige Konfiguration wird das Hochfrequenzsignal, das von dem Hochfrequenz-IC 7 verarbeitet wird, durch das Durchgangsloch 28 zwischen dem Oberflächenschichtleiter 15 und der Hochfrequenzleiterschicht 23 übertragen. Die Übertragungsdistanz des Hochfrequenzsignals, das in einer In-Ebenen-Richtung in Bezug auf die Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 an dem Oberflächenschichtleiter 15 übertragen werden soll, ist kleiner oder gleich 10 mm. Die Masseschicht 24 weist eine Verdrahtung mit einer Breite von größer oder gleich 1 mm auf und ist so konfiguriert, dass sie eine größere Breite als die Breite der Hochfrequenzleiterschicht 23 aufweist. Die Masseschicht 24 fungiert als eine Masse des Antennenmusters. Jede der Niederfrequenzleiterschichten 25 bis 27 hat eine Verdrahtung, die konfiguriert ist, um ein Niederfrequenzsignal zu übertragen, und kann auch elektrisch mit den Oberflächenschichtleitern 18 bis 20 durch ein Durchgangsloch (nicht gezeigt) verbunden sein.
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Die auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 gebildete Verdrahtung hat eine Oberfläche 23a und eine Oberfläche 23b. Die Rauigkeit der Oberfläche 23b, die der Masseschicht 24 zugewandt ist, wird gefertigt, um kleiner als eine vorbestimmte Rauigkeit zu sein. Mit einer derartigen Konfiguration wird der Verlust eines Hochfrequenzsignals durch die Verdrahtung der Hochfrequenzleiterschicht 23 während der Signalübertragung reduziert. Der Oberflächenschichtleiter 14 hat eine Oberfläche 14a und eine Oberfläche 14b und der Oberflächenschichtleiter 15 hat eine Oberfläche 15a und eine Oberfläche 15b. Die Rauigkeit der Oberfläche 14b, die in Kontakt mit der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 steht, wird gefertigt, um größer als eine vorbestimmte Rauigkeit zu sein. Die Oberfläche 14b ist eine Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter 14 und der Isolierschicht 12. In ähnlicher Weise wird auch die Rauigkeit der Oberfläche 15b, die ebenfalls in Kontakt mit der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 ist, größer gefertigt als eine vorbestimmte Rauigkeit. Die Oberfläche 15b ist eine Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter 15 und der Isolierschicht 12. Mit einer derartigen Konfiguration wird die Verankerungswirkung an der Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter 14 und der Isolierschicht 12 und an der Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter 15 und der Isolierschicht 12 verstärkt und die Ablösefestigkeit wird erhöht.
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Die auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 gebildete Verdrahtung hat eine Oberfläche 23a und eine Oberfläche 23b. Die Rauigkeit der Oberfläche 23a, die dem Oberflächenschichtleiter 15 zugewandt ist, kann beliebig konfiguriert sein. Alternativ können die Rauigkeit der Oberfläche 14a, die nicht in Kontakt mit der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 ist, und die Rauigkeit der Oberfläche 15a, die nicht in Kontakt mit der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 ist, auch beliebig konfiguriert sein. Darüber hinaus kann die Rauigkeit irgendeiner der Oberflächen 24a und 24b der Masseschicht 24 auch beliebig konfiguriert sein.
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3 illustriert die Beziehung zwischen der Rauigkeit der Oberfläche 23b der Verdrahtung, die der Masseschicht 24 zugewandt ist, und dem Verlust während der Signalübertragung. In dieser Situation hat die auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 ausgebildete Verdrahtung eine Breite von 1 mm und die auf der Masseschicht 24 ausgebildete Verdrahtung hat eine Breite von 1 mm oder mehr. In einer Situation, in der der Toleranzverlust der elektronischen Vorrichtung 1 als ein Produkt auf 1 dB/10 mm oder kleiner festgelegt ist, überschreitet der gemessene Verlust während der Signalübertragung nicht den Toleranzverlust, wenn die Rauigkeit konfiguriert ist, um etwa 0,2 um und etwa 0,3 zu sein. Jedoch überschreitet der gemessene Verlust während der Signalübertragung den Toleranzverlust, wenn die Rauigkeit konfiguriert ist, um etwa 2 um zu sein. Die Rauigkeit wird als ein arithmetischer Mittelwert einer Rauigkeit (Ra) angegeben und wird als ein Parameter in einer Höhenrichtung angegeben. Mit anderen Worten, wenn die auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 gebildete Verdrahtung eine Breite von 1 mm aufweist und die auf der Masseschicht 24 gebildete Verdrahtung eine Breite von 1 mm oder mehr aufweist, kann der Verlust während der Signalübertragung reduziert werden, so dass er gleich oder kleiner als der Toleranzverlust für die elektronische Vorrichtung 1 ist, der ein Produkt darstellt, wenn die Rauigkeit der Oberfläche 23b der Verdrahtung, die der Masseschicht 24 zugewandt ist, so konfiguriert, dass sie ungefähr 0,4 um oder kleiner ist.
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Gemäß der vorstehend beschriebenen ersten Ausführungsform können die folgenden Wirkungen erzielt werden.
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Für die elektronische Vorrichtung 1 ist die Hochfrequenzleiterschicht 23 nicht an der Oberfläche der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 angeordnet, wo eine hohe Ablösefestigkeit erforderlich ist, sondern ist innerhalb der elektronischen Vorrichtung 1 angeordnet, wo das Ablösen der Verdrahtung unwahrscheinlich ist. Da die Rauigkeit der Oberfläche 23b der Verdrahtung, die der Masseschicht 24 zugewandt ist, so konfiguriert ist, dass sie kleiner als eine vorbestimmte Rauigkeit ist, kann der Verlust während der Signalübertragung verringert werden, ohne die Breite der Verdrahtung einzuschränken. Zusätzlich sind die Oberflächenschichtleiter 14 und 15 auf der Oberfläche der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 angeordnet und die Rauigkeit der Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter 14 oder 15 und der Isolierschicht 12 ist so konfiguriert, dass sie größer ist als eine vorbestimmte Rauigkeit. Demnach wird die Verankerungswirkung verstärkt und die Ablösefestigkeit wird ebenfalls erhöht. Dementsprechend erzielt die erste Ausführungsform eine Verringerung des Verlusts während der Signalübertragung und eine Verbesserung sowohl der Vibrationsfestigkeit als auch der Stoßfestigkeit des Hochfrequenz-IC 7, ohne eine Beschränkung bei der Konfiguration der Breite der Verdrahtung zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals zu haben.
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Da das niederdielektrische Basismaterial 13 zwischen der Hochfrequenzleiterschicht 23 und der Masseschicht 24 in der elektronischen Vorrichtung 1 angeordnet ist, kann der Verlust eines Hochfrequenzsignals, das von der unteren Oberfläche 23b der Verdrahtung, die auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 ausgebildet ist, zu der Masseschicht 24 übertragen wird, unterdrückt werden. Da zusätzlich das niederdielektrische Basismaterial 13 auch zwischen dem Oberflächenschichtleiter 14 oder 15 und der Masseschicht 24 in der elektronischen Vorrichtung 1 angeordnet ist, kann der Verlust eines Hochfrequenzsignals, das von der oberen Oberfläche 23a der Verdrahtung, die auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 ausgebildet ist, zu der Masseschicht 24 übertragen wird, ebenfalls unterdrückt werden.
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(Zweite Ausführungsform)
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Nachfolgend wird eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 4 beschrieben. In der ersten Ausführungsform ist die gesamte Isolierschicht 12 in der Mehrschichtverdrahtungsplatine 5 durch das niederdielektrische Basismaterial 13 konfiguriert. Im Gegensatz dazu ist in der zweiten Ausführungsform ein Abschnitt einer Isolierschicht in der Mehrschichtverdrahtungsplatine durch ein Basismaterial mit hoher Ablösefestigkeit konfiguriert.
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Die gesamte Mehrschichtverdrahtungsplatine 31 von ihrer oberen Oberfläche 31a zu ihrer unteren Oberfläche 31b ist eine Isolierschicht 32. Die Isolierschicht 32 beinhaltet vier Schichten: ein Basismaterial 33 mit hoher Ablösefestigkeit; ein erstes niederdielektrisches Basismaterial 34; ein zweites niederdielektrisches Basismaterial 35; und ein Basismaterial 36 mit hoher Ablösefestigkeit, die in dieser Reihenfolge von der oberen Oberfläche 31a der Mehrschichtverdrahtungsplatine 31 zu der unteren Oberfläche 31b der Mehrschichtverdrahtungsplatine 31 gestapelt sind. Die Basismaterialien 33, 36 mit hoher Ablösefestigkeit enthalten beispielsweise hochelastisches Harz. An der Grenzfläche zwischen dem ersten niederdielektrischen Basismaterial 34 und dem Basismaterial 33 mit hoher Ablösefestigkeit ist die Hochfrequenzleiterschicht 23 auf der Seite des ersten niederdielektrischen Basismaterials 34 angeordnet. An der Grenzfläche zwischen dem ersten niederdielektrischen Basismaterial 34 und dem zweiten niederdielektrischen Basismaterial 35 ist die Masseschicht 24 auf der Seite des ersten niederdielektrischen Basismaterials 34 angeordnet. Die Niederfrequenzleiterschicht 25 ist innerhalb des zweiten niederdielektrischen Basismaterials 35 angeordnet. An der Grenzfläche zwischen dem zweiten niederdielektrischen Basismaterial 35 und dem Basismaterial 36 mit hoher Ablösefestigkeit ist jede der Niederfrequenzleiterschichten 26, 27 auf der Seite des zweiten niederdielektrischen Basismaterials 35 angeordnet.
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Mit einer derartigen Konfiguration wird in einer Situation, in der das von dem Hochfrequenz-IC 7 verarbeitete Hochfrequenzsignal nahezu nicht zu den Oberflächenschichtleitern 14, 15 in einer In-Ebenen-Richtung bezüglich der Platine übertragen wird, das Hochfrequenzsignal aber zu der Hochfrequenzleiterschicht 23 in einer In-Ebenen-Richtung bezüglich der Platine übertragen wird, das Basismaterial 33 mit hoher Ablösungsfestigkeit zwischen dem Oberflächenschichtleiter 14 oder 15 und der Hochfrequenzleiterschicht 23 aufgebracht, so dass der dielektrische Verlust zwischen dem Oberflächenschichtleiter 14 oder 15 und der Hochfrequenzleiterschicht 23 nicht auftritt. Es ist zu beachten, dass das Basismaterial 33 mit hoher Ablösefestigkeit auch in der Schicht auf der Seite des Hochfrequenz-IC 7 angeordnet sein kann. Ferner muss das Basismaterial 36 mit hoher Ablösefestigkeit nicht in der Schicht bei dem Niederfrequenz-IC 8 angeordnet sein.
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Die vorstehend beschriebene zweite Ausführungsform erreicht die funktionellen Wirkungen ähnlich denen in der ersten Ausführungsform. Da das Basismaterial 33 mit hoher Ablösefestigkeit direkt unter den Oberflächenschichtleitern 14, 15 angeordnet ist, wird außerdem sowohl die Vibrationsfestigkeit als auch die Stoßfestigkeit des Hochfrequenz-IC 7 weiter verbessert.
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(Dritte Ausführungsform)
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Nachfolgend wird eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 5 beschrieben. In der ersten Ausführungsform weist die Hochfrequenzleiterschicht 23 nur eine Schicht auf. Im Gegensatz dazu weist in der dritten Ausführungsform die Hochfrequenzleiterschicht zwei Schichten auf.
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Die gesamte Mehrschichtverdrahtungsplatine 41 von ihrer oberen Oberfläche 41a zu ihrer unteren Oberfläche 41b ist eine Isolierschicht 42. Die Isolierschicht 42 beinhaltet drei Schichten: ein zweites niederdielektrisches Basismaterial 44, ein erstes niederdielektrisches Basismaterial 43 und das zweite niederdielektrische Basismaterial 44, die in dieser Reihenfolge von der oberen Oberfläche 41a der Mehrschichtverdrahtungsplatine 41 zur unteren Oberfläche 41b der Mehrschichtverdrahtungsplatine 41 gestapelt sind. An der Grenzfläche zwischen einem oberseitigen zweiten niederdielektrischen Basismaterial 44 und dem ersten niederdielektrischen Basismaterial 43, ist die Hochfrequenzleiterschicht 23 an dem ersten niederdielektrischen Basismaterial 43 angeordnet. Die Masseschicht 24 ist innerhalb des ersten niederdielektrischen Basismaterials 43 angeordnet. An der Grenzfläche zwischen dem ersten niederdielektrischen Basismaterial 43 und dem unteren zweiten niederdielektrischen Basismaterial 44 ist die Hochfrequenzleiterschicht 45 auf der Seite des ersten niederdielektrischen Basismaterials 43 angeordnet und elektrisch mit dem Oberflächenschichtleiter 14 durch ein Durchgangsloch 46 verbunden. Jede der Niederfrequenzleiterschichten 25 bis 27 ist innerhalb des zweiten niederdielektrischen Basismaterials 44 angeordnet.
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Die auf der Hochfrequenzleiterschicht 45 ausgebildete Verdrahtung hat eine Oberfläche 45a und eine Oberfläche 45b. Die Rauigkeit der Oberfläche 45a, die der Masseschicht 24 zugewandt ist, ist so konfiguriert, dass sie kleiner als eine vorbestimmte Rauigkeit ist. Mit einer solchen Konfiguration wird der Verlust eines Hochfrequenzsignals, das durch die auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 gebildete Verdrahtung übertragen wird, während der Signalübertragung reduziert und der Verlust eines Hochfrequenzsignals, das durch die auf der Hochfrequenzleiterschicht 45 gebildete Verdrahtung übertragen wird, wird während der Signalübertragung reduziert.
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Die vorstehend beschriebene dritte Ausführungsform erreicht die funktionellen Wirkungen ähnlich denen in der ersten Ausführungsform, selbst wenn die Hochfrequenzleiterschichten 24, 45 als zwei Schichten konfiguriert sind. Dementsprechend ist der Freiheitsgrad für die Verdrahtung zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals verbessert, indem die Hochfrequenzleiterschichten 24, 45 als zwei Schichten konfiguriert werden. Die Hochfrequenzleiterschicht kann so konfiguriert sein, dass sie drei oder mehr Schichten aufweist.
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(Vierte Ausführungsform)
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Das Folgende beschreibt eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 6. In der ersten Ausführungsform ist ein Antennenmuster auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 ausgebildet. Im Gegensatz dazu ist in der vierten Ausführungsform das Antennenmuster auf dem Oberflächenschichtleiter 55 ausgebildet.
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Die gesamte Mehrschichtverdrahtungsplatine 51 von ihrer oberen Oberfläche 51a zu der unteren Oberfläche 51b ist eine Isolierschicht 52. Die Isolierschicht 52 beinhaltet zwei Schichten: ein erstes niederdielektrisches Basismaterial 53 und ein zweites niederdielektrisches Basismaterial 54, die in dieser Reihenfolge von der oberen Oberfläche 51a der Mehrschichtverdrahtungsplatine 51 zu der unteren Oberfläche 51b der Mehrschichtverdrahtungsplatine 51 gestapelt sind. Die Hochfrequenzleiterschicht 23 ist innerhalb des ersten niederdielektrischen Basismaterials 53 angeordnet. Die Hochfrequenzleiterschicht 23 ist elektrisch mit dem Oberflächenschichtleiter 15 durch ein Durchgangsloch 28 verbunden und ist elektrisch mit dem Oberflächenschichtleiter 55 durch ein Durchgangsloch 56 verbunden. Das Antennenmuster ist auf dem Oberflächenschichtleiter 55 ausgebildet. Jede der Niederfrequenzleiterschichten 25 bis 27 ist innerhalb des zweiten niederdielektrischen Basismaterials 54 angeordnet.
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In dieser Situation hat der Oberflächenschichtleiter 55 eine Oberfläche 55a und eine Oberfläche 55b. Die Oberfläche 55b steht in Kontakt mit der Mehrschichtverdrahtungsplatine 51. Die Rauigkeit der Oberfläche 55b, die die Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter 55 und der Isolierschicht 52 ist, ist so konfiguriert, dass sie größer als eine vorbestimmte Rauigkeit ist. Mit dieser Konfiguration werden die Verankerungswirkung und die Ablösefestigkeit nicht nur an der Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter 14 oder 15 und der Isolierschicht 52 verbessert, sondern werden auch an der Grenzfläche zwischen dem Oberflächenschichtleiter 55 und der Isolierschicht 32 verbessert.
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Die vierte Ausführungsform, in der ein Antennenmuster auf dem Oberflächenschichtleiter 55 ausgebildet ist, erzielt die funktionellen Wirkungen ähnlich denen in der ersten Ausführungsform. Zusätzlich kann die Emission und das Einfangen einer Funkwelle durch Ausbilden eines Antennenmusters auf dem Oberflächenschichtleiter 55 im Vergleich zu der Situation erreicht werden, in der ein Antennenmuster auf der Hochfrequenzleiterschicht 23 innerhalb der Mehrschichtverdrahtungsplatine 51 gebildet wird.
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(Fünfte Ausführungsform)
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Nachfolgend wird eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 7 beschrieben. In der ersten Ausführungsform ist das obere Seitenelement 3 des Gehäuses 2 aus einem nichtmetallischen Element gefertigt. Im Gegensatz dazu ist in der fünften Ausführungsform ein oberes Element eines Gehäuses sowohl aus einem nichtmetallischen Element als auch einem metallischen Element gefertigt.
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Die Mehrschichtverdrahtungsplatine 51, die in der vierten Ausführungsform beschrieben ist, ist innerhalb eines Gehäuses 61 angeordnet. Ein oberes Seitenelement 62 des Gehäuses 61 weist einen oberen Seitenabschnitt des Oberflächenschichtleiters 55 auf, mit anderen Worten einen Abschnitt, der einer Emissionsrichtung einer Funkwelle von einem Antennenmuster zugewandt ist, oder einen Abschnitt, der einer Einfallsrichtung einer Funkwelle hin zum Antennenmuster zugewandt ist, der durch ein nichtmetallisches Element 63 konfiguriert ist. Der Abschnitt außer dem oberen Seitenabschnitt des Oberflächenschichtleiters 55, das heißt, der obere Abschnitt des Hochfrequenz-IC 7, ist aus einem metallischen Element 64 hergestellt. Ein Wärmeleitungsgel 65 (das einem Wärmeleitelement entspricht) ist zwischen dem Hochfrequenz-IC 7 und dem metallischen Element 64 angeordnet.
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Die vorstehend beschriebene fünfte Ausführungsform erreicht die funktionellen Wirkungen ähnlich denen in der ersten Ausführungsform. Da der obere Abschnitt des Oberflächenschichtleiters 55 aus einem nichtmetallischen Element 63 gefertigt ist, kann die Emission und das Einfangen einer Funkwelle durchgeführt werden. Da ferner der obere Abschnitt des Hochfrequenz-IC 7 aus einem metallischen Element 64 besteht und das Wärmeleitgel 65 wischen dem Hochfrequenz-IC 7 und dem metallischen Element 64 angeordnet ist, kann die thermische Emission von dem Hochfrequenz-IC 7 beschleunigt werden. Es wird angemerkt, dass das Wärmeleitungsgel 65 weggelassen werden kann.
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(Weitere Ausführungsform)
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Während die vorliegende Offenbarung unter Bezugnahme auf ihre Ausführungsformen beschrieben wurde, ist es ersichtlich, dass die Offenbarung nicht auf die Ausführungsformen und Konstruktionen beschränkt ist. Die vorliegende Offenbarung soll verschiedene Modifikationen und äquivalente Anordnungen abdecken. Neben den verschiedenen Kombinationen und Konfigurationen, sind andere Kombinationen und Konfigurationen, einschließlich mehr, weniger oder nur eines einzelnen Elements ebenfalls innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Offenbarung.
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Die vorliegende Offenbarung kann auf jede elektronische Vorrichtung angewandt werden, die ein Hochfrequenzsignal nicht nur eines Millimeterwellenradars, sondern beispielsweise auch eines Mikrowellenradars verarbeitet.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 2001102696 A [0002, 0003]
