DE112018005807T5

DE112018005807T5 - Selektives aufbringen eines dielektrischen harzes auf schaltungskernschichten

Info

Publication number: DE112018005807T5
Application number: DE112018005807.7T
Authority: DE
Inventors: Joseph Kuczynski; Bruce Chamberlin; Matthew Kelly; Scott King
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 2017-12-18
Filing date: 2018-12-07
Publication date: 2020-09-03
Anticipated expiration: 2038-12-08
Also published as: GB2583624A; DE112018005807B4; JP2021507506A; US20190342994A1; CN111480397A; US20190191558A1; US10405421B2; GB202010481D0; US20190191559A1; US11178757B2; JP7479283B2; WO2019123079A1; US20190342995A1

Abstract

Ein Prozess zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte enthält ein selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen Bereich einer Schaltungskernschicht. Der Prozess enthält darüber hinaus ein teilweises Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden der mehrschichtigen Leiterplatte, die die Schaltungskernschicht enthält.

Description

HINTERGRUND
Ein Schichtaufbau einer Leiterplatte (printed circuit board, PCB) kann einen mehrschichtigen „Stapel“-Aufbau mit mehreren Schichten enthalten. Beispielsweise kann eine PCB aus einem mit einem wärmehärtbaren Harz vorimprägnierten (pre-impregnated) Glasfasergewebe ausgebildet sein, das auch als „Prepreg“-Material bezeichnet wird. Aufgrund der Komplexität der Fluidströmungseigenschaften von wärmehärtbaren Harzen kann der Entwurf von PCB-Schichtungsprozessen, bei denen wärmehärtbare Harze verwendet werden, eine Herausforderung darstellen. Die Komplexität einiger mehrschichtiger PCB-Konstruktionen kann es besonders schwierig machen, eine bestimmte dielektrische Dicke und Gesamtplatinendicke präzise zu erzielen und gleichzeitig einen zufriedenstellenden Impedanzwert aufrechtzuerhalten. Beispielsweise können Leiterplatten mit hoher Packungsdichte (High Density Interconnect, HDI) Mikrovias, Sacklöcher und vergrabene Durchkontaktierungen, mehrere Leiterbahnen mit gesteuerter Impedanz und differentielle Leiterbahnen, Feinleitertechnologie und höhere Genauigkeit enthalten.
KURZDARSTELLUNG
Gemäß einer Ausführungsform wird ein Prozess zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte offenbart. Der Prozess enthält ein selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen Bereich einer Schaltungskernschicht. Der Prozess enthält darüber hinaus ein teilweises Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte, die die Schaltungskernschicht enthält.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine mehrschichtige Leiterplatte offenbart. Die mehrschichtige Leiterplatte wird gemäß einem Prozess ausgebildet, der ein selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen Bereich einer Schaltungskernschicht und ein teilweises Härten des dielektrischen Harzes enthält. Der Prozess enthält darüber hinaus ein Ausbilden einer Aufschichtung, die eine Schicht aus einem vorimprägnierten (Prepreg-) Material angrenzend an das teilweise gehärtete dielektrische Harz der Schaltungskernschicht enthält. Der Prozess enthält des Weiteren ein Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte.
Gemäß einer noch weiteren Ausführungsform wird eine Schaltungskernschicht zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte offenbart. Die Schaltungskernschicht enthält ein teilweise gehärtetes dielektrisches Harz, das innerhalb eines Bereichs angeordnet ist, der einem erhöhten Harzbedarf zugehörig ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird ein Prozess zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte offenbart. Der Prozess enthält ein selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzgemischs auf einen Bereich einer Schaltungskernschicht. Das dielektrische Harzgemisch enthält Glaskugeln, die in einem dielektrischen Harz gekapselt sind. Der Prozess enthält darüber hinaus ein teilweises Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte, die die Schaltungskernschicht enthält.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine mehrschichtige Leiterplatte offenbart. Die mehrschichtige Leiterplatte enthält eine dielektrische Schicht und eine Schaltungskernschicht. Die dielektrische Schicht ist aus einem vorimprägnierten (Prepreg-) Material ausgebildet, das ein teilweise gehärtetes dielektrisches Harz enthält, in dem ein Glasfasergewebe gekapselt ist. Die Schaltungskernschicht weist eine Fläche auf, die an die dielektrische Schicht angrenzt. Die Fläche der Schaltungskernschicht weist einen Bereich eines dielektrischen Materials auf, das Glaskugeln enthält, die in einem gehärteten dielektrischen Harz gekapselt sind.
Die vorstehenden und sonstige Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus den folgenden, genaueren Beschreibungen von beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung ersichtlich, wie sie in den beigefügten Zeichnungen veranschaulicht werden, in denen gleiche Bezugszeichen im Allgemeinen gleiche Teile von beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung darstellen.
Figurenliste

1 ist ein Schaubild, das einen Prozess zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte, in dem ein dielektrisches Harz selektiv auf einen oder mehrere Bereiche einer Schaltungskernschicht aufgebracht wird, die einem erhöhten Harzbedarf zugehörig sind, gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
2 ist ein Schaubild, das einen Abschnitt einer mehrschichtigen Leiterplatte, die Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf enthält, gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
3A ist ein Schaubild, das Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf, die mehreren Schaltungskernschichten zugehörig sind, die zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte zu verwenden sind, gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
3B ist ein Schaubild, das ein selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf die in 3A dargestellten Bereiche der Schaltungskernschichten und ein teilweises Härten des dielektrischen Harzes gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
3C ist ein Schaubild, das eine Aufschichtung, die die Schaltungskernschichten mit dem teilweise gehärteten dielektrischen Harz von 3B enthält, vor einem Schichtungszyklus gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
3D ist ein Schaubild, das gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht, dass eine Schichtung der Aufschichtung von 3C zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte zu einem Härten des dielektrischen Harzes innerhalb der Bereiche mit einem erhöhtem Harzbedarf führt.
4A bis 4C sind Schaubilder, die Stufen eines Prozesses zum Ausbilden der in 3B und 3C dargestellten ersten Schaltungskernschicht durch selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen oder mehrere Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf, gefolgt von einem teilweisen Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus gemäß einer Ausführungsform veranschaulichen.
5A bis 5C sind Schaubilder, die Stufen eines Prozesses zum Ausbilden der in 3B und 3C dargestellten zweiten Schaltungskernschicht durch selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen oder mehrere Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf, gefolgt von einem teilweisen Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus gemäß einer Ausführungsform veranschaulichen.
6A bis 6C sind Schaubilder, die Stufen eines Prozesses zum Ausbilden der in 3B und 3C dargestellten dritten Schaltungskernschicht durch selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen oder mehrere Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf, gefolgt von einem teilweisen Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus gemäß einer Ausführungsform veranschaulichen.
7 ist ein Ablaufplan, der eine bestimmte Ausführungsform eines Prozesses zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte veranschaulicht, der ein selektives Aufbringen und ein teilweises Härten eines dielektrischen Harzes in einem oder mehreren Bereichen der Schaltungskernschicht(en) mit einem erhöhten Harzbedarf vor einem Schichtungszyklus enthält.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die vorliegende Offenbarung beschreibt ein selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf Bereiche von Schaltungskernschichten mit einem erhöhten Harzbedarf vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte. Ein dielektrisches Harz kann mithilfe von Tintenstrahldrucktechniken auf die Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf aufgebracht werden. Anschließend kann das Harz teilweise gehärtet werden, um Schaltungskernschichten mit einem teilweise gehärteten dielektrischen Harz auszubilden, das innerhalb der Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf angeordnet ist. Während des Schichtungszyklus füllt das teilweise gehärtete dielektrische Harz die Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf mit einem gehärteten Harz, wodurch eine Harzarmut verhindert wird. Bei einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann ein dielektrisches Harzgemisch, das in einem dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln enthält, selektiv auf die Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf aufgebracht werden. Ein möglicher Vorteil im Zusammenhang mit der Verwendung von Glaskugeln ist die Möglichkeit, eine Gesamtdielektrizitätskonstante von angrenzenden dielektrischen Schichten genauer anzupassen.
1 ist ein Schaubild 100, das einen Prozess zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte, in dem ein dielektrisches Harz selektiv auf einen oder mehrere Bereiche einer Schaltungskernschicht aufgebracht wird, die einem erhöhten Harzbedarf zugehörig sind, gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht. In dem Beispiel von 1 wird ein selektives Aufbringen eines Harzes auf Bereiche einer einzelnen Schaltungskernschicht veranschaulicht. Wie hierin im Hinblick auf 2, 3A bis 3D, 4A bis 4C, 5A bis 5C und 6A bis 6C veranschaulicht und weiter beschrieben wird, kann auf mehrere Schaltungskernschichten eines jeweiligen mehrschichtigen Leiterplattenaufbaus vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus ein dielektrisches Harz in einem oder mehreren angegebenen Bereichen selektiv aufgebracht werden.
Die linke Seite von 1 stellt einen Prozess zum Ausbilden einer Schaltungskernschicht dar, die Bereiche mit einem hohen Harzbedarf enthält. Die erste Stufe entspricht einer Kernschichtung, bei der zwei Epoxidglasschichten (z.B. zwei Schichten eines Prepreg-Materials) zwischen zwei äußeren Schichten aus Kupferfolie angeordnet und so geschichtet werden, dass sie einen Rohkern ausbilden. In dem Beispiel von 1 entsprechen die äußeren Schichten aus Kupfer auf dem Rohkern Spannungs- und Masseebenen in einer mehrschichtigen Leiterplatte. Die nächste, auf der linken Seite von 1 dargestellte Stufe entspricht einem Strukturieren der Kupferschicht des Rohkerns, um einen Schaltungskern auszubilden. In dem in 1 dargestellten Schaltungskern sind Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf für eine mehrschichtige Leiterplatte gekennzeichnet, die aus dem Schaltungskern ausgebildet wird.
Die rechte Seite von 1 stellt ein Beispiel gemäß der vorliegenden Offenbarung dar, in dem ein dielektrisches Harz vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte, die den Schaltungskern enthält, selektiv auf die Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf aufgebracht und teilweise gehärtet wird. Die auf der rechten Seite von 1 dargestellte erste Stufe veranschaulicht, dass das dielektrische Harz (Harz im „A-Zustand“) selektiv auf die gekennzeichneten Bereiche des Schaltungskerns aufgebracht und teilweise gehärtet werden kann („B-Zustand“), um einen Schaltungskern mit einem Harz auszubilden. Wie hierin weiter beschrieben wird, kann das Harz im A-Zustand in einigen Fällen einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln enthält. Die nächste in 1 dargestellte Stufe veranschaulicht einen ausgewählten Abschnitt einer Aufschichtung, die den Schaltungskern mit einem Harz und eine Schicht eines vorimprägnierten (Prepreg-) Materials angrenzend an das Harz im B-Zustand enthält, um einen Schaltungskern und ein Prepreg auszubilden. Die nächste in 1 dargestellte Stufe veranschaulicht, dass ein Schichtungszyklus zu einer mehrschichtigen Leiterplatte führt, bei der das selektiv aufgebrachte Harz eine Harzarmut in den Bereichen mit einem erhöhten Harzbedarf verhindert.
Folglich veranschaulicht 1 ein Beispiel für einen Prozess eines selektiven Aufbringens eines dielektrischen Harzes auf Bereiche einer Schaltungskernschicht mit einem hohen Harzbedarf vor einem Schichtungszyklus, um eine Harzarmut zu verhindern. Wie hierin weiter beschrieben wird, kann das dielektrische Harz mithilfe eines Tintenstrahldruckprozesses selektiv aufgebracht werden, gefolgt von einem teilweisen Härten („Versetzen in den B-Zustand“) des Harzes. In einigen Fällen können die Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf durch Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte aus Schaltungskernschichten ohne das dielektrische Harz, gefolgt von einer Sichtprüfung zum Erkennen von harzarmen Bereichen gekennzeichnet werden. In anderen Fällen kann eine Umkehrung der Kupferstruktur verwendet werden, um die Bereiche für eine Harzabgabe über einen Tintenstrahldruckprozess zu kennzeichnen. Wenn zum Beispiel ein Abstand zwischen angrenzenden Kupferbahnen einen Schwellenabstand erfüllt, der einem erhöhten Harzbedarf zugehörig ist, kann der Bereich zwischen den angrenzenden Kupferbahnen für die Harzabgabe gekennzeichnet werden.
2 ist ein Schaubild 200, das einen Abschnitt einer mehrschichtigen Leiterplatte, die Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf enthält, gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht. In dem in 2 dargestellten Beispiel kann die mehrschichtige Leiterplatte aus einer Aufschichtung ausgebildet werden, die drei Schaltungskernschichten mit zwei dazwischenliegenden Prepreg-Schichten enthält. Beispiele für Schaltungskernschichten, die zum Ausbilden der mehrschichtigen Leiterplatte von 2 verwendet werden können, werden hierin im Hinblick auf 3A bis 3D veranschaulicht und weiter beschrieben. 2 veranschaulicht des Weiteren Beispiele für Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf in jeder der Schaltungskernschichten.
3A bis 3D veranschaulichen ein Beispiel für einen Prozess zum Verhindern einer Harzarmut in einer mehrschichtigen Leiterplatte durch selektives Aufbringen eines Harzes in einem oder mehreren Bereichen einzelner Schaltungskernschichten, die als Bereich(e) mit einem erhöhten Harzbedarf gekennzeichnet sind. In dem in 3A bis 3D dargestellten Beispiel werden drei Schaltungskernschichten zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte verwendet. Es ist zu erkennen, dass die hierin beschriebenen Prozesse für mehrschichtige Leiterplatten verwendet werden können, die eine andere Anzahl und/oder Anordnung von Schaltungskernschichten enthalten.
Unter Bezugnahme auf 3A veranschaulicht ein Schaubild 300 Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf, die mehreren Schaltungskernschichten zugehörig sind, die zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte zu verwenden sind, gemäß einer Ausführungsform.
In dem Beispiel von 3A enthalten die mehreren Schaltungskernschichten einen ersten Schaltungskern 302, einen zweiten Schaltungskern 304 und einen dritten Schaltungskern 306. 3A veranschaulicht, dass der erste Schaltungskern 302 einen Bereich 310 mit einem erhöhten Harzbedarf enthält, der zweite Schaltungskern 304 einen Bereich 312 mit einem erhöhten Harzbedarf enthält und der dritte Schaltungskern 306 einen Bereich 314 mit einem erhöhten Harzbedarf enthält. In einigen Fällen können die Bereiche 310 bis 314 mit einem erhöhten Harzbedarf durch Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte aus einer Aufschichtung, die die drei Schaltungskernschichten 302 bis 306 enthält, ohne das dielektrische Harz, gefolgt von einer Sichtprüfung zum Erkennen von harzarmen Bereichen gekennzeichnet werden. In anderen Fällen kann eine Umkehrung der Kupferstruktur für jede der Schaltungskernschichten 302 bis 306 verwendet werden, um die Bereiche für die Harzabgabe über einen Tintenstrahldruckprozess zu kennzeichnen.
Unter Bezugnahme auf 3B veranschaulicht ein Schaubild 320 ein selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf die in 3A dargestellten Bereiche der Schaltungskernschichten und ein teilweises Härten des dielektrischen Harzes gemäß einer Ausführungsform. 3B veranschaulicht, dass im Anschluss an das selektive Aufbringen und das teilweise Härten der erste Schaltungskern 302 ein Harz 322 im B-Zustand in dem Bereich 310 enthält, der zweite Schaltungskern 304 ein Harz 322 im B-Zustand in dem Bereich 312 enthält und der dritte Schaltungskern 306 ein Harz 322 im B-Zustand in dem Bereich 314 enthält. In einigen Fällen kann das Harz 322 im B-Zustand einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem teilweise gehärteten dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln enthält.
Der Prozess zum selektiven Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf den ersten Schaltungskern 302 und zum teilweisen Härten des dielektrischen Harzes zum Ausbilden des Harzes 322 im B-Zustand wird hierin im Hinblick auf 4A bis 4C veranschaulicht und weiter beschrieben. Der Prozess zum selektiven Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf den zweiten Schaltungskern 304 und zum teilweisen Härten des dielektrischen Harzes zum Ausbilden des Harzes 322 im B-Zustand wird hierin im Hinblick auf 5A bis 5C veranschaulicht und weiter beschrieben. Der Prozess zum selektiven Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf den dritten Schaltungskern 306 und zum teilweisen Härten des dielektrischen Harzes zum Ausbilden des Harzes 322 im B-Zustand wird hierin im Hinblick auf 6A bis 6C veranschaulicht und weiter beschrieben.
Unter Bezugnahme auf 3C veranschaulicht ein Schaubild 330 eine Aufschichtung 332, die die Schaltungskernschichten 302 bis 306 mit dem teilweise gehärteten dielektrischen Harz von 3B enthält, vor einem Schichtungszyklus gemäß einer Ausführungsform.
3C veranschaulicht, dass die Aufschichtung 332 eine erste Prepreg-Schicht 334 enthält, die zwischen einer unteren Fläche der ersten Schaltungskernschicht 302, die das Harz 322 im B-Zustand enthält, und einer oberen Fläche der zweiten Schaltungskernschicht 304 (die das Harz 322 im B-Zustand nicht enthält) angeordnet ist. Die Aufschichtung 332 enthält des Weiteren eine zweite Prepreg-Schicht 336, die zwischen einer unteren Fläche der zweiten Schaltungskernschicht 304 (die das Harz 322 im B-Zustand enthält) und einer oberen Fläche der dritten Schaltungskernschicht 306 (die das Harz 322 im B-Zustand enthält) angeordnet ist.
Unter Bezugnahme auf 3D veranschaulicht ein Schaubild 340 gemäß einer Ausführungsform, dass eine Schichtung der Aufschichtung 332 von 3C zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte zu einem Härten des Harzes 322 im B-Zustand führt. Der in 3D dargestellte Schichtungszyklus enthält ein Anordnen der Aufschichtung 332 zwischen einer oberen Platte 342 und einer unteren Platte 344 und ein Anwenden von Druck und Wärme. Der Schichtungszyklus führt zu einem Härten des Harzes 322 im B-Zustand, um ein gehärtetes Harz 346 in jedem der Bereiche 310 bis 314 mit einem erhöhten Harzbedarf auszubilden, wodurch eine Harzarmut in der mehrschichtigen Leiterplatte verhindert wird. In einigen Fällen kann das gehärtete Harz 346 einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem gehärteten dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln enthält.
4A bis 4C sind Schaubilder, die Stufen eines Prozesses zum Ausbilden der in 3B und 3C dargestellten ersten Schaltungskernschicht durch selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen oder mehrere Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf, gefolgt von einem teilweisen Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus gemäß einer Ausführungsform veranschaulichen.
Unter Bezugnahme auf 4A veranschaulicht ein Schaubild 400 eine Querschnittansicht und eine Draufsicht auf die Fläche des ersten Schaltungskerns 302 von 3A. 4A veranschaulicht, dass der Bereich 310 mit einem erhöhten Harzbedarf einem relativ schmalen Zwischenraum zwischen zwei Kupferbahnen auf dem ersten Schaltungskern 302 entsprechen kann. Die Draufsicht veranschaulicht, dass der Bereich 310 durch Koordinaten entlang einer x-Achse und einer y-Achse gekennzeichnet werden kann. Wie hierin im Hinblick auf 4B veranschaulicht und weiter beschrieben wird, können die Koordinaten entlang der x-Achse und der y-Achse durch einen Tintenstrahldrucker für eine Harzabgabe verwendet werden.
Unter Bezugnahme auf 4B veranschaulicht ein Schaubild 410 eine Querschnittansicht und eine Draufsicht auf die Fläche des ersten Schaltungskerns 302 von 4A nach einer Harzabgabe in den Bereich 310 mit einem erhöhten Harzbedarf. Bei der in 4B dargestellten Ausführungsform können die Koordinaten des Bereichs 310 entlang der x-Achse und der y-Achse dazu verwendet werden, eine Struktur aus einzelnen „Tröpfchen“ eines Harzes 412 (das in 4B als „im Tintenstrahlverfahren gedrucktes Harz“ gekennzeichnet ist) in ähnlicher Weise wie eine Abgabe von Tinte durch einen Tintenstrahldrucker abzugeben. Das Harz 412, das innerhalb des Bereichs 310 abgegeben wird, stellt ein Harz im „A-Zustand“ dar. In einigen Fällen kann das in 4B dargestellte Harz 412 einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln (z.B. Glashohlkugeln) enthält. Beispielsweise können die Glaskugeln Glashohlkugeln entsprechen, die aus einem Glasmaterial (z.B. einem „E-Glas“-Material) ausgebildet sind, das im Wesentlichen einem Glasfasergewebe der angrenzenden Prepreg-Schicht 334 in der Aufschichtung 332 (dargestellt in 3C) ähnelt. Unter Bezugnahme auf die in 3D dargestellte mehrschichtige Leiterplatte kann das gehärtete Harz 346 innerhalb des Bereichs 310 des ersten Schaltungskerns 302 eine Gesamtdielektrizitätskonstante aufweisen, die im Wesentlichen einer Gesamtdielektrizitätskonstanten der angrenzenden, aus der ersten Prepreg-Schicht 334 ausgebildeten dielektrischen Schicht ähnelt.
4C ist ein Schaubild 420, das veranschaulicht, dass das Harz 412 im „A-Zustand“, das innerhalb des Bereichs 310 abgegeben worden ist, wie in 4B dargestellt, anschließend teilweise gehärtet („in den B-Zustand versetzt“) wird, um das Harz 322 im B-Zustand auszubilden. In einigen Fällen kann das in 4C dargestellte Harz 322 im B-Zustand einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem teilweise gehärteten dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln (z.B. Glashohlkugeln) enthält.
In einigen Fällen kann das innerhalb des Bereichs 310 abgegebene Harz 412 auf Grundlage des Harzes, das einer angrenzenden Prepreg-Schicht zugehörig ist, während eines nachfolgenden Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte ausgewählt werden. Unter Bezugnahme zum Beispiel auf die in 3C dargestellte Aufschichtung 332 kann das innerhalb des Bereichs 310 abgegebene Harz 412 auf Grundlage des Harzes ausgewählt werden, das der ersten Prepreg-Schicht 334 zugehörig ist, die an die erste Schaltungskernschicht 302 angrenzt. Zur Veranschaulichung kann das Harz 412 im „A-Zustand“ so ausgewählt werden, dass das Harz 322 im B-Zustand nach dem „Versetzen in den B-Zustand“ dem Harz im B-Zustand innerhalb der ersten Prepreg-Schicht 334 entspricht.
In anderen Fällen kann das innerhalb des Bereichs 310 abgegebene Harz 412 so ausgewählt werden, dass nach dem in 3D dargestellten Schichtungszyklus das gehärtete Harz 346 eine Dielektrizitätskonstante aufweist, die im Wesentlichen einer Dielektrizitätskonstanten der aus der ersten Prepreg-Schicht 334 ausgebildeten angrenzenden dielektrischen Schicht ähnelt. Das heißt, das für die Abgabe innerhalb des Bereichs 310 ausgewählte Harz 412 kann sich von dem Harz unterscheiden, das der ersten Prepreg-Schicht 334 zugehörig ist, um eine Gesamtdielektrizitätskonstante des Glasfasergewebes und des gehärteten Harzes nach dem Schichtungszyklus anzupassen.
5A bis 5C sind Schaubilder, die Stufen eines Prozesses zum Ausbilden der in 3B und 3C dargestellten zweiten Schaltungskernschicht durch selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen oder mehrere Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf, gefolgt von einem teilweisen Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus gemäß einer Ausführungsform veranschaulichen.
Unter Bezugnahme auf 5A veranschaulicht ein Schaubild 500 eine Querschnittansicht und eine Draufsicht auf die Fläche des zweiten Schaltungskerns 304 von 3A. 5A veranschaulicht, dass der Bereich 312 mit einem erhöhten Harzbedarf einem relativ schmalen Gebiet zwischen einer Durchkontaktierung (plated through hole, PTH) und dem Kupfer der Massefläche entsprechen kann (wie in 2 dargestellt). Die Draufsicht veranschaulicht, dass der Bereich 312 durch Koordinaten entlang einer x-Achse und einer y-Achse gekennzeichnet werden kann. Wie hierin im Hinblick auf 5B veranschaulicht und weiter beschrieben wird, können die Koordinaten entlang der x-Achse und der y-Achse durch einen Tintenstrahldrucker für eine Harzabgabe verwendet werden.
Unter Bezugnahme auf 5B veranschaulicht ein Schaubild 510 eine Querschnittansicht und eine Draufsicht auf die Fläche des zweiten Schaltungskerns 304 von 5A nach einer Harzabgabe in den Bereich 312 mit einem erhöhten Harzbedarf. Bei der in 5B dargestellten Ausführungsform können die Koordinaten des Bereichs 312 entlang der x-Achse und der y-Achse dazu verwendet werden, eine Struktur aus einzelnen „Tröpfchen“ eines Harzes 512 (das in 5B als „im Tintenstrahlverfahren gedrucktes Harz“ gekennzeichnet ist) in ähnlicher Weise wie eine Abgabe von Tinte durch einen Tintenstrahldrucker abzugeben. Das Harz 512, das innerhalb des Bereichs 312 abgegeben wird, stellt ein Harz im „A-Zustand“ dar. In einigen Fällen kann das in 5B dargestellte Harz 512 einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln (z.B. Glashohlkugeln) enthält. Beispielsweise können die Glaskugeln Glashohlkugeln entsprechen, die aus einem Glasmaterial (z.B. einem „E-Glas“-Material) ausgebildet sind, das im Wesentlichen einem Glasfasergewebe der angrenzenden Prepreg-Schicht 336 in der Aufschichtung 332 (dargestellt in 3C) ähnelt. Unter Bezugnahme auf die in 3D dargestellte mehrschichtige Leiterplatte kann das gehärtete Harz 346 innerhalb des Bereichs 312 des zweiten Schaltungskerns 304 eine Gesamtdielektrizitätskonstante aufweisen, die im Wesentlichen einer Gesamtdielektrizitätskonstanten der angrenzenden, aus der zweiten Prepreg-Schicht 336 ausgebildeten dielektrischen Schicht ähnelt.
5C ist ein Schaubild 520, das veranschaulicht, dass das Harz 512 im „A-Zustand“, das innerhalb des Bereichs 312 abgegeben worden ist, wie in 5B dargestellt, anschließend teilweise gehärtet („in den B-Zustand versetzt“) wird, um das Harz 322 im B-Zustand auszubilden. In einigen Fällen kann das in 5C dargestellte Harz 322 im B-Zustand einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem teilweise gehärteten dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln (z.B. Glashohlkugeln) enthält.
In einigen Fällen kann das innerhalb des Bereichs 312 abgegebene Harz 512 auf Grundlage des Harzes, das einer angrenzenden Prepreg-Schicht zugehörig ist, während eines nachfolgenden Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte ausgewählt werden. Unter Bezugnahme zum Beispiel auf die in 3C dargestellte Aufschichtung 332 kann das innerhalb des Bereichs 312 abgegebene Harz 512 auf Grundlage des Harzes ausgewählt werden, das der zweiten Prepreg-Schicht 336 zugehörig ist, die an den zweiten Schaltungskern 304 angrenzt. Zur Veranschaulichung kann das Harz 512 im „A-Zustand“ so ausgewählt werden, dass das Harz 322 im B-Zustand nach dem „Versetzen in den B-Zustand“ dem Harz im B-Zustand innerhalb der zweiten Prepreg-Schicht 336 entspricht.
In anderen Fällen kann das innerhalb des Bereichs 312 abgegebene Harz 512 so ausgewählt werden, dass nach dem in 3D dargestellten Schichtungszyklus das gehärtete Harz 346 eine Dielektrizitätskonstante aufweist, die im Wesentlichen einer Dielektrizitätskonstanten der aus der zweiten Prepreg-Schicht 336 ausgebildeten angrenzenden dielektrischen Schicht ähnelt. Das heißt, das für die Abgabe innerhalb des Bereichs 312 ausgewählte Harz 512 kann sich von dem Harz unterscheiden, das der zweiten Prepreg-Schicht 336 zugehörig ist, um eine Gesamtdielektrizitätskonstante des Glasfasergewebes und des gehärteten Harzes nach dem Schichtungszyklus anzupassen.
6A bis 6C sind Schaubilder, die Stufen eines Prozesses zum Ausbilden der in 3B und 3C dargestellten dritten Schaltungskernschicht durch selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen oder mehrere Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf, gefolgt von einem teilweisen Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus gemäß einer Ausführungsform veranschaulichen.
Unter Bezugnahme auf 6A veranschaulicht ein Schaubild 600 eine Querschnittansicht und eine Draufsicht auf die Fläche des dritten Schaltungskerns 306 von 3A. 6A veranschaulicht, dass der Bereich 314 mit einem erhöhten Harzbedarf einem relativ schmalen Zwischenraum zwischen zwei Kupferbahnen auf dem dritten Schaltungskern 306 entsprechen kann. Die Draufsicht veranschaulicht, dass der Bereich 314 durch Koordinaten entlang einer x-Achse und einer y-Achse gekennzeichnet werden kann. Wie hierin im Hinblick auf 6B veranschaulicht und weiter beschrieben wird, können die Koordinaten entlang der x-Achse und der y-Achse durch einen Tintenstrahldrucker für eine Harzabgabe verwendet werden.
Unter Bezugnahme auf 6B veranschaulicht ein Schaubild 610 eine Querschnittansicht und eine Draufsicht auf die Fläche des dritten Schaltungskerns 306 von 6A nach einer Harzabgabe in den Bereich 314 mit einem erhöhten Harzbedarf. Bei der in 6B dargestellten Ausführungsform können die Koordinaten des Bereichs 314 entlang der x-Achse und der y-Achse dazu verwendet werden, eine Struktur aus einzelnen „Tröpfchen“ eines Harzes 612 (das in 6B als „im Tintenstrahlverfahren gedrucktes Harz“ gekennzeichnet ist) in ähnlicher Weise wie eine Abgabe von Tinte durch einen Tintenstrahldrucker abzugeben. Das Harz 612, das innerhalb des Bereichs 314 abgegeben wird, stellt ein Harz im „A-Zustand“ dar. In einigen Fällen kann das in 6B dargestellte Harz 612 einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln (z.B. Glashohlkugeln) enthält. Beispielsweise können die Glaskugeln Glashohlkugeln entsprechen, die aus einem Glasmaterial (z.B. einem „E-Glas“-Material) ausgebildet sind, das im Wesentlichen einem Glasfasergewebe der angrenzenden Prepreg-Schicht 336 in der Aufschichtung 332 (dargestellt in 3C) ähnelt. Unter Bezugnahme auf die in 3D dargestellte mehrschichtige Leiterplatte kann das gehärtete Harz 346 innerhalb des Bereichs 314 des dritten Schaltungskerns 306 eine Gesamtdielektrizitätskonstante aufweisen, die im Wesentlichen einer Gesamtdielektrizitätskonstanten der angrenzenden, aus der zweiten Prepreg-Schicht 336 ausgebildeten dielektrischen Schicht ähnelt.
6C ist ein Schaubild 620, das veranschaulicht, dass das Harz 612 im „A-Zustand“, das innerhalb des Bereichs 314 abgegeben worden ist, wie in 6B dargestellt, anschließend teilweise gehärtet („in den B-Zustand versetzt“) wird, um das Harz 322 im B-Zustand auszubilden. In einigen Fällen kann das in 6C dargestellte Harz 322 im B-Zustand einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem teilweise gehärteten dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln (z.B. Glashohlkugeln) enthält.
In einigen Fällen kann das innerhalb des Bereichs 314 abgegebene Harz 612 auf Grundlage des Harzes, das einer angrenzenden Prepreg-Schicht zugehörig ist, während eines nachfolgenden Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte ausgewählt werden. Unter Bezugnahme zum Beispiel auf die in 3C dargestellte Aufschichtung 332 kann das innerhalb des Bereichs 314 abgegebene Harz 612 auf Grundlage des Harzes ausgewählt werden, das der zweiten Prepreg-Schicht 336 zugehörig ist, die an den dritten Schaltungskern 306 angrenzt. Zur Veranschaulichung kann das Harz 612 im „A-Zustand“ so ausgewählt werden, dass das Harz 322 im B-Zustand nach dem „Versetzen in den B-Zustand“ dem Harz im B-Zustand innerhalb der zweiten Prepreg-Schicht 336 entspricht.
In anderen Fällen kann das innerhalb des Bereichs 314 abgegebene Harz 612 so ausgewählt werden, dass nach dem in 3D dargestellten Schichtungszyklus das gehärtete Harz 346 eine Dielektrizitätskonstante aufweist, die im Wesentlichen einer Dielektrizitätskonstanten der aus der zweiten Prepreg-Schicht 336 ausgebildeten angrenzenden dielektrischen Schicht ähnelt. Das heißt, das für die Abgabe innerhalb des Bereichs 314 ausgewählte Harz 612 kann sich von dem Harz unterscheiden, das der zweiten Prepreg-Schicht 336 zugehörig ist, um eine Gesamtdielektrizitätskonstante des Glasfasergewebes und des gehärteten Harzes nach dem Schichtungszyklus anzupassen.
7 ist ein Ablaufplan, der eine bestimmte Ausführungsform eines Prozesses 700 zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte veranschaulicht, der ein selektives Aufbringen und ein teilweises Härten eines dielektrischen Harzes in einem oder mehreren Bereichen der Schaltungskernschicht(en) mit einem erhöhten Harzbedarf vor einem Schichtungszyklus enthält. In einigen Fällen kann das dielektrische Harz einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln enthält. Bei einer bestimmten Ausführungsform können die Glaskugeln Glashohlkugeln entsprechen, die aus einem Glasmaterial (z.B. einem „E-Glas“-Material) ausgebildet sind, das im Wesentlichen einem Glasfasergewebematerial eines vorimprägnierten Materials entspricht, das zum Ausbilden von dielektrischen Schichten in einer mehrschichtigen Leiterplatte zu verwenden ist. Dies kann ermöglichen, dass der Bereich der Schaltungskernschicht, der die Glaskugeln und das gehärtete dielektrische Harz enthält, eine Dielektrizitätskonstante aufweist, die im Wesentlichen einer Dielektrizitätskonstanten ähnelt, die einer aus dem Prepreg-Material ausgebildeten, angrenzenden dielektrischen Schicht zugehörig ist.
Bei einigen Ausführungsformen kann der in 7 dargestellte Prozess 700 zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte verwendet werden, die eine dielektrische Schicht und eine Schaltungskernschicht enthält. Die dielektrische Schicht ist aus einem Prepreg-Material ausgebildet, das ein teilweise gehärtetes dielektrisches Harz enthält, in dem ein Glasfasergewebe gekapselt ist. Die Schaltungskernschicht weist eine Fläche auf, die an die dielektrische Schicht angrenzt. Die Fläche der Schaltungskernschicht weist einen Bereich eines dielektrischen Materials auf, das Glaskugeln enthält, die in einem gehärteten dielektrischen Harz gekapselt sind.
Der Prozess 700 enthält ein Kennzeichnen eines oder mehrerer Bereiche einer Schaltungskernschicht, die einem erhöhten Bedarf an einem dielektrischen Harz zugehörig sind, in 702. Unter Bezugnahme zum Beispiel auf 3A und 4A ist der Bereich 310 des ersten Schaltungskerns 302 einem erhöhten Bedarf an einem dielektrischen Harz zugehörig. Als weiteres Beispiel unter Bezugnahme auf 3A und 5A ist der Bereich 312 des zweiten Schaltungskerns 304 einem erhöhten Bedarf an einem dielektrischen Harz zugehörig. Als weiteres Beispiel unter Bezugnahme auf 3A und 6A ist der Bereich 314 des dritten Schaltungskerns 306 einem erhöhten Bedarf an einem dielektrischen Harz zugehörig.
Der Prozess 700 enthält ein selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf den/die Bereich(e) der Schaltungskernschicht in 704. Unter Bezugnahme zum Beispiel auf 4B kann das Harz 412 im Tintenstrahlverfahren in den Bereich 310 des ersten Schaltungskerns 302 gedruckt werden (z.B. auf Grundlage von x-y-Koordinaten des Bereichs 310, wie in der Draufsicht dargestellt). Als weiteres Beispiel kann unter Bezugnahme auf 5B das Harz 512 im Tintenstrahlverfahren in den Bereich 312 des zweiten Schaltungskerns 304 gedruckt werden (z.B. auf Grundlage von x-y-Koordinaten des Bereichs 312, wie in der Draufsicht dargestellt). Als weiteres Beispiel kann unter Bezugnahme auf 6B das Harz 612 im Tintenstrahlverfahren in den Bereich 314 des dritten Schaltungskerns 306 gedruckt werden (z.B. auf Grundlage von x-y-Koordinaten des Bereichs 314, wie in der Draufsicht dargestellt). In einigen Fällen kann das dielektrische Harz einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln enthält.
Der Prozess 700 enthält ein teilweises Härten des dielektrischen Harzes in 706. Unter Bezugnahme zum Beispiel auf 4C bildet ein teilweises Härten des Harzes 412, das innerhalb des Bereichs 310 abgegeben wird, das Harz 322 im B-Zustand innerhalb des Bereichs 310 des ersten Schaltungskerns 302 aus. Als weiteres Beispiel bildet unter Bezugnahme auf 5C ein teilweises Härten des Harzes 512, das innerhalb des Bereichs 312 abgegeben wird, das Harz 322 im B-Zustand innerhalb des Bereichs 312 des zweiten Schaltungskerns 304 aus. Als weiteres Beispiel bildet unter Bezugnahme auf 6C ein teilweises Härten des Harzes 612, das innerhalb des Bereichs 314 abgegeben wird, das Harz 322 im B-Zustand innerhalb des Bereichs 314 des dritten Schaltungskerns 306 aus. Bei einigen Ausführungsformen kann das in 4C, 5C und 6C dargestellte Harz 322 im B-Zustand einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem teilweise gehärteten dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln enthält.
Der Prozess 700 enthält ein Ausbilden einer Aufschichtung, die die Schaltungskernschicht enthält, in 708. Beispielsweise unter Bezugnahme auf 3C enthält die Aufschichtung 332 den ersten Schaltungskern 302 mit dem Harz 322 im B-Zustand innerhalb des Bereichs 310 mit einem erhöhten Harzbedarf. Der Bereich 310 des ersten Schaltungskerns 302 grenzt an die erste Prepreg-Schicht 334 in der Aufschichtung 332 an. Als weiteres Beispiel unter Bezugnahme auf 3C enthält die Aufschichtung 332 den zweiten Schaltungskern 304 mit dem Harz 322 im B-Zustand innerhalb des Bereichs 312 mit einem erhöhten Harzbedarf. Der Bereich 312 des zweiten Schaltungskerns 304 grenzt an die zweite Prepreg-Schicht 336 in der Aufschichtung 332 an. Als weiteres Beispiel unter Bezugnahme auf 3C enthält die Aufschichtung 332 den dritten Schaltungskern 306 mit dem Harz 322 im B-Zustand innerhalb des Bereichs 314 mit einem erhöhten Harzbedarf. Der Bereich 314 des dritten Schaltungskerns 306 grenzt an die zweite Prepreg-Schicht 336 in der Aufschichtung 332 an.
Der Prozess 700 enthält ein Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte in 710. Beispielsweise unter Bezugnahme auf 3D kann die Aufschichtung 332 von 3C zwischen der oberen Platte 342 und der unteren Platte 344 angeordnet werden, und der Schichtungszyklus kann ein Anwenden von Druck und Wärme enthalten. Die resultierende mehrschichtige Leiterplatte enthält das gehärtete Harz 346 in den Bereichen 310 bis 314 mit einem erhöhten Harzbedarf, wodurch eine Harzarmut verhindert wird. In einigen Fällen kann das gehärtete Harz 346 einem dielektrischen Harzgemisch entsprechen, das in einem gehärteten dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln enthält. Dies kann ermöglichen, dass der Bereich der Schaltungskernschicht, der das gehärtete Harz 346 enthält, eine erste Dielektrizitätskonstante aufweist, die im Wesentlichen einer zweiten Dielektrizitätskonstante ähnelt, die einer angrenzenden, aus dem Prepreg-Material ausgebildeten dielektrischen Schicht zugehörig ist.
Auf diese Weise veranschaulicht 7 ein Beispiel für einen Prozess zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte, der ein selektives Aufbringen und ein teilweises Härten eines dielektrischen Harzes in einem oder mehreren Bereichen von Schaltungskernschicht(en) mit einem erhöhten Harzbedarf vor einem Schichtungszyklus enthält. Das zusätzliche dielektrische Harz kann die Bereiche mit einem erhöhten Harzbedarf während des Schichtungszyklus füllen, wodurch eine Harzarmut verhindert wird.
Die Angaben in dieser Beschreibung dienen lediglich zur Veranschaulichung und sind nicht als beschränkend aufzufassen. Der Umfang der vorliegenden Erfindung wird lediglich durch den Wortlaut der folgenden Ansprüche beschränkt.

Claims

Prozess zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte, wobei der Prozess aufweist: selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen Bereich einer Schaltungskernschicht; und teilweises Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte, die die Schaltungskernschicht enthält.
Prozess nach Anspruch 1, wobei das selektive Aufbringen des dielektrischen Harzes ein Verwenden eines Tintenstrahldruckers zum Abgeben des dielektrischen Harzes innerhalb des Bereichs enthält.
Prozess nach Anspruch 1, der des Weiteren aufweist: Ausbilden einer Aufschichtung, die eine Schicht aus einem vorimprägnierten (Prepreg-) Material angrenzend an den Bereich der Schaltungskernschicht enthält; und Durchführen des Schichtungszyklus zum Ausbilden der mehrschichtigen Leiterplatte aus der Aufschichtung.
Prozess nach Anspruch 3, wobei das teilweise gehärtete dielektrische Harz im Wesentlichen einem teilweise gehärteten Harz innerhalb der Schicht aus einem vorimprägnierten Material ähnelt.
Prozess nach Anspruch 1, der des Weiteren aufweist: selektives Aufbringen des dielektrischen Harzes auf einen zweiten Bereich der Schaltungskernschicht; und teilweises Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen des Schichtungszyklus.
Prozess nach Anspruch 5, wobei das dielektrische Harz selektiv auf eine Fläche der Schaltungskernschicht angrenzend an eine Position einer Durchkontaktierung (PTH) aufgebracht wird, die nach dem Schichtungszyklus auszubilden ist.
Prozess nach Anspruch 1, wobei das dielektrische Harz zwischen angrenzenden Kupferbahnen der Schaltungskernschicht aufgebracht wird.
Prozess nach Anspruch 7, wobei ein Abstand zwischen den angrenzenden Kupferbahnen einen Schwellenabstand erfüllt, der einem erhöhten Harzbedarf zugehörig ist.
Aufschichtung zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte, wobei die Aufschichtung gemäß einem Prozess ausgebildet wird, der aufweist: selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzes auf einen Bereich einer Schaltungskernschicht mit einem hohen Harzbedarf, ohne das dielektrische Harz auf einen weiteren Bereich der Schaltungskernschicht aufzubringen; teilweises Härten des dielektrischen Harzes innerhalb des Bereichs mit einem hohen Harzbedarf; und Ausbilden einer Aufschichtung, die eine Schicht aus einem vorimprägnierten (Prepreg-) Material angrenzend an das teilweise gehärtete dielektrische Harz innerhalb des Bereichs der Schaltungskernschicht mit einem hohen Harzbedarf enthält.
Aufschichtung nach Anspruch 9, wobei das selektive Aufbringen des dielektrischen Harzes ein Verwenden eines Tintenstrahldruckers zum Abgeben des dielektrischen Harzes innerhalb des Bereichs enthält.
Aufschichtung nach Anspruch 9, wobei das teilweise gehärtete dielektrische Harz im Wesentlichen einem teilweise gehärteten Harz innerhalb der Schicht aus einem vorimprägnierten Material ähnelt.
Aufschichtung nach Anspruch 9, wobei der Prozess des Weiteren aufweist: selektives Aufbringen des dielektrischen Harzes auf einen zweiten Bereich der Schaltungskernschicht mit einem hohen Harzbedarf; und teilweises Härten des dielektrischen Harzes innerhalb des zweiten Bereichs mit einem hohen Harzbedarf vor einem Ausbilden der Aufschichtung.
Aufschichtung nach Anspruch 9, wobei das dielektrische Harz selektiv auf eine Fläche der Schaltungskernschicht angrenzend an eine Position einer Durchkontaktierung (PTH) aufgebracht wird, die nach einem Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte, die die Schaltungskernschicht enthält, auszubilden ist.
Aufschichtung nach Anspruch 9, wobei das dielektrische Harz zwischen angrenzenden Kupferbahnen der Schaltungskernschicht aufgebracht wird.
Aufschichtung nach Anspruch 14, wobei ein Abstand zwischen den angrenzenden Kupferbahnen einen Schwellenabstand erfüllt, der einem erhöhten Harzbedarf zugehörig ist.
Schaltungskernschicht zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte, wobei die Schaltungskernschicht einen Bereich mit einem hohen Harzbedarf mit einem teilweise gehärteten dielektrischen Harz und einen weiteren Bereich ohne das teilweise gehärtete dielektrische Harz aufweist.
Schaltungskernschicht nach Anspruch 16, wobei das teilweise gehärtete dielektrische Harz ausgebildet wird durch: Verwenden eines Tintenstrahldruckers zum Abgeben eines dielektrischen Harzes innerhalb des Bereichs mit einem hohen Harzbedarf; und teilweises Härten des dielektrischen Harzes innerhalb des Bereichs mit einem hohen Harzbedarf.
Schaltungskernschicht nach Anspruch 16, wobei der Bereich mit einem hohen Harzbedarf einem Gebiet zwischen angrenzenden Kupferbahnen entspricht.
Schaltungskernschicht nach Anspruch 16, wobei der Bereich mit einem hohen Harzbedarf an eine Position einer Durchkontaktierung (PTH) angrenzt, die nach einem Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte, die die Schaltungskernschicht enthält, auszubilden ist.
Schaltungskernschicht nach Anspruch 16, wobei das teilweise gehärtete dielektrische Harz im Wesentlichen einem teilweise gehärteten Harz innerhalb einer Schicht aus einem vorimprägnierten (Prepreg-) Material angrenzend an den Bereich der Schaltungskernschicht mit einem hohen Harzbedarf in einer Aufschichtung ähnelt, die zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte, die die Schaltungskernschicht enthält, geschichtet ist.
Prozess zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte, wobei der Prozess aufweist: selektives Aufbringen eines dielektrischen Harzgemischs auf einen Bereich einer Schaltungskernschicht, wobei das dielektrische Harzgemisch in einem dielektrischen Harz gekapselte Glaskugeln enthält; und teilweises Härten des dielektrischen Harzes vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden einer mehrschichtigen Leiterplatte, die die Schaltungskernschicht enthält.
Prozess nach Anspruch 21, der des Weiteren aufweist: Ausbilden einer Aufschichtung, die eine Schicht aus einem vorimprägnierten (Prepreg-) Material angrenzend an das teilweise gehärtete dielektrische Harz der Schaltungskernschicht enthält; und Durchführen eines Schichtungszyklus zum Ausbilden der mehrschichtigen Leiterplatte.
Prozess nach Anspruch 22, wobei der Bereich der Schaltungskernschicht der mehrschichtigen Leiterplatte, der die Glaskugeln und das gehärtete dielektrische Harz enthält, eine erste Dielektrizitätskonstante aufweist, die im Wesentlichen einer zweiten Dielektrizitätskonstanten ähnelt, die einer aus dem Prepreg-Material ausgebildeten, angrenzenden dielektrischen Schicht zugehörig ist.
Mehrschichtige Leiterplatte, die aufweist: eine dielektrische Schicht, die aus einem vorimprägnierten (Prepreg-) Material ausgebildet ist, das ein teilweise gehärtetes dielektrisches Harz enthält, in dem ein Glasfasergewebe gekapselt ist; und eine Schaltungskernschicht, die eine Fläche aufweist, die an die dielektrische Schicht angrenzt, wobei die Fläche der Schaltungskernschicht einen Bereich mit einem hohen Harzbedarf eines dielektrischen Materials mit in einem gehärteten dielektrischen Harz gekapselten Glaskugeln und einen weiteren Bereich eines dielektrischen Materials ohne die Glaskugeln aufweist.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 24, wobei der Bereich eines dielektrischen Materials mit einem hohen Harzbedarf eine erste Dielektrizitätskonstante aufweist, die im Wesentlichen einer zweiten Dielektrizitätskonstanten ähnelt, die der dielektrischen Schicht zugehörig ist, die an die Fläche der Schaltungskernschicht angrenzt.