DE112007002182T5 - Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, und Lampe - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 269
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 174
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 219
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 207
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 124
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 101
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 336
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 90
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 28
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 12
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 10
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 37
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 16
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 14
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSWGDDYIUCWADU-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Mg++].[Al+3] GSWGDDYIUCWADU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZMPWQGNGPZWRV-UHFFFAOYSA-N aluminum strontium lanthanum(3+) oxygen(2-) tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[Ta+5].[Al+3].[Sr+2].[La+3] HZMPWQGNGPZWRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- CUSDLVIPMHDAFT-UHFFFAOYSA-N iron(3+);manganese(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Mn+2].[Fe+3].[Fe+3] CUSDLVIPMHDAFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- QQXSEZVCKAEYQJ-UHFFFAOYSA-N tetraethylgermanium Chemical compound CC[Ge](CC)(CC)CC QQXSEZVCKAEYQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRLCXMPFXYVHGS-UHFFFAOYSA-N tetramethylgermane Chemical compound C[Ge](C)(C)C ZRLCXMPFXYVHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
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- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
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Abstract
Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, welches umfasst:
ein Vorverfahren, bei dem eine Plasmaverarbeitung auf einem Substrat durchgeführt wird;
ein Zerstäubungsverfahren, bei dem nach dem Vorverfahren eine Zwischenschicht aus mindestens einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf dem Substrat unter Einsatz eines Zerstäubungsverfahrens gebildet wird; und
ein Verfahren, bei dem nacheinander eine n-Typ Halbleiterschicht, einschließlich eine Unterschicht, eine Licht emittierende Schicht und eine p-Typ Halbleiterschicht auf der Zwischenschicht gebildet werden.
ein Vorverfahren, bei dem eine Plasmaverarbeitung auf einem Substrat durchgeführt wird;
ein Zerstäubungsverfahren, bei dem nach dem Vorverfahren eine Zwischenschicht aus mindestens einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf dem Substrat unter Einsatz eines Zerstäubungsverfahrens gebildet wird; und
ein Verfahren, bei dem nacheinander eine n-Typ Halbleiterschicht, einschließlich eine Unterschicht, eine Licht emittierende Schicht und eine p-Typ Halbleiterschicht auf der Zwischenschicht gebildet werden.
Description
- Technisches Gebiet
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, die beispielsweise für eine Licht emittierende Diode (LED), eine Laserdiode (LD) oder eine elektronische Vorrichtung anwendbar ist, ein Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung und eine Lampe.
- Es wird die Priorität der
japanischen Patentanmeldung Nr. 2006-260878 japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-197473 - Hintergrund bildende Technik
- Eine Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung hat eine Energiebandlücke vom Direktübergangstyp, die dem Bereich vom sichtbaren Licht bis zum ultravioletten Licht entspricht, und hohe Emissionseffizienz. Deshalb sind Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtungen als Licht emittierende Vorrichtungen, wie LED oder LD, eingesetzt worden.
- Wenn die Gruppe-III-Nitridhalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung für eine elektronische Vorrichtung verwendet wird, ist es möglich, eine elektronische Vorrichtung mit besseren Eigenschaften im Vergleich zu einem Gruppe-III- bis V-Verbindungshalbleiter gemäß dem Stand der Technik zu erhalten.
- Im allgemeinen wird ein Einkristallwafer aus einem Gruppe III–V Verbindungshalbleiter erhalten, indem ein Kristall auf einem Einkristallwafer aus einem unterschiedlichen Material gezüchtet wird. Zwischen dem Substrat und einem Gruppe-III-Nitridhalbleiterkristall, der epitaxial auf dem Substrat gezüchtet wurde, gibt es eine starke Gitterunordnung. Wenn beispielsweise ein Galliumnitrid (GaN) auf einem Saphir (Al2O3)-Substrat gezüchtet wird, gibt es zwischen diesen 16% Gitterfehlstellen. Wenn ein Galliumnitrid auf einem SiC-Substrat gezüchtet wird, gibt es zwischen ihnen 6% Gitterfehlstellen.
- Im allgemeinen machen es zahlreiche Gitterfehlstellen schwierig, einen Kristall auf dem Substrat direkt epitaxial zu züchten. Obwohl der Kristall auf dem Substrat gezüchtet wird, ist es dennoch schwierig, einen Kristall mit hoher Kristallinität zu erhalten.
- Deshalb ist ein Verfahren vorgeschlagen worden, bei dem, wenn ein Gruppe-III-Nitridhalbleiterkristall epitaxial auf einem Saphireinkristallsubstrat oder einem SiC-Einkristallsubstrat durch ein Verfahren unter Einsatz einer metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD) gezüchtet wird, eine sogenannte Niedertemperaturpufferschicht aus Aluminiumnitrid (AlN) oder Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) auf dem Substrat gebildet wird und ein Gruppe-III-Nitridhalbleiterkristall epitaxial auf der Pufferschicht bei einer hohen Temperatur gezüchtet wird (vgl. beispielsweise die Patentdokumente 1 und 2). Das Verfahren ist allgemein eingesetzt worden.
- In den in den Patentdokumenten 1 und 2 beschriebenen Verfahren wird jedoch, da es Gitterfehlstellen zwischen dem Substrat und dem auf dem Substrat gebildeten Gruppe-III-Nitridhalbleiterkristall gibt, eine sogenannte Fadenversetzung, die sich bis zur Oberfläche eines Kristalls erstreckt, im Inneren des Kristalls gebildet, was zu einer Störung des Kristalls führt. Deshalb ist es erforderlich, die Struktur angemessen zu verändern, um eine ausreichende Emissionskraft und hohe Produktivität zu erzielen.
- Außerdem ist ein Verfahren zum Bilden der Pufferschicht unter Einsatz anderer Abscheidungsverfahren als dem MOCVD-Verfahren vorgeschlagen worden.
- Beispielsweise ist ein Verfahren vorgeschlagen worden, welches eine Pufferschicht unter Einsatz eines RF-Zerstäubungsverfahrens bildet und auf der Pufferschicht einen Kristall mit derselben Zusammensetzung wie die Pufferschicht unter Einsatz eines MOCVD-Verfahrens züchtet (beispielsweise Patentdokument 3).
- In dem in Patentdokument 3 beschriebenen Verfahren ist es jedoch schwierig, einen stabilen und guten Kristall zu erhalten.
- Um einen stabilen und guten Kristall zu erhalten, sind deshalb die folgenden Verfahren vorgeschlagen worden: ein Verfahren, bei dem eine Pufferschicht gebildet wird und ein ... in einer Mischgasatmosphäre aus Ammoniak und Wasserstoff durchgeführt wird (beispielsweise Patentdokument 4); und ein Verfahren, bei dem eine Pufferschicht bei einer Temperatur von mehr als 400°C unter Einsatz von DC Zerstäuben gebildet wird (beispielsweise Patentdokument 5). In den in den Patentdokumenten 4 und 5 beschriebenen Verfahren wird ein Substrat aus Saphir, Silicium, Siliciumcarbid, Zinkoxid, Galliumphosphid, Galliumarsenid, Magnesiumoxid, Manganoxid oder einem Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Einkristall gebildet. Unter diesen Materialien ist ein Saphirsubstrat der a-Ebene bevorzugt.
- Zusätzlich ist ein Verfahren vorgeschlagen worden, welches Umkehrzerstäuben auf einer Halbleiterschicht unter Einsatz eines Argongases als Vorverfahren durchführt, bevor Elektroden auf der Halbleiterschicht gebildet werden (beispielsweise Patentdokument 6). In dem in Patentdokument 6 beschriebenen Verfahren wird Umkehrzerstäuben auf der Oberfläche einer Gruppe-III-Nitrid-Verbindungshalbleiterschicht durchgeführt, um die elektrischen Kontakteigenschaften zwischen der Halbleiterschicht und den Elektroden zu verbessern.
- Obwohl das in Patentdokument 6 beschriebene Verfahren auf das Vorverfahren des Substrats angewandt wird, kommt es zwischen dem Substrat und der Halbleiterschicht zu Gitterfehlern. Es ist deshalb schwierig, eine Halbleiterschicht mit hoher Kristallinität auf dem Substrat zu bilden.
- [Patentdokument 1]
japanisches Patent Nr. 3026087 - [Patentdokument 2]
JP-A-4-297023 - [Patentdokument 3]
JP-B-5-86646 - [Patentdokument 4]
japanisches Patent Nr. 3440873 - [Patentdokument 5]
japanisches Patent Nr. 3700492 - [Patentdokument 6]
JP-A-8-264478 - OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
- Durch die Erfindung zu lösende Aufgaben
- Wie vorstehend beschrieben wurde, wird in den vorstehend beschriebenen Verfahren des Standes der Technik nach dem Bilden der Pufferschicht auf dem Substrat ohne jegliches Vorverfahren ein Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter auf der Pufferschicht epitaxial gezüchtet. Deshalb gibt es zwischen dem Substrat und dem Gruppe-III-Nitrid Halbleiterkristall Gitterfehler, so dass es schwierig ist, einen stabilen und guten Kristall zu erhalten.
- Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die vorstehend beschriebenen Probleme zu lösen, und ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit hoher Produktivität und guten Emissionseigenschaften, eines Verfahrens zum Herstellen einer Gruppe III Verbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung durch Bilden einer Pufferschicht auf einem Substrat mit einem Verfahren, das einen gleichförmigen Kristallfilm in kurzer Zeit bilden kann und auf der Pufferschicht einen Gruppe-III-Nitridhalbleiter züchten kann, und einer Lampe.
- Mittel zum Lösen der Aufgaben
- Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben Untersuchungen durchgeführt, um die vorstehend beschriebenen Probleme zu lösen, und sie haben gefunden, dass es möglich ist, einen stabilen und guten Gruppe-III-Nitridhalbleiterkristall zu erhalten, indem auf einem Substrat eine geeignete Vorbehandlung durchgeführt wird, bevor eine Pufferschicht durch ein Zerstäubungsverfahren gebildet wird, und die Oberfläche des Substrats so exponiert wird, dass eine Gitterübereinstimmung zwischen dem Substrat und einer Gruppe-III-Nitridverbindung erzielt wird, wodurch die vorliegende Erfindung gemacht wurde.
- D. h., die vorliegende Erfindung betrifft folgendes. Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Gruppe III Verbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung: ein Vorverfahren, bei dem auf einem Substrat eine Plasmaverarbeitung durchgeführt wird; ein Zerstäubungsverfahren, bei dem eine Zwischenschicht aus mindestens einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf dem Substrat unter Einsatz eines Zerstäubungsverfahrens nach dem Vorverfahren gebildet wird; und ein Verfahren, bei dem nacheinander eine n-Typ-Halbleiterschicht, einschließlich einer Unterschicht, eine Licht emittierende Schicht und eine p-Typ-Halbleiterschicht auf der Zwischenschicht gebildet werden.
- Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Aspekt vorzugsweise in dem Vorverfahren, Gas, einschließlich Stickstoff, in eine Kammer eingeführt.
- Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dem zweiten Aspekt in dem Vorverfahren der Partialdruck des in die Kammer eingeführten Gases, einschließlich Stickstoff, vorzugsweise im Bereich von 1 × 10–2 Pa bis 10 Pa.
- Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitrid verbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 3 in dem Vorverfahren der Innendruck der Kammer vorzugsweise im Bereich von 0,1 bis 5 Pa.
- Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 4 die Verfahrensdauer des Vorverfahrens vorzugsweise im Bereich von 30 Sekunden bis 3600 Sekunden.
- Gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dem fünften Aspekt die Verfahrensdauer des Vorverfahrens vorzugsweise im Bereich von 60 Sekunden bis 600 Sekunden.
- Gemäß einem siebten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 6 in dem Vorverfahren die Temperatur des Substrats vorzugsweise im Bereich von 25°C bis 1000°C.
- Gemäß einem achten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dem siebten Aspekt in dem Vorverfahren die Temperatur des Substrats vorzugsweise im Bereich von 300°C bis 800°C.
- Gemäß einem neunten Aspekt der vorliegenden Erfindung werden in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 8 das Vorverfahren und das Zerstäubungsverfahren vorzugsweise in derselben Kammer durchgeführt.
- Gemäß einem zehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 9 das Plasmaverarbeiten in dem Vorverfahren vorzugsweise ein Umkehrzerstäuben.
- Gemäß einem elften Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 10 in dem Vorverfahren vorzugsweise eine Hochfrequenzstromquelle eingesetzt, um Plasma zu erzeugen, wodurch das Umkehrzerstäuben durchgeführt wird.
- Gemäß einem zwölften Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dem elften Aspekt in dem Vorverfahren das Umkehrzerstäuben vorzugsweise durch Erzeugen von Stickstoffplasma unter Einsatz der Hochfrequenzstromquelle durchgeführt.
- Gemäß einem dreizehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 12 die Zwischenschicht vorzugsweise so gebildet, dass 90 oder mehr der Oberfläche des Substrats bedeckt sind.
- Gemäß einem vierzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung verwendet in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 13 das Zerstäubungsverfahren vorzugsweise ein Ausgangsmaterial, einschließlich ein Gruppe V-Element.
- Gemäß einem fünfzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 14 in dem Zerstäubungsverfahren die Zwischenschicht vorzugsweise durch ein Reaktivzerstäubungsverfahren gebildet, welches das Ausgangsmaterial, einschließlich das Gruppe V-Element, in einen Reaktor einführt.
- Gemäß einem sechzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dem Aspekt 14 oder 15 das Gruppe V-Element vorzugsweise Stickstoff.
- Gemäß einem siebzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß Aspekt 14 oder 15 vorzugsweise Ammoniak als Ausgangsmaterial, einschließlich das Gruppe V-Element, eingesetzt.
- Gemäß einem achtzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 17 in dem Zerstäubungsverfahren die Zwischenschicht vorzugsweise durch ein Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren gebildet.
- Gemäß einem neunzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Aspekt 18 in dem Zerstäubungsverfahren die Zwischenschicht vorzugsweise durch das Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren gebildet, während ein Magnet einer Kathode bewegt wird.
- Gemäß einem zwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 19 in dem Zerstäubungsverfahren, wenn die Zwischenschicht gebildet wird, die Temperatur des Substrats vorzugsweise in dem Bereich von 400°C bis 800°C.
- Gemäß einem einundzwanzigsten siebzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 20 die Unterschicht auf der Zwischenschicht vorzugsweise durch ein MOCVG-Verfahren gebildet.
- Gemäß einem zweiundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 1 bis 20 die Unterschicht auf der Zwischenschicht vorzugsweise durch ein Reaktivzerstäubungsverfahren gebildet.
- Gemäß einem dreiundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in dem Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 22 die Temperatur, wenn die Un terschicht gebildet wird, des Substrats vorzugsweise höher als 900°C.
- Gemäß einem vierundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst die Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung: ein Substrat, das durch Plasmaverarbeiten vorverarbeitet wird; eine Zwischenschicht, die aus mindestens einer Gruppe-III-Nitridverbindung besteht, und durch ein Zerstäubungsverfahren auf dem Substrat gebildet worden ist; eine n-Typ-Halbleiterschicht, einschließlich einer Unterschicht; eine Lichtemissionsschicht; und eine p-Typ-Halbleiterschicht. Die n-Typ-Halbleiterschicht, die Lichtemissionsschicht und die p-Typ-Halbleiterschicht werden nacheinander auf der Zwischenschicht gebildet.
- Gemäß einem fünfundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach dem 24. Aspekt die Zwischenschicht vorzugsweise aus einem Einkristall gebildet.
- Gemäß einem sechsundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dem 24. Aspekt die Zwischenschicht vorzugsweise aus einem stängelförmigen Kristall gebildet.
- Gemäß einem siebenundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach dem 26. Aspekt in der Zwischenschicht der Mittelwert der Breiten der Körnchen der stängelförmigen Kristalle vorzugsweise im Bereich von 1 bis 100 nm.
- Gemäß einem achtundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach dem 26. Aspekt in der Zwischenschicht der Mittelwert der Breiten der Körnchen der stängelförmigen Kristalle vorzugsweise im Bereich von 1 bis 70 nm.
- Gemäß einem neunundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Aspekte 24 bis 28 die Zwischenschicht vorzugsweise so gebildet, dass sie 90% oder mehr der Frontoberfläche des Substrats bedeckt.
- Gemäß einem dreißigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 24 bis 29 die Dicke der die Zwischenschicht vorzugsweise im Bereich von 10 bis 500 nm.
- Gemäß einem einunddreißigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Aspekte 24 bis 29 die Dicke der Zwischenschicht vorzugsweise im Bereich von 20 bis 100 nm.
- Gemäß einem zweiunddreißigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung hat in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Aspekte 24 bis 31 die Zwischenschicht vorzugsweise eine Zusammensetzung, die Al einschließt.
- Gemäß einem dreiunddreißigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach dem 32. Aspekt die Zwischenschicht vorzugsweise aus AlN gebildet.
- Gemäß einem vierunddreißigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem der Aspekte 24 bis 33 die Unterschicht vorzugsweise aus einem Halbleiter auf GaN-Basis gebildet.
- Gemäß einem fünfunddreißigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dem Aspekt 34 die Unterschicht vorzugsweise aus AlGaN gebildet.
- Gemäß einem sechsunddreißigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung durch das Herstellungsverfahren gemäß einem der Aspekte 1 bis 23 hergestellt.
- Gemäß einem siebenunddreißigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Lampe die Gruppe-III-Nitridverbin dungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Aspekte 24 bis 36.
- Vorteile der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung stellt eine Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung bereit. Das Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung umfasst: ein Vorverfahren, bei dem auf einem Substrat ein Plasmaverarbeiten durchgeführt wird; und
ein Zerstäubungsverfahren, bei dem eine Zwischenschicht auf dem Substrat unter Verwendung eines Zerstäubungsverfahrens nach dem Vorverfahren gebildet wird. Gemäß dieser Struktur wird die Zwischenschicht mit einer gleichförmigen Kristallstruktur auf der Oberfläche des Substrats gebildet, und es gibt keine Gitterfehler zwischen dem Substrat und einer Halbleiterschicht aus einem Gruppe-III-Nitridhalbleiter. - Deshalb ist es möglich, einen Gruppe-III-Nitridhalbleiter mit hoher Kristallinität auf dem Substrat effektiv zu züchten. Als Ergebnis ist es möglich, eine Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit hoher Produktivität und guten Emissionseigenschaften zu erhalten.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel der Struktur eines laminierten Halbleiters einer erfindungsgemäßen Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung veranschaulicht. -
2 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel der Struktur der erfindungsgemäßen III Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung schematisch veranschaulicht. -
3 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel der Struktur der erfindungsgemäßen Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung schematisch veranschaulicht. -
4 ist ein Diagramm, das eine Lampe schematisch veranschaulicht, welche die erfindungsgemäße Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung aufweist. -
5 ist ein Diagramm, das ein Beispiel der erfindungsgemäßen Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung veranschaulicht, und ist ein Graph, der die Daten der Röntgenstrahl-Halbwertsbreite eines GaN-Kristalls veranschaulicht. -
6 ist ein Diagramm, das ein Beispiel der erfindungsgemäßen Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung veranschaulicht, und ist ein Graph, der die Daten der Röntgenstrahl-Halbwertsbreite eines GaN-Kristalls veranschaulicht. - Die
7A bis7C sind Diagramme, die ein Beispiel der erfindungsgemäßen Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung schematisch veranschaulichen, und sie zeigen die Struktur einer auf dem Substrat gebildeten Zwischenschicht. -
8 ist ein Diagramm, das ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen einer erfindungsgemäßen Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung schematisch veranschaulicht, und sie zeigt die schematische Struktur eines Zerstäubungsapparats. - BESTE AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
- Im folgenden werden eine Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung und eine Lampe gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform unter Bezugnahme auf die
1 bis6 beschrieben. - In einem Verfahren zum Herstellen einer erfindungsgemäßen Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung wird eine Zwischenschicht
12 aus mindestens einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf einem Substrat11 gebildet, und eine n-Typ Halbleiterschicht14 wird einer Unterschicht14a , eine Lichtemissionsschicht15 und eine p-Typ Halbleiterschicht16 werden nacheinander auf der Zwischenschicht12 gebildet. Das Herstellungsverfahren umfasst ein Vorverfahren, das Plasmaverarbeiten auf dem Substrat11 durchführt, und ein Zerstäubungsverfahren, das die Zwischenschicht12 auf dem Substrat11 unter Einsatz eines Zerstäubungsverfahrens nach dem Vorverfahren bildet. - In dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren wird, wenn ein Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiterkristall auf dem Substrat
11 epitaxial gezüchtet wird, das Verfahren zum Durchführen des Plasmaverarbeitens auf dem Substrat11 durchgeführt, bevor das Zerstäubungsverfahren zum Bilden der Zwischenschicht12 aus einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf dem Substrat11 durchgeführt wird. Das auf dem Substrat11 durchgeführte Plasmaverarbeiten ermöglicht das effektive Züchten eines Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiters mit hoher Kristallinität. Eine durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellte Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung (im folgenden einfach als Lichtemissionsvorrichtung bezeichnet) hat eine in1 gezeigte Halbleiterlaminatstruktur. In einem laminierten Halbleiter10 ist die Zwischenschicht12 aus mindestens einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf dem Substrat11 gebildet, und die n-Typ Halbleiterschicht14 mit der Unterschicht14a , die Lichtemissionsschicht15 und die p-Typ Halbleiterschicht16 werden nacheinander auf der Zwischenschicht12 gebildet. Zudem ist die Unterschicht14 auf der Zwischenschicht12 gebildet, und das Substrat11 ist durch Plasmaverarbeiten vorverarbeitet worden. Die Zwischenschicht12 ist durch ein Zerstäubungsverfahren hergestellt worden. - Wie die
2 und3 zeigen, ist in dem laminierten Halbleiter10 gemäß dieser Ausführungsform eine transparente positive Elektrode17 auf der p-Typ Halbleiterschicht16 gebildet, und eine Anschlussfläche18 für eine positive Elektrode ist auf der transparenten positiven Elektrode gebildet. Zudem ist in einer n-Typ Kontaktschicht14b der n-Typ Halbleiterschicht14 ein exponierter Bereich14d ausgebildet, und eine negative Elektrode19 ist auf dem exponierten Bereich14d gebildet. Auf diese Weise wird eine Licht emittierende Vorrichtung1 gebildet. - Als nächstes werden das Vorverfahren und das Zerstäubungsverfahren des Verfahrens zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform eingehend beschrieben.
- [Vorverfahren]
- Es ist bevorzugt, dass das Plasmaverarbeiten in dem Vorverfahren gemäß dieser Ausführungsform in Plasma durchgeführt wird, das ein eine aktive Plasmaart erzeugendes Gas, wie Stickstoff oder Sauerstoff, enthält. Insbesondere ist ein Stickstoffgas bevorzugt.
- Zudem ist es bevorzugt, dass das Plasmaverarbeiten in dem Vorverfahren gemäß dieser Ausführungsform ein Umkehrzerstäuben ist.
- In dem Vorverfahren gemäß dieser Ausführungsform wird zwischen dem Substrat
11 und der Kammer12 eine Spannung angelegt, so dass die Plasmateilchen effektiv auf dem Substrat11 wirken. - Als Ausgangsmaterialgas zum Durchführen des Plasmaverarbeitens auf dem Substrat
11 kann ein Gas, einschließlich nur eine Art der Komponente, oder ein Gemisch von Gasen, einschließlich mehrere Arten von Komponenten, eingesetzt werden. Der Partialdruck des Ausgangsmaterialgases, Stickstoff, ist beispielsweise vorzugsweise im Bereich von 1 × 10–2 bis 10 Pa, stärker bevorzugt 0,1 bis 5 Pa. Wenn der Partialdruck des Ausgangsmaterialgases übermäßig hoch ist, wird die Energie der Plasmateilchen reduziert, und die Vorverfahrenswirkung des Substrats11 wird eingeschränkt. - Wenn andererseits der Partialdruck übermäßig gering ist, ist die Energie der Plasmateilchen übermäßig hoch, und das Substrat
11 neigt dazu, beschädigt zu werden. - Es ist bevorzugt, dass das Vorverfahren unter Einsatz des Plasmaverarbeitens 30 Sekunden bis 3600 Sekunden (1 Stunde) durchgeführt wird. Wenn die Verfahrensdauer unter dem vorstehend genannten Bereich liegt, ist es schwierig, die Wirkung des Plasmaverarbeitens zu erzielen. Wenn die Verfahrensdauer über dem vorstehend genannten Bereich liegt, werden die Eigenschaften nicht merklich verbessert, vielmehr wird die Geschwindigkeit des Vorgangs möglicherweise verringert. Es ist stärker bevorzugt, dass das Vorverfahren unter Einsatz des Plasmaverarbeitens 60 Sekunden bis 600 Sekunden (10 Minuten) durchgeführt wird.
- Die Temperatur des Plasmaverarbeitens ist vorzugsweise im Bereich von 25 bis 1000°C. Wenn die Verfahrenstemperatur übermäßig niedrig ist, ist es schwierig, eine ausreichende Wirkung des Plasmaverarbeitens zu erzielen. Wenn andererseits die Verarbeitungstemperatur übermäßig hoch ist, besteht die Neigung, dass die Oberfläche des Substrats beschädigt wird. Es ist stärker bevorzugt, dass die Temperatur des Plasmaverarbeitens im Bereich von 300 bis 800°C liegt.
- In dem Vorverfahren gemäß dieser Ausführungsform kann eine Kammer, welche dieselbe oder eine andere ist wie diejenige, die zum Bilden einer Zwischenschicht in dem Zerstäubungsverfahren eingesetzt wird, welches nachstehend beschrieben wird, eingesetzt werden, um das Plasmaverarbeiten durchzuführen. Wenn eine gemeinsame Kammer für das Vorverfahren und das Zerstäubungsverfahren eingesetzt wird, ist es möglich, die Herstellungskosten zu verringern. Wenn Umkehrzerstäuben als Plasmaverarbeiten unter den für die Abscheidung der Zwischenschicht eingesetzten Bedingungen durchgeführt wird, ist es möglich, die Zeit, die zum Ändern der Zerstäubungsbedingungen erforderlich ist, zu verringern, und die Geschwindigkeit des Vorgangs wird erhöht.
- In dem Vorverfahren gemäß dieser Ausführungsform ist es bevorzugt, das für das Plasmaverarbeiten eingesetzte Plasma unter Einsatz einer Hochfrequenzentladung zu erzeugen. Wenn Plasma unter Einsatz der Hochfrequenzentladung erzeugt wird, ist es möglich, das Vorverfahren unter Einsatz des Plasmaverarbeitens auf einem Substrat aus einem Isoliermaterial durchzuführen.
- Das auf dem Substrat
11 durchgeführte Vorverfahren kann auch ein Nassverfahren umfassen. Beispielsweise wird ein bekanntes RCA-Reinigungsverfahren auf einem Substrat aus Silicium durchgeführt, um die Oberfläche des Substrats mit Wasserstoff zu sättigen. Auf diese Weise wird ein Verfahren zum Bilden einer Zwischenschicht auf dem Substrat in dem Zerstäubungsverfahren stabilisiert, welches nachstehend eingehend beschrieben wird. - In dieser Ausführungsform wird, nachdem das Plasmaverarbeiten auf dem Substrat
11 in dem Vorverfahren durchgeführt worden ist, die Zwischenschicht12 aus einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf dem Substrat in einem Zerstäubungsverfahren gebildet, welches nachstehend beschrieben wird, und die n-Typ Halbleiterschicht14 , einschließlich die Unterschicht14a wird auf der Zwischenschicht12 gebildet. Auf diese Weise wird die Kristallinität eines Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiters deutlich verbessert, und die Emissionseigenschaften einer Lichtemissionsvorrichtung werden verbessert, was aus den folgenden Beispielen ersichtlich wird. - Als ein Mechanismus zum Durchführen des Plasmaverarbeitens auf dem Substrat
11 zum Erzielen der vorstehend beschriebenen Wirkungen wird folgendes eingesetzt: ein Mechanismus, bei dem eine an die Oberfläche des Substrats11 anhaftende Verunreinigung unter Einsatz des Umkehrzerstäubens entfernt wird, um die Oberfläche des Substrats11 zu exponieren, so dass zwischen der Oberfläche des Substrats und einer Gruppe-III-Nitridverbindung eine Kristallgitterübereinstimmung erzielt wird. - In dem Vorverfahren gemäß dieser Ausführungsform Plasmaverarbeiten auf der Oberfläche des Substrats
11 in einer Mischatmosphäre von Ionenkomponenten und Radikalkomponenten ohne Ladung durchgeführt. - Wenn beispielsweise nur die Ionenkomponenten auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen werden, um eine Verunreinigung von der Oberfläche des Substrats zu entfernen, wird übermäßig hohe Energie aufgetragen, wobei die Oberfläche des Substrats beschädigt wird und die Qualität der auf dem Substrat gezüchteten Kristalle beeinträchtigt wird.
- In dem Vorverfahren gemäß dieser Ausführungsform wird, wie vorstehend beschrieben, das Plasmaverarbeiten in einer Mischatmosphäre aus Ionenkomponenten und Radikalkomponenten durchgeführt, um eine reaktive Spezies mit angemessener Energie mit dem Substrat
11 umzusetzen. Deshalb ist es möglich, beispielsweise eine Verunreinigung von der Oberfläche des Substrats11 ohne Beschädigung der Oberfläche des Substrats zu entfernen. Um diese Wirkungen zu erzielen, kann ein beliebiger der folgenden Mechanismen eingesetzt werden: ein Mechanismus, der Plasma, einschließlich eine kleine Menge Ionenkomponenten, verwendet, um die Beschädigung der Oberfläche des Substrats zu verhindern; und ein Mechanismus, der die Oberfläche eines Substrats im Plasma verarbeitet, um eine Verunreinigung von der Oberfläche des Substrats zu entfernen. - [Zerstäubungsverfahren]
- Das Zerstäubungsverfahren gemäß dieser Ausführungsform verwendet ein Zerstäubungsverfahren zur Bildung der Zwischenschicht
12 auf dem Substrat11 . In dem Zerstäubungsverfahren wird beispielsweise die Zwischenschicht12 durch Aktivieren und Umsetzen eines Metallausgangsmaterials mit Gas, einschließlich einem Gruppe V-Element, in Plasma gebildet. - In dem Zerstäubungsverfahren ist im allgemeinen eine Technik eingesetzt worden, welche Plasma in einem magnetischen Feld beschränkt, um die Plasmadichte zu erhöhen, wodurch die Abscheidungseffizienz erhöht wird. Gemäß diesem Verfahren ist es möglich, die Oberfläche des Zerstäubungs zieles durch Änderung der Magnetposition gleichförmig zu machen. Es kann ein Verfahren zum Bewegen des Magneten in geeigneter Weise in Abhängigkeit von der Art des Zerstäubungsapparates ausgewählt werden. Beispielsweise ist es möglich, den Magneten hin und her zu schwingen oder zu drehen.
- Es ist bevorzugt, ein Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren einzusetzen, welches die Position eines Magneten einer Kathode verändert, um die Abscheidung durchzuführen, da das Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren die Abscheidungseffizienz erhöhen kann, wenn die Zwischenschicht
12 auf der Seitenoberfläche des Substrats11 gebildet wird, was nachstehend eingehend beschrieben wird. - In einem in
8 gezeigten Zerstäubungsapparat ist ein Magnet42 unter einem Metallobjekt47 angebracht (unterer Bereich in8 ), und der Magnet42 wird unter dem Metallzielmaterial47 durch eine Treibvorrichtung (nicht gezeigt) hin und her geschwungen. Stickstoffgas und Argongas werden in die Kammer41 eingespeist, und eine Zwischenschicht wird auf dem an einem Heizgerät44 befestigten Substrat11 gebildet. In diesem Fall wird, wie vorstehend beschrieben, da der Magnet42 unter dem Metallzielmaterial47 hin und her geschwungen wird, Plasma auf die Kammer41 eingeschränkt. Deshalb ist es möglich, eine gleichförmige Zwischenschicht auf der Seitenoberfläche11b des Substrats11 sowie der Frontoberfläche11a zu bilden. - Wenn das Zerstäubungsverfahren eingesetzt wird, um die Zwischenschicht
12 zu bilden, umfassen andere wichtige Parameter als die Temperatur des Substrats11 beispielsweise den Partialdruck von Stickstoff und den Innendruck eines Ofens. - Es ist bevorzugt, dass der Innendruck eines Ofens, wenn die Zwischenschicht
12 durch das Zerstäubungsverfahren gebildet wird, mindestens 0,3 Pa ist. Wenn der Innendruck des Ofens unter 0,3 Pa ist, ist die Stickstoffmenge gering, und es besteht die Gefahr, dass das Zerstäubungsmetall an das Substrat11 anhaftet, ohne nitrifiziert zu werden. Die Obergrenze des Innendrucks des Ofens ist nicht besonders eingeschränkt, der Ofen muss jedoch einen ausreichenden Innendruck haben, um Plasma zu erzeugen. - Es ist bevorzugt, dass das Verhältnis der Fließgeschwindigkeit von Stickstoff (N2) zu der Fließgeschwindigkeit von Ar im Bereich von 20 bis 80 liegt. Wenn das Verhältnis der Fließgeschwindigkeit von Stickstoff zu der Fließgeschwindigkeit von Argon unter 20 ist, besteht die Gefahr, dass ein Zerstäubungsmetall an das Substrat
11 anhaftet, ohne nitrifiziert zu werden. Wenn das Verhältnis der Fließgeschwindigkeit von Stickstoff zu der Fließgeschwindigkeit von Argon über 80% ist, ist die Argonmenge relativ gering, so dass die Zerstäubungsrate verringert wird. Es ist stärker bevorzugt, dass das Verhältnis der Fließgeschwindigkeit von Stickstoff (N2) zu der Fließgeschwindigkeit von Ar im Bereich von 50 bis 80% liegt. - Wenn die Zwischenschicht
12 gebildet wird, ist die Abscheidungsrate vorzugsweise im Bereich von 0,01 nm/s bis 10 nm/s. Wenn die Abscheidungsrate unter 0,01 nm/s ist, wird kein Film gebildet, sondern es werden verstreute Inselformen gebildet. Folglich ist es schwierig, die gesamte Frontoberfläche des Substrats11 zu bedecken. Wenn die Abscheidungsrate höher als 10 nm/s ist, wird kein Kristallfilm, sondern ein amorpher Film gebildet. - Wenn die Zwischenschicht
12 durch das Zerstäubungsverfahren gebildet wird, ist es bevorzugt, ein reaktives Zerstäubungsverfahren zu verwenden, welches ein Gruppe V-Ausgangsmaterial in einen Reaktor einführt. - Im allgemeinen wird in dem Zerstäubungsverfahren mit Erhöhung der Reinheit des Zielmaterials die Qualität eines dünnen Films, beispielsweise die Kristallinität eines dünnen Films, verbessert. Wenn die Zwischenschicht
12 durch das Zerstäubungsverfahren gebildet wird, kann ein Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter als Zielmaterial eingesetzt werden, das als Ausgangsmaterial dient, und das Zerstäuben kann in Inertgasplasma, wie Argongasplasma, durchgeführt werden. In dem reaktiven Zerstäubungsverfahren kann ein Gruppe III-Elementmetall oder ein Gemisch davon, das als Ausgangsmaterial eingesetzt wird, eine Reinheit haben, die höher ist als der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter. Deshalb kann das reaktive Zerstäubungsverfahren die Kristallinität der Zwischenschicht12 erhöhen. - Wenn die Zwischenschicht
12 gebildet wird, ist die Temperatur des Substrats11 vorzugsweise im Bereich von 300 bis 800°C, stärker bevorzugt 400 bis 800°C. Wenn die Temperatur des Substrats11 unter der Untergrenze ist, ist es schwierig, dass die Zwischenschicht12 die gesamte Oberfläche des Substrats11 bedeckt, und die Oberfläche des Substrats11 neigt dazu, exponiert zu sein. Wenn die Temperatur des Substrats11 über der Obergrenze liegt, wird die Wanderung des Metallausgangsmaterials übermäßig aktiviert, und die Zwischenschicht kann nicht als Pufferschicht dienen. - Als ein Verfahren zum Umwandeln eines Metallausgangsmaterials in Plasma unter Einsatz des Zerstäubens, um einen Mischkristall als Zwischenschicht abzuscheiden, kann ein beliebiges der folgenden Verfahren verwendet werden. Ein Verfahren, bei dem ein Zielmaterial aus einem Gemisch von Metallmaterialien (eine Legierung wird nicht notwendigerweise gebildet) vorher präpariert wird; und ein Verfahren, bei dem zwei Zielmaterialien aus unterschiedlichen Materialien hergestellt werden und die Zielmaterialien gleichzeitig zerstäubt werden. Wenn beispielsweise ein Film mit einer festgelegten Zusammensetzung gebildet wird, kann ein Zielmaterial aus einem Materialgemisch eingesetzt werden. Wenn mehrere Filme mit unterschiedlichen Zusammensetzungen gebildet werden, kann eine Vielzahl von Zielmaterialien in der Kammer bereitgestellt werden.
- Eine allgemein bekannte Nitridverbindung kann als Stickstoffausgangsmaterial in dieser Ausführungsform ohne jegliche Beschränkung eingesetzt werden. Es ist jedoch bevorzugt, dass Ammoniak oder Stickstoff (N2), das verhältnismäßig kostengünstig und leicht zu behandeln ist, als das Ausgangsmaterial eingesetzt wird.
- Die Verwendung von Ammoniak ist bevorzugt, weil es eine hohe Zersetzungseffizienz hat und bei einer hohen Wachstumsgeschwindigkeit abgeschieden werden kann. Ammoniak hat jedoch eine hohe Reaktivität und Toxizität. Deshalb erfordert Ammoniak eine Entgiftungsvorrichtung oder einen Gasdetektor, und es ist erforderlich, dass ein für einen Reaktor eingesetztes Element aus einem Material mit hoher chemischer Beständigkeit eingesetzt wird.
- Wenn Stickstoff (N2) als Ausgangsmaterial eingesetzt wird, kann ein einfacher Apparat verwendet werden, es ist jedoch schwierig, eine hohe Reaktionsrate zu erzielen. Wenn ein Verfahren zum Zersetzen von Stickstoff mit beispielsweise einem elektrischen Feld oder durch Erhitzen und Einführen in einen Apparat verwendet wird, ist es möglich, eine Abscheidungsrate zu erzielen, die für die industrielle Herstellung ausreicht, die jedoch geringer ist als bei der Verwendung von Ammoniak. Deshalb ist Stickstoff bezüglich der Herstellungskosten am stärksten bevorzugt.
- Wie vorstehend beschrieben wurde, ist es bevorzugt, dass die Zwischenschicht
12 gebildet wird, so dass die Seitenoberfläche des Substrats11 bedeckt wird. Zudem ist es am stärksten bevorzugt, dass die Zwischenschicht12 gebildet wird, so dass die Seitenoberfläche und die rückwärtige Oberfläche des Substrats11 bedeckt werden. Wenn jedoch eine Zwischenschicht durch ein Abscheidungsverfahren gemäß dem Stand der Technik gebildet wird, ist es erforderlich, ein Maximum von 6 bis 8 Abscheidungsvorgängen durchzuführen, so dass es lange dauert, die Zwischenschicht zu bilden. - Als weiteres Abscheidungsverfahren kann das folgende eingesetzt werden: ein Verfahren, bei dem ein Substrat in einer Kammer angeordnet wird, ohne dass das Substrat gehalten wird, wobei eine Zwischenschicht auf der gesamten Oberfläche des Substrats gebildet wird. In diesem Fall wird jedoch, wenn ein Erhitzen des Substrats erforderlich ist, der Herstellungsapparat kompliziert.
- Deshalb wird, wie vorstehend beschrieben wurde, beispielsweise ein Zersetzungsverfahren in Betracht gezogen, das ein Substrat hin und her schwingt oder dreht, um die Position des Substrats in der Zerstäubungsrichtung eines filmbildenden Materials während der Abscheidung zu verändern. In diesem Verfahren wird ein Film auf der Frontoberfläche und der Seitenoberfläche des Substrats durch ein Verfahren gebildet, und ein Film wird auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats durch das nächste Abscheidungsverfahren gebildet. D. h., dass es möglich ist, einen Film auf der gesamten Oberfläche des Substrats durch insgesamt zwei Verfahren zu bilden.
- Zudem kann das folgende Verfahren eingesetzt werden: ein Verfahren, bei dem ein filmbildendes Material von einer großen Quelle erzeugt wird, die Position, an der das Material erzeugt wird, verändert wird, und ein Film auf der gesamten Oberfläche eines Substrats gebildet wird, ohne dass das Substrat bewegt wird. Ein Beispiel des Verfahrens ist ein Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren, das einen Magneten hin und her bewegt oder dreht, um die Position eines Magneten einer Kathode in einem Zielmaterial während der Abscheidung zu bewegen. Wenn das Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren zur Bildung eines Films eingesetzt wird, können sowohl das Substrat als auch die Kathode bewegt werden. Zudem kann die Kathode, die eine Materialquelle ist, in der Nachbarschaft des Substrats angeordnet werden, um Plasma bereitzustellen, so dass das Substrat umgeben wird, ohne dass strahlenförmiges Plasma zu dem Substrat gegeben wird. In diesem Fall ist es möglich, gleichzeitig einen Film auf der Frontoberfläche und der Seitenoberfläche des Substrats zu bilden.
- Als Verfahren zum Erzeugen von Plasma kann ein beliebiges der folgenden Verfahren eingesetzt werden: ein Zerstäubungsverfahren wie in dieser Ausführungsform, bei dem Hochspannung mit einem spezifischen Vakuumgrad angelegt wird, um eine Entladung zu erzeugen; ein PLD-Verfahren, bei dem ein Laserstrahl mit hoher Energiedichte zur Erzeugung von Plasma gestrahlt wird; und ein PED-Verfahren, bei dem ein Elektronenstrahl zur Erzeugung von Plasma gestrahlt wird. Unter den vorstehend genannten Verfahren ist das Zerstäubungsverfahren bevorzugt, da es das einfachste Verfahren ist und für die Massenproduktion geeignet ist. Wenn ein DC-Zerstäubungsverfahren verwendet wird, wird die Oberfläche eines Zielmaterials aufgeladen, und die Abscheidungsrate neigt zur Instabilität. Deshalb ist es bevorzugt, ein Zerstäubungsverfahren mit pulsierendem Gleichstrom oder ein Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren einzusetzen.
- In dem Zerstäubungsverfahren gemäß dieser Ausführungsform wird ein Zerstäubungsverfahren eingesetzt, um eine Zwischenschicht auf dem Substrat zu bilden, das in dem Vorverfahren einem Umkehrzerstäuben ausgesetzt worden war. Deshalb gibt es zwischen dem Substrat und dem Gruppe-III-Nitridhalbleiterkristall keine Gitterfehlstellen, so dass es möglich ist, eine Zwischenschicht mit hoher und stabiler Kristallinität zu erhalten.
- Die Struktur der Licht emittierenden Vorrichtung 1, erhalten durch das Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform, welche das Vorverfahren und das Zerstäubungsverfahren umfasst, wird im folgenden eingehend beschrieben.
- [Substrat]
- In dieser Ausführungsform kann das Substrat
11 aus einem beliebigen Material gebildet sein, solange ein Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiterkristall auf der Oberfläche des Substrats epitaxial wachsen kann. Das Substrat kann beispielsweise aus einem beliebigen der folgenden Materialien gebildet sein: Saphir, SiC, Silicium, Zinkoxid, Magnesiumoxid, Manganoxid, Zirkoniumoxid, Manganzinkeisenoxid, Magnesiumaluminiumoxid, Zirkoniumborid, Galliumoxid, Indiumoxid, Lithiumgalliumoxid, Lithiumaluminiumoxid, Neodymgalliumoxid, Lanthanstrontiumaluminiumtantaloxid, Strontiumtitanoxid, Titanoxid, Hafnium, Wolfram und Molybdän. Unter diesen Materialien ist Saphir besonders bevorzugt. - Wenn die Zwischenschicht ohne Verwendung von Ammoniak gebildet wird, wird eine Unterschicht, die nachstehend beschrieben wird, durch ein Verfahren unter Verwendung von Ammoniak gebildet, und es wird ein Oxidsubstrat oder ein Metallsubstrat aus einem Material, das Ammoniak bei einer hohen Temperatur kontaktiert, um chemisch modifiziert zu werden, unter den Substratmaterialien eingesetzt, wobei die Zwischenschicht gemäß dieser Ausführungsform auch als Überzugsschicht dient. Deshalb ist diese Struktur wirksam, die chemische Modifikation des Substrats zu verhindern.
- [Zwischenschicht]
- In dem laminierten Halbleiter
10 gemäß dieser Ausführungsform wird die Einkristallzwischenschicht12 aus einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf dem Substrat11 durch das Zerstäubungsverfahren gebildet. Die Zwischenschicht12 wird durch das Zerstäubungsverfahren gebildet, welches die Reaktion zwischen einem Metallausgangsmaterial und Gas, einschließlich einem Gruppe V-Element, in Plasma aktiviert. - Die Zwischenschicht
12 muss 60% oder mehr, vorzugsweise 80% oder mehr der Frontoberfläche11a des Substrats11 bedecken. Es ist bevorzugt, dass die Zwischenschicht12 so gebildet wird, dass 90% oder mehr der Frontoberfläche des Substrats11 , ausgedrückt als Funktion einer Überzugsschicht des Substrats11 , bedeckt werden. Es ist am stärksten bevorzugt, dass die Zwischenschicht12 so gebildet wird, dass die gesamte Frontoberfläche11a des Substrats11 ohne jeglichen Spalt gebildet wird. - Wenn die Oberfläche des Substrats
11 exponiert wird, ohne dass sie von der Zwischenschicht12 bedeckt wird, haben ein Teil der Unterschicht14a , die auf der Zwischenschicht12 gebildet worden ist, und der andere Teil der Unterschicht14a , der direkt auf dem Substrat11 gebildet worden ist, unterschiedliche Gitterkonstanten. Deshalb wird ein gleichförmiger Kristall nicht erhalten, und es treten Hügel oder Vertiefungen auf. - In dem Zerstäubungsverfahren kann, wenn eine Zwischenschicht auf dem Substrat
11 gebildet wird, wie in7a gezeigt, eine Zwischenschicht12a so gebildet werden, dass nur die Frontoberfläche11a des Substrats bedeckt wird. Wie in7B gezeigt wird, muss eine Zwischenschicht12b nicht so ausgebildet werden, dass die Frontoberfläche11a und die Seitenoberfläche11b des Substrats11 bedeckt werden. Wie in7C gezeigt wird, ist es am stärksten bevorzugt, dass eine Zwischenschicht12c so ausgebildet wird, das die Frontoberfläche11a , die Seitenoberfläche11b und die rückwärtige Oberfläche11c des Substrats11 , ausgedrückt als Funktion einer Überzugsschicht, bedeckt werden. - Wie vorstehend beschrieben wurde, kontaktiert in einem MOCVD-Verfahren in einigen Fällen ein Ausgangsmaterialgas die Seitenoberfläche oder die rückwärtige Oberfläche des Substrats. Wenn Schichten aus Gruppe-III-Nitridverbundhalbleiterkristall, die nachstehend beschrieben werden, durch das MOCVD-Verfahren gebildet werden, um die Reaktion zwischen dem Ausgangsmaterial und dem Substrat zu verhindern, ist es deshalb bevorzugt, dass die in
7C gezeigte Zwischenschicht12c gebildet wird, um die Seitenoberfläche und die rückwärtige Oberfläche des Substrats zu schützen. - Der Kristall einer Gruppe-III-Nitridverbindung, welche die Zwischenschicht bildet, hat eine hexagonale Kristallstruktur, und es ist möglich, die Abscheidungsbedingungen zu kontrollieren, um einen Einkristallfilm zu bilden. Zudem ist es möglich, den Kristall der Gruppe-III-Nitridverbindung in einen stängelförmigen Kristall abzuändern, der aus einer Textur zusammengesetzt ist, die einen hexagonalen Stängel als Basis aufweist, indem die Abscheidungsbedingungen kontrolliert werden. Der stängelförmige Kristall bedeutet einen Kristall, der in Längsquerschnittansicht eine Stängelform hat, und eine Kristallkörnchengrenze wird zwischen benachbarten Kristallkörnchen gebildet.
- Es ist bevorzugt, dass die Zwischenschicht
12 eine Einkristallstruktur, ausgedrückt als eine Pufferfunktion, aufweist. Wie vorstehend beschrieben wurde, hat der Kristall der Gruppe-III-Nitridverbindung eine hexagonale Kristallstruktur und bildet eine Textur mit einem hexagonalen Stängel als Basis. Der Kristall der Gruppe-III-Nitridverbindung kann in der ebenen Richtung unter Bildung einer Einkristallstruktur wachsen, indem die Abscheidungsbedingungen kontrolliert werden. Wenn die Zwischenschicht12 mit der Einkristallstruktur auf dem Substrat11 gebildet wird, wirkt deshalb die Pufferfunktion der Zwischenschicht effektiv, und eine auf der Zwischenschicht gebildete Gruppe-III-Nitridhalbleiterschicht wird ein Kristallfilm mit guter angepasster Anordnung und Kristallinität. - Wenn die Zwischenschicht
12 aus einem Polykristall gebildet wird, der ein Aggregat von stängelförmigen Kristallen ist, ist der Mittelwert der Breiten der Körnchen der stängelförmigen Kristalle vorzugsweise im Bereich von 1 bis 100 nm, stärker bevorzugt 1 bis 80 nm, bezogen auf die Funktion einer Pufferschicht. Wenn die Pufferschicht aus einem Aggregat stängelförmiger Kristalle gebildet wird, um die Kristallinität einer Kristallschicht aus einem auf der Zwischenschicht gebildeten Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter zu verbessern, ist es erforderlich, die Breite der Körnchen jedes stängelförmigen Kristalls in geeigneter Weise zu kontrollieren. Im speziellen ist es bevorzugt, dass der Mittelwert der Breiten der Kristallkörnchen innerhalb des vorstehend beschriebenen Bereichs liegt. Die Breite der Körnchen jedes stängelförmigen Kristalls kann aus einem Foto einer Querschnitts TEM leicht gemessen werden. - Wenn die Zwischenschicht auf einem Polykristall gebildet wird, ist es bevorzugt, dass das Körnchen jedes Kristalls eine im wesentlichen stängelförmige Form hat, und die Zwischenschicht aus einem Aggregat von zylindrischen Körnchen gebildet wird.
- In der vorliegenden Erfindung ist die Breite der Körnchen der Abstand zwischen den Kontaktflächen von Kristallen, wenn die Zwischenschicht ein Aggregat von zylindrischen Körnchen ist. Wenn die Körnchen als Inselformen verstreut sind, bedeutet die Breite der Körnchen die Länge der Diagonallinie des längsten Teils der Oberfläche des Kristallkörnchens, das mit der Oberfläche des Substrats in Kontakt kommt.
- Die Dicke der Zwischenschicht
12 ist vorzugsweise im Bereich von 10 bis 500 nm, stärker bevorzugt 20 bis 100 nm. - Wenn die Dicke der Zwischenschicht
12 weniger als 10 nm ist, wird eine ausreichende Pufferfunktion nicht erzielt. Wenn andererseits die Dicke der Zwischenschicht12 über 500 nm ist, dient die Zwischenschicht als Pufferschicht, die Abscheidungszeit wird jedoch erhöht, was zu einer geringen Produktivität führt. - Die Zwischenschicht
12 wird vorzugsweise aus einer Al enthaltenden Zusammensetzung, stärker bevorzugt einer AlN enthaltenden Zusammensetzung gebildet. - Die Zwischenschicht
12 kann aus einem beliebigen Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter der allgemeinen Formel AlGaInN gebildet sein. Die Zwischenschicht12 kann zudem aus einem ein Gruppe V-Element, wie As oder P, enthaltenden Material gebildet sein. - Es ist bevorzugt, dass die Zwischenschicht
12 aus GaAlN als die Al enthaltende Zusammensetzung gebildet wird. In diesem Fall ist es bevorzugt, dass der Al-Gehalt 50% oder mehr ist. - Es ist zudem bevorzugt, dass die Zwischenschicht
12 aus AlN gebildet wird, wenn die Zwischenschicht aus einem Aggregat von stängelförmigen Kristallen gebildet wird. In diesem Fall ist es möglich, ein Aggregat von stängelförmigen Kristallen effektiv zu bilden. - [Laminierter Halbleiter]
- Wie
1 zeigt, wird in dem laminierten Halbleiter10 gemäß dieser Ausführungsform eine Licht emittierende Halbleiterschicht, die die n-Typ Halbleiterschicht14 , die Licht emittierende Schicht15 und die p-Typ Halbleiterschicht16 umfasst, die jeweils aus einem Nitridverbindungshalbleiter gemacht sind, auf dem Substrat11 mit der dazwischen liegenden Zwischenschicht12 gebildet. - Die n-Typ Halbleiterschicht
14 umfasst mindestens eine Unterschicht14a aus einem Gruppe-III-Nitridverbindungs halbleiter, und die Unterschicht14a wird auf der Zwischenschicht12 gebildet. - Wie vorstehend beschrieben wurde, kann eine Kristalllaminierte Struktur mit derselben Funktion wie der in
1 gezeigte laminierte Halbleiter auf der Unterschicht14a aus einem Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter gebildet werden. Wenn beispielsweise eine Halbleiter-laminierte Struktur für eine Licht emittierende Vorrichtung gebildet wird, kann eine n-Typ Leiterschicht, die mit einem n-Typ Dotierungsmittel dotiert ist, wie Si, Ge oder Sn, oder eine p-Typ Leiterschicht, die mit einem p-Typ Dotierungsmittel dotiert ist, wie Mg, gebildet werden. Eine Licht emittierende Schicht kann beispielsweise aus InGaN gebildet sein, und eine Deckschicht kann aus AlGaN gebildet sein. Daher kann eine Gruppe-III-Nitridhalbleiterkristallschicht mit einer zusätzlichen Funktion auf der Unterschicht14a gebildet werden, wobei ein Wafer mit einer Halbleiter-laminierten Struktur hergestellt wird. Der Wafer wird eingesetzt, um eine Licht emittierende Diode, eine Laserdiode oder eine elektronische Vorrichtung herzustellen. - Im folgenden wird der laminierte Halbleiter
10 eingehend beschrieben. - Als die Nitridverbindungshalbleiter sind verschiedene Arten von Galliumnitridverbindungshalbleitern bekannt, die durch die allgemeine Formel AlxGayInzN1-AMA dargestellt sind (0 ≤ X ≤ 1, 0 ≤ Y ≤ 1, 0 ≤ Z ≤ 1, und X + Y + Z = 1. M stellt ein anderes Gruppe V-Element als Stickstoff (N) dar, und 0 ≤ A ≤ 1). Die vorliegende Erfindung kann auch eine beliebige Art von Galliumnitridverbindungshalbleitern der allgemeinen Formel AlxGayInzN1-AMA darstellen (0 ≤ X ≤ 1, 0 ≤ Y ≤ 1, 0 ≤ Z ≤ 1, und X + Y + Z = 1; M stellt ein anderes Gruppe V-Element als Stickstoff N dar; und 0 ≤ A < 1) zusätzlich zu den bekannten Galliumnitridverbindungshalbleitern.
- Der Galliumnitridverbindungshalbleiter kann andere Gruppe III-Elemente als Al, Ga und In enthalten und kann Elemente, wie Ge, Si, Mg, Ca, Zn, Be, P, As und B, bei Bedarf enthalten. Zudem kann er Dotierungsmittel, ein Ausgangs material und eine sehr kleine Menge von in einem Rückkopplungsspulenmaterial enthaltenen Dotierungsmitteln, die in Abhängigkeit von den Abscheidungsbedingungen notwendigerweise enthalten sind, zusätzlich zu den Elementen, die absichtlich zugegeben werden, enthalten.
- Ein Verfahren zum Züchten der Galliumnitridverbindungshalbleiter ist nicht besonders eingeschränkt. Beispielsweise kann jedes Verfahren, bei dem ein Nitridverbindungshalbleiter gezüchtet wird, wie ein MOCVD-Verfahren (metallorganische Gasphasenepitaxie), ein HVPE-Verfahren (Hydriddampfphasenepitaxie-Verfahren) oder ein MBE-Verfahren (Molekülstrahlepitaxie) eingesetzt werden, um den Nitridverbindungshalbleiter zu züchten. Das MOCVD-Verfahren ist wegen der Kontrolle der Dicke eines Films und wegen der Massenproduktion bevorzugt. In dem MOCVD-Verfahren wird Wasserstoff (H2) oder Stickstoff (N2) als Trägergas eingesetzt, Trimethylgallium (TMG) oder Triethylgallium (TEG) wird als Galliumquelle eingesetzt, welches ein Gruppe III-Element ist, Trimethylaluminium (TMA) oder Triethylaluminium (TEA) wird als Aluminiumquelle eingesetzt, Trimethylindium (TMI) oder Triethylindium (TEE) wird als Indiumquelle eingesetzt, und Ammoniak (NH3) oder Hydrazin (N2H4) wird als Stickstoffquelle eingesetzt, welches ein Gruppe V-Element ist. Zudem können beispielsweise Materialien auf Si-Basis, wie Monosilan (SiH4) und Disilan (Si2H6), und Materialien auf Ge-Basis, d. h. organische Germaniumverbindungen, wie German (GeH4), Tetramethylgermanium ((CH3)4Ge) und Tetraethylgermanium ((C2H5)4Ge) als Endtyp-Dotierungsmittel eingesetzt werden. In dem MBE-Verfahren kann elementares Germanium als Dotierungsmittelquelle eingesetzt werden. Materialien auf Mg-Basis, wie Bis-cyclopentadienylmagnesium (Cp2Mg) und Bisethylcyclopentadienylmagnesium (EtCp2Mg) werden als p-Typ Dotierungsmittel verwendet.
- <N-Typ-Halbleiterschicht>
- Die n-Typ-Halbleiterschicht 14 wird im allgemeinen auf der Zwischenschicht
12 gebildet und umfasst die Unterschicht14a , eine n-Typ-Kontaktschicht14b und eine n-Typ-Abdeckschicht14c . Die n-Typ-Kontaktschicht kann auch als Unterschicht und/oder n-Typ-Abdeckschicht dienen. Die Unterschicht kann auch als n-Typ-Kontaktschicht und/oder n-Typ-Abdeckschicht dienen. - <Unterschicht>
- Die Unterschicht
14a ist aus einem Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter hergestellt und ist auf dem Substrat11 gebildet. - Die Unterschicht
14a kann aus einem Material, das sich von dem die Zwischenschicht12 bildenden Material unterscheidet, auf dem Substrat11 gebildet sein. Die Unterschicht14a ist vorzugsweise aus AlxGa1-xN hergestellt (0 ≤ x ≤ 1, vorzugsweise 0 ≤ x ≤ 0,5, stärker bevorzugt 0 ≤ x ≤ 0,1). - Die Unterschicht
14a ist aus einer Gruppe-III-Nitridverbindung, einschließlich Ga hergestellt, d. h. einem GaN-Verbindungshalbleiter. Insbesondere ist es bevorzugt, dass die Unterschicht aus AlGaN oder GaN gebildet ist. - Es ist erforderlich, durch Migration eine Versetzungsschleife zu bilden, so dass die Unterschicht
14a nicht der Kristallinität der Zwischenschicht12 folgt, wenn die Zwischenschicht12 aus einem Aggregat von stängelförmigen Kristallen aus AlN gebildet ist. Beispielsweise ist die Unterschicht aus einem Ga umfassenden Verbindungshalbleiter auf GaN-Basis gebildet. Insbesondere ist es bevorzugt, dass die Unterschicht aus AlGaN oder GaN gebildet ist. - Die Dicke der Unterschicht ist vorzugsweise nicht weniger als 0,1 μm, stärker bevorzugt nicht weniger als 0,5 μm und am stärksten bevorzugt nicht weniger als 1 μm. Wenn die Dichte über dem vorstehend genannten Bereich liegt, ist es leicht, eine AlxGa1-xN-Schicht mit hoher Kristallinität zu erhalten.
- Die Unterschicht
14a kann mit einem n-Typ-Dotierungsmittel in einem Konzentrationsbereich von 1 × 1017 bis 1 × 1019/cm3 bei Bedarf dotiert sein, oder die Unterschicht14a kann undotiert sein (< 1 × 1017/cm3). Es ist bevorzugt, dass die Unterschicht14a undotiert ist, um eine hohe Kristallinität aufrechtzuerhalten. Beispielsweise werden Si, Ge und Sn, vorzugsweise Si und Ge, als n-Typ-Dotierungsmittel eingesetzt, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht darauf beschränkt ist. - Wenn ein Leitersubstrat als Substrat
11 eingesetzt wird, wird die Unterschicht14a mit einem Dotierungsmittel dotiert, und die Unterschicht14a hat eine Schichtstruktur, die es zulässt, dass ein Fluss in Längsrichtung strömt. Auf diese Weise können auf beiden Oberflächen eines Chips der Lichtemissionsvorrichtung Elektroden gebildet werden. - Wenn ein Isolierungssubstrat als Substrat
11 eingesetzt wird, wird eine Chipstruktur, worin Elektroden auf einer Oberfläche des Chips der Lichtemissionsvorrichtung gebildet werden, eingesetzt. Deshalb ist es bevorzugt, dass die Unterschicht14a , die auf dem Substrat11 mit der dazwischen liegenden Zwischenschicht12 gebildet wird, undotiert ist, um die Kristallinität zu verbessern. - (Verfahren zum Bilden der Unterschicht)
- Im folgenden wird ein Verfahren zum Bilden der Unterschied gemäß dieser Ausführungsform beschrieben.
- In dieser Ausführungsform kann, nachdem die Zwischenschicht
12 auf dem Substrat11 durch das vorstehend beschriebene Verfahren gebildet worden ist, die Unterschicht14a aus einem Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter auf der Zwischenschicht gebildet werden. Bevor die Unterschicht14a gebildet wird, ist es nicht besonders erforderlich, ein Glühverfahren durchzuführen. Wenn jedoch ein Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiterfilm durch ein chemisches Dampfabscheidungsverfahren, beispielsweise MOCVD, MBE oder VPE, gebildet wird, werden ein Temperaturerhöhungsverfahren und ein Temperaturstabilisierungsverfahren, die keine Filmabscheidung umfassen, benötigt, und während dieser Verfahren wird ein Gruppe V Ausgangsmaterialgas im allgemeinen in die Kammer eingeführt. Als Ergebnis wird eine Glühwirkung erzielt. - In diesem Fall kann ein allgemeines Gas als Trägergas ohne jegliche Einschränkungen oder Wasserstoff oder Stickstoff, die allgemein in chemischen Dampfabscheidungsverfahren, wie MOCVD, eingesetzt werden, als Trägergas verwendet werden. Wenn jedoch Wasserstoff als Trägergas eingesetzt wird, kann die Kristallinität der Unterschicht oder die Flachheit einer Kristalloberfläche aufgrund einer Temperaturerhöhung in relativ aktivem Wasserstoff beschädigt werden. Deshalb ist es bevorzugt, die Verfahrensdauer zu verkürzen.
- Ein Verfahren zum Bilden der Unterschicht
14a ist nicht besonders eingeschränkt. Wie vorstehend beschrieben wurde, kann ein beliebiges Kristallzüchtungsverfahren eingesetzt werden, solange es eine Versetzungsschleife bilden kann. Insbesondere ist MOCVD, MBE oder VPE bevorzugt, einen Film mit hoher Kristallinität zu bilden, da es die vorstehend beschriebene Migration erzeugen kann. Unter diesen. Verfahren ist MOCVD stärker bevorzugt, da es einen Film mit der höchsten Kristallinität bilden kann. - Zusätzlich kann ein Zerstäubungsverfahren eingesetzt werden, um die Unterschicht
14a aus einem Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter zu bilden. Wenn das Zerstäubungsverfahren eingesetzt wird, ist es möglich, die Struktur eines Apparats im Vergleich zu MOCVD oder MBE zu vereinfachen. - Wenn die Unterschicht
14a durch das Zerstäubungsverfahren gebildet wird, ist es bevorzugt, ein reaktives Zerstäubungsverfahren einzusetzen, das ein Gruppe V Ausgangsmaterial in einen Reaktor einführt. Wie vorstehend beschrieben wurde, wird in dem Zerstäubungsverfahren mit dem Erhöhen der Reinheit des Zielmaterials die Qualität eines dünnen Films, wie die Kristallinität eines dünnen Films, verbessert. Wenn die Unterschicht14a durch das Zerstäubungsverfahren gebildet wird, kann ein Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter als Zielmaterial eingesetzt werden, das als Ausgangsmaterial dient, und das Zerstäuben kann in einem Inertgasplasma durchgeführt werden, beispielsweise in Argongasplasma. In dem Reaktivzerstäubungsverfahren kann ein Gruppe III Elementmetall oder ein Gemisch davon, das als Zielmaterial eingesetzt wird, eine Reinheit haben, die höher ist als diejenige eines Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiters. Deshalb kann das reaktive Zerstäubungsverfahren die Kristallinität der Unterschicht14a verbessern. - Die Temperatur des Substrats
11 ist, wenn die Unterschicht14a gebildet wird, d. h. die Zersetzungstemperatur der Unterschicht14a , vorzugsweise nicht niedriger als 800°C, stärker bevorzugt nicht niedriger als 900°C und am stärksten bevorzugt nicht niedriger als 1000°C. Wenn die Temperatur des Substrats11 während der Zersetzung der Unterschicht14a hoch ist, ist es wahrscheinlicher, dass Atome wandern, und es ist einfach, eine Versetzungsschleife zu bilden. Zudem muss die Temperatur des Substrats11 , wenn die Unterschicht14a gebildet wird, niedriger sein als die Kristallzersetzungstemperatur. Beispielsweise ist es bevorzugt, dass die Temperatur des Substrats niedriger als 1200°C ist. Wenn die Temperatur des Substrats11 während der Abscheidung der Unterschicht14a in dem vorstehend genannten Bereich liegt, ist es möglich, die Unterschicht14a mit hoher Kristallinität zu erhalten. - Zudem ist es bevorzugt, dass der Innendruck eines MOCVD-Ofens im Bereich von 15 bis 40 kPa liegt.
- <N-Typ-Kontaktschicht>
- Es ist bevorzugt, dass ähnlich wie die Unterschicht
14a die n-Typ-Kontaktschicht14b aus AlxGa1-xN gebildet wird (0 ≤ x ≤ 1, vorzugsweise 0 ≤ x ≤ 5, stärker bevorzugt 0 ≤ x ≤ 0,1). Die n-Typ-Kontaktschicht ist vorzugsweise mit einem n-Typ-Dotierungsmittel im Konzentrationsbereich von 1 × 1017 bis 1 × 1019/cm3, stärker bevorzugt 1 × 1018 bis 1 × 1019/cm3 dotiert, um einen guten Ohm'schen Kontakt mit der negativen Elektrode aufrechtzuerhalten, das Auftreten von Brüchen zu verhindern und eine hohe Kristallinität aufrechtzuerhalten. Beispielsweise werden Si, Ge und Sn, vorzugsweise Si und Ge, als n-Typ-Dotierungsmittel eingesetzt, die vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die Abscheidungstemperatur der n-Typ-Kontaktschicht ist dieselbe wie diejenige der Unterschicht. - Es ist bevorzugt, dass die Galliumnitridverbindungshalbleiter, welche die Unterschicht
14a und die n-Typ-Kontaktschicht14b bilden, dieselbe Zusammensetzung haben. Die Summe der Dicken der Unterschicht und der n-Typ-Kontaktschicht ist vorzugsweise im Bereich von 1 bis 20 μm, stärker bevorzugt 2 bis 15 μm und am stärksten bevorzugt 3 bis 12 μm. Wenn die Dicke in dem vorstehend beschriebenen Bereich ist, ist es möglich, die Kristallinität des Halbleiters auf einem hohen Niveau zu halten. - Es ist bevorzugt, die n-Typ-Abdeckschicht
14c zwischen der n-Typ-Kontaktschicht14b und der Lichtemissionsschicht15 bereitzustellen, was nachstehend beschrieben wird. Die n-Typ-Abdeckschicht14c ermöglicht es, die Unebenheit der äußeren Oberfläche der n-Typ-Kontaktschicht14b auszugleichen. Die n-Typ-Abdeckschicht14c kann beispielsweise aus AlGaN, GaN oder GaInN gebildet sein. Zusätzlich kann eine Heteroübergangsstruktur dieser Schichten oder eine Supergitterstruktur einer Vielzahl von Schichten eingesetzt werden. Wenn die n-Typ-Abdeckschicht aus GaInN gebildet ist, ist es bevorzugt, dass der Bandenabstand von GaInN der n-Typ-Abdeckschicht größer ist als derjenige von GaInN der Lichtemissionsschicht15 . - <N-Typ-Abdeckschicht>
- Die Dicke der n-Typ-Abdeckschicht
14c ist nicht besonders eingeschränkt, sie ist jedoch vorzugsweise im Bereich von 5 bis 500 nm, stärker bevorzugt 5 bis 100 nm. - Die n-Typ-Dotierungsmittelkonzentration der n-Typ-Abdeckschicht
14c ist vorzugsweise im Bereich von 1 × 1017 bis 1 × 1020/cm3, stärker bevorzugt 1 × 1018 bis 1 × 1019/cm3. - Wenn die Dotierungsmittelkonzentration innerhalb des vorstehend erwähnten Bereichs ist, ist es möglich, eine hohe Kristallinität aufrechtzuerhalten und die Betriebsspannung der Lichtemissionsvorrichtung zu reduzieren.
- <P-Typ-Halbleiterschicht>
- Im allgemeinen umfasst die p-Typ-Halbleiterschicht
16 eine p-Typ-Abdeckschicht16a und eine p-Typ-Kontaktschicht16b . Die p-Typ-Kontaktschicht kann auch als p-Typ-Abdeckschicht dienen. - <P-Typ-Abdeckschicht>
- Die p-Typ-Abdeckschicht
16a ist nicht besonders eingeschränkt, solange sie eine Zusammensetzung hat, die eine Bandenabstandsenergie aufweist, die höher ist als diejenige der Lichtemissionsschicht15 , und sie die Träger in der Lichtemissionsschicht15 einschränken kann. Es ist bevorzugt, dass die p-Typ-Abdeckschicht16a aus AldGa1-dN gebildet wird (0 ≤ d ≤ 0,4, vorzugsweise 0,1 ≤ d ≤ 3). Wenn die p-Typ-Abdeckschicht 16a aus AlGaN gebildet wird, ist es möglich, Träger in der Lichtemissionsschicht15 einzugrenzen. Die Dicke der p-Typ-Abdeckschicht16a ist nicht besonders eingeschränkt, sie ist jedoch bevorzugt im Bereich von 1 bis 400 nm, stärker bevorzugt 5 bis 100 nm. Die p-Typ-Dotierungsmittelkonzentration der p-Typ-Abdeckschicht16a ist vorzugsweise im Bereich von 1 × 1018 bis 1 × 1021/cm3, stärker bevorzugt 1 × 1019 bis 1 × 1020/cm3. Dieser p-Typ-Dotierungsmittelkonzentrationsbereich ermöglicht es, einen guten p-Typ-Kristall ohne Beeinträchtigung der Kristallinität zu erhalten. - <P-Typ-Kontaktschicht>
- Die p-Typ-Kontaktschicht
16b ist aus einer Galliumnitridverbindungshalbleiterschicht zusammengesetzt, die zumindest AleGa1-cN enthält (0 ≤ e ≤ 0,5, vorzugsweise 0 ≤ e ≤ 0,2, stärker bevorzugt 0 ≤ e ≤ 0,1). Wenn die Al-Zusammensetzung innerhalb des vorstehenden Bereichs liegt, ist es möglich, eine hohe Kristallinität und einen geringen Ohm'schen Kontaktwiderstand mit einer p-Typ Ohm'schen Elektrode aufrechtzuerhalten (vgl. transparente Elektrode17 , die nachstehend beschrieben wird). - Wenn die p-Typ-Dotierungsmittelkonzentration im Bereich von 1 × 1018 bis 1 × 1021/cm3 ist, ist es möglich, einen geringen Ohm'schen Kontaktwiderstand aufrechtzuerhalten, das Auftreten von Brüchen zu verhindern und eine Kristallinität aufrechtzuerhalten. Es ist stärker bevorzugt, dass die p-Typ-Dotierungsmittelkonzentration im Bereich von 5 × 1019 bis 5 × 1020/cm3 ist.
- Beispielsweise kann das p-Typ-Dotierungsmittel Mg sein, wobei es jedoch nicht darauf eingeschränkt ist.
- Die Dicke der p-Typ-Kontaktschicht
16b ist nicht besonders eingeschränkt, sie ist jedoch vorzugsweise im Bereich von 10 bis 500 nm, stärker bevorzugt 50 bis 200 nm. Dieser Dickenbereich ermöglicht es, die Emissionskraft zu erhöhen. - <Lichtemissionsschicht>
- Die Lichtemissionsschicht
15 ist zwischen der n-Typ-Halbleiterschicht14 und der p-Typ-Halbleiterschicht16 gebildet. Wie in1 gezeigt wird, wird die Lichtemissionsschicht gebildet, indem Barriereschichten15a aus einem Galliumnitridverbindungshalbleiter und Vertiefungsschichten15b aus einem Galliumnitridverbindungshalbleiter, einschließlich Indium, abwechselnd laminiert werden, und die Barriereschichten15a werden so angeordnet, dass die n-Typ-Halbleiterschicht14 und die p-Typ-Halbleiterschicht16 kontaktiert werden. - In der in
1 gezeigten Struktur umfasst die Lichtemissionsschicht15 sechs Barriereschichten15a und fünf Vertiefungsschichten15b , die abwechselnd gebildet sind. Die Barriereschichten15a sind an den obersten und untersten Seiten der Lichtemissionsschicht15 angeordnet, und die Vertiefungsschicht15b ist zwischen den Barriereschichten15a angeordnet. - Die Barriereschicht
15a ist beispielsweise aus einem Galliumnitridverbindungshalbleiter, wie AlcGa1-cN (0 ≤ c ≤ 0,3), mit einer Bandenabstandsenergie gebildet, die höher ist als diejenige der Vertiefungsschicht15b , die aus einem Indium umfassenden Galliumverbindungshalbleiter gebildet ist. - Die Vertiefungsschicht
15b kann aus Galliumindiumnitrid, beispielsweise aus Ga1-sInsN (0 ≤ s ≤ 0,4), als der Indium umfassende Galliumnitridverbindungshalbleiter gebildet sein. - <Transparente positive Elektrode>
- Die transparente positive Elektrode
17 ist eine transparente Elektrode, die auf der p-Typ-Halbleiterschicht16 des laminierten Halbleiters10 gebildet worden ist. Das die transparente positive Elektrode17 bildende Material ist nicht besonders eingeschränkt, die transparente positive Elektrode17 kann jedoch beispielsweise aus ITO (In2O3-SnO2), AZO (ZnO-Al2O3), IZO (In2O3-ZnO) oder GZO (ZnO-Ga2O3) durch ein bekanntes Verfahren gebildet werden. Zudem kann die transparente positive Elektrode17 eine beliebige bekannte Struktur ohne Einschränkungen haben. - Die transparente positive Elektrode
17 kann so gebildet sein, dass die gesamte Oberfläche der p-Typ-Halbleiterschicht16 , die mit Mg dotiert ist, bedeckt wird, oder sie kann in Gitterform oder Baumform ausgebildet sein. Nach dem Formen der transparenten positiven Elektrode17 wird ein thermisches Glühverfahren durchgeführt, um eine Legierung zu bilden oder die Elektrode transparent zu machen, oder das thermische Glühverfahren wird nicht durchgeführt. - <Anschlussfläche der positiven Elektrode und negative Elektrode>
- Eine Anschlussfläche
18 einer positiven Elektrode ist eine Elektrode, die auf der transparenten positiven Elektrode17 gebildet ist. - Die Anschlussfläche
18 der positiven Elektrode kann aus verschiedenen bekannten Materialien, wie Au, Al, Ni und Cu gebildet werden. Die bekannten Materialien und die Struktur der Anschlussfläche der positiven Elektrode sind jedoch nicht besonders eingeschränkt. - Es ist bevorzugt, dass die Dicke der Anschlussfläche
18 der positiven Elektrode im Bereich von 100 bis 1000 nm liegt. Zudem hat die Anschlussfläche die Eigenschaften, dass mit zunehmender Dicke die Anschlussfähigkeit verstärkt wird. Deshalb ist es bevorzugt, dass die Dicke der Anschlussfläche18 der positiven Elektrode mindestens 300 nm ist. Zudem ist es bevorzugt, dass die Dicke der Anschlussfläche der positiven Elektrode höchstens 50 nm ist, um die Herstellungskosten zu verringern. - Eine negative Elektrode
19 wird so gebildet, dass sie mit der n-Typ-Kontaktschicht14b der n-Typ Halbleiterschicht14 in der Halbleiterschicht, die ein Laminat der n-Typ Halbleiterschicht14 , der Lichtemissionsschicht15 und der p-Typ-Halbleiterschicht16 , die nacheinander auf dem Substrat11 gebildet werden, in Kontakt kommt. - Wenn die Anschlussfläche
17 der negativen Elektrode gebildet wird, werden die Lichtemissionsschicht15 , die p-Typ-Halbleiterschicht16 und die n-Typ-Halbleiterschicht14 teilweise entfernt, um einen exponierten Bereich14d der n-Typ-Kontaktschicht14b zu bilden, und die negative Elektrode19 wird auf dem exponierten Bereich gebildet. - Die negative Elektrode
19 kann aus einem beliebigen Material gebildet sein, dessen Zusammensetzung und Struktur bekannt ist, und die negative Elektrode kann mit Mitteln gebildet werden, die auf diesem technischen Gebiet bekannt sind. - Wie vorstehend beschrieben wurde, umfasst das Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform das Verfahren, bei dem Plasmaverarbeiten auf dem Substrat
11 durchgeführt wird, und das Zerstäubungsverfahren, welches die Zwischenschicht12 auf dem Substrat11 unter Einsatz eines Zerstäubungsverfahrens nach dem Vorverfahren bildet. Auf diese Weise wird die Zwischenschicht12 mit einer gleichförmigen Kristallstruktur auf dem Substrat11 gebildet, und es gibt zwischen dem Substrat11 und der Halbleiterschicht aus einem Gruppe-III-Nitridhalbleiter keine Gitterfehl stellungen. Deshalb ist es möglich, einem Gruppe-III-Nitridhalbleiter mit hoher Kristallinität auf dem Substrat11 effektiv zu züchten. Als Ergebnis ist es möglich, die Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung1 mit hoher Produktivität und guten Emissionseigenschaften zu erhalten. - Wie vorstehend beschrieben wurde, wird als ein Mechanismus zum Durchführen des Umkehrzerstäubens auf dem Substrat 11 zum Erzielen der vorstehend beschriebenen Wirkungen der folgende Mechanismus eingesetzt. Ein Mechanismus, bei dem eine auf der Oberfläche des Substrats
11 anhaftende Verunreinigung unter Einsatz einer chemischen Reaktion in Plasmagas entfernt wird, so dass eine Kristallgitterübereinstimmung zwischen der Oberfläche des Substrats11 und einer Gruppe-III-Nitridverbindung erzielt wird. - Gemäß dem Herstellungsverfahren nach dieser Ausführungsform ist es möglich, das Vorverfahren durchzuführen, so dass das Substrat gute Oberflächenbedingungen durch die vorstehend beschriebene Reaktion hat, ohne dass die Oberfläche des Substrats beschädigt wird, was im Gegensatz zu den sogenannten Bombardierungsverfahren steht, welches eine Verunreinigung von der Oberfläche des Substrats durch physikalische Kollision unter Einsatz eines Argongases entfernt.
- Die Strukturen des Substrats, der Zwischenschicht und der Unterschicht gemäß dieser Ausführungsform sind nicht auf eine Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung beschränkt. Beispielsweise können die Strukturen auf einen Fall angewandt werden, bei dem ein Ausgangsmaterialgas zu einer Reaktion mit dem Substrat bei einer hohen Temperatur neigt, wenn die Abscheidung unter Einsatz von Materialien mit ähnlichen Gitterkonstanten durchgeführt wird.
- [Lampe]
- Eine Lampe kann durch Kombinieren der erfindungsgemäßen Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissions vorrichtung mit einem Phosphor mit Hilfe bekannter Mittel gebildet werden. Seit einigen Jahren ist eine Technik zum Kombinieren einer Lichtemissionsvorrichtung mit einem Phosphor bekannt, um die Farbe des Emissionslichts zu ändern, und die erfindungsgemäße Lampe kann diese Technik ohne jegliche Einschränkungen übernehmen.
- Es ist beispielsweise möglich, Licht einer langen Wellenlänge von der Lichtemissionsvorrichtung durch geeignetes Auswählen eines für die Lampe eingesetzten Phosphors zu imitieren. Zudem ist es möglich, eine weißes Licht emittierende Lampe durch Mischen der Emissionswellenlänge der Lichtemissionsvorrichtung und einer durch den Phosphor umgewandelten Wellenlänge zu erzielen.
- Zudem kann die erfindungsgemäße Lichtemissionsvorrichtung für verschiedene Lampentypen eingesetzt werden, beispielsweise für kugelförmige Allzwecklampen, eine Seitenansichtslampe für ein Rücklicht einer tragbaren Vorrichtung und eine Deckenlampe für eine Anzeigevorrichtung.
- Wie in
4 gezeigt wird, ist beispielsweise, wenn die Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung1 mit auf derselben Oberfläche gebildeten Elektroden an eine kugelförmige Lampe montiert wird, die Lichtemissionsvorrichtung1 an einen (ein Rahmen21 in4 ) von zwei Rahmen gebunden. Zudem ist die negative Elektrode (vgl. Bezugszeichen19 in3 ) der Lichtemissionsvorrichtung1 an einen Rahmen22 durch einen Draht24 gebunden, und die Anschlussfläche der positiven Elektrode (vgl. Bezugszeichen18 in3 ) der Lichtemissionsvorrichtung ist durch einen Draht23 an einem Rahmen21 gebunden. Dann wird der Rand der Licht emittierenden Vorrichtung1 durch eine Form25 aus einem transparenten Harz versiegelt. Auf diese Weise ist es möglich, eine in4 gezeigte kugelförmige Lampe2 herzustellen. - Die erfindungsgemäße Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung kann beispielsweise auf die Herstellung von fotoelektrischen Umwandlungsvorrichtungen, wie eine Laservorrichtung und eine Lichtempfangsvorrichtung, und auf elektronische Vorrichtungen, wie ein HBT und ein HEMT, zusätzlich zu der Lichtemissionsvorrichtung angewandt werden.
- [Beispiele]
- Als nächstes werden die Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen der Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung unter Bezugnahme auf die Beispiele eingehend beschrieben, wobei die vorliegende Erfindung nicht auf die Beispiele beschränkt ist.
- [Beispiel 1]
- In Beispiel 1 wurde ein Aggregat von stängelförmigen Kristallen aus AlN als Zwischenschicht
12 auf der c-Ebene des Substrats11 aus Saphir mit Hilfe eines Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahrens gebildet, und eine nicht dotierte GaN-Halbleiterschicht wurde als Unterschicht14a auf der Zwischenschicht mit Hilfe eines MOCVD-Verfahrens gebildet, wodurch eine Probe gemäß Beispiel 1 erhalten wurde. - Das Saphirsubstrat
11 , dessen eine Oberfläche zu einer Spiegeloberfläche poliert wurde, die für das epitaxiale Wachstum geeignet ist, wurde in einen Zerstäubungsapparat gegeben, ohne einem Vorverfahren, beispielsweise einem Nassverfahren, unterworfen zu werden. Der Zerstäubungsapparat, der eine Radiofrequenz-Stromversorgung und einen Mechanismus aufwies, um die Position eines Magneten in einem Ziel zu verändern, wurde eingesetzt. - Dann wurde das Substrat
11 auf eine Temperatur von 750°C in dem Zerstäubungsapparat erhitzt, und es wurde nur Stickstoffgas in den Zerstäubungsapparat bei einer Fließgeschwindigkeit von 30 sccm eingeführt, und der Innendruck der Kammer wird bei 0,08 Pa gehalten. Dann wurde ein Hochfrequenz-Vormagnetisierungsstrom von 50 W an das Substrat11 angelegt, und das Substrat11 wurde in Stickstoffplasma exponiert (Umkehrzerstäubung). Zur selben Zeit war die Temperatur des Substrat11 500°C und die Verarbeitungsdauer war 200 Sekunden. - Dann wurden Argongas und Stickstoffgas in den Zerstäubungsapparat gegeben, während die Temperatur des Substrats
11 bei 500°C gehalten wurde. Dann wurde ein Hochfrequenzvorspannungsstrom von 2000 W an ein Al-Ziel angelegt, um die Zwischenschicht12 aus AlN auf dem Saphirsubstrat11 unter den folgenden Bedingungen zu bilden: der Innendruck des Ofens war 0,5 Pa; die Fließgeschwindigkeit des Ar-Gases war 15 sccm; und die Fließgeschwindigkeit des Stickstoffgases war 5 sccm (der Prozentsatz von Stickstoff in dem Gesamtgas war 75%). In diesem Fall war die Abscheidungsrate 0,12 nm/s. - Der Magnet in dem Ziel wurde sowohl während des Umkehrzerstäubens des Substrats
11 als auch während des Abscheidens hin und her geschwungen. - Ein AlN-Film (Zwischenschicht
12 ) wurde mit einer Dicke von 50 nm bei einer festgelegten Abscheidungsrate für eine festgelegte Zeitdauer gebildet, und dann wurde der Plasmavorgang angehalten, um die Temperatur des Substrats11 zu verringern. - Dann wurde das Substrat
11 mit der darauf gebildeten Zwischenschicht12 aus dem Zerstäubungsapparat genommen und dann in einen MOCVD-Ofen gegeben. Dann wurde eine Probe mit einer darauf gebildeten GaN-Schicht (Gruppe-III-Nitridhalbleiter) durch ein MOCVD-Verfahren wie folgt hergestellt. - Zuerst wurde das Substrat
11 in einen reaktiven Ofen gegeben. Das Substrat11 wurde auf einen Kohlenstoffhalter zum Erhitzen in einer mit Stickstoffgas gefüllten Handschuhbox geladen. Dann wurde das Stickstoffgas in den Ofen eingeführt, und das Heizgerät wurde betrieben, um die Temperatur des Substrats11 auf 1150°C zu erhöhen. Nachdem überprüft worden war, dass die Temperatur des Substrats11 sich bei 1150°C stabilisiert hatte, wurde eine Düse für eine Ammoniakröhre geöffnet, um Ammoniak in den Ofen einzuleiten. - Dann wurde Wasserstoff, enthaltend den Dampf von TMGa, in den Ofen eingespeist, um einen Halbleiter auf GaN-Basis abzuscheiden, um die Unterschicht
14a und die auf dem Substrat11 gebildete Zwischenschicht12 auszubilden. Die Menge des Ammoniaks wurde so eingestellt, dass das Verhältnis von V zu III 6000 war. Der Halbleiter auf GaN-Basis wurde nach etwa einer Stunde gezüchtet, und eine Düse für eine TMGa-Röhre wurde umgelegt, um die Zufuhr eines Ausgangsmaterials in den Reaktivofen zu beenden, wodurch das Wachstum des Halbleiters beendet wurde. Nach Beendigung des Wachstums des Halbleiters auf GaN-Basis wurde das Heizgerät abgeschaltet, um die Temperatur des Substrats11 auf Raumtemperatur zu senken. - Auf diese Weise wurde die Zwischenschicht
12 , die eine stängelförmige Kristallstruktur hatte und aus AlN bestand, auf dem Substrat11 aus Saphir gebildet, und die nicht dotierte Unterschicht14a aus einem Halbleiter auf GaN-Basis mit einer Dicke von 2 μm wurde auf der Zwischenschicht gebildet, wodurch eine Probe gemäß Beispiel 1 hergestellt wurde. Das Substrat hatte eine farblose transparente Spiegeloberfläche. - Die Röntgenstrahl-rocking-Kurve (XRC) der durch das vorstehend beschriebene Verfahren erhaltenen nicht dotierten GaN-Schicht wurde mit Hilfe eines Vierkristall-Röntgenstrahl-Diffraktometers (PANalytical's X'pert) gemessen.
- In dem Messverfahren wurde ein Cuß-Linienröntgenstrahlgenerator als Lichtquelle eingesetzt, und die Messung wurde für die (0002)-Ebenen durchgeführt, welche symmetrische Ebenen sind, und für die (10-10)-Ebenen, welche asymmetrische Ebenen sind. Im allgemeinen wird im Fall eines Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiters die halbe Breite des XRC-Spektrums der (0002)-Ebene als Index für die Flachheit (Mosaikausmaß) des Kristalls genommen und die halbe Breite des XRC-Spektrums der (10-10)-Ebene wird als Index für die Versetzungsdichte (Biegung) genommen. Die Messung ergab, dass die (0002)-Ebene der durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren gebildeten nicht dotierten GaN-Schicht eine halbe Breite von 100 Bogensekunden hatte und die (10- 10)-Ebene davon eine halbe Breite von 320 Bogensekunden hatte.
- Die Zwischenschicht
12 und die Unterschicht14a wurden unter denselben Abscheidungsbedingungen gebildet. Dann wurden unter den Bedingungen für die Abscheidung der Zwischenschicht12 , die Substrattemperatur und die Verfahrensdauer in dem Vorverfahren geändert. Die Daten für die Röntgenstrahl-Halbwertsbreite eines GaN-Kristalls sind in den5 und6 gezeigt. - [Beispiel 2]
- In Beispiel 2 wurde eine Ge-dotierte n-Typ-Kontaktschicht
14b auf einem nicht dotierten GaN-Kristall (Unterschicht14a ), der mit einer Dicke von 6 μm gebildet wurde, unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 geformt. Dann wurden verschiedene Schichten auf der n-Typ-Kontaktschicht gebildet. Schließlich wurde ein Epitaxialwafer (laminierter Halbleiter10 ) mit einer Epitaxialschichtstruktur für die in1 gezeigte Gruppe-III Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung hergestellt. - Der Epitaxialwafer hatte eine laminierte Struktur, worin die Pufferschicht
12 , die aus AlN hergestellt war, eine stängelförmige Kristallstruktur hatte, die Unterschicht14a aus einem nicht dotierten GaN mit einer Dicke von 6 μm, die n-Typ-Kontaktschicht14b mit einer Elektronenkonzentration von 1 × 1019 cm–3 aus Ge-dotiertem GaN mit einer Dicke von 2 μm und eine n-Typ-Abdeckschicht In0,1Ga0,9N (n-Typ-Abdeckschicht14c ) mit einer Elektronenkonzentration von 1 × 1018 cm–3 und einer Dicke von 20 nm, die Lichtemissionsschicht15 (die eine Mehrquantenvertiefungsstruktur hat), und die p-Typ-Halbleiterschicht16 nacheinander auf dem Saphirsubstrat11 mit der c-Ebene mit Hilfe desselben Abscheidungsverfahrens wie in Beispiel 1 gebildet wurden. Die Lichtemissionsschicht15 hatte eine laminierte Struktur, worin sechs GaN-Barriereschichten15a mit jeweils einer Dicke von 16 nm und fünf nicht dotierte In0,2Ga0,8N-Vertiefungsschichten15b mit jeweils einer Dicke von 3 nm abwechselnd laminiert wurden, und zwei der GaN-Barriereschichten wurden an den obersten und untersten Seiten der Lichtemissionsschicht angeordnet. Die p-Typ Halbleiterschicht16 wurde durch Laminieren einer Mg-dotierten p-Typ Al0,1Ga0,9N-Abdeckschicht16a mit einer Dicke von 5 nm und einer Mg-dotierten p-Typ Al0,02Ga0,98N-Kontaktschicht16b mit einer Dicke von 200 nm gebildet. - Während der Herstellung des eine Epitaxialschicht umfassenden Wafers mit der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungsstruktur wurde die Zwischenschicht
12 aus AlN mit einer stängelförmigen Kristallstruktur auf dem Substrat11 durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. - Dann wurde die Halbleiterlaminatstruktur durch dasselbe Verfahren wie dasjenige zum Bilden der Unterschicht
14a unter Verwendung desselben MOCVD-Apparats gebildet. - Auf diese Weise wurde ein Epitaxialwafer mit einer Epitaxialschichtstruktur für eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung hergestellt. Die Mg-dotierte p-Typ Al0,02Ga0,98N-Kontaktschicht
16b zeigte p-Typ-Eigenschaften, ohne für das Aktivieren von p-Typ-Trägern einem Glühverfahren unterworfen worden zu sein. - Dann wurde der Epitaxialwafer (vgl. den in
1 gezeigten laminierten Halbleiter10 ) mit der auf dem Saphirsubtrat11 gebildeten Epitaxialschichtstruktur eingesetzt, um eine Licht emittierende Diode herzustellen (vgl. die in den2 und3 gezeigte Licht emittierende Vorrichtung1 ), die eine Art der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ist. - Zuerst wurden die transparente positive Elektrode
17 aus ITO und die Anschlussfläche18 der positiven Elektrode mit einer Laminatstruktur aus Titan, Aluminium und Goldschichten, die in dieser Reihenfolge auf der Oberfläche der transparenten positiven Elektrode17 gebildet wurden, nacheinander auf der Oberfläche der Mg-dotierten p-Typ-Al0,02Ga0,98N-Kontaktschicht16b des Wafers durch ein bekanntes fotolithographisches Verfahren gebildet. Dann wurde auf einem Teil des Wafers eine Trockenätzung durchgeführt, um den exponierten Bereich14d von der n-Typ-Kontaktschicht14b freizulegen. Dann wurde die negative Elektrode19 , Vierschichtstruktur aus Ni, Al, Ti und Au-Schichten auf dem exponierten Bereich14d gebildet. wodurch die in2 und3 gezeigten Elektroden auf dem Wafer gebildet wurden. - Die rückwärtige Oberfläche des Substrats
11 des Wafers mit den auf der p-Typ-Halbleiterschicht und der n-Typ-Halbleiterschicht gebildeten Elektroden wurde zu einer Spiegeloberfläche gemahlen und poliert, und dann wurde der Wafer in einzelne quadratische Chips mit einer Seitenlänge von 350 μm geschnitten. Der Chip wurde auf einen Bleirahmen montiert, wobei jede Elektrode nach oben zeigte, und dann mit dem Bleirahmen mit Hilfe von Golddrähten verbunden, wodurch eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung erhalten wurde. Es wurde zwischen der Anschlussfläche18 der positiven Elektrode und der negativen Elektrode der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung (Licht emittierende Diode) ein Vorwärtsstrom von 20 mA angelegt, um die Vorwärtsspannung zu messen. Es ergab sich eine Vorwärtsspannung von 3,0 V. Zudem wurde der Emissionszustand durch die auf der p-Seite transparente positive Elektrode17 beobachtet. Es ergab sich eine Emissionswellenlänge von 470 nm und eine Emissionsleistung von 15 mW. Die Emissionseigenschaften der Licht emittierenden Diode wurden von im wesentlichen der gesamten Oberfläche des hergestellten Wafers ohne jegliche Abweichung erhalten. - Die Umkehrzerstäubungsbedingungen in dem Vorverfahren und die Messergebnisse der Röntgenstrahl-Halbwertsbreite und die Emissionsleistungen sind in der folgenden Tabelle 1 gezeigt.
- [Vergleichsbeispiel 1]
- In diesem Beispiel wurde eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung auf ähnliche Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, außer, dass eine Zwischenschicht aus AlN auf der c-Ebene eines Substrats aus Saphir ohne Durchführen eines Vorverfahrens unter Einsatz von Umkehrzerstäuben gebildet wurde, und die Unterschicht
14a aus GaN wurde auf der Zwischenschicht mit Hilfe eines MOCVD-Verfahrens gebildet. - In der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß Vergleichsbeispiel 1 war, wenn ein Strom von 20 mA angelegt wurde, die Vorwärtsspannung 3,0 V, die Emissionswellenlänge war 470 nm und die Emissionsleistung war 10 mW. Als Ergebnis zeigte sich, dass die Emissionsleitung geringer war als diejenige in der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Beispiel 2.
- Die Röntgenstrahl-rocking-Kurve (XRC) der GaN-Unterschicht
14a , die durch das Verfahren nach dem Vergleichsbeispiel 1 gezüchtete wurde, wurde gemessen. Es zeigte sich eine Halbwertsbreite der (0002)-Ebene von 300 Bogensekunden und eine Halbwertsbreite der (10-10)-Ebene von 500 Bogensekunden, war zeigte, dass die Kristallinität der Unterschicht beeinträchtigt war. - [Beispiele 3 bis 7 und Vergleichsbeispiele 2 und 3]
- In den Beispielen 3 bis 7 und in den Vergleichsbeispielen 2 und 3 wurden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungen auf ähnliche Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, außer dass ein Umkehrzerstäuben in dem Vorverfahren unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen durchgeführt wurde.
- Die Umkehrzerstäubungsverfahren in den Vorverfahren und die Messergebnisse der Röntgenstrahl-Halbwertsbreiten und die Emissionsleistungen sind in Tabelle 1 gezeigt.
- [Beispiel 8]
- In diesem Beispiel wurde, bevor eine Zwischenschicht auf einem Si(111)-Substrat gebildet wurde, Umkehrzerstäuben auf dem in Argonplasma als Vorverfahren durchgeführt, und eine Einkristallschicht aus AlGaN wurde als Zwischenschicht auf dem Substrat unter Einsatz eines Hochfrequenzzerstäubungsapparats vom Rotationskathodentyp gebildet. In diesem Fall war während des Zerstäubens die Temperatur des Substrats 500°C.
- Dann wurde eine Si-dotierte AlGaN-Schicht als Unterschicht auf der Zwischenschicht unter Einsatz eines MOCVD- Verfahrens gebildet. Dann wurde dieselbe Lichtemissionsvorrichtungshalbleiter-Laminatstruktur wie in Beispiel 2 auf der Unterschicht gebildet. In diesem Fall war der Al-Gehalt in der Zwischenschicht 70%, und der Al-Gehalt in der Unterschicht war 15%.
- Dann wurde, nach die Lichtemissionsvorrichtungshalbleiter-Laminatstruktur durch das MOCVD-Verfahren gezüchtet worden war, der Wafer aus dem Reaktor genommen. Es zeigte sich, dass der Wafer eine Spiegeloberfläche hatte.
- Dann wurde ein Lichtemissionsdiodenchip von dem hergestellten Wafer durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 2 erhalten. In diesem Beispiel wurden Elektroden auf den oberen und unteren Oberflächen der Halbleiterstruktur und des Substrats bereitgestellt.
- Es wurde zwischen den Elektroden ein Vorwärtsstrom von 20 mA angelegt, um die Vorwärtsspannung zu messen. Es ergab sich eine Vorwärtsspannung von 2,9 V. Zudem wurde der Emissionszustand durch die auf der p-Seite transparente positive Elektrode beobachtet. Es ergab sich eine Emissionswellenlänge von 460 nm und eine Emissionsleistung von 10 mW. Die Emissionseigenschaften der Licht emittierenden Diode wurden von im wesentlichen der gesamten Oberfläche des hergestellten Wafers ohne jegliche Abweichung erhalten.
- Die umgekehrten Zerstäubungsbedingungen in dem Vorverfahren und die Messergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
- [Beispiel 9]
- In diesem Verfahren wurde, bevor die Zwischenschicht auf einem ZnO (0001)-Substrat gebildet wurde, ein Umkehrzerstäuben auf dem Substrat in O2-Gasplasma als ein Vorverfahren durchgeführt, und es wurde eine Zwischenschicht aus AlN mit einer stängelförmigen Kristallstruktur unter Einsatz eines Gleichstrom-Zerstäubungsapparats gebildet. In diesem Fall war während des Zerstäubens die Temperatur des Substrats 750°C.
- Dann wurde eine Ge-dotierte AlGaN-Schicht als Unterschicht auf der Zwischenschicht unter Einsatz eines MOCVD-Verfahrens gebildet. Dann wurde dieselbe Lichtemissionsvorrichtungshalbleiter-Laminatstruktur wie in Beispiel 2 auf der Unterschicht gebildet.
- In diesem Fall war der Al-Gehalt in der Unterschicht 10%. In diesem Beispiel wurde die Menge des in der Lichtemissionsschicht enthaltenen In-Ausgangsmaterials erhöht, um ein grünes LED-Emissionslicht in einer Wellenlänge von etwa 525 nm herzustellen.
- Dann wurde, nachdem die Lichtemissionsvorrichtungshalbleiter-Laminatstruktur durch das MOCVD-Verfahren gezüchtet worden war, der Wafer aus dem Reaktor genommen. Es zeigte sich, dass der Wafer eine Spiegeloberfläche hatte.
- Dann wurde ein Lichtemissionsdiodenchip von dem hergestellten Wafer durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 erhalten. In diesem Beispiel wurden Elektroden auf der oberen Oberfläche und der unteren Oberfläche der Halbleiterschicht und des Substrats angebracht.
- Es wurde zwischen den Elektroden ein Vorwärtsstrom von 20 mA angelegt, um die Vorwärtsspannung zu messen. Es ergab sich eine Vorwärtsspannung von 3.3 V. Zudem wurde der Emissionszustand durch die transparente p-Seite der transparenten positiven Elektrode beobachtet. Es zeigte sich, dass grünes Licht einer Emissionswellenlänge von 525 nm emittiert wurde, und die Emissionsleistung war 10 mW. Die Emissionseigenschaften der Lichtemissionsdiode wurden von im wesentlichen der gesamten Oberfläche des hergestellten Wafers ohne jegliche Abweichung erhalten.
- Die Umkehrzerstäubungsbedingungen in dem Vorverfahren und die Messergebnisse der Röntgenstrahlhalbwertsbreite und die Emissionsleistung in den Beispielen 2 bis 9 und den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1
Vorverfahren Röntgenstrahlhalbwertsbreite (0002) Emissionsleistung Umkehrzerstäubungstemperatur Umkehrzerstäubungsdauer Beispiel 2 500°C 200 sec 50 Bogensekunden 15 mW Beispiel 3 500°C 300 sec 75 Bogensekunden 15 mW Beispiel 4 500°C 60 sec 180 Bogensekunden 13 mW Beispiel 5 300°C 200 sec 200 Bogensekunden 13 mW Beispiel 6 800°C 200 sec 65 Bogensekunden 15 mW Beispiel 7 800°C 60 sec 140 Bogensekunden 13 mW Beispiel 8 500°C 200 sec 200 Bogensekunden 10 mW Beispiel 9 200°C 300 sec 50 Bogensekunden 10 mW Vgl. Beispiel 1 - 0 300 Bogensekunden 10 mW Vgl.- Beispiel 2 1500°C 600 sec 1000 Bogensekunden 3 mW Vgl. Beispiel 3 500°C 10 sec 400 Bogensekunden 10 mW - Die vorstehenden Ergebnisse zeigen, dass in den Proben der Gruppe-III Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtungen (Beispiele 1 bis 9) gemäß der vorliegenden Erfindung die Halbwertsbreite der Röntgenstrahl-rocking-Kurve (XRC) der nicht dotierten GaN-Unterschicht
14a im Bereich von 50 bis 200 Bogensekunden war. Deshalb ist die Kristallinität der Halbleiterschicht aus einer Gruppe-III Nitridverbindung erheblich verbessert im Vergleich zu den Vergleichsbeispielen 1 bis 3, bei denen die Halbwertsbreiten der Röntgenstrahl rocking-Kurve (XRC) der Unterschicht im Bereich von 300 bis 1000 Bogensekunden war. Zudem ist in den Lichtemissionsvorrichtungen gemäß den Beispielen 2 bis 7 die Emissionsleistung im Bereich von 13 bis 15 mW, was deutlich höher als die Emissionsleistung im Bereich von 3 bis 10 mW der Licht emissionsvorrichtungen gemäß den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 ist. - Die vorstehenden Ergebnisse zeigen, dass die erfindungsgemäße Gruppe-III Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung eine hohe Produktivität und gute Emissionseigenschaften hat.
- INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
- Die vorliegende Erfindung kann auf eine Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, die beispielsweise für eine Lichtemissionsdiode (LED), eine Laserdiode (LD) oder eine elektronische Vorrichtung verwendet wird, auf ein Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung und auf eine Lampe angewandt werden.
- Zusammenfassung
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit hoher Produktivität und guten Emissionseigenschaften, ein Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung und eine Lampe. Das Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung umfasst:
ein Vorverfahren, bei dem eine Plasmaverarbeitung auf einem Substrat (11 ) durchgeführt wird;
ein Zerstäubungsverfahren, bei dem nach dem Vorverfahren eine Zwischenschicht (12 ) aus mindestens einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf dem Substrat (11 ) unter Einsatz eines Zerstäubungsverfahrens gebildet wird; und
ein Verfahren, bei dem nacheinander eine n-Typ Halbleiterschicht (14 ), einschließlich eine Unterschicht (14a ), eine Licht emittierende Schicht (15 ) und eine p-Typ Halbleiterschicht (16 ) auf der Zwischenschicht (12 ) gebildet werden. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Claims (37)
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, welches umfasst: ein Vorverfahren, bei dem eine Plasmaverarbeitung auf einem Substrat durchgeführt wird; ein Zerstäubungsverfahren, bei dem nach dem Vorverfahren eine Zwischenschicht aus mindestens einer Gruppe-III-Nitridverbindung auf dem Substrat unter Einsatz eines Zerstäubungsverfahrens gebildet wird; und ein Verfahren, bei dem nacheinander eine n-Typ Halbleiterschicht, einschließlich eine Unterschicht, eine Licht emittierende Schicht und eine p-Typ Halbleiterschicht auf der Zwischenschicht gebildet werden.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei in dem Vorverfahren Gas, einschließlich Stickstoff, in eine Kammer eingeführt wird.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 2, wobei in dem Vorverfahren der Partialdruck des in die Kammer eingeführten Gases, einschließlich Stickstoff, im Bereich von 1 × 10–2 Pa bis 10 Pa ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei in dem Vorverfahren der Innendruck der Kammer im Bereich von 0,1 bis 5 Pa ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Verfahrensdauer des Vorverfahrens im Bereich von 30 Sekunden bis 3600 Sekunden ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Verfahrensdauer des Vorverfahrens im Bereich von 60 Sekunden bis 600 Sekunden ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei in dem Vorverfahren die Temperatur des Substrats im Bereich von 25°C bis 1000°C ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 7, wobei in dem Vorverfahren die Temperatur des Substrats im Bereich von 300°C bis 800°C ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Vorverfahren und das Zerstäubungsverfahren in derselben Kammer durchgeführt werden.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die in dem Vorverfahren durchgeführte Plasmaverarbeitung eine Umkehrzerstäubung ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei in dem Vorverfahren eine Hochfrequenzstromversorgung eingesetzt wird, um Plasma zu erzeugen, wodurch das Umkehrzerstäuben durchgeführt wird.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 11, wobei in dem Vorverfahren das Umkehrzerstäuben durchgeführt wird, indem Stickstoffplasma unter Verwendung der Hochfrequenzstromversorgung erzeugt wird.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Zwischenschicht so gebildet wird, dass 90 oder mehr der Oberfläche des Substrats abgedeckt werden.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das Zerstäubungsverfahren ein Ausgangsmaterial, einschließlich ein Gruppe V-Element, verwendet.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei in dem Zerstäubungsverfahren die Zwischenschicht durch ein Reaktiv-Zerstäubungsverfahren durchgeführt wird, welches das Ausgangsmaterial, einschließlich das Gruppe V-Element, in einen Reaktor einführt.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, wobei das Gruppe V-Element Stickstoff ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, wobei Ammoniak als Ausgangsmaterial, einschließlich das Gruppe V-Element, verwendet wird.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei in dem Zerstäubungsverfahren die Zwischenschicht durch ein Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren gebildet wird.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 18, wobei in dem Zerstäubungsverfahren die Zwischenschicht durch das Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren gebildet wird, während ein Magnet einer Kathode bewegt wird.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, wobei in dem Zerstäubungsverfahren, wenn die Zwischenschicht gebildet wird, die Temperatur des Substrats im Bereich von 400°C bis 800°C ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 20, wobei die Unterschicht auf der Zwischenschicht durch ein MOCVD-Verfahren gebildet wird.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 20, wobei die Unterschicht auf der Zwischenschicht durch ein Reaktiv-Zerstäubungsverfahren gebildet wird.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 22, wobei, wenn die Unterschicht gebildet wird, die Temperatur des Substrats nicht niedriger als 900°C ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, welche umfasst: ein durch Plasmaverarbeiten vorverarbeitetes Substrat; eine Zwischenschicht aus mindestens einer Gruppe-III-Nitridverbindung, gebildet auf dem Substrat durch ein Zerstäubungsverfahren; eine n-Typ Halbleiterschicht, einschließlich eine Unterschicht; eine Lichtemissionsschicht; und eine p-Typ Halbleiterschicht, wobei die n-Typ Halbleiterschicht, die Lichtemissionsschicht und die p-Typ Halbleiterschicht auf der Zwischenschicht nacheinander gebildet worden sind.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 24, wobei die Zwischenschicht aus einem Einkristall gebildet ist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 24, wobei die Zwischenschicht aus einem Stängelkristall gebildet ist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 26, wobei in der Zwischenschicht der Mittelwert der Breiten der Körnchen der Stängelkristalle im Bereich von 1 bis 100 nm ist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 26, wobei in der Zwischenschicht der Mittelwert der Breiten der Körnchen der Stängelkristalle im Bereich von 1 bis 70 nm ist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 28, wobei die Zwischenschicht so gebildet ist, dass 90 oder mehr der Frontoberfläche des Substrats bedeckt sind.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 29, wobei die Dicke der Zwischenschicht im Bereich von 10 bis 500 nm ist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 30, wobei die Dicke der Zwischenschicht im Bereich von 20 bis 100 nm ist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 31, wobei die Zwischenschicht eine Al enthaltende Zusammensetzung aufweist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 32, wobei die Zwischenschicht aus AlN gebildet ist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 33, wobei die Unterschicht aus einem Halbleiter auf GaN-Basis gebildet ist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 34, wobei die Unterschicht aus AlGaN gebildet ist.
- Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, hergestellt durch das Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23.
- Lampe, welche die Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 36 enthält.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006-260878 | 2006-09-26 | ||
| JP2006260878 | 2006-09-26 | ||
| JP2007197473A JP2008109084A (ja) | 2006-09-26 | 2007-07-30 | Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP2007-197473 | 2007-07-30 | ||
| PCT/JP2007/068690 WO2008041586A1 (en) | 2006-09-26 | 2007-09-26 | Method for manufacturing group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE112007002182T5 true DE112007002182T5 (de) | 2009-07-09 |
| DE112007002182B4 DE112007002182B4 (de) | 2023-02-16 |
Family
ID=39268448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE112007002182.9T Active DE112007002182B4 (de) | 2006-09-26 | 2007-09-26 | Verfahren zum Herstellen einer Gruppe-III-Nitridverbindungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100213476A1 (de) |
| JP (1) | JP2008109084A (de) |
| KR (1) | KR101074178B1 (de) |
| DE (1) | DE112007002182B4 (de) |
| TW (1) | TW200834981A (de) |
| WO (1) | WO2008041586A1 (de) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5272390B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2013-08-28 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| WO2009139376A1 (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-19 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP2009295753A (ja) | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| WO2011058968A1 (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-19 | 株式会社トクヤマ | 積層体の製造方法 |
| JP5648289B2 (ja) | 2010-01-14 | 2015-01-07 | 豊田合成株式会社 | スパッタリング装置および半導体発光素子の製造方法 |
| CN102959140B (zh) | 2010-04-30 | 2016-01-20 | 佳能安内华股份有限公司 | 外延膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造方法、半导体发光元件和照明装置 |
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| WO2013061572A1 (ja) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 |
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- 2007-07-30 JP JP2007197473A patent/JP2008109084A/ja active Pending
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- 2007-09-26 DE DE112007002182.9T patent/DE112007002182B4/de active Active
- 2007-09-26 WO PCT/JP2007/068690 patent/WO2008041586A1/ja active Application Filing
- 2007-09-26 KR KR1020097008091A patent/KR101074178B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-26 US US12/377,273 patent/US20100213476A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
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|---|---|
| KR101074178B1 (ko) | 2011-10-14 |
| US20100213476A1 (en) | 2010-08-26 |
| JP2008109084A (ja) | 2008-05-08 |
| DE112007002182B4 (de) | 2023-02-16 |
| WO2008041586A1 (en) | 2008-04-10 |
| KR20090057453A (ko) | 2009-06-05 |
| TW200834981A (en) | 2008-08-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: STREHL, SCHUEBEL-HOPF & PARTNER, DE |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: TOYODA GOSEI CO., LTD., KIYOSU-SHI, JP Free format text: FORMER OWNER: SHOWA DENKO K.K., TOKIO/TOKYO, JP Effective date: 20130118 Owner name: TOYODA GOSEI CO., LTD., JP Free format text: FORMER OWNER: SHOWA DENKO K.K., TOKIO/TOKYO, JP Effective date: 20130118 |
|
| R082 | Change of representative |
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|
| R016 | Response to examination communication | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc: H01L0033320000 |
|
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
| R020 | Patent grant now final |