DE112006002431B4 - Abschlussstruktur - Google Patents

Abschlussstruktur Download PDF

Info

Publication number
DE112006002431B4
DE112006002431B4 DE112006002431.0T DE112006002431T DE112006002431B4 DE 112006002431 B4 DE112006002431 B4 DE 112006002431B4 DE 112006002431 T DE112006002431 T DE 112006002431T DE 112006002431 B4 DE112006002431 B4 DE 112006002431B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
field plate
polysilicon
semiconductor body
semiconductor device
polysilicon field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE112006002431.0T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112006002431T5 (de
Inventor
Jianjun Cao
Nazanin Amani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies Americas Corp
Original Assignee
International Rectifier Corp USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Rectifier Corp USA filed Critical International Rectifier Corp USA
Publication of DE112006002431T5 publication Critical patent/DE112006002431T5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112006002431B4 publication Critical patent/DE112006002431B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
    • H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
    • H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
    • H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H01L29/404—Multiple field plate structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

Leistungs-Halbleiterbauteil mit: einem Halbleiterkörper (10), der einen aktiven Bereich (12), der eine PN-Grenzschicht aufweist, und einen Abschlussbereich (14), der um den aktiven Bereich (12) herum angeordnet ist, umfasst, wobei der Abschlussbereich (14) einen Feldisolations-Körper (18), der über dem Halbleiterkörper (10) ausgebildet ist; eine Polysilizium-Feldplatte (20), die über dem Feldisolations-Körper (18) ausgebildet ist, und eine innere Begrenzung und eine äußere Begrenzung aufweist, wobei die innere Begrenzung näher an dem aktiven Bereich (12) liegt als die äußere Begrenzung; einen Isolierkörper (22), der über der Polysilizium-Feldplatte (20) angeordnet ist; eine metallische Feldplatte (24), die über dem Isolierkörper (22) angeordnet ist und elektrisch mit der Polysilizium-Feldplatte (20) durch den Isolierkörper (22) hindurch verbunden ist; wobei die metallische Feldplatte (24) über den Isolierkörper (22) ausgebreitet ist und sich über die äußere Begrenzung der Polysilizium-Feldplatte (20) hinaus erstreckt, wobei das Leistungs-Halbleiterbauteil zumindest einen Schutzring (32) mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers (10) umfasst, der im Inneren des Halbleiterkörpers (10) unter der Polysilizium-Feldplatte (20) angeordnet ist, wobei das Leistungs-Halbleiterbauteil ferner eine Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Schutzringen (32'') mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers (10), die in dem Halbleiterkörper (10) unter dem Feldisolations-Körper (18) angeordnet sind, eine weitere Polysilizium-Feldplatte (26), die auf dem Feldisolations-Körper (18) über der Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Schutzringen (32'') ausgebildet ist; und eine weitere metallische Feldplatte (28) umfasst, die über dem Isolierkörper (22) angeordnet und mit der weiteren Polysilizium-Feldplatte (26) durch den Isolierkörper (22) hindurch verbunden ist.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • In 1 ist ein Leistungs-Halbleiterbauteil nach dem Stand der Technik gezeigt, das einen Halbleiterkörper mit einem aktiven Bereich 12 und einem Abschlussbereich 14 einschließt.
  • Der aktive Bereich 12 schließt vorzugsweise die aktiven Zellen eines Leistungs-Halbleiterbauteils, wie z. B. eines Leistungs-MOSFETs ein, die zumindest eine PN-Grenzschicht einschließen können. Die PN-Grenzschicht ist beispielsweise ein Teil eines Halbleiterkörpers 10 (beispielsweise eines epitaxial aufgewachsenen Siliziums), der einen hierin ausgebildeten Basisbereich 16 einschließt. Der Basisbereich 16 ist, wie dies gut bekannt ist, ein diffundierter Bereich mit einem Leitungstyp, der entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10 ist. Somit kann der Basisbereich 16 vom P-Typ sein, wenn der Halbleiterkörper vom N-Typ, ist, und umgekehrt.
  • Der Abschlussbereich 14 umgibt den aktiven Bereich 12 und schließt einen Feldoxid-Körper 18, der auf dem Halbleiterkörper 10 gebildet ist, eine erste Polysilizium-Feldplatte 20, einen Oxidkörper 22, eine erste metallische Feldplatte 24, die auf dem Oxidkörper 22 ausgebildet ist und sich durch diesen hindurch erstreckt, um einen elektrischen Kontakt der ersten Polysilizium-Feldplatte herzustellen, eine zweite Polysilizium-Feldplatte 26, die über dem Feldoxid 18 ausgebildet und mit seitlichem Abstand von der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 angeordnet ist, eine zweite metallische Feldplatte 28, die mit seitlichem Abstand von der ersten metallischen Feldplatte 24 angeordnet ist, auf dem Oxidkörper 22 ausgebildet ist und sich durch diesen hindurch erstreckt, um einen elektrischen Kontakt mit der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 herzustellen, die über dem Feldoxid 18 gebildet ist, und eine dritte Feldplatte 30 ein (die vorzugsweise eine Verlängerung eines Leistungs-Kontaktes, beispielsweise eines Source-Kontaktes ist), die teilweise auf dem Oxidkörper 22 und teilweise auf dem Halbleiterkörper 10 angeordnet ist, das heißt, die einen Kontakt mit dem Halbleiterkörper 10 ergibt.
  • Der Abschlussbereich 14 schließt weiterhin eine Vielzahl von Schutzringen 32, 32', 32'' ein, die in dem Halbleiterkörper 10 ausgebildet sind. Jeder Schutzring 32, 32', 32'' ist eine Diffusion von einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10, wie dies in üblicher Weise bekannt ist. Es sei darauf hingewiesen, dass zumindest ein Schutzring 32 unterhalb der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 unter einer Ausnehmung 34 in dem Feldoxid 18 angeordnet ist, die mit Polysilizium von der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 gefüllt ist. Weiterhin ist eine Anzahl von Schutzringen 32'' unterhalb jeweiliger Ausnehmungen 34 in dem Feldoxid 18 ausgebildet, die mit Polysilizium von der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 gefüllt sind. Zusätzlich ist zumindest ein Schutzring 32' zwischen dem Schutzring 32 und den Schutzringen 32'' seitlich jenseits oder außerhalb der inneren Begrenzung (der dem aktiven Bereich 12 am nächsten liegenden Begrenzung) der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 und seitlich vor der äußeren Begrenzung (der von dem aktiven Bereich 12 am weitesten entfernten Begrenzung) der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 angeordnet.
  • Das in 1 gezeigte Bauteil schließt einen Polysilizium-Äquipotentialring 36 ein, der sich über eine Kante des Feldoxids 18 hinweg zum Halbleiterkörper 10 erstreckt. Weiterhin ist eine Diffusion 38 mit einem Leitungstyp, der entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10 ist, in dem Halbleiterkörper 10 in der Nähe der inneren Begrenzung des Abschlussbereiches 14 angeordnet.
  • 2 zeigt ein weiteres Leistungs-Halbleiterbauteil nach dem Stand der Technik, das einen in anderer Weise geformten Polysilizium-Äquipotentialring 36 einschließt.
  • Einige typische Abmessungen sind in den Figuren gezeigt. Die nachfolgende Tabelle 1 gibt weitere typische Abmessungen für die in den 1 und 2 gezeigten Bauteile an. Tabelle 1
    A B C D
    Fig. 1 25 μm 5 μm 19,6 μm 20,6 μm
    Fig. 2 25 μm 8 μm 19,6 μm 20,6 μm
    A = Abstand von dem Ring 36 zur Polysilizium-Feldplatte 20
    B = Breite des Ringes 36 auf dem Oxid 18
    C = Abstand zwischen der Innenkante der metallischen Feldplatte 24 und dem Schutzring 32
    D = Abstand zwischen der Innenkante der Polysilizium-Feldplatte 20 und dem Schutzring 32.
  • Die bekannten Bauteile nach den 1 und 2 haben hohe Ausfallraten gezeigt. Es ist wünschenswert, diese bekannten Bauteile zu verbessern.
  • In US 6,022,790 A ist eine Integration einer Schutzring-Struktur in einen Halbleiterprozess beschrieben.
  • In DE 10 2004 059 620 A1 ist ein Halbleiterbauelement mit einer Vielzahl von Feldelektroden mit unbestimmtem Potential beschrieben.
  • In US 6,667,515 B2 ist ein Halbleiterbauelement mit hoher Durchbruchspannung beschrieben. Das Halbleiterbauelement umfasst mehrere Schutzringe mit jeweils metallischem und p+-dotiertem Anteil.
  • In JP H08-306 911 A ist ein Halbleiterbauelement mit hoher Durchbruchspannung beschrieben, das unter mehreren Elektroden jeweils einen Schutzring aufweist.
  • In JP H11-330 456 A ist ein Halbleiterbauelement mit mehreren Elektroden beschrieben.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • In einem Bauteil gemäß der ersten Ausführungsform ist die erste metallische Feldplatte über die äußere Begrenzung der ersten Polysilizium-Feldplatte hinaus erstreckt.
  • In einem Bauteil gemäß der zweiten Ausführungsform ist der Polysilizium-Äquipotentialring innerhalb eines Grabens angeordnet.
  • in einem Bauteil gemäß der dritten Ausführungsform ist die erste metallische Feldplatte über die äußere Begrenzung der ersten Polysilizium-Feldplatte hinaus erstreckt, und der Polysilizium-Äquipotentialring ist innerhalb eines Grabens angeordnet.
  • Mit diesen Änderungen an dem Stand der Technik wurden Verbesserungen der Ausfallrate beobachtet.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung ersichtlich, die sich auf die beigefügten Zeichnungen bezieht.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines bekannten Bauteils.
  • 2 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines bekannten Bauteils.
  • 3 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 4 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Bauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 5 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Bauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführliche Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung
  • Gemäß 3 schließt ein Leistungs-Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Halbleiterkörper mit einem aktiven Bereich 12 und einem Abschlussbereich 14 ein.
  • Der aktive Bereich 12 schließt vorzugsweise die aktiven Zellen eines Leistungs-Halbleiterbauteils, wie z. B. eines Leistungs-MOSFET, ein, der zumindest eine PN-Grenzschicht einschließen kann. Die PN-Grenzschicht ist beispielsweise ein Teil eines Halbleiterkörpers 10 (beispielsweise aus epitaxial aufgewachsenem Silizium), der einen dann ausgebildeten Basisbereich 16 einschließt. Der Basisbereich 16 ist, wie dies gut bekannt ist, ein diffundierter Bereich mit einem Leitungstyp, der entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10 ist. Somit kann der Basisbereich 16 vom P-Leitungstyp sein, wenn der Halbleiterkörper vom N-Leitungstyp ist, und umgekehrt.
  • Der Abschlussbereich 14 umgibt den aktiven Bereich 12 und schließt einen Feldoxidkörper 18, der auf dem Halbleiterkörper 10 ausgebildet ist, eine erste Polysilizium-Feldplatte 20, einen Oxidkörper 22, eine erste metallische Feldplatte 24, die auf dem Oxidkörper 22 ausgebildet ist und sich durch diesen hindurch erstreckt, um einen elektrischen Kontakt mit der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 herzustellen, eine zweite Polysilizium-Feldplatte 26, die über dem Feldoxid 18 ausgebildet ist und mit seitlichem Abstand von der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 angeordnet ist, eine zweite metallische Feldplatte 28, die mit seitlichem Abstand von der ersten metallischen Feldplatte 24 angeordnet ist, auf dem Oxidkörper 22 angeordnet ist und sich durch diesen hindurch erstreckt, um einen elektrischen Kontakt mit der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 herzustellen, die über dem Feldoxid 18 ausgebildet ist, und eine dritte metallische Feldplatte 30 ein, die teilweise auf dem Oxidkörper 22 und teilweise auf dem Halbleiterkörper 10 angeordnet ist, das heißt einen Kontakt mit dem Halbleiterkörper 10 ergibt.
  • Der Abschlussbereich 14 schließt weiterhin eine Vielzahl von Schutzringen 32, 32', 32'' ein, die in dem Halbleiterkörper 10 ausgebildet sind. Jeder Schutzring 32, 32', 32'' ist eine Diffusion mit einem Leitungstyp, der entgegengesetzt zu dem des Leitungskörpers 10 ist, wie dies in üblicher Weise bekannt ist. Es ist darauf hinzuweisen, dass zumindest ein Schutzring 32 unterhalb der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 unter einer Ausnehmung 34 in dem Feldoxid 18 angeordnet ist, die mit Polysilizium von der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 gefüllt ist. Weiterhin ist eine Anzahl von Schutzringen 32'' unterhalb jeweiliger Ausnehmungen 34 in dem Feldoxid 18 ausgebildet, die mit Polysilizium von der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 gefüllt sind. Zusätzlich ist zumindest ein Schutzring 32 zwischen dem Schutzring 32 und dem Schutzring 32'' seitlich jenseits oder außerhalb der inneren Begrenzung der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 und seitlich vor der äußeren Begrenzung der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 angeordnet.
  • Das in 3 gezeigte Bauteil schließt einen Polysilizium-Äquipotentialring 36 ein, der sich von einem Bereich über einer Kante des Feldoxids 18 zu dem Halbleiterkörper 10 erstreckt. Weiterhin ist eine Diffusion 38 mit einem Leitungstyp, der entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10 ist, in dem Halbleiterkörper 10 in der Nähe der Innenkante des Abschlussbereiches 14 ausgebildet. Bei einem Bauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erstreckt sich die erste metallische Feldplatte 24 über die äußere Begrenzung (die am weitesten von dem aktiven Bereiche 12 entfernte Begrenzung) der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 hinaus und breitet sich über den Isolierkörper 22 hinweg aus. Es wurde festgestellt, dass ein derartiges Merkmal die Zuverlässigkeit des Bauteils verbessert.
  • Gemäß 4 schließt ein Leistungs-Halbleiterbauteil gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Halbleiterkörper mit einem aktiven Bereich 12 und einem Abschlussbereich 14 ein.
  • Der aktive Bereich 12 schließt vorzugsweise die aktiven Zellen eines Leistungs-Halbleiterbauteils, wie z. B. eines Leistungs-MOSFET, ein, die zumindest eine PN-Grenzschicht einschließen können. Die PN-Grenzschicht ist beispielsweise ein Teil eines Halbleiterkörpers 10 (beispielsweise epitaxial aufgewachsenes Silizium), der einen darin ausgebildeten Basisbereich 16 einschließt. Der Basisbereich 16 ist in gut bekannter Weise ein diffundierter Bereich eines Leitungstyps entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10. So kann der Basisbereich 16 vom P-Leitungstyp sein, wenn der Halbleiterkörper vom N-Leitungstyp ist, und umgekehrt.
  • Der Abschlussbereich 14 umgibt den aktiven Bereich 12, und schließt einen Feldoxidkörper 18, der auf dem Halbleiterkörper 10 ausgebildet ist, eine erste Polysilizium-Feldplatte 20, einen Oxidkörper 22, eine erste metallische Feldplatte 24, die auf dem Oxidkörper 22 ausgebildet ist und sich durch diesen hindurch erstreckt, um einen elektrischen Kontakt mit der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 auszubilden, eine zweite Polysilizium-Feldplatte 26, die über dem Feldoxid 18 ausgebildet ist und mit seitlichem Abstand von der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 angeordnet ist, eine zweite metallische Feldplatte 28, die mit seitlichem Abstand von der ersten metallischen Feldplatte 24 angeordnet ist, auf dem Oxidkörper 22 ausgebildet ist und sich durch diesen hindurch erstreckt, um einen elektrischen Kontakt mit der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 herzustellen, die über dem Feldoxid 18 ausgebildet ist, und eine dritte metallische Feldplatte 30 ein, die teilweise auf dem Oxidkörper 22 und teilweise auf dem Halbleiterkörper 10 angeordnet ist, das heißt einen Kontakt mit dem Halbleiterkörper 10 ergibt.
  • Der Abschlussbereich 14 schließt weiterhin eine Vielzahl von Schutzringen 32, 32', 32'' ein, die in dem Halbleiterkörper 10 ausgebildet sind. Jeder Schutzring 32, 32', 32'' ist eine Diffusion mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10, wie dies allgemein bekannt ist. Es ist darauf hinzuweisen, dass zumindest ein Schutzring 32 unterhalb der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 unter einer Ausnehmung 34 in dem Feldoxid 18 angeordnet ist, die mit Polysilizium von der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 gefüllt ist. Weiterhin ist eine Anzahl von Schutzringen 32'' unterhalb jeweiliger Ausnehmungen 34 in dem Feldoxid 18 ausgebildet, die mit Polysilizium an der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 gefüllt sind. Zusätzlich ist zumindest ein Schutzring 32' zwischen dem Schutzring 32 und dem Schutzring 32'' seitlich jenseits oder außerhalb der inneren Begrenzung der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 und seitlich vor der äußeren Begrenzung der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 angeordnet. Eine Diffusion 38 mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10 ist in dem Halbleiterkörper 10 in der Nähe des Randes des Abschlussbereiches 14 angeordnet.
  • Ein Bauteil gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schließt einen Polysilizium-Äquipotentialring 36 ein, der sich von einem Bereich über einer Kante des Feldoxides 18 in einen isolierten Graben 37 erstreckt, der sich in den Halbleiterkörper 10 hinein erstreckt. Es wurde festgestellt, dass dieses Merkmal die Zuverlässigkeit des Bauteils weiter vergrößert.
  • Gemäß 5 schließt ein Leistungs-Halbleiterbauteil gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Halbleiterkörper mit einem aktiven Bereich 12 und einem Abschlussbereich 14 ein.
  • Der aktive Bereich 12 schließt vorzugsweise die aktiven Zellen eines Leistungs-Halbleiterbauteils, wie z. B. eines Leistungs-MOSFET ein, die zumindest eine PN-Grenzschicht einschließen können. Die PN-Grenzschicht ist beispielsweise ein Teil des Halbleiterkörpers 10 (beispielsweise epitaxial aufgewachsenes Silizium), das einen darin ausgebildeten Basisbereich 16 einschließt. Der Basisbereich 16 ist, wie dies gut bekannt ist, ein diffundierter Bereich eines Leitungstyps entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10. Somit kann der Basisbereich 16 vom P-Leitungstyp sein, wenn der Halbleiterkörper vom N-Leitungstyp ist, und umgekehrt.
  • Der Abschlussbereich 14 umgibt den aktiven Bereich 12 und schließt einen Feldoxidkörper 18, der auf dem Halbleiterkörper 10 ausgebildet ist, eine erste Polysilizium-Feldplatte 20, einen Oxidkörper 22, eine erste metallische Feldplatte 24, die auf dem Oxidkörper 22 ausgebildet ist und sich durch diesen hindurch erstreckt, um einen elektrischen Kontakt mit der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 herzustellen, eine zweite Polysilizium-Feldplatte 26, die über dem Feldoxid 18 ausgebildet ist und in seitlichem Abstand von der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 angeordnet ist, eine zweite metallische Feldplatte 28, die in seitlichem Abstand von der ersten metallischen Feldplatte 24 angeordnet ist, über dem Oxidkörper 22 ausgebildet ist und sich durch diesen hindurch erstreckt, um einen elektrischen Kontakt mit der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 herzustellen, die über dem Feldoxid 18 ausgebildet ist, und eine dritte metallische Feldplatte 30 ein, die teilweise auf dem Oxidkörper 22 und teilweise auf dem Halbleiterkörper 10 angeordnet ist, das heißt, die einen Kontakt mit dem Halbleiterkörper 10 herstellt.
  • Der Abschlussbereich 14 schließt weiterhin eine Vielzahl von Schutzringen 32, 32', 32'' ein, die in dem Halbleiterkörper 10 ausgebildet sind. Jeder Schutzring 32, 32', 32'' ist eine Diffusion mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10, wie dies in üblicher Weise bekannt ist. Es sei bemerkt, dass zumindest ein Schutzring 32 unterhalb der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 unter einer Ausnehmung 34 in dem Feldoxid 18 angeordnet ist, die mit Polysilizium von der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 gefüllt ist. Weiterhin ist eine Anzahl von Schutzringen 32'' unterhalb jeweiliger Ausnehmungen 34 in dem Feldoxid 18 ausgebildet, die mit Polysilizium von der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 gefüllt sind. Zusätzlich ist zumindest ein Schutzring 32' zwischen dem Schutzring 32 und dem Schutzring 32'' seitlich jenseits oder außerhalb der inneren Begrenzung der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 und seitlich vor der äußeren Begrenzung der zweiten Polysilizium-Feldplatte 26 angeordnet. Eine Diffusion 38 mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers 10 ist in dem Halbleiterkörper 10 in der Nähe des Randes des Abschlussbereiches 14 ausgebildet.
  • Bei einem Bauteil gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erstreckt sich die erste metallische Feldplatte 24 über die äußere Begrenzung (die von dem aktiven Bereich 12 am weitesten entfernte Begrenzung) der ersten Polysilizium-Feldplatte 20 hinaus und breitet sich über den Isolierkörper 22 aus. Ein Bauteil gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schließt weiterhin einen Polysilizium-Äquipotentialring 36 ein, der sich von über einer Kante des Feldoxids 18 in einen isolierten Graben 37 erstreckt, der sich vorzugsweise in den Halbleiterkörper 10 erstreckt. Es wurde festgestellt, dass diese Merkmale zusammen die Zuverlässigkeit des Bauteils erheblich vergrößern.
  • Es ist darauf hinzuweisen dass einige typische Abmessungen in den 3–5 gezeigt sind. Die nachfolgende Tabelle 2 zeigt weitere typische Abmessungen für Bauteile gemäß der vorliegenden Erfindung, wie sie schematisch in den 3, 4 und 5 gezeigt sind. Tabelle 2
    A B C D
    Fig. 1 15 μm 8 μm 26,6 μm 10,6 μm
    Fig. 2 25 μm 8 μm 19,6 20,6 μm
    Fig. 3 15 μm 8 μm 26,6 μm 10,6 μm
    A = Abstand von dem Ring 36 zur metallischen Feldplatte 24 in den 3 und 5 und zur Polysilizium-Feldplatte 20 nach 4
    B = Breite des Ringes 36 auf dem Oxid 18
    C = Abstand zwischen der Innenkante der metallischen Feldplatte 24 und dem Schutzring 32
    D = Abstand zwischen der Innenkante der Polysilizium-Feldplatte 20 und dem Schutzring 32.

Claims (10)

  1. Leistungs-Halbleiterbauteil mit: einem Halbleiterkörper (10), der einen aktiven Bereich (12), der eine PN-Grenzschicht aufweist, und einen Abschlussbereich (14), der um den aktiven Bereich (12) herum angeordnet ist, umfasst, wobei der Abschlussbereich (14) einen Feldisolations-Körper (18), der über dem Halbleiterkörper (10) ausgebildet ist; eine Polysilizium-Feldplatte (20), die über dem Feldisolations-Körper (18) ausgebildet ist, und eine innere Begrenzung und eine äußere Begrenzung aufweist, wobei die innere Begrenzung näher an dem aktiven Bereich (12) liegt als die äußere Begrenzung; einen Isolierkörper (22), der über der Polysilizium-Feldplatte (20) angeordnet ist; eine metallische Feldplatte (24), die über dem Isolierkörper (22) angeordnet ist und elektrisch mit der Polysilizium-Feldplatte (20) durch den Isolierkörper (22) hindurch verbunden ist; wobei die metallische Feldplatte (24) über den Isolierkörper (22) ausgebreitet ist und sich über die äußere Begrenzung der Polysilizium-Feldplatte (20) hinaus erstreckt, wobei das Leistungs-Halbleiterbauteil zumindest einen Schutzring (32) mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers (10) umfasst, der im Inneren des Halbleiterkörpers (10) unter der Polysilizium-Feldplatte (20) angeordnet ist, wobei das Leistungs-Halbleiterbauteil ferner eine Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Schutzringen (32'') mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers (10), die in dem Halbleiterkörper (10) unter dem Feldisolations-Körper (18) angeordnet sind, eine weitere Polysilizium-Feldplatte (26), die auf dem Feldisolations-Körper (18) über der Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Schutzringen (32'') ausgebildet ist; und eine weitere metallische Feldplatte (28) umfasst, die über dem Isolierkörper (22) angeordnet und mit der weiteren Polysilizium-Feldplatte (26) durch den Isolierkörper (22) hindurch verbunden ist.
  2. Leistungs-Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, das weiterhin einen Äquipotentialring (36) umfasst.
  3. Leistungs-Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem der Äquipotentialring (36) aus Polysilizium besteht.
  4. Leistungs-Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem der Äquipotentialring (36) aus Polysilizium besteht und im Inneren eines isolierten Grabens (37) angeordnet ist, der sich in den Halbleiterkörper (10) erstreckt.
  5. Leistungs-Halbleiterbauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Polysilizium-Feldplatte (20) im Inneren einer Ausnehmung (34) des Feldisolations-Körpers (18) aufgenommen ist.
  6. Leistungs-Halbleiterbauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, das weiterhin zumindest einen weiteren Schutzring (32') mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers (10) umfasst, der in dem Halbleiterkörper (10) unter dem Feldisolations-Körper (18) angeordnet und zwischen dem zumindest einen Schutzring (32) und der Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Schutzringen (32'') angeordnet ist, wobei der zumindest eine weitere Schutzring (32') seitlich jenseits einer inneren Begrenzung der Polysilizium-Feldplatte (20) und seitlich vor der äußeren Begrenzung der weiteren Polysilizium-Feldplatte (26) angeordnet ist.
  7. Leistungs-Halbleiterbauteil, mit: einem Halbleiterkörper (10), der einen aktiven Bereich (12), wobei der aktive Bereich (12) eine PN-Grenzschicht einschließt, und einen Abschlussbereich (14) einschließt, der um den aktiven Bereich (12) herum angeordnet ist, wobei der Abschlussbereich (14) einen Feldisolations-Körper (18), der über dem Halbleiterkörper (10) ausgebildet ist; eine Polysilizium-Feldplatte (20), die über dem Feldisolations-Körper (18) ausgebildet ist und eine innere Begrenzung und eine äußere Begrenzung aufweist, wobei die innere Begrenzung näher an den aktiven Bereich (12) als die äußere Begrenzung liegt; einen Isolierkörper (22), der über der Polysilizium-Feldplatte (20) angeordnet ist; eine metallische Feldplatte (24), die über dem Isolierkörper (22) angeordnet und elektrisch mit der Polysilizium-Feldplatte (20) durch den Isolierkörper (22) hindurch verbunden ist; und einen Äquipotentialring (36) einschließt, wobei der Äquipotentialring (36) aus Polysilizium besteht und im Inneren eines isolierten Grabens (37) angeordnet ist, der sich in den Halbleiterkörper (10) erstreckt, wobei das Leistungs-Halbleiterbauteil ferner zumindest einen Schutzring (32) mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers (10) umfasst, der innerhalb des Halbleiterkörpers (10) unter der Polysilizium-Feldplatte (20) ausgebildet ist, wobei das Leistungs-Halbleiterbauteil ferner eine Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Schutzringen (32'') mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers (10) aufweist, die in dem Halbleiterkörper (10) unter dem Feldisolations-Körper (18) ausgebildet sind, wobei eine weitere Polysilizium-Feldplatte (26) auf dem Feldisolations-Körper (18) über der Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Schutzringen (32'') ausgebildet ist; und eine weitere metallische Feldplatte (28) über dem Isolierkörper (22) angeordnet ist und elektrisch mit der weiteren Polysilizium-Feldplatte (26) durch den Isolierkörper (22) hindurch verbunden ist.
  8. Leistungs-Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, bei denn die metallische Feldplatte (24) über den Isolierkörper (22) ausgebreitet ist und sich über die äußere Begrenzung der Polysilizium-Feldplatte (20) hinaus erstreckt.
  9. Leistungs-Halbleiterbauteil nach Anspruch 7 oder 8, bei dem die Polysilizium-Feldplatte (20) im Inneren einer Ausnehmung in dem Feldisolations-Körper (18) aufgenommen ist.
  10. Leistungs-Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 7 bis 9, das zumindest einen weiteren Schutzring (32') mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Halbleiterkörpers (10) umfasst, der in dem Halbleiterkörper (10) unter dem Feldisolations-Körper (18) angeordnet und zwischen dem zumindest einen Schutzring (32) und der Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Schutzringen (32'') angeordnet ist, wobei der zumindest eine weitere Schutzring (32') seitlich jenseits der inneren Begrenzung der Polysilizium-Feldplatte (20) und seitlich vor der äußeren Begrenzung der weiteren Polysilizium-Feldplatte (26) angeordnet ist.
DE112006002431.0T 2005-09-16 2006-09-15 Abschlussstruktur Expired - Fee Related DE112006002431B4 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US71784205P 2005-09-16 2005-09-16
US60/717,842 2005-09-16
US11/521,100 2006-09-14
US11/521,100 US7679111B2 (en) 2005-09-16 2006-09-14 Termination structure for a power semiconductor device
PCT/US2006/036238 WO2007035608A2 (en) 2005-09-16 2006-09-15 Termination structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112006002431T5 DE112006002431T5 (de) 2008-07-17
DE112006002431B4 true DE112006002431B4 (de) 2017-01-26

Family

ID=37889410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112006002431.0T Expired - Fee Related DE112006002431B4 (de) 2005-09-16 2006-09-15 Abschlussstruktur

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7679111B2 (de)
JP (1) JP2009509342A (de)
KR (1) KR100990502B1 (de)
CN (1) CN101263599B (de)
DE (1) DE112006002431B4 (de)
WO (1) WO2007035608A2 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7501669B2 (en) 2003-09-09 2009-03-10 Cree, Inc. Wide bandgap transistor devices with field plates
US9773877B2 (en) 2004-05-13 2017-09-26 Cree, Inc. Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates
US11791385B2 (en) 2005-03-11 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Wide bandgap transistors with gate-source field plates
JP5218474B2 (ja) * 2010-05-27 2013-06-26 富士電機株式会社 半導体装置
US9755059B2 (en) 2013-06-09 2017-09-05 Cree, Inc. Cascode structures with GaN cap layers
US9847411B2 (en) * 2013-06-09 2017-12-19 Cree, Inc. Recessed field plate transistor structures
US9679981B2 (en) 2013-06-09 2017-06-13 Cree, Inc. Cascode structures for GaN HEMTs
KR20150011185A (ko) 2013-07-22 2015-01-30 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2017145197A1 (en) 2016-02-26 2017-08-31 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US11127822B2 (en) * 2016-02-26 2021-09-21 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
CN117293036B (zh) * 2023-11-22 2024-02-06 深圳市深鸿盛电子有限公司 Vdmos制备方法及其器件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08306911A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JPH11330456A (ja) * 1998-05-07 1999-11-30 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US6022790A (en) * 1998-08-05 2000-02-08 International Rectifier Corporation Semiconductor process integration of a guard ring structure
US6667515B2 (en) * 2001-01-26 2003-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba High breakdown voltage semiconductor device
US20050161761A1 (en) * 2004-01-26 2005-07-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01292862A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Toshiba Corp 半導体装置
DE19651108C2 (de) 1996-04-11 2000-11-23 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung des Gategrabentyps mit hoher Durchbruchsspannung und ihr Herstellungsverfahren
US5880501A (en) * 1997-02-26 1999-03-09 Nec Corporation Semiconductor integrated circuit and manufacturing method of the same
US6054752A (en) 1997-06-30 2000-04-25 Denso Corporation Semiconductor device
JP3796998B2 (ja) * 1999-02-19 2006-07-12 松下電器産業株式会社 高耐圧半導体装置
US6563197B1 (en) * 2001-11-20 2003-05-13 International Rectifier Corporation MOSgated device termination with guard rings under field plate
US6825510B2 (en) 2002-09-19 2004-11-30 Fairchild Semiconductor Corporation Termination structure incorporating insulator in a trench
JP4417677B2 (ja) * 2003-09-19 2010-02-17 株式会社東芝 電力用半導体装置
JP2005101334A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08306911A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JPH11330456A (ja) * 1998-05-07 1999-11-30 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US6022790A (en) * 1998-08-05 2000-02-08 International Rectifier Corporation Semiconductor process integration of a guard ring structure
US6667515B2 (en) * 2001-01-26 2003-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba High breakdown voltage semiconductor device
US20050161761A1 (en) * 2004-01-26 2005-07-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
DE102004059620A1 (de) * 2004-01-26 2005-08-18 Mitsubishi Denki K.K. Halbleitervorrichtung
US7122875B2 (en) * 2004-01-26 2006-10-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
DE112006002431T5 (de) 2008-07-17
CN101263599B (zh) 2010-05-19
US7679111B2 (en) 2010-03-16
KR100990502B1 (ko) 2010-10-29
JP2009509342A (ja) 2009-03-05
WO2007035608A3 (en) 2007-06-14
KR20080037725A (ko) 2008-04-30
US20070085111A1 (en) 2007-04-19
CN101263599A (zh) 2008-09-10
WO2007035608A2 (en) 2007-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112006002431B4 (de) Abschlussstruktur
DE102015204636B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE112014000679B4 (de) Isolierschichtsiliciumcarbidhalbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112012002823B4 (de) Bipolartransistor mit isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bipolartransistors
DE102008051245B4 (de) Hochvolttransistor mit hoher Stromtragfähigkeit und Verfahren zur Herstellung
DE112017002382T5 (de) Halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren derselben
DE3537004A1 (de) Vdmos-baustein
DE112016000210T5 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung
DE102006017946B4 (de) Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung
DE112012000755T5 (de) Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Fertigung
DE3410427A1 (de) Hochleistungs-metalloxyd-feldeffekttransistor
DE112011105785B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102012219645A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102011086500A1 (de) Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
DE112013007094T5 (de) Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren für ihre Herstellung
DE112021002169T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE102004054286B4 (de) Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit Sperrschicht-Feldeffekttransistor, sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE112014001296T5 (de) Leistungshalbleitervorrichtung und entsprechendes Modul
DE102021113288A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung und verfahren zu dessen herstellung
DE102018118875A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102019131060A1 (de) Halbleitergerät
DE112014006054T5 (de) Vertikale Halbleitereinrichtung
DE112021004603T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE112021000105T5 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE102021123451A1 (de) Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 29/06 AFI20060915BHDE

R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP., EL SEGUN, US

Free format text: FORMER OWNER: INTERNATIONAL RECTIFIER CORP., EL SEGUNDO, CALIF., US

R082 Change of representative

Representative=s name: DR. WEITZEL & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWAEL, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee