DE1116826B - Verfahren zum Herstellen einer in einem Schutzgehaeuse untergebrachten, mindestens zwei dicht nebeneinander in einer Ebene einlegierte Metallelektroden aufweisenden Halbleiterkristallanordnung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer in einem Schutzgehaeuse untergebrachten, mindestens zwei dicht nebeneinander in einer Ebene einlegierte Metallelektroden aufweisenden Halbleiterkristallanordnung

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DE1116826B
DE1116826B DES66638A DES0066638A DE1116826B DE 1116826 B DE1116826 B DE 1116826B DE S66638 A DES66638 A DE S66638A DE S0066638 A DES0066638 A DE S0066638A DE 1116826 B DE1116826 B DE 1116826B
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Germany
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semiconductor crystal
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alloyed
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Andreas Weissfloch
Otto Frodl
Dr Rer Nat Hans Rebs Dipl-Phys
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Siemens Corp
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Siemens Corp
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GB151861A GB916193A (en) 1960-01-14 1961-01-13 Improvements in or relating to methods of connecting wires between electrodes on electrical components and supply leads therefor
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1235439B (de) * 1964-10-01 1967-03-02 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Zwischensockeln und Vorrichtung zum Durchfuehren des Verfahrens
FR2524704A1 (fr) * 1982-03-31 1983-10-07 Hitachi Ltd Appareil pour la fixation de fils par soudage, notamment pour composants a semi-conducteurs
DE19720847A1 (de) * 1997-05-17 1998-11-19 Daimler Benz Ag Vorrichtung zum Positionieren eines Drahtes

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DE19720847A1 (de) * 1997-05-17 1998-11-19 Daimler Benz Ag Vorrichtung zum Positionieren eines Drahtes
DE19720847C2 (de) * 1997-05-17 2002-04-18 Daimler Chrysler Ag Vorrichtung zum Positionieren eines Drahtes und deren Verwendung

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