DE1646795C3 - Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
35
Die Erfindung bezieht sich auf einen Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung, der
eine Metallbedeckung aufweist, welche wenigstens örtlich mit einer Goldschicht versehen ist sowie auf ein
Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägerkörpers.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Metallbedeckung zu schaffen, die einerseits eine gut
leitende Verbindung mit den: Halbleiterkörper und andererseits eine feste Verbindung zwischen Halbleiterkörper
und keramischer Unterlage ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Trägerkörper aus einem keramischen Material
besteht und teilweise mit einer Nickel-Niob-Schicht als Metallbedeckung versehen ist.
der genannten Art ist dadurch gekennzeichnet, daß zunächst übereinanderliegende Schichten aus Niob und
Nickel auf die Oberfläche der keiamischen Unterlage aufgebracht werden, dann die Anordnung in einer nicht
oxidierenden Atmosphäre erhitzt wird, bis das Nion und das Nickel ineinanderdiffundiert sind und schließlich die
Goldschicht auf die auf diese Weise bedeckte Fläche aufgebracht wird.
Vorzugsweise werden die Nion-, Nickel- und Goldschichten mittels Kathodenzerstäubung aufgebracht
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile liegen insbesondere darin, daß mit der Niob-Nickelschicht
sowohl eine gute Haftung mit der keramischen Unterlage als auch mit der Goldbedeckung erreicht
wird, während mit dem Gold, ggf. unter Benutzung von
Lot, z. B. Hartlot oder anderen geeigneten Legierungen,
eine gute Verbindung mit dem Halbleiterkörper ermöglicht wird.
Anhand der Zeichnung wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben und ihre Wirkungsweise
erläutert Die Figur zeigt einen Transistor mit einem Halbleiterkörper auf einem Trägerkörper. Ein Halbleiterkörper
1, der mit Emitter- und Kollektorelektroden 2 und 3 versehen ist, ist an einer keramischen
Unterlage 4 befestigt die mit einer Niob-Nickelschicht 5 und einer Goklschicht 6 bedeckt ist
Entsprechend dem Verfahren werden zunächst dünne Niob- und Nickelschichten durch Kathodenzerstäubung
aufgebracht
Anschließend werden diese Schichten eine halbe Stunde in Vakuum oder in einer nicht oxidierenden
Atmosphäre, nämlich in Wasserstoff oder in einem Gemisch aus Wasserstoff und Stickstoff, die z.B.
erhalten werden durch Cracken von Ammoniak, auf eine Temperatur von e;wa 1100 bis 1200°C erhitzt, um
die Niob- und Nickelschichten ineinander zu diffundieren und eine aus ineinanderdiffundiertem Niob und
Nickel bestehende Schicht 5 zu bilden.
Diese Schicht 5 aus ineinanderdiffundiertem Niob und Nickel wird mit einer aus Gold bestehenden Deckschicht
6, ebenfalls durch Kathodenzerstäubung, versehen.
Der Halbleiterkörper 1 wird anschließend auf die Goldschicht gestellt und unter Benutzung von Lot oder
Hartlötmetallen dadurch mit ihr verbunden, daß die ganze Anordnung auf den Schmelzpunkt des Lots oder
des Hartlötmetalls erhitzt wird. Dieser Vorgang kann an Luft durchgeführt werden, was einen Vorteil der
Erfindung bildet.
Claims (5)
1. Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung, der eine Metallbedeckung S
aufweist, welche wenigstens örtlich mit einer Goldschicht versehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Trägerkörper aus einem keramischen Material besteht und teilweise mit
einer Nickel-Niob-Schicht als Metallbedeckung versehen ist
2. Verfahren zur Herstellung eines Trägerkörpers nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
zunächst übereinanderliegende Schichten aus Niob und Nickel auf die Oberfläche der keiamischen
Unterlage aufgebracht werden, dann die Anordnung in Vakuum oder in einer nicht oxidierenden
Atmosphäre erhitzt wird, bis das Niob und das Nickel ineinanderdiffundiert sind, und schließlich die
Goldschicht auf die auf diese Weise bedeckte Fläche aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Nion-Nickelschichten mittels
Kathodenzerstäubung aufgebracht werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Goldschicht mittels Kathodenzerstäubung
aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als nicht oxidierende
Atmosphäre Wasserstoff oder Wasserstoff mit Zusatz von Stickstoff verwendet wird.
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Publication Number | Publication Date |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3655545A (en) * | 1968-02-28 | 1972-04-11 | Ppg Industries Inc | Post heating of sputtered metal oxide films |
US4459321A (en) * | 1982-12-30 | 1984-07-10 | International Business Machines Corporation | Process for applying closely overlapped mutually protective barrier films |
US4563400A (en) * | 1983-09-09 | 1986-01-07 | Ppg Industries, Inc. | Primer for metal films on nonmetallic substrates |
US4512863A (en) * | 1983-09-09 | 1985-04-23 | Ppg Industries, Inc. | Stainless steel primer for sputtered films |
DE3337173A1 (de) * | 1983-10-12 | 1985-04-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Montage von halbleiterbauteilen auf einer traegerplatte |
US4559280A (en) * | 1984-12-18 | 1985-12-17 | North American Philips Corporation | Metallized rare earth garnet and metal seal to same |
US4601424A (en) * | 1985-05-17 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Stripped gold plating process |
EP0230853A1 (de) * | 1986-01-20 | 1987-08-05 | W. Blösch AG | Verfahren zur Herstellung einer lötfähigen Schicht aus einer Metallegierung auf einem Keramik-, insbesondere Oxydkeramiksubstrat |
US6398925B1 (en) * | 1998-12-18 | 2002-06-04 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Methods and apparatus for producing silver based low emissivity coatings without the use of metal primer layers and articles produced thereby |
WO2007129715A1 (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | アルミニウム-炭化珪素質複合体及びその加工方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3208835A (en) * | 1961-04-27 | 1965-09-28 | Westinghouse Electric Corp | Thermoelectric members |
US3218194A (en) * | 1962-04-19 | 1965-11-16 | Gold loaded tantalum film | |
US3239376A (en) * | 1962-06-29 | 1966-03-08 | Bell Telephone Labor Inc | Electrodes to semiconductor wafers |
US3256588A (en) * | 1962-10-23 | 1966-06-21 | Philco Corp | Method of fabricating thin film r-c circuits on single substrate |
US3324019A (en) * | 1962-12-11 | 1967-06-06 | Schjeldahl Co G T | Method of sputtering sequentially from a plurality of cathodes |
US3325258A (en) * | 1963-11-27 | 1967-06-13 | Texas Instruments Inc | Multilayer resistors for hybrid integrated circuits |
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CH455440A (de) | 1968-07-15 |
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US3386906A (en) | 1968-06-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |