DE2127633C3 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2127633C3
DE2127633C3 DE19712127633 DE2127633A DE2127633C3 DE 2127633 C3 DE2127633 C3 DE 2127633C3 DE 19712127633 DE19712127633 DE 19712127633 DE 2127633 A DE2127633 A DE 2127633A DE 2127633 C3 DE2127633 C3 DE 2127633C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
etching
inner leads
connecting legs
legs
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19712127633
Other languages
English (en)
Other versions
DE2127633B2 (de
DE2127633A1 (de
Inventor
Fritz Conzelmann
Heinrich Mayer
Gerhard Dipl.-Ing. Mitterhummer
Hanns-Heinz Peltz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19712127633 priority Critical patent/DE2127633B2/de
Priority to GB2466172A priority patent/GB1389346A/en
Priority to GB5125173A priority patent/GB1390752A/en
Priority to IT2489372A priority patent/IT955889B/it
Priority to NL7207300A priority patent/NL7207300A/xx
Priority to FR7219900A priority patent/FR2140190B3/fr
Publication of DE2127633A1 publication Critical patent/DE2127633A1/de
Publication of DE2127633B2 publication Critical patent/DE2127633B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2127633C3 publication Critical patent/DE2127633C3/de
Priority to US05/718,824 priority patent/US4045863A/en
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4828—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren um Herstellen eines Systemträgers zur Halterung und Kontaktierung, eines Halbleiterkörpers aus einem mit Ausnehmungen versehenen Metallblech, das aus mindestens zwei Schichten aus verschiedenen Metallen besteht und zungenartig ausgebildete innere Zuleitungen besitzt, die mit den Elektroden des Halbleiterkörper verbunden werden und geringere Stärke aufweisen als die äußeren Anschlußbeine.
Es ist bekannt, zur Halterung von Halbleiterbauele menten einen metallischen Systemträger zu verwenden. Ein solcher Systemträger weist einen äußeren Rahmen auf. von dem aus sich die einzelnen Zuleitungen zungenartig und in der Bandebene in das Rahmeninnere erstrecken. Eine dieser zungenartigen Zuleitungen ist schaufelartig erweitert und dient als Träger für den Halbleiterkristall, auf dem dieser durch Legieren oder Verlöten oder Verkleben befestigt wird. Sie nimmt innerhalb des Halterahmens einen zentralen Platz ein. Die anderen Zuleitungen enden kurz vor dem sch.iufelförmigen Kristallträger. Ihre Enden sind mittels feiner Drähte mit den ihnen zugeordneten Elektroden des Halbleiterkörpers, die sich vorzugsweise nur auf einer Seite des Haibleilerkörpers befinden, leitend verbunden. Die Anordnung, insbesondere auch die Enden der zungenartigen Zuleitungen sowie der schaufelför-
mige Träger, können in einem Kunststoffblock oder auch einem Keramik- oder Glasgehäuse eingebettet sein. Die Herstellung dieser Drahtbrücken muß von Hand erfolgen und ist recht mühselig.
Es wurde daher auch schon in der DT-OS 19 30 627 eine andere Möglichkeit zur Halterung und Kontaktierung solcher Halbleiterkörper beschrieben, wonach ein oder mehrere monolithische Haibleilerbausteine auf einer mit Leiterbahnen versehenen Trägerplatte, z. B. einer Dünnfilmschaltung aufgebracht und ihre Anschlußpunkte mit den Leiterbahnen und diese mit den nach außen ragenden Anschlüssen verschweißt sind, wobei vorzugsweise diese Anschlüsse durch Ätzen aus einem kupferkaschierten Aluminiumblech hergestellt werden. Bei einer Kontaktierung nach diesem Vorschlag entfällt die lästige Verlötung der Verbindungsdrähte. Die Herstellung kann relativ einfach automatisiert werden.
Aus den USA.-Patentschriften 32 62 022 und ii 74 537 sind Systemträger bekannt, bei denen nur die äußeren Anschlüsse aus einem selbsttragenden Metallblech, z. B. durch Stanzen hergestellt sind, während die inneren Zuleitungen aus nichttragrnden Metallschichten bestehen, die auf eine isolierende Unterlage aufge dampft sind. Die äußeren Anschlußbeine und die inne ren Zuleitungen sind miteinander durch Löten odei Schweißen verbunden.
Weiterhin sind aus den britischen Patentschriftcr 11 99 848 und 11 99 849 Systemträger bekannt, die air getrennt hergestellten äußeren Anschlußbeinen und in neren Zuleitungen bestehen. Die Verbindung der äuße ren Anschlußbeine und der inneren Zuleitungen erfolg erst nachträglich durch Schweißen.
In unserer älteren Anmeldung DT-OS 20 37 66( wurde ferner bereits ein Verfahren zum Kontaktierer *° eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiter körpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech herge stellten System von elektrischen Zuleitungen, die siel von einem Halterahmen /utigenartig in das Rahmen innere erstrecken und dessen freie Enden mit den ein zelnen Elektroden in leitende Verbindung gebrach werden, vorgeschlagen, wobei die Materialstärke at den Enden der zungenartigen Zuleitungen im Vergleicl zu deren an den Halterahmen angrenzenden Teilen ver
fj
nindert wird und diese Enden unmittelbar mit den hnen zugeordneten Elektroden des Halbleiterkörpers ■erbunden werden. Die Herstellung dieses metallischen »ysiemirägers soll durch Stanzen oder Ätzen erfolgen. Die Herstellung der feinen Struktur der dünneren Zueitungen und der gröberen Struktur der Anschlußbeine ms einem Stück erfordert jedoch sehr sorgfältiges Arbeiten und ist vergleichsweise schwierig.
Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe ujgrunde, ein einfacheres Verfahren zum Herstellen iMnes Systemträgers zur Halterung und Kontaktierung jines Halbleiterkörpers anzugeben.
Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt die Erfindung ein Verfahren der eingangs genannten Art vor, wobei die äußeren AnschluP-beine durch selektives Ätzen unter Verwendung von Photomasken hergestellt werden, während die inneren Zuleitungen entweder ebenfalls durch selektives Ätzen oder durch galvanische Mc-tailabscheidung jeweils unter Verwendung einer photolithographisch hergestellten Abdeckmaske hergestellt werden. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens kann die Herstellung der feinen Struktur der dünneren Zuleitungen und der gröberen Struktur der Anschlußbeine ohne besonderen Aufwand erfolgen.
3esonders vorteilhaft ist es, von einem Zwei- oder ;ς Mehrschichtmaterial auszugehen, dessen Schichten unterschiedliche Ätzbeständigkeit aufweisen und aus diesem Zwei- oder Mehrschichtmaterial durch selektives Atzen unter Verwendung von Äi/masken die inneren Zuleitungen und die äußeren Anschlußbeine heraus- ^o /uät/en.
Man kann für die Ätzung der inneren Zuleitungen cind der äußeren Anschlußbeine mit Vorteil zwei verschiedene Ätzmittel verwenden, wovon das eine nur zur selektiven Herausätzung der inneren Zuleitungen und das andere zur Herausätzung der äußeren Anschlußbeine verwendet wird.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsforni (ier Erfindung wird für die Ät/ung der inneren Zuleitungen und der äußeren Ansehlußbeine ein geinemsames Ätzmittel verwendet, das die feinere Struktur der inneren Zuleitungen entsprechend dem Dieken- \erhiiltnis langsamer ätzt als die gröbere Struktur tier Ansehhißbeine.
Gemäß einer Variante des erfindungsgemaßen Verfiihrcns werden auf einem Trägerblech eine Abdeckmaske im Wege eines phololithographischen Prozesses aufgebracht und sodann durch galvanische Abscheidung eines Metalls, das nicht mit dem Metall des Trägerblechs übereinstimmt, die inneren Zuleitungen erzeugt und nach Entfernung der Abdeckmaske die Feinstruktur mit einem Schutzlack überdeckt und auf der Gegenseite eine Ätzmaske für die Herstellung der äußeren Anschlußbeine aufgebracht und die äußeren Anschlußbeine durch selektives Ätzen hergestellt. Zur Herstellung einer Bügelform der inneren Zuleitungen werden vor dem Herstellen der inneren Zuleitungen im Trägerblech Vertiefungen durch Ätzen hergestellt, die die gewünschte Bügelform der inneren Zuleitungen ergeben.
Es ist auch möglich, beim galvanischen Aufbau der inneren Zuleitungen diese als Zweischichtsystem auszubilden, z. Il aus Kupfer und Nickel, wobei die Kontaktiemngsschieht vorzugsweise dünn aufgebaut wird.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Fr- 6_s findung an Hand der Figuren beschrieben.
Die I' i g. 1 bis 4 zeigen Verfahrensstulen einer erst en V:iri;inte eines Verfahrens zur Herstellung eines metallischen Systemträgers,
F i g. 5 zeigt einen metallischen Systemträger, der mit einem Halbleiterchip bestückt ist
F i g. 6 zeigt einen metallischen Systemträger mit bügelförmigen inneren Zuleitungen,
F i g. 7 zeigt einen metallischen Systemträger nac'i F i g. 6 bestückt mit einem Halbleiterchip,
die F i g. 8 und 9 dienen zur Erläuterung einer zweiten Verfahrensvariante zur Herstellung metallischer Systemträger,
Fig. 10 zeigt einen fertiggestellten metallischen Systemträger.
Ausführungsbeispiel 1
Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird auf ein Messingblech in einer Stärke von, z. B. 0,3 mm auf einer Seite eine Schicht aus einem Photopolymerma'.crial ausreichender Dicke, z. B. 60 μΐη aufgebracht, aus der die Abdeckmaske für den nachfolgenden galvanischen Aufbau der Feinstruktur durch einen photolithographischen Prozeß hergestellt wird. F i g. 1 zeigt eine Draufsicht auf die Oberfläche einer mit einer Galvanikabdeckschicht 1 versehenen Messingplatte, wobei die Oberflächemeile, die von den inneren Zuleitungen eingenommen werden sollen, freigelassen sind, während in F i g. 2 ein Schnitt l-l durch F i g. 1 dargestellt ist. In diesen freigelassenen Bereichen erfolgt dann eine galvanische Abscheidung von Nickel 3 bis maximal zur Höhe der Photopolymerschicht 1. Beispielsweise kann so eine 50 μηι dicke Nikkeischicht 3 abgeschieden werden. 1st dies geschehen, so werden die Abdeckschichten 1 entfernt und die abgeschiedenen inneren Zuleitungen aus Nickel 3, wie F i g. 3 und 4 zeigt, einschließlich der diese inneren Zuleitungen 3 tragenden Oberfläche des Trägcrhlechs 2 mit einem Schutzlack. vorzugsweise einem leitlack 5 abgedeckt. Auf der Rückseile wird die Ätzabdeckung 6 für die Herstellung der äußeren Anschlußbeine aufgebracht. Diese Ät/.abdeckung b kann im Phoiodruck- oder im Siebdruckverfahren aufgebracht werden.
Nun werden die äußeren Anschlußbeine 7. wie F i g. 3 zeigt, herausgeätzt, wobei man ein Ätzmittel veruendet, das nur das Trägerblech 2. nicht aber die aus Nickel bestehenden inneren Zuleitungen 3 angreift. Ais Ätzmittel können außer rein selektiv ätzenden Medien auch solche verwendet werden, die beispielsweise Nickel und Messing für sich alleine angreifen, jedoch bei Zweischichtmatenal die Nickelfeinstruktur gar nicht oder nur in sehr vermindertem Maße angreifen (elektrolytischcr Effekt oder Passivierung). Die Aufbringung des Schut/.laekcs 5 soll verhindern, daß die Feinstrukuii der inneren Zuleitungen 3 während der ganzen Ätzzeit dem Ätzmedium ausgesetzt ist.
F i g. ri zeigt im Ausschnitt einen fertiggestellten metallischen Träger mit inneren Zuleitungen 3, äußeren Anschlußbeinen 7 und einem aufgebrachten Halblciterchip 8.
Ausführungsbeispicl 2
Gemäß einer Variante des Ausführungsbeispiels I können die inneren Zuleitungen in Bügelform ausgebildet werden, um Feclereigenschaften zu erzielen, so el a Ii Ausdehnungsunieisehiede /wischen Grobstruktur und Halbleitersubstrat aufgefangen werden. Zu diesen Zweck werden gemäß F 1 g. r> vor der Erzeugung der inneren Zuleitungen 4 in das Trägerblech 2 Vertiefungen 9 geätzt, sodann in der Art und Weise wie das in Ausführungsbeispiel I beschrieben wurde, eine Galva
iikabdcckung 1 aufgebracht, die die Stellen freiläßt, an :icn Nickel zur Ausbildung der inneren Zuleitungen 4 Abgeschieden weiden soll. Die auf diese Art und Weise iebildcten Zuleitungen 4 formen die Vertiefungen 9 nueh und ergeben somit eine Bügelform, die nach Herausätzung der Anschlußbeine 7, wie I' i g. 7 zeigt, federnde Eigenschaften aufweist.
Ausführungsbeispiel 3
Bei der in F i g. 8 dargestellten Verfahrensvariante geht man von einem zweischichtigen Material aus, bestehend aus einer dickeren Messingschicht 10 und einer darauf aufgebrachten dünneren Nickelschicht 11. Auf diese Nickelschickt wird eine Atzabdeckung 12 nach photolithographischen Verfahren für die Herstellung der inneren Zuleitungen aufgebracht, während auf die Messingschicht 10 eine Ätzabdeckung 13 aufgebracht wird, die die Teile ües Messingblechs 10 bedeckt, die für die äußeren Anschlußbeine vorgesehen sind. Man ätzt nun unter Verwendung insbesondere eines Ätzmittels, das die Nickelschicht 11 weniger stark angreift als die Messingschicht 10 entsprechend der größeren Stärke der Messingschicht 10.
Fig. 9 zeigt einen nach dieser Vcrfahrensvariante hergestellten metallischen Systemträger mit aus der Nickelschicht 11 herausgearbeiteten inneren Zuleitungen 14 und aus der Messingschicht 10 herausgearbeiteten äußeren Anschlußbeinen 15 sowie einem darauf aufgebrachten Halblcilerehip 16. Der Halbleiterchip 16
s kann wahlweise, wie strichliert dargestellt, statt auf der inneren auf der äußeren Oberfläche der inneren Zuleitungen 14 aufgebracht werden.
Waren in den F i g. 1 bis 9 jeweils nur die Ausschnitte der metallischen Systemträger dargestellt, die die inneren Zuleitungen und die daran anschließenden Teile der äußeren Anschlußbeinc darstellen, so zeigt F i g. 10 den gesamten Systemträger. Dieser weist einen Halterahmen 21 auf, von dem die zungenartigen inneren Zuleitungen 22 nach innen streben. Die mit den Elektroden 24 versehene Halbleiterkristallanordnung 25 wird auf den Hnden 23 der zungenartigen inneren Zuleitungen 22 so angeordnet, daß diese Enden genau mit je einer Elektrode 24 in Berührung stehen. In dieser Lage werden die Elektroden mit den.Enden 23 bleibend verbunden. Die so erhaltene Anordnung wird in einen Kunststoffblock 26 eingebettet. Danach wird der Rahmen 21 und etwa weitere vorhandene Querverbindungen 27 zwischen den zungenartigen Zuleitungen entfernt. Die über die Kunststoffteile 26 hinausstehenden Teile der zungenartigen Zuleitungen dienen dann dem weiteren Einbau der Anordnung in ein elektrisches Gerät.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
■-*.■»

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen eines Systemträgers zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiter körpers aus einem mit Ausnehmungen versehenen Metallblech, das aus mindestens zwei Schichten aus verschiedenen Metallen besteht und zungenartig ausgebildete innere Zuleitungen besitzt, die mit den Elektroden des Halbleiterkörpers verbunden werden und geringere Stärke aufweisen als die äußeren Anschlußbeine, dadurch gekennzeichnet, daß die äußeren Anschlußbeine (7) durcli selektives Ätzen unter Verwendung von Photoätzmasken hergestellt werden, während die inneren Zuleitungen (3) entweder ebenfalls durch selektives Ätzen oder durch galvanische Menillabscheidung jeweils unter Verwendung einer photolithog/aphisch hergestellten Abdeckmaske hergestellt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man von einem Zwei- oder Mehrschichtmaterial ausgeht, dessen Schichten unterschiedliche Ät/beständigkeit aufweisen und daß aus diesem Zwei- oder Mehrschichtmaterial durch selektives Ätzen unter Verwendung von Äumasken die inneren Zuleitungen und die äußeren Anschlußbeine herausgcätzt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß für die Ätzung der inneren Zuleitungen und der äußeren Anschlußbeine zwei verschiedene Äi/mittel verwendet werden, wovon das eine nur zur selektiven Hei ausätzung der inneren Zuleitungen und das andere zur Herausätzung der äußeren Anschlußbeine verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß für die Ätzung der inneren Zuleitungen und der äußeren Anschlußbeine ein gemeinsames Ätzmittel verwendet wird, das die feinere Struktur der inneren Zuleitungen entsprechend dem Dickenverhältnis langsamer ätzt als die gröbere Struktur der Anschlußbeine.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Trägerblech eine Abdeckmaske im Wege eines photolithographischen Prozesses aufgebracht wird und sodann durch galvanische Abscheidung eines Metalls, das nicht mit dem Metall des Trägerblechs übereinstimmt, die inneren Zuleitungen erzeugt werden, daß sodann nach Entfernung der Abdeckmaske die Feinstruktur mit einem Schutzlack überdeckt wird und auf der Gegenseite eine Ätzmaske für die Herstellung der äußeren Anschlußbeine aufgebracht wird und die äußeren Anschlußbeine durch selektives Ätzen hergestellt werden.
b. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Herstellen der inneren Zuleitungen (3) im Trägerblech Vertiefungen (9) durch Atzen hergestellt werden, die eine gewünschte Bügelform der inneren Zuleitungen ergeben.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die inneren Zuleitungen als Zweischichtsystem durch Abscheiden zweier verschiedener Metalle hergestellt werden.
DE19712127633 1971-06-03 1971-06-03 Verfahren zum Herstellen eines Systemträgers zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers Granted DE2127633B2 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712127633 DE2127633B2 (de) 1971-06-03 1971-06-03 Verfahren zum Herstellen eines Systemträgers zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers
GB2466172A GB1389346A (en) 1971-06-03 1972-05-25 Lead frames for holding and contacting semiconductor bodies
GB5125173A GB1390752A (en) 1971-06-03 1972-05-25 Lead frames for holding and contacting semiconductor bodies
IT2489372A IT955889B (it) 1971-06-03 1972-05-26 Supporto metallico per sostenere e munire di prese di contatto un corpo di materiale semiconduttore
NL7207300A NL7207300A (de) 1971-06-03 1972-05-30
FR7219900A FR2140190B3 (de) 1971-06-03 1972-06-02
US05/718,824 US4045863A (en) 1971-06-03 1976-08-30 Method of producing metallic carrier system for a multi-electrode semiconductor strip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712127633 DE2127633B2 (de) 1971-06-03 1971-06-03 Verfahren zum Herstellen eines Systemträgers zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2127633A1 DE2127633A1 (de) 1972-12-07
DE2127633B2 DE2127633B2 (de) 1975-03-20
DE2127633C3 true DE2127633C3 (de) 1975-11-20

Family

ID=5809753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712127633 Granted DE2127633B2 (de) 1971-06-03 1971-06-03 Verfahren zum Herstellen eines Systemträgers zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers

Country Status (5)

Country Link
DE (1) DE2127633B2 (de)
FR (1) FR2140190B3 (de)
GB (2) GB1390752A (de)
IT (1) IT955889B (de)
NL (1) NL7207300A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2658532C2 (de) * 1976-12-23 1984-02-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Zwischenträger zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers und Verfahren zu dessen Herstellung
CN108257938B (zh) * 2018-01-31 2020-01-24 江苏长电科技股份有限公司 用于引线框架的治具及引线框架的蚀刻方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB1389346A (en) 1975-04-03
FR2140190A1 (de) 1973-01-12
NL7207300A (de) 1972-12-05
DE2127633B2 (de) 1975-03-20
FR2140190B3 (de) 1975-08-08
GB1390752A (en) 1975-04-16
DE2127633A1 (de) 1972-12-07
IT955889B (it) 1973-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2118912B1 (de) Vielschicht-bauelement und verfahren zur herstellung eines vielschicht-bauelements
DE1817434C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung
DE3414808A1 (de) Verfahren zur herstellung eines preiswerten duennfilmkondensators und danach hergestellter kondensator
DE2628327A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von mehrschichtkondensatoren
DE3013667A1 (de) Leiterplatte und verfahren zu deren herstellung
DE2127633C3 (de)
DE2037666A1 (de) Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen
DE2249209B2 (de) Leiterrahmen zur verwendung in gehaeusen fuer halbleiterbauelemente
DE3406542A1 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes
DE1206976B (de) Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen nach der Aufbaumethode
DE1665248C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine miniaturisierte Schaltung
DE1564770C3 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiteranordnungen
DE2543079C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Trockenelektrolytkondensatoren
DE2518407A1 (de) Druckkopf fuer eine druckvorrichtung mit elektroempfindlichem aufzeichnungspapier
DE102013111748A1 (de) Solarmodul und Solarmodulherstellungsverfahren
DE2003423C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen
DE2259267A1 (de) Halbleiteranordnung
DE3035717C2 (de) Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Folienwiderständen oder Netzwerken von Folienwiderständen
DE112021005830T5 (de) Chip-bauteil
DE3211499A1 (de) Kaltpressverfahren
DE2057204B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Metall -Halbleiterkontakten
DE1804349C3 (de) Elektrische Kontaktanordnung an einem Halbleiterabschnitt und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE7121586U (de) Metallischer systemtraeger zur halterung und kontaktierung eines halbleiterkoerpers
DE2346669C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Dünnfilmanordnung mit abgleichbaren Widerständen
DE1621342C (de) Verfahren zum Herstellen von Aufdampfkontakten mit Kontakthöhen > 10 Mikrometer, insbesondere für Planarbauelemente

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee