DE1804349C3 - Elektrische Kontaktanordnung an einem Halbleiterabschnitt und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Elektrische Kontaktanordnung an einem Halbleiterabschnitt und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE1804349C3 DE19681804349 DE1804349A DE1804349C3 DE 1804349 C3 DE1804349 C3 DE 1804349C3 DE 19681804349 DE19681804349 DE 19681804349 DE 1804349 A DE1804349 A DE 1804349A DE 1804349 C3 DE1804349 C3 DE 1804349C3
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrische Kontaktanordnung an einem Halbleiterabschnitt mit wenigstens einem Schaltungselement und elektrischen Leitern zu den Schaltungselementen, wobei die elektrischen Leiter Anschlußstellen als Kontakte zu den Schaltungselementen aufweisen und aus einem ersten Material bestehende, mit den Anschlußsteilen verbundene Teile besitzen. Auch bezieht sich die Erfindung auf die Herstellung von Kontaktanordnungen dieser Art.
Der Erfindung liegt das Problem des Anbringens von Leitern an den Anschlußstellen oder Kontaktgebieten von Festkörperelementen (z. B. monolithische integrierte Schaltkreise, integrierte Hybridschaltkreise, Einzelelemente in größeren Stückzahlen) zugrunde, wobei das Problem des Anbringens äußerer Anschlußverbindungen an Einrichtungen der beschriebenen Art im Vordergrund steht.
In der US-PS 33 35 338 ist eine Halbleiteranordnung beschrieben, bei der sich Metallschichten von einem Plättchen aus Halbleitermaterial zu einem benachbarten Halbleiterplättchen, welches von dem ersten Halbleiterplättchen durch einen Luftspalt getrennt ist, erstrecken. Die Metallschicht hat dabei vor allem die Aufgabe, eine Brücke zwischen Halbleiterplättchen zu bilden, und zu diesem Zweck ist die Stärke der Metallschicht an der Überbrückungs- bzw. Verbindungsstelle der beiden Halbleiteranordnungen erheblich verstärkt. Diese dikken Metallteile stellen auch Halterungs- bzw. Unterstützungsanordnungen für die getrennten Teile aus Halbleitermaterial dar (z. B. Spalte 3, Zeilen 41 bis 50 der genannten US-Patentschrift). Die Metallverbindungen bestehen aus Gold auf einer Basis aus Titan und Platin (Spalte 3, Zeilen 31 bis 33 der genannten US-Patentschrift). Die Titan- und Platinschichten haften gut an dem darunter befindlichen Siliziumdioxid. Wie noch näher ausgeführt wird, unterscheidet sich der Gegenstand der vorliegenden Erfindung von dem Gegenstand der US-Patentschrift vor allem dadurch, daß erfindungsgemäß ein vorragender Finger vorgesehen ist, welcher auf der Anschlußstelle aufliegt und fest an ihr haftet, während er sich über die übrige Oberfläche des Halbleiterabschnitts erstreckt, aber nicht an ihr haftet.
Im übrigen ist es bekannt, daß bei integrierten Schaltkreisen äußere elektrische Verbindungen vorhanden sein müssen, um beispielsweise Leistung zuzuführen oder um mehrere solcher Schaltkreise zusammenzuschalten, wie beispielsweise aus der US-PS 32 12 162 der Anmelderin hervorgeht. Um solche Verbindungen herzustellen, sind mehrere Anschlußstellen aus leitfähigem Material (z. B. Aluminiumschichten) in passender Weise vorhanden. Vielfach sind diese Anschlußstellen um den Umfang der Schaltung herum angeordnet, um eine höchstmögliche Dichte und eine gute Anpassungsfähigkeit der Verbindungen der Komponenten der Schaltung zu erhalten, jede Anschlußstelle ist so groß bemessen, daß an ihr unter Verwendung bekannter Verbiiidungsverfahren, beispielsweise Ultraschallverbindung oder Thermokompressionsverbindung, ein Anschlußdraht angebracht werden kann.
Bei bekannten Einrichtungen sind dabei die Anschlußte||en außerhalb desjenigen Gebietes angeordnet, in Λ m sich die eigentlichen Komponenten des Schaltkrei- « befinden. Eine solche Anordnung der Anschlußstel-Γ hat die Folge, daß der Raum, den di·; integrierte Schaltung insgesamt beansprucht, verhältnismäßig groß •rd so daß die maximal erreichbare Dichte der Anordnung der Komponenten entsprechend begrenzt •t Die Zahl der Schaltungen, die bei Fertigung in größeren Stückzahlen in einem einzigen Arbeitsgang in den einzelnen Herstellungsstufen, beispielsweise in den Diffusionsöfen und den fotografischen Markierungseinchtungen, bearbeitet werden können, ist zumindestens Lch zum Teil abhängig von dem Raum, den jeder der integrierten Schaltkreise beansprucht. Der erhöhte Platzbedarf, der bei einem integrierten Schaltkreis auf Grund der Anordnung der Anschlußstellen vorhanden ist wirkt sich also auf die Ausbringung bei der Herstellung nachteilig aus A ~ ..
Ein weiterer Vorteil ist, daß man unter den Gebieten der Anschlußstellen keinerlei Komponenten der Schaltung unterbringen kann. Dies ist darauf zurückzuführen, daß zur Verbindung der Drähte mit den Anschlußstellen Druck ausgeübt werden muß, so daß darunterliegende Komponenten der Schaltung hierbei beschädigt werden können Die Gebiete, auf denen die Anschlußstellen angeordnet sind, werden daher bei den bekannten Einrichtungen und Verfahren ausschließlich als Unterlage für die Anschlußstellen verwendet. Bei vielen Anordnungen der beschriebenen Art beträgt das von den Anschlußstellen eingenommene Gebiet 40% und mehr des Gebietes der Gesamtschaltung.
Wie in der US-PS 33 35 338 beschrieben ist, kann die unproduktive Raumausnutzung bei der Anordnung der Anschlußstellen jedenfalls zum großen Teil dadurch verbessert werden, daß leitfähige Anschlußstellen auf den Grundkörp2r herübergebogen oder gefaltet werden. Ein solches Verfahren hat aber den Nachteil, daß der Verbindungsvorgang beim Anbringen der elektrischen Verbindungen sorgfältig gesteuert und überwacht werden muß, da bei Anwendung eines zu hohen Druckes die darunter befindliche Unterlage oder Schaltkomponenten beschädigt werden können. Außerdem wird bei einem Verfahren dieser Art auch eine besondere Schicht aus Isoliermaterial benötigt.
Bei Anwendung der Erfindung wird in "orteilhafter Weise erheblich weniger Platz für integrierte Schaltkreise benötigt, und das Anbringen von Leitern an integrierten Schaltkreisen kann in größeren Stückzah-
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45 dung ist der vorragende Finger schichtweise aus einem ersten und einem darauf angeordneten zweiten Material ausgebildet, wobei das zweite Material im wesentlichen die gleiche Form wie das erste Material hat und fest an diesem haftet Vorzugsweise ist das erste Material Silber und das zweite Material Aluminium.
Ein bevorzugtes Verfahren zum Herstellen der elektrischen Kontaktanordnung gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein elektrisch leitender Kontakt auf der Oberfläche eines Bauelementes ausgebildet wird, und daß für jedem Kontakt auf dem Bauelement eine erste Schicht eines leitenden, selektiv haftenden Materials aufgebracht wird, welches auf dem Kontakt aufliegt und an ihm haftet, während es auf der Oberfläche aufliegt und nicht an ihr haftet. Vorzugsweise wird zusätzlich eine zweite Schicht aus leitfähigem Material auf die erste Schicht aufgebracht, wobei die zweite Schicht im wesentlichen die gleiche Form wie die erste Schicht hat und fest an ihr haftet.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß auf einem Halbleiterbauelement eine Schutzschicht angeordnet wird, welche wenigstens eine öffnung aufweist, durch die leitfähigen Anschlußstellen im Kontakt mit der freigelegten Halbleiteroberfläche stehen und mit der ersten Schicht aus leitfähigem, selektiv haftenden Material in Verbindung stehen, welches auf den leitfähigen Anschlußstellen als auch einem Teil der Schutzschicht aufliegt. Dabei kann von der ersten Schicht aus leitfähigem Material ein Teil des Bauelementes getrennt werden, der sich zunächst unterhalb der ersten Schicht befand. Zum Zweck der Trennung wird dabei vorzugsweise zunächst auf der Rückseite des Bauelementes eine Anrißlinie ausgebildet, welche eine Trennung gegenüber dem Teil des Bauelementes unter der ersten Schicht darstellt, und es werden dann die Teile auseinandergebrochen.
Vorzugsweise werden die erste und die zweite Schicht aus leitfähigem Material durch Aufdampfen aufgebracht, und es hat sich als zweckmäßig erwiesen, daß die erste Schicht eine Stärke von wenigstens etwa 50 nm hat, während die zweite Schicht auf der ersten Schicht mit einer Stärke von wenigstens etwa 20 μιτι aufgetragen wird.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung ist, daß Bauelemente unmittelbar unter der Anschlußstelle oder dem Kontaktgebiet untergebracht werden können. Bei den bekannten Einrichtungen und Verfahren konnte wegen der Gefahr, die mit unzulässig hohen Beanspru-
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len erfolgen. Dabei können elektrische Verbindungen an 50 chungen des Bauelementes bei dem Verbindungsvor-
integrierten Schaltkreisen angebracht werden, ohne daß *—--' :- j: «'- =- u. „„o^„=„
eine weitere Verdrahtung erforderlich ist oder sonstige elektrische Verbindungen hergestellt werden müssen.
Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrische Kontaktanordnung an einem Halbleiterabschnitt mit wenigstens einem Schaltungselement und elektrischen Leitern zu den Schaltungselementen, wobei die elektrischen Leiter Anschlußstellen als Kontakte zu den Schaltungselementen aufweisen und aus einem ersten Material bestehende, mit den Anschlußstellen verbundene Teile besitzen. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Leiter als vorragende Finger ausgebildet sind, auf den Anschlußstellen aufliegen und fest an ihnen haften, während sie sich über die übrige Oberfläche des Halbleiterabschnitts erstrekken, nicht an ihr haften und über den Rand des Halbleiterabschnitts vorragen.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfin-
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60 gang verbunden war, in dieser Weise nicht vorgegangen werden, jedoch kann bei Anwendung der Erfindung eine äußere Verbindung an größeren Kontaktfingern oder -strahlen angebracht werden, und es wird dabei kein Druck auf die eigentlichen Anschlußstellen ausgeübt. Es steht daher mehr Platz für die eigentliche Funktion des Bauelementes zur Verfügung bei gleicher Ausdehnung des Bauelementteils. Die Anschlußstellen für die Kontakte können außerdem kleiner ausgebildet sein, da sie nicht mehr eine solche Größe zu haben brauchen, \v;e sie für den Anschluß eines Drahtes erforderlich wäre.
Ein weiterer Vorteil der Verbindung ist, daß der Verbindungsvorgang bei allen äußeren Leitungsanschlüssen gleichzeitig erfolgen kann. Es ist also nicht mehr erforderlich, Anschlußdrähte mit einzelnen Anschlußstellen zu verbinden. Außerdem können die strahlen- oder fingerförmigen Fortsätze in einfacher
Weise aus Metall oder Vakuumaufdampfern hergestellt werden, so daß keinerlei Ätzvorgänge oder andere Behandlungen dieser Art erforderlich sind.
Weitere Merkmale und bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend an Hand der Zeichnungen näher beschrieben.
Fig. la bis Id zeigen vereinfachte Schnittdarstellungen zur Erläuterung des erfindungsgemäüen Verfahrens zur Anordnung vorragender Leiter auf einer Unterlage oder einer Fläche des Bauelementes;
Fig. 2 zeigt, ebenfalls vereinfacht, eine Draufsicht auf zwei nebeneinanderliegende Teilbauelemente, von denen mehrere vorragende Leiter ausgehen;
Fig. 3 zeigt perspektivisch die Anordnung eines Leiters auf einem Teilbauelement.
Das Verfahren nach der Erfindung der Herstellung vorragender Leiter für elektrische Schaltverbindungcn bei Halbleiter-Bauelementen ist in gleicher Weise für einzelne getrennte Bauelemente als auch für integrierte Schaltkreise geeignet. An Hand der nachfolgend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die vorragende, finger- bzw. strahlenförmige Schaltverbindung und das Verfahren zu ihrer Herstellung im Zusammenhang mit einer integrierten Schaltung erläutert.
Fig. la zeigt eine Unterlage oder ein Bauelement 10, welches als einstückiger Siliziumabschnitt ausgebildet sein kann und eine Trennungslinie 14 aufweist, welche zur Trennung des Abschnittes in zwei oder mehrere Bauelemente dient. Eine passivierende Schicht oder Schutzschicht 13, die vorzugsweise aus SiOx besteht, kann die Oberfläche des Bauelementes 10 bedecken. Um nun mehrere Schaltungen in der gewünschten Weise miteinander zu verbinden und um ein Bauelement mit einem ande-en zu verbinden, ist ein leitfähiger Kontakt oder eine Anschlußstelle 12 mit einer der Schaltungen oder Komponenten 15 verbunden, welche in bekannter Weise ausgebildet sind, beispielsweise gemäß USA.-Patentschrift 29 81 877. Die Anschlußstelle 12 steht durch eine öffnung in der Schutzschicht 13 in elektrischem Kontakt mit der Schaltungskomponente 15. Die Anschlußstelle 12 ist vorzugsweise 0,05 mm breit und 0,05 mm lang, und sie besteht aus Aluminium. (Die nach dem Stand der Technik bisher verwendeten Leiter dieser Art sind in der Regel 0,125 χ 0,125 mm groß, um die Anbringung eines Anschlußdrahtes zu ermöglichen.) Die Anschlußstelle 12 kann auch aus geeignetem leitfähigen Material andere: Art bestehen. Die Ausbildung eines Bauelementes und einer Anschlußstelle, wie sie in Fig. la dargestellt sind, erfolgt in bekannter zweckmäßiger Weise. Vorzugsweise wird so vorgegangen, daß ein einzelnes Bauelement oder eine integrierte Schaltung mehrere Bereiche aufweist, auf denen leitfähige Anschlußstellen angeordnet werden, an denen "orragende finger- oder strahlenförmige Leiter ausgebildet werden, und zwar können die Leiter bei Anwendung der Erfindung gleichzeitig hergestellt werden. Zur Vereinfachung wird in der nachfolgenden Beschreibung in erster Linie die Ausbildung eines Leiters an einer einzigen dargestellten Anschlußstelle ^beschrieben.
Anschließend wird eine Schicht aus einem Material, welches eine selektive Haftfähigkeit hat, in einem bestimmten Wuster auf das Bauelement 10 aufgebracht. Zu diesem Zweck v/ird eine Maske auf das Bauelement gelegt, und die Maske wird ausgerichtet und so fest auf das Bauelement gedruckt, d">.ß eine enge Berührung mit der Oberfläche des Bauelementes besteht. Der Ausschnitt der Maske erstreckt sich über die Anschlußstelle 12 und fällt räumlich mit ihr zusammen, und es wird die Form eines Fingers gebildet, dessen Breite an einem Ende ungefähr der Breite der Anschlußstelle entspricht. s Der fingerförmige Ausschnitt der Maske verläuft dann über die Trennungslinie 14 zu einem danebeniiegenden Bauelement 10a (Fig. 2). Der Ausschnitt der Maske liegt also über der Aluminium-Anschlußstelle 12 und erstreckt sich von dort über die Schutzschicht 13.
ίο Wenn die Maske in der vorgesehenen Weise aufgelegt ist, wird anschließend das selektiv haftende Material ( Fig. Ib) aufgebracht. Vorzugsweise erfolgt dies durch Entspannungsverdampfung von Silber nach dem Verfahren des Vakuumaufdampfens. Das Silber kann in einer Stärke von mindestens etwa 50 nm aufgebracht werden, und es bildet eine Schicht 16 ( Fig. Ib). Die Schicht 16 hat die Eigenschaft, daß sie nicht auf SiOx haftet, jedoch haftet sie stark an der Anschlußstelle 12. Vorzugsweise wirkt die Schicht 16 als elektrischer Leiter.
Die Maske bleibt weiterhin auf dem Bauelement, und es wird dann eine zweite Schicht 18 aufgedampft, deren Stärke etwa 25 μπι (Fig. Ic) betragen kann. Die zweite Schicht 18 wird auf die erste Schicht 16 aufgebracht. Sie hat die Eigenschaft, daß sie gut auf der ersten Schicht haftet und in Berührung mit der ersten Schicht auch ah Leiter wirken kann. Die Schicht 18, die an der Schicht 16 haftet, besteht aus leitfähigem Material, das in einer vorgegebenen Stärke aufgetragen werden kann (bei-
spielsweise nicht weniger als 25 μπι), um dem vorragenden fingerförmigen Teil 20 (Fig.3) eine zusätzliche mechanische Verstärkung zu erteilen.
Wie erwähnt, ist vorzugsweise vorgesehen, diß die er>,ie Schicht 16 aus Silber und die zweite Schicht 18 aus Aluminium besteht. Es können jedoch auch Kombinationen zweier anderer Werkstoffe verwendet werden, oder es ist auch möglich, daß nur ein einziger Werkstoff verwendet wird. So ist es bei manchen Anwendungen zweckmäßig, daß nur Silber verwendet wird. Dabei ist lediglich die Forderung zu erfüllen, daß das auf dem Bauelement 10 liegende Material eine gute Haftfähigkeit gegenüber der Anschlußstelle 12 besitzt, jedoch nicht auf der Schutzschicht 13 haftet. Bei manchen Anwendungen braucht jedoch eine solche Schutzschicht
nicht unbedingt vorhanden zu sein. Man wird daher die erwähnten Schichten, also die erste Schicht 16 und die zweite Schicht 18, nach folgenden Gesichtspunkten auswählen:
1. nach der gegenseitigen Haftfähigkeit,
2. nach der Nicht-Haftung des ersten Materisis gegenüber der Oberfläche des Bauelementes,
3. nach den elektrischen Eigenschaften, insbesondere nach der Leitfähigkeit, und
4. nach der mechanischen Festigkeit
Wenn beispielsweise Aluminium über Silber aufgetragen wird, hat das vorragende kombinierte Aluminium-Silber-Teil einen niedrigen elektrischen Widerstand, gute mechanische Eigenschaften, es haftet auf der Anschlußstelle, und es haftet nicht auf der Oberfläche des Bauelementes. Andere Stoffe, die an Stelle des Aluminiums verwendet werden können, sind Chrom, Platin, Titan, Molybdän und Gold; an Stelle des Silber, das gegenüber der Oberfläche des Bauelementes nichthaftend ist, können Gold, Antimon und andere Stoffe verwendet werden. Dabei können verschiedene Verfahren zum Aufbringen angewendet werden, insbesondere das Vakuum-Aufdampfen, das Plattieren und andere Verfahren, welche zur Ausbildune dünner
Schichten aus leitfähigem Material geeignet sind.
Wenn mehrere Bauelemente gleichzeitig behandelt werden, wie es in F i g. 2 dargestellt ist, stellt sich das ausgebildete Muster nach Entfernung der Maske als eine Vielzahl einzelner ineinandergreifender Finger dar, welche Gruppen 20 und 20a bilden. Die Finger jeder Gruppe ragen über die Trennungslinie 14 auf daneben angeordnete Bauelemente vor. Die Form der Finger ist so gewählt, daß das gegenseitige Ineinandergreifen erleichtert wird.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Schichten 16 und 18 durch fotografische Verfahren (Fotogravierung) hergestellt, wie sie beispielsweise in der US-PS 29 81 877 beschrieben sind. Es ist nach einem weiteren bevorzugten Merkmal nicht erforderlich, daß die Schicht 16 mit der Schicht 18 über die ganze Ausdehnung der Schicht 18 räumlich zusammenfällt. Dies wird nachfolgend noch näher erläutert werden.
Anschließend wird die Halbleiterplatte an der Rückseite angerissen oder in anderer geeigneter Weise behandelt, und die Bauelemente werden durch Anwendung mechanischer Kraft voneinander getrennt (Fig. Id). Bauelemente dieser Art sind brechbar und sie brechen entlang der Trennungslinie 14.
Nach dem Anreißen und Brechen sind vorragende, strahlenförmige Teile 20 gebildet, welche sich leicht von der Oberfläche des benachbarten Bauelementes lösen, da nur eine geringe Haftkraft zwischen der ersten Schicht 16 und der Oxydschicht 13 des Bauelementes besteht, auf der die Schicht angeordnet ist. Die erste aufgetragerie Schicht dient also zur Erleichterung der Ablösung des vorragenden Teiles. Dagegen hat diese erste Schicht (z. B. Silber) sehr gute Hafteigenschaften gegenüber der Anschlußstelle 12 und der Schicht 18, so daß ein in sich geschlossenes, vorragendes Teil entsteht, welches gute elektrische und mechanische Eigenschaften hat. Dabei ist zu berücksichtigen, daß es lediglich erforderlich ist, daß Schicht 16 auf Flächen aufgebracht wird, welche von dem Leiter getrennt werden sollen. Bei dem Bauelement 10 ist es beispielsweise nur erforderlich, daß Schicht 16 auf dem Bauelement 10a aufgebracht wird. Auf diese Weise kommt man mit einer sehr geringen Silbermenge aus, und es ergeben sich auch bessere mechanische Eigenschaften. Auch wird dadurch zugleich die Ausbildung des Kontaktes 12 und der Schicht 18 erleichtert.
Die fertige Anordnung (Fig. Id und 3) weist vorragende Teile auf, und diese Teile sind mit den Kontakten bzw. Anschlußstellen verbunden, welche sich über die Breite und Länge eines Abschnittes verteilen. Die vorragenden Teile sind dabei über den Rand des Abschnittes vorgezogen, und sie reichen über den Bereich der Trennungslinie 14 hinüber, welche die Grenze eines Bauelementes darstellt. Das Muster der Maskierung wird dabei vorzugsweise so gewählt, dal sich die Lage der Anschlußstellen bei benachbarte!
Bauelementen abwechselt, und auf diese Weise könnei die vorragenden Leiter von einer Anschlußstelle de:
ersten Bauelementes zwischen jeweils zwei benachbar te Anschlußstellen des benachbarten Bauelemente:
fallen. Eine solche Anordnung ist in F i g. 2 dargestellt.
Die Länge der vorragenden Leiter 20 wird Vorzugs
weise so bemessen, daß sie den Rand des Abschnitte;
ίο um etwa 0,125 mm oder mehr überragen, um da: Anbringen der übrigen Verbindungen zu erleichtern Die vorragenden Leiter haben die gewünschte mechani sehe Festigkeit, wenn sie 0,125 mm lang sind und mi einer leitenden Anschlußstelle von 0,05 χ 0,05 mm ii Verbindung stehen. Wenn die zur Aufbringung de: Metalls verwendete Maske entfernt worden ist und die Halbleiterplatte auf ihre Rückseite angerissen ist, kanr man an dem Abschnitt die erforderlichen weiterer Verbindungen mit Hilfe der vorragenden Teile vorneh men, und man kann insbesondere die erforderlicher Verbindungen zu benachbarten Bauelementen odei Schaltungen herstellen, wobei die vorragenden TeiU dann die gleiche Funktion haben wie die bishei verwendeten Verbindungsdrähte.
Die Einrichtung gemäß der Erfindung und da: Verfahren zu ihrer Herstellung bieten viele Vorteile Einer der Vorteile der vorragenden Leiter ist. daß alle Leiter gleichzeitig angeschlossen werden können, se daß man nicht mehr einzelne Drähte an jede dei leitenden Anschlußstellen anzubringen braucht. Auch is es nicht erforderlich, daß zur Ausbildung der Leiter neue Herstellungsverfahren eingeführt werden, denn mat kommt mit den bekannten Verfahren des Aufdampfens der Plattierung usw. aus.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist, daß Bauele mente unmittelbar unter den Anschlußstellen lieger können. Bisher war dies nicht möglich wegen dei Gefahr, daß beim Verbindungsvorgang unzulässige Kräfte auf das Bauelement ausgeübt werden. Da bei dei Einrichtung gemäß der Erfindung die Leiter über die Anschiußsteiien hinüberragen, können die beim Verbin dungsvorgang auftretenden Drücke die unterhalb dei leitenden Anschlußstellen befindlichen Komponenter nicht nachteilig beeinflussen, so daß bei gegebenei Größe des Abschnittes mehr Raum für die eigentliche Funktion des Bauelementes zur Verfügung steht. Aucr kann man in vorteilhafter Weise höhere Dichten dei Anschlußstellen erreichen. Wenn man beispielsweise Anschlußstellen von 0,05 χ 0,05 mm auf Zentren vor 0,125 mm anordnet, kann man bei einem Abschnitt vor 1,9 χ 1,9 mm 60 Anschlußstellen mit vorragenden Lei tern unterbringen. Ein weiterer Vorteil der vorragender Leiter ist schließlich ihre Wirtschaftlichkeit und die Möglichkeit der Massenfertigung.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 616/103

Claims (10)

Patentansprüche:
1. Elektrische Kontaktanordnung an einem Halbleiterabschnitt mit wenigstens einem Schaltungsele- ment und elektrischen Leitern zu den Schaltungselementen, wobei die elektrischen Leiter Anschlußstellen als Kontakte zu den Schaltungselementen aufweisen und aus einem ersten Material bestehende, mit den Anschlußstellen verbundene Teile besitzen, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Leiter als vorragende Finger (20) ausgebildet sind, auf den Anschlußsteilen (12) aufliegen und fest an ihnen haften, während sie sich über die übrige Oberfläche des Halbleiterabschnittes erstrecken, nicht an ihr haften und über den Rand des Halbleiterabschnittes vorragen.
2. Elektrische Kontaktanordnung nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß der vorragende Finger (20) schichtweise aus einem ersten (16) und einem darauf angeordneten zweiten Material (18) ausgebildet ist, wobei das zweite Material im wesentlichen die gleiche Form wie das erste Material hat und fest an diesem haftet.
3. Elektrische Kontaktanordnung nach Anspruch
2, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Material Silber und das zweite Aluminium ist.
4. Verfahren zum Herstellen der elektrischen Kontaktanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein elektrisch leitender Kontakt auf der Oberfläche eines Bauelementes ausgebildet wird, und daß für jeden Kontakt auf dem Bauelement eine Schicht (16) eines leitenden, selektiv haftenden Materials aufgebracht wird, welches auf dem Kontakt aufliegt und an ihm haftet, während es auf der Oberfläche aufliegt und nicht an ihr haftet.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich eine zweite Schicht (18) aus leitfähigem Material auf die erste Schicht aufgebracht wird, welche im wesentlichen die gleiche Form hat wie die erste Schicht und fest an ihr haftet.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Halbleiterbauelement eine Schutzschicht (13) angeordnet wird, welche wenigstens eine öffnung aufweist, durch die leitfähige Anschlußstellen im Kontakt mit der freigelegten Halbleiteroberfläche stehen und mit der ersten Schicht aus leitfähigem, selektiv haftendem Material in Verbindung stehen, welches sowohl auf den leitfähigen Anschlußstellen als auch einem Teil der Schutzschicht aufliegt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß von der ersten Schicht (16) aus leitfähigem Material ein Teil des Bauelements getrennt wird, der sich zunächst unterhalb der ersten Schicht befand.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zum Zweck der Trennung zunächst auf der Rückseite des Bauelementes eine Anrißlinie ausgebildet wird, welche eine Trennung gegenüber dem Teil des Bauelementes unter der ersten. Schicht darstellt, und daß dann die Teile auseinandergebrochen werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Schicht aus leitfähigem Material durch Aufdampfen aufgebracht werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine Stärke von wenigstens etwa 50 nm hat, während die zweite Schicht auf der ersten Schicht in einer Stärke von wenigstens etwa 25 μίτι aufgetragen wird.
DE19681804349 1967-11-13 1968-10-22 Elektrische Kontaktanordnung an einem Halbleiterabschnitt und Verfahren zu ihrer Herstellung Expired DE1804349C3 (de)

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DE1804349A1 DE1804349A1 (de) 1969-06-19
DE1804349B2 DE1804349B2 (de) 1975-09-11
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