CH387808A - Verfahren zum Herstellen einer in einem Schutzgehäuse untergebrachten, mindestens zwei nebeneinander einlegierte Metallelektroden aufweisenden Halbleiterkristallanordnung
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Verfahren zum Herstellen einer in einem Schutzgehäuse untergebrachten, mindestens zwei nebeneinander einlegierte Metallelektroden aufweisenden Halbleiterkristallanordnung
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CH387808A
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CH30461A1960-01-141961-01-10Verfahren zum Herstellen einer in einem Schutzgehäuse untergebrachten, mindestens zwei nebeneinander einlegierte Metallelektroden aufweisenden Halbleiterkristallanordnung
CH387808A
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