DE1073632B - Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE1073632B
DE1073632B DENDAT1073632D DE1073632DA DE1073632B DE 1073632 B DE1073632 B DE 1073632B DE NDAT1073632 D DENDAT1073632 D DE NDAT1073632D DE 1073632D A DE1073632D A DE 1073632DA DE 1073632 B DE1073632 B DE 1073632B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
semiconductor
compound
impurity element
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DENDAT1073632D
Other languages
English (en)
Inventor
Princeton N. J. Dietrich Alfred Jenny (V. St. A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
Radio Corporation of America
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication date
Publication of DE1073632B publication Critical patent/DE1073632B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiteranordnungen, insbesondere auf Drift-Transistoren, unter Verwendung von Halbleiterverbindungen, im Gegensatz zu chemischen Elementen, wie Germanium oder Silizium. Beispiele solcher Verbindungen sind die Phosphide, Arsenide und Antimonide des Aluminiums, Galliums oder Indiums. Diese Verbindungen werden häufig »III-V-Verbindungen« genannt, da sie Elemente aus den entsprechenden Gruppen des Periodischen Systems enthalten. In diesen Verbindungen ist die Beweglichkeit der negativen Ladungsträger im allgemeinen größer als in Germanium oder Silizium.
Es hat sich bei l>ekannten Transistoren gezeigt, daß der Emitternutzeffekt steigt, wenn die verbotene Zone des Emitter-Halbleiterniaterials größer ist als die des Basis-Halbleitermaterials. Es hat sich gleichfalls gezeigt, daß ein Transistor, in welchem die Konzentration der Verunreinigungsstoffe in der Basiszone abgestuft ist, d. h. sich vom Emitter zum Kollektor hin ändert, eine verbesserte a-Grenzfrequenz, einen niedrigen Basis widerstand und eine niedrige Kollektorkapazität besitzt. Eine derartige Halbleiteranordnung wird oft »Drift-Transistor« genannt (s. beispielsweise den vorveröffentlichten Artikel von H. Kroemer, »Der Drift-Transistor«, auf S. 202 bis 220 des Buches »Transistors I«, RCA Laboratories 1956).
Bei der Erfindung werden in einem Transistor die Vorzüge einer hohen Elektronenbeweglichkeit, eines hohen Emitternutzeffektes und einer abgestuften Basis vereinigt, ferner wird ein einfaches Verfahren zur Herstellung eines solchen Transistors angegeben.
Die besonderen Eigenschaften der III-V-Verbindungen, insbesondere ihr verhältnismäßig großer Bandabstand und die hohe Trägerbeweglichkeit, sind bekannt. Es sind auch bereits Bemühungen unternommen worden, diese Verbindungen zur Herstellung von Halbleiteranordnungen zu verwenden.
Weiterhin ist auch die Wirkung von Dotierungsstoffen in Halbleitereinkristallen weitgehend bekannt, und es läßt sich voraussagen, ob ein bestimmtes Element in einem bestimmten Halbleiter als Donatoroder Akzeptorverunreinigung wirkt oder ob es diesem Halbleiter gegenüber neutral ist.
Es ist ferner bekanntgeworden, die zwischen zwei äußeren Zonen liegende Basiszone so auszubilden, daß ihre Leitfähigkeit von der einen der beiden äußeren Zonen zur anderen hin abnimmt.
Die Erfindung bezieht sich auf einea Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N--P bzw. N-P-N und mit einer Konzentration eines Verunreinigungselementes in der mittleren Basiszone, die am größten in der Nähe der Emitterzone ist und mit zunehmender Entfernung von der Emitterzone zur Kollektorzone hin Drift-Transistor
mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung
Anmelder:
Radio Corporation of America,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,
München 23, Dunantstr. 6
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 18. Juni 1956
Dietrich Alfred Jenny, Princeton, N. J. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden
abnimmt. Der Drift-Transistor ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basiszone aus einer ersten Halbleiterverbindung mit einem ihren Leitungstyp bestimmenden Verunreinigungselement besteht und daß die Emitterzone aus einer zweiten solchen Halbleiterverbindung besteht, die aus demselben Verunreinigungselcment der ersten Halbleiterverbindung und einem der Elemente der ersten Halbleiterverbindung gebildet ist.
Vorzugsweise stellt die Basiszone einen Teil eines Niederschlages oder einer Scheibe dar, die die Kollektorzone bildet. Die zweite Halbleiterverbindung der Emitterzone hat vorzugsweise eine breitere verbotene Zone als die erste Halbleiterverbindung der Basiszone.
Die Herstellung eines Transistors gemäß der vorliegenden Erfindung kann von einer Scheibe einer halbleitenden ITI-V-Verbindung ausgehen. Die Scheibe wird in einer Atmosphäre eines Verunreinigungselementes, welches aus der IL, VI. Gruppe des Periodischen Systems stammen kann, erhitzt, und bei diesem Temperungsvorgang wird erstens eine Oberflächenschicht einer verschiedenen Halbleiterverbindung gebildet, die eines der Elemente der Verbindung, aus der die ursprüngliche Scheibe bestand, und das Verunreinigungselement enthält. Diese Oberflächenschicht bildet die Emitterzone. Zweitens wird ein gleichrichtender Übergang bzw. eine Sperrschicht anschließend an den inneren Teil der Schicht gebildet
909 710/430
und drittens eine sich daran anschließende Basiszone, die aus der ursprünglichen Verbindung der Scheibe besteht und einen sich ändernden Prozentsatz an eindiffundiertem Verunreinigungselement enthält. Die Konzentration der Verunreinigung ist an der Sperrschicht am größten und nimmt mit wachsendem Abstand von ihr ab. Der Teil der ursprünglichen Scheibe oder Unterlage, in den keinerlei Verunreinigungselement eindiffundiert ist, bildet die Kollektorzone des Transistors.
In den Zeichnungen, Fig. IA, IB, IC, ID, IE und 1F, ist in stark vergrößerten Querschnitten die Herstellung eines Transistors gemäß der Erfindung erläutert.
Fig. 2 zeigt die abgewandelte Ausführungsform eines derartigen Transistors.
In den Zeichnungen sind gleichartige Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Nach Fig. IA wird eine Scheibe 41, die beispielsweise aus N-leitendem Indiumphosphid, etwa 2,54 mm im Quadrat und 0,3 mm dick, bestehen kanu, in einem Ofen erhitzt, der eine Atmosphäre aus einem Verunreinigungselement enthält, das einen dem Leitungstyp der Scheibe entgegengesetzten Leitungstyp zu erzeugen in der Lage ist. Bei diesem Beispiel ist Kadmium ein geeigneter Akzeptor für das N-leitende Indiumphosphid. Die Temperatur und die Dauer der Erhitzung soll ausreichend sein, so daß eine gewisse Menge des Kadmiums in die Oberfläche eindiffundieren kann und sich direkt an der Oberfläche eine dünne Schicht bildet, die den entgegengesetzten Leitungstyp besitzt wie die Masse der Scheibe. Bei diesem Beispiel wurde die N-leitende Scheibe aus Indiumphosphid in einer Atmosphäre von Kadmiumdampf 3 Minuten lang auf 800° C erhitzt, bei anderen Stoffen können jedoch auch andere Zeiten und Temperaturen nötig sein.
Wie in Fig. 1B angedeutet ist, bildete die Diffusion eine dünne Schicht 42 aus P-leitendem Indiumphosphid an der Oberfläche der Scheibe 41 infolge des Eindringens der Kadmiumverunreinigung. Zwischen der Schicht 42 und der Masse der Scheibe 41 wird ein P-N-Übergang 43 gebildet. Die Schicht 42 besitzt eine abgestufte Konzentration an der Verunreinigung; da nämlich das Kadmium von der Oberfläche her in die Scheibe eindiffundiert, herrscht an der Oberfläche der Scheibe eine hohe Kadmiumkonzentration, die mit wachsender Tiefe schnell abnimmt. Das hochkonzentrierte Kadmium an der Oberfläche reagiert bei der Temperatur des Ofens mit dem Indiumphosphid unter Bildung einer dünnen Oberflächenschicht von Kadmiumphosphid 44, das N-leitend ist. Dies kann von einer gewissen Menge gelöst zurückbleibendem Indium herrühren. Während Indium in Germanium ein Akzeptor ist, hat es in Kadmiumphosphid Donatoreigenschaften. Da die Kadmiumphosphidschicht N-leitend ist und die abgestufte Zone unterhalb der Oberfläche P-Leitfähigkeit besitzt, wird gleich unterhalb der Oberfläche der Scheibe eine zweite und äußerst wichtige P-N-Übergangszone 45 gebildet. Die zwei P-N-Inversionsschichten sind auf diese Weise eng benachbart, da sie nur durch die Dicke der abgestuften Schicht 42 getrennt werden.
Anschließend wird ein größerer Teil der Oberfläche der Scheibe mit einem Ätzschutz, wie beispielsweise Lack oder Polystyrol, überzogen und die so präparierte Scheibe in ein Ätzmittel eingetaucht. Ein geeignetes Ätzmittel für halbleitende III-V-Verbindungen besteht aus gleichen Teilen konzentrierter Salpetersäure und konzentrierter Salzsäure. Das Ätzmittel entfernt die Indiumphosphidschicht 42 und die Kadmiumphosphidschicht 44 von alien Oberflächenteilen der Scheibe, die nicht vom Ätzschutz bedeckt sind. Anschließend wird der Ätzschutz durch ein Lösungsmittel entfernt, was bei Polystyrol Toluol sein kann; die Scheibe befindet sich dann in dem in Fig. 1C dargestellten Zustand.
Nach Fig. 1D wird nun ein Kadmiumkügelchen 46, das mit einem als Emitterzuleitung dienenden Draht
ίο 47 versehen werden kann, mit der Kadmiumphosphidschicht 44 verschmolzen.
Anschließend wird, wie in Fig. 1E dargestellt, eine Seite der Scheibe unter einem Winkel geschnitten oder angeschliffen, so daß eine größere Fläche der Sehichf 42, die die Basiszone darstellt, frei liegt. Die so freigelegte Oberfläche wird zur Verhütung von Oberflächenverlusten über die Sperrschichten angeätzt und dann in entspanntem Wasser gewaschen. Daraufhin wird mit der freigelegten Kante der Schicht 42.
ao ein sehr kleines Indiumkügelchen 48 verschmolzen, das mit einem als Basiszuleitung dienenden Draht 49 versehen wird.
Wie in Fig. 1F dargestellt ist, wird mit dem aus dem ursprünglichen Indiumphosphid bestehenden Teil der Scheibe ein Streifen 50 verschmolzen, der mit einem Draht 51 versehen ist, welcher als Kollektorzuleitung dient. Geeignete Metalle für den Streifen 50 sind Nickel, Kupfer und Eisen-Nickel-Kobalt-Legierungen. Sie können vor dem Anbringen mit Indium überzogen werden.
Der so gebildete Transistor vereinigt in sich verschiedene Vorzüge. Erstens sind die beiden P-N-Übergänge 43 und 45 sehr nahe benachbart auf gegenüberliegenden Seiten einer dünnen Basiszone 42 angeordnet, wodurch die Laufzeit der Ladungsträger verringert und die Eigenschaften der Halbleiteranordnung, vorzugsweise bei hohen Frequenzen, verbessert wird. Als zweites besitzt die Basiszone eine verlaufende Konzentration an Verunreinigungsstoffen, die sich von einem hohen Wert beim Emitter 44 zu einem niedrigen Wert beim Kollektor 41 ändert. Der Abfall der Konzentration ist annähernd exponentiell, wodurch die Vorzüge eines Drift-Transistors erreicht werden. Drittens besitzt die Emitterzone 44 eine größere verbotene Zone als die Basiszone 42, so daß der Nutzeffekt des Emitters verbessert wird. Viertens kann der Transistor einfach und billig gefertigt werden, da das Emitterkügelchen 46, der Kollektorstreifen 50 und das Basiskügelcben 48 in einem einzigen Verfahrensschritt mit der Scheibe verschmolzen werden können.
Die in Fig. 2 dargestellte Abwandlung geht von der in Fig. ID dargestellten Zwischenstufe aus. Der Ätzschutz, beispielsweise Polystyrol, wird auf das Emitterkügelchen 46 und die Emitterleitung 47 aufgebracht. Die Einrichtung wird dann in der beschriebenen Weise geätzt, jedoch nur so lange, bis die Kadmiumphosphidschicht 44 mit Ausnahme des unmittelbar unterhalb der Emitterpille 46 liegenden Teils entfernt ist. Die Einrichtung wird dann in entspanntem Wasser gewaschen, bevor die Schicht 42 von der Ätzlösung angegriffen wird. Nun wird der Ätzschutz durch ein geeignetes Lösungsmittel, wie beispielsweise Toluol im Falle von. Polystyrol, entfernt. Daraufhin wird eine Basisverbindungspille 48 mit der Basisschicht 42 auf derselben Seite der Scheibe wie das Emitterkügelchen 46 verschmolzen. Zur gleichen Zeit wird der Kollektorstreifen 50 auf die andere Seite der Scheibe auflegiert. Die sich ergebende Anordnung besitzt die Vorteile, die sich atts einer kleinen Emitter-
fläche ergeben, insbesondere also eine kleine Emitterkapazität.
Einige der Ill-V-Verbindungen, die durch Synthese der Elemente hergestellt wurden, sind normalerweise N-leitend, wie beispielsweise Galliumarsenid S und Indiumphosphid. Andere sind im Normalzustand P-leitend, wie beispielsweise Galliumantimonid. Es wird angenommen, daß der Leitfähigkeitstyp von geringen Abweichungen λόιι einer exakten stöchiometrischen Zusammensetzung der Verbindung ebenso abhängt wie von der Art und dem Betrag der vorhandenen Verunreinigungen. Ganz allgemein können N-leitende III-V-Verbindungen mit Zink, Kadmium oder Quecksilber (Gruppe II) dotiert werden, so daß sie P-leitend werden, während P-leitende III-V-Verbindungen mit Selen, Schwefel oder Tellur (Gruppe VI) N-leitend gemacht werden können.
In der folgenden Tabelle sind einige Beispiele von N-P-N- und P-N-P-Kombinationen gemäß der vorstehenden Beschreibung angegeben.
Zonel Zone 2 Scheibe (Leitungstyp)
(Emitter) (Basis) (Kollektor) N
CdP InP+ Cd InP N
CdAs GaAs + Cd GaAs N
ZnP InP+ Zn InP P
GaTe GaAs + Te GaAs P
InSe InP + Se InP P
InS InP+ S InP
Die obenstehende Tabelle enthält nur Angaben über die Anwesenheit von chemischen Elementen in verschiedenen halbleitenden Verbindungen, ohne Rücksicht auf Wertigkeit oder Mengenverhältnisse.
Die Grenzen für die Betriebstemperaturen eines Transistors sind in erster Linie eine Funktion der Breite der verbotenen Zone zwischen dem Valenzband und dem Leitfähigkeitsband des betreffenden Halbleitermaterials, Wenn die Temperatur einen Punkt erreicht, bei dem die thermische Energie ausreicht, eine wesentliche Anzahl von Elektronen über die verbotene Zone zu heben, werden die elektrischen Eigenschaften des Halbleitermaterials nachteilig beeinflußt. In der folgenden Tabelle sind zu Vergleichszwecken die 4^ AVer te für die Breite der verbotenen Zonen (Elektronenvolt) für verschiedene Halbleitermaterialien angegeben.
Material Breite der ver
botenen Zone (eV)
Germanium
Silizium
Galliumarsenid
Galliumphosphid
Indiumphosphid
Aluminiumarsenid
Aluminiumantimonid 		0,7
1,1
1,35
2,4
1,25
2,4
1,6
55
60
Die Ill-V-Verbindungen können also, ganz allgemein gesprochen, bei höheren Temperaturen betrieben werden als Germanium und Silizium. Durch die gianz allgemein höhere Beweglichkeit der Ladungsträger in den Ill-V-Verbindungen sind also 6g zwei Vorzüge in einem Halbleiter vereinigt.

Claims (5)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und mit einer Konzentration eines Verunreinigungselementes in der mittleren Basiszone, die am größten in der Nähe der Emitterzone ist und mit zunehmender Entfernung von der Emitterzone zur Kollektorzone hin abnimmt, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiszone aus einer ersten Halbleiterverbindung mit einem ihren Leitungstyp bestimmenden Verunreinigungselement besteht und daß die Emitterzone aus einer zweiten solchen Halbleiterverbindung besteht, die aus demselben Verunreinigungselement der ersten Halbleiterverbindung und einem der Elemente der ersten Halbleiterverbindung gebildet ist.
2. Drift-Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiszone einen Teil eines Niederschlages oder einer Scheibe darstellt, die die Kollektorzone bildet.
3. Drift-Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Halbleiterverbindung der Emitterzone eine breitere verbotene Zone als die erste Halbleiterverbindung der Basiszone besitzt.
4. Drift-Transistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Halbleiterverbindung der Basiszone als eines ihrer Elemente Arsen, Antimon oder Phosphor, als anderes Element Aluminium, Gallium oder Indium und als Verunreinigungselement Kadmium, Zink, Quecksilber, Tellur, Selen oder Phosphor enthält und daß die zweite Halbleiterverbindung der Emitterzone aus demselben Verunreinigungselement als einem ihrer Elemente und einem der Elemente der ersten Halbleiterverbindung als weiterem Element besteht.
5. Verfahren zur Herstellung eines Drift-Transistors nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Halbleiterscheibe aus einer ersten Halbleiterverbindiung in einer Atmosphäre eines Verunreinigungselementes so erhitzt wird, daß erstens eine Oberflächenschicht aus einer anderen zweiten Halbleiterverbindung, die eines der Elemente der ersten Halbleiterverbindung der Halbleiterscheibe und das Verunreinigungselement enthält, entsteht, die die Emitterzone darstellt, daß zweitens ein gleichrichtender Übergang zwischen der Halbleiterscheibe und dem anschließenden inneren Teil dieser Oberflächenschicht entsteht und daß drittens eine anschließende Basiszone aus der Haibleiterverbindung der Halbleiterscheibe erhalten wird, in der wechselnde Mengen des Verunreinigungselementes so eindiffundiert werden, daß die Konzentration des Verunreinigungselementes an dem gleichrichtenden Übergang am größten ist und mit wachsendem Abstand von ihm abnimmt, und daß schließlich der Teil der Halbleiterscheibe, in dem keine Verunreinigungen eindiffundiert sind, als Kollektorzone verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Schweizerische Patentschrift Nr. 277 131;
französische Patentschrift Nr. 1 098 372;
Zeitschrift für Elektrochemie, Bd. 58, 1954, Nr. 5, S. 283 bis 321.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 909 710M30 1.60
DENDAT1073632D 1956-06-18 Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung Pending DE1073632B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US591824A US2846340A (en) 1956-06-18 1956-06-18 Semiconductor devices and method of making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1073632B true DE1073632B (de) 1960-01-21

Family

ID=24368099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1073632D Pending DE1073632B (de) 1956-06-18 Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US2846340A (de)
BE (1) BE558436A (de)
DE (1) DE1073632B (de)
FR (1) FR1176057A (de)
GB (1) GB867413A (de)
NL (2) NL218192A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1211336B (de) * 1960-02-12 1966-02-24 Shindengen Electric Mfg Halbleitergleichrichter mit zwei Schichten von verschiedenem spezifischem Widerstand

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3211970A (en) * 1957-05-06 1965-10-12 Rca Corp Semiconductor devices
NL235051A (de) * 1958-01-16
FR1193194A (fr) * 1958-03-12 1959-10-30 Perfectionnements aux procédés de fabrication par diffusion des transistors et des redresseurs à jonctions
US3132057A (en) * 1959-01-29 1964-05-05 Raytheon Co Graded energy gap semiconductive device
GB921367A (en) * 1959-04-06 1963-03-20 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor device and method of manufacture
NL155412C (de) * 1959-04-15
US3005735A (en) * 1959-07-24 1961-10-24 Philco Corp Method of fabricating semiconductor devices comprising cadmium-containing contacts
US3028529A (en) * 1959-08-26 1962-04-03 Bendix Corp Semiconductor diode
US3096219A (en) * 1960-05-02 1963-07-02 Rca Corp Semiconductor devices
NL125226C (de) * 1960-05-02
US3070477A (en) * 1960-10-03 1962-12-25 Mandelkorn Joseph Method of making a gallium sulfide dioxide
US3139599A (en) * 1960-12-09 1964-06-30 Texas Instruments Inc Infrared detector with pn junctions in indium antimonide
US3176204A (en) * 1960-12-22 1965-03-30 Raytheon Co Device composed of different semiconductive materials
US3148094A (en) * 1961-03-13 1964-09-08 Texas Instruments Inc Method of producing junctions by a relocation process
US3210624A (en) * 1961-04-24 1965-10-05 Monsanto Co Article having a silicon carbide substrate with an epitaxial layer of boron phosphide
NL280641A (de) * 1961-07-07
NL280849A (de) * 1961-07-12 1900-01-01
US3262825A (en) * 1961-12-29 1966-07-26 Bell Telephone Labor Inc Method for etching crystals of group iii(a)-v(a) compounds and etchant used therefor
US3275539A (en) * 1962-11-09 1966-09-27 North American Phillips Compan Method of manufacturing semiconductor devices
US3239393A (en) * 1962-12-31 1966-03-08 Ibm Method for producing semiconductor articles
US3255055A (en) * 1963-03-20 1966-06-07 Hoffman Electronics Corp Semiconductor device
US3293092A (en) * 1964-03-17 1966-12-20 Ibm Semiconductor device fabrication
SE313623B (de) * 1965-01-30 1969-08-18 Asea Ab
US3484854A (en) * 1966-10-17 1969-12-16 Westinghouse Electric Corp Processing semiconductor materials
CN112143938B (zh) * 2020-09-25 2021-11-19 先导薄膜材料（广东）有限公司 砷化镉的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH277131A (de) * 1948-02-26 1951-08-15 Western Electric Co Halbleiterelement zur Verstärkung elektrischer Signale.
FR1098372A (fr) * 1953-05-22 1955-07-25 Rca Corp Dispositifs semi-conducteurs

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB707008A (en) * 1948-10-01 1954-04-07 Licentia Gmbh Electric un-symmetrically conductive systems, particularly dry-plate rectifiers
US2759861A (en) * 1954-09-22 1956-08-21 Bell Telephone Labor Inc Process of making photoconductive compounds

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH277131A (de) * 1948-02-26 1951-08-15 Western Electric Co Halbleiterelement zur Verstärkung elektrischer Signale.
FR1098372A (fr) * 1953-05-22 1955-07-25 Rca Corp Dispositifs semi-conducteurs

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1211336B (de) * 1960-02-12 1966-02-24 Shindengen Electric Mfg Halbleitergleichrichter mit zwei Schichten von verschiedenem spezifischem Widerstand

Also Published As

Publication number Publication date
FR1176057A (fr) 1959-04-03
BE558436A (de)
GB867413A (en) 1961-05-10
NL218192A (de)
NL111788C (de)
US2846340A (en) 1958-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1073632B (de) Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1292256B (de) Drift-Transistor und Diffusionsverfahren zu seiner Herstellung
DE3046701A1 (de) Diode, sowie diese enthaltendes rom- bzw. loeschbares prom-bauelement
DE3002051A1 (de) Verfahren zur herstellung von komplementaeren mos-transistoren hoher integration fuer hohe spannungen
DE68910169T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer auf einem N-Typ-Substrat integrierten Schaltung, umfassend vertikale PNP- und NPN-Transistoren, die voneinander isoliert sind.
DE2422621A1 (de) Halbleiteranordnung vom iii-v-typ mit ohmschen kontakten und verfahren zur herstellung dieser kontakte
DE1130932B (de) Verfahren zur Herstellung kleinflaechiger pn-UEbergaenge in Halbleiter-koerpern von einem Leitfaehigkeitstyp von Halbleiteranordnungen, z. B. Dioden oder Transistoren
DE2133184A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen
DE69023944T2 (de) Bipolartransistor und photoelektrisches Umwandlungsgerät, das den Bipolartransistor benutzt.
DE2735937C2 (de) Flüssigphasenepitaxie-Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Heterostrukturen
DE102013224361A1 (de) Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2450070A1 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauteils
DE1961739A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1764180B2 (de) Verfahren zum einstellen der ladungstraeger lebensdauer in einer oertlich begrenzten zone eines halbleiterkoerpers
DE967322C (de) Halbleitereinrichtung mit einem Basiskoerper aus p- oder n-Halbleitermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1489250A1 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1277827B (de) Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiterkoerpern
DE1764023C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen
DE69424717T2 (de) Verbindungsverfahren einer Verdrahtung mit einem Halbleitergebiet und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
DE1802849A1 (de) Verfahren zur Herstellung von monolithischen Schaltungen
DE2039091A1 (de) Transistor mit minimaler Seiteninjektion in einem monolithischen Halbleiterkoerper und Verfahren zur Herstellung dieses Transistors
DE1288687B (de) Verfahren zur Herstellung eines Flaechentransistors mit einlegierter Elektrodenpille, aus welcher beim Einlegieren Stoerstoffe verschiedener Diffusionskoeffizienten in den Halbleitergrundkoerper eindiffundiert werden
DE2064084C2 (de) Planartransistor mit einer Schottky-Sperrschicht-Kontakt bildenden Metallkollektorschicht
DE1514656A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern
DE1464305B2 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen sowie nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente