DE1058647B - Sperrschichtphotozelle mit Selen als photoempfindlichem Material - Google Patents

Sperrschichtphotozelle mit Selen als photoempfindlichem Material

Info

Publication number
DE1058647B
DE1058647B DEC15760A DEC0015760A DE1058647B DE 1058647 B DE1058647 B DE 1058647B DE C15760 A DEC15760 A DE C15760A DE C0015760 A DEC0015760 A DE C0015760A DE 1058647 B DE1058647 B DE 1058647B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
selenium
liquid
barrier
minutes
hours
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEC15760A
Other languages
English (en)
Inventor
Ludvik Kucera
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CKD MODRANY NARODNI PODNIK
Original Assignee
CKD MODRANY NARODNI PODNIK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CKD MODRANY NARODNI PODNIK filed Critical CKD MODRANY NARODNI PODNIK
Publication of DE1058647B publication Critical patent/DE1058647B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/108—Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/103—Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/105—Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Biotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

DEUTSCHES
Der photoelektrische Effekt einer Selenzelle verläuft bekanntlich auf der Sperrschicht. Hierfür muß eine dichte Berührungsfläche zweier Schichten unterschiedlicher elektrischer Leitfähigkeit vorhanden sein.
Bisher hat man zu diesem Zweck auf die hexagonal auskristallisierte Selenschicht eine Cadmiumschicht aufgetragen. Es war aber nicht erwiesen, ob diese Randschicht bereits durch Berührung des reinen Selens mit reinem Cadmium oder infolge der sich bildenden Cadmiumselenschicht hervorgebracht wird.
Es wurde nun gefunden, daß eine Oberflächenbehandlung des Selens in dem Sinne, daß an dieser eine dünne Schicht kleiner Leitfähigkeit ausgebildet wird, die Bildung einer wirksamen Sperrschicht fördert; die Bildung einer Sperrschicht ist mit einer wesentlichen Erhöhung des inneren Widerstandes der Photozelle verbunden.
Die Oberflächenbehandlung besteht gemäß der Erfindung darin, daß die noch nicht mit einer Gegen- ao elektrode versehene Selenschicht an ihrer Oberfläche, z. B. durch Eintauchen, der Wirkung einer Flüssigkeit ausgesetzt wird, durch welche die Leitfähigkeit der Oberfläche des Selens so erhöht wird, daß diese sich als Sperrschicht eignet.
Diese Oberflächenbehandlung kann physikalisch oder chemisch erfolgen.
Ein physikalischer Weg derselben besteht darin, daß die Oberfläche einer hexaganol auskristallisierten Selenschicht vor dem Aufdampfen der Cadmiumschicht 15 Minuten bis 24 Stunden in Benzol getaucht und anschließend getrocknet wird.
Ein anderer physikalischer Weg der Beeinflussung besteht darin, daß die Oberfläche mit einer 10 bis 80% Aceton enthaltenden alkoholischen Lösung bei einer Einwirkungsdauer von 10 Minuten bis 24 Stunden behandelt wird.
Auf chemischem Weg kann die Behandlung folgendermaßen erfolgen:
Entweder behandelt man die Selenoberfläche mit einer 0,01 bis 0,5 Gewichtsprozent KMn O4 enthaltenden wäßrigen Lösung 5 Minuten bis 4 Stunden, alsdann mit Oxalsäure, spült schließlich mit Alkohol und trocknet, oder man läßt eine wäßrige oder alkoholische Lösung von Kaliumferricyanid 0,01 bis 1,0% 5 Minuten bis 24 Stunden auf die Oberfläche einwirken.
Wählt man zur Behandlung der Selenoberfläche Diäthylanilin, so beträgt die Einwirkungsdauer 15 Minuten bis 6 Stunden, worauf sich eine Spülung mit Alkohol und destilliertem Wasser anschließt.
Eine gute Trocknung ist in jedem Falle zweckmäßig. Nach Eintrocknen der behandelten Oberflächen oder nach Abspülen und Trocknen kann die Cadmium-Sperrschichtphotozelle mit Selen
als photoempfindlichem Material
Anmelder:
CKD Modrany, narodni podnik,
Modfany (Tschechoslowakei)
Vertreter: Dipl.-Ing. B. Wehr, Dipl.-Ing. H. Seiler,
Berlin-Grunewald, Lynarstr. 1,
Dipl.-Ing. H. Stehmann und Dipl.-Ing. B. Richter,
Nürnberg 2, Patentanwälte
Beanspruchte Priorität:
Tschechoslowakei vom 14. November 1956
Ludvik Kucera, Kyje (Tschechoslowakei),
ist als Erfinder genannt worden
schicht in an sich bekannter Weise aufgedampft werden.
Die fertigen Photozellen, deren Selenoberfläche in der Weise nach der Erfindung vorbehandelt ist, zeichnen sich durch höheren inneren Widerstand und gleichmäßige Fertigung aus.

Claims (7)

Patentansprüche:
1. SperrschichtphotO'zellen mit Selen als photoempfindlichem Material, dadurch gekennzeichnet, daß die noch nicht mit einer Gegenelektrode versehene, aus hexagonal auskristallisiertem Selen, bestehende Selenschicht an ihrer Oberfläche, z. B. durch Eintauchen, der Wirkung einer Flüssigkeit ausgesetzt wird, durch welche die Leitfähigkeit der Oberfläche des Selens so erhöht wird, daß diese sich als Sperrschicht eignet.
2. Sperrschichtphotozelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Flüssigkeit eine Lösung von Azeton in Alkohol bei einer Volumenkonzentration des Azetons von 10 bis 80% und einer Einwirkungsdauer von 10 Minuten bis 24 Stunden gewählt ist.
3. Sperrschichtphotozelle nach Anspruch 1, da-
909 529/379
.JB
■10δ·8-647·
!"I'.*' τ λ '·''.'■'''ϋ, ■"'' ;■*' ■ ■■■■"■
durch gekennzeichnet;-'Maß > als Flüssigkeit eine wäßrige Lösung von KMnO4 in einer Gewichtsprozentkonzentration von 0,01 bis 0,5 und einer -;r_. ,Eiriwir^ngsdauej voru.5-Minuten 3bisr
4 Stunden . ,·■
\. S'perrscnichtphotozeHe nach Änsprucfi1, da-■5 l^ii-rcji rgekeri|izel(^net, daß als Flüssigkeit eine
Lösung von K3FeCN6 in Alkohol oder Wasser ^■<bei ^i^rWoltlmenMizentritM Mi 0,01 bis 1 Vo
und einer Einwiskwigsdauer ..vqüiE
5 Minuten bis 4 Stunden gewählt lists." a HK A isxs
dWiren
■ anilin■"-gewänlt ist, dessen Einwirkungsdauer 15 Minuten b;is 6 Stunden beträgt.
6. Verfahren zur Herstellung einer Sperrschicht-• photozelle nach Anspruch 2, dadurch gekenn-
zdch^Let, .;äaß' die Gegenelektrode nach Eintrocknung der durch Eintauchen gebildeten Flüssigkeitsschicht aufgedampft wird.
7. Verfahren zur Herstellung einer Sperrschichtphotozelle naqh den Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächen nach Beeinflussung durch die Flüssigkeiten mit destilliertem Wasser abgespült und an der Luft getrocknet werden, wonach die Gegenelektrode aufgedampft wird.
ona womo κ na
DEC15760A 1956-11-14 1957-11-07 Sperrschichtphotozelle mit Selen als photoempfindlichem Material Pending DE1058647B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS356548X 1956-11-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1058647B true DE1058647B (de) 1959-06-04

Family

ID=5452444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEC15760A Pending DE1058647B (de) 1956-11-14 1957-11-07 Sperrschichtphotozelle mit Selen als photoempfindlichem Material

Country Status (5)

Country Link
BE (1) BE562119A (de)
CH (1) CH356548A (de)
DE (1) DE1058647B (de)
FR (1) FR1186043A (de)
GB (1) GB864931A (de)

Also Published As

Publication number Publication date
GB864931A (en) 1961-04-12
CH356548A (de) 1961-08-31
FR1186043A (fr) 1959-08-12
BE562119A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Brooks Selective accumulation with reference to ion exchange by the protoplasm
DE1811756A1 (de) Verfahren zum Erzeugen eines durchsichtigen Kupferbelages
DE1058647B (de) Sperrschichtphotozelle mit Selen als photoempfindlichem Material
DE1294137B (de) Verfahren zur Umwandlung einer auf einem Germaniumkoerper befindlichen wasserloeslichen Germaniumdioxydschicht in eine wasserunloesliche Germaniumdioxydschicht mit tetragonaler Kristallstruktur
DE497946C (de) Verfahren zum Fixieren von Ausbleichschichten, welche basische Farbstoffe enthalten
AT121972B (de) Verfahren zur Erzeugung von Platten oder Häuten aus einer Zellulose-Ester oder -Äther enthaltenden Lösung.
AT206491B (de) Verfahren zur Bildung der kristallinischen Selenschicht bei der Herstellung von Photozellen
DE1922536A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer trockenen,stabilisierten,unter Wiederherstellung ihrer selektiven Diffusionseigenschaften mit Wasser benetzbaren Cellulosemembran
DE932533C (de) Empfindlichkeitssteigerung von Halogensilberemulsionen
DE1148742B (de) Verfahren zum Haerten von Polyvinylalkohol, dessen Alkoholgruppen zu 4 bis 7% in Monomaleinatgruppen umgewandelt worden sind
US1515182A (en) Process for fiber treatment and products suitable therefor
DE523837C (de) Verfahren zur Herstellung von Filmen aus Viskose
AT304636B (de) Verfahren zum reinigen von geaetzten siliziumoberflaechen
DE590169C (de) Verfahren zur Herstellung von Silberspiegelbelegungen nach dem Kaltverfahren
DE344499C (de) Verfahren zur Regeneration von verbrauchten Bleicherden
DE879581C (de) Photoelement mit Traegerelektrode aus Aluminium
DE468155C (de) Verfahren zur Herstellung von lichtempfindlichen Schichten und von Lichtbildern
DE621189C (de) Verfahren zur Verbesserung der mechanischen Eigenschaften von flaechigen Gebilden aus Cellulosederivaten
SU62132A1 (ru) Способ восстановлени светочувствительности селеновых фотоэлементов
DE2043379A1 (de) Verfahren zur Herstellung von licht empfindlichen Aluminiumplatten
DE450635C (de) Lichthoffreie photographische Schichten mit einer oder mehreren durch Mangan-verbindungen gefaerbten Schutzschichten zwischen der lichtempfindlichen Schicht und dem Schichttraeger
DE888203C (de) Verfahren zur Aufarbeitung von gebrauchten Filmen und Filmabfaellen
DE583145C (de) Verfahren zur Herstellung frei tragender duennwandiger Gebilde, wie Faeden, Baender,Filme, Scheiben, aus Naturkautschuk
DE664170C (de) Verfahren zur Herstellung bindemittelfreier Halogensilberschichten
AT137325B (de) Verfahren zur Herstellung von Matrizen bzw. Druckformen aus leicht zerbrechlichen Naturprodukten.