AT206491B - Verfahren zur Bildung der kristallinischen Selenschicht bei der Herstellung von Photozellen - Google Patents
Verfahren zur Bildung der kristallinischen Selenschicht bei der Herstellung von PhotozellenInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 5
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Hybrid Cells (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Bildung der kristallinischen Selenschicht bei der Herstellung von Photozellen Bekanntlich entsteht der photoelektrische Effekt in kristallischen Selen einer bestimmten, u. zw. hexagonalen Struktur. Aus diesem Grunde wird daher in der Regel die in passender Weise entweder durch Aufpressen oder Aufdampfen aufgetragene Selenschicht thermisch behandelt, um dadurch das Selen in jene Modifikation zu überführen, in welcher zuverlässig durch die Wirkung des auffallenden Lichtes ein elektrischer Potentialunterschied hervorgebracht wird. Der thermische Kristallisationsverlauf ist wichtig. Der Prozess wird meist in zwei Phasen mit genauer Einhaltung der Temperatur und Wirkungsdauer durchgeführt. Es hat sich gezeigt, dass die Werte der Photoemissionsströme direkt von den Bedingungen der thermischen Behandlung abhängen und dass selbst geringfügige Abweichungen die Güte der zu erzeugenden Photozellen beeinträchtigen. Diese Empfindlichkeit der thermischen Behandlung bewirkt eine bedeutende Ungleichmässigkeit der Erzeugnisse und grossen Ausschuss in der Erzeugung. Bekanntlich beeinflusst jedoch auch eine Reihe von Stoffen den Kristallisationsvorgang, einerseits durch künstliche Ausbildung von Kristallisierkernen, welche das Anwachsen der Kristalle fördern, oder anderseits durch katalytische Wirkung. Es wurde nun gefunden, dass auf diese Weise auch der Kristallisationsvorgang in der Selenschicht von Photozellen so beeinflusst werden kann, dass im Endergebnis die Photoemission günstiger liegt. Die vorliegende Erfindung beruht also im wesentlichen darin, dass auf die mit Selen bedeckten Platten mit bestimmten Stoffen eingewirkt wird, welche die Entstehung einer geeigneten kristallischen Modifikation hervorrufen oder unterstützen, derart, dass die ganze Schicht gleichmässig und maximal auskristallisiert. Es ist klar, dass die Kristallisation von der Einwirkungsdauer des Mittels abhängig ist. Demgemäss ist erfindungsgemäss ein Verfahren zur Bildung der kristallischen Selenschicht bei der Herstellung von Photozellen dadurch gekennzeichnet, dass die auf eine Grundplatte aufgetragene Schicht des amorphen oder teilweise thermisch behandelten Selens in Pyridin während einer Dauer von 30 Minuten bis 24 Stunden oder in einer Hydrochinonlösung in Alkohol während einer Dauer von 15 Minuten bis 12 Stunden oder in Anilin während einer Dauer von 15 Minuten bis 24 Stunden getaucht oder damit benetzt wird, worauf der restliche Wirkstoff oder seine Lösung mit destilliertem Wasser oder mit dem benützten Lösungsmittel abgespült wird. Für die vorstehend angeführten Behandlungsmittel gelten beispielsweise folgende Regeln : 1) Die Photozelle wird in Pyridin getaucht oder mit demselben benetzt während einer Dauer von 30 Minuten bis 24 Stunden, worauf sie mit destilliertem Wasser und Alkohol abgespült wird. Sodann wird an der Luft getrocknet. 2) Der gleiche Vorgang lässt sich während einer Dauer von 15 Minuten bis 12 Stunden mit einer 0, 01-0, 27eigen Hydrochinonlösung in Alkohol mit nachträglicher Abspülung mit Alkohol ausführen. 3) Die Photozelle wird während einer Dauer von 15 Minuten bis 6 Stunden in Anilin getaucht, sodann mit Alkohol abgespült. Nach dieser Einwirkung, welche die thermische Behandlung vollkommen oder teilweise ersetzt, wird die Photozelle weiter behandelt, d. i. durch Ausbildung einer passenden Sperrschichte, z. B. durch Auftragen von Kadmium mittels kathodischer Bestäubung und Erstellung der lichtdurchlässigen Elektrode, z. B. aus Gold, fertiggestellt. Das Verfahren lässt sich auch für photoempfindliche Selenwiderstände anwenden. <Desc/Clms Page number 2> Die auf die vorstehend beschriebene Weise bearbeiteten Photozellen ergeben. : m 50% grössere Photoströme als Photozellen ohne chemische Behandlung und ausserdem ist die Produktion gleichmässiger.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH : Verfahren zur Bildung der kristallischen Selenschicht bei der Herstellung von Photozellen, dadurch gekennzeichnet, dass die auf eine Grundplatte aufgetragene Schicht des amorphen oder teilweise thermisch behandelten Selens in Pyridin während einer Dauer von 30 Minuten bis 24 Stunden oder in einer Hydrochinonlösung in Alkohol während einer Dauer von 15 Minuten bis 12 Stunden oder in Anilin während einer Dauer von 15 Minuten bis 24 Stunden getaucht oder damit benetzt wird, worauf der restliche Wirkstoff oder seine Lösung mit destilliertem Wasser oder mit dem benützten Lösurgsmittel abgespült wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS206491X | 1956-11-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT206491B true AT206491B (de) | 1959-12-10 |
Family
ID=5450577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT735157A AT206491B (de) | 1956-11-14 | 1957-11-13 | Verfahren zur Bildung der kristallinischen Selenschicht bei der Herstellung von Photozellen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT206491B (de) |
-
1957
- 1957-11-13 AT AT735157A patent/AT206491B/de active
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