DE1294137B - Verfahren zur Umwandlung einer auf einem Germaniumkoerper befindlichen wasserloeslichen Germaniumdioxydschicht in eine wasserunloesliche Germaniumdioxydschicht mit tetragonaler Kristallstruktur - Google Patents
Verfahren zur Umwandlung einer auf einem Germaniumkoerper befindlichen wasserloeslichen Germaniumdioxydschicht in eine wasserunloesliche Germaniumdioxydschicht mit tetragonaler KristallstrukturInfo
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- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 title claims description 16
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims description 15
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 claims description 3
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000867810 Tetragona Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000015243 ice cream Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/02—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using non-aqueous solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/32—Anodisation of semiconducting materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
1 2
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur erfindungsgemäße Verfahren ungeeignet. Nach VerUmwandlung
einer auf einem Germaniumkörper be- suchen führt eine derartige Flüssigkeit zu vollständifindlichen
wasserlöslichen Germaniumdioxydschicht ger Ablösung der anfänglichen Oxydschicht von der
in eine wasserunlösliche Germaniumdioxydschicht Germaniumoberfläche; wenn dabei auch eine gemit
tetragonaler Kristallstruktur. 5 wisse erneute Ablagerung des Oxyds in tetragonaler
Auf in Halbleitervorrichtungen eingeordneten Form erfolgen kann, so ist diese auf dem Germa-Siliciumkörpern
bringt man gewöhnlich aus Silicium- niumkörper normalerweise nicht nennenswert,
dioxyd bzw. Kieselsäure gebildete Schichten (Über- In dem nun folgenden Beispiel wird eine Ausfüh-
dioxyd bzw. Kieselsäure gebildete Schichten (Über- In dem nun folgenden Beispiel wird eine Ausfüh-
züge) an, z. B. auf einem Teil der Oberfläche, in den rungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens erläueine
Verunreinigung diffundiert werden soll. Hierbei io tert.
dient die Schicht als Maske bzw. Sperrschicht, welche Nach Beseitigen von Oberflächenbeschädigungen
die genannte Diffusion durch den beschichteten Ober- mit einem Lappen und Ätzen wurde eine anfängliche
flächenteil hemmt oder verlangsamt oder als Schutz zusammenhängende Germaniumdioxydschicht nach
der Oberfläche eines Siliciumkörpers gegen Einwir- einem elektrolytischen Verfahren, Oxydationsverfahkungen
der umgebenden Atmosphäre dienen soll. 15 ren auf dem Germaniumkörper gebildet, der hierbei
Analoge Verfahren beim Herstellen von Halbleiter- in einer elektrolytischen Zelle, die eine Platinkathode
Vorrichtungen mit einverleibten Germaniumkörpern und als Bad eine Lösung von Natriumacetat in Eiswaren
bisher nicht bekannt. Mit auf diesen aufge- essig aufwies, als Anode geschaltet wurde. Für eine
brachten Germaniumdioxydschichten erzielte man Oxydschicht mit einer Stärke bis zu 1000 A kann die
nur Oxyde mit einer ungeeigneten Struktur für Ver- 20 Natriumacetat-Konzentration 0,25normal und die
wendung für ähnliche Zwecke wie früher für Stromdichte etwa 100 μΑ/cm2 freier Germaniumober-Siliciumdioxydschichten
auf Siliciumkörpern; ins- fläche betragen; für dickere Schichten sind solche besondere ist das Oxyd in Wasser, Fluorwasserstoff- wie 0,lnormal bzw. etwa 2 mA/cm2 zu empfehlen. In
säure oder in einer verdünnten Natriumhydroxyd- jedem Fall kann die Dauer des Oxydationsverfahrens
lösung leicht löslich. 25 in geeigneter Weise 1 bis 5 Stunden betragen, wobei
Erfindungsgemäß wurde ein Verfahren heraus- die Dicke der erhaltenen Oxydschicht mit zunehmengefunden
für Herstellen auf einem Germaniumkörper der Dauer innerhalb dieses Bereiches zunimmt,
einer eine tetragonale Kristallstruktur aufweisenden Die entstandene Oxydschicht ist gleichmäßig dick,
einer eine tetragonale Kristallstruktur aufweisenden Die entstandene Oxydschicht ist gleichmäßig dick,
und an der Oberfläche fest anhaftenden, zusammen- leicht wasserlöslich, teilweise amorph und kristallin
hängenden Germaniumdioxydschicht, wobei das 30 und weist die einem Germaniumdioxyd normaler-Oxyd
wasserunlöslich und in heißer 50 %iger Na- weise eigene hexagonale Kristallstruktur auf.
triumhydroxydlösung nur schwach löslich ist. Eine Nach Bildung der anfänglichen Oxydschicht wird
triumhydroxydlösung nur schwach löslich ist. Eine Nach Bildung der anfänglichen Oxydschicht wird
derartige Schicht eignet sich auch für Zwecke wie der Germaniumkörper in ein geschlossenes Gefäß
diejenigen, bei denen man Schichten aus Silicium- gebracht, in dem er in ein aus der oben angegebenen
dioxyd auf Siliciumkörpern verwendet. 35 Klasse ausgewähltes flüssiges Medium eingetaucht
Das neue Verfahren zur Umwandlung einer auf wird, das etwa drei Viertel des Innenraumes des
einem Germaniumkörper befindlichen wasserlöslichen Gefäßes einnimmt. Gefäß und Inhalt werden dann
Germaniumdioxydschicht in eine wasserunlösliche für eine Zeit auf einer Temperatur von 2000C gefesthaftende
Germaniumdioxydschicht mit tetragona- halten, die zum Ersatz der auf der Oberfläche des
ler Kristallstruktur ist dadurch gekennzeichnet, daß 40 Germaniumkörpers befindlichen anfänglichen Oxydman
den Germaniumkörper, der anfänglich die schicht durch eine zusammenhängende Schicht von
wasserlösliche Oberflächenoxydschicht aufweist, in Germaniumdioxyd mit tetragonaler Kristallstruktur
einem geschlossenen Gefäß auf eine Temperatur über ausreicht. Anscheinend erfolgt hierbei eine allmäh-120°
C, während er in einem Alkohol eingetaucht ist, liehe Ablösung der ursprünglichen Oxydschicht
in dem das Oxyd in seiner anfänglichen Form be- 45 durch das flüssige Medium, begleitet von einer ungrenzt
löslich ist, erhitzt, so daß die anfängliche unterbrochenen erneuten Ablagerung des Oxyds aus
Oxydschicht nur teilweise am Beginn des Erhitzern dem Medium in der tetragonalen Form. In Verbingelöst
wird, wobei das Erhitzen mindestens 24 Stun- dung mit den entsprechenden Medien wird das Erden
lang beibehalten wird. hitzen 24 Stunden bei reinem Äthylenglykol, 60 Stun-
Hierbei kann die anfängliche Oxydschicht nach 50 den bei reinem Methanol und 24 Stunden bei Methaeinem
elektrolytischen oder thermischen Oxydations- nol, das Weinsäure in einer Gewichts-Volumen-Konverfahren
gebildet werden. zentration von 1 % enthält, beibehalten.
Für das erfindungsgemäße Verfahren eignen sich Die fertige Oxydschicht ist beträchtlich dünner als
als flüssige Medien solche Flüssigkeiten, in denen das anfänglich und ergab sich als festhaftend am Germa-Germaniumdioxyd
in seiner anfänglichen Form nur 55 niumkörper. Die Röntgenstrahlenanalyse der bei dem
sehr begrenzt löslich ist, so daß am Beginn des Er- beschriebenen Verfahren gebildeten tetragonalen
hitzens nur ein Teil der anfänglichen Dioxydschicht Form des Germaniumdioxyds zeigt, daß die Dimengelöst
wird. Geeignet hierfür sind Methanol, Äthanol, sionen der Einheitszelle des Kristallgitters von den-Äthylenglykol
und Glycerin. jenigen der tetragonalen Form des Oxyds, die nach
Mit diesen läßt sich die Dauer des zum Abschluß 60 Schmelzflußverfahren bei höheren Temperaturen, wie
der Bildung der erwünschten Oxydschicht erf order- sie z. B. von Laubengayer und Morton in Journ.
liehen Erhitzern wesentlich verkürzen, wenn in die- Amer. Chem. Soc, 54, S. 2203, beschrieben werden,
sem Medium (Flüssigkeit) eine geringe Menge einer hergestellt werden kann, etwas abweichen. In der fol-Verbindung,
die einen beständigen Komplex mit Ger- genden Tabelle werden die Dimensionen einander gemaniumdioxyd
zu bilden vermag, in dem Alkohol, 65 genübergestellt. In der Spalte T (I) finden sich die
wie z. B. Weinsäure, gelöst wird. Eine Flüssigkeit, Daten für die bekannte tetragonale Form des Oxyds
in der das Germaniumdioxyd in seiner anfänglichen und in der Spalte T (H) die Daten für die erfindungs-Form
leicht löslich ist, wie z. B. Wasser, ist für das gemäß hierbei gebildete Form.
τα)
4,396 A
2,862 A
0,651
2,862 A
0,651
4,417 A
2,853 A
0,646
2,853 A
0,646
Das neue Verfahren eignet sich besonders bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen unter Verwendung
von Germaniumkörpern, da diese erfindungsgemäß keinen übermäßig hohen Temperaturen
ausgesetzt werden, die eine unerwünschte Wirkung auf die Eigenschaften der erhaltenen Vorrichtungen
haben könnten.
Claims (6)
1. Verfahren zur Umwandlung einer auf einem Germaniumkörper befindlichen wasserlöslichen
Germaniumdioxydschicht in eine wasserunlös- ao liehe Germaniumdioxydschicht mit tetragonaler
Kristallstruktur, dadurch gekennzeichnet,
daß man den Germaniumkörper, der anfänglich die wasserlösliche Oberflächenoxydschicht
aufweist, in einem geschlossenen Gefäß as auf eine Temperatur über 120° C, während er in
einem Alkohol eingetaucht ist, in dem das Oxyd in seiner anfänglichen Form begrenzt löslich ist,
erhitzt, so daß die anfängliche Oxydschicht nur teilweise am Beginn des Erhitzens gelöst wird,
wobei das Erhitzen mindestens 24 Stunden lang beihalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man den Germaniumkörper
mit einer anfänglichen wasserlöslichen Oberflächenoxydschicht in einen Alkohol eintaucht,
der aus Äthanol oder Methanol oder Äthylenglykol oder Glycerin besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine geringe Menge einer
Verbindung, die einen beständigen Komplex mit Germaniumdioxyd zu bilden vermag, in dem genannten
Alkohol gelöst wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß Weinsäure in dem Alkohol bei
einer Konzentration von 1 Gewichtsprozent Volumen gelöst wird.
5. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die anfängliche
Oxydschicht nach einem elektrolytischen Oxydationsverfahren gebildet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrolytische Oxydationsverfahren
in einem Elektrolyten durchgeführt wird, der aus einer Lösung von Natriumacetat in
Eisessig besteht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB30660/62A GB976559A (en) | 1962-08-09 | 1962-08-09 | Improvements in or relating to germanium bodies |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1294137B true DE1294137B (de) | 1969-04-30 |
Family
ID=10311112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG38424A Pending DE1294137B (de) | 1962-08-09 | 1963-08-08 | Verfahren zur Umwandlung einer auf einem Germaniumkoerper befindlichen wasserloeslichen Germaniumdioxydschicht in eine wasserunloesliche Germaniumdioxydschicht mit tetragonaler Kristallstruktur |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3340163A (de) |
AT (1) | AT242749B (de) |
BE (1) | BE635971A (de) |
CH (1) | CH414020A (de) |
DE (1) | DE1294137B (de) |
DK (1) | DK117481B (de) |
GB (1) | GB976559A (de) |
NL (1) | NL296350A (de) |
SE (1) | SE310971B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3044958A1 (de) * | 1979-11-28 | 1981-09-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka | Verfahren zur bildung eines isolierenden films auf einer halbleitervorrichtung und die dabei erhaltenen produkte |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3431636A (en) * | 1964-11-12 | 1969-03-11 | Texas Instruments Inc | Method of making diffused semiconductor devices |
US3401056A (en) * | 1965-09-03 | 1968-09-10 | Gen Electric Co Ltd | Formation of coatings on germanium bodies |
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CN102234829A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 立督科技股份有限公司 | 阳极氧化多重染色制程 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1331756A (fr) * | 1961-08-14 | 1963-07-05 | Ass Elect Ind | Procédés perfectionnés de fabrication de transistors |
-
0
- NL NL296350D patent/NL296350A/xx unknown
- BE BE635971D patent/BE635971A/xx unknown
-
1962
- 1962-08-09 GB GB30660/62A patent/GB976559A/en not_active Expired
-
1963
- 1963-08-06 US US300157A patent/US3340163A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-08-07 DK DK377263AA patent/DK117481B/da unknown
- 1963-08-07 AT AT636163A patent/AT242749B/de active
- 1963-08-08 CH CH981363A patent/CH414020A/fr unknown
- 1963-08-08 SE SE8720/63A patent/SE310971B/xx unknown
- 1963-08-08 DE DEG38424A patent/DE1294137B/de active Pending
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT242749B (de) | 1965-10-11 |
US3340163A (en) | 1967-09-05 |
GB976559A (en) | 1964-11-25 |
CH414020A (fr) | 1966-05-31 |
DK117481B (da) | 1970-05-04 |
SE310971B (de) | 1969-05-19 |
NL296350A (de) | |
BE635971A (de) |
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