DE10361008A1 - Organische Elektrolumineszenz-Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Abstract

Es werden eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben mit Folgendem angegeben: einem ersten und einem zweiten Substrat, die einander zugewandt sind und voneinander beabstandet sind, wobei das erste und das zweite Substrat über einen Anzeigebereich und einen Umfangsbereich verfügen, von denen der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen und einen Attrappenpixelbereich verfügt; Treiber-Dünnschichttransistoren jeweils angrenzend an jeden der Vielzahl von Pixelbereichen auf der Innenseite des ersten Substrats; ersten Verbindungselektroden, die jeweils mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbunden sind; einer ersten Elektrode auf der gesamten Innenseite des zweiten Substrats; einer Seitenwand auf der ersten Elektrode an einer Grenze jeder der Vielzahl von Pixelbereichen und des Attrappenpixelbereichs; einer organischen Elektrolumineszenzschicht auf der ersten Elektrode; zweiten Elektroden auf der organischen Elektrolumineszenzschicht in solcher Weise, dass in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen und im Attrappenpixelbereich eine zweite Elektrode vorhanden ist, wobei die zweiten Elektroden in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen jeweils mit den ersten Verbindungselektroden verbunden sind; und einem Dichtmittel, das das erste und zweite Substrat aneinander befestigt.

Description

  • Die Erfindung beansprucht den Nutzen der am 31. Dezember 2002 eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. P2002-88427, die hiermit durch Bezugnahme eingeschlossen wird.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung betrifft eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, und spezieller betrifft sie eine organische Doppelplatten-Elektrolumineszenzvorrichtung mit einem ersten Substrat mit einer Dünnschichttransistor-Arrayeinheit und einem zweiten Substrat mit einer organischen Elektrolumineszenzeinheit sowie ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Im Allgemeinen emittiert ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (ELD) Licht durch Injizieren von Elektronen aus einer Kathode und Löcher aus einer Anode in eine Emissionsschicht, Kombinieren der Elektronen mit den Löchern, Erzeugen eines Exzitons und Ausführen eines Übergangs des Exzitons von einem angeregten Zustand in den Grundzustand. Abweichend vom Fall einer Flüssigkristalldisplay(LCD)-Vorrichtung wird für ein organisches ELD keine zusätzliche Lichtquelle benötigt, um Licht zu emittieren, da der Übergang des Exzitons zwischen Zuständen dafür sorgt, dass in der Anordnung des organischen ELD Licht emittiert wird. Demgemäß können die Größe und das Gewicht eines organischen ELD verringert werden. Ein organisches ELD verfügt über andere wünschenswerte Eigenschaften, wie niedrigen Energieverbrauch, hervorragende Helligkeit und kurze Ansprechzeit. Wegen dieser vorteilhaften Eigenschaften wird das organische ELD als vielversprechender Kandidat für verschiedene Verbraucherelektronikanwendungen der nächsten Generation angesehen, wie Funktelefone, Fahrzeugnavigationssysteme (CNS), persönliche digitale Assistenten (PDA), Camcorder und Palmtop-Computer. Darüber hinaus ist es viel billiger, ein organisches ELD als eine LCD-Vorrichtung herzustellen, da die Herstellung eines organischen ELD ein relativ einfacher Prozess mit wenigen Bearbeitungsschritten ist.
  • Es existieren zwei verschiedene Typen organischer ELDs: solche mit passiver und solche mit aktiver Matrix. Obwohl organische ELDs mit passiver Matrix eine einfache Struktur aufweisen und sie durch einen einfachen Herstellprozess hergestellt werden, benötigen sie eine relativ hohe Spannung zum Betrieb. Außerdem ist die Anzeigegröße organischer ELDs mit passiver Matrix durch ihre Struktur begrenzt. Ferner nimmt das Öffnungsverhältnis von organischen ELDs mit passiver Matrix ab, wenn die Anzahl der Leitungen erhöht wird. Andererseits stehen organische ELDs mit aktiver Matrix dadurch zu solchen mit passiver Matrix in Kontrast, dass organische ELDs mit aktiver Matrix einen hohen Emissionswirkungsgrad zeigen und sie Bilder hoher Qualität bei einem großen Display mit relativ niedrigem Energieverbrauch erzeugen können.
  • Die 1 ist eine schematische Schnittansicht einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik.
  • Wie es in der 1 dargestellt ist, verfügt ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (ELD) 10 über ein erstes und ein zweites Substrat 12 und 28, die voneinander beabstandet einander zugewandt sind. Eine Arrayschicht 14 mit einem Dünnschichttransistor (TFT) T ist auf der Innenseite des ersten Substrats 12 ausgebildet. Auf der Arrayschicht 14 sind sequenziell eine erste Elektrode 16, eine organische Elektrolumineszenz(EL)schicht 18 und eine zweite Elektrode 20 ausgebildet. Die organische EL-Schicht 18 kann für jeden Pixelbereich P gesondert die Farben Rot, Grün und Blau anzeigen. Allgemein gesagt, werden gesonderte organische Metalle dazu verwendet, in der organischen EL-Schicht 18 in jedem Pixelbereich P Licht einer jeweiligen Farbe zu emittieren. Das organische ELD 10 wird dadurch eingeschlossen, dass das erste Substrat 12 und das zweite Substrat 28, das über ein Feuchtigkeit absorbierendes Trocknungsmittel 22 verfügt, mittels eines Dichtmittels 26 aneinander befestigt werden. Das Feuchtigkeit absorbierende Trocknungsmittel 22 beseitigt Feuchtigkeit und Sauerstoff, die in eine Kapsel der organischen EL-Schicht 18 eindringen können. Nach dem Ätzen eines Teils des zweiten Substrats 28 wird der geätzte Teil mit dem Feuchtigkeit absorbierenden Trocknungsmittel 22 befüllt, und das eingefüllte Feuchtigkeit absorbierende Trocknungsmittel 22 wird durch ein Halteelement 25 fixiert.
  • Die 2 ist eine schematische Draufsicht, die eine Arrayschicht einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik zeigt.
  • Wie es in der 2 dargestellt ist, verfügt eine Arrayschicht eines organischen Elektrolumineszenzdisplays (ELD) über ein Schaltelement TS, ein Treiberelement TD und einen Speicherkondensator CST. Das Schaltelement TS und das Treiberelement TD können über eine Kombination mit mindestens einem Dünnschichttransistor (TFT) verfügen. Ein transparentes, isolierendes Substrat 12, auf dem die Arrayschicht hergestellt wird, kann aus Glas oder Kunststoff bestehen. Auf dem Substrat 12 werden eine Gateleitung 32 und eine Datenleitung 34, die einander schneiden, hergestellt. Durch die Gateleitung 32 und die Datenleitung 34 wird ein Pixelbereich P definiert. Zwischen die Gateleitung 32 und die Datenleitung 34 wird eine Isolierschicht (nicht dargestellt) eingefügt. Eine beabstandet von der Datenleitung 34 parallel zu dieser verlaufende Spannungsleitung 35 schneidet die Gate leitung 32.
  • Das Schaltelement TS in der 2 ist ein Dünnschichttransistor mit einer Schalt-Gateelektrode 36, einer schaltenden aktiven Schicht 40, einer Schalt-Sourceelektrode 46 und einer Schalt-Drainelektrode 50. In ähnlicher Weise ist das Treiberelement TD in der 2 ein Dünnschichttransistor mit einer Treiber-Gateelektrode 38, einer aktiven Treiberschicht 42, einer Treiber-Sourceelektrode 48 und einer Treiber-Drainelektrode 52. Die Schalt-Gateelektrode 36 ist mit der Gateleitung 32 verbunden, und die Schalt-Sourceelektrode 46 ist mit der Datenleitung 34 verbunden. Die Schalt-Drainelektrode 50 ist mit der Treiber-Gateelektrode 38 durch ein erstes Kontaktloch 54 verbunden. Die Treiber-Sourceelektrode 48 ist mit der Spannungsleitung 35 durch ein zweites Kontaktloch 56 verbunden. Darüber hinaus ist die Treiber-Drainelektrode 52 im Pixelbereich P mit einer ersten Elektrode 16 verbunden. Die Spannungsleitung 35 überlappt mit einer ersten Kondensatorelektrode 15, wobei dazwischen eine Isolierschicht eingefügt ist, um den Speicherkondensator CST zu bilden.
  • Die 3 ist eine schematische Draufsicht, die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung entsprechend einer Anordnung gemäß der einschlägigen Technik zeigt.
  • Wie es in der 3 dargestellt ist, verfügt ein Substrat 12 über einen Daten-Kontaktfleck-Bereich E auf einer ersten Seite sowie einen ersten und einen zweiten Gate-Kontaktfleck-Bereich F1 und F2 auf der zweiten und dritten Seite angrenzend an die erste Seite. Auf der vierten Seite, die der ersten Seite zugewandt ist und angrenzend an die zweite und dritte Seite des Substrats 12 liegt, ist eine gemeinsame Elektrode 39 ausgebildet. An die zweite Elektrode 20 wird über die gemeinsame Elektrode 39 eine gemeinsame Spannung angelegt, um das elektrische Potenzial der zweiten Elektrode 20 aufrecht zu erhalten.
  • Die 4A ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie IVa-IVa in der 2, und die 4B ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie IVb-IVb in der 3.
  • In den 4A und 4B ist ein Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) TD mit einer aktiven Treiberschicht 42, einer Treiber-Gateelektrode 38, einer Treiber-Sourceelektrode 48 und einer Treiber-Drainelektrode 52 auf einem Substrat 12 ausgebildet. Eine Isolierschicht 57 ist auf dem Treiber-TFT TD ausgebildet, und eine mit der Treiber-Drainelektrode 52 verbundene erste Elektrode 16 ist auf der Isolierschicht 57 ausgebildet. Eine organische Elektrolumineszenz(EL)schicht 18 zum Emittieren von Licht einer speziellen Farbe ist auf der ersten Elektrode 16 ausgebildet, und eine zweite Elektrode 20 ist auf der organischen EL-Schicht 18 ausgebildet. Die erste und die zweite Elektrode 16 und 20 bilden gemeinsam mit der dazwischen eingefügten organischen EL-Schicht 18 eine organische Elektrolumineszenz(EL)diode DEL. Ein Speicherkondensator CST, der elektrisch parallel zum Treiber-TFT TD platziert ist, verfügt über eine erste und eine zweite Kondensatorelektrode 15 und 35a. Ein Teil einer Spannungselektrode 35 (in der 2), der mit der ersten Kondensatorelektrode 15 überlappt, wird als zweite Kondensatorelektrode 35a verwendet. Die zweite Kondensatorelektrode 35a ist mit der Treiber-Sourceelektrode 56 verbunden. Die zweite Elektrode 20 ist auf der gesamten Fläche des Substrats 12 einschließlich des Treiber-TFT TD, des Speicherkondensators CST und der organischen EL-Schicht 18 ausgebildet.
  • In einem Umfangsabschnitt des Substrats 12 ist eine gemeinsame Elektrode 39 ausgebildet, über die eine gemeinsame Spannung an die zweite Elektrode 20 angelegt wird. Die gemeinsame Elektrode 39 wird gleichzeitig mit der Schalt-Gateelektrode 36 (in der 2) und der Treiber-Gateelektrode 38 hergestellt. Mehrere Isolierschichten auf der gemeinsamen Elektrode 39 enthalten erste und zweite gemeinsame Kontaktlöcher 50 und 52, die die gemeinsame Elektrode 39 freilegen. Die zweite Elektrode 20 ist über das erste gemeinsame Kontaktloch 50 mit der gemeinsamen Elektrode 39 verbunden. Ein externer Schaltkreis (nicht dargestellt) ist durch das zweite gemeinsame Kontaktloch 52 mit der gemeinsamen Elektrode 39 verbunden, um die gemeinsame Spannung anzulegen.
  • Wenn jedoch eine Arrayschicht von TFTs und organische EL-Dioden gemeinsam auf einem Substrat hergestellt werden, ist die Herstellausbeute eines organischen ELD durch das Produkt aus der Ausbeute für die TFTs und der Ausbeute für die organische EL-Schicht bestimmt. Da die Ausbeute für die organische EL-Schicht relativ niedrig ist, ist die Herstellausbeute für ein ELD durch die Ausbeute für die organische EL-Schicht begrenzt. Z.B. kann selbst dann, wenn ein TFT gut hergestellt ist, ein organisches ELD wegen Defekten einer organischen EL-Schicht unter Verwendung eines Dünnfilms mit einer Dicke von ungefähr 1.000 Å als schlecht beurteilt werden. Diese Einschränkung sorgt für Verluste an Materialien und einen Anstieg der Herstellkosten.
  • Organische ELDs werden in solche vom nach oben emittierenden und solche vom nach unten emittierenden Typ abhängig von der Transparenz der ersten und der zweiten Elektrode und der organischen EL-Diode eingeteilt. Nach unten emittierende ELDs sind wegen ihrer hohen Bildstabilität und ihrer variablen Herstellverarbeitung aufgrund des Einschlusses von Vorteil. Jedoch sind nach unten emittierende organische ELDs für die Realisierung in Vorrichtungen, die hohe Auflösung benötigen, wegen Einschränkungen des erhöhten Öffnungsver hältnisses bei diesem Typ organischer ELDs nicht geeignet. Andererseits kann, da nach oben emittierende organische ELDs Licht in einer Richtung aufwärts in Bezug auf das Substrat emittieren, das Licht ohne Beeinflussung durch die Arrayschicht, die unter der organischen EL-Schicht platziert ist, emittiert werden. Demgemäß kann das Gesamtdesign der Arrayschichten mit TFTs vereinfacht werden. Außerdem kann das Öffnungsverhältnis erhöht werden, wodurch sich die Betriebslebensdauer des organischen ELD erhöht. Da jedoch bei nach oben emittierenden organischen ELDs eine Kathode gemeinsam über der organischen EL-Schicht ausgebildet ist, sind die Materialauswahl und die Lichttransmission eingeschränkt, so dass die Lichttransmissionseffizienz verringert ist. Wenn eine Passivierungsschicht vom Dünnfilmtyp hergestellt wird, um eine Verringerung der Lichttransmission zu verhindern, kann es dieser Dünnfilm-Passivierungsschicht unter Umständen nicht gelingen, das Eindringen von Außenluft in die Vorrichtung zu verhindern.
    •
  • Demgemäß ist die Erfindung auf eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung gerichtet, die eines oder mehrere der Probleme durch Einschränkungen und Nachteile der einschlägigen Technik im Wesentlichen vermeiden.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, die dadurch hergestellt wird, dass eine Arrayschicht und eine organische Elektrolumineszenzdiode auf jeweiligen Substraten ausgebildet werden und die Substrate aneinander befestigt werden, und ein Verfahren zum Herstellen derselben zu schaffen.
  • Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, dass eine organi sche Elektrolumineszenzvorrichtung, die in einem Anzeigebereich über eine erste Verbindungselektrode und in einem Umfangsbereich über eine zweite Verbindungselektrode verfügt, und ein Verfahren zum Herstellen derselben geschaffen werden.
  • Eine anderer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit hohem Öffnungsverhältnis, hoher Anzeigequalität und verbesserter Herstellausbeute geschaffen werden.
  • Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt, und sie gehen teilweise aus der Beschreibung hervor oder ergeben sich beim Realisieren der Erfindung. Die Aufgaben und andere Vorteile der Erfindung werden durch die Struktur realisiert und erzielt, wie sie speziell in der schriftlichen Beschreibung und den zugehörigen Ansprüchen sowie den beigefügten Ansprüchen dargelegt ist.
  • Um diese und andere Vorteile zu erzielen, und gemäß dem Zweck der Erfindung, wie sie realisiert wurde und in weitem Umfang beschrieben wird, ist eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit Folgendem versehen: einem ersten und einem zweiten Substrat, die einander zugewandt sind und voneinander beabstandet sind, wobei das erste und das zweite Substrat über einen Anzeigebereich und einen Umfangsbereich verfügen, von denen der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen und einen Attrappenpixelbereich verfügt; Treiber-Dünnschichttransistoren jeweils angrenzend an jeden der Vielzahl von Pixelbereichen auf der Innenseite des ersten Substrats; ersten Verbindungselektroden, die jeweils mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbunden sind; einer ersten Elektrode auf der gesamten Innenseite des zweiten Substrats; einer Seitenwand auf der ersten Elektrode an ei ner Grenze jeder der Vielzahl von Pixelbereiche und des Attrappenpixelbereichs; einer organischen Elektrolumineszenzschicht auf der ersten Elektrode; zweiten Elektroden auf der organischen Elektrolumineszenzschicht in solcher Weise, dass in jedem der Vielzahl von Pixelbereiche und im Attrappenpixelbereich eine zweite Elektrode vorhanden ist, wobei die zweiten Elektroden in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen jeweils mit den ersten Verbindungselektroden verbunden sind; und einem Dichtmittel, das das erste und zweite Substrat aneinander befestigt.
  • Gemäß einer anderen Erscheinungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung das Folgende:
    Herstellen eines ersten Substrats mit einem Anzeigebereich und einem Umfangsbereich, wobei der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen und einen Attrappenpixelbereich verfügt; Herstellen von Treiber-Dünnschichttransistoren jeweils benachbart zu jedem der Vielzahl von Pixelbereichen; Herstellen erster Verbindungselektroden, die jeweils mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbunden sind; Herstellen einer ersten Elektrode auf einem zweiten Substrat mit dem Anzeigebereich und dem Umfangsbereich; Herstellen einer Seitenwand auf der ersten Elektrode an einer Grenze jeder der Vielzahl von Pixelbereichen und des Attrappenpixelbereichs; Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzschicht auf der ersten Elektrode; Herstellen zweiter Elektroden auf der organischen Elektrolumineszenzschicht in solcher Weise, dass in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen und im Attrappenpixelbereich eine zweite Elektrode ausgebildet ist; und Befestigen des ersten und des zweiten Substrats in solcher Weise mittels eines Dichtmittels aneinander, dass die ersten Verbindungselektroden mit den zweiten Elektroden in Kontakt stehen.
  • Gemäß einer anderen Erscheinungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung das Folgende: Herstellen einer ersten Isolierschicht auf einem ersten Substrat mit einem Anzeigebereich und einem Umfangsbereich, wobei der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen und einen Attrappenpixelbereich verfügt; Herstellen einer aktiven Schicht auf der ersten Isolierschicht in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen, wobei die aktive Schicht aus polykristallinem Silicium besteht und sie über Source- und Drainbereiche verfügt; Herstellen einer zweiten Isolierschicht auf der aktiven Schicht; Herstellen einer Gateelektrode auf der zweiten Isolierschicht über der aktiven Schicht; Herstellen einer dritten Isolierschicht auf der Gateelektrode; Herstellen einer vierten Isolierschicht auf der dritten Isolierschicht, wobei die vierte Isolierschicht über ein erstes und ein zweites Kontaktloch verfügt, von denen das erste Kontaktloch den Sourcebereich freilegt und das zweite Kontaktloch den Drainbereich freilegt; Herstellen von Source- und Drainelektroden auf der vierten Isolierschicht, wobei die Sourceelektrode durch das erste Kontaktloch hindurch mit dem Sourcebereich verbunden ist und die Drainelektrode durch das zweite Kontaktloch hindurch mit dem Drainbereich verbunden ist; Herstellen einer fünften Isolierschicht auf der Source- und der Drainelektrode, wobei diese fünfte Isolierschicht über ein drittes Kontaktloch verfügt, das die Drainelektrode freilegt; Herstellen einer ersten Verbindungselektrode auf der fünften Isolierschicht, die durch das dritte Kontaktloch hindurch mit der Drainelektrode verbunden ist; Herstellen einer ersten Elektrode auf einem zweiten Substrat mit dem Anzeigebereich und dem Umfangsbereich; Herstellen einer Seitenwand auf der ersten Elektrode an einer Grenze jeder der Vielzahl von Pixelbereichen und des Attrappenpixelbereichs; Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzschicht auf der ersten Elektrode; Herstellen einer zweiten Elektrode auf der organischen Elek trolumineszenzschicht in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen; und Befestigen des ersten und des zweiten Substrats mittels eines Dichtmittels in solcher Weise aneinander, dass die erste Verbindungselektrode mit der zweiten Elektrode in Kontakt tritt.
  • Es ist zu beachten, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und dazu vorgesehen sind, für eine weitere Erläuterung der beanspruchten Erfindung zu sorgen.
    •
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um für ein weiteres Verständnis der Erfindung zu sorgen, und die in diese Beschreibung eingeschlossen sind und einen Teil derselben bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung, und sie dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien derselben zu erläutern. In den Zeichnungen ist Folgendes dargestellt:
  • 1 ist eine schematische Schnittansicht einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik;
  • 2 ist eine schematische Draufsicht, die eine Arrayschicht einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik zeigt;
  • 3 ist eine schematische Draufsicht, die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik zeigt;
  • 4A ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie IVa-IVa in der 2;
  • 4B ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie IVb-IVb in der 3;
  • 5 ist eine schematische Draufsicht, die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 6 ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie VI-VI in der 5, die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 7A bis 7D sind schematische Schnittansichten, die einen Herstellprozess für einen Pixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung entlang einer Schnittlinie veranschaulichen, die mit der Schnittlinie IVa-IVa in der 2 vergleichbar ist;
  • 8A bis 8D, die entlang einer Linie VIII-VIII in der 5 aufgenommen sind, sind schematische Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Attrappenpixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung; und
  • 9A bis 9C sind schematische Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses eines zweiten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nun wird detailliert auf die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung Bezug genommen, zu denen in den beigefügten Zeichnungen Beispiele veranschaulicht sind.
  • Die 5 ist eine schematische Draufsicht, die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • In der 5 verfügt ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (ELD) 99 über ein erstes Substrat 100 mit einer Arrayschicht sowie ein zweites Substrat 200 mit einer organischen Elektrolumineszenz(EL)diode. Das erste und das zweite Substrat 100 und 200 sind durch ein Dichtmittel 300 aneinander befestigt. In einem Umfangsbereich des ersten Substrats 300 ist ein Kontaktfleck 126, an den eine Spannung gelegt wird, so ausgebildet, dass er das Dichtmittel 300 schneidet. Angrenzend an eine Grenze G eines Anzeigebereichs ist ein Attrappenpixelbereich PD so angeordnet, dass er den Anzeigebereich umgibt. Im Abschnitt des ersten Substrats 100, der dem Attrappenpixelbereich PD entspricht, sind keine Schalt- und Treiberelemente ausgebildet.
  • Die 6 ist eine schematische Schnittansicht, die entlang einer Linie VI-VI in der 5 aufgenommen ist und eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • Gemäß der 6 wird ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (ELD) 99 dadurch hergestellt, dass das erste und das zweite Substrat 100 und 200 durch ein Dichtmittel 300 aneinander befestigt werden. Das erste und das zweite Substrat 100 und 200 verfügen über eine Vielzahl von Pixelbereichen P und Attrappenpixelbereichen PD, die diese umgeben. Ruf der Innenseite des ersten Substrats 100 werden angrenzend an jeden Pixelbereich P ein Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) (nicht dargestellt) und ein Treiber-TFT TD ausgebildet. Ob wohl es in der 6 nicht dargestellt ist, wird eine Vielzahl von Arrayleitungen auf der Innenseite des ersten Substrats 100 hergestellt. Auf der Innenseite des zweiten Substrats 200 wird eine erste Elektrode 202 hergestellt. Auf der ersten Elektrode 202 wird an der Grenze jedes Pixelbereichs P eine Seitenwand 204 so hergestellt, dass dieser umgeben ist. Auf der ersten Elektrode 202 werden in jedem Pixelbereich P eine organische Elektrolumineszenzschicht 206 und eine zweite Elektrode 208 sequenziell hergestellt. Zwischen der ersten Elektrode 202 und der Seitenwand 204 kann ein Hilfsmuster 203 hergestellt werden.
  • Die zweiten Elektroden 208 sind jeweils indirekt über eine jeweilige erste Verbindungselektrode 130 mit einer jeweiligen Treiber-Drainelektrode 122 eines Treiber-TFT TD verbunden. Nachdem die erste Verbindungselektrode 130 über dem Treiber-TFT TD hergestellt wurde, um mit der Treiber-Drainelektrode 122 in Kontakt zu stehen, kontaktiert sie die zweite Elektrode 208 auf der organischen EL-Schicht 206, wenn das erste und das zweite Substrat 100 und 200 aneinander befestigt werden. In einem Umfangsbereich des ersten Substrats 100 ist ein Kontaktfleck 126 ausgebildet. Auf dem Kontaktfleck 126 ist eine zweite Verbindungselektrode 132 so ausgebildet, dass die erste Elektrode 202 auf dem zweiten Substrat 200 kontaktiert wird. Die erste Elektrode 202 kann aus einem transparenten, leitenden Material bestehen, und wenn dies der Fall ist, zeigt sie einen relativ hohen Widerstand. Demgemäß kann eine Hilfselektrode 210 auf der ersten Elektrode 202 hergestellt werden, wenn diese aus einem transparenten, leitenden Material besteht. Die Hilfselektrode 210 kann aus demselben Material wie die zweite Elektrode 208 bestehen.
  • Wie es in der 6 dargestellt ist, wird z.B. ein Attrappenpixelbereich PD zwischen dem Umfangsbereich, in dem der Kontaktfleck 126 ausgebildet ist, und einem Pixelbereich P angeordnet. Der Schalt-TFT (nicht dargestellt), der Treiber-TFT TD und die erste Verbindungselektrode 130 werden auf demjenigen Abschnitt des ersten Substrats 100 nicht hergestellt, der dem Attrappenpixelbereich PD entspricht. Im Ergebnis ist die zweite Elektrode 208 im Attrappenpixelbereich PD elektrisch potenzialfrei. Aufgrund dieser Anordnung kann die organische EL-Diode selbst dann normal arbeiten, wenn die erste Elektrode 202 aufgrund eines Herstellfehlers mit der zweiten Elektrode 208 im Attrappenpixelbereich PD in Kontakt steht.
  • Die 7A bis 7D und die 8A bis 8D sind schematische Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die 7A bis 7D, die Ansichten entlang einer Schnittlinie sind, veranschaulichen einen Herstellprozess für einen Pixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung entlang einer Schnittlinie, die mit der Schnittlinie IVa-IVa in der 2 vergleichbar ist, und sie veranschaulichen einen Herstellprozess für einen Pixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung. Die 8A bis 8D, die Ansichten entlang einer Linie VIII-VIII in der 5 sind, veranschaulichen einen Herstellprozess für einen Attrappenpixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung.
  • In der 7A ist ein erstes Substrat 100 mit einem Pixelbereich P dargestellt. In der 8A ist ein Attrappenpixelbereich PD dargestellt, der benachbart an eine Grenze eines Anzeigebereichs mit dem Pixelbereich P liegt. Der Pixelbereich P verfügt über einen Schaltbereich (nicht dargestellt), einen Treiberbereich (D) und einen Speicherbereich (C). Auf der gesamten Fläche des ersten Substrats 100 wird eine erste Isolierschicht (Pufferschicht) 102 dadurch hergestellt, dass ein aus einer Siliciumisoliermaterial-Gruppe, zu der Siliciumnitrid (SiNx) und Siliciumoxid (SiO2) gehören, ausgewähltes Material abgeschieden wird. Auf der Pufferschicht 102 werden im Treiber- und im Speicherbereich D bzw. C eine erste bzw. eine zweite aktive Schicht 104 und 105 aus polykristallinem Silicium hergestellt. Die erste und die zweite aktive Schicht 104 und 105 können z.B. durch einen Dehydrierprozess und einen Kristallisationsprozess unter Anwendung von Wärme nach dem Abscheiden vom amorphem Silicium ausgebildet werden. Die zweite aktive Schicht 105 wirkt durch Dotieren mit Fremdstoffen als erste Elektrode eines Speicherkondensators.
  • Auf der ersten aktiven Schicht 104 werden eine zweite Isolierschicht 106 (eine Gate-Isolierschicht) und eine Gateelektrode 108 sequenziell hergestellt. Die zweite Isolierschicht 106 kann auf der gesamten Fläche des ersten Substrats 100 hergestellt werden. Die zweite Isolierschicht 106 kann aus einem Material einer Gruppe anorganischer Isoliermaterialien, zu denen Siliciumnitrid (SiNx) und Siliciumoxid (SiO2) gehören, hergestellt werden. Nach dem Herstellen der Gateelektrode 108 wird die erste aktive Schicht 104 mit Fremdstoffen wie Bor (B) oder Phosphor (P) dotiert, um einen Kanalbereich 104a sowie einen Source- und einen Drainbereich 104b und 104c zu definieren. Auf der Gateelektrode 108 wird eine dritte Isolierschicht 110 (eine Zwischenschicht-Isolierschicht) hergestellt. Die Gateelektrode 108 kann aus einem Material einer Gruppe leitender Metallmaterialien, zu denen Aluminium (Al), Aluminium(Al)legierungen, Kupfer (Cu), Wolfram (W), Tantal (Ta) und Molybdän (Mo) gehören, hergestellt werden. Die dritte Isolierschicht 110 kann aus einem Material einer Gruppe anorganischer Isoliermaterialien, zu denen Siliciumnitrid (SiNx) und Siliciumoxid (SiO2) gehören, hergestellt werden. Auf der dritten Isolierschicht 110 wird eine Spannungsleitung (nicht dargestellt) so hergestellt, dass sie mit der zweiten aktiven Schicht 105 überlappt. Ein Abschnitt der Spannungsleitung, der mit der zweiten aktiven Schicht 105 überlappt, wirkt als Kondensatorelektrode 112a. Diese Kondensatorelektrode 112a wird im Speicherbereich C dadurch auf der dritten Isolierschicht 110 hergestellt, dass ein Material aus einer Gruppe leitender Materialien, zu denen Aluminium (Al), Aluminium(Al)legierungen, Kupfer (Cu), Wolfram (W), Tantal (Ta) und Molybdän (Mo) gehören, abgeschieden und strukturiert wird. Die zweite aktive Schicht 105 und die Kondensatorelektrode 112a in Überlappung mit derselben bilden mit der dazwischen eingefügten dritten Isolierschicht 110 einen Speicherkondensator.
  • Gemäß den 7B und 8B wird eine vierte Isolierschicht 114 auf der Spannungsleitung einschließlich der Kondensatorelektrode 112a hergestellt. Die vierte Isolierschicht 114 verfügt über ein den Drainbereich 104 freilegendes erstes Kontaktloch 116, ein den Sourcebereich 104b freilegendes zweites Kontaktloch 118 und ein die Kondensatorelektrode 112a freilegendes drittes Kontaktloch 120.
  • Gemäß den 7C und 8C werden die Source- und die Drainelektrode 124 und 122 dadurch auf der vierten Isolierschicht 114 hergestellt, dass ein Material aus einer Gruppe leitender Metalle, einschließlich Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Tantal (Ta) und Wolfram (W) abgeschieden und strukturiert wird. Die Sourceelektrode 124 kontaktiert den Sourcebereich 104b durch das zweite Kontaktloch 118 hindurch, und die Drainelektrode 122 kontaktiert den Drainbereich 104c durch das erste Kontaktloch 116 hindurch. Gleichzeitig wird im Umfangsbereich des Anzeigebereichs mit dem Pixelbereich P ein Kontaktfleck 126 auf der vierten Isolierschicht 114 hergestellt. Auf der Source- und der Drainelektrode 124 und 122 sowie dem ersten Kontaktfleck 126 wird eine fünfte Isolierschicht 128 mit einem vierten, fünften und sechsten Kontaktloch 134, 136 und 138 hergestellt. Das vierte Kontaktloch 134 legt die Drainelektrode 122 frei, und das fünfte und das sechste Kontaktloch 136 und 138 legen die beiden Seiten des Kontaktflecks 126 frei.
  • Gemäß den 7D und 8D werden eine erste und eine zweite Verbindungselektrode 130 und 132 dadurch auf der fünften Isolierschicht 128 hergestellt, dass ein leitendes Metallmaterial abgeschieden und strukturiert wird. Die erste Verbindungselektrode 130 kontaktiert die Drainelektrode 122 durch das vierte Kontaktloch 134 hindurch, und sie ist im Pixelbereich P angeordnet. Die zweite Verbindungselektrode 132 kontaktiert den Kontaktfleck 126 durch das fünfte Kontaktloch 136 hindurch.
  • Gemäß den 8A bis 8D ist weder ein Schalt-TFT noch ein Treiber-TFT im Attrappenpixelbereich PD ausgebildet. Im Attrappenpixelbereich PD sind nur Isolierschichten ausgebildet.
  • Die 9A bis 9C sind schematische Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses eines zweiten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
  • Gemäß der 9A verfügt ein zweites Substrat 200 über einen Pixelbereich P und einen Attrappenpixelbereich PD. Auf dem zweiten Substrat 200 wird eine erste Elektrode 202 hergestellt. Diese erste Elektrode 202 kann als Anode wirken, die Löcher in eine organische Elektrolumineszenz(EL)schicht 206 (in der 9B) injiziert. Z.B. kann die erste Elektrode 202 aus Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) bestehen. Auf der ersten Elektrode 202 wird an einer Grenze des Pixelbereichs P ein Hilfsisoliermuster 203 ausgebildet, und auf diesem wird eine Seitenwand 204 hergestellt. Das Hilfsisoliermuster 203 wird hergestellt, um einen Kontakt der ersten Elektrode 202 mit einer zweiten Elektrode 208 (in der 8C) zu verhindern. Die Seitenwand 204 kann dadurch hergestellt werden, dass ein fotoempfindliches organisches Material abgeschieden und strukturiert wird. Das Hilfsisoliermuster 203 und die Seitenwand 204 werden z.B. gitterförmig hergestellt.
  • Gemäß der 9B wird eine organische Elektrolumineszenz(EL)schicht 206 auf der ersten Elektrode 202 hergestellt. Die organische EL-Schicht 206 emittiert entsprechend einem Pixelbereich P Licht in der Farbe Rot (R), Grün (G) oder Blau (B). Die organische EL-Schicht 206 kann eine Einzelschicht oder eine Mehrfachschicht sein. Im Fall einer Mehrfachschicht kann die organische EL-Schicht 206 über eine Löchertransportschicht (HTL) 206a, eine Emissionsschicht 206b und eine Elektronentransportschicht (ETL) 206c verfügen.
  • Gemäß der 9C wird eine einem Pixelbereich P entsprechende zweite Elektrode 208 auf der organischen EL-Schicht 206 hergestellt. Die zweite Elektrode 208 ist unabhängig von der benachbarten zweiten Elektrode 208. Gleichzeitig mit der zweiten Elektrode 208 wird in einem Umfangsbereich eines den Pixelbereich P enthaltenden Anzeigebereichs eine Hilfselektrode 210 hergestellt. Die Hilfselektrode 210 ist elektrisch potenzialfrei, d.h., sie ist nicht elektrisch mit der zweiten Elektrode 208 verbunden. Die zweite Elektrode 208 kann als Elektronen in die organische EL-Schicht 206 injizierende Kathode wirken. Z.B. kann die zweite Elektrode 208 eine Einzelschicht aus Aluminium (Al), Calcium (Ca) oder Magnesium (Mg) oder eine Doppelschicht von Lithiumfluorid(LiF)/Aluminium (Al) sein. Die zweiten Elektroden können über eine nie drigere Arbeitsfunktion als die erste Elektrode 202 verfügen.
  • Ein erfindungsgemäßes ELD verfügt über einen einen Anzeigebereich mit einem Pixelbereich umgebenden Attrappenpixelbereich. An einer Grenze des Attrappenpixelbereichs ist eine Seitenwand ausgebildet. Im Attrappenpixelbereich ist weder ein Schalt-TFT noch ein Treiber-TFT ausgebildet. Im Pixelbereich ist unabhängig eine zweite Elektrode ausgebildet. Außerdem ist die zweite Elektrode im Attrappenpixelbereich nicht elektrisch mit dem Treiber-TFT verbunden, und sie ist elektrisch potenzialfrei. Demgemäß kann das organische ELD selbst dann normal arbeiten, wenn eine erste Elektrode einer organischen EL-Diode mit einer zweiten Elektrode derselben aufgrund eines Prozessfehlers im Attrappenpixelbereich in Kontakt gelangt.
  • Die erfindungsgemäße Anordnung eines organischen ELD führt zu speziellen Vorteilen. Erstens kann ein hohes Öffnungsverhältnis erzielt werden, da das organische ELD vom nach oben emittierenden Typ ist. Zweitens können, da eine Arrayschicht mit einem Dünnschichttransistor und einer organischen EL-Diode auf jeweiligen Substraten unabhängig voneinander ausgebildet sind, unerwünschte Effekte aufgrund eines Herstellprozesses für die organische EL-Diode verhindert werden, um dadurch die Gesamt-Herstellausbeute zu verbessern.
  • Drittens ist eine erste Elektrode nicht elektrisch mit einer zweiten Elektrode verbunden, da ein Attrappenpixelbereich, in dem weder ein Schalt-TFT noch ein Treiber-TFT hergestellt sind, an der Grenze eines Anzeigebereichs angeordnet ist. Der Attrappenpixelbereich sorgt für eine Ausrichtungstoleranz bei einem Maskenprozess für die zweite Elektrode. Demgemäß sind die Kontakteigenschaften und die Herstellausbeute verbessert, und es ist eine Signalverzerrung verhindert.
  • Der Fachmann erkennt, dass an der organischen Elektrolumineszenzvorrichtung und dem Herstellverfahren für diese gemäß der Erfindung verschiedene Modifizierungen und Variationen vorgenommen werden können, ohne vom Grundgedanken oder Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. So soll die Erfindung alle Modifizierungen und Variationen an ihr abdecken, vorausgesetzt, dass sie in den Schutzumfang der beigefügten Ansprüche und deren Äquivalente gelangen.

Claims (34)

  1. Organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit: – einem ersten und einem zweiten Substrat, die einander zugewandt sind und voneinander beabstandet sind, wobei das erste und das zweite Substrat über einen Anzeigebereich und einen Umfangsbereich verfügen, von denen der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen und einen Attrappenpixelbereich verfügt; – Treiber-Dünnschichttransistoren jeweils angrenzend an jeden der Vielzahl von Pixelbereichen auf der Innenseite des ersten Substrats; – ersten Verbindungselektroden, die jeweils mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbunden sind; – einer ersten Elektrode auf der gesamten Innenseite des zweiten Substrats; – einer Seitenwand auf der ersten Elektrode an einer Grenze jeder der Vielzahl von Pixelbereiche und des Attrappenpixelbereichs; – einer organischen Elektrolumineszenzschicht auf der ersten Elektrode; – zweiten Elektroden auf der organischen Elektrolumineszenzschicht in solcher Weise, dass in jedem der Vielzahl von Pixelbereiche und im Attrappenpixelbereich eine zweite Elektrode vorhanden ist, wobei die zweiten Elektroden in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen jeweils mit den ersten Verbindungselektroden verbunden sind; und – einem Dichtmittel, das das erste und zweite Substrat aneinander befestigt.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit: – einem Kontaktfleck im Umfangsbereich auf der Innenseite des ersten Substrats und – einer zweiten Verbindungselektrode, die mit dem Kontaktfleck verbunden ist und in derselben Schicht und aus demsel ben Material wie die ersten Verbindungselektroden ausgebildet ist; – wobei die erste Elektrode mit der zweiten Verbindungselektrode verbunden ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die zweite Elektrode im Attrappenpixelbereich elektrisch potenzialfrei ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der jeder der Treiber-Dünnschichttransistoren über eine aktive Treiberschicht, eine Treiber-Gateelektrode sowie eine Treiber-Sourceelektrode und eine Treiber-Drainelektrode verfügt.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der jeder der Treiber-Dünnschichttransistoren über eine aktive Treiberschicht, eine Treiber-Gateelektrode sowie eine Treiber-Sourceelektrode und eine Treiber-Drainelektrode verfügt, und bei der der Kontaktfleck aus demselben Material wie die Treiber-Sourceelektrode und die Treiber-Drainelektrode besteht.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 4, ferner mit Schalt-Dünnschichttransistoren, die mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbunden sind und von denen jeder über eine schaltende, aktive Schicht, eine Schalt-Gateelektrode sowie eine Schalt-Sourceelektrode und eine Schalt-Drainelektrode verfügt.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die aktive Treiberschicht und die schaltende, aktive Schicht aus polykristallinem Silicium bestehen.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die Schalt-Sourceelektrode mit der Datenleitung verbunden ist, die Schalt-Drainelektrode mit der Treiber-Gateelektrode verbunden ist und die Schalt-Gateelektrode mit der Gateleitung verbunden ist.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit einer Spannungsleitung, die mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbunden ist.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit Speicherkondensatoren, die mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbunden sind.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste Elektrode eine Anode ist, die Löcher in die organische Elektrolumineszenzschicht injiziert, und die zweiten Elektroden Kathoden sind, die Elektronen in die organische Elektrolumineszenzschicht injizieren.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, bei der die erste Elektrode aus Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) besteht.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 11, bei der die zweite Elektrode aus Calcium (Ca), Aluminium (Al) oder Magnesium (Mg) besteht.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 2, ferner mit einer Hilfselektrode zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Verbindungselektrode, wobei die Hilfselektrode aus demselben Material wie die zweiten Elektroden besteht.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der der Attrappenpixelbereich die Vielzahl von Pixelbereichen umgibt.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit einer Hilfsisolierschicht zwischen der ersten Elektrode und mindestens einer der Seitenwände.
  17. Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung, umfassend: – Herstellen eines ersten Substrats mit einem Anzeigebereich und einem Umfangsbereich, wobei der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen und einen Attrappenpixelbereich verfügt; – Herstellen von Treiber-Dünnschichttransistoren jeweils benachbart zu jedem der Vielzahl von Pixelbereichen; – Herstellen erster Verbindungselektroden, die jeweils mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbunden sind; – Herstellen einer ersten Elektrode auf einem zweiten Substrat mit dem Anzeigebereich und dem Umfangsbereich; – Herstellen einer Seitenwand auf der ersten Elektrode an einer Grenze jeder der Vielzahl von Pixelbereichen und des Attrappenpixelbereichs; – Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzschicht auf der ersten Elektrode; – Herstellen zweiter Elektroden auf der organischen Elektrolumineszenzschicht in solcher Weise, dass in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen und im Attrappenpixelbereich eine zweite Elektrode ausgebildet ist; und – Befestigen des ersten und des zweiten Substrats in solcher Weise mittels eines Dichtmittels aneinander, dass die ersten Verbindungselektroden mit den zweiten Elektroden in Kontakt stehen.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, ferner umfassend: – Herstellen eines Kontaktflecks auf dem ersten Substrats, der im Umfangsbereich angeordnet ist; und – Herstellen einer mit dem Kontaktfleck verbundenen zweiten Verbindungselektrode; – wobei die erste Elektrode dann mit der zweiten Verbindungselektrode verbunden wird, wenn das erste und das zweite Substrat aneinander befestigt werden.
  19. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem jeder der Treiber-Dünnschichttransistoren über eine aktive Treiberschicht, eine Treiber-Gateelektrode sowie eine Treiber-Sourceelektrode und eine Treiber-Drainelektrode verfügt.
  20. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem jeder der Treiber-Dünnschichttransistoren über eine aktive Treiberschicht, eine Treiber-Gateelektrode sowie eine Treiber-Sourceelektrode und eine Treiber-Drainelektrode verfügt, und bei dem der Kontaktfleck und die Treiber-Sourceelektrode und die Treiber-Drainelektrode gleichzeitig hergestellt werden.
  21. Verfahren nach Anspruch 19, ferner umfassend das Herstellen von mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbundenen Schalt-Dünnschichttransistoren, von denen jeder über eine schaltende, aktive Schicht, eine Schalt-Gateelektrode und eine Schalt-Sourceelektrode sowie eine Schalt-Drainelektrode verfügt.
  22. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem die aktive Treiberschicht und die schaltende, aktive Schicht aus polykristallinem Silicium bestehen.
  23. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem die Schalt-Sourceelektrode mit der Datenleitung verbunden ist, die Schalt-Drainelektrode mit der Treiber-Gateelektrode verbunden ist und die Schalt-Gateelektrode mit der Gateleitung verbunden ist.
  24. Verfahren nach Anspruch 17, ferner umfassend das Herstellen einer mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbundenen Spannungsleitung.
  25. Verfahren nach Anspruch 17, ferner umfassend das Herstellen von mit den Treiber-Dünnschichttransistoren verbundenen Speicherkondensatoren.
  26. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die erste Elektrode eine Anode ist, die Löcher in die organische Elektrolumineszenzschicht injiziert, und die zweiten Elektroden Kathoden sind, die Elektronen in die organische Elektrolumineszenzschicht injizieren.
  27. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem die erste Elektrode aus Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) besteht.
  28. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem die zweiten Elektroden aus Calcium (Ca), Aluminium (Al) oder Magnesium (Mg) bestehen.
  29. Verfahren nach Anspruch 18, ferner umfassend das Herstellen einer Hilfselektrode zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Verbindungselektrode, wobei die Hilfselektrode und die zweiten Elektroden gleichzeitig hergestellt werden.
  30. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem der Attrappenpixelbereich die Vielzahl von Pixelbereichen umgibt.
  31. Verfahren nach Anspruch 17, ferner umfassend das Herstellen einer Hilfsisolierschicht zwischen der ersten Elektrode und mindestens einer der Seitenwände.
  32. Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung, umfassend: – Herstellen einer ersten Isolierschicht auf einem ersten Substrat mit einem Anzeigebereich und einem Umfangsbereich, wobei der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen und einen Attrappenpixelbereich verfügt; – Herstellen einer aktiven Schicht auf der ersten Isolierschicht in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen, wobei die aktive Schicht aus polykristallinem Silicium besteht und sie über Source- und Drainbereiche verfügt; – Herstellen einer zweiten Isolierschicht auf der aktiven Schicht; – Herstellen einer Gateelektrode auf der zweiten Isolierschicht über der aktiven Schicht; – Herstellen einer dritten Isolierschicht auf der Gateelektrode; – Herstellen einer vierten Isolierschicht auf der dritten Isolierschicht, wobei die vierte Isolierschicht über ein erstes und ein zweites Kontaktloch verfügt, von denen das erste Kontaktloch den Sourcebereich freilegt und das zweite Kontaktloch den Drainbereich freilegt; – Herstellen von Source- und Drainelektroden auf der vierten Isolierschicht, wobei die Sourceelektrode durch das erste Kontaktloch hindurch mit dem Sourcebereich verbunden ist und die Drainelektrode durch das zweite Kontaktloch hindurch mit dem Drainbereich verbunden ist; – Herstellen einer fünften Isolierschicht auf der Source- und der Drainelektrode, wobei diese fünfte Isolierschicht über ein drittes Kontaktloch verfügt, das die Drainelektrode freilegt; – Herstellen einer ersten Verbindungselektrode auf der fünften Isolierschicht, die durch das dritte Kontaktloch hindurch mit der Drainelektrode verbunden ist; – Herstellen einer ersten Elektrode auf einem zweiten Substrat mit dem Anzeigebereich und dem Umfangsbereich; – Herstellen einer Seitenwand auf der ersten Elektrode an einer Grenze jeder der Vielzahl von Pixelbereichen und des Attrappenpixelbereichs; – Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzschicht auf der ersten Elektrode; – Herstellen einer zweiten Elektrode auf der organischen Elektrolumineszenzschicht in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen; und – Befestigen des ersten und des zweiten Substrats mittels eines Dichtmittels in solcher Weise aneinander, dass die erste Verbindungselektrode mit der zweiten Elektrode in Kontakt tritt.
  33. Verfahren nach Anspruch 32, bei dem die erste, dritte, vierte und fünfte Isolierschicht sequenziell auf der Innenseite des ersten Substrats im Attrappenpixelbereich hergestellt werden.
  34. Verfahren nach Anspruch 32, ferner umfassend: – Herstellen eines Kontaktflecks auf der vierten Isolierschicht, der im Umfangsbereich angeordnet wird, wobei die fünfte Isolierschicht, die auf dem Kontaktfleck hergestellt wird, über ein viertes und ein fünftes Kontaktloch verfügt, die den Kontaktfleck freilegen; und – Herstellen einer zweiten Verbindungselektrode auf der fünften Isolierschicht, die durch das vierte Kontaktloch mit dem Kontaktfleck verbunden wird und die mit der ersten Elektrode in Kontakt tritt, wenn das erste und das zweite Substrat aneinander befestigt werden.
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