DE10326274A1 - Pastenzusammensetzung und Solarzelle, welche diese verwendet - Google Patents

Pastenzusammensetzung und Solarzelle, welche diese verwendet Download PDF

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Abstract

Eine Pastenzusammensetzung zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs enthält Aluminiumpulver, ein organisches Trägermaterial und ein Pulver aus mindestens einer anorganischen Verbindung, welche aus einer Gruppe, welche aus einer anorganischen Verbindung auf Oxidbasis und einer anorganischen Verbindung auf Nichtoxidbasis besteht, ausgewählt wird. Die anorganische Verbindung auf Oxidbasis weist einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Schmelztemperatur, eine Erweichungstemperatur und eine Zersetzungstemperatur, welche jeweils höher als der Schmelzpunkt von Aluminium sind, auf. Die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis weist einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Temperatur aus der Gruppe einer Schmelztemperatur, einer Erweichungstemperatur und einer Zersetzungstemperatur, welche höher als der Schmelzpunkt von Aluminium ist, auf. Eine Solarzelle umfaßt eine elektrisch leitende Schicht, welche durch Auftragen der Pastenzusammensetzung, welche die zuvor erwähnten Merkmale aufweist, auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs und danach durch Brennen der Pastenzusammensetzung ausgebildet wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft generell eine Pastenzusammensetzung und eine Solarzelle, welche diese verwendet, und genauer betrifft diese eine Pastenzusammensetzung, welche zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht, wie etwa einer Störstellenschicht bzw. einer Elektrodenschicht auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs, wodurch eine Solarzelle aus kristallinem Silizium gebildet wird, verwendet wird.
  • Technischer Hintergrund
  • Eine Solarzelle ist als elektrisches Bauelement bekannt, welches Elektroden aufweist, welche auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs ausgebildet sind. Wie in 1 dargestellt, wird eine derartige Solarzelle durch ein Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs, welches eine Dicke von 300 bis 400 μm aufweist, ausgebildet. Eine Störstellenschicht 2 des n-Typs, welche eine Dicke von 0,3 bis 0,5 μm aufweist, eine entspiegelte Beschichtung 3 und Gitterelektroden 4 werden nacheinander auf einer lichtaufnehmenden Oberfläche des Silizium-Halbleitersubstrats 1 des p-Typs ausgebildet.
  • Eine hintere Elektrodenschicht 5 wird auf der hinteren Oberfläche des Silizium-Halbleitersubstrats 1 des p-Typs ausgebildet. Diese hintere Elektrodenschicht 5 wird durch Auftragen einer Pastenzusammensetzung, welche aus Aluminiumpulver, Glasfritte und einem organischen Trägermaterial besteht, durch Siebdrucken oder ähnliches, Trocknen davon und danach durch Brennen davon bei einer Temperatur von mindestens 660°C (dem Schmelzpunkt von Aluminium) ausgebildet. Bei diesem Brennen diffundiert Aluminium in das Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs, wodurch eine Al-Si-Legierungsschicht 6 zwischen der hinteren Elektrodenschicht 5 und dem Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs ausgebildet wird, während zugleich eine p+-Schicht 7 als Störstellenschicht ausgebildet wird, welche von der Diffusion von Aluminiumatomen herrührt. Die Solarzelle erreicht eine BSF-Wirkung (Feldwirkung an der hinteren Oberfläche; BSF für engl.: back surface field), welche die Sammlungsleistung für ausgebildete Träger aufgrund der Anwesenheit der p+-Schicht 7 verbessert.
  • Ein anderer Solarzellentyp wird dadurch praktisch verwirklicht, daß die hintere Elektrodenschicht 5 und die Al-Si-Legierungsschicht 6 mit Säure oder ähnlichem entfernt werden, während die p+-Schicht 7 übriggelassen wird, um die BSF-Wirkung zu gewährleisten, und eine Elektrodenschicht mit Silberpaste oder ähnlichem neu ausgebildet wird.
  • Um die Kosten für eine derartige Solarzelle zu vermindern, wurde in jüngerer Zeit das Hilfsmittel des Verminderns der Dicke des Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs untersucht. Wenn dessen Dicke vermindert wird, wird das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs jedoch derart verformt, daß die hintere Oberfläche, welche mit der hinteren Elektrodenschicht durch Brennen der Pastenzusammensetzung ausgebildet wird, aufgrund des Unterschieds zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium und Aluminium gewölbt wird, was zu einem Verziehen führt. Daher wird ein Brechen oder ähnliches bei Herstellungsschritten der Solarzelle verursacht, so daß die Herstellungsausbeute der Solarzelle nachteilig vermindert wird.
  • Um dieses Problem zu lösen, kann die Menge der aufgetragenen Pastenzusammensetzung vermindert werden, um die Dicke der hinteren Elektrodenschicht zu vermindern. Wenn die Menge der aufgetragenen Pastenzusammensetzung vermindert wird, ist jedoch die Menge des Aluminiums, welches aus der Oberfläche davon in das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs diffundiert, ungenügend. Infolgedessen kann keine erwünschte BSF-Wirkung erreicht werden, und somit werden die Eigenschaften der Solarzelle nachteilig verschlechtert.
  • Im Hinblick darauf offenbart beispielsweise die japanische Patentoffenlegung Nr. 2000-90734 die Zusammensetzung einer elektrisch leitfähigen Paste, welche geeignet ist, erwünschte Eigenschaften der Solarzelle zu gewährleisten und die Dicke der hinteren Elektrodenschicht zu vermindern. Diese elektrisch leitende Paste enthält eine aluminiumhaltige organische Verbindung gemeinsam mit Aluminiumpulver, Glasfritte und einem organischen Trägermaterial. Gemäß dem zuvor erwähnten Stand der Technik wird jedoch die Dicke der hinteren Elektrodenschicht vermindert, wodurch der Umfang des Verziehens, welches in dem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs bewirkt wird, vermindert wird. Bis zur Gegenwart wurde weder ein Verfahren noch eine Zusammensetzung einer elektrisch leitfähigen Paste entwickelt, um den Umfang des Verziehens zu vermindern, ohne die Menge der aufgetragenen elektrisch leitenden Paste zum Erreichen einer erwünschten BSF-Wirkung in ausreichendem Umfang zu vermindern.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Um das zuvor erwähnte Problem zu lösen, ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Pastenzusammensetzung, welche geeignet ist, eine erwünschte BSF-Wirkung in ausreichendem Umfang zu erreichen, ohne die Auftragsmenge zu vermindern, auch wenn die Dicke eines Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs vermindert wird, wobei eine Verformung des Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs nach dem Brennen verhindert wird, und eine Solarzelle, welche eine Störstellenschicht bzw. eine Elektrodenschicht, welche aus der Zusammensetzung hergestellt wird, umfaßt, zu schaffen.
    •
  • Die Erfinder führten gründliche Untersuchungen durch, um das Problem des Stands der Technik zu lösen, wobei entdeckt wurde, daß die zuvor erwähnte Aufgabe durch Verwenden einer Pastenzusammensetzung mit einer bestimmten Zusammensetzung gelöst werden kann. Auf der Basis dieser Erkenntnis weist die erfindungsgemäße Pastenzusammensetzung die folgenden Eigenschaften auf:
    Die neuartige Pastenzusammensetzung, welche zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs verwendet wird, enthält Aluminiumpulver, ein organisches Trägermaterial und ein Pulver aus mindestens einer anorganischen Verbindung, welche aus einer Gruppe ausgewählt wird, welche aus einer anorganischen Verbindung auf Oxidbasis und einer anorganischen Verbindung auf Nichtoxidbasis besteht. Die anorganische Verbindung auf Oxidbasis weist einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Schmelztemperatur, eine Erweichungstemperatur und eine Zersetzungstemperatur, welche jeweils höher als der Schmelzpunkt von Aluminium sind, auf. Die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis weist einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Temperatur aus der Gruppe einer Schmelztemperatur, einer Erweichungstemperatur und einer Zersetzungstemperatur, welche höher als der Schmelzpunkt von Aluminium ist, auf. Die elektrisch leitende Schicht ist eine Störstellenschicht bzw. eine Elektrodenschicht.
  • Bei der neuartigen Pastenzusammensetzung ist die anorganische Verbindung auf Oxidbasis vorzugsweise mindestens eine Verbindung, welche aus einer Gruppe ausgewählt wird, welche aus Siliziumoxid und Aluminiumoxid besteht.
  • Bei der neuartigen Pastenzusammensetzung ist die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis vorzugsweise mindestens eine Verbindung, welche aus einer Gruppe ausgewählt wird, welche aus einem Karbid, einem Nitrid und einem Borid besteht.
  • Die neuartige Pastenzusammensetzung enthält das Pulver der anorganischen Verbindung vorzugsweise in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse.
  • Besser enthält die neuartige Pastenzusammensetzung das Aluminiumpulver in einer Menge von mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse, das organische Trägermaterial in einer Menge von mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35% der Masse sowie das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse.
  • Die neuartige Pastenzusammensetzung enthält vorzugsweise ferner Glasfritte.
  • Wenn diese die Glasfritte enthält, so enthält die neuartige Pastenzusammensetzung das Aluminiumpulver in einer Menge von mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse, das organische Trägermaterial in einer Menge von mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35% der Masse, das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse sowie die Glasfritte in einer Menge von nicht mehr als 5,0% der Masse.
  • Bei der neuartigen Pastenzusammensetzung beträgt die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung vorzugsweise nicht mehr als 10 μm.
  • Eine erfindungsgemäße Solarzelle umfaßt eine elektrisch leitende Schicht, welche durch Auftragen einer Pastenzusammensetzung, welche eine der zuvor erwähnten Eigenschaften aufweist, auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs und danach durch Brennen der Pastenzusammensetzung ausgebildet wird. Die elektrisch leitende Schicht ist eine Störstellenschicht bzw. eine Elektrodenschicht.
  • Erfindungsgemäß wird gemäß Beschreibung in der vorliegenden Schrift das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs, welches mit der Pastenzusammensetzung beschichtet ist, welche das Pulver der anorganischen Verbindung enthält, welche die zuvor erwähnten Bedingungen erfüllt, derart gebrannt, daß eine erwünschte BSF-Wirkung aufrechterhalten werden kann, um die Sammlungsleistung für ausgebildete Träger zu verbessern, ohne die Auftragsmenge zu vermindern, und eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs verhindert werden kann, auch wenn die Dicke des Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs vermindert wird.
  • Die vorangehenden sowie weitere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die folgende genaue Beschreibung der vorliegenden Erfindung bei Betrachtung in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung besser ersichtlich.
    •
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • 1 stellt die Schnittstruktur einer Solarzelle, bei welcher die vorliegende Erfindung angewandt wird, in typischer Weise dar; und
  • 2 stellt ein Verfahren zum Messen des Umfangs der Verformung eines gebrannten Siliziumsubstrats in typischer Weise dar.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Die erfindungsgemäße Pastenzusammensetzung enthält ein Pulver einer anorganischen Verbindung gemeinsam mit Aluminiumpulver und einem organischen Trägermaterial. Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Pulvers der anorganischen Verbindung ist kleiner als der von Aluminium. Mindestens eine Temperatur aus der Gruppe der Schmelztemperatur, der Erweichungstemperatur und der Zersetzungstemperatur des Pulvers der anorganischen Verbindung ist höher als der Schmelzpunkt von Aluminium. Anders ausgedrückt, wird das Pulver der anorganischen Verbindung bei der Brenntemperatur der Pastenzusammensetzung nicht geschmolzen, nicht erweicht und nicht zersetzt. Dieses Pulver der anorganischen Verbindung wird derart in die Pastenzusammensetzung eingebracht, daß eine Verformung eines Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs, welches mit der Pastenzusammensetzung beschichtet und gebrannt wird, verhindert werden kann.
  • Generell war es im wesentlichen das einzige wirksame Hilfsmittel zum Unterdrücken einer Verformung eines gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs, die Dicke eines Films aus einer Paste, welche darauf aufgetragen wird, zu vermindern. Wenn die Dicke des Films der Paste, welche auf dem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs aufgetragen wird, vermindert wird, ist die Menge des Aluminiums, welches aus der Oberfläche davon in das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs diffundiert, derart ungenügend, daß keine erwünschte BSF-Wirkung erreicht werden kann, und somit werden die Merkmale einer Solarzelle, welche durch ein Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs ausgebildet wird, im Ergebnis verschlechtert. Erfindungsgemäß kann jedoch eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs verhindert werden, ohne die Dicke des Films der Paste darauf zu vermindern, wodurch eine erwünschte BSF-Wirkung erreicht werden kann. Obgleich der Grund, warum eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs durch Aufnehmen des zuvor erwähnten Pulvers der anorganischen Verbindung verhindert werden kann, ungeklärt ist, vermindert die anorganische Verbindung den Umfang der Kontraktion einer Aluminiumsinterschicht, welche ausgebildet wird, wenn die Pastenzusammensetzung gebrannt wird, beim Kühlen nach dem Brennen erheblich.
  • Die anorganische Verbindung, welche in der neuartigen Pastenzusammensetzung enthalten ist, kann mindestens eine Verbindung sein, welche aus einer Gruppe aus einem Karbid, einem Oxid, einem Nitrid und einem Borid ausgewählt wird, obgleich diese nicht auf diese Verbindungen beschränkt ist.
  • Der Anteil des Pulvers der anorganischen Verbindung in der neuartigen Pastenzusammensetzung beträgt vorzugsweise mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse. Beträgt der Anteil des Pulvers der anorganischen Verbindung weniger als 0,3% der Masse, so kann keine ausreichende Verhinderungswirkung gegen eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs durch Hinzufügen des Pulvers der anorganischen Verbindung erreicht werden. Überschreitet der Anteil des Pulvers der anorganischen Verbindung 10,0 der Masse, so kann der Oberflächenwiderstand einer hinteren Elektrodenschicht nachteiligerweise vergrößert werden, so daß die Sintereigenschaft der Pastenzusammensetzung gehemmt wird. Wird der Oberflächenwiderstand der hinteren Elektrodenschicht vergrößert, so wird der ohm'sche Zwischenelektroden-Widerstand derart vergrößert, daß Energie, welche von der Bestrahlung mit Sonnenlicht herrührt, nicht wirksam entnommen werden kann und die Energieumwandlungsleistung vermindert wird.
  • Die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung, welches in der neuartigen Pastenzusammensetzung enthalten ist, ist vorzugsweise nicht größer als 10 μm. Überschreitet die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung 10 μm, so wird die Anzahl der Teilchen der anorganischen Verbindung, welche in einer Aluminiumsinterschicht, welche ausgebildet wird, wenn die Pastenzusammensetzung gebrannt wird, vorhanden sind, derart vermindert, daß keine ausreichende Verhinderungswirkung gegen eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs durch Hinzufügen des Pulvers der anorganischen Verbindung erreicht werden kann. Die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung, welche industriell nicht auf weniger als 0,01 μm vermindert werden kann, beträgt mindestens 0,01 μm.
  • Der Anteil des Aluminiumpulvers in der neuartigen Pastenzusammensetzung beträgt vorzugsweise mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse. Beträgt der Anteil des Aluminiumpulvers weniger als 60% der Masse, so kann der Oberflächenwiderstand der gebrannten hinteren Elektrodenschicht vergrößert werden, so daß die Energieumwandlungsleistung der Solarzelle vermindert wird. Überschreitet der Anteil des Aluminiumpulvers 75% der Masse, so wird die Verteilungsfähigkeit der Pastenzusammensetzung beim Siebdrucken oder ähnlichem vermindert.
  • Das organische Trägermaterial, welches in der neuartigen Pastenzusammensetzung enthalten ist, wird durch Lösen von Ethylzellulose, Acrylharz, Alkydharz oder ähnlichem in einem Lösungsmittel hergestellt. Der Anteil des organischen Trägermaterials beträgt vorzugsweise mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35% der Masse. Beträgt der Anteil des organi schen Trägermaterials weniger als 20% der Masse oder überschreitet dieser 35% der Masse, so wird die Druckfähigkeit der Pastenzusammensetzung vermindert.
  • Ferner kann die neuartige Pastenzusammensetzung Glasfritte enthalten. Der Anteil der Glasfritte beträgt vorzugsweise nicht mehr als 5,0% der Masse. Die Glasfritte, welche nicht direkt an der Verformung des Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs, der BSF-Wirkung und der Energieumwandlungsleistung beteiligt ist, wird zur Verbesserung der Haftung zwischen der hinteren Elektrodenschicht und dem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs nach dem Brennen hinzugefügt. Überschreitet der Anteil der Glasfritte 5,0% der Masse, so kann eine Entmischung von Glas erfolgen.
  • Die Glasfritte, welche in der neuartigen Pastenzusammensetzung enthalten ist, kann aus SiO2-Bi2O3-PbO, B2O3-SiO2-Bi2O3, Bi2O3-SiO2-ZnO, Bi2O3-SiO2-PbO oder ähnlichem hergestellt werden.
  • (Beispiel)
  • Ein Beispiel der vorliegenden Erfindung wird im folgenden beschrieben.
  • Zunächst wurden verschiedene Pastenzusammensetzungstypen, welche jeweils sowohl Aluminiumpulver, Glasfritte und ein organisches Trägermaterial in den Bereichen von 60 bis 75% der Masse, 0 bis 5,0% der Masse bzw. 20 bis 35% der Masse als auch ein Pulver einer anorganischen Verbindung enthielten, hergestellt, wobei diese Eigenschaften, welche in Tabelle 2 dargestellt sind, in den Verhältnissen, welche in Tabelle 1 dargestellt sind, aufwiesen.
  • Genauer wurde jede Pastenzusammensetzung durch Hinzufügen von Aluminiumpulver und Bi2O3-SiO2-PbO-Glasfritte zu einem organischen Trägermaterial, welches durch Lösen von Ethylzellulose in einem organischen Lösungsmittel auf Glykoletherbasis hergestellt wurde, erhalten, wobei ferner das Pulver der anorganischen Verbindung, welches in Tabelle 1 dargestellt ist, hinzugefügt wurde und die Materialien in einem allgemein bekannten Mischer miteinander vermischt wurden. In der Spalte „Typ des Pulvers der anorganischen Verbindung" in Tabelle 1 stellt jeder numerische Wert in Klammern die mittlere Teilchengröße (μm) des Pulvers der anorganischen Verbindung dar.
  • Das Aluminiumpulver wurde im Hinblick auf die Gewährleistung der Reaktionsfähigkeit mit einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs, Verteilungsfähigkeit und Homogenität eines aufgetragenen Films aus einem Pulver hergestellt, welches aus kugelförmigen bzw. kugelartigen Teilchen mit einer mittleren Teilchengröße von 2 bis 20 μm bestand.
  • Jede Pastenzusammensetzung wurde auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs mit einer Dicke von 300 μm und einer Größe von 2 Zoll (50,8 mm) mal 2 Zoll (50,8 mm) mit einer Siebdruckplatte mit einer Siebnummer von 180 aufgetragen und gedruckt sowie getrocknet. Gemäß dem Stand der Technik 2, dargestellt in Tabelle 1, wurde die Pastenzusammensetzung auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs mit einer Dicke von 350 μm aufgetragen und gedruckt. Die Auftragsmenge wurde derart festgelegt, daß die Dicke einer Elektrode nach dem Brennen 45 bis 55 μm erreichte.
  • Das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs, welches mit der Pastenzusammensetzung bedruckt wurde, wurde getrocknet, danach in einem Infrarotbrennofen in einer Luftatmosphäre bei einer Erwärmungsgeschwindigkeit von 400°C/min erwärmt und unter Bedingungen, wobei dieses 30 Sekunden lang auf einer Tem peratur von 710 bis 720°C gehalten wurde, gebrannt. Nach dem Brennen wurde das Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs gekühlt, wodurch eine hintere Elektrodenschicht 5 ausgebildet wurde, wie in 1 dargestellt.
  • Der Oberflächenwiderstand der hinteren Elektrodenschicht 5, welcher den ohm'schen Zwischenelektroden-Widerstand beeinflußt, wurde gemessen. Danach wurde das Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs, welches mit der hinteren Elektrodenschicht 5 ausgebildet wurde, in wäßrige Salzsäure getaucht, wodurch die hintere Elektrodenschicht 5 und eine Al-Si-Legierungsschicht 6 gelöst und entfernt wurden, um den Oberflächenwiderstand des Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs, welches mit einer p+-Schicht 7 ausgebildet wurde, mit einer vierköpfigen Oberflächenwiderstands-Meßvorrichtung zu messen. Es wird angenommen, daß der Oberflächenwiderstand der p+-Schicht 7 derart mit der BSF-Wirkung korreliert ist, daß die BSF-Wirkung verstärkt wird, wenn der Oberflächenwiderstand vermindert wird. Die Sollwerte des Oberflächenwiderstands der hinteren Elektrodenschicht 5 und der p+-Schicht 7 betragen nicht mehr als 13,0 mΩ/❏ bzw. nicht mehr als 11,0 Ω/❏.
  • Wie in 2 dargestellt, wurde die Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats 1 dadurch ausgewertet, daß die hintere Elektrodenschicht des Silizium-Halbleitersubstrats 1 nach dem Brennen und dem Kühlen nach oben gerichtet wurde und auf ein Ende der vier Ecken des Substrats 1 zum Messen der Hubhöhe (einschließlich der Dicke des Substrats 1) x eines anderen Endes, welches in der Diagonalposition angeordnet war, gedrückt wurde. Die Sollhubhöhe x betrug nicht mehr als 1,0 mm.
  • Tabelle 1 stellt den Oberflächenwiderstand der hinteren Elektrodenschicht 5, den Oberflächenwiderstand der p+-Schicht 7 und die Verformung des gebrannten Siliziumsubstrats (Si- Substrats) 1 für jedes Prüfstück gemäß Messung in der zuvor erwähnten Weise dar.
  • Tabelle 1
    Figure 00130001
  • Figure 00140001
  • Tabelle 2
    Figure 00140002
  • Aus den Ergebnissen, welche in Tabelle 1 dargestellt sind, ist zu ersehen, daß die Verformung des gebrannten Siliziumsubstrats bei der herkömmlichen Pastenzusammensetzung (Stand der Technik 1) 1 mm erheblich überschritt, während eine derartige Verformung des gebrannten Siliziumsubstrats durch Verwenden der neuartigen Pastenzusammensetzung, welche durch Hinzufügen des Pulvers der anorganischen Verbindung, welches einen kleineren Wärmeausdehnungskoeffizient als Aluminium aufweist und bei der Brenntemperatur nicht geschmolzen, nicht erweicht und nicht zersetzt wird, zu dem Aluminiumpulver und dem organischen Trägermaterial hergestellt wird, auf etwa bzw. auf nicht mehr als 1 mm vermindert werden kann. Ferner ist zu ersehen, daß die Verformung des gebrannten Siliziumsubstrats durch Auftragen der neuartigen Pastenzusammensetzung auf dem Silikonsubstrat mit einer Dicke (300 μm), welche kleiner als die (350 μm) des Stands der Technik 2 ist, auf etwa bzw. auf nicht mehr als die des Stands der Technik 2 vermindert werden kann.
  • Obgleich die vorliegende Erfindung genau beschrieben und dargestellt wurde, ist klar zu ersehen, daß dies in darstellender und beispielhafter Weise erfolgt und nicht in begrenzender Weise zu verstehen ist, wobei Prinzip und Umfang der vorliegenden Erfindung lediglich durch die Ausdrücke der beigefügten Ansprüche begrenzt werden.

Claims (9)

  1. Pastenzusammensetzung zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht (5, 6, 7) auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1) des p-Typs, welche Aluminiumpulver, ein organisches Trägermaterial und ein Pulver aus mindestens einer anorganischen Verbindung, welche aus einer Gruppe, welche aus einer anorganischen Verbindung auf Oxidbasis und einer anorganischen Verbindung auf Nichtoxidbasis besteht, ausgewählt wird, enthält, wobei die anorganische Verbindung auf Oxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Schmelztemperatur, eine Erweichungstemperatur und eine Zersetzungstemperatur, welche jeweils höher als der Schmelzpunkt von Aluminium sind, aufweist, und die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Temperatur aus der Gruppe einer Schmelztemperatur, einer Erweichungstemperatur und einer Zersetzungstemperatur, welche höher als der Schmelzpunkt von Aluminium ist, aufweist.
  2. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die anorganische Verbindung auf Oxidbasis mindestens eine Verbindung ist, welche aus einer Gruppe, welche aus Siliziumoxid und Aluminiumoxid besteht, ausgewählt wird.
  3. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis mindestens eine Verbindung ist, welche aus einer Gruppe, welche aus einem Karbid, einem Nitrid und einem Borid besteht, ausgewählt wird.
  4. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, welche das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse enthält.
  5. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, welche das Aluminiumpulver in einer Menge von mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse, das organische Trägermaterial in einer Menge von mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35% der Masse sowie das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse enthält.
  6. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, welche ferner Glasfritte enthält.
  7. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 6, welche das Aluminiumpulver in einer Menge von mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse, das organische Trägermaterial in einer Menge von mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35 % der Masse, das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0 der Masse sowie die Glasfritte in einer Menge von nicht mehr als 5,0% der Masse enthält.
  8. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung nicht mehr als 10 μm beträgt.
  9. Solarzelle, umfassend eine elektrisch leitende Schicht (5, 6, 7), welche durch Auftragen einer Pastenzusammensetzung auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1) des p-Typs und danach durch Brennen der Pastenzusammensetzung ausgebildet wird, wobei die Pastenzusammensetzung Aluminiumpulver, ein organisches Trägermaterial und ein Pulver aus mindestens einer anorgani schen Verbindung, welche aus einer Gruppe, welche aus einer anorganischen Verbindung auf Oxidbasis und einer anorganischen Verbindung auf Nichtoxidbasis besteht, ausgewählt wird, enthält, wobei die anorganische Verbindung auf Oxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Schmelztemperatur, eine Erweichungstemperatur und eine Zersetzungstemperatur, welche jeweils höher als der Schmelzpunkt von Aluminium sind, aufweist, und die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Temperatur aus der Gruppe einer Schmelztemperatur, einer Erweichungstemperatur und einer Zersetzungstemperatur, welche höher als der Schmelzpunkt von Aluminium ist, aufweist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1732138A2 (de) * 2005-06-06 2006-12-13 Universität Konstanz Verfahren zur flächigen Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit reduzierter Durchbiegung sowie entsprechendes Halbleiterbauelement und Herstellungsvorrichtung

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003069055A (ja) * 2001-06-13 2003-03-07 Sharp Corp 太陽電池セルとその製造方法
JP4401158B2 (ja) 2003-12-16 2010-01-20 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
WO2005065721A2 (en) * 2003-12-30 2005-07-21 Board Of Regents, The University Of Texas System Use of an anti-inflammatory compound for the reduction of inflammation secondary to the administration of a lipid-nucleic acid complex
JP4518806B2 (ja) * 2004-01-16 2010-08-04 京セラ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
CN100538915C (zh) * 2004-07-01 2009-09-09 东洋铝株式会社 糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件
WO2006011595A1 (ja) * 2004-07-29 2006-02-02 Kyocera Corporation 太陽電池素子とその製造方法
JP2006278071A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物、電極およびそれを備えた太陽電池素子
US7462304B2 (en) 2005-04-14 2008-12-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions used in the manufacture of semiconductor device
US7435361B2 (en) 2005-04-14 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
US7556748B2 (en) 2005-04-14 2009-07-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein
US7494607B2 (en) 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
DE102005025125B4 (de) * 2005-05-29 2008-05-08 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierten Solarzelle und einseitig kontaktierte Solarzelle
JP2007019069A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
JP2006019768A (ja) * 2005-09-28 2006-01-19 Kyocera Corp 太陽電池素子
US7718092B2 (en) 2005-10-11 2010-05-18 E.I. Du Pont De Nemours And Company Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof
ES2361974T3 (es) * 2005-10-20 2011-06-24 Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha Composición de pasta y elemento de celda solar que usa la misma.
US8721931B2 (en) 2005-12-21 2014-05-13 E I Du Pont De Nemours And Company Paste for solar cell electrode, solar cell electrode manufacturing method, and solar cell
WO2007088751A1 (ja) * 2006-01-31 2007-08-09 Sanyo Electric Co., Ltd. 太陽電池素子および太陽電池モジュール
JP5014350B2 (ja) * 2006-09-28 2012-08-29 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法
JP4903531B2 (ja) * 2006-10-30 2012-03-28 京セラ株式会社 太陽電池素子
JP5127207B2 (ja) * 2006-11-28 2013-01-23 京セラ株式会社 太陽電池素子、及びそれを用いた太陽電池モジュール
JP5289705B2 (ja) * 2006-12-25 2013-09-11 京セラ株式会社 光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法
DE102007012277A1 (de) * 2007-03-08 2008-09-11 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie damit hergestellte Solarzelle
JP5127273B2 (ja) * 2007-03-27 2013-01-23 京セラ株式会社 太陽電池素子の製造方法
JP2008306023A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物と太陽電池素子
US8309844B2 (en) 2007-08-29 2012-11-13 Ferro Corporation Thick film pastes for fire through applications in solar cells
US7485245B1 (en) 2007-10-18 2009-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode paste for solar cell and solar cell electrode using the paste
JP2009146578A (ja) * 2007-12-11 2009-07-02 Noritake Co Ltd 太陽電池および太陽電池用アルミニウムペースト
TWI362759B (en) * 2008-06-09 2012-04-21 Delsolar Co Ltd Solar module and system composed of a solar cell with a novel rear surface structure
EP2187444A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-19 Gigastorage Corporation Elektrisch leitfähige Pastenzusammensetzung, Elektrode und diese aufweisende Solarzelle
WO2010084715A1 (ja) 2009-01-23 2010-07-29 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
JP5796270B2 (ja) * 2009-04-16 2015-10-21 日本電気硝子株式会社 電極形成材料
WO2011016594A1 (ko) * 2009-08-07 2011-02-10 주식회사 엘지화학 실리콘 태양전지 제조용 납 프리 유리 프릿 분말 및 그 제조방법과 이를 포함하는 금속 페이스트 조성물 및 실리콘 태양전지
JP5815215B2 (ja) * 2009-08-27 2015-11-17 東京応化工業株式会社 拡散剤組成物、および不純物拡散層の形成方法
JP4970530B2 (ja) * 2009-12-28 2012-07-11 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池
JP5447397B2 (ja) 2010-02-03 2014-03-19 日立化成株式会社 ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法
US20110256658A1 (en) * 2010-02-05 2011-10-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing photovoltaic cell
US20110195540A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composition for forming p-type diffusion layer, method for forming p-type diffusion layer, and method for producing photovoltaic cell
CN102834927A (zh) 2010-04-02 2012-12-19 株式会社则武 太阳能电池用糊料组合物及其制造方法和太阳能电池
JP5573946B2 (ja) 2010-04-23 2014-08-20 日立化成株式会社 ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法
US8697541B1 (en) * 2010-12-24 2014-04-15 Ananda H. Kumar Methods and structures for preparing single crystal silicon wafers for use as substrates for epitaxial growth of crack-free gallium nitride films and devices
CN103745765A (zh) * 2013-12-25 2014-04-23 湖南红太阳光电科技有限公司 一种高附着力、低翘曲的晶硅电池背面铝浆

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000090734A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池
JP2001313402A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Kyocera Corp 太陽電池用ペースト材料
JP2002141534A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Sharp Corp 半導体基板の電極及びその製造方法
JP2003069056A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722634A (ja) 1993-06-22 1995-01-24 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
JPH0773731A (ja) 1993-09-06 1995-03-17 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 厚膜導電性ペースト組成物
DE19910816A1 (de) * 1999-03-11 2000-10-05 Merck Patent Gmbh Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern
JP3690171B2 (ja) * 1999-03-16 2005-08-31 株式会社日立製作所 複合材料とその製造方法及び用途
JP2001202822A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト
JP4347489B2 (ja) 2000-02-17 2009-10-21 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウムろう付用ペースト状組成物、その塗膜、およびろう付方法
JP3957461B2 (ja) 2001-01-22 2007-08-15 シャープ株式会社 太陽電池セルおよびその製造方法
FR2820241B1 (fr) * 2001-01-31 2003-09-19 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000090734A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池
JP2001313402A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Kyocera Corp 太陽電池用ペースト材料
JP2002141534A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Sharp Corp 半導体基板の電極及びその製造方法
JP2003069056A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1732138A2 (de) * 2005-06-06 2006-12-13 Universität Konstanz Verfahren zur flächigen Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit reduzierter Durchbiegung sowie entsprechendes Halbleiterbauelement und Herstellungsvorrichtung
DE102005026176B3 (de) * 2005-06-06 2007-01-04 Universität Konstanz Verfahren zur flächigen Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit reduzierter Durchbiegung sowie entsprechendes Halbleiterbauelement und Herstellungsvorrichtung
EP1732138A3 (de) * 2005-06-06 2011-03-30 Universität Konstanz Verfahren zur flächigen Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit reduzierter Durchbiegung sowie entsprechendes Halbleiterbauelement und Herstellungsvorrichtung

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Publication number Publication date
DE10326274B4 (de) 2012-12-13
US20040003836A1 (en) 2004-01-08
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JP3910072B2 (ja) 2007-04-25

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