DE10326274B4 - Pastenzusammensetzung und Pastenzusammensetzung für eineSolarzelle - Google Patents

Pastenzusammensetzung und Pastenzusammensetzung für eineSolarzelle Download PDF

Info

Publication number
DE10326274B4
DE10326274B4 DE10326274A DE10326274A DE10326274B4 DE 10326274 B4 DE10326274 B4 DE 10326274B4 DE 10326274 A DE10326274 A DE 10326274A DE 10326274 A DE10326274 A DE 10326274A DE 10326274 B4 DE10326274 B4 DE 10326274B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
inorganic compound
paste composition
mass
aluminum
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10326274A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10326274A1 (de
Inventor
Takashi Watsuji
Gao-Chao Lai
Tomohiro Machida
Satoshi Tanaka
Masaomi Hioki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Aluminum KK
Sharp Corp
Original Assignee
Toyo Aluminum KK
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2002021208A priority Critical patent/JP3910072B2/ja
Application filed by Toyo Aluminum KK, Sharp Corp filed Critical Toyo Aluminum KK
Priority to DE10326274A priority patent/DE10326274B4/de
Priority to US10/610,886 priority patent/US7368657B2/en
Publication of DE10326274A1 publication Critical patent/DE10326274A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10326274B4 publication Critical patent/DE10326274B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Pastenzusammensetzung zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht (5, 6, 7) auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1) des p-Typs, welche Aluminiumpulver, ein organisches Trägermaterial und ein Pulver aus mindestens einer anorganischen Verbindung, welche aus einer Gruppe, welche aus einer anorganischen Verbindung auf Oxidbasis und einer anorganischen Verbindung auf Nichtoxidbasis besteht, ausgewählt wird, enthält, wobei
die anorganische Verbindung auf Oxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Schmelztemperatur, eine Erweichungstemperatur und eine Zersetzungstemperatur, welche jeweils höher als der Schmelzpunkt von Aluminium sind, aufweist, und
die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Temperatur aus der Gruppe einer Schmelztemperatur, einer Erweichungstemperatur und einer Zersetzungstemperatur, welche höher als der Schmelzpunkt von Aluminium ist, aufweist, wobei die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis kein Borid ist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft generell eine Pastenzusammensetzung und eine Solarzelle, welche diese verwendet, und genauer betrifft diese eine Pastenzusammensetzung, welche zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht, wie etwa einer Störstellenschicht bzw. einer Elektrodenschicht auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs, wodurch eine Solarzelle aus kristallinem Silizium gebildet wird, verwendet wird.
  • Technischer Hintergrund
  • Eine Solarzelle ist als elektrisches Bauelement bekannt, welches Elektroden aufweist, welche auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs ausgebildet sind. Wie in 1 dargestellt, wird eine derartige Solarzelle durch ein Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs, welches eine Dicke von 300 bis 400 μm aufweist, ausgebildet. Eine Störstellenschicht 2 des n-Typs, welche eine Dicke von 0,3 bis 0,5 μm aufweist, eine entspiegelte Beschichtung 3 und Gitterelektroden 4 werden nacheinander auf einer lichtaufnehmenden Oberfläche des Silizium-Halbleitersubstrats 1 des p-Typs ausgebildet.
  • Eine hintere Elektrodenschicht 5 wird auf der hinteren Oberfläche des Silizium-Halbleitersubstrats 1 des p-Typs ausgebildet. Diese hintere Elektrodenschicht 5 wird durch Auftragen einer Pastenzusammensetzung, welche aus Aluminiumpulver, Glasfritte und einem organischen Trägermaterial besteht, durch Siebdrucken oder ähnliches, Trocknen davon und danach durch Brennen davon bei einer Temperatur von mindestens 660°C (dem Schmelzpunkt von Aluminium) ausgebildet. Bei diesem Brennen diffundiert Aluminium in das Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs, wodurch eine Al-Si-Legierungsschicht 6 zwischen der hinteren Elektrodenschicht 5 und dem Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs ausgebildet wird, während zugleich eine p+-Schicht 7 als Störstellenschicht ausgebildet wird, welche von der Diffusion von Aluminiumatomen herrührt. Die Solarzelle erreicht eine BSF-Wirkung (Feldwirkung an der hinteren Oberfläche; BSF für engl.: back surface field), welche die Sammlungsleistung für ausgebildete Träger aufgrund der Anwesenheit der p+-Schicht 7 verbessert.
  • Ein anderer Solarzellentyp wird dadurch praktisch verwirklicht, daß die hintere Elektrodenschicht 5 und die Al-Si-Legierungsschicht 6 mit Säure oder ähnlichem entfernt werden, während die p+-Schicht 7 übriggelassen wird, um die BSF-Wirkung zu gewährleisten, und eine Elektrodenschicht mit Silberpaste oder ähnlichem neu ausgebildet wird.
  • Um die Kosten für eine derartige Solarzelle zu vermindern, wurde in jüngerer Zeit das Hilfsmittel des Verminderns der Dicke des Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs untersucht. Wenn dessen Dicke vermindert wird, wird das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs jedoch derart verformt, daß die hintere Oberfläche, welche mit der hinteren Elektrodenschicht durch Brennen der Pastenzusammensetzung ausgebildet wird, aufgrund des Unterschieds zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium und Aluminium gewölbt wird, was zu einem Verziehen führt. Daher wird ein Brechen oder ähnliches bei Herstellungsschritten der Solarzelle verursacht, so daß die Herstellungsausbeute der Solarzelle nachteilig vermindert wird.
  • Um dieses Problem zu lösen, kann die Menge der aufgetragenen Pastenzusammensetzung vermindert werden, um die Dicke der hinteren Elektrodenschicht zu vermindern. Wenn die Menge der aufgetragenen Pastenzusammensetzung vermindert wird, ist jedoch die Menge des Aluminiums, welches aus der Oberfläche davon in das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs diffundiert, ungenügend. Infolgedessen kann keine erwünschte BSF-Wirkung erreicht werden, und somit werden die Eigenschaften der Solarzelle nachteilig verschlechtert.
  • Im Hinblick darauf offenbart beispielsweise die japanische Patentoffenlegung Nr. 2000-90734 die Zusammensetzung einer elektrisch leitfähigen Paste, welche geeignet ist, erwünschte Eigenschaften der Solarzelle zu gewährleisten und die Dicke der hinteren Elektrodenschicht zu vermindern. Diese elektrisch leitende Paste enthält eine aluminiumhaltige organische Verbindung gemeinsam mit Aluminiumpulver, Glasfritte und einem organischen Trägermaterial. Gemäß dem zuvor erwähnten Stand der Technik wird jedoch die Dicke der hinteren Elektrodenschicht vermindert, wodurch der Umfang des Verziehens, welches in dem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs bewirkt wird, vermindert wird. Bis zur Gegenwart wurde weder ein Verfahren noch eine Zusammensetzung einer elektrisch leitfähigen Paste entwickelt, um den Umfang des Verziehens zu vermindern, ohne die Menge der aufgetragenen elektrisch leitenden Paste zum Erreichen einer erwünschten BSF-Wirkung in ausreichendem Umfang zu vermindern.
  • Die JP 2001 313 402 A bezieht sich auf ein Pastenmaterial für Solarzellen, das zum Bilden von Elektroden auf der Oberfläche eines Siliziumsubstrates verwendet wird. Das Pastenmaterial kann Aluminiumpuder, ein organisches Lösungsmittel, ein organisches Bindemittel und Silizium aufweisen.
  • Die JP 2003 06 90 56 A offenbart eine Pastenzusammensetzung, die neben einer Aluminiumdotierquelle eine zusätzliche Bordotierquelle aufweist, um den BSF-Effekt zu erhöhen. Die zusätzliche Bordotierquelle kann u. a. Borkarbid und Bornitrid aufweisen. Die Pastenzusammensetzung umfasst Aluminium-Puder, einen organischen Grundstoff, Glasfritte und Puder, der eine organische und/oder eine anorganische Borverbindung aufweist.
  • Die JP 2000 090 734 A offenbart eine leitende Paste und eine damit hergestellte Solarzelle. Es wird eine aluminiumaufweisende organische Verbindung zu der leitenden Paste, die Aluminiumpuder, Glasfritte und ein organisches Grundmaterial aufweist, hinzugefügt.
  • Die DE 199 10 816 A1 offenbart eine Pastenzusammensetzung zum Dotieren von Halbleitern und zum Ausbilden von Schutzschichten, wobei die Paste siliziumoxidbildende Vorläufersubstanzen, wie z. B. Silan, umfasst, um während des Diffusionsausheizprozesses Siliziumdioxid zu bilden. Die Pastenzusammensetzung weist Aluminiumpuder auf. Das Pastenmaterial kann ferner Boroxid umfassen, um eine Bordotierquelle vorzusehen.
  • Die EP 1 036 849 A2 offenbart eine anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis (SiC), die verwendet wird, um den thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Al-SiC-Material durch Verändern des Zusammensetzungsverhältnisses der beiden Komponenten einzustellen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Um das zuvor erwähnte Problem zu lösen, ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Pastenzusammensetzung, welche geeignet ist, eine erwünschte BSF-Wirkung in ausreichendem Umfang zu erreichen, ohne die Auftragsmenge zu vermindern, auch wenn die Dicke eines Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs vermindert wird, wobei eine Verformung des Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs nach dem Brennen verhindert wird, und eine Solarzelle, welche eine Störstellenschicht bzw. eine Elektrodenschicht, welche aus der Zusammensetzung hergestellt wird, umfaßt, zu schaffen.
  • Die Erfinder führten gründliche Untersuchungen durch, um das Problem des Stands der Technik zu lösen, wobei entdeckt wurde, daß die zuvor erwähnte Aufgabe durch Verwenden einer Pastenzusammensetzung mit einer bestimmten Zusammensetzung gelöst werden kann. Auf der Basis dieser Erkenntnis weist die erfindungsgemäße Pastenzusammensetzung die folgenden Eigenschaften auf:
    Die neuartige Pastenzusammensetzung, welche zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs verwendet wird, enthält Aluminiumpulver, ein organisches Trägermaterial und ein Pulver aus mindestens einer anorganischen Verbindung, welche aus einer Gruppe ausgewählt wird, welche aus einer anorganischen Verbindung auf Oxidbasis und einer anorganischen Verbindung auf Nichtoxidbasis besteht. Die anorganische Verbindung auf Oxidbasis weist einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Schmelztemperatur, eine Erweichungstemperatur und eine Zersetzungstemperatur, welche jeweils höher als der Schmelzpunkt von Aluminium sind, auf. Die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis weist einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Temperatur aus der Gruppe einer Schmelztemperatur, einer Erweichungstemperatur und einer Zersetzungstemperatur, welche höher als der Schmelzpunkt von Aluminium ist, auf, wobei die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis kein Borid ist.
  • In einer Ausführungsform ist die elektrisch leitende Schicht eine Störstellenschicht bzw. eine Elektrodenschicht.
  • Bei der neuartigen Pastenzusammensetzung ist die anorganische Verbindung auf Oxidbasis in einer Ausführungsform mindestens eine Verbindung, welche aus einer Gruppe ausgewählt wird, welche aus Siliziumoxid und Aluminiumoxid besteht.
  • Bei der neuartigen Pastenzusammensetzung ist die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis in einer Ausführungsform mindestens eine Verbindung, welche aus einer Gruppe ausgewählt wird, welche aus einem Karbid und einem Nitrid besteht.
  • Die neuartige Pastenzusammensetzung enthält das Pulver der anorganischen Verbindung vorzugsweise in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse.
  • Besser enthält die neuartige Pastenzusammensetzung das Aluminiumpulver in einer Menge von mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse, das organische Trägermaterial in einer Menge von mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35% der Masse sowie das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse.
  • Die neuartige Pastenzusammensetzung enthält in einer Ausführungsform ferner Glasfritte.
  • Wenn diese die Glasfritte enthält, so enthält die neuartige Pastenzusammensetzung das Aluminiumpulver in einer Menge von mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse, das organische Trägermaterial in einer Menge von mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35% der Masse, das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse sowie die Glasfritte in einer Menge von nicht mehr als 5,0% der Masse.
  • Bei der neuartigen Pastenzusammensetzung beträgt die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung in einer Ausführungsform nicht mehr als 10 μm.
  • Eine Pastenzusammensetzung für eine Solarzelle, wobei die Solarzelle eine elektrisch leitende Schicht umfaßt, welche durch Auftragen einer Pastenzusammensetzung, welche eine der zuvor erwähnten Eigenschaften aufweist, auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs und danach durch Brennen der Pastenzusammensetzung ausgebildet wird.
  • In einer Ausführungsform ist die elektrisch leitende Schicht eine Störstellenschicht bzw. eine Elektrodenschicht.
  • In einer Ausführungsform wird gemäß Beschreibung in der vorliegenden Schrift das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs, welches mit der Pastenzusammensetzung beschichtet ist, welche das Pulver der anorganischen Verbindung enthält, welche die zuvor erwähnten Bedingungen erfüllt, derart gebrannt, daß eine erwünschte BSF-Wirkung aufrechterhalten werden kann, um die Sammlungsleistung für ausgebildete Träger zu verbessern, ohne die Auftragsmenge zu vermindern, und eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs verhindert werden kann, auch wenn die Dicke des Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs vermindert wird.
  • Die vorangehenden sowie weitere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die folgende genaue Beschreibung der vorliegenden Erfindung bei Betrachtung in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung besser ersichtlich.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • 1 stellt die Schnittstruktur einer Solarzelle, bei welcher die vorliegende Erfindung angewandt wird, in typischer Weise dar; und
  • 2 stellt ein Verfahren zum Messen des Umfangs der Verformung eines gebrannten Siliziumsubstrats in typischer Weise dar.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Die erfindungsgemäße Pastenzusammensetzung enthält ein Pulver einer anorganischen Verbindung gemeinsam mit Aluminiumpulver und einem organischen Trägermaterial. Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Pulvers der anorganischen Verbindung ist kleiner als der von Aluminium. Mindestens eine Temperatur aus der Gruppe der Schmelztemperatur, der Erweichungstemperatur und der Zersetzungstemperatur des Pulvers der anorganischen Verbindung ist höher als der Schmelzpunkt von Aluminium. Anders ausgedrückt, wird das Pulver der anorganischen Verbindung bei der Brenntemperatur der Pastenzusammensetzung nicht geschmolzen, nicht erweicht und nicht zersetzt. Dieses Pulver der anorganischen Verbindung wird derart in die Pastenzusammensetzung eingebracht, daß eine Verformung eines Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs, welches mit der Pastenzusammensetzung beschichtet und gebrannt wird, verhindert werden kann.
  • Generell war es im wesentlichen das einzige wirksame Hilfsmittel zum Unterdrücken einer Verformung eines gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs, die Dicke eines Films aus einer Paste, welche darauf aufgetragen wird, zu vermindern. Wenn die Dicke des Films der Paste, welche auf dem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs aufgetragen wird, vermindert wird, ist die Menge des Aluminiums, welches aus der Oberfläche davon in das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs diffundiert, derart ungenügend, daß keine erwünschte BSF-Wirkung erreicht werden kann, und somit werden die Merkmale einer Solarzelle, welche durch ein Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs ausgebildet wird, im Ergebnis verschlechtert. Erfindungsgemäß kann jedoch eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs verhindert werden, ohne die Dicke des Films der Paste darauf zu vermindern, wodurch eine erwünschte BSF-Wirkung erreicht werden kann. Obgleich der Grund, warum eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs durch Aufnehmen des zuvor erwähnten Pulvers der anorganischen Verbindung verhindert werden kann, ungeklärt ist, vermindert die anorganische Verbindung den Umfang der Kontraktion einer Aluminiumsinterschicht, welche ausgebildet wird, wenn die Pastenzusammensetzung gebrannt wird, beim Kühlen nach dem Brennen erheblich.
  • Die anorganische Verbindung, welche in der neuartigen Pastenzusammensetzung enthalten ist, kann mindestens eine Verbindung sein, welche aus einer Gruppe aus einem Karbid, einem Oxid und einem Nitrid ausgewählt wird, obgleich diese nicht auf diese Verbindungen beschränkt ist. Die anorganische Verbindung ist kein Borid.
  • Der Anteil des Pulvers der anorganischen Verbindung in der neuartigen Pastenzusammensetzung beträgt vorzugsweise mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse. Beträgt der Anteil des Pulvers der anorganischen Verbindung weniger als 0,3% der Masse, so kann keine ausreichende Verhinderungswirkung gegen eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs durch Hinzufügen des Pulvers der anorganischen Verbindung erreicht werden. Überschreitet der Anteil des Pulvers der anorganischen Verbindung 10,0% der Masse, so kann der Oberflächenwiderstand einer hinteren Elektrodenschicht nachteiligerweise vergrößert werden, so daß die Sintereigenschaft der Pastenzusammensetzung gehemmt wird. Wird der Oberflächenwiderstand der hinteren Elektrodenschicht vergrößert, so wird der ohm'sche Zwischenelektroden-Widerstand derart vergrößert, daß Energie, welche von der Bestrahlung mit Sonnenlicht herrührt, nicht wirksam entnommen werden kann und die Energieumwandlungsleistung vermindert wird.
  • Die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung, welches in der neuartigen Pastenzusammensetzung enthalten ist, ist vorzugsweise nicht größer als 10 μm. Überschreitet die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung 10 μm, so wird die Anzahl der Teilchen der anorganischen Verbindung, welche in einer Aluminiumsinterschicht, welche ausgebildet wird, wenn die Pastenzusammensetzung gebrannt wird, vorhanden sind, derart vermindert, daß keine ausreichende Verhinderungswirkung gegen eine Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs durch Hinzufügen des Pulvers der anorganischen Verbindung erreicht werden kann. Die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung, welche industriell nicht auf weniger als 0,01 μm vermindert werden kann, beträgt mindestens 0,01 μm.
  • Der Anteil des Aluminiumpulvers in der neuartigen Pastenzusammensetzung beträgt vorzugsweise mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse. Beträgt der Anteil des Aluminiumpulvers weniger als 60% der Masse, so kann der Oberflächenwiderstand der gebrannten hinteren Elektrodenschicht vergrößert werden, so daß die Energieumwandlungsleistung der Solarzelle vermindert wird. Überschreitet der Anteil des Aluminiumpulvers 75% der Masse, so wird die Verteilungsfähigkeit der Pastenzusammensetzung beim Siebdrucken oder ähnlichem vermindert.
  • Das organische Trägermaterial, welches in der neuartigen Pastenzusammensetzung enthalten ist, wird durch Lösen von Ethylzellulose, Acrylharz, Alkydharz oder ähnlichem in einem Lösungsmittel hergestellt. Der Anteil des organischen Trägermaterials beträgt vorzugsweise mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35% der Masse. Beträgt der Anteil des organischen Trägermaterials weniger als 20% der Masse oder überschreitet dieser 35% der Masse, so wird die Druckfähigkeit der Pastenzusammensetzung vermindert.
  • Ferner kann die neuartige Pastenzusammensetzung Glasfritte enthalten. Der Anteil der Glasfritte beträgt vorzugsweise nicht mehr als 5,0% der Masse. Die Glasfritte, welche nicht direkt an der Verformung des Silizium-Halbleitersubstrats des p-Typs, der BSF-Wirkung und der Energieumwandlungsleistung beteiligt ist, wird zur Verbesserung der Haftung zwischen der hinteren Elektrodenschicht und dem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs nach dem Brennen hinzugefügt. Überschreitet der Anteil der Glasfritte 5,0% der Masse, so kann eine Entmischung von Glas erfolgen.
  • Die Glasfritte, welche in der neuartigen Pastenzusammensetzung enthalten ist, kann aus SiO2-Bi2O3-PbO, B2O3-SiO2-Bi2O3, Bi2O3-SiO2-ZnO, Bi2O3-SiO2-PbO oder ähnlichem hergestellt werden.
  • Ein Beispiel der vorliegenden Erfindung wird im folgenden beschrieben.
  • Zunächst wurden verschiedene Pastenzusammensetzungstypen, welche jeweils sowohl Aluminiumpulver, Glasfritte und ein organisches Trägermaterial in den Bereichen von 60 bis 75% der Masse, 0 bis 5,0% der Masse bzw. 20 bis 35% der Masse als auch ein Pulver einer anorganischen Verbindung enthielten, hergestellt, wobei diese Eigenschaften, welche in Tabelle 2 dargestellt sind, in den Verhältnissen, welche in Tabelle 1 dargestellt sind, aufwiesen.
  • Genauer wurde jede Pastenzusammensetzung durch Hinzufügen von Aluminiumpulver und Bi2O3-SiO2-PbO-Glasfritte zu einem organischen Trägermaterial, welches durch Lösen von Ethylzellulose in einem organischen Lösungsmittel auf Glykoletherbasis hergestellt wurde, erhalten, wobei ferner das Pulver der anorganischen Verbindung, welches in Tabelle 1 dargestellt ist, hinzugefügt wurde und die Materialien in einem allgemein bekannten Mischer miteinander vermischt wurden. In der Spalte „Typ des Pulvers der anorganischen Verbindung” in Tabelle 1 stellt jeder numerische Wert in Klammern die mittlere Teilchengröße (μm) des Pulvers der anorganischen Verbindung dar.
  • Das Aluminiumpulver wurde im Hinblick auf die Gewährleistung der Reaktionsfähigkeit mit einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs, Verteilungsfähigkeit und Homogenität eines aufgetragenen Films aus einem Pulver hergestellt, welches aus kugelförmigen bzw. kugelartigen Teilchen mit einer mittleren Teilchengröße von 2 bis 20 μm bestand.
  • Jede Pastenzusammensetzung wurde auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs mit einer Dicke von 300 μm und einer Größe von 2 Zoll (50,8 mm) mal 2 Zoll (50,8 mm) mit einer Siebdruckplatte mit einer Siebnummer von 180 aufgetragen und gedruckt sowie getrocknet. Gemäß dem Stand der Technik 2, dargestellt in Tabelle 1, wurde die Pastenzusammensetzung auf einem Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs mit einer Dicke von 350 μm aufgetragen und gedruckt. Die Auftragsmenge wurde derart festgelegt, daß die Dicke einer Elektrode nach dem Brennen 45 bis 55 μm erreichte.
  • Das Silizium-Halbleitersubstrat des p-Typs, welches mit der Pastenzusammensetzung bedruckt wurde, wurde getrocknet, danach in einem Infrarotbrennofen in einer Luftatmosphäre bei einer Erwärmungsgeschwindigkeit von 400°C/min erwärmt und unter Bedingungen, wobei dieses 30 Sekunden lang auf einer Temperatur von 710 bis 720°C gehalten wurde, gebrannt. Nach dem Brennen wurde das Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs gekühlt, wodurch eine hintere Elektrodenschicht 5 ausgebildet wurde, wie in 1 dargestellt.
  • Der Oberflächenwiderstand der hinteren Elektrodenschicht 5, welcher den ohm'schen Zwischenelektroden-Widerstand beeinflußt, wurde gemessen. Danach wurde das Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Typs, welches mit der hinteren Elektrodenschicht 5 ausgebildet wurde, in wäßrige Salzsäure getaucht, wodurch die hintere Elektrodenschicht 5 und eine Al-Si-Legierungsschicht 6 gelöst und entfernt wurden, um den Oberflächenwiderstand des Silizium-Halbleitersubstrat 1 des p-Type, welches mit einer p+-Schicht 7 ausgebildet wurde, mit einer vierköpfigen Oberflächenwiderstands-Meßvorrichtung zu messen. Es wird angenommen, daß der Oberflächenwiderstand der p+-Schicht 7 derart mit der BSF-Wirkung korreliert ist, daß die BSF-Wirkung verstärkt wird, wenn der Oberflächenwiderstand vermindert wird. Die Sollwerte des Oberflächenwiderstands der hinteren Elektrodenschicht 5 und der p+-Schicht 7 betragen nicht mehr als 13,0 mΩ/☐ bzw. nicht mehr als 11,0 Ω/☐.
  • Wie in 2 dargestellt, wurde die Verformung des gebrannten Silizium-Halbleitersubstrats 1 dadurch ausgewertet, daß die hintere Elektrodenschicht des Silizium-Halbleitersubstrats 1 nach dem Brennen und dem Kühlen nach oben gerichtet wurde und auf ein Ende der vier Ecken des Substrats 1 zum Messen der Hubhöhe (einschließlich der Dicke des Substrats 1) x eines anderen Endes, welches in der Diagonalposition angeordnet war, gedrückt wurde. Die Sollhubhöhe x betrug nicht mehr als 1,0 mm.
  • Tabelle 1 stellt den Oberflächenwiderstand der hinteren Elektrodenschicht 5, den Oberflächenwiderstand der p+-Schicht 7 und die Verformung des gebrannten Siliziumsubstrats (Si-Substrats) 1 für jedes Prüfstück gemäß Messung in der zuvor erwähnten Weise dar. Tabelle 1
    Typ des Pulvers der anorganischen Verbindung Anteil des Pulvers der anorganischen Verbindung (% der Masse) Oberflächenwiderstand der p+-Schicht auf dem Si-Substrat (Ω/☐) Oberflächenwiderstand der hinteren Elektrode (mΩ/☐) Verformung des Si-Substrats (mm)
    Stand der Technik 1 nicht hinzugefügt 0 10,2 12,2 1,12
    2 nicht hinzugefügt 0 9,9 12,5 0,97
    Beispiel 1 SiO2 (0,4) 0,5 10,0 12,3 0,98
    2 SiO2 (0,4) 1,0 10,1 12,3 0,93
    3 SiO2 (0,4) 3,0 10,1 12,4 0,75
    4 SiO2 (1,6) 3,0 10,2 12,5 0,79
    5 SiO2 (4,0) 3,0 10,2 12,6 0,86
    6 SiO2 (0,4) 5,0 10,3 12,8 0,61
    7 SiO2 (12) 5,0 10,2 12,9 1,05
    8 SiO2 (0,4) 12,0 10,5 15,2 0,58
    9 Al2O3 (0,4) 0,5 10,1 12,2 0,98
    10 Al2O3 (0,4) 1,0 10,1 12,3 0,94
    11 Al2O3 (0,4) 3,0 10,3 12,3 0,78
    12 Al2O3 (1,0) 3,0 10,2 12,5 0,81
    13 Al2O3 (2,5) 3,0 10,4 12,6 0,87
    14 Al2O3 (0,4) 5,0 10,4 12,8 0,65
    15 Al2O3 (13) 5,0 10,3 12,7 1,07
    16 Al2O3 (0,4) 12,0 10,6 15,0 0,60
    17 SiC (0,5) 3,0 10,4 12,3 0,85
    18 AlN (1,5) 3,0 10,3 12,4 0,87
    19 SiO2 (0,012) 3,0 10,3 13,1 0,82
    Tabelle 2
    anorganische Verbindung Wärmeausdehnungskoeffizient (× 10–6/°C) Schmelzpunkt/ Zersetzungstemperatur (°C)
    SiO2 0,5–15,0 1500
    Al2O3 8,1 2046
    SiC 3,7 850*
    AlN 4,5 900*
    Al 23,5 660
    *Oxidationstemperatur in der Atmosphäre
  • Aus den Ergebnissen, welche in Tabelle 1 dargestellt sind, ist zu ersehen, daß die Verformung des gebrannten Siliziumsubstrats bei der herkömmlichen Pastenzusammensetzung (Stand der Technik 1) 1 mm erheblich überschritt, während eine derartige Verformung des gebrannten Siliziumsubstrats durch Verwenden der neuartigen Pastenzusammensetzung, welche durch Hinzufügen des Pulvers der anorganischen Verbindung, welches einen kleineren Wärmeausdehnungskoeffizient als Aluminium aufweist und bei der Brenntemperatur nicht geschmolzen, nicht erweicht und nicht zersetzt wird, zu dem Aluminiumpulver und dem organischen Trägermaterial hergestellt wird, auf etwa bzw. auf nicht mehr als 1 mm vermindert werden kann. Ferner ist zu ersehen, daß die Verformung des gebrannten Siliziumsubstrats durch Auftragen der neuartigen Pastenzusammensetzung auf dem Silikonsubstrat mit einer Dicke (300 μm), welche kleiner als die (350 μm) des Stands der Technik 2 ist, auf etwa bzw. auf nicht mehr als die des Stands der Technik 2 vermindert werden kann.
  • Obgleich die vorliegende Erfindung genau beschrieben und dargestellt wurde, ist klar zu ersehen, daß dies in darstellender und beispielhafter Weise erfolgt und nicht in begrenzender Weise zu verstehen ist, wobei Prinzip und Umfang der vorliegenden Erfindung lediglich durch die Ausdrücke der beigefügten Ansprüche begrenzt werden.

Claims (10)

  1. Pastenzusammensetzung zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht (5, 6, 7) auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1) des p-Typs, welche Aluminiumpulver, ein organisches Trägermaterial und ein Pulver aus mindestens einer anorganischen Verbindung, welche aus einer Gruppe, welche aus einer anorganischen Verbindung auf Oxidbasis und einer anorganischen Verbindung auf Nichtoxidbasis besteht, ausgewählt wird, enthält, wobei die anorganische Verbindung auf Oxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Schmelztemperatur, eine Erweichungstemperatur und eine Zersetzungstemperatur, welche jeweils höher als der Schmelzpunkt von Aluminium sind, aufweist, und die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Temperatur aus der Gruppe einer Schmelztemperatur, einer Erweichungstemperatur und einer Zersetzungstemperatur, welche höher als der Schmelzpunkt von Aluminium ist, aufweist, wobei die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis kein Borid ist.
  2. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die anorganische Verbindung auf Oxidbasis mindestens eine Verbindung ist, welche aus einer Gruppe, welche aus Siliziumoxid und Aluminiumoxid besteht, ausgewählt wird.
  3. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis mindestens eine Verbindung ist, welche aus einer Gruppe, welche aus einem Karbid und einem Nitrid besteht, ausgewählt wird.
  4. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, welche das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse enthält.
  5. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, welche das Aluminiumpulver in einer Menge von mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse, das organische Trägermaterial in einer Menge von mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35% der Masse sowie das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse enthält.
  6. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, welche ferner Glasfritte enthält.
  7. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 6, welche das Aluminiumpulver in einer Menge von mindestens 60% der Masse und nicht mehr als 75% der Masse, das organische Trägermaterial in einer Menge von mindestens 20% der Masse und nicht mehr als 35% der Masse, das Pulver der anorganischen Verbindung in einer Menge von mindestens 0,3% der Masse und nicht mehr als 10,0% der Masse sowie die Glasfritte in einer Menge von nicht mehr als 5,0% der Masse enthält.
  8. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die mittlere Teilchengröße des Pulvers der anorganischen Verbindung nicht mehr als 10 μm beträgt.
  9. Pastenzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die anorganische Verbindung Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid umfasst.
  10. Pastenzusammensetzung für eine Solarzelle, wobei die Solarzelle eine elektrisch leitende Schicht (5, 6, 7) umfasst, welche durch Auftragen der Pastenzusammensetzung auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1) des p-Typs und danach durch Brennen der Pastenzusammensetzung ausgebildet wird, wobei die Pastenzusammensetzung Aluminiumpulver, ein organisches Trägermaterial und ein Pulver aus mindestens einer anorganischen Verbindung, welche aus einer Gruppe, welche aus einer anorganischen Verbindung auf Oxidbasis und einer anorganischen Verbindung auf Nichtoxidbasis besteht, ausgewählt wird, enthält, wobei die anorganische Verbindung auf Oxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Schmelztemperatur, eine Erweichungstemperatur und eine Zersetzungstemperatur, welche jeweils höher als der Schmelzpunkt von Aluminium sind, aufweist, und die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Temperatur aus der Gruppe einer Schmelztemperatur, einer Erweichungstemperatur und einer Zersetzungstemperatur, welche höher als der Schmelzpunkt von Aluminium ist, aufweist, wobei die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis kein Borid ist.
DE10326274A 2002-01-30 2003-06-11 Pastenzusammensetzung und Pastenzusammensetzung für eineSolarzelle Expired - Fee Related DE10326274B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002021208A JP3910072B2 (ja) 2002-01-30 2002-01-30 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
DE10326274A DE10326274B4 (de) 2002-01-30 2003-06-11 Pastenzusammensetzung und Pastenzusammensetzung für eineSolarzelle
US10/610,886 US7368657B2 (en) 2002-01-30 2003-07-02 Paste composition and solar cell employing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002021208A JP3910072B2 (ja) 2002-01-30 2002-01-30 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
DE10326274A DE10326274B4 (de) 2002-01-30 2003-06-11 Pastenzusammensetzung und Pastenzusammensetzung für eineSolarzelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10326274A1 DE10326274A1 (de) 2005-01-13
DE10326274B4 true DE10326274B4 (de) 2012-12-13

Family

ID=34219252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10326274A Expired - Fee Related DE10326274B4 (de) 2002-01-30 2003-06-11 Pastenzusammensetzung und Pastenzusammensetzung für eineSolarzelle

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7368657B2 (de)
JP (1) JP3910072B2 (de)
DE (1) DE10326274B4 (de)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003069055A (ja) * 2001-06-13 2003-03-07 Sharp Corp 太陽電池セルとその製造方法
JP4401158B2 (ja) 2003-12-16 2010-01-20 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
WO2005065721A2 (en) * 2003-12-30 2005-07-21 Board Of Regents, The University Of Texas System Use of an anti-inflammatory compound for the reduction of inflammation secondary to the administration of a lipid-nucleic acid complex
JP4518806B2 (ja) * 2004-01-16 2010-08-04 京セラ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
WO2006003830A1 (ja) 2004-07-01 2006-01-12 Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
WO2006011595A1 (ja) * 2004-07-29 2006-02-02 Kyocera Corporation 太陽電池素子とその製造方法
JP2006278071A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物、電極およびそれを備えた太陽電池素子
US7462304B2 (en) 2005-04-14 2008-12-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions used in the manufacture of semiconductor device
US7494607B2 (en) 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
US7556748B2 (en) 2005-04-14 2009-07-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein
US7435361B2 (en) 2005-04-14 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
DE102005025125B4 (de) * 2005-05-29 2008-05-08 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierten Solarzelle und einseitig kontaktierte Solarzelle
DE102005026176B3 (de) * 2005-06-06 2007-01-04 Universität Konstanz Verfahren zur flächigen Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit reduzierter Durchbiegung sowie entsprechendes Halbleiterbauelement und Herstellungsvorrichtung
JP2007019069A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
JP2006019768A (ja) * 2005-09-28 2006-01-19 Kyocera Corp 太陽電池素子
US7718092B2 (en) 2005-10-11 2010-05-18 E.I. Du Pont De Nemours And Company Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof
WO2007046214A1 (ja) * 2005-10-20 2007-04-26 Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
US8721931B2 (en) 2005-12-21 2014-05-13 E I Du Pont De Nemours And Company Paste for solar cell electrode, solar cell electrode manufacturing method, and solar cell
US8153891B2 (en) 2006-01-31 2012-04-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and solar cell module
EP2077585A4 (de) * 2006-09-28 2017-04-26 Kyocera Corporation Solarbatterieelement und verfahren zu seiner herstellung
JP4903531B2 (ja) * 2006-10-30 2012-03-28 京セラ株式会社 太陽電池素子
JP5127207B2 (ja) * 2006-11-28 2013-01-23 京セラ株式会社 太陽電池素子、及びそれを用いた太陽電池モジュール
JP5289705B2 (ja) * 2006-12-25 2013-09-11 京セラ株式会社 光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法
DE102007012277A1 (de) * 2007-03-08 2008-09-11 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie damit hergestellte Solarzelle
JP5127273B2 (ja) * 2007-03-27 2013-01-23 京セラ株式会社 太陽電池素子の製造方法
JP2008306023A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物と太陽電池素子
US8309844B2 (en) * 2007-08-29 2012-11-13 Ferro Corporation Thick film pastes for fire through applications in solar cells
US7485245B1 (en) 2007-10-18 2009-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode paste for solar cell and solar cell electrode using the paste
JP2009146578A (ja) 2007-12-11 2009-07-02 Noritake Co Ltd 太陽電池および太陽電池用アルミニウムペースト
TWI362759B (en) * 2008-06-09 2012-04-21 Delsolar Co Ltd Solar module and system composed of a solar cell with a novel rear surface structure
EP2187444A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-19 Gigastorage Corporation Elektrisch leitfähige Pastenzusammensetzung, Elektrode und diese aufweisende Solarzelle
KR20110097983A (ko) 2009-01-23 2011-08-31 도요 알루미늄 가부시키가이샤 페이스트 조성물 및 그를 이용한 태양 전지 소자
JP5796270B2 (ja) * 2009-04-16 2015-10-21 日本電気硝子株式会社 電極形成材料
WO2011016594A1 (ko) 2009-08-07 2011-02-10 주식회사 엘지화학 실리콘 태양전지 제조용 납 프리 유리 프릿 분말 및 그 제조방법과 이를 포함하는 금속 페이스트 조성물 및 실리콘 태양전지
JP5815215B2 (ja) * 2009-08-27 2015-11-17 東京応化工業株式会社 拡散剤組成物、および不純物拡散層の形成方法
JP4970530B2 (ja) * 2009-12-28 2012-07-11 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池
JP5447397B2 (ja) 2010-02-03 2014-03-19 日立化成株式会社 ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法
US20110195540A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composition for forming p-type diffusion layer, method for forming p-type diffusion layer, and method for producing photovoltaic cell
US20110256658A1 (en) * 2010-02-05 2011-10-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing photovoltaic cell
JP5608735B2 (ja) 2010-04-02 2014-10-15 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池
TWI495118B (zh) 2010-04-23 2015-08-01 Hitachi Chemical Co Ltd 形成ｐ型擴散層的組成物、ｐ型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法
US8697541B1 (en) * 2010-12-24 2014-04-15 Ananda H. Kumar Methods and structures for preparing single crystal silicon wafers for use as substrates for epitaxial growth of crack-free gallium nitride films and devices
CN103745765A (zh) * 2013-12-25 2014-04-23 湖南红太阳光电科技有限公司 一种高附着力、低翘曲的晶硅电池背面铝浆

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000090734A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池
EP1036849A2 (de) * 1999-03-16 2000-09-20 Hitachi, Ltd. Metallmatrixverbundmaterial, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Anwendung
DE19910816A1 (de) * 1999-03-11 2000-10-05 Merck Patent Gmbh Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern
JP2001313402A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Kyocera Corp 太陽電池用ペースト材料
JP2003069056A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722634A (ja) 1993-06-22 1995-01-24 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
JPH0773731A (ja) 1993-09-06 1995-03-17 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 厚膜導電性ペースト組成物
JP2001202822A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト
JP4347489B2 (ja) 2000-02-17 2009-10-21 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウムろう付用ペースト状組成物、その塗膜、およびろう付方法
JP2002141534A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Sharp Corp 半導体基板の電極及びその製造方法
JP3957461B2 (ja) 2001-01-22 2007-08-15 シャープ株式会社 太陽電池セルおよびその製造方法
FR2820241B1 (fr) * 2001-01-31 2003-09-19 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000090734A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池
DE19910816A1 (de) * 1999-03-11 2000-10-05 Merck Patent Gmbh Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern
EP1036849A2 (de) * 1999-03-16 2000-09-20 Hitachi, Ltd. Metallmatrixverbundmaterial, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Anwendung
JP2001313402A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Kyocera Corp 太陽電池用ペースト材料
JP2003069056A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003223813A (ja) 2003-08-08
US20040003836A1 (en) 2004-01-08
US7368657B2 (en) 2008-05-06
DE10326274A1 (de) 2005-01-13
JP3910072B2 (ja) 2007-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10326274B4 (de) Pastenzusammensetzung und Pastenzusammensetzung für eineSolarzelle
DE102013111563B4 (de) Pastenzusammensetzung für Solarzellenelektroden und damit angefertigte Elektrode
DE112006001767B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenelements
DE69932227T2 (de) Herstellungsverfahren einer photoelektrischen Dünnschicht-Umwandlungsanordnung aus amorphem Silizium
DE69635745T2 (de) Elektrostatische Haltevorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
EP2490228B1 (de) Silberpastenzusammensetzung und solarzelle damit
KR101031060B1 (ko) 페이스트 조성물 및 그것을 이용한 태양 전지 소자
DE3612085A1 (de) Solarzelle
DE10104726A1 (de) Verfahren zur Strukturierung einer auf einem Trägermaterial aufgebrachten Oxidschicht
DE102013000639A1 (de) Leitpaste für Feinlinien-Siebdruck mit hohem Streckungsverhältnis bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE10020412A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Anbringen einer Metallfolie an einen Halbleiterwafer, Halbleitervorrichtung und Verwendung
DE102009005168A1 (de) Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einem Siliziumsubstrat
EP1873790B1 (de) Pastenzusammensetzung, elektrode und solarzelleneinrichtung damit
DE112006002544T5 (de) Aluminiumpastenzusammensetzung und Solarzellenelement, in dem die Zusammensetzung verwendet wird
DE112012001590T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzellenelektrode
DE102008033169A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Solarzelle
DE112010003692T5 (de) Pastenzusammensetzung für Solarbatterieelektrode
DE3732619C2 (de)
EP2607327A1 (de) Dickfilmzusammensetzung mit Antimonoxid und ihre Verwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE112018007809T5 (de) Paste für PERC-Zelle und Verfahren zur Herstellung der Paste
DE112012002354T5 (de) Solarzelle und Pastenzusammensetzung zur Bildung einer Aluminiumelektrode einer Solarzelle
DE102012109928B4 (de) Pastenzusammensetzung für eine Solarzellenelektrode
DE2551036A1 (de) Borid-stoffzusammensetzung und ihre verwendung
DE112012001862T5 (de) Verfahren zum Ausbilden einer Solarzellenkollektorelektrode, Satz leitfähiger Zusammensetzungen zum Ausbilden einer Solarzellenkollektorelektrode und Solarzelle
DE102021000501A1 (de) Passivierende und leitende Schichtstruktur für Solarzellen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20130314

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee