DE10262115B4 - Integrierte Schaltungsvorrichtung mit einer Vielzahl an gestapelten Kondensatoren, Metall-Isolator-Metall-Kondensator sowie Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

Integrierte Schaltungsvorrichtung mit einer Vielzahl an gestapelten Kondensatoren, Metall-Isolator-Metall-Kondensator sowie Herstellungsverfahren dafür Download PDF

Info

Publication number
DE10262115B4
DE10262115B4 DE10262115A DE10262115A DE10262115B4 DE 10262115 B4 DE10262115 B4 DE 10262115B4 DE 10262115 A DE10262115 A DE 10262115A DE 10262115 A DE10262115 A DE 10262115A DE 10262115 B4 DE10262115 B4 DE 10262115B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
conductive
ruthenium
upper electrode
oxide layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10262115A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Jae-Hyun Joo
Wan-don Yongin Kim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE10262115B4 publication Critical patent/DE10262115B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60Capacitors
    • H10D1/68Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60Capacitors
    • H10D1/68Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692Electrodes
    • H10D1/696Electrodes comprising multiple layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/01Manufacture or treatment
    • H10D1/041Manufacture or treatment of capacitors having no potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60Capacitors
    • H10D1/68Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692Electrodes
    • H10D1/694Electrodes comprising noble metals or noble metal oxides

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
DE10262115A 2001-12-05 2002-12-04 Integrierte Schaltungsvorrichtung mit einer Vielzahl an gestapelten Kondensatoren, Metall-Isolator-Metall-Kondensator sowie Herstellungsverfahren dafür Expired - Lifetime DE10262115B4 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2001/0076560 2001-12-05
KR10-2001-0076560A KR100438781B1 (ko) 2001-12-05 2001-12-05 금속-절연체-금속 캐패시터 및 그 제조방법
DE10256713A DE10256713B4 (de) 2001-12-05 2002-12-04 Verfahren zur Herstellung eines Speicherungsknotenpunktes eines gestapelten Kondensators

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10262115B4 true DE10262115B4 (de) 2011-03-17

Family

ID=19716654

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10262115A Expired - Lifetime DE10262115B4 (de) 2001-12-05 2002-12-04 Integrierte Schaltungsvorrichtung mit einer Vielzahl an gestapelten Kondensatoren, Metall-Isolator-Metall-Kondensator sowie Herstellungsverfahren dafür
DE10256713A Expired - Lifetime DE10256713B4 (de) 2001-12-05 2002-12-04 Verfahren zur Herstellung eines Speicherungsknotenpunktes eines gestapelten Kondensators

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10256713A Expired - Lifetime DE10256713B4 (de) 2001-12-05 2002-12-04 Verfahren zur Herstellung eines Speicherungsknotenpunktes eines gestapelten Kondensators

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6946341B2 (OSRAM)
JP (1) JP2003188283A (OSRAM)
KR (1) KR100438781B1 (OSRAM)
DE (2) DE10262115B4 (OSRAM)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6909137B2 (en) * 2003-04-07 2005-06-21 International Business Machines Corporation Method of creating deep trench capacitor using a P+ metal electrode
KR100641546B1 (ko) * 2004-12-16 2006-11-01 동부일렉트로닉스 주식회사 금속-절연체-금속 커패시터의 제조 방법
KR100760632B1 (ko) * 2006-03-03 2007-09-20 삼성전자주식회사 커패시터 형성 방법
US7384800B1 (en) * 2006-12-05 2008-06-10 Spansion Llc Method of fabricating metal-insulator-metal (MIM) device with stable data retention
DE102007022748B4 (de) * 2007-05-15 2009-03-05 Qimonda Ag Verfahren zur Strukturierung eines Materials und strukturiertes Material
KR101583516B1 (ko) * 2010-02-25 2016-01-11 삼성전자주식회사 전극 구조체를 구비하는 캐패시터, 이의 제조 방법 및 전극 구조체를 포함하는 반도체 장치
KR20130078965A (ko) * 2012-01-02 2013-07-10 에스케이하이닉스 주식회사 다성분계 유전막 형성 방법 및 반도체장치 제조 방법
US12057322B2 (en) * 2019-10-21 2024-08-06 Tokyo Electron Limited Methods for etching metal films using plasma processing
CN117715408A (zh) * 2022-09-07 2024-03-15 长鑫存储技术有限公司 一种半导体结构的制造方法及半导体结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794680A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5504041A (en) * 1994-08-01 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials
US5792593A (en) * 1995-02-28 1998-08-11 Micron Technology, Inc. Method for forming a structure using redeposition of etchable layer
EP0889519A2 (en) * 1997-06-30 1999-01-07 Texas Instruments Incorporated An integrated circuit capacitor
US6265740B1 (en) * 1999-03-30 2001-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device capacitor using a fill layer and a node on an inner surface of an opening

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100228760B1 (ko) * 1995-12-20 1999-11-01 김영환 반도체소자의 캐패시터 형성방법
KR980006341A (ko) * 1996-06-27 1998-03-30 김주용 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100239417B1 (ko) * 1996-12-03 2000-01-15 김영환 반도체 소자의 커패시터 및 그의 제조방법
US5879975A (en) * 1997-09-05 1999-03-09 Advanced Micro Devices, Inc. Heat treating nitrogen implanted gate electrode layer for improved gate electrode etch profile
JPH11330397A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2000200885A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Seiko Epson Corp キャパシタ―の製造方法
KR100390938B1 (ko) * 2000-02-09 2003-07-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100799048B1 (ko) * 2000-06-28 2008-01-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 제조 방법
KR100415516B1 (ko) * 2000-06-28 2004-01-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
JP2002151656A (ja) * 2000-11-14 2002-05-24 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
KR20020058524A (ko) * 2000-12-30 2002-07-12 박종섭 캐패시터의 하부전극

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794680A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5504041A (en) * 1994-08-01 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials
US5792593A (en) * 1995-02-28 1998-08-11 Micron Technology, Inc. Method for forming a structure using redeposition of etchable layer
EP0889519A2 (en) * 1997-06-30 1999-01-07 Texas Instruments Incorporated An integrated circuit capacitor
US6265740B1 (en) * 1999-03-30 2001-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device capacitor using a fill layer and a node on an inner surface of an opening

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003188283A (ja) 2003-07-04
DE10256713B4 (de) 2006-10-26
KR100438781B1 (ko) 2004-07-05
US6946341B2 (en) 2005-09-20
US20030142458A1 (en) 2003-07-31
KR20030046126A (ko) 2003-06-12
DE10256713A1 (de) 2003-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10226381B4 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiter-vorrichtung mit einem dünnfilm-kondensator
DE10142580B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Grabenstrukturkondensatoreinrichtung
DE10227346B4 (de) Ferroelektrische Speichervorrichtung, die eine ferroelektrische Planarisationsschicht verwendet, und Herstellungsverfahren
DE10131716B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für eine Halbleiterspeichervorrichtung durch eine zweistufige Thermalbehandlung
DE10163345B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement
DE19904781A1 (de) Dielektrischer Kondensator, Verfahren zum Herstellen desselben und dielektrischer Speicher mit diesem
DE19930295C2 (de) Säulenförmiger Speicherknoten eines Kondensators und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19838741A1 (de) Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators
DE10131627A1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE10262115B4 (de) Integrierte Schaltungsvorrichtung mit einer Vielzahl an gestapelten Kondensatoren, Metall-Isolator-Metall-Kondensator sowie Herstellungsverfahren dafür
DE10012198B4 (de) Zylindrisches Kondensatorbauelement mit innenseitigem HSG-Silicium und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1202333B1 (de) Speicherkondensator und zugehörige Kontaktierungsstruktur sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE19712540C1 (de) Herstellverfahren für eine Kondensatorelektrode aus einem Platinmetall
DE19963500C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer strukturierten metalloxidhaltigen Schicht, insbesondere einer ferroelektrischen oder paraelektrischen Schicht
DE19620185A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleitereinrichtung
DE10022655C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Kondensatorstrukturen
DE10248704B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vertiefungsstruktur für Hoch-K-Stapelkondensatoren in DRAMs und FRAMs
DE10121657B4 (de) Mikroelektronische Struktur mit Wasserstoffbarrierenschicht
DE10152636B4 (de) Chain-FeRAM-Speichereinrichtung
DE19959711A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallschicht
DE19842684C1 (de) Auf einem Stützgerüst angeordneter Kondensator in einer Halbleiteranordnung und Herstellverfahren
DE10009762B4 (de) Herstellungsverfahren für einen Speicherkondensator mit einem Dielektrikum auf der Basis von Strontium-Wismut-Tantalat
DE19743268C2 (de) Kondensator mit einer Barriereschicht aus einem Übergangsmetall-Phosphid, -Arsenid oder -Sulfid, Herstellungsverfahren für einen solchen Kondensator sowie Halbleiterspeicheranordnung mit einem solchen Kondensator
EP1202332B1 (de) Kontaktierungsstruktur für einen ferroelektrischen Speicherkondensator und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19929723B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Elektrode

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
Q172 Divided out of (supplement):

Ref document number: 10256713

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

8110 Request for examination paragraph 44
8181 Inventor (new situation)

Inventor name: KIM, WAN-DON, YONGIN, KYONGGI, KR

Inventor name: JOO, JAE-HYUN, SEOUL/SOUL, KR

AC Divided out of

Ref document number: 10256713

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

AC Divided out of

Ref document number: 10256713

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

R020 Patent grant now final

Effective date: 20110703

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027108000

Ipc: H10B0012000000

R071 Expiry of right