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QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
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Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der am 03. Dezember 2018 eingereichten
koreanischen Anmeldung Nr. 10-2018-0153938 , die hierin durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit eingeschlossen ist.
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HINTERGRUND
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Anwendungsgebiet
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Die vorliegende Offenbarung bezieht sich im Allgemeinen auf Halbleiterpakete.
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Beschreibung des Standes der Technik
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Halbleiterpakete können konfiguriert werden, um einen Halbleiter-Chip einzuschließen, der auf einem Paketsubstrat montiert ist. Das Paketsubstrat kann eine mit dem Halbleiter-Chip verbundene Schaltungsverbindungsstruktur einschließen. Die Schaltungsverbindungsstruktur kann konfiguriert werden, um eine Masseleitung, eine Stromleitung und Signalleitungen zum Übertragen elektrischer Signale einzuschließen. Da in elektronischen Hochleistungssystemen schnelle Halbleiter-Chips mit hoher Geschwindigkeit benötigt werden, werden hochfrequente Signale über die Signalleitungen der Schaltungsverbindungsstruktur übertragen. Die hochfrequenten Signale haben eine relativ kurze Wellenlänge, was zu unerwünschtem Nebensprechen zwischen den hochfrequenten Signalen führt, was zu Zuverlässigkeitsproblemen führt.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Gemäß einer Ausführungsform schließt ein Halbleiterpaket ein Paketsubstrat mit einem Substratkörper und ein auf dem Paketsubstrat montiertes Halbleiter-Chip ein. Das Paketsubstrat schließt zweite und dritte Pad-Bonding-Abschnitte ein, angeordnet auf dem Substratkörper und jeweils auf beiden Seiten eines ersten Pad-Bonding-Abschnitts platziert, der auf dem Substratkörper angeordnet ist, erste bis dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte, die auf dem Substratkörper angeordnet sind und von den ersten bis dritten Pad-Bonding-Abschnitten beabstandet sind, und einen ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt, der sich erstreckt, um den ersten Pad-Bonding-Abschnitt mit dem ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt zu verbinden. Das Paketsubstrat beinhaltet ferner einen zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt, der mit dem zweiten Pad-Bonding-Abschnitt verbunden ist, wobei der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt im Wesentlichen parallel zum ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt verläuft, und einen ersten Guard-Trace-Abschnitt mit einem Endabschnitt, der vom dritten Pad-Bonding-Abschnitt beabstandet ist und sich erstreckt, um im Wesentlichen parallel zum ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt zu sein. Das Paketsubstrat schließt auch einen ersten Verbindungsebenen-Abschnitt ein, der von dem ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte beabstandet ist, der den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte umgibt und elektrisch umgeht, um den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt mit dem ersten Guard-Trace-Abschnitt zu verbinden, und den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt mit dem zweiten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte zu verbindet. Das Paketsubstrat schließt zusätzlich einen zweiten Verbindungsebenen-Abschnitt ein, der den dritten Pad-Bonding-Abschnitt mit dem dritten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte verbindet.
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Figurenliste
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- 1 zeigt eine Querschnittsansicht, die ein Halbleiterpaket gemäß einer Ausführungsform darstellt.
- 2 zeigt eine Draufsicht, die eine Schaltungsverbindungsstruktur eines Halbleiterpakets gemäß einer Ausführungsform darstellt.
- 3 zeigt eine Querschnittsansicht eines Halbleiterpakets entlang einer Linie X2-X2' von 2.
- 4 zeigt eine Querschnittsansicht eines Halbleiterpakets entlang einer Linie X3-X3' von 2.
- 5 zeigt eine Draufsicht, die eine Schaltungsverbindungsstruktur eines Halbleiterpakets gemäß einer Ausführungsform darstellt.
- 6 zeigt eine Draufsicht, die eine Schaltungsverbindungsstruktur eines Halbleiterpakets gemäß einer Ausführungsform darstellt.
- 7 zeigt ein Blockdiagramm, das ein elektronisches System veranschaulicht, das eine Speicherkarte mit einem Halbleiterpaket gemäß einer Ausführungsform verwendet.
- 8 zeigt ein Blockdiagramm, das ein elektronisches System mit einem Halbleiterpaket gemäß einer Ausführungsform darstellt.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Die hierin verwendeten Begriffe können Wörtern entsprechen, die unter Berücksichtigung ihrer Funktionen in den Ausführungsformen ausgewählt wurden, und die Bedeutungen der Begriffe können so ausgelegt werden, dass sie sich je nach gewöhnlichen Fähigkeiten in dem Fachgebiet, zu dem die Ausführungsformen gehören, unterscheiden. Wenn die Begriffe im Detail definiert sind, können sie gemäß den Definitionen ausgelegt werden. Sofern nicht anders definiert, haben die hierin verwendeten Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe) die gleiche Bedeutung, wie sie allgemein von demjenigen mit gewöhnlichen Fähigkeiten in dem Fachgebiet, zu der die Ausführungsformen gehören, verstanden werden.
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Es versteht sich, dass, obwohl die Begriffe „erste“, „zweite“, „dritte“ usw. hierin zur Beschreibung verschiedener Elemente verwendet werden können, diese Elemente nicht durch diese Begriffe eingeschränkt werden sollten. Diese Begriffe werden nur zur Unterscheidung eines Elements von einem anderen Element verwendet und nicht, um eine bestimmte Anzahl oder Reihenfolge der Elemente vorzuschlagen oder zu definieren.
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Es versteht sich auch, dass, wenn ein Element oder eine Schicht als „auf“, „über“, „unter“, „hinter“ oder „außerhalb“ eines anderen Elements oder einer anderen Schicht bezeichnet wird, das Element oder die Schicht in direktem Kontakt mit dem anderen Element oder der anderen Schicht stehen kann oder dazwischenliegende Elemente oder Schichten vorhanden sein können. Andere Wörter, die zur Beschreibung der Beziehung zwischen Elementen oder Schichten verwendet werden, sollten in ähnlicher Weise interpretiert werden (z.B. „zwischen“ versus „direkt zwischen“ oder „angrenzend“ versus „direkt angrenzend “).
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Räumlich relative Begriffe wie „unterhalb“, „darunter“, „unter“, „darüber“, „obere“, „höchste“, „untere“ und dergleichen können verwendet werden, um ein Element und / oder die Beziehung eines Merkmals zu (einem) anderen Element(en) und / oder Merkmal(en) zu beschreiben, wie sie beispielsweise in den Figuren dargestellt ist. Es versteht sich, dass die räumlich relativen Begriffe neben der in den Abbildungen dargestellten Orientierung auch verschiedene Ausrichtungen der verwendeten und / oder betriebenen Vorrichtung umfassen sollen. Wenn beispielsweise die Vorrichtung in den Figuren umgedreht wird, währen die Elemente, die als unter und / oder neben anderen Elementen oder Merkmalen beschrieben werden, dann über den anderen Elementen oder Merkmalen ausgerichtet. Die Vorrichtung kann anders ausgerichtet sein (um 90 Grad gedreht oder in anderen Ausrichtungen) und die hierin verwendeten räumlich relativen Deskriptoren könnten entsprechend interpretiert werden.
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In den nachfolgend dargestellten Ausführungsformen kann ein Halbleiterpaket elektronische Vorrichtungen, wie beispielsweise Halbleiter-Chips oder Halbleiter-Dies, einschließen. Die Halbleiter-Chips oder die Halbleiter-Dies können durch Trennen eines Halbleitersubstrats, wie beispielsweise eines Wafers, in eine Vielzahl von Teilen unter Verwendung eines Die-Sägeverfahrens erhalten werden. Die Halbleiter-Chips können Speicherchips, Logik-Chips (einschließlich anwendungsspezifischer integrierter Schaltungen (ASIC-Chips)) oder System-on-Chips (SoC) entsprechen. Die Speicherchips können dynamische DRAM-Schaltungen (Dynamic Random Access Memory), statische SRAM-Schaltungen (Static Random Access Memory), NAND-Schaltungen (NAND Type Flash Memory), NOR-Schaltungen (NOR Type Flash Memory), magnetische MRAM-Schaltungen (Magnetic Random Access Memory), resistive ReRAM-Schaltungen (Resistive Random Access Memory), ferroelektrische FeRAM-Schaltungen (Ferroelectric Random Access Memory) oder auf dem Halbleitersubstrat integrierte PcRAM-Schaltungen (Phase Change Random Access Memory) einschließen. Die Logik-Chips können Logikschaltungen einschließen, die auf dem Halbleitersubstrat integriert sind. Das Halbleiterpaket kann in Kommunikationssystemen wie Mobiltelefonen, elektronischen Systemen im Zusammenhang mit Biotechnologie oder Gesundheitswesen oder tragbaren elektronischen Systemen eingesetzt werden.
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Gleiche Referenznummern beziehen sich auf dieselben Elemente in der gesamten Spezifikation. Auch wenn eine Referenznummer nicht mit Bezug auf eine Figur erwähnt oder beschrieben wird, kann die Referenznummer mit Bezug auf eine andere Figur erwähnt oder beschrieben werden. Auch wenn eine Referenznummer in einer Figur nicht dargestellt ist, kann sie mit Bezug auf eine andere Figur erwähnt oder beschrieben werden.
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1 zeigt eine Querschnittsansicht, die ein Halbleiterpaket 10 gemäß einer Ausführungsform darstellt. 2 zeigt eine Draufsicht, die eine Schaltungsverbindungsstruktur 100 eines Paketsubstrats 200S veranschaulicht, das in dem Halbleiterpaket 10 von 1 eingeschlossen ist. 1 zeigt eine Querschnittsansicht des Halbleiterpakets 10 mit einer Querschnittsansicht entlang einer Linie X1-X1' von 2. 3 zeigt eine Querschnittsansicht des Halbleiterpakets 10 mit einer Querschnittsansicht entlang einer Linie X2-X2' von 2. 4 zeigt eine Querschnittsansicht des Halbleiterpakets 10 mit einer Querschnittsansicht entlang einer Linie X3-X3' von 2.
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Unter Bezugnahme auf 1 kann das Halbleiterpaket 10 konfiguriert werden, um das Paketsubstrat 200S und einen Halbleiter-Chip 500C einzuschließen. Der Halbleiter-Chip 500C kann einen Chip-Körper 500 einschließen, in oder auf dem eine Integrationsschaltung gebildet ist. Chip-Pads 510 können auf einer Oberfläche 501 des Chip-Körpers 500 angeordnet werden. Die Chip-Pads 510 können Signal-Pads einschließen, die Datensignale an den Halbleiter-Chip 500C oder das Paketsubstrat 200S übertragen, ein Ground-Pad, das eine Massespannung an den Halbleiter-Chip 500C sendet, und ein Power-Pad, das eine Netzspannung an den Halbleiter-Chip 500C überträgt.
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Der Halbleiter-Chip 500C kann auf dem Paketsubstrat 200S montiert werden. Der Halbleiter-Chip 500C kann mit dem Paketsubstrat 200S in einer Flip-Chip-Form gebonded werden, so dass die Chip-Pads 510 des Halbleiter-Chips 500C dem Paketsubstrat 200S zugewandt sind. Der Halbleiter-Chip 500C kann elektrisch mit dem Paketsubstrat 200S über innere Verbinder 560 verbunden werden, die sich zwischen dem Halbleiter-Chip 500C und dem Paketsubstrat 200S befinden. Die inneren Verbinder 560 können Unebenheiten aufweisen. Auf der Oberfläche 501 des Chip-Körpers 500 kann eine Passivierungsschicht 540 angeordnet werden, um die Chip-Pads 510 freizulegen. Die Passivierungsschicht 540 kann so ausgebildet werden, dass sie eine dielektrische Schicht einschließt.
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Das Paketsubstrat 200S kann ein Verbindungselement sein, das den Halbleiter-Chip 500C elektrisch mit einer externen Vorrichtung (nicht dargestellt) verbindet. Das Paketsubstrat 200S kann mit einer Leiterplatten (PCB) - Struktur ausgeführt werden.
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Das Paketsubstrat 200S kann konfiguriert werden, um den Substratkörper 200 einzuschließen. Der Substratkörper 200 kann eine dielektrische Schicht einschließen. Der Substratkörper 200 kann eine erste Oberfläche 201 aufweisen, auf der der Halbleiter-Chip 500C angeordnet ist, und eine zweite Oberfläche 203, die dem Halbleiter-Chip 500C gegenüberliegt. Äußere Anschlüsse 600 können an der zweiten Oberfläche 203 des Substratkörpers 200 befestigt werden. Die äußeren Anschlüsse 600 können Verbindungselemente sein, um das Halbleiterpaket 10 elektrisch mit einer externen Vorrichtung zu verbinden. Die äußeren Anschlüsse 600 können Verbindungselemente, z.B. Lötkugeln, sein.
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Äußere Verbinder-Anlegeabschnitte 260 können auf der zweiten Oberfläche 203 des Substratkörpers 200 angeordnet werden. In diesem Fall können die äußeren Verbinder 600 mit den äußeren Verbinder-Anlegeabschnitten 260 gebonded werden. Die äußeren Verbinder-Anlegeabschnitte 260 können Leiterbilder sein. Eine zweite dielektrische Schicht 430 kann auf der zweiten Oberfläche 203 des Substratkörpers 200 angeordnet werden, um die äußeren Verbinder-Anlegeabschnitte 260 freizulegen. Die zweite dielektrische Schicht 430 kann gebildet werden, um eine Löt-Resistschicht aufzunehmen.
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Leitfähige Durchkontaktierungen 240 können so angeordnet werden, dass sie vertikal in den Substratkörper 200 eindringen. Die leitfähigen Durchkontaktierungen 240 können elektrisch mit den äußeren Verbinder-Anlegeabschnitten 260 verbunden sein, die auf der zweiten Oberfläche 203 des Substratkörpers 200 angeordnet sind. Die leitfähigen Durchkontaktierungen 240 können jeweils so angeordnet werden, dass sie sich mit den äußeren Verbinder-Anlegeabschnitten 260 in einer Draufsicht überlappen. Obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt, können zusätzlich leitfähige Verbindungs-Trace-Abschnitte auf der zweiten Oberfläche 203 des Substratkörpers 200 angeordnet werden, um die leitfähigen Durchkontaktierungen 240 mit den äußeren Verbinder-Anlegeabschnitten 260 elektrisch zu verbinden, wenn die leitfähigen Durchkontaktierungen 240 seitlich versetzt zu den äußeren Verbinder-Anlegeabschnitten 260 angeordnet sind.
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Die Schaltungsverbindungsstruktur 100 kann auf der ersten Oberfläche 201 des Substratkörpers 200 angeordnet sein. Die Schaltungsverbindungsstruktur 100 kann Leiterbilder einschließen. Die Schaltungsverbindungsstruktur 100 kann so angeordnet werden, dass sie die leitfähigen Durchkontaktierungen 240 mit den inneren Anschlüssen 560 elektrisch verbindet. Die Schaltungsverbindungsstruktur 100 kann aus Leiterbildern bestehen, die die leitfähigen Durchkontaktierungen 240 und den Halbleiter-Chip 500C elektrisch verbinden. Eine erste dielektrische Schicht 410 kann auf der ersten Oberfläche 201 des Substratkörpers 200 angeordnet sein, um Abschnitte der Schaltungsverbindungsstruktur 100 freizulegen.
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Unter Bezugnahme auf die 1 und 2 kann die Schaltungsverbindungsstruktur 100, die auf der ersten Oberfläche 201 des Substratkörpers 200 angeordnet ist, konfiguriert werden, um erste bis fünfte Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212, 213, 214 und 215 aufzunehmen. Die ersten bis fünften Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212, 213, 214 und 215 können Leiterbilder sein. Die dritten, ersten, zweiten, vierten und fünften Pad-Bonding-Abschnitte 213, 211, 212, 214 und 215 können sequentiell in einer ersten Reihe angeordnet sein, die die Linie X1-X1' von 2 schneidet. Die Schaltungsverbindungsstruktur 100 kann ferner eine Vielzahl von sechsten Pad-Bonding-Abschnitten 217 einschließen, und die sechsten Pad-Bonding-Abschnitte 217 können sequentiell in einer zweiten Reihe angeordnet sein, die von der ersten Reihe beabstandet ist. Die sechsten Pad-Bonding-Abschnitte 217 können so angeordnet werden, dass sie jeweils den dritten, ersten, zweiten, vierten und fünften Pad-Bonding-Abschnitten 213, 211, 212, 214 und 215 gegenüberliegen.
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Die dritten, ersten, zweiten, vierten und fünften Pad-Bonding-Abschnitte 213, 211, 212, 214 und 215 können jeweils elektrisch mit den entsprechenden Chip-Pads 510 des Halbleiter-Chips 500C verbunden sein. Die sechsten Pad-Bonding-Abschnitte 217 können auch jeweils elektrisch mit den entsprechenden Chip-Pads 510 des Halbleiter-Chips 500C verbunden sein. Die dritten, ersten, zweiten, vierten und fünften Pad-Bonding-Abschnitte 213, 211, 212, 214 und 215 und die sechsten Pad-Bonding-Abschnitte 217 können jeweils an Positionen angeordnet sein, die sich in einer Draufsicht mit den Chip-Pads 510 des Halbleiter-Chips 500C überschneiden. Die dritten, ersten, zweiten, zweiten, vierten und fünften Pad-Bonding-Abschnitte 213, 211, 212, 214 und 215 und die sechsten Pad-Bonding-Abschnitte 217 können jeweils elektrisch mit den Chip-Pads 510 des Halbleiter-Chips 500C über die inneren Verbinder 560 verbunden sein.
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Die ersten bis vierten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte 231, 232, 233 und 234 können auf der ersten Oberfläche 201 des Substratkörpers 200 angeordnet sein, um einen Abschnitt der Schaltungsverbindungsstruktur 100 zu bilden. Die ersten bis vierten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte 231, 232, 233 und 234 können so angeordnet werden, um in einer Draufsicht von den ersten bis sechsten Pad-Bonding-Abschnitten 211, 212, 213, 214, 215 und 217 beabstandet angeordnet zu sein. Die ersten bis vierten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte 231, 232, 233 und 234 können so angeordnet werden, um sich in einer Draufsicht mit den leitfähigen Durchkontaktierungen (240 von 1) zu überlappen. Wie beispielsweise in 1 dargestellt, kann der erste Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 so angeordnet sein, dass er mit einer ersten leitfähigen Durchkontaktierung 241 überlappt, die in den leitfähigen Durchkontaktierungen 240 enthalten ist, und mit der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 241 elektrisch verbunden sein.
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Erste bis dritte Verbindungs-Trace-Abschnitte 251, 252 und 254 und erste und zweite Guard-Trace-Abschnitte 253 und 255 können auf der ersten Oberfläche 201 des Substratkörpers 200 angeordnet sein, um einen Abschnitt der Schaltungsverbindungsstruktur 100 zu bilden. Die ersten bis dritten Verbindungs-Trace-Abschnitte 251, 252 und 254 und die ersten und zweiten Guard-Trace-Abschnitte 253 und 255 können linienförmige Traces sein.
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Der erste Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 kann sich erstrecken, um den ersten Pad-Bonding-Abschnitt 211 mit dem ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 zu verbinden. Der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 kann mit dem zweiten Pad-Bonding-Abschnitt 212 verbunden und parallel zum ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 angeordnet sein. Der dritte Verbindungs-Trace-Abschnitt 254 kann sich erstrecken, um den vierten Pad-Bonding-Abschnitt 214 mit dem vierten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 234 zu verbinden. Die ersten bis dritten Verbindungs-Trace-Abschnitte 251, 252 und 254 können so angeordnet sein, dass sie um einen bestimmten Abstand voneinander beabstandet sind. Die ersten bis dritten Verbindungs-Trace-Abschnitte 251, 252 und 254 können sich parallel zueinander erstrecken. In weiteren Ausführungsformen können die Trace-Abschnitte im Wesentlichen parallel angeordnet zueinander sein. Im Wesentlichen parallel bedeutet, dass sich die Trace-Abschnitte nicht über ihre Länge schneiden oder kreuzen.
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Der erste Guard-Trace-Abschnitt 253 kann so angeordnet werden, dass ein Endabschnitt 253E des ersten Guard-Trace-Abschnitts 253 von dem dritten Pad-Bonding-Abschnitt 213 beabstandet ist und angrenzend an diesen liegt. Der erste Guard-Trace-Abschnitt 253 kann sich parallel zum ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 erstrecken. Der erste Guard-Trace-Abschnitt 253 kann auf einer Seite des ersten Verbindungs-Trace-Abschnitts 251 gegenüber dem zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 angeordnet sein. Der erste Guard-Trace-Abschnitt 253 und der erste Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 können nebeneinander angeordnet sein, um in einem bestimmten Abstand voneinander beabstandet zu sein. Der zweite Guard-Trace-Abschnitt 255 kann so angeordnet werden, dass ein Endabschnitt 255E des zweiten Guard-Trace-Abschnitts 255 von dem fünften Pad-Bonding-Abschnitt 215 beabstandet ist und angrenzend an diesen liegt. Der zweite Guard-Trace-Abschnitt 255 kann sich parallel zum dritten Verbindungs-Trace-Abschnitt 254 erstrecken. Der zweite Guard-Trace-Abschnitt 255 kann auf einer Seite des dritten Verbindungs-Trace-Abschnitts 254 gegenüber dem zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 angeordnet sein.
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Erste und zweite Verbindungsebenen-Abschnitte 271 und 273 können auf der ersten Oberfläche 201 des Substratkörpers 200 angeordnet sein, um einen Abschnitt der Schaltungsverbindungsstruktur 100 zu bilden. Die ersten und zweiten Verbindungsebenen-Abschnitte 271 und 273 können Leiterbilder sein, von denen jeder eine relativ große planare Fläche im Vergleich zu den Verbindungsbahnabschnitten 251, 254 und den Guard-Trace-Abschnitten 253, 255 aufweist. Die ersten und zweiten Verbindungsebenen-Abschnitte 271 und 273 können Leiterbilder sein, die von den Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitten 231 und 234 elektrisch isoliert sind.
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In einer Ausführungsform kann der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 so angeordnet sein, dass er um einen bestimmten Abstand vom ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 beabstandet angeordnet ist. Der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 kann so angeordnet sein, dass er den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 in einer Draufsicht teilweise umgrenzt. Der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 kann sich erstrecken, um den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 mit dem ersten Guard-Trace-Abschnitt 253 zu verbinden und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 elektrisch zu überbrücken oder umgehen. Der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 kann sich weiter erstrecken, um den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 mit dem zweiten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 zu verbinden. Der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 kann ein Leiterbilder sein, das den zweiten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 einschließt. Das heißt, der zweite Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 kann einem Abschnitt des ersten Verbindungsebenen-Abschnitts 271 entsprechen.
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Der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 kann sich zusätzlich erstrecken, um vom vierten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 234 beabstandet angeordnet zu sein. Der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 kann sich erstrecken, um den vierten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 234 in einer Draufsicht teilweise zu umgrenzen und elektrisch zu überbrücken oder zu umgehen. Der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 kann sich erstrecken, um den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 mit dem zweiten Guard-Trace-Abschnitt 255 zu verbinden. Der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 kann den ersten und zweiten Guard-Trace-Abschnitt 253 und 255 elektrisch mit dem zweiten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 verbinden.
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Der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 kann angeordnet werden, um den dritten Pad-Bonding-Abschnitt 213 mit dem dritten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 zu verbinden. Der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 kann konfiguriert werden, um den dritten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 einzuschließen. Das heißt, der dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 kann einem Abschnitt des zweiten Verbindungsebenen-Abschnitts 273 entsprechen. Der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 kann sich so erstrecken, dass eine Seitenfläche 273S des zweiten Verbindungsebenen-Abschnitts den ersten, zweiten und vierten Pad-Bonding-Abschnitten 211, 212 und 214 zugewandt ist. Der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 kann sich weiter erstrecken, um den fünften Pad-Bonding-Abschnitt 215 mit dem dritten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 zu verbinden. Der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 kann so angeordnet sein, dass er von den ersten, zweiten und vierten Pad-Bonding-Abschnitten 211, 212 und 214 um einen bestimmten Abstand beabstandet angeordnet ist. So kann beispielsweise der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 die ersten, zweiten und vierten Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212 und 214 teilweise umgrenzen und elektrisch überbrücken oder umgehen, wie in der Draufsicht von 2 dargestellt.
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Unter Bezugnahme auf 2 können sich der erste Guard-Trace-Abschnitt 253 und der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 jeweils auf beiden Seiten des ersten Verbindungs-Trace-Abschnitts 251 befinden. Wie hierin für verschiedene Ausführungsformen verwendet, bedeuten erste und zweite Abschnitte, die jeweils auf beiden Seiten eines dritten Abschnitts angeordnet sind, dass sich der dritte Abschnitt zwischen dem ersten und zweiten Abschnitt befindet. So bedeutet beispielsweise die Anordnung des ersten Guard-Trace-Abschnitts 253 und des zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitts 252 auf beiden Seiten des ersten Verbindungs-Trace-Abschnitts 251, dass sich der erste Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 zwischen dem ersten Guard-Trace-Abschnitt 253 und dem zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 befindet. Der zweite Guard-Trace-Abschnitt 255 und der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 können sich auf beiden Seiten des dritten Verbindungs-Trace-Abschnitts 254 befinden. Der erste Guard-Trace-Abschnitt 253, der erste Verbindungs-Trace-Abschnitt 251, der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252, der dritte Verbindungs-Trace-Abschnitt 254 und der zweite Guard-Trace-Abschnitt 255 können nacheinander in einer Richtung parallel zur ersten Reihe angeordnet werden. Dementsprechend können die dritten, ersten, zweiten, vierten und fünften Pad-Bonding-Abschnitte 213, 211, 212, 214 und 215 auch in der ersten Reihe sequentiell angeordnet sein.
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Der erste Guard-Trace-Abschnitt 253 und der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 können sich jeweils auf beiden Seiten des dritten Pad-Bonding-Abschnitts 213 befinden. Darüber hinaus können der erste Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 auf beiden Seiten des ersten Pad-Bonding-Abschnitts 211 angeordnet sein. Da der erste Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 mit dem ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und der dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 mit dem zweiten Verbindungsebenen-Abschnitt 273 verbunden ist, können der erste Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 und der dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 jeweils an beiden Seiten des ersten Pad-Bonding-Abschnitts 211 angeordnet sein. Als eine Ausführungsform befindet sich der erste Pad-Bonding-Abschnitt 211 zwischen dem ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 und dem dritten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233.
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Der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 und der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 können sich jeweils auf beiden Seiten des zweiten Pad-Bonding-Abschnitts 212 befinden. Da der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 mit dem zweiten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 durch den ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 verbunden ist, können der zweite Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 und der dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 an beiden Seiten des zweiten Pad-Bonding-Abschnitts 212 angeordnet sein. Für eine Ausführungsform befindet sich der zweite Pad-Bonding-Abschnitt 212 zwischen dem zweiten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 und dem dritten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233.
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Der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 kann zwischen einem Pad-Bonding-Abschnitt einer ersten Reihe angeordnet sein, der die ersten bis fünften Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212, 213, 214 und 215 einschließt, die in der ersten Reihe angeordnet sind, und einem Pad-Bonding-Abschnitt einer zweiten Reihe angeordnet sein, der den sechsten Pad-Bonding-Abschnitt 217 einschließt, welcher in der zweiten Reihe angeordnet ist. Somit können der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 jeweils auf beiden Seiten des Pad-Bonding-Abschnitt einer ersten Reihe angeordnet sein, die ersten bis fünften Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212, 213, 214 und 215 einschließend. Für eine Ausführungsform befindet sich die erste Reihe, in der die ersten bis fünften Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212, 213, 214 und 215 angeordnet sind, zwischen dem ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und dem zweiten Verbindungsebenen-Abschnitt 273. In einigen Fällen sind die ersten Seiten der ersten bis fünften Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212, 213, 214 und 215 gegenüber der ersten Verbindungsebene 271 und dem zweiten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 angeordnet oder auf diese gerichtet. Die zweiten Seiten der ersten bis fünften Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212, 213, 214 und 215 sind gegenüber dem zweiten Verbindungsebenen-Abschnitt 273 und dem dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 angeordnet oder auf diese gerichtet.
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Unter Bezugnahme auf die 1 und 2 können der erste Pad-Bonding-Abschnitt 211, der erste Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und der erste Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 eine erste Datensignalleitung bilden. Die erste Datensignalleitung kann eine Signalleitung sein, die ein Datensignal an den Halbleiter-Chip 500C überträgt. Die erste Datensignalleitung kann ferner die erste leitfähige Durchkontaktierung 241 einschließen, einen ersten äußeren Connector-Landing-Abschnitt 261, der in den äußeren Connector-Landing-Abschnitten 260 eingeschlossen ist, und einen ersten äußeren Verbinder 601, der in den äußeren Verbindern 600 eingeschlossen ist, die in Reihe mit dem ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 verbunden sind. Ebenso kann eine zweite Datensignalleitung den vierten Pad-Bonding-Abschnitt 214, den dritten Verbindungs-Trace-Abschnitt 254 und den vierten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 234 einschließen.
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Unter Bezugnahme auf die 2 und 3 können der zweite Pad-Bonding-Abschnitt 212, der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252, der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und der zweite Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 eine Masseleitung bilden. Die Masseleitung kann einen elektrischen Pfad zum Bereitstellen einer Massespannung an den Halbleiter-Chip 500C bereitstellen. Wie in 4 dargestellt, kann die Masseleitung ferner eine zweite leitfähige Durchkontaktierung 242 einschließen, die in den leitfähigen Durchkontaktierungen 240 eingeschlossen ist, einen zweiten äußeren Connector-Landing-Abschnitt 262, der in den äußeren Connector-Landing-Abschnitten 260 eingeschlossen ist, und einen zweiten äußeren Verbinder 602, der in den äußeren Verbindern 600 eingeschlossen ist, die in Reihe mit dem zweiten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 232 verbunden sind. Die ersten und zweiten Guard-Trace-Abschnitte 253 und 255 können auch über den zu erdenden ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 elektrisch mit der Masseleitung verbunden sein.
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Unter Bezugnahme auf die 2 und 4 können der dritte Pad-Bonding-Abschnitt 213, der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 und der dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 eine erste Stromleitung bilden. Die erste Stromleitung kann einen elektrischen Pfad zum Anlegen einer Netzspannung an den Halbleiter-Chip 500C bereitstellen. Wie in 3 dargestellt, kann die erste Stromleitung ferner eine dritte leitfähige Durchkontaktierung 243, die in den leitfähigen Durchkontaktierungen 240 eingeschlossen ist, einen dritten äußeren Verbinder-Anlegeabschnitt 263, der in den äußeren Verbinder-Anlegeabschnitten 260 eingeschlossen ist, und einen dritten äußeren Verbinder 603, der in den äußeren Verbindern 600 eingeschlossen ist, beinhalten, die in Reihe mit dem dritten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 verbunden sind. Der fünfte Pad-Bonding-Abschnitt 215, der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 273 und der dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 233 können eine zweite Stromleitung bilden.
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Unter erneuter Bezugnahme auf die 1 und 2 kann ein Datensignal über die erste Datensignalleitung an den Halbleiter-Chip 500C angelegt werden, die den ersten Pad-Bonding-Abschnitt 211, den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 beinhaltet. Eine Veränderung eines Impedanz-Wertes von einem Signalpfad, der den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 einschließt, kann die Übertragung eines Datensignals beeinflussen, das durch den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 übertragen wird. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform weisen jedoch der gesamte erste Guard-Trace-Abschnitt 253, der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252, der einen elektrischen Pfad einschließlich des ersten Verbindungs-Trace-Abschnitts 251 und des ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitts 231 umgibt, das gleiche Massepotential auf. Somit kann die Impedanz-Änderung des Signalpfades einschließlich des ersten Verbindungs-Trace-Abschnitts 251 und des ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitts 231 abgemildert oder unterdrückt werden.
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Der erste Guard-Trace-Abschnitt 253, der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 können eine durchgehende Trace-Struktur bereitstellen, die den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 umgibt. Der erste Guard-Trace-Abschnitt 253 kann sich parallel zum ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 erstrecken und mit dem ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 verbunden sein. Der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 kann sich erstrecken, um den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 zu umgeben, und kann mit dem zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 verbunden werden. Der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 kann sich erstrecken, um parallel zu dem ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 angeordnet zu sein. Somit können der erste Guard-Trace-Abschnitt 253, der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 in Reihe geschaltet werden, um eine durchgehende Trace-Struktur bereitzustellen.
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Der gesamte erste Guard-Trace-Abschnitt 253, der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 können wie oben beschrieben geerdet werden. Folglich kann die Struktur, die den ersten Guard-Trace-Abschnitt 253, den ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 einschließt, als eine Referenzebene des Signalpfades dienen, der den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 einschließt. Somit kann die Struktur, die den ersten Guard-Trace-Abschnitt 253, den ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 einschließt, als ein durchgehender Signalrückführungsweg ohne einen diskontinuierlichen Bereich fungieren, oder als eine durchgehende Stromrückleitung ohne einen diskontinuierlichen Bereich für ein Datensignal fungieren, das über den Signalpfad mit dem ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und dem ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 übertragen wird.
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Wie vorstehend beschrieben, existiert in der Struktur kein diskontinuierlicher Bereich, der den ersten Guard-Trace-Abschnitt 253, den ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 einschließt. Somit kann das Auftreten der abrupten Impedanz-Änderung des Signalpfades, der den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 einschließt, durch die Kontinuität der Struktur, die den ersten Guard-Trace-Abschnitt 253, den ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 einschließt, verringert, unterdrückt oder abgemildert werden. Darüber hinaus können sich der erste Guard-Trace-Abschnitt 253 und der erste Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 so erstrecken, dass sie nebeneinander und parallel zueinander liegen. Folglich kann die Impedanz-Änderung des Signalpfades, der den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 einschließt, deutlicher abgemildert oder unterdrückt werden.
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Wenn ein diskontinuierlicher Bereich in der Struktur vorhanden ist, der den ersten Guard-Trace-Abschnitt 253, den ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 und den zweiten Verbindungs-Trace-Abschnitt 252 einschließt, kann der diskontinuierliche Bereich die abrupte Impedanz-Änderung des Signalpfades, einschließlich des ersten Verbindungs-Trace-Abschnitts 251 und des ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231, verursachen. Die abrupte Impedanz-Änderung des Signalpfades, der den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 einschließt, kann die Übertragung eines Datensignals beeinflussen, das über den Signalpfad übertragen wird, der den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 251 und den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 231 einschließt. Das heißt, die abrupte Impedanz-Änderung des Signalpfads kann die Übertragung eines über den Signalpfad übertragenen Datensignals stören.
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Ein Leistungssignal mit einem logischen „hohen“ Pegel kann dem Halbleiter-Chip 500C über den dritten Pad-Bonding-Abschnitt 213 zugeführt werden. Ein erstes Datensignal kann durch den ersten Pad-Bonding-Abschnitt 211 übertragen werden. Ein Massesignal mit einem logischen „niedrigen“ Pegel kann dem Halbleiter-Chip 500C über den zweiten Pad-Bonding-Abschnitt 212 zugeführt werden. Somit können die ersten, zweiten und dritten Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212 und 213 jeweils als Power-Pad, Signal-Pad und Masse-Pad fungieren und so angeordnet sein, dass sie aneinander angrenzen. Das heißt, die ersten, zweiten und dritten Pad-Bonding-Abschnitte 211, 212 und 213 können so angeordnet werden, dass sie im Wesentlichen am nächsten beieinander liegen. Dementsprechend können Routing-Distanzen zwischen dem Leistungssignal, dem Datensignal und dem Massesignal, die auf den Halbleiter-Chip 500C aufgebracht werden, reduziert werden, um eine Betriebsgeschwindigkeit des Halbleiter-Chips 500C zu verbessern.
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Pufferschaltungen für die Datensignale, das Leistungssignal und das Massesignal können in oder auf dem Chip-Körper (500 von 1) des Halbleiter-Chips (500C von 1) vorgesehen sein. Die Pufferschaltungen können konfiguriert werden, um einen Schaltvorgang durchzuführen. Da das Power-Pad, die Signal-Pads und die Masse-Pads nebeneinander angeordnet sind, können die Routing-Distanzen zwischen der Stromleitung, der Datenleitung und der mit den Pufferschaltungen verbundenen Masseleitung reduziert werden. Dadurch kann eine Betriebsgeschwindigkeit der Pufferschaltungen verbessert werden.
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Unter erneuter Bezugnahme auf 2 können die sechsten Pad-Bonding-Abschnitte 217, die in der zweiten Reihe angeordnet sind, so angeordnet werden, dass sie in Bezug auf eine gerade Linie zwischen der ersten und zweiten Reihe eine symmetrische Konfiguration zu den ersten bis fünften Pad-Bonding-Abschnitten 211-215 aufweisen, die in der ersten Reihe angeordnet sind. In einigen anderen Ausführungsformen können die sechsten Pad-Bonding-Abschnitte 217 jedoch zufällig an beliebigen Positionen angeordnet werden, um eine unsymmetrische Konfiguration zu den ersten bis fünften Pad-Bonding-Abschnitten 211-215 aufzuweisen.
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Obwohl in 2 ein dritter Verbindungsebenen-Abschnitt 275 so angeordnet ist, um eine symmetrische Konfiguration zum ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 in Bezug auf eine gerade Linie zwischen der ersten und der zweiten Reihe aufzuweisen, könnte gemäß anderen Ausführungsformen der dritte Verbindungsebenen-Abschnitt 275 so angeordnet sein, um eine unsymmetrische Konfiguration zum ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 271 aufzuweisen.
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Obwohl in 2 ein dritter Guard-Trace-Abschnitt 293 und ein vierter Guard-Trace-Abschnitt 295 so angeordnet sind, dass sie eine symmetrische Konfiguration zu den ersten und zweiten Guard-Trace-Abschnitten 253 und 255 in Bezug auf eine gerade Linie zwischen der ersten und zweiten Reihe aufweisen, können der dritte Guard-Trace-Abschnitt 293 und der vierte Guard-Trace-Abschnitt 295 gemäß anderen Ausführungsformen so angeordnet sein, dass sie eine unsymmetrische Konfiguration zu den ersten und zweiten Guard-Trace-Abschnitten 253 und 255 aufweisen.
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Obwohl in 2 ein vierter Verbindungs-Trace-Abschnitt 291, ein fünfter Verbindungs-Trace-Abschnitt 292 und ein sechster Verbindungs-Trace-Abschnitt 294 so angeordnet sind, dass sie eine symmetrische Konfiguration zu den ersten, zweiten und dritten Verbindungs-Trace-Abschnitten 251, 252 und 254 in Bezug auf eine gerade Linie zwischen der ersten und zweiten Reihe aufweisen, können gemäß anderen Ausführungsformen der vierte Verbindungs-Trace-Abschnitt 291, der fünfte Verbindungs-Trace-Abschnitt 292 und der sechste Verbindungs-Trace-Abschnitt 294 angeordnet sein, um eine unsymmetrische Konfiguration zu den ersten, zweiten und dritten Verbindungs-Trace-Abschnitten 251, 252 und 254 zu haben.
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Obwohl in 2 ein fünfter Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 281, ein sechster Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 282 und ein siebter Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 284 so angeordnet sind, dass sie eine symmetrische Konfiguration zu den ersten, zweiten und vierten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitten 231, 232 und 234 in Bezug auf eine gerade Linie zwischen der ersten und zweiten Reihe aufweisen, können der fünfte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 281, der sechste Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 282 und der siebte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 284 gemäß anderen Ausführungsformen so angeordnet sein, dass sie eine nicht-symmetrische Konfiguration aufweisen.
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5 zeigt eine Draufsicht, die gemäß einer Ausführungsform eine andere Schaltungsverbindungsstruktur 1100 veranschaulicht, die in einem Halbleiterpaket verwendet wird.
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Unter Bezugnahme auf 5 kann die Schaltungsverbindungsstruktur 1100 erste bis fünfte Pad-Bonding-Abschnitte 1211, 1212, 1213, 1214 und 1215; erste bis dritte Verbindungs-Trace-Abschnitte 1251, 1252 und 1254; erste und zweite Guard-Trace-Abschnitte 1253 und 1255; erste bis vierte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte 1231, 1232, 1233 und 1234; und erste und zweite Verbindungsebenen-Abschnitte 1271 und 1273 beinhalten.
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Der erste Pad-Bonding-Abschnitt 1211, der erste Verbindungs-Trace-Abschnitt 1251 und der erste Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 1231 können eine erste Datensignalleitung bilden. Der vierte Pad-Bonding-Abschnitt 1214, der dritte Verbindungs-Trace-Abschnitt 1254 und der vierte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 1234 können eine zweite Datensignalleitung bilden.
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Der zweite Pad-Bonding-Abschnitt 1212, der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 1252, der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 1271 und der zweite Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 1232 können eine Stromleitung bilden. Die ersten und zweiten Guard-Trace-Abschnitte 1253 und 1255 können auch elektrisch mit dem ersten Verbindungsebenen-Abschnitt 1271 verbunden sein, um als Abschnitt der Stromleitung zu wirken. Wenn ein erstes Datensignal durch den ersten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 1231 und den ersten Verbindungs-Trace-Abschnitt 1251 übertragen wird, können der erste Guard-Trace-Abschnitt 1253, der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 1252 und der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 1271 als Signalrückführungsweg dienen. Der erste Guard-Trace-Abschnitt 1253, der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 1252 und der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 1271 können vorgesehen werden, um die Impedanz-Änderung des ersten Verbindungs-Trace-Abschnitts 1251 zu unterdrücken oder eine Größe der Impedanz-Änderung des ersten Verbindungs-Trace-Abschnitts 1251 zu reduzieren. Wenn ein zweites Datensignal durch den vierten Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 1234 und den dritten Verbindungs-Trace-Abschnitt 1254 übertragen wird, können der zweite Guard-Trace-Abschnitt 1255, der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 1252 und der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 1271 als Signalrückführungsweg dienen. Der zweite Guard-Trace-Abschnitt 1255, der zweite Verbindungs-Trace-Abschnitt 1252 und der erste Verbindungsebenen-Abschnitt 1271 können vorgesehen werden, um die Impedanz-Änderung des dritten Verbindungs-Trace-Abschnitts 1254 zu unterdrücken oder eine Größe der Impedanz-Änderung des dritten Verbindungs-Trace-Abschnitts 1254 zu reduzieren.
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Der dritte Pad-Bonding-Abschnitt 1213, der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 1273 und der dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 1233 können eine erste Masseleitung bilden. Der fünfte Pad-Bonding-Abschnitt 1215, der zweite Verbindungsebenen-Abschnitt 1273 und der dritte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitt 1233 können eine zweite Masseleitung bilden.
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6 zeigt eine Draufsicht, die gemäß einer Ausführungsform eine weitere Schaltungsverbindungsstruktur 2100 darstellt, die in einem Halbleiterpaket verwendet wird.
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Unter Bezugnahme auf 6 kann die Schaltungsverbindungsstruktur 2100 Folgendes einschließen: erste bis fünfte Pad-Bonding-Abschnitte 2211, 2212, 2213, 2214 und 2215; erste bis dritte Verbindungs-Trace-Abschnitte 2251, 2252 und 2254; erste und zweite Guard-Trace-Abschnitte 2253 und 2255; erste bis vierte Durchkontaktierungs-Anlegeabschnitte 2231, 2232, 2233 und 2234; und erste und zweite Verbindungsebenen-Abschnitte 2271 und 2273.
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Ein erster zusätzlicher Pad-Bonding-Abschnitt 2218 kann mit einem Endabschnitt 2253E des ersten Guard-Trace-Abschnitts 2253 verbunden werden, um dem dritten Pad-Bonding-Abschnitt 2213 gegenüber angeordnet zu sein. Der erste zusätzliche Pad-Bonding-Abschnitt 2218 kann im Wesentlichen die gleiche Form aufweisen wie der dritte Pad-Bonding-Abschnitt 2213, der dem ersten zusätzlichen Pad-Bonding-Abschnitt 2218 gegenüber angeordnet ist. Ein zusätzlicher innerer Verbinder (nicht dargestellt), der beispielsweise die gleiche Form wie die inneren Verbinder (560 von 1) aufweist, kann mit dem ersten zusätzlichen Pad-Bonding-Abschnitt 2218 verbunden werden. Somit kann der erste zusätzliche Pad-Bonding-Abschnitt 2218 elektrisch mit dem Halbleiter-Chip (500C aus 1) verbunden werden.
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Ein zweiter zusätzlicher Pad-Bonding-Abschnitt 2219 kann mit einem Endabschnitt 2255E des zweiten Guard-Trace-Abschnitts 2255 verbunden werden, um dem fünften Pad-Bonding-Abschnitt 2215 gegenüber angeordnet zu sein. Der zweite zusätzliche Pad-Bonding-Abschnitt 2219 kann im Wesentlichen die gleiche Form wie der fünfte Pad-Bonding-Abschnitt 2215 aufweisen, der dem zweiten zusätzlichen Pad-Bonding-Abschnitt 2219 gegenüber angeordnet zu sein. Ein zusätzlicher innerer Verbinder (nicht dargestellt), der beispielsweise die gleiche Form wie die inneren Verbinder (560 von 1) aufweist, kann mit dem zweiten zusätzlichen Pad-Bonding-Abschnitt 2219 verbunden werden. Somit kann der zweite zusätzliche Pad-Bonding-Abschnitt 2219 auch elektrisch mit dem Halbleiter-Chip (500C aus 1) verbunden werden.
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7 zeigt ein Blockdiagramm, das ein elektronisches System mit einer Speicherkarte 7800 darstellt, die ein Halbleiterpaket gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verwendet. Die Speicherkarte 7800 schließt einen Speicher 7810 ein, wie beispielsweise eine nichtflüchtige Speichervorrichtung, und eine Speichersteuerung 7820. Der Speicher 7810 und die Speichersteuerung 7820 können Daten speichern oder die gespeicherten Daten auslesen. Mindestens einer von dem Speicher 7810 und der Speichersteuerung 7820 kann ein Halbleiterpaket gemäß einer Ausführungsform einschließen.
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Der Speicher 7810 kann eine nichtflüchtige Speichervorrichtung einschließen, auf die die Lehren der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angewendet werden. Die Speichersteuerung 7820 kann den Speicher 7810 so steuern, dass gespeicherte Daten ausgelesen oder Daten als Reaktion auf eine Lese-/Schreibanforderung von einem Host 7830 gespeichert werden.
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8 zeigt ein Blockdiagramm, das ein elektronisches System 8710 mit einem Halbleiterpaket gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Das elektronische System 8710 kann eine Steuerung 8711, eine Ein-/Ausgabevorrichtung 8712 und einen Speicher 8713 einschließen. Die Steuerung 8711, die Ein-/Ausgabevorrichtung 8712 und der Speicher 8713 können über einen Bus 8715 miteinander gekoppelt werden, der einen Datenpfad bereitstellt, durch den sich Daten bewegen.
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In einer Ausführungsform kann die Steuerung 8711 einen oder mehrere von einem Mikroprozessor, einem digitalen Signalprozessor, einem Mikrocontroller und/oder einer Logikvorrichtung einschließen, die in der Lage sind, die gleichen Funktionen wie diese Komponenten auszuführen. Die Steuerung 8711 und/oder der Speicher 8713 können eines oder mehrere der Halbleiterpakete gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einschließen. Die Ein-/Ausgabevorrichtung 8712 kann mindestens eines von einem Key-Pad, einer Tastatur, einer Anzeigevorrichtung, einem Touchscreen und so weiter einschließen. Der Speicher 8713 ist eine Vorrichtung zum Speichern von Daten. Der Speicher 8713 kann Daten und/oder Befehle speichern, die von der Steuerung 8711 und dergleichen ausgeführt werden sollen.
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Der Speicher 8713 kann eine flüchtige Speichervorrichtung einschließen, wie beispielsweise ein DRAM, und/oder eine nichtflüchtige Speichervorrichtung, wie beispielsweise einen Flash-Speicher. So kann beispielsweise ein Flash-Speicher an einem Informationsverarbeitungssystem, wie beispielsweise einem mobilen Endgerät oder einem Desktop-Computer, angebracht werden. Der Flash-Speicher kann eine Solid State Disk (SSD) darstellen. In diesem Fall kann das elektronische System 8710 eine große Datenmenge zuverlässig in einem Flash-Speichersystem speichern.
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Das elektronische System 8710 kann ferner eine Schnittstelle 8714 einschließen, die zum Senden und Empfangen von Daten zu und von einem Kommunikationsnetzwerk konfiguriert ist. Die Schnittstelle 8714 kann drahtgebunden oder drahtlos sein. So kann beispielsweise die Schnittstelle 8714 eine Antenne oder einen drahtgebundenen oder drahtlosen Transceiver einschließen.
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Das elektronische System 8710 kann als ein mobiles System, ein Personalcomputer, ein Industriecomputer oder ein Logiksystem realisiert werden, die verschiedene Funktionen ausführen. Das mobile System kann beispielsweise eines von einem persönlichen digitalen Assistenten (PDA), einem tragbaren Computer, einem Tablet-Computer, einem Mobiltelefon, einem Smartphone, einem drahtlosen Telefon, einem Laptop-Computer, einer Speicherkarte, einem digitalen Musiksystem und einem Informationsübertragungs-/Empfangssystem sein.
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Wenn das elektronische System 8710 eine Ausrüstung darstellt, die in der Lage ist, drahtlose Kommunikation durchzuführen, kann das elektronische System 8710 in einem Kommunikationssystem unter Verwendung einer Technik von CDMA (Code Division Multiple Access), GSM (Global System for Mobile Communications), NADC (North American Digital Cellular), E-TDMA (Enhanced Time Division Multiple Access), WCDMA (Wide Band Code Division Multiple Access), CDMA2000, LTE (Long Term Evolution) oder Wibro (Wireless Broadband Internet) verwendet werden.
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Es wurde eine begrenzte Anzahl möglicher Ausführungsformen für die vorliegende Offenbarung zur Veranschaulichung offengelegt. Diejenigen, die im Fachgebiet erfahren sind, werden erkennen, dass verschiedene Änderungen, Ergänzungen und Alternativen in Bezug auf die dargestellten Ausführungsformen möglich sind, ohne vom Umfang und Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung und der damit verbundenen Ansprüche abzuweichen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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