TWI819060B - 半導體封裝件 - Google Patents
半導體封裝件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI819060B TWI819060B TW108128579A TW108128579A TWI819060B TW I819060 B TWI819060 B TW I819060B TW 108128579 A TW108128579 A TW 108128579A TW 108128579 A TW108128579 A TW 108128579A TW I819060 B TWI819060 B TW I819060B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pad
- connection
- trace
- landing
- semiconductor package
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L24/09—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
- H01L2224/02375—Top view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
- H01L2224/02379—Fan-out arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/0615—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
- H01L2224/06154—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry covering only portions of the surface to be connected
- H01L2224/06155—Covering only the peripheral area of the surface to be connected, i.e. peripheral arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1301—Shape
- H01L2224/13016—Shape in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Geometry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
半導體封裝件的封裝基板包括分別位於設置在基板主體上的第一墊接合部的兩側的第二墊接合部和第三墊接合部。第一通孔著陸部、第二通孔著陸部和第三通孔著陸部設置成與第一墊接合部、第二墊接合部和第三墊接合部間隔開。第一連接跡線部和第二連接跡線部設置為彼此平行,並且第一保護跡線部設置為與第一連接跡線部基本平行。第二連接跡線部通過第一連接平面部連接到第一保護跡線部,第一連接平面部將第二連接跡線部連接到第二通孔著陸部。第三墊接合部通過第二連接平面部連接到第三通孔著陸部。
Description
本揭露內容一般涉及半導體封裝件。
相關申請的交叉引用
本申請案主張於2018年12月3日遞交的韓國申請案第 10-2018-0153938號的優先權,其全部內容通過引用併入本文。
半導體封裝件可以被配置為包括安裝在封裝基板上的半導體晶片。封裝基板可以包括連接到半導體晶片的電路互連結構。電路互連結構可以被配置為包括接地線、電源線和傳輸電信號的信號線。由於在高性能電子系統中需要高速操作的快速半導體晶片,所以高頻信號通過電路互連結構的信號線傳輸。高頻信號具有相對短的波長,這導致高頻信號之間的不期望的串擾,從而產生可靠性問題。
根據實施方式,一種半導體封裝件包括:封裝基板,其包括基板主體;以及半導體晶片,其安裝在所述封裝基板上。封裝基板包括:第二墊接合部和第三墊接合部,其設置在基板主體上並分別位於設置在基板主體上的第一墊接合部的兩側;第一通孔著陸部、第二通孔著陸部和第三通孔著陸部,其設置在基板主體上以與第一墊接合部、第二墊接合部和第三墊接合部間隔開;以及第一連接跡線部,其延伸以將第一墊接合部連接到第一通孔著陸部。封裝基板還包括:第二連接跡線部,其連接到第二墊接合部,第二連接跡線部與第一連接跡線部基本平行;以及第一保護跡線部,其具有與第三墊接合部間隔開的端部並延伸成與第一連接跡線部基本平行。封裝基板也包括:第一連接平面部,其與第一通孔著陸部間隔開,圍繞並電旁路第一通孔著陸部以將第二連接跡線部連接到第一保護跡線部,並將所述第二連接跡線部連接到第二通孔著陸部。封裝基板另外包括第二連接平面部,其將第三墊接合部連接到所述第三通孔著陸部。
本文使用的術語可以對應於考慮到它們在實施方式中的功能而選擇的詞,並且術語的含義可以被解釋為根據實施方式所屬領域的普通技術人員而不同。如果詳細定義,則可以根據定義來解釋術語。除非另外定義,否則本文使用的術語(包括技術術語和科學術語)具有與實施方式所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。
將要理解,儘管術語“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用於描述各種元件,但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件與另一個元件區分開,而不用於暗示或定義元件的特定數量或順序。
還將理解,當元件或層被稱為在另一元件或層“上”、“上方”、“下”、“下方”或“外部”時,該元件或層可以是可以存在與該另一元件或層直接接觸,或者存在中間的元件或層。用於描述元件或層之間的關係的其他詞語應以類似的方式解釋(例如,“在...之間”與“直接在...之間”或“相鄰”與“直接相鄰”)。
諸如“下方”、“之下”、“下”、“之上”、“上”、“頂”、“底”等的空間相對術語可用於描述元素和/或特徵與另一個元素和/或特徵的關係,例如,如圖所示。應當理解,空間相對術語旨在包括除了圖中所示的朝向之外的裝置在使用和/或操作中的不同朝向。例如,當翻轉圖中的裝置時,被描述為在另一元素或特徵之下或下面的元素然後將定向為在該另一元素或特徵之上和/或上面。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他朝向),並且相應地解釋本文使用的空間相對描述符。
在以下呈現的實施方式中,半導體封裝件可以包括電子裝置,諸如半導體晶片或半導體晶粒。半導體晶片或半導體晶粒可以通過使用晶粒切割製程將諸如晶圓之類的半導體基板分離成多個片來獲得。半導體晶片可以對應於記憶體晶片、邏輯晶片(包括特定應用積體電路(ASIC)晶片)或單晶片系統(SoC)。記憶體晶片可以包括整合在半導體基板上的動態隨機存取記憶體(DRAM)電路、靜態隨機存取記憶體(SRAM)電路、反及型快閃記憶體電路、反或型快閃記憶體電路、磁隨機存取記憶體(MRAM)電路、電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)電路、鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)電路或相變隨機存取記憶體(PcRAM)電路。邏輯晶片可以包括整合在半導體基板上的邏輯電路。半導體封裝件可用於諸如行動電話之類的通信系統、與生物技術或醫療保健相關聯的電子系統、或可穿戴電子系統中。
在整個說明書中,相同的附圖標記表示相同的元件。即使參照附圖沒有提及或描述附圖標記,也可以參照另一附圖提及或描述該附圖標記。另外,即使附圖中未示出附圖標記,也可以參照另一附圖來提及或描述該附圖標記。
圖1示出了例示根據實施方式的半導體封裝件10的截面圖。圖2示出了例示包括在圖1的半導體封裝件10中的封裝基板200S的電路互連結構100的平面圖。圖1示出了包括沿圖2中的線X1-X1'截取的截面圖的半導體封裝件10的截面圖。圖3示出了包括沿圖2中的線X2-X2'截取的截面圖的半導體封裝件10的截面圖。圖4示出了包括沿圖2中的線X3-X3'截取的截面圖的半導體封裝件10的截面圖。
參照圖1,半導體封裝件10可以被配置為包括封裝基板200S和半導體晶片500C。半導體晶片500C可以包括晶片主體500,在晶片主體500中或其上形成積體電路。晶片墊510可以設置在晶片主體500的表面501上。晶片墊510可以包括將數據信號傳輸到半導體晶片500C或封裝基板200S的信號墊,將接地電壓傳輸到半導體晶片500C的接地墊以及將電源電壓傳輸到半導體晶片500C的電源墊。
半導體晶片500C可以安裝在封裝基板200S上。半導體晶片500C可以以覆晶形式接合到封裝基板200S,使得半導體晶片500C的晶片墊510面向封裝基板200S。半導體晶片500C可以通過位於半導體晶片500C和封裝基板200S之間的內部連接器560電連接到封裝基板200S。內部連接器560可以是凸塊。鈍化層540可以設置在晶片主體500的表面501上以暴露晶片墊510。鈍化層540可以形成為包括介電層。
封裝基板200S可以是將半導體晶片500C電連接到外部裝置(未示出)的互連構件。封裝基板200S可以用印刷電路板(PCB)結構來實施。
封裝基板200S可以被配置為包括基板主體200。基板主體200可以包括介電層。基板主體200可以具有第一表面201和第二表面203,半導體晶片500C設置在第一表面201上,第二表面203位於與半導體晶片500C相對。外部連接器600可以附接到基板主體200的第二表面203。外部連接器600可以是用於將半導體封裝件10電連接到外部裝置的互連構件。外部連接器600可以是互連構件,例如焊料球。
外部連接器著陸部260可以設置在基板主體200的第二表面203上。在這種情況下,外部連接器600可以接合到外部連接器著陸部260。外部連接器著陸部260可以是導電圖案。第二介電層430可以設置在基板主體200的第二表面203上,以露出外部連接器著陸部260。第二介電層430可以形成為包括阻焊層。
導電通孔240可以設置為垂直穿透基板主體200。導電通孔240可以分別電連接到設置在基板主體200的第二表面203上的外部連接器著陸部260。導電通孔240可以分別設置為在平面圖中與外部連接器著陸部260重疊。儘管未在圖中示出,但是導電連接跡線部可以附加地設置在基板主體200的第二表面203上,以便當導電通孔240被設置為相對於外部連接器著陸部260橫向偏移時將導電通孔240電連接至外部連接器著陸部260。
電路互連結構100可以設置在基板主體200的第一表面201上。電路互連結構100可以包括導電圖案。電路互連結構100可以設置為將導電通孔240電連接到內部連接器560。電路互連結構100可以是將導電通孔240電連接到半導體晶片500C的導電圖案。第一介電層410可以設置在基板主體200的第一表面201上,以露出電路互連結構100的部分。
參照圖1和圖2,設置在基板主體200的第一表面201上的電路互連結構100可以被配置為包括第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214和第五墊接合部215。第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214和第五墊接合部215可以是導電圖案。第三墊接合部213、第一墊接合部211、第二墊接合部212、第四墊接合部214和第五墊接合部215可以依序排列在與圖2的線X1-X1'相交的第一行中。電路互連結構100還可以包括多個第六墊接合部217,第六墊接合部217可以依序排列在與第一行間隔開的第二行中。第六墊接合部217可以排列成分別面向第三墊接合部213、第一墊接合部211、第二墊接合部212、第四墊接合部214和第五墊接合部215。
第三墊接合部213、第一墊接合部211、第二墊接合部212、第四墊接合部214和第五墊接合部215可以分別電連接到半導體晶片500C的相應晶片墊510。第六墊接合部217也可以分別電連接到半導體晶片500C的相應晶片墊510。第三墊接合部213、第一墊接合部211、第二墊接合部212、第四墊接合部214和第五墊接合部215以及第六墊接合部217可以分別位於在平面圖中與半導體晶片500C的晶片墊510重疊的位置。第三墊接合部213、第一墊接合部211、第二墊接合部212、第四墊接合部214和第五墊接合部215以及第六墊接合部217可以通過內部連接器560分別電連接到半導體晶片500C的晶片墊510。
第一通孔著陸部231、第二通孔著陸部232、第三通孔著陸部233和第四通孔著陸部234可以設置在基板主體200的第一表面201上,以構成電路互連結構100的一部分。當從平面圖觀察時,第一通孔著陸部231、第二通孔著陸部232、第三通孔著陸部233和第四通孔著陸部234可以設置為與第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214、第五墊接合部215和第六墊接合部217間隔開。第一通孔著陸部231、第二通孔著陸部232、第三通孔著陸部233和第四通孔著陸部234可以設置為在平面圖中與導電通孔(圖1中的240)重疊。例如,如圖1所示,第一通孔著陸部231可以設置為與包括在導電通孔240中的第一導電通孔241重疊,並且可以電連接到第一導電通孔241。
第一連接跡線部251、第二連接跡線部252和第三連接跡線部254以及第一保護跡線部253和第二保護跡線部255可以設置在基板主體200的第一表面201上,以構成電路互連結構100的一部分。第一連接跡線部251、第二連接跡線部252和第三連接跡線部254以及第一保護跡線部253和第二保護跡線部255可以是線形導電圖案。
第一連接跡線部251可以延伸以將第一墊接合部211連接到第一通孔著陸部231。第二連接跡線部252可以連接到第二墊接合部212並且可以設置為與第一連接跡線部251平行。第三連接跡線部254可以延伸以將第四墊接合部214連接到第四通孔著陸部234。第一連接跡線部251、第二連接跡線部252和第三連接跡線部254可以設置成彼此間隔開一定距離。第一連接跡線部251、第二連接跡線部252和第三連接跡線部254可以延伸為彼此平行。在另一實施方式中,跡線部可以基本彼此平行。基本平行意味著跡線部沿著它們的長度不相交或交叉。
第一保護跡線部253可以設置成使得第一保護跡線部253的端部253E與第三墊接合部213間隔開並且與第三墊接合部213相鄰。第一保護跡線部253可以延伸為與第一連接跡線部251平行。第一保護跡線部253可以設置在第一連接跡線部251的與第二連接跡線部252相對的一側。第一保護跡線部253和第一連接跡線部251可以並排佈置以彼此間隔開一定距離。第二保護跡線部255可以設置成使得第二保護跡線部255的端部255E與第五墊接合部215間隔開並且與第五墊接合部215相鄰。第二保護跡線部255可以延伸以與第三連接跡線部254平行。第二保護跡線部255可以設置在第三連接跡線部254的與第二連接跡線部252相對的一側。
第一連接平面部271和第二連接平面部273可以設置在基板主體200的第一表面201上,以構成電路互連結構100的一部分。第一連接平面部271和第二連接平面部273可以是導電圖案,它們中的每一個與連接跡線部251、254和保護跡線部253、255相比具有相對大的平面面積。第一連接平面部271和第二連接平面部273可以是與第一通孔著陸部231和第四通孔著陸部234電隔離的導電圖案。
在實施方式中,第一連接平面部271可以設置為與第一通孔著陸部231間隔開一定距離。第一連接平面部271可以設置為在平面圖中部分地圍繞第一通孔著陸部231。第一連接平面部271可以延伸以將第二連接跡線部252連接到第一保護跡線部253並且電旁路或繞過第一通孔著陸部231。第一連接平面部271還可以延伸以將第二連接跡線部252連接到第二通孔著陸部232。第一連接平面部271可以是包括第二通孔著陸部232的導電圖案。也就是說,第二通孔著陸部232可以對應於第一連接平面部271的一部分。
第一連接平面部271可以附加地延伸以與第四通孔著陸部234間隔開。第一連接平面部271可以延伸以在平面圖中部分地圍繞並電旁路或繞過第四通孔著陸部234。第一連接平面部271可以延伸以將第二連接跡線部252連接到第二保護跡線部255。第一連接平面部271可以將第一保護跡線部253和第二保護跡線部255電連接到第二通孔著陸部232。
第二連接平面部273可以設置成將第三墊接合部213連接到第三通孔著陸部233。第二連接平面部273可以被配置為包括第三通孔著陸部233。也就是說,第三通孔著陸部233可以對應於第二連接平面部273的一部分。第二連接平面部273可以延伸以使得第二連接平面部的側表面273S面向第一墊接合部211、第二墊接合部212和第四墊接合部214。第二連接平面部273還可以延伸以將第五墊接合部215連接到第三通孔著陸部233。第二連接平面部273可以設置為與第一墊接合部211、第二墊接合部212和第四墊接合部214間隔開一定距離。例如,第二連接平面部273可以部分地圍繞並電旁路或繞過第一墊接合部211、第二墊接合部212和第四墊接合部214,如圖2的平面圖所示。
參照圖2,第一保護跡線部253和第二連接跡線部252可以分別位於第一連接跡線部251的兩側。如本文對各種實施方式所使用的,分別位於第三部兩側的第一部和第二部意味著第三部位於第一部和第二部之間。例如,位於第一連接跡線部251兩側的第一保護跡線部253和第二連接跡線部252意味著第一連接跡線部251位於第一保護跡線部253和第二連接跡線部252之間。第二保護跡線部255和第二連接跡線部252可以分別位於第三連接跡線部254的兩側。第一保護跡線部253、第一連接跡線部251、第二連接跡線部252、第三連接跡線部254和第二保護跡線部255可以在與第一行平行的方向上依序排列。因此,第三墊接合部213、第一墊接合部211、第二墊接合部212、第四墊接合部214和第五墊接合部215也可以依序排列在第一行中。
第一保護跡線部253和第二連接平面部273可以分別位於第三墊接合部213的兩側。另外,第一連接跡線部251和第二連接平面部273可以分別位於第一墊接合部211的兩側。因為第一通孔著陸部231連接到第一連接跡線部251並且第三通孔著陸部233連接到第二連接平面部273,所以第一通孔著陸部231和第三通孔著陸部233可以分別位於第一墊接合部211的兩側。對於實施方式,第一墊接合部211位於第一通孔著陸部231和第三通孔著陸部233之間。
第二連接跡線部252和第二連接平面部273可以分別位於第二墊接合部212的兩側。因為第二連接跡線部252通過第一連接平面部271連接到第二通孔著陸部232,所以第二通孔著陸部232和第三通孔著陸部233可以分別位於第二墊接合部212的兩側。對於實施方式,第二墊接合部212位於第二通孔著陸部232和第三通孔著陸部233之間。
第二連接平面部273可以位於第一行墊接合部和第二行墊接合部之間,第一行墊接合部包括排列在第一行中的第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214和第五墊接合部215,第二行墊接合部包括排列在第二行中的第六墊接合部217。因此,第一連接平面部271和第二連接平面部273可以分別位於包括第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214和第五墊接合部215的第一行墊接合部的兩側。對於實施方式,其中排列有第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214和第五墊接合部215的第一行位於第一連接平面部271和第二連接平面部273之間。在一些情況下,第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214和第五墊接合部215的第一側面向或指向第一連接平面部271和第二通孔著陸部232。第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214和第五墊接合部215的第二側面面向或指向第二連接平面部273和第三通孔著陸部233。
參照圖1和圖2,第一墊接合部211、第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231可以構成第一數據信號線。第一數據信號線可以是將數據信號傳輸到半導體晶片500C的信號線。第一數據信號線還可以包括第一導電通孔241、包括在外部連接器著陸部260中的第一外部連接器著陸部261以及包括在外部連接器600中的第一外部連接器601,它們與第一通孔著陸部231串聯連接。類似地,第二數據信號線可以包括第四墊接合部214、第三連接跡線部254和第四通孔著陸部234。
參照圖2和圖3,第二墊接合部212、第二連接跡線部252、第一連接平面部271和第二通孔著陸部232可以構成接地線。接地線可以提供用於向半導體晶片500C供應接地電壓的電路徑。如圖4所示,接地線還可以包括導電通孔240中包括的第二導電通孔242、包括在外部連接器著陸部260中的第二外部連接器著陸部262以及包括在外部連接器600中的第二外部連接器602,第二導電通孔242、第二外部連接器著陸部262和第二外部連接器602串聯連接到第二通孔著陸部232。第一保護跡線部253和第二保護跡線部255也可以通過第一連接平面部271電連接到接地線以接地。
參照圖2和圖4,第三墊接合部213、第二連接平面部273和第三通孔著陸部233可以構成第一電源線。第一電源線可以提供用於向半導體晶片500C施加電源電壓的電路徑。如圖3所示,第一電源線還可以包括導電通孔240中包括的第三導電通孔243、包括在外部連接器著陸部260中的第三外部連接器著陸部263以及包括在外部連接器600中的第三外部連接器603,第三導電通孔243、第三外部連接器著陸部263和第三外部連接器603串聯連接到第三通孔著陸部233。第五墊接合部215、第二連接平面部273和第三通孔著陸部233可以構成第二電源線。
再次參照圖1和圖2,數據信號可以通過包括第一墊接合部211、第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的第一數據信號線施加到半導體晶片500C。包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的信號路徑的阻抗值的變化會影響通過第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231傳輸的數據信號的傳輸。然而,根據本實施方式,圍繞包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的電路徑的第一保護跡線部253、第一連接平面部271和第二連接跡線部252全部都具有相同的接地電位。因此,可以減輕或抑制包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的信號路徑的阻抗變化。
第一保護跡線部253、第一連接平面部271和第二連接跡線部252可以提供圍繞第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的連續跡線結構。第一保護跡線部253可以延伸以與第一連接跡線部251平行並且可以連接到第一連接平面部271。第一連接平面部271可以延伸以圍繞第一通孔著陸部231並且可以連接到第二連接跡線部252。第二連接跡線部252可以延伸以與第一連接跡線部251平行。因此,第一保護跡線部253、第一連接平面部271和第二連接跡線部252可以串聯連接以提供連續跡線結構。
如上所述,第一保護跡線部253、第一連接平面部271和第二連接跡線部252全部都可以接地。因此,包括第一保護跡線部253、第一連接平面部271和第二連接跡線部252的結構可以用作包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的信號路徑的參考平面。因此,包括第一保護跡線部253、第一連接平面部271和第二連接跡線部252的結構可以用作通過包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的信號路徑傳輸的數據信號的沒有任何不連續區域的連續信號返回路徑或者沒有任何不連續區域的連續電流返回路徑。
如上所述,在包括第一保護跡線部253、第一連接平面部271和第二連接跡線部252的結構中不存在任何不連續區域。因此,可以通過包括第一保護跡線部253、第一連接平面部271和第二連接跡線部252的結構的連續性來減輕、抑制或緩和包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的信號路徑的突然阻抗變化的發生。另外,第一保護跡線部253和第一連接跡線部251可以延伸以彼此相鄰並且彼此平行。因此,可以更顯著地減輕或抑制包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的信號路徑的阻抗變化。
如果在包括第一保護跡線部253、第一連接平面部271和第二連接跡線部252的結構中存在不連續區域,則不連續區域可能導致包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的信號路徑的突然阻抗變化。包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的信號路徑的突然阻抗變化可能影響通過包括第一連接跡線部251和第一通孔著陸部231的信號路徑傳輸的數據信號的傳輸。也就是說,信號路徑的突然阻抗變化可能擾亂通過信號路徑傳輸的數據信號的傳輸。
具有邏輯“高”位準的電源信號可以通過第三墊接合部213供應給半導體晶片500C。第一數據信號可以通過第一墊接合部211傳輸。具有邏輯“低”位準的接地信號可以通過第二墊接合部212供應給半導體晶片500C。因此,第一墊接合部211、第二墊接合部212和第三墊接合部213可以分別用作電源墊、信號墊和接地墊並且可以設置為彼此相鄰。也就是說,第一墊接合部211、第二墊接合部212和第三墊接合部213可以設置為彼此基本上最接近。因此,可以減小施加到半導體晶片500C的電源信號、數據信號和接地信號之間的佈線距離,以提高半導體晶片500C的操作速度。
用於數據信號、電源信號和接地信號的緩衝電路可以設置在半導體晶片(圖1的500C)的晶片主體(圖1的500)中或上。緩衝電路可以被配置為執行切換操作。因為電源墊、信號墊和接地墊設置為彼此相鄰,所以可以減小連接到緩衝電路的電源線、數據線和接地線的佈線距離。因此,可以提高緩衝電路的操作速度。
再次參照圖2,排列在第二行中的第六墊接合部217可以設置為相對於第一行和第二行之間的直線,具有與排列在第一行中的第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214和第五墊接合部215對稱的配置。然而,在一些其他實施方式中,第六墊接合部217可以隨機地設置在任意位置,以具有與第一墊接合部211、第二墊接合部212、第三墊接合部213、第四墊接合部214和第五墊接合部215不對稱的配置。
在圖2中,儘管第三連接平面部275設置成相對於第一行和第二行之間的直線具有與第一連接平面部271對稱的配置,但是根據其他實施方式的第三連接平面部275可以設置成具有與第一連接平面部271不對稱的配置。
在圖2中,儘管第三保護跡線部293和第四保護跡線部295被設置成相對於第一行和第二行之間的直線具有與第一保護跡線部253和第二保護跡線部255對稱的配置,但是根據其他實施方式,第三保護跡線部293和第四保護跡線部295可以設置為具有與第一保護跡線部253和第二保護跡線部255不對稱的配置。
在圖2中,儘管第四連接跡線部291、第五連接跡線部292和第六連接跡線部294被設置成相對於第一行和第二行之間的直線具有與第一連接跡線部251、第二連接跡線部252和第三連接跡線部254對稱的配置,但是根據其他實施方式,第四連接跡線部291、第五連接跡線部292和第六連接跡線部294可以設置成具有與第一連接跡線部251、第二連接跡線部252和第三連接跡線部254不對稱的配置。
在圖2中,儘管第五通孔著陸部281、第六通孔著陸部282和第七通孔著陸部284設置成相對於第一行和第二行之間的直線具有與第一通孔著陸部231、第二通孔著陸部和第四通孔著陸部234對稱的配置,但是根據其他實施方式,第五通孔著陸部281、第六通孔著陸部282和第七通孔著陸部284可以設置成具有非對稱配置。
圖5示出了例示根據實施方式的在半導體封裝件中採用的另一電路互連結構1100的平面圖。
參照圖5,電路互連結構1100可以包括:第一墊接合部1211、第二墊接合部1212、第三墊接合部1213、第四墊接合部1214和第五墊接合部1215;第一連接跡線部1251、第二連接跡線部1252和第三連接跡線部1254;第一保護跡線部1253和第二保護跡線部1255;第一通孔著陸部1231、第二通孔著陸部1232、第三通孔著陸部1233和第四通孔著陸部1234;以及第一連接平面部1271和第二連接平面部1273。
第一墊接合部1211、第一連接跡線部1251和第一通孔著陸部1231可以構成第一數據信號線。第四墊接合部1214、第三連接跡線部1254和第四通孔著陸部1234可以構成第二數據信號線。
第二墊接合部1212、第二連接跡線部1252、第一連接平面部1271和第二通孔著陸部1232可以構成電源線。第一保護跡線部1253和第二保護跡線部1255也可以電連接到第一連接平面部1271,以用作電源線的一部分。當第一數據信號通過第一通孔著陸部1231和第一連接跡線部1251傳輸時,第一保護跡線部1253、第二連接跡線部1252和第一連接平面部1271可以用作信號返回路徑。可以提供第一保護跡線部1253、第二連接跡線部1252和第一連接平面部1271以抑制第一連接跡線部1251的阻抗變化或者減小第一連接跡線部1251的阻抗變化量。當第二數據信號通過第四通孔著陸部1234和第三連接跡線部1254傳輸時,第二保護跡線部1255、第二連接跡線部1252和第一連接平面部1271可以用作信號返回路徑。可以提供第二保護跡線部1255、第二連接跡線部1252和第一連接平面部1271以抑制第三連接跡線部1254的阻抗變化或者減小第三連接跡線部1254的阻抗變化量。
第三墊接合部1213、第二連接平面部1273和第三通孔著陸部1233可以構成第一接地線。第五墊接合部1215、第二連接平面部1273和第三通孔著陸部1233可以構成第二接地線。
圖6示出了例示根據實施方式的在半導體封裝件中採用的又一電路互連結構2100的平面圖。
參照圖6,電路互連結構2100可以包括:第一墊接合部2211、第二墊接合部2212、第三墊接合部2213、第四墊接合部2214和第五墊接合部2215;第一連接跡線部2251、第二連接跡線部2252和第三連接跡線部2254;第一保護跡線部2253和第二保護跡線部2255;第一通孔著陸部2231、第二通孔著陸部2232、第三通孔著陸部2233和第四通孔著陸部2234;以及第一連接平面部2271和第二連接平面部2273。
第一附加墊接合部2218可以連接到第一保護跡線部2253的端部2253E,以面向第三墊接合部2213。第一附加墊接合部2218可以具有與面向第一附加墊接合部2218的第三墊接合部2213基本相同的形狀。附加的內部連接器(未示出)(例如,具有與內部連接器(圖1中的560)相同的形狀)可以接合到第一附加墊接合部2218。因此,第一附加墊接合部2218可以電連接到半導體晶片(圖1的500C)。
第二附加墊接合部2219可以連接到第二保護跡線部2255的端部2255E以面向第五墊接合部2215。第二附加墊接合部2219可以具有與面向第二附加墊接合部2219的第五墊接合部2215基本相同的形狀。附加的內部連接器(未示出)(例如,具有與內部連接器(圖1中的560)相同的形狀)可以接合到第二附加墊接合部2219。因此,第二附加墊接合部2219也可以電連接到半導體晶片(圖1的500C)。
圖7示出了例示根據本公開的實施方式的包括採用半導體封裝件的記憶卡7800的電子系統的方塊圖。記憶卡7800包括諸如非揮發性記憶體裝置之類的記憶體7810以及記憶體控制器7820。記憶體7810和記憶體控制器7820可以存儲數據或讀出存儲的數據。記憶體7810和記憶體控制器7820中的至少一個可以包括根據實施方式的半導體封裝件。
記憶體7810可以包括應用了本公開的實施方式的教導的非揮發性記憶體裝置。記憶體控制器7820可以控制記憶體7810,以使得響應於來自主機7830的讀/寫請求而讀出存儲的數據或將數據進行存儲。
圖8示出了例示根據本公開的實施方式的包括半導體封裝件的電子系統8710的方塊圖。電子系統8710可以包括控制器8711、輸入/輸出裝置8712和記憶體8713。控制器8711、輸入/輸出裝置8712和記憶體8713可以通過提供數據移動的路徑的匯流排8715彼此耦合。
在實施方式中,控制器8711可以包括微處理器、數位信號處理器、微控制器和/或能夠執行與這些組件相同功能的邏輯裝置中的一個或更多個。控制器8711和/或記憶體8713可以包括根據本公開的實施方式的半導體封裝件中的一個或更多個。輸入/輸出裝置8712可以包括從小鍵盤、鍵盤、顯示裝置、觸控面板等當中選擇的至少一個。記憶體8713是用於存儲數據的裝置。記憶體8713可以存儲要由控制器8711執行的命令和/或數據等。
記憶體8713可以包括諸如DRAM之類的揮發性記憶體裝置和/或諸如快閃記憶體之類的非揮發性記憶體裝置。例如,快閃記憶體可以安裝到諸如移動終端或桌上型電腦之類的信息處理系統。快閃記憶體可以構成固態硬碟(SSD)。在這種情況下,電子系統8710可以將大量數據穩定地存儲在快閃記憶體系統中。
電子系統8710還可以包括介面8714,其被配置為向通信網絡發送數據和從通信網絡接收數據。介面8714可以是有線類型或無線類型。例如,介面8714可以包括天線或者有線或無線的收發器。
電子系統8710可以實現為移動系統、個人電腦、工業電腦或執行各種功能的邏輯系統。例如,移動系統可以是個人數位助理(PDA)、便攜式電腦、平板電腦、行動電話、智慧型電話、無線電話、膝上型電腦、記憶卡、數位音樂系統和信息發送/接收系統中的任何一種。
如果電子系統8710表示能夠執行無線通信的設備,則電子系統8710可以用於使用分碼多工存取(CDMA)、全球移動通信系統(GSM)、北美數位行動電話(NADC)、強化分時多工存取(E-TDMA)、寬頻分碼多工存取(WCDMA)、CDMA2000、長期演進技術(LTE)或無線寬頻網際網路(Wibro)的技術的通信系統中。
已經出於例示性目的而揭露了本發明的有限數量的可能實施方式。本領域技術人員將認識到:在不背離本揭露內容和所附請求項的範圍和精神的情況下,對於所呈現的實施方式,可以進行各種修改、添加和替換。
10:半導體封裝件
100:電路互連結構
200:基板主體
200S:封裝基板
201:表面
203:表面
211:墊接合部
212:墊接合部
213:墊接合部
214:墊接合部
215:墊接合部
217:墊接合部
231:通孔著陸部
232:通孔著陸部
233:通孔著陸部
234:通孔著陸部
240:導電通孔
241:導電通孔
242:導電通孔
243:導電通孔
251:連接跡線部
252:連接跡線部
253:保護跡線部
253E:端部
254:連接跡線部
255:保護跡線部
255E:端部
260:外部連接器著陸部
261:外部連接器著陸部
262:外部連接器著陸部
263:外部連接器著陸部
271:連接平面部
273:連接平面部
273S:側表面
275:連接平面部
281:通孔著陸部
282:通孔著陸部
284:通孔著陸部
291:連接跡線部
292:連接跡線部
293:保護跡線部
294:連接跡線部
295:保護跡線部
410:介電層
430:介電層
500:晶片主體
500C:半導體晶片
501:表面
510:晶片墊
540:鈍化層
560:內部連接器
600:外部連接器
601:外部連接器
602:外部連接器
603:外部連接器
1100:電路互連結構
1211:墊接合部
1212:墊接合部
1213:墊接合部
1214:墊接合部
1215:墊接合部
1231:通孔著陸部
1232:通孔著陸部
1233:通孔著陸部
1234:通孔著陸部
1251:連接跡線部
1252:連接跡線部
1253:保護跡線部
1254:連接跡線部
1255:保護跡線部
1271:連接平面部
1273:連接平面部
2100:電路互連結構
2211:墊接合部
2212:墊接合部
2213:墊接合部
2214:墊接合部
2215:墊接合部
2218:附加墊接合部
2219:附加墊接合部
2231:通孔著陸部
2232:通孔著陸部
2233:通孔著陸部
2234:通孔著陸部
2251:連接跡線部
2252:連接跡線部
2253:保護跡線部
2253E:端部
2254:連接跡線部
2255:保護跡線部
2255E:端部
2271:連接平面部
2273:連接平面部
7800:記憶卡
7810:記憶體
7820:記憶體控制器
7830:主機
8710:電子系統
8711:控制器
8712:輸入/輸出裝置
8713:記憶體
8714:介面
8715:匯流排
圖1示出了例示根據實施方式的半導體封裝件的截面圖。
圖2示出了例示根據實施方式的半導體封裝件的電路互連結構的平面圖。
圖3示出了沿圖2中的線X2-X2'截取的半導體封裝件的截面圖。
圖4示出了沿圖2中的線X3-X3'截取的半導體封裝件的截面圖。
圖5示出了例示根據實施方式的半導體封裝件的電路互連結構的平面圖。
圖6示出了例示根據實施方式的半導體封裝件的電路互連結構的平面圖。
圖7示出了例示根據實施方式的採用包括半導體封裝件的記憶卡的電子系統的方塊圖。
圖8示出了例示根據實施方式的包括半導體封裝件的電子系統的方塊圖。
10:半導體封裝件
100:電路互連結構
200:基板主體
200S:封裝基板
201:表面
203:表面
211:墊接合部
217:墊接合部
231:通孔著陸部
240:導電通孔
241:導電通孔
251:連接跡線部
260:外部連接器著陸部
261:外部連接器著陸部
271:連接平面部
273:連接平面部
410:介電層
430:介電層
500:晶片主體
500C:半導體晶片
501:表面
510:晶片墊
540:鈍化層
560:內部連接器
600:外部連接器
601:外部連接器
Claims (27)
- 一種半導體封裝件,所述半導體封裝件包括:封裝基板,所述封裝基板包括基板主體;以及半導體晶片,所述半導體晶片被安裝在所述封裝基板上,其中,所述封裝基板包括:第一墊接合部、第二墊接合部和第三墊接合部,其中所述第二墊接合部位在所述第一墊接合部的一側,且所述第三墊接合部位在所述第一墊接合部的另一側;第一通孔著陸部、第二通孔著陸部和第三通孔著陸部,所述第一通孔著陸部、所述第二通孔著陸部和所述第三通孔著陸部設置在所述基板主體上以與所述第一墊接合部、所述第二墊接合部和所述第三墊接合部間隔開;第一連接跡線部,所述第一連接跡線部延伸以將所述第一墊接合部連接到所述第一通孔著陸部;第二連接跡線部,所述第二連接跡線部連接到所述第二墊接合部,所述第二連接跡線部與所述第一連接跡線部平行;第一保護跡線部,所述第一保護跡線部具有與所述第三墊接合部間隔開的端部並且延伸成與所述第一連接跡線部平行;第一連接平面部,所述第一連接平面部與所述第一通孔著陸部間隔開,所述第一連接平面部圍繞並且電旁路所述第一通孔著陸部以將所述第二連接跡線部連接到所述第一保護跡線部,並將所述第二連接跡線部連接到所述第二通孔著陸部;以及第二連接平面部,所述第二連接平面部將所述第三墊接合部連接到所述第三通孔著陸部。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第一保護跡線部位 於所述第一連接跡線部的一側,且所述第二連接跡線部位於所述第一連接跡線部的另一側。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第一保護跡線部位於所述第三墊接合部的一側,且所述第二連接平面部位於所述第三墊接合部的另一側。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第一連接跡線部位於所述第一墊接合部的一側,且所述第二連接平面部位於所述第一墊接合部的另一側。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第二連接跡線部位於所述第二墊接合部的一側,且所述第二連接平面部位於所述第二墊接合部的另一側。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第一保護跡線部與所述第一連接跡線部間隔開。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第一連接平面部與所述第一通孔著陸部間隔開。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第一通孔著陸部位於所述第一墊接合部、所述第二墊接合部和所述第三墊接合部的第一側;並且其中,所述第三通孔著陸部位於所述第一墊接合部、所述第二墊接合部和所述第三墊接合部的與所述第一通孔著陸部相對的第二側。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第二通孔著陸部位於所述第一墊接合部、所述第二墊接合部和所述第三墊接合部的第一側;並且其中,所述第三通孔著陸部位於所述第一墊接合部、所述第二墊接合部和所 述第三墊接合部的與所述第二通孔著陸部相對的第二側。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第一連接平面部位於所述第一墊接合部、所述第二墊接合部和所述第三墊接合部的第一側;並且其中,所述第二連接平面部位於所述第一墊接合部、所述第二墊接合部和所述第三墊接合部的與所述第一連接平面部相對的第二側。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述第一通孔著陸部、所述第一連接跡線部和所述第一墊接合部構成用於將數據信號傳輸到所述半導體晶片的數據信號線。
- 根據請求項11所述的半導體封裝件,其中,所述第二通孔著陸部、所述第一連接平面部、所述第二連接跡線部和所述第二墊接合部構成用於向所述半導體晶片供應接地電壓的接地線。
- 根據請求項12所述的半導體封裝件,其中,所述第三通孔著陸部、所述第二連接平面部和所述第三墊接合部構成用於向所述半導體晶片供應電源電壓的電源線。
- 根據請求項11所述的半導體封裝件,其中,所述第二通孔著陸部、所述第一連接平面部、所述第二連接跡線部和所述第二墊接合部構成用於向所述半導體晶片供應電源電壓的電源線。
- 根據請求項14所述的半導體封裝件,其中,所述第三通孔著陸部、所述第二連接平面部和所述第三墊接合部構成用於向所述半導體晶片供應接地電壓的接地線。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,所述半導體封裝件還包括連接到所述第一保護跡線部的端部的附加墊接合部,以面向所述第三墊接合部。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,所述半導體封裝件還包括: 第四墊接合部和第五墊接合部,所述第四墊接合部和所述第五墊接合部設置在所述基板主體上;第四通孔著陸部,所述第四通孔著陸部設置在所述基板主體上以與所述第四墊接合部間隔開;第三連接跡線部,所述第三連接跡線部延伸以將所述第四墊接合部連接到所述第四通孔著陸部;以及第二保護跡線部,所述第二保護跡線部具有與所述第五墊接合部間隔開的端部並且延伸成與所述第三連接跡線部平行,其中,所述第一連接平面部與所述第四通孔著陸部間隔開,並且所述第一連接平面部圍繞並且電旁路所述第四通孔著陸部以將所述第二連接跡線部連接到所述第二保護跡線部,並且其中,所述第二連接平面部將所述第五墊接合部連接到所述第三通孔著陸部。
- 根據請求項17所述的半導體封裝件,其中,所述第一墊接合部、所述第二墊接合部、所述第三墊接合部、所述第四墊接合部和所述第五墊接合部排列在第一行中。
- 根據請求項18所述的半導體封裝件,所述半導體封裝件還包括多個第六墊接合部,所述多個第六墊接合部設置在所述基板主體上並排列在與所述第一行間隔開的第二行中,其中,所述第二連接平面部位於所述第一行和所述第二行之間。
- 根據請求項19所述的半導體封裝件,其中,所述第三通孔著陸部位於所述第一行和所述第二行之間。
- 根據請求項17所述的半導體封裝件,其中,所述第二連接平面部具有面向所述第一墊接合部、所述第二墊接合部和所述第四墊接合部的側表面。
- 根據請求項17所述的半導體封裝件,其中,所述第四通孔著陸部、所述第三連接跡線部和所述第四墊接合部構成用於向所述半導體晶片供應附加數據信號的附加數據信號線。
- 根據請求項22所述的半導體封裝件,其中,所述第二通孔著陸部、所述第一連接平面部、所述第二連接跡線部和所述第二墊接合部構成用於向所述半導體晶片供應接地電壓的接地線。
- 根據請求項23所述的半導體封裝件,其中,所述第三通孔著陸部、所述第二連接平面部和所述第五墊接合部構成用於向所述半導體晶片供應電源電壓的電源線。
- 根據請求項22所述的半導體封裝件,其中,所述第二通孔著陸部、所述第一連接平面部、所述第二連接跡線部和所述第二墊接合部構成用於向所述半導體晶片供應電源電壓的電源線。
- 根據請求項25所述的半導體封裝件,其中,所述第三通孔著陸部、所述第二連接平面部和所述第五墊接合部構成用於向所述半導體晶片供應接地電壓的接地線。
- 根據請求項1所述的半導體封裝件,其中,所述半導體晶片包括晶片墊,所述晶片墊通過內部連接器分別連接到所述第一墊接合部、所述第二墊接合部和所述第三墊接合部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180153938A KR102620865B1 (ko) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | 반도체 패키지 |
KR10-2018-0153938 | 2018-12-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202023015A TW202023015A (zh) | 2020-06-16 |
TWI819060B true TWI819060B (zh) | 2023-10-21 |
Family
ID=70681391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108128579A TWI819060B (zh) | 2018-12-03 | 2019-08-12 | 半導體封裝件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10998281B2 (zh) |
KR (1) | KR102620865B1 (zh) |
CN (1) | CN111261605B (zh) |
DE (1) | DE102019129642A1 (zh) |
TW (1) | TWI819060B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102620865B1 (ko) | 2018-12-03 | 2024-01-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 패키지 |
KR102538705B1 (ko) * | 2018-12-04 | 2023-06-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 패키지 |
US20220173735A1 (en) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | SK Hynix Inc. | Semiconductor chip including chip pads of different surface areas, and semiconductor package including the semiconductor chip |
CN112885808B (zh) * | 2021-01-21 | 2022-03-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 封装基板以及封装结构 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWM485516U (zh) * | 2014-05-07 | 2014-09-01 | Ttop Corp | 發光二極體支架結構 |
US20170162516A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | SK Hynix Inc. | Semiconductor packages including side shielding parts |
TW201739012A (zh) * | 2016-04-26 | 2017-11-01 | 愛思開海力士有限公司 | 半導體封裝 |
US20180175016A1 (en) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including overlay patterns |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5686764A (en) * | 1996-03-20 | 1997-11-11 | Lsi Logic Corporation | Flip chip package with reduced number of package layers |
US5691568A (en) * | 1996-05-31 | 1997-11-25 | Lsi Logic Corporation | Wire bondable package design with maxium electrical performance and minimum number of layers |
JP2786165B2 (ja) * | 1996-06-19 | 1998-08-13 | 甲府日本電気株式会社 | プリント配線板のカードエッジコネクタおよびその製造方法 |
US6008534A (en) * | 1998-01-14 | 1999-12-28 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package having signal traces interposed between power and ground conductors in order to form stripline transmission lines |
US5994766A (en) * | 1998-09-21 | 1999-11-30 | Vlsi Technology, Inc. | Flip chip circuit arrangement with redistribution layer that minimizes crosstalk |
JP3425898B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2003-07-14 | Necエレクトロニクス株式会社 | エリアアレイ型半導体装置 |
KR100408391B1 (ko) * | 2000-06-09 | 2003-12-06 | 삼성전자주식회사 | 전원 배선을 개선한 볼그리드 어레이 패키지 반도체 장치 |
US6462423B1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip with matched lines and ground plane |
KR100348820B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2002-08-17 | 삼성전자 주식회사 | 고속 반도체 칩 패키지 및 이에 사용되는 기판 |
US6608376B1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-08-19 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package substrate with high density routing mechanism |
US6891260B1 (en) * | 2002-06-06 | 2005-05-10 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package substrate with high density routing mechanism |
SG142115A1 (en) * | 2002-06-14 | 2008-05-28 | Micron Technology Inc | Wafer level packaging |
US7550842B2 (en) * | 2002-12-12 | 2009-06-23 | Formfactor, Inc. | Integrated circuit assembly |
US6776659B1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-08-17 | Teradyne, Inc. | High speed, high density electrical connector |
US8853001B2 (en) * | 2003-11-08 | 2014-10-07 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming pad layout for flipchip semiconductor die |
US7034391B2 (en) * | 2003-11-08 | 2006-04-25 | Chippac, Inc. | Flip chip interconnection pad layout |
US8574959B2 (en) * | 2003-11-10 | 2013-11-05 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming bump-on-lead interconnection |
US7030712B2 (en) * | 2004-03-01 | 2006-04-18 | Belair Networks Inc. | Radio frequency (RF) circuit board topology |
GB2422483B (en) * | 2005-01-21 | 2008-04-16 | Artimi Ltd | Integrated circuit die connection methods and apparatus |
US8120927B2 (en) | 2008-04-07 | 2012-02-21 | Mediatek Inc. | Printed circuit board |
US7994871B2 (en) | 2008-06-30 | 2011-08-09 | Himax Technologies Limited | Chip on film trace routing method for electrical magnetic interference reduction |
KR101535223B1 (ko) | 2008-08-18 | 2015-07-09 | 삼성전자주식회사 | 테이프 배선 기판, 칩-온-필름 패키지 및 장치 어셈블리 |
US8227926B2 (en) * | 2009-10-23 | 2012-07-24 | Ati Technologies Ulc | Routing layer for mitigating stress in a semiconductor die |
KR101632399B1 (ko) * | 2009-10-26 | 2016-06-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
US9159777B2 (en) * | 2011-04-15 | 2015-10-13 | Infineon Technologies Ag | Die arrangements containing an inductor coil and methods of manufacturing a die arrangement containing an inductor coil |
US8723337B2 (en) * | 2011-07-14 | 2014-05-13 | Texas Instruments Incorporated | Structure for high-speed signal integrity in semiconductor package with single-metal-layer substrate |
KR102041243B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2019-11-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
US10163767B2 (en) * | 2013-10-11 | 2018-12-25 | Mediatek Inc. | Semiconductor package |
TWI572256B (zh) | 2014-01-09 | 2017-02-21 | 上海兆芯集成電路有限公司 | 線路板及電子總成 |
JP6272173B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2018-01-31 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
US9659863B2 (en) * | 2014-12-01 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacture thereof |
US10276519B2 (en) * | 2015-06-02 | 2019-04-30 | Sarcina Technology LLC | Package substrate differential impedance optimization for 25 to 60 Gbps and beyond |
KR20170045554A (ko) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 칩 모듈 및 이를 갖는 반도체 패키지 |
KR102437687B1 (ko) | 2015-11-10 | 2022-08-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
KR102620865B1 (ko) | 2018-12-03 | 2024-01-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 패키지 |
-
2018
- 2018-12-03 KR KR1020180153938A patent/KR102620865B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-08-12 TW TW108128579A patent/TWI819060B/zh active
- 2019-08-13 US US16/539,602 patent/US10998281B2/en active Active
- 2019-11-04 DE DE102019129642.0A patent/DE102019129642A1/de active Pending
- 2019-11-12 CN CN201911099388.4A patent/CN111261605B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWM485516U (zh) * | 2014-05-07 | 2014-09-01 | Ttop Corp | 發光二極體支架結構 |
US20170162516A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | SK Hynix Inc. | Semiconductor packages including side shielding parts |
TW201739012A (zh) * | 2016-04-26 | 2017-11-01 | 愛思開海力士有限公司 | 半導體封裝 |
US20180175016A1 (en) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including overlay patterns |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102019129642A1 (de) | 2020-06-04 |
US20200176406A1 (en) | 2020-06-04 |
CN111261605B (zh) | 2023-04-07 |
CN111261605A (zh) | 2020-06-09 |
KR20200067051A (ko) | 2020-06-11 |
TW202023015A (zh) | 2020-06-16 |
KR102620865B1 (ko) | 2024-01-04 |
US10998281B2 (en) | 2021-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI819060B (zh) | 半導體封裝件 | |
TWI732985B (zh) | 包含堆疊晶片的半導體封裝 | |
US10985106B2 (en) | Stack packages including bridge dies | |
US10229900B2 (en) | Semiconductor memory device including stacked chips and memory module having the same | |
CN108074912B (zh) | 包括互连器的半导体封装 | |
TW202029423A (zh) | 包括橋接晶粒的半導體封裝 | |
US10903131B2 (en) | Semiconductor packages including bridge die spaced apart from semiconductor die | |
TWI821361B (zh) | 半導體封裝件 | |
KR20120034386A (ko) | 매립 디커플링 커패시터를 포함하는 회로 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지 | |
US9780071B2 (en) | Stacked semiconductor package including reconfigurable package units | |
US10553567B2 (en) | Chip stack packages | |
CN112786565A (zh) | 具有中介层桥的层叠封装 | |
US11715708B2 (en) | Semiconductor package including decoupling capacitor | |
US20190237398A1 (en) | Semiconductor packages | |
US11233033B2 (en) | Semiconductor packages including chips stacked on a base module | |
TWI826584B (zh) | 包括互連結構的堆疊封裝件 | |
US20220328412A1 (en) | Semiconductor packages | |
US11322475B2 (en) | Stack semiconductor packages having wire-bonding connection structure | |
US9177906B1 (en) | Semiconductor package including an extended bandwidth | |
KR20170034597A (ko) | 복수의 칩들이 내장된 반도체 패키지 | |
US20230058485A1 (en) | Semiconductor packages | |
KR102487532B1 (ko) | 반도체 칩 및 이를 이용한 적층 반도체 칩 | |
TW202310278A (zh) | 半導體封裝件 |