DE102019002202A1 - Aktivmatrix-substrat und anzeigevorrichtung - Google Patents

Aktivmatrix-substrat und anzeigevorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102019002202A1
DE102019002202A1 DE102019002202.5A DE102019002202A DE102019002202A1 DE 102019002202 A1 DE102019002202 A1 DE 102019002202A1 DE 102019002202 A DE102019002202 A DE 102019002202A DE 102019002202 A1 DE102019002202 A1 DE 102019002202A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
drive signal
boost
circuit
unit
circuits
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102019002202.5A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaoru Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of DE102019002202A1 publication Critical patent/DE102019002202A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3696—Generation of voltages supplied to electrode drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0417—Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0297—Special arrangements with multiplexing or demultiplexing of display data in the drivers for data electrodes, in a pre-processing circuitry delivering display data to said drivers or in the matrix panel, e.g. multiplexing plural data signals to one D/A converter or demultiplexing the D/A converter output to multiple columns
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/028—Generation of voltages supplied to electrode drivers in a matrix display other than LCD
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

[Ziel]Verringerung einer Antriebsleistung für ein Aktivmatrix-Substrat, das eine Demultiplexer-Schaltung einschließt.[Lösung]Ein Aktivmatrix-Substrat weist eine Demultiplexer-Schaltung in einem peripheren Bereich und eine Leistungsversorgungsschaltung auf, die konfiguriert ist, um Versorgungsspannungen bei einer Vielzahl von Pegeln an die Demultiplexer-Schaltung zu liefern. Die Demultiplexer-Schaltung weist eine Boost-Schaltung auf, die zum Erhöhen einer Spannung konfiguriert ist, die an einer Gate-Elektrode einer Schalt-TFT anzulegen ist. Die Boost-Schaltung weist eine Einstelleinheit, die durch ein erstes Ansteuersignal (S) angesteuert wird, um einen mit der Gate-Elektrode gekoppelten Knoten vorzuladen, eine Rücksetzeinheit, die durch ein zweites Ansteuersignal (R) angesteuert wird, um ein Potential des Knotens zurückzusetzen und eine Boost-Einheit, die durch ein drittes Ansteuersignal (BST) angesteuert wird, um das Potential des von der Einstelleinheit vorgeladenen Knotens zu erhöhen, auf. Eine Amplitude des ersten Ansteuersignals (S) und eine Amplitude des zweiten Ansteuersignals (R) sind miteinander identisch. Eine Amplitude des dritten Ansteuersignals (B) unterscheidet sich von den Amplituden des ersten Ansteuersignals (S) und des zweiten Ansteuersignals (R).

Description

  • HINTERGRUND
  • Technische Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Aktivmatrix-Substrate und insbesondere ein Aktivmatrix-Substrat, das eine Demultiplexer-Schaltung einschließt. Die vorliegende Erfindung betrifft auch eine Anzeigevorrichtung, die das Aktivmatrix-Substrat einschließt.
  • Ein Aktivmatrix-Substrat, das in einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung verwendet wird, umfasst zum Beispiel einen Anzeigebereich, der eine Vielzahl von Pixeln einschließt, und einen anderen Bereich als den Anzeigebereich (einen Nicht-Anzeigebereich oder einen Rahmenbereich). Der Anzeigebereich ist mit Schaltelementen wie Dünnfilmtransistoren (im Folgenden als „TFTs“ (Thin Film Transistors) bezeichnet), jeweils in Pixeln, versehen. Als Schaltelemente werden TFTs mit jeweils einer amorphen Siliziumfolie, die als eine aktive Schicht dient (im Folgenden als „amorphe Silizium-TFTs“ bezeichnet), und TFTs mit jeweils einer Schicht aus polykristallinem Silizium, die eine aktive Schicht einschließt (im Folgenden als „TFTs mit polykristallinem Silizium“ bezeichnet), nach dem Stand der Technik weit verbreitet verwendet.
  • Die Verwendung eines Oxidhalbleiters als Material für die aktive Schicht ist anstelle der Verwendung von amorphem Silizium und polykristallinem Silizium bei einem TFT vorgeschlagen worden. Der TFT wird als ein „Oxidhalbleiter-TFT“ bezeichnet. Der Oxidhalbleiter weist eine höhere Mobilität auf als amorphes Silizium. Der Oxidhalbleiter-TFT kann daher schneller als ein amorpher Silizium-TFT arbeiten.
  • Ein Nicht-Anzeigebereich eines Aktivmatrix-Substrats kann monolithisch (integral) mit einer peripheren Schaltung, wie etwa einer Treiberschaltung, ausgebildet sein. Die monolithische Ausbildung einer Treiberschaltung erzielt einen schmaleren Nicht-Anzeigebereich (einen schmäleren Rahmen) und einen vereinfachten Montageprozess, was zu einer Kostenreduzierung führt. Zum Beispiel kann ein Nicht-Anzeigebereich monolithisch mit einer Gate-Treiberschaltung gebildet sein und kann mit einer Source-Treiberschaltung durch einen Chip-on-Glass(COG)-Stil montiert sein.
  • Für Vorrichtungen einschließlich Smartphones werden schmälere Rahmen verlangt. Um die Nachfrage zu befriedigen, wurde eine monolithische Ausbildung einer Demultiplexer(DEMUX)-Schaltung, wie z. B. eine gemeinsame Source-Treiber(Source-Shared-Drive (SSD))-Schaltung, zusätzlich zu einem Gate-Treiber vorgeschlagen (z. B. WO 2011/118079 und ungeprüfte japanische Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2010-102266 ). Eine SSD-Schaltung ist eine Schaltung, die zum Verteilen eines Videosignals von einer der Videosignalleitungen konfiguriert ist, die mit Anschlüssen eines Source-Treibers an eine Vielzahl von Source-Verdrahtungsleitungen gekoppelt sind. Die Montage einer SSD-Schaltung kann einen Bereich, in dem Anschlüsse und Verdrahtungsleitungen anzuordnen sind, (einen Bereich, in dem Anschlüsse und Verdrahtungsleitungen auszubilden sind) in einem Nicht-Anzeigebereich weiter verkleinern. Die Anzahl der Ausgaben von einem Source-Treiber und die Größe eines Schaltkreises können auch verringert werden, wodurch eine Verringerung der Kosten für eine integrierte Treiberschaltung (Integrated Circuit, IC) erreicht wird.
  • Periphere Schaltungen, die eine Treiberschaltung und eine SSD-Schaltung einschließen, schließen TFTs ein. Hier wird ein TFT, der als ein Schaltelement in jedem der Pixel in einem Anzeigebereich angeordnet werden soll, als ein „Pixel-TFT“ bezeichnet, während ein TFT, der eine periphere Schaltung konfiguriert, als ein „Schaltkreis-TFT“ bezeichnet wird. Von den Schaltkreis-TFTs wird ein TFT, der als Schaltelement in einer DEMUX-Schaltung (SSD-Schaltung) verwendet werden soll, als ein „TFT für DEMUX-Schaltungen“ bezeichnet.
  • LISTE DER ENTGEGENHALTUNGEN
  • Patentliteratur
    • PTL 1: WO 2011/118079
    • PTL 2: ungeprüfte japanische Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2010-102266
  • KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Technische Aufgabe
  • Für Aktivmatrix-Substrate unter Verwendung von Oxidhalbleiter-TFTs als Pixel-TFTs, können im Hinblick auf ein Herstellungsverfahren TFTs für DEMUX-Schaltungen die Oxidhalbleiter-TFTs unter Verwendung von Oxidhalbleiter-Folien sein, die auch in Pixel-TFTs verwendet werden.
  • Es ist bisher jedoch schwierig, Oxidhalbleiter-TFTs zur Bildung einer DEMUX-Schaltung zu verwenden. Stattdessen werden TFTs mit polykristallinem Silizium als TFTs für DEMUX-Schaltungen nach Stand der Technik verwendet. Die Gründe hierfür sind folgende.
  • Ein Oxidhalbleiter hat eine Mobilität, die ungefähr ein Zehntel kleiner ist als die Mobilität von polykristallinem Silizium. Daher ist eine aktuelle Antriebsleistung für einen Oxidhalbleiter-TFT kleiner als eine aktuelle Antriebsleistung für einen TFT mit polykristallinem Silizium. Daher sollte der TFT bei Verwendung eines Oxidhalbleiters zur Bildung eines TFT für DEMUX-Schaltungen stärker vergrößert werden (Kanalbreite) als ein aus polykristallinem Silizium gebildeter TFT, oder eine Antriebsspannung sollte stärker erhöht werden als eine Antriebsspannung für den aus polykristallinem Silizium gebildeten TFT. Wenn ein TFT vergrößert wird, nimmt auch eine Gate-Kapazitanzlast zu, was zu einer Erhöhung der Antriebsleistung für eine DEMUX-Schaltung führt. Andererseits erhöht sich eine Antriebsleistung für eine DEMUX-Schaltung auch, selbst wenn eine Antriebsspannung für ein TFT erhöht wird.
  • Wie später beschrieben wird, können auch dann, wenn ein TFT mit polykristallinem Silizium als TFT für eine DEMUX-Schaltung verwendet wird, ähnliche Probleme auftreten, wenn nur ein P-Kanal-Metalloxidhalbleiter(PMOS)-Prozess angewendet wird (d. h., wenn ein TFT mit polykristallinem Silizium nur ein PMOS-Transistor ist).
  • Angesichts der oben beschriebenen Probleme hat die vorliegende Erfindung die Aufgabe, eine Antriebsleistung für ein Aktivmatrix-Substrat mit einer Demultiplexer-Schaltung zu verringern.
  • Lösung der Aufgabe
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Aktivmatrix-Substrat mit einem Anzeigebereich, der eine Vielzahl von Pixelbereichen einschließt, und einem peripheren Bereich, der am Rand des Anzeigebereichs liegt. Das Aktivmatrix-Substrat enthält ein Substrat, eine Vielzahl von Gate-Busleitungen und eine Vielzahl von Source-Busleitungen, die auf dem Substrat vorgesehen sind, und einen Source-Treiber, der im peripheren Bereich angeordnet ist, und eine Vielzahl von Ausgangsanschlüssen, eine Vielzahl von Signalausgangsleitungen, die jeweils mit der Vielzahl von Ausgangsanschlüssen des Source-Treibers gekoppelt sind und eine Demultiplexer-Schaltung, die im peripheren Bereich angeordnet ist, enthält und eine Vielzahl von Einheitsschaltungen enthält, die vom Substrat getragen werden. Die Vielzahl von Einheitsschaltungen des Demultiplexer-Schaltung verteilen jeweils ein Anzeigesignal von einer Signalausgangsleitung unter der Vielzahl von Signalausgangsleitungen auf eine Zahl n von Source-Busleitungen, wobei n eine ganze Zahl von 2 oder größer ist, unter der Vielzahl von Source-Busleitungen. Die Vielzahl von Einheitsschaltungen enthält jeweils eine Zahl n von Zweigverdrahtungsleitungen, die mit der einen Signalausgabeleitung gekoppelt sind, eine Zahl n von Schalt-Dünnfilmtransistoren (TFTs), die jeweils mit der Zahl n von Zweigverdrahtungsleitungen gekoppelt sind und konfiguriert sind, um elektrische Verbindungen zwischen der Zahl n von Zweigverdrahtungsleitungen und der Zahl n von Source-Busleitungen getrennt ein- und auszuschalten. Die Demultiplexer-Schaltung weist ferner eine Vielzahl von Boost-Schaltungen auf, die konfiguriert sind, um eine Spannung zu erhöhen, die an Gate-Elektroden der Zahl n von Schalt-TFTs anzulegen ist. Die Vielzahl von Boost-Schaltungen umfasst jeweils eine Einstelleinheit, die durch ein erstes Antriebssignal bzw. Ansteuersignal S angesteuert wird und konfiguriert ist, einen Einstellvorgang durchzuführen, um einen mit einer der entsprechenden Gate-Elektroden gekoppelten Knoten vorzuladen, eine Rücksetzeinheit, die durch ein zweites Ansteuersignal R angesteuert wird und konfiguriert ist, einen Rücksetzvorgang durchzuführen, um ein Potential des Knotens zurückzusetzen und eine Boost-Einheit, die durch ein drittes Ansteuersignal B angesteuert wird, einen Boost-Vorgang durchzuführen, um das Potential des Knotens, der durch die Einstelleinheit vorgeladen wird, zu erhöhen. Eine Amplitude des ersten Ansteuersignals S und eine Amplitude des zweiten Ansteuersignals R sind miteinander identisch. Eine Amplitude des dritten Ansteuersignals B unterscheidet sich von den Amplituden des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R.
  • In einer Ausführungsform sind die Amplituden des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R jeweils kleiner als die Amplitude des dritten Steuersignals B.
  • In einer Ausführungsform sind Hochpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R und ein Hochpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B miteinander identisch, und Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R sind jeweils höher als ein Niederpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B.
  • In einer Ausführungsform weist das Aktivmatrix-Substrat ferner eine Leistungsversorgungsschaltungseinheit auf, die konfiguriert ist, um Leistungsversorgungsspannungen mit einer Vielzahl von Pegeln zu liefern, die verwendet werden, um das erste Ansteuersignal S, das zweite Ansteuersignal R und das dritte Ansteuersignal B zu erzeugen. Die Leistungsversorgungsspannungen mit der Vielzahl von Pegeln beinhalten eine Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend jedem der Hochpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S, des zweiten Ansteuersignals R und des dritten Ansteuersignals B, eine erste Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend jedem der Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S, des zweiten Ansteuersignals R und eine zweite Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend dem Niederpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B.
  • In einer Ausführungsform sind die Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R und das Niederpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B miteinander identisch, und die Hochpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R sind jeweils niedriger als das Hochpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B.
  • In einer Ausführungsform weist das Aktivmatrix-Substrat ferner eine Leistungsversorgungsschaltungseinheit auf, die konfiguriert ist, um Leistungsversorgungsspannungen mit einer Vielzahl von Pegeln zu liefern, die verwendet werden, um das erste Ansteuersignal S, das zweite Ansteuersignal R und das dritte Ansteuersignal B zu erzeugen. Die Leistungsversorgungsspannungen mit der Vielzahl von Pegeln weisen eine Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend jedem der Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S, des zweiten Ansteuersignals R und des dritten Ansteuersignals B, eine erste Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend jedem der Hochpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S, des zweiten Ansteuersignals R und eine zweite Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend dem Hochpegel-Potential des dritten B Ansteuersignals B, auf.
  • In einer Ausführungsform ist eine Beziehung VDL1 - Vs1 - Vthsw < 0 erfüllt, wenn Vthsw eine Schwellenspannung von jedem der Schalt-TFTs ist, Vsl ein Niederpegel-Potential des Anzeigesignals ist und VDL1 jedes der Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R ist.
  • In einer Ausführungsform weist die Demultiplexer-Schaltung eine erste Ansteuersignalleitung auf, die konfiguriert ist, um das erste Ansteuersignal S an die Einstelleinheit zu liefern, eine zweite Ansteuersignalleitung, die konfiguriert ist, um das zweite Ansteuersignal R an die Rücksetzeinheit zu liefern, und eine dritte Ansteuersignalleitung, die konfiguriert ist, um das dritte Ansteuersignal B an die Boost-Einheit zu liefern.
  • In einer Ausführungsform weist die Einstelleinheit einen Dioden-gekoppelten Einstell-TFT mit einer Gate-Elektrode auf, die mit der ersten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, die Rücksetzeinheit weist einen Rücksetz-TFT mit einer Gate-Elektrode auf, die mit der zweiten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist und so konfiguriert ist, dass sie ein Potential des Knotens verringert, und die Boost-Einheit weist ein Boost-Kapazitätselement mit einer ersten Kapazitätselektrode auf, die mit der dritten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, und eine zweite Kapazitätselektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform weist der Einstell-TFT eine Source-Elektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist, und eine Drain-Elektrode, die mit der ersten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, auf, und der Rücksetz-TFT weist eine Source-Elektrode auf, die konfiguriert ist, ein konstantes Potential aufzunehmen, und eine Drain-Elektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform weist der Einstell-TFT eine Source-Elektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist, und eine Drain-Elektrode, die mit der ersten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, auf, und der Rücksetz-TFT weist eine Source-Elektrode auf, die mit der ersten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, und eine Drain-Elektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform weist die Einstelleinheit einen Dioden-gekoppelten Einstell-TFT mit einer Gate-Elektrode auf, die mit der ersten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, die Boost-Einheit weist einen Boost-TFT mit einer Gate-Elektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist und eine Source-Elektrode, die mit einem anderen Knoten als diesem Knoten gekoppelt ist und eine Drain-Elektrode, die mit der dritten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, auf, und die Rücksetzeinheit weist erste und zweite Rücksetz-TFTs jeweils mit Gate-Elektroden auf, die mit der zweiten Ansteuersignalleitung gekoppelt sind und so konfiguriert sind, dass sie das Potential des Knotens verringern. Der erste Rückset-TFT weist eine Drain-Elektrode auf, die mit dem Knoten gekoppelt ist. Der zweite Rückset-TFT weist eine Drain-Elektrode auf, die mit dem anderen Knoten gekoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform weist der Einstell-TFT eine Source-Elektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist, und eine Drain-Elektrode, die mit der ersten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, auf, und der erste Rücksetz-TFT und der zweite Rücksetz-TFT weisen jeweils Source-Elektroden auf, wobei jede konfiguriert ist, ein konstantes Potential aufzunehmen.
  • In einer Ausführungsform weist der Einstell-TFT eine Source-Elektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist, und eine Drain-Elektrode, die mit der ersten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, auf, und der erste Rücksetz-TFT und der zweite Rücksetz-TFT weisen jeweils Source-Elektroden auf, wobei jede mit der ersten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform weist die Boost-Einheit ferner ein Boost-Kapazitätselement mit einer ersten Kapazitätselektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist, und eine zweite Kapazitätselektrode, die mit dem anderen Knoten gekoppelt ist, auf.
  • In einer Ausführungsform beinhaltet die Zahl n an Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen enthalten sind, einen ersten Schalt-TFT und einen zweiten Schalt-TFT, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums einen eingeschalteten Zustand zu erreichen. Die Vielzahl von Boost-Schaltungen beinhaltet eine erste Boost-Schaltung, die mit dem ersten Schalt-TFT gekoppelt ist, und eine zweite Boost-Schaltung, die mit dem zweiten Schalt-TFT gekoppelt ist. Die erste Ansteuersignalleitung für die erste Boost-Schaltung dient auch als zweite Ansteuersignalleitung für die zweite Boost-Schaltung. Die erste Ansteuersignalleitung für die zweite Boost-Schaltung dient auch als zweite Ansteuersignalleitung für die erste Boost-Schaltung.
  • In einer Ausführungsform beinhaltet die Zahl n an Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen eingeschlossen sind, zwei Schalt-TFTs. Die zwei Schalt-TFTs beinhalten einen ersten Schalt-TFT und einen zweiten Schalt-TFT, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen. Die Vielzahl von Boost-Schaltungen beinhaltet eine erste Boost-Schaltung, die mit dem ersten Schalt-TFT einer Einheitsschaltung unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist, und eine zweite Boost-Schaltung, die mit dem zweiten Schalt-TFT der einen Einheitsschaltung gekoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform beinhaltet die Zahl n an Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen eingeschlossen sind, zwei Schalt-TFTs. Die zwei Schalt-TFTs weisen einen ersten Schalt-TFT und einen zweiten Schalt-TFT auf, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen. Die Vielzahl von Boost-Schaltungen weist eine erste Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den ersten Schalt-TFTs von zwei Einheitsschaltungen unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist, und eine zweite Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den zweiten Schalt-TFTs der zwei Einheitsschaltungen gekoppelt ist, auf.
  • In einer Ausführungsform beinhaltet die Zahl n an Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen eingeschlossen sind, zwei Schalt-TFTs. Die zwei Schalt-TFTs beinhalten einen ersten Schalt-TFT und einen zweiten Schalt-TFT, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen. Die Vielzahl von Boost-Schaltungen beinhaltet eine erste Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den ersten Schalt-TFTs von drei oder mehr Einheitsschaltungen unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist, und eine zweite Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den zweiten Schalt-TFTs der drei oder mehr Einheitsschaltungen gekoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform beinhaltet die Zahl n der Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen eingeschlossen sind, drei Schalt-TFTs. Die drei Schalt-TFTs beinhalten einen ersten Schalt-TFT, einen zweiten Schalt-TFT und einen dritten Schalt-TFT, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen. Die Vielzahl von Boost-Schaltungen weist eine erste Boost-Schaltung, die mit dem ersten Schalt-TFT einer Einheitsschaltung unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist, und eine zweite Boost-Schaltung, die mit dem zweiten Schalt-TFT der einen Einheitsschaltung gekoppelt ist, und eine dritte Boost-Schaltung, die mit dem dritten Schalt-TFT der einen Einheitsschaltung gekoppelt ist, auf.
  • In einer Ausführungsform beinhaltet die Zahl n der Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen eingeschlossen sind, drei Schalt-TFTs. Die drei Schalt-TFTs beinhalten einen ersten Schalt-TFT, einen zweiten Schalt-TFT und einen dritten Schalt-TFT, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen. Die Vielzahl von Boost-Schaltungen beinhaltet eine erste Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den ersten Schalt-TFTs von zwei Einheitsschaltungen unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist, eine zweite Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den zweiten Schalt-TFTs der zwei Einheitsschaltungen gekoppelt ist, und eine dritte Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den dritten Schalt-TFTs der zwei Einheitsschaltungen gekoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform beinhaltet die Zahl n der Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen eingeschlossen sind, drei Schalt-TFTs. Die drei Schalt-TFTs beinhalten einen ersten Schalt-TFT, einen zweiten Schalt-TFT und einen dritten Schalt-TFT, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen. Die Vielzahl von Boost-Schaltungen beinhaltet eine erste Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den ersten Schalt-TFTs von drei oder mehr Einheitsschaltungen unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist, eine zweite Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den zweiten Schalt-TFTs der drei oder mehr Einheitsschaltungen gekoppelt ist, und eine dritte Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den dritten Schalt-TFTs der drei oder mehr Einheitsschaltungen gekoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform weist die Demultiplexer-Schaltung ferner eine Vielzahl von Freischaltungen, die jeweils mit der Vielzahl von Boost-Schaltungen gekoppelt sind, auf. Die Vielzahl von Freischaltungen sind jeweils so konfiguriert, dass sie die entsprechenden Boost-Schaltungen zu einem vorbestimmten Zeitpunkt initialisieren.
  • In einer Ausführungsform weisen die Freischaltungen jeweils einen Freischaltungs-TFT mit einer Gate-Elektrode, die konfiguriert ist, ein Freigabesignal aufzunehmen, einer Source-Elektrode, die konfiguriert ist, ein konstantes Potential aufzunehmen, und einer Drain-Elektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist, auf.
  • In einer Ausführungsform weisen die Freischaltungen jeweils einen Freischaltungs-TFT mit einer Gate-Elektrode, die konfiguriert ist, ein Freigabesignal aufzunehmen, einer Source-Elektrode, die mit der ersten Ansteuersignalleitung gekoppelt ist, und einer Drain-Elektrode, die mit dem Knoten gekoppelt ist, auf.
  • In einer Ausführungsform weisen die Einstelleinheit und die Rücksetzeinheit jeweils eine Vielzahl von TFTs auf, die miteinander in Reihe gekoppelt sind.
  • In einer Ausführungsform beinhaltet die Vielzahl von Boost- Schaltungen zwei oder mehr Boost- Schaltungen, die mit einer identischen Zeiteinstellung angesteuert werden. Die Demultiplexer-Schaltung weist eine erste Ansteuersignalleitungsgruppe, die konfiguriert ist, eine Ansteuersignalgruppe zu liefern, die zum Ansteuern einiger Boost-Schaltungen unter den zwei oder mehr Boost-Schaltungen verwendet wird, und eine zweite Antriebssignalleitungsgruppe, die konfiguriert ist, eine Antriebssignalgruppe zu liefern, die zum Ansteuern von anderen Boost-Schaltungen verwendet wird, auf. Die zweite Ansteuersignalleitungsgruppe unterscheidet sich von der ersten Ansteuersignalleitungsgruppe.
  • In einer Ausführungsform ist die Einstelleinheit eine Einstell- und Rücksetzeinheit, die konfiguriert ist, um auch als die Rücksetzeinheit zu fungieren. Die Einstell- und Rücksetzeinheit ist konfiguriert, um den Einstellvorgang und den Rücksetzvorgang zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten durchzuführen.
  • In einer Ausführungsform beinhaltet die Zahl n von Schalt-TFTs jeweils eine Oxidhalbleiterschicht, die als aktive Schicht dient.
  • In einer Ausführungsform enthält die Oxidhalbleiterschicht einen auf In-Ga-Zn-O basierenden Halbleiter.
  • In einer Ausführungsform enthält der auf In-Ga-Zn-O basierende Halbleiter einen kristallinen Abschnitt.
  • In einer Ausführungsform sind die Zahl n von Schalt-TFTs jeweils P-Kanal-Metalloxidhalbleiter(PMOS)-Transistoren, die jeweils eine Halbleiterschicht aus polykristallinem Silizium aufweisen, die als aktive Schicht dient.
  • Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist ein Aktivmatrix-Substrat mit einer der vorstehend beschriebenen Konfigurationen auf.
  • Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
  • Gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann eine Antriebsleistung für ein Aktivmatrix-Substrat mit einer Demultiplexer-Schaltung verringert werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine schematische Ansicht zur Veranschaulichung eines Beispiels einer Ebenenstruktur eines Aktivmatrix-Substrats 100 gemäß einer ersten Ausführungsform.
    • 2 ist eine Ansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer DEMUX-Schaltung 10 veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat 100 enthalten ist.
    • 3 ist eine Ansicht, die ein Konfigurationsbeispiel für Boost-Schaltungen 20 veranschaulicht, die in der DEMUX-Schaltung 10 enthalten sind.
    • 4 ist ein Zeitdiagramm, das Arbeitsgänge der DEMUX-Schaltung 10 veranschaulicht.
    • 5 ist eine Ansicht, die ein spezifisches Konfigurationsbeispiel einer Einstelleinheit 21, einer Rücksetzeinheit 22 und einer Boost-Einheit 23, die in jeder der Boost-Schaltungen 20 eingeschlossen sind, veranschaulicht.
    • 6 ist ein Zeitdiagramm, das die Arbeitsgänge jeder der Boost-Schaltungen 20 veranschaulicht.
    • 7 ist eine Ansicht, die eine Ebenenstruktur eines Aktivmatrix-Substrats 500 gemäß einem Vergleichsbeispiel veranschaulicht.
    • 8A und 8B sind Ansichten, die jeweils Beziehungen zwischen Amplituden eines Einstellsignals S und eines Boost-Signals B und Potentialen eines Knotens N1 in dem Aktivmatrix-Substrat 500 veranschaulichen, gemäß dem Vergleichsbeispiel und dem Aktivmatrix-Substrat 100 gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 9 ist eine schematische Ansicht zur Erläuterung eines Beispiels einer Ebenenstruktur eines Aktivmatrix-Substrats 100A gemäß einem Modifikationsbeispiel zu einer ersten Ausführungsform.
    • 10 ist eine Ansicht, die eine Beziehung zwischen den Amplituden eines Einstellsignals S und eines Boost-Signals B und einem Potential eines Knotens N1 in dem Aktivmatrix-Substrat 100A gemäß dem Modifikationsbeispiel zu der ersten Ausführungsform veranschaulichen.
    • 11 ist eine Ansicht, die eine Beziehung zwischen den Amplituden eines Einstellsignals S und einem Boost-Signal B und einem Potential eines Knotens N1 in dem Aktivmatrix-Substrat 100B gemäß einem anderen Modifikationsbeispiel zu der ersten Ausführungsform veranschaulichen.
    • 12 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10A, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer zweiten Ausführungsform.
    • 13 ist eine Draufsicht, die ein Elektrodenlayout-Beispiel eines Boost-TFTs 27 veranschaulicht, der in jeder der Boost-Schaltungen 20 in der DEMUX-Schaltung 10A enthalten ist.
    • 14 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10B, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer dritten Ausführungsform.
    • 15 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10C, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer vierten Ausführungsform.
    • 16 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10D, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer fünften Ausführungsform.
    • 17 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10E, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer sechsten Ausführungsform.
    • 18 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10F, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer siebten Ausführungsform.
    • 19 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10G, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer achten Ausführungsform.
    • 20 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10H, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer neunten Ausführungsform.
    • 21 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 101, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer zehnten Ausführungsform.
    • 22 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10J, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer elften Ausführungsform.
    • 23A und 23B sind Ansichten zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10K, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer zwölften Ausführungsform.
    • 24 ist ein Zeitdiagramm, das Arbeitsgänge der DEMUX-Schaltung 10K veranschaulicht.
    • 25A und 25B sind Ansichten zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10L, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer dreizehnten Ausführungsform.
    • 26 ist ein Zeitdiagramm, das Arbeitsgänge der DEMUX-Schaltung 10L veranschaulicht.
    • 27 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10M, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer vierzehnten Ausführungsform.
    • 28 ist ein Zeitdiagramm, das Arbeitsgänge der DEMUX-Schaltung 10M veranschaulicht.
    • 29 ist eine Ansicht, die ein spezifisches Konfigurationsbeispiel einer Aufbau- und Rücksetzeinheit 21SR und einer Boost-Einheit 23 veranschaulicht, die in jeder der Boost-Schaltungen 20 der DEMUX-Schaltung 10M enthalten sind.
    • 30 ist ein Zeitdiagramm, das Arbeitsgänge jeder der Boost-Schaltungen 20 der DEMUX-Schaltung 10M veranschaulicht.
    • 31 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung ION, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß einer fünfzehnten Ausführungsform.
    • 32 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 100, die in einem Aktivmatrix-Substrat enthalten ist, gemäß der fünfzehnten Ausführungsform.
    • 33 ist eine Ansicht zur Erläuterung eines anderen Strukturbeispiels des Aktivmatrix-Substrats 100 gemäß der ersten Ausführungsform.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden hierin unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die nachstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt.
  • Erste Ausführungsform
  • 1 ist eine schematische Ansicht zur Erläuterung eines Beispiels einer Ebenenstruktur eines Aktivmatrix-Substrats 100 gemäß der Ausführungsform. Wie in 1 veranschaulicht, weist das Aktivmatrix-Substrat 100 einen Anzeigebereich DR und einen peripheren Bereich FR auf.
  • Der Anzeigebereich DR umfasst eine Vielzahl von Pixelbereichen PIX. Die Pixelbereiche PIX sind Bereiche, die Pixeln einer Anzeigevorrichtung entsprechen. Hiernach werden die Pixelbereiche PIX manchmal einfach als „Pixel“ bezeichnet. Die Vielzahl von Pixelbereichen sind in einer Matrixform angeordnet und umfassen eine Vielzahl von Zeilen und eine Vielzahl von Spalten. Die Vielzahl von Pixelbereichen PIX, die in einer Matrixform angeordnet sind, definieren den Anzeigebereich DR.
  • Der periphere Bereich FR liegt am Rand des Anzeigebereichs DR. Der periphere Bereich FR ist ein Bereich, der nicht zur Anzeige beiträgt und manchmal als „Nicht-Anzeigebereich“ oder „Rahmenbereich“ bezeichnet wird.
  • Komponenten des Aktivmatrix-Substrats 100 werden von einem Substrat 1 getragen. Das Substrat 1 ist zum Beispiel ein Glassubstrat.
  • Auf dem Substrat 1 sind eine Vielzahl von Gate-Busleitungen (Abtastleitung) GL und eine Vielzahl von Source-Busleitungen (Signalleitung) SL vorgesehen. Die Vielzahl von Gate-Busleitungen GL erstrecken sich jeweils in einer Zeilenrichtung. Die Vielzahl von Source-Busleitungen SL erstrecken sich jeweils in einer Spaltenrichtung. 1 veranschaulicht die Gate-Busleitungen GL auf einer ersten Zeile, einer zweite Zeile,... einer x-ten Zeile als „GL1“, „GL2“,... „GLx“, die Source-Busleitungen SL dagegen in einer ersten Spalte, einer zweiten Spalte,... einer y-ten Spalte als „SL1“, „SL2",... „SLy“.
  • Typischerweise repräsentiert ein Bereich, der von den zwei benachbarten Gate-Busleitungen GL und den zwei benachbarten Source-Busleitungen SL umgeben ist, jeden der Pixelbereiche PIX. Die Pixelbereiche PIX umfassen jeweils einen Dünnfilmtransistor 2 und eine Pixel-Elektrode 3.
  • Der Dünnfilmtransistor 2 wird auch als „Pixel-TFT“ bezeichnet. Eine Gate-Elektrode und eine Source-Elektrode des Dünnfilmtransistors 2 sind jeweils mit einer entsprechenden der Gate-Busleitungen GL und einer entsprechenden der Source-Busleitungen SL gekoppelt. Eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors 2 ist mit der Pixel-Elektrode 3 gekoppelt. Wenn das Aktivmatrix-Substrat 100 in einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einem elektrischen Transversalfeld, wie einem Fringe-Field-Switching(FFS)-Modus, verwendet wird, werden dem Aktivmatrix-Substrat 100 gemeinsam verwendete Elektroden (gemeinsame Elektroden) 4 bereitgestellt, die jeweils der Vielzahl von Pixelbereichen PIX entsprechen. Wenn das Aktivmatrix-Substrat 100 in einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einem Modus eines vertikalen elektrischen Feldes angewendet wird, werden die gemeinsamen Elektroden 4 für ein Gegensubstrat bereitgestellt, das so angeordnet ist, dass es über eine Flüssigkristallschicht hinweg dem Aktivmatrix-Substrat 100 gegenüberliegt.
  • Im peripheren Bereich FR sind Gate-Treiber (Abtastzeilen-Treiberschaltungen) 5A und 5B zum Ansteuern der Gate-Busleitungen GL, ein Source-Treiber (eine Signalleitungs-Treiberschaltung) 6 zum Ansteuern der Source-Busleitungen SL und eine Demultiplexer(DEMUX)-Schaltung 10 angeordnet. Die DEMUX-Schaltung 10 fungiert als eine SSD-Schaltung zum Ansteuern der Source-Busleitungen SL in einer zeitlich aufgeteilten Weise. Im peripheren Bereich FR ist ferner eine Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 angeordnet. Die Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 ist konfiguriert, um Leistungsversorgungsspannungen mit einer Vielzahl von Pegeln zu liefern, die verwendet werden, um ein erstes Ansteuersignal, ein zweites Ansteuersignal und ein drittes Ansteuersignal, wie nachstehend beschrieben, zu erzeugen.
  • In der Ausführungsform sind die Gate-Treiber 5A und 5B und die DEMUX-Schaltung 10 integral (monolithisch) auf dem Substrat 1 gebildet. Der Source-Treiber 6 ist auf dem Substrat 1 montiert (genauer, COG-montiert). Die Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 ist in den Source-Treiber 6 eingebaut, der COG-montiert ist.
  • Im veranschaulichten Beispiel ist der Gate-Treiber 5A, der zum Ansteuern der Gate-Busleitungen GL mit ungeradzahligen Zeilen konfiguriert ist, auf einer linken Seite des Anzeigebereichs DR angeordnet, während der Gate-Treiber 5B, der zum Ansteuern der Gate-Busleitungen GL mit geradzahligen Zeilen konfiguriert ist, auf einer rechten Seite des Anzeigebereichs DR angeordnet ist.
  • Eine Vielzahl von Ausgangsanschlüssen (nicht veranschaulicht) des Gate-Treibers 5A sind jeweils mit den Gate-Busleitungen GL an den ungeradzahligen Zeilen gekoppelt. Eine Vielzahl von Ausgangsanschlüssen (nicht veranschaulicht) des Gate-Treibers 5B sind jeweils mit den Gate-Busleitungen GL an den geradzahligen Zeilen gekoppelt. Die Gate-Treiber 5A und 5B weisen jeweils eine Schieberegister-Schaltung 5a auf.
  • Der Source-Treiber 6 ist unter dem Anzeigebereich DR angeordnet. Die DEMUX-Schaltung 10 ist zwischen dem Source-Treiber 6 und dem Anzeigebereich DR angeordnet. Der Source-Treiber 6 weist eine Vielzahl von Ausgangsanschlüssen (nicht veranschaulicht) auf. Eine Vielzahl von Signalausgabeleitungen (Videosignalleitungen) VL sind innerhalb eines Bereichs zwischen dem Source-Treiber 6 und der DEMUX-Schaltung 10 bereitgestellt. Die Vielzahl von Signalausgabeleitungen VL sind jeweils mit der Vielzahl von Ausgangsanschlüssen des Source-Treibers 6 gekoppelt. 1 veranschaulicht die erste, zweite,... z-te Signalausgangsleitung VL als „VL1“, „VL2“,... „VLz“.
  • Die DEMUX-Schaltung 10 ist konfiguriert, um ein von einer der Signalausgabeleitungen VL geliefertes Anzeigesignal auf zwei oder mehr der Source-Busleitungen SL zu verteilen. Die DEMUX-Schaltung 10 wird hierin unter Bezugnahme auf 2 ausführlicher beschrieben. 2 ist eine Ansicht, die ein Konfigurationsbeispiel der DEMUX-Schaltung 10 veranschaulicht.
  • Wie in 2 veranschaulicht, weist die DEMUX-Schaltung 10 eine Vielzahl von Einheitsschaltungen 11 auf, die vom Substrat 1 getragen werden. Die Vielzahl von Einheitsschaltungen 11 verteilt jeweils ein Anzeigesignal von einer der Signalausgangsleitungen VL auf eine Zahl n von Source-Busleitungen SL, wobei n eine ganze Zahl von 2 oder größer ist. 2 veranschaulicht einen Fall, wo n = 2 ist, d. h. die Einheitsschaltungen 11 verteilen jeweils ein Anzeigesignal von einer der Signalausgabeleitungen VL auf zwei der Source-Busleitungen SL. 2 veranschaulicht zwei der Einheitsschaltungen 11. Eine der beiden Einheitsschaltungen 11, d. h. (im Folgenden auch als „erste Einheitsschaltung“ bezeichnet) 11A, verteilt ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL1 auf die Source-Busleitungen SL1 und SL3. Eine weitere der beiden Einheitsschaltungen 11, d. h. (im Folgenden auch als „zweite Einheitsschaltung“ bezeichnet) 11B, verteilt ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL2 auf die Source-Busleitungen SL2 und SL4.
  • Die Einheitsschaltungen 11 weisen jeweils eine Zahl n (hierin zwei) von Zweigverdrahtungsleitungen BL und eine Zahl n (hierin zwei) von Schalt-TFTs 12 auf.
  • Die beiden Zweigverdrahtungsleitungen BL von jeder der Einheitsschaltungen 11 sind mit einer der Signalausgabeleitungen VL gekoppelt. Die zwei Schalt-TFTs 12 von jeder der Einheitsschaltungen 11 sind jeweils mit den beiden Zweigverdrahtungsleitungen BL gekoppelt. Die beiden Schalt-TFTs 12 sind konfiguriert, elektrische Kopplungen zwischen den zwei Zweigverdrahtungsleitungen BL und den zwei Source-Busleitungen SL getrennt (unabhängig) ein- und auszuschalten. In der Ausführungsform weisen die zwei TFTs 12 jeweils eine Oxidhalbleiterschicht auf, die als eine aktive Schicht (d. h. ein Oxidhalbleiter-TFT) dient.
  • Bezüglich der beiden Schalt-TFTs, d. h. 12A und 12C, der ersten Einheitsschaltung, d.h. 11A, schaltet der Schalt-TFT 12A eine elektrische Kopplung zwischen einer Zweigverdrahtungsleitung BL1 und einer Source-Busleitung SL1 ein und aus, wohingegen der Schalt-TFT 12C eine elektrische Kopplung zwischen einer Zweigverdrahtungsleitung BL3 und der Source-Busleitung SL3 ein- und ausschaltet. Eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode von ersterem, d. h. des Schalt-TFT 12A, sind jeweils mit der Zweigverdrahtungsleitung BL1 und der Source-Busleitung SL1 gekoppelt. Eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode von letzterem, d. h. des Schalt-TFT 12C, sind jeweils mit der Zweigverdrahtungsleitung BL3 und der Source-Busleitung SL3 gekoppelt.
  • Bezüglich der beiden Schalt-TFTs 12B und 12D, der zweiten Einheitsschaltung, d. h. 11B, schaltet der Schalt-TFT 12B eine elektrische Kopplung zwischen einer Zweigverdrahtungsleitungen BL2 und einer Source-Busleitung SL2 ein und aus, wohingegen der Schalt-TFT 12D eine elektrische Kopplung zwischen einer Zweigverdrahtungsleitungen BL4 und einer Source-Busleitung SL4 ein- und ausschaltet. Eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des ersteren, d. h. des Schalt-TFT 12B, sind jeweils mit der Zweigverdrahtungsleitung BL2 und der Source-Busleitung SL2 gekoppelt. Eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des letzteren, d. h. des Schalt-TFT 12D, sind jeweils mit der Zweigverdrahtungsleitung BL4 und der Source-Busleitung SL4 gekoppelt.
  • Wie in 2 veranschaulicht, weist die DEMUX-Schaltung 10 gemäß der Ausführungsform ferner eine Vielzahl von Boost-Schaltungen 20 auf, die jeweils konfiguriert sind, um eine Spannung zu erhöhen, die an Gate-Elektroden der Zahl n (hierin zwei) von Schalt-TFTs 12 an jede der Einheitsschaltungen 11 anzulegen ist. In dem veranschaulichten Beispiel in 2 sind die Schalt-TFTs 12 jeweils mit den Boost-Schaltungen 20 aufeinander folgend gekoppelt. Insbesondere sind Gate-Elektroden der Schalt-TFTs 12A, 12B, 12C und 12D jeweils mit Ausgangsseiten der Boost-Schaltungen 20A, 20B, 20C und 20D gekoppelt.
  • In dem veranschaulichten Beispiel in 2 werden die Boost-Schaltungen 20 jeweils durch eine Ansteuersignalgruppe angesteuert, die von einer ersten Ansteuersignalleitung DL1, einer zweiten Ansteuersignalleitung DL2 und einer dritten Ansteuersignalleitung DL3 geliefert werden soll. Ein Ansteuersignal, das von der ersten Ansteuersignalleitung DL1 geliefert wird, wird nachfolgend manchmal als „erstes Ansteuersignal“ bezeichnet.
  • Ein Ansteuersignal, das von der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 geliefert wird, wird nachfolgend manchmal als „zweites Ansteuersignal“ bezeichnet. Ein Ansteuersignal, das von der dritten Ansteuersignalleitung DL3 geliefert wird, wird nachfolgend manchmal als „drittes Ansteuersignal“ bezeichnet. Wie später im Detail beschrieben wird, erhöhen die Boost-Schaltungen 20 Spannungen, um die Antriebsamplituden der Gate-Potentiale der Schalt-TFTs 20 als Reaktion auf Amplituden des ersten Ansteuersignals, des zweiten Ansteuersignals und des dritten Ansteuersignals zu erhöhen. Eine Leistungsversorgungsspannung, die von der Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 geliefert wird, wird verwendet, um das erste Ansteuersignal, das zweite Ansteuersignal und das dritte Ansteuersignal zu erzeugen.
  • In dem veranschaulichten Beispiel in 2 sind zwei Systeme, bestehend aus den Ansteuersignalleitungsgruppen DG1 und DG2, vorgesehen. Die Boost-Schaltungen 20A und 20B sollen durch eine erste Ansteuersignalleitung DL1A, eine zweite Ansteuersignalleitung DL2A und eine dritte Ansteuersignalleitung DL3A in einer der Ansteuersignalleitungsgruppen DG1 und DG2, d.h. DG1, angesteuert werden. Die Boost-Schaltungen 20C und 20D werden durch eine erste Ansteuersignalleitung DL1B, eine zweite Ansteuersignalleitung DL2B und eine dritte Ansteuersignalleitung DL3B in einer anderen der Ansteuersignalleitungsgruppen DG1 und DG2, d.h. DG2, angesteuert.
  • Wie oben beschrieben, weist in dem Aktivmatrix-Substrat 100 gemäß der Ausführungsform die DEMUX-Schaltung 10 die Boost-Schaltungen 20 auf, die konfiguriert sind, um eine Spannung zu erhöhen, die an die Gate-Elektroden der Schalt-TFTs 12 anzulegen ist. Daher kann eine effektive Antriebsspannung für die DEMUX-Schaltung erhöht werden. Daher kann sogar ein Ansteuersignal mit einer relativ kleineren Amplitude die DEMUX-Schaltung ansteuern, wodurch der Energieverbrauch aufgrund des Ladens und Entladens von Ansteuersignalen verringert wird. Die Boost-Schaltungen 20 können die Spannungen (Antriebsspannungen) erhöhen, die an die Gate-Elektroden der Schalt-TFTs 12 angelegt werden, wodurch der Widerstand (Einschaltwiderstand) der Schalt-TFTs 12 verringert wird, wenn sie ausgewählt werden, um die Ladeleistung zu verbessern. Eine Antriebsspannung kann ferner erhöht werden, was zu einer Verringerung der Größe der Schalt-TFTs 12 beiträgt. Eine Layoutgröße der DEMUX-Schaltung 10 kann daher reduziert werden, wodurch der periphere Bereich FR (Rahmen) verschmälert wird. Wie oben beschrieben kann bei der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Antriebsleistung für ein Aktivmatrix-Substrat mit einer DEMUX-Schaltung verringert werden, sowie ein schmälerer Rahmen erreicht werden.
  • Als nächstes wird eine spezifische Konfiguration von jeder der Boost-Schaltungen 20 unter Bezugnahme auf 3 beschrieben. 3 ist eine Ansicht, die ein Konfigurationsbeispiel der Boost-Schaltungen 20 veranschaulicht.
  • In dem veranschaulichten Beispiel in 3, weisen die Boost-Schaltungen 20 jeweils eine Einstelleinheit 21, eine Rücksetzeinheit 22 und eine Boost-Einheit 23 auf. Die Einstelleinheit 21, die Rücksetzeinheit 22 und die Boost-Einheit 23 sind mit einem Knoten N1 gekoppelt, der mit der Gate-Elektrode jedes der Schalt-TFTs 12 gekoppelt ist. Die Einstelleinheit 21 ist mit der ersten Ansteuersignalleitung DL1 gekoppelt. Die Rücksetzeinheit 22 ist mit der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 gekoppelt. Die Boost-Einheit 23 ist mit der dritten Ansteuersignalleitung DL3 gekoppelt.
  • Die Einstelleinheit 21 soll durch ein erstes Ansteuersignal (Einstellsignal) S angesteuert werden, das von der ersten Ansteuersignalleitung DL1 geliefert wird, um einen Arbeitsgang des Vorladens des Knotens N1 (im Folgenden als ein „Einstellvorgang“ bezeichnet) durchzuführen. Die Boost-Einheit 23 soll durch ein drittes Ansteuersignal (Boost-Signal) B angesteuert werden, das von der dritten Ansteuersignalleitung DL3 geliefert wird, um einen Arbeitsgang zum Erhöhen eines Potentials des Knotens N1 durchzuführen, der durch die Einstelleinheit 21 vorgeladen wird (im Folgenden als ein „Boost-Vorgang“ bezeichnet). Die Rücksetzeinheit 22 soll durch ein zweites Ansteuersignal (Rücksetzsignal) R angesteuert werden, das von der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 geliefert wird, um einen Arbeitsgang zum Zurücksetzen des Potentials des Knotens N1 durchzuführen (im Folgenden als ein „Rücksetzvorgang“ bezeichnet).
  • Arbeitsgänge in jeder der Boost-Schaltungen 20 (der DEMUX-Schaltung 10) werden hierin unter weiterer Bezugnahme auf 4 beschrieben. 4 ist ein Zeitdiagramm, das Arbeitsgänge der DEMUX-Schaltung 10 veranschaulicht. 4 veranschaulicht die Potentiale der ersten Ansteuersignalleitungen DL1A und DL1B, der zweiten Ansteuersignalleitungen DL2A und DL2B, der dritte Ansteuersignalleitungen DL3A und DL3B, der Knoten N1A und N1B, jeder der Signalausgangsleitung VL und der Source-Busleitungen SL1 und SL3. Die Potentiale der ersten Ansteuersignalleitungen DL1A und DL1B repräsentieren jeweils ein Signalpotential des Einstellsignals S. Die Potentiale der zweiten Ansteuersignalleitungen DL2A und DL2B repräsentieren jeweils ein Signalpotential des Rücksetzsignals R. Die Potentiale der dritten Ansteuersignalleitungen DL3A und DL3B repräsentieren jeweils ein Signalpotential des Boost-Signals B.
  • Zuerst erreicht das Potential der ersten Signalleitung DL1A zu einem Zeitpunkt t1 einen hohen Pegel, während das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2A einen niedrigen Pegel erreicht. Ein erstes Ansteuersignal tritt als das Einstellsignal S in die Einstelleinheit 21 der Boost-Schaltung 20A ein. Der Knoten N1A, der mit der Gate-Elektrode des Schalt-TFT 12A gekoppelt ist, wird somit vorgeladen (Einstellvorgang). Zu dem Zeitpunkt ändert sich das Potential jeder der Signalausgabeleitungen VL (d. h. ein Anzeigesignal) auf einen Schreibspannungspegel. Das Laden der ausgewählten Source-Busleitung SL1 beginnt.
  • Als nächstes erreicht das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3A zu einem Zeitpunkt t2 den hohen Pegel. Ein drittes Ansteuersignal tritt als das Boost-Signal B in die Boost-Einheit 23 der Boost-Schaltung 20A ein. Das Potential des Knotens N1A steigt somit an (Boost-Vorgang). Nachdem das Potential des Knotens N1A angestiegen ist, wird die Source-Busleitung SL1 über den Schalt-TFT 20A vollständig geladen.
  • Als nächstes erreicht das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1A zu einem Zeitpunkt t3 den niedrigen Pegel, das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2A erreicht den hohen Pegel und das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3A erreicht den niedrigen Pegel. Ein zweites Ansteuersignal tritt als Rücksetzsignal R in die Rücksetzeinheit 22 der Boost-Schaltung 20A ein. Das Potential des Knotens N1A wird somit zurückgesetzt (Rücksetzvorgang). Gleichzeitig erreicht der Schalt-TFT 20A einen ausgeschalteten Zustand. Ein Potential der Source-Busleitung SL1 wird somit bestimmt.
  • Zum Zeitpunkt t3 erreicht das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1B den hohen Pegel, während das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2B den niedrigen Pegel erreicht. Ein erstes Ansteuersignal tritt als das Einstellsignal S in die Einstelleinheit 21 der Boost-Schaltung 20B ein. Der Knoten N1B, der mit der Gate-Elektrode des Schalt-TFTs 12B gekoppelt ist, wird somit vorgeladen (Einstellvorgang). Zu dem Zeitpunkt ändert sich das Potential jeder der Signalausgabeleitungen VL (d. h. ein Anzeigesignal) auf den Schreibspannungspegel. Das Laden der ausgewählten Source-Busleitung SL3 beginnt.
  • Als nächstes erreicht das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3B den hohen Pegel zu einem Zeitpunkt t4. Ein drittes Ansteuersignal tritt als das Boost-Signal B in die Boost-Einheit 23 der Boost-Schaltung 20B ein. Das Potential N1B steigt somit an (Boost-Vorgang). Nachdem das Potential des Knotens N1B angestiegen ist, wird die Source-Busleitung SL3 über den Schalt-TFT 20B vollständig geladen.
  • Danach erreicht das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1B zu einem Zeitpunkt t5 den niedrigen Pegel, das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2B erreicht den hohen Pegel und das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3B erreicht den niedrigen Pegel. Ein zweites Ansteuersignal tritt als Rücksetzsignal R in die Rücksetzeinheit 22 der Boost-Schaltung 20B ein. Das Potential des Knotens N1B wird somit zurückgesetzt (Rücksetzvorgang). Gleichzeitig erreicht der Schalt-TFT 12B den ausgeschalteten Zustand. Ein Potential der Source-Busleitung SL3 wird somit bestimmt.
  • Nachdem das Schreiben in die Source-Busleitungen SL1 und SL3 beendet worden ist (ein Potential bestimmt wurde), erreicht ein Gate-Signal, das von jeder der Gate-Busleitungen GL geliefert wird, einen Ausschaltpegel. Eine Anzeigenspannung wurde in jedes der Pixel PIX geschrieben.
  • Die spezifischere Konfiguration jeder der Boost-Schaltungen 20 wird unter Bezugnahme auf 5 beschrieben. 5 ist eine Ansicht, die ein spezifisches Konfigurationsbeispiel der Einstelleinheit 21, der Rücksetzeinheit 22 und der Boost-Einheit 23 von jeder der Boost-Schaltungen 20 veranschaulicht.
  • In dem veranschaulichten Beispiel von 5 weist die Einstelleinheit 21 ein TFT (im Folgenden als „Einstell-TFT“ bezeichnet) 24 auf. Der Einstell-TFT 24 ist Dioden-gekoppelt. Eine Gate-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Einstell-TFT 24 sind mit der ersten Ansteuersignalleitung DL1 gekoppelt. Die Source-Elektrode des Einstell-TFT 24 ist mit dem Knoten N1 gekoppelt.
  • Die Rücksetzeinheit 22 weist einen TFT (im Folgenden als ein „Rücksetz-TFT“ bezeichnet) 25 auf. Eine Gate-Elektrode des Rücksetz-TFT 25 ist mit der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 gekoppelt. Der Rücksetz-TFT 25 ist konfiguriert, um das Potential des Knotens N1 zu verringern. Insbesondere ist eine Source-Elektrode des Rücksetz-TFT 25 konfiguriert, um ein konstantes Potential (ein negatives Leistungsversorgungspotential VSS) aufzunehmen. Die Drain-Elektrode des Rücksetz-TFT 25 ist mit dem Knoten N1 gekoppelt.
  • Die Boost-Einheit 23 weist ein Kapazitätselement (im Folgenden als ein „Boost-Kapazitätselement“ bezeichnet) 26 auf.
  • Das Boost-Kapazitätselement 26 weist eine Elektrode, die mit der dritten Ansteuersignalleitung DL3 gekoppelt ist (erste Kapazitätselektrode), und eine Elektrode, die mit dem Knoten N1 gekoppelt ist (zweite Kapazitätselektrode), auf.
  • Vor der Beschreibung jeder der Boost-Schaltungen 20, die in 5 veranschaulicht sind, werden hier die Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8, die im Aktivmatrix-Substrats 100 gemäß der Ausführungsform enthalten ist, und Amplituden des Einstellsignals S, des Rücksetzsignals R und des Boost-Signals B, beschrieben.
  • Wie in 1 veranschaulicht weist die Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 gemäß der Ausführungsform eine erste Leistungsversorgungsschaltung 8a und eine zweite Leistungsversorgungsschaltung 8b auf. Die erste Leistungsversorgungsschaltung 8a kann eine erste Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH1 und eine erste Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL1 liefern (erzeugen). Die zweite Leistungsversorgungsschaltung 8b kann eine zweite Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH2 und eine zweite Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL2 liefern (erzeugen). Die erste Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH1 und die zweite Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH2 unterscheiden sich voneinander. Die erste Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL1 und die zweite Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL2 unterscheiden sich voneinander. Das heißt, die Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 weist Leistungsversorgungsschaltungen auf, die zwei Systeme bilden (die erste Leistungsversorgungsschaltung 8a und die zweite Leistungsversorgungsschaltung 8b). Die Leistungsversorgungsschaltungen, die zwei Systeme bilden, können jeweils zwei Arten von Leistungsversorgungsspannungen (die in ihrer Größe verschieden voneinander sind) als eine hochpegelseitige Leistungsversorgungsspannung und eine niederpegelseitige Leistungsversorgungsspannung liefern.
  • In der Ausführungsform sind eine Amplitude des Einstellsignals (des ersten Ansteuersignals) S und eine Amplitude des Rücksetzsignals (des zweiten Ansteuersignals) R miteinander identisch. Eine Amplitude des Boost-Signals (des dritten Ansteuersignals) B unterscheidet sich von jeder der Amplituden des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R. Genauer ist die Amplitude des Boost-Signal B größer als jede der Amplituden des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R. Daher sind die Amplituden des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R jeweils kleiner als die Amplitude des Boost-Signals B.
  • Hierbei entsprechen Hochpegel-Potentiale des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R jeweils der ersten Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH1, wohingegen Niederpegel-Potentiale des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R jeweils der ersten Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL1 entsprechen. Ein Hochpegel-Potential des Boost-Signals B entspricht der zweiten Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH2, wohingegen ein Niederpegel-Potential des Boost-Signals B der zweiten Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL2 entspricht. Wie oben beschrieben sind die Amplituden des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R jeweils kleiner als die Amplitude des Boost-Signals B. Daher ist eine Beziehung (VDH1 - VDL1) < (VDH2 - VDL2) erfüllt.
  • Arbeitsgänge jeder der Boost-Schaltungen 20, die in 5 veranschaulicht sind, werden unter Bezugnahme auf 6 beschrieben. 6 ist ein Zeitdiagramm, das die Arbeitsgänge jeder der Boost-Schaltungen 20 veranschaulicht. 6 veranschaulicht Potentiale des Einstellsignals S (der ersten Ansteuersignalleitung DL1), des Rücksetzsignals R (der zweiten Ansteuersignalleitung DL2), des Boost-Signals B (der dritten Ansteuersignalleitung DL3), des Knotens N1, jeder der Signalausgabeleitungen VL und jeder der Source-Busleitungen SL.
  • Zuerst erreicht das Einstell-TFT 24 den eingeschalteten Zustand, wenn sich das Einstellsignal S vom Niederpegel-Potential (VDL1) in das Hochpegel-Potential (VDH1) ändert und der Knoten N1 vorgeladen wird (Einstellvorgang). Gleichzeitig und wenn Vth eine Schwellenspannung des Einstell-TFTs 24 ist, wird der Knoten N1 auf ein Potential von (VDH1 - Vth) vorgeladen, da der Einstell-TFT 24 Dioden-gekoppelt ist.
  • Als nächstes erhöht sich das Potential des Knotens N1, wenn sich das Boost-Signal B vom Niederpegel-Potential (VDL2) in das Hochpegel-Potential (VDH2) ändert. Der Grad der Erhöhung variiert abhängig von einem Verhältnis eines Kapazitätswerts Cbst des Boost-Kapazitätselements 26 in Bezug auf eine Gesamtmenge einer Lastkapazität (Gesamtlastkapazität) Cn1 des Knotens N1. Genauer kann ein Potential, das äquivalent zu einem Anstiegsbetrag ist, durch Multiplizieren der Amplitude des Boost-Signals B (= VDH2 - VDL2) mit (Cbst / Cn1) erhalten werden. Beispielsweise erhöht sich das Potential des Knotens N1 von (VDH1 - Vth) auf {(VDH1 - Vth) + (VDH2 - VDL2) x (0,1 / 0,2)}, wenn die Gesamtlastkapazität Cn1 des Knotens N1 0,2 pF ist und der Kapazitätswert Cbst des Boost-Kapazitätselements 26 0,1 pF ist.
  • Beispielsweise erhöht sich der Knoten N1 auf 28 V, wenn VDH1 = 16 V, VDL1 = -7 V, VDH2 = 14 V, VDL2 = -14 V und Vth = 2 V.
  • In dem Aktivmatrix-Substrat 100 gemäß der Ausführungsform unterscheidet sich, wie oben beschrieben, die Amplitude des Boost-Signals B von jeder der Amplituden des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R (genauer sind die Amplituden des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R jeweils kleiner als die Amplitude des Boost-Signals B). Dadurch kann ein noch niedrigerer Energieverbrauch erreicht werden. Die Gründe werden ab hier beschrieben.
  • Ein normaler Oxidhalbleiter-TFT ist weniger mobil als ein TFT mit polykristallinem Silizium und wird zu Kompensationszwecken häufig bei einer Spannung angesteuert, die höher ist als eine Spannung zum Ansteuern eines TFT mit polykristallinem Silizium. Beispielsweise wird ein Niedertemperatur-Polysilizium-(LTPS)-TFT bei einer Signalspannung mit einem Hochpegel-Potential von 9,5 V und einem Niederpegel-Potential von -7 V (Amplitude beträgt 16,5 V) angesteuert. Ein Oxidhalbleiter-TFT mit einer auf In-Ga-Zn-O basierenden Halbleiterschicht wird bei einer Signalspannung mit einem Hochpegel-Potential V von 16 V und einem Niederpegel-Potential von -12 V (Amplitude beträgt 28 V) angesteuert. Ein normaler Treiber, der COG-montiert wird, weist eine Leistungsversorgungsschaltung auf, die nur ein System bildet (d. h. es wird nur eine Sorte von Leistungsversorgungsspannung als hoch- und niederpegelseitige Leistungsversorgungsspannung geliefert). Daher sollten die Amplituden aller Antriebsspannungen einem Signal entsprechen, das eine höchste Spannung erfordert.
  • Vorteile des Aktivmatrix-Substrats 100 gemäß der Ausführungsform werden im Vergleich zu einem Aktivmatrix-Substrat 500 gemäß einem in 7 veranschaulichten Vergleichsbeispiel beschrieben. Das Aktivmatrix-Substrat 500 gemäß dem Vergleichsbeispiel unterscheidet sich von dem Aktivmatrix-Substrat 100 gemäß der Ausführungsform in dem Sinne, dass ein Source-Treiber 6, der COG-montiert ist, eine Leistungsversorgungsschaltung 8' aufweist, die als eine Leistungsversorgungsschaltungseinheit dient. Die Leistungsversorgungsschaltung 8' ist konfiguriert, um eine Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH und eine Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL zu liefern. Daher sind in dem Aktivmatrix-Substrat 500 gemäß dem Vergleichsbeispiel ein Einstellsignal S, ein Rücksetzsignal R und ein Boost-Signal B von der Amplitude her miteinander identisch (ein Hochpegel-Potential ist VDH und ein Niederpegel-Potential ist VDL).
  • In dem Aktivmatrix-Substrat 500 gemäß dem Vergleichsbeispiel ist ein Potential eines Knotens N1 nach einem Boost-Vorgang (16 - 2) + {16 - (-12)} x (0,1 / 0,2) = 28 V, wenn beispielsweise, wie in 8A veranschaulicht, VDH = 16 V, VDL = -12 V, Vth = 2 V, Cbst = 0,1 pF und Cnl = 0,2 pF.
  • In dem Aktivmatrix-Substrat 100 gemäß der Ausführungsform ist das Potential des Knotens N1 nach einem Boost-Vorgang (16 - 2) + {14 - (-14)} x (0,1 / 0,2) = 28 V, wenn beispielsweise, wie in 8B veranschaulicht, VDH1 = 16 V, VDL1 = -7 V, VDH2 = 14 V, VDL2 = -14 V, Vth = 2 V, Cbst = 0,1 pF und Cn1 = 0,2 pF. Daher kann das Potential auf das Potential in dem Aktivmatrix-Substrat 500 gemäß dem Vergleichsbeispiel ansteigen.
  • Andererseits beträgt die Amplitude des Einstellsignals S (und des Rücksetzsignals R) im Vergleichsbeispiel 28 V, während sie in der Ausführungsform 23 V beträgt. Die Frequenz f, die Lastkapazität C und die Spannung V können verwendet werden, um den Stromverbrauch P als P = fCV2 auszudrücken. In dem veranschaulichten Beispiel kann das Aktivmatrix-Substrat 100 gemäß der Ausführungsform den Stromverbrauch um ungefähr 30 % gegenüber dem Aktivmatrix-Substrat 500 gemäß dem Vergleichsbeispiel verringern.
  • Wie oben beschrieben kann durch Differenzieren der Amplitude des Boost-Signals B von jedem der Amplituden des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R (insbesondere durch Verringern der Amplituden des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R auf eine jeweils kleinere als die Amplitude des Boost-Signals B), ein noch niedrigerer Stromverbrauch erreicht werden, während eine Antriebsleistung (Leistung) erhalten bleibt.
  • Es ist zu beachten, dass das Hochpegel-Potential und das Niederpegel-Potential des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R (die erste Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH1 und die erste Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL1) und das Hochpegel-Potential und das Niederpegel-Potential des Boost-Signals B (die zweite Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH2 und die zweite Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL2) offensichtlich nicht auf die veranschaulichten Werte begrenzt sind. Jedoch sollten für das Niederpegel-Potential VDL1 des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R die Schalt-TFTs 12 nicht ausgewählt werden. Daher kann eine Beziehung VDL1 - Vsl - Vthsw < 0 erfüllt werden, wobei Vthsw eine Schwellenwertspannung von jedem der Schalt-TFTs 12 ist und Vsl ein Niederpegel-Potential des Anzeigesignals ist.
  • 9 veranschaulicht ein Aktivmatrix-Substrat 100A gemäß einem Modifikationsbeispiel der Ausführungsform. In dem Aktivmatrix-Substrat 100A, das in 9 veranschaulicht wird, sind Hochpegel-Potentiale eines Einstellsignals S und eines Rücksetzsignals R jeweils identisch mit einem Hochpegel-Potential eines Boost-Signals B. Niederpegel-Potentiale des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R sind jeweils höher als ein Niederpegel-Potential des Boost-Signals B. Daher liefert eine Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 des Aktivmatrix-Substrats 100A eine Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH, die dem Hochpegel-Potential des Einstellsignals S, des Rücksetzsignals R und des Boost-Signals B entspricht, eine erste Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL1, die dem Niederpegel-Potential des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R entspricht und eine zweite Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL2, die dem Niederpegel-Potential des Boost-Signals B entspricht (wobei VDL1 > VDL2).
  • Wie oben beschrieben ist in dem Aktivmatrix-Substrat 500 gemäß dem Vergleichsbeispiel ein Potential des Knotens N1 nach einem Boost-Vorgang 28 V, wenn beispielsweise, wie in 8A veranschaulicht, VDH = 16 V, VDL = -12 V, Vth = 2 V, Cbst = 0,1 pF und Cnl = 0,2 pF.
  • In dem Aktivmatrix-Substrat 100A, das in 9 veranschaulicht wird, ist das Potential des Knotens N1 nach einem Boost-Vorgang (16 - 2) + {16 - (-12)} x (0,1 / 0,2) = 28 V, wenn, wie in 10 veranschaulicht, VDH = 16 V, VDL1 = -7 V, VDL2 = -12 V, Vth = 2 V, Cbst = 0,1 pF und Cnl = 0,2 pF. Daher kann das Potential auf das Potential in dem Aktivmatrix-Substrat 500 gemäß dem Vergleichsbeispiel ansteigen.
  • Andererseits beträgt die Amplitude des Einstellsignals S (und des Rücksetzsignals R) in dem Aktivmatrix-Substrat 500 gemäß dem Vergleichsbeispiel 28 V, während sie in dem Aktivmatrix-Substrat 100A 23 V beträgt. Daher kann der Energieverbrauch um etwa 30 % gesenkt werden. Wie oben beschrieben kann sogar in dem Aktivmatrix-Substrat 100A gemäß dem Modifikationsbeispiel ein noch niedrigerer Stromverbrauch erreicht werden, während eine Antriebsleistung (Leistung) erhalten bleibt. Bei dem Aktivmatrix-Substrat 100A gemäß dem Modifikationsbeispiel erfordert die Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 niederpegelseitige Leistungsversorgungsspannungen, die zwei Systeme bilden, und eine hochpegelseitige Leistungsversorgungsspannung, die nur ein einziges System bildet. Daher kann die Konfiguration der Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 vereinfacht werden.
  • 11 veranschaulicht ein Aktivmatrix-Substrat 100B gemäß einem weiteren Modifikationsbeispiel der Ausführungsform. In dem Aktivmatrix-Substrat 100B, das in 11 veranschaulicht wird, sind Niederpegel-Potentiale eines Einstellsignals S und eines Rücksetzsignals R jeweils identisch mit einem Niederpegel-Potential eines Boost-Signals B. Hochpegel-Potentiale des Einstellsignals S und eines Rücksetzsignals R sind jeweils niedriger als ein Hochpegel-Potential des Boost-Signals B. Daher liefert eine Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 des Aktivmatrix-Substrats 100B eine Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL, die den Niederpegel-Potentialen des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R und des Boost-Signals B entspricht, eine erste Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH1, die den Hochpegel-Potentialen des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R entspricht und eine zweite Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH2, die dem Hochpegel-Potential des Boost-Signals B entspricht (wobei VDH1 < VDH2).
  • Selbst in dem Aktivmatrix-Substrat 100B gemäß dem anderen Modifikationsbeispiel kann ein noch niedrigerer Stromverbrauch erreicht werden, während eine Antriebsleistung (Leistung) erhalten bleibt. In dem Aktivmatrix-Substrat 100B erfordert die Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 hochpegelseitige Leistungsversorgungsspannungen, die zwei Systeme bilden, und eine niederpegelseitige Leistungsversorgungsspannung, die nur ein einziges System bildet. Daher kann die Konfiguration der Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 vereinfacht werden.
  • Hier wurden die Beispiele beschrieben, in denen die Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 in dem Source-Treiber 6 eingebaut ist, der COG-montiert ist. Die Beispiele beabsichtigen jedoch nicht, die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zu beschränken.
  • 33 veranschaulicht ein anderes Konfigurationsbeispiel der Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8. In dem Beispiel, das in 33 veranschaulicht ist, wird ein Substrat 1 mit einer Leiterplatte (PCB) 7 über eine flexible Leiterplatte (FPC) 9 gekoppelt. Auf der PCB 7 sind eine Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8, eine Zeiteinstellsteuerung 41 und eine Pegelschieberschaltung 42 vorgesehen.
  • Ähnlich der Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8, die in 1 veranschaulicht wird, weist die Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 eine erste Leistungsversorgungsschaltung 8a auf, die konfiguriert ist, eine erste Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH1 und eine erste Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL1 zu liefern (zu erzeugen) und eine zweite Leistungsversorgungsschaltung 8b, die konfiguriert ist, eine zweite Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung VDH2 und eine zweite Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung VDL2 zu liefern (zu erzeugen). Hierin ist die Leistungsversorgungsschalteinheit 8 eine Leistungsversorgungs-IC.
  • Die Zeiteinstellsteuerung 41 ist konfiguriert, verschiedene Taktimpulse zu erzeugt, die zum Ansteuern des Aktivmatrix-Substrats 100 erforderlich sind. Die Pegelschieberschaltung 42 ist konfiguriert, einen Potentialpegel eines Eingangssignals zu ändern (d. h. zu steuern).
  • Sowohl an Flüssigkristallfernsehern als auch an PC-Anzeigen ist häufig eine Leistungsversorgungs-IC auf einer Außenseite angeordnet und sie werden mit einer Zeiteinstellsteuerung gesteuert. Daher kann die in 33 veranschaulichte Konfiguration vorzugsweise verwendet werden. Eine in der Leistungsversorgungsschaltungseinheit 8 erzeugte Leistungsversorgungsspannung wird von der Pegelschieberschaltung 42 gesteuert und an das Substrat 1 ausgegeben.
  • Zweite Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird hierin unter Bezugnahme auf 12 beschrieben. 12 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10A veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • In der DEMUX-Schaltung 10, die in 5 veranschaulicht wird, weist die Boost-Einheit 23 von jeder der Boost-Schaltungen 20 das Boost-Kapazitätselement 26 auf. Andererseits weist in der DEMUX-Schaltung 10A gemäß der Ausführungsform, wie in 12 veranschaulicht, eine Boost-Einheit 23 einen TFT 27 (im Folgenden als „Boost-TFT“ bezeichnet) auf. Eine Gate-Elektrode des Boost-TFT 27 ist mit einem Knoten N1 gekoppelt. Eine Drain-Elektrode des Boost-TFT 27 ist mit einer dritten Ansteuersignalleitung DL3 gekoppelt. Die Source-Elektrode des Boost-TFT 27 ist mit dem Knoten N2 gekoppelt, der sich vom Knoten N1 unterscheidet.
  • In der in 5 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10 weist die Rücksetzeinheit 22 jeder der Boost-Schaltungen 20 nur den Rücksetz-TFT 25 auf. Andererseits weist in der DEMUX-Schaltung 10A gemäß der Ausführungsform, wie in 12 veranschaulicht, eine Rücksetzeinheit 22 zwei Rücksetz-TFTs 25 und 28 auf, die konfiguriert sind, um ein Potential des Knotens N1 zu verringern.
  • Eine Gate-Elektrode eines der Rücksetz-TFTs 25 und 28, d. h. die von 25 (dem ersten Rücksetz-TFT), ist mit einer zweiten Ansteuersignalleitung DL2 gekoppelt. Eine Source-Elektrode des ersten Rücksetz-TFTs 25 ist konfiguriert, ein konstantes Potential (ein negatives Leistungsversorgungspotential VSS) aufzunehmen. Eine Drain-Elektrode des ersten Rücksetz-TFT 25 ist mit dem Knoten N1 gekoppelt.
  • Eine Gate-Elektrode eines anderen der Rücksetz-TFTs 25 und 28, d. h. die von 28 (dem zweiten Rücksetz-TFT), ist mit der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 gekoppelt. Eine Source-Elektrode des zweiten Rücksetz-TFT 28 ist konfiguriert, das konstante Potential (das negative Leistungsversorgungpotential VSS) aufzunehmen. Eine Drain-Elektrode des zweiten Rücksetz-TFTs 28 ist mit dem Knoten N2 gekoppelt (d. h. mit der Source-Elektrode des Boost-TFTs 27 über den Knoten N2 gekoppelt).
  • In der Ausführungsform weist die Boost-Einheit 23 den Boost-TFT 27 anstelle des Boost-Kapazitätselements 26 auf, wodurch eine Signallast verringert wird. Daher können ein noch niedrigerer Stromverbrauch und ein schneller Betrieb erreicht werden. Selbst wenn die Boost-Einheit 23 den Boost-TFT 27 aufweist, kann ähnlich einem Fall, bei dem die Boost-Einheit 23 das Boost-Kapazitätselement 26 aufweist, jede der Boost-Schaltungen 20 mit Ansteuersignalen angesteuert werden, die sich verhalten wie in dem Zeitdiagramm in 4 veranschaulicht.
  • Wenn die Boost-Einheit 23 den Boost-TFT 27 aufweist, wird ein Steigerungsgrad durch jede der Boost-Schaltungen 20 in Übereinstimmung mit einem Verhältnis eines Kapazitätswerts Ctft_on des Boost-TFTs 27 bestimmt, der im eingeschalteten Zustand in Bezug auf eine Gesamtlastkapazität Cnl des Knotens N1 ist. Wenn daher der Kapazitätswert Ctft_on identisch mit einem Kapazitätswert Cbst des Boost-Kapazitätselements 26 ist, ist dieser Steigerungsgrad identisch mit dem Steigerungsgrad, wenn die Boost-Einheit 23 das Boost-Kapazitätselement 26 aufweist.
  • Hinsichtlich einer Erhöhung der Spannung am Knoten N1 mit hoher Wirksamkeit kann der Boost-TFT 27 ein Elektrodenlayout aufweisen, das eine Kapazität, die an der dritten Ansteuersignalleitung DL3 hängt, soweit wie möglich verringert. 13 veranschaulicht das Elektrodenlayout (Formen und Anordnungen von Gate-Elektroden 27 g, Source-Elektroden 27s und Drain-Elektroden 27d) des Boost-TFT 27.
  • In dem in 13 veranschaulichten Beispiel erstrecken und verzweigen sich die Source-Elektroden 27s von einer Verdrahtungsleitung (mit einem Bezugszeichen „N2“ versehen, wie der Knoten N2) aus, die mit dem Knoten N2 gekoppelt ist. Die Drain-Elektroden 27d erstrecken und verzweigen sich von der dritten Ansteuersignalleitung DL3 aus. Die Gate-Elektroden 27g sind so angeordnet, dass sie die dritte Ansteuersignalleitung DL3 selbst nicht überlappen. Daher kann eine Kapazität, die an der dritten Ansteuersignalleitung DL3 hängt, verringert werden.
  • Dritte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 14 beschrieben. 14 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10B veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • In der DEMUX-Schaltung 10A, die in 12 veranschaulicht wird, weist die Boost-Einheit 23 den Boost-TFT 27 auf. Andererseits weist in der DEMUX-Schaltung 10B gemäß der Ausführungsform, wie in 14 veranschaulicht, eine Boost-Einheit 23 ein Kapazitätselement 29 (Boost-Kapazitätselement) zusätzlich zu einem Boost-TFT 27 auf. Das Boost-Kapazitätselement 29 weist eine Elektrode (erste Kapazitätselektrode) auf, die mit einem Knoten N1 gekoppelt ist, und eine Elektrode (zweite Kapazitätselektrode), die mit einem Knoten N2 gekoppelt ist.
  • Wie in der Ausführungsform veranschaulicht, kann mit der Boost-Einheit 23, die das Boost-Kapazitätselement 29 zusätzlich zu dem Boost-TFT 27 aufweist, ein Potential des Knotens N1 höchst wirkungsvoll weiter erhöht werden. Ein Effekt des Verhinderns von Schwingungen kann auch erreicht werden.
  • Vierte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 15 beschrieben. 15 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10C veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • In der DEMUX-Schaltung 10, die in 2 veranschaulicht wird, sind die Schalt-TFTs 12 jeweils eins-zu-eins mit den Boost-Schaltungen 20 gekoppelt. Andererseits sind in der DEMUX-Schaltung 10C gemäß der Ausführungsform, wie in 15 veranschaulicht, jeweils zwei der Schalt-TFTs 12 mit einer der Boost-Schaltungen 20 gekoppelt. Es folgt eine detailliertere Beschreibung.
  • Die zwei Schalt-TFTs 12, die in einer ersten Einheitsschaltung 11A enthalten sind, sind ein erster Schalt-TFT 12A und ein zweiter Schalt-TFT 12C, die so konfiguriert sind, dass sie den eingeschalteten Zustand zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums erreichen. Ebenso sind die zwei Schalt-TFTs 12, die in einer zweiten Einheitsschaltung 11B enthalten sind, ein erster Schalt-TFT 12B und ein zweiter Schalt-TFT 12D, die so konfiguriert sind, dass sie den eingeschalteten Zustand zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums erreichen.
  • Eine der in 15 veranschaulichten zwei Boost-Schaltungen 20A und 20B, d. h., 20A, ist gemeinsam mit dem ersten Schalt-TFT 12A der ersten Einheitsschaltung 11A und dem ersten Schalt-TFT 12B der zweiten Einheitsschaltung 11B gekoppelt. Eine andere der beiden Boost-Schaltungen 20A und 20B, d. h., 20B, ist gemeinsam mit dem zweiten Schalt-TFT 12C der ersten Einheitsschaltung 11A und dem zweiten Schalt-TFT 12D der zweiten Einheitsschaltung 11B gekoppelt.
  • Wie oben beschrieben, teilen sich in der Ausführungsform die zwei Schalt-TFTs 12, die gleichzeitig ausgewählt werden, eine der Boost-Schaltungen 20. Daher kann eine Zahl der Schaltelemente verringert werden. Mit einer verringerten Anzahl von Schaltelementen kann eine Last verringert werden. Als Ergebnis kann ein noch niedrigerer Stromverbrauch erreicht werden. Ferner kann mit der verringerten Anzahl von Schaltelementen eine Schaltungsfläche verringert werden, was eine Layoutgröße reduziert. Als Ergebnis kann ein noch schmälerer Rahmen erreicht werden.
  • Fünfte Ausführungsform
  • In der DEMUX-Schaltung 10C gemäß der vierten Ausführungsform teilen sich die zwei Schalt-TFTs 12 die eine der Boost-Schaltungen 20. Drei oder mehr Schalt-TFTs 12 können sich jedoch eine der Boost-Schaltungen 20 teilen. Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 16 beschrieben. 16 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10D veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • 16 veranschaulicht vier Einheitsschaltungen (im Folgenden jeweils als eine „erste Einheitsschaltung“, eine „zweite Einheitsschaltung“, eine „dritte Einheitsschaltung“ und eine „vierte Einheitsschaltung“ bezeichnet) 11A, 11B, 11C und 11D unter einer Vielzahl von Einheitsschaltungen 11, die in der DEMUX-Schaltung 10D enthalten sind.
  • Die erste Einheitsschaltung 11A weist zwei Zweigverdrahtungsleitungen BL1 und BL5 und zwei Schalt-TFTs 12A und 12E auf und ist konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL1 auf die Source-Busleitungen SL1 und SL5 zu verteilen. Die zwei Schalt-TFTs (ein erster Schalt-TFT und ein zweiter Schalt-TFT) 12A und 12E der ersten Einheitsschaltung 11A sind konfiguriert, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen.
  • Die zweite Einheitsschaltung 11B weist zwei Zweigverdrahtungsleitungen BL2 und BL6 und zwei Schalt-TFTs 12B und 12F auf und ist konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL2 auf die Source-Busleitungen SL2 und SL6 zu verteilen. Die zwei Schalt-TFTs (ein erster Schalt-TFT und ein zweiter Schalt-TFT) 12B und 12F der zweiten Einheitsschaltung 11B sind konfiguriert, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen.
  • Die dritte Einheitsschaltung 11C weist zwei Zweigverdrahtungsleitungen BL3 und BL7 und zwei Schalt-TFTs 12C und 12G auf und ist konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL3 auf die Source-Busleitungen SL3 und SL7 zu verteilen. Die beiden Schalt-TFTs (ein erster Schalt-TFT und ein zweiter Schalt-TFT) 12C und 12G der zweiten Einheitsschaltung 11C sind konfiguriert, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen.
  • Die vierte Einheitsschaltung 11D weist zwei Zweigverdrahtungsleitungen BL4 und BL8 und zwei Schalt-TFTs 12D und 12H auf und ist konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL4 auf die Source-Busleitungen SL4 und SL8 zu verteilen. Die beiden Schalt-TFTs (ein erster Schalt-TFT und ein zweiter Schalt-TFT) 12D und 12H der zweiten Einheitsschaltung 11D sind konfiguriert, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen.
  • Eine der in 16 veranschaulichten zwei Boost-Schaltungen 20A und 20B, d. h., 20A, ist gemeinsam mit dem ersten Schalt-TFT 12A der ersten Einheitsschaltung 11A, dem ersten Schalt-TFT 12B der zweiten Einheitsschaltung 11B, dem ersten Schalt-TFT 12C der dritten Einheitsschaltung 11C und dem ersten Schalt-TFT 12D der vierten Einheitsschaltung 11D gekoppelt. Eine weitere der beiden Boost-Schaltungen 20A und 20B, d. h. 20B, ist gemeinsam mit dem zweiten Schalt-TFT 12E der ersten Einheitsschaltung 11A, dem zweiten Schalt-TFT 12F der zweiten Einheitsschaltung 11B, dem zweiten Schalt-TFT 12G der dritten Einheitsschaltung 11C und dem zweiten Schalt-TFT 12H der vierten Einheitsschaltung 11D gekoppelt.
  • Wie oben beschrieben teilen sich in der Ausführungsform die vier Schalt-TFTs 12, die gleichzeitig ausgewählt werden, eine der Boost-Schaltungen 20. Daher kann, verglichen mit der vierten Ausführungsform, bei der sich die zwei der Schalt-TFTs 12 die eine der Boost-Schaltungen 20 teilen, eine Anzahl von Schaltelementen weiter verringert werden. Daher können ein noch niedrigerer Stromverbrauch und ein noch schmälerer Rahmen erreicht werden.
  • In der Ausführungsform wird das Beispiel, bei dem sich die vier Schalt-TFTs 12 die eine der Boost-Schaltungen 20 teilen, veranschaulicht. Wenn sich jedoch drei oder mehr Schalt-TFTs 12 eine der Boost-Schaltungen 20 teilen, kann eine Anzahl von Schaltelementen verglichen mit der vierten Ausführungsform weiter verringert werden. Drei Schalt-TFTs 12, die gleichzeitig ausgewählt werden, können sich eine der Boost-Schaltungen 20 teilen. Fünf oder mehr Schalt-TFTs 12, die gleichzeitig ausgewählt werden, können sich eine der Boost-Schaltungen 20 teilen.
  • Sechste Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 17 beschrieben. 17 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10E veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • In den DEMUX-Schaltungen 10, 10C und 10D, die in 2, 15 und 16 veranschaulicht sind, sind die Einheitsschaltungen 11 jeweils konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer der Signalausgabeleitungen VL auf zwei der Source-Busleitungen SL zu verteilen. Andererseits sind in der DEMUX-Schaltung 10E gemäß der Ausführungsform die Einheitsschaltungen 11 jeweils konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer der Signalausgabeleitungen VL auf drei der Source-Busleitungen SL zu verteilen. Es folgt eine detailliertere Beschreibung.
  • 17 veranschaulicht zwei Einheitsschaltungen (eine erste Einheitsschaltung und eine zweite Einheitsschaltung) 11A und 11B unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen 11, die in der DEMUX-Schaltung 10E enthalten sind.
  • Die erste Einheitsschaltung 11A weist drei Zweigverdrahtungsleitungen BL1, BL3 und BL5 und drei Schalt-TFTs 12A, 12C und 12E auf und ist konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL1 auf drei Source-Busleitungen SL1, SL3 und SL5 zu verteilen.
  • Die zweite Einheitsschaltung 11B weist drei Zweigverdrahtungsleitungen BL2, BL4 und BL6 und drei Schalt-TFTs 12B, 12D und 12F auf und ist konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL2 auf drei Source-Busleitungen SL2, SL4 und SL6 zu verteilen.
  • Die DEMUX-Schaltung 10E weist eine Vielzahl von Boost-Schaltungen 20 auf, die konfiguriert sind, eine Spannung, die von jeder der Einheitsschaltungen 11 an die Gate-Elektroden der drei Schalt-TFTs 12 Einheitsschaltung angelegt wird, zu erhöhen. In dem in 17 veranschaulichten Beispiel sind die Schalt-TFTs 12 jeweils mit den Boost-Schaltungen 20 eins-zu-eins gekoppelt. Genauer sind Gate-Elektroden der Schalt-TFTs 12A, 12B, 12C, 12D, 12E und 12F jeweils mit Ausgangsseiten der Boost-Schaltungen 20A, 20B, 20C, 20D, 20E und 20F gekoppelt.
  • In dem Beispiel in 17 sind drei Systeme, bestehend aus den Ansteuersignalleitungsgruppen DG1, DG2 und DG3, vorgesehen. Die Boost-Schaltungen 20A und 20B werden durch eine erste Ansteuersignalleitung DL1A, eine zweite Ansteuersignalleitung DL2A und eine dritte Ansteuersignalleitung DL3A in der Ansteuersignalleitungsgruppen DG1 angesteuert. Die Boost-Schaltungen 20C und 20D werden durch eine erste Ansteuersignalleitung DL1B, eine zweite Ansteuersignalleitung DL2B und eine dritte Ansteuersignalleitung DL3B in der Ansteuersignalleitungsgruppen DG2 angesteuert. Die Boost-Schaltungen 20E und 20F werden durch eine erste Ansteuersignalleitung DL IC, eine zweite Ansteuersignalleitung DL2C und eine dritte Ansteuersignalleitung DL3C in der Ansteuersignalleitungsgruppen DG3 angesteuert.
  • Selbst in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform weist die DEMUX-Schaltung 10E die Boost-Schaltungen 20 auf. Daher kann die Antriebsleistung verringert werden, ähnlich den Aktivmatrix-Substraten gemäß der ersten bis fünften Ausführungsform. In der Ausführungsform sind die Einheitsschaltungen 11 jeweils konfiguriert, ein Anzeigesignal von der einen Signalausgangsleitung VL auf die drei Source-Busleitungen SL zu verteilen. Daher kann verglichen mit der ersten bis fünften Ausführungsform die Anzahl der Signalausgangsleitungen VL verringert werden. Daher kann ein Verdrahtungsleitungsbereich (ein Bereich, in dem die Signalausgangsleitungen VL angeordnet sind) verkleinert werden, um einen noch schmäleren Rahmen zu erreichen. Ferner kann eine Anzahl von Verstärkern in einem Source-Treiber 6, der COG-montiert wird, verringert werden, um eine Chipgröße weiter zu verringern. Daher kann eine Anzahl von Chips, die aus einem Wafer hergestellt wird, erhöht werden, um Chip-Kosten zu verringern.
  • Siebte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 18 beschrieben. 18 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10F veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • In der DEMUX-Schaltung 10E, die in 17 veranschaulicht ist, sind die Schalt-TFTs 12 jeweils eins-zu-eins mit der Boost-Schaltungen 20 gekoppelt. Andererseits sind in der DEMUX-Schaltung 10F gemäß der Ausführungsform, wie in 18 veranschaulicht, zwei der Schalt-TFTs 12 mit einer der Boost-Schaltungen 20 gekoppelt. Es folgt eine detailliertere Beschreibung.
  • Drei der Schalt-TFTs 12, die in einer ersten Einheitsschaltung 11A enthalten sind, sind ein erster Schalt-TFT 12A, ein zweiter Schalt-TFT 12C und ein dritter Schalt-TFT 12E, die so konfiguriert sind, dass sie zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand erreichen. Ebenso sind drei der Schalt-TFTs 12, die in einer zweiten Einheitsschaltung 11B enthalten sind, ein erster Schalt-TFT 12B, ein zweiter Schalt-TFT 12D und ein dritter Schalt-TFT 12F, die so konfiguriert sind, dass sie zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand erreichen.
  • Unter den drei in 18 veranschaulichten Boost-Schaltungen 20A, 20B und 20C ist die Boost-Schaltung 20A gemeinsam mit dem ersten Schalt-TFT 12A der ersten Einheitsschaltung 11A und dem ersten Schalt-TFT 12B der zweiten Einheitsschaltung 11B gekoppelt. Die Boost-Schaltung 20B ist gemeinsam mit dem zweiten Schalt-TFT 12C der ersten Einheitsschaltung 11A und dem zweiten Schalt-TFT 12D der zweiten Einheitsschaltung 11B gekoppelt. Die Boost-Schaltung 20C ist gemeinsam mit der dritten Schalt-TFT 12E der ersten Einheitsschaltung 11A und der dritten Schalt-TFT 12F der zweiten Einheitsschaltung 11B gekoppelt.
  • Wie oben beschrieben, teilen sich in der Ausführungsform die zwei Schalt-TFTs 12, die gleichzeitig ausgewählt werden, eine der Boost-Schaltungen 20. Daher kann eine Anzahl von Schaltelementen verringert werden. Mit einer verringerten Anzahl von Schaltelementen kann eine Last verringert werden. Als Ergebnis kann ein noch niedrigerer Stromverbrauch erreicht werden. Ferner kann mit der verringerten Anzahl von Schaltelementen eine Schaltungsfläche verkleinert werden, was eine Layoutgröße reduziert. Als Ergebnis kann ein noch schmälerer Rahmen erreicht werden.
  • Achte Ausführungsform
  • In der DEMUX-Schaltung 10F gemäß der siebten Ausführungsform teilen sich die zwei Schalt-TFTs 12 die eine der Boost-Schaltungen 20. Drei oder mehr Schalt-TFTs 12 können sich jedoch eine der Boost-Schaltungen 20 teilen. Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 19 beschrieben. 19 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10G veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • 19 veranschaulicht drei Einheitsschaltungen (im Folgenden jeweils als eine „erste Einheitsschaltung“, eine „zweite Einheitsschaltung“ und eine „dritte Einheitsschaltung“ bezeichnet) 11A, 11B und 11C unter einer Vielzahl von Einheitsschaltungen 11, die in der DEMUX-Schaltung 10G enthalten sind.
  • Die erste Einheitsschaltung 11A weist drei Zweigverdrahtungsleitungen BL1, BL4 und BL7 und drei Schalt-TFTs 12A, 12D und 12G auf und ist konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL1 auf die Source-Busleitungen SL1, SL4 und SL7 zu verteilen. Die drei Schalt-TFTs (ein erster Schalt-TFT, ein zweiter Schalt-TFT und ein dritter Schalt-TFT) 12A, 12D und 12G der ersten Einheitsschaltung 11A sind konfiguriert, um zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen.
  • Die zweite Einheitsschaltung 11B weist drei Zweigverdrahtungsleitungen BL2, BL5 und BL8 und drei Schalt-TFTs 12B, 12E und 12H auf und ist konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL2 auf Source-Busleitungen SL2, SL5 und SL8 zu verteilen. Die drei Schalt-TFTs (ein erster Schalt-TFT, ein zweiter Schalt-TFT und ein dritter Schalt-TFT) 12B, 12E und 12H der zweiten Einheitsschaltung 11B sind konfiguriert, um zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen.
  • Die dritte Einheitsschaltung 11C weist drei Zweigverdrahtungsleitungen BL3, BL6 und BL9 und drei Schalt-TFTs 12C, 12F und 121 auf und ist konfiguriert, um ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung VL3 auf Source-Busleitungen SL3, SL6 und SL9 zu verteilen. Die drei Schalt-TFTs (ein erster Schalt-TFT, ein zweiter Schalt-TFT und ein dritter Schalt-TFT) 12C, 12F und 121 der dritten Einheitsschaltung 11C sind konfiguriert, um zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen.
  • Unter den drei in 19 veranschaulichten Boost-Schaltungen 20A, 20B und 20C ist die Boost-Schaltung 20A gemeinsam mit dem ersten Schalt-TFT 12A der ersten Einheitsschaltung 11A, dem ersten Schalt-TFT 12B der zweiten Einheitsschaltung 11B und dem ersten Schalt-TFT 12C der dritten Einheitsschaltung 11C gekoppelt. Die Boost-Schaltung 20B ist gemeinsam mit dem zweiten Schalt-TFT 12D der ersten Einheitsschaltung 11A, dem zweiten Schalt-TFT 12E der zweiten Einheitsschaltung 11B und dem zweiten Schalt-TFT 12F der dritten Einheitsschaltung 11C gekoppelt. Die Boost-Schaltung 20C ist gemeinsam mit dem dritten Schalt-TFT 12G der ersten Einheitsschaltung 11A, dem dritten Schalt-TFT 12H der zweiten Einheitsschaltung 11B und dem dritten Schalt-TFT 121 der dritten Einheitsschaltung 11C gekoppelt.
  • Wie oben beschrieben teilen sich in der Ausführungsform die drei Schalt-TFTs 12, die gleichzeitig ausgewählt werden, eine der Boost-Schaltungen 20. Daher kann, verglichen mit der siebten Ausführungsform, bei der sich die zwei der Schalt-TFTs 12 die eine der Boost-Schaltungen 20 teilen, eine Anzahl von Schaltelementen weiter verringert werden. Daher können ein noch niedrigerer Stromverbrauch und ein noch schmälerer Rahmen erreicht werden.
  • In der Ausführungsform wird das Beispiel, bei dem sich die drei Schalt-TFTs 12 die eine der Boost-Schaltungen 20 teilen, veranschaulicht. Jedoch können sich vier oder mehr Schalt-TFTs 12, die gleichzeitig ausgewählt werden sollen, eine der Boost-Schaltungen 20 teilen.
  • Neunte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 20 beschrieben. 20 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10H veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • Wie in 20 veranschaulicht, weist die DEMUX-Schaltung 10H ferner eine Vielzahl von Freischaltungen 30 auf, die jeweils mit der Vielzahl von Boost-Schaltungen 20 gekoppelt sind (20 veranschaulicht eine der Freischaltungen 30). Die Freischaltungen 30 sind jeweils so konfiguriert, dass sie die entsprechenden Boost-Schaltungen 20 zu einem vorbestimmten Zeitpunkt initialisieren.
  • In dem in 20 veranschaulichten Beispiel weisen die Freischaltungen 30 jeweils einen TFT (im Folgenden als ein „Freischalt-TFT“ bezeichnet) 31 auf. Eine Gate-Elektrode des Freischalt-TFT 31 ist konfiguriert, um ein Freigabesignal aufzunehmen. Eine Source-Elektrode des Freischalt-TFT 31 ist konfiguriert, um ein konstantes Potential (ein negatives Leistungsversorgungpotential VSS) aufzunehmen. Eine Drain-Elektrode des Freischalt-TFT 31 ist mit einem Knoten N1 gekoppelt.
  • In der DEMUX-Schaltung 10H einschließlich der Freischaltungen 30 wird, wenn ein Freigabesignal, das der Gate-Elektrode des TFTs 31 geliefert wird, den hohen Pegel erreicht, eine entsprechende der Boost-Schaltungen 20 initialisiert. Die Freischaltungen 30 initialisieren zum Beispiel jeweils die Boost-Schaltungen 20 in einem Anfangsstadium oder einem Endstadium einer Antriebsperiode.
  • Wenn eine der Boost-Schaltungen 20 im Anfangsstadium einer Antriebsperiode initialisiert wird, arbeitet die eine der Boost-Schaltungen 20 in einem initialisierten Zustand, wodurch unerwartete Arbeitsgänge und Ausgaben unterdrückt werden. Wenn eine der Boost-Schaltungen 20 im Endstadium einer Antriebsperiode initialisiert wird, kann elektrische Ladung (durch den Antrieb akkumuliert) an jedem Knoten aufgehoben werden, wodurch verhindert wird, dass der entsprechende TFT sich aufgrund einer bestehenden elektrischen Ladung während eines angehaltenen Betriebs verschlechtert.
  • Zehnte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 21 beschrieben. 21 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 101 veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • In der DEMUX-Schaltung 10I, wie in 21 veranschaulicht, weist eine Einstelleinheit 21 von jeder der Boost-Schaltungen 20 eine Vielzahl von Einstell-TFTs 24B und 24A auf, die miteinander in Reihe gekoppelt sind. Eine Rücksetzeinheit 22 von jeder der Boost-Schaltungen 20 weist eine Vielzahl von Rücksetz-TFTs 25A und 25B auf, die miteinander in Reihe gekoppelt sind.
  • In dem veranschaulichten Beispiel von 21 weist die Einstelleinheit 21 die zwei Einstell-TFTs 24A und 24B (im Folgenden jeweils als ein „erster Einstell-TFT“ und ein „zweiter Einstell-TFT“ bezeichnet) auf. Eine Gate-Elektrode und eine Drain-Elektrode des ersten Einstell-TFTs 24A sind mit einer ersten Ansteuersignalleitung DL1 gekoppelt. Das heißt, der erste Einstell-TFT 24A ist Dioden-gekoppelt. Eine Source-Elektrode des ersten Einstell-TFT 24A ist mit einer Drain-Elektrode des zweiten Einstell-TFT 24B gekoppelt. Eine Gate-Elektrode des zweiten Einstell-TFT 24B ist mit der ersten Ansteuersignalleitung DL1 gekoppelt. Eine Source-Elektrode des zweiten Einstell-TFT 24B ist mit einem Knoten N1 gekoppelt.
  • In dem veranschaulichten Beispiel von 21 weist die Rücksetzeinheit 22 die zwei Rücksetz-TFTs 25A und 25B (im Folgenden jeweils als ein „erster Rückset-TFT“ und ein „zweiter Rücksetz-TFT“ bezeichnet) auf. Eine Gate-Elektrode des ersten Rücksetz-TFT 25A ist mit der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 gekoppelt. Eine Drain-Elektrode des ersten Rücksetz-TFT 25A ist mit dem Knoten N1 gekoppelt. Eine Source-Elektrode des ersten Rücksetz-TFT 25A ist mit einer Drain-Elektrode des zweiten Rücksetz-TFT 25B gekoppelt. Eine Gate-Elektrode des zweiten Rücksetz-TFT 25B ist mit der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 gekoppelt. Eine Source-Elektrode des zweiten Rücksetz-TFT 25B ist konfiguriert, um ein konstantes Potential (ein negatives Leistungsversorgungpotential VSS) aufzunehmen.
  • Wie oben beschrieben, weist die Einstelleinheit 21 der Boost-Schaltung 20 die Vielzahl von Einstell-TFTs 24B und 24A auf, die miteinander in Reihe gekoppelt sind, und ebenso weist die Rücksetzeinheit 22 die Vielzahl von Rücksetz-TFTs 25A und 25B auf, die miteinander in Reihe gekoppelt sind. Selbst wenn die Boost-Schaltung 20 arbeitet und eine Spannung am Knoten N1 zunimmt, kann eine Differenz zwischen den Potentialen, die der Source und dem Drain von jedem der TFTs zugeführt werden, verringert (in der veranschaulichten Konfiguration ungefähr halbiert) werden. Das heißt, eine höhere Spannungswiderstandsfestigkeit kann erzielt werden.
  • Elfte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 22 beschrieben. 22 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10J veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • Die DEMUX-Schaltung 10J, die in 22 veranschaulicht wird, unterscheidet sich von der DEMUX-Schaltung 10 in 2 in dem Sinne, dass zusätzlich zu den Ansteuersignalleitungsgruppen DG1 und DG2 ferner Ansteuersignalleitungsgruppen DG1' und DG2' enthalten sind.
  • Unter den vier in 22 veranschaulichten Boost-Schaltungen 20, wird eine Boost-Schaltung 20A durch die Ansteuersignalleitungsgruppe DG1 angesteuert. Eine Boost-Schaltung 20B wird durch die Ansteuersignalleitungsgruppe DG2 angesteuert. Eine Boost-Schaltung 20C wird durch die Ansteuersignalleitungsgruppe DG1' angesteuert. Eine Boost-Schaltung 20D wird durch die Ansteuersignalleitungsgruppe DG2' angesteuert.
  • In der DEMUX-Schaltung 10, die in 2 veranschaulicht wird, werden die Boost-Schaltung 20A und die Boost-Schaltung 20B, die mit einer identischen Zeiteinstellung angesteuert werden, durch die Ansteuersignalleitungsgruppe DG1 angesteuert. Die Boost-Schaltung 20C und die Boost-Schaltung 20D, die mit einer identischen Zeiteinstellung angesteuert werden, werden durch die Ansteuersignalleitungsgruppe DG2 angesteuert.
  • Andererseits werden in der DEMUX-Schaltung 10J, veranschaulicht in 22, die Boost-Schaltung 20A und die Boost-Schaltung 20B, die mit einer identischen Zeiteinstellung angesteuert werden, jeweils durch die Ansteuersignalleitungsgruppen DG1 und DG1' angesteuert, die verschieden voneinander sind. Die Boost-Schaltung 20C und die Boost-Schaltung 20D, die mit einer identischen Zeiteinstellung angesteuert werden, werden jeweils durch die Ansteuersignalleitungsgruppen DG2 und DG2' angesteuert, die verschieden voneinander sind.
  • Die Ansteuersignalleitungsgruppen DG1 und DG1' werden mit Ansteuersignalen beliefert, die phasenartig entwickelt werden, um jede der Boost-Schaltungen 20 zu einem Zeitpunkt anzusteuern. Das heißt, die Ansteuersignalleitungsgruppen GD1 und GD1' sind unterschiedliche Verdrahtungsleitungsgruppen, die konfiguriert sind, im Wesentlichen identische Signale zu liefern.
  • Die Ansteuersignalleitungsgruppen GD2 und GD2' werden mit Ansteuersignalen beliefert, die phasenartig entwickelt werden, um jede der Boost-Schaltungen 20 zu einem anderen Zeitpunkt anzusteuern. Das heißt, die Ansteuersignalleitungsgruppen GD2 und GD2' sind unterschiedliche Verdrahtungsleitungsgruppen, die konfiguriert sind, im Wesentlichen identische Signale zu liefern.
  • Wie oben beschrieben, ist die Ausführungsform mit Verdrahtungsleitungsgruppen versehen, die konfiguriert sind, um Ansteuersignalgruppen zu liefern, die verwendet werden, um einige Boost-Schaltungen 20 unter den zwei oder mehr Boost-Schaltungen 20 anzusteuern, die mit einer identischen Zeiteinstellung angesteuert werden und andere Verdrahtungsleitungsgruppen, die konfiguriert sind, Ansteuersignalgruppen zu liefern, die verwendet werden, um andere Boost-Schaltungen 20 anzusteuern. Daher kann eine Anzahl an Schaltungen, die mit einer Ansteuersignalleitung gekoppelt sind, verringert werden, um die Lasten jeweils an die Ansteuersignalleitungen anzulegen und Übergangszeiten (Anstiegszeit und Abfallzeit) für ein Ansteuersignal zu verkürzen. Daher kann ein schnellerer Betrieb erreicht werden.
  • Zwölfte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 23A und 23B beschrieben. 23A und 23B sind Ansichten, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10K veranschaulichen, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • Wie in 23B veranschaulicht, unterscheidet sich die DEMUX-Schaltung 10K gemäß der Ausführungsform von der in 20 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10H in dem Sinne, dass eine Source-Elektrode des Rücksetz-TFTs 25 und eine Source-Elektrode des Freischalt-TFT 31 mit der ersten Ansteuersignalleitung DL1 gekoppelt sind. Wenn die Konfiguration gemäß der Ausführungsform angenommen wird, sind keine Verdrahtungsleitungen (VSS-Verdrahtungsleitungen) erforderlich, um die Source-Elektrode des Rücksetz-TFT 25 und die Source-Elektrode des Freischalt-TFT 31 mit einer negativen Leistungsversorgung zu koppeln.
  • Warum ein Rücksetzvorgang und ein Freischaltvorgang vorzugsweise ausgeführt werden können, auch wenn die Source-Elektrode des Rückset-TFTs 25 und die Source-Elektrode des Freischalt-TFTs 31 mit der ersten Ansteuersignalleitung DL1 gekoppelt sind, wird unter weiterer Bezugnahme auf 24 beschrieben. 24 ist ein Zeitdiagramm, das Arbeitsgänge der DEMUX-Schaltung 10K veranschaulicht.
  • Wenn man sich die erste Ansteuersignalleitung DL1 und eine zweite Ansteuersignalleitung DL2 ansieht, die konfiguriert sind, um jede der Boost-Schaltungen 20 anzusteuern, wie in 24 zu sehen ist, ist ein Signal, das von der ersten Ansteuersignalleitung DL1 zu liefern ist, ein Signal (invertiertes Signal), das zu einem von der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 zu liefernden Signal invertiert ist. Wenn daher ein Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 auf dem hohen Pegel ist (d. h. wenn ein Rücksetzsignal in den Rücksetz-TFT 25 eintritt), ist ein Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1 auf dem niedrigen Pegel. Daher kann ein Rücksetzvorgang sicher durchgeführt werden. Wenn ein Zeitpunkt, zu dem das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1 auf dem niedrigen Pegel ist, als ein Zeitpunkt zum Durchführen eines Freischaltvorgangs ausgewählt wird, kann der Freischaltvorgang sicher durchgeführt werden.
  • Das in 24 veranschaulichte Zeitdiagramm ist im Wesentlichen identisch zu dem in 4 veranschaulichten Zeitdiagramm. Für jeweilige Arbeitsgänge zu den Zeitpunkten t1 bis t5, siehe die Beschreibung unter Bezugnahme auf das Zeitdiagramm in 4.
  • Hier wurde die Konfiguration, die die Freischaltungen 30 einschließt, veranschaulicht. Jedoch können selbst in der in 5 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10, in der in 12 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10A und in der in 14 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10B ähnliche Effekte erzielt werden, wenn die Source-Elektroden der Rücksetz-TFTs 25 und 28 mit der ersten Ansteuersignalleitung DL1 gekoppelt sind.
  • Dreizehnte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 25A und 25B beschrieben. 25A und 25B sind Ansichten, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10L darstellen, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • Wie in 25A veranschaulicht, unterscheidet sich die DEMUX-Schaltung 10L gemäß der Ausführungsform von der DEMUX-Schaltung 10K, die in 23A und 23B veranschaulicht wird, in dem Sinne, dass keine zweite Ansteuersignalleitung DL2 enthalten ist. 25B veranschaulicht eine Boost-Schaltung (erste Boost-Schaltung) 20A, die mit einer von zwei Schalt-TFTs 12A und 12C, die in einer Einheitsschaltung 11A in der DEMUX-Schaltung 10L enthalten sind, d.h. mit 12A (dem ersten Schalt-TFT) gekoppelt ist. Wie in 25B veranschaulicht, ist eine Gate-Elektrode eines Rücksetz-TFT 25 der ersten Boost-Schaltung 20A mit einer ersten Ansteuersignalleitung DL1B für eine Boost-Schaltung (zweite Boost-Schaltung) 20C gekoppelt, die mit einem anderen der beiden Schalt-TFTs gekoppelt ist, d. h. mit 12B (dem zweiten Schalt-TFT). Obwohl nicht veranschaulicht, ist eine Gate-Elektrode eines Rücksetz-TFT 25 in der zweiten Boost-Schaltung 20C mit einer ersten Ansteuersignalleitung DL1A für die erste Boost-Schaltung 20A gekoppelt.
  • Wie oben beschrieben, dient in der Ausführungsform die erste Ansteuersignalleitung DL1A für die erste Boost-Schaltung 20A auch als zweite Ansteuersignalleitung für die zweite Boost-Schaltung 20C und die erste Ansteuersignalleitung DL1B für die zweite Boost-Schaltung 20C dient auch als zweite Ansteuersignalleitung für die erste Boost-Schaltung 20A. Wenn die Konfiguration gemäß der Ausführungsform angenommen wird, können zweite Ansteuersignalleitungen weggelassen werden, wodurch eine Anzahl von Verdrahtungsleitungen weiter verringert wird.
  • Warum die erste Ansteuersignalleitung DL1 für eine der Boost-Schaltungen 20 auch als eine zweite Ansteuersignalleitung für eine andere der Boost-Schaltungen 20 dienen kann, wird mit weiterem Bezug auf 26 beschrieben.
  • 26 ist ein Zeitdiagramm, das Arbeitsgänge der DEMUX-Schaltung 10L veranschaulicht.
  • Wie aus 26 ersichtlich, sind ein von der ersten Ansteuersignalleitung DL1A für die erste Boost-Schaltung 20A zu lieferndes Signal und ein von der ersten Ansteuersignalleitung DL1B für die zweite Boost-Schaltung 20C zu lieferndes Signal in gegensätzlicher Phase zueinander. Daher erreichen die erste Ansteuersignalleitung DL1A für die erste Boost-Schaltung 20A und die erste Ansteuersignalleitung DL1B für die zweite Boost-Schaltung 20C den hohen Pegel zu unterschiedlichen Zeiten. Daher kann ein Signal, das von der ersten Ansteuersignalleitung DL1B für die zweite Boost-Schaltung 20C geliefert wird, als ein Rücksetzsignal für die erste Boost-Schaltung 20A verwendet werden, wohingegen ein Signal, das von der ersten Ansteuersignalleitung DL1A für die erste Boost-Schaltung 20A geliefert wird, als ein Rücksetzsignal für die zweite Boost-Schaltung 20C verwendet werden kann.
  • Hier wurde die Konfiguration, die die Freischaltungen 30 einschließt, veranschaulicht. Jedoch können selbst in der in 5 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10, in der in 12 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10A und in der in 14 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10B ähnliche Effekte erzielt werden, wenn ähnliche Modifikationen gemacht wurden.
  • Vierzehnte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 27 beschrieben. 27 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10M veranschaulicht, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
  • Boost-Schaltungen 20 in der DEMUX-Schaltung 10M, die in 27 veranschaulicht sind, weisen jeweils eine Einstell- und Rücksetzeinheit 21 SR und eine Boost-Einheit 23 auf. Die Einstell- und Rücksetzeinheit 21 SR und die Boost-Einheit 23 sind jeweils mit einem Knoten N1 gekoppelt, der mit einer Gate-Elektrode jedes der Schalt-TFTs 12 gekoppelt ist. Die Einstell- und Rücksetzeinheit 21SR ist mit einer ersten Ansteuersignalleitung DL1 und einer zweiten Ansteuersignalleitung DL2 gekoppelt. Die Boost-Schaltung 23 ist mit einer dritten Ansteuersignalleitung DL3 gekoppelt. Das heißt, die DEMUX-Schaltung 10M, die in 27 veranschaulicht wird, unterscheidet sich von der in 3 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10 in dem Sinne, dass die Boost-Schaltungen 20 jeweils die Einstell- und Rücksetzeinheit 21SR anstelle der Einstelleinheit 21 und der Rücksetzeinheit 22 enthalten. In anderen Worten funktioniert in der DEMUX-Schaltung 10M, die in 27 veranschaulicht wird, eine Einstelleinheit auch als eine Rücksetzeinheit.
  • Die Einstell- und Rücksetzeinheit 21SR ist konfiguriert zur Aufnahme eines ersten Ansteuersignals (Einstellsignals) S von der ersten Ansteuersignalleitung DL1, um den Knoten N1 vorzuladen (Einstellvorgang). Die Einstell- und Rücksetzeinheit 21SR ist ferner konfiguriert zur Aufnahme eines zweiten Ansteuersignals (Rücksetzsignals) R von der zweiten Ansteuersignalleitung DL2, um ein Potential des Knotens N1 zurückzusetzen (Rücksetzvorgang). Die Einstell- und Rücksetzeinheit 21SR führt den Einstellvorgang und den Rücksetzvorgang zu verschiedenen Zeitpunkten durch.
  • Die Boost-Einheit 23 ist konfiguriert, um ein drittes Ansteuersignal (Boost-Signal) B von der dritten Ansteuersignalleitung DL3 aufzunehmen, um das Potential des Knotens N1, der durch den Einstellvorgang durch die Einstell- und Rücksetzeinheit 21 (Boost-Betrieb) vorgeladen wird, zu erhöhen.
  • Arbeitsgänge jeder der Boost-Schaltungen 20 in der DEMUX-Schaltung 10M werden unter weiterer Bezugnahme auf 28 beschrieben. 28 ist ein Zeitdiagramm, das Arbeitsgänge der DEMUX-Schaltung 10M veranschaulicht. 28 veranschaulicht die Potentiale der ersten Ansteuersignalleitungen DL1A und DL1B, der zweiten Ansteuersignalleitungen DL2A und DL2B, der dritten Ansteuersignalleitungen DL3A und DL3B, der Knoten N1A und N1B, jeder der Signalausgangsleitungen VL und der Source-Busleitungen SL1 und SL3. 28 veranschaulicht ferner Potentiale der Gate-Busleitungen GLn und GLn+1.
  • Zuerst erreicht zu einem Zeitpunkt t1 das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1A den hohen Pegel. Gleichzeitig wird das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2A seit einem vorhergehenden Horizontalscan-Zeitraum auf dem hohen Pegel gehalten. Ein erstes Ansteuersignal tritt als das Einstellsignal S in die Einstell- und Rücksetzeinheit 21SR einer Boost-Schaltung 20A ein. Der Knoten N1A, der mit einer Gate-Elektrode eines Schalt-TFTs 12A gekoppelt ist, wird somit vorgeladen (Einstellvorgang). Zu dem Zeitpunkt ändert sich das Potential jeder der Signalausgabeleitungen VL (d. h. ein Anzeigesignal) in einen Schreibspannungspegel. Das Laden der ausgewählten Source-Busleitung SL1 beginnt.
  • Als nächstes erreicht das Potential des zweiten Ansteuersignalleitung DL2A zu einem Zeitpunkt t2 den niedrigen Pegel und das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3A erreicht den hohen Pegel. Ein drittes Ansteuersignal tritt als Boost-Signal B in die Boost-Einheit 23 der Boost-Schaltung 20A ein. Das Potential des Knotens N1A steigt somit an (Boost-Vorgang). Nachdem das Potential des Knotens N1A angestiegen ist, wird die Source-Busleitung SL1 über den Schalt-TFT 12A vollständig geladen.
  • Als nächstes erreicht das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1A zu einem Zeitpunkt t3 den niedrigen Pegel, das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2A erreicht den hohen Pegel und das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3A erreicht den niedrigen Pegel. Ein zweites Ansteuersignal tritt als Rücksetzsignal R in die Einstell- und Rücksetzeinheit 21 SR der Boost-Schaltung 20A ein. Das Potential des Knotens N1A wird somit zurückgesetzt (Rücksetzvorgang). Das Schreiben in die Source-Busleitung SL1 ist abgeschlossen.
  • Als nächstes erreicht das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1B zu einem Zeitpunkt t4 den hohen Pegel. Gleichzeitig wird das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2B seit einem vorherigen Horizontalscan-Zeitraum auf dem hohen Pegel gehalten. Ein erstes Ansteuersignal tritt als ein Einstellsignal S in die Einstell- und Rücksetzeinheit 21 SR einer Boost-Schaltung 20C ein. Der Knoten N1B, der mit einer Gate-Elektrode eines Schalt-TFTs 12C gekoppelt ist, wird somit vorgeladen (Einstellvorgang). Zu dem Zeitpunkt ändert sich das Potential jeder der Signalausgabeleitungen VL (d. h. ein Anzeigesignal) auf den Schreibspannungspegel. Das Laden der ausgewählten Source-Busleitung SL3 beginnt.
  • Als nächstes erreicht das Potential des zweiten Ansteuersignalleitung DL2B zu einem Zeitpunkt t5 den niedrigen Pegel und das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3B erreicht den hohen Pegel. Ein drittes Ansteuersignal tritt als Boost-Signal B in die Boost-Einheit 23 der Boost-Schaltung 20C ein. Das Potential des Knotens N1B steigt somit an (Boost-Arbeitsgang). Nachdem das Potential des Knotens N1B angestiegen ist, wird die Source-Busleitung SL3 über den Schalt-TFT 12C vollständig geladen.
  • Als nächstes erreicht das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1B zu einem Zeitpunkt t6 den hohen Pegel, das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2B erreicht den niedrigen Pegel und das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3B erreicht den niedrigen Pegel. Ein zweites Ansteuersignal tritt als Rücksetzsignal R in die Einstell- und Rücksetzeinheit 21SR der Boost-Schaltung 20C ein. Das Potential des Knotens N1B wird somit zurückgesetzt (Rücksetzvorgang). Das Schreiben in die Source-Busleitung SL3 ist abgeschlossen.
  • Danach, wenn das Schreiben in die die Source-Busleitungen SL1 und SL3 beendet worden ist (ein Potential bestimmt wurde), erreicht ein Gate-Signal, das von jeder der Gate-Busleitungen GL geliefert wird, einen Ausschaltpegel (Zeitpunkt t7). Eine Anzeigenspannung ist in jedes der Pixel PIX geschrieben worden. Der oben beschriebene Arbeitsgang wird wiederholt, um ein Schreiben in alle Gate-Busleitungen GL durchzuführen.
  • Eine spezifischere Konfiguration jeder der Boost-Schaltungen 20 wird unter Bezugnahme auf 29 beschrieben. 29 ist eine Ansicht, die ein spezifisches Konfigurationsbeispiel der Einstell- und Rücksetzeinheit 21SR und der Boost-Einheit 23 der Boost-Schaltung 20 veranschaulicht.
  • In dem veranschaulichten Beispiel in 29 weist die Einstell- und Rücksetzeinheit 21SR einen TFT 24SR (im Folgenden als ein „Einstell- und Rücksetz-TFT“ bezeichnet) auf. Eine Gate-Elektrode des Einstell- und Rücksetz-TFT 24SR ist mit der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 gekoppelt. Eine Drain-Elektrode des Einstell- und Rücksetz-TFT 24SR ist mit der ersten Ansteuersignalleitung DL1 gekoppelt. Eine Source-Elektrode des Einstell- und Rücksetz-TFT 24SR ist mit dem Knoten N1 gekoppelt.
  • Die Boost-Einheit 23 weist ein Kapazitätselement (Boost-Kapazitätselement) 26 auf. Das Boost-Kapazitätselement 26 weist eine Elektrode auf, die mit der dritten Ansteuersignalleitung DL3 gekoppelt ist (erste Kapazitätselektrode), und eine Elektrode, mit dem Knoten N1 gekoppelt ist (zweite Kapazitätselektrode).
  • Arbeitsgänge jeder der Boost-Schaltungen 20, die in 29 veranschaulicht werden, werden unter Bezugnahme auf 30 beschrieben. 30 ist ein Zeitdiagramm, das die Arbeitsgänge an jeder der Boost-Schaltungen 20 veranschaulicht. 30 veranschaulicht die Potentiale der ersten Ansteuersignalleitung DL1, der zweiten Ansteuersignalleitung DL2, der dritten Ansteuersignalleitung DL3, des Knotens N1, jeder der Signalausgangsleitung VL und jeder der Source-Busleitungen SL. Hierin werden das Hochpegel-Potential und das Niederpegel-Potential des Einstellsignals S und des Rücksetzsignals R jeweils als VDH1 und VDL1 bezeichnet, wohingegen das Hochpegel-Potential und das Niederpegel-Potential des Boost-Signals B jeweils als VDH2 und VDL2 bezeichnet werden.
  • Zuerst erreicht zu einem Zeitpunkt t1 der Einstell- und Rücksetz-TFT 24SR den eingeschalteten Zustand, wenn das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1 (das Einstellsignal S) vom Niederpegel (VDL1) zum Hochpegel (VDH1) wechselt, während das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 (das Rücksetzsignal R) auf dem hohen Pegel (VDH1) gehalten wird. Der Knoten N1 wird somit vorgeladen. Gleichzeitig haben die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Einstell- und Rücksetz-TFT 24SR beide ein gleiches Potential, wodurch der Einstell- und Rücksetz-TFT 24SR in einem Dioden-gekoppelten Zustand ist. Wenn eine Schwellenspannung des Einstell-TFT 24SR als Vth bezeichnet wird, wird der Knoten N1 auf ein Potential von (VDH1 - Vth) vorgeladen.
  • Als nächstes erhöht sich das Potential des Knotens N1 zu einem Zeitpunkt t2, wenn das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3 (das Boost-Signal B) vom niedrigen Pegel (VDL2) zum hohen Pegel (VDH2) wechselt (zu diesem Zeitpunkt erreicht das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 den niedrigen Pegel (VDL1)). Der Grad der Erhöhung variiert abhängig von einem Verhältnis eines Kapazitätswerts Cbst des Boost-Kapazitätselements 26 in Bezug auf eine Gesamtmenge einer Lastkapazität (Gesamtlastkapazität) Cnl des Knotens N1. Insbesondere kann ein Potential, das äquivalent zu einem Anstiegsbetrag ist, durch Multiplizieren der Amplitude des Boost-Signals B (= VDH2 - VDL2) mit (Cbst / Cn1) erhalten werden. Wenn beispielsweise die Gesamtlastkapazität Cnl des Knotens N1 0,2 pF ist und der Kapazitätswert Cbst des Boost-Kapazitätselements 24 0,1 pF ist, erhöht sich das Potential des Knotens N1 von (VDH1 - Vth) auf {(VDH1 - Vth) + (VDH2 - VDL2) x (0,1 / 0,2)}. Beispielsweise erhöht sich der Knoten N1 auf 28 V, wenn VDH1 = 16 V, VDL1 = -7 V, VDH2 = 14 V, VDL2 = -14 V und Vth = 2 V.
  • Danach wird zu einem Zeitpunkt t3 das Potential des Knotens N1 zurückgesetzt (verringert), wenn das Potential der ersten Ansteuersignalleitung DL1 und das Potential der dritten Ansteuersignalleitung DL3 auf den niedrigen Pegel (VDL1 und VDL2) wechseln und das Potential der zweiten Ansteuersignalleitung DL2 (das Rücksetzsignal R) auf den hohen Pegel (VDH1) wechselt.
  • Wie oben beschrieben verfügen das erste Ansteuersignal, das zweite Ansteuersignal und das dritte Ansteuersignal jeweils über eine zyklische Wellenform einschließlich einer Änderung vom niedrigen Pegel in den hohen Pegel und einer Änderung vom hohen Pegel in den niedrigen Pegel. Wenn das erste Ansteuersignal und das zweite Ansteuersignal beide auf dem hohen Pegel sind, wird ein Einstellvorgang durchgeführt. Wenn das dritte Ansteuersignal auf dem hohen Pegel ist, wird ein Boost-Vorgang ausgeführt. Wenn das erste Ansteuersignal auf dem niedrigen Pegel ist und das zweite Ansteuersignal auf dem hohen Pegel ist, wird ein Rücksetzvorgang durchgeführt.
  • In der in 3 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10 weisen die Boost-Schaltungen 20 jeweils die Einstelleinheit 21, die Rücksetzeinheit 22 und die Boost-Einheit 23 auf. Andererseits weisen die Boost-Schaltungen 20 in der DEMUX-Schaltung 10M gemäß der Ausführungsform jeweils die Einstell- und Rücksetzeinheit 21 SR und die Boost-Einheit 23 auf. Daher kann gemäß der Ausführungsform eine Anzahl von Elementen in jeder der Boost-Schaltungen 20 verringert werden. Beispielsweise weisen bei der in 5 veranschaulichten Konfiguration die Boost-Schaltungen 20 jeweils zwei TFTs (den Einstell-TFT 24 und den Rücksetz-TFT 25) und ein Kapazitätselement (das Boost-Kapazitätselement 26) auf. Andererseits weisen in der in 29 veranschaulichten Konfiguration die Boost-Schaltungen 20 jeweils einen TFT (den Einstell- und Rücksetz-TFT 24SR) und ein Kapazitätselement (das Boost-Kapazitätselement 26) auf. Daher kann gemäß der Ausführungsform ein noch schmälerer Rahmen erreicht werden.
  • Über den Oxidhalbleiter
  • Der in der Oxidhalbleiterschicht in jedem der Schalt-TFTs 12 enthaltene Oxidhalbleiter kann ein amorpher Oxidhalbleiter oder ein kristalliner Oxidhalbleiter mit einem kristallinen Abschnitt sein. Beispiele für den kristallinen Oxidhalbleiter umfassen einen polykristallinen Oxidhalbleiter, einen mikrokristallinen Oxidhalbleiter und einen kristallinen Oxidhalbleiter mit einer c-Achse, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Schichtfläche ausgerichtet ist.
  • Die Oxidhalbleiterschicht kann eine geschichtete Struktur aus zwei oder mehr Schichten aufweisen. In Fällen, in denen die Oxidhalbleiterschicht eine geschichtete Struktur aufweist, kann die Oxidhalbleiterschicht eine amorphe Oxidhalbleiterschicht und eine kristalline Oxidhalbleiterschicht, eine Vielzahl von kristallinen Oxidhalbleiterschichten mit jeweils unterschiedlichen Kristallstrukturen oder eine Vielzahl von amorphen Oxidhalbleiterschichten aufweisen. In Fällen, in denen die Oxidhalbleiterschicht eine zweischichtige Struktur einschließlich einer oberen Schicht und einer unteren Schicht aufweist, ist eine Energielücke des Oxidhalbleiters, der in der oberen Schicht eingeschlossen ist, vorzugsweise größer als eine Energielücke des Oxidhalbleiters, der in der unteren Schicht enthalten ist. Wenn jedoch die Differenz in der Energielücke zwischen diesen Schichten relativ klein ist, kann die Energielücke des Oxidhalbleiters der unteren Schicht größer sein als die Energielücke des Oxidhalbleiters der oberen Schicht.
  • JP 2014-007399 A beschreibt zum Beispiel die Materialien, Strukturen, Filmbildungsverfahren und die Konfiguration der Oxidhalbleiterschichten mit Schichtstrukturen für amorphe Oxidhalbleiter und jede der oben beschriebenen kristallinen Oxidhalbleiter. Als Referenz ist der gesamte Inhalt von JP 2014-007399 A hierin eingeschlossen.
  • Die Oxidhalbleiterschicht kann zum Beispiel wenigstens ein metallisches Element, ausgewählt aus In, Ga und Zn, aufweisen. In den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weist die Oxidhalbleiterschicht zum Beispiel einen auf In-Ga-Zn-O basierenden Halbleiter (z. B. Indium-Gallium-Zinkoxid) auf. Hierbei ist der auf In-Ga-Zn-O basierende Halbleiter ein ternäres Oxid von In (Indium), Ga (Gallium) und Zn (Zink), und das Verhältnis (Zusammensetzungsverhältnis) von In, Ga und Zn ist nicht besonders auf einen bestimmten Wert beschränkt. Beispielsweise umfasst das Verhältnis In:Ga:Zn = 2:2:1, In:Ga:Zn = 1:1:1 oder In:Ga:Zn = 1:1:2. Solch eine Oxidhalbleiterschicht kann aus einer Oxidhalbleiterschicht einschließlich eines auf In-Ga-Zn-O basierenden Halbleiters gebildet werden.
  • Der auf In-Ga-Zn-O basierende Halbleiter kann ein amorpher Halbleiter oder ein kristalliner Halbleiter sein. Ein kristalliner auf In-Ga-Zn-O basierender Halbleiter, in dem die c-Achse im Wesentlichen senkrecht zur Schichtoberfläche ist, wird als kristalliner auf In-Ga-Zn-O basierender Halbleiter bevorzugt.
  • Man beachte, dass die Kristallstruktur des kristallinen auf In-Ga-Zn-O basierenden Halbleiters zum Beispiel in den oben erwähnten JP 2014-007399 A , JP 2012-134475 A und JP 2014-209727 A beschrieben ist. Als Referenz sind die gesamten Inhalte von JP 2012-134475 A und 2014-209727 A hierin eingeschlossen. Da ein TFT mit einem auf In-Ga-Zn-O basierenden Halbleiter über eine hohe Mobilität (im Vergleich mit einem a-Si-TFT 20 mal höher) und einen geringen Leckstrom (im Vergleich mit einem a-Si-TFT weniger als 1/100stel) verfügt, kann ein solcher TFT entsprechend als ein Schalt-TFT 12 verwendet werden, sowie entsprechend als ein Antriebs-TFT (z. B. ein TFT in einer Antriebsschaltung rund um einen Anzeigebereich mit einer Vielzahl von Pixeln auf einem Substrat mit dem Anzeigebereich) und ein Pixel-TFT (ein in einem Pixel bereitgestelltes TFT) verwendet werden.
  • Anstelle des auf In-Ga-Zn-O basierenden Halbleiters kann die Oxidhalbleiterschicht einen weiteren Oxidhalbleiter aufweisen. Beispielsweise kann die Oxidhalbleiterschicht einen auf In-Sn-Zn-O basierenden Halbleiter (z. B. In2O3-SnO2-ZnO; InSnZnO) aufweisen. Der auf In-Sn-Zn-O basierende Halbleiter ist ein ternäres Oxid von In (Indium), Sn (Zinn) und Zn (Zink). Alternativ kann die Oxidhalbleiterschicht einen auf Al-Zn-O basierenden Halbleiter, einen auf In-Al-Sn-Zn-O basierenden Halbleiter, einen auf Zn-O basierenden Halbleiter, einen auf In-Zn-O basierenden Halbleiter, einen auf Zn-Ti-O basierenden Halbleiter, einen auf Cd-Ge-O basierenden Halbleiter, einen auf Cd-Pb-O basierenden Halbleiter, CdO (Cadmiumoxid), einen auf Mg-Zn-O basierenden Halbleiter, einen auf In-Ga-Sn-O basierenden Halbleiter, einen auf In-Ga-O basierenden Halbleiter, einen auf Zr-In-Zn-O basierenden Halbleiter oder einen auf Hf-In-Zn-O basierenden Halbleiter enthalten.
  • Fünfzehnte Ausführungsform
  • Ein Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 31 und 32 beschrieben. 31 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 10N, die in dem Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist, veranschaulicht. 32 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer DEMUX-Schaltung 100, die in einem anderen Aktivmatrix-Substrat gemäß der Ausführungsform enthalten ist, veranschaulicht.
  • Die in 31 veranschaulichte DEMUX-Schaltung 10N unterscheidet sich von der DEMUX-Schaltung 10 in 5 in dem Sinne, dass ein Schalt-TFT 12p in jeder der Einheitsschaltungen 11 ein PMOS-Transistors einschließlich einer polykristallinen Silizium-Halbleiterschicht (z. B. einer Niedertemperatur-Polysilizium(LTPS)-Schicht), die als eine aktive Schicht dient, ist. In der DEMUX-Schaltung 10N sind andere TFTs, die eine Schaltung konfigurieren, ebenfalls PMOS-Transistoren, die jeweils eine Halbleiterschicht aus polykristallinem Silizium aufweisen. Daher sind ein Einstell-TFT 24p einer Einstelleinheit 21 und ein Rücksetz-TFT 25p einer Rücksetzeinheit 22 ebenfalls PMOS-Transistoren, die jeweils eine Halbleiterschicht aus polykristallinem Silizium aufweisen.
  • Die DEMUX-Schaltung 100, die in 32 veranschaulicht ist, unterscheidet sich von der DEMUX-Schaltung 10A, die in 12 veranschaulicht ist, in dem Sinne, dass ein Schalt-TFT 12p in jeder der Einheitsschaltungen 11 ein PMOS-Transistor einschließlich einer Halbleiterschicht aus polykristallinem Silizium (z. B. einer Niedertemperatur-Polysilizium(LTPS)-Schicht), die als eine aktive Schicht dient, ist. In der DEMUX-Schaltung 10O sind andere TFTs, die eine Schaltung konfigurieren, ebenfalls PMOS-Transistoren, die jeweils eine Halbleiterschicht aus polykristallinem Silizium aufweisen. Daher sind ein Einstell-TFT 24p einer Einstelleinheit 21, Rücksetz-TFTs 25p und 28p einer Rücksetzeinheit 22 und ein Boost-TFT 27p einer Boost-Einheit 23 ebenfalls PMOS-Transistoren, die jeweils eine Halbleiterschicht aus polykristallinem Silizium aufweisen.
  • Wie in den in 31 und 32 veranschaulichten DEMUX-Schaltungen 10N und 10O beschrieben, können DEMUX-Schaltungen, die PMOS-Transistoren aufweisen, zu identischen Zeitpunkten, beispielsweise nur mit Signalen mit gegensätzlicher Polarität zu Signalen in der in 2 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10 und der in 12 veranschaulichten DEMUX-Schaltung 10A, angesteuert werden (eine Source-Elektrode eines Rücksetz-TFT 25p nimmt ein positives Leistungsversorgungspotential VDD auf).
  • Wie oben beschrieben, weist polykristallines Silizium eine höhere Mobilität auf als ein Oxidhalbleiter. Ein PMOS weist eine geringere Mobilität auf als ein N-Kanal-Metalloxidhalbleiter (NMOS). Wenn daher ein PMOS-Transistor, der eine als aktive Schicht dienende Polykristallsilizium-Halbleiterschicht aufweist, nur als ein TFT für die DEMUX-Schaltung verwendet wird, ergeben sich ähnliche Probleme zu den Problemen, wenn ein Oxidhalbleiter-TFT verwendet wird.
  • Wie in der Ausführungsform veranschaulicht, kann mit den DEMUX-Schaltungen 10N und 100, einschließlich Boost-Schaltungen 20, die Antriebsleistung verringert werden und ein schmälerer Rahmen erreicht werden.
  • Anzeigevorrichtung
  • Die Aktivmatrix-Substrate (Halbleitervorrichtungen) gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden vorzugsweise in Anzeigevorrichtungen verwendet. Die Beispiele der Aktivmatrix-Substrate für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen, die konfiguriert sind, um Anzeigen im Modus des transversalen elektrischen Feldes, wie einem FFS auszuführen, wurden bis hier beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist jedoch bei Aktivmatrix-Substraten für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen anwendbar, die konfiguriert sind, Anzeigen im Modus des vertikalen elektrischen Feldes auszuführen, wobei eine Spannung in der Dickenrichtung der Flüssigkristallschicht angelegt wird (z. B. in einem TN-Modus und einem Modus mit vertikaler Ausrichtung). Die Aktivmatrix-Substrate gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können vorzugsweise auch in anderen Anzeigevorrichtungen als Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (Anzeigevorrichtungen mit jeweils einer anderen Anzeigemedienschicht als einer Flüssigkristallschicht) verwendet werden. Beispielsweise werden die Aktivmatrix-Substrate gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung auch in Elektrophorese-Anzeigevorrichtungen und Anzeigevorrichtungen mit organischer Elektrolumineszenz (EL) verwendet.
  • Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung kann ein Aktivmatrix-Substrat, ein Gegensubstrat, das dem Aktivmatrix-Substrat zugewandt angeordneten ist, und eine Flüssigkristallschicht, die zwischen dem Aktivmatrix-Substrat und dem Gegensubstrat bereitgestellt wird, aufweisen. Eine Anzeigevorrichtung mit organischer EL kann ein Aktivmatrix-Substrat und eine organische EL-Schicht, die auf dem Aktivmatrix-Substrat bereitgestellt wird, aufweisen.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann eine Antriebsleistung für ein Aktivmatrix-Substrat mit einer Demultiplexer-Schaltung verringert werden. Die Aktivmatrix-Substrate gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können vorzugsweise in verschiedenen Anzeigevorrichtungen verwendet werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Substrat
    2
    Dünnfilmtransistor (Pixel-TFT)
    3
    Pixel-Elektrode
    4
    Gemeinsame Elektrode
    5A, 5B
    Gate-Treiber
    5a
    Schieberegister-Schaltung
    6
    Source-Treiber
    7
    Leiterplatte
    8
    Leistungsversorgungsschalteinheit
    8a
    Erste Leistungsversorgungsschaltung
    8b
    Zweite Leistungsversorgungsschaltung
    9
    Flexible Leiterplatte
    10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E 10F
    Demultiplexer-Schaltung
    10G, 10H, 10I, 10J, 10K 10L,
    Demultiplexer-Schaltung
    10M, 10N, 10O
    Demultiplexer-Schaltung
    11
    Einheitsschaltung
    12, 12p
    Schalt-TFT
    20
    Boost-Schaltung
    21
    Einstelleinheit
    21SR
    Einstell- und Rücksetzeinheit
    22
    Rücksetzeinheit
    23
    Boost-Einheit
    24A, 24B, 24p
    Einstell-TFT
    24SR
    Einstell- und Rücksetz-TFT
    25A, 25B, 25p, 28, 28p
    Rücksetz-TFT
    26,29
    Boost-Kapazitätselement
    27,27p
    Boost-TFT
    27q
    Gate-Elektrode des Boost-TFT
    27s
    Source-Elektrode des Boost-TFT
    27d
    Drain-Elektrode des Boost-TFT
    30
    Freischaltung
    31
    Freischaltungs-TFT
    41
    Zeiteinstellsteuerung
    42
    Pegelschieberschaltung
    100
    Aktivmatrix-Substrat
    GL
    Gate-Busleitung
    SL
    Source-Busleitung
    VL
    Signalausgangsleitung
    DL1
    Erste Ansteuersignalleitung
    DL2
    Zweite Ansteuersignalleitung
    DL3
    Dritte Ansteuersignalleitung
    DG1, DG1', DG2, DG2', DG3
    Ansteuersignalleitungsgruppe
    N1, N2
    Knoten
    DR
    Anzeigebereich
    FR
    Peripherer Bereich
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2011/118079 [0005, 0006]
    • JP 2010102266 [0005]
    • JP 2014007399 A [0214, 0217]
    • JP 2012134475 A [0217]
    • JP 2014209727 A [0217]

Claims (22)

  1. Aktivmatrix-Substrat, aufweisend: einen Anzeigebereich mit einer Vielzahl von Pixelbereichen und einen peripheren Bereich, der am Rand des Anzeigebereichs liegt, wobei das Aktivmatrix-Substrat Folgendes umfasst: ein Substrat; eine Vielzahl von Gate-Busleitungen und eine Vielzahl von Source-Busleitungen, die auf dem Substrat vorgesehen sind; einen Source-Treiber, der im peripheren Bereich angeordnet ist, wobei der Source-Treiber eine Vielzahl von Ausgangsanschlüssen aufweist; eine Vielzahl von Signalausgangsleitungen, die jeweils mit der Vielzahl von Ausgangsanschlüssen des Source-Treibers gekoppelt sind; und eine Demultiplexer-Schaltung, die im peripheren Bereich angeordnet ist, wobei die Demultiplexer-Schaltung eine Vielzahl von Einheitsschaltungen einschließt, die vom Substrat getragen werden, wobei die Vielzahl von Einheitsschaltungen der Demultiplexer-Schaltung jeweils ein Anzeigesignal von einer Signalausgabeleitung unter der Vielzahl von Signalausgabeleitungen auf eine Zahl n von Source-Busleitungen, wobei n eine ganze Zahl von 2 oder größer ist, unter der Vielzahl von Source-Busleitungen verteilt, wobei die Vielzahl von Einheitsschaltungen jeweils umfassen: eine Zahl n von Zweigverdrahtungsleitungen, die mit der einen Signalausgangsleitung gekoppelt sind und eine Zahl n von Schalt-Dünnfilmtransistoren (TFTs), die jeweils mit der Zahl n der Zweigverdrahtungsleitungen gekoppelt sind, wobei die Zahl n an Schalt-TFTs konfiguriert ist, elektrische Kopplungen zwischen der Zahl n von Zweigverdrahtungsleitungen und der Zahl n von Source-Busleitungen getrennt ein- und auszuschalten, die Demultiplexer-Schaltung ferner eine Vielzahl von Boost-Schaltungen umfasst, die konfiguriert sind, um die Spannung zu erhöhen, die an die Gate-Elektroden der Zahl n von Schalt-TFTs angelegt wird, die Vielzahl von Boost-Schaltungen jeweils umfassen: eine Einstelleinheit, die durch ein erstes Ansteuersignal S angesteuert werden soll, wobei die Einstelleinheit konfiguriert ist, einen Einstellvorgang durchzuführen, um einen Knoten vorzuladen, der mit einer entsprechenden der Gate-Elektroden gekoppelt ist, eine Rücksetzeinheit, die durch ein zweites Ansteuersignal R angesteuert werden soll, wobei die Rücksetzeinheit konfiguriert ist, einen Rücksetzvorgang durchzuführen, um ein Potential des Knotens zurückzusetzen; und eine Boost-Einheit, die durch ein drittes Ansteuersignal B angesteuert werden soll, wobei die Boost-Einheit konfiguriert ist, einen Boost-Arbeitsgang durchzuführen, um das Potential des Knotens durch Vorladen durch die Einstelleinheit zu erhöhen, wobei eine Amplitude des ersten Ansteuersignals S und eine Amplitude des zweiten Ansteuersignals R miteinander identisch sind und eine Amplitude des dritten Ansteuersignals B von den Amplituden des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R verschieden ist.
  2. Aktivmatrix-Substrat gemäß Anspruch 1, wobei die Amplituden des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R jeweils kleiner sind als die Amplitude des dritten Steuersignals B.
  3. Aktivmatrix-Substrat gemäß Anspruch 2, wobei Hochpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R und ein Hochpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B miteinander identisch sind und Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R jeweils höher sind als ein Niederpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B.
  4. Aktivmatrix-Substrat gemäß Anspruch 3, ferner umfassend: eine Leistungsversorgungsschaltungseinheit, die konfiguriert ist, Leistungsversorgungsspannungen an eine Vielzahl von Pegeln zu liefern, die verwendet werden, um das erste Ansteuersignal S, das zweite Ansteuersignal R und das dritte Ansteuersignal B zu erzeugen, wobei die Leistungsversorgungsspannungen an der Vielzahl von Pegeln umfassen: eine Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend jedem der Hochpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S, des zweiten Ansteuersignals R und des dritten Ansteuersignals B, eine erste Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend jedem der Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R und eine zweite Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung, die dem Niederpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B entspricht.
  5. Aktivmatrix-Substrat gemäß Anspruch 2, wobei die Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R und das Niederpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B miteinander identisch sind und die Hochpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R jeweils niedriger sind als das Hochpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B.
  6. Aktivmatrix-Substrat gemäß Anspruch 5, ferner umfassend: eine Leistungsversorgungsschaltungseinheit, die konfiguriert ist, Leistungsversorgungsspannungen an eine Vielzahl von Pegeln zu liefern, die verwendet werden, um das erste Ansteuersignal S, das zweite Ansteuersignal R und das dritte Ansteuersignal B zu erzeugen, wobei die Leistungsversorgungsspannungen an der Vielzahl von Pegeln umfassen: eine Niederpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend jedem der Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S, des zweiten Ansteuersignals R und des dritten Ansteuersignals B, eine erste Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend jedem der Hochpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R und eine zweite Hochpegel-Leistungsversorgungsspannung entsprechend dem Hochpegel-Potential des dritten Ansteuersignals B.
  7. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei ein Verhältnis von VDL1 - Vsl - Vthsw < 0 erfüllt ist, wobei Vthsw eine Schwellenspannung von jedem der Schalt-TFTs ist, Vsl ein Niederpegel-Potential des Anzeigesignals ist und VDL1 jedes der Niederpegel-Potentiale des ersten Ansteuersignals S und des zweiten Ansteuersignals R ist.
  8. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Zahl n der Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen enthalten sind, zwei Schalt-TFTs beinhaltet, die zwei Schalt-TFTs einen ersten Schalt-TFT und einen zweiten Schalt-TFT beinhalten, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums einen eingeschalteten Zustand zu erreichen und die Vielzahl von Boost-Schaltungen umfassen: eine erste Boost-Schaltung, die mit dem ersten Schalt-TFT einer Einheitsschaltung unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist und eine zweite Boost-Schaltung, die mit dem zweiten Schalt-TFT der einen Einheitsschaltung gekoppelt ist.
  9. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Zahl n der Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen enthalten sind, zwei Schalt-TFTs beinhaltet, die zwei Schalt-TFTs einen ersten Schalt-TFT und einen zweiten Schalt-TFT beinhalten, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen und die Vielzahl von Boost-Schaltungen umfassen: eine erste Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den ersten Schalt-TFTs von zwei Einheitsschaltungen unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist und eine zweite Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den zweiten Schalt-TFTs der zwei Einheitsschaltungen gekoppelt ist.
  10. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Zahl n der Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen eingeschlossen sind, zwei Schalt-TFTs beinhaltet, die zwei Schalt-TFTs einen ersten Schalt-TFT und einen zweiten Schalt-TFT aufweisen, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen, und wobei die Vielzahl von Boost-Schaltungen umfassen: eine erste Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den ersten Schalt-TFTs von drei oder mehr Einheitsschaltungen unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist, und eine zweite Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den zweiten Schalt-TFTs von drei oder mehr Einheitsschaltungen gekoppelt ist.
  11. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Zahl n der Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen enthalten sind, drei Schalt-TFTs beinhaltet, wobei die drei Schalt-TFTs einen ersten Schalt-TFT, einen zweiten Schalt-TFT und einen dritten Schalt-TFT beinhalten, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen, und die Vielzahl von Boost-Schaltungen beinhaltet: eine erste Boost-Schaltung, die mit dem ersten Schalt-TFT einer Einheitsschaltung unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist, eine zweite Boost-Schaltung, die mit dem zweiten Schalt-TFT der einer Einheitsschaltung gekoppelt ist, und eine dritte Boost-Schaltung, die mit dem dritten Schalt-TFT der einen Einheitsschaltung gekoppelt ist.
  12. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Zahl n der Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen enthalten sind, drei Schalt-TFTs beinhaltet, wobei die drei Schalt-TFTs einen ersten Schalt-TFT, einen zweiten Schalt-TFT und einen dritten Schalt-TFT beinhalten, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen, und die Vielzahl von Boost-Schaltungen beinhaltet: eine erste Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den ersten Schalt-TFTs von zwei Einheitsschaltungen unter der Vielzahl von Einheitsschaltungen gekoppelt ist, eine zweite Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den zweiten Schalt-TFTs der zwei Einheitsschaltungen gekoppelt ist und und eine dritte Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den dritten Schalt-TFTs der zwei Einheitsschaltungen gekoppelt ist.
  13. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Zahl n der Schalt-TFTs, die in jeder der Vielzahl von Einheitsschaltungen enthalten sind, drei Schalt-TFTs beinhaltet, wobei die drei Schalt-TFTs einen ersten Schalt-TFT, einen zweiten Schalt-TFT und einen dritten Schalt-TFT beinhalten, die konfiguriert sind, zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten innerhalb eines Horizontalscan-Zeitraums den eingeschalteten Zustand zu erreichen, und die Vielzahl von Boost-Schaltungen beinhaltet: eine erste Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den ersten Schalt-TFTs der drei oder mehr Einheitsschaltungen unter der Vielzahl der Einheitsschaltungen gekoppelt ist, eine zweite Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den zweiten Schalt-TFTs der drei oder mehr Einheitsschaltungen gekoppelt ist und eine dritte Boost-Schaltung, die gemeinsam mit den dritten Schalt-TFTs der drei oder mehr Einheitsschaltungen gekoppelt ist.
  14. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die Demultiplexer-Schaltung ferner eine Vielzahl von Freischaltungen umfasst, die jeweils mit der Vielzahl von Boost-Schaltungen gekoppelt sind, wobei die Vielzahl von Freischaltung jeweils konfiguriert sind, um die entsprechenden Boost-Schaltungen jeweils zu einem vorbestimmten Zeitpunkt zu initialisieren.
  15. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die Einstelleinheit und die Rücksetzeinheit jeweils eine Vielzahl von TFTs aufweisen, die in Reihe miteinander gekoppelt sind.
  16. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei die Vielzahl von Boost-Schaltungen zwei oder mehr Boost-Schaltungen beinhaltet, die mit einer identischen Zeiteinstellung angesteuert werden, und die Demultiplexer-Schaltung umfasst: eine erste Ansteuersignalleitungsgruppe, die konfiguriert ist, um eine Ansteuersignalgruppe zu liefern, die zum Antrieb einiger Boost-Schaltungen unter den zwei oder mehr Boost-Schaltungen verwendet wird, und eine zweite Ansteuersignalleitungsgruppe, die konfiguriert ist, um eine Ansteuersignalgruppe zu liefern, die verwendet wird, um andere Boost-Schaltungen anzusteuern, wobei die zweite Ansteuersignalleitungsgruppe von der ersten Ansteuersignalleitungsgruppe verschieden ist.
  17. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die Einstelleinheit eine Rücksetzeinheit ist, die konfiguriert ist, auch als Rücksetzeinheit zu fungieren, wobei die Einstell- und die Rücksetzeinheit konfiguriert sind, um den Einstellvorgang und den Rücksetzvorgang zu voneinander verschiedenen Zeitpunkten durchzuführen.
  18. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei die Zahl n der Schalt-TFTs jeweils eine Oxidhalbleiterschicht beinhaltet, die als eine aktive Schicht dient.
  19. Aktivmatrix-Substrat gemäß Anspruch 18, wobei die Oxidhalbleiterschicht einen auf In-Ga-Zn-O basierenden Halbleiter enthält.
  20. Aktivmatrix-Substrat gemäß Anspruch 19, wobei der auf In-Ga-Zn-O basierende Halbleiter einen kristallinen Abschnitt enthält.
  21. Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei die Zahl n von Schalt-TFTs jeweils P-Kanal-Metalloxidhalbleiter (PMOS) -Transistoren sind, die jeweils eine Halbleiterschicht aus polykristallinem Silizium aufweisen, die als aktive Schicht dient.
  22. Anzeigevorrichtung mit dem Aktivmatrix-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 21.
DE102019002202.5A 2018-03-28 2019-03-27 Aktivmatrix-substrat und anzeigevorrichtung Pending DE102019002202A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-061374 2018-03-28
JP2018061374A JP6757353B2 (ja) 2018-03-28 2018-03-28 アクティブマトリクス基板および表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102019002202A1 true DE102019002202A1 (de) 2019-10-02

Family

ID=67910158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019002202.5A Pending DE102019002202A1 (de) 2018-03-28 2019-03-27 Aktivmatrix-substrat und anzeigevorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10622437B2 (de)
JP (1) JP6757353B2 (de)
CN (1) CN110320688A (de)
DE (1) DE102019002202A1 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11145268B2 (en) * 2017-04-10 2021-10-12 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate including setting thin film transistor and resetting thin film transistor and display device including same
US11749222B2 (en) * 2017-08-29 2023-09-05 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device
JP6757352B2 (ja) * 2018-03-28 2020-09-16 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板および表示装置
KR102623781B1 (ko) * 2019-09-10 2024-01-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111145677A (zh) * 2020-01-03 2020-05-12 京东方科技集团股份有限公司 选择电路及其控制方法以及多路复用电路
CN111627375B (zh) * 2020-05-29 2022-02-08 上海天马微电子有限公司 驱动电路及其驱动方法和显示装置
CN111681612B (zh) * 2020-06-24 2021-06-25 武汉华星光电技术有限公司 数据驱动电路和显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010102266A (ja) 2008-10-27 2010-05-06 Sharp Corp 液晶表示装置およびその駆動方法
WO2011118079A1 (ja) 2010-03-24 2011-09-29 シャープ株式会社 信号分配回路、信号分配装置および表示装置
JP2012134475A (ja) 2010-12-03 2012-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜および半導体装置
JP2014007399A (ja) 2012-05-31 2014-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014209727A (ja) 2013-03-25 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581800B1 (ko) * 2004-06-07 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시 장치 및 역다중화부
TWI297484B (en) * 2005-04-01 2008-06-01 Au Optronics Corp Time division driven display and method for driving same
US7982501B2 (en) * 2005-05-16 2011-07-19 Altera Corporation Low-power routing multiplexers
CN1728497A (zh) * 2005-07-20 2006-02-01 镇江江奎科技有限公司 带升压电路的高低位开关组合驱动电路
JP4957169B2 (ja) * 2006-10-16 2012-06-20 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置、走査線駆動回路および電子機器
JP5151585B2 (ja) * 2008-03-18 2013-02-27 ソニー株式会社 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器
TWI529681B (zh) * 2010-04-14 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子設備
US9269321B2 (en) 2013-02-20 2016-02-23 Apple Inc. Display panel source line driving circuitry
WO2014208123A1 (ja) * 2013-06-28 2014-12-31 シャープ株式会社 単位シフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路、単位シフトレジスタ回路の制御方法及び表示装置
KR102315421B1 (ko) * 2015-03-30 2021-10-22 삼성디스플레이 주식회사 디멀티플렉서 및 이를 포함한 표시장치
CN107533828B (zh) * 2015-04-07 2020-05-05 夏普株式会社 有源矩阵型显示装置及其驱动方法
KR102318144B1 (ko) * 2015-05-08 2021-10-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 구동 방법
CN107240374A (zh) * 2017-07-21 2017-10-10 京东方科技集团股份有限公司 一种源极驱动电路、显示装置及其驱动方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010102266A (ja) 2008-10-27 2010-05-06 Sharp Corp 液晶表示装置およびその駆動方法
WO2011118079A1 (ja) 2010-03-24 2011-09-29 シャープ株式会社 信号分配回路、信号分配装置および表示装置
JP2012134475A (ja) 2010-12-03 2012-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜および半導体装置
JP2014007399A (ja) 2012-05-31 2014-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014209727A (ja) 2013-03-25 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190305071A1 (en) 2019-10-03
JP2019174596A (ja) 2019-10-10
CN110320688A (zh) 2019-10-11
US10622437B2 (en) 2020-04-14
JP6757353B2 (ja) 2020-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102019002202A1 (de) Aktivmatrix-substrat und anzeigevorrichtung
DE102016125731B4 (de) Gate-Treiber und eine denselben aufweisende Anzeigevorrichtung
DE102014119137B4 (de) Gate-Treiberschaltung und Anzeigevorrichtung
DE102013113851B4 (de) Anzeigevorrichtung
DE10257875B4 (de) Schieberegister mit eingebautem Pegelschieber
DE102019207915A1 (de) Elektronische einrichtungen mit display-pixeln niedriger bildwiederholrate mit verringerter empfindlichkeit für eine oxid-transistor-schwellenspannung
DE602004011521T2 (de) Schaltung zur signalverstärkung und verwendung dieser in aktivmatrix-bauelementen
DE10329088B4 (de) Flachdisplay zur Anwendung bei einem kleinen Modul
DE102020116090A1 (de) Elektrolumineszenzanzeigefeld mit einer Pixelansteuerschaltung
DE112015005395B4 (de) Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Gate-Treiber hierfür
DE102005029995B4 (de) Anzeigevorrichtung und Ansteuerungsverfahren derselben
CN110322849B (zh) 有源矩阵基板和显示装置
DE102015205993A1 (de) Inverter, Steuerkreis und Anzeigefeld
DE112014006943T5 (de) Gate-Treiberschaltung auf Basis eines IGZO-Vorgangs
DE102018100225A1 (de) Arraysubstrat, verfahren zum ansteuern desselben, anzeigefeld und anzeigevorrichtung
WO2018190245A1 (ja) アクティブマトリクス基板および表示装置
DE102017116265A1 (de) Leistungsversorgungseinheit und damit ausgerüstete Anzeigevorrichtung
DE102014207433A1 (de) Treiberschaltung mit einer Durchführungsspannungskompensation und Arraysubstrat
DE102015210089A1 (de) Berührungssteuer-Anzeigebildschirm und elektronisches Gerät
DE102015215684A1 (de) Berührungsbedienfeld und anzeigevorrichtung
DE102014107319B4 (de) Array-Substrat, Anzeigefeld, Anzeigevorrichtung und Verfahren zum Ansteuern eines Array-Substrates
US11749222B2 (en) Active matrix substrate and display device
DE102022115320A1 (de) Anzeigefeld und anzeigevorrichtung
DE112011105054B4 (de) Flüssigkeitskristallanzeiger und Verfahren zum Betrieb desselben
DE112018000567T5 (de) Aktivmatrixsubstrat und anzeigevorrichtung, die dieses verwendet

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed