CN110320688A - 有源矩阵基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有源矩阵基板，降低具备多路分配电路的有源矩阵基板的驱动电力。有源矩阵基板具备：多路分配电路，其配置在周边区域；以及电源电路，其向多路分配电路供应多个电平的电源电压。多路分配电路包含能对施加到开关TFT的栅极电极的电压进行升压的增压电路。增压电路包含：置位部，其由第1驱动信号S驱动，对连接到栅极电极的节点预充电；复位部，其由第2驱动信号R驱动，将节点的电位复位；以及增压部，其由第3驱动信号B驱动，对由置位部预充电后的节点的电位进行升压。第1驱动信号S的振幅与第2驱动信号R的振幅相同，第3驱动信号B的振幅不同于第1驱动信号S和第2驱动信号R的振幅。

Description

有源矩阵基板和显示装置
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板，特别是涉及具备多路分配电路的有源矩阵基板。另外，本发明也涉及具备这样的有源矩阵基板的显示装置。
背景技术
液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：具有多个像素的显示区域；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中，按每个像素设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往以来广泛使用将非晶硅膜作为活性层的TFT(以下称为“非晶硅TFT”)、将多晶硅膜作为活性层的TFT(以下称为“多晶硅TFT”)。
作为TFT的活性层的材料，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。
有时在有源矩阵基板的非显示区域单片(一体)地形成驱动电路等周边电路。通过单片地形成驱动电路，实现非显示区域的窄小化(窄边框化)、安装工序简化所带来的成本降低。例如，在非显示区域中，有时单片地形成栅极驱动电路，以COG(Chip on Glass：玻璃上芯片)方式安装源极驱动电路。
在智能手机等强烈要求窄边框化的设备中，已提出不仅单片地形成栅极驱动器而且还单片地形成源极切换(Source Shared Driving：SSD)电路等多路分配电路(DEMUX)(例如专利文献1和2)。SSD电路是从连接到源极驱动器的各端子的1个视频信号线向多条源极配线分配视频数据的电路。通过搭载SSD电路，能使非显示区域的配置端子部和配线的区域(端子部/配线形成区域)更窄。另外，来自源极驱动器的输出数量减少，能减小电路规模，因此能减少驱动器IC的成本。
驱动电路、SSD电路等周边电路包含TFT。在本说明书中，将在显示区域的各像素中作为开关元件配置的TFT称为“像素TFT”，将构成周边电路的TFT称为“电路TFT”。另外，将电路TFT中的在DEMUX电路(SSD电路)中作为开关元件使用的TFT称为“DEMUX电路用TFT”。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2011/118079号
专利文献2：特开2010-102266号公报
发明内容
发明要解决的问题
在使用氧化物半导体TFT作为像素TFT的有源矩阵基板中，从制造工艺的观点来说，优选DEMUX电路用TFT也是与像素TFT使用了相同氧化物半导体膜的氧化物半导体TFT。
然而，使用氧化物半导体TFT形成DEMUX电路是困难的，以往，多晶硅TFT被用作DEMUX电路用TFT。其理由如下。
氧化物半导体与多晶硅相比迁移率小约1个数量级，因此氧化物半导体TFT与多晶硅TFT相比电流驱动力较小。因此，在使用氧化物半导体形成DEMUX电路用TFT的情况下，与使用多晶硅的情况相比需要增大TFT的尺寸(增大沟道宽度)或者提高驱动电压。当增大TFT的尺寸时，栅极电容负载变大，DEMUX电路的驱动电力增大。另一方面，即使提高TFT的驱动电压，DEMUX电路的驱动电力也增大。
此外，如后所述，即使在使用多晶硅TFT作为DEMUX电路用TFT的情况下，在仅采用PMOS工艺的情况下(即多晶硅TFT仅是PMOS晶体管的情况下)，也可能发生同样的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于降低具备多路分配电路的有源矩阵基板的驱动电力。
用于解决问题的方案
本发明的实施方式的有源矩阵基板具有：显示区域，其包含多个像素区域；以及周边区域，其位于上述显示区域的周边，在上述有源矩阵基板中，具备：基板；多条栅极总线和多条源极总线，其设置在上述基板上；源极驱动器，其配置在上述周边区域，包含多个输出端子；多条信号输出线，其各自连接到上述源极驱动器的上述多个输出端子中的每个输出端子；以及多路分配电路，包含支撑于上述基板的多个单位电路，配置在上述周边区域，上述多路分配电路的上述多个单位电路中的每个单位电路将显示信号从上述多条信号输出线中的1条信号输出线分配到上述多条源极总线中的n条(n是2以上的整数)源极总线，上述多个单位电路中的每个单位电路包含：n条分支配线，其连接到上述1条信号输出线；以及n个开关TFT，其各自连接到上述n条分支配线中的每条分支配线，对上述n条分支配线与上述n条源极总线的电连接单独地进行接通/断开控制，上述多路分配电路还包含能对施加到上述n个开关TFT的栅极电极的电压进行升压的多个增压电路，上述多个增压电路中的每个增压电路包含：置位部，其由第1驱动信号S驱动，进行对连接到上述栅极电极的节点预充电的置位动作；复位部，其由第2驱动信号R驱动，进行将上述节点的电位复位的复位动作；以及增压部，其由第3驱动信号B驱动，进行对由上述置位部预充电后的上述节点的电位进行升压的增压动作，上述第1驱动信号S的振幅和上述第2驱动信号R的振幅相同，上述第3驱动信号B的振幅不同于上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的振幅。
在某实施方式中，上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的振幅小于上述第3驱动信号B的振幅。
在某实施方式中，上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的高电平电位与上述第3驱动信号B的高电平电位相同，上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的低电平电位高于上述第3驱动信号B的低电平电位。
在某实施方式中，上述有源矩阵基板还具备电源电路部，上述电源电路部供应用于生成上述第1驱动信号S、上述第2驱动信号R以及上述第3驱动信号B的多个电平的电源电压，上述多个电平的电源电压是高电平电源电压、第1低电平电源电压以及第2低电平电源电压，上述高电平电源电压对应于上述第1驱动信号S、上述第2驱动信号R以及上述第3驱动信号B的高电平电位，上述第1低电平电源电压对应于上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的低电平电位，上述第2低电平电源电压对应于上述第3驱动信号B的低电平电位。
在某实施方式中，上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的低电平电位与上述第3驱动信号B的低电平电位相同，上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的高电平电位低于上述第3驱动信号B的高电平电位。
在某实施方式中，上述有源矩阵基板还具备电源电路部，上述电源电路部供应用于生成上述第1驱动信号S、上述第2驱动信号R以及上述第3驱动信号B的多个电平的电源电压，上述多个电平的电源电压是低电平电源电压、第1高电平电源电压以及第2高电平电源电压，上述低电平电源电压对应于上述第1驱动信号S、上述第2驱动信号R以及上述第3驱动信号B的低电平电位，上述第1高电平电源电压对应于上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的高电平电位，上述第2高电平电源电压对应于上述第3驱动信号B的高电平电位。
在某实施方式中，当将上述开关TFT的阈值电压设为Vthsw，将上述显示信号的低电平电位设为Vsl，将上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的低电平电位设为VDL1时，满足VDL1-Vsl-Vthsw＜0的关系。
在某实施方式中，上述多路分配电路包含：第1驱动信号线，其向上述置位部供应上述第1驱动信号S；第2驱动信号线，其向上述复位部供应上述第2驱动信号R；以及第3驱动信号线，其向上述增压部供应上述第3驱动信号B。
在某实施方式中，上述置位部包含置位用TFT，上述置位用TFT具有连接到上述第1驱动信号线的栅极电极，是被连接成二极管的，上述复位部包含复位用TFT，上述复位用TFT具有连接到上述第2驱动信号线的栅极电极，构成为能将上述节点的电位下拉，上述增压部包含增压用电容元件，上述增压用电容元件具有：第1电容电极，其连接到上述第3驱动信号线；以及第2电容电极，其连接到上述节点。
在某实施方式中，上述置位用TFT具有：源极电极，其连接到上述节点；以及漏极电极，其连接到上述第1驱动信号线，上述复位用TFT具有：源极电极，其被提供恒定电位；以及漏极电极，其连接到上述节点。
在某实施方式中，上述置位用TFT具有：源极电极，其连接到上述节点；以及漏极电极，其连接到上述第1驱动信号线，上述复位用TFT具有：源极电极，其连接到上述第1驱动信号线；以及漏极电极，其连接到上述节点。
在某实施方式中，上述置位部包含置位用TFT，上述置位用TFT具有连接到上述第1驱动信号线的栅极电极，是被连接成二极管的，上述增压部包含增压用TFT，上述增压用TFT具有：栅极电极，其连接到上述节点；源极电极，其连接到与上述节点不同的另外的节点；以及漏极电极，其连接到上述第3驱动信号线，上述复位部包含第1复位用TFT和第2复位用TFT，上述第1复位用TFT和上述第2复位用TFT各自具有连接到上述第2驱动信号线的栅极电极，构成为能将上述节点的电位下拉，上述第1复位用TFT具有连接到上述节点的漏极电极，上述第2复位用TFT具有连接到上述另外的节点的漏极电极。
在某实施方式中，上述置位用TFT具有：源极电极，其连接到上述节点；以及漏极电极，其连接到上述第1驱动信号线，上述第1复位用TFT和上述第2复位用TFT各自具有被提供恒定电位的源极电极。
在某实施方式中，上述置位用TFT具有：源极电极，其连接到上述节点；以及漏极电极，其连接到上述第1驱动信号线，上述第1复位用TFT和上述第2复位用TFT各自具有连接到上述第1驱动信号线的源极电极。
在某实施方式中，上述增压部还包含增压用电容元件，上述增压用电容元件具有：第1电容电极，其连接到上述节点；以及第2电容电极，其连接到上述另外的节点。
在某实施方式中，上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT包含在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT和第2开关TFT，上述多个增压电路包含：第1增压电路，其连接到上述第1开关TFT；以及第2增压电路，其连接到上述第2开关TFT，上述第1增压电路用的上述第1驱动信号线兼作上述第2增压电路用的上述第2驱动信号线，上述第2增压电路用的上述第1驱动信号线兼作上述第1增压电路用的上述第2驱动信号线。
在某实施方式中，上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是2个开关TFT，上述2个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT和第2开关TFT，上述多个增压电路包含：第1增压电路，其连接到上述多个单位电路中的1个单位电路的上述第1开关TFT；以及第2增压电路，其连接到上述1个单位电路的上述第2开关TFT。
在某实施方式中，上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是2个开关TFT，上述2个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT和第2开关TFT，上述多个增压电路包含：第1增压电路，其共同连接到上述多个单位电路中的2个单位电路的上述第1开关TFT；以及第2增压电路，其共同连接到上述2个单位电路的上述第2开关TFT。
在某实施方式中，上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是2个开关TFT，上述2个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT和第2开关TFT，上述多个增压电路包含：第1增压电路，其共同连接到上述多个单位电路中的3个以上的单位电路的上述第1开关TFT；以及第2增压电路，其共同连接到上述3个以上的单位电路的上述第2开关TFT。
在某实施方式中，上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是3个开关TFT，上述3个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT、第2开关TFT以及第3开关TFT，上述多个增压电路包含：第1增压电路，其连接到上述多个单位电路中的1个单位电路的上述第1开关TFT；第2增压电路，其连接到上述1个单位电路的上述第2开关TFT；以及第3增压电路，其连接到上述1个单位电路的上述第3开关TFT。
在某实施方式中，上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是3个开关TFT，上述3个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT、第2开关TFT以及第3开关TFT，上述多个增压电路包含：第1增压电路，其共同连接到上述多个单位电路中的2个单位电路的上述第1开关TFT；第2增压电路，其共同连接到上述2个单位电路的上述第2开关TFT；以及第3增压电路，其共同连接到上述2个单位电路的上述第3开关TFT。
在某实施方式中，上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是3个开关TFT，上述3个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT、第2开关TFT以及第3开关TFT，上述多个增压电路包含：第1增压电路，其共同连接到上述多个单位电路中的3个以上的单位电路的上述第1开关TFT；第2增压电路，其共同连接到上述3个以上的单位电路的上述第2开关TFT；以及第3增压电路，其共同连接到上述3个以上的单位电路的上述第3开关TFT。
在某实施方式中，上述多路分配电路还包含多个清除电路，上述多个清除电路中的每个清除电路连接到上述多个增压电路中的每个增压电路，在规定的定时将对应的增压电路初始化。
在某实施方式中，上述清除电路包含清除用TFT，上述清除用TFT具有：栅极电极，其被供应清除信号；源极电极，其被提供恒定电位；以及漏极电极，其连接到上述节点。
在某实施方式中，上述清除电路包含清除用TFT，上述清除用TFT具有：栅极电极，其被供应清除信号；源极电极，其连接到上述第1驱动信号线；以及漏极电极，其连接到上述节点。
在某实施方式中，上述置位部和上述复位部各自包含相互以串联的方式连接的多个TFT。
在某实施方式中，上述多个增压电路包含在相同定时被驱动的2个以上的增压电路，上述多路分配电路包含：第1驱动信号线群，其供应用于驱动上述2个以上的增压电路中的一部分增压电路的驱动信号群；以及第2驱动信号线群，其供应用于驱动上述2个以上的增压电路中的其它一部分增压电路的驱动信号群，与上述第1驱动信号线群不同。
在某实施方式中，上述置位部是也作为上述复位部发挥功能且在相互不同的定时进行上述置位动作和上述复位动作的置复位部。
在某实施方式中，上述n个开关TFT中的每个开关TFT包含氧化物半导体层作为活性层。
在某实施方式中，上述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。
在某实施方式中，上述In-Ga-Zn-O系半导体包含结晶质部分。
在某实施方式中，上述n个开关TFT中的每个开关TFT是包含多晶硅半导体层作为活性层的PMOS晶体管。
本发明的实施方式的显示装置具备具有上述的任意一个构成的有源矩阵基板。
发明效果
根据本发明的实施方式时，能降低具备多路分配电路的有源矩阵基板的驱动电力。
附图说明
图1是示出实施方式1的有源矩阵基板100的平面结构的一例的示意图。
图2是示出有源矩阵基板100具备的DEMUX电路10的构成的例子的图。
图3是示出DEMUX电路10具有的增压电路20的构成的例子的图。
图4是用于说明DEMUX电路10的动作的时序图。
图5是示出增压电路20具有的置位部21、复位部22以及增压部23的具体构成的例子的图。
图6是用于说明增压电路20的动作的时序图。
图7是示出比较例的有源矩阵基板500的平面结构的图。
图8的(a)和(b)分别是示出比较例的有源矩阵基板500和实施方式1的有源矩阵基板100中的置位信号S和增压信号B的振幅与节点N1的电位的关系的图。
图9是示出实施方式1的改变例的有源矩阵基板100A的平面结构的一例的示意图。
图10是示出实施方式1的改变例的有源矩阵基板100A中的置位信号S和增压信号B的振幅与节点N1的电位的关系的图。
图11是示出实施方式1的其它改变例的有源矩阵基板100B中的置位信号S和增压信号B的振幅与节点N1的电位的关系的图。
图12是示出实施方式2的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10A的构成的图。
图13是示出DEMUX电路10A的增压电路20具有的增压用TFT27的电极布局的例子的俯视图。
图14是示出实施方式3的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10B的构成的图。
图15是示出实施方式4的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10C的构成的图。
图16是示出实施方式5的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10D的构成的图。
图17是示出实施方式6的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10E的构成的图。
图18是示出实施方式7的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10F的构成的图。
图19是示出实施方式8的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10G的构成的图。
图20是示出实施方式9的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10H的构成的图。
图21是示出实施方式10的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10I的构成的图。
图22是示出实施方式11的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10J的构成的图。
图23的(a)和(b)是示出实施方式12的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10K的构成的图。
图24是用于说明DEMUX电路10K的动作的时序图。
图25的(a)和(b)是示出实施方式13的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10L的构成的图。
图26是用于说明DEMUX电路10L的动作的时序图。
图27是示出实施方式14的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10M的构成的图。
图28是用于说明DEMUX电路10M的动作的时序图。
图29是示出DEMUX电路10M的增压电路20具有的置复位部21SR和增压部23的具体构成的例子的图。
图30是用于说明DEMUX电路10M的增压电路20的动作的时序图。
图31是示出实施方式15的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10N的构成的图。
图32是示出实施方式15的其它有源矩阵基板具备的DEMUX电路10O的构成的图。
图33是示出实施方式1的有源矩阵基板100的其它结构的例子的图。
附图标记说明
1 基板
2 薄膜晶体管(像素TFT)
3 像素电极
4 共用电极
5A、5B 栅极驱动器
5a 移位寄存电路
6 源极驱动器
7 印刷电路基板
8 电源电路部
8a 第1电源电路
8b 第2电源电路
9 柔性印刷电路基板
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F 多路分配电路
10G、10H、10I、10J、10K、10L 多路分配电路
10M、10N、10O 多路分配电路
11 单位电路
12、12p 开关TFT
20 增压电路
21 置位部
21SR 置复位部
22 复位部
23 增压部
24、24A、24B、24p 置位用TFT
24SR 置位/复位用TFT
25、25A、25B、25p、28、28p 复位用TFT
26、29 增压用电容元件
27、27p 增压用TFT
27g 增压用TFT的栅极电极
27s 增压用TFT的源极电极
27d 增压用TFT的漏极电极
30 清除电路
31 清除用TFT
41 定时控制器
42 电平移位电路
100 有源矩阵基板
GL 栅极总线
SL 源极总线
VL 信号输出线
DL1 第1驱动信号线
DL2 第2驱动信号线
DL3 第3驱动信号线
DG1、DG1’、DG2、DG2’、DG3 驱动信号线群
N1、N2 节点
DR 显示区域
FR 周边区域
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。此外，本发明不限于以下的实施方式。
(实施方式1)
图1是示出有源矩阵基板100的平面结构的一例的示意图。如图1所示，有源矩阵基板100具有显示区域DR和周边区域FR。
显示区域DR包含多个像素区域PIX。像素区域PIX是与显示装置的像素对应的区域。以下，有时将像素区域PIX简称为“像素”。多个像素区域PIX排列为包含多个行和多个列的矩阵状。由排列为矩阵状的多个像素区域PIX规定显示区域DR。
周边区域FR位于显示区域DR的周边。周边区域FR是无助于显示的区域，有时也被称为“非显示区域”或“边框区域”。
有源矩阵基板100的构成要素由基板1支撑。基板1例如是玻璃基板。
在基板1上设置有多条栅极总线(扫描线)GL和多条源极总线(信号线)SL。多条栅极总线GL分别沿着行方向延伸。多条源极总线SL分别沿着列方向延伸。在图1中，将第1行、第2行、···第x行的栅极总线GL表示为“GL1”、“GL2”、···“GLx”，将第1列、第2列、···第y列的源极总线SL表示为“SL1”、“SL2”、···“SLy”。
典型地，由相邻的2条栅极总线GL和相邻的2条源极总线SL包围的区域是像素区域PIX。各像素区域PIX包含薄膜晶体管2和像素电极3。
薄膜晶体管2也被称为“像素TFT”。薄膜晶体管2的栅极电极和源极电极分别连接到对应的栅极总线GL和对应的源极总线SL。另外，薄膜晶体管2的漏极电极连接到像素电极3。在将有源矩阵基板100应用于FFS(Fringe Field Switching：边缘场开关)模式等横电场模式的液晶显示装置的情况下，在有源矩阵基板100中，对多个像素区域PIX设置共用的电极(共用电极)4。在将有源矩阵基板100应用于纵电场模式的液晶显示装置的情况下，共用电极4设置于以隔着液晶层与有源矩阵基板100相对的方式配置的相对基板。
在周边区域FR配置有：驱动栅极总线GL的栅极驱动器(扫描线驱动电路)5A和5B；驱动源极总线SL的源极驱动器(信号线驱动电路)6；以及多路分配(DEMUX)电路10。DEMUX电路10作为分时驱动源极总线SL的SSD电路发挥功能。另外，在周边区域FR也配置有电源电路部8。电源电路部8供应用于生成后述的第1驱动信号、第2驱动信号以及第3驱动信号的多个电平的电源电压。
在本实施方式中，栅极驱动器5A和5B以及DEMUX电路10一体(单片)地形成在基板1上，源极驱动器6安装(更具体地说是以COG方式安装)在基板1上。另外，电源电路部8内置于以COG方式安装的源极驱动器6。
在图示的例子中，相对于显示区域DR在左侧配置有用于驱动奇数行的栅极总线GL的栅极驱动器5A，相对于显示区域DR在右侧配置有用于驱动偶数行的栅极总线GL的栅极驱动器5B。奇数行的栅极总线GL中的每条栅极总线GL连接到栅极驱动器5A具有的多个输出端子(未图示)中的每个输出端子。另外，偶数行的栅极总线GL中的每条栅极总线GL连接到栅极驱动器5B具有的多个输出端子(未图示)中的每个输出端子。栅极驱动器5A和5B分别包含移位寄存电路5a。
相对于显示区域DR在下侧配置有源极驱动器6，在源极驱动器6与显示区域DR之间配置有DEMUX电路10。源极驱动器6包含多个输出端子(未图示)。在位于源极驱动器6与DEMUX电路10之间的区域，设置有多条信号输出线(视频信号线)VL。多条信号输出线VL中的每条信号输出线VL连接到源极驱动器6的多个输出端子中的每个输出端子。在图1中，将第1条、第2条、···第z条信号输出线VL表示为“VL1”、“VL2”、···“VLz”。
DEMUX电路10将从第1条信号输出线VL供应的显示信号分配到2条以上的源极总线SL。以下，参照图2更详细地说明DEMUX电路10。图2是示出DEMUX电路10的构成的例子的图。
如图2所示，DEMUX电路10包含支撑于基板1的多个单位电路11。多个单位电路11中的每个单位电路11将显示信号从1条信号输出线VL分配到n(n是2以上的整数)条源极总线SL。图2中示出了n＝2的情况，即，示出了各单位电路11将显示信号从1条信号输出线VL分配到2条源极总线SL的情况。图2中示出了2个单位电路11。2个单位电路11中的一个单位电路(以下也称为“第1单位电路”)11A将显示信号从信号输出线VL1分配到源极总线SL1和SL3，另一个单位电路(以下也称为“第2单位电路”)11B显示信号从信号输出线VL2分配到源极总线SL2和SL4。
各单位电路11包含n条(在此为2条)分支配线BL和n个(在此为2个)开关TFT12。
各单位电路11的2条分支配线BL连接到1条信号输出线VL。另外，各单位电路11的2个开关TFT12中的每个开关TFT12连接到2条分支配线BL中的每条分支配线BL。2个开关TFT12对2条分支配线BL与2条源极总线SL的电连接单独(独立)地进行接通/断开控制。在本实施方式中，2个开关TFT12中的每个开关TFT12包含氧化物半导体层作为活性层(即是氧化物半导体TFT)。
第1单位电路11A的2个开关TFT12A和12C中的一个开关TFT12A对分支配线BL1与源极总线SL1的电连接进行接通/断开控制，另一个开关TFT12C对分支配线BL3与源极总线SL3的电连接进行接通/断开控制。前一开关TFT12A的源极电极和漏极电极分别连接到分支配线BL1和源极总线SL1，后一开关TFT12C的源极电极和漏极电极分别连接到分支配线BL3和源极总线SL3。
第2单位电路11B的2个开关TFT12B和12D中的一个开关TFT12B对分支配线BL2与源极总线SL2的电连接进行接通/断开控制，另一个开关TFT12D对分支配线BL4与源极总线SL4的电连接进行接通/断开控制。前一开关TFT12B的源极电极和漏极电极分别连接到分支配线BL2和源极总线SL2，后一开关TFT12D的源极电极和漏极电极分别连接到分支配线BL4和源极总线SL4。
如图2所示，本实施方式的DEMUX电路10还包含能对施加到各单位电路11的n个(在此为2个)开关TFT12的栅极电极的电压进行升压的多个增压电路20。在图2所示的例子中，每个增压电路20分别连接到各开关TFT12。具体地说，开关TFT12A、12B、12C以及12D的栅极电极分别连接到增压电路20A、20B、20C以及20D的输出侧。
在图2所示的例子中，各增压电路20由从第1驱动信号线DL1、第2驱动信号线DL2以及第3驱动信号线DL3供应的驱动信号群驱动。以下，有时将由第1驱动信号线DL1供应的驱动信号称为“第1驱动信号”，将由第2驱动信号线DL2供应的驱动信号称为“第2驱动信号”，将由第3驱动信号线DL3供应的驱动信号称为“第3驱动信号”。如后详述所示，由增压电路20进行升压，使得与第1驱动信号、第2驱动信号以及第3驱动信号的振幅对应地，开关TFT20的栅极电位的驱动振幅变大。另外，第1驱动信号、第2驱动信号以及第3驱动信号使用由电源电路部8供应的电源电压生成。
在图2所示的例子中，设置有2个系统的驱动信号线群DG1和DG2。增压电路20A和20B由驱动信号线群DG1和DG2中的一个驱动信号线群DG1的第1驱动信号线DL1A、第2驱动信号线DL2A以及第3驱动信号线DL3A驱动。另外，增压电路20C和20D由驱动信号线群DG1和DG2中的另一个驱动信号线群DG2的第1驱动信号线DL1B、第2驱动信号线DL2B以及第3驱动信号线DL3B驱动。
如上所述，在本实施方式的有源矩阵基板100中，DEMUX电路10包含能对施加到开关TFT12的栅极电极的电压进行升压的增压电路20，因此能提高DEMUX电路10的有效的驱动电压。因此，能以比较小的振幅的驱动信号驱动DEMUX电路，因此能降低驱动信号的充放电所引起的功耗。另外，能由增压电路20提高施加到开关TFT12的栅极电极的电压(驱动电压)，因此能降低选择时的开关TFT12的电阻(导通电阻)而提高充电能力。而且，能提高驱动电压，因此还能减小开关TFT12的尺寸。因此，能减小DEMUX电路10的布局尺寸，能实现周边区域FR的狭小化(窄边框化)。这样，根据本发明的实施方式，能兼顾具备DEMUX电路的有源矩阵基板的驱动电力的降低和窄边框化。
接下来，参照图3说明增压电路20的具体构成。图3是示出增压电路20的构成的例子的图。
在图3所示的例子中，增压电路20包含置位部21、复位部22以及增压部23。置位部21、复位部22以及增压部23分别连接到与开关TFT12的栅极电极连接的节点N1。另外，置位部21连接到第1驱动信号线DL1，复位部22连接到第2驱动信号线DL2，增压部23连接到第3驱动信号线DL3。
置位部21由从第1驱动信号线DL1供应的第1驱动信号(置位信号)S驱动，进行对节点N1预充电的动作(以下称为“置位动作”)。增压部23由从第3驱动信号线DL3供应的第3驱动信号(增压信号)B驱动，进行对由置位部21预充电后的节点N1的电位进行升压的动作(以下称为“增压动作”)。复位部22由从第2驱动信号线DL2供应的第2驱动信号(复位信号)R驱动，进行将节点N1的电位复位的动作(以下称为“复位动作”)。
在此，还参照图4说明增压电路20(DEMUX电路10)的动作。图4是用于说明DEMUX电路10的动作的时序图。图4中示出了第1驱动信号线DL1A、DL1B、第2驱动信号线DL2A、DL2B、第3驱动信号线DL3A、DL3B、节点N1A，N1B、信号输出线VL和源极总线SL1、SL3的电位。第1驱动信号线DL1A、DL1B的电位是置位信号S的信号电位。另外，第2驱动信号线DL2A、DL2B的电位是复位信号R的信号电位，第3驱动信号线DL3A、DL3B的电位是增压信号B的信号电位。
首先，在时刻t1，第1驱动信号线DL1A的电位变为高电平，第2驱动信号线DL2A的电位变为低电平，第1驱动信号被作为置位信号S输入到增压电路20A的置位部21。由此，连接到开关TFT12A的栅极电极的节点N1A被预充电(置位动作)。另外，在该定时，信号输出线VL的电位(即显示信号)变化为写入电压电平，开始对被选择的源极总线SL1的充电。
接下来，在时刻t2，第3驱动信号线DL3A的电位变为高电平，第3驱动信号被作为增压信号B输入到增压电路20A的增压部23。由此，节点N1A的电位被升压(增压动作)。由于节点N1A的电位被升压，经由开关TFT20A的源极总线SL1的充电得以充分进行。
接下来，在时刻t3，第1驱动信号线DL1A的电位变为低电平，第2驱动信号线DL2A的电位变为高电平，第3驱动信号线DL3A的电位变为低电平，第2驱动信号被作为复位信号R输入到增压电路20A的复位部22。由此，节点N1A的电位被复位(复位动作)。此时，开关TFT20A变为截止状态，源极总线SL1的电位确定。
另外，在时刻t3，第1驱动信号线DL1B的电位变为高电平，第2驱动信号线DL2B的电位变为低电平，第1驱动信号被作为置位信号S输入到增压电路20B的置位部21。由此，连接到开关TFT12B的栅极电极的节点N1B被预充电(置位动作)。另外，在该定时，信号输出线VL的电位(即显示信号)变化为写入电压电平，开始对被选择的源极总线SL3的充电。
接下来，在时刻t4，第3驱动信号线DL3B的电位变为高电平，第3驱动信号被作为增压信号B输入到增压电路20B的增压部23。由此，节点N1B的电位被升压(增压动作)。由于节点N1B的电位被升压，经由开关TFT20B的源极总线SL3的充电得以充分进行。
之后，在时刻t5，第1驱动信号线DL1B的电位变为低电平，第2驱动信号线DL2B的电位变为高电平，第3驱动信号线DL3B的电位变为低电平，第2驱动信号被作为复位信号R输入到增压电路20B的复位部22。由此，节点N1B的电位被复位(复位动作)。此时，开关TFT12B变为截止状态，源极总线SL3的电位确定。
当完成了向源极总线SL1和SL3的写入(电位确定)时，从栅极总线GL供应的栅极信号变为截止电平，显示电压向像素PIX的写入完成。
参照图5说明增压电路20的更具体构成。图5是示出增压电路20的置位部21、复位部22以及增压部23的具体构成的例子的图。
在图5所示的例子中，置位部21包含TFT(以下称为“置位用TFT”)24。置位用TFT24被连接成二极管，置位用TFT24的栅极电极和漏极电极连接到第1驱动信号线DL1。另外，置位用TFT24的源极电极连接到节点N1。
复位部22包含TFT(以下称为“复位用TFT”)25。复位用TFT25的栅极电极连接到第2驱动信号线DL2。复位用TFT25构成为能将节点N1的电位下拉。具体地说，复位用TFT25的源极电极被提供恒定电位(负电源电位VSS)，复位用TFT25的漏极电极连接到节点N1。
增压部23包含电容元件(以下称为“增压用电容元件”)26。增压用电容元件26包含：连接到第3驱动信号线DL3的电极(第1电容电极)；以及连接到节点N1的电极(第2电容电极)。
在说明图5所例示的增压电路20的动作前，对本实施方式的有源矩阵基板100具备的电源电路部8、置位信号S、复位信号R以及增压信号B的振幅进行说明。
如图1所示，本实施方式的电源电路部8具有第1电源电路8a和第2电源电路8b。第1电源电路8a能供应(生成)第1高电平电源电压VDH1和第1低电平电源电压VDL1。第2电源电路8b能供应(生成)第2高电平电源电压VDH2和第2低电平电源电压VDL2。第1高电平电源电压VDH1和第2高电平电源电压VDH2相互不同。另外，第1低电平电源电压VDL1和第2低电平电源电压VDL2相互不同。即，电源电路部8具有2个系统的电源电路(第1电源电路8a和第2电源电路8b)，据此，能分别供应2种(大小不同的)电源电压作为高电平侧的电源电压和低电平侧的电源电压。
在本实施方式中，置位信号(第1驱动信号)S的振幅和复位信号(第2驱动信号)R的振幅相同。另外，增压信号(第3驱动信号)B的振幅不同于置位信号S和复位信号R的振幅。具体地说，增压信号B的振幅大于置位信号S和复位信号R的振幅。即，置位信号S和复位信号R的振幅小于增压信号B的振幅。
在此，置位信号S和复位信号R的高电平电位与第1高电平电源电压VDH1对应，置位信号S和复位信号R的低电平电位与第1低电平电源电压VDL1对应。另外，增压信号B的高电平电位与第2高电平电源电压VDH2对应，增压信号B的低电平电位与第2低电平电源电压VDL2对应。如已说明的那样，置位信号S和复位信号R的振幅小于增压信号B的振幅，因此满足(VDH1-VDL1)＜(VDH2-VDL2)的关系。
参照图6说明图5所例示的增压电路20的动作。图6是用于说明增压电路20的动作的时序图。图6中示出了置位信号S(第1驱动信号线DL1)、复位信号R(第2驱动信号线DL2)、增压信号B(第3驱动信号线DL3)、节点N1、信号输出线VL和源极总线SL的电位。
首先，当置位信号S从低电平电位(VDL1)变化为高电平电位(VDH1)时，置位用TFT24变为导通状态，节点N1被预充电(置位动作)。此时，置位用TFT24是被连接成二极管的，因此当将置位用TFT24的阈值电压设为Vth时，节点N1被预充电到(VDH1-Vth)的电位。
接下来，当增压信号B从低电平电位(VDL2)变化为高电平电位(VDH2)时，节点N1的电位被升压。升压的程度根据增压用电容元件26的电容值Cbst相对于节点N1的负载电容的总计(总负载电容)Cn1的比而不同。具体地说，升压的量的电位是将增压信号B的振幅(＝VDH2-VDL2)乘以(Cbst/Cn1)得到的。因此，例如，当节点N1的总负载电容Cn1为0.2pF，增压用电容元件26的电容值Cbst为0.1pF时，节点N1的电位从(VDH1-Vth)升压至{(VDH1-Vth)+(VDH2-VDL2)·(0.1/0.2)}。
例如，在VDH1＝16V，VDL1＝-7V，VDH2＝14V，VDL2＝-14V，Vth＝2V的情况下，节点N1被升压至28V。
在本实施方式的有源矩阵基板100中，如上所述，增压信号B的振幅不同于置位信号S和复位信号R的振幅(具体地说，置位信号S和复位信号R的振幅小于增压信号B的振幅)。由此，能实现进一步的低功耗化。以下，说明其理由。
一般地，氧化物半导体TFT与多晶硅TFT相比迁移率较低，因此为了对其进行补偿，经常以比多晶硅TFT高的电压被驱动。例如，在LTPS(低温多晶硅)TFT中，以高电平电位为9.5V而低电平电位为-7V的信号电压(振幅为16.5V)被驱动，而在包含In-Ga-Zn-O系半导体层的氧化物半导体TFT中，以高电平电位为16V而低电平电位为-12V的信号电压(振幅为28V)被驱动。另外，通常，在以COG方式安装的驱动器中，内置的电源电路是1个系统(即分别供应1种电源电压作为高电平侧和低电平侧的电源电压)，因此需要使全部的驱动电压的振幅与需要最高电压的信号匹配。
在此，与图7所示的比较例的有源矩阵基板500作比较来说明本实施方式的有源矩阵基板100的优点。在比较例的有源矩阵基板500中，以COG方式安装的源极驱动器6具有单一的电源电路8’作为电源电路部，这一点与本实施方式的有源矩阵基板100不同。电源电路8’供应高电平电源电压VDH和低电平电源电压VDL。因此，在比较例的有源矩阵基板500中，置位信号S、复位信号R以及增压信号B的振幅相同(高电平电位为VDH而低电平电位为VDL)。
在比较例的有源矩阵基板500中，例如当VDH＝16V，VDL＝-12V，Vth＝2V，Cbst＝0.1pF，Cn1＝0.2pF时，如图8的(a)所示，增压动作后的节点N1的电位为(16-2)+{16-(-12)}·(0.1/0.2)＝28V。
在本实施方式的有源矩阵基板100中，例如当VDH1＝16V，VDL1＝-7V，VDH2＝14V，VDL2＝-14V，Vth＝2V，Cbst＝0.1pF，Cn1＝0.2pF时，如图8的(b)所示，增压动作后的节点N1的电位为(16-2)+{14-(-14)}·(0.1/0.2)＝28V，能升压至与比较例的有源矩阵基板500相同的电位。
另一方面，置位信号S(和复位信号R)的振幅在比较例中为28V，而在本实施方式中是23V。功耗P使用频率f、负载电容C、电压V表示为P＝fCV2，因此在此所举的例子中，本实施方式的有源矩阵基板100与比较例的有源矩阵基板500相比能将功耗降低约30％。
这样，通过使增压信号B的振幅不同于置位信号S和复位信号R的振幅(具体地说，使置位信号S和复位信号R的振幅小于增压信号B的振幅)，既能维持驱动力(性能)，又能实现进一步的低功耗化。
此外，不言而喻，置位信号S和复位信号R的高电平电位和低电平电位(第1高电平电源电压VDH1和第1低电平电源电压VDL1)以及增压信号B的高电平电位和低电平电位(第2高电平电源电压VDH2和第2低电平电源电压VDL2)不限于在此例示的值。但是，对于置位信号S和复位信号R的低电平电位VDL1，需要将开关TFT12设为非选择，因此当将开关TFT12的阈值电压设为Vthsw，将显示信号的低电平电位设为Vsl时，优选满足VDL1-Vsl-Vthsw＜0的关系。
图9示出本实施方式的改变例的有源矩阵基板100A。在图9所示的有源矩阵基板100A中，置位信号S和复位信号R的高电平电位与增压信号B的高电平电位相同。另外，置位信号S和复位信号R的低电平电位高于增压信号B的低电平电位。因此，有源矩阵基板100A的电源电路部8供应：高电平电源电压VDH，其与置位信号S、复位信号R以及增压信号B的高电平电位对应；第1低电平电源电压VDL1，其与置位信号S和复位信号R的低电平电位对应；以及第2低电平电源电压VDL2，其与增压信号B的低电平电位对应(VDL1＞VDL2)。
如已说明的那样，在比较例的有源矩阵基板500中，当VDH＝16V，VDL＝-12V，Vth＝2V，Cbst＝0.1pF，Cn1＝0.2pF时，如图8的(a)所示，增压动作后的节点N1的电位是28V。
在图9所示的有源矩阵基板100A中，例如当VDH＝16V，VDL1＝-7V，VDL2＝-12V，Vth＝2V，Cbst＝0.1pF，Cn1＝0.2pF时，如
图10所示，增压动作后的节点N1的电位为(16-2)+{16-(-12)}·(0.1/0.2)＝28V，能升压至与比较例的有源矩阵基板500相同的电位。
另一方面，置位信号S(和复位信号R)的振幅在比较例的有源矩阵基板500中为28V，而在有源矩阵基板100A中为23V，能将功耗降低约30％。这样，即使在改变例的有源矩阵基板100A中，也既能维持驱动力(性能)又能实现进一步的低功耗化。另外，在改变例的有源矩阵基板100A中，电源电路部8在低电平侧需要2个系统的电源电压，但是在高电平侧可以使用1个系统的电源电压。因此，能简化电源电路部8的构成。
图11中示出本实施方式的其它改变例的有源矩阵基板100B。在图11所示的有源矩阵基板100B中，置位信号S和复位信号R的低电平电位与增压信号B的低电平电位相同。另外，置位信号S和复位信号R的高电平电位低于增压信号B的高电平电位。因此，有源矩阵基板100B的电源电路部8供应：低电平电源电压VDL，其与置位信号S、复位信号R以及增压信号B的低电平电位对应；第1高电平电源电压VDH1，其与置位信号S和复位信号R的高电平电位对应；以及第2高电平电源电压VDL2，其与增压信号B的高电平电位对应(VDH1＜VDH2)。
即使在其它改变例的有源矩阵基板100B中，也既能维持驱动力(性能)又能实现进一步的低功耗化。另外，在有源矩阵基板100B中，电源电路部8在高电平侧需要2个系统的电源电压，但是在低电平侧可以使用1个系统的电源电压。因此，能简化电源电路部8的构成。
此外，在此，说明了电源电路部8内置于以COG方式安装的源极驱动器6的例子，但是本发明的实施方式不限于此。
图33示出电源电路部8的构成的其它例子。在图33所示的例子中，印刷电路基板(PCB)7经由柔性印刷电路基板(FPC)9连接到基板1。在PCB7上设置有电源电路部8、定时控制器41以及电平移位电路42。
电源电路部8与图1所示的电源电路部8同样具有：第1电源电路8a，其能供应(生成)第1高电平电源电压VDH1和第1低电平电源电压VDL1；以及第2电源电路8b，其能供应(生成)第2高电平电源电压VDH2和第2低电平电源电压VDL2。在此，电源电路部8为电源IC。
定时控制器41生成有源矩阵基板100的驱动所需的各种定时脉冲。电平移位电路42能使输入信号的电位电平变化(即，对输入信号的电位电平进行控制)。
在液晶电视、PC用显示器中，一般将电源IC配置在面板外而通过定时控制器进行控制。因此，能适合使用图33所例示的构成。由电源电路部8生成的电源电压由电平移位电路42控制而被输出到基板1侧。
(实施方式2)
参照图12说明本实施方式的有源矩阵基板。图12是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10A的构成的图。
在图5所示的DEMUX电路10中，增压电路20的增压部23包括增压用电容元件26。与此相对，在本实施方式的DEMUX电路10A中，如图12所示，增压部23包含TFT(以下称为“增压用TFT”)27。增压用TFT27的栅极电极连接到节点N1，增压用TFT27的漏极电极连接到第3驱动信号线DL3。增压用TFT27的源极电极连接到与节点N1不同的节点N2。
另外，在图5所示的DEMUX电路10中，增压电路20的复位部22包括1个复位用TFT25。与此相对，在本实施方式的DEMUX电路10A中，如图12所示，复位部22包括构成为能将节点N1的电位下拉的2个复位用TFT25和28。
复位用TFT25和28中的一个复位用TFT(第1复位用TFT)25的栅极电极连接到第2驱动信号线DL2。另外，第1复位用TFT25的源极电极被提供恒定电位(负电源电位VSS)，第1复位用TFT25的漏极电极连接到节点N1。
复位用TFT25和28中的另一个复位用TFT(第2复位用TFT)28的栅极电极连接到第2驱动信号线DL2。另外，第2复位用TFT28的源极电极被提供恒定电位(负电源电位VSS)，第2复位用TFT28的漏极电极连接到节点N2(即经由节点N2连接到增压用TFT27的源极电极)。
在本实施方式中，增压部23不是包括增压用电容元件26，而是包括增压用TFT27，因此能降低信号负载，能实现进一步的低功耗化和高速化。在增压部23包括增压用TFT27的情况下，与增压部23包括增压用电容元件26的情况同样地，也能以图4所例示的时序图的这样的驱动信号驱动增压电路20。
在增压部23包括增压用TFT27的情况下，增压电路20进行升压的程度根据增压用TFT27的导通状态下的电容值Ctft_on相对于节点N1的总负载电容Cn1的比而决定。因此，如果电容值Ctft_on与增压用电容元件26的电容值Cbst相同，则升压的程度与增压部23包括增压用电容元件26的情况相同。
从以更高效率使节点N1升压的观点来说，优选增压用TFT27具有悬挂在第3驱动信号线DL3的电容最小化的电极布局。图13中示出增压用TFT27的电极布局(栅极电极27g、源极电极27s以及漏极电极27d的形状、配置)。
在图13所示的例子中，源极电极27s以从连接到节点N2的配线(标注与节点N2相同的附图标记“N2”)分支的方式延伸设置。另外，漏极电极27d以从第3驱动信号线DL3分支的方式延伸设置，栅极电极27g以与第3驱动信号线DL3本身不重叠的方式配置。因此，能降低悬挂在第3驱动信号线DL3的电容。
(实施方式3)
参照图14说明本实施方式的有源矩阵基板。图14是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10B的构成的图。
在图12所示的DEMUX电路10A中，增压部23包括增压用TFT27。与此相对，在本实施方式的DEMUX电路10B中，如图14所示，增压部23不仅包含增压用TFT27还包含电容元件(增压用电容元件)29。增压用电容元件29包含连接到节点N1的电极(第1电容电极)和连接到节点N2的电极(第2电容电极)。
当如本实施方式这样，增压部23不仅包含增压用TFT27还包含增压用电容元件29时，能以更高效率对节点N1的电位进行升压。另外，也能得到防止振荡的效果。
(实施方式4)
参照图15说明本实施方式的有源矩阵基板。图15是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10C的构成的图。
在图2所示的DEMUX电路10中，每个开关TFT12各连接有1个增压电路20。与此相对，在本实施方式的DEMUX电路10C中，如图15所示，对2个开关TFT12连接有1个增压电路20。以下，更具体地进行说明。
第1单位电路11A具有的2个开关TFT12是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT12A和第2开关TFT12C。同样地，第2单位电路11B具有的2个开关TFT12是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT12B和第2开关TFT12D。
图15所示的2个增压电路20A和20B中的一个增压电路20A共同连接到第1单位电路11A的第1开关TFT12A和第2单位电路11B的第1开关TFT12B。另外，另一个增压电路20B共同连接到第1单位电路11A的第2开关TFT12C和第2单位电路11B的第2开关TFT12D。
这样，在本实施方式中，在同时被选择的2个开关TFT12中共用1个增压电路20。因此，能降低电路元件数量。另外，通过降低电路元件数量而负载得以降低，因此能实现进一步的低功耗化。而且，通过降低电路元件数量，也能降低电路面积，因此能减小布局尺寸，能实现进一步的窄边框化。
(实施方式5)
在实施方式4的DEMUX电路10C中，在2个开关TFT12中共用1个增压电路20，但是也可以在3个以上的开关TFT12中共用1个增压电路20。以下，参照图16说明本实施方式的有源矩阵基板。图16是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10D的构成的图。
图16中示出了DEMUX电路10D具有的多个单位电路11中的4个单位电路(以下分别称为“第1单位电路”、“第2单位电路”、“第3单位电路”以及“第4单位电路”)11A、11B、11C以及11D。
第1单位电路11A包含2条分支配线BL1和BL5以及2个开关TFT12A和12E，将显示信号从信号输出线VL1分配到源极总线SL1和SL5。第1单位电路11A的2个开关TFT(第1开关TFT和第2开关TFT)12A和12E在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态。
第2单位电路11B包含2条分支配线BL2和BL6以及2个开关TFT12B和12F，将显示信号从信号输出线VL2分配到源极总线SL2和SL6。第2单位电路11B的2个开关TFT(第1开关TFT和第2开关TFT)12B和12F在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态。
第3单位电路11C包含2条分支配线BL3和BL7以及2个开关TFT12C和12G，将显示信号从信号输出线VL3分配到源极总线SL3和SL7。第3单位电路11C的2个开关TFT(第1开关TFT和第2开关TFT)12C和12G在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态。
第4单位电路11D包含2条分支配线BL4和BL8以及2个开关TFT12D和12H，将显示信号从信号输出线VL4分配到源极总线SL4和SL8。第4单位电路11D的2个开关TFT(第1开关TFT和第2开关TFT)12D和12H在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态。
图16所示的2个增压电路20A和20B中的一个增压电路20A共同连接到第1单位电路11A的第1开关TFT12A、第2单位电路11B的第1开关TFT12B、第3单位电路11C的第1开关TFT12C以及第4单位电路11D的第1开关TFT12D。另外，另一个增压电路20B共同连接到第1单位电路11A的第2开关TFT12E、第2单位电路11B的第2开关TFT12F、第3单位电路11C的第2开关TFT12G以及第4单位电路11D的第2开关TFT12H。
这样，在本实施方式中，在同时被选择的4个开关TFT12中共用1个增压电路20。因此，与在2个开关TFT12中共用1个增压电路20的实施方式4相比，能进一步降低电路元件数量。因此，能实现进一步的低功耗化和进一步的窄边框化。
此外，在本实施方式中，示出了在4个开关TFT12中共用1个增压电路20的例子，但是通过在3个以上的开关TFT12中共用1个增压电路20，都能比实施方式4降低电路元件数量。也可以在同时被选择的3个开关TFT12中共用1个增压电路20，还可以在同时被选择的5个以上的开关TFT12中共用1个增压电路20。
(实施方式6)
参照图17说明本实施方式的有源矩阵基板。图17是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10E的构成的图。
在图2、图15以及图16所示的DEMUX电路10、10C以及10D中，各单位电路11将显示信号从1条信号输出线VL分配到2条源极总线SL。与此相对，在本实施方式的DEMUX电路10E中，各单位电路11将显示信号从1条信号输出线VL分配到3条源极总线SL。以下，更具体地进行说明。
图17中示出DEMUX电路10E具有的多个单位电路11中的2个单位电路(第1单位电路和第2单位电路)11A和11B。
第1单位电路11A包含3条分支配线BL1、BL3以及BL5和3个开关TFT12A、12C以及12E，将显示信号从1条信号输出线VL1分配到3条源极总线SL1、SL3以及SL5。
第2单位电路11B包含3条分支配线BL2、BL4以及BL6和3个开关TFT12B、12D以及12F，将显示信号从1条信号输出线VL2分配到3条源极总线SL2、SL4以及SL6。
DEMUX电路10E包含能对施加到各单位电路11的3个开关TFT12的栅极电极的电压进行升压的多个增压电路20。在图17所示的例子中，每个增压电路20分别连接到各开关TFT12。具体地说，开关TFT12A、12B、12C、12D、12E以及12F的栅极电极分别连接到增压电路20A、20B、20C、20D、20E以及20F的输出侧。
在图17所示的例子中，设置有3个系统的驱动信号线群DG1、DG2以及DG3。增压电路20A和20B由驱动信号线群DG1的第1驱动信号线DL1A、第2驱动信号线DL2A以及第3驱动信号线DL3A驱动。另外，增压电路20C和20D由驱动信号线群DG2的第1驱动信号线DL1B、第2驱动信号线DL2B以及第3驱动信号线DL3B驱动，增压电路20E和20F由驱动信号线群DG3的第1驱动信号线DL1C、第2驱动信号线DL2C以及第3驱动信号线DL3C驱动。
在本实施方式的有源矩阵基板中，DEMUX电路10E包含增压电路20，从而与实施方式1～5的有源矩阵基板同样，也能降低驱动电力。另外，在本实施方式中，各单位电路11将显示信号从1条信号输出线VL分配到3条源极总线SL，因此与实施方式1～5相比，能削减信号输出线VL的条数。因此，能缩小配线区域(配置信号输出线VL的区域)而实现进一步的窄边框化。而且，能削减以COG方式安装的源极驱动器6的放大器数量，因此能进一步减小芯片尺寸。因此，能增加可从晶片获取到的芯片数量，降低芯片成本。
(实施方式7)
参照图18说明本实施方式的有源矩阵基板。图18是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10F的构成的图。
在图17所示的DEMUX电路10E中，每个开关TFT12各连接有1个增压电路20。与此相对，在本实施方式的DEMUX电路10F中，如图18所示，对2个开关TFT12连接有1个增压电路20。以下，更具体地进行说明。
第1单位电路11A具有的3个开关TFT12是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT12A、第2开关TFT12C以及第3开关TFT12E。同样地，第2单位电路11B具有的3个开关TFT12是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT12B、第2开关TFT12D以及第3开关TFT12F。
图18所示的3个增压电路20A、20B以及20中的增压电路20A共同连接到第1单位电路11A的第1开关TFT12A和第2单位电路11B的第1开关TFT12B。另外，增压电路20B共同连接到第1单位电路11A的第2开关TFT12C和第2单位电路11B的第2开关TFT12D。另外，增压电路20C共同连接到第1单位电路11A的第3开关TFT12E和第2单位电路11B的第3开关TFT12F。
这样，在本实施方式中，在同时被选择的2个开关TFT12中共用1个增压电路20。因此，能降低电路元件数量。另外，通过降低电路元件数量而负载得以降低，因此能实现进一步的低功耗化。而且，通过降低电路元件数量，也能降低电路面积，因此能减小布局尺寸，能实现进一步的窄边框化。
(实施方式8)
在实施方式7的DEMUX电路10F中，在2个开关TFT12中共用1个增压电路20，但是也可以在3个以上的开关TFT12中共用1个增压电路20。以下，参照图19说明本实施方式的有源矩阵基板。图19是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10G的构成的图。
图19中示出DEMUX电路10G具有的多个单位电路11中的3个单位电路(以下分别称为“第1单位电路”、“第2单位电路”以及“第3单位电路”)11A、11B以及11C。
第1单位电路11A包含3条分支配线BL1、BL4以及BL7和3个开关TFT12A、12D以及12G，将显示信号从信号输出线VL1分配到源极总线SL1、SL4以及SL7。第1单位电路11A的3个开关TFT(第1开关TFT、第2开关TFT以及第3开关TFT)12A、12D以及12G在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态。
第2单位电路11B包含3条分支配线BL2、BL5以及BL8和3个开关TFT12B、12E以及12H，将显示信号从信号输出线VL2分配到源极总线SL2、SL5以及SL8。第2单位电路11B的3个开关TFT(第1开关TFT、第2开关TFT以及第3开关TFT)12B、12E以及12H在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态。
第3单位电路11C包含3条分支配线BL3、BL6以及BL9和3个开关TFT12C、12F以及12I，将显示信号从信号输出线VL3分配到源极总线SL3、SL6以及SL9。第3单位电路11C的3个开关TFT(第1开关TFT、第2开关TFT以及第3开关TFT)12C、12F以及12I在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态。
图19所示的3个增压电路20A、20B以及20C中的增压电路20A共同连接到第1单位电路11A的第1开关TFT12A、第2单位电路11B的第1开关TFT12B以及第3单位电路11C的第1开关TFT12C。另外，增压电路20B共同连接到第1单位电路11A的第2开关TFT12D、第2单位电路11B的第2开关TFT12E以及第3单位电路11C的第2开关TFT12F。另外，增压电路20C共同连接到第1单位电路11A的第3开关TFT12G、第2单位电路11B的第3开关TFT12H以及第3单位电路11C的第3开关TFT12I。
这样，在本实施方式中，在同时被选择的3个开关TFT12中共用1个增压电路20。因此，与在2个开关TFT12中共用1个增压电路20的实施方式7相比，能进一步降低电路元件数量。因此，能实现进一步的低功耗化和进一步的窄边框化。
此外，在本实施方式中，示出了在3个开关TFT12中共用1个增压电路20的例子，但是也可以在同时被选择的4个以上的开关TFT12中共用1个增压电路20。
(实施方式9)
参照图20说明本实施方式的有源矩阵基板。图20是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10H的构成的图。
如图20所示，DEMUX电路10H还包含各自连接到各增压电路20的多个清除电路30(图20中示出了1个清除电路30)。清除电路30能在规定的定时将对应的增压电路20初始化。
在图20所示的例子中，清除电路30包含TFT(以下称为“清除用TFT”)31。清除信号被供应到清除用TFT31的栅极电极。清除用TFT31的源极电极被提供恒定电位(负电源电位VSS)，清除用TFT31的漏极电极连接到节点N1。
在包含清除电路30的DEMUX电路10H中，当供应到清除用TFT31的栅极电极的清除信号变为高电平时，增压电路20被初始化。清除电路30对增压电路20的初始化例如在驱动期间的最初或最后进行。
当在驱动期间的最初进行增压电路20的初始化时，增压电路20从被初始化后的状态进行动作，因此能抑制预期之外的动作、输出。另外，当在驱动期间的最后进行增压电路20的初始化时，能除去各节点的电荷(通过驱动存储的电荷)，因此能防止在动作中止时残存的电荷所引起的TFT的劣化。
(实施方式10)
参照图21说明本实施方式的有源矩阵基板。图21是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10I的构成的图。
在DEMUX电路10I中，如图21所示，增压电路20的置位部21包含相互以串联的方式连接的多个置位用TFT24A和24B。另外，增压电路20的复位部22包含相互以串联的方式连接的多个复位用TFT25A和25B。
在图21所示的例子中，置位部21包含2个置位用TFT24A和24B(以下分别称为“第1置位用TFT”和“第2置位用TFT”)。第1置位用TFT24A的栅极电极和漏极电极连接到第1驱动信号线DL1。即，第1置位用TFT24A是被连接成二极管的。第1置位用TFT24A的源极电极连接到第2置位用TFT24B的漏极电极。第2置位用TFT24B的栅极电极连接到第1驱动信号线DL1，第2置位用TFT24B的源极电极连接到节点N1。
另外，在图21所示的例子中，复位部22包含2个复位用TFT25A和25B(以下分别称为“第1复位用TFT”和“第2复位用TFT”)。第1复位用TFT25A的栅极电极连接到第2驱动信号线DL2。第1复位用TFT25A的漏极电极连接到节点N1，第1复位用TFT25A的源极电极连接到第2复位用TFT25B的漏极电极。第2复位用TFT25B的栅极电极连接到第2驱动信号线DL2。第2复位用TFT25B的源极电极被提供恒定电位(负电源电位VSS)。
如上所述，增压电路20的置位部21包含相互以串联的方式连接的多个置位用TFT24A和24B，并且复位部22包含相互以串联的方式连接的多个复位用TFT25A和25B，从而在通过增压电路20的动作而节点N1被升压时，能降低提供到各个TFT的源极漏极间的电位差(在例示的构成中成为约一半)。即，能实现耐压的提高。
(实施方式11)
参照图22说明本实施方式的有源矩阵基板。图22是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10J的构成的图。
在图22所示的DEMUX电路10J中，不仅具备驱动信号线群DG1和DG2还具备另外的驱动信号线群DG1’和DG2’，这一点与图2所示的DEMUX电路10不同。
图22所示的4个增压电路20中的增压电路20A由驱动信号线群DG1驱动，增压电路20B由驱动信号线群DG2驱动。另外，增压电路20C由驱动信号线群DG1’驱动，增压电路20D由驱动信号线群DG2’驱动。
在图2所示的DEMUX电路10中，在相同定时被驱动的增压电路20A和增压电路20B由相同驱动信号线群DG1驱动。另外，在相同定时被驱动的增压电路20C和增压电路20D由相同驱动信号线群DG2驱动。
与此相对，在图22所示的DEMUX电路10J中，在相同定时被驱动的增压电路20A和增压电路20B分别由不同的驱动信号线群GD1和GD1’驱动。另外，在相同定时被驱动的增压电路20C和增压电路20D分别由不同的驱动信号线群GD2和GD2’驱动。
用于在某定时驱动增压电路20的驱动信号被进行相位扩展并供应到驱动信号线群GD1和GD1’。即，驱动信号线群GD1和GD1’是实质上供应相同信号的不同的配线群。
用于在别的某定时驱动增压电路20的驱动信号被进行相位扩展并供应到驱动信号线群GD2和GD2’。即，驱动信号线群GD2和GD2’是实质上供应相同信号的不同的配线群。
如上所述，在本实施方式中设置有：供应用于驱动在相同定时被驱动的2个以上的增压电路20中的一部分增压电路20的驱动信号群的配线群；以及供应用于驱动其它一部分增压电路20的驱动信号群的别的配线群。因此，能减少连接到1条驱动信号线的电路数量，因此各个驱动信号线的负载变少，能缩短驱动信号的转变时间(上升时间和下降时间)。因此，能进行更高速的动作。
(实施方式12)
参照图23的(a)和(b)说明本实施方式的有源矩阵基板。图23的(a)和(b)是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10K的构成的图。
如图23的(b)所示，在本实施方式的DEMUX电路10K中，复位用TFT25的源极电极和清除用TFT31的源极电极连接到第1驱动信号线DL1，这一点与图20所示的DEMUX电路10H不同。当采用本实施方式的构成时，不需要用于将复位用TFT25的源极电极和清除用TFT31的源极电极连接到负电源的配线(VSS配线)。
在此，还参照图24说明在复位用TFT25的源极电极和清除用TFT31的源极电极连接到第1驱动信号线DL1的情况下也能合适地进行复位动作和清除动作的理由。图24是用于说明DEMUX电路10K的动作的时序图。
当着眼于用于驱动1个增压电路20的第1驱动信号线DL1和第2驱动信号线DL2时，从图24可知，第1驱动信号线DL1供应的信号是与第2驱动信号线DL2供应的信号处于反转的关系的信号(反转信号)。因此，当第2驱动信号线DL2的电位是高电平时(即复位信号被输入到复位用TFT25时)，第1驱动信号线DL1的电位是低电平。因此，能没有问题地进行复位动作。另外，只要选择第1驱动信号线DL1的电位是低电平的定时作为进行清除动作的定时，就能没有问题地进行清除动作。
此外，图24所示的时序图与图4所示的时序图实质上相同，因此关于时刻t1～t5中的每个时刻的动作，请参见参照图4的时序图所进行的说明。
另外，在此例示了具备清除电路30的构成，但是在图5所示的DEMUX电路10、图12所示的DEMUX电路10A以及图14所示的DEMUX电路10B中，通过将复位用TFT25、28的源极电极连接到第1驱动信号线DL1，也能得到同样的效果。
(实施方式13)
参照图25的(a)和(b)说明本实施方式的有源矩阵基板。图25的(a)和(b)是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10L的构成的图。
如图25的(a)所示，在本实施方式的DEMUX电路10L中，不包含第2驱动信号线DL2，这一点与图23所示的DEMUX电路10K不同。图25的(b)中示出了与DEMUX电路10L的单位电路11A所包含的2个开关TFT12A和12C中的一个开关TFT(第1开关TFT)12A连接的增压电路(第1增压电路)20A。如图25的(b)所示，第1增压电路20A的复位用TFT25的栅极电极连接到与另一个开关TFT(第2开关TFT)12B连接的增压电路(第2增压电路)20C用的第1驱动信号线DL1B。另外，虽然在此未图示，但是第2增压电路20C的复位用TFT25的栅极电极连接到第1增压电路20A用的第1驱动信号线DL1A。
这样，在本实施方式中，第1增压电路20A用的第1驱动信号线DL1A兼作第2增压电路20C用的第2驱动信号线，第2增压电路20C用的第1驱动信号线DL1B兼作第1增压电路20A用的第2驱动信号线。当采用本实施方式的构成时，能省略第2驱动信号线，能进一步减少配线数量。
在此，还参照图26说明某增压电路20用的第1驱动信号线DL1能兼作其它增压电路20用的第2驱动信号线的理由。图26是用于说明DEMUX电路10L的动作的时序图。
从图26可知，第1增压电路20A用的第1驱动信号线DL1A供应的信号与第2增压电路20C用的第1驱动信号线DL1B供应的信号是反相的信号。因此，第1增压电路20A用的第1驱动信号线DL1A与第2增压电路20C用的第1驱动信号线DL1B在不同的定时变为高电平。因此，能将第2增压电路20C用的第1驱动信号线DL1B供应的信号用作第1增压电路20A用的复位信号，能将第1增压电路20A用的第1驱动信号线DL1A供应的信号用作第2增压电路20C用的复位信号。
此外，在此，例示了具备清除电路30的构成，但是在图5所示的DEMUX电路10、图12所示的DEMUX电路10A以及图14所示的DEMUX电路10B中，通过进行同样的改变，也能得到同样的效果。
(实施方式14)
参照图27说明本实施方式的有源矩阵基板。图27是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10M的构成的图。
图27所示的DEMUX电路10M的增压电路20包含置复位部21SR和增压部23。置复位部21SR和增压部23分别连接到与开关TFT12的栅极电极连接的节点N1。另外，置复位部21SR连接到第1驱动信号线DL1和第2驱动信号线DL2，增压部23连接到第3驱动信号线DL3。即，在图27所示的DEMUX电路10M中，增压电路20具有置复位部21SR来代替置位部21和复位部22，这一点与图3所示的DEMUX电路10不同。换句话说，在图27所示的DEMUX电路10M中，置位部也作为复位部发挥功能。
置复位部21SR被从第1驱动信号线DL1供应第1驱动信号(置位信号)S，进行将节点N1预充电的动作(置位动作)。另外，置复位部21SR被从第2驱动信号线DL2供应第2驱动信号(复位信号)R，进行将节点N1的电位复位的动作(复位动作)。由置复位部21SR在相互不同的定时进行置位动作和复位动作。
增压部23被从第3驱动信号线DL3供应第3驱动信号(增压信号)B，进行对通过置复位部21的置位动作被预充电后的节点N1的电位进行升压的动作(增压动作)。
在此，还参照图28说明DEMUX电路10M的增压电路20的动作。图28是用于说明DEMUX电路10M的动作的时序图。图28中示出了第1驱动信号线DL1A、DL1B、第2驱动信号线DL2A、DL2B、第3驱动信号线DL3A、DL3B、节点N1A、N1B、信号输出线VL和源极总线SL1、SL3的电位。另外，图28中也示出栅极总线GLn、GLn+1的电位。
首先，在时刻t1，第1驱动信号线DL1A的电位变为高电平。此时，第2驱动信号线DL2A的电位从前一个水平扫描期间保持高电平，第1驱动信号被作为置位信号S输入到增压电路20A的置复位部21SR。由此，连接到开关TFT12A的栅极电极的节点N1A被预充电(置位动作)。另外，在该定时，信号输出线VL的电位(即显示信号)变化为写入电压电平，开始对被选择的源极总线SL1的充电。
接下来，在时刻t2，第2驱动信号DL2A的电位变为低电平，并且第3驱动信号线DL3A的电位变为高电平，第3驱动信号被作为增压信号B输入到增压电路20A的增压部23。由此，节点N1A的电位被升压(增压动作)。由于节点N1A的电位被升压，经由开关TFT12A的源极总线SL1的充电得以充分进行。
接下来，在时刻t3，第1驱动信号线DL1A的电位变为低电平，第2驱动信号线DL2A的电位变为高电平，第3驱动信号线DL3A的电位变为低电平，第2驱动信号被作为复位信号R输入到增压电路20A的置复位部21SR。由此，节点N1A的电位被复位(复位动作)，向源极总线SL1的写入完成。
接下来，在时刻t4，第1驱动信号线DL1B的电位变为高电平。此时，第2驱动信号线DL2B的电位从前一个水平扫描期间保持高电平，第1驱动信号被作为置位信号S输入到增压电路20C的置复位部21SR。由此，连接到开关TFT12C的栅极电极的节点N1B被预充电(置位动作)。另外，在该定时，信号输出线VL的电位(即显示信号)变化为写入电压电平，开始对被选择的源极总线SL3的充电。
接下来，在时刻t5，第2驱动信号DL2B的电位变为低电平，并且第3驱动信号线DL3B的电位变为高电平，第3驱动信号被作为增压信号B输入到增压电路20C的增压部23。由此，节点N1B的电位被升压(增压动作)。由于节点N1B的电位被升压，经由开关TFT12C的源极总线SL3的充电得以充分进行。
接下来，在时刻t6，第1驱动信号线DL1B的电位变为低电平，第2驱动信号线DL2B的电位变为高电平，第3驱动信号线DL3B的电位变为低电平，第2驱动信号被作为复位信号R输入到增压电路20C的置复位部21SR。由此，节点N1B的电位被复位(复位动作)，向源极总线SL3的写入完成。
之后，当完成了向源极总线SL1和SL3的写入(电位确定)时，从栅极总线GLn供应的栅极信号变为截止电平(时刻t7)，向像素PIX的显示电压的写入完成。以后，通过反复进行上述的动作，进行全部栅极总线GL的写入。
参照图29说明增压电路20的更具体构成。图29是示出增压电路20的置复位部21SR和增压部23的具体构成的例子的图。
在图29所示的例子中，置复位部21SR包含TFT(以下称为“置位/复位用TFT”)24SR。置位/复位用TFT24SR的栅极电极连接到第2驱动信号线DL2。另外，置位/复位用TFT24SR的漏极电极连接到第1驱动信号线DL1，置位/复位用TFT24SR的源极电极连接到节点N1。
增压部23包含电容元件(增压用电容元件)24。增压用电容元件24包含：连接到第3驱动信号线DL3的电极(第1电容电极)；以及连接到节点N1的电极(第2电容电极)。
参照图30说明图29所例示的增压电路20的动作。图30是用于说明增压电路20的动作的时序图。图30中示出了第1驱动信号线DL1、第2驱动信号线DL2、第3驱动信号线DL3、节点N1、信号输出线VL和源极总线SL的电位。在以下的说明中，将置位信号S和复位信号R的高电平电位和低电平电位分别设为VDH1、VDL1，将增压信号B的高电平电位和低电平电位分别设为VDH2、VDL2。
首先，在时刻t1，第2驱动信号线DL2的电位(复位信号R)保持高电平(VDH1)，第1驱动信号线DL1的电位(置位信号S)从低电平(VDL1)变化为高电平(VDH1)时，置位/复位用TFT24SR变为导通状态，节点N1被预充电。此时，置位/复位用TFT24SR的栅极电极和漏极电极是相同电位，置位/复位用TFT23是所谓的连接成二极管的状态，因此当将置位用TFT24SR的阈值电压设为Vth时，节点N1被预充电到(VDH1-Vth)的电位。
接下来，在时刻t2，当第3驱动信号线DL3的电位(增压信号B)从低电平(VDL2)变化为高电平(VDH2)时(此时第2驱动信号线DL2的电位变为低电平(VDL1))，节点N1的电位被升压。升压的程度根据增压用电容元件26的电容值Cbst相对于节点N1的负载电容的总计(总负载电容)Cn1的比而不同。具体地说，升压的量的电位是将增压信号B的振幅(＝VDH2-VDL2)乘以(Cbst/Cn1)得到的。因此，例如，当节点N1的总负载电容Cn1为0.2pF，增压用电容元件24的电容值Cbst为0.1pF时，节点N1的电位被从(VDH1-Vth)升压至{(VDH1-Vth)+(VDH2-VDL2)·(0.1/0.2)}。例如在VDH1＝16V，VDL1＝-7V，VDH2＝14V，VDL2＝-14V，Vth＝2V的情况下，节点N1被升压至28V。
之后，在时刻t3，当第1驱动信号线DL1的电位和第3驱动信号线DL3的电位分别变化为低电平(VDL1和VDL2)，并且第2驱动信号线DL2的电位(复位信号R)变化为高电平(VDH1)时，节点N1的电位被复位(下拉)。
如上所述，第1驱动信号、第2驱动信号以及第3驱动信号分别具有包含从低电平向高电平的变化和从高电平向低电平的变化的周期性波形，当第1驱动信号和第2驱动信号各自是高电平时进行置位动作。另外，当第3驱动信号处于高电平时进行增压动作，当第1驱动信号是低电平且第2驱动信号是高电平时进行复位动作。
在图3所示的DEMUX电路10中，增压电路20包括置位部21、复位部22以及增压部23。与此相对，在本实施方式的DEMUX电路10M中，增压电路20包括置复位部21SR和增压部23。因此，根据本实施方式，能减少增压电路20的元件数量。例如，在图5所例示的构成中，增压电路20包括2个TFT(置位用TFT524和复位用TFT25)和1个电容元件(增压用电容元件26)，而在图29所例示的构成中，增压电路20包括1个TFT(置位/复位用TFT24SR)和1个电容元件(增压用电容元件26)。因此，根据本实施方式，能实现进一步的窄边框化。
[关于氧化物半导体]
开关TFT12的氧化物半导体层所包含的氧化物半导体可以是非晶质氧化物半导体，也可以是具有结晶质部分的结晶质氧化物半导体。作为结晶质氧化物半导体，可举出多晶氧化物半导体、微晶氧化物半导体、c轴大致垂直于层面取向的结晶质氧化物半导体等。
氧化物半导体层也可以具有2层以上的层叠结构。在氧化物半导体层具有层叠结构的情况下，氧化物半导体层可以包含非晶质氧化物半导体层和结晶质氧化物半导体层，也可以包含晶体结构不同的多个结晶质氧化物半导体层，另外，也可以包含多个非晶质氧化物半导体层。在氧化物半导体层具有包含上层和下层的2层结构的情况下，优选上层所包含的氧化物半导体的能隙大于下层所包含的氧化物半导体的能隙。但是，在这些层的能隙的差比较小的情况下，下层的氧化物半导体的能隙也可以大于上层的氧化物半导体的能隙。
非晶质氧化物半导体和上述的各结晶质氧化物半导体的材料、结构、成膜方法、具有层叠结构的氧化物半导体层的构成等例如记载于特开2014-007399号公报。为了参考，将特开2014-007399号公报的公开内容全部引用到本说明书中。
氧化物半导体层例如也可以包含In、Ga以及Zn中的至少1种金属元素。在本发明的实施方式中，氧化物半导体层例如包含In-Ga-Zn-O系的半导体(例如氧化铟镓锌)。在此，In-Ga-Zn-O系的半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元系氧化物，In、Ga以及Zn的比例(组成比)不作特别限定，例如包含In：Ga：Zn＝2：2：1、In：Ga：Zn＝1：1：1、In：Ga：Zn＝1：1：2等。这种氧化物半导体层能由包含In-Ga-Zn-O系的半导体的氧化物半导体膜形成。
In-Ga-Zn-O系的半导体可以是非晶质，也可以是结晶质。作为结晶质In-Ga-Zn-O系的半导体，优选c轴大致垂直于层面取向的结晶质In-Ga-Zn-O系的半导体。
此外，结晶质In-Ga-Zn-O系的半导体的晶体结构例如公开于上述的特开2014-007399号公报、特开2012-134475号公报、特开2014-209727号公报等。为了参考，将特开2012-134475号公报和特开2014-209727号公报的公开内容全部引用到本说明书中。具有In-Ga-Zn-O系半导体层的TFT具有高迁移率(与a-SiTFT相比超过20倍)和低漏电流(与a-SiTFT相比不到百分之一)，因此适合用作开关TFT12，另外，也适合用作驱动TFT(例如，在包含多个像素的显示区域的周边与显示区域设置在相同基板上的驱动电路所包含的TFT)、像素TFT(设置于像素的TFT)。
氧化物半导体层也可以包含其它氧化物半导体来代替In-Ga-Zn-O系半导体。例如也可以包含In-Sn-Zn-O系半导体(例如In2O3-SnO2-ZnO；InSnZnO)。In-Sn-Zn-O系半导体是In(铟)、Sn(锡)以及Zn(锌)的三元系氧化物。或者，氧化物半导体层也可以包含In-Al-Zn-O系半导体、In-Al-Sn-Zn-O系半导体、Zn-O系半导体、In-Zn-O系半导体、Zn-Ti-O系半导体、Cd-Ge-O系半导体、Cd-Pb-O系半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O系半导体、In-Ga-Sn-O系半导体、In-Ga-O系半导体、Zr-In-Zn-O系半导体、Hf-In-Zn-O系半导体等。
(实施方式15)
参照图31和图32说明本实施方式的有源矩阵基板。图31是示出本实施方式的有源矩阵基板具备的DEMUX电路10N的构成的图。图32是示出本实施方式的其它有源矩阵基板具备的DEMUX电路10O的构成的图。
在图31所示的DEMUX电路10N中，各单位电路11的开关TFT12p是包含多晶硅半导体层(例如低温多晶硅(LTPS)层)作为活性层的PMOS晶体管，这一点与图5所示的DEMUX电路10不同。另外，在DEMUX电路10N中，构成电路的其它TFT也是包含多晶硅半导体层的PMOS晶体管。因此，置位部21的置位用TFT24p和复位部22的复位用TFT25p也是包含多晶硅半导体层的PMOS晶体管。
在图32所示的DEMUX电路10O中，各单位电路11的开关TFT12p是包含多晶硅半导体层(例如低温多晶硅(LTPS)层)作为活性层的PMOS晶体管，这一点与图12所示的DEMUX电路10A不同。另外，在DEMUX电路10O中，构成电路的其它TFT也是包含多晶硅半导体层的PMOS晶体管。因此，置位部21的置位用TFT24p、复位部22的复位用TFT25p、28p以及增压部23的增压用TFT27p也是包含多晶硅半导体层的PMOS晶体管。
在如图31和图32所示的DEMUX电路10N和10O这样，由PMOS晶体管构成DEMUX电路的情况下，也仅是信号等的极性与图2所示的DEMUX电路10、图12所示的DEMUX电路10A相反(复位用TFT25p的源极电极被提供正电源电位VDD)，能以定时等相同的方式进行驱动。
如已说明的那样，多晶硅与氧化物半导体相比迁移率较高，但是PMOS与NMOS相比迁移率较低。因此，在仅使用包含多晶硅半导体层作为活性层的PMOS晶体管作为DEMUX电路用TFT的情况下，会产生与使用氧化物半导体TFT的情况同样的问题。
如本实施方式所示，通过使DEMUX电路10N和10O包含增压电路20，能实现驱动电力的降低、窄边框化。
(显示装置)
本发明的实施方式的有源矩阵基板(半导体装置)适合用于显示装置。此外，至此以按FFS模式等横电场模式进行显示的液晶显示装置的有源矩阵基板为例进行了说明，但是也能应用于按在液晶层的厚度方向上施加电压的纵电场模式(例如，TN模式、垂直取向模式)进行显示的液晶显示装置的有源矩阵基板。另外，本发明的实施方式的有源矩阵基板也适合用于液晶显示装置以外的显示装置(具备液晶层以外的显示介质层的显示装置)。例如，本发明的实施方式的有源矩阵基板也能用于电泳显示装置、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等。
液晶显示装置能具备：有源矩阵基板；以与有源矩阵基板相对的方式配置的相对基板；以及设置在有源矩阵基板与相对基板之间的液晶层。有机EL显示装置能具备有源矩阵基板和设置在有源矩阵基板上的有机EL层。
工业上的可利用性
根据本发明的实施方式，能降低具备多路分配电路的有源矩阵基板的驱动电力。本发明的实施方式的有源矩阵基板适合用于各种显示装置。

Claims (22)

1.一种有源矩阵基板，具有：显示区域，其包含多个像素区域；以及周边区域，其位于上述显示区域的周边，上述有源矩阵基板的特征在于，具备：
基板；
多条栅极总线和多条源极总线，其设置在上述基板上；
源极驱动器，其配置在上述周边区域，包含多个输出端子；
多条信号输出线，其各自连接到上述源极驱动器的上述多个输出端子中的每个输出端子；以及
多路分配电路，包含支撑于上述基板的多个单位电路，配置在上述周边区域，
上述多路分配电路的上述多个单位电路中的每个单位电路将显示信号从上述多条信号输出线中的1条信号输出线分配到上述多条源极总线中的n条源极总线，其中，n是2以上的整数，
上述多个单位电路中的每个单位电路包含：
n条分支配线，其连接到上述1条信号输出线；以及
n个开关TFT，其各自连接到上述n条分支配线中的每条分支配线，对上述n条分支配线与上述n条源极总线的电连接单独地进行接通/断开控制，
上述多路分配电路还包含能对施加到上述n个开关TFT的栅极电极的电压进行升压的多个增压电路，
上述多个增压电路中的每个增压电路包含：
置位部，其由第1驱动信号S驱动，进行对连接到上述栅极电极的节点预充电的置位动作；
复位部，其由第2驱动信号R驱动，进行将上述节点的电位复位的复位动作；以及
增压部，其由第3驱动信号B驱动，进行对由上述置位部预充电后的上述节点的电位进行升压的增压动作，
上述第1驱动信号S的振幅和上述第2驱动信号R的振幅相同，
上述第3驱动信号B的振幅不同于上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的振幅。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的振幅小于上述第3驱动信号B的振幅。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，
上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的高电平电位与上述第3驱动信号B的高电平电位相同，
上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的低电平电位高于上述第3驱动信号B的低电平电位。
4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，
还具备电源电路部，上述电源电路部供应用于生成上述第1驱动信号S、上述第2驱动信号R以及上述第3驱动信号B的多个电平的电源电压，
上述多个电平的电源电压是高电平电源电压、第1低电平电源电压以及第2低电平电源电压，上述高电平电源电压对应于上述第1驱动信号S、上述第2驱动信号R以及上述第3驱动信号B的高电平电位，上述第1低电平电源电压对应于上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的低电平电位，上述第2低电平电源电压对应于上述第3驱动信号B的低电平电位。
5.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，
上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的低电平电位与上述第3驱动信号B的低电平电位相同，
上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的高电平电位低于上述第3驱动信号B的高电平电位。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，
还具备电源电路部，上述电源电路部供应用于生成上述第1驱动信号S、上述第2驱动信号R以及上述第3驱动信号B的多个电平的电源电压，
上述多个电平的电源电压是低电平电源电压、第1高电平电源电压以及第2高电平电源电压，上述低电平电源电压对应于上述第1驱动信号S、上述第2驱动信号R以及上述第3驱动信号B的低电平电位，上述第1高电平电源电压对应于上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的高电平电位，上述第2高电平电源电压对应于上述第3驱动信号B的高电平电位。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板，
当将上述开关TFT的阈值电压设为Vthsw，将上述显示信号的低电平电位设为Vsl，将上述第1驱动信号S和上述第2驱动信号R的低电平电位设为VDL1时，满足VDL1-Vsl-Vthsw＜0的关系。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是2个开关TFT，
上述2个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT和第2开关TFT，
上述多个增压电路包含：第1增压电路，其连接到上述多个单位电路中的1个单位电路的上述第1开关TFT；以及第2增压电路，其连接到上述1个单位电路的上述第2开关TFT。
9.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是2个开关TFT，
上述2个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT和第2开关TFT，
上述多个增压电路包含：第1增压电路，其共同连接到上述多个单位电路中的2个单位电路的上述第1开关TFT；以及第2增压电路，其共同连接到上述2个单位电路的上述第2开关TFT。
10.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是2个开关TFT，
上述2个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT和第2开关TFT，
上述多个增压电路包含：第1增压电路，其共同连接到上述多个单位电路中的3个以上的单位电路的上述第1开关TFT；以及第2增压电路，其共同连接到上述3个以上的单位电路的上述第2开关TFT。
11.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是3个开关TFT，
上述3个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT、第2开关TFT以及第3开关TFT，
上述多个增压电路包含：第1增压电路，其连接到上述多个单位电路中的1个单位电路的上述第1开关TFT；第2增压电路，其连接到上述1个单位电路的上述第2开关TFT；以及第3增压电路，其连接到上述1个单位电路的上述第3开关TFT。
12.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是3个开关TFT，
上述3个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT、第2开关TFT以及第3开关TFT，
上述多个增压电路包含：第1增压电路，其共同连接到上述多个单位电路中的2个单位电路的上述第1开关TFT；第2增压电路，其共同连接到上述2个单位电路的上述第2开关TFT；以及第3增压电路，其共同连接到上述2个单位电路的上述第3开关TFT。
13.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述多个单位电路中的每个单位电路具有的上述n个开关TFT是3个开关TFT，
上述3个开关TFT是在1个水平扫描期间内在相互不同的定时变为导通状态的第1开关TFT、第2开关TFT以及第3开关TFT，
上述多个增压电路包含：第1增压电路，其共同连接到上述多个单位电路中的3个以上的单位电路的上述第1开关TFT；第2增压电路，其共同连接到上述3个以上的单位电路的上述第2开关TFT；以及第3增压电路，其共同连接到上述3个以上的单位电路的上述第3开关TFT。
14.根据权利要求1至13中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述多路分配电路还包含多个清除电路，上述多个清除电路中的每个清除电路连接到上述多个增压电路中的每个增压电路，在规定的定时将对应的增压电路初始化。
15.根据权利要求1至14中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述置位部和上述复位部各自包含相互以串联的方式连接的多个TFT。
16.根据权利要求1至15中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述多个增压电路包含在相同定时被驱动的2个以上的增压电路，
上述多路分配电路包含：第1驱动信号线群，其供应用于驱动上述2个以上的增压电路中的一部分增压电路的驱动信号群；以及第2驱动信号线群，其供应用于驱动上述2个以上的增压电路中的其它一部分增压电路的驱动信号群，与上述第1驱动信号线群不同。
17.根据权利要求1至16中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述置位部是也作为上述复位部发挥功能且在相互不同的定时进行上述置位动作和上述复位动作的置复位部。
18.根据权利要求1至17中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述n个开关TFT中的每个开关TFT包含氧化物半导体层作为活性层。
19.根据权利要求18所述的有源矩阵基板，
上述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。
20.根据权利要求19所述的有源矩阵基板，
上述In-Ga-Zn-O系半导体包含结晶质部分。
21.根据权利要求1至17中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述n个开关TFT中的每个开关TFT是包含多晶硅半导体层作为活性层的PMOS晶体管。
22.一种显示装置，其特征在于，
具备权利要求1至21中的任意一项所述的有源矩阵基板。
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