DE102018205028A1 - Bearbeitungsverfahren für ein werkstück - Google Patents
Bearbeitungsverfahren für ein werkstück Download PDFInfo
- Publication number
- DE102018205028A1 DE102018205028A1 DE102018205028.7A DE102018205028A DE102018205028A1 DE 102018205028 A1 DE102018205028 A1 DE 102018205028A1 DE 102018205028 A DE102018205028 A DE 102018205028A DE 102018205028 A1 DE102018205028 A1 DE 102018205028A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- workpiece
- cutting
- holding
- multilayer element
- laser processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003754 machining Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 7
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 6
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- 125000005521 carbonamide group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- 125000001399 1,2,3-triazolyl group Chemical class N1N=NC(=C1)* 0.000 description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 4
- -1 formic Chemical class 0.000 description 4
- FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N sarcosine Chemical compound C[NH2+]CC([O-])=O FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RJURFGZVJUQBHK-UHFFFAOYSA-N actinomycin D Chemical compound CC1OC(=O)C(C(C)C)N(C)C(=O)CN(C)C(=O)C2CCCN2C(=O)C(C(C)C)NC(=O)C1NC(=O)C1=C(N)C(=O)C(C)=C2OC(C(C)=CC=C3C(=O)NC4C(=O)NC(C(N5CCCC5C(=O)N(C)CC(=O)N(C)C(C(C)C)C(=O)OC4C)=O)C(C)C)=C3N=C21 RJURFGZVJUQBHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012549 training Methods 0.000 description 3
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- 125000001376 1,2,4-triazolyl group Chemical group N1N=C(N=C1)* 0.000 description 2
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical class C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-UHFFFAOYSA-N D-alpha-Ala Natural products CC([NH3+])C([O-])=O QNAYBMKLOCPYGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-UWTATZPHSA-N L-Alanine Natural products C[C@@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-UWTATZPHSA-N 0.000 description 2
- AHLPHDHHMVZTML-BYPYZUCNSA-N L-Ornithine Chemical compound NCCC[C@H](N)C(O)=O AHLPHDHHMVZTML-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- FSBIGDSBMBYOPN-VKHMYHEASA-N L-canavanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCONC(N)=N FSBIGDSBMBYOPN-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- RHGKLRLOHDJJDR-BYPYZUCNSA-N L-citrulline Chemical compound NC(=O)NCCC[C@H]([NH3+])C([O-])=O RHGKLRLOHDJJDR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- UKAUYVFTDYCKQA-VKHMYHEASA-N L-homoserine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCO UKAUYVFTDYCKQA-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- 229930182821 L-proline Natural products 0.000 description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 2
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- 108010077895 Sarcosine Proteins 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 229960003767 alanine Drugs 0.000 description 2
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 2
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229960005261 aspartic acid Drugs 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N beta-alanine Chemical compound NCCC(O)=O UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- CVSVTCORWBXHQV-UHFFFAOYSA-N creatine Chemical compound NC(=[NH2+])N(C)CC([O-])=O CVSVTCORWBXHQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N gamma-aminobutyric acid Chemical compound NCCCC(O)=O BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N glycylglycine Chemical compound [NH3+]CC(=O)NCC([O-])=O YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229960002885 histidine Drugs 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229960002429 proline Drugs 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WPLOVIFNBMNBPD-ATHMIXSHSA-N subtilin Chemical compound CC1SCC(NC2=O)C(=O)NC(CC(N)=O)C(=O)NC(C(=O)NC(CCCCN)C(=O)NC(C(C)CC)C(=O)NC(=C)C(=O)NC(CCCCN)C(O)=O)CSC(C)C2NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C1NC(=O)C(CCC(N)=O)NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(NC(=O)C1NC(=O)C(=C/C)/NC(=O)C(CCC(N)=O)NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(C)NC(=O)CNC(=O)C(NC(=O)C(NC(=O)C2NC(=O)CNC(=O)C3CCCN3C(=O)C(NC(=O)C3NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(=C)NC(=O)C(CCC(O)=O)NC(=O)C(NC(=O)C(CCCCN)NC(=O)C(N)CC=4C5=CC=CC=C5NC=4)CSC3)C(C)SC2)C(C)C)C(C)SC1)CC1=CC=CC=C1 WPLOVIFNBMNBPD-ATHMIXSHSA-N 0.000 description 2
- XOAAWQZATWQOTB-UHFFFAOYSA-N taurine Chemical compound NCCS(O)(=O)=O XOAAWQZATWQOTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N (2s)-2-[2-[[(1s)-1,2-dicarboxyethyl]amino]ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NCCN[C@H](C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N 0.000 description 1
- CUKWUWBLQQDQAC-VEQWQPCFSA-N (3s)-3-amino-4-[[(2s)-1-[[(2s)-1-[[(2s)-1-[[(2s,3s)-1-[[(2s)-1-[(2s)-2-[[(1s)-1-carboxyethyl]carbamoyl]pyrrolidin-1-yl]-3-(1h-imidazol-5-yl)-1-oxopropan-2-yl]amino]-3-methyl-1-oxopentan-2-yl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)-1-oxopropan-2-yl]amino]-3-methyl-1-ox Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CC=1NC=NC=1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](C)C(O)=O)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CCCN=C(N)N)NC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O)C(C)C)C1=CC=C(O)C=C1 CUKWUWBLQQDQAC-VEQWQPCFSA-N 0.000 description 1
- 239000001124 (E)-prop-1-ene-1,2,3-tricarboxylic acid Substances 0.000 description 1
- YGPSJZOEDVAXAB-UHFFFAOYSA-N (R)-Kynurenine Natural products OC(=O)C(N)CC(=O)C1=CC=CC=C1N YGPSJZOEDVAXAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGNGYMCLFWQVGX-AGFFZDDWSA-N (e)-1-[(2s)-2-amino-2-carboxyethoxy]-2-diazonioethenolate Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CO\C([O-])=C\[N+]#N AGNGYMCLFWQVGX-AGFFZDDWSA-N 0.000 description 1
- UKAUYVFTDYCKQA-UHFFFAOYSA-N -2-Amino-4-hydroxybutanoic acid Natural products OC(=O)C(N)CCO UKAUYVFTDYCKQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C(C)CN(CC(O)=O)CC(O)=O XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 2-acetamido-3-sulfanylpropanoic acid Chemical compound CC(=O)NC(CS)C(O)=O PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDGAVODICPCDMU-UHFFFAOYSA-N 2-amino-3-[3-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(N)CC1=CC=CC(N(CCCl)CCCl)=C1 QDGAVODICPCDMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006290 2-hydroxybenzyl group Chemical group [H]OC1=C(C([H])=C([H])C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NYPYHUZRZVSYKL-ZETCQYMHSA-N 3,5-diiodo-L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC(I)=C(O)C(I)=C1 NYPYHUZRZVSYKL-ZETCQYMHSA-N 0.000 description 1
- UWRBFYBQPCJRRL-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(carboxymethyl)amino]propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O UWRBFYBQPCJRRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSISHJJTAXXQAX-UHFFFAOYSA-N 5-[2-carboxy-2-(trimethylazaniumyl)ethyl]-1h-imidazole-2-thiolate Chemical compound C[N+](C)(C)C(C([O-])=O)CC1=CNC(=S)N1 SSISHJJTAXXQAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000005862 Angiotensin II Human genes 0.000 description 1
- 101800000734 Angiotensin-1 Proteins 0.000 description 1
- 102400000344 Angiotensin-1 Human genes 0.000 description 1
- 101800000733 Angiotensin-2 Proteins 0.000 description 1
- 108010087765 Antipain Proteins 0.000 description 1
- 101000924591 Apis mellifera Apamin Proteins 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical class [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-UHFFFAOYSA-N D-OH-Asp Natural products OC(=O)C(N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRYLPWNYFXEMH-UHFFFAOYSA-N D-cystathionine Natural products OC(=O)C(N)CCSCC(N)C(O)=O ILRYLPWNYFXEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010008488 Glycylglycine Proteins 0.000 description 1
- XSISQURPIRTMAY-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl glycine Chemical compound NCC(=O)OCCO XSISQURPIRTMAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-DMTCNVIQSA-N Hydroxyproline Chemical compound O[C@H]1CN[C@H](C(O)=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-DMTCNVIQSA-N 0.000 description 1
- SNDPXSYFESPGGJ-BYPYZUCNSA-N L-2-aminopentanoic acid Chemical compound CCC[C@H](N)C(O)=O SNDPXSYFESPGGJ-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-UWTATZPHSA-N L-Aspartic acid Natural products OC(=O)[C@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- WTDRDQBEARUVNC-LURJTMIESA-N L-DOPA Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C(O)=C1 WTDRDQBEARUVNC-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-UHFFFAOYSA-N L-Methionine Natural products CSCCC(N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHNVWZDZSA-N L-allo-Isoleucine Chemical compound CC[C@@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHNVWZDZSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-HRFVKAFMSA-N L-allothreonine Chemical compound C[C@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-HRFVKAFMSA-N 0.000 description 1
- QWCKQJZIFLGMSD-VKHMYHEASA-N L-alpha-aminobutyric acid Chemical compound CC[C@H](N)C(O)=O QWCKQJZIFLGMSD-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-N L-arginine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCCN=C(N)N ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- 229930064664 L-arginine Natural products 0.000 description 1
- 235000014852 L-arginine Nutrition 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ILRYLPWNYFXEMH-WHFBIAKZSA-N L-cystathionine Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]([NH3+])CCSC[C@H]([NH3+])C([O-])=O ILRYLPWNYFXEMH-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N L-cystine Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]([NH3+])CSSC[C@H]([NH3+])C([O-])=O LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N 0.000 description 1
- 239000004158 L-cystine Substances 0.000 description 1
- 235000019393 L-cystine Nutrition 0.000 description 1
- GGLZPLKKBSSKCX-YFKPBYRVSA-N L-ethionine Chemical compound CCSCC[C@H](N)C(O)=O GGLZPLKKBSSKCX-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- 229930182816 L-glutamine Natural products 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- 229930182844 L-isoleucine Natural products 0.000 description 1
- YGPSJZOEDVAXAB-QMMMGPOBSA-N L-kynurenine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(=O)C1=CC=CC=C1N YGPSJZOEDVAXAB-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- DWPCPZJAHOETAG-IMJSIDKUSA-N L-lanthionine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CSC[C@H](N)C(O)=O DWPCPZJAHOETAG-IMJSIDKUSA-N 0.000 description 1
- 239000004395 L-leucine Substances 0.000 description 1
- 235000019454 L-leucine Nutrition 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- 229930195722 L-methionine Natural products 0.000 description 1
- SNDPXSYFESPGGJ-UHFFFAOYSA-N L-norVal-OH Natural products CCCC(N)C(O)=O SNDPXSYFESPGGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRQKBLKVPFOOQJ-YFKPBYRVSA-N L-norleucine Chemical compound CCCC[C@H]([NH3+])C([O-])=O LRQKBLKVPFOOQJ-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- XUIIKFGFIJCVMT-LBPRGKRZSA-N L-thyroxine Chemical compound IC1=CC(C[C@H]([NH3+])C([O-])=O)=CC(I)=C1OC1=CC(I)=C(O)C(I)=C1 XUIIKFGFIJCVMT-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDHILDINMRGULE-LURJTMIESA-N N(pros)-methyl-L-histidine Chemical compound CN1C=NC=C1C[C@H](N)C(O)=O JDHILDINMRGULE-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- BRMWTNUJHUMWMS-LURJTMIESA-N N(tele)-methyl-L-histidine Chemical compound CN1C=NC(C[C@H](N)C(O)=O)=C1 BRMWTNUJHUMWMS-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)=O FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOUZISDNESEYLX-UHFFFAOYSA-N N-hydroxyethyl glycine Natural products OCCNCC(O)=O FOUZISDNESEYLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSBIGDSBMBYOPN-UHFFFAOYSA-N O-guanidino-DL-homoserine Natural products OC(=O)C(N)CCON=C(N)N FSBIGDSBMBYOPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHLPHDHHMVZTML-UHFFFAOYSA-N Orn-delta-NH2 Natural products NCCCC(N)C(O)=O AHLPHDHHMVZTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBFLZEXEOZUWRN-VKHMYHEASA-N S-carboxymethyl-L-cysteine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CSCC(O)=O GBFLZEXEOZUWRN-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYDQMRVDDPZFMM-UHFFFAOYSA-N [Ag+2] Chemical class [Ag+2] XYDQMRVDDPZFMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 229940091181 aconitic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- ORWYRWWVDCYOMK-HBZPZAIKSA-N angiotensin I Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CC=1NC=NC=1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CC=1NC=NC=1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(O)=O)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CCCN=C(N)N)NC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O)C(C)C)C1=CC=C(O)C=C1 ORWYRWWVDCYOMK-HBZPZAIKSA-N 0.000 description 1
- 229950006323 angiotensin ii Drugs 0.000 description 1
- SDNYTAYICBFYFH-TUFLPTIASA-N antipain Chemical compound NC(N)=NCCC[C@@H](C=O)NC(=O)[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@H](CCCN=C(N)N)NC(=O)N[C@H](C(O)=O)CC1=CC=CC=C1 SDNYTAYICBFYFH-TUFLPTIASA-N 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 229950011321 azaserine Drugs 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 description 1
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical class OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N cis-aconitic acid Chemical compound OC(=O)C\C(C(O)=O)=C\C(O)=O GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 229960002173 citrulline Drugs 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960003624 creatine Drugs 0.000 description 1
- 239000006046 creatine Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229960003067 cystine Drugs 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- YSMODUONRAFBET-UHNVWZDZSA-N erythro-5-hydroxy-L-lysine Chemical compound NC[C@H](O)CC[C@H](N)C(O)=O YSMODUONRAFBET-UHNVWZDZSA-N 0.000 description 1
- DEFVIWRASFVYLL-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol bis(2-aminoethyl)tetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCOCCOCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DEFVIWRASFVYLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFQUWYZCAGRUJN-UHFFFAOYSA-N ethylenediaminediacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCCNCC(O)=O IFQUWYZCAGRUJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229960003692 gamma aminobutyric acid Drugs 0.000 description 1
- 229960002989 glutamic acid Drugs 0.000 description 1
- 229960002743 glutamine Drugs 0.000 description 1
- 229960002449 glycine Drugs 0.000 description 1
- 229940043257 glycylglycine Drugs 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002591 hydroxyproline Drugs 0.000 description 1
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical class Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N iodic acid Chemical class OI(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 229960003136 leucine Drugs 0.000 description 1
- 229950008325 levothyroxine Drugs 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N mesaconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- DWPCPZJAHOETAG-UHFFFAOYSA-N meso-lanthionine Natural products OC(=O)C(N)CSCC(N)C(O)=O DWPCPZJAHOETAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004452 methionine Drugs 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N methylfumaric acid Natural products OC(=O)C(C)=CC(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVIIHEKJCKCXOB-STYWVVQQSA-N molport-023-276-178 Chemical compound C([C@H](NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@@H]1CSSC[C@H]2C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N3CCC[C@H]3C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@H](C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@H](C(N[C@@H](CSSC[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N2)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N1)=O)CC(C)C)[C@@H](C)O)C(N)=O)C1=CNC=N1 YVIIHEKJCKCXOB-STYWVVQQSA-N 0.000 description 1
- HRRDCWDFRIJIQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,8-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC(C(O)=O)=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 HRRDCWDFRIJIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005209 naphthoic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWLPBLYKEWSWPD-UHFFFAOYSA-N o-toluic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(O)=O ZWLPBLYKEWSWPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003104 ornithine Drugs 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229940043230 sarcosine Drugs 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229960001153 serine Drugs 0.000 description 1
- IFGCUJZIWBUILZ-UHFFFAOYSA-N sodium 2-[[2-[[hydroxy-(3,4,5-trihydroxy-6-methyloxan-2-yl)oxyphosphoryl]amino]-4-methylpentanoyl]amino]-3-(1H-indol-3-yl)propanoic acid Chemical compound [Na+].C=1NC2=CC=CC=C2C=1CC(C(O)=O)NC(=O)C(CC(C)C)NP(O)(=O)OC1OC(C)C(O)C(O)C1O IFGCUJZIWBUILZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003080 taurine Drugs 0.000 description 1
- 229960002898 threonine Drugs 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N trans-aconitic acid Natural products OC(=O)CC(C(O)=O)=CC(O)=O GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004441 tyrosine Drugs 0.000 description 1
- 229960004295 valine Drugs 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical class [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade mounted on a carriage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/60—Preliminary treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Ein Bearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie an der vorderen Seite und ein Multischichtelement, das Metall enthält, das an der hinteren Seite ausgebildet ist, aufweist, ist bereitgestellt. Das Bearbeitungsverfahren beinhaltet einen Halteschritt zum Halten der vorderen Seite des Werkstücks an einem Haltetisch in dem Zustand, in dem das Multischichtelement, das an der hinteren Seite des Werkstücks ausgebildet ist, freiliegt, einen Schneidschritt zum Schneiden des Werkstücks entlang der Teilungslinie unter Verwendung einer Schneidklinge nach dem Durchführen des Halteschritts, wodurch eine geschnittene Nut ausgebildet wird, die das Multischichtelement teilt, und einem Laserbearbeitungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls auf dem Werkstück entlang der geschnittene Nut, nach dem Durchführen des Schneidschritts. Der Schneidschritt beinhaltet den Schritt des Zuführens eines Schneidfluides, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, zu dem Werkstück.
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie an der vorderen Seite und ein Multischichtelement, das Metall enthält, das an der hinteren Seite ausgebildet ist, aufweist.
- Beschreibung des Stands der Technik
- In elektronischen Ausstattungen, die typischerweise in Mobiltelefonen und Personalcomputern eingesetzt werden, ist ein Bauelementchip, der ein Bauelement und eine elektronische Schaltung beinhaltet, eine essenzielle Komponente. Der Bauelementchip kann durch Vorbereiten eines Wafers, der aus einem Halbleiter wie Silizium ausgebildet ist, als nächstes Setzen mehrerer sich kreuzender Teilungslinien (Straßen) an der vorderen Seite des Wafers, um mehrere getrennte Bereiche zu definieren, als nächstes Ausbilden eines Bauelements in jedem getrennten Bereich und schließlich Schneiden des Wafers entlang jeder Teilungslinie erhalten werden.
- In den vergangenen Jahren ist ein Fall vermehrt aufgetreten, in dem Bewertungselemente, die TEG (Testelementgruppe) genannt werden, zum Bewerten der elektrischen Charakteristika der Bauelemente an jeder Teilungslinie des Wafers angeordnet sind (siehe zum Beispiel die
japanische Offenlegungsschrift Nr. Hei 6-349926 japanische Offenlegungsschrift Nummer 2005-21940 - DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
- Jedoch in dem Fall des Schneidens und Entfernens eines Multischichtelements, das Metall beinhaltet, wie einer TEG an jeder Teilungslinie unter Verwendung einer Schneidklinge, die durch Abscheiden von abrasiven Körnern in einer Verbindung ausgebildet ist, kann das Metall, das in dem Multischichtelement enthalten ist, beim Schneiden des Wafers verlängert werden, was ein Problem verursacht, dass Vorsprünge, die Grate genannt werden, von dem Multischicht Element generiert werden können. Ferner, wenn die Bearbeitungsgeschwindigkeit der Schneidklinge erhöht wird, wird eine generierte Prozesswärme erhöht, wodurch die Grate sich verlängern. Entsprechend muss die Bearbeitungsgeschwindigkeit gesenkt werden, sodass eine Reduktion der Bearbeitungsqualität verhindert werden kann.
- Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Bearbeitungsverfahren bereitzustellen, das die Bearbeitungsgeschwindigkeit, wobei die Bearbeitungsqualität erhalten bleibt, beim Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie an der vorderen Seite und ein Multischichtelement, das Metall enthält, das an der hinteren Seite ausgebildet ist, aufweist, erhöhen kann.
- In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Bearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie an der vorderen Seite und ein Multischicht Element, das Metall enthält, das an der hinteren Seite ausgebildet ist, aufweist, bereitgestellt, wobei das Bearbeitungsverfahren einen Halteschritt zum Halten der vorderen Seite des Werkstücks an einem Haltetisch in dem Zustand, in dem das Multischichtelement, das an der hinteren Seite des Werkstücks ausgebildet ist, freiliegt; einen Schneidschritt zum Schneiden des Werkstücks entlang der Teilungslinie unter Verwendung einer Schneidklinge nach dem Durchführen des Halteschritts, wodurch eine geschnittene Nut ausgebildet wird, welche das Multischichtelement teilt; und einen Laserbearbeitungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls auf dem Werkstück entlang der geschnittene Nut nach dem Durchführen des Schneidschritts; wobei der Schneidschritt den Schritt des Zuführen eines Schneidfluides, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, auf dem Werkstück beinhaltet.
- Vorzugsweise beinhaltet der Laserbearbeitungsschritt den Schritt des Aufbringens eines Laserstrahls, der eine Absorptionswellenlänge in dem Werkstück aufweist, entlang der geschnittenen Nut, um dadurch das Werkstück vollständig entlang der geschnittenen Nut zu teilen.
- Vorzugsweise beinhaltet der Laserbearbeitungsschritt den Schritt des Aufbringens eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge in Werkstück aufweist, entlang der geschnittene Nut, um dadurch eine modifizierte Schicht in dem Werkstück entlang der geschnittenen Nut auszubilden; wobei das Bearbeitungsverfahren ferner einen Teilungsschritt zum Teilen des Werkstücks entlang der modifizierten Schicht nach dem Durchführen des Laserbearbeitungsschritts beinhaltet.
- Vorzugsweise wird der Laserstrahl auf der hinteren Seite des Werkstücks in dem Laserbearbeitungsschritt aufgebracht; wobei das Bearbeitungsverfahren ferner einen Anbringungsschritt für eine Folie zum Anbringen einer Folie an der vorderen Seite des Werkstücks vor dem Durchführen des Laserbearbeitungsschritts beinhaltet.
- In dem Bearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung wird das Schneidfluid, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, auf dem Werkstück beim Durchführen des Schneidschritts zum Ausbilden der geschnittenen Nut, die das Multischichtelement, das Metall beinhaltet, teilt, zugeführt. Entsprechend kann das Metall, das in dem Multischichtelement enthalten ist, durch die organische Säure und das Oxidationsmittel, das in dem Schneidfluid enthalten ist, modifiziert werden, wodurch die Duktilität des Metalls beim Schneiden des Multischicht Elements reduziert wird. Als ein Ergebnis, sogar wenn die Bearbeitungsgeschwindigkeit beim Bearbeiten des Werkstücks erhöht ist, kann das Generieren von Graten unterdrückt werden. In anderen Worten ausgedrückt kann die Bearbeitungsgeschwindigkeit erhöht werden, während die Verarbeitungsqualität beibehalten bleibt.
- Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die eine bevorzugte Ausführung von der Erfindung zeigen.
- Figurenliste
-
-
1A ist eine schematische perspektivische Ansicht eines Werkstücks; -
1B ist eine perspektivische Ansicht zum Darstellen eines ersten Anbringungsschritts für eine Folie; -
2A ist eine partielle Schnittansicht zum Darstellen eines ersten Halteschritts; -
2B ist eine partielle Schnittansicht zum Darstellen eines Schneidschritts; -
3A ist eine partielle seitliche Schnittansicht, die einen zweiten Halteschritt darstellt; -
3B ist eine partielle Schnittansicht zum Darstellen eines Laserbearbeitungsschritts; -
4 ist eine partielle Schnittansicht zum Darstellen einer Modifikation des Laserbearbeitungsschritts; -
5A und5B sind partielle Schnittansichten zum Darstellen eines Teilungsschritts; und -
6 ist eine seitliche Ansicht, die ein Düsenmittel zum Zuführen eines Schneidfluides in dem Schneidschritt entsprechend einer Modifikation darstellt. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
- Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird jetzt mit Bezug zu den beigefügten Figuren beschrieben. Das Bearbeitungsverfahren entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform ist ein Bearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie an der vorderen Seite und ein Multischichtelement, das Metall enthält, das an der hinteren Seite ausgebildet ist, aufweist, wobei das Bearbeitungsverfahren einen ersten Anbringungsschritt für eine Folie (siehe
1B ), einen ersten Halteschritt (siehe2A ), einen Schneidschritt (siehe2B ), einen zweiten Halteschritt (siehe3A ) und einen Laserbearbeitungsschritt (siehe3B ) beinhaltet. - In dem Anbringungsschritt für eine Folie wird eine Folie (Schutzelement) an der vorderen Seite des Werkstücks, welches das Multischichtelement an der hinteren Seite aufweist, angebracht. In dem ersten Halteschritt wird die vordere Seite des Werkstücks an einem Einspanntisch (erster Haltetisch) einer Schneidvorrichtung in dem Zustand gehalten, in dem das Multischichtelement an der hinteren Seite des Werkstücks freiliegt. In dem Schneidschritt wird das Werkstück entlang der Teilungslinie unter Verwendung einer Schneidklinge geschnitten, während ein Schneidfluid, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, zu dem Werkstück zugeführt wird, wodurch eine geschnittene Nut ausgebildet wird, die das Multischichtelement teilt. In dem zweiten Anbringungsschritt für eine Folie wird eine Folie (Schutzelement) an der vorderen Seite des Werkstücks angebracht. In dem Laserbearbeitungsschritt wird ein Laserstrahl auf der hinteren Seite des Werkstücks entlang der Teilungslinie (d. h. der geschnittenen Nut, die vorher ausgebildet wurde) aufgebracht, um dadurch das Werkstück vollständig entlang der Teilungslinien zu teilen. Das Bearbeitungsverfahren entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform wird jetzt detailliert beschrieben.
-
1A eine schematische perspektivische Ansicht eines plattenförmigen Werkstücks11 , das durch das Bearbeitungsverfahren entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform bearbeitet werden soll. Wie in1 gezeigt weist das Werkstück11 eine vordere Seite11a und eine hintere Seite11b auf. In dieser bevorzugten Ausführungsform ist das Werkstück11 ein scheibenförmiger Wafer, der aus einem Halbleiter wie Silizium (Si) ausgebildet ist. Die vordere Seite11a des Werkstücks11 ist aus einem zentralen Bauelementbereich und einem umfänglichen Randbereich, der den Bauelementbereich umgibt, ausgebildet. - Der Bauelementbereich wird durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien (Straßen)
13 aufgeteilt, um dadurch mehrere getrennte Bereiche auszubilden, an denen mehrere Bauelemente15 wie ICs (integrierte Schaltungen) ausgebildet sind. Darüber hinaus ist ein Multischichtelement17 an der hinteren Seite11b des Werkstücks11 ausgebildet, wobei das Multischichtelement17 Metall beinhaltet. Zum Beispiel ist das Multischichtelement17 ein Multischicht-Metallfilm, der aus Titan (Ti), Nickel (Ni) oder Gold (Au) ausgebildet ist und weist eine Dicke von mehreren Mikrometern auf. Das Multischichtelement17 dient als Elektroden oder dergleichen. Das Multischichtelement17 ist in dem gesamten Bereich der hinteren Seite11b des Werkstücks11 ausgebildet. Das heißt, dass das Multischichtelement17 auch in dem Bereich entsprechend jeder Teilungslinie13 ausgebildet ist. - Während Werkstück
11 ein scheibenförmiger Wafer ist, der aus einem Halbleiter wie Silizium in dieser bevorzugten Ausführungsform ausgebildet ist, ist das Werkstück11 nicht in seinem Material, Form, Struktur, Größe usw. beschränkt. Ähnlich sind die Bauelemente15 und das Multischichtelement17 nicht in seiner Art, Anzahl, Form, Struktur, Größe, Anordnung usw. beschränkt. Zum Beispiel kann das Werkstück11 ein verpacktes Substrat sein, das eine Struktur aufweist, sodass das Multischichtelement17 als Elektroden dient, die an jeder Teilungslinie13 ausgebildet sind. - In dem Bearbeitungsverfahren entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Anbringungsschritt für eine Folie zuerst durchgeführt, um eine Folie (Schutzelement) an der vorderen Seite
11a des Werkstücks11 anzubringen.1B ist eine perspektivische Ansicht zum Darstellen des Anbringungsschritts für eine Folie. Wie in2A gezeigt, wird der Anbringungsschritt für eine Folie in einer solchen Weise durchgeführt, dass eine kreisförmige Kunststofffolie (Schutzelement)21 , die einen größeren Durchmesser als den des Werkstücks11 aufweist, an der vorderen Seite11a des Werkstücks11 angebracht ist. D. h., dass die Folie21 an ihrem zentralen Abschnitt an der vorderen Seite11a des Werkstücks11 angebracht ist. Ferner wird ein ringförmiger Rahmen23 an dem umfänglichen Abschnitt der Folie21 fixiert. - Entsprechend wird das Werkstück
11 durch die Folie21 an dem ringförmigen Rahmen23 in dem Zustand getragen, in dem das Multischichtelement an der hinteren Seite11b des Werkstücks11 freiliegt. Während das Werkstück in dem Schneidschritt in dem Zustand bearbeitet wird, in dem es durch die Folie21 an dem ringförmigen Rahmen23 in dieser bevorzugten Ausführungsform getragen ist, kann das Werkstück11 bearbeitet werden, ohne dass die Folie21 und der ringförmige Rahmen23 verwendet werden. In diesem Fall wird der Anbringungsschritt für eine Folie ausgelassen. Ferner kann die Kunststofffolie21 durch ein Schutzelement wie einen Wafer ähnlich zu dem Werkstück11 oder einem Substrat ersetzt werden. - Nach dem Durchführen des Anbringungsschritts für eine Folie wird der erste Halteschritt durchgeführt, um das Werkstück
11 an einem Einspanntisch (erster Haltetisch) einer Schneidvorrichtung zu halten.2A ist eine partielle seitliche Schnittansicht zum Darstellen des ersten Halteschritts. Der erste Halteschritt kann unter Verwendung einer Schneidvorrichtung2 , die in2A gezeigt ist, durchgeführt werden. Die Schneidvorrichtung2 beinhaltet einen Einspanntisch (ersten Haltetisch) 4 zum Halten des Werkstücks11 unter einem Saugen. - Der Einspanntisch
4 ist mit einer Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie einem Motor verbunden. Entsprechend ist der Einspanntisch4 dazu ausgestaltet, um seine Achse im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung durch eine Betätigung der Drehantriebsquelle gedreht zu werden. Ferner ist ein Zufuhrmechanismus (nicht gezeigt) unterhalb des Einspanntischs bereitgestellt, sodass der Einspanntisch4 in einer Zufuhrrichtung (erste horizontalen Richtung) bewegt werden kann. - Der Einspanntisch
4 weist eine obere Oberfläche auf, wobei ein Teil dieser als eine Halteoberfläche4a zum Halten des Werkstücks11 (die Folie21 ) unter einem Saugen ausgebildet ist. Die Halteoberfläche4a ist durch einen Saugdurchgang (nicht gezeigt) mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden, wobei der Saugdurchgang in dem Einspanntisch4 ausgebildet ist. - In dem ersten Halteschritt wird das Werkstück
11 , das durch die Folie21 an dem ringförmigen Rahmen23 getragen ist, an der Halteoberfläche4a des Einspanntischs4 in dem Zustand platziert, in dem die Folie2 , die an der vorderen Seite11a des Werkstücks angebracht ist, in Kontakt mit der Halteoberfläche4a ist. D. h., dass die vordere Seite11a des Werkstücks11 in diesem Zustand freiliegt. Danach wird die Vakuumquelle betätigt, um ein Vakuum an der Halteoberfläche des Einspanntischs4 anzulegen. Ferner werden Klemmen6 betätigt, um den ringförmigen Rahmen23 zu fixieren. Entsprechend wird das Werkstück11 durch die Folie21 an der Halteoberfläche4a des Einspanntischs4 unter einem Saugen in dem Zustand gehalten, in dem das Multischichtelement17 , das an der hinteren Seite11b des Werkstücks11 ausgebildet sind, nach oben freiliegen. - Nach dem Durchführen des ersten Halteschritts wird der Schneidschritt durchgeführt, um eine geschnittenen Nut auszubilden, die das Multischichtelement
17 teilt.2B ist eine partielle Schnittansicht zum Darstellen des Schneidschritts. Der Schneidschritt kann unter Verwendung der Schneidvorrichtung2 , die in dem ersten Halteschritt verwendet wird, durchgeführt werden. Wie in2B gezeigt, beinhaltet die Schleifvorrichtung2 ferner eine Schneideinheit8 , die oberhalb des Einspanntischs4 bereitgestellt ist. - Die Schneideinheit
8 beinhaltet eine Spindel (nicht dargestellt), die eine Drehachse im Wesentlichen senkrecht zu der Zufuhrrichtung in einer horizontalen Ebene aufweist. Eine ringförmige Schneidklinge10 ist an der Spindel an einem Ende davon montiert. Die Schneidklinge10 ist durch Dispergieren von abrasiven Körnern in einem Verbinder ausgebildet. Eine Drehantriebsquelle (nicht gezeigt) wie ein Motor ist mit dem anderen Ende der Spindel verbunden. Entsprechend wird die Schneidklinge10 , die mit einem Ende der Spindel verbunden ist, durch die Kraft, die von der Drehantriebsquelle auf der Spindel aufgebracht wird, gedreht. - Die Spindel wird durch einen Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) getragen. Die Schneidklinge
10 ist in beiden in einer Indexrichtung (zweite horizontale Richtung) senkrecht zu der Zufuhrrichtung und in einer vertikalen Richtung durch eine Betätigung dieses Bewegungsmechanismus beweglich. Ein paar Düsen12 ist an beiden Seiten der Schneidklinge10 bereitgestellt. D. h., dass die Schneidklinge10 zwischen dem Paar Düsen12 eingefügt ist. Jede Düse12 dient dazu, ein Schneidfluid14 , das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, zu der Schneidklinge10 und dem Werkstück11 zuzuführen. - In dem Schneidschritt wird der Einspanntisch
4 der Schneidvorrichtung2 gedreht, um die Richtung der Ausdehnung einer der Teilungslinien13 , die ein Ziel ist, mit der Zufuhrrichtung der Schneidvorrichtung2 auszurichten. Ferner werden der Einspanntisch4 und die Schneideinheit8 relativ bewegt, um die Schneidklinge10 direkt oberhalb der Ausdehnung der Ziel Teilungslinie13 zu positionieren. Danach wird die Schneidklinge10 abgesenkt, sodass das untere Ende der Schneidklinge10 tiefer als die untere Oberfläche des Multischichtelements17 ist. Unter Verwendung einer Kamera, die Infrarotlicht detektiert, kann zum Beispiel die Position der Zielteilungslinie13 von der hinteren Seite11b des Werkstücks detektiert werden. - Danach wird die Schneidklinge
10 gedreht und der Einspanntisch4 wird in der Zufuhrrichtung bewegt. Zu diesem Zeitpunkt wird das Schneidfluid14 , das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, von den Düsen12 zu der Schneidklinge10 und dem Werkstück11 zugeführt. Entsprechend wird das Werkstück11 entlang der Zielteilungslinie13 durch die Schneidklinge10 geschnitten, um dadurch eine geschnittene Nut19a , die das Multischichtelement17 teilt, entlang der Zielteilungslinie13 auszubilden. D. h., dass die geschnittene Nut19a entlang der Teilungslinien13 ausgebildet wird, sodass das Multischichtelement17 , das an der hinteren Seite11b des Werkstücks ausgebildet ist, geteilt wird. - Entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform kann das Metall, das in dem Multischichtelement
17 enthalten ist, durch die organische Säure, die in dem Schneidfluid14 enthalten ist, modifiziert werden, wodurch die Duktilität des Metalls reduziert wird. Ferner kann die Oberfläche des Metalls, das in dem Multischichtelement17 enthalten ist, einfach durch das Oxidationsmittel, das in dem Schneidfluid14 enthalten ist, modifiziert werden. Als ein Ergebnis kann die Duktilität eines jeden Metalls, das in dem Multischichtelement17 enthalten ist, ausreichend unterdrückt werden, wodurch die Bearbeitbarkeit verbessert wird. - Als die organische Säure können Aminosäuren verwendet werden. Beispiele der hier verwendbaren Aminosäuren umfassen Glycin, Dihydroxyethylglycin, Glycylglycin, Hydroxyethylglycin, N-Methylglycin, β-Alanin, L-Alanin, L-2-Aminobuttersäure, L-Norvalin, L-Valin, L-Leucin, L-Norleucin, L-Alloisoleucin, L-Isoleucin, L-Phenylalanin, L-Prolin, Sarcosin, L-Ornithin, L-Lysin, Taurin, L-Serin, L-Threonin, L-Allothreonin, L-Homoserin, L-Thyroxin, L-Tyrosin, 3,5-Diiodo-L-tyrosin, β-(3,4-Dihydroxyphenyl)-L-Alanin, 4-Hydroxy-L-Prolin, L-Cystein, L-Methionin, L-Ethionin, L-Lanthionin, L-Cystathionin, L-Cystin, L-Cystinsäure, L-Glutaminsäure, L-Asparaginsäure, S-(Carboxymethyl)-L-Cystein, 4-Aminobuttersäure, L-Asparagin, L-Glutamin, Azaserin, L-Canavanin, L-Citrullin, L-Arginin, δ-Hydroxy-L-Lysin, Kreatin, L-Kynurenin, L-Histidin, 1-Methyl-L-Histidin, 3-Methyl-L-Histidin, L-Tryptophan, Actinomycin C1, Ergothionein, Apamin, Angiotensin I, Angiotensin II, Antipain usw. Unter anderem sind Glycin, L-Alanin, L-Prolin, L-Histidin, L-Lysin, und Dihydroxyethylglycin besonders bevorzugt.
- Auch können Aminopolysäuren als die organische Säure verwendet werden. Beispiele der hier verwendbaren Aminopolysäuren umfassen Iminodiessigsäure, Nitrilotriessigsäure, Diethylentriaminpentaessigsäure, Ethylendiamintetraessigsäure, Hydroxyethyliminodiessigsäure, Nitrilotrismethylenphosphonsäure, Ethylendiamin-N,N,N',N'-tetramethylensulfonsäure, 1,2-Diaminopropantetraessigsäure, Glycoletherdiamintetraessigsäure, Transcyclohexandiamintetraessigsäure, Ethylendiamineorthohydroxyphenylessigsäure, Ethylendiamindibernsteinsäure (SS isomer), β-Alanindiessigsäure, N-(2-Carboxyatoethyl)-L-Asparaginsäure, N-N'-Bis(2-Hydroxybenzyl)ethylendiamin-N,N'-diessigsäure usw.
- Ferner können Carbonsäuren als die organische Säure verwendet werden. Beispiele der hier verwendbaren Carbonsäuren umfassen gesättigte Carbonsäuren wie Ameisensäure, Glycolsäure, Propionsäure, Essigsäure, Buttersäure, Valeriansäure, Capronsäure, Oxalsäure, Malonsäure, Glutarsäure, Adipinsäure, Äpfelsäure, Bernsteinsäure, Pimelinsäure, Mercaptoessigsäure, Glyoxylsäure, Chloressigsäure, Brenztraubensäure, Acetessigsäure usw., ungesättigte Carbonsäuren wie Acrylsäure, Methacrylsäure, Crotonsäure, Fumarsäure, Maleinsäure, Mesaconsäure, Citraconsäure, Aconitsäure usw. und zyklische ungesättigte Carbonsäuren wie Benzoesäure, Toluylsäure, Phthalsäure, Naphthoesäuren, Pyromellithsäure, Naphthalsäure usw.
- Als Oxidationsmittel können dort, zum Beispiel, Wasserstoffperoxid, Peroxide, Nitrate, Iodate, Periodate, Hypochlorite, Chlorite, Chlorate, Perchlorate, Persulfate, Dichromate, Permanganate, Cerate, Vanadate, ozonisiertes Wasser, Silber(II) Salze, Eisen(III) Salze, und ihre organischen Komplexsalze verwendet werden.
- Darüber hinaus kann ein Korrosionsschutz in dem Schneidfluid
14 gemischt werden. Mischen des Korrosionsschutzes ermöglicht es Korrosion (Elution) des Metalls, das in dem Werkstück11 beinhaltet ist, zu verhindern. Als Korrosionsschutz wird dort bevorzugt eine heterocyclische Ringverbindung verwendet, die wenigstens drei Stickstoffatome in ihrem Molekül hat und eine fusionierte Ringstruktur hat oder eine heterocyclische aromatische Ringverbindung, die wenigstens vier Stickstoffatome in ihrem Molekül hat. Ferner umfasst die aromatische Ringverbindung bevorzugt eine Carboxygruppe, Sulfogruppe, Hydroxygruppe, oder Alkoxygruppe. Spezifisch bevorzugte Beispiele der aromatischen Ringverbindung umfassen Tetrazolderivate, 1,2,3-Triazolderivate und 1,2,4-Triazolderivate. - Beispiele der Tetrazolderivate, die als Korrosionsschutz verwendbar sind, umfassen solche, die keine Substituentengruppe an den Stickstoffatomen, die den Tetrazolring bilden, haben und die eingefügt an der 5-Position des Tetrazols eine Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe oder einer Alkylgruppe, die mit wenigstens einer Substituentengruppe subsituiert ist, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe haben.
- Beispiele der 1,2,3-Triazolderivate, die als Korrosionsschutz verwendbar sind, umfassen solche, die keine Substituentengruppe an den Stickstoffatomen, die den 1,2,3-Triazolring bilden, haben und die, eingefügt an der 4-Position und/oder der 5-Position des 1,2,3-triazol, eine Substituentengruppe haben, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgrupe und einer Sulfonamidgruppe, oder einer Alkyl- oder Arylgruppe, die mit wenigstens einer Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe, subsitutiert ist.
- Darüber hinaus umfassen Beispiele der 1,2,4-Triazolderivate, die als Korrosionsschutz verwendbar sind, solche, die keine Substituentengruppe an den Stickstoffatomen, die den 1,2,4-Triazolring bilden und die, eingefügt an der 2-Position und/oder der 5-position des 1,2,4-Triazols, eine Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Sulfogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe oder eine Alkyl- oder Arylgruppe, die mit wenigstens einer Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend auseiner Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe subsitutiert, haben.
- Die Schneidbetätigung entlang der Zielteilungslinie
13 wird ähnlich entlang all den anderen Teilungslinien13 durchgeführt, um eine ähnlich geschnittene Nut19a entlang jeder Teilungslinie13 auszubilden, wodurch der Schneidschritt abgeschlossen wird. Wie oben beschrieben, wird der Schneidschritt durchgeführt, während das Schneidfluid14 , das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu dem Werkstück11 zugeführt wird. Entsprechend kann das Metall, das in jedem Multischichtelement17 enthalten ist, durch das Schneidfluid14 modifiziert werden, wodurch die Duktilität des Metalls beim Schneiden eines jeden Multischichtelements17 reduziert werden kann. Als ein Ergebnis, sogar wenn die Bearbeitungsgeschwindigkeit beim Bearbeiten des Werkstücks11 erhöht ist, kann das Auftreten von Graten unterdrückt werden. - Nach dem Durchführen des Schneidschritts wird der zweite Halteschritt durchgeführt, um das Werkstück
11 an einem Einspanntisch (zweiter Haltetisch) einer Laserbearbeitungsvorrichtung zu halten.3A ist eine partielle Schnittansicht zum Darstellen des zweiten Halteschritts. Der zweite Halteschritt kann unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung22 , die in3A gezeigt ist, durchgeführt werden. Die Laserbearbeitungsvorrichtung22 beinhaltet einen Einspanntisch (zweiten Haltetisch) 24 zum Halten des Werkstücks11 unter einem Saugen. - Der Einspanntisch
24 ist mit einer Drehantriebsquelle (nicht gezeigt) wie einem Motor verbunden. Entsprechend ist der Einspanntisch24 dazu angepasst, um seine Achse im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung durch eine Betätigung der Drehantriebsquelle gedreht zu werden. Ferner ist ein Bewegungsmechanismus (nicht gezeigt) unterhalb des Einspanntischs24 bereitgestellt, sodass der Einspanntisch24 in beide eine Zufuhrrichtung (erste horizontalen Richtung) und eine Indexrichtung (zweite horizontale Richtung) bewegt werden kann. - Der Einspanntisch
24 weist eine Oberfläche auf, wobei ein Teil dieser als eine Halteoberfläche24a zum Halten des Werkstücks11 (die Folie21 ) unter einem Saugen ausgebildet ist. Die Halteoberfläche24a ist durch einen Saugdurchgang (nicht gezeigt) mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden, wobei der Saugdurchgang im Inneren des Einspanntischs24 ausgebildet ist. Entsprechend durch Aufbringen eines Vakuums, das durch die Vakuumquelle generiert wird, durch den Saugdurchgang an der Halteoberfläche24a kann das Werkstück11 an dem Einspanntisch34 unter einem Saugen gehalten werden. Ferner sind mehrere Klemmen26 zum Fixieren des ringförmigen Rahmens23 an dem äußeren Umfang des Einspanntischs24 bereitgestellt. - In dem zweiten Halteschritt wird das Werkstück
11 , das durch die Folie21 an dem ringförmigen Rahmen23 getragen ist, an der Halteoberfläche24a des Einspanntischs24 in dem Zustand gehalten, in dem die Folie21 , die an der vorderen Seite11a des Werkstücks11 angebracht ist, in Kontakt mit der Halteoberfläche24a ist. D. h., dass das Multischichtelement17 , das an der hinteren Seite11b des Werkstücks11 ausgebildet ist, in diesem Zustand freiliegt. Danach wird die Vakuumquelle betätigt, um ein Vakuum an der Halteoberfläche24a des Einspanntischs24 anzulegen. Darüber hinaus werden die Klemmen26 betätigt, um den ringförmigen Rahmen23 zu fixieren. Entsprechend wird das Werkstück11 durch die Folie21 an der Halteoberfläche24a des Einspanntischs24 unter einem Saugen in dem Zustand gehalten, in dem das Multischichtelement17 , das an der hinteren Seite11b des Werkstücks11 ausgebildet ist, nach oben frei liegt, d.h., dass der Boden einer jeden geschnittenen Nut19a nach oben freiliegt. - Nach dem Durchführen des zweiten Halteschritts wird der Laserbearbeitungsschritt durchgeführt, um einen Laserstrahl auf dem Boden einer jeden geschnittenen Nut
19a an der hinteren Seite11b des Werkstücks11 aufzubringen, wodurch das Werkstück11 vollständig entlang jeder Teilungslinie13 , d. h. entlang jeder geschnittenen Nut19a , geschnitten wird. Der Laserbearbeitungsschritt kann unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung22 , die in dem zweiten Halteschritt verwendet wird, durchgeführt werden.3B ist eine partielle seitliche Schnittansicht zum Darstellen des Laserbearbeitungsschritts. Wie in3B gezeigt beinhaltet die Laserbearbeitungsvorrichtung22 ferner eine Aufbringungseinheit28 für einen Laserstrahl, die oberhalb des Einspanntischs24 bereitgestellt ist. - Die Aufbringungseinheit
28 für einen Laser dient dazu, einen gepulsten Laserstrahl28a auf einer vorbestimmten Position aufzubringen und zu fokussieren, wobei der gepulste Laserstrahl28a vorher durch einen Laseroszillator (nicht dargestellt) oszilliert wird. Der Laseroszillator ist so ausgestaltet, dass der gepulste Laserstrahl28a , der eine Absorptionswellenlänge in dem Werkstück11 aufweist (d. h. eine Wellenlänge, die durch das Werkstück11 absorbiert wird oder eine Wellenlänge, die einfach durch das Werkstück11 absorbiert wird). - In dem Laserbearbeitungsschritt wird der Einspanntisch
24 der Laserbearbeitungsvorrichtung22 gedreht, um die Erstreckungsrichtung einer der geschnittene Nuten19a , die ein Ziel ist, (d. h. die Teilungslinien13 ) mit der Zufuhrrichtung der Laserbearbeitungsvorrichtung22 auszurichten. Ferner wird der Einspanntisch24 bewegt, um die Aufbringungseinheit28 für einen Laser direkt oberhalb der geschnittenen Zielnut19a zu positionieren. - Danach, wie in
3B gezeigt, wird der Laserstrahl28a von der Aufbringungseinheit28 für einen Laser auf dem Boden der geschnittenen Zielnut19a an der hinteren Seite11b des Werkstücks11 aufgebracht und gleichzeitig wird der Einspanntisch24 in der Zufuhrrichtung bewegt. In dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Laserstrahl28a auf dem Boden der geschnittenen Zielnut19a an der hinteren Seite11b oder der vorderen Seite11a des Werkstücks11 oder in dem Werkstück11 fokussiert. - Entsprechend kann der Laserstrahl
28a entlang der geschnittenen Zielnut19a aufgebracht werden, um dadurch eine Fuge (Schlitz)19b auszubilden, die das Werkstück11 vollständig schneidet. D. h., dass die Fuge19b eine Tiefe aufweist, welche die vordere Seite11a des Werkstücks11 erreicht. Die Bearbeitung mit dem Laserprozess entlang der geschnittenen Ziel Nut19a wird ähnlich entlang all den anderen geschnittene Nuten19a durchgeführt, um eine ähnliche Fuge19b entlang jeder geschnittene Nut19a auszubilden. Als ein Ergebnis wird das Werkstück11 in mehrere Chips geteilt, wodurch der Laserbearbeitungsschritt abgeschlossen ist. - In dem Bearbeitungsverfahren entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform, die oben beschrieben ist, wird das Schneidfluid
14 , das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu dem Werkstück11 beim Durchführen des Schneidschritts zum Ausbilden jeder geschnittenen Nut19a zugeführt, die das Multischichtelement17 teilt, das Metall enthält. Entsprechend kann das Metall, das in dem Multischichtelement17 enthalten ist, durch die organische Säure und das Oxidationsmittel, die in dem Schneidfluid14 enthalten sind, modifiziert werden, wodurch die Duktilität des Metalls beim Schneiden von jedem Multischichtelement17 reduziert wird. Anders ausgedrückt kann die Bearbeitungsgeschwindigkeit erhöht werden, während die Bearbeitungsqualität beibehalten wird. - Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern verschiedene Modifikationen können gemacht werden. Zum Beispiel während der Laserbearbeitungsschritt in der obigen bevorzugten Ausführungsform durch ein Durchführen einer Ablation realisiert wird, die den Laserstrahl
28a verwendet, der eine Absorptionswellenlänge in dem Werkstück11 aufweist, um dadurch das Werkstück11 zu schneiden (zu teilen), können andere Verfahren angepasst werden, um das Werkstück11 zu bearbeiten. -
4 ist eine partielle seitliche Schnittansicht zum Darstellen einer Modifikation des Laserbearbeitungsschritts. Wie in4 gezeigt, wird der Laserbearbeitungsschritt entsprechend der Modifikation unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung22 ähnlich zu der durchgeführt, die in der obigen bevorzugten Ausführungsform verwendet wird. Die Laserbearbeitungsvorrichtung22 , die in4 gezeigt ist, beinhaltet eine Ausbildungseinheit28 für einen Laser zum Aufbringen eines gepulsten Laserstrahls28b , der eine Transmissionswellenlänge in dem Werkstück11 aufweist (d. h. eine Wellenlänge, die durch das Werkstück11 transmittiert werden kann oder eine Wellenlänge, die schwierig durch das Werkstück11 absorbiert wird) auf. Der gepulste Laserstrahl28b wird auf einer vorbestimmten Position aufgebracht und fokussiert. - In dem Laserbearbeitungsschritt entsprechend dieser Modifikation wird der Einspanntisch
24 gedreht, um die Erstreckungsrichtung einer der geschnittenen Nuten19a (d. h. die Teilungslinien13 ), die ein Ziel ist, mit der Zufuhrrichtung der Laserbearbeitungsvorrichtung22 auszurichten. Ferner wird der Einspanntisch24 bewegt, um die Ausbildungseinheit28 für einen Laser direkt oberhalb der Ausdehnung der geschnittenen Zielnut19a zu positionieren. - Danach, wie in
4 gezeigt, wird der Laserstrahl28b von der Ausbildungseinheit für einen Laser28 auf dem Boden der geschnittenen Zielnut19a an der hinteren Seite11b des Werkstücks11 aufgebracht und gleichzeitig wird der Einspanntisch24 in der Zufuhrrichtung bewegt. In dieser Modifikation wird der Laserstrahl28b in dem Werkstück11 bei einer gegebenen Tiefe von dem Boden der geschnittenen Zielnut19a an der hinteren Seite11b des Werkstücks11 fokussiert. - Entsprechend kann der Laserstrahl
28b , der eine Transmissionswellenlänge in dem Werkstück11 aufweist, entlang der geschnittenen Ziel Nut19a aufgebracht werden, um dadurch das Innere des Werkstücks11 durch Multiphotonenabsorption zu modifizieren. Als ein Ergebnis wird eine modifizierte Schicht19c als ein Startpunkt für eine Teilung in dem Werkstück11 an einer gegebenen Tiefe entlang der geschnittenen Ziel Nut19a ausgebildet, wie in4 gezeigt. - Die Betätigung der Laserbearbeitung entlang der geschnittenen Zielnut
19a wird ähnlich entlang all den anderen geschnittenen Nuten19a durchgeführt, d. h. entlang all den anderen Teilungslinien13 , um eine ähnliche modifizierte Schicht19c entlang jeder geschnittenen Nut auszubilden, wodurch der Laserbearbeitungsschritt entsprechend dieser Modifikation abgeschlossen wird. Die modifizierte Schicht19c kann unter solchen Zuständen ausgebildet werden, dass ein Riss zwischen der modifizierten Schicht19c und dem Boden einer jeden geschnittene Nut19a oder zwischen der modifizierten Schicht19c und der vorderen Seite11a des Werkstücks11 ausgebildet wird. Ferner können mehrere modifizierte Schichten19c an verschiedenen Tiefen entlang jeder Teilungslinie13 ausgebildet werden. - Nach dem Durchführen des Laserbearbeitungsschritts entsprechend der Modifikation wird ein Teilungsschritt vorzugsweise durchgeführt, um das Werkstück
11 entlang jeder modifizierten Schicht19c zu teilen.5A und5B sind eine partielle seitliche Schnittansichten zum Darstellen des Teilungsschritts. Der Teilungsschritt kann unter Verwendung einer Ausdehnungsvorrichtung32 , die in5A und5B gezeigt ist, durchgeführt werden. Wie in5A und %b gezeigt beinhaltet die Ausdehnungsvorrichtung32 einen Trägeraufbau34 zum Tragen des Werkstücks11 und einer zylindrischen Ausdehnungstrommel36 . - Der Trägeraufbau
34 beinhaltet einen ringförmigen Trägertisch38 , der eine kreisförmige Öffnung aufweist, wenn in einer Aufsicht betrachtet. Der Trägertisch38 weist eine Oberfläche zum Montieren des ringförmigen Rahmens23 auf. Mehrere Klemmen40 zum Fixieren des ringförmigen Rahmens23 sind an dem äußeren Umfang des Trägertischs38 bereitgestellt. Der Trägertisch38 ist durch mehrere vertikale Bewegungsmechanismen42 wie Luftzylindern für eine vertikale Bewegung des Trägeraufbaus34 getragen. - Jeder vertikale Bewegungsmechanismus
42 beinhaltet ein Zylindergehäuse44 , das an seinem unteren Ende an einer Basis (nicht gezeigt) fixiert ist, und eine Kolbenstange46 , die betätigbar in das Zylindergehäuse44 eingeführt ist. Der Trägertisch38 ist an dem oberen Ende von jeder Kolbenstange46 fixiert. Entsprechend durch eine Betätigung von jedem vertikalen Bewegungsmechanismus42 , um jede Kolbenstange46 vertikal zu bewegen, kann der Trägeraufbau34 vertikal bewegt werden. - Die Ausdehnungstrommel
36 ist in der Öffnung des Trägertischs38 bereitgestellt. Die Ausdehnungstrommel36 weist einen inneren Durchmesser auf, der größer als der Durchmesser des Werkstücks11 ist, und weist einen äußeren Durchmesser auf, der kleiner als der innere Durchmesser des ringförmigen Rahmens23 und auch kleiner als der innere Durchmesser des Trägertischs38 ist, auf, d. h. den Durchmesser der Öffnung des Trägertischs38 . - In dem Teilungsschritt ist die Höhe der Oberfläche des Trägertischs
38 auf derselben Höhe wie die Höhe des oberen Endes der Ausdehnungstrommel36 , wie in5A gezeigt, gesetzt. In diesem Zustand ist der ringförmige Rahmen23 durch die Folie21 an der oberen Oberfläche des Trägertischs38 montiert und wird danach durch die Klemmen50 , wie in5A gezeigt, fixiert. Entsprechend kommt das obere Ende der Ausdehnungstrommel36 in Kontakt mit der Folie21 in einem ringförmigen Bereich zwischen dem Werkstück11 und dem ringförmigen Rahmen23 . - Danach, wie in
5B gezeigt, werden die vertikalen Bewegungsmechanismen42 betätigt, um den Trägeraufbau34 abzusenken. Entsprechend ist die Höhe der oberen Oberfläche des Trägertischs38 geringer als die Höhe des oberen Endes der Ausdehnungstrommel36 . Als ein Ergebnis wird die Ausdehnungstrommel36 relativ zu dem Trägertisch38 erhöht, sodass die Folie21 , die dehnbar ist, durch die Ausdehnungstrommel36 nach oben gedrückt wird und sich entsprechend radial ausdehnt. Wenn die Folie21 radial ausgedehnt ist, wird eine Kraft (radiale Kraft), die eine Richtung entsprechend der Ausdehnung der Folie21 aufweist, auf dem Werkstück11 aufgebracht. Entsprechend wird das Werkstück11 entlang jeder modifizierten Schicht19c als ein Startpunkt für eine Teilung geteilt, um mehrere Chips zu erhalten. - Während der Anbringungsschritt für eine Folie in der obigen bevorzugten Ausführungsform vor dem ersten Halteschritt durchgeführt wird, kann der Anbringungsschritt für eine Folie vor dem Durchführen des zweiten Halteschritts (vor dem Durchführen des Laserbearbeitungsschritts) durchgeführt werden.
- Ferner während der Laserstrahl auf der hinteren Seite
11b des Werkstücks11 in dem Laserbearbeitungsschritt entsprechend der obigen bevorzugten Ausführungsform und der Modifikation aufgebracht wird, kann der Laserstrahl auf der vorderen Seite11a des Werkstücks11 aufgebracht werden. In diesem Fall wird die hintere Seite11b des Werkstücks11 an dem Einspanntisch24 in dem zweiten Halteschritt gehalten. Entsprechend ist es vor dem Durchführen des zweiten Halteschritts bevorzugt die Folie21 von der vorderen Seite11a des Werkstücks11 abzulösen und als nächstes eine weitere Folie (Schutzelement) an der hinteren Seite11b (dem Multischichtelement17 ) des Werkstücks11 anzubringen. - Ferner, während das Schneidfluid
14 von dem Paar Düsen12 , die an beiden Seiten der Schneidklinge10 liegen, in dem Schneidschritt zugeführt wird, kann jedes Düsenmittel, das dazu geeignet ist, das Schneidfluid14 zuzuführen, in der vorliegenden Erfindung angepasst werden.6 ist eine seitliche Ansicht einer Schneideinheit8A , die ein solches Düsenmittel beinhaltet, das zum Zuführen des Schneidfluides14 entsprechend einer Modifikation geeignet ist. Wie in6 gezeigt, beinhaltet die Schneideinheit8A eine Düse (Duschdüse)16 zum Zuführen des Schneidfluides14 zusätzlich zu der Schneidklinge10 und dem Paar Düsen12 . Die Düse16 liegt an der vorderen Seite (oder hinteren Seite) der Schneidklinge10 in ihrer Schneidrichtung (Zufuhrrichtung). - Durch Zuführen des Schneidfluides
14 von der Düse16 kann das Schneidfluid14 einfach zu jeder geschnittenen Nut19a zugeführt werden, sodass das Metall, das in dem Multischichtelement17 enthalten ist, effektiv durch das Schneidfluid14 modifiziert werden kann. Insbesondere ist die Düsenöffnung der Düse16 vorzugsweise nach unten geneigt ausgerichtet (zum Beispiel zu der Arbeitsposition an welcher die Schneidklinge10 das Werkstück schneidet), wie in6 gezeigt. Mit dieser Konfiguration kann das Schneidfluid14 mehr zu jeder geschnittenen Nut19a zugeführt werden, sodass das Metall, das in dem Multischichtelement17 enthalten ist, effektiver durch das Schneidfluid14 modifiziert werden kann. Während das Paar Düsen12 und die Düse16 verwendet werden, um das Schneidfluid14 in der Modifikation, die in6 gezeigt ist, zuzuführen, kann nur die Düse16 verwendet werden, um das Schneidfluid14 zuzuführen - Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden dadurch durch die Erfindung umfasst.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- JP 6349926 [0003]
- JP 2005021940 [0003]
Claims (4)
- Bearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie an der vorderen Seite und ein Multischichtelement, das Metall beinhaltet, das an der hinteren Seite ausgebildet ist, aufweist, wobei das Bearbeitungsverfahren umfasst: einen Halteschritt zum Halten der vorderen Seite des Werkstücks an einem Haltetisch in dem Zustand, in dem das Multischichtelement, das an der hinteren Seite des Werkstücks ausgebildet ist, freiliegt; einen Schneidschritt zum Schneiden des Werkstücks entlang der Teilungslinie unter Verwendung einer Schneidklinge nach dem Durchführen des Halteschritts, wodurch eine geschnittene Nut ausgebildet wird, die das Multischichtelement teilt; und einen Laserbearbeitungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls auf dem Werkstück entlang der geschnittenen Nut nach dem Durchführen des Schneidschritts; wobei der Schneidschritt den Schritt des Zuführens eines Schneidfluides, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, auf dem Werkstück beinhaltet.
- Bearbeitungsverfahren nach
Anspruch 1 , wobei der Laserbearbeitungsschritt den Schritt des Aufbringens eines Laserstrahls, der eine Absorptionswellenlänge in dem Werkstück aufweist, entlang der geschnittenen Nut beinhaltet, um dadurch das Werkstück vollständig entlang der geschnittenen Nut zu schneiden. - Bearbeitungsverfahren nach
Anspruch 1 , wobei der Laserbearbeitungsschritt den Schritt des Aufbringens eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge aufweist, auf dem Werkstück entlang der geschnittenen Nut beinhaltet, um dadurch eine modifizierte Schicht in dem Werkstück entlang der geschnittenen Nut auszubilden; wobei das Bearbeitungsverfahren ferner einen Teilungsschritt zum Teilen des Werkstücks entlang der modifizierten Schicht nach dem Durchführen des Laserbearbeitungsschritts umfasst. - Bearbeitungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Laserstrahl auf der hinteren Seite des Werkstücks in dem Laserbearbeitungsschritt aufgebracht wird; das Bearbeitungsverfahren ferner einen Anbringungsschritt für eine Folie zum Anbringen einer Folie an der vorderen Seite des Werkstücks beinhaltet, bevor der Laserbearbeitungsschritt durchgeführt wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-074249 | 2017-04-04 | ||
JP2017074249A JP2018181902A (ja) | 2017-04-04 | 2017-04-04 | 加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102018205028A1 true DE102018205028A1 (de) | 2018-10-04 |
Family
ID=63525301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102018205028.7A Pending DE102018205028A1 (de) | 2017-04-04 | 2018-04-04 | Bearbeitungsverfahren für ein werkstück |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10872819B2 (de) |
JP (1) | JP2018181902A (de) |
KR (1) | KR20180112694A (de) |
CN (1) | CN108687978B (de) |
DE (1) | DE102018205028A1 (de) |
SG (1) | SG10201802542RA (de) |
TW (1) | TWI736747B (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6821261B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-01-27 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
DE102019204457B4 (de) * | 2019-03-29 | 2024-01-25 | Disco Corporation | Substratbearbeitungsverfahren |
DE212021000335U1 (de) * | 2020-09-16 | 2023-02-01 | Rohm Co., Ltd. | Halbleiterbauelement |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6349926A (ja) | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Nec Corp | 複数ソ−ト処理の並行実行方式 |
JP2005021940A (ja) | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4207976B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2009-01-14 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体基板の表面処理方法、および化合物半導体結晶の製造方法 |
JPH06349926A (ja) | 1993-06-12 | 1994-12-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US5461008A (en) | 1994-05-26 | 1995-10-24 | Delco Electronics Corporatinon | Method of preventing aluminum bond pad corrosion during dicing of integrated circuit wafers |
JPH0955573A (ja) | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 樹脂基板の切削方法 |
US5904548A (en) | 1996-11-21 | 1999-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Trench scribe line for decreased chip spacing |
US6310017B1 (en) | 1999-02-01 | 2001-10-30 | Ct Associates, Inc. | Cleaner composition, method for making and using same |
JP3440888B2 (ja) | 1999-06-21 | 2003-08-25 | 株式会社村田製作所 | ダイシングブレード及び電子部品の製造方法 |
US6280298B1 (en) | 1999-11-24 | 2001-08-28 | Intel Corporation | Test probe cleaning |
US6596562B1 (en) * | 2002-01-03 | 2003-07-22 | Intel Corporation | Semiconductor wafer singulation method |
US6791197B1 (en) | 2002-08-26 | 2004-09-14 | Integrated Device Technology, Inc. | Reducing layer separation and cracking in semiconductor devices |
US7855130B2 (en) | 2003-04-21 | 2010-12-21 | International Business Machines Corporation | Corrosion inhibitor additives to prevent semiconductor device bond-pad corrosion during wafer dicing operations |
US7087452B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-08-08 | Intel Corporation | Edge arrangements for integrated circuit chips |
US6974726B2 (en) * | 2003-12-30 | 2005-12-13 | Intel Corporation | Silicon wafer with soluble protective coating |
JP2006140341A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP4751634B2 (ja) | 2005-03-31 | 2011-08-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7152596B1 (en) | 2005-09-15 | 2006-12-26 | You Min Zhang | Circular saw blade body |
US20080191318A1 (en) | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor device and method of sawing semiconductor device |
US8629532B2 (en) * | 2007-05-08 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor wafer with assisting dicing structure and dicing method thereof |
JP5128897B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-01-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2011020231A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP5419596B2 (ja) | 2009-09-02 | 2014-02-19 | 兼房株式会社 | 回転工具のための流体供給機構 |
US8883701B2 (en) * | 2010-07-09 | 2014-11-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for wafer dicing and composition useful thereof |
IT1402530B1 (it) | 2010-10-25 | 2013-09-13 | St Microelectronics Srl | Circuiti integrati con retro-metallizzazione e relativo metodo di produzione. |
JP5480923B2 (ja) | 2011-05-13 | 2014-04-23 | シャープ株式会社 | 半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール |
US8557682B2 (en) * | 2011-06-15 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch |
US8673741B2 (en) * | 2011-06-24 | 2014-03-18 | Electro Scientific Industries, Inc | Etching a laser-cut semiconductor before dicing a die attach film (DAF) or other material layer |
JP2013161998A (ja) | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
US8952413B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-02-10 | Micron Technology, Inc. | Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods |
US8652940B2 (en) | 2012-04-10 | 2014-02-18 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch |
JP5996260B2 (ja) * | 2012-05-09 | 2016-09-21 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割方法 |
US8871613B2 (en) * | 2012-06-18 | 2014-10-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor die singulation method |
US8859397B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch |
US9085049B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for manufacturing semiconductor device |
US8980726B2 (en) * | 2013-01-25 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate dicing by laser ablation and plasma etch damage removal for ultra-thin wafers |
JP6078376B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2017-02-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US20150040983A1 (en) * | 2013-08-07 | 2015-02-12 | Solarworld Industries America, Inc. | Acidic etching process for si wafers |
JP6274926B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-02-07 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
US9275902B2 (en) * | 2014-03-26 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Dicing processes for thin wafers with bumps on wafer backside |
US9130057B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Hybrid dicing process using a blade and laser |
US9165832B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser |
JP6426407B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
WO2016052444A1 (ja) | 2014-09-29 | 2016-04-07 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハ加工用シート用基材、半導体ウエハ加工用シート、および半導体装置の製造方法 |
JP6545468B2 (ja) | 2015-01-16 | 2019-07-17 | ショーダテクトロン株式会社 | 分割溝形成装置および分割溝形成方法 |
CN105925984B (zh) * | 2016-05-16 | 2021-03-23 | 浙江师范大学 | 一种机械加工用去毛刺液及其制备方法 |
US10535554B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor die having edge with multiple gradients and method for forming the same |
JP6890885B2 (ja) * | 2017-04-04 | 2021-06-18 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
-
2017
- 2017-04-04 JP JP2017074249A patent/JP2018181902A/ja active Pending
-
2018
- 2018-03-07 TW TW107107586A patent/TWI736747B/zh active
- 2018-03-27 US US15/937,402 patent/US10872819B2/en active Active
- 2018-03-27 SG SG10201802542RA patent/SG10201802542RA/en unknown
- 2018-03-28 CN CN201810261942.3A patent/CN108687978B/zh active Active
- 2018-03-30 KR KR1020180037173A patent/KR20180112694A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-04-04 DE DE102018205028.7A patent/DE102018205028A1/de active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6349926A (ja) | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Nec Corp | 複数ソ−ト処理の並行実行方式 |
JP2005021940A (ja) | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180112694A (ko) | 2018-10-12 |
CN108687978B (zh) | 2021-09-14 |
CN108687978A (zh) | 2018-10-23 |
TW201838004A (zh) | 2018-10-16 |
TWI736747B (zh) | 2021-08-21 |
US10872819B2 (en) | 2020-12-22 |
US20180286754A1 (en) | 2018-10-04 |
SG10201802542RA (en) | 2018-11-29 |
JP2018181902A (ja) | 2018-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102018205024A1 (de) | Bearbeitungsverfahren für ein werkstück | |
DE102018205028A1 (de) | Bearbeitungsverfahren für ein werkstück | |
JP6426407B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
DE102019212183A1 (de) | Packungssubstratbearbeitungsverfahren | |
DE102018205027A1 (de) | Bearbeitungsverfahren für ein werkstück | |
DE102018205025A1 (de) | Bearbeitungsverfahren für ein werkstück | |
DE102018205026A1 (de) | Bearbeitungsverfahren für ein werkstück | |
DE102018205031A1 (de) | Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges werkstück | |
DE102018207131A1 (de) | Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks | |
DE102018205020A1 (de) | Verfahren zum bearbeiten eines werkstücks | |
DE102018205030A1 (de) | Bearbeitungsverfahren für ein werkstück | |
DE102018205032A1 (de) | Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges werkstück | |
DE102019200730B4 (de) | Bearbeitungsvorrichtung | |
DE102018205022A1 (de) | Verfahren zum bearbeiten eines werkstücks | |
DE102018205023A1 (de) | Verfahren zum bearbeiten eines werkstücks | |
DE102023208013A1 (de) | Schneidvorrichtung | |
DE102022204352A1 (de) | Substratbearbeitungsverfahren | |
JP6994363B2 (ja) | 切削装置 | |
KR20190098697A (ko) | 가공 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication |