DE102018205024A1 - Bearbeitungsverfahren für ein werkstück - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das an einer hinteren Seite davon einen geschichteten Körper, der Metall enthält, der in einer überlagernden Beziehung mit projizierten Teilungslinien ausgebildet ist, beinhaltet, beinhaltet die Schritte des Haltens der hinteren Seite des Werkstücks an einem Haltetisch, danach Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Wellenlänge aufweist, die durch das Werkstück absorbiert werden kann, auf einer Flächenseite davon entlang der projizierten Teilungslinien, um laserbearbeitete Nuten in dem Werkstück auszubilden, die vor dem geschichteten Körper aufhören, und danach Schneiden der Böden der laserbearbeiteten Nuten mit einer Schneidklinge, um das Werkstück zusammen mit dem geschichteten Körper entlang der projizierten Teilungslinien zu teilen. Der Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten beinhaltet den Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten während ein Schneidfluid, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu dem Werkstück zugeführt wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück, das einen geschichteten Körper, der Metall enthält, der in einer überlagernden Beziehung zu projizierten Teilungslinien ausgebildet ist, beinhaltet.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Elektronische Ausstattungen, typischerweise Mobiltelefone und Personalcomputer verwenden als zwingend notwendige Komponenten Bauelementchips, die Bauelemente wie elektronische Schaltungen usw. daran ausgebildet aufweisen. Ein Bauelementchip wird durch Aufteilen der Flächenseite eines Wafers, der aus einem Halbleitermaterial wie Silizium oder dergleichen hergestellt ist, in mehrere Bereiche mit mehreren projizierten Teilungslinien, die auch als Straßen bekannt sind, Ausbilden der Bauelemente in den jeweiligen Bereichen und dann Teilen des Wafers in einzelne Bauelementchips entsprechend den Bauelementen entlang der projizierten Teilungslinien hergestellt.
  • In den vergangenen Jahren sind oft Bewertungselemente, die als TEG (Testelementgruppe) bezeichnet werden, zum Bewerten elektrischer Eigenschaften der Bauelemente an projizierten Teilungslinien an Wafern wie oben beschrieben ausgebildet (siehe zum Beispiel die japanische Offenlegungsschrift Nr. Hei 6-349926 und japanische Offenlegungsschrift Nr. 2005 - 21940 ). Die TEG an der projizierten Teilungslinie an einem Wafer machen es möglich die Anzahl der Bauelementchips, die aus dem Wafer hergestellt werden können, zu maximieren. Nachdem die TEG Bewertungen durchgeführt hat und überflüssig geworden ist, kann sie, wenn der Wafer in Bauelementchips geteilt wird, entfernt werden.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Wenn geschichtete Körper, die Metall enthalten, wie TEG durch eine Schneidklinge geschnitten und entfernt werden, die aus einem Bindemittel mit darin fixierten abrasiven Körnern ausgebildet ist, wird das Metall, das in den geschichteten Körpern enthalten ist, verlängert, sodass Vorsprünge entstehen, die „Grate“ genannt werden, aufgrund des Kontakts mit der Schneidklinge. Falls die Schneidklinge den Wafer mit einer erhöhten Geschwindigkeit bearbeitet, wird mehr Wärme generiert, was dazu führt, dass größere Grate gebildet werden. Darum entsprechend dem Bearbeitungsverfahren unter Verwendung der Schneidklinge ist es notwendig, die Bearbeitungsgeschwindigkeit zu reduzieren, um die Qualität der Bearbeitung des Wafers nicht abzusenken.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das einen geschichteten Körper beinhaltet, der Metall enthält, der in einer überlagernden Beziehung zu projizierten Teilungslinien ausgebildet ist, mit einer erhöhten Geschwindigkeit bereitzustellen, während die Qualität der Bearbeitung des Werkstücks beibehalten werden soll.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das an einer hinteren Seite einen geschichteten Körper beinhaltet, der Metall enthält, der in einer überlagernden Beziehung mit den projizierten Teilungslinien ausgebildet ist, bereitgestellt, das die Schritte des Haltens der hinteren Seite des Werkstücks an einem Haltetisch, danach Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Wellenlänge aufweist, die in dem Werkstück absorbiert werden kann, auf der Flächenseite davon entlang der projizierten Teilungslinien, um laserbearbeitete Nuten in dem Werkstück auszubilden, die vor dem geschichteten Körper enden, und danach Schneiden der Böden der laserbearbeiteten Nuten mit einer Schneidklinge, um das Werkstück zusammen mit dem geschichteten Körper entlang der projizierten Teilungslinien aufzuteilen, wobei der Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten den Schritt des Schneidens der laserbearbeiteten Nuten beinhaltet, während ein Schneidfluid, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu dem Werkstück zugeführt wird.
  • In dem obigen Aspekt der vorliegenden Erfindung kann das Verfahren ferner einen Schritt zum Bereitstellen eines Schutzelements an der hinteren Seite des Werkstücks beinhalten, vor dem Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten, wobei der Schritt des Schneidens von Böden der laserbearbeiteten Nuten durchgeführt werden kann, wenn die hinteren Seite des Werkstücks durch das Schutzelement, das daran bereitgestellt ist, gehalten ist.
  • In dem obigen Aspekt der vorliegenden Erfindung sollte die Schneidklinge, die in dem Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten verwendet wird, vorzugsweise eine Dicke aufweisen, die kleiner als die Breite der laserbearbeiteten Nuten ist.
  • In dem obigen Aspekt der vorliegenden Erfindung kann das Verfahren ferner den Schritt des Bereitstellens eines Schutzelements an der Flächenseite des Werkstücks beinhalten, nach dem Schritt des Aufbringen eines Laserstrahls und vor dem Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten, wobei der Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten durchgeführt werden kann, während die Flächenseite des Werkstücks durch das Schutzelement, das daran bereitgestellt ist, gehalten ist.
  • Entsprechend dem Verfahren in Übereinstimmung mit dem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird das Schneidfluid, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, zu der Schneidklinge und dem Werkstück beim Teilen des geschichteten Körpers, der Metall enthält, mit der Schneidklinge zugeführt. Die organische Säure und das Oxidationsmittel sind effektiv, um das Metall, das in den geschichteten Körpern enthalten ist, zu modifizieren, wodurch die Duktilität des Metalls abgesenkt wird, während die Schneidklinge den geschichteten Körper teilt. Das Metall wird folglich daran gehindert, Grate auszubilden, sogar wenn das Werkstück mit einer erhöhten Geschwindigkeit bearbeitet wird. In anderen Worten die Geschwindigkeit, mit welcher das Werkstück bearbeitet wird, kann erhöht werden, während die Qualität der Bearbeitung des Werkstücks beibehalten bleibt.
  • Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch ein Werkstück beispielhaft zeigt;
    • 1B ist eine perspektivische Ansicht, die einen Anbringungsschritt für eine erste Folie eines Bearbeitungsverfahrens für ein Werkstück entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 2A ist eine seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die einen ersten Halteschritt des Bearbeitungsverfahrens für ein Werkstück darstellt;
    • 2B ist eine partielle seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die einen Laserbearbeitungsschritt des Bearbeitungsverfahrens für ein Werkstück darstellt;
    • 3A ist eine perspektivische Ansicht, die einen zweiten Anbringungsschritt für eine Folie des Bearbeitungsverfahrens für ein Werkstück darstellt;
    • 3B ist eine seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die einen zweiten Halteschritt des Bearbeitungsverfahrens für ein Werkstück darstellt;
    • 4 ist eine partielle seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die einen Schneidschritt des Bearbeitungsverfahrens für ein Werkstück darstellt;
    • 5A ist eine partielle seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die einen Laserbearbeitungsschritt entsprechend einer Modifikation darstellt;
    • 5B ist eine partielle seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die einen Schneidschritt entsprechend der Modifikation darstellt; und
    • 6 ist eine seitliche Aufsicht einer Düse zum Zuführen eines Schneidfluides entsprechend einer anderen Ausführung der vorliegenden Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird jetzt im Folgenden mit Bezug zu den begleitenden Figuren beschrieben. Das Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks entsprechend der vorliegenden Ausführungsform, auch als „Werkstückbearbeitungsverfahren“ bezeichnet, ist ein Verfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das an einer hinteren Seite einen geschichtete Körper, der Metall enthält, das in einer überlagernden Beziehung mit projizierten Teilungslinien ausgebildet ist, beinhaltet und beinhaltet einen ersten Anbringungsschritt für eine Folie (ersten Bereitstellungsschritt für Schutzelement) (siehe 1B), einen ersten Halteschritt (siehe 2A), einen Laserbearbeitungsschritt (siehe 2B), einen zweiten Anbringungsschritt für eine Folie (zweiten Bereitstellungsschritt für Schutzelement) (siehe 3A), einen zweiten Halteschritt (siehe 3B) und einen Schneidschritt (siehe 4).
  • In dem ersten Anbringungsschritt für eine Folie wird eine Folie (Schutzelement) an einer hinteren Seite eines Werkstücks, die einen geschichteten Körper an ihr angeordnet aufweist, angebracht. In dem ersten Halteschritt ist die hintere Seite des Werkstücks an einem Einspanntisch (erstem Haltetisch) einer Laserbearbeitungsvorrichtung gehalten. In dem Laserbearbeitungsschritt wird ein Laserstrahl, der eine Wellenlänge aufweist, die durch das Werkstück absorbiert wird, d. h. eine Wellenlänge die durch das Werkstück absorbiert werden kann, auf einer Flächenseite des Werkstücks aufgebracht, um laserbearbeitete Nuten in dem Werkstück entlang der projizierten Teilungslinien bis zu einer Tiefe auszubilden, die vor dem geschichteten Körper endet, d. h. diesen nicht erreicht. In dem zweiten Anbringungsschritt für eine Folie wird eine Folie (Schutzelement) an der Flächenseite des Werkstücks angebracht (bereitgestellt). In dem zweiten Halteschritt ist die Flächenseite des Werkstücks an dem Einspanntisch (zweiten Haltetisch) einer Schneidvorrichtung gehalten. In dem Schneidschritt werden die Böden der laserbearbeiteten Nuten durch eine Schneidklinge geschnitten, während ein Schneidfluid, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu dem Werkstück und der Schneidklinge zugeführt wird, wodurch die Werkstücke und die geschichteten Körper entlang der projizierten Teilungslinie geteilt werden. Das Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück entsprechend der vorliegenden Ausführungsform wird im Folgenden beschrieben.
  • 1A ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch ein Werkstück 11 beispielhaft zeigt, das in dem Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück entsprechend der vorliegenden Ausführungsform bearbeitet werden soll. Wie in 1A gezeigt, beinhaltet das Werkstück 11 einen scheibenförmigen Wafer, der aus einem Halbleitermaterial wie Silizium (Si) oder dergleichen ausgebildet ist und die Flächenseite 11a davon ist in einzelne Bauelementebereiche und einen äußeren umfänglichen Randbereich, der den zentralen Bauelementbereich umgibt, aufgeteilt.
  • Der zentrale Bauelementbereich ist ferner in mehrere Bereiche durch ein Gitter aus projizierten Teilungslinien oder Straßen 13 aufgeteilt, wobei Bauelemente 15 wie ICs (integrierte Schaltungen) oder dergleichen in den jeweiligen Bereichen ausgebildet sind. Ein geschichteter Körper 17, der Metall enthält, ist an einer hinteren Seite 11b des Werkstücks 11 bereitgestellt. Der geschichtete Körper 13 beinhaltet einen Multischicht-Metallfilm aus Titan (Ti), Nickel (Ni), Gold (Au) usw, der eine Dicke von ungefähr mehreren Mikrometern aufweist und dient als Elektrode oder dergleichen. Der geschichtete Körper 17 ist auch in Bereichen ausgebildet, die an den projizierten Teilungslinien 13 überlagern.
  • Entsprechend der vorliegenden Ausführungsform ist das Werkstück 11 so dargestellt, dass es einen scheibenförmigen Wafer, der aus einem Halbleiter wie Silizium oder dergleichen ausgebildet ist, beinhaltet. Jedoch ist das Werkstück 11 nicht auf bestimmte Materialien, Formen, Strukturen, Größen usw. beschränkt. Ähnlich sind die Bauelemente 15 und der geschichteten Körper 17 nicht auf einen bestimmten Typ, Mengen, Formen, Strukturen, Größen, Anordnungen usw. beschränkt. Zum Beispiel kann ein verpacktes Substrat, in dem ein geschichteter Körper 17 als Elektrode dient, die entlang projizierte Teilungslinien 13 ausgebildet ist, als das Werkstück 11 verwendet werden.
  • In der Bearbeitungsvorrichtung für ein Werkstück entsprechend der vorliegenden Ausführungsform wird der erste Anbringungsschritt für eine Folie (erste Bereitstellungsschritt für ein Schutzelement) durchgeführt, um eine Folie (Schutzelement) an der hinteren Seite 11b des Werkstücks 11 anzubringen (bereitzustellen). 1B ist eine perspektivische Ansicht, die den ersten Anbringungsschritt für eine Folie darstellt. In dem ersten Anbringungsschritt für eine Folie, wie in 1B gezeigt, wird eine erste Folie (Schutzelement) 21, die aus Kunststoff hergestellt ist, die größer bezüglich des Durchmessers als das Werkstück 11 ist, an der hinteren Seite 11b des Werkstücks 11 angebracht. Ein ringförmiger Rahmen 23 ist an dem äußeren umfänglichen Abschnitt der Folie 21 fixiert.
  • Das Werkstück 11 ist folglich an dem ringförmigen Rahmen 23 durch die Folie 21 getragen. Obwohl ein Beispiel, in welchem das Werkstück 11, das an einem ringförmigen Rahmen 23 durch die Folie 21 getragen ist, bearbeitet wird, im Folgenden in der vorliegenden Ausführungsform beschrieben wird, kann das Werkstück 11 ohne Verwendung der Folie 21 und des Rahmens 23 bearbeitet werden. In solch einer Modifikation kann der erste Anbringungsschritt für eine Folie ausgelassen werden. Anstelle der Folie 21 aus Kunststoff kann ein Wafer Äquivalent zu dem Werkstück 11 oder ein anderes Substrat als ein Schutzelement an dem Werkstück 11 angebracht werden.
  • Dem ersten Anbringungsschritt für eine Folie folgt der erste Halteschritt, um das Werkstück 11 an dem Einspanntisch (erster Haltetisch) einer Laserbearbeitungsvorrichtung zu halten. 2A ist eine seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, welche den ersten Halteschritt darstellt. Der erste Halteschritt wird unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung 2, die in 2A gezeigt ist, zum Beispiel durchgeführt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beinhaltet einen Einspanntisch (ersten Haltetisch) 4 zum Halten des Werkstücks 11 unter einem Saugen daran.
  • Der Einspanntisch 4 ist mit einem Drehaktor, der nicht dargestellt ist, wie einem Motor oder dergleichen für eine Rotation um eine Achse im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung gekoppelt. Der Einspanntisch 4 ist oberhalb eines Bewegungsmechanismus, der nicht dargestellt ist, angeordnet, der den Einspanntisch 4 in einer Bearbeitungszufuhrrichtung (erste horizontaler Richtung) und einer Index Zufuhrrichtung (zweiter horizontale Richtung) bewegt.
  • Der Einspanntisch 4 weist eine obere Oberfläche auf, ein Teil dieser dient als eine Halteoberfläche 4a zum Halten des Werkstücks 11, d. h. der Folie 21, unter einem Saugen. Die Halteoberfläche 4a ist mit einer Saugquelle verbunden, die nicht dargestellt ist, durch einen Saugkanal, der nicht gezeigt ist, der in dem Einspanntisch 4 ausgebildet ist. Wenn ein negativer Druck von der Saugquelle dazu gebracht wird, an der Halteoberfläche 4a zu wirken, wird das Werkstück 11 unter einem Saugen an dem Einspanntisch 4 getragen. Mehrere Klemmen 6 zum Sicheren des ringförmigen Rahmens 23 sind an dem äußeren umfänglichen Bereich des Einspanntischs 4 bereitgestellt.
  • In dem ersten Halteschritt ist die Folie 21, die an der hinteren Seite 11b des Werkstücks 11 anhaftet, in Kontakt mit der Halteoberfläche 4a des Einspanntischs 4 gehalten und ein negativer Druck von der Saugquelle wird dazu gebracht, an der Folie 21 zu wirken, gleichzeitig wird der Rahmen 23 durch die Klemmen 6 gesichert. Das Werkstück 11 ist so sicher durch den Einspanntisch 4 und die Klemmen 6 mit der Flächenseite 11a nach oben freiliegend gehalten.
  • Nach dem ersten Halteschritt wird der Laserbearbeitungsschritt durchgeführt, um einen Laserstrahl 11 von der Flächenseite 11a aufzubringen, um laserbearbeitete Nuten in dem Werkstück 11 entlang der projizierten Teilungslinien 13 bis zu einer Tiefe aufzubringen, die oberhalb des geschichteten Körpers 17 aufhört, d. h. diesen nicht erreicht. Der Laserbearbeitungsschritt wird auch unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 durchgeführt. 2B ist eine partielle seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die den Laserbearbeitungsschritt darstellt. Wie in 2B gezeigt beinhaltet die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 ferner eine Bestrahlungseinheit 8 für einen Laser, die direkt oberhalb des Einspanntischs 4 angeordnet ist.
  • Die Bestrahlungseinheit 8 für einen Laserstrahl bringt einen gepulsten Laserstrahl 8a auf, der durch einen Laseroszillator generiert und emittiert wird, der nicht dargestellt ist, und fokussiert einen gepulsten Laserstrahl 8a an vorbestimmten Positionen in dem Werkstück 11. Der Laseroszillator ist so angeordnet, dass dieser den gepulsten Laserstrahl 8a generiert und emittiert, der eine Wellenlänge aufweist, die durch das Werkstück 11 absorbiert wird, zum Beispiel eine Wellenlänge die durch das Werkstück 11 absorbiert werden kann oder eine Wellenlänge die einfach durch das Werkstück 11 absorbiert werden kann.
  • In dem Laserbearbeitungsschritt wird der Einspanntisch 4 um seine Achse gedreht, um eine projizierte Zielteilungslinie 13 in Ausrichtung mit der Bearbeitungszufuhrrichtung der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 zu bringen. Ferner wird der Einspanntisch 4 bewegt, um die Bestrahlungseinheit 8 für einen Laserstrahl mit einer Erstreckung der projizierten Zielteilungslinie 13 auszurichten.
  • Danach, wie in 2B gezeigt, während der gepulste Laserstrahl 8a von der Bestrahlungseinheit 8 für einen Laserstrahl auf der freiliegenden Flächenseite 11a des Werkstücks 11 aufgebracht wird, wird der Einspanntisch 4 in der Bearbeitungszufuhrrichtung bewegt. Der gepulste Laserstrahl 8a wird an der Flächenseite 11a des Werkstücks 11 oder in dem Werkstück 11 zum Beispiel fokussiert. Energieparameter des gepulsten Laserstrahls 8a, d. h. die Leistung, Wiederholungsfrequenz usw. des gepulsten Laserstrahls 8a werden in einem solchen Bereich angepasst, dass der gepulste Laserstrahl 8a das Werkstück 11 nicht teilt.
  • In dieser Weise wird der gepulste Laserstrahl 8a auf dem Werkstück entlang der projizierten Zielteilungslinien 13 aufgebracht, um eine laserbearbeitete Nut 19a in dem Werkstück 11 entlang der projizierten Zielteilungslinie 13 bis zu einer Tiefe auszubilden, die oberhalb des geschichteten Körpers 17 aufhört, d. h. diesen nicht erreicht. Die obige Bearbeitung wird wiederholt, um laserbearbeitete Nuten 19a in dem Werkstück 11 entlang all der projizierten Teilungslinien 13 auszubilden, worauf der Laserbearbeitungsschritt abgeschlossen ist.
  • Auf den Laserbearbeitungsschritt folgt der zweite Anbringungsschritt für eine Folie (zweiter Bereitstellungsschritt für ein Schutzelement), um eine Folie (Schutzelement) an der Flächenseite 11a des Werkstücks 11 anzubringen (bereitzustellen). 3A ist eine perspektivische Ansicht, die einen zweiten Anbringungsschritt für eine Folie darstellt. In dem zweiten Anbringungsschritt für eine Folie, wie in 3A gezeigt, wird eine Folie (Schutzelement) 25, die aus einem Kunststoff hergestellt ist, die in ihrem Durchmesser größer als das Werkstück 11 ist, an der Flächenseite 11a des Werkstücks 11 angebracht. Ein ringförmiger Rahmen 27 ist an einem äußeren umfänglichen Abschnitt der Folie 25 fixiert.
  • Das Werkstück 11 ist folglich an dem ringförmigen Rahmen 27 durch die Folie 25 getragen. Obwohl ein Beispiel, in welchem das Werkstück 11 an dem ringförmigen Rahmen 27 durch die Folie 25 getragen ist, in der folgenden vorliegenden Ausführungsform beschrieben ist, kann das Werkstück 11 ohne die Folie 25 und den Rahmen 27 bearbeitet werden. In solch einer Modifikation kann der zweite Anbringungsschritt für eine Folie ausgelassen werden. Anstelle der Folie 25 aus Kunststoff kann ein Äquivalent des Wafers an dem Werkstück 11 und ein anderes Substrat als ein Schutzelement einem Werkstück 11 angebracht werden.
  • Dem zweiten Anbringungsschritt für eine Folie folgt der zweite Halteschritt, um das Werkstück 11 an dem Einspanntisch (zweiter Haltetisch) einer Schneidvorrichtung zu halten. 3B ist eine seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die den zweiten Halteschritt zeigt. Vor dem zweiten Halteschritt werden die Folie 21 an der Flächenseite 11a und der Rahmen 23 entfernt. Der zweite Halteschritt wird zum Beispiel unter Verwendung der Schneidvorrichtung 12 durchgeführt, die in 3B gezeigt ist. Die Schneidvorrichtung 12 beinhaltet einen Einspanntisch (zweiten Haltetisch) 14 zum Halten des Werkstücks 11 unter einem Saugen.
  • Der Einspanntisch 14 ist mit einem Drehaktor, der nicht dargestellt ist, wie einem Motor oder dergleichen zum Drehen um eine Achse im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung bereitgestellt. Der Einspanntisch 14 ist oberhalb des Bearbeitungszufuhrmechanismus, der ich dargestellt ist, angeordnet, der den Einspanntisch 14 in einer Bearbeitungszufuhrrichtung (ersten horizontalen Richtung) bewegt.
  • Der Einspanntisch 14 weist eine obere Oberfläche auf, ein Teil dieser dient als eine Halteoberfläche 14a zum Halten des Werkstücks 11, d. h. der Folie 25 unter einem Saugen. Die Halteoberfläche 14a ist mit einer Saugquelle, nicht dargestellt, durch einen Saugkanal, nicht dargestellt, der in dem Einspanntisch 14 ausgebildet ist, verbunden. Wenn ein negativer Druck von der Saugquelle dazu gebracht wird, an der Halteoberfläche 14a zu wirken, wird das Werkstück 11 unter einem Saugen an dem Einspanntisch 14 gehalten. Mehrere Klemmen 16 zum Sichern des ringförmigen Rahmens 27 sind an einem äußeren umfänglichen Bereich des Einspanntischs 14 bereitgestellt.
  • In dem zweiten Halteschritt ist die Folie 25, die an der Flächenseite 11a des Werkstücks 11 anhaftet, in Kontakt mit der Halteoberfläche 14a des Einspanntischs 14 gehalten und ein negativer Druck von der Saugquelle wird dazu gebracht, an der Folie 25 zu wirken. Gleichzeitig wird der Rahmen 27 durch die Klemmen 16 gesichert. Das Werkstück 11 ist so sicher durch den Einspanntisch 14 und die Klemmen 16 gehalten, wobei der geschichtete Körper 17 an der Flächenseite 11a nach oben freiliegt.
  • Nach dem zweiten Halteschritt wird der Schneidschritt durchgeführt, um die Böden der laserbearbeiteten Nuten 19a zu schneiden, um das Werkstück 11 aufzuteilen und den geschichteten Körper 17 entlang der projizierten Teilungslinien 13 aufzuteilen. 4 ist eine partielle seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die den Schneidschritt darstellt. Der Schneidschritt wird auch unter Verwendung der Schneidvorrichtung 12 durchgeführt. Wie in 4 gezeigt, beinhaltet die Schneidvorrichtung 12 ferner eine Schneideinheit 18, die oberhalb des Einspanntischs 14 angeordnet ist.
  • Die Schneideinheit 18 beinhaltet eine Spindel, nicht gezeigt, die als eine Welle im Wesentlichen senkrecht zu der Bearbeitungszufuhrrichtung dient. Eine ringförmige Schneidklinge 20, die aus einem Bindemittel mit abrasiven Körnern, die darin dispergiert sind, hergestellt ist, ist an einem Ende der Spindel montiert. Das andere Ende der Spindel ist mit einem Drehaktor, der nicht dargestellt ist, wie einem Motor oder dergleichen gekoppelt. Die Schneidklinge 20 an dem einen Ende der Spindel ist um ihre eigene Achse durch Kräfte, die von dem Drehaktor übertragen werden, drehbar.
  • Die Spindel wird durch einen Bewegungsmechanismus, der nicht dargestellt ist, getragen, der die Schneidklinge 20 in einer Index-Zufuhrrichtung (zweite horizontale Richtung) senkrecht zu der Bearbeitungszufuhrrichtung und einer vertikalen Richtung senkrecht zu der Bearbeitungszufuhrrichtung und der Indexzufuhrrichtung bewegt. Ein Paar Düsen 22 ist an beiden Seiten der Schneidklinge 20 angeordnet, die folglich zwischen den Düsen 22 angeordnet ist, um ein Schneidfluid 24 zu der Schneidklinge 20 in dem Werkstück 11 zuzuführen.
  • In dem Schneidschritt wird der Einspanntisch 14 um seine eigene Achse gedreht, um eine laserbearbeitete Zielnut 19a (projizierte Teilungslinie 13) in Ausrichtung mit der Bearbeitungszufuhrrichtung der Schneidvorrichtung 2 zu bringen. Der Einspanntisch 14 und die Schneideinheit 18 werden relativ zueinander bewegt, um die Ebene der Schneidklinge 20 in Ausrichtung mit einer Erstreckung der laserbearbeiteten Zielnut 19a zu bringen. Danach wird das untere Ende der Schneidklinge 20 zu einer Position tiefer als die untere Oberfläche des geschichteten Körpers 17 bewegt. Beachte, dass die Position der laserbearbeiteten Zielnut 19a von der hinteren Seite 11b zum Beispiel durch Verwenden einer Kamera, die im Infrarotbereich empfindlich ist, bestätigt werden kann.
  • Danach, während die Schneidklinge 20 um ihre eigene Achse gedreht wird, wird der Einspanntisch 14 in der Bearbeitungszufuhrrichtung bewegt. Gleichzeitig führen die Düsen 22 das Schneidfluid 24, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu der Schneidklinge 20 und dem Werkstück 11. Die Schneidklinge 20 bewegt sich entlang der laserbearbeiteten Zielnut 19a und schneidet in das Werkstücks 11, wodurch der Boden der laserbearbeiteten Zielnut 19a geschnitten wird und das Werkstück 11 zusammen mit dem geschichteten Körper 17 geteilt wird, wodurch eine Fuge (Schlitz) 19b in der Breite in dem Werkstück 11 zusammen mit dem geschichteten Körper 17 entlang der laserbearbeiteten Ziel Nut 19a ausgebildet wird.
  • Die organische Säure, die in dem Schneidfluid 24 enthalten ist, modifiziert das Metall in den geschichteten Körpern 17 um seine Duktilität zu senken. Das Oxidationsmittel, das in dem Schneidfluid 24 enthalten ist, macht es einfacher, dass das Metall in den geschichteten Körpern 17 an seiner Oberfläche oxidiert. Als ein Ergebnis ist die Duktilität des Metalls in dem geschichteten Körper 17 ausreichend abgesenkt, um die Bearbeitbarkeit des Werkstücks 11 zu erhöhen.
  • Als die organische Säure, die in dem Schneidfluid 14 enthalten ist, kann zum Beispiel eine Verbindung verwendet werden, die mindestens eine Carboxygruppe und mindestens eine Aminogruppe in ihrem Molekül aufweist. In diesem Fall ist es bevorzugt, dass mindestens eine der Aminogrupppen eine sekundäre oder tertiäre Aminogruppe ist. Zusätzlich kann die Verbindung, die in der organischen Säure verwendet wird, ein Substituentengruppe aufweisen.
  • Als die organische Säure können Aminosäuren verwendet werden. Beispiele der hier verwendbaren Aminosäuren umfassen Glycin, Dihydroxyethylglycin, Glycylglycin, Hydroxyethylglycin, N-Methylglycin, β-Alanin, L-Alanin, L-2-Aminobuttersäure, L-Norvalin, L-Valin, L-Leucin, L-Norleucin, L-Alloisoleucin, L-Isoleucin, L-Phenylalanin, L-Prolin, Sarcosin, L-Ornithin, L-Lysin, Taurin, L-Serin, L-Threonin, L-Allothreonin, L-Homoserin, L-Thyroxin, L-Tyrosin, 3,5-Diiodo-L-tyrosin, β-(3,4-Dihydroxyphenyl)-L-Alanin, 4-Hydroxy-L-Prolin, L-Cystein, L-Methionin, L-Ethionin, L-Lanthionin, L-Cystathionin, L-Cystin, L-Cystinsäure, L-Glutaminsäure, L-Asparaginsäure, S-(Carboxymethyl)-L-Cystein, 4-Aminobuttersäure, L-Asparagin, L-Glutamin, Azaserin, L-Canavanin, L-Citrullin, L-Arginin, δ-Hydroxy-L-Lysin, Kreatin, L-Kynurenin, L-Histidin, 1-Methyl-L-Histidin, 3-Methyl-L-Histidin, L-Tryptophan, Actinomycin Cl, Ergothionein, Apamin, Angiotensin I, Angiotensin II, Antipain usw. Unter anderem sind Glycin, L-Alanin, L-Prolin, L-Histidin, L-Lysin, und Dihydroxyethylglycin besonders bevorzugt.
  • Auch können Aminopolysäuren als die organische Säure verwendet werden. Beispiele der hier verwendbaren Aminopolysäuren umfassen Iminodiessigsäure, Nitrilotriessigsäure, Diethylentriaminpentaessigsäure, Ethylendiamintetraessigsäure, Hydroxyethyliminodiessigsäure, Nitrilotrismethylenphosphonsäure, Ethylendiamin-N,N,N',N'-tetramethylensulfonsäure, 1,2-Diaminopropantetraessigsäure, Glycoletherdiamintetraessigsäure, Transcyclohexandiamintetraessigsäure, Ethylendiamineorthohydroxyphenylessigsäure, Ethylendiamindibernsteinsäure (SS isomer), β-Alanindiessigsäure, N-(2-Carboxyatoethyl)-L-Asparaginsäure, N-N'-Bis(2-Hydroxybenzyl)ethylendiamin-N,N'-diessigsäure usw.
  • Ferner können Carbonsäuren als die organische Säure verwendet werden. Beispiele der hier verwendbaren Carbonsäuren umfassen gesättigte Carbonsäuren wie Ameisensäure, Glycolsäure, Propionsäure, Essigsäure, Buttersäure, Valeriansäure, Capronsäure, Oxalsäure, Malonsäure, Glutarsäure, Adipinsäure, Äpfelsäure, Bernsteinsäure, Pimelinsäure, Mercaptoessigsäure, Glyoxylsäure, Chloressigsäure, Brenztraubensäure, Acetessigsäure usw., ungesättigte Carbonsäuren wie Acrylsäure, Methacrylsäure, Crotonsäure, Fumarsäure, Maleinsäure, Mesaconsäure, Citraconsäure, Aconitsäure usw. und zyklische ungesättigte Carbonsäuren wie Benzoesäure, Toluylsäure, Phthalsäure, Naphthoesäuren, Pyromellithsäure, Naphthalsäure usw.
  • Als Oxidationsmittel, die in dem Schneidfluid 24 enthalten sein können, können dort, zum Beispiel, Wasserstoffperoxid, Peroxide, Nitrate, Iodate, Periodate, Hypochlorite, Chlorite, Chlorate, Perchlorate, Persulfate, Dichromate, Permanganate, Cerate, Vanadate, ozonisiertes Wasser, Silber(II) Salze, Eisen(III) Salze, und ihre organischen Komplexsalze verwendet werden.
  • Darüber hinaus kann ein Korrosionsschutz in dem Schneidfluid 24 gemischt werden. Mischen des Korrosionsschutzes ermöglicht es Korrosion (Elution) des Metalls, das in dem Werkstück 11 beinhaltet ist, zu verhindern. Als Korrosionsschutz wird dort bevorzugt eine heterocyclische Ringverbindung verwendet, die wenigstens drei Stickstoffatome in ihrem Molekül hat und eine fusionierte Ringstruktur hat oder eine heterocyclische aromatische Ringverbindung, die wenigstens vier Stickstoffatome in ihrem Molekül hat. Ferner umfasst die aromatische Ringverbindung bevorzugt eine Carboxygruppe, Sulfogruppe, Hydroxygruppe, oder Alkoxygruppe. Spezifisch bevorzugte Beispiele der aromatischen Ringverbindung umfassen Tetrazolderivate, 1,2,3-Triazolderivate und 1,2,4-Triazolderivate.
  • Beispiele der Tetrazolderivate, die als Korrosionsschutz verwendbar sind, umfassen solche, die keine Substituentengruppe an den Stickstoffatomen, die den Tetrazolring bilden, haben und die eingefügt an der 5-Position des Tetrazols eine Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe oder einer Alkylgruppe, die mit wenigstens einer Substituentengruppe subsituiert ist, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe haben.
  • Beispiele der 1,2,3-Triazolderivate, die als Korrosionsschutz verwendbar sind, umfassen solche, die keine Substituentengruppe an den Stickstoffatomen, die den 1,2,3-Triazolring bilden, haben und die, eingefügt an der 4-Position und/oder der 5-Position des 1,2,3-triazol, eine Substituentengruppe haben, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgrupe und einer Sulfonamidgruppe, oder einer Alkyl- oder Arylgruppe, die mit wenigstens einer Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe, subsitutiert ist.
  • Darüber hinaus umfassen Beispiele der 1,2,4-Triazolderivate, die als Korrosionsschutz verwendbar sind, solche, die keine Substituentengruppe an den Stickstoffatomen, die den 1,2,4-Triazolring bilden und die, eingefügt an der 2-Position und/oder der 5-position des 1,2,4-Triazols, eine Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Sulfogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe oder eine Alkyl- oder Arylgruppe, die mit wenigstens einer Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend auseiner Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe subsitutiert, haben.
  • Der obige Prozess wird wiederholt, um das Werkstück 11 entlang all den projizierten Teilungslinien 13 zu schneiden, wodurch der Schneidschritt abgeschlossen wird.
  • In dem Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück entsprechend der vorliegenden Ausführungsform, wie oben beschrieben, wird das Schneidfluid 24, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu dem Werkstück 11 beim Teilen des geschichteten Körpers 17 zugeführt. Die organische Säure und das Oxidationsmittel sind effektiv, um das Metall, das in dem geschichteten Körper 17 enthalten ist, zu modifizieren, wodurch die Duktilität des Metalls abgesenkt wird, während die Schneidklinge 20 den geschichteten Körper 17 teilt. Das Metall wird folglich daran gehindert Grate auszubilden, sogar wenn das Werkstück 11 mit einer erhöhten Geschwindigkeit bearbeitet wird. Anders ausgedrückt die Geschwindigkeit, mit welcher das Werkstück 11 bearbeitet wird, kann erhöht werden, während die Qualität der Bearbeitung des Werkstücks 11 erhalten bleibt.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obige Ausführungsform beschränkt und verschiedene Änderungen und Modifikationen können innerhalb dieser gemacht werden. Zum Beispiel kann die Breite der laserbearbeiteten Nuten, die in dem Laserbearbeitungsschritt ausgebildet werden, größer als die Dicke der Schneidklinge, die in dem Schneidschritt verwendet wird, sein. Anders ausgedrückt die Dicke der Schneidklinge, die in dem Schneidschritt verwendet wird, kann kleiner als die Breite der laserbearbeiteten Nuten sein, die in dem Laserbearbeitungsschritt ausgebildet werden.
  • 5A ist eine seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die einen Laserbearbeitungsschritt entsprechend einer Modifikation zeigt, und 5B ist eine partielle seitliche Aufsicht, teilweise im Querschnitt, die einen Schneidschritt entsprechend einer Modifikation zeigt. Wie in 5A gezeigt, wird der Laserbearbeitungsschritt entsprechend der Modifikation unter Verwendung der gleichen Laserbearbeitungsvorrichtung 2 wie in der obigen Ausführungsform durchgeführt.
  • In dem Laserbearbeitungsschritt entsprechend der Modifikation wird der Einspanntisch 4 um seine eigene Achse gedreht, um eine projizierte Zielteilungslinie 13 in Ausrichtung mit Bearbeitungszufuhrrichtung der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 zu bringen. Ferner wird der Einspanntisch 4 bewegt, um die Bestrahlungseinheit 8 für einen Laser in Ausrichtung mit einer Erstreckung der projizierten Zielteilungslinie 13 zu bringen.
  • Danach, wie in 5A gezeigt, wenn ein gepulster Laserstrahl 8b von der Bestrahlungseinheit 8 für einen Laser zu der freiliegenden Flächenseite 11a des Werkstücks 11 aufgebracht wird, wird der Einspanntisch 4 in der Bearbeitungszufuhrrichtung bewegt. Der gepulste Laserstrahl 8b ist an der Flächenseite 11a des Werkstücks 11 oder in dem Werkstück 11 zum Beispiel fokussiert. Energieparameter des gepulsten Laserstrahls 8b, d. h. die Leistung, Wiederholungsfrequenz usw. des gepulsten Laserstrahls 8b sind so angepasst, dass der gepulste Laserstrahl 8b das Werkstück 11 nicht teilt.
  • In dieser Weise wird der gepulste Laserstrahl 8b auf dem Werkstück 11 entlang all den projizierten Zielteilungslinien 13 aufgebracht, um laserbearbeitete Nuten 19c in dem Werkstück 11 entlang der projizierten Zielteilungslinie 13 bis zu einer Tiefe auszubilden, die oberhalb des geschichteten Körpers 17 endet, d. h. diesen nicht erreicht. In dem Laserbearbeitungsschritt können Zustände, mit denen der gepulste Laserstrahl 8b aufgebracht wird, angepasst werden, um eine laserbearbeitete Nut 19c auszubilden, die eine breite aufweist, die größer als die Dicke der Schneidklinge ist, die in dem folgenden Schritt verwendet werden soll. Der obige Prozess wird wiederholt, um laserbearbeitete Nuten 19c in dem Werkstück 11 entlang all den projizierten Teilungslinien 13 auszubilden, worauf der Laserbearbeitungsschritt entsprechend der Modifikation abgeschlossen ist
  • Auf den Laserbearbeitungsschritt folgt ein zweiter Halteschritt, wobei kein Anbringungsschritt für eine zweite Folie ausgeführt wird. Der zweite Halteschritt entsprechend der Modifikation wird unter Verwendung der gleichen Schneidvorrichtung 12 wie in der obigen Ausführungsform durchgeführt. In dem Halteschritt wird die Folie 21, die an der hinteren Seite 11b des Werkstücks 11 anhaftet, in Kontakt mit der Halteoberfläche 14a des Einspanntischs 14 gehalten und ein negativer Druck wird von der Saugquelle dazu gebracht, an der Folie 21 zu wirken. Gleichzeitig wird der Rahmen 23 durch die Klemmen 16 gesichert. Das Werkstück 11 ist folglich sicher durch den Einspanntisch und die Klemmen mit der Flächenseite 11a nach oben freiliegend gehalten.
  • Nach dem zweiten Halteschritt wird der Schneidschritt durchgeführt. Der Schneidschritt entsprechend der Modifikation wird auch unter Verwendung der Schneidvorrichtung 12 durchgeführt. Jedoch verwendet der Schneidschritt entsprechend der Modifikation eine Schneidklinge 20, die eine Breite aufweist, die kleiner als die der laserbearbeiteten Nuten 19c ist.
  • Zunächst wird der Einspanntisch 14 um seine eigene Achse gedreht, um eine laserbearbeitete Zielnut 19c (projizierte Teilungslinie) 13 in Kontakt mit der Bearbeitungszufuhrrichtung der Schneidvorrichtung 2 zu bringen. Der Einspanntisch 14 und die Schneideinheit 18 werden relativ zueinander bewegt, um die Ebene der Schneidklinge 20 in Ausrichtung mit einer Erstreckung der laserbearbeiteten Zielnut 19 zu bringen. Danach wird das untere Ende der Schneidklinge 20 zu einer Position tiefer als die untere Oberfläche des geschichteten Körpers 17 bewegt.
  • Danach, während die Schneidklinge 20 um ihre eigene Achse gedreht wird, wird der Einspanntisch 14 in der Bearbeitungszufuhrrichtung bewegt. Gleichzeitig führen die Düsen 22 ein Schneidfluid 24, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu der Schneidklinge 20 und dem Werkstück 11 zu. Die Schneidklinge 20 bewegt sich in entlang der laserbearbeiteten Zielnut 19c und schneidet in das Werkstück 11, wodurch der Boden der laserbearbeiteten Nut 19c geschnitten wird und das Werkstück 11 zusammen mit dem geschichteten Körper 17 vollständig geteilt wird, wodurch eine Fuge (Schlitz) 19c in der Breite in dem Werkstück 11 ausgebildet wird und der geschichtete Körper 17 entlang der laserbearbeiteten Zielnut 19c ausgebildet wird.
  • Die organische Säure, die in dem Schneidfluid 24 enthalten ist, modifiziert das Metall in dem geschichteten Körper 17, um die Duktilität zu senken. Das Oxidationsmittel, das in dem Schneidfluid 24 enthalten ist, erleichtert es, dass das Metall, das in dem geschichteten Körper 17 enthalten ist, an seiner Oberfläche oxidiert. Als ein Ergebnis wird die Duktilität des Metalls in dem geschichteten Körper 17 ausreichend abgesenkt, um die Bearbeitbarkeit des Werkstücks 11 zu erhöhen.
  • In dem Schneidschritt entsprechend der Modifikation, da die Schneidklinge 20, die eine kleinere Dicke als die Breite der laserbearbeiteten Nuten 19c aufweist, verwendet wird, tendiert das Schneidfluid 24 dazu, sich zwischen den seitlichen Wandoberflächen der laserbearbeiteten Nut 19 und der Schneidklinge 20 anzusammeln. Als eine Konsequenz kann der geschichtete Körper 17 mit einer ausreichenden Menge eines Schneidfluides 24 versorgt werden, um die Bearbeitbarkeit des Werkstücks 11 weiter zu verbessern.
  • In den obigen Modifikationen werden der zweite Halteschritt und der Schneidschritt ohne ein Anbringen einer zweiten Folie durchgeführt. Jedoch kann der Anbringungsschritt für eine zweite Folie durchgeführt werden und dann können der zweite Halteschritt und der Schneidschritt durchgeführt werden. In einem solchen Fall wird die Flächenseite 11a des Werkstücks 11 an dem Einspanntisch 14 gehalten und die Schneidklinge schneidet in die hintere Seite 11ba. Darüber hinaus können in der obigen Ausführungsform der zweite Halteschritt und der Schneidschritt, ohne dass ein Anbringungsschritt für eine zweite Folie durchgeführt wird, durchgeführt werden.
  • In dem obigen Schneidschritt wird das Schneidfluid 24 von den Düsen 22, die an beiden Seiten der Schneidklinge 20 angeordnet sind, zugeführt. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf eine bestimmte Düsenkonfiguration zum Zuführen des Schneidfluides 24 beschränkt. 6 ist eine seitliche Aufsicht einer Düse zum Zuführen des Schneidfluides 24 entsprechend einem anderen Modus der vorliegenden Erfindung. Wie in 6 gezeigt, beinhaltet eine Schneideinheit 18 zusätzlich zu der Schneidklinge 20 und dem Paar Düsen 22 eine Duschdüse 26, die vor oder hinter der Schneidklinge 20 angeordnet ist.
  • Die Düse 26 macht es einfacher, das Schneidfluid 24 zu der Fuge (Schlitz) 19b oder 19d für ein effektiveres modifizieren des Metalls, das in dem geschichteten Körper 17 enthalten ist, zuzuführen. Insbesondere weist die Düse 26 eine Ausstoßöffnung auf, die geneigt nach unten zu einem Bereich orientiert ist, an dem die Schneidklinge 20 das Werkstück 11 bearbeitet, wie in 6 gezeigt, sodass die Fuge 19b oder 19 d mit einer erhöhten Menge des Schneidfluides 24 zum effektiven Modifizieren des Metalls, das in dem geschichteten Körper 17 enthalten ist, versorgt und gefüllt werden kann, was bevorzugt ist. Obwohl beide die Düsen 22 und die Düse 26 in 6 verwendet werden, können die Düsen 22 weggelassen und nur die Düse 26 alleine verwendet werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden dadurch durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 6349926 [0003]
    • JP 2005 [0003]
    • JP 21940 [0003]

Claims (4)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das an einer hinteren Seite einen geschichteten Körper, der Metall enthält, der in einer überlagernden Beziehung mit projizierten Teilungslinien ausgebildet ist, beinhaltet, die folgenden Schritte umfassend: Halten der hinteren Seite des Werkstücks an einem Haltetisch; danach Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Wellenlänge aufweist, die durch das Werkstück absorbiert werden kann, auf einer Flächenseite davon entlang der projizierten Teilungslinien, um laserbearbeitete Nuten in dem Werkstück auszubilden, die vor dem geschichteten Körper aufhören; und danach Schneiden von Böden der laserbearbeiteten Nuten mit einer Schneidklinge, um das Werkstück zusammen mit dem geschichteten Körper entlang der projizierten Teilungslinien zu teilen; wobei der Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten den Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten beinhaltet, während ein Schneidfluid, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu dem Werkstück zugeführt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, ferner den folgenden Schritt umfassend: vor dem Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten, Bereitstellen eines Schutzelements an der hinteren Seite des Werkstücks; wobei der Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten durchgeführt wird, während die hintere Seite des Werkstücks durch das Schutzelement, das daran bereitgestellt ist, gehalten wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Schneidklinge, die in dem Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten verwendet wird, eine geringere Dicke als die Breite der laserbearbeiteten Nuten aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, ferner den folgenden Schritt umfassend: nach dem Schritt des Aufbringens eines Laserstrahls und vor dem Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten, Bereitstellen eines Schutzelements an der Flächenseite des Werkstücks; wobei der Schritt des Schneidens der Böden der laserbearbeiteten Nuten durchgeführt wird, während die Flächenseite des Werkstücks durch das Schutzelement, das daran bereitgestellt ist, gehalten wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115831736A (zh) * 2023-02-13 2023-03-21 成都万应微电子有限公司 一种半导体材料产品的切割方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10735802B2 (en) * 2015-12-04 2020-08-04 Sharp Kabushiki Kaisha Recovery data with content identifiers
JP6906836B2 (ja) * 2017-01-27 2021-07-21 株式会社ディスコ 積層ドレッシングボードの使用方法
JP2018181902A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 株式会社ディスコ 加工方法
US11289378B2 (en) * 2019-06-13 2022-03-29 Wolfspeed, Inc. Methods for dicing semiconductor wafers and semiconductor devices made by the methods
KR20230045661A (ko) 2021-09-27 2023-04-05 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6349926A (ja) 1986-08-20 1988-03-02 Nec Corp 複数ソ−ト処理の並行実行方式
JP2005021940A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06349926A (ja) 1993-06-12 1994-12-22 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH0955573A (ja) 1995-08-10 1997-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂基板の切削方法
US6310017B1 (en) 1999-02-01 2001-10-30 Ct Associates, Inc. Cleaner composition, method for making and using same
JP3440888B2 (ja) 1999-06-21 2003-08-25 株式会社村田製作所 ダイシングブレード及び電子部品の製造方法
US6280298B1 (en) * 1999-11-24 2001-08-28 Intel Corporation Test probe cleaning
JP2002231658A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Takemoto Denki Seisakusho:Kk 半導体ウエハーの切断方法
US6596562B1 (en) 2002-01-03 2003-07-22 Intel Corporation Semiconductor wafer singulation method
US6791197B1 (en) 2002-08-26 2004-09-14 Integrated Device Technology, Inc. Reducing layer separation and cracking in semiconductor devices
US7855130B2 (en) 2003-04-21 2010-12-21 International Business Machines Corporation Corrosion inhibitor additives to prevent semiconductor device bond-pad corrosion during wafer dicing operations
US7087452B2 (en) 2003-04-22 2006-08-08 Intel Corporation Edge arrangements for integrated circuit chips
JP2005064231A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP2006073690A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP4751634B2 (ja) * 2005-03-31 2011-08-17 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US20080191318A1 (en) 2007-02-09 2008-08-14 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor device and method of sawing semiconductor device
US8629532B2 (en) 2007-05-08 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer with assisting dicing structure and dicing method thereof
JP2009088252A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sharp Corp ウエハのダイシング方法および半導体チップ
JP5122378B2 (ja) * 2008-06-09 2013-01-16 株式会社ディスコ 板状物の分割方法
JP5419596B2 (ja) 2009-09-02 2014-02-19 兼房株式会社 回転工具のための流体供給機構
JP5480923B2 (ja) * 2011-05-13 2014-04-23 シャープ株式会社 半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール
JP2013069814A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2013161998A (ja) 2012-02-07 2013-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
US8952413B2 (en) 2012-03-08 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods
US8859397B2 (en) 2012-07-13 2014-10-14 Applied Materials, Inc. Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch
US9368404B2 (en) * 2012-09-28 2016-06-14 Plasma-Therm Llc Method for dicing a substrate with back metal
US9085049B2 (en) * 2012-11-30 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for manufacturing semiconductor device
JP2015097223A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 三星ダイヤモンド工業株式会社 ウエハ積層体の分断方法並びに分断装置
WO2015113026A2 (en) * 2014-01-27 2015-07-30 Corning Incorporated Edge chamfering by mechanically processing laser cut glass
JP2015138857A (ja) * 2014-01-22 2015-07-30 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6274926B2 (ja) * 2014-03-17 2018-02-07 株式会社ディスコ 切削方法
JP6234312B2 (ja) * 2014-04-11 2017-11-22 株式会社ディスコ 積層基板の加工方法
JP6504750B2 (ja) * 2014-05-07 2019-04-24 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9130057B1 (en) 2014-06-30 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Hybrid dicing process using a blade and laser
JP6426407B2 (ja) * 2014-09-03 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR102457313B1 (ko) * 2014-09-29 2022-10-20 린텍 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 가공용 시트용 기재, 반도체 웨이퍼 가공용 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2016082162A (ja) * 2014-10-21 2016-05-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2016157892A (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US10535554B2 (en) * 2016-12-14 2020-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor die having edge with multiple gradients and method for forming the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6349926A (ja) 1986-08-20 1988-03-02 Nec Corp 複数ソ−ト処理の並行実行方式
JP2005021940A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115831736A (zh) * 2023-02-13 2023-03-21 成都万应微电子有限公司 一种半导体材料产品的切割方法
CN115831736B (zh) * 2023-02-13 2023-05-05 成都万应微电子有限公司 一种半导体材料产品的切割方法

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