DE102018205031A1

DE102018205031A1 - Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges werkstück

Info

Publication number: DE102018205031A1
Application number: DE102018205031.7A
Authority: DE
Inventors: Kenji Takenouchi
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2017-04-04
Filing date: 2018-04-04
Publication date: 2018-10-04
Also published as: SG10201802538VA; US20180286709A1; CN108695247A; TW201838013A; KR20180112696A; JP2018181900A; US10665482B2

Abstract

Hier offenbart ist ein Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das mehrere Teilungslinien und ein Metallelement, das an der Teilungslinie oder in einem Bereich entsprechend der Teilungslinie ausgebildet ist, aufweist. Das Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück beinhaltet einen Halteschritt zum Halten des plattenförmigen Werkstücks an einem Einspanntisch in dem Zustand, in dem das Metallelement nach unten orientiert ist, einen ersten Schneidschritt zum Schneiden des plattenförmigen Werkstücks entlang der Teilungslinie unter Verwendung einer ersten Schneidklinge nach dem Durchführen des Halteschritts, wodurch eine erste geschnittenen Nut ausgebildet wird, welche einen Boden aufweist, der das Metallelement nicht erreicht, und einen zweiten Schneidschritt zum Schneiden des plattenförmigen Werkstücks entlang der ersten geschnittenen Nut unter Verwendung einer zweiten Schneidklinge nach dem Durchführen des ersten Schneidschritts, wodurch eine zweite geschnittenen Nut ausgebildet wird, welche das plattenförmige Werkstück vollständig entlang der Teilungslinie schneidet, sodass das Metallelement geteilt wird. Der zweite Schneidschritt beinhaltet den Schritt des Zuführens eines Schneidfluides, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, auf das plattenförmige Werkstück.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie und ein Metallelement, das an der Teilungslinie oder in einem Bereich entsprechend der Teilungslinie ausgebildet ist, aufweist.
Beschreibung des Stands der Technik
Ein Wafer wie ein Halbleiter-Wafer weist eine vordere Seite, an welcher mehrere Bauelemente so ausgebildet sind, dass sie durch mehrere sich kreuzender Teilungslinien ausgebildet sind, auf. Der Wafer, der folglich diese Bauelemente aufweist, wird entlang der Teilungslinie geschnitten und dadurch in einzelne Bauelementchips geteilt. Es existiert ein Fall, in dem ein Metallfilm an der hinteren Seite des Wafers ausgebildet ist, sodass die elektrische Charakteristik von jedem Bauelement verbessert wird. Jedoch, wenn der Metallfilm durch eine Schneidklinge geschnitten wird, kann die Schneidklinge sich zusetzen. Darüber hinaus, wenn der Wafer durch diese zugesetzte Schneidklinge geschnitten wird, entsteht ein Problem, dass Risse in dem Wafer auftreten können oder die Schneidklinge beschädigt wird.
In einem anderen Fall ist eine TEG (Testelementgruppe) als ein Metallelement in jeder Teilungslinie des Wafers ausgebildet, sodass die elektrischen Charakteristika von jedem Bauelement gemessen werden können. Wenn dieser Wafer, der die TEG aufweist, entlang jeder Teilungslinie durch eine Schneidklinge geschnitten wird, kann sich die Schneidklinge zusetzten. Als ein anderes plattenförmiges Werkstück, das eine Teilungslinie und ein Metallelement aufweist, das an der Teilungslinie ausgebildet ist, ist ein verpacktes Substrat bekannt. Ein verpacktes Substrat weist eine Elektrodenoberfläche auf, in welcher mehrere Elektroden ausgebildet sind. In einem Bearbeitungsverfahren für das verpackte Substrat wird das verpackte Substrat von der Elektrodenoberfläche durch eine Schneidklinge geschnitten und wird dadurch in einzelne Packungen geteilt. Wenn das verpackte Substrat durch die Elektrodenoberfläche mit der Schneidklinge geschnitten wird, existiert ein Problem, dass Grate durch die Elektroden beim Schneiden des verpackten Substrats ausgebildet werden können. Um ein Zusetzen der Schneidklinge zu vermeiden, wurde in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 1997-55573 ein Verfahren zum Schneiden eines Werkstücks, das Metallelektroden aufweist, unter Verwendung eines Sägeblatts mit Carbidspitzen anstelle der Schneidklinge vorgeschlagen.
DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
In dem in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 1997-55573 vorgeschlagenen Schneidverfahren weist das Sägeblatt mit Carbidspitzen keine selbstschärfende Funktion im Gegensatz zu der Schneidklinge auf, sodass die Schärfe des Sägeblatts zu einem Zeitpunkt verringert ist. Entsprechend wird die Wechselfrequenz der Sägeblätter hoch, was eine Reduktion der Bearbeitbarkeit verursacht. Andererseits, wenn das Metallelement, das an dem Werkstück ausgebildet ist, durch eine Schneidklinge geschnitten wird, kann die Schneidklinge sich wie oben beschrieben zusetzen und es entsteht ein anderes Problem, sodass das Metallelement, das durch die Schneidklinge geschnitten wird, verlängert wird, was die Ausbildung von Graten oder das Auftreten von Verzug verursacht. Im Allgemeinen, wenn die Zufuhrgeschwindigkeit erhöht wird, wird eine Schneidlast erhöht und eine Bearbeitungswärme, die beim Schneiden des Werkstücks auftritt, ist erhöht, was in einer Erhöhung des Grats und des Verzugs resultiert. Entsprechend ist es schwierig, die Zufuhrgeschwindigkeit bei einer Verhinderung der Abnahme der Bearbeitungsqualität zu erhöhen.
Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie und ein Metallelement aufweist, das an der Teilungslinie oder in einem Bereich entsprechend der Teilungslinie ausgebildet ist, bereitzustellen, bei welchem die Zufuhrgeschwindigkeit durch dieses Verfahren im Vergleich mit dem Stand der Technik erhöht werden kann.
In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie und ein Metallelement, das an der Teilungslinie oder in einem Bereich entsprechend der Teilungslinie ausgebildet ist, aufweist, bereitgestellt, wobei das Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück einen Halteschritt zum Halten des plattenförmigen Werkstücks an einem Einspanntisch in einem Zustand, in dem das Metallelement nach unten orientiert ist; einen ersten Schneidschritt zum Schneiden des plattenförmigen Werkstücks entlang der Teilungslinie unter Verwendung einer ersten Schneidklinge nach einem Durchführen des Halteschritts, wodurch eine erste geschnittenen Nut ausgebildet wird, die einen Boden der das Metallelement nicht erreicht aufweist; und einen zweiten Schneidschritt zum Schneiden des plattenförmigen Werkstücks entlang der ersten geschnittenen Nut unter Verwendung einer zweiten Schneidklinge nach dem Durchführen des ersten Schneidschritts, wodurch eine zweite Nut ausgebildet wird, die das plattenförmige Werkstück entlang der Teilungslinie vollständig schneidet, sodass das Metallelement geteilt wird; wobei der zweite Schneidschritt den Schritt zum Zuführen eines Schneidfluides beinhaltet, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, auf das plattenförmige Werkstück.
Entsprechend dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung wird das plattenförmige Werkstück in zwei Schritten in seiner Dickenrichtung unter Verwendung einer ersten und zweiten Schneidklinge geschnitten. Entsprechend kann die Dicke des Werkstücks, das geschnitten werden soll, in jedem Schritt reduziert werden, sodass die Bearbeitungsgeschwindigkeit (Zufuhrgeschwindigkeit) beim Schneiden des Werkstücks im Vergleich zu dem Fall des vollständigen Schneidens des Werkstücks in einem Schritt erhöht werden kann. Ferner beim Durchführen des zweiten Schneidschritts wird ein Schneidfluid, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, zu dem Werkstück zugeführt. Entsprechend wird das Metall, das an dem Werkstück vorliegt, durch die organische Säure, die in dem Schneidfluid beinhaltet ist, modifiziert, sodass die Duktilität des Metalls verringert wird, wodurch das Auftreten von Graten verhindert wird. Darüber hinaus wird die Eigenschaft an der Oberfläche des Metallelements durch das Oxidationsmittel, das in dem Schneidfluid enthalten ist, geändert, sodass die Duktilität des Metallelements verloren geht, wodurch ein einfaches Schneiden verursacht wird, wodurch die Bearbeitbarkeit verbessert wird.
Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.
Figurenliste

1A ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiter-Wafers, von seiner vorderen Seite betrachtet;
1B ist eine Schnittansicht des Halbleiter-Wafers, der in 1 gezeigt ist;
2 ist eine perspektivische Ansicht einer Wafer-Einheit, die durch Tragen des Halbleiter-Wafers durch ein Teilungsband an einem ringförmigen Rahmen ausgestaltet ist;
3A ist eine partielle Schnittansicht, die einen ersten Schneidschritt zeigt;
3B ist eine vergrößerte Schnittansicht des Halbleiter-Wafers, der durch den ersten Schneidschritt bearbeitet wurde;
4A ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen zweiten Schneidschritt in dem Fall der Verwendung der gleichen Schneidklinge, wie der die in dem ersten Schneidschritt verwendet wurde, zeigt;
4B ist eine Ansicht ähnlich zu Fig. 4A, die den Fall der Verwendung einer Schneidklinge zeigt, die eine kleinere Dicke als die Schneidklinge aufweist, die in dem ersten Schneidschritt verwendet wird; und
5 ist eine seitliche Ansicht, die ein Düsenmittel zum Zuführen eines Schneidfluides in dem zweiten Schneidschritt entsprechend einer Modifikation zeigt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden jetzt detailliert mit Bezug zu den Figuren beschrieben. Mit Bezug zu 1A ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiter-Wafers (der im Folgenden manchmal einfach als Wafer bezeichnet wird) 11 gezeigt. Wie in 1A gezeigt weist der Halbleiter-Wafer 11 eine vordere Seite 11a und eine hintere Seite 11b auf. In 1A ist die vordere Seite 11a des Halbleiter-Wafers 11 gezeigt. 1B ist eine Schnittansicht des Halbleiter-Wafers. Mehrere sich kreuzende Teilungslinien 13 sind an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet, um dadurch mehrere getrennte Bereiche auszubilden, an denen mehrere Bauelemente 15 wie LSIs (large scale integrated circuits) ausgebildet sind. Insbesondere sind die mehreren Teilungslinien 13 aus mehreren parallelen Teilungslinien ausgebildet, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, und mehreren parallelen Teilungslinien ausgebildet, die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken. Wie in 1B gezeigt, ist ein Metallfilm 21 aus Kupfer (Cu) oder Aluminium (Al) zum Beispiel an der hinteren Seite 11b des Wafers 11 ausgebildet. Mit Bezug zu 2A ist eine perspektivische Ansicht einer Wafer-Einheit 17 gezeigt, die durch Tragen des Wafers 11 durch ein Teilungsband T an einem ringförmigen Rahmen F ausgestaltet ist. In dem Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Wafer 11 in der Form der Wafer-Einheit 17, die in 2 dargestellt ist, bearbeitet. Insbesondere ist die hintere Seite 11b des Wafers 11 an dem Teilungsband T in seinem zentralen Abschnitt angebracht und der umfängliche Abschnitt des Teilungsbands T ist an dem ringförmigen Rahmen F angebracht.
In dem Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform wird zuerst ein Halteschritt durchgeführt, um den Wafer 11 durch das Teilungsband T an einem Einspanntisch 12 einer Schneidvorrichtung unter einem Saugen in dem Zustand zu halten, in dem der Metallfilm 21, der an der hinteren Seite 11b des Wafers 11 ausgebildet ist, nach unten orientiert ist, wie in 3A gezeigt. Ferner ist der ringförmige Rahmen F durch mehrere Klemmen 14, die an dem äußeren Umfang des Einspanntischs 12, wie in 3A gezeigt, bereitgestellt sind, fixiert. Entsprechend wird der Wafer 11 durch das Teilungsband T an dem Einspanntisch 12 in dem Zustand gehalten, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 freiliegt. In diesem Zustand wird ein erster Schneidschritt durchgeführt, um den Wafer 11 von der vorderen Seite 11a entlang der Teilungslinien 13 unter Verwendung einer Schneidklinge 18 als eine erste Schneidklinge zu schneiden, wodurch eine erste geschnittenen Nut 23, deren Boden den Metallfilm 21 nicht erreicht, entlang jeder Teilungslinie 13 ausgebildet wird, wie in 3A gezeigt.
Vor dem Durchführen des ersten Schneidschritts wird ein Ausrichtungsschritt, der im Stand der Technik bekannt ist, unter Verwendung einer Bildeinheit (nicht dargestellt) durchgeführt, die in der Schneidvorrichtung beinhaltet ist. D. h., dass die Bildeinheit betätigt wird, um die vordere Seite 1a des Wafers 11, der an dem Einspanntisch 12 gehalten ist, bildlich aufzunehmen. Entsprechend einem Bild, das durch die Bildeinheit erhalten wird, wird die Schneidklinge 18, die an dem vorderen Ende einer Spindel 16 montiert ist, mit einer der Teilungslinien 13, die ein Ziel ist, ausgerichtet. Nach dem Durchführen dieses Ausrichtungsschritts wird ein erster Schneidschritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass die Schneidklinge 18 mit einer hohen Geschwindigkeit gedreht wird und relativ entlang der Zielteilungslinie 13 bewegt wird, um den Wafer 11 von der vorderen Seite 11a entlang der Zielteilungslinie 13 zu schneiden, wodurch die erste geschnittene Nut 23 entlang der Zielteilungslinie 13 ausgebildet wird, wobei die erste geschnittenen Nut 23 einen Boden aufweist, der den Metallfilm 21 nicht erreicht, der an der hinteren Seite als 1b des Wafers 11 ausgebildet ist.
Dieser erste Schneidschritt wird wiederholt entlang allen Teilungslinien 13, die sich in der ersten Richtung erstrecken, durchgeführt, während die Schneidklinge 18 um den Abstand der Teilungslinien 13 versetzt wird. Danach wird der Einspanntisch 12 um 90° gedreht, um den ersten Schneidschritt entlang all den anderen Teilungslinien 13, die sich in der zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken, ähnlich durchzuführen. 3B ist eine vergrößerte Schnittansicht des Wafers 11, der durch den ersten Schneidschritt bearbeitet wird.
Wie in 3B gezeigt bleibt ein ungeschnittener Abschnitt 27 zwischen dem Boden von jeder ersten geschnittenen Nut 23 und der unteren Oberfläche des Metallfilms 21 über. Während die Dicke dieses ungeschnittenen Abschnitts 27 nicht besonders beschränkt ist, ist die Dicke dieses ungeschnittenen Abschnitts 27 vorzugsweise auf ungefähr 20-30 µm unter Beachtung der Handhabbarkeit der folgenden Schritte gesetzt.
Nach dem Durchführen des ersten Schneidschritts wird ein zweiter Schneidschritt durchgeführt, um den Wafer 11 entlang jeder ersten geschnittenen Nut 23 unter Verwendung einer zweiten Schneidklinge zu schneiden, wodurch eine zweite geschnittene Nut ausgebildet wird, welche den Wafer 11 vollständig entlang jeder Teilungslinie 13 schneidet, sodass der Metallfilm 21 geteilt wird. In diesem zweiten Schneidschritt wird ein Schneidfluid, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, zu dem Wafer 11 zugeführt. 4A zeigt eine erste bevorzugte Ausführungsform des zweiten Schneidschritts. In der ersten bevorzugten Ausführungsform, die in 4A gezeigt ist, wird die gleiche Schneidklinge 18 wie die verwendet, die in dem ersten Schneidschritt verwendet wird, um eine zweite geschnittene Nut 26, die den Wafer 11 vollständig entlang der ersten geschnittenen Nut 23, die vorher ausgebildet wurde, schneidet, auszubilden. Wie in 4A gezeigt, ist ein Paar Düsen 20 für ein Schneidfluid an beiden Seiten der Schneidklinge 18 bereitgestellt, sodass ein Schneidfluid 22, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, auf den Wafer 11 zugeführt wird. D. h., dass der Wafer 11 entlang jeder ersten geschnittenen Nut 23 durch die Schneidklinge 18 während eines Zuführens des Schneidfluides 22, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, auf den Wafer 11 in einer solchen Weise geschnitten wird, dass die untere Kante der Schneidklinge 18 den Boden einer jeden ersten geschnittenen Nut 23 schneidet, bis das Teilungsband T erreicht wird, und dass der Einspanntisch 12, der den Wafer 11 durch das Teilungsband hält, zugeführt wird. Als ein Ergebnis wird die zweite geschnittenen Nut 26 so ausgebildet, dass sie den Wafer 11 vollständig in einer solchen Weise schneidet, dass der Metallfilm 21, der an der hinteren Seite 11b (untere Oberfläche) des Wafers 11 ausgebildet ist, durch die zweite geschnittene Nut 26 geteilt wird. Entsprechend weist die zweite geschnittene Nut 26 dieselbe Breite wie die der ersten geschnittenen Nut 23 in der ersten bevorzugten Ausführungsform auf.
Als die organische Säure können Aminosäuren verwendet werden. Beispiele der hier verwendbaren Aminosäuren umfassen Glycin, Dihydroxyethylglycin, Glycylglycin, Hydroxyethylglycin, N-Methylglycin, β-Alanin, L-Alanin, L-2-Aminobuttersäure, L-Norvalin, L-Valin, L-Leucin, L-Norleucin, L-Alloisoleucin, L-Isoleucin, L-Phenylalanin, L-Prolin, Sarcosin, L-Ornithin, L-Lysin, Taurin, L-Serin, L-Threonin, L-Allothreonin, L-Homoserin, L-Thyroxin, L-Tyrosin, 3,5-Diiodo-L-tyrosin, β-(3,4-Dihydroxyphenyl)-L-Alanin, 4-Hydroxy-L-Prolin, L-Cystein, L-Methionin, L-Ethionin, L-Lanthionin, L-Cystathionin, L-Cystin, L-Cystinsäure, L-Glutaminsäure, L-Asparaginsäure, S-(Carboxymethyl)-L-Cystein, 4-Aminobuttersäure, L-Asparagin, L-Glutamin, Azaserin, L-Canavanin, L-Citrullin, L-Arginin, δ-Hydroxy-L-Lysin, Kreatin, L-Kynurenin, L-Histidin, 1-Methyl-L-Histidin, 3-Methyl-L-Histidin, L-Tryptophan, Actinomycin C1, Ergothionein, Apamin, Angiotensin I, Angiotensin II, Antipain usw. Unter anderem sind Glycin, L-Alanin, L-Prolin, L-Histidin, L-Lysin, und Dihydroxyethylglycin besonders bevorzugt.
Auch können Aminopolysäuren als die organische Säure verwendet werden. Beispiele der hier verwendbaren Aminopolysäuren umfassen Iminodiessigsäure, Nitrilotriessigsäure, Diethylentriaminpentaessigsäure, Ethylendiamintetraessigsäure, Hydroxyethyliminodiessigsäure, Nitrilotrismethylenphosphonsäure, Ethylendiamin-N,N,N',N'-tetramethylensulfonsäure, 1,2-Diaminopropantetraessigsäure, Glycoletherdiamintetraessigsäure, Transcyclohexandiamintetraessigsäure, Ethylendiamineorthohydroxyphenylessigsäure, Ethylendiamindibernsteinsäure (SS isomer), β-Alanindiessigsäure, N-(2-Carboxyatoethyl)-L-Asparaginsäure, N-N'-Bis(2-Hydroxybenzyl)ethylendiamin-N,N'-diessigsäure usw.
Ferner können Carbonsäuren als die organische Säure verwendet werden. Beispiele der hier verwendbaren Carbonsäuren umfassen gesättigte Carbonsäuren wie Ameisensäure, Glycolsäure, Propionsäure, Essigsäure, Buttersäure, Valeriansäure, Capronsäure, Oxalsäure, Malonsäure, Glutarsäure, Adipinsäure, Äpfelsäure, Bernsteinsäure, Pimelinsäure, Mercaptoessigsäure, Glyoxylsäure, Chloressigsäure, Brenztraubensäure, Acetessigsäure usw., ungesättigte Carbonsäuren wie Acrylsäure, Methacrylsäure, Crotonsäure, Fumarsäure, Maleinsäure, Mesaconsäure, Citraconsäure, Aconitsäure usw. und zyklische ungesättigte Carbonsäuren wie Benzoesäure, Toluylsäure, Phthalsäure, Naphthoesäuren, Pyromellithsäure, Naphthalsäure usw.
Als Oxidationsmittel können dort, zum Beispiel, Wasserstoffperoxid, Peroxide, Nitrate, Iodate, Periodate, Hypochlorite, Chlorite, Chlorate, Perchlorate, Persulfate, Dichromate, Permanganate, Cerate, Vanadate, ozonisiertes Wasser, Silber(II) Salze, Eisen(III) Salze, und ihre organischen Komplexsalze verwendet werden.
Darüber hinaus kann ein Korrosionsschutz in dem Schneidfluid 22 gemischt werden. Mischen des Korrosionsschutzes ermöglicht es Korrosion (Elution) des Metalls, das in dem verpackten Substrat 2 beinhaltet ist, zu verhindern. Als Korrosionsschutz wird dort bevorzugt eine heterocyclische Ringverbindung verwendet, die wenigstens drei Stickstoffatome in ihrem Molekül hat und eine fusionierte Ringstruktur hat oder eine heterocyclische aromatische Ringverbindung, die wenigstens vier Stickstoffatome in ihrem Molekül hat. Ferner umfasst die aromatische Ringverbindung bevorzugt eine Carboxygruppe, Sulfogruppe, Hydroxygruppe, oder Alkoxygruppe. Spezifisch bevorzugte Beispiele der aromatischen Ringverbindung umfassen Tetrazolderivate, 1,2,3-Triazolderivate und 1,2,4-Triazolderivate.
Beispiele der Tetrazolderivate, die als Korrosionsschutz verwendbar sind, umfassen solche, die keine Substituentengruppe an den Stickstoffatomen, die den Tetrazolring bilden, haben und die eingefügt an der 5-Position des Tetrazols eine Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe oder einer Alkylgruppe, die mit wenigstens einer Substituentengruppe subsituiert ist, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe haben.
Beispiele der 1,2,3-Triazolderivate, die als Korrosionsschutz verwendbar sind, umfassen solche, die keine Substituentengruppe an den Stickstoffatomen, die den 1,2,3-Triazolring bilden, haben und die, eingefügt an der 4-Position und/oder der 5-Position des 1,2,3-triazol, eine Substituentengruppe haben, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgrupe und einer Sulfonamidgruppe, oder einer Alkyl- oder Arylgruppe, die mit wenigstens einer Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe, subsitutiert ist.
Darüber hinaus umfassen Beispiele der 1,2,4-Triazolderivate, die als Korrosionsschutz verwendbar sind, solche, die keine Substituentengruppe an den Stickstoffatomen, die den 1,2,4-Triazolring bilden und die, eingefügt an der 2-Position und/oder der 5-position des 1,2,4-Triazols, eine Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Sulfogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe oder eine Alkyl- oder Arylgruppe, die mit wenigstens einer Substituentengruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend auseiner Hydroxygruppe, einer Carboxygruppe, einer Sulfogruppe, einer Aminogruppe, einer Carbamoylgruppe, einer Carbonamidgruppe, einer Sulfamoylgruppe und einer Sulfonamidgruppe subsitutiert, haben.
Wie oben beschrieben, wird das Schneidfluid 22, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, von den Düsen 20 für ein Schneidfluid in dem zweiten Schneidschritt zugeführt. Entsprechend wird das Metall, das den Metallfilm 21 ausbildet, durch die organische Säure, die in dem Schneidfluid 22 beinhaltet ist, modifiziert, sodass die Duktilität des Metalls gesenkt werden kann, um dadurch das Auftreten von Graten zu verhindern. Darüber hinaus wird die Eigenschaft der Oberfläche des Metallfilms 21 durch das Oxidationsmittel, das in dem Schneidfluid 22 beinhaltet ist, geändert, sodass die Duktilität des Metallfilms 21 verloren geht, wodurch der Effekt, dass der Metallfilm 21 geschnitten werden kann, um die Bearbeitbarkeit zu verbessern, erhalten wird.
Dieser zweite Schneidschritt wird wiederholt entlang all den Teilungslinien 13, die sich in der ersten Richtung erstrecken, durchgeführt, während die Schneidklinge 18 um den Abstand der Teilungslinien 13 versetzt wird. Danach wird der Einspanntisch 12 um 90° gedreht, um ähnlich den zweiten Schneidschritt entlang all den anderen Teilungslinien 13, die sich in der zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken, durchzuführen. Folglich kann der Wafer 11 in einzelne Bauelementchips, die jeweils den Metallfilm 21 an der hinteren Seite aufweisen, aufgeteilt werden.
Mit Bezug zu 4B ist eine zweite bevorzugte Ausführungsform des zweiten Schneidschritts gezeigt. In der zweiten bevorzugten Ausführungsform, die in 4B gezeigt ist, wird eine Schneidklinge 18A, die eine geringere Dicke als die Schneidklinge 18, die in dem ersten Schneidschritt verwendet wird, aufweist, als die zweite Schneidklinge verwendet, um dadurch eine zweite geschnittene Nut 25 auszubilden, die den Wafer 11 vollständig entlang jeder ersten geschnittenen Nut 23, die vorher ausgebildet wurde, schneidet. Entsprechend weist die zweite geschnittene Nut 25, die in 4B gezeigt ist, eine kleinere Breite als die der ersten Nut 23, d. h. kleiner als die der zweiten geschnittene Nut 26, die in 4A gezeigt ist, auf. Wie in 4B gezeigt, wird der Wafer 11 entlang jeder ersten geschnittenen Nut 23 durch die Schneidklinge 18A geschnitten, während das Schneidfluid 22, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel beinhaltet, zu dem Wafer 11 in einer solchen Weise zugeführt wird, dass die untere Kante der Schneidklinge 18 den Boden einer jeden ersten geschnittenen Nut 23 entlang ihrem Zentrum schneidet, bis das Teilungsband T erreicht wird, und dass der Einspanntisch 12, der den Wafer 11 durch das Teilungsband T hält, zugeführt wird. Als ein Ergebnis wird die zweite geschnittenen Nut 25 so ausgebildet, dass sie den Wafer 11 vollständig in einer solchen Weise schneidet, dass der Metallfilm 21, der an der hinteren Seite 11b (untere Oberfläche) des Wafers 11 ausgebildet ist, durch die zweite geschnittenen Nut 25 geteilt wird.
Dieser zweite Schneidschritt wird wiederholt entlang all den anderen Teilungslinien 13, die sich in der ersten Richtung erstrecken, durchgeführt, während die Schneidklinge 18A um den Abstand der Teilungslinien 13 versetzt wird. Danach wird der Einspanntisch 12 um 90° gedreht, um den zweiten Schneidschritt entlang all den anderen Teilungslinien 13, die sich in der zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken, durchzuführen. Folglich kann der Wafer 11 in einzelne Bauelementchips geteilt werden, die jeweils in Metallfilm 21 an der hinteren Seite aufweist.
Während das Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung an dem Halbleiter-Wafer 11 angewendet wird, der den Metallfilm 21 an der hinteren Seite 11b in der oben bevorzugten Ausführungsform aufweist, ist die vorliegende Erfindung nicht auf ein solches Werkstück beschränkt. Zum Beispiel kann das Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung auch bei einem Wafer angewendet werden, der eine TEG (Testelementgruppe), die an jeder Teilungslinie an der vorderen Seite ausgebildet ist, oder einem verpackten Substrat, das Elektroden an jeder Teilungslinie an der vorderen Seite ausgebildet aufweist, angewendet werden. Ferner während das Schneidfluid 22 von dem Paar Düsen 20, die an beiden Seiten der Schneidklinge 18 oder 18A liegen in dem zweiten Schneidschritt zugeführt werden, kann jedes Düsenmittel, das dazu in der Lage ist, das Schneidfluid 22 zuzuführen, in der vorliegenden Erfindung angepasst werden.
5 ist eine seitliche Ansicht einer Schneideinheit 6, die ein solches Düsenmittel beinhaltet, das dazu geeignet ist, das Schneidfluid 22 entsprechend einer Modifikation zuzuführen. Wie in 5 gezeigt beinhaltet die Schneideinheit 6 eine Düse (Duschdüse) 24 zum Zuführen des Schneidfluides 22 zusätzlich zu der Schneidklinge 18 und dem Paar Düsen 20. Die Düse 24 liegt an der vorderen Seite der Schneidklinge 18 in ihrer Schneidrichtung (Zufuhrrichtung). Durch Zuführen des Schneidfluides 22 von der Düse 24 kann das Schneidfluid 22 einfach in die erste geschnittene Nut zugeführt werden, sodass der Metallfilm 21 effektiv durch das Schneidfluid 22 modifiziert werden kann. Insbesondere ist die Düsenöffnung der Düse 24 vorzugsweise nach oben geneigt ausgerichtet zum Beispiel zu der Arbeitsposition, in welcher die Schneidklinge 18 das Werkstück schneidet) wie in 5 gezeigt. Mit dieser Konfiguration kann der Metallfilm 21 effektiver durch das Schneidfluid 22 modifiziert werden.
Während das Paar Düsen 20 und die Düse 24 verwendet werden, um das Schneidfluid 22 in der Modifikation, die in 5 gezeigt ist, zuzuführen, kann auch nur die Düse 24 verwendet werden, um das Schneidfluid 22 zuzuführen.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden dadurch durch die Erfindung umfasst.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 9055573 [0003, 0004]

Claims

Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks, das eine Teilungslinie und ein Metallelement, das an der Teilungslinie oder in einem Bereich entsprechend der Teilungslinie ausgebildet ist, aufweist, wobei das Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück umfasst: einen Halteschritt zum Halten des plattenförmigen Werkstücks an einem Einspanntisch in dem Zustand, in dem das Metallelement nach unten orientiert ist; einen ersten Schneidschritt zum Schneiden des plattenförmigen Werkstücks entlang der Teilungslinie unter Verwendung einer ersten Schneidklinge nach dem Durchführen des Halteschritts, wodurch eine erste geschnittene Nut ausgebildet wird, welche einen Boden aufweist, der das Metallelement nicht erreicht; und einen zweiten Schneidschritt zum Schneiden des plattenförmigen Werkstücks entlang der ersten geschnittenen Nut unter Verwendung einer zweiten Schneidklinge nach dem Durchführen des ersten Schneidschritts, wodurch eine zweite geschnittene Nut, welche das plattenförmige Werkstück vollständig entlang der Teilungslinie schneidet, sodass das Metallelement geteilt wird, ausgebildet wird; wobei der zweite Schneidschritt den Schritt des Zuführens eines Schneidfluides, das eine organische Säure und ein Oxidationsmittel enthält, auf das plattenförmige Werkstück beinhaltet.
Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück nach Anspruch 1, wobei die zweite Schneidklinge die gleiche wie die erste Schneidklinge ist.
Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück nach Anspruch 1, wobei die zweite Schneidklinge eine Dicke aufweist, die kleiner als die der ersten Schneidklinge ist.