DE102015219852A1 - Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents
Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung und Verfahren zur Herstellung desselben Download PDFInfo
- Publication number
- DE102015219852A1 DE102015219852A1 DE102015219852.9A DE102015219852A DE102015219852A1 DE 102015219852 A1 DE102015219852 A1 DE 102015219852A1 DE 102015219852 A DE102015219852 A DE 102015219852A DE 102015219852 A1 DE102015219852 A1 DE 102015219852A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pair
- spacers
- terminal
- horizontal
- power module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 138
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 72
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 30
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/20845—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for automotive electronic casings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3731—Ceramic materials or glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
- H01L23/4924—Bases or plates or solder therefor characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83447—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/83486—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2224/83487—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
- H01L2924/15159—Side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Ein Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung kann enthalten: einen Anschluss am unteren Ende, mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips, die am Anschluss am unteren Ende installiert sind, mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter, die an dem mindestens einen Paar Leistungs-Halbleiterchips angebracht sind, einen Anschluss am oberen Ende, der an dem mindestens einen Paar waagrechter Abstandshalter installiert ist, und mindestens ein Paar senkrechte Abstandshalter, die zwischen dem Anschluss am oberen Ende und dem Anschluss am unteren Ende angeordnet sind.
Description
- HINTERGRUND DER OFFENBARUNG
- Technisches Gebiet
- Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen allgemein ein Leistungsmodul eines Inverters für ein Fahrzeug und insbesondere ein Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung mit einem Abstandshalter, der eine Struktur und/oder Form hat, mit der eine mechanische Halterung und/oder ein elektrischer Anschluss unter Berücksichtigung der Isolierung durch Aufbringen eines keramischen Substrats auf einer Fläche, die mit einer zweiseitigen Kühleinrichtung in Kontakt steht, zur elektrischen Isolierung eines Leistungsmoduls erreicht werden können und ein Herstellungsverfahren dafür.
- Beschreibung der verwandten Technik
- Im Allgemeinen verwenden umweltfreundliche Fahrzeuge einen Elektromotor als Antriebsmittel. Der typische Elektromotor wird durch Phasenstrom angetrieben, der über ein Versorgungskabel von einem Inverter geliefert, der eine Gleichspannung durch ein Impulsbreiten-Modulationssignal (PWM) von einer Steuerung in eine Dreiphasenwechselspannung wandelt. Außerdem ist der Inverter mit einem Leistungsmodul verbunden, das von einer Batterie mit Gleichspannung (DC) versorgt wird und Energie zum Antrieb des Elektromotors liefert.
- Im Allgemeinen ist ein Leistungsmodul so konfiguriert, dass sechs oder drei Phasen in einem Block integriert sind. Da ein Leistungsmodul aufgrund der Spannungsversorgung Wärme erzeugt, werden bei dem Leistungsmodul verschiedene Konzepte zur Kühlung der erzeugten Wärme angewendet, um einen stabilen Betrieb zu erreichen.
-
1 ist eine Schnittansicht eines Leistungsmoduls mit einer normalen an beiden Seiten angeordneten Kühlung. Wie aus1 ersichtlich ist, sind oben und unten Kupferplatten120 angeordnet, an deren Enden Stromanschlüsse110 ausgebildet sind, und ein Chip130 ist mit einem Signalanschluss160 über einen Draht140 verbunden. Ein Abstandshalter150 ist zwischen dem Chip130 und der Kupferplatte120 angeordnet. - Wenn das Leistungsmodul wie in
1 dargestellt konfiguriert ist, ist die interne Schaltungskonfiguration kompliziert, so dass es schwierig ist, mehr als einen von sechs Schaltern einer Inverterschaltung zu implementieren. Da außerdem an der Außenseite keine elektrische Isolierungsbehandlung erfolgt, muss eine eigene Isolierfolie mit niedriger Wärmeleitfähigkeit (z. B. ca. 5 bis 10 W/mK) oder dgl. angebracht werden, so dass sich die thermischen Eigenschaften verschlechtern. Ferner wird üblicherweise Drahtbonden zum Anschließen des Chips an den Signalanschluss angewendet, so dass zur Überbrückung einer solchen Höhe eine Struktur mit großer Breite benötigt wird. - ZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
- Es wird ein Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung bereitgestellt, das die Kühlleistung und die Zuverlässigkeit verbessern kann, indem es die Wärmestrahlung in zwei Richtungen fördert. Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind auf ein Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung mit verbesserter Kühlleistung und Zuverlässigkeit gerichtet, indem die Wärmestrahlung in zwei Richtungen und ein Herstellungsverfahren dafür implementiert werden. Ferner sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung auf ein Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung gerichtet, das eine Vereinfachung des Prozesses erreichen und die Senkung der Herstellungskosten durch einen verbesserten Herstellungsprozess kann erzielen kann sowie ein Herstellungsverfahren dafür.
- Andere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Offenbarung erschließen sich aus der folgenden Beschreibung und werden anhand der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung deutlich. Außerdem ist es für den Fachmann, an den sich die vorliegende Offenbarung richtet, offensichtlich, dass die vorliegende Offenbarung durch die beanspruchten Mittel und deren Kombinationen verwirklicht werden kann.
- Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält ein Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung: einen Anschluss am unteren Ende; mindestens ein Paar Leistungs-Halbleiterchips, die am Anschluss am unteren Ende installiert sind; mindestens ein Paar waagrechte Abstandshalter, die an dem mindestens einem Paar Leistungs-Halbleiterchips angebracht sind; einen Anschluss am oberen Ende, der an dem mindestens einem Paar waagrechter Abstandshalter installiert ist; und mindestens ein Paar senkrechte Abstandshalter, die zwischen dem Anschluss am oberen Ende und dem Anschluss am unteren Ende angeordnet sind.
- In diesem Fall kann das mindestens ein Paar senkrechte Abstandshalter zur Einstellung der Höhe zwischen dem Anschluss am oberen Ende und dem Anschluss am unteren Ende konfiguriert sein.
- Außerdem kann das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter für die elektrische Verbindung des Anschlusses am oberen Ende mit dem Anschluss am unteren Ende konfiguriert sein.
- Außerdem können das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter und das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter aus einem leitfähigen keramischen Material bestehen.
- Außerdem kann das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter mit einer Neigung konfiguriert sein, so dass ein Bereich des mindestens einen Paares waagrechter Abstandshalter, der mit dem Anschluss am oberen Ende in Kontakt steht, breiter sein kann als ein Bereich des mindestens einen Paares waagrechter Abstandshalter, der mit dem mindestens einen Paar Leistungs-Halbleiterchips in Kontakt steht.
- Außerdem kann der Anschluss am oberen Ende enthalten: eine erste Kupferplatte, die zur Bildung eines Ausgangsanschlusses und eines Elektrodenanschlusses konfiguriert ist; eine zweite Kupferplatte, die zum Kontakt durch eine externe Komponente konfiguriert ist; und eine leitfähige Keramikplatte, die zwischen der ersten Kupferplatte und der zweiten Kupferplatte angeordnet ist.
- Außerdem kann der Anschluss am unteren Ende enthalten: eine erste Kupferplatte, die zur Bildung eines Ausgangsanschlusses und zweier Elektrodenanschlüsse konfiguriert ist, wobei der Ausgangsanschluss dazwischen angeordnet ist; eine zweite Kupferplatte, die zum Kontakt durch eine externe Komponente konfiguriert ist; und eine leitfähige Keramikplatte, die zwischen der ersten Kupferplatte und der zweiten Kupferplatte angeordnet ist.
- Außerdem kann der Anschluss am oberen Ende oder der Anschluss am unteren Ende aus Direct-Bond-Kupfer (DBC) bestehen.
- Außerdem kann das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips so konfiguriert sein, das es einen Halbleiterchip-Abschnitt und einen Diodenchip-Abschnitt enthält, und das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter kann ein Paar Abstandshalter enthalten, die zum Halbleiterchip-Abschnitt bzw. zum Diodenchip-Abschnitt weisen.
- Alternativ kann das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips so konfiguriert sein, dass es einen Halbleiterchip-Abschnitt und einen Diodenchip-Abschnitt enthält, und das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter kann einen Abstandshalter mit vereinheitlichter Form enthalten, der sowohl zum Halbleiterchip-Abschnitt als auch zum Diodenchip-Abschnitt weist.
- Außerdem kann das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter so konfiguriert sein, dass es Elektrodenanschlüsse oder Ausgangsanschlüsse mit gleicher Polarität miteinander verbindet.
- Außerdem können das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips und der Anschluss am oberen Ende, das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter und das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips und das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter und der Anschluss am oberen Ende jeweils mittels Weichlöten aneinander befestigt sein.
- Außerdem kann das Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung ferner ein Gehäuse enthalten, das durch Formen in einem Zustand konfiguriert ist, indem der Anschluss am unteren Ende, das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips, das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter, der Anschluss am oberen Ende und das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter installiert worden sind.
- Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung: Herstellen eines Anschlusses am unteren Ende; Anbringen mindestens eines Paares Leistungs-Halbleiterchips am Anschluss am unteren Ende; Anbringen mindestens eines Paares waagrechte Abstandshalter an dem mindestens einem Paar Leistungs-Halbleiterchips; Anbringen mindestens eines Paares senkrechte Abstandshalter in einem vorgegeben Abstand von dem mindestens einen Paar waagrechten Abstandshaltern; und Anbringen am Anschluss am oberen Ende an dem mindestens einem Paar waagrechte Abstandshalter und dem mindestens einem Paar senkrechte Abstandshalter. Das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter kann zwischen dem Anschluss am oberen Ende und dem Anschluss am unteren Ende angeordnet sein.
- In diesem Fall kann das Verfahren das Befestigen des mindestens einen Paares Leistungs-Halbleiterchips und des Anschlusses am oberen Ende, des mindestens einen Paares waagrechter Abstandshalter und des mindestens einen Paares Leistungs-Halbleiterchips bzw. des mindestens einen Paares waagrechter Abstandshalter und des Anschlusses am oberen Ende aneinander mittels eines Weichlötverfahrens enthalten.
- Außerdem kann das Verfahren ferner das Ausbilden eines Gehäuses durch Formen in einem Zustand enthalten, in dem der Anschluss am unteren Ende, das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips, das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter, der Anschluss am oberen Ende und das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter installiert worden sind.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine Schnittansicht eines Leistungsmoduls mit einer normalen an zwei Seiten angeordneten Kühlung; -
2 ist eine Schnittansicht eines Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; -
3 ist ein Äquivalent-Schaltschema des Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung von2 ; -
4 ist eine Draufsicht einer internen Auslegung des Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung von3 ; -
5 ist eine Draufsicht eines Beispiels einer internen Auslegung des Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung von2 ; -
6A ist eine Draufsicht eines anderen Beispiels einer internen Auslegung des Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung von2 ; -
6B ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' in6A ; -
7 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem Wärmedehnungskoeffizienten und dem Verformungsgrad des Weichlots entsprechend den Materialien eines Abstandshalters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt; -
8 ist eine Ansicht eines ersten Beispiels einer Form für einen Abstandshalter von6A ; -
9 ist eine Ansicht eines zweiten Beispiels einer Form für einen Abstandshalter von6A ; -
10 ist eine Ansicht eines dritten Beispiels einer Form für einen Abstandshalter von6A ; und -
11 ist ein Flussdiagramm einer Prozedur zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen ausführlicher beschrieben. Die vorliegende Offenbarung kann jedoch auf unterschiedliche Weise verwirklicht werde und ist nicht dahingehend auszulegen, dass sie auf die hierin angegebenen Ausführungsformen beschränkt ist. Diese Ausführungsformen sollen die Offenbarung umfassend und vollständig machen und dem Fachmann den Gültigkeitsbereich der vorliegenden Offenbarung vermitteln. Zur Verdeutlichung der vorliegenden Offenbarung sind die Teile, die keinen Bezug zur Erläuterung haben, weggelassen worden, und in der gesamten Offenbarung kennzeichnen identische Bezugszeichen gleiche Teile in allen verschiedenen Figuren und Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
- In den Zeichnungen ist die Dicke von Schichten und Zonen der Übersichtlichkeit halber übertrieben dargestellt. In der gesamten Beschreibung kennzeichnen identische Bezugszeichen gleiche Elemente. Wenn ein Teil wie eine Schicht, ein Film, ein Bereich, eine Platte und dgl. als ”über” einem anderen Teil beschrieben wird, schließt dies den Fall ein, in dem sich das Teil unmittelbar oberhalb des anderen Teils befindet, sowie den Fall, in dem sich ein weiteres Teil zwischen ihnen befindet. Wenn dagegen angegeben wird, dass sich das Teil unmittelbar oberhalb des anderen Teils befindet, bedeutet dies, dass sich kein weiteres Teil dazwischen befindet. Wenn außerdem angegeben wird, dass ein erster Abschnitt ”vollständig” auf einem zweiten Abschnitt ausgebildet ist, bedeutet dies nicht nur, dass der erste Abschnitt auf der gesamten Oberfläche (oder der ganzen Oberfläche) des zweiten Abschnitts ausgebildet ist, sondern auch, dass der erste Abschnitt nicht auf einem Teil des Randes desselben ausgebildet ist.
- Die hierin verwendete Terminologie hat den Zweck, nur bestimmte Ausführungsformen zu beschreiben und soll die Offenbarung nicht einschränken. Wie hierin verwendet sollen die Singularformen ”einer, eine, eines” und ”der, die, das” auch die Pluralformen umfassen, sofern der Zusammenhang nicht eindeutig etwas anderes angibt. Außerdem versteht es sich, dass die Begriffe ”aufweisen” und/oder ”aufweisend” bei Verwendung in dieser Beschreibung das Vorhandensein angegebener Merkmale, ganzzahliger Größen, Schritte, Operationen, Elemente und/oder Bauteile angibt, aber nicht das Vorhandensein oder das Hinzufügen eines oder mehrerer anderer Merkmale, ganzzahliger Größen, Schritte, Operationen, Elemente, Bauteile und/oder Gruppen derselben ausschließt. Wie hierin verwendet enthält die Formulierung ”und/oder” sämtliche Kombinationen eines oder mehrerer der aufgeführten Positionen.
- Es versteht sich, dass der Begriff ”Fahrzeug” oder ”fahrzeugtechnisch” oder andere ähnliche hierin verwendete Begriffe allgemein Kraftfahrzeuge betreffen, wie Personenkraftwagen, einschließlich Komfort-Geländewagen (sports utility vehicles; SUV), Busse, Lastkraftwagen, verschiedene Nutzfahrzeuge, Wassermotorfahrzeuge einschließlich verschiedene Boote und Schiffe, Luftfahrzeuge und dgl. und auch Hybridfahrzeuge, Elektrofahrzeuge, Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge (an der Steckdose aufladbar), Fahrzeuge mit Wasserstoffantrieb und andere Fahrzeuge für alternative Kraftstoffe (z. B. Kraftstoffe, die aus anderen Ressourcen als Erdöl gewonnen werden) umfasst. Wie hierin verwendet ist ein Hybridfahrzeug ein Fahrzeug mit zwei oder mehr Antriebsquellen, z. B. Fahrzeuge sowohl mit Benzin- als auch Elektroantrieb.
- Im Folgenden werden ein Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung und ein Herstellungsverfahren dafür gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung anhand der beiliegenden Zeichnungen ausführlich beschrieben.
-
2 ist eine Schnittansicht eines Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie in2 dargestellt enthält das Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung200 einen Anschluss am unteren Ende210 , einen ersten und einen zweiten Leistungs-Halbleiterchip231 und232 , die am Anschluss am unteren Ende210 installiert sind, einen ersten und einen zweiten waagrechten Abstandshalter251-1 und251-2 , die am ersten und zweite Leistungs-Halbleiterchip231 und232 angebracht sind, einen Anschluss am oberen Ende260 , der am ersten und zweiten waagrechten Abstandshalter251-1 und251-2 installiert ist, und einen ersten und einen zweiten senkrechten Abstandshalter252-1 und252-2 , die zwischen dem Anschluss am oberen Ende260 und dem Anschluss am unteren Ende210 angeordnet sind. - Der Anschluss am unteren Ende
210 enthält eine erste Kupferplatte213 zur Bildung eines zweiten Ausgangsanschlusses213-2 und eines positiven Elektrodenanschlusses (+)213-1 sowie eines ersten negativen Elektrodenanschlusses (–)213-3 mit dem Ausgangsanschluss213-2 dazwischen, eine zweite Kupferplatte211 für den Kontakt mit einer externen Komponente (z. B. einem Kühlgerät) und eine leitfähige Keramikplatte212 , die zwischen der ersten Kupferplatte213 und der zweiten Kupferplatte211 angeordnet ist. - Ein Direct-Bonded-Kupfer (DBC) ähnlich dem der obigen Struktur kann als der Anschluss am unteren Ende
210 dienen. Außerdem kann der Anschluss am unteren Ende210 durch ein Schaltungsmuster auf einem Keramiksubstrat leicht isoliert werden oder er kann entsprechend jedem Bereich wie in2 dargestellt geteilt werden. - Außerdem enthält der Anschluss am oberen Ende
260 eine erste Kupferplatte263 zur Bildung eines ersten Ausgangsanschlusses263-1 und eines zweiten negativen Elektrodenanschlusses (–)263-2 , eine zweite Kupferplatte261 für den Kontakt mit einer externen Komponente (z. B. einem Kühlgerät) und eine zwischen der ersten Kupferplatte263 und der zweiten Kupferplatte261 angeordnete leitfähige Keramikplatte262 . Ein DBC kann als der Anschluss am oberen Ende260 dienen. - Der erste Leistungs-Halbleiterchip
231 ist auf der oberen Oberfläche des Anschlusses am unteren Ende210 installiert. In diesem Fall werden der positive Elektrodenanschluss (+)213-1 des Anschlusses am unteren Ende210 und der erste Leistungs-Halbleiterchip231 durch ein Weichlötverfahren miteinander verbunden. Das heißt, der positive Elektrodenanschluss (+)213-1 und der erste Leistungs-Halbleiterchip231 werden miteinander durch eine 1-1. Weichlotschicht221-1 verbunden. - Der erste waagrechte Abstandshalter
251-1 ist auf der oberen Oberfläche des ersten Leistungs-Halbleiterchips231 angebracht. Es versteht sich von selbst, dass der erste Leistungs-Halbleiterchip231 und der erste waagrechte Abstandshalter251-1 durch eine 1-2. Weichlotschicht222-1 miteinander verbunden werden. - Der erste Ausgangsanschluss
263-1 des Anschlusses am oberen Ende260 ist auf der oberen Oberfläche des ersten waagrechten Abstandshalters251-1 installiert. Es versteht sich von selbst, dass der erste Ausgangsanschluss263-1 und der erste waagrechte Abstandshalter251-1 durch eine 1-3. Weichlotschicht223-1 miteinander verbunden werden. - Analog ist der zweite Leistungs-Halbleiterchip
232 auf der oberen Oberfläche des Anschlusses am unteren Ende210 installiert. In diesem Fall werden der zweite Ausgangsanschluss213-2 des Anschlusses am unteren Ende210 und der zweite Leistungs-Halbleiterchip232 durch ein Weichlötverfahren miteinander verbunden. Das heißt, der zweite Ausgangsanschluss213-2 und der zweite Leistungs-Halbleiterchip232 sind durch eine 2-1. Weichlotschicht221-2 miteinander verbunden. - Der zweite waagrechte Abstandshalter
251-2 ist auf der oberen Oberfläche des zweiten Leistungs-Halbleiterchips232 angebracht. Es versteht sich von selbst, dass der zweite Leistungs-Halbleiterchip232 und der zweite waagrechte Abstandshalter251-2 durch eine 2-2. Weichlotschicht222-2 miteinander verbunden werden. - Der zweite negative Elektrodenanschluss (–)
263-2 des Anschlusses am oberen Ende260 ist auf der oberen Oberfläche des zweiten waagrechten Abstandshalters251-2 installiert. Es versteht sich von selbst, dass der zweite negative Elektrodenanschluss (–)263-2 und der zweite waagrechte Abstandshalter251-2 durch eine 2-3. Weichlotschicht223-2 miteinander verbunden werden. Das heißt, in einem Zustand, in dem ein Bereich elektrisch geteilt ist, fließt Strom vom positiven Elektrodenanschluss (+)213-1 durch den ersten Leistungs-Halbleiterchip231 und den ersten waagrechten Abstandshalter251-1 zum ersten Ausgangsanschluss263-1 des Anschlusses am oberen Ende260 . Dann fließt der Strom zur Ausgangseinheit263-1 , dem ersten senkrechten Abstandshalter252-1 und dem zweiten Ausgangsanschluss213-2 des Anschlusses am unteren Ende210 . Außerdem fließt der Strom über den zweiten negativen Elektrodenanschluss (–)263-2 und den zweiten senkrechte Abstandshalter252-2 zum ersten negativen Elektrodenanschluss (–)263-3 des Anschlusses am unteren Ende210 . - Obwohl Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung für einen Fall beschrieben worden sind, bei dem die Verbindung mittels Weichlotschichten
221-1 ,222-1 ,223-1 ,221-2 ,222-2 und223-2 erfolgt, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt, und es kann auch ein elektrisch leitfähiger Kleber verwendet werden. - Der erste senkrechte Abstandshalter
252-1 ist zwischen dem ersten Leistungs-Halbleiterchip231 und dem zweiten Leistungs-Halbleiterchip232 angeordnet und verbindet den Ausgangsanschluss213-2 des Anschlusses am unteren Ende210 und den Ausgangsanschluss263-1 des Anschlusses am oberen Ende260 . Außerdem ist der zweite senkrechte Abstandshalter252-2 an der rechten Seite des zweiten Leistungs-Halbleiterchips232 angeordnet und verbindet den ersten negativen Elektrodenanschluss (–)213-3 des Anschlusses am unteren Ende210 und den zweiten negativen Elektrodenanschluss (–)263-2 des Anschlusses am oberen Ende260 . - Die senkrechten Abstandshalter
252-1 und252-2 und/oder die waagrechten Abstandshalter251-1 und251-2 können aus einem leitfähigen Keramikmaterial bestehen. Der erste und zweite waagrechte Abstandshalter251-1 und251-2 dienen zur Höheneinstellung zwischen dem Anschluss am oberen Ende260 und dem Anschluss am unteren Ende210 . Außerdem stellen der erste und zweite waagrechte Abstandshalter251-1 und251-2 eine elektrische Verbindung her. Außerdem verbinden die senkrechten Abstandshalter252-1 und252-2 die Elektrodenanschlüsse und/oder Ausgangsanschlüsse mit gleicher Polarität miteinander. - Die senkrechten Abstandshalter
252-1 und252-2 und/oder die waagrechten Abstandshalter251-1 und251-2 fungieren als Strom- und/oder Wärmepfade. Die senkrechten Abstandshalter252-1 und252-2 und/oder die waagrechten Abstandshalter251-1 und251-2 müssen deshalb eine hervorragende elektrisch und/oder Wärmeleitfähigkeit haben und aus einem Material mit einem Wärmedehnungskoeffizienten bestehen, der dem der Leistungs-Halbleiterchips231 und232 , dem Anschluss am oberen Ende260 , dem Anschluss am unteren Ende210 und dgl. ähnlich ist, um die Zuverlässigkeit des Blocks sicherzustellen. - Deshalb wird gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung statt eines Materials auf Metallbasis wie Kupfer oder Aluminium leitfähige Keramik verwendet.
- Die Leistungs-Halbleiterchips
231 und232 können konfiguriert werden mit: einem Halbleiterschaltelement wie einem Feldeffekttransistor (FET), einem Metalloxid-Halbleiter-FET (MOSFET), einem Bipolartransisor mit isoliertem Gate (IGBT), einer Leistungsgleichrichterdiode oder dgl.; einem Thyristor; einem Abschaltthyristor (GTO); einem TRIAC; einem siliziumgesteuerten Gleichrichter (SCR); einer integrierten Schaltung (IC) oder dgl. Speziell im Fall eines Halbleiterbauelements ein Bipolartransistor, einem Leistungs-Metalloxid-Feldeffekttransistor (MOSFET) oder dgl. Der Leistungs-MOSFET arbeitet bei hoher Spannung und hohem Strom und hat so eine doppelt-diffundierte Metalloxid-Halbleiterstruktur, die sich von einem normalen MOSFET unterscheidet. - Außerdem enthält das Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung
200 ein geformtes Gehäuse270 . Als Material kann ein Epoxidgießharz oder dgl. verwendet werden. -
3 ist ein Äquivalent-Schaltschema des Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung von2 . Wie in3 dargestellt ist der erste Leistungs-Halbleiterchip231 als ein erster Schalter und der zweite Leistungs-Halbleiterchip232 als ein zweiter Schalter konfiguriert. Der erste Leistungs-Halbleiterchip231 ist mit einem Halbleiter231-1 und einer Diode231-2 konfiguriert. Selbstverständlich hat der zweite Leistungs-Halbleiterchip232 die gleiche Struktur wie der erste Leistungs-Halbleiterchip231 . -
4 ist eine Draufsicht einer internen Auslegung des Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung200 von3 . Wie in4 dargestellt ist der erste Leistungs-Halbleiterchip231 , der der erste Schalter ist, mit einem ersten Halbleiterchip411 und einem ersten Diodenchip412 und der zweite Leistungs-Halbleiterchip232 , der der zweite Schalter, mit einem zweiten Halbleiterchip421 und einem zweiten Diodenchip422 konfiguriert. -
5 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel einer internen Auslegung des Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung200 von2 zeigt. Wie in5 dargestellt enthält das Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung200 , das zwei Schalter hat: einen 1-1. waagrechten Abstandshalter511 und einen 1-2. waagrechten Abstandshalter512 zum Verbinden eines positiven Elektrodenanschlusses (+) und eines Ausgangsanschlusses in einem ersten Schalter510 ; einen 2-1. waagrechten Abstandshalter521 und einen 2-2. waagrechten Abstandshalter522 zum Verbinden eines negativen Elektrodenanschluss (–) und eines Ausgangsanschlusses in einem zweiten Schalter520 ; einen ersten senkrechten Abstandshalter252-1 zum Verbinden derselben Ausgangsanschlüsse; und einen zweite senkrechten Abstandshalter252-2 zum Verbinden derselben negativen Elektrodenanschlüsse. Das heißt, es sind insgesamt sechs Abstandshalter erforderlich. -
6A ist eine Draufsicht, die ein anderes Beispiel einer internen Auslegung des Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung200 von2 zeigt. Wie in6A dargestellt ersetzt ein waagrechter Abstandshalter610 die zwei in5 gezeigten waagrechten Abstandshalter511 und512 , und ein waagrechter Abstandshalter620 ersetzt die in5 gezeigten zwei waagrechten Abstandshalter521 und512 und ein waagrechter Abstandshalter620 ersetzt die in5 gezeigten zwei waagrechten Abstandshalter521 und522 . Außerdem werden die Abstandshalter mit gleicher Polarität zu einem Abstandshalter vereinheitlicht, wodurch sich eine Struktur mit verbessertem Wärmediffusionseffekt ergibt. Eine derartige Struktur hat den Effekt, die Abstandshalter zu integrieren sowie die Kühlleistung zu verbessern, und beim Herstellungsprozess brauchen nur viermal statt sechsmal Abstandshalter auf einem Chip angeordnet zu werden, was den Prozess verbessert. -
6B ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A in6A . Wie in6B dargestellt hat ein zweiter waagrechter Abstandshalter620 eine Neigung601 , so dass ein Bereich, der mit dem Anschluss am oberen Ende (260 von2 ) in Kontakt steht, bereiter sein kann als ein Bereich, der mit dem zweiten Leistungs-Halbleiterchip232 in Kontakt steht. Mit anderen Worten, der zweite waagrechte Abstandshalter620 ist so ausgebildet, dass ein Bereich, der mit der leitfähigen Keramikplatte262 des Anschlusses am oberen Ende (260 von2 ) in Kontakt steht, breiter ist als ein Bereich, der mit dem zweiten Leistungs-Halbleiterchip232 in Kontakt steht, wodurch die Kühlleistung verbessert wird. Das heißt, der waagrechte Abstandshalter mit einer Neigung ausgebildet, wodurch die Kühlleistung weiter verbessert wird. Obwohl die obige Beschreibung für den zweiten waagrechte Abstandshalter620 von6B gilt, kann die gleiche Struktur auch beim ersten waagrechten Abstandshalter610 angewendet werden. -
7 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Wärmedehnungskoeffizienten und dem Verformungsgrad des Weichlots entsprechend den Materialien eines Abstandshalters gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. Der Abstandshalter muss aus einem Material mit hervorragender elektrischer und/oder Wärmeleitfähigkeit bestehen und einen Wärmedehnungskoeffizienten ähnlich dem des Leistungs-Halbleiterchips und leitfähige Keramikplatte haben, um die Zuverlässigkeit des Blocks sicherzustellen. - Wenn die Abstandshalter wie in
7 dargestellt aus einem Material aus Metallbasis wie Kupfer, Aluminium oder dgl. besteht, wird die Kühlleistung verbessert. In diesem Fall wird jedoch die Differenz zwischen den Wärmedehnungskoeffizienten groß, so dass ich im Weichlot Spannungen konzentrieren und die Zuverlässigkeit dadurch stark beeinträchtigt wird. - Die
8 bis10 sind Ansichten, die Beispiele von Formen eines waagrechten Abstandshalters von6A zeigen.8 ist die Ansicht eines ersten Beispiels der Form eines Abstandshalters von6A . Wie in8 dargestellt ist ein waagrechter Abstandshalter ein waagrechter Abstandshalter811 für einen Chip, der zur oberen Oberfläche eines Halbleiterchips weist, und ein waagrechter Abstandshalter812 ist ein Abstandshalter für eine Diode. Außerdem hat der waagrechte Abstandshalter811 für einen Chip einen Querschnitt in Form eines gleichschenkligen Vierecks und der waagrechte Abstandshalter812 für eine Diode hat einen rechteckigen Querschnitt. -
9 ist eine Ansicht eines zweiten Beispiels eines Abstandshalters von6B . Wie in9 dargestellt haben ein waagrechter Abstandshalter911 für einen Chip und ein waagrechter Abstandshalter912 für eine Diode beide einen Querschnitt in Form eines gleichschenkligen Vierecks, wobei der waagrechte Abstandshalter912 für eine Diode länger ist als der waagrechte Abstandshalter911 für einen Chip. -
10 ist eine Ansicht eines dritten Beispiels eines Abstandshalters von2 . Wie in10 dargestellt hat ein waagrechter Abstandshalter1011 für einen Chip einen Querschnitt mit einer Stufe und ein waagrechter Abstandshalter1012 für eine Diode hat einen rechteckigen Querschnitt. -
11 ist ein Flussdiagramm der Prozedur zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wie in11 dargestellt wird der Anschluss am unteren Ende (210 in2 ) in Schritt S1110 hergestellt. - Die Leistungs-Halbleiterchips (
231 und232 in2 ) werden in den Schritten S1120 und 1130 am Anschluss am unteren Ende210 angebracht und verlötet. Nach dem Weichlöten werden die waagrechten Abstandshalter251-1 und251-2 in den Schritten S1140 und 1150 an den Leistungs-Halbleiterchips231 und232 angebracht und verlötet. Nach dem Weichlöten werden die senkrechten Abstandshalter (252-1 und252-2 in2 ) in Schritt S1160 in einem vorgegebenen Abstand von den waagrechten Abstandshaltern251-1 und251-2 angebracht. Nach dem Anbringen der senkrechten Abstandshalter wird der Anschluss am oberen Ende (260 in2 ) in den Schritten S1170 und S1180 angebracht und verlötet. Schließlich wird in dem Zustand, in dem die waagrechten Abstandshalter, die senkrechten Abstandshalter, der Anschluss am oberen Ende usw. installiert worden sind, in Schritt S1190 ein Gehäuse geformt. - Da gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung der Abstandshalter die Wärmediffusion fördert, kann die Kühlleistung verbessert werden. Außerdem bestehen die Abstandshalter aus einem Keramikmaterial, so dass die Zuverlässigkeit verbessert werden kann. Ferner sind die Abstandshalter integriert, so dass eine Vereinfachung des Prozesses und eine Kostenreduzierug erzielt werden können.
- Obwohl die vorliegende Offenbarung vorstehend anhand von spezifischen Ausführungsformen beschrieben worden ist, versteht es sich für den Fachmann, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne von dem in den angefügten Ansprüchen definierten Geist und Gültigkeitsbereich der Offenbarung abzuweichen.
Claims (10)
- Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung, aufweisend: einen Anschluss am unteren Ende; mindestens ein Paar Leistungs-Halbleiterchips, die am Anschluss am unteren Ende installiert sind; mindestens ein Paar waagrechte Abstandshalter, die an dem mindestens einen Paar Leistungs-Halbleiterchips angebracht sind; einen Anschluss am oberen Ende, der an dem mindestens einen Paar waagrechten Abstandshalters installiert ist; und mindestens ein Paar senkrechte Abstandshalter, die zwischen dem Anschluss am oberen Ende und dem Anschluss am unteren Ende angeordnet sind.
- Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung nach Anspruch 1, wobei das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter zur Höheneinstellung zwischen dem Anschluss am oberen Ende und dem Anschluss am unteren Ende konfiguriert ist und das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter zur elektrischen Verbindung des Anschlusses am oberen Ende mit dem Anschluss am unteren Ende konfiguriert ist, und wobei der Anschluss am oberen Ende oder der Anschluss am unteren Ende aus Direct-Bonded-Kupfer (DBC) besteht, wobei das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter zum Verbinden der Elektrodenanschlüsse oder Ausgangsanschlüsse mit gleicher Polarität miteinander konfiguriert ist.
- Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung nach Anspruch 1, wobei das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter und das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter aus einem leitfähigen Keramikmaterial bestehen, und wobei das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter mit einer Neigung konfiguriert ist, so dass ein Bereich mindestens einen Paares waagrechter Abstandshalter, der mit dem Anschluss am oberen Ende in Kontakt steht, breiter ist als ein Bereich des mindestens einen Paares waagrechter Abstandshalter, der mit dem mindestens einen Paar Leistungs-Halbleiterchips in Kontakt steht.
- Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung nach Anspruch 1, wobei der Anschluss am oberen Ende enthält: eine erste Kupferplatte, die zur Bildung eines Ausgangsanschlusses und eines Elektrodenanschlusses konfiguriert ist; eine zweite Kupferplatte, die zum Kontakt durch eine externe Komponente konfiguriert ist konfiguriert ist; und eine leitfähige Keramikplatte, die zwischen der ersten Kupferplatte und der zweiten Kupferplatte angeordnet ist.
- Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung nach Anspruch 1, wobei der Anschluss am unteren Ende enthält: eine erste Kupferplatte, die zur Bildung eines Ausgangsanschlusses und zweier Elektrodenanschlüsse mit dem Ausgangsanschluss dazwischen konfiguriert ist; eine zweite Kupferplatte, die zum Kontakt mit einer externen Komponente konfiguriert ist; und eine leitfähige Keramikplatte, die zwischen der ersten Kupferplatte und der zweiten Kupferplatte angeordnet ist.
- Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung nach Anspruch 1, wobei das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips mit einem Halbleiterchip-Abschnitt und einem Diodenchip-Abschnitt konfiguriert ist, und das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter ein Paar Abstandshalter enthält, die jeweils zum Halbleiterchip-Abschnitt und zum Diodenchip-Abschnitt weisen.
- Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung nach Anspruch 1, wobei das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips mit einem Halbleiterchip-Abschnitt und einem Diodenchip-Abschnitt konfiguriert ist, und das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter einen Abstandshalter mit einer vereinheitlichten Form enthält, der sowohl zum Halbleiterchip-Abschnitt als auch zum Diodenchip-Abschnitt weist.
- Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung nach Anspruch 1, wobei das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips und der Anschluss am oberen Ende, das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter und das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips und das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter sowie der Anschluss am oberen Ende jeweils mittels Weichlöten miteinander verbunden sind.
- Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung nach Anspruch 1, ferner aufweisend: ein Gehäuse, das in einem Zustand geformt wird, in dem der Anschluss am unteren Ende, das mindestens eine Paar Leistungs-Halbleiterchips, das mindestens eine Paar waagrechte Abstandshalter, der Anschluss am oberen Ende und das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter installiert worden sind.
- Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit zweiseitiger Kühlung, aufweisend: Herstellen eines Anschlusses am unteren Ende; Installieren mindestens eines Paares Leistungs-Halbleiterchips am Anschluss am unteren Ende; Anbringen mindestens eines Paares waagrechter Abstandshalter an dem mindestens einem Paar Leistungs-Halbleiterchips; Anbringen mindestens eines Paares senkrechter Abstandshalter in einem vorgegebenen Abstand von dem mindestens einem Paar waagrechter Abstandshalter; und Installieren eines Anschlusses am oberen Ende an dem mindestens einen Paar waagrechter Abstandshalter und dem mindestens einen Paar senkrechter Abstandshalter, wobei das mindestens eine Paar senkrechte Abstandshalter zwischen dem Anschluss am oberen Ende und dem Anschluss am unteren Ende angeordnet ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0148115 | 2014-10-29 | ||
KR1020140148115A KR101755769B1 (ko) | 2014-10-29 | 2014-10-29 | 양면 냉각 파워 모듈 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102015219852A1 true DE102015219852A1 (de) | 2016-05-04 |
DE102015219852B4 DE102015219852B4 (de) | 2024-08-29 |
Family
ID=55753945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102015219852.9A Active DE102015219852B4 (de) | 2014-10-29 | 2015-10-13 | Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung und Verfahren zur Herstellung desselben |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9390996B2 (de) |
KR (1) | KR101755769B1 (de) |
CN (1) | CN105575920A (de) |
DE (1) | DE102015219852B4 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112018000108B4 (de) * | 2017-02-22 | 2020-10-22 | Jmj Korea Co., Ltd. | Halbleiterverpackung mit einer doppelseitigen Wärmeableitungsstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE102022201215B3 (de) | 2022-02-07 | 2023-05-11 | Zf Friedrichshafen Ag | Halbbrückenmodul mit in Sperrrichtung gepolten Dioden |
WO2024017952A1 (de) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Leistungsmodul und verfahren zur herstellung desselben, stromrichter mit einem leistungsmodul |
DE102022208838A1 (de) | 2022-08-26 | 2024-02-29 | Zf Friedrichshafen Ag | Halbleiterleistungsmodul mit effizienterer Wärmeabfuhr und verbessertem Schaltverhalten |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10403601B2 (en) * | 2016-06-17 | 2019-09-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor package and related methods |
US10137789B2 (en) * | 2016-07-20 | 2018-11-27 | Ford Global Technologies, Llc | Signal pin arrangement for multi-device power module |
KR20180038597A (ko) * | 2016-10-06 | 2018-04-17 | 현대자동차주식회사 | 양면냉각형 파워모듈 및 그 제조방법 |
KR101905995B1 (ko) * | 2016-11-09 | 2018-10-10 | 현대자동차주식회사 | 양면냉각형 파워모듈 |
KR101897641B1 (ko) * | 2016-11-29 | 2018-10-04 | 현대오트론 주식회사 | 파워 모듈 패키지의 제조방법 및 이를 이용한 파워 모듈 패키지 |
KR102603062B1 (ko) | 2016-12-15 | 2023-11-16 | 현대자동차주식회사 | 양면냉각형 파워모듈 입력단 |
KR101956996B1 (ko) | 2016-12-15 | 2019-06-24 | 현대자동차주식회사 | 양면냉각형 파워모듈 |
KR20180069943A (ko) | 2016-12-15 | 2018-06-26 | 현대자동차주식회사 | 양면냉각 파워모듈 및 그 제조방법 |
US10002821B1 (en) | 2017-09-29 | 2018-06-19 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip package comprising semiconductor chip and leadframe disposed between two substrates |
FR3073978B1 (fr) * | 2017-11-17 | 2022-10-28 | Inst Vedecom | Module electronique de puissance et systeme electronique comprenant un tel module electronique |
KR102030825B1 (ko) | 2017-11-20 | 2019-10-10 | 현대오트론 주식회사 | 양면 냉각 파워 모듈 제조 방법 |
JP2019125721A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
CN110071097A (zh) * | 2018-01-24 | 2019-07-30 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 半导体模块及集成式双面冷却型半导体装置 |
CN110246808B (zh) * | 2018-03-09 | 2021-08-10 | 南京银茂微电子制造有限公司 | 具有降低的结温的功率模块及其制造方法 |
US11075137B2 (en) | 2018-05-02 | 2021-07-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | High power module package structures |
KR102574378B1 (ko) | 2018-10-04 | 2023-09-04 | 현대자동차주식회사 | 파워모듈 |
WO2020081448A1 (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | Semtech Corporation | Semiconductor package for providing mechanical isolation of assembled diodes |
JP7141316B2 (ja) * | 2018-11-21 | 2022-09-22 | 日立Astemo株式会社 | パワー半導体装置 |
KR102579440B1 (ko) * | 2019-01-04 | 2023-09-18 | 현대모비스 주식회사 | 양면 냉각형 파워 모듈 |
FR3095778B1 (fr) | 2019-05-06 | 2022-06-03 | Safran | Procede de fabrication d’un module electronique de puissance |
KR102564459B1 (ko) * | 2019-05-09 | 2023-08-07 | 현대자동차주식회사 | 양면 냉각 파워모듈의 스페이서 구조 및 그 제조 방법 |
KR102335531B1 (ko) * | 2019-05-17 | 2021-12-07 | 주식회사 아모센스 | 세라믹 기판 제조 방법 |
US11894347B2 (en) * | 2019-08-02 | 2024-02-06 | Semiconductor Components Industries, Llc | Low stress asymmetric dual side module |
KR102260662B1 (ko) * | 2019-12-12 | 2021-06-04 | 한국전자기술연구원 | 체결형 스페이서를 이용한 양면냉각모듈패키지 및 그의 제조방법 |
CN114982391A (zh) * | 2019-12-16 | 2022-08-30 | 阿莫善斯有限公司 | 用于功率模块的陶瓷衬底及包括其的功率模块 |
US11121055B2 (en) | 2020-01-10 | 2021-09-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Leadframe spacer for double-sided power module |
US11282764B2 (en) | 2020-02-07 | 2022-03-22 | Semiconductor Components Industries, Llc | Structure and method related to a power module using a hybrid spacer |
KR20210129483A (ko) * | 2020-04-20 | 2021-10-28 | 현대자동차주식회사 | 솔더링 구조, 이를 갖는 파워 모듈 및 파워 모듈의 제조 방법 |
US12021016B2 (en) * | 2020-06-10 | 2024-06-25 | Intel Corporation | Thermally enhanced silicon back end layers for improved thermal performance |
JP7395452B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2023-12-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR102464477B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2022-11-09 | 현대모비스 주식회사 | 양면 냉각 파워 모듈 및 이의 제조방법 |
KR102459361B1 (ko) | 2020-12-14 | 2022-10-28 | 파워마스터반도체 주식회사 | 파워 모듈 패키지 |
US11776871B2 (en) | 2020-12-15 | 2023-10-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Module with substrate recess for conductive-bonding component |
US11646249B2 (en) | 2020-12-29 | 2023-05-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Dual-side cooling semiconductor packages and related methods |
US11562938B2 (en) | 2020-12-29 | 2023-01-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Spacer with pattern layout for dual side cooling power module |
US20220238413A1 (en) * | 2021-01-22 | 2022-07-28 | Infineon Technologies Ag | Double sided cooling module with power transistor submodules |
KR20220160248A (ko) * | 2021-05-27 | 2022-12-06 | 주식회사 아모센스 | 인버터 파워모듈 |
US11862688B2 (en) * | 2021-07-28 | 2024-01-02 | Apple Inc. | Integrated GaN power module |
US20230145931A1 (en) * | 2021-11-08 | 2023-05-11 | Infineon Technologies Ag | Multi-chip assembly and methods of producing multi-chip assemblies |
US20230223312A1 (en) * | 2022-01-11 | 2023-07-13 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package having a thermally and electrically conductive spacer |
KR102652471B1 (ko) | 2022-03-07 | 2024-03-29 | 주식회사 세미파워렉스 | 양면 냉각형 전력모듈 및 이의 제조 방법 |
KR20240028223A (ko) * | 2022-08-24 | 2024-03-05 | 현대자동차주식회사 | 차량용 파워 모듈 |
WO2024069408A1 (en) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | Delphi Technologies Ip Limited | Systems and methods for spacer for power module for inverter for electric vehicle |
WO2024069455A1 (en) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | Delphi Technologies Ip Limited | Systems and methods for power module for inverter for electric vehicle |
WO2024069403A1 (en) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | Delphi Technologies Ip Limited | Systems and methods for power module for inverter for electric vehicle |
WO2024097379A1 (en) * | 2022-11-03 | 2024-05-10 | Microchip Technology Incorporated | Electronic package including ic dies arranged in inverted relative orientations |
CN116230666B (zh) * | 2023-05-05 | 2023-08-08 | 烟台台芯电子科技有限公司 | 一种dbc双面微通道制冷igbt模块及其制造方法 |
DE102023204186A1 (de) | 2023-05-05 | 2024-11-07 | Zf Friedrichshafen Ag | Baugruppe und Inverteraufbau |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3406528A1 (de) * | 1984-02-23 | 1985-08-29 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungshalbleitermodul |
DE102006040820B4 (de) | 2006-08-31 | 2009-07-02 | Denso Corporation, Kariya | Elektrische Leistungspackung mit zwei Substraten mit mehreren elektronischen Komponenten |
US8304884B2 (en) * | 2009-03-11 | 2012-11-06 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including spacer element |
US8358000B2 (en) * | 2009-03-13 | 2013-01-22 | General Electric Company | Double side cooled power module with power overlay |
CN102460694A (zh) * | 2009-06-19 | 2012-05-16 | 株式会社安川电机 | 电力变换装置 |
JP5387620B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2014-01-15 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置、半導体装置および電力変換装置の製造方法 |
US9041183B2 (en) * | 2011-07-19 | 2015-05-26 | Ut-Battelle, Llc | Power module packaging with double sided planar interconnection and heat exchangers |
JP5807432B2 (ja) * | 2011-08-03 | 2015-11-10 | 株式会社明電舎 | 半導体モジュール及びスペーサ |
KR101289196B1 (ko) | 2011-09-14 | 2013-07-26 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법 |
US8541875B2 (en) | 2011-09-30 | 2013-09-24 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Integrated three-dimensional module heat exchanger for power electronics cooling |
KR101331724B1 (ko) | 2012-04-13 | 2013-11-20 | 삼성전기주식회사 | 양면 냉각 전력 반도체 모듈 및 이를 이용한 멀티-스택 전력 반도체 모듈 패키지 |
JP5851372B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-02-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
KR101444550B1 (ko) | 2012-12-12 | 2014-09-24 | 삼성전기주식회사 | 반도체 모듈 |
KR101459857B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-11-07 | 현대자동차주식회사 | 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈 |
JP6155676B2 (ja) * | 2013-02-11 | 2017-07-05 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
US20160005675A1 (en) * | 2014-07-07 | 2016-01-07 | Infineon Technologies Ag | Double sided cooling chip package and method of manufacturing the same |
-
2014
- 2014-10-29 KR KR1020140148115A patent/KR101755769B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-09-25 US US14/865,578 patent/US9390996B2/en active Active
- 2015-10-13 DE DE102015219852.9A patent/DE102015219852B4/de active Active
- 2015-10-22 CN CN201510690551.XA patent/CN105575920A/zh active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112018000108B4 (de) * | 2017-02-22 | 2020-10-22 | Jmj Korea Co., Ltd. | Halbleiterverpackung mit einer doppelseitigen Wärmeableitungsstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE102022201215B3 (de) | 2022-02-07 | 2023-05-11 | Zf Friedrichshafen Ag | Halbbrückenmodul mit in Sperrrichtung gepolten Dioden |
WO2024017952A1 (de) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Leistungsmodul und verfahren zur herstellung desselben, stromrichter mit einem leistungsmodul |
DE102022208838A1 (de) | 2022-08-26 | 2024-02-29 | Zf Friedrichshafen Ag | Halbleiterleistungsmodul mit effizienterer Wärmeabfuhr und verbessertem Schaltverhalten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101755769B1 (ko) | 2017-07-07 |
CN105575920A (zh) | 2016-05-11 |
US20160126157A1 (en) | 2016-05-05 |
DE102015219852B4 (de) | 2024-08-29 |
US9390996B2 (en) | 2016-07-12 |
KR20160050282A (ko) | 2016-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102015219852B4 (de) | Leistungsmodul mit zweiseitiger Kühlung und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE60119865T2 (de) | Elektrische Energie(um)wandlungsvorrichtung | |
DE112015005257B4 (de) | Halbleitervorrichtung und leistungsmodul | |
DE102015012915B4 (de) | Anordnung von Halbleiterelementen auf einem Halbleitermodul für ein Leistungsmodul oder entsprechendes Verfahren | |
DE112017007415B4 (de) | Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung desselben und Leistungswandlervorrichtung | |
DE10218071B4 (de) | Kondensatormodul und dieses verwendende Halbleitereinrichtung | |
DE112018005978T5 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE60317270T2 (de) | Halbleitermodul und Leistungswandler | |
DE102013213205A1 (de) | Halbleitereinheit | |
DE102013215124A1 (de) | Halbleitereinheit | |
DE102008031491A1 (de) | Kondensator mit direkter DC-Verbindung zum Substrat | |
DE102015224422A1 (de) | Elektronische Schaltungseinheit | |
DE112020007745T5 (de) | Halbleitergehäuse, halbleitervorrichtung und leistungswandlervorrichtung | |
WO2014184020A1 (de) | Stromrichteranordnung und verfahren zur herstellung einer stromrichteranordnung | |
DE102020214045A1 (de) | Halbbrücke für einen elektrischen Antrieb eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs, Leistungsmodul für einen Inverter und Inverter | |
DE112019006927T5 (de) | Halbleitervorrichtung, herstellungsverfahren für eine halbleitervorrichtung sowie leistungswandler | |
DE112020006116T5 (de) | Körper einer elektrischen schaltung, leistungsumsetzungsvorrichtung und herstellungsverfahren für körper einer elektrischen schaltung | |
DE112021005358T5 (de) | Elektrischer Schaltungskörper, Leistungsumsetzer und Herstellungsverfahren für einen elektrischen Schaltungskörper | |
DE102022101802A1 (de) | Halbleitervorrichtung, halbleitermodul, fahrzeug und herstellungsverfahren einer halbleitervorrichtung | |
DE60306040T2 (de) | Halbleitermodul und Leistungswandlervorrichtung | |
DE112019002851T5 (de) | Halbleiterbauelement und leistungswandlervorrichtung | |
DE112019007415T5 (de) | Halbleitermodul und stromwandler | |
DE112017007960B4 (de) | Halbleitermodul und Leistungsumwandlungsvorrichtung | |
EP3949103A1 (de) | Elektronische schaltungseinheit | |
DE102021120258A1 (de) | Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Leistungswandler |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division |