DE102014117969B4 - Träger und Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers - Google Patents

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Abstract

Träger (100), welcher Folgendes aufweist:
eine Hohlkammer (104), die von einer Fläche (102s) des Trägers (100) beabstandet ist,
und
eine Grabenstruktur (106), die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstreckt und ein erstes Gebiet (102a) des Trägers (100) lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur (106) einen oder mehrere Gräben (106t) aufweist, die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstrecken und eine oder mehrere Tragstrukturen (108) aufweist, welche den einen oder die mehreren Gräben (106t) schneiden und das erste Gebiet (102a) des Trägers (100) mit einem zweiten Gebiet (102b) des Trägers (100) außerhalb der Grabenstruktur (106) verbinden, wobei die Abmessung zumindest einer Tragstruktur (108) entlang einer Verbindungsrichtung (111) größer ist als die Breite (109) des einen oder der mehreren Gräben (106t) und wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) ein elektrisch isolierendes Material umfassen.

Description

  • Verschiedene Ausführungsformen betreffen allgemein einen Träger und ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers.
  • Es gibt im Allgemeinen eine Vielzahl von Anwendungen in der Mikroelektronik, in Mikrosystemen, auf dem biomedizinischen Gebiet und auf anderen Gebieten für dünne Chips oder ultradünne Chips, die beispielsweise auf einem Träger mit einer Dicke im Bereich von etwa einigen zehn Mikrometern gebildet werden. Ferner können verschiedene Prozesse zum Bereitstellen eines elektrisch isolierten Gebiets in einem Träger verwendet werden. Üblicherweise verwendete Prozesse können beispielsweise das Bilden einer so genannten Silicium-auf-Isolator-(SOI)-Struktur oder einer Silicium-auf-nichts-(SON)-Struktur ermöglichen, wobei ein dünnes Siliciumgebiet vom Rest des Trägers elektrisch getrennt werden kann. Die Silicium-auf-Isolator-Technologie kann beispielsweise das Bilden einer vergrabenen Oxidschicht innerhalb eines Trägers und dadurch das Bereitstellen eines elektrisch isolierten dünnen Siliciumgebiets über der vergrabenen Oxidschicht aufweisen. Eine Silicium-auf-nichts-Struktur kann durch Anwenden einer so genannten Leerraum-in-Silicium-Technik bereitgestellt werden. Das Anwenden üblicherweise verwendeter Prozesse zur Herstellung eines elektrisch isolierten Trägergebiets kann jedoch beispielsweise erstens hohe Kosten für das Bereitstellen der spezifischen Strukturen im Träger mit sich bringen, und zweitens können die komplexen Prozesse für Fehler anfällig sein, die beispielsweise zu Defektstrukturen führen. Das Dokument US 2006 / 0194410 A1 beschreibt beispielsweise eine Halbleiterstruktur, wobei ein Bereich mittels einer Hohlkammer und mittels Gräben von einem Substrat getrennt ist. Zwischen dem Substrat und dem Bereich verlaufen mehrere Tragstrukturen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Träger bereitgestellt, wobei der Träger Folgendes aufweist: Eine Hohlkammer, die von einer Fläche des Trägers beabstandet ist, eine Grabenstruktur, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstreckt und ein erstes Gebiet des Trägers lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur einen oder mehrere Gräben aufweist, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstrecken, und eine oder mehrere Tragstrukturen aufweist, die den einen oder die mehreren Gräben schneiden und das erste Gebiet des Trägers mit einem zweiten Gebiet des Trägers außerhalb der Grabenstruktur verbinden, wobei die Abmessung zumindest einer Tragstruktur entlang einer Verbindungslinie größer ist als die Breite des einen oder der mehreren Gräben und wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen ein elektrisch isolierendes Material aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Träger bereitgestellt, wobei der Träger das Folgendes aufweist: Eine Hohlkammer, die von einer Fläche des Trägers beabstandet ist, und eine Grabenstruktur, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstreckt und ein erstes Gebiet des Trägers lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur einen oder mehrere Gräben aufweist, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstrecken und eine oder mehrere Tragstrukturen aufweist, welche den einen oder die mehreren Gräben schräg schneiden und das erste Gebiet des Trägers mit einem zweiten Gebiet des Trägers außerhalb der Grabenstruktur verbinden, wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen ein elektrisch isolierendes Material umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Träger bereitgestellt, wobei der Träger das Folgende aufweist: Eine Hohlkammer, die von einer Fläche des Trägers beabstandet ist, und eine Grabenstruktur, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstreckt und ein erstes Gebiet des Trägers lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur mehrere Gräben aufweist, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstrecken und eine oder mehrere Tragstrukturen aufweist, welche die mehreren Gräben schneiden und das erste Gebiet des Trägers mit einem zweiten Gebiet des Trägers außerhalb der Grabenstruktur verbinden, wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen ein elektrisch isolierendes Material umfassen, wobei sich zumindest zwei Gräben zumindest in einem Abschnitt mit einer gleichen Verlaufsrichtung nebeneinander erstrecken, wobei in dem Abschnitt zumindest ein Teil einer Tragstruktur zwischen den beiden Gräben gebildet ist und von den beiden Gräben begrenzt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das elektrisch isolierende Material ein Oxid aufweisen. Mit anderen Worten kann die Tragstruktur 108 aus einem elektrisch isolierenden Oxid, beispielsweise Siliciumoxid, bestehen oder dieses aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können sich die eine oder die mehreren Tragstrukturen lateral zwischen dem ersten Gebiet des Trägers und dem zweiten Gebiet des Trägers erstrecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger ein Halbleiterträger sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger ein Siliciumwafer sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger Silicium aufweisen und können die eine oder die mehreren Tragstrukturen Siliciumoxid aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die eine oder die mehreren Tragstrukturen ein Oxid des Trägermaterials aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das erste Gebiet des Trägers durch den einen oder die mehreren Gräben, die eine oder die mehreren Tragstrukturen und die Hohlkammer elektrisch vom Rest des Trägers isoliert sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das erste Gebiet des Trägers durch den einen oder die mehreren Gräben und die Hohlkammer räumlich vom Rest des Trägers getrennt sein und kann das erste Gebiet des Trägers durch die eine oder die mehreren Tragstrukturen mit dem Träger verbunden sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Hohlkammer frei von festem Material sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Hohlkammer teilweise frei von einem festen Material sein, beispielsweise teilweise mit einem Füllmaterial gefüllt sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der eine oder die mehreren Gräben frei von einem festen Material sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der eine oder die mehreren Gräben frei von einem festen Material sein, beispielsweise teilweise mit einem Füllmaterial gefüllt sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der eine oder die mehreren Gräben und die Hohlkammer eine Zwischenraumstruktur zwischen dem ersten Gebiet 102a des Trägers 100 und dem Rest des Trägers 100 bereitstellen (beispielsweise dem zweiten Gebiet 102b und dem dritten Gebiet 102c).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger ferner eine erste elektronische Schaltung über und/oder im ersten Gebiet des Trägers aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger ferner eine erste elektronische Komponente aufweisen, die über und/oder im ersten Gebiet des Trägers angeordnet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger ferner eine zweite elektronische Schaltung aufweisen, die über und/oder im zweiten Gebiet des Trägers außerhalb der Grabenstruktur angeordnet ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger ferner eine zweite elektronische Komponente aufweisen, die über und/oder im zweiten Gebiet des Trägers außerhalb der Grabenstruktur, beispielsweise lateral außerhalb der Grabenstruktur, angeordnet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Oberfläche des Trägers eine laterale Richtung (parallel zur Oberfläche (Hauptverarbeitungsfläche) des Trägers) definieren.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers Folgendes aufweisen: Bilden einer Hohlkammer innerhalb des Trägers, welche von einer Fläche des Trägers beabstandet ist, wobei das Bilden der Hohlkammer das Bilden wenigstens eines poröses Gebiets im Träger und das Ausführen eines Temperprozesses, so dass die Hohlkammer im Träger aus dem porösen Gebiet gebildet wird, aufweist. Bilden einer Grabenstruktur, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstreckt und ein erstes Gebiet des Trägers lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur einen oder mehrere Gräben aufweist, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstrecken, und eine oder mehrere Tragstrukturen aufweist, welche den einen oder die mehreren Gräben schneiden und das erste Gebiet des Trägers mit einem zweiten Gebiet des Trägers außerhalb der Grabenstruktur verbinden, wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen ein elektrisch isolierendes Material umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden der Hohlkammer innerhalb des Trägers Folgendes aufweisen: Bilden einer Öffnungsstruktur im Träger, wobei die Öffnungsstruktur eine oder mehrere Öffnungen aufweist, wobei sich jede der einen oder mehreren Öffnungen von der Oberfläche des Trägers erstreckt, und Ausführen eines Temperprozesses, so dass die Hohlkammer im Träger aus der Öffnungsstruktur gebildet wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden der Hohlkammer innerhalb des Trägers Folgendes aufweisen: Bilden wenigstens eines porösen Gebiets im Träger und Ausführen eines Temperprozesses, so dass die Hohlkammer im Träger aus dem porösen Gebiet gebildet wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden der Grabenstruktur Folgendes aufweisen: Bilden eines oder mehrerer Gräben, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstrecken, wobei Trägermaterial zwischen dem einen oder den mehreren Gräben verbleibt, und zumindest teilweises Oxidieren des restlichen Trägermaterials innerhalb der Grabenstruktur, um die eine oder die mehreren Tragstrukturen zu bilden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers Folgendes aufweisen: Bilden einer Öffnungsstruktur im Träger, wobei die Öffnungsstruktur eine oder mehrere Öffnungen aufweist, wobei sich jede der einen oder mehreren Öffnungen von einer Fläche des Trägers erstreckt, Ausführen eines Temperprozesses zur Bildung einer Hohlkammer im Träger aus der Öffnungsstruktur, wobei die Hohlkammer von der Fläche des Trägers beabstandet werden kann, Bilden einer Grabenstruktur, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstreckt und ein erstes Gebiet des Trägers lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur einen oder mehrere Gräben aufweist, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstrecken, und eine oder mehrere Tragstrukturen aufweist, welche den einen oder die mehreren Gräben schneiden und das erste Gebiet des Trägers mit einem zweiten Gebiet des Trägers außerhalb der Grabenstruktur verbinden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden der Grabenstruktur Folgendes aufweisen: Bilden eines oder mehrerer Gräben, die sich von der Fläche des Trägers zur Hohlkammer erstrecken, wobei Trägermaterial zwischen dem einen oder den mehreren Gräben verbleibt, wodurch die eine oder die mehreren Tragstrukturen bereitgestellt werden, welche den einen oder die mehreren Gräben schneiden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers ferner Folgendes aufweisen: teilweises Oxidieren der einen oder der mehreren Tragstrukturen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers ferner Folgendes aufweisen: vollständiges Oxidieren der einen oder der mehreren Tragstrukturen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers ferner Folgendes aufweisen: Bilden einer ersten elektronischen Schaltung über und/oder im ersten Gebiet des Trägers. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers ferner Folgendes aufweisen: Bilden einer ersten elektronischen Komponente über und/oder im ersten Gebiet des Trägers.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers ferner Folgendes aufweisen: Trennen oder Entfernen des ersten Gebiets vom Träger. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Trennen das Aufnehmen des ersten Gebiets, das Brechen der Tragstruktur und das räumliche Entfernen des ersten Gebiets vom Träger aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers ferner das räumliche Trennen und/oder Entfernen des Kappengebiets vom Träger, beispielsweise durch Ausführen eines so genannten Pick, Crack & Place™-Prozesses, aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers ferner das räumliche Entfernen des Kappengebiets vom Träger, beispielsweise durch Ausführen eines so genannten Pick, Crack & Place™-Prozesses, aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers ferner das Ablösen des Kappengebiets vom Träger aufweisen.
  • In der Zeichnung bezeichnen gleiche Bezugszahlen im Allgemeinen in den verschiedenen Ansichten die gleichen Teile. Die Zeichnung ist nicht notwendigerweise maßstabsgerecht, wobei der Nachdruck stattdessen vielmehr im Allgemeinen auf das Erläutern der Grundgedanken der Erfindung gelegt wird. In der folgenden Beschreibung werden verschiedene Ausführungsformen der Erfindung mit Bezug auf die folgende Zeichnung beschrieben. Es zeigen:
    • 1A eine schematische Schnittansicht oder Seitenansicht eines Trägers gemäß verschiedenen Beispielen,
    • 1B eine schematische Draufsicht eines Trägers gemäß verschiedenen Beispielen,
    • 1C eine schematische Schnittansicht oder Seitenansicht eines Trägers gemäß verschiedenen Beispielen,
    • 1D eine schematische Draufsicht eines Trägers gemäß verschiedenen Beispielen,
    • 1E eine schematische Schnittansicht oder eine Seitenansicht eines Trägers gemäß verschiedenen Beispielen,
    • die 2A bis 2E jeweils eine Draufsicht eines Trägers gemäß verschiedenen Beispielen,
    • 2F ein Rasterelektronenmikroskopiebild (SEM-Bild) eines Trägers gemäß verschiedenen Beispielen,
    • 3 ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zur Verarbeitung eines Trägers gemäß verschiedenen Beispielen,
    • die 4A und 4B jeweils eine Schnittansicht oder eine Seitenansicht eines Trägers während der Verarbeitung gemäß verschiedenen Beispielen,
    • die 5A bis 5C jeweils eine Schnittansicht oder eine Seitenansicht eines Trägers während der Verarbeitung gemäß verschiedenen Beispielen,
    • die 6A und 6B jeweils eine Schnittansicht oder eine Seitenansicht eines Trägers während der Verarbeitung gemäß verschiedenen Beispielen und
    • 7 ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zur Verarbeitung eines Trägers gemäß verschiedenen Beispielen.
  • Die folgende detaillierte Beschreibung bezieht sich auf die anliegende Zeichnung, worin zur Veranschaulichung spezifische Einzelheiten und Ausführungsformen dagestellt sind, in denen die Erfindung verwirklicht werden kann.
  • Das mit Bezug auf ein „über“ einer Seite oder Fläche gebildetes abgeschiedenes Material oder die Abscheidung einer Schicht „über“ einem Träger verwendete Wort „über“ kann hier verwendet werden, um anzugeben, dass das abgeschiedene Material „direkt auf“, beispielsweise in direktem Kontakt mit der betreffenden Seite, Fläche oder dem betreffenden Träger gebildet werden kann. Das mit Bezug auf ein „über“ einer Seite oder Fläche gebildetes abgeschiedenes Material oder eine Abscheidung einer Schicht „über“ einem Träger verwendete Wort „über“ kann hier verwendet werden, um anzugeben, dass das abgeschiedene Material „indirekt auf“ der betreffenden Seite, Fläche oder dem betreffenden Träger gebildet werden kann, wobei eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der betreffenden Seite, Fläche oder dem betreffenden Träger und dem abgeschiedenen Material angeordnet sind.
  • Der mit Bezug auf die „laterale“ Abmessung einer Struktur (oder eines Trägers), eine laterale Richtung oder „lateral“ angrenzend verwendete Begriff lateral kann hier verwendet werden, um eine Abmessung entlang einer Richtung parallel zu einer Fläche eines Trägers oder eine Richtung parallel zu einer Fläche eines Trägers anzugeben. Dies bedeutet, dass eine Fläche eines Trägers (beispielsweise eine Fläche eines Substrats oder eine Fläche eines Wafers) als Referenz dienen kann, welche üblicherweise als Hauptverarbeitungsfläche eines Trägers bezeichnet wird (oder als Hauptverarbeitungsfläche eines anderen Trägertyps). Ferner kann der mit Bezug auf eine „Breite“ einer Struktur (oder eines Strukturelements, beispielsweise eines Hohlraums oder einer Hohlkammer) verwendete Begriff „Breite“ hier verwendet werden, um die laterale Abmessung einer Struktur anzugeben. Ferner kann der mit Bezug auf eine Höhe einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendete Begriff „Höhe“ hier verwendet werden, um eine Abmessung einer Struktur entlang einer Richtung senkrecht zu einer Fläche eines Trägers (beispielsweise senkrecht zur Hauptverarbeitungsfläche eines Trägers) anzugeben. Ferner kann der mit Bezug auf eine Tiefe einer Aussparung (oder eines Strukturelements) verwendete Begriff „Tiefe“ hier verwendet werden, um eine Abmessung einer Aussparung (oder eines Strukturelements) entlang einer zur Fläche eines Trägers senkrechten Richtung (beispielsweise senkrecht zur Hauptverarbeitungsfläche eines Trägers) anzugeben. Ferner kann eine „vertikale“ Struktur eine Struktur bezeichnen, die sich in einer zur lateralen Richtung senkrechten Richtung (beispielsweise senkrecht zur Hauptverarbeitungsfläche eines Trägers) erstreckt, und kann eine „vertikale“ Abmessung eine Abmessung entlang einer zur lateralen Richtung senkrechten Richtung bezeichnen (beispielsweise eine Abmessung senkrecht zur Hauptverarbeitungsfläche eines Trägers).
  • Das mit Bezug auf ein eine Struktur (oder ein Strukturelement) bedeckendes abgeschiedenes Material verwendete Wort „Bedecken“ kann hier verwendet werden, um anzugeben, dass ein abgeschiedenes Material eine Struktur (oder ein Strukturelement) vollständig bedecken kann, beispielsweise alle freigelegten Seiten und Flächen einer Struktur bedecken kann. Das mit Bezug auf ein eine Struktur (oder ein Strukturelement) bedeckendes abgeschiedenes Material verwendete Wort „Bedecken“ kann hier verwendet werden, um anzugeben, dass ein abgeschiedenes Material eine Struktur zumindest teilweise bedecken kann, wobei ein Material beispielsweise die freigelegten Seiten und Flächen einer Struktur zumindest teilweise bedecken kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Hohlkammer beispielsweise auch mit einem Material gefüllt sein, wobei eine Hohlkammer in einem Siliciumwafer beispielsweise mit Siliciumoxid gefüllt oder teilweise gefüllt sein kann. Daher kann der mit Bezug auf eine „Hohlkammer“ verwendete Begriff „hohl“ hier verwendet werden, um anzugeben, dass die Hohlkammer selbst (beispielsweise ein Hohlraum, ein Leerraum oder eine hohle Struktur) frei von einem Material sein kann. Eine Hohlkammer kann jedoch auch teilweise mit einem Füllmaterial gefüllt sein oder vollständig mit einem Füllmaterial gefüllt sein. Mit Bezug hierauf kann die Hohlkammer teilweise oder vollständig mit einem anderen Material als dem die Hohlkammer bereitstellenden Material gefüllt sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden einer Schicht (beispielsweise das Abscheiden einer Schicht, das Abscheiden eines Materials und/oder das Anwenden eines Schichtbildungsprozesses), wie hier beschrieben, auch das Bilden einer Schicht einschließen, wobei die Schicht verschiedene Unterschichten aufweisen kann, wobei verschiedene Unterschichten jeweils verschiedene Materialien aufweisen können. Mit anderen Worten können mehrere verschiedene Unterschichten in eine Schicht aufgenommen werden, oder es können mehrere verschiedene Gebiete in eine abgeschiedene Schicht und/oder in ein abgeschiedenes Material aufgenommen werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers, wie hier beschrieben, mehrere grundlegende Halbleiterherstellungstechniken aufweisen, die wenigstens einmal im Gesamtherstellungsprozess oder wenigstens einmal während der Verarbeitung eines Trägers verwendet werden können. Die folgende Beschreibung grundlegender Techniken sollte als Beispiele erläuternd verstanden werden, wobei die Techniken in die hier beschriebenen Prozesse aufgenommen werden können. Die als Beispiel beschriebenen grundlegenden Techniken brauchen möglicherweise nicht unbedingt als gegenüber anderen Techniken oder Verfahren bevorzugt oder vorteilhaft ausgelegt werden, weil sie nur dazu dienen, zu erläutern, wie eine oder mehrere Ausführungsformen der Erfindung verwirklicht werden können. Aus Gründen der Kürze kann die Erläuterung beispielhaft beschriebener grundlegender Techniken nur ein kurzer Überblick sein und sollte nicht als erschöpfende Beschreibung angesehen werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Schichtbildungsprozess (oder eine Schichtbildung) in ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers, in ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung oder in einen anderen Prozess oder ein anderes Verfahren, wie hier beschrieben, aufgenommen werden. Bei einem Schichtbildungsprozess kann eine Schicht unter Verwendung von Abscheidungstechniken, die eine chemische Dampfabscheidung (CVD oder einen CVD-Prozess) und eine physikalische Dampfabscheidung (PVD oder einen PVD-Prozess) einschließen können, gemäß verschiedenen Ausführungsformen über einer Fläche (beispielsweise über einem Träger, einem Wafer, einem Substrat, einer anderen Schicht oder dergleichen) abgeschieden werden (ein Schichtbildungsprozess kann daher das Abscheiden eines Materials einschließen). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Dicke einer abgeschiedenen Schicht, abhängig von ihrer spezifischen Funktion, im Bereich einiger Nanometer bis zu einigen Mikrometern liegen. Ferner kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine Schicht, abhängig von der jeweiligen spezifischen Funktion der Schicht, wenigstens eines von einem elektrisch isolierenden Material, einem elektrisch halbleitenden Material und einem elektrisch leitfähigen Material aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können Modifikationen von PVD- und CVD-Prozessen beim Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers, beispielsweise zum Abscheiden einer elektrisch isolierenden Schicht oder zum Füllen einer hohlen Struktur mit einem elektrisch leitenden Material, verwendet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein chemischer Dampfabscheidungsprozess (CVD-Prozess) eine Vielzahl von Modifikationen aufweisen, wie beispielsweise Atmosphärendruck-CVD (APCVD), Niederdruck-CVD (LPCVD), Ultrahochvakuum-CVD (UHVCVD), plasmaverstärkte CVD (PECVD), Hochdichtes-Plasma-CVD (HDPCVD), Fern-Plasma-verstärkte CVD (RPECVD), atomare Schichtabscheidung (ALD), Atomare-Schicht-CVD (ALCVD), Dampfphasenepitaxie (VPE), metallorganische CVD (MOCVD), hybride physikalische CVD (HPCVD) und dergleichen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Schichtbildungsprozess ferner die Bildung einer Resistschicht oder das Abscheiden einer Resistschicht, beispielsweise unter Verwendung von Schleuderbeschichten, Sprühbeschichten und dergleichen, aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Strukturierungsprozess (oder eine Strukturierung) in ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers oder in einen anderen Prozess oder ein anderes hier beschriebenes Verfahren aufgenommen werden. Der Strukturierungsprozess kann beispielsweise das Entfernen ausgewählter Abschnitte einer Oberflächenschicht und/oder das Entfernen ausgewählter Abschnitte eines Materials aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können mehrere Gräben, Aussparungen und/oder Löcher in einem Träger oder in einer Oberflächenschicht eines Trägers unter Verwendung eines Strukturierungsprozesses gebildet werden. Ferner kann eine Strukturierung einer Schicht verwendet werden, um eine strukturierte Schicht, beispielsweise eine Maskenschicht, zu bilden. Weil mehrere Prozesse beteiligt sein können, gibt es gemäß verschiedenen Ausführungsformen verschiedene Möglichkeiten, einen Strukturierungsprozess auszuführen, wobei Aspekte folgende sein können: das Auswählen wenigstens eines Bereichs einer Oberflächenschicht (oder eines Materials oder eines Trägers), der entfernt werden soll, beispielsweise unter Verwendung wenigstens eines Lithographieprozesses, und das Entfernen der ausgewählten Abschnitte einer Oberflächenschicht, beispielsweise unter Verwendung wenigstens eines Ätzprozesses.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können verschiedene Lithographieprozesse angewendet werden, um eine Maskenschicht zu erzeugen (beispielsweise eine strukturierte Resistschicht), beispielsweise Photolithographie, Mikrolithographie oder Nanolithographie, Elektronenstrahllithographie, Röntgenlithographie, Ultraviolettlithographie, Extremes-Ultraviolett-Lithographie, Interferenzlithographie und dergleichen. Ein Lithographieprozess kann wenigstens einen von einem anfänglichen Reinigungsprozess, einem Präparationsprozess, einem Aufbringen eines Resists (beispielsweise eines Photoresists), einem Belichten des Resists (beispielsweise Belichten des Photoresists mit einem Lichtmuster) und einem Entwickeln des Resists (beispielsweise Entwickeln des Photoresists unter Verwendung eines chemischen Photoresistentwicklers) einschließen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein anfänglicher Reinigungsprozess oder ein Reinigungsprozess, der in einen Lithographieprozess aufgenommen sein kann, angewendet werden, um organische oder anorganische Verunreinigungen von einer Oberfläche (beispielsweise von einer Oberflächenschicht, einem Träger, einem Wafer und dergleichen) beispielsweise durch eine nasschemische Behandlung, zu entfernen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Reinigungsprozess (beispielsweise ein chemisch-mechanisches Polieren (CMP)) auch angewendet werden, um eine Oxidschicht (beispielsweise eine dünne Siliciumoxidschicht) von einer Oberfläche (beispielsweise von einer Oberflächenschicht, einem Träger oder einem Wafer und dergleichen) zu entfernen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Anwenden eines Metallisierungsprozesses ferner ein Planarisieren der Trägeroberfläche (Waferoberfläche, Substratoberfläche und dergleichen) und/oder ein Planarisieren von Zwischenschichten, die in einen Mehrebenenmetallisierungsprozess aufgenommen sind (beispielsweise unter Verwendung eines chemisch-mechanischen Polierens) aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Planarisierungsprozess angewendet werden, beispielsweise um die Oberflächenrauigkeit zu verringern oder Variationen im Tiefenprofil eines Trägers oder einer Waferoberfläche, worin Strukturelemente mit unterschiedlichen Höhen enthalten sind, zu verringern, weil einige Prozesse eine flache Oberfläche (beispielsweise eine planare Oberfläche) erfordern können (beispielsweise die hochauflösende Lithographie). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Planarisierungsprozess erforderlich sein, wenn die Anzahl der ausgeführten Schichtbildungsprozesse und Strukturierungsprozesse zunimmt und eine planare Oberfläche erforderlich sein kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein chemisch-mechanischer Polierprozess (CMP oder CMP-Prozess) ausgeführt werden, wobei dieser Prozess für spezifische Materialien an der Oberfläche eines Trägers (eines Wafers, eines Substrats, einer Oberflächenschicht und dergleichen) selektiv sein kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein chemisch-mechanischer Polierprozess (CMP) ausgeführt werden, wobei dieser Prozess für spezifische Materialien an der Oberfläche eines Trägers (eines Wafers, eines Substrats, einer Oberflächenschicht und dergleichen) nicht selektiv sein kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Planarisierungsprozess zusätzlich in mehrere Prozesse aufgenommen werden, beispielsweise in Schichtbildungsprozesse, Strukturierungsprozesse und dergleichen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Resist aufgebracht werden, um eine Oberfläche (beispielsweise eine Oberflächenschicht, einen Träger oder einen Wafer und dergleichen) zu bedecken. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Aufbringen eines Resists ein Schleuderbeschichten oder Sprühbeschichten zur Erzeugung einer Resistschicht einschließen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Resist belichtet werden (beispielsweise indem ein Resist einem Lichtmuster ausgesetzt wird), um ein gewünschtes Muster auf einen Resist zu übertragen, beispielsweise unter Verwendung von Licht oder Elektronen, wobei das gewünschte Muster durch eine strukturierte Lithographiemaske (beispielsweise einen Glasträger mit einer für das Belichten der Resistschicht verwendeten strukturierten Chromschicht) definiert werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Lithographieprozess das Entwickeln eines Resists (beispielsweise das Entwickeln eines Photoresists unter Verwendung eines Photoresistentwicklers) zum teilweisen Entfernen des Resists, um eine strukturierte Resistschicht (beispielsweise auf einer Oberflächenschicht oder einem Träger, einem Wafer und dergleichen) zu erzeugen, einschließen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Entwicklungsprozess eine spezielle chemische Lösung (einen so genannten Entwickler), wie beispielsweise Natriumhydroxid oder Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH, ein metallionenfreier Entwickler), einschließen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die strukturierte Resistschicht in einem Hartbackprozess (einer Wärmebehandlung, beispielsweise einer schnellen thermischen Verarbeitung) verfestigt werden, wodurch eine dauerhaftere Schutzschicht für spätere Prozesse verwirklicht wird.
  • Unabhängig von den beschriebenen Lithographieprozessen, kann eine Resistschicht oder eine strukturierte Resistschicht an einer gewünschten Verarbeitungsstufe (beispielsweise nachdem ein Graben geätzt wurde oder ein Träger strukturiert wurde) in einem so genannten Resistabziehprozess vollständig (oder teilweise) entfernt werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Resist chemisch und/oder unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas entfernt werden.
  • Es sei bemerkt, dass ein Lithographieprozess, einschließlich beispielsweise des Belichtens eines Resists und des Entwickelns eines Resists, auch als ein Strukturierungsprozess angesehen werden kann, wobei eine strukturierte Resistschicht (eine Weichmaske oder eine Resistmaske) durch den Lithographieprozess erzeugt werden kann. Ferner kann nach der Verwendung eines Ätzprozesses gemäß verschiedenen Ausführungsformen ein Muster von einer strukturierten Resistschicht auf eine zuvor abgeschiedene oder aufgewachsene Schicht übertragen werden, wobei die zuvor abgeschiedene oder aufgewachsene Schicht ein Hartmaskenmaterial, wie beispielsweise ein Oxid oder ein Nitrid (beispielsweise Siliciumoxid oder Siliciumnitrid) zur Erzeugung einer so genannten Hartmaske aufweisen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Ätzprozess, der in einen Strukturierungsprozess aufgenommen sein kann, angewendet werden, um Material von einer zuvor abgeschiedenen Schicht, einer aufgewachsenen Oberflächenschicht oder von einem Träger (oder einem Substrat oder einem Wafer) und dergleichen zu entfernen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine strukturierte Schicht aus einem Hartmaskenmaterial als eine Maske für Prozesse in der Art eines Ätzens oder Bildens von Aussparungen, Gräben oder Löchern an gewünschten Positionen in einem Träger oder in einer Oberflächenschicht dienen. Ferner kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen ein strukturierter Photoresist auch als eine Maske (eine so genannte Weichmaske) dienen. Das Maskenmaterial kann gewöhnlich in Bezug auf spezifische Anforderungen, wie beispielsweise die chemische Stabilität oder die mechanische Stabilität, beispielsweise zum Schützen von Bereichen gegen ein Ätzen oder zum Definieren der Form von Strukturelementen, die während eines Schichtbildungsprozesses zu erzeugen sind, und dergleichen, ausgewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können einige Stufen während der Verarbeitung eines Trägers eine konform abgeschiedene Schicht erfordern oder das konforme Abscheiden einer Schicht erfordern (beispielsweise zur Bildung einer Schicht über einer Seitenwand eines Strukturelements oder zum Bedecken einer inneren Seitenwand oder Oberfläche eines Hohlraums), was bedeutet, dass eine Schicht (oder ein eine Schicht bildendes Material) entlang einer Grenzfläche mit einem anderen Körper nur geringe Dickenvariationen aufweisen kann, wobei eine Schicht beispielsweise entlang Rändern, Stufen oder anderen Elementen der Morphologie der Grenzfläche nur kleine Dickenänderungen aufweisen kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können Schichtbildungsprozesse, wie Plattieren, atomare Schichtabscheidung (ALD) oder mehrere CVD-Prozesse (beispielsweise ALCVD oder LPCVD) geeignet sein, um eine konforme Schicht oder eine konform abgeschiedene Schicht eines Materials zu erzeugen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann unter Verwendung beispielsweise eines atomaren Schichtabscheidungs-(ALD)-Prozesses eine Struktur mit einem hohen Aspektverhältnis (beispielsweise größer als 5, größer als 10 oder größer als 20) konform mit einer Schicht oder einem Dünnfilm bedeckt werden. Ferner kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen, beispielsweise unter Verwendung eines atomaren Schichtabscheidungs-(ALD)-Prozesses, die Innenfläche (beispielsweise die innere Seitenwand) eines Hohlraums oder einer Hohlkammer mit einer konformen Schicht oder einem konformen Dünnfilm (vollständig oder teilweise) bedeckt werden. Mit anderen Worten kann das Verwenden der atomaren Schichtabscheidung das Beschichten der inneren Seitenwand oder Seitenwände eines Hohlraums oder einer Hohlraumstruktur mit einer Materialschicht (beispielsweise mit einer konformen Materialschicht) ermöglichen, falls der Hohlraum oder die Hohlraumstruktur wenigstens eine Öffnung aufweisen kann, so dass das die Materialschicht bildende Material das Innere des Hohlraums oder der Hohlraumstruktur erreichen kann. Ferner kann die Verwendung der atomaren Schichtabscheidung das vollständige Füllen einer Hohlkammer ermöglichen, beispielsweise falls die Hohlkammer wenigstens eine Öffnung aufweist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Träger, wie hier beschrieben (beispielsweise ein Substrat, ein Wafer und dergleichen), aus Halbleitermaterialien verschiedener Typen, einschließlich Silicium, Germanium, Gruppe III bis V oder anderen Typen, einschließlich beispielsweise Polymeren, hergestellt werden, wenngleich gemäß einer anderen Ausfiihrungsform andere geeignete Materialien verwendet werden können. Gemäß einer Ausführungsform besteht das Wafersubstrat aus Silicium (dotiert oder undotiert). Alternativ können beliebige andere geeignete Halbleitermaterialien für das Wafersubstrat verwendet werden, beispielsweise ein Halbleiterverbindungsmaterial, wie Siliciumcarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN), Indiumphosphid (InP), jedoch auch ein beliebiges geeignetes ternäres Halbleiterverbindungsmaterial oder quaternäres Halbleiterverbindungsmaterial, wie Indiumgalliumarsenid (InGaAs). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger ein oder mehrere dotierte Gebiete aufweisen, beispielsweise einen oder mehrere p-n-Übergänge im Träger bereitstellen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers beschrieben, wobei dieses Verfahren zur Bildung eines elektrisch isolierten Gebiets in einem Siliciumwafer oder Siliciumträger, einer SOI-Struktur (Silicium-auf-Isolator-Struktur) verwendet werden kann. Ferner kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen ein Träger bereitgestellt werden, der ein getrenntes Siliciumgebiet (beispielsweise ein elektrisch isoliertes und/oder räumlich getrenntes Siliciumgebiet) in einem Träger, eine SON-Struktur (Silicium-auf-nichts-Struktur) aufweist. Bei üblicherweise verwendeten Technologien kann das Aufnehmen eines elektrisch isolierten Gebiets im Träger beispielsweise das Verwenden eines SOI-Substrats (eines Silicium-auf-Isolator- Substrats) aufweisen, wobei eine vergrabene Oxidschicht (beispielsweise in einer Tiefe von mehreren Mikrometern) eine dünne aktive Siliciumschicht an der Oberfläche des Substrats elektrisch isoliert. Die Verwendung eines SOI-Substrats zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung kann eine kostspielige Option zur Verwirklichung eines elektrisch isolierten Gebiets im Träger sein. Eine weitere Option kann die Bildung einer lokalen vergrabenen Oxidschicht, eines lokalen SOI-Gebiets, beispielsweise durch Anwenden eines so genannten Silicium-auf-nichts-Prozesses (auch als Venezia-Prozess oder Venetia-Prozess bezeichnet) oder der so genannten Leerraum-in-Silicium-Technik, sein. In Bezug hierauf kann ein elektrisch isoliertes Gebiet im Träger durch Bilden einer Grabenstruktur und Ausführen eines Hochtemperaturprozesses zur Bildung eines planaren Hohlraums oder eines röhrenartigen Hohlraums aus der Grabenstruktur gebildet werden. Beispielsweise kann die Grabenstruktur, abhängig vom Entwurf der Grabenstruktur, durch einen Temperprozess in einen oder mehrere Hohlräume (Hohlkammern) übertragen werden. Dadurch kann eine lokale (lateral begrenzte) Isolation durch den einen oder die mehreren Hohlräume unterhalb eines Siliciumgebiets bereitgesellt werden. Bei einem weiteren Prozess kann das Gebiet über dem einen oder den mehreren Hohlräumen lateral isoliert werden, beispielsweise durch Ätzen eines Grabens in den Träger und Füllen des Grabens mit einem Material. Allerdings können üblicherweise verwendete Trägerentwürfe und Silicium-auf-nichts-Prozesse infolge der komplexen Diffusion und/oder des Migrations-basierten Bildungsprozesses nicht die Bildung eines Hohlraums mit einer großen lateralen Abmessung, beispielsweise größer als einige zehn Mikrometer, erlauben.
  • Im Allgemeinen kann ein üblicherweise verwendeter Silicium-auf-nichts-Prozess zur Bildung eines elektrisch isolierten Gebiets im Träger für Probleme in Bezug auf die Stabilität des Prozesses und/oder die mechanische Stabilität der verarbeiteten Strukturen anfällig sein. Eine üblicherweise verarbeitete Silicium-auf-nichts-Struktur (beispielsweise ein getrenntes Siliciumgebiet oder ein elektrisch isoliertes Siliciumgebiet im Träger) kann durch Ausräumen von Trägermaterial zwischen vergrabenen röhrenartigen Hohlräumen unterhalb des getrennten Siliciumgebiets mit dem Rest des Trägers verbunden werden. Das ausgeräumte Trägermaterial zwischen jeweils zwei benachbarten Hohlräumen kann eine mechanische Unterstützung für das Siliciumgebiet bereitstellen, das sich über den mehreren Hohlräumen befindet. Beispielsweise kann die mechanische Unterstützung für das isolierte Siliciumgebiet durch Bilden mehrerer Hohlräume in einem definierten Abstand zueinander bereitgestellt werden, wobei das Material zwischen den benachbarten Hohlräumen von den mehreren Hohlräumen thermisch oxidiert werden kann. Es kann jedoch schwierig sein, solche (beispielsweise vergrabenen röhrenartigen) Hohlräume zu erzeugen, weil die Träger zwischen benachbarten Hohlräumen eine genau gesteuerte Breite benötigen können, weil erstens eine zu kleine Bereite eines Trägers die Stabilität der Venezia-Struktur (des Siliciumgebiets, das sich über den mehreren Hohlräumen befindet) verringern kann und ferner der Träger durch typischerweise auftretende kleine Prozessschwankungen vollständig entfernt werden kann und zweitens eine zu große Breite des Trägers eine nicht tolerierbare Biegung des Trägers während des thermischen Oxidierens der Träger hervorrufen kann, um die elektrische Isolation des Siliciumgebiets über den durch die Träger getragenen Hohlräumen zu verwirklichen. Falls der Träger unterhalb des Siliciumgebiets unter Prozessbedingungen außerhalb eines sehr schmalen Fensters optimaler Prozessbedingungen verarbeitet wird (beispielsweise infolge einer typischerweise auftretenden Prozessschwankung), kann das Siliciumgebiet keine oder eine zu schwache Verbindung mit dem Träger haben, nachdem eine weitere Grabenstruktur für die laterale elektrische Isolation gebildet werden kann, und eine Weiterverarbeitung des Trägers kann unmöglich sein, weil das Siliciumgebiet vom Träger abgelöst werden kann.
  • Beispielsweise kann das Bereitstellen der Träger für eine Silicium-auf-nichts-Struktur unterhalb des getrennten Siliciumgebiets durch mehrere röhrenartige Hohlräume mit einem definierten Abstand zwischeneinander mit einer genau gesteuerten Verarbeitung verbunden sein, die fehleranfällig sein kann und zu einer geringen Kosteneffizienz führen kann. Ferner kann die thermische Oxidation der vergrabenen Hohlräume schwer zu steuern sein. Die Oxidation kann beispielsweise unvollständig sein, nachdem ein thermischer Oxidationsprozess ausgeführt wurde, so dass unerwünschte Leckströme vom Siliciumgebiet zum Träger fließen können. Ferner kann die unvollständige (teilweise) Oxidation der vergrabenen Hohlräume einen hohen Eintrag mechanischer Spannungen in den Träger hervorrufen, was zu einer unerwünschten Biegung des Trägers führen kann. Ferner kann die Verwendung vergrabener Strukturen zum Tragen des getrennten Siliciumgebiets zu dem Problem führen, dass es schwierig oder sogar unmöglich sein kann, einen direkten Test auszuführen, um zu bestimmen, ob der Oxidationsprozess erfolgreich war oder nicht.
  • Verschiedene Ausführungsformen können einen Weg zum Bereitstellen eines getrennten Siliciumgebiets (einer SOI-Struktur oder einer SON-Struktur) bereitstellen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Siliciumgebiet in einem Träger durch Bilden eines vergrabenen Hohlraums (beispielsweise eines planaren Hohlraums) bereitgestellt werden, um eine lokale Isolation des Siliciumgebiets von unten bereitzustellen, und kann das Siliciumgebiet durch Bilden einer Isolationsgrabenstruktur mit einem das Siliciumgebiet umgebenden Isolationsgraben lateral isoliert werden, wobei der Isolationsgraben unterbrochen sein kann, wodurch eine oder mehrere Befestigungsstrukturen bereitgestellt werden, welche das Siliciumgebiet lateral mit einem Teil des Trägers außerhalb des Grabenstruktur verbinden.
  • Beispielsweise kann der Entwurf einer lateralen Isolationsgrabenstruktur zum lateralen Isolieren eines Siliciumgebiets im Träger Tragstrukturen aufweisen (wobei die Tragstrukturen beispielsweise einen umfänglichen Isolationsgraben schneiden), die sich lateral vom Siliciumgebiet erstrecken, so dass das Siliciumgebiet unter Verwendung beispielsweise eines einzigen Hohlraums oder eines Hohlraums ohne eine Tragstruktur von unten isoliert werden kann. Die Tragstrukturen, die sich lateral von dem zu isolierenden Siliciumgebiet erstrecken, können klein genug sein, um durch einen nachfolgend ausgeführten Oxidationsprozess (beispielsweise durch eine thermische Oxidation) teilweise oder vollständig oxidiert zu werden. Mit anderen Worten können die Tragstrukturen, die sich lateral vom zu isolierenden Siliciumgebiet erstrecken, ein Oxid aufweisen oder aus einem Oxid bestehen, weshalb das Siliciumgebiet durch die Grabenstruktur lateral elektrisch isoliert werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können laterale Tragstrukturen verwendet werden, um ein Gebiet in einem Träger vollständig elektrisch zu isolieren, wobei das Gebiet in dem Träger durch einen oder mehrere Gräben lateral und durch eine oder mehrere Hohlkammern vertikal (von unten) isoliert werden kann.
  • Wie hier beschrieben, können ein Trägerentwurf und ein Verfahren zur Herstellung einer kostenwirksamen SOI-Struktur oder SON-Struktur durch einen stabilen Prozess, der leicht zu steuern sein kann, bereitgestellt werden. Dabei können Tragstrukturen unterhalb der SOI-Struktur oder der SON-Struktur nicht erforderlich sein. Beispielsweise kann die SOI-Struktur oder die SON-Struktur keine Last tragende vertikale Verbindung mit dem Träger haben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger zur Herstellung einer kostenwirksamen lokalen SOI-Struktur oder SON-Struktur mit einer sich gleichmäßig erstreckenden Hohlkammer (einem sich gleichmäßig erstreckenden Hohlraum) unter der SOI-Struktur oder der SON-Struktur verwendet werden. Dies kann in MEMS (mikro-elektromechanischen Systemen) oder in Anwendungen in der Art von Resonatoren und integrierten Hochspannungsvorrichtungen verwendet werden.
  • Ferner können der Trägerentwurf und das Verfahren zur Verarbeitung des Trägers zur Herstellung einer SOI-Struktur oder einer SON-Struktur für Leistungsanwendungen, Logikschaltungen und/oder MEMS auf ultradünnem Silicium verwendet werden. Dabei kann eine SOI-Struktur oder eine SON-Struktur in einem Träger gebildet werden, wodurch ein ultradünner Chip bereitgestellt wird, und es kann anschließend eine elektronische Schaltung oder ein MEMS auf dem ultradünnen Chip gebildet werden, wobei der ultradünne Chip nach der Verarbeitung durch einen Plasmavereinzelungsprozess durch den Fertigungsende-Stapel mit einem nachfolgend ausgeführten Pick, Crack & Place™-Prozess abgetrennt werden kann.
  • 1A zeigt einen Träger 100 in einer schematischen Seitenansicht oder einer Schnittansicht gemäß verschiedenen Beispielen, wobei der Träger eine Hohlkammer 104 aufweisen kann, die von einer Fläche 102s des Trägers 100 beabstandet ist. Der Träger 100 kann ferner eine Grabenstruktur 106 aufweisen, die sich von der Fläche 102s des Trägers 100 zur Hohlkammer 104 erstreckt und ein erstes Gebiet 102a des Trägers 100 lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur 106 einen oder mehrere Gräben 106t aufweisen kann, die sich von der Fläche 102s des Trägers 100 zur Hohlkammer 104 erstrecken und wobei die Grabenstruktur 106 ferner eine oder mehrere Tragstrukturen 108 aufweisen kann, welche den einen oder die mehreren Gräben 106t schneiden und das erste Gebiet 102a des Trägers 100 mit einem zweiten Gebiet 102b des Trägers 100 außerhalb der Grabenstruktur 106 verbinden. Ferner können die eine oder die mehreren Tragstrukturen 108 ein elektrisch isolierendes Material aufweisen. Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können die eine oder die mehreren Tragstrukturen 108 elektrisch isolierend sein.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann der Träger 100 ein Siliciumsubstrat, ein Siliciumträger oder ein Siliciumwafer sein. Der Träger kann ferner ein anderes Material aufweisen, wobei der Träger beispielsweise ein geschichteter Träger sein kann, der wenigstens eine Siliciumschicht als obere Schicht aufweist. Mit anderen Worten kann wenigstens die Oberflächenschicht 102 oder das Oberflächengebiet 102 des Trägers 100 Silicium aufweisen. Das Oberflächengebiet 102 kann ein Teil des Trägers 100 sein. Gemäß eines oder mehreren Beispielen kann das Oberflächengebiet 102 über einem Bulk-Gebiet des Trägers 100 gebildet werden. Alternativ kann der Träger 100 ein Halbleitersubstrat, einen Halbleiterträger oder einen Halbleiterwafer aufweisen oder ein Halbleitersubstrat, ein Halbleiterträger oder ein Halbleiterwafer sein, wobei er andere Halbleitermaterialien als Silicium, beispielsweise Germanium, aufweisen kann oder daraus bestehen kann.
  • Gemäß eines oder mehreren Beispielen kann die Fläche 102s eine obere Fläche oder eine Oberseite des Trägers 100 sein. Die obere Fläche 102s des Trägers, beispielsweise der Oberflächenschicht 102, oder des Oberflächengebiets 102 des Trägers 100, kann eine laterale Richtung 101 definieren. Gemäß verschiedenen Beispielen kann die Hohlkammer 104, die im Träger 100 enthalten ist, innerhalb des Oberflächengebiets 102 des Trägers 100 gebildet sein, wobei die Hohlkammer 104 von der oberen Fläche 102s beabstandet angeordnet sein kann. Der Abstand 105a zwischen der oberen Fläche 102s und der Hohlkammer 104, beispielsweise der vertikale Abstand senkrecht zur lateralen Richtung 101, kann die Höhe 105a des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 definieren. Die Höhe 105a des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 kann im Bereich von etwa einigen hundert Nanometern bis zu etwa einigen Mikrometern oder bis zu etwa einigen zehn Mikrometern liegen, beispielsweise im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 50 µm, beispielsweise im Bereich von etwa 1 µm bis etwa 30 µm, beispielsweise im Bereich von etwa 1 µm bis etwa 10 µm.
  • Ferner kann die Breite 101a des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 durch die Breite der Hohlkammer 104 (die Hohlkammer 104 kann sich lateral innerhalb des Trägers 100 erstrecken) begrenzt sein. In Bezug hierauf kann die Breite 101a des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 durch die Grabenstruktur 106 definiert werden, welche das erste Gebiet 102a des Trägers 100 lateral umgibt. Die Breite 101a des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 kann im Bereich von etwa einigen hundert Nanometern bis etwa einigen Mikrometern oder bis etwa einigen zehn Mikrometern oder bis etwa einigen hundert Mikrometern oder bis etwa einigen Millimetern oder bis etwa einigen Zentimetern liegen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Breite der Hohlkammer 104 größer oder gleich der Breite 101a des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann sich die Grabenstruktur 106 oder können sich der eine oder die mehreren Gräben 106t, die in der Grabenstruktur 106 enthalten sind, von der Fläche 102s in den Träger 100 oder in das Oberflächengebiet 102 des Trägers erstrecken, wobei sie beispielsweise eine Tiefe aufweisen, die größer oder gleich der Höhe 105a des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 ist.
  • Ferner kann sich die Grabenstruktur 106 oder können sich der eine oder die mehreren Gräben 106t, die in der Grabenstruktur 106 enthalten sind, von der Fläche 102s zumindest bis zur Hohlkammer 104 erstrecken. Mit anderen Worten kann die Tiefe des einen oder der mehreren Gräben 106t ausschließlich durch die Verarbeitung des einen oder der mehreren Gräben 106t begrenzt werden. Gemäß verschiedenen Beispielen kann die Grabenstruktur 106 oder können der eine oder die mehreren Gräben 106t, die in der Grabenstruktur 106 enthalten sind, das erste Gebiet 102a des Trägers 100 lateral von einem zweiten Gebiet 102b des Trägers 100, welches das erste Gebiet 102a des Trägers 100 umgibt, trennen (wobei das zweite Gebiet 102b die Grabenstruktur 106 umgibt). Die Breite 109 des einen oder der mehreren Gräben 106t der Grabenstruktur 106 kann im Bereich von etwa einigen zehn Nanometern bis zu etwa einigen Mikrometern, beispielsweise im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 10 µm, beispielsweise im Bereich von etwa 50 nm bis etwa 1 µm, liegen.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann die Hohlkammer 104 das erste Gebiet 102a des Trägers 100 vertikal von einem dritten Gebiet 102c des Trägers 100 trennen, wobei das dritte Gebiet 102c des Trägers 100 unterhalb des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 angeordnet sein kann oder sich darunter erstrecken kann. Die Hohlkammer 104 kann zwischen dem ersten Gebiet 102a und dem dritten Gebiet 102c des Trägers 100 angeordnet sein. Die Höhe 107 der Hohlkammer 104 kann im Bereich von etwa einigen zehn Nanometern bis zu etwa einigen Mikrometern, beispielsweise im Bereich von etwa 50 nm bis etwa 10 µm, beispielsweise im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 1 µm, liegen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das erste Gebiet 102a des Trägers 100, das dritte Gebiet 102c des Trägers 100 und/oder das zweite Gebiet 102b des Trägers 100 Silicium, beispielsweise dotiertes Silicium, aufweisen oder daraus bestehen.
  • Ferner kann die Grabenstruktur 106 eine Tragstruktur 108, beispielsweise ein oder mehrere Tragstrukturelemente 108, aufweisen. Die Tragstruktur 108 oder das eine oder die mehreren Tragstrukturelemente 108 können ein elektrisch isolierendes Material, beispielsweise ein Oxid, ein Nitrid oder ein Oxynitrid, beispielsweise Siliciumoxid, Siliciumnitrid oder Siliciumoxynitrid, aufweisen oder daraus bestehen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Tragstruktur 108 oder können das eine oder die mehreren Tragstrukturelemente 108 Silicium aufweisen, das zumindest teilweise oxidiert wird, beispielsweise durch einen thermischen Oxidationsprozess einer innerhalb der Grabenstruktur 106 gebildeten Siliciumstruktur oder durch thermisches Oxidieren eines Teils der Grabenstruktur 106.
  • Ferner kann die Tragstruktur 108 oder können das eine oder die mehreren Tragstrukturelemente 108 dafür ausgelegt sein, elektrisch zu isolieren, beispielsweise zumindest entlang der lateralen Richtung. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Tragstruktur 108 oder das eine oder die mehreren Tragstrukturelemente 108 in direktem Kontakt mit dem ersten Gebiet 102a des Trägers 100 und dem zweiten Gebiet 102b des Trägers 100 stehen, wodurch das erste Gebiet 102a des Trägers 100 und das zweite Gebiet 102b des Trägers 100 miteinander verbunden sind. Weil die Hohlkammer 104 dafür ausgelegt sein kann, das erste Gebiet 102a des Trägers 100 vertikal vom dritten Gebiet 102c des Trägers 100 zu trennen, beispielsweise so dass das erste Gebiet 102a des Trägers 100 nicht in direktem Kontakt mit dem dritten Gebiet 102c des Trägers 100 stehen kann, können die Tragstruktur 108 oder das eine oder die mehreren Tragstrukturelemente 108 dazu dienen oder dafür ausgelegt sein, das erste Gebiet 102a des Trägers 100 zu halten (zu tragen, zu befestigen). Beispielsweise kann das erste Gebiet 102a des Trägers 100 keinen direkten Kontakt mit dem Rest des Trägers 100 oder dem Rest des Oberflächengebiets 102 haben, wobei das erste Gebiet 102a des Trägers 100 nur durch die Tragstruktur 108 mechanisch befestigt (oder gehalten) werden kann. Daher kann das erste Gebiet 102a des Trägers 100 vom Rest des Trägers 100 oder vom Rest des Oberflächengebiets 102 elektrisch isoliert sein (wobei der Rest des Trägers 100 beispielsweise als das dritte Gebiet 102c und das zweite Gebiet 102b des Trägers 100 angesehen werden kann). Ferner kann das erste Gebiet 102a des Trägers 100 durch wenigstens eine Tragstruktur 108 mit dem zweiten Gebiet 102b des Trägers 100 verbunden werden, wobei beispielsweise wenigstens eine Seite des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 durch wenigstens eine Tragstruktur 108 an der entsprechenden benachbarten Seite des zweiten Gebiets 102b des Trägers 100 befestigt werden kann. Es gibt mehrere mögliche Modifikationen zum Verbinden des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 mit dem zweiten Gebiet 102b des Trägers 100 über eine oder mehrere Tragstrukturen 108.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Hohlkammer 104 und die Grabenstruktur 106, einschließlich des einen oder der mehreren Gräben 106t und der einen oder der mehreren Tragstrukturen 108 (oder der Tragstrukturelemente 108) das erste Gebiet 102a des Trägers 100 elektrisch (und räumlich) vom Rest des Trägers 100 trennen. Daher kann das erste Gebiet 102a des Trägers 100 ein Siliciumgebiet auf einem Isolator sein (der Isolator kann in diesem Fall der räumliche Abstand sein, der durch die Hohlkammer 104 und den einen oder die mehreren Gräben 106t der Grabenstruktur 106 bereitgestellt wird), was als SOI bezeichnet werden kann. Ferner kann das erste Gebiet 102a des Trägers 100 ein Siliciumgebiet auf nichts sein (wobei nichts in diesem Fall der räumliche Abstand sein kann, der durch die Hohlkammer 104 und den einen oder die mehreren Gräben 106t der Grabenstruktur 106 bereitgestellt wird), was als SON bezeichnet werden kann. In Bezug hierauf kann die Hohlkammer 104 frei von Material, beispielsweise frei von einem festen und/oder flüssigen Material, sein, wobei die Hohlkammer 104 beispielsweise ein leerer Raum sein kann. Ferner können der eine oder die mehreren Gräben 106t frei von einem Material, beispielsweise frei von einem festen und/oder einem flüssigen Material, sein.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen können der eine oder die mehreren Gräben 106t eine beliebige gewünschte Form oder einen beliebigen gewünschten Entwurf haben (wie beispielsweise in den 2A bis 2F dargestellt ist), weshalb der eine oder die mehreren Gräben 106t als eine oder mehrere Aussparungen 106t, als ein oder mehrere Löcher 106t, als eine oder mehrere Öffnungen 106t, als ein oder mehrere Hohlräume 106t und dergleichen angesehen werden können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Innenwände der Hohlkammer 104 und/oder die Seitenwände des einen oder der mehreren Gräben 106t der Grabenstruktur 106 mit einem zusätzlichen Material, beispielsweise mit einem elektrisch isolierenden Material, beispielsweise mit einem Oxid, beispielsweise mit Siliciumoxid, bedeckt werden. Die Hohlkammer 104 und/oder der eine oder die mehreren Gräben 106t der Grabenstruktur 106 können jedoch einen Zwischenraum zwischen dem ersten Gebiet 102a des Trägers 100 und dem Rest des Trägers bereitstellen. Beispielsweise kann dieser Zwischenraum, welcher das erste Gebiet 102a des Trägers 100 vollständig begrenzt, durch eine Tragstruktur 108 oder, wie nachfolgend beschrieben, durch mehr als eine Tragstruktur 108 (beispielsweise ausschließlich) unterbrochen (intermittiert oder überbrückt sein).
  • 1B zeigt eine Draufsicht des Trägers 100, entsprechend der Seitenansicht oder der Schnittansicht in 1A. Der Träger 100 oder das Oberflächengebiet 102 des Trägers 100 kann eine größere laterale Abmessung aufweisen als in den Figuren dargestellt. Der Träger 100 kann ein Siliciumwafer sein, der beispielsweise einen Durchmesser von bis zu 300 mm oder einen Durchmesser von sogar mehr als 300 mm aufweist. Ferner kann es analog mit dem dargestellten Träger 100 mehrere erste Gebiete geben, die im Träger 100 angeordnet oder ausgebildet sind. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können mehrere getrennte erste Gebiete 102a im Träger 100 angeordnet werden, beispielsweise lateral nebeneinander bzw. von wenigstens einer Grabenstruktur 106 umgeben.
  • Wie in 1B dargestellt ist, kann das erste Gebiet 102a bei Betrachtung von oben eine rechteckige Form aufweisen. Ferner kann das erste Gebiet 102a eine beliebige andere verarbeitbare Form (beispielsweise unter Verwendung von Halbleiterstrukturierungsprozessen) aufweisen, beispielsweise eine quadratische Form, eine Kreisform, eine polygonale Form und dergleichen. Gemäß verschiedenen Beispielen kann die Grabenstruktur 106 eine ähnliche Form wie das erste Gebiet 102a aufweisen, so dass die Grabenstruktur 106 das erste Gebiet 102a des Trägers 100 lateral umgeben und lateral begrenzen kann.
  • Die Tragstruktur 108 kann sich vertikal durch die Grabenstruktur 106 oder den einen oder die mehreren Gräben 106t der Grabenstruktur 106 erstrecken. Mit anderen Worten kann die vertikale Abmessung der Tragstruktur 108 größer oder gleich der Höhe 105a des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 sein. Alternativ kann die vertikale Abmessung der Tragstruktur 108 kleiner als die Höhe 105a des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 sein, so dass sich die Tragstruktur 108 teilweise vertikal durch die Grabenstruktur 106 oder durch den einen oder die mehreren Gräben 106t der Grabenstruktur 106 erstrecken kann.
  • Wie dargestellt, können sich die Grabenstruktur 106 oder der eine oder die mehreren Gräben vertikal (oder im Wesentlichen vertikal mit einer Abweichung von weniger als 10°) von der Fläche 102s der wenigstens einen Hohlkammer 104 in den Träger erstrecken. Alternativ können sich die Grabenstruktur 106 oder der eine oder die mehreren Gräben in einem beliebigen anderen Winkel quer zur Fläche 102s des Trägers 100 erstrecken.
  • Wie in 1C dargestellt ist, können wenigstens zwei Tragstrukturen 108 oder Tragstrukturelemente 108 dafür ausgelegt sein, das erste Gebiet 102a des Trägers 100 lateral am zweiten Gebiet 102b des Trägers 100 anzubringen. Die Tragstrukturen 108 können symmetrisch auf entgegengesetzten Seiten des ersten Gebiets 102a angeordnet werden. Beispielsweise kann ein Teil der Grabenstruktur 106 als Tragstruktur 108 ausgelegt werden.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen, wie in 1D dargestellt ist, können die Tragstrukturen 108 in jedem Fall das erste Gebiet 102a entlang einer Verbindungsrichtung 111, die beispielsweise durch die jeweiligen Kontaktgebiete definiert ist, welche in Kontakt mit der Tragstruktur 108 stehen, mit dem zweiten Gebiet 102b verbinden. Die Abmessung der Tragstruktur 108 entlang der Verbindungsrichtung 111 kann im Bereich von etwa einigen zehn Nanometern bis zu etwa einigen Mikrometern, beispielsweise im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 10 µm, liegen. Beispielsweise kann die Abmessung der Tragstruktur 108 entlang der Verbindungsrichtung 111 von der Breite 109 des einen oder der mehreren Gräben abhängen, weshalb die Abmessung der Tragstruktur 108 entlang der Verbindungsrichtung 111 größer oder gleich der jeweiligen Breite 109 des einen oder der mehreren Gräben sein kann. Ferner kann die Abmessung der Tragstruktur 108 transversal (vertikal) zur Verbindungsrichtung 111 kleiner als etwa 300 nm, beispielsweise kleiner als etwa 200 nm, beispielsweise kleiner als etwa 100 nm, sein, beispielsweise im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 100 nm liegen. Die Abmessung der Tragstruktur 108 transversal (vertikal) zur Verbindungsrichtung 111 kann ein vollständiges Oxidieren der Tragstruktur 108 ohne eine Beschädigung der SOI-Struktur oder der SON-Struktur ermöglichen. Beispielsweise könnte ein Oxidieren einer Tragstruktur 108 mit einer größeren Dicke als einigen zehn oder hundert Nanometern zu einem Spannungseintrag in die Tragstruktur 108 und/oder in das erste Gebiet 102a führen, wodurch die Struktur zerstört werden kann. Die Bildung der Grabenstruktur 106 unter Verwendung einer Lithographie-basierten Strukturierung vom oberen Teil des Trägers 100 kann die Bildung der Tragstruktur 108 mit den gewünschten Abmessungen ermöglichen.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann eine Tragstruktur 108, die beispielsweise Siliciumoxid aufweist, strukturell schwächer sein als die gleiche Tragstruktur 108, die aus Silicium besteht, weshalb das erste Gebiet 102a des Trägers 100 leicht an irgendeiner gewünschten Verarbeitungsstufe einer nachfolgend ausgeführten Verarbeitung entfernt werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine nachfolgend ausgeführte Verarbeitung das Bilden einer elektronischen Schaltung (oder eines mikro-elektromechanischen Systems oder eines Sensors oder einer anderen Komponente, die in der Halbleitertechnologie verarbeitbar ist) über und/oder im ersten Gebiet 102a des Trägers 100 aufweisen. Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann eine erste elektronische Schaltung (oder ein mikro-elektromechanisches System, ein Sensor oder eine andere Komponente, die in der Halbleitertechnologie verarbeitbar ist) über und/oder im ersten Gebiet 102a des Trägers 100 gebildet werden und kann eine zweite elektronische Schaltung (oder ein mikro-elektromechanisches System, ein Sensor oder eine andere Komponente, die in der Halbleitertechnologie verarbeitbar ist) über und/oder im zweiten Gebiet 102b (oder im dritten Gebiet 102c) des Trägers 100 außerhalb der Grabenstruktur 106 gebildet werden. Daher kann die Grabenstruktur 106 eine erste elektronische Schaltung (oder ein mikro-elektromechanisches System, einen Sensor oder eine andere Komponente, die in der Halbleitertechnologie verarbeitbar ist) von einer zweiten elektronischen Schaltung (oder einem mikro-elektromechanischen System, einem Sensor oder einer anderen Komponente, die in der Halbleitertechnologie verarbeitbar ist) lateral isolieren.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Trennung (oder eine Trennung eines ersten Gebiets im Träger) eine elektrische Isolation (oder das Bereitstellen einer elektrischen Isolation) aufweisen, so dass kein erheblicher Stromfluss zwischen den getrennten Strukturen möglich sein kann. Ferner kann eine Trennung eine räumliche Trennung einschließen, beispielsweise durch Bereitstellen eines Zwischenraums oder eines Leerraums.
  • Aus mehreren Gründen, wie in 1E dargestellt ist, kann es erwünscht sein, eine oder mehrere Komponenten 122 (beispielsweise elektronische Schaltungen oder elektronische Komponenten und/oder mechanische Komponenten) über und/oder im ersten Gebiet 102a des Trägers 100 zu bilden, wobei die eine oder die mehreren Komponenten 122 vom Rest des Trägers getrennt werden können, weil die eine oder die mehreren Komponenten 122 (beispielsweise einschließlich eines Sensors, eines Schalters, einer Logikschaltung, eines Mikroprozessors, eines MEMS und dergleichen) beispielsweise unter spezifischen Betriebsbedingungen betrieben werden müssen. Eine Niederspannungs- oder Niederleistungskomponente 122 kann beispielsweise in eine Leistungsvorrichtung, beispielsweise einen IGBT, einen Leistungs-MOSFET und dergleichen, integriert werden, wobei die Niederspannungs- oder die Niederleistungskomponente 122 von der Leistungsvorrichtung (beispielsweise durch die Grabenstruktur 106 und die Hohlkammer 104) getrennt werden kann, die im Rest des Trägers 100 angeordnet ist (beispielsweise im dritten Gebiet 102c und/oder im zweiten Gebiet 102b).
  • Beispielsweise kann es der Träger 100, wie hier beschrieben, ermöglichen, eine erste elektronische Komponente und eine zweite elektronische Komponente in einem einzigen Träger oder in einem einzigen Halbleitersubstrat bereitzustellen, wobei die beiden elektronischen Komponenten unterschiedliche Betriebsbedingungen (beispielsweise Betriebsspannungen, Betriebsströme und dergleichen) erfordern können, wobei der Träger 100 beispielsweise das Integrieren eines Sensors (beispielsweise eines Temperatursensors) in eine leistungselektronische Vorrichtung, um eine direkte Messung des tatsächlichen Zustands der leistungselektronischen Vorrichtung bereitzustellen, das Integrieren einer Strom- und/oder Spannungsmessstruktur in eine leistungselektronische Vorrichtung, um die elektronischen Eigenschaften der leistungselektronischen Vorrichtung genauer zu bestimmen, und/oder das Integrieren einer Schalterstruktur oder einer Steuerschaltung (beispielsweise einer Logikschaltung) in eine leistungselektronische Vorrichtung, um den Betrieb der leistungselektronischen Vorrichtung zu steuern, ermöglichen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine erste elektronische Komponente (beispielsweise ein Sensor, eine Logikschaltung, ein Schaltkreis, eine Steuerschaltung und/oder eine Messschaltung) über und/oder im ersten Gebiet 102a des Trägers 100 angeordnet oder ausgebildet sein und kann eine zweite elektronische Komponente (beispielsweise eine leistungselektronische Komponente in der Art einer Diode, eines Bipolar-Sperrschichttransistors, eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate, eines Leistungs-MOSFETs (eines Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-(MOS)-Feldeffekttransistors (FET)), eines Thyristors, eines Gate-Turn-off-Thyristors, eines MOS-gesteuerten Thyristors, eines integrierten Gate-kommutierten Thyristors (IGCT) und dergleichen) über und/oder im dritten Gebiet 102c und/oder im zweiten Gebiet 102b des Trägers 100 angeordnet oder ausgebildet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite elektronische Komponente dafür ausgelegt sein, unter anderen Betriebsbedingungen zu arbeiten als die erste elektronische Komponente, beispielsweise in einem anderen Spannungsbereich und/oder in einem anderen Strombereich. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite elektronische Komponente eine Halbleiterleistungskomponente sein, die in einem Spannungsbereich und/oder einem Strombereich arbeitet, der eine oder mehrere Größenordnungen größer ist als die Betriebsbedingungen der ersten elektronischen Komponente, wobei die zweite elektronische Komponente beispielsweise Spannungen in einem Bereich von etwa 50 V bis etwa 5000 V und/oder Ströme im Bereich von etwa 50 A bis etwa 5000 A behandeln kann, wobei die erste elektronische Komponente eine Logikschaltung oder ein Sensor sein kann, die oder der bei Spannungen unterhalb von etwa 50 V und/oder bei Strömen unterhalb von etwa 50 A arbeitet. Die erste elektronische Komponente (beispielsweise eine Logikschaltung, ein Schaltkreis, eine Messschaltung und/oder ein Temperatursensor) kann Spannungen und/oder Strömen nicht leicht widerstehen, die typischerweise von einer leistungselektronischen Komponente behandelt werden können, wobei die erste elektronische Komponente und die zweite elektronische Komponente in einem einzigen Träger angrenzend zueinander angeordnet sein können, weshalb gemäß verschiedenen Ausführungsformen die erste elektronische Komponente von der zweiten elektronischen Komponente durch eine elektrisch isolierende Struktur getrennt sein kann, die im Träger angeordnet ist (beispielsweise durch die Hohlkammer 104 und die Grabenstruktur 106).
  • Ferner kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen die erste elektronische Komponente elektrisch mit der zweiten elektronischen Komponente gekoppelt sein, um die zweite elektronische Komponente zu analysieren und/oder zu steuern, beispielsweise durch eine Metallisierungsstruktur, die über dem Träger angeordnet ist, wobei die erste elektronische Komponente und die zweite elektronische Komponente zumindest teilweise im Träger ausgebildet sein können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine elektronische Vorrichtung einen Träger 100 mit einem getrennten ersten Gebiet 102a aufweisen, wie hier beschrieben. Die elektronische Vorrichtung, wie hier beschrieben, kann eine elektronische Steuerschaltung bereitstellen, die in eine leistungselektronische Komponente integriert ist, wobei die elektronische Steuerschaltung dafür ausgelegt sein kann, die leistungselektronische Komponente zu überwachen und zu steuern, so dass die leistungselektronische Komponente gemäß anderen Aspekten ausgelegt werden kann, was beispielsweise einen kleineren Entwurf ermöglichen kann, wodurch die gleichen Eigenschaften wie jene einer üblichen leistungselektronischen Vorrichtung und/oder eine bessere Funktionalität bei der gleichen Größe wie eine übliche leistungselektronische Vorrichtung erhalten werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Hochspannungsvorrichtung 122 in das erste Gebiet 102a des Trägers 100 integriert werden, wobei die Hochspannungsvorrichtung 122 durch die Hohlkammer 104 und die Grabenstruktur 106 vom Rest des Trägers 100 getrennt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine mikromechanische oder mikro-elektromechanische Vorrichtung 122 in das erste Gebiet 102a des Trägers 100 integriert werden, wobei die mikromechanische oder mikro-elektromechanische Vorrichtung 122 durch die Hohlkammer 104 und die Grabenstruktur 106 vom Rest des Trägers 100 getrennt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Sensor 122 oder ein Sensor-Array 122 in das erste Gebiet 102a des Trägers 100 integriert werden, wobei der Sensor oder das Sensor-Array vom Rest des Trägers 100 durch die Hohlkammer 104 und die Grabenstruktur 106 getrennt wird.
  • Verschiedene Modifikationen und/oder Konfigurationen des Trägers 100 und Einzelheiten in Bezug auf die Hohlkammer 104, die Grabenstruktur 106 und die Tragstruktur 108 werden nachfolgend beschrieben, wobei die mit Bezug auf die 1A bis 1E beschriebenen Merkmale und/oder Funktionalitäten analog aufgenommen werden können. Ferner können die nachfolgend beschriebenen Merkmale und/oder Funktionalitäten in den Träger 100 aufgenommen werden oder mit dem Träger 100 kombiniert werden, wie zuvor mit Bezug auf die 1A bis 1E beschrieben wurde.
  • Die folgenden 2A bis 2E zeigen jeweils eine schematische Draufsicht des Trägers 100, einschließlich jeweils einer anderen Grabenstruktur 106, gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Der Entwurf der Grabenstruktur 106 kann angepasst oder ausgewählt werden, um den einen oder die mehreren Gräben 106t und die eine oder die mehreren Tragstrukturen 108 zum Trennen (lateralen Isolieren) wenigstens eines ersten Gebiets 102a des Trägers 100 bereitzustellen, wie bereits beschrieben. Wie in 2A dargestellt, kann das erste Gebiet 102a des Trägers 100 durch vier Tragstrukturen 108 befestigt werden, die jeweils auf einer Seite des ersten Gebiets 102a angeordnet werden. Die Abmessung der Tragstruktur 108 entlang der Verbindungsrichtung 111 kann durch die Strukturierung der Grabenstruktur 106, beispielsweise durch den Entwurf des einen oder der mehreren Gräben 106t, definiert werden. Beispielsweise kann die Abmessung der Tragstruktur 108 entlang der Verbindungsrichtung 111 durch die Verwendung einer entsprechenden Anordnung des einen oder der mehreren Gräben der Grabenstruktur 106 angepasst werden, wie beispielsweise in 2B dargestellt ist.
  • Ferner kann, wie in 2C dargestellt ist, die Grabenstruktur 106 mehrere Gräben 106t aufweisen, wobei wenigstens zwei Gräben so angeordnet werden können, dass die Tragstruktur 108 zwischen den wenigstens zwei Gräben erzeugt werden kann. Beispielsweise zeigt 2C vier Gräben 106t, wobei sich zwei Gräben 106t entlang einer lateralen Richtung 103 erstrecken (die senkrecht zur lateralen Richtung 101 sein kann) und sich zwei Gräben 106t mit einem zentralen Abschnitt entlang der lateralen Richtung 101 erstreckt, und sich Endabschnitte entlang der lateralen Richtung 103 erstrecken.
  • Ferner kann, wie in 2D dargestellt ist, die Grabenstruktur 106 einen umfänglich verlaufenden Graben 106t (der beispielsweise mehrere Teile aufweist) aufweisen, wobei der Graben 106t von mehreren Tragstrukturen 108 geschnitten werden kann, die sich schräg zum Graben 106t erstrecken. Bei dieser Konfiguration kann ein Oxidieren der Siliciumtragstrukturen 108 zur Bildung der Tragstrukturen 108, einschließlich eines elektrisch isolierenden Oxids (Siliciumoxid), einen Drehversatz des ersten Gebiets 102a hervorrufen, weil sich die Tragstruktur 108 während der Oxidation ausdehnen kann. Daher kann eine mechanische Spannung infolge der Bildung des Siliciumoxids gelöst werden, indem eine Bewegung (Drehung) des ersten Gebiets 102a ermöglicht wird. In diesem Fall kann die Drehung im Bereich von einigen Grad, beispielsweise kleiner als 10°, liegen, so dass das erste Gebiet 102a das zweite Gebiet 102b nicht direkt kontaktieren kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Grabenstruktur 106 einen komplexeren Entwurf aufweisen, wie beispielsweise in 2E dargestellt ist. In Bezug hierauf können die Anordnung des einen oder der mehreren Gräben 106t der Grabenstruktur 106 und daher die Positionen und die Formen der Tragstrukturen 108 durch den Strukturierungsprozess begrenzt werden, der zur Bildung des einen oder der mehreren Gräben 106t verwendet wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Grabenstruktur 106 durch Aufbringen eines Maskenmaterials auf den Träger (beispielsweise eines Hartmaskenmaterials oder eines Weichmaskenmaterials), Strukturieren des Maskenmaterials zur Bildung einer strukturierten Maske und Ätzen des einen oder der mehreren Gräben 106t in den Träger durch die strukturierte Maske, beispielsweise unter Verwendung eines Ätzprozesses, beispielsweise eines anisotropen Ätzprozesses, verarbeitet werden, um dadurch die Grabenstruktur 106 zu bilden.
  • 2F zeigt ein Rasterelektronenmikroskopiebild (SEM-Bild) der Oberfläche 102s eines Trägers 100, wobei der Träger 100 eine Grabenstruktur 106 aufweist, wie hier beschrieben. Das SEM-Bild enthält fünf Unterbilder mit unterschiedlichen Vergrößerungsfaktoren (von links nach rechts zunehmend).
  • 3 zeigt ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens 300 zur Verarbeitung eines Trägers 100, wobei das Verfahren Folgendes aufweisen kann: bei 310 Bilden einer Hohlkammer 104 innerhalb des Trägers 100, von einer Fläche 102s des Trägers 100 beabstandet, und bei 320 Bilden einer Grabenstruktur 106, die sich von der Fläche 102s des Trägers 100 zur Hohlkammer 104 erstreckt und ein erstes Gebiet 102a des Trägers 100 lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur 106 einen oder mehrere Gräben 106t, die sich von der Fläche 102s des Trägers 100 zur Hohlkammer 104 erstrecken, und eine oder mehrere Tragstrukturen 108, die den einen oder die mehreren Gräben 106t schneiden und das erste Gebiet 102a des Trägers 100 mit einem zweiten Gebiet 102b des Trägers 100 außerhalb der Grabenstruktur 106 verbinden, aufweisen kann, wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen 108 ein elektrisch isolierendes Material aufweisen können.
  • 4A zeigt einen Träger 100 während der Verarbeitung, beispielsweise nachdem die Hohlkammer 104 im Träger gebildet wurde, wobei die Hohlkammer 104 von der Fläche 102s des Trägers 10 beabstandet ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Hohlkammer 104 ein erstes Gebiet 102a des Trägers 100 vertikal von einem dritten Gebiet 102c des Trägers 100 trennen. Die Hohlkammer 104 kann sich lateral im Träger 100 erstrecken, wodurch ein plattenartiger Hohlraum oder eine plattenartige Öffnung gebildet ist. Wie nachfolgend beschrieben wird, kann die Hohlkammer 104 durch Tempern einer im Träger gebildeten porösen Struktur (vergl. 5A bis 5C) oder durch Tempern einer Öffnungsstruktur oder mehrerer Öffnungen (vergl. 6A und 6B) gebildet werden.
  • 4B zeigt einen Träger 100 während der Verarbeitung, beispielsweise nachdem die Hohlkammer 104 im Träger gebildet wurde und nachdem die Grabenstruktur 106 anschließend gebildet wurde. Wie bereits beschrieben, kann die Grabenstruktur 106 durch Anwenden eines Strukturierungsprozesses oder durch Strukturieren des Trägers 100 gebildet werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zuerst eine Grabenstruktur 106 gebildet werden, welche einen oder mehrere Gräben 106t und eine oder mehrere Tragstrukturen 108 aufweist, wobei die Tragstrukturen 108 das restliche Silicium (vom Siliciumträger 100) zwischen dem einen oder den mehreren geätzten Gräben 206t aufweisen kann.
  • Beispielsweise können der eine oder die mehreren Gräben 106t und die eine oder die mehreren Tragstrukturen 108 im selben Prozessschritt gebildet werden. Dies kann ein kosteneffizienter und genau steuerbarer Prozess sein, weil Halbleiterstrukturierungstechniken die Bildung von Strukturen mit einer kleinen Merkmalsgröße, beispielsweise kleiner als etwa 100 nm, ermöglichen können. Falls der eine oder die mehreren Gräben das erste Gebiet 102a des Trägers 100 vollständig umgeben, ohne gleichzeitig die Tragstrukturen 108 zu bilden, könnte das erste Gebiet 102a des Trägers 100 in die Hohlkammer 104 fallen oder vom Träger 100 abfallen oder gegenüber der gewünschten Position versetzt werden.
  • Alternativ kann das erste Gebiet 102a des Trägers 100 durch eine zusätzliche Tragstruktur (in den Figuren nicht dargestellt) mit dem dritten Gebiet 102c des Trägers 100 verbunden werden, während die Grabenstruktur 106 gebildet wird, und kann die zusätzliche Tragstruktur entfernt werden, nachdem der eine oder die mehreren Gräben und die eine oder die mehreren Tragstrukturen 108 gebildet wurden, so dass die Hohlkammer 104 unterhalb des ersten Gebiets 102a des Trägers 100 bereitgestellt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann, wie in den 5A bis 5C dargestellt ist, die Bildung einer Hohlkammer 104 im Träger 100 (beispielsweise Prozess 310 des Verfahrens 300) Folgendes aufweisen: Bilden einer porösen Struktur 506 über und/oder in einem Träger 100', wobei die poröse Struktur 506 mehrere Hohlkammern 506h aufweist (beispielsweise mehrere Poren 506h im Trägermaterial des Trägers 100'), und anschließend Bilden einer Deckschicht 102 über dem Träger 100', wobei die Deckschicht 102 die poröse Struktur 506 bedeckt. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die poröse Struktur 506 ein oder mehrere poröse Gebiete aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Hohlkammer 104 aus der mit der Deckschicht 102 bedeckten porösen Struktur 506 durch Ausführen eines Temperprozesses gebildet werden, so dass die mehreren Poren 506h eine kontinuierliche Hohlkammer 104 bilden können, wie zuvor beschrieben wurde. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Deckschicht 102 ein Oberflächengebiet des Trägers 100 aufweisen oder sein, welches die Hohlkammer 104 aufweist, die nach der Bildung der Deckschicht 102 und dem Ausführen des Temperprozesses erhalten werden kann. Das heißt, dass die Deckschicht 102 einen Teil des Trägers 100 aufweisen kann oder ein Teil des Trägers 100 sein kann. Anschließend kann die Grabenstruktur 106 gebildet werden, wie hier beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigt 5A einen Träger 100', nachdem eine poröse Struktur 506 im Träger 100' gebildet wurde, wobei die poröse Struktur 506 mehrere Poren 506h aufweisen kann (beispielsweise Leerräume, die von Trägermaterial des Trägers 100' umgeben sind). Die poröse Struktur 506 kann durch Verarbeiten eines ausgewählten Gebiets 102r des Trägers 100' gebildet werden, wobei der Träger 100' beispielsweise ein Siliciumsubstrat sein kann. Das ausgewählte Gebiet 102r kann durch Aufbringen einer Maskenmaterialschicht und anschließendes Strukturieren der Maskenmaterialschicht definiert werden (oder ein Gebiet 102r des Trägers 100' kann ausgewählt werden), so dass ein ausgewähltes Gebiet 102r des Trägers 100' freigelegt werden kann. Mit anderen Worten kann das ausgewählte Gebiet 102r durch eine über der Fläche 102s des Trägers 100' angeordnete strukturierte Maskenschicht definiert werden.
  • Das ausgewählte Gebiet 102r kann anschließend einer physikalischen und/oder chemischen Behandlung unterzogen werden (beispielsweise einer Porenbildungsbehandlung), um eine poröse Struktur 506 in einem ausgewählten Gebiet 102r des Trägers 100' bereitzustellen. Wie hier beschrieben, können der Begriff „Porosität“ oder verwandte Begriffe, wie „poröse“ Struktur und dergleichen, als der Bruchteil der Leerräume innerhalb des Materials definiert werden. Beispielsweise kann poröses Silicium auf der Grundlage der Größe der im Silicium enthaltenen Poren in drei Kategorien unterteilt werden: erstens mikro-poröses Silicium, das Poren aufweist, die einen Durchmesser von weniger als etwa 2 nm haben, zweitens mesoporöses Silicium, das Poren aufweist, die einen Durchmesser im Bereich von etwa 2 nm bis etwa 50 nm haben, und drittens makro-poröses Silicium, das Poren aufweist, die einen Durchmesser von mehr als etwa 50 nm haben.
  • Daher kann das Bilden einer porösen Struktur 506 in einem ausgewählten Gebiet 102r des Trägers 100' das teilweise Behandeln eines Siliciumsubstrats 100' aufweisen, so dass wenigstens ein poröses Gebiet im Siliciumsubstrat 100' gebildet wird, das wenigstens eines von makro-porösem Silicium, meso-porösem Silicium und mikro-porösem Silicium aufweist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden einer porösen Struktur 506 in einem ausgewählten Gebiet 102r des Trägers 100' das Einbringen mehrerer Poren 804h in das Siliciumsubstrat 100', wobei die mehreren Poren 506h die poröse Struktur 506 in einem ausgewählten Gebiet 102r des Trägers 100' bilden, beispielsweise unter Verwendung eines Anodisierungsprozesses (beispielsweise in einer Anodisierungszelle ausgeführt) aufweisen. Eine Anodisierungszelle kann beispielsweise eine Platinkathode und einen Siliciumträger 100' aufweisen, der bei Vorhandensein eines Elektrolyten, beispielsweise eines Wasserstofffluorid-(HFaq)-Elektrolyten, als Anode ausgelegt ist. Dabei kann die Korrosion des Siliciumsubstrats durch Anlegen einer Spannung zwischen die Platinkathode und das Siliciumsubstrat und Fließenlassen von elektrischem Strom durch die Anodisierungszelle erzeugt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bildung eines porösen Siliciumgebiets im Träger 100' unter Verwendung eines Anodisierungsprozesses das Erzeugen einer Porosität von porösem Silicium im Bereich von etwa 5 % bis etwa 90 % ermöglichen. Ferner kann der in der Anodisierungszelle verwendete Elektrolyt Ethanol aufweisen.
  • Ferner kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen die Bildung einer porösen Struktur 506 im ausgewählten Gebiet 102r des Trägers 100' das Einbringen mehrerer Poren 506h in das Siliciumsubstrat 100' unter Verwendung eines Beizens oder eines so genannten Beizprozesses aufweisen.
  • Ein Beizprozess kann das Ausführen eines Nassätzprozesses unter Verwendung eines Beizmittels, beispielsweise wenigstens einer von Salzsäure, Salpetersäure und Wasser aufweisen, wobei ein Ätzmittel beispielsweise Salzsäure, Salpetersäure und Wasser einschließt (beispielsweise eine verdünnte Lösung von Salpetersäure in konzentrierter Salzsäure). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine poröse Siliciumstruktur 506 durch Beizen gebildet werden, beispielsweise indem ein freiliegendes Gebiet 102r des Siliciumsubstrats 100' einem Nassätzmittel ausgesetzt wird, das Salpetersäure (HNO3) und Fluorwasserstoff (HF) aufweist.
  • Nachdem eine oder mehrere poröse Strukturen 506 im Träger 100' gebildet wurden, wie in 5A dargestellt ist, kann eine Deckschicht 102 über der Fläche 102s des Trägers 100' gebildet werden, wobei die Deckschicht 102 die poröse Struktur 506 vollständig bedecken kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die über der Oberfläche des Trägers 100' gebildete Deckschicht 102 Silicium aufweisen, wobei der Träger 100' auch Silicium aufweisen kann, weshalb eine vergrabene poröse Struktur 506 innerhalb eines Trägers 100, einschließlich des Trägers 100' und der Deckschicht 102, wie in 5B dargestellt, gebildet werden kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Deckschicht 102 als einen Teil eines Oberflächengebiets 102 des Trägers 100 bereitstellend angesehen werden.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann eine Wärmebehandlung ausgeführt werden, so dass die Hohlkammer 104 aus der porösen Struktur 506 gebildet werden kann. Beispielsweise kann das Material (Silicium) der porösen Struktur 506 während einer in einer Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre ausgeführten Wärmebehandlung migrieren und/oder diffundieren und dabei eine Hohlkammer 104 bilden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Wärmebehandlung (das Tempern) ein Tempern der porösen Struktur 506 bei einer Temperatur im Bereich von etwa 900 °C bis etwa 1100 °C aufweisen (vergl. Venetia-Prozess). Gemäß verschiedenen Beispielen können die Poren 506h der porösen Struktur 506 während der Wärmebehandlung zusammenwachsen, so dass eine einzige Hohlkammer 104 gebildet werden kann, wie in 5C dargestellt ist. Der Träger 100, der in 5C dargestellt ist, kann wie bereits beschrieben weiterverarbeitet werden, wobei beispielsweise eine Grabenstruktur 106 in der Deckschicht 102 des Trägers 100 gebildet werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Gebiet 102r im Träger 100, welches die Größe der porösen Struktur 506 definiert, durch Bereitstellen verschiedener Dotierungstypen im Gebiet 102r bzw. in dem Teil des Trägers 100, der das Gebiet umgibt, ausgewählt werden, weil die Bildung der porösen Struktur 506 durch die Dotierung des Trägers beeinflusst werden kann.
  • Die 6A und 6B zeigen ein Verfahren zur Bildung einer Hohlkammer 104 im Träger 100 gemäß verschiedenen Beispielen.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann das Bilden der Hohlkammer 104 innerhalb des Trägers 100 Folgendes aufweisen: Bilden einer Öffnungsstruktur 610 im Träger 100, wobei die Öffnungsstruktur 610 eine oder mehrere Öffnungen 608 aufweist, wobei sich jede der einen oder mehreren Öffnungen 608 von der Fläche 102s des Trägers 100 erstreckt, und Ausführen eines Temperprozesses, so dass die Hohlkammer 104 aus der Öffnungsstruktur 610 im Träger 100 gebildet wird.
  • Gemäß einersoder mehreren Beispiele kann ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers Folgendes aufweisen: Bilden wenigstens einer Öffnungsstruktur 610 über und/oder in einem Oberflächengebiet 102 des Trägers 100 und anschließendes Tempern der wenigstens einen Öffnungsstruktur 610, so dass eine oder mehrere Hohlkammern 104 durch Material der wenigstens einen Öffnungsstruktur 610 gebildet werden können. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können mehrere Hohlkammern 104 im Träger 100 gebildet werden, wodurch mehrere erste Gebiete 102a bereitgestellt werden können, die vom Rest des Trägers 100 isoliert sein können.
  • Wie in 6A schematisch dargestellt ist, kann die Öffnungsstruktur 610 gemäß verschiedenen Beispielen eine oder mehrere Öffnungen 608 (beispielsweise Aussparungen oder Löcher), die im Träger 100 ausgebildet sind, aufweisen. Gemäß verschiedenen Beispielen kann die gleiche Öffnungsstruktur 610 durch Strukturieren einer zuvor abgeschiedenen Oberflächenschicht 102, beispielsweise durch Bilden eines oder mehrerer Strukturelemente 608f über und/oder im Träger 100 gebildet werden.
  • Der Träger 100 kann ein Halbleiterträger, beispielsweise ein Halbleiterwafer, beispielsweise ein Siliciumwafer 100 oder ein Siliciumsubstrat 100, sein, wie bereits beschrieben. Der Träger 100 kann ein beliebiger Trägertyp, wie bereits beschrieben, sein, einschließlich einer Trägeroberflächenschicht 102, wobei die Trägeroberflächenschicht 102 eine Siliciumschicht 102 sein kann. Der Prozess zur Bildung der Öffnungsstruktur 610 in einem Träger 100, wie hier beschrieben, kann analog zu einem Träger 100 angewendet werden, der eine Siliciumoberflächenschicht 102 aufweist, was aus Gründen der Kürze nicht in weiteren Einzelheiten beschrieben werden kann.
  • Ein Prozess zur Bildung wenigstens einer Öffnungsstruktur 610 über und/oder im Träger 100 kann das Strukturieren des Trägers 100 aufweisen. Deshalb kann eine strukturierte Maskenschicht über dem Träger 100 angeordnet werden, wobei die strukturierte Maskenschicht den Träger 100 zumindest teilweise bedecken kann und zumindest ein zu ätzendes Gebiet des Trägers 100 freilassen kann, und Trägermaterial kann nachfolgend von dem wenigstens einen freigelegten Gebiet des Trägers 100 teilweise entfernt werden, um wenigstens eine Öffnungsstruktur 610 im Träger 100 zu bilden.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen können die Form, die Größe, die Positionen und die Anzahl der Öffnungen 608, die in der Öffnungsstruktur 610 enthalten sind, entsprechend der gewünschten Form der im Träger 100 zu bildenden Hohlkammer 104 ausgewählt werden. Die Form, die Größe, die Positionen und die Anzahl der Öffnungsstrukturen 610 können entsprechend der gewünschten Form, der gewünschten Größe, den gewünschten Positionen und der gewünschten Anzahl der im Träger 100 zu bildenden Hohlkammern 104 ausgewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann wenigstens ein Ätzprozess angewendet werden, um das jeweilige Trägermaterial teilweise zu entfernen, um die wenigstens eine Öffnungsstruktur 610 bereitzustellen, wobei der wenigstens eine Ätzprozess einen Trockenätzprozess, beispielsweise reaktives Ionenätzen, beispielsweise tiefes reaktives Ionenätzen, aufweisen kann. Ein reaktiver Ätzprozess, wie hier beschrieben, kann wenigstens eine der folgenden Ätzchemien aufweisen: SF6, O2, HBr, NF3, C4F8 und C4F6. Der Ätzprozess kann für das Trägermaterial selektiv sein, beispielsweise für Silicium selektiv sein, so dass eine strukturierte Maskenschicht verwendet werden kann, um das Trägermaterial an den gewünschten Positionen teilweise zu entfernen und daher wenigstens eine Öffnungsstruktur 610 an der gewünschten Position zu bilden. Die Öffnungen 608 der Öffnungsstruktur 610 können von Trägermaterial (Silicium) umgeben sein. Die Öffnungen 608, die in der wenigstens einen Öffnungsstruktur 610 enthalten sind, können ein Aspektverhältnis (das Verhältnis zwischen der Tiefe 605 der Öffnung 608 und der Breite 603 der Öffnung 608) im Bereich von etwa 2 bis etwa 30, beispielsweise im Bereich von etwa 2 bis etwa 20, beispielsweise im Bereich von etwa 2 bis etwa 10, aufweisen.
  • Wie in 6A dargestellt ist, können mehrere Öffnungen 608 (Vertiefungen, Gräben, Löcher) im Träger 100 gebildet werden. Die mehreren Öffnungen 608 können die Öffnungsstruktur 610 repräsentieren. Jede Öffnung 608 von den mehreren Öffnungen kann eine rechteckige Form oder eine quadratische Form in der in 6A dargestellten Schnittansicht aufweisen. Die Grundfläche einer Öffnung 608, die in der wenigstens einen Öffnungsstruktur 610 enthalten ist, beispielsweise von oben betrachtet, kann die durch die strukturierte Maskenschicht definierte Form aufweisen, beispielsweise eine rechteckige Form, eine quadratische Form, eine polygonale Form, eine Kreisform oder eine elliptische Form. Eine Öffnung 608 kann die Form (oder Gestalt) eines geraden Prismas, beispielsweise eines Würfels, eines Kuboids, eines Zylinders und dergleichen aufweisen.
  • Wie in der Schnittansicht in 6A dargestellt ist, kann wenigstens eine Öffnung 608 von den mehreren Öffnungen 608, beispielsweise alle Öffnungen von den mehreren Öffnungen 608, eine Tiefe 605 im Bereich von etwa 1 µm bis etwa 100 µm, beispielsweise im Bereich von etwa 1 µm bis etwa 50 µm, aufweisen. Gemäß verschiedenen Beispielen kann wenigstens eine Öffnung 608 von den mehreren Öffnungen 608, beispielsweise alle Öffnungen von den mehreren Öffnungen 608, eine Breite 603 (oder im Fall zylindrischer Formen einen Durchmesser 603) im Bereich von etwa 0,1 µm bis etwa 50 µm, beispielsweise im Bereich von etwa 0,2 µm bis etwa 20 µm, beispielsweise im Bereich von etwa 0,5 µm bis etwa 5 µm, aufweisen. Gemäß verschiedenen Beispielen kann der Abstand 607 zwischen zwei benachbarten Öffnungen 608 von der Öffnungsstruktur 610, gemessen vom Zentrum einer ersten Öffnung bis zum Zentrum einer benachbarten zweiten Öffnung, im Bereich von etwa 0,2 µm bis etwa 100 µm liegen. Daher kann gemäß verschiedenen Beispielen die Breite 609 des restlichen Trägermaterials 608f zwischen zwei jeweiligen benachbarten Öffnungen 608 der Öffnungsstruktur 608 infolge der Breite 603 und des Abstands 607 im Bereich von etwa 0,1 µm bis etwa 100 µm liegen.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen können die Tiefe 605 einer Öffnung 608 der Öffnungsstruktur 610 die Tiefenposition (beispielsweise die Tiefe 105a) der jeweiligen aus der Öffnungsstruktur 610 gebildeten Hohlkammer 104 definieren oder beeinflussen, beispielsweise in einem nachfolgend ausgeführten Temperprozess oder einer nachfolgend ausgeführten Wärmebehandlung (vergl. 6B). Das Aspektverhätnis einer Öffnung 608 von der Öffnungsstruktur 610 kann die Größe der jeweiligen aus den Öffnungen 608, beispielsweise in einem nachfolgend ausgeführten Temperprozess, gebildeten Hohlkammer 104 beeinflussen. Zusammenfassend sei bemerkt, dass die Anordnung der einen oder der mehreren Öffnungen 608 in der Öffnungsstruktur 610 (oder die Anordnung der mehr als einen Öffnungsstruktur 610 im Träger 100) die Anordnung der einen oder mehreren im Träger 100 erzeugten Hohlkammern 104 bestimmen und/oder beeinflussen kann, wobei die eine oder die mehreren Hohlkammern 104 beispielsweise während eines nachfolgend ausgeführten Temperprozesses aus der Öffnungsstruktur 610 gebildet werden können. Gemäß verschiedenen Beispielen kann die Breite 613 der Hohlkammer 104 durch die Breite 611 der Öffnungsstruktur 610 definiert werden.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann die wenigstens eine Öffnungsstruktur 610 eine Öffnung oder mehr als eine Öffnung, beispielsweise eine beliebige andere Anzahl von Öffnungen, beispielsweise zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun, zehn oder sogar mehr als zehn oder mehr als 20 oder sogar hunderte von Öffnungen 608 aufweisen, wobei dies von der gewünschten Anzahl, Form und/oder Größe der zu bildenden Hohlkammern 104 abhängt.
  • Ein Temperprozess kann ausgeführt werden, nachdem die Öffnungsstruktur 610 gebildet wurde. Wie in 6B dargestellt, kann wenigstens eine (eine oder mehrere) Hohlkammer 104 gebildet werden, während das Tempern der Öffnungsstruktur 610 ausgeführt wird, beispielsweise infolge der Migration von Material der wenigstens einen Öffnungsstruktur 610, beispielsweise infolge der Migration von Silicium 608f, welches die Öffnungen 608 umgibt. Die Migration von Material der Öffnungsstruktur 610 kann eine oder mehrere Hohlkammern 104 im Träger 100 bilden, wodurch ein erstes Gebiet 102a des Trägers 100 getrennt wird. Gemäß verschiedenen Beispielen kann die laterale Abmessung 613 der einen oder der mehreren Hohlkammern 104 im Bereich von etwa einigen hundert Nanometern bis zu einigen Mikrometern oder sogar bis zu einigen hundert Mikrometern liegen.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann die Dicke 105a der die wenigstens eine Hohlkammer 104 bedeckenden Materialschicht oder die Dicke 105a des Materialgebiets 102a (des isolierten Gebiets 102a) über der wenigstens einen Hohlkammer 104 im Bereich von etwa 0,2 µm bis etwa 100 µm liegen. Die Materialschicht oder das Materialgebiet 102a, wodurch die wenigstens eine Hohlkammer 104 bedeckt wird, kann Silicium (beispielsweise dotiertes Silicium) aufweisen. Ferner kann der Träger 100 während des Temperns der Öffnungsstruktur 610 eine neue Oberfläche 102s bilden.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann der zur Bildung der einen oder mehreren Hohlkammern 104 aus der Öffnungsstruktur 610 verwendete Temperprozess wenigstens eine von einer Migration, einer Diffusion, einem Materialtransport und einer Materialumordnung des die eine oder die mehreren Öffnungen 608, die in der Öffnungsstruktur 610 enthalten sind, umgebenden Materials hervorrufen, während die eine oder die mehreren Hohlkammern 104 gebildet werden.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann der zur Bildung der einen oder mehreren Hohlkammern 104 aus der Öffnungsstruktur 610 verwendete Temperprozess unter Verwendung von Temperaturen im Bereich von etwa 800 °C bis etwa 1400 °C, beispielsweise im Bereich von etwa 900 °C bis etwa 1300 °C, beispielsweise im Bereich von etwa 1100 °C bis etwa 1200 °C, ausgeführt werden. Gemäß verschiedenen Beispielen kann die Dauer des Temperprozesses zumindest im Minutenbereich, beispielsweise größer als 300 Sekunden, beispielsweise größer als 600 Sekunden, beispielsweise größer als 1200 Sekunden, liegen. Gemäß verschiedenen Beispielen kann der Temperprozess unter Vakuumbedingungen ausgeführt werden. Gemäß verschiedenen Beispielen kann der Temperprozess ausgeführt werden, während keine erhebliche Sauerstoffmenge (oder Sauerstoffpartialdruck) vorhanden ist, beispielsweise in einer Stickstoffatmosphäre, beispielsweise in einer Argonatmosphäre, beispielsweise in einer chemisch reduzierenden Atmosphäre, die Stickstoff und Wasserstoff aufweist (beispielsweise eine Mischung von Stickstoff mit 2 % bis 20 % Wasserstoff (Substanzmengenanteil)), beispielsweise in einer chemisch reduzierenden Atmosphäre, die Argon und Wasserstoff aufweist (beispielsweise eine Mischung von Argon mit 2 % bis 20 % Wasserstoff (Substanzmengenanteil)).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die eine oder die mehreren Hohlkammern 104 auch als ein leerer Raum im Silicium bezeichnet werden und kann das erste Gebiet 102a über einer Hohlkammer 104 als eine Silicium-auf-nichts-(SON)-Struktur oder ein migriertes Siliciumgebiet bezeichnet werden. Weil der leere Raum elektrisch isolierend sein kann, kann das erste Gebiet 102a über einer Hohlkammer 104 beispielsweise als Silicium-auf-Isolator-(SOI)-Struktur bezeichnet werden. Das migrierte Siliciumgebiet kann nach dem Temperprozess eine erste Dicke aufweisen, wobei zusätzliches Material über dem getemperten Träger abgeschieden werden kann, wodurch die Dicke des isolierten Gebiets 102a über der einen oder den mehreren Hohlkammern 104 vergrößert wird.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen können die Größe und/oder die Form der einen oder der mehreren Hohlkammern 104, die Dicke des migrierten Siliciumgebiets 102a und die Position der einen oder mehreren Hohlkammern 104 durch den Entwurf der Öffnungsstruktur 610 und daher durch Strukturieren des Trägers 100 gesteuert und/oder beeinflusst werden, was unter Verwendung von Prozessen der Halbleiterindustrie ausgeführt werden kann, wie hier beschrieben. Die eine oder die mehreren Hohlkammern 104 können von Silicium umgeben werden, beispielsweise vollständig von Silicium umgeben werden. Mit anderen Worten können die eine oder die mehreren Hohlkammern 104 keine Öffnung zu einer Oberfläche des Trägers 100 haben, nachdem sie durch den Temperprozess gebildet wurden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können sich die Größe, die Form und die Position der einen oder der mehreren Hohlkammern 104 in einer weiteren Wärmebehandlung nicht erheblich ändern oder variieren. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die eine oder die mehreren Hohlkammern 104 bis zu Temperaturen von etwa 1300 °C in der Größe, in der Form und/oder in der Position stabil sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die eine oder die mehreren Hohlkammern 104 eine stabile elektrisch isolierende Struktur 104 in einem Träger bereitstellen, wobei der Träger bei hohen Temperaturen verarbeitet werden kann, beispielsweise bei typischen Hochtemperaturprozessen, die an der Herstellung einer integrierten Schaltung beteiligt sind, beispielsweise bei der Herstellung einer CMOS-Struktur, bei der Herstellung einer Leistungshalbleitervorrichtung, bei der Herstellung eines Transistors, bei der Herstellung eines Photosensors und bei der Herstellung eines mikromechanischen Systems.
  • 7 zeigt ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens 700 zur Verarbeitung eines Trägers 100, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: bei 710 Bilden einer Öffnungsstruktur 610 im Träger 100, wobei die Öffnungsstruktur 610 eine oder mehrere Öffnungen 608 aufweist, wobei sich jede der einen oder mehreren Öffnungen 608 von einer Fläche 102s des Trägers 100 erstreckt, bei 720 Ausführen eines Temperprozesses zur Bildung einer Hohlkammer 104 im Träger 100 aus der Öffnungsstruktur 610, wobei die Hohlkammer 104 von der Fläche 102s des Trägers 100 beabstandet wird, und bei 730 Bilden einer Grabenstruktur 106, die sich von der Fläche 102s des Trägers 100 (beispielsweise der während des Temperns gebildeten Fläche 102s) zur Hohlkammer 104 erstreckt und ein erstes Gebiet 102a des Trägers 100 lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur 106 einen oder mehrere Gräben 106t aufweisen kann, die sich von der Fläche 102s des Trägers 100 zur Hohlkammer 104 erstrecken, und eine oder mehrere Tragstrukturen 108 aufweisen kann, die den einen oder die mehreren Gräben 106t schneiden und das erste Gebiet 102a des Trägers 100 mit einem zweiten Gebiet 102b des Trägers 100 außerhalb der Grabenstruktur 106 verbinden.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann die Tragstruktur 108 während der Bildung der Grabenstruktur 106 gebildet werden, beispielsweise zur gleichen Zeit, zu der der eine oder die mehreren Gräben 106t gebildet werden können. Nachdem die Tragstruktur 108 gebildet wurde, kann die Tragstruktur 108 Silicium aufweisen, wobei die Tragstruktur 108 während eines nachfolgend ausgeführten thermischen Oxidationsprozesses, beispielsweise in einer Sauerstoffatmosphäre bei Temperaturen im Bereich von etwa 800 °C bis etwa 1000 °C (beispielsweise unter Verwendung einer Laserheizung oder einer Lichtheizung) für etwa einige Minuten (teilweise oder vollständig) oxidiert werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann die Tragstruktur 108 dafür ausgelegt werden, durch Anwenden einer mechanischen Kraft auf das erste Gebiet 102a des Trägers 100, beispielsweise zur Ausführung eines so genannten Pick, Crack & Place™-Prozesses, leicht zerstört zu werden, um das erste Gebiet 102a des Trägers 100 (die SON-Struktur oder die SOI-Struktur) räumlich vom Träger 100 zu entfernen.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann das erste Gebiet 102a des Trägers 100 vom Träger 100 entfernt werden, nachdem eine elektronische Komponente 122 im ersten Gebiet 102a des Trägers 100 gebildet wurde, wie bereits beschrieben wurde.
  • Alternativ kann das erste Gebiet 102a des Trägers 100 verwendet werden, um eine elektronische Vorrichtung herzustellen, welche eine SON-Struktur oder eine SOI-Struktur aufweist, beispielsweise um eine erste elektronische Komponente elektrisch von einer zweiten elektronischen Komponente zu trennen.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann ein Träger Folgendes aufweisen: eine Hohlkammer 104, die sich lateral innerhalb des Trägers 104 erstreckt, wodurch ein vertikal getrenntes erstes Gebiet 102a über der Hohlkammer 104 bereitgestellt ist, eine Grabenstruktur 106, welche einen Graben 106t und eine Tragstruktur 108 aufweist, wobei sich der Graben 106t vertikal von einer oberen Fläche 102s des Trägers 100 zur Hohlkammer 104 erstreckt und das erste Gebiet 102a lateral umgibt, wobei die Tragstruktur 108 das erste Gebiet 102a mit dem Rest des Trägers 100 verbindet oder daran befestigt und wobei die Tragstruktur 108 ein elektrisch isolierendes Oxid aufweisen kann.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers Folgendes aufweisen: Bilden einer Hohlkammer 104, die sich lateral innerhalb des Trägers 100 erstreckt, und dadurch Bereitstellen eines ersten Gebiets 102a über der Hohlkammer 104, das vertikal vom Träger 100 getrennt ist, Bilden einer Grabenstruktur 106, welche das erste Gebiet 102a lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur 106 wenigstens einen Graben 106t aufweisen kann, der sich vertikal von der oberen Fläche 102s des Trägers 100 zur Hohlkammer 104 erstreckt, wobei die Grabenstruktur 106 eine Tragstruktur 108 aufweisen kann, welche das erste Gebiet 102a lateral mit dem Rest des Trägers 100 verbindet, und Oxidieren der Tragstruktur 108, um das erste Gebiet 102a elektrisch vom Träger 100 zu isolieren.
  • Gemäß verschiedenen Beispielen kann ein Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers Folgendes aufweisen: Bilden einer Öffnungsstruktur 610 an einer oberen Fläche 102s eines Trägers 100, Ausführen eines Temperprozesses, so dass eine Hohlkammer 104 aus der Öffnungsstruktur 610 gebildet wird, die sich lateral innerhalb des Trägers 100 erstreckt, wobei ein erstes Gebiet 102a über der Hohlkammer 104 bereitgestellt wird, das durch die Hohlkammer 104 vertikal vom Träger 100 getrennt ist, Bilden einer Grabenstruktur 106, einschließlich wenigstens eines das erste Gebiet 102a umgebenden Grabens 106t, wobei sich der wenigstens eine Graben 106t vertikal von der oberen Fläche 102s eines Trägers 100 zur Hohlkammer 104 erstrecken kann, wodurch das erste Gebiet 102a lateral vom Träger 100 getrennt wird, wobei die Grabenstruktur 106 ferner eine Tragstruktur 108 aufweisen kann, welche das erste Gebiet 102a lateral mit dem Träger 100 verbindet, so dass das erste Gebiet 102a von der Tragstruktur 108 getragen wird. Ferner kann die Tragstruktur ein elektrisch isolierendes Oxid aufweisen, welches das erste Gebiet 102a elektrisch vom Träger 100 isoliert.

Claims (20)

  1. Träger (100), welcher Folgendes aufweist: eine Hohlkammer (104), die von einer Fläche (102s) des Trägers (100) beabstandet ist, und eine Grabenstruktur (106), die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstreckt und ein erstes Gebiet (102a) des Trägers (100) lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur (106) einen oder mehrere Gräben (106t) aufweist, die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstrecken und eine oder mehrere Tragstrukturen (108) aufweist, welche den einen oder die mehreren Gräben (106t) schneiden und das erste Gebiet (102a) des Trägers (100) mit einem zweiten Gebiet (102b) des Trägers (100) außerhalb der Grabenstruktur (106) verbinden, wobei die Abmessung zumindest einer Tragstruktur (108) entlang einer Verbindungsrichtung (111) größer ist als die Breite (109) des einen oder der mehreren Gräben (106t) und wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) ein elektrisch isolierendes Material umfassen.
  2. Träger (100), welcher Folgendes aufweist: eine Hohlkammer (104), die von einer Fläche (102s) des Trägers (100) beabstandet ist, und eine Grabenstruktur (106), die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstreckt und ein erstes Gebiet (102a) des Trägers (100) lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur (106) einen oder mehrere Gräben (106t) aufweist, die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstrecken und eine oder mehrere Tragstrukturen (108) aufweist, welche den einen oder die mehreren Gräben (106t) schräg schneiden und das erste Gebiet (102a) des Trägers (100) mit einem zweiten Gebiet (102b) des Trägers (100) außerhalb der Grabenstruktur (106) verbinden, wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) ein elektrisch isolierendes Material umfassen.
  3. Träger (100), welcher Folgendes aufweist: eine Hohlkammer (104), die von einer Fläche (102s) des Trägers (100) beabstandet ist, und eine Grabenstruktur (106), die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstreckt und ein erstes Gebiet (102a) des Trägers (100) lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur (106) mehrere Gräben (106t) aufweist, die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstrecken und eine oder mehrere Tragstrukturen (108) aufweist, welche die mehreren Gräben (106t) schneiden und das erste Gebiet (102a) des Trägers (100) mit einem zweiten Gebiet (102b) des Trägers (100) außerhalb der Grabenstruktur (106) verbinden, wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) ein elektrisch isolierendes Material umfassen, wobei sich zumindest zwei Gräben (106t) zumindest in einem Abschnitt mit einer gleichen Verlaufsrichtung nebeneinander erstrecken, wobei in dem Abschnitt zumindest ein Teil einer Tragstruktur (108) zwischen den beiden Gräben gebildet ist und von den beiden Gräben begrenzt wird.
  4. Träger (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das elektrisch isolierende Material ein Oxid aufweist.
  5. Träger (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei sich die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) lateral zwischen dem ersten Gebiet (102a) des Trägers (100) und dem zweiten Gebiet (102b) des Trägers (100) erstrecken.
  6. Träger (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Träger (100) ein Halbleiterträger ist.
  7. Träger (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Träger (100) Silicium aufweist und wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) Siliciumoxid umfassen.
  8. Träger (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das erste Gebiet (102a) des Trägers (100) durch den einen oder die mehreren Gräben (106t), die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) und die Hohlkammer (104) elektrisch vom Rest des Trägers (100) isoliert ist.
  9. Träger (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Hohlkammer (104) frei von festem Material ist.
  10. Träger (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der eine oder die mehreren Gräben (106t) frei von festem Material sind.
  11. Träger (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, welcher ferner Folgendes aufweist: eine erste elektronische Schaltung über und/oder im ersten Gebiet (102a) des Trägers (100).
  12. Träger (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, welcher ferner Folgendes aufweist: eine zweite elektronische Schaltung über und/oder im zweiten Gebiet (102b) des Trägers (100) außerhalb der Grabenstruktur (106).
  13. Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers (100), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bilden einer Hohlkammer (104) innerhalb des Trägers (100), welche von einer Fläche (102s) des Trägers (100) beabstandet ist, wobei das Bilden der Hohlkammer (104) Bilden wenigstens eines poröses Gebiets im Träger (100) und das Ausführen eines Temperprozesses, so dass die Hohlkammer (104) im Träger (100) aus dem porösen Gebiet gebildet wird, aufweist; und Bilden einer Grabenstruktur (106), die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstreckt und ein erstes Gebiet (102a) des Trägers (100) lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur (106) einen oder mehrere Gräben (106t) aufweist, die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstrecken, und eine oder mehrere Tragstrukturen (108) aufweist, welche den einen oder die mehreren Gräben (106t) schneiden und das erste Gebiet (102a) des Trägers (100) mit einem zweiten Gebiet (102b) des Trägers (100) außerhalb der Grabenstruktur (106) verbinden, wobei die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) ein elektrisch isolierendes Material umfassen.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Bilden der Hohlkammer (104) innerhalb des Trägers (100) Folgendes aufweist: Bilden einer Öffnungsstruktur in dem Träger (100), wobei die Öffnungsstruktur eine oder mehrere Öffnungen aufweist, wobei sich jede der einen oder mehreren Öffnungen von der Fläche (102s) des Trägers (100) erstreckt, und Ausführen eines Temperprozesses, so dass die Hohlkammer (104) im Träger (100) aus der Öffnungsstruktur gebildet wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14, wobei das Bilden der Grabenstruktur (106) Folgendes aufweist: Bilden eines oder mehrerer Gräben (106t), die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstrecken, wobei Trägermaterial zwischen dem einen oder den mehreren Gräben (106t) verbleibt, und zumindest teilweises Oxidieren des restlichen Trägermaterials innerhalb der Grabenstruktur (106), um die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) zu bilden.
  16. Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers (100), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Bilden einer Öffnungsstruktur im Träger (100), wobei die Öffnungsstruktur eine oder mehrere Öffnungen aufweist, wobei sich jede der einen oder der mehreren Öffnungen von einer Fläche (102s) des Trägers (100) erstreckt, Ausführen eines Temperprozesses zur Bildung einer Hohlkammer (104) im Träger (100) aus der Öffnungsstruktur, wobei die Hohlkammer (104) von der Fläche (102s) des Trägers (100) beabstandet ist, und Bilden einer Grabenstruktur (106), die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstreckt und ein erstes Gebiet (102a) des Trägers (100) lateral umgibt, wobei die Grabenstruktur (106) einen oder mehrere Gräben (106t) aufweist, welche sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstrecken, und eine oder mehrere Tragstrukturen (108) aufweist, welche den einen oder die mehreren Gräben (106t) schneiden und das erste Gebiet (102a) des Trägers (100) mit einem zweiten Gebiet (102b) des Trägers (100) außerhalb der Grabenstruktur (106) verbinden, und Ablösen des ersten Gebiets (102a) vom Träger (100).
  17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Bilden der Grabenstruktur (106) Folgendes aufweist: Bilden eines oder mehrerer Gräben (106t), die sich von der Fläche (102s) des Trägers (100) zur Hohlkammer (104) erstrecken, wobei Trägermaterial zwischen dem einen oder den mehreren Gräben (106t) verbleibt, wodurch die eine oder die mehreren Tragstrukturen (108) bereitgestellt werden, welche den einen oder die mehreren Gräben (106t) schneiden.
  18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, welches ferner Folgendes aufweist: teilweises Oxidieren der einen oder der mehreren Tragstrukturen (108).
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, welches ferner Folgendes aufweist: vollständiges Oxidieren der einen oder der mehreren Tragstrukturen (108).
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, welches ferner Folgendes aufweist: Bilden einer ersten elektronischen Schaltung über und/oder im ersten Gebiet (102a) des Trägers (100).
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