DE102009056663A1 - Metallisierung mit hoher Leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit - Google Patents

Metallisierung mit hoher Leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit Download PDF

Info

Publication number
DE102009056663A1
DE102009056663A1 DE102009056663A DE102009056663A DE102009056663A1 DE 102009056663 A1 DE102009056663 A1 DE 102009056663A1 DE 102009056663 A DE102009056663 A DE 102009056663A DE 102009056663 A DE102009056663 A DE 102009056663A DE 102009056663 A1 DE102009056663 A1 DE 102009056663A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metallization
layer
substrate
upper layer
metallization according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102009056663A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102009056663B4 (de
Inventor
Charles Binninger
Ulrich Dr. Knauer
Helmut Zottl
Werner Dr. Ruile
Tomasz Jewula
Rudolf Nüssl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DE102009056663.5A priority Critical patent/DE102009056663B4/de
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to JP2012541486A priority patent/JP5878127B2/ja
Priority to US13/509,181 priority patent/US9173305B2/en
Priority to CN201610154919.5A priority patent/CN105702660A/zh
Priority to KR1020127015150A priority patent/KR101761955B1/ko
Priority to PCT/EP2010/068628 priority patent/WO2011067281A1/de
Priority to CN201080054640.0A priority patent/CN102763492B/zh
Publication of DE102009056663A1 publication Critical patent/DE102009056663A1/de
Priority to US14/867,759 priority patent/US9728705B2/en
Priority to JP2015211696A priority patent/JP6450669B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of DE102009056663B4 publication Critical patent/DE102009056663B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H01L23/49844—Geometry or layout for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02929—Means for compensation or elimination of undesirable effects of ageing changes of characteristics, e.g. electro-acousto-migration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions
    • H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0263—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board
    • H05K1/0265—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board characterized by the lay-out of or details of the printed conductors, e.g. reinforced conductors, redundant conductors, conductors having different cross-sections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer, layered thin film adhesion layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
    • H05K3/048—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer using a lift-off resist pattern or a release layer pattern

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

Es wird eine Metallisierung insbesondere für mit akustischen Wellen arbeitende Bauelemente angegeben, welche eine hohe Leistungsfestigkeit und eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist. Dazu umfasst die Metallisierung einen Sockel mit einer unteren Schicht, welche Titan umfasst und einer oberen Schicht, welche Kupfer umfasst. Eine auf dem Sockel angeordnete obere Lage der Metallisierung umfasst Aluminium.

Description

  • Die Erfindung betrifft Metallisierungen mit hoher Leistungsfestigkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit für stromtragende Strukturen sowie Verfahren zu ihrer Herstellung. Die Erfindung betrifft insbesondere Metallisierungen für stromtragende Strukturen für mit akustischem Wellen arbeitende Bauelemente.
  • Metallisierungen für mit akustischen Wellen arbeitende Bauelemente, aus welchen beispielsweise Stromsammelschienen, mit den Stromsammelschienen verbundene Elektrodenfinger oder Reflektorstrukturen auf einem piezoelektrischen Substrat ausgebildet sind, sind bevorzugt besonders leistungsfest auszugestalten.
  • Akustische Volumenwellen (BAW = bulk acoustic wave) oder akustische Oberflächenwellen (SAW = surface acoustic wave) breiten sich innerhalb eines Festkörpers oder an seiner Oberfläche aus; ihre Frequenzen liegen im GHz Bereich.
  • Die stromtragenden (Elektroden-)Strukturen, welche elektrische Hochfrequenzsignale in akustische Wellen oder umgekehrte akustische Wellen in elektrische Hochfrequenzsignale umwandeln, haben also einerseits die elektrischen Ströme und andererseits die mechanische Verformung durch die akustischen Wellen auszuhalten, ohne Schaden zu nehmen.
  • Aus der US-Patentschrift US 7,605,524 B2 sind Elektrodenstrukturen für mit akustischen Oberflächenwellen (SAW) arbeitende Bauelemente bekannt. In einer Ausgestaltung ist eine Elektrodenstruktur auf einkristallinem Lithiumtantalat oder Lithiumniobat angeordnet. Die Elektrodenstruktur umfasst eine erste Schicht aus Titan. Eine zweite, darauf abgeschiedene Schicht umfasst Aluminium. Die zweite Schicht umfasst zwei <111> Domänen. Methoden zur Herstellung der Elektrodenschichten betreffen das epitaktische Aufwachsen der Aluminium umfassenden Schicht. Eine hochtexturierte, Aluminium umfassende Schicht weist eine gute, d. h. hohe, elektrische Leitfähigkeitswerte und eine hohe Leistungsfestigkeit auf.
  • Das Wachstum einer auf einem Substrat abgeschiedenen Schicht heißt epitaktisch, wenn die Ausrichtung der Atome der Schicht sich an der Ausrichtung der Atome des Substrats orientiert. Ein generelles Problem bei epitaktischem Wachstum besteht darin, eine geeignete Oberfläche bereit zu stellen. Denn die Beschaffenheit der Oberfläche des Substrats – als Schnittstelle zwischen Substrat und Schicht – beeinflusst die Ordnung der Atome der abgeschiedenen Schicht maßgeblich. Üblicherweise werden Substrate deshalb durch Tempern oder durch Anätzen vorbehandelt. Zwischen der Vorbehandlung und dem eigentlichen Abscheideprozess darf die Oberfläche des Substrats nicht mehr mit Verunreinigungen kontaminiert werden.
  • Die Verwendung der Lift-off-Technik beim Abscheiden von Elektrodenstrukturen auf Substrate ist problematisch, wenn es auf eine besonders „saubere” Substratoberfläche ankommt. Denn auf die gegebenenfalls vorbehandelte Substratoberfläche wird im ersten Schritt eine Lackschicht (resist layer) aufgebracht. In weiteren Verfahrensschritten wird diese Lackschicht dann teilweise belichtet und die belichteten Bereiche in einem weiteren Prozessschritt entfernt. An den ehemals belichteten Stellen liegt die Substratoberfläche nun wieder frei. Diese hatte aber inzwischen sowohl mit der Lackschicht als auch mit dem Lösemittel, welches die belichtete Lackschicht entfernte, Kontakt. Die Substratoberfläche ist also kontaminiert.
  • Ein epitaktisches Aufwachsen von Elektrodenschichten mittels der Lift-off Technik schien bisher schlecht möglich.
  • Ein anderes Verfahren, das so genannte Ätzverfahren, beruht darauf, das Elektrodenmaterial großflächig auf die gegebenenfalls vorbehandelte Substratoberfläche aufzubringen und die Elektrodenstrukturen durch Wegätzen der unerwünschten Bedeckungsbereiche des Elektrodenmaterials zu erhalten: überflüssiges Elektrodenmaterial wird abgetragen.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Metallisierung für stromtragende Strukturen anzugeben, welche leistungsfest ist, welche hohe elektrische Leitfähigkeiten aufweist und welche sowohl mit Ätzverfahren als auch mit Lift-off-Verfahren kompatibel ist.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Metallisierung nach Anspruch 1 bzw. durch die beanspruchten Verfahren zur Herstellung gelöst.
  • Die Erfindung gibt eine Metallisierung für stromtragende Strukturen an, welche in elektrischen Bauelementen Anwendung finden können, wobei die Metallisierung auf einem Substrat angeordnet ist. Die Metallisierung umfasst einen Sockel und eine darauf angeordnete obere Lage. Der Sockel umfasst eine untere Schicht, die oberhalb oder direkt auf der Substratoberfläche angeordnet ist. Die untere Schicht umfasst als Hauptbestandteil Titan oder eine Titanverbindung. Der Sockel umfasst weiterhin eine obere Schicht, die oberhalb oder direkt auf der unteren Schicht angeordnet ist und als Hauptbestandteil Kupfer umfasst. Die obere Lage ist direkt auf der oberen Schicht angeordnet und umfasst als Hauptbestandteil Aluminium.
  • Die Erfinder haben herausgefunden, dass – entgegen der generellen Meinung – hochtexturierte stromtragende Strukturen auf einem Substrat aufgewachsen und dabei mittels eines Lift-off-Verfahrens strukturiert werden können. Eine derart aufgewachsene, strukturierte, hochtexturierte Elektrodenstruktur weist eine sehr hohe elektrische Leitfähigkeit und eine hohe mechanische Leistungsfestigkeit auf. Besonders vorteilhaft ist, dass eine solche Elektrodenstruktur sowohl mittels Ätzverfahren als auch mittels Lift-off-Verfahren strukturiert werden kann. Die mögliche Kontamination des Substrats beim Lift-off-Verfahren behindert das Ausbilden einer hochtexturierten Schicht also nicht. Derartige Elektrodenstrukturen können daher in hoher Qualität und mit hoher Reproduzierbarkeit auf eine einfache Weise hergestellt werden.
  • Die out-of-plane Textur einer derart hergestellten Elektrode beziehungsweise deren obere Lage kann eine <111> Textur sein. Eine solche Textur ist dadurch ausgezeichnet, dass ihre <111> Richtung – das heißt die Raumdiagonale der kubisch flächenzentrierten Einheitszelle – mit der Flächennormalen des Substrates zusammen fällt. Auch die in-plane-Textur ist nach der von der Substratoberfläche vorgegeben Textur ausgerichtet.
  • Der Sockel dient in erster Linie dazu, der oberen Lage eine definierte, d. h. atomar möglichst gleichmäßig ausgebildete, Oberfläche zur Verfügung zu stellen, auf der die obere Lage dann – möglichst epitaktisch – aufwachsen kann. Die obere Lage wiederum ist dafür vorgesehen, in erster Linie elektrische Ströme zu tragen.
  • In einer Ausgestaltung umfasst der Sockel eine mittlere Schicht, die zwischen der unteren Schicht und der oberen schicht angeordnet ist. Die mittlere Schicht umfasst ein Element, welches edler als Aluminium ist, d. h. ein höheres (auf Wasserstoff normiertes) Standardelektrodenpotenzial aufweist.
  • In einer Ausgestaltung ist die untere Schicht des Sockels dünner als die obere Schicht des Sockels. Als untere Schicht kommt eine Titanschicht in Frage. Eine Titanschicht oder eine Titan umfassende Schicht ist vorzugsweise dicker als etwa 2 nm und dünner als etwa 20 nm. Ist die untere Lage zu dünn, besteht die Gefahr, dass der Effekt der guten Texturierung entfällt. Eine zu dicke untere Schicht führt zu erhöhter Rauhigkeit und ebenfalls zu verschlechterter Textur.
  • In einer Ausgestaltung ist die obere Schicht dünner als die obere Lage. Eine Aufgabe der oberen Schicht kann darin gesehen werden, die „Oberflächeninformation” an die obere Lage zu übermitteln. Deshalb ist eine relativ dünne obere Schicht bevorzugt. Den elektrischen Strom trägt im Wesentlichen die obere Lage, welche deshalb auch bevorzugt einen niedrigeren elektrischen Widerstand als der Sockel aufweist. Trotzdem kann jede einzelne Schicht des Sockels eine höhere Leitfähigkeit als die obere Lage aufweisen. Die obere Lage hat dann den niedrigeren Widerstand aufgrund ihrer Dicke. Je nach zu tragendem Strom und, bei mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelementen je nach gewünschter Massebelegung, ist eine relativ dicke obere Lage vorteilhaft. Eine vorteilhafte obere Lage, z. B. aus Cu, ist zwischen 1 und 30 nm dick. Ohne eine Cu umfassende obere Schicht ist auch eine hochtexturierte, Al umfassende Lage nicht ausreichend leistungsfest.
  • In einer weiteren Ausgestaltung ist die mittlere Schicht dünner als die untere Schicht oder dünner als die obere Schicht. Somit sind die Materialkosten für die mittlere Schicht, welche teures Ag umfassen kann, verringert; die Abscheidedauer ist verkürzt. Trotz einer relativ dünnen mittleren Schicht wird eine gute Textur erhalten. Eine für eine optimale Textur bevorzugte Dicke der mittleren Lage, z. B. einer mittleren Lage aus Ag, liegt zwischen 0,5 nm und 10 nm.
  • In einer weiteren Ausgestaltung umfasst die untere Schicht Stickstoffatome. Insbesondere TiN ist als Material der unteren Schicht vorgesehen.
  • In einer Ausgestaltung umfasst die mittlere Schicht Gold, Silber, Platin oder Palladium.
  • In einer Ausgestaltung besteht die mittlere Schicht aus Silber. Eine solche Metallisierung umfasst also einen Sockel aus einer unteren Schicht, die als Hauptbestandteil Titan oder eine Titanverbindung umfasst, aus einer oberen Schicht mit dem Hauptbestandteil Kupfer und aus einer mittleren Schicht, die Silber umfasst. Dabei ist die mittlere Schicht zwischen der unteren Schicht und der oberen Schicht angeordnet. Eine Metallisierung, deren obere Lage auf einem derartigen Sockel angeordnet ist, hat eine besonders hohe Leistungsfestigkeit.
  • In einer Ausführungsform weist die obere Lage eine <111> Textur auf. Die <111> Richtung ist dabei die Richtung der Raumdiagonalen der Einheitszelle der oberen Lage. Diese Richtung stimmt mit der Richtung der Flächennormalen des Substrats überein. Aluminium liegt im Allgemeinen in der so genannten hexagonal dichtesten Packung (hcp = hexagonal close-packed) vor. Diese entspricht einem kubisch flächenzentrierten Raumgitter. Die <111> Richtung verläuft dabei senkrecht durch dichtest möglich gepackte Lagen aus Aluminiumatomen. Diese Lagen – senkrecht zur <111> Richtung – bilden ein hexagonales Netz. Eine erfindungsgemäße Metallisierung weist also nicht nur eine in-plane-Textur (die Atome der Elektrode sind in den Richtungen parallel zur Substratoberfläche ausgerichtet) sondern auch eine out-of-plane-Textur (die Atome der Elektrode sind in einer Richtung normal zur Substratoberfläche ausgerichtet) auf.
  • In einer Ausführungsform weist die obere Lage der Metallisierung eine Zwillings- oder eine Einfachtextur auf. Wie oben schon erwähnt, sind die Atome der oberen Lage in hexagonal angeordneten Atomlagen ausgerichtet. Eine Einfachtextur weist einen höheren Ordnungsgrad als eine Zwillingstextur auf. Die Zwillingstextur unterscheidet sich von der Einfachtextur dadurch, dass von den in Frage kommenden Ausrichtungen verschiedener Atomlagen zueinander zwei verwirklicht sind. Bei der Einfachtextur wird eine vorgegebene relative Ausrichtung von benachbarten Atomlagen zueinander von allen Lagen eingehalten.
  • In einer Ausführungsform ist zwischen dem Substrat und der unteren Schicht der Metallisierung eine piezoelektrische Schicht angeordnet. In einer alternativen Ausführungsform ist das Substrat selbst piezoelektrisch. Ein solches Substrat oder die piezoelektrische Schicht kann beispielsweise Lithiumtantalat oder Lithiumniobat umfassen.
  • In mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelementen wandeln Elektrodenstrukturen durch den piezoelektrischen Effekt elektrische Hochfrequenzsignale in akustische Wellen und umgekehrt akustische Wellen in elektrische Hochfrequenzsignale um. Aufgrund der eingangs erwähnten zweifachen Belastung (einer mechanischen und einer elektrischen), ist eine erfindungsgemäße Metallisierung mit ihrer hohen Leistungsfestigkeit in einem mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelement besonders geeignet und zur Verwendung in einem mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelement vorgesehen.
  • Ein solches Bauelement kann ein mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement sein. In einer alternativen Ausführungsform findet eine erfindungsgemäße Metallisierung jedoch in einem mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Bauelement Verwendung. Insbesondere ist die Verwendung der Metallisierung in einem mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Duplexer möglich.
  • Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer derartigen Metallisierung umfasst die Schritte
    • – Bereitstellen eines Substrates,
    • – Aufbringen der Metallisierung unter Verwendung einer Lift-off-Technik.
  • Da es sich herausgestellt hat, dass eine erfindungsgemäße Metallisierung auch dann eine hohe Leistungsfestigkeit und eine gute elektrische Leitfähigkeit aufweist, wenn sie mittels einer Lift-off-Technik auf ein Substrat aufgebracht worden ist, eröffnen sich bei der Herstellung von Bauelementen mit entsprechender Metallisierung nun mehr Freiheiten.
  • Insbesondere kann ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Metallisierung die Schritte
    • – Reinigen der Substratoberfläche,
    • – Aufbringen von Fotolack auf die Substratoberfläche,
    • – Strukturieren des Fotolacks,
    • – Aufbringen der Metallisierung auf die freiliegenden Oberflächen von Substrat und Fotolack,
    • – Abheben des Fotolacks samt direkt darüber aufgebrachter Bereiche der Metallisierung
    umfassen.
  • Das Strukturieren des Fotolacks kann dabei die Erzeugung einer sog. Negativstruktur darstellen.
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und zugehörigen schematischen Figuren näher erläutert. Es zeigt:
  • 1 einen Querschnitt durch eine auf einem Substrat angeordnete strukturierte Metallisierung,
  • 2 einen Querschnitt durch eine auf einem Substrat angeordnete strukturierte Metallisierung, die auf einer piezoelektrischen Schicht auf der Substratoberfläche angeordnet ist,
  • 3a eine Mikroskopaufnahme der in-plane-Texturierung einer gewöhnlichen, mittels Lift-off-Technik auf ein Substrat angeordneten Metallisierung,
  • 3b eine Mikroskopaufnahme der in-plane-Texturierung einer erfindungsgemäßen Metallisierung, welche in Lift-off-Technik auf ein Substrat aufgebracht wurde.
  • 1 zeigt den Querschnitt einer Metallisierung M mit einer oberen Lage TL, welche auf einem Sockel angeordnet ist. Der Sockel umfasst eine obere Schicht UL sowie eine untere Schicht BL. Der Sockel aus oberer Schicht UL und unterer Schicht BL ist auf der Oberfläche eines Substrats S angeordnet. Die Metallisierung, bestehend aus oberer Lage TL und Sockel UL, BL kann beispielsweise die Metallisierung für die Elektrodenfinger eines SAW-Bauelements darstellen. Dann zeigt 1 den Querschnitt durch einen solchen Elektrodenfinger.
  • 2 zeigt einen Querschnitt durch eine weitere Ausführung der Metallisierung M. Die Metallisierung M umfasst eine obere Lage TL auf einem Sockel. Der Sockel ist durch eine obere Schicht UL, eine untere Schicht BL und, als weiteren Teil, durch eine mittlere Schicht ML gebildet. Zwischen dem Substrat S und der unteren Schicht BL der Metallisierung M ist eine piezoelektrische Schicht PL angeordnet.
  • Findet die Metallisierung M in einem mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelement Verwendung, so wandeln entsprechende aus der Metallisierung geformte Elektroden elektrische Hochfrequenzsignale in akustische Wellen (BAW oder SAW) oder umgekehrt akustische Wellen in elektrische Hochfrequenzsignale um.
  • Akustischen Oberflächenwellen breiten sich an der Oberfläche eines Substrats aus. Damit akustische Oberflächenwellen an der Oberfläche des Substrats induziert werden können, muss das Substrat mit der elektrischen Feldverteilung zwischen Elektrodenfingern unterschiedlicher Polarität Wechsel wirken.
  • Ist das Substrat piezoelektrisch, so können die elektrischen Hochfrequenzwechselfelder direkt akustische Oberflächenwellen im Substrat anregen. Ist das Substrat nicht piezoelektrisch, so wird zumindest eine piezoelektrische Schicht PL auf der Oberfläche des Substrats S zwischen Substrat und Metallisierung M benötigt.
  • 3a zeigt eine Mikroskopaufnahme einer nicht oder bestenfalls kaum strukturierten Elektrodenoberfläche, welche mittels eines Lift-off-Verfahrens auf einem Substrat angeordnet und strukturiert wurde. Im Gegensatz dazu zeigt 3b eine Mikroskopaufnahme einer erfindungsgemäßen und hochtexturierten Metallisierung, welche ebenfalls mittels Lift-off-Verfahren auf einem Substrat erzeugt wurde. Deutlich zu erkennen ist die einem hexagonalen Netz entsprechende dreizählige Symmetrie der Texturierung.
  • Eine erfindungsgemäße Metallisierung ist nicht auf eine der beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Variationen, welche zum Beispiel noch weitere Schichten oder Lagen umfassen oder deren Schichten oder Lagen noch weitere Elemente umfassen, stellen ebenso erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele dar.
  • Bezugszeichenliste
    • BL
    untere Schicht
    M
    Metallisierung
    ML
    mittlere Schicht
    PL
    piezoelektrische Schicht
    S
    Substrat
    TL
    obere Lage
    UL
    obere Schicht
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 7605524 B2 [0005]

Claims (20)

  1. Metallisierung (M) für stromtragende Strukturen in einem elektrischen Bauelement, – angeordnet auf einem Substrat (S), – mit einem Sockel und einer darauf angeordneten oberen Lage (TL), wobei – der Sockel eine untere Schicht (BL) umfasst, die oberhalb oder auf der Substratoberfläche angeordnet ist und als Hauptbestandteil Ti oder eine Titanverbindung umfasst, – der Sockel eine obere Schicht (UL) umfasst, die oberhalb oder direkt auf der unteren Schicht (BL) angeordnet ist und als Hauptbestandteil Cu umfasst, – die obere Lage (TL) direkt auf der oberen Schicht angeordnet ist und als Hauptbestandteil Al umfasst.
  2. Metallisierung nach dem vorherigen Anspruch mit einer mittleren Schicht (ML) im Sockel, die zwischen der unteren Schicht (BL) und der oberen Schicht (UL) angeordnet ist und die ein Element umfasst, welches edler als Al ist.
  3. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die untere Schicht (BL) dünner als die obere Schicht (UL) ist.
  4. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die obere Schicht (UL) dünner als die obere Lage (TL) ist.
  5. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die mittlere Schicht (ML) dünner als die untere Schicht (BL) oder dünner als die obere Schicht (UL) ist.
  6. Metallisierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die untere Schicht (BL) eine Dicke zwischen 2 nm und 20 nm, die mittlere Schicht (ML) eine Dicke zwischen 0,5 nm und 10 nm und die obere Schicht (UL) eine Dicke zwischen 1 nm und 30 nm aufweist.
  7. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die untere Schicht (BL) TiN umfasst.
  8. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die mittlere Schicht (ML) Ag, Au, Pt oder Pd umfasst.
  9. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die mittlere Schicht (ML) aus Ag besteht.
  10. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei Al der Hauptbestandteil der oberen Lage (TL) ist und die obere Lage (TL) Cu, Mg, eine Al-Cu Legierung, eine Al-Mg Legierung oder eine Al-Cu-Mg Legierung umfasst.
  11. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die obere Lage (TL) eine <111> Textur aufweist.
  12. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die obere Lage (TL) eine Zwillings- oder eine Einfachtextur aufweist.
  13. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zwischen dem Substrat (S) und der unteren Schicht (BL) eine piezoelektrische Schicht (PL) angeordnet ist.
  14. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Substrat (S) piezoelektrisch ist.
  15. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Substrat (S) oder die piezoelektrische Schicht (PL) LiTaO3 oder LiNbO3 umfasst.
  16. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, zur Verwendung in einem mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelement.
  17. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, zur Verwendung in einem mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Bauelement.
  18. Metallisierung nach einem der vorherigen Ansprüche, zur Verwendung in einem mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Duplexer.
  19. Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung nach einem der vorherigen Erzeugnisansprüche, umfassend die Schritte – Bereitstellen eines Substrates (S), – Aufbringen der Metallisierung unter Verwendung einer Lift-off-Technik.
  20. Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung nach dem vorherigen Anspruch, umfassend die Schritte – Reinigen der Substratoberfläche, – Aufbringen von Fotolack auf die Substratoberfläche, – Strukturieren des Fotolacks – Aufbringen der Metallisierung auf die freiliegenden Oberflächen von Substrat (S) und Fotolack – Abheben des Fotolacks samt direkt darüber aufgebrachten Bereichen der Metallisierung.
DE102009056663.5A 2009-12-02 2009-12-02 Metallisierung mit hoher Leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit und Verfahren zur Herstellung Active DE102009056663B4 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009056663.5A DE102009056663B4 (de) 2009-12-02 2009-12-02 Metallisierung mit hoher Leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit und Verfahren zur Herstellung
US13/509,181 US9173305B2 (en) 2009-12-02 2010-12-01 Metallization having high power compatibility and high electrical conductivity
CN201610154919.5A CN105702660A (zh) 2009-12-02 2010-12-01 用于电器件中的载流结构的金属化部及其制造方法
KR1020127015150A KR101761955B1 (ko) 2009-12-02 2010-12-01 높은 출력 호환성 및 높은 전기 전도도를 포함한 금속배선
JP2012541486A JP5878127B2 (ja) 2009-12-02 2010-12-01 高い耐電力性及び高い導電性を有するメタライジング層
PCT/EP2010/068628 WO2011067281A1 (de) 2009-12-02 2010-12-01 Metallisierung mit hoher leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer leitfähigkeit
CN201080054640.0A CN102763492B (zh) 2009-12-02 2010-12-01 具有高电源兼容性和高导电性的金属化部
US14/867,759 US9728705B2 (en) 2009-12-02 2015-09-28 Metallization having high power compatibility and high electrical conductivity
JP2015211696A JP6450669B2 (ja) 2009-12-02 2015-10-28 高い耐電力性及び高い導電性を有するメタライジング層

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009056663.5A DE102009056663B4 (de) 2009-12-02 2009-12-02 Metallisierung mit hoher Leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit und Verfahren zur Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102009056663A1 true DE102009056663A1 (de) 2011-06-09
DE102009056663B4 DE102009056663B4 (de) 2022-08-11

Family

ID=43504261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009056663.5A Active DE102009056663B4 (de) 2009-12-02 2009-12-02 Metallisierung mit hoher Leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit und Verfahren zur Herstellung

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9173305B2 (de)
JP (2) JP5878127B2 (de)
KR (1) KR101761955B1 (de)
CN (2) CN102763492B (de)
DE (1) DE102009056663B4 (de)
WO (1) WO2011067281A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009056663B4 (de) * 2009-12-02 2022-08-11 Tdk Electronics Ag Metallisierung mit hoher Leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit und Verfahren zur Herstellung
CN109660224B (zh) * 2018-12-18 2023-03-24 北方民族大学 滤波器用复合压电基片及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3787772T2 (de) * 1986-08-11 1994-05-05 Ibm Halbleiterchip mit einer Höckerstruktur für automatische Bandmontage.
US20060273687A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Alps Electric Co., Ltd. Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
US20090045704A1 (en) * 2007-08-14 2009-02-19 Skyworks Solutions, Inc. Method for forming a multi-layer electrode underlying a piezoelectric layer and related structure
US7605524B2 (en) 2005-11-10 2009-10-20 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
EP2175556A1 (de) * 2007-07-30 2010-04-14 Murata Manufacturing Co. Ltd. Elastische wellenvorrichtung und herstellungsverfahren dafür

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134460A (en) 1986-08-11 1992-07-28 International Business Machines Corporation Aluminum bump, reworkable bump, and titanium nitride structure for tab bonding
JP2524129B2 (ja) * 1986-09-22 1996-08-14 京セラ株式会社 セラミツク配線基板
JP2545983B2 (ja) 1989-04-14 1996-10-23 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP2936228B2 (ja) 1989-06-13 1999-08-23 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
US5171642A (en) 1989-04-17 1992-12-15 International Business Machines Corporation Multilayered intermetallic connection for semiconductor devices
JPH0473994A (ja) * 1990-07-16 1992-03-09 Kyocera Corp セラミック配線基板
JPH05199062A (ja) 1991-09-24 1993-08-06 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子とその製造方法および弾性表面波素子用基板
JPH05183373A (ja) 1991-12-30 1993-07-23 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子の電極材料
JPH06132777A (ja) 1992-10-20 1994-05-13 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子とその製造方法
JPH073994A (ja) 1993-06-18 1995-01-06 Ig Tech Res Inc 耐火パネル
JP3208977B2 (ja) 1993-12-02 2001-09-17 株式会社村田製作所 弾性表面波素子の電極形成方法
JPH07170145A (ja) 1993-12-15 1995-07-04 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子とその製造方法
JPH0828272A (ja) 1994-07-18 1996-01-30 Nissan Motor Co Ltd 渦流室式ディーゼル機関の燃焼室
JPH08154030A (ja) 1994-11-25 1996-06-11 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子
JP3308749B2 (ja) 1995-01-27 2002-07-29 日本電気株式会社 弾性表面波装置の製造方法、および、これを用いて製造された弾性表面波装置
WO1999016168A1 (fr) 1997-09-22 1999-04-01 Tdk Corporation Appareil a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication de cet appareil
DE19758195C2 (de) 1997-12-30 2000-05-18 Siemens Ag Oberflächenwellen- (SAW-)Bauelement auf insbesondere Lithiumtantalat- oder -niobat-Substrat
CN1130824C (zh) * 1998-10-16 2003-12-10 精工爱普生株式会社 弹性表面波元件
WO2000074235A1 (fr) 1999-05-31 2000-12-07 Tdk Corporation Dispositif a ondes acoustiques de surface
JP2002026685A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子
JP3846221B2 (ja) 2000-07-14 2006-11-15 株式会社村田製作所 弾性表面波素子
JP3521864B2 (ja) * 2000-10-26 2004-04-26 株式会社村田製作所 弾性表面波素子
JP3445971B2 (ja) 2000-12-14 2003-09-16 富士通株式会社 弾性表面波素子
JP3735550B2 (ja) 2001-09-21 2006-01-18 Ｔｄｋ株式会社 弾性表面波装置およびその製造方法
JP2003258594A (ja) 2001-12-27 2003-09-12 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子およびその製造方法
TWI282660B (en) 2001-12-27 2007-06-11 Murata Manufacturing Co Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor
DE10206369B4 (de) 2002-02-15 2012-12-27 Epcos Ag Elektrodenstruktur mit verbesserter Leistungsverträglichkeit und Verfahren zur Herstellung
DE10236003B4 (de) 2002-08-06 2013-12-24 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit leistungsverträglicher Elektrodenstruktur
JP4064208B2 (ja) * 2002-10-31 2008-03-19 アルプス電気株式会社 弾性表面波素子及びその製造方法
US7299528B2 (en) * 2002-11-05 2007-11-27 Lee David M Method for forming a multi-frequency surface acoustic wave device
JP4096787B2 (ja) 2003-04-11 2008-06-04 株式会社村田製作所 弾性表面波素子の製造方法
US20050205999A1 (en) * 2003-08-30 2005-09-22 Visible Tech-Knowledgy, Inc. Method for pattern metalization of substrates
JP4359535B2 (ja) 2004-02-06 2009-11-04 アルプス電気株式会社 弾性表面波素子
DE102004045181B4 (de) * 2004-09-17 2016-02-04 Epcos Ag SAW-Bauelement mit reduziertem Temperaturgang und Verfahren zur Herstellung
WO2006046545A1 (ja) 2004-10-26 2006-05-04 Kyocera Corporation 弾性表面波素子及び通信装置
DE102004058016B4 (de) 2004-12-01 2014-10-09 Epcos Ag Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement mit hoher Bandbreite
JP2008235950A (ja) 2005-05-26 2008-10-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波装置
DE102009056663B4 (de) * 2009-12-02 2022-08-11 Tdk Electronics Ag Metallisierung mit hoher Leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit und Verfahren zur Herstellung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3787772T2 (de) * 1986-08-11 1994-05-05 Ibm Halbleiterchip mit einer Höckerstruktur für automatische Bandmontage.
US20060273687A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Alps Electric Co., Ltd. Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
US7605524B2 (en) 2005-11-10 2009-10-20 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
EP2175556A1 (de) * 2007-07-30 2010-04-14 Murata Manufacturing Co. Ltd. Elastische wellenvorrichtung und herstellungsverfahren dafür
US20090045704A1 (en) * 2007-08-14 2009-02-19 Skyworks Solutions, Inc. Method for forming a multi-layer electrode underlying a piezoelectric layer and related structure

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Lift-off (microtechnology), Wikipedia, the free encyclopedia, 12 February 2010 *

Also Published As

Publication number Publication date
US9728705B2 (en) 2017-08-08
WO2011067281A1 (de) 2011-06-09
CN102763492A (zh) 2012-10-31
DE102009056663B4 (de) 2022-08-11
JP2016040944A (ja) 2016-03-24
CN102763492B (zh) 2016-04-13
CN105702660A (zh) 2016-06-22
JP5878127B2 (ja) 2016-03-08
JP6450669B2 (ja) 2019-01-09
US9173305B2 (en) 2015-10-27
KR101761955B1 (ko) 2017-07-26
US20160020378A1 (en) 2016-01-21
US20120280595A1 (en) 2012-11-08
KR20120094489A (ko) 2012-08-24
JP2013513232A (ja) 2013-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60306196T2 (de) Halterung für akustischen resonator, akustischer resonator und entsprechende integrierte schaltung
DE10163297B4 (de) Oberflächenwellenbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
DE112008002199B4 (de) Verfahren zum Bilden einer Multilayer-Elektrode, welche unter einer piezoelektrischen Schicht liegt, und entsprechende Struktur
DE69629080T2 (de) Akustische Oberflächenwellenanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10330136B4 (de) Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10206369B4 (de) Elektrodenstruktur mit verbesserter Leistungsverträglichkeit und Verfahren zur Herstellung
DE112008002181B4 (de) Bulkakustikwellenstruktur mit einer piezoelektrischen Aluminiumkupfernitrid-Schicht und darauf bezogenes Verfahren
DE102004041178B4 (de) Akustischer Filmresonator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005055871A1 (de) Elektroakustisches Bauelement
DE102015114224A1 (de) Akustische Schichtvolumenresonatoren mit rückseitigen Durchkontaktierungen
DE102012111654B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102010048620B4 (de) Elektrode, mikroakustisches Bauelement und Herstellungsverfahren für eine Elektrode
DE10316716A1 (de) Bauelement mit einer piezoelektrischen Funktionsschicht
DE10134092A1 (de) Oberflächenwellenbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
DE69932316T2 (de) Akustische oberflächenwellenvorrichtung
DE102009056663A1 (de) Metallisierung mit hoher Leistungsverträglichkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit
EP3381125B1 (de) Elektrisches bauelement mit waermeableitung
DE102011005249B4 (de) Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102017113515B4 (de) Verfahren zum Bilden eines elektrisch leitfähigen Kontakts und elektronische Vorrichtung
DE102014103293A1 (de) Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE1591677A1 (de) Mechanische Resonatoren in integrierten Halbleiterschaltungen und Verfahren zu ihrerHerstellung
DE112018005526T5 (de) Schallwellenvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Schallwellenvorrichtung
DE102019104452B4 (de) Funktionaler Wafer und Herstellungsverfahren
DE10237507B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Schichtsystems
DE10236003A1 (de) Bauelement mit leistungsverträglicher Elektrodenstruktur und Verfahren zur Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: TDK ELECTRONICS AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0041047000

Ipc: H10N0030870000

R020 Patent grant now final