DE102011005249B4 - Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie und Verfahren zu ihrer Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE102011005249B4
DE102011005249B4 DE102011005249A DE102011005249A DE102011005249B4 DE 102011005249 B4 DE102011005249 B4 DE 102011005249B4 DE 102011005249 A DE102011005249 A DE 102011005249A DE 102011005249 A DE102011005249 A DE 102011005249A DE 102011005249 B4 DE102011005249 B4 DE 102011005249B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
page
membrane
layer
substrate
piezoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102011005249A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102011005249A1 (de
Inventor
Vadim Lebedev
Dr. Cimalla Volker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE102011005249A priority Critical patent/DE102011005249B4/de
Publication of DE102011005249A1 publication Critical patent/DE102011005249A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102011005249B4 publication Critical patent/DE102011005249B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N2/00Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
    • H02N2/18Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing electrical output from mechanical input, e.g. generators
    • H02N2/186Vibration harvesters
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/308Membrane type

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

Vorrichtung (1) zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie, mit zumindest einem Substrat (100) mit einer ersten Seite (101) und einer zweiten Seite (102), auf welchem zumindest ein bewegliches Element angeordnet ist, welches zumindest ein piezoelektrisches Material enthält, dadurch gekennzeichnet, dass das bewegliche Element eine Membran (350) umfasst, welche in Ruhestellung auf zumindest einer Seite zumindest einen konkaven (370) und zumindest einen konvexen (360) Flächenbereich aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie mit zumindest einem Substrat mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite, auf welchem zumindest ein bewegliches Element angeordnet ist, welches zumindest ein piezoelektrisches Material enthält. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung.
  • Aus S. P. Beeby, M. J. Tudor, and N. M. White, Meas. Sci. Technol. 17 (2006), p. 190 ist eine Vorrichtung der eingangs genannten Art bekannt. Diese bekannte Vorrichtung verwendet die Schwingungen einer piezoelektrischen Membran, welche mikromechanisch hergestellt wurde, um bei Erschütterung eine elektrische Spannung bzw. einen elektrischen Strom bereitzustellen. Diese elektrische Energie kann zur Versorgung einer nachfolgenden elektronischen Schaltung eingesetzt werden.
  • Diese bekannte Vorrichtung weist jedoch den Nachteil auf, dass die Membran einen Resonator hoher Güte darstellt, d. h. die Resonanzfrequenz der Membran ist scharf begrenzt. Mit Anregungsfrequenzen außerhalb dieser Resonanz können daher nur geringe Schwingungsamplituden der Membran angeregt und nur eine geringe oder keine elektrische Nutzleistung bereitgestellt werden. Für mikromechanisch hergestellte Membranen, welche einen Durchmesser von weniger als 1 mm aufweisen, liegt diese Resonanzfrequenz und damit die Wandlungsfrequenz oberhalb von 1 kHz.
  • Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur autonomen Energieversorgung elektrischer Schaltungen anzugeben, welche eine zuverlässige Energieversorgung sicherstellt, auch wenn keine mechanischen Schwingungen im Frequenzbereich oberhalb von 1 kHz auftreten.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch 1 und einem Verfahren zu deren Herstellung gemäß Anspruch 14 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung finden sich in der Beschreibung und den Unteransprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, auf einem Substrat eine Membran anzuordnen, welche ein piezoelektrisches Material enthält. Wenn das Substrat Teil eines elektrischen bzw. elektronischen Gerätes ist, welches im Betrieb bewegt wird, so führt diese Bewegung zur einer Schwingung der piezoelektrischen Membran. Diese führt zu einer Ladungstrennung im Material der Membran, sodass auf den zwei Seiten der flächig ausgebildeten Membran unterschiedliche elektrische Potenziale anliegen. An den zwei Seiten der Membran kann somit eine elektrische Spannung bzw. ein elektrischer Strom abgegriffen werden.
  • Erfindungsgemäß wurde nun erkannt, dass die Membran statt einer scharfen Resonanzfrequenz ein breites Anregungsspektrum besitzt, wenn diese nicht eben ausgeführt ist, sondern im entspannten Zustand auf zumindest einer Seite zumindest einen konkaven und zumindest einen konvexen Flächenbereich aufweist. Aufgrund der Krümmung der Membran sinkt die Güte des Resonator, sodass ein breites Frequenzband möglicher Anregungsfrequenzen zur Erzeugung elektrischer Energie genutzt werden kann. Weiterhin wurde erkannt, dass das Maximum der Resonanzfrequenz in einen niedrigeren Frequenzbereich verschoben werden kann. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Maximum der Resonanzfrequenz unter 500 Hz, unter 200 Hz oder unter 150 Hz liegen. Dies erlaubt die effiziente Energieerzeugung auch dann, wenn das die Vorrichtung enthaltende Gerät nur langsam bzw. mit geringen Frequenzen bewegt wird. Schließlich kann die erfindungsgemäße Vorrichtung in einigen Ausführungsformen der Erfindung auch in Medien hoher Dämpfung betrieben werden, beispielsweise in einer Flüssigkeit, ohne die entnehmbare elektrische Leistung übermäßig einzuschränken.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann die Membran zumindest eine piezoelektrische Schicht enthalten, welche Bariumtitanat und/oder Blei-Zirkonat-Titanat und/oder Aluminiumnitrid und/oder Galliumorthophosphat und/oder Lithiumniobat enthält. Die genannten Materialien können einerseits als Dünnschicht abgeschieden und mikromechanisch strukturiert werden. Gleichzeitig erlauben diese eine hinreichend große Ausgangsspannung bzw. einen hinreichend großen Ausgangsstrom der erfindungsgemäßen Vorrichtung, um eine nachfolgende elektronische Schaltung mit elektrischer Energie zu versorgen. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann die maximale elektrische Ausgangsleistung größer sein als 2 mW, größer als 5 mW, größer als 10 mW oder größer als 20 mW.
  • Einige der genannten Verbindungen, insbesondere solche, welche kein Blei und kein Zink enthalten, weisen daneben den Vorteil verbesserter Biokompatibilität auf, sodass diese auch innerhalb eines lebenden Organismus eingesetzt werden können, beispielsweise innerhalb eines menschlichen oder tierischen Körpers. Damit kann die vorgeschlagene Vorrichtung in einigen Ausführungsformen auch Implantate bzw. intracorporale Sensoren mit elektrischer Energie versorgen.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann die Membran einen mehrschichtigen Aufbau aufweisen. Der mehrschichtige Aufbau kann in einigen Ausführungsformen aus zumindest einer piezoelektrischen Schicht zur Erzeugung elektrischer Energie und zumindest einer auf oder unter der piezoelektrischen Schicht angeordneten Tragschicht bestehen. Die Tragschicht kann dabei aus einem elektrisch isolierenden oder einem elektrisch leitfähigen Material bestehen bzw. ein solches enthalten. Damit kann die Tragschicht in einigen Ausführungsformen der Erfindung auch als Kontaktschicht zur elektrischen Kontaktierung der piezoelektrischen Schicht eingesetzt werden.
  • In anderen Ausführungsformen der Erfindung kann die Tragschicht zur mechanischen Stabilisierung der piezoelektrischen Schicht dienen. Weiterhin kann die Tragschicht in Verbindung mit der piezoelektrischen Schicht eine mechanische Spannung erzeugen, welche die Ausbildung von je zumindest einem konkaven und zumindest einem konvexen Flächenbereich der Membran bewirkt. Schließlich kann eine Tragschicht als Ätzstopschicht bei der Herstellung der Membran eingesetzt werden. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann die Tragschicht auch mehrere der genannten Funktionen gleichzeitig oder sequenziell ausüben.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann der mehrschichtige Aufbau der Membran auch eine Mehrzahl von Tragschichten und/oder eine Mehrzahl von piezoelektrischen Schichten umfassen. In diesem Fall können die Tragschichten als zusätzliche elektrische Kontaktschichten und/oder zur zusätzlichen mechanischen Stabilisierung und/oder zur Erzeugung mechanischer Spannungen innerhalb der Membran dienen. Eine Mehrzahl von piezoelektrischen Schichten kann die Ausgangsspannung und/oder den Ausgangsstrom der Vorrichtung und damit die von der Vorrichtung bereitgestellte elektrische Leistung erhöhen. Wahlweise können zwischen zwei piezoelektrischen Schichten eine oder mehrere Tragschichten angeordnet sein.
  • Zumindest eine Tragschicht und/oder eine piezoelektrische Schicht der Membran kann als Teilbeschichtung ausgeführt sein, d. h. nur eine Teilfläche der Membran bedecken. Eine solche Schicht kann zum Einstellen der Resonanzfrequenz der Membran, zur Einstellung der Güte des durch die Membran gebildeten Resonators und/oder zur mechanischen Stabilisierung der Membran eingesetzt werden. Somit können durch Auswahl der Schichtdicken, der Schichtmaterialien und der lateralen Strukturierung in der Ebene der Membran die Eigenschaften der Vorrichtung an gewünschte Soll-Eigenschaften angepasst werden. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann so die Resonanzfrequenz und/oder die Breite der Resonanzkurve an vorgebbare Sollwerte angepasst werden.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann zumindest eine Tragschicht und/oder zumindest eine piezoelektrische Schicht in einem Magnetron-Sputter-Verfahren abgeschieden werden. In einigen Ausführungsformen kann es sich um ein RF-Magnetron-Sputter-Verfahren handeln, d. h. das zur Abscheidung verwendete Plasma wird mit elektromagnetischer Strahlung von etwa 8 MHz bis etwa 15 MHz angeregt. Dieses Abscheideverfahren erlaubt eine zügige Schichtdeposition, sodass die vorgeschlagene Vorrichtung schnell, einfach, reproduzierbar und kostengünstig hergestellt werden kann. Weiterhin erlaubt die Verwendung eines Sputterverfahrens durch Einstellen der Prozessparameter die Kontrolle der in den Schichten erzeugten mechanischen Spannungen, sodass damit die Krümmung bzw. die Lage und Anzahl konkaver bzw. konvexer Flächenbereiche der Membran kontrollierbar ist. Da dieser Parameter die Güte des Resonators und die Resonanzfrequenz bestimmt, kann letztlich durch Wahl der Verfahrensparameter des Sputterprozesses der Energieertrag der Vorrichtung in einem vorgebbaren Anwendungsfall eingestellt werden.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann eine isolierende Tragschicht SixNy und/oder SiO2 und/oder Al2O3 und/oder Diamant enthalten oder daraus bestehen. Wahlweise kann eine einzelne Tragschicht einen mehrschichtigen Aufbau aufweisen, sodass eine Tragschicht eine Mehrzahl der genannten Materialien enthält. Diese können in an sich bekannter Weise aus der Gasphase einfach auf einem Substrat abgeschieden und nötigenfalls lateral strukturiert, d. h. durch Ätzen und/oder Polieren zumindest teilweise wieder entfernt werden.
  • Eine elektrisch leitfähige Tragschicht kann in einigen Ausführungsformen der Erfindung Aluminium, Titan, Wolfram, Nickel, Chrom, Vanadium, Platin, Gold, dotierten Diamant und/oder Indium-Zinnoxid enthalten oder daraus bestehen. Die genannten Metalle können als reinelementare Phase, als Mischkristallphase oder als Legierung in der Tragschicht vorhanden sein. Auch diese Metalle können aus der Gasphase abgeschieden werden, beispielsweise durch Magnetron-Sputtern. Elektrisch leitfähiger Diamant kann als Dotierstoff Bor enthalten. Diamant zeichnet sich dabei durch seine hohe mechanische Belastbarkeit und gute Biokompatibilität aus.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung können die Tragschichten neben den genannten Materialien weitere nicht genannte Elemente aufweisen, entweder als Dotierstoff oder als unvermeidbare Verunreinigung.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann die Membran eine Dicke von etwa 0,1 μm bis etwa 10 μm aufweisen. Der genannte Dickenbereich gewährleistet einerseits eine Resonanzfrequenz unterhalb von 500 Hz, eine hinreichende mechanische Belastbarkeit der Vorrichtung und eine hinreichende elektrische Leistung.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann die Dicke einer Tragschicht und/oder die Dicke einer piezoelektrischen Schicht etwa 0,01 μm bis etwa 10 μm betragen. Hierdurch wird sichergestellt, dass die elektrische Leitfähigkeit hinreichend groß ist, um die von der zumindest einen piezoelektrischen Schicht erzeugte elektrische Leistung von der Schicht abzuführen. Weiterhin gewährleisten die genannten Schichtdicken eine hinreichende mechanische Spannung, um der Membran die gewünschte nicht ebene Geometrie zu geben und eine hinreichende mechanische Festigkeit, um den Einsatz der Vorrichtung über deren Lebensdauer zu ermöglichen.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Substrat Silicium enthalten. Daneben kann das Substrat weitere Elemente enthalten, entweder als Dotierstoff zur Einstellung einer bestimmten, vorgebbaren Leitfähigkeit oder als unvermeidbare Verunreinigung. Ein Substrat, welches Silicium enthält oder daraus besteht, kann in einfacher Weise mit an sich bekannten Verfahren aus der Halbleitertechnologie bearbeitet werden.
  • Dadurch wird die Herstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung vereinfacht. Weiterhin kann die vorgeschlagene Vorrichtung zusammen mit weiteren elektronischen Bauelementen, wie z. B. Transistoren, MOS-FETs, Widerständen, Kondensatoren oder Leiterbahnen, auf einem Substrat monolithisch integriert werden. Somit können elektronische Halbleiterbauelemente bereitgestellt werden, welche bei Erschütterung ohne weitere Energieversorgung betrieben werden können.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann zumindest eine Membran durch Abscheiden zumindest einer Schicht auf das Substrat und nachfolgendes Entfernen des Substrates von zumindest einer Teilfläche erhältlich sein. Dies erlaubt eine Schichtabscheidung mit üblichen, an sich bekannten Verfahren auf einem einfach handhabbaren Substrat, welches beispielsweise eine Dicke von mehr als 100 μm aufweisen kann. Nach der Schichtabscheidung kann das Substrat entfernt werden, sodass sich in diesem Flächenbereich eine Aussparung bzw. ein Loch im Substrat bildet. Dieses wird einseitig von den zuvor abgeschiedenen Schichten begrenzt, sodass diese als Membran in der Öffnung schwingend gelagert sind. Sofern die Schichten eine mechanische Spannung aufweisen, kann diese nach dem Entfernen des Substrates relaxieren, sodass sich die gewünschte, nicht ebene Geometrie der Membran einstellt, welche zu einer Verschiebung der Resonanzfrequenz un/oder zu einer Verbreiterung der Resonanzkurve führt.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Entfernen des Substrates durch nass- oder trockenchemisches Ätzen erfolgen. In diesem Fall kann die Membran bzw. eine Schicht der Membran als Ätzstoppschicht ausgebildet sein, sodass das Ätzen des Substrates an der Membran stoppt, ohne diese zu beschädigen.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann ein Substrat eine Mehrzahl von Membranen tragen, sodass auf dem Substrat eine größere Ausgangsspannung und/oder ein größerer Ausgangsstrom bereitgestellt werden kann. In diesem Fall können die Membranen seriell oder parallel auf dem Substrat verschaltet sein. Dies kann in einigen Ausführungsformen der Erfindung durch Metallisierungsschichten erfolgen, welche auf dem Substrat angeordnet und nachfolgend strukturiert werden. Wahlweise kann auch eine Gruppe von parallel verschalteten Membranen wieder seriell verschaltet sein oder eine Gruppe von seriell verschalteten Membranen parallel verschaltet sein.
  • In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann zur Erhöhung der elektrischen Leistung eine Mehrzahl von Substraten in einer der erfindungsgemäßen Vorrichtungen vorhanden sein. Für jedes dieser Substrate kann eine oder mehrere Membrane tragen. Die Mehrzahl von elektrisch und mechanisch miteinander verbundenen Substraten kann in einem Gehäuse angeordnet sein. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Gehäuse durch Verguss von zumindest einem Substrat in einer Vergussmasse erhalten werden. Die Vergussmasse kann in einigen Ausführungsformen der Erfindung Polymethylmetacrylat enthalten oder daraus bestehen. Durch den Verguss kann die Vorrichtung gas- und/oder flüssigkeitsdicht eingeschlossen werden, sodass die Vorrichtung auch unter rauen Bedingungen, zum Beispiel in korrosiven Medien eingesetzt werden kann.
  • Die Verbindung zwischen einer Mehrzahl von Substraten kann in einigen Ausführungsformen der Erfindung durch Löten, Kleben oder Bonden erfolgen. Hierdurch wird eine zuverlässige Verbindung und gleichzeitig eine einfache Fertigung in Einklang gebracht.
  • Nachfolgend die Erfindung anhand von Figuren ohne Beschränkung des allgemeinen Erfindungsgedankens näher erläutert werden. Dabei zeigen die
  • 16 verschiedene Verfahrensschritte eines möglichen Herstellerverfahrens der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
  • 7 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform der Erfindung mit drei Substraten.
  • 8 zeigt das elektrische Schaltbild der Vorrichtung gemäß 7.
  • 9 zeigt schematisch eine Membran einer erfindungsgemäßen Vorrichtung.
  • 10 zeigt schematisch eine Membran einer bekannten Vorrichtung.
  • 1 zeigt ein Substrat 100 mit einer ersten Seite 101 und einer zweiten Seite 102. Das Substrat kann beispielsweise Silicium enthalten oder daraus bestehen. Um eine vorgebbare Leitfähigkeit zu erzielen, kann das Substrat 100 zumindest teilweise mit einem Dotierstoff versehen sein. Der Dotierstoff kann beispielsweise Bor, Aluminium, Gallium, Stickstoff, Phosphor und/oder Arsen enthalten. Daneben kann das Substrat 100 unvermeidbare Verunreinigungen enthalten, beispielsweise Wasserstoff oder Kohlenstoff.
  • Auf und/oder in dem Substrat 100 können weitere, in 1 nicht dargestellte isolierende oder leitfähige oder halbleitende Strukturen angeordnet sein, um auf diese Weise eine elektronische Schaltung auf dem Substrat 100 zu realisieren.
  • Auf der zweiten Oberfläche 102 des Substrates 100 wird im dargestellten Ausführungsbeispiel eine erste Tragschicht 200 mit einer ersten Seite 201 und einer zweiten Seite 202 abgeschieden. Nach der Abscheidung der ersten Tragschicht 200 ist die erste Seite 201 der Tragschicht auf der zweiten Seite 102 des Substrates 100 angeordnet. Die Tragschicht 200 kann als Voll- oder Teilbeschichtung der zweiten Seite 102 des Substrates 100 ausgeführt sein. Die erste Tragschicht 200 kann elektrisch leitfähig oder elektrisch isolierend oder elektrisch halbleitend ausgebildet sein. Hierzu kann die erste Tragschicht 200 SixNy und/oder SiO2 und/oder Al2O3, ein Metall oder eine Legierung oder Diamant enthalten. Es ist darauf hinzuweisen, dass die erste Tragschicht 200 optional ist und in einigen Ausführungsformen der Erfindung auch entfallen kann.
  • 2 zeigt den Querschnitt durch das Substrat gemäß 1, nachdem ein weiterer Verfahrensschritt zur Herstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung durchgeführt wurde. In diesem Verfahrensschritt wird auf die zweite Seite 202 der ersten Tragschicht 200 eine erste piezoelektrische Schicht 300 mit einer ersten Seite 301 und einer zweiten Seite 302 abgeschieden. Dabei ist die erste Seite 301 der piezoelektrischen Schicht 300 auf der zweiten Seite 202 der ersten Tragschicht 200 angeordnet. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann die piezoelektrische Schicht 300 Aluminiumnitrid enthalten oder daraus bestehen. In diesem Fall kann die Vorrichtung biokompatible Eigenschaften aufweisen und so innerhalb eines menschlichen oder tierischen Körpers eingesetzt werden, ohne dem Lebewesen Schaden zuzufügen.
  • Die piezoelektrische Schicht 300 kann in einigen Ausführungsformen durch Magnetron-Sputtern abgeschieden werden. Hierbei kann eine mechanische Spannung innerhalb der piezoelektrischen Schicht 300 erzeugt werden, d. h. das Material der piezoelektrischen Schicht 300 weist eine Verspannung und/oder eine Gitterfehlanpassung gegenüber der darunter angeordneten Tragschicht 200 bzw. dem darunter liegenden Substrat 100 auf.
  • 3 zeigt den Querschnitt durch das Substrat 100 nach einem weiteren Verfahrensschritt. In diesem Schritt wird eine optionale zweite Tragschicht 400 mit einer ersten Seite 401 und einer zweiten Seite 402 abgeschieden. Die zweite Tragschicht 400 wird zumindest als Teilbeschichtung ausgeführt. Nach dem Abscheiden der zweiten Tragschicht 400 ist deren erste Seite 401 auf der zweiten Seite 302 der piezoelektrischen Schicht 300 angeordnet.
  • Die zweite Tragschicht 400 kann ebenso wie die erste Tragschicht 200 elektrisch leitfähig oder isolierend oder halbleitend ausgebildet sein. Die zweite Tragschicht 400 kann aus demselben, einem ähnlichen oder einem unterschiedlichen Material wie die erste Tragschicht 200 gefertigt sein. Die zweite Seite 402 der zweiten Tragschicht 400 bildet nach Abschluss des Verfahrensschrittes die Oberfläche des Substrates 100 mit den darauf angeordneten Schichten. In einigen Ausführungsformen, welche nicht in den Figuren dargestellt sind, kann auf die zweite Seite 402 der zweiten Tragschicht 400 zumindest eine weitere Schicht abgeschieden werden, beispielsweise eine zweite piezoelektrische Schicht oder eine dritte Tragschicht oder eine Kombination aus mehreren piezoelektrischen Schichten und mehreren Tragschichten.
  • In 4 ist ersichtlich, wie die zweite Tragschicht 400 strukturiert wurde. Hierzu wird auf die zweite Seite 402 der zweiten Tragschicht 400 eine Maskierungsschicht abgeschieden, beispielsweise als Fotolack oder als Hartmaske. Nach dem Belichten, Entwickeln und Ätzen weist die zweite Seite 402 der zweiten Tragschicht 400 erste Flächenbereiche auf, welche von der Maskierungsschicht bedeckt sind und zweite Flächenbereiche, welche von der Maskierungsschicht unbedeckt sind.
  • Nachfolgend kann durch nass- oder trockenchemisches Ätzen die zweite Tragschicht 400 in zumindest einem von der Maskierungsschicht unbedecktem Flächenbereich 410 entfernt werden, sodass an dieser Stelle die zweite Seite 302 der piezoelektrischen Schicht 300 hervortritt. Im Anschluss an diesen Ätzschritt kann die Maskierungsschicht vollflächig entfernt werden, sodass der in 4 ersichtliche Querschnitt erhalten wird. Die Form und Größe des Flächenbereichs 410 kann durch die Strukturierung der Maskierungsschicht beeinflusst werden. Beispielsweise kann der Flächenbereich 410 polygonal oder rund sein. Der Flächenbereich 410 kann einen Durchmesser von etwa 0,01–1 mm aufweisen. Ein polygonaler Flächenbereich kann eine Breite von etwa 0,1–1 mm und eine Länge von 0,1–3 mm aufweisen.
  • 5 zeigt den Querschnitt der erfindungsgemäßen Vorrichtung nach einem weiteren Verfahrensschritt. Zur Durchführung dieses Verfahrensschrittes wird die erste Seite 101 des Substrates mit einer Maskierungsschicht versehen, wie vorstehend anhand der zweiten Seite 402 der zweiten Tragschicht bereits erläutert wurde. Nachfolgend wird das Substrat 100 von zumindest einer Teilfläche 115 entfernt, sodass sich eine Öffnung 110 im Substrat 100 ergibt. Die Öffnung 110 kann in einigen Ausführungsformen durch nass- oder trockenchemisches Ätzen erhalten werden. In einigen Ausführungsformen kann die Öffnung 110 durch reaktives Ionenätzen erzeugt werden. Sofern ein Ätzmittel gewählt wird, welches das Material der auf der zweiten Seite 102 des Substrates angeordneten Schicht 200 nicht angreift, stoppt der Ätzprozess ohne weiteren Eingriff. Im dargestellten Ausführungsbeispiel stoppt der Ätzprozess an der ersten Seite 201 der ersten Tragschicht 200. In den freigestellten Flächenbereichen 410 und 115 bildet sich somit eine Membran 350. Im dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Membran 350 einen zweischichtigen Aufbau auf, bestehend aus der ersten Tragschicht 200 und der piezoelektrischen Schicht 300. Sofern in anderen Ausführungsformen der Erfindung weniger oder weitere Schichten auf das Substrat 100 abgeschieden wurden, kann die Membran 350 in anderen Ausführungsformen der Erfindung auch eine, drei oder mehr Schichten aufweisen. Die Erfindung lehrt nicht die Verwendung von genau zwei Schichten für die Membran 350 als Lösungsprinzip.
  • Aufgrund der mechanischen Druckspannung der piezoelektrischen Schicht 300 kommt es nach dem Wegfall der Zwangskräfte, welche das Substrat 100 auf die Schichten 200 und 300 ausgeübt hat, zu einer Relaxierung der Membran 350. Diese weist somit in ihrer Ruhestellung konkave Flächenbereiche 370 und konvexe Flächenbereiche 360 auf. Diese Geometrie der Membran 350 führt zu einer geringeren Güte des durch die Membran 350 gebildeten Resonators, sodass dieser von einem breiteren Frequenzspektrum zu Schwingungen angeregt werden kann. Weiterhin ändert sich die Resonanzfrequenz des Resonators. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann diese geringer als 500 Hz, geringer als 200 Hz oder geringer als 150 Hz sein. In einigen Ausführungsformen der Erfindung liegt die Resonanzfrequenz zwischen etwa 1 Hz und etwa 200 Hz oder zwischen etwa 50 Hz und etwa 150 Hz.
  • Das in 5 gezeigte Bauelement kann bereits als Vorrichtung 1 zur Wandlung mechanischer in elektrische Energie genutzt werden. Eine zyklische Bewegung der Vorrichtung 1 führt zu einer Schwingung der Membran 350, wodurch eine elektrische Spannung erzeugt wird. Diese kann an der zweiten Seite der zweiten Tragschicht 402 und an der ersten Tragschicht 200 abgegriffen werden. Sofern das Substrat 100 zumindest abschnittsweise elektrisch leitfähig dotiert ist, kann die Spannung auch an der ersten Seite 101 des Substrates 100 abgegriffen werden. Zur Erhöhung der Ausgangsspannung und/oder des Stromes kann ein einzelnes Substrat 100 eine Mehrzahl von Membranen 350 aufweisen, welche parallel bzw. seriell miteinander verschaltet sind.
  • 6 zeigt eine Vorrichtung 1 zur Wandlung mechanischer in elektrische Energie, welche mehrere Substrate 100 enthält. Jedes einzelne dieser Substrate entspricht der in 5 dargestellten Ausführungsform. Diese werden dann seriell miteinander verbunden, sodass an den Anschlusskontakten 520 und 510 die Summe der Ausgangsspannungen der einzelnen Membranen 350 zur Verfügung steht. Zur elektrisch leitfähigen Verbindung der Substrate dienen Kontaktelemente 500, welche beispielsweise als Lötperle, als elektrisch leitfähig gefüllter Klebstoff oder als Bondverbindung ausgebildet sein können.
  • 7 zeigt nochmals eine Explosionszeichnung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Ausführungsform gemäß 7 enthält drei in etwa rechteckige Substrate 100a, 100b und 100c. Jedes der Substrate weist vier Membranen auf, von denen die drei Membranen 350a, 350b und 350c in 7 dargestellt sind. Jede der Membranen 350 kann beispielsweise gemäß den in den 1 bis 5 beschriebenem Verfahren erhältlich sein. Aufgrund der Schnittdarstellung der Substrate 100 ist die vierte Membran in 7 nicht sichtbar.
  • Die von den Membranen 350a, 350b und 350c erzeugten Piezospannungen eines einzelnen Substrates 100a oder 100b oder 100c werden in einer elektrischen Parallelschaltung abgeführt, sodass an der zweiten Seite 402 der zweiten Tragschicht und der ersten Seite 101 des Substrates die einfache Spannung, aber der vierfache Strom einer einzelnen Membran 350 bereitgestellt werden kann. Durch Kombination von drei Substraten in der in 6 gezeigten Art können diese Parallelschaltungen von vier Membranen seriell verschaltet werden, um die dreifache Ausgangsspannung einer Membran 350 bereitzustellen.
  • 8 zeigt nochmals ein elektrisches Schaltbild der Ausführungsform gemäß 7. Dabei sind die vier Membranen 350 eines Substrates parallel verschaltet und die drei Substrate 100a, 100b und 100c seriell. Dadurch wird an den Anschlüssen A und B eine Ausgangsspannung bereitgestellt, welche der dreifachen Spannung einer Membran 350 entspricht und ein Ausgangsstrom, welcher dem vierfachen Strom einer Membran entspricht. Damit ist die elektrische Ausgangsleistung etwa zwölfmal so groß wie die Leistung einer Membran 350.
  • Da die Membranen eine Wechselspannung mit der Frequenz ihrer Schwingung erzeugen, muss diese für die Versorgung einer elektronischen Schaltung gleichgerichtet werden. Hierzu dient ein Gleichrichter 710 und eine optionale Ladekapazität 720. Der Lastwiderstand 730 symbolisiert die an die Vorrichtung angeschlossene elektrische Last, beispielsweise ein Sensornetzwerk, einen Schrittmacher oder ein anderer elektrischer Verbraucher. Der Gleichrichter 710 und die Ladekapazität 720 können monolithisch auf einem der Substrate 100 integriert sein.
  • 8 zeigt nochmals eine perspektivische Darstellung der Membran 350, welche von der zweiten Tragschicht 400 begrenzt ist. Aufgrund der bei der Abscheidung zumindest einer Schicht der Membran 350 entstehenden mechanischen Spannung bildet sich in der Membran 350 eine Druckspannung aus, welche zu einer welligen bzw. gerippten Oberfläche der Membran 350 führt. Eine solche wellige Oberfläche zeichnet sich durch konkave Flächenbereiche 370 und konvexe Flächenbereiche 360 aus. Im dargestellten Ausführungsbeispiel der 9 ergeben sich zwei konvexe Flächenbereiche 360a und 360b und ein konkaver Flächenbereich 370. Sofern die Membran 350 von ihrer Unterseite betrachtet wird, sind hingegen zwei konkave Flächenbereiche und ein konvexer Flächenbereich erkennbar.
  • Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf die in 9 gezeigte Ausführungsform begrenzt. In anderen Ausführungsformen der Erfindung können sich andere Formen der Membran 350 ergeben, je nachdem wie groß die bei der Schichtabscheidung erzeugten mechanischen Spannungen und die Anzahl der Einzelschichten gewählt wurde.
  • 10 zeigt im Vergleich nochmals eine zur Energiewandlung verwendete Membran aus einer bekannten Vorrichtung. Diese weist eine geringe Zugspannung auf, sodass die Membran im Ruhezustand nahezu eben ist. Sofern durch das Eigengewicht der Membran 350 eine Krümmung hervorgerufen wird, so weist die Membran lediglich eine konkave oder konvexe Fläche auf. Dadurch bildet die bekannte Membran gemäß der 10 einen Resonator hoher Güte, welcher bei lediglich einer scharf begrenzten Anregungsfrequenz zur Energiewandlung genutzt werden kann. Weiterhin liegen diese Resonanzfrequenzen meist bei Frequenzen von mehr als 1 kHz, welche bei vielen Anwendungen nicht zur Anregung zur Verfügung stehen.
  • Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf die in den Figuren dargestellten Ausführungsformen beschränkt. Die vorstehende Beschreibung ist daher nicht als beschränkend, sondern als erläuternd anzusehen. Die nachfolgenden Ansprüche sind so zu verstehen, dass ein genanntes Merkmal in zumindest einer Ausführungsform der Erfindung vorhanden ist. Dies schließt die Anwesenheit weiterer Merkmale nicht aus. Sofern die Ansprüche und die vorstehende Beschreibung „erste” und „zweite” Merkmale definieren, so dient diese Bezeichnung der Unterscheidung zweier gleichartiger Merkmale, ohne eine Rangfolge festzulegen.

Claims (16)

  1. Vorrichtung (1) zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie, mit zumindest einem Substrat (100) mit einer ersten Seite (101) und einer zweiten Seite (102), auf welchem zumindest ein bewegliches Element angeordnet ist, welches zumindest ein piezoelektrisches Material enthält, dadurch gekennzeichnet, dass das bewegliche Element eine Membran (350) umfasst, welche in Ruhestellung auf zumindest einer Seite zumindest einen konkaven (370) und zumindest einen konvexen (360) Flächenbereich aufweist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (350) zumindest eine piezoelektrische Schicht (300) enthält, welche Bariumtitanat und/oder Blei-Zirkonat-Titanat und/oder Aluminiumnitrid und/oder Galliumorthophosphat und/oder Lithiumniobat enthält.
  3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (350) einen mehrschichtigen Aufbau aufweist.
  4. Vorrichtung Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (350) zumindest eine erste Tragschicht (200) und zumindest eine erste piezoelektrische Schicht (300) enthält.
  5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (350) zumindest eine erste Tragschicht (200) mit einer ersten Seite (201) und einer zweiten Seite (202), eine erste piezoelektrische Schicht (300) mit einer ersten Seite (301) und einer zweiten Seite (302) und eine zweite Tragschicht (400) mit einer ersten Seite (401) und einer zweiten Seite (402) enthält, wobei die erste Seite (201) der ersten Tragschicht (200) teilweise auf der zweiten Seite (102) des Substrates (100) angeordnet ist, die erste Seite (301) der piezoelektrischen Schicht (300) auf der zweiten Seite (202) der ersten Tragschicht (200) angeordnet ist und die erste Seite (401) der zweiten Tragschicht (400) auf der zweiten Seite (302) der piezoelektrischen Schicht (300) angeordnet ist.
  6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (350) eine Mehrzahl von piezoelektrischen Schichten (300) enthält, welche jeweils durch zumindest eine Tragschicht (200, 400) voneinander getrennt sind.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Tragschicht (200, 400) SixNy und/oder SiO2 und/oder Al2O3 und/oder Al und/oder Ti und/oder W und/oder Ni und/oder Cr und/oder V und/oder Pt und/oder Au und/oder Diamant und/oder Indiumzinnoxid enthält.
  8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (100) Silicium enthält.
  9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (350) durch Abscheiden zumindest einer Schicht auf das Substrat (100) und nachfolgendes Entfernen des Substrates (100) von zumindest einer Teilfläche (115) erhältlich ist.
  10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (350) eine mechanische Druckspannung aufweist.
  11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass diese eine Mehrzahl von Membranen (350a, 350b, 350c) enthält.
  12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass diese eine Mehrzahl von Substraten (100a, 100b, 100c) enthält.
  13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (350) eine Resonanzfrequenz zwischen 1 Hz und 200 Hz, insbesondere zwischen 50 Hz und 150 Hz aufweist
  14. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie, welches die folgenden Schritte enthält: • Bereitstellen eines Substrates (100) mit einer ersten Seite (101) und einer zweiten Seite (102), • Abscheiden von zumindest einer piezoelektrischen Schicht (300) mit einer ersten Seite (301) und einer zweiten Seite (302), wobei die erste Seite (301) der Schicht (300) der zweiten Seite (102) des Substrates (100) zugewandt ist und die Schicht (300) zumindest ein piezoelektrisches Material enthält und eine mechanische Spannung aufweist, • Entfernen des Substrates von einer Teilfläche (115), so dass eine Teilfläche der piezoelektrischen Schicht (300) freigestellt wird und eine Membran (350) bildet, welche in Ruhestellung auf zumindest einer Seite zumindest einen konkaven (370) und zumindest einen konvexen (360) Flächenbereich aufweist.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die mechnische Spannung der zumindest einen piezoelektrischen Schicht (300) relaxiert und diese auf zumindest einer Seite (301) zumindest einen konkaven (370) und zumindest einen konvexen (360) Flächenbereich ausbildet.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 15, weiterhin enthaltend den folgenden Schritt: • Abscheiden von zumindest einer Tragschicht (200, 400), welche zwischen dem Substrat (100) und der zumindest einen piezoelektrischen Schicht (300) und/oder auf der dem Substrat (100) abgewandten Seite (302) der zumindest einen piezoelektrischen Schicht (300) angeordnet ist.
DE102011005249A 2011-03-08 2011-03-08 Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie und Verfahren zu ihrer Herstellung Expired - Fee Related DE102011005249B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011005249A DE102011005249B4 (de) 2011-03-08 2011-03-08 Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie und Verfahren zu ihrer Herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011005249A DE102011005249B4 (de) 2011-03-08 2011-03-08 Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie und Verfahren zu ihrer Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102011005249A1 DE102011005249A1 (de) 2012-09-13
DE102011005249B4 true DE102011005249B4 (de) 2013-03-07

Family

ID=46705270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011005249A Expired - Fee Related DE102011005249B4 (de) 2011-03-08 2011-03-08 Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie und Verfahren zu ihrer Herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102011005249B4 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012009210A1 (de) * 2012-05-10 2013-11-14 Helmut Obieglo Ansteuerung eines PIEZO - Glements
CN112532109B (zh) * 2020-12-09 2021-12-07 上海大学 一种低频受压模式压电能量收集器
DE102022111943B3 (de) 2022-05-12 2023-05-25 Jenoptik Optical Systems Gmbh Verfahren und Trägersubstrat zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE102023111715B3 (de) 2023-05-05 2024-03-07 Jenoptik Optical Systems Gmbh Verfahren und Trägersubstrat zur Herstellung eines Bauelementes

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2202254B1 (de) * 1972-01-18 1973-06-20 Siemens Ag Elektroakustischer Wandler,insbesondere Mikrophon fuer Fernsprechanlagen
JP2002350138A (ja) * 2001-05-28 2002-12-04 Wacoh Corp 加速度と角速度との双方を検出する装置
US20040221651A1 (en) * 2003-05-08 2004-11-11 Schiller Peter J. Force balanced piezoelectric rate sensor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2202254B1 (de) * 1972-01-18 1973-06-20 Siemens Ag Elektroakustischer Wandler,insbesondere Mikrophon fuer Fernsprechanlagen
JP2002350138A (ja) * 2001-05-28 2002-12-04 Wacoh Corp 加速度と角速度との双方を検出する装置
US20040221651A1 (en) * 2003-05-08 2004-11-11 Schiller Peter J. Force balanced piezoelectric rate sensor

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Beeby S. P., Tudor M . J., White N. M.: Energy harvesting vibration sources for microsystems applications. In: Meas. Sci. Technol. 17 (2006), S. 175 - 195 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011005249A1 (de) 2012-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014107592B4 (de) Bulk-Akustik-Wave Resonator mit piezoelektrischer Schicht mit variierenden Mengen an Dotiermittel
DE102010030454B4 (de) Akustikresonatorstruktur, welche eine Brücke aufweist
DE102015114224A1 (de) Akustische Schichtvolumenresonatoren mit rückseitigen Durchkontaktierungen
CH703051A2 (de) Spiralfeder für ein Uhrwerk und entsprechendes Herstellungsverfahren.
DE10207328A1 (de) Verfahren zum Liefern unterschiedlicher Frequenzeinstellungen bei einem akustischen Dünnfilmvolumenresonator- (FBAR-) Filter und Vorrichtung, die das Verfahren beinhaltet
DE4100060A1 (de) Verfahren zur erzeugung eines elektrischen schwingungssignals und oszillator/resonator fuer insbesondere superhohe frequenzen
DE10320707A1 (de) Verbesserter Resonator mit Keimschicht
DE10207342A1 (de) Verfahren zum Liefern unterschiedlicher Frequenzeinstellungen bei einem akustischen Dünnfilmvolumenresonator- (FBAR-) Filter und Vorrichtung, die das Verfahren beinhaltet
DE102014109715A1 (de) Oberflächenpassivierung eines Substrats durch mechanisches Beschädigen der Oberflächenschicht
DE10207341A1 (de) Verfahren zum Erzeugen akustischer Dünnfilmvolumenresonatoren (FBARs) mit unterschiedlichen Frequenzen auf einem einzelnen Substrat und Vorrichtung, die das Verfahren beinhaltet
DE102008025691A1 (de) Piezoelektrischer dünner Film, piezoelektrisches Material und Herstellungsverfahren für piezoelektrischen dünnen Film und piezoelektrisches Material, und piezoelektrischer Resonator, Schalterelement und physikalischer Fühler, die piezoelektrischen dünnen Film verwenden
DE102005047368A1 (de) Piezoelektrischer Transformator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010056572B4 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung des elektronischen Bauelements
DE102017109575B4 (de) Eine mikroelektromechanische vorrichtung, eine anordnung mikroelektromechanischer vorrichtungen, ein verfahren zur herstellung einer mikroelektromechanischen vorrichtung und ein verfahren zum betrieb einer mikroelektromechanischen vorrichtung
DE102006002038A1 (de) Piezoelektrische Dünnfilmresonatoren
DE10254611A1 (de) Kristalloszillator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3005179A1 (de) Aofw-verzoegerungsleitung mit variabler verzoegerung und damit hergestellter monolithischer, spannungsgeregelter oszillator
DE102011005249B4 (de) Vorrichtung zur Wandlung mechanischer Energie in elektrische Energie und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102014105949A1 (de) Lateral gekoppelter Resonatorfilter mit apodisierter Form
DE10316716A1 (de) Bauelement mit einer piezoelektrischen Funktionsschicht
WO2012089443A1 (de) Elektronisches bauelement und verfahren zur herstellung des elektronischen bauelements
EP2288912B1 (de) Anordnung eines piezoakustischen resonators auf einem akustischen spiegel eines substrats, verfahren zum herstellen der anordnung und verwendung der anordnung
DE112017005977T5 (de) Verbund
WO2021123147A1 (de) Bewegbares piezoelement und verfahren zum herstellen eines bewegbaren piezoelements
DE102008016613B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit mindestens einer dielektrischen Schicht und ein elektrisches Bauelement mit mindestens einer dielektrischen Schicht

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative
R020 Patent grant now final

Effective date: 20130608

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee