DE102008060290A1 - Katalysatorpartikel auf einer Spitze - Google Patents
Katalysatorpartikel auf einer Spitze Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008060290A1 DE102008060290A1 DE102008060290A DE102008060290A DE102008060290A1 DE 102008060290 A1 DE102008060290 A1 DE 102008060290A1 DE 102008060290 A DE102008060290 A DE 102008060290A DE 102008060290 A DE102008060290 A DE 102008060290A DE 102008060290 A1 DE102008060290 A1 DE 102008060290A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal
- metal catalyst
- ions
- tip
- electrolyte solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 243
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 243
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 59
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 40
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 19
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- -1 molybdenum ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/74—Iron group metals
- B01J23/755—Nickel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/24—Chromium, molybdenum or tungsten
- B01J23/28—Molybdenum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/74—Iron group metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/76—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36
- B01J23/84—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36 with arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/85—Chromium, molybdenum or tungsten
- B01J23/888—Tungsten
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/0215—Coating
- B01J37/0225—Coating of metal substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/34—Irradiation by, or application of, electric, magnetic or wave energy, e.g. ultrasonic waves ; Ionic sputtering; Flame or plasma spraying; Particle radiation
- B01J37/348—Electrochemical processes, e.g. electrochemical deposition or anodisation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B5/00—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
- B05B5/025—Discharge apparatus, e.g. electrostatic spray guns
- B05B5/0255—Discharge apparatus, e.g. electrostatic spray guns spraying and depositing by electrostatic forces only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
- C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
- H01J1/3044—Point emitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/08—Aligned nanotubes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
- Y10S977/72—On an electrically conducting, semi-conducting, or semi-insulating substrate
- Y10S977/722—On a metal substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
- Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze und Nanostrukturen auf einer Metallspitze.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, ein Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen auf einer Metallspitze gemäß Anspruch 12 sowie einen Feldemissionsemitter gemäß Anspruch 21. Die vorliegende Technologie betrifft im Allgemeinen Nanostrukturen und insbesondere katalytische Partikel auf einer Spitze.
- In jüngerer Zeit wurde eine nennenswerte Forschung durchgeführt in Bezug auf Kohlenstoffnanoröhren (CNTs) und CNT-Anwendungen. Eine dieser Anwendungen betrifft das Anwenden der CNTs auf einen Elektronenemitter einer Feldemissionsvorrichtung (FED). Typischerweise legt die FED ein externes elektrisches Feld an eine Oberfläche eines Elektronenemitters an, so dass die Elektronen auf der Oberfläche nach außen emittiert werden, unter Verwendung von quantenmechanischem Tunneln. CNTs besitzen eine gute Leitfähigkeit, eine gute Feldverstärkungswirkung, eine niedrigere Arbeitsfunktion als diejenige von Metall und gute Feldemissionseigenschaften. Zusätzlich besitzen CNTs eine gute chemische Widerstandsfähigkeit und ausgezeichnete mechanische Festigkeit, wodurch sie sich für die Herstellung von langlebigen Elektronenemittern eignen.
- In Chem. Phys. Lett. 292, 567 (1988) von J. Kong et al. und in Chem. Phys. 296, 195 (1998) von J. Hafner et al. ist ein Verfahren zum Herstellen von CNTs unter Verwendung von Fe und Mo oder Fe-Metallpartikeln als Katalysatoren mittels eines thermochemischen Dampfabscheideverfahrens (CVD) diskutiert. Vor Kurzem wurde an einem Verfahren zum Bilden von CNTs an einer Kathode unter Verwendung unterschiedlicher Metallkatalysatoren geforscht. Beispielsweise wurde ein Verfahren zum Bilden von mehrwandigen CNTs an einer Wolframspitze unter Verwendung eines Nickelkatalysators mittels eines Plasmaverstärkungs-CVD-Verfahrens von S. H. Heo et al. in Applied Phys. Lett. 90, 183 109 (2007) beschrieben.
- Um CNTs als einen Feldemitter der FED zu verwenden, ist es nötig, die CNTs um einen Kathodenapex zu bilden, wo ein elektrisches Feld konzentriert wird, damit der Feldemitter elektrisch zuverlässig arbeitet. Demzufolge ist es notwendig, die Katalysatorpartikel um den Kathodenapex zu bilden. Ein Nachteil ist es, dass es gegenwärtig schwierig ist, die katalytischen Partikel zuverlässig zu kontrollieren.
- In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zum Bilden von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze das Anordnen einer Metallspitze, welche räumlich getrennt von einer Elektrolytlösung angeordnet ist, welche Metallkatalysatorionen enthält. Das Verfahren umfasst ebenfalls das Anlegen einer Spannung an die Elektrolytlösung, um die Metallkatalysatorionen aus der Elektrolytlösung zu emittieren und die emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze anzubringen.
- In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zum Bilden Nanostrukturen auf einer Metallspitze das Bilden von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze und das Bilden von Nanostrukturen auf der Metallspitze aus den Metallkatalysatorpartikeln. Das Bilden der Metallkatalysatorpartikel auf der Metallspitze umfasst das Anlegen einer Spannung an eine Elektrolytlösung, welche Metallkatalysatorionen enthält, so dass die Elektrolytlösung die Metallkatalysatorionen aus der Elektrolytlösung emittiert und die emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze angebracht werden.
- Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aufgrund der Beschreibung von Ausführungsbeispielen sowie anhand der Zeichnung.
- Es zeigt:
-
1 ein Flussdiagramm einer verdeutlichenden Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze; -
2 bis4 schematische Diagramme einer bevorzugten Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze; -
5 ein Flussdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden von Nanostrukturen auf einer Metallspitze; -
6 eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden von Nanostrukturen auf einer Metallspitze; und -
7A und7B bevorzugte Ausführungsformen von Graphen, welche die Evaluierungsergebnisse der Stabilität der Feldemission und die I–V-Eigenschaften eines Feldemissionsemitters angeben. - In der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung wird auf die begleitenden Figuren Bezug genommen. In der Figur bezeichnen typischerweise ähnliche Symbole ähnliche Komponenten, es sei denn, etwas anderes ist explizit gesagt.
- Für die Zwecke der vorliegenden Erfindung wird verstanden, wenn ein Element oder eine Schicht genannt ist als „auf” einem anderen Element oder einer Schicht, dass das Element oder die Schicht direkt auf dem anderen Element oder der Schicht oder dazwischen liegende Elemente oder Schichten vorgesehen sein können. Wie in der vorliegenden Beschreibung verwendet, bedeutet der Ausdruck „und/oder” das Einschließen von jeder und sämtlichen Kombinationen eines oder mehrerer der verknüpften gelisteten Elemente.
- Verfahren zum Bilden von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze
-
1 ist ein Flussdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze. Unter Bezugnahme auf1 , beginnend in Block110 , wird eine Metallspitze derart angeordnet, dass sie sich räumlich getrennt von einer Elektrolytlösung befindet. - Beispielsweise kann die Metallspitze über der Elektrolytlösung angeordnet sein. Die Elektrolytlösung enthält Metallkatalysatorionen. In Block
120 legt eine Spannungsquelle, beispielsweise eine externe Spannungsquelle, eine Spannung an die Elektrolytlösung, wodurch die Elektrolytlösung veranlasst wird, die Metallkatalysatorionen zu emittieren. In Block130 werden die emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze angebracht als Ergebnis eines elektrischen Feldes, das sich um die Metallspitze bildet. Als Ergebnis bilden sich Metallkatalysatorpartikel auf der Metallspitze. - Die
2 bis4 zeigen schematische Diagramme einer bevorzugten Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden von Metallkatalysatorpartikeln auf der Metallspitze. Unter Bezugnahme auf2 wird eine Metallspitze201 mit einem Apex202 derart angeordnet, dass sie sich räumlich getrennt von einer Elektrolytlösung203 befindet. Die Metallspitze201 kann beispielsweise gebildet werden aus einem Metall wie z. B. Wolfram, Nickel, Aluminium, Molybdän, Tantal oder Niob oder Legierungen davon. In einer Ausführungsform kann der Apex202 auf der Metallspitze201 gebildet werden durch elektrochemisches Ätzen eines Metalldrahtes innerhalb einer Elektrolytlösung. Beispielsweise kann ein Wolframdraht mit einer Natriumhydroxidlösung oder einer Kaliumhydroxidlösung elektrochemisch geätzt werden, um eine Wolframspitze mit einem Apex zu bilden. Als anderes Beispiel kann ein Aluminiumdraht elektrochemisch mit einer Wasserstoffchloridlösung gemischt mit einem Schwefelwasserstoff elektrochemisch geätzt werden, um eine Aluminiumspitze mit einem Apex zu bilden. In einer weiteren Ausführungsform kann der Apex202 auf der Metallspitze201 durch mechanisches Schleifen eines Metalldrahtes gebildet werden. - Die Elektrolytlösung
203 , welche die Metallkatalysatorionen204 enthält, kann innerhalb eines Elektrodenbehälters205 zur Verfügung gestellt werden. Die Metallkatalysatorionen204 können aus Metallkatalysatoren der Elektrolytlösung203 gebildet werden. In einer Ausführungsform können die Metallkatalysatorionen204 Metallkationen sein, welche positive Ladungen aufweisen, wenn der Metallkatalysator einige Elektronen davon in die Elektrolytlösung203 entlädt. In einer weiteren Ausführungsform können die Metallkatalysatorionen204 Metallanionen sein, welche negative Ladungen aufweisen, wenn die Metallkatalysatoren einige Elektronen aus der Elektrolytlösung203 erhalten. Die Metallkatalysatorionen204 können beispielsweise Nickelionen, Cobaltionen, Molybdänionen, Eisenionen usw. oder eine Kombination davon einschließen. - Bezug nehmend auf
3 legt eine externe Spannungsquelle301 eine Spannung an die Elektrolytlösung203 , welche die Elektrolytlösung203 dazu veranlasst, Metallkatalysatorionen204 nach außen aus der Elektrolytlösung203 zu emittieren. In einer Ausführungsform ist die externe Spannungsquelle301 angeschlossen zwischen der Metallspitze201 und dem Elektrodenbehälter205 , um die Spannung an die Elektrolytlösung203 anzulegen. In einer weiteren Ausführungsform, wenn die Metallkatalysatorionen204 positive Ladungen aufweisen, kann die Spannung angelegt werden, um zu erlauben, dass die Metallspitze201 ein negatives Potenzial aufweist, während die Elektrolytlösung203 ein positives Potenzial aufweist. In einer weiteren Ausführungsform, wenn die Metallkatalysatorionen204 negative Ladungen aufweisen, kann die Spannung angelegt werden, um zu erlauben, dass die Metallspitze201 ein positives Potenzial aufweist, während die Elektrolytlösung203 ein negatives Potenzial aufweist. - Die Spannung, welche an die Elektrolytlösung
203 angelegt wird, erzeugt eine elektrostatische Kraft. Die erzeugte elektrostatische Kraft kann die Metallkatalysatorionen204 dazu zwingen, sich in Richtung der Oberfläche der Elektrolytlösung203 zu sammeln. Die Metallkatalysatorionen204 , welche sich in Richtung der Oberfläche der Elektrolytlösung203 ansammeln, können eine elektrostatische Abstoßung untereinander aufweisen. Zu dieser Zeit, wenn die Spannung eine Schwellspannung überschreitet, können die Metallkatalysatorionen204 die Oberflächenspannung der Elektrolytlösung203 überwinden, so dass die Metallkatalysatorionen204 von der Oberfläche der Elektrolytlösung203 emittiert werden. Die Schwellspannung bedeutet eine kritische Spannung, welche in der Elektrolytlösung203 anliegt und welche eine obere Grenzspannung ist, dass Metallkatalysatorionen650 in der Elektrolytlösung203 existieren können, trotz der elektrostatischen Abstoßung voneinander und der elektrostatischen Abstoßung von der Elektrolytlösung203 . - Das elektrische Feld, welches um die Metallspitze
201 durch die Spannung gebildet wird, führt dazu, dass die Metallkatalysatorionen204 von der Elektrolytlösung203 in Richtung der Metallspitze201 emittiert werden. In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird das elektrischen Feld an dem Apex202 der Metallspitze201 konzentriert und die emittierten Metallkatalysatorionen204 können auf dem Apex202 der Metallspitze201 angebracht werden. Die angebrachten Metallkatalysatorionen204 können Elektronen aus der Metallspitze201 empfangen oder Elektronen an die Metallspitze201 abgeben, so dass die Metallkatalysatorionen204 reduziert oder oxidiert werden, um Metallkatalysatoratome auf der Metallspitze201 zu werden. - Bezug nehmend auf
4 werden Metallkatalysatorpartikel401 auf der Metallspitze201 gebildet. Die Metallkatalysatoratome, welche auf der Metallspitze201 reduziert oder oxidiert werden, binden aneinander, um die Metallkatalysatorpartikel401 zu bilden. Die Metallkatalysatorpartikel401 können sich auf der Metallspitze201 in Form eines dünnen Films bilden. In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die Metallkatalysatorpartikel401 sich um den Apex202 der Metallspitze201 bilden, wo das elektrische Feld konzentriert ist. Die Größe der Metallkatalysatorpartikel401 kann bestimmt werden durch Einstellen einer Menge der Metallkatalysatorionen204 , welche sich aus der Elektrolytlösung203 zu der Metallspitze201 bewegen. Die Menge der Metallkatalysatorionen204 , welche sich aus der Elektrolytlösung203 zu der Metallspitze201 bewegen, kann überwacht werden durch Messung der Menge der elektrischen Ladung, die durch die Metallkatalysatorionen204 erzeugt wird, und demzufolge eingestellt werden durch Ändern der Spannung, die an die Elektrolytlösung203 angelegt wird, oder einer Prozesszeit, welche die angelegte Spannung aufrechterhält. Die Metallkatalysatorpartikel401 , welche auf der Metallspitze201 gebildet werden, können deshalb hinsichtlich ihrer erwünschten Größe gesteuert werden. - Wie oben beschrieben, kann die Größe der Metallkatalysatorpartikel auf einer Metallspitze leicht durch Abgabe von Metallkatalysatorionen unter Verwendung des elektrischen Feldes gesteuert werden. Die Metallkatalysatorpartikel können um den Apex der Metallspitze gebildet werden, wo das elektrische Feld konzentriert vorliegt.
- Zusätzlich erlaubt das Verfahren zum Bilden von Metallkatalysatorpartikeln wie oben beschrieben gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung die Ausbildung von Nanostrukturen um den Apex einer Metallspitze, wie im Folgenden weiter unten beschrieben werden wird.
- Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen auf einer Metallspitze
-
5 zeigt ein Flussdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung für ein Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen auf einer Metallspitze. Gemäß5 , mit Block510 beginnend, werden Metallkatalysatorpartikel auf einer Metallspitze gebildet. Die Metallkatalysatorpartikel können auf der Metallspitze, wie oben unter Bezugnahme auf1 bis4 beschrieben, gebildet werden. Demzufolge wird hier eine detaillierte Beschreibung eines Verfahrens zum Bilden der Metallkatalysatorpartikel auf der Metallspitze aus Vereinfachungsgründen weggelassen. - In Block
520 werden Nanostrukturen aus den Metallkatalysatorpartikeln auf der Metallspitze gebildet. Die Nanostrukturen können aus den Metallkatalysatorpartikeln gebildet werden, beispielsweise unter Verwendung eines chemischen Dampfabscheideverfahrens (CVD) oder nach irgendeinem einer Reihe von dem Fachmann wohlbekannten Verdampfungsverfahren. -
6 zeigt eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung für ein Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen auf einer Metallspitze. Die Nanostrukturen können beispielsweise Kohlenstoffnanoröhren, Nanodrähte oder Nanostäbe einschließen. Im Folgenden wird ein Verfahren zum Bilden von Kohlenstoffnanoröhren als ein Beispiel der Nanostrukturen beschrieben. Bezug nehmend auf6 werden Kohlenstoffnanoröhren601 aus den Metallkatalysatorpartikeln401 auf der Oberfläche der Metallspitze201 , wie in4 beschrieben, gebildet. In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können Kohlenstoffnanoröhren601 durch Verwendung eines CVD-Verfahrens gebildet werden, unter Verwendung beispielsweise von Wärme, Plasma oder Mikrowellen als einer Energiequelle. Bei dem CVD-Verfahren wird ein Reaktionsgas603 , Kohlenstoffverbindungen, insbesondere Kohlenwasserstoffe, einschließend, auf die Metallkatalysatorpartikel401 geleitet. Als Kohlenstoffverbindung kann Kohlenmonoxid und als Kohlenwasserstoffe können Acetylen, Ethylen, Ethan, Methan, Propan oder eine Kombination davon dienen. Das Reaktionsgas603 , welches die Kohlenstoffverbindungen, insbesondere die Kohlenwasserstoffe, einschließt, wird auf den Metallkatalysatorpartikeln401 beispielsweise durch Wärme, Plasma oder Mikrowellen aufgelöst. Kohlenstoffatome, die aus dem Kohlenwasserstoff in dem aufgelösten Reaktionsgas603 abgespalten werden, diffundieren in den Metallkatalysatorpartikeln401 und die Kohlenstoffatome werden in die Metallkatalysatorpartikel401 abgegeben. Wenn die Kohlenstoffatome oberhalb der Löslichkeit des Kohlenstoffs in den Metallkatalysatorpartikeln401 angereichert werden, tritt eine Präzipitation der Kohlenstoffatome auf. Aufgrund der Präzipitation werden die Kohlenstoffatome aus den Metallkatalysatorpartikeln401 extrahiert. Zu diesem Zeitpunkt werden die extrahierten Kohlenstoffatome neu auf der Interphase mit den Metallkatalysatorpartikeln401 angeordnet. Die neu angeordneten Kohlenstoffatome wachsen von der Interphase, um die Kohlenstoffnanoröhren601 zu bilden. - Die Kohlenstoffnanoröhren
601 können durch Basiswachstum oder Spitzenwachstum hergestellt werden. Wie in6 verdeutlicht, erlaubt das Basiswachstum, dass die Kohlenstoffnanoröhren601 oberhalb der oberen Oberfläche der Metallkatalysatorpartikel401 gebildet werden, während die Metallkatalysatorpartikel401 auf der Metallspitze201 angebracht sind. Alternativ erlaubt das Spitzenwachstum der Kohlenstoffatome, von der oberen Oberfläche in die Grundoberfläche der Metallkatalysatorpartikel zu diffundieren und dann von der Grundoberfläche der Metallkatalysatorpartikel extrahiert zu werden, wobei Kohlenstoffnanoröhren unter den Metallkatalysatorpartikeln gebildet werden. Die Metallkatalysatorpartikel401 können auf den Kohlenstoffnanoröhren601 verbleiben, nachdem die Kohlenstoffnanoröhren601 aus den Metallkatalysatorpartikeln401 hergestellt werden. - In einer weiteren Ausführungsform ist eine (nicht gezeigte) Elektrode räumlich getrennt von der Metallspitze
201 angeordnet, und eine externe Spannung kann angelegt werden zwischen der Metallspitze201 und der Elektrode, während die Kohlenstoffnanoröhren601 auf der Metallspitze201 mittels eines CVD-Verfahrens gebildet werden. Ein elektrisches Feld, welches durch die externe Spannung erzeugt wird, kann verhindern, dass die Kohlenstoffnanoröhren601 in zufälliger Verteilung auf der Metallspitze201 aufwachsen. Das elektrische Feld kann mit den Kohlenstoffnanoröhren601 , welche auf der Metallspitze201 wachsen, Wechselwirken. Das elektrische Feld kann die innere Dipolpolarität der Kohlenstoffnanoröhren601 ändern und ein Drehmoment und eine Kraft erzeugen, um die Kohlenstoffnanoröhren601 auszurichten. Dementsprechend kann das elektrische Feld die Wachstumsrichtung der Kohlenstoffnanoröhren601 auf der Metallspitze201 ändern und demzufolge den Kohlenstoffnanoröhren601 erlauben, entlang des elektrischen Feldes ausgerichtet zu werden. Wie in6 verdeutlicht, können die Kohlenstoffnanoröhren601 im Wesentlichen parallel zu der Längsrichtung der Metallspitze201 ausgerichtet werden. - Die von den Kohlenstoffnanoröhren verschiedenen Nanostrukturen können mittels ähnlicher Verfahren wie des Verfahrens zum Bilden der Kohlenstoffnanoröhren, welche unter Bezug auf
6 beschrieben sind, hergestellt werden. Dies bedeutet, dass ein vorbestimmtes Quellgas, welches den gewünschten Nanostrukturen entspricht, zur Verfügung gestellt und auf den Metallkatalysatorpartikeln aufgelöst werden kann, und die Nanostrukturen können durch Reaktionen zwischen dem aufgelösten Quellgas und den Metallkatalysatorpartikeln hergestellt werden. In einer weiteren Ausführungsform können Siliciumcarbidnanostäbe hergestellt werden mittels eines CVD-Verfahrens unter Verwendung von verdampftem C6H18Si2-Gas als dem Quellgas und Eisenpartikeln als den Metallkatalysatorpartikeln. In einer weiteren Ausführungsform können Siliciumoxidnanodrähte durch ein Evaporationsverfahren unter Verwendung von verdampftem SiO-Gas als dem Quellgas und Eisenpartikeln als den Metallkatalysatorpartikeln hergestellt werden. - Im Anschluss an die vorliegende detaillierte Beschreibung werden die elektrischen Eigenschaften der Nanostrukturen und ein Feldemissionsemitter einschließlich der Nanostrukturen der vorliegenden Erfindung detailliert beschrieben unter Bezugnahme auf spezifische Beispiele. Es ist jedoch nicht beabsichtigt, dass diese Beispiele in irgendeiner Form den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung beschränken sollen, sondern sie dienen lediglich der Verdeutlichung der vorliegenden Erfindung.
- Beispiele
- Bildung von Metallkatalysatorpartikeln und Kohlenstoffnanoröhren auf Metallspitzen
- Eine Spannung von 30 V wurde an einen Wolframdraht innerhalb einer Kaliumhydroxidlösung von 1,5 mol/L angelegt, um den Wolframdraht elektrochemisch zu ätzen, wodurch eine Wolframspitze mit einem Apex gebildet wurde. Eine Elektrolytlösung, welche Nickelionen als Metallkatalysatorionen enthält, wurde in einem Abstand von 50 μm von der Wolframspitze angeordnet. Die Spannung wurde erhöht und angelegt mit einer Spannungsrate von 10 V/s zwischen der Wolframspitze und der Elektrolytlösung, um die Nickelkatalysatorionen aus der Elektrolytlösung zu extrahieren, und die extrahierten Nickelkatalysatorionen wurden auf der Wolframspitze angebracht, um Nickelkatalysatorpartikel zu bilden. Acetylen (C2H2) von 40 sccm wurde an die Wolframspitze geführt, wo die Nickelkatalystorpartikel während 10 Minuten bei 700°C gebildet wurden. Demzufolge wurden Kohlenstoffnanoröhren auf der Wolframspitze gebildet und der Feldemissionsemitter mit den Kohlenstoffnanoröhren wurde hergestellt.
- Messung von elektrischen Eigenschaften des Feldemissionsemitters
- I–V-Eigenschaften des Feldemissionsemitters, welcher die Kohlenstoffnanoröhren enthält, und die Stabilität der Feldemission wurden evaluiert. Ein elektrisches Feld von 1 bis 6 V/μm wurde auf der Wolframspitze gebildet und ein Strom, erzeugt durch von den Kohlenstoffnanoröhren auf der Wolframspitze emittierten Elektronen, wurde gemessen. Zusätzlich wurde ein elektrisches Feld entsprechend etwa 5,2 V/μm konstant an die Wolframspitze für etwa 50 Stunden angelegt und ein Strom, erzeugt durch die Kohlenstoffnanoröhren, wurde über diese Zeit gemessen.
- Evaluierung
-
7A und7B sind Graphen, welche die Evaluierungsergebnisse der Stabilität der Feldemission und der I–V-Eigenschaften des Feldemissionsemitters des vorliegenden Beispiels verdeutlichen. Wie sich aus7A ergibt, wird der Strom, durch Elektronen verursacht, die durch die Kohlenstoffnanoröhren emittiert wurden, drastisch erhöht, wenn ein elektrisches Feld von etwa 4 V/μm oder höher angelegt wird. Wie aus7B ersichtlich, wird ein Strom von etwa 150 μA für etwa 50 Stunden stabil erzeugt, wenn ein elektrisches Feld von etwa 5,2 V/μm konstant an die Wolframspitze angelegt wird. Demzufolge zeigt der Feldemissionsemitter, welcher die Kohlenstoffnanoröhren enthält, die auf der Metallspitze gemäß dem Verfahren des vorliegenden Beispiels gebildet wurden, stabile stromemittierende Eigenschaften. - Wie oben gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben, kann ein elektrisches Feld angelegt werden, um Metallkatalysatorpartikel um einen Apex einer Metallspitze zu bilden. Da die Nanostrukturen gebildet werden aus den Positionen, wo die Metallkatalysatorpartikel angeordnet sind, können die Nanostrukturen um den Apex der Metallspitze durch ein einfaches Verfahren mit niedrigen Kosten im Vergleich zum bekannten Stand der Technik hergestellt werden. Zusätzlich kann eine Menge an elektrischen Ladungen der Metallkatalysatorionen, die sich aus einer Elektrolytlösung zu der Metallspitze bewegen, eingestellt werden, um die Größe der Metallkatalysatorpartikel zu steuern. Daher können Nanostrukturen mit unterschiedlichen Durchmessern und Dichten aus den Metallkatalysatorpartikeln, deren Größen auf der Metallspitze gesteuert wurden, hergestellt werden.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- - Chem. Phys. Lett. 292, 567 (1988) [0003]
- - J. Kong et al. und in Chem. Phys. 296, 195 (1998) [0003]
- - J. Hafner et al. [0003]
- - S. H. Heo et al. in Applied Phys. Lett. 90, 183 109 (2007) [0003]
Claims (28)
- Verfahren zum Bilden von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze, umfassend: Anordnen einer Metallspitze räumlich getrennt von einer Elektrolytlösung, wobei die Elektrolytlösung Metallkatalysatorionen enthält; Anlegen einer Spannung an die Elektrolytlösung, um die Metallkatalysatorionen aus der Elektrolytlösung zu emittieren; und Anbringen der emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallspitze gebildet wird durch elektrochemisches Ätzen eines Metalldrahtes innerhalb einer Metallhydroxidlösung.
- Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Metallhydroxidlösung Kaliumhydroxid oder Natriumhydroxid enthält.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Metallspitze gebildet wird aus wenigstens einem Material, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus: Wolfram, Nickel, Aluminium, Molybdän, Tantal und Niob.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Metallkatalysatorionen wenigstens solche enthalten, welche ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus: Nickelionen, Cobaltionen, Molybdänionen und Eisenionen.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Anlegen der Spannung an die Elektrolytlösung, um die Metallkatalysatorionen aus der Elektrolytlösung zu emittieren, das Anlegen der Spannung an die Elektrolytlösung umfasst, um eine elektrostatische Abstoßung zu ermöglichen, welche zwischen den Metallkatalysatorionen wirkt, um die Oberflächenspannung der Elektrolytlösung zu überwinden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Anbringen der emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze das Anlegen einer Spannung an die Metallspitze umfasst, um die emittierten Ionen aus dem Metallkatalysator in Richtung der Metallspitze anzuziehen.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Anbringen der emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze Reduzieren oder Oxidieren der emittierten Metallkatalysatorionen zu Metallkatalysatoratomen auf dem Metalltyp umfasst.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Spannung angelegt wird, um der Elektrolytlösung ein positives Potenzial und der Metallspitze ein negatives Potenzial zu verleihen.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Spannung angelegt wird, um der Elektrolytlösung ein negatives Potenzial und der Metallspitze ein positives Potenzial zu verleihen.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Anbringen der emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze das Einstellen einer Menge an elektrischen Ladungen der Metallkatalysatorionen umfasst, welche sich aus der Elektrolytlösung in Richtung der Metallspitze bewegen, um die Größe der Metallkatalysatorpartikel zu bestimmen.
- Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen auf einer Metallspitze, umfassend: Bilden von Metallkatalysatorpartikeln auf einer Metallspitze; und Bilden von Nanostrukturen auf der Metallspitze aus den Metallkatalysatorpartikeln, wobei das Bilden der Metallkatalysatorpartikel auf der Metallspitze umfasst: Anlegen einer Spannung an eine Elektrolytlösung, welche Metallkatalysatorionen enthält, um die Metallkatalysatorionen aus der Elektrolytlösung zu emittieren; und Anbringen der emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze.
- Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Metallkatalysatorionen wenigstens solche umfassen, welche ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus: Nickelionen, Cobaltionen, Molybdänionen und Eisenionen.
- Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, wobei das Anlegen der Spannung an die Elektrolytlösung, welche Metallkatalysatorionen enthält, um die Metallkatalysatorionen aus der Elektrolytlösung zu emittieren, das Anlegen der Spannung an die Elektrolytlösung umfasst, um eine elektrostatische Abstoßung, welche zwischen den Metallkatalysatorionen wirkt, herzustellen, welche die Oberflächenspannung der Elektrolytlösung überwindet.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Anbringen der emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze das Anlegen einer Spannung an die Metallspitze umfasst, um die emittierten Metallkatalysatorionen in Richtung der Metallspitze anzuziehen.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Anbringen der emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze das Reduzieren oder Oxidieren der emittierten Metallkatalysatorionen zu Metallkatalysatoratomen auf der Metallspitze umfasst.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, wobei das Anbringen der emittierten Metallkatalysatorionen auf der Metallspitze das Einstellen einer Menge an elektrischen Ladungen der Metallkatalysatorionen, die sich aus der Elektrolytlösung in Richtung der Metallspitze bewegen, umfasst, um die Größe der Metallkatalysatorpartikeln zu bestimmen.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 17, wobei die Nanostrukturen Kohlenstoffnanoröhren einschließen und wobei das Bilden der Nanostrukturen auf der Metallspitze aus den Metallkatalysatorpartikeln das Zurverfügungstellen eines Reaktionsgases enthaltend eine Kohlenstoffverbindung, insbesondere Kohlenwasserstoff, umfasst, um die Kohlenstoffnanoröhren aus den Metallkatalysatorpartikeln zu bilden.
- Verfahren nach Anspruch 18, wobei die Kohlenstoffverbindung wenigstens eine solche umfasst, welche ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus: Kohlenmonoxid, Acetylen, Ethylen, Ethan, Methan und Propan.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 19, wobei das Bilden der Nanostrukturen auf der Metallspitze aus den Metallkatalysatorpartikeln durchgeführt wird mittels eines chemischen Dampfabscheideverfahrens unter Verwendung von wenigstens einem Element, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus: Wärme, Plasma und Mikrowellen als Energiequelle.
- Ein Feldemissionsemitter mit: einer Metallspitze; wenigstens einem Metallkatalysatorpartikel, angeordnet auf der Metallspitze und angebracht auf der Metallspitze in Form von Metallionen; und Nanostrukturen, gebildet aus den Metallkatalysatorpartikeln.
- Feldemissionsemitter nach Anspruch 21, wobei die Materialien der Metallspitze wenigstens ein solches umfassen, welches ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus: Wolfram, Nickel, Aluminium, Molybdän, Tantal und Niob.
- Feldemissionsemitter nach Anspruch 21 oder 22, wobei die Metallkatalysatorpartikel wenigstens ein Element aus der Gruppe, bestehend aus Nickel, Cobalt, Molybdän und Eisen, umfassen.
- Feldemissionsemitter nach einem der Ansprüche 21 bis 23, wobei wenigstens ein Metallkatalysatorpartikel extrahiert wird in Form von Metallionen aus einer Elektrolytlösung mittels einer Spannung, welche an die Elektrolytlösung angelegt wird.
- Feldemissionsemitter nach einem der Ansprüche 21 bis 24, wobei wenigstens ein Metallkatalysatorpartikel sich aus Metallatomen ergibt, welche aus den Metallionen reduziert oder oxidiert wurden und aneinander auf der Metallspitze gebunden sind.
- Feldemissionsemitter nach einem der Ansprüche 21 bis 25, wobei wenigstens ein Metallkatalysatorpartikel um einen Apex der Metallspitze, wo ein elektrisches Feld konzentriert ist, gebildet wird.
- Feldemissionsemitter nach einem der Ansprüche 21 bis 26, wobei die Nanostrukturen Kohlenstoffnanoröhren umfassen, welche gebildet sind durch chemische Reaktionen zwischen einem Reaktionsgas, welches eine Kohlenstoffverbindung, insbesondere einen Kohlenwasserstoff, enthält, und wenigstens einem Metallkatalysatorpartikel.
- Feldemissionsemitter nach Anspruch 27, wobei die Kohlenstoffverbindung wenigstens eine solche umfasst, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus: Kohlenmonoxid, Acetylen, Ethylen, Ethan, Methan und Propan.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/196,092 | 2008-08-21 | ||
US12/196,092 US8070929B2 (en) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | Catalyst particles on a tip |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008060290A1 true DE102008060290A1 (de) | 2010-02-25 |
DE102008060290B4 DE102008060290B4 (de) | 2012-08-16 |
Family
ID=41566900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008060290A Expired - Fee Related DE102008060290B4 (de) | 2008-08-21 | 2008-12-03 | Katalysatorpartikel auf einer Spitze |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8070929B2 (de) |
JP (1) | JP4975005B2 (de) |
CN (1) | CN101653735B (de) |
DE (1) | DE102008060290B4 (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5696447B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2015-04-08 | Jfeスチール株式会社 | 表面処理金属材料の製造方法 |
CN102381676B (zh) * | 2011-10-27 | 2014-10-08 | 无锡英普林纳米科技有限公司 | 石英微针表面纳米金属链及其制备方法 |
KR20150054179A (ko) * | 2013-11-11 | 2015-05-20 | 삼성전자주식회사 | 레이저 유도 초음파 발생장치 및 그 제조방법 |
US10620150B2 (en) * | 2015-12-05 | 2020-04-14 | Mohammad Abdolahad | Electromechanical approach for cancer detection |
WO2018106128A1 (en) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | Manufacturing Systems Limited | Apparatus and methods for controlled electrochemical surface modification |
US10285218B1 (en) * | 2018-05-14 | 2019-05-07 | The Florida International University Board Of Trustees | Direct and selective area synthesis of graphene using microheater elements |
CN111048383B (zh) * | 2018-10-12 | 2021-01-15 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 电子源和电子枪 |
CN114534460A (zh) * | 2020-11-24 | 2022-05-27 | 陕西青朗万城环保科技有限公司 | 一种等离子体废气处理催化剂及其制备方法 |
CN113223912B (zh) * | 2021-03-26 | 2023-12-26 | 国家纳米科学中心 | 低功函数材料修饰的碳纳米材料功能化针尖及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1061041A1 (de) * | 1999-06-18 | 2000-12-20 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Chemischer Dampfabscheidungsapparat für niedrige Temperaturen und Syntheseverfahren von Kohlenstoffnanoröhren unter Verwendung derselben |
JP2004211213A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 複合炭素質基板の製造方法 |
WO2005025724A1 (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-24 | Engelhard Corporation | Layered ammonia oxidation catalyst |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1202607B (de) * | 1961-01-20 | 1965-10-07 | Nyby Bruk Ab | Verfahren zur anodischen Oberflaechenbehandlung von Metallgegenstaenden |
US4326989A (en) * | 1979-09-11 | 1982-04-27 | Union Carbide Corporation | Catalyst of nickel compound and ligand in presence of a reducing metal |
US4498962A (en) * | 1982-07-10 | 1985-02-12 | Agency Of Industrial Science And Technology | Anode for the electrolysis of water |
JPH0713624B2 (ja) * | 1988-10-05 | 1995-02-15 | 株式会社日立製作所 | イオンの抽出および分析装置 |
JP2653575B2 (ja) * | 1991-08-30 | 1997-09-17 | 株式会社東芝 | カンチレバー体及びこれを用いた表面修正装置 |
JPH09288115A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 先鋭探針の製造方法およびその装置 |
JPH09306417A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | イオン化分析装置 |
US6635311B1 (en) * | 1999-01-07 | 2003-10-21 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or products thereby |
US20030157254A1 (en) * | 2000-01-05 | 2003-08-21 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or produced thereby |
WO2002026624A1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | President And Fellows Of Harvard College | Direct growth of nanotubes, and their use in nanotweezers |
US6755956B2 (en) * | 2000-10-24 | 2004-06-29 | Ut-Battelle, Llc | Catalyst-induced growth of carbon nanotubes on tips of cantilevers and nanowires |
WO2002059395A2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-08-01 | The Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Electrolytic deposition of coatings for prosthetic metals and alloys |
TW502282B (en) * | 2001-06-01 | 2002-09-11 | Delta Optoelectronics Inc | Manufacture method of emitter of field emission display |
US20070082459A1 (en) * | 2001-09-12 | 2007-04-12 | Faris Sadeg M | Probes, methods of making probes and applications of probes |
AU2002339597A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Vacuum display device |
US7022541B1 (en) * | 2001-11-19 | 2006-04-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Patterned growth of single-walled carbon nanotubes from elevated wafer structures |
JP4259023B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2009-04-30 | 富士ゼロックス株式会社 | カーボンナノチューブデバイスの作製方法、およびカーボンナノチューブデバイス |
US6872645B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
JP2006513048A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-04-20 | ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル | ナノ構造を含む材料を集めるおよび分類する方法および関連する物品 |
WO2005048283A2 (en) * | 2003-07-18 | 2005-05-26 | Northwestern University | Surface and site-specific polymerization by direct-write lithography |
US7235159B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-06-26 | Molecular Nanosystems, Inc. | Methods for producing and using catalytic substrates for carbon nanotube growth |
US20070014148A1 (en) * | 2004-05-10 | 2007-01-18 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Methods and systems for attaching a magnetic nanowire to an object and apparatuses formed therefrom |
CN100370572C (zh) * | 2004-11-18 | 2008-02-20 | 北京大学 | 电子发射源的制备方法 |
CN100369206C (zh) * | 2004-12-28 | 2008-02-13 | 东南大学 | 制备纳米间隙的外电场诱导取向沉积方法 |
US7431856B2 (en) * | 2005-05-18 | 2008-10-07 | National Research Council Of Canada | Nano-tip fabrication by spatially controlled etching |
JP4817296B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2011-11-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 配向カーボンナノチューブ・バルク集合体ならびにその製造方法および用途 |
WO2007089650A2 (en) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nanoselect, Inc. | Electrospray deposition: devices and methods thereof |
US7572300B2 (en) * | 2006-03-23 | 2009-08-11 | International Business Machines Corporation | Monolithic high aspect ratio nano-size scanning probe microscope (SPM) tip formed by nanowire growth |
US9095639B2 (en) * | 2006-06-30 | 2015-08-04 | The University Of Akron | Aligned carbon nanotube-polymer materials, systems and methods |
-
2008
- 2008-08-21 US US12/196,092 patent/US8070929B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-03 DE DE102008060290A patent/DE102008060290B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-04 CN CN2008101827815A patent/CN101653735B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-05 JP JP2008310600A patent/JP4975005B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1061041A1 (de) * | 1999-06-18 | 2000-12-20 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Chemischer Dampfabscheidungsapparat für niedrige Temperaturen und Syntheseverfahren von Kohlenstoffnanoröhren unter Verwendung derselben |
JP2004211213A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 複合炭素質基板の製造方法 |
WO2005025724A1 (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-24 | Engelhard Corporation | Layered ammonia oxidation catalyst |
Non-Patent Citations (7)
Title |
---|
Chem. Phys. Lett. 292, 567 (1988) |
J. Hafner et al. |
J. Kong et al. und in Chem. Phys. 296, 195 (1998) |
JP 2004211213 A (PAJ-Abstract) Yudasaka,M., u.a.: Specific conditions for Ni catalyzed carbon nanotube growth by chemical vapour deposition. Appl. Phys. Lett.67 (17), 23. Oct. 1995, S.2477-2479 |
PAJ-Abstract & JP 2004211213 A * |
S. H. Heo et al. in Applied Phys. Lett. 90, 183 109 (2007) |
Yudasaka,M., u.a.: Specific conditions for Ni catalyzed carbon nanotube growth by chemical vapour deposition. Appl. Phys. Lett.67 (17), 23. Oct. 1995, S.2477-2479 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8070929B2 (en) | 2011-12-06 |
US20100048391A1 (en) | 2010-02-25 |
CN101653735B (zh) | 2013-03-20 |
CN101653735A (zh) | 2010-02-24 |
DE102008060290B4 (de) | 2012-08-16 |
JP4975005B2 (ja) | 2012-07-11 |
JP2010046788A (ja) | 2010-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102008060290B4 (de) | Katalysatorpartikel auf einer Spitze | |
DE69817293T2 (de) | Kohlenstoff-Nanofaser-Einrichtung, Verfahren zur Herstellung dieser Einrichtung, und elektronenstrahlende Einrichtung | |
EP3538482B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines elektronenemitters mit einer nanostäbchen enthaltenden beschichtung | |
DE60217432T2 (de) | Verwendungen von Kohlenstofffasern | |
DE60226266T2 (de) | Verfahren zum katalytischen wachsenlassen von nanoröhrchen oder nanofasern mit einer diffusionsbarriere aus nisi-legierung | |
DE60118170T2 (de) | Nanorohrbasierter elektronenemitter und verfahren zur dessen verwendung | |
DE60122747T2 (de) | Feldemissionsvorrichtung mit kohlenstoffhaltigen spitzen | |
DE60319508T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von kohlenstoffnanostrukturen | |
US20020053522A1 (en) | Method for shaping a nanotube and a nanotube shaped thereby | |
DE2926614A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer feinverteilten legierung aus edelmetall und vanadium, daraus hergestellter katalysator und aus diesem hergestellte katode | |
DE102008060289A1 (de) | Ausgerichtete Nanostrukturen auf einer Spitze | |
DE60201176T2 (de) | Verfahren zur bildung einer kohlenstoffnanoröhren enthaltenden beschichtung auf einem substrat | |
DE112010005552T5 (de) | Trägerkatalysator | |
DE2913802A1 (de) | Emitter fuer feldelektronenemission und verfahren zum herstellen eines solchen emitters | |
EP2326742B1 (de) | Verwendung eines targets für das funkenverdampfen und verfahren zum herstellen eines für diese verwendung geeigneten targets | |
DE10306076A1 (de) | Quantenpunkt aus elektrisch leitendem Kohlenstoff, Verfahren zur Herstellung und Anwendung | |
Dangwal et al. | Field emission properties of electrochemically deposited gold nanowires | |
Tan et al. | ZnO tip-coated carbon nanotubes core–shell structures for photoluminescence and electron emission properties | |
DE102008049654A1 (de) | Elektronenstrahlquelle und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE102020104284B4 (de) | Verfahren zum direkten strukturierten erzeugen einer atomaren schicht von metalldichalcogeniden mit vordefinierter breite | |
DE69816604T2 (de) | Metall-kohlenstoff-sauerstoff-feldemissionsanordnungen | |
DE602004008812T2 (de) | Elektronen-emittierende Vorrichtung, Elektronenquelle und Bildanzeigegerät | |
Pandey et al. | A quick electrochemical approach for synthesizing the metal nanostructures stabilized with conducting polymers | |
DE10005057C2 (de) | Feldemissionsspitzen | |
Karmakar et al. | Tubular Diamond as an Efficient Electron Field Emitter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: PAE REINHARD, SKUHRA, WEISE & PARTNER GBR, 80801 M |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE Representative=s name: GRUENECKER PATENT- UND RECHTSANWAELTE PARTG MB, DE |
|
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20121117 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |