DE102006048906A1

DE102006048906A1 - Verfahren zur Stabilisierung und Funktionalisierung von porösen metallischen Schichten

Info

Publication number: DE102006048906A1
Application number: DE200610048906
Authority: DE
Inventors: Markus Widenmeyer; Oliver Wolst; Alexander Martin
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2006-10-17
Filing date: 2006-10-17
Publication date: 2008-04-30
Also published as: JP2010507018A; EP2104752A2; WO2008046785A3; WO2008046785A2; CN101535526A

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung und Funktionalisierung einer porösen metallischen Schicht (1), wobei die poröse metallische Schicht (1) eine metallische Matrix (3) mit darin enthaltenen Poren (5) enthält. In einem ersten Schritt wird keramisches Material (7) oder Vorstufen des keramischen Materials (7) in die Poren (5) der metallischen Matrix (3) eingebracht, in einem zweiten Schrfitt werden die Vorstufen des keramischen Materials gegebenenfalls in das keramische Material (7) umgewandelt und anschließend erfolgt gegebenenfalls eine thermische oder chemische Nachbehandlung der porösen metallischen Schicht. Die Erfindung betrifft weiterhin eine poröse metallische Struktur, insbesondere für Gateelektroden von Halbleitertransistoren, die Poren (5) in einer metallischen Matrix (3) umfasst. In den Poren (5) der metallischen Matrix (3) ist keramisches Material enthalten.

Description

Stand der Technik
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung und Funktionalisierung von porösen metallischen Schichten, wobei die poröse metallische Schicht eine Matrix mit darin enthaltenen Poren umfasst.
Derartige poröse metallische Schichten werden zum Beispiel als Gateelektroden von Halbleitertransistoren eingesetzt. Transistoren mit derart poröser Gateelektrode können zum Beispiel als Gassensoren eingesetzt werden. Die poröse metallische Gateelektrode wird zum Beispiel durch nasschemische Abscheidung von Nanomaterialien hergestellt. Aus Nanomaterialien hergestellte Gateelektroden können vorteilhafte Eigenschaften im Hinblick auf Stabilität, Gasempfindlichkeit und Ansprechzeit zeigen, im Vergleich zu Metallisierungen, die in herkömmlichen Halbleiterprozessen, zum Beispiel durch Aufdampfen oder Aufsputtern, hergestellt werden. Jedoch können – insbesondere bei höheren Temperaturen – auch die Strukturen solcher Elektroden degenerieren, wodurch die Funktion des Sensors beeinträchtigt wird. Das Degenerieren der Elektroden resultiert zum Beispiel aus Sinterprozessen und einer Strukturvergrößerung. Die elektrochemischen Eigenschaften der Elektroden werden durch die Auswahl des Metalls und des Grenzflächenmaterials, zum Beispiel dem Haibleiterbauteil, bestimmt.
Offenbarung der Erfindung
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Stabilisierung und Funktionalisierung von porösen metallischen Schichten, wobei die poröse metallische Schicht eine Matrix mit darin enthaltenen Poren umfasst, umfasst folgende Schritte:

(a) Einbringen von keramischem Material oder von Vorstufen des keramischen Materials in die Poren der metallischen Matrix,
(b) gegebenenfalls Umwandeln der Vorstufen des keramischen Materials in das keramische Material,
(c) gegebenenfalls thermische oder chemische Nachbehandlung der Schicht.

Erfindungsgemäß hergestellte poröse, metallische Schichten können zum Beispiel als Gateelektroden von Halbleitertransistoren eingesetzt werden, die als chemosensitive Bauelemente, zum Beispiel als Gassensoren, verwendet werden. Das Material für die metallische Schicht ist vorzugsweise ausgewählt aus Platin, Palladium, Iridium, Nickel, Gold, Silber, Rhodium, Kupfer, Osmium, Rhenium und Legierungen daraus. Insbesondere bei der Verwendung der porösen metallischen Schicht für chemosensitive Bauelemente hat die Art der metallischen Schicht einen wesentlichen Einfluss auf die chemosensitive Funktion. Allgemein ist eine hohe Porosität der metallischen Schicht den angestrebten Sensorfunktionen, zum Beispiel einer hohen Empfindlichkeit und einer schnellen Ansprechzeit, förderlich.
Durch das Einbringen von keramischem Material oder von Vorstufen des keramischen Materials in die Poren der metallischen Matrix werden – zumindest teilweise – mögliche Sinterwege des Metalls geschlossen. Der metallische Sinterprozess wird damit begrenzt und die poröse Schicht stabilisiert. Hierdurch werden zum Beispiel gasempfindliche Transistoren mit Gateelektroden, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurden, hinsichtlich ihrer elektrochemischen Eigenschaften stabilisiert. Hierdurch wird die Lebensdauer verlängert. Zudem wird der Einsatz bei ungünstigeren Bedingungen, zum Beispiel bei hohen Temperaturen oder in korrosiver Gasumgebung, ermöglicht.
Weiterhin können durch die Auswahl des keramischen Materials, welches in die Poren eingebracht wird, die elektrochemischen Eigenschaften, das heißt die Empfindlichkeit, Selektivität und der Arbeitsbereich des Sensors eingestellt werden. Als keramisches Material eignen sich zum Beispiel die Oxide, Nitride, Karbide oder Silizide von Magnesium, Aluminium, Silizium, Indium, Zinn, Zink, Eisen, Titan, Zirkon, Scanidum, Yttrium, Lanthan, Cer, Bor, Wolram, Vanadium, Tantal, Niob, Hafnium oder Molybdän sowie die Mischungen aus diesen Verbindungen. Bevorzugt ist das keramische Material ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Aluminiumoxid, Siliziumoxid, Indiumoxid, Zinnoxid, Zinkoxid, Eisenoxid, Titanoxid, Zirkonoxid, Scandiumoxid, Yttriumoxid, Lanthanoxid, Ceroxid, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid, Inidumnitrid, Titannitrid, Bornitrid, Aluminiumsilizid, Wolframsilizid, Vanadiumsilizid, Tantalsilizid, Niobsilizid, Zirkonsilizid, Hafniumsilizid, Molybdänsilizid, Titansilizd, Siliziumcarbid, Aluminiumcarbid, Wolframcarbid, Vanadiumcarbid, Tantalcarbid, Niobcarbid, Zirkoncarbid, Hafniumcarbid, Molybdäncarbid und Titancarbid sowie aus Mischungen dieser Verbindungen
Neben der Stabilisierung der porösen, metallischen Schicht können zum Beispiel auch Stofftransportprozesse verschiedener Spezies unterschiedlich begrenzt werden. Hierbei besteht die Möglichkeit, parasitäre Reaktionspfade, die die Konzentration signalbildender Spezies mindern, zu diskriminieren. Ferner promoviert das keramische Material auch adsorptive und katalytische Eigenschaften des Metalls. Zudem besitzen die oben genannten keramischen Materialien in vielen Fällen selbst adsorptive oder katalytische Eigenschaften, die nutzbar gemacht werden können.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird das keramische Material durch ein nasschemisches Verfahren in die Poren der Matrix eingebracht. Das keramische Material kann hierbei zum Beispiel in Form von Nanoteilchen vorliegen, die einer Flüssigkeit dispers vorliegen und als Suspension auf die metallische Matrix aufgebracht werden.
In einer Ausführungsform enthält die Suspension mindestens einen Zusatz zum Stabilisieren. Dadurch werden die Nanokolloide in der Suspension stabilisiert. Ein Sedimentieren oder Agglomerieren der Kolloide wird so eingeschränkt bzw. verhindert.
Als Lösungsmittel, in das die keramischen Nanokolloide dispergiert werden, eignen sich zum Beispiel Wasser, Alkohol oder andere polare organische Lösungsmittel und Mischungen daraus.
Geeignete Zusätze zum Stabilisieren der Suspension sind zum Beispiel Säuren, Diethylenglykolmonobuthylether oder Tenside. Geeignete Säuren sind zum Beispiel Salzsaure, Essigsäure, Salpetersäure, Oxalsäure und Hydroxycarbonsäure. Geeignete Tenside sind zum Beispiel AOT (Bis(2-ethyl-1-hexyl)sulfosuccinat), Polyethylenoxid-Polypropylenoxid- Block-Copolymere und Tetraalkylammoniumsalze.
Die keramischen Nanopartikel weisen vorzugsweise einen mittleren Durchmesser im Bereich von 1 bis 1000 nm auf. Bevorzugt liegt der mittlere Durchmesser im Bereich von 2 bis 250 nm.
Wenn Vorstufen des keramischen Materials in die Poren der metallischen Matrix eingebracht werden, so werden diese vorzugsweise als Suspension oder als Lösung eingebracht.
Eine Vorstufe einer Keramik, welche als Suspension eingebracht wird, ist zum Beispiel Böhmit, ein Hydroxyaluminiumoxid AlO(OH). Das Böhmit wird in Form von Nanopartikeln in einer sauren Suspension in die Hohlräume der metallischen Matrix eingebracht. Eine sich daran anschließende Wärmebehandlung bei einer Temperatur im Bereich zwischen 300 und 500°C überführt die AlO(OH)-Nanopartikel in gesintertes Al₂O₃.
In einer weiteren Ausführungsform werden die Vorstufen des keramischen Materials als Lösung in die Poren der metallischen Matrix eingebracht. Geeignete Vorstufen des keramischen Materials sind vorzugsweise gelöste Metallsalze, die in Schritt (b) in ihre korrespondierenden Metalloxide umgewandelt werden. Hierzu werden zum Beispiel Salzlösungen des Magnesiums, Aluminiums, Siliziums, Indiums, Zinns, Zinks, Eisens, Titans, Zirkons, Skandiums, Yttriums, Lanthans oder Cer in die metallische Matrix eingebracht. Diese Salze können zum Beispiel Nitrate, Oxinitrate, Halogenide, Carbonate, Acetylacetonate, Acetate, Carbonsäurederivate, Alkoholate oder Organometallverbindungen sein. Diese werden zum Beispiel in Wasser, Alkohol, einem polaren organischen Lösungsmittel oder Mischungen davon gelöst. Nach erfolgter Imprägnierung wird die Vorstufe in die eigentliche Keramik überführt. Dies geschieht beispielsweise durch eine Kalzinierung bei einer Temperatur im Bereich zwischen 250 und 650°C oder durch andere Verfahren chemischer oder physikalischer Art, wie saure oder basische Behandlung, Behandlung mit reaktivem Plasma oder Niedertemperaturbehandlung, insbesondere Trocknung.
Das Aufbringen der Lösungen oder der Suspension wird zum Beispiel durch Tauchen, Aufschleudern, Dispensen oder über Dickschichtdruck einer Paste realisiert. Generell ist eine Mehrfachbeschichtung möglich. Hierdurch lässt sich die Menge des keramischen Materials unabhängig von der Konzentration des Fluids einstellen. Zudem können Schichtabfolen unterschiedlicher keramischer Materialien erzeugt werden.
Alternativ ist es auch möglich, das keramische Material oder Vorstufen des keramischen Materials zum Beispiel durch Sputterprozesse oder durch Aufdampfprozesse in die Poren der metallischen Matrix einzubringen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es zeigen
1 eine schematische Darstellung einer metallischen Matrix mit darin enthaltenen Poren,
2 eine metallische Matrix mit darin enthaltenen Poren, wobei die Poren mit Keramischem Material gefüllt sind,
3 eine schematische Darstellung einer metallischen Matrix mit darin enthaltenen Poren, die mit keramischem Material gefüllt sind, wobei die metallische Matrix zusätzlich mit kermaischem Material bedeckt ist.
In 1 ist eine metallische Matrix mit darin enthaltenen Hohlräumen dargestellt.
Eine poröse Struktur 1 enthält eine metallische Matrix 3, in der Poren 5 ausgebildet sind. Durch die Poren 5 ergibt sich eine schwammartige Struktur der metallischen Matrix 3. Eine derartige poröse Struktur 1, wie sie in 1 dargestellt ist, ist bereits aus dem Stand der Technik bekannt. In einer Ausführungsform ist es möglich, dass die metallische Matrix 3 zusätzlich zu dem mindestens einen Metall auch mindestens ein keramisches Material enthält. Wenn die metallische Matrix 3 Metall und keramisches Material enthält, ist es jedoch erforderlich, dass der Anteil an Metall so groß ist, dass die elektrische Leitfähigkeit der porösen Struktur 1 gewährleistet ist. Dies ist insbesondere dann erforderlich, wenn die poröse Struktur 1 als Gateelektrode für Halbleitertransistoren eingesetzt wird.
Als Material für die metallische Matrix 3 werden bevorzugt Metalle der 8. bis 11. Gruppe des Periodensystems der Elemente eingesetzt. Insbesondere bevorzugt sind Platin, Palladium, Iridium, Nickel, Gold, Silber Rhodium, Kupfer, Osmium, Rhenium und Legierungen daraus.
Zur Herstellung der metallischen Matrix 3 wird zum Beispiel eine Suspension, die Partikel aus dem metallischen Material enthält, auf einen Träger aufgebracht. In der Suspension ist weiterhin mindestens eine organische Komponente enthalten, die zu einer Polymermatrix aushärten kann. Über ein gegebenenfalls in der Suspension enthaltenes Lösungsmittel lässt sich die Viskosität der Suspension einstellen. Das Auftragen der Suspension erfolgt zum Beispiel durch Auftropfen oder Aufdrucken. Jede weitere, dem Fachmann bekannte Art, die Suspension aufzubringen ist ebenfalls möglich. Die Viskosität der Suspension wird dabei abhängig von der Art des Auftrags eingestellt.
Nach dem Auftragen der Suspension wird diese gegebenenfalls zum Entfernen des Lösungsmittels vorgetrocknet. Weiterhin wird auch mindestens eine organische Komponente zur Polymermatrix ausgehärtet. Dies erfolgt vorzugsweise ebenfalls bei erhöhter Temperatur. Die Partikel aus dem metallischen Material sind gleichmäßig in der Polymermatrix verteilt. In einem nächsten Schritt wird die Polymermatrix entfernt. Dies erfolgt vorzugsweise durch eine Thermolyse oder Pyrolyse. Durch die bei der Thermolyse bzw. Pyrolyse auftretenden Temperaturen werden die metallischen Partikel, die die poröse Schicht bilden, zusammengesintert. Hierbei entsteht eine poröse Schicht mit gleichmäßig darin verteilten Poren.
Neben der vorstehend beschriebenen Art ist es jedoch auch möglich, die metallische Matrix 3 mit den darin ausgebildeten Poren auf jede andere, dem Fachmann bekannte Art herzustellen. Wenn eine derartige poröse Struktur 1 als Gateelektrode für einen Halbleitertransistor verwendet wird, können die Metallpartikel der metallischen Matrix 3 auf einer oxidischen Oberfläche zusammenlaufen. Die oxidische Oberfläche ist dabei im Allgemeinen die Oberfläche des Halbleitertransistors, auf welchem die Gateelektrode ausgebildet ist. Durch das Zusammenlaufen der Metallpartikel wird die Lebensdauer des Halbleitertransistors, der zum Beispiel als Gassensor eingesetzt werden kann, reduziert.
Um die Lebensdauer des Halbleitertransistors mit der als poröse Struktur ausgebildeten Gateelektrode zu erhöhen, ist es erforderlich, die metallische Matrix 3 zu stabilisieren. Erfindungsgemäß erfolgt die Stabilisierung durch Einbringen von keramischem Material in die Poren 5 der metallischen Matrix 3. Dies ist in 2 dargestellt.
Das keramische Material 7 wird zum Beispiel wie bereits vorstehend beschrieben durch ein nasschemisches Verfahren in die Poren 5 eingebracht. Hierzu ist es zum Beispiel möglich, dass das keramische Material 7 in einem Lösungsmittel dispergiert wird und die Suspension auf die poröse Struktur 1 aufgetragen wird. Die Suspension dringt dabei auch in die Poren 5 der metallischen Matrix 3 ein. Nach dem Auftragen der Suspension, die das keramische Material enthält, erfolgt eine Wärmebehandlung, bei der das keramische Material an die metallische Matrix 3 angesintert wird. Hierdurch wird die metallische Matrix 3 und damit die poröse Struktur 1 stabilisiert. Durch das Ansintern des keramischen Materials 7 in den Poren 5 der metallischen Matrix 3 werden die Sinterwege der metallischen Matrix 3 geschlossen. Hierdurch wird das insbesondere bei höheren Temperaturen beobachtete Zusammenlaufen von Metallpartikeln verhindert bzw. eingeschränkt.
Alternativ kann das keramische Material 7 auch zunächst in Form seiner Vorstufen als Suspension oder in Lösung auf die metallische Matrix 3 aufgebracht werden. Die Vorstufen können dabei einerseits zum Beispiel als Nanoteilchen vorliegen oder andererseits in Form der korrespondierenden Metallsalze in einem Lösungsmittel gelöst sein. Nach dem Auftragen der Vorstufen des keramischen Materials 7 werden diese in das keramische Material 7 überführt. Dies erfolgt im Allgemeinen durch eine Wärmebehandlung. Die Wärmebehandlung wird zum Beispiel bei einer Temperatur im Bereich von 250 bis 650°C durchgeführt. Dabei ist es möglich, dass die Wärmebehandlung bis zu mehrere Stunden andauert.
Zusätzlich zum Einbringen des keramischen Materials 7 in die Hohlräume 5 der metallischen Matrix 3 ist es auch möglich, dass eine Beschichtung 9, die das keramische Material 7 enthält, auf die metallische Matrix 3 aufgetragen wird. Auch durch die Beschichtung 9, die auf die metallische Matrix 3 aufgetragen wird, wird die metallische Matrix 3 und damit die poröse Struktur 1 stabilisiert. Die Dicke der Beschichtung 9 liegt im Allgemeinen im Bereich von 1 bis 500 nm.
Da das keramische Material 7 ebenfalls eine poröse Struktur ergibt, wird die metallische Matrix 3 auch durch die Beschichtung 9 bzw. das Auffüllen der Poren 5 mit dem keramischen Material 7 nicht gegen umgebende Gase abgedichtet. Somit ist auch weiterhin ein Detektieren von Gasen möglich, wenn die poröse Struktur 1 als Gateelektrode von Halbleitertransistoren, die als Gassensoren eingesetzt werden, verwendet wird.
Beispiel 1
Eine 200 nm dicke poröse metallische Matrix 23 aus Platin mit Hohlräumen 5 mit einem Durchmesser im Bereich von ungefähr 5 bis 500 nm wird mit einem Zirkondioxid-Überzug versehen. Hierzu wird eine verdünnte alkoholische Lösung von Zirkoniumtetraisopropoxid auf die poröse Struktur 1 gegeben. Daran anschließend erfolgt eine Trocknung und eine Wärmebehandlung bei 500°C an Luft. Das Zirkoniumtetraisopropoxid wird durch die Wärmebehandlung in Zirkondioxid umgewandelt. Die Hohlräume der metallischen Matrix 3 werden mit dem Zirkondioxid gefüllt. Zusätzlich wird eine Beschichtung 9 auf der metallischen Matrix 3 aus Zirkondioxid erzeugt.
Beispiel 2
Um eine Zirkondioxid-Beschichtung zu erhalten ist es alternativ auch möglich, zum Beispiel eine verdünnte, saure, wässrig-alkoholische Lösung von Zirkoniumnitrat zu verwenden. Auch in diesem Fall wird das Zirkoniumnitrat durch die Wärmebehandlung in Zirkondioxid umgewandelt.
Beispiel 3
Um die Poren 5 der metallischen Matrix 3 und die Beschichtung 9 zu erzeugen wird eine Schicht aus einem verdünnten Zirkoniumdioxid-Sol, wobei die Teilchengröße der Zirkoniumdioxid-Partikel im Bereich zwischen 2 und 50 nm liegt, auf die metallische Matrix 3 auf Platin aufgetragen, anschließend getrocknet und bei 500°C an Luft ausgebrannt. Das Zirkoniumdioxid sintert an der metallischen Matrix 3 an und stabilisiert so die metallische Matrix 3.
Beispiel 4
Um die Poren 5 der metallischen Matrix 3 mit Siliziumdioxid zu füllen und eine Siliziumdioxid-Beschichtung zu erzeugen, wird zunächst Tetraethylorthosilikat in Ethanol gelöst. Die Menge des Tetraethylorthosilikats wird so gewählt, dass 1 Gew.-% SiO₂ in der Lösung resultiert. Diese Lösung wird auf die metallische Matrix 3 pipettiert. Anschließend wird die metallische Matrix mit der darauf enthaltenen Lösung auf 250°C in Gegenwart von Luft aufgeheizt. Das Tetraethylorthosilikat wird dabei in Siliziumdioxid überführt.

Claims

Verfahren zur Stabilisierung oder Funktionalisierung einer porösen, metallischen Schicht, wobei die poröse metallische Schicht (1) eine metallische Matrix (3) mit darin enthaltenen Poren (5) umfasst, folgende Schritte umfassend: (a) Einbringen von keramischem Material (7) oder Vorstufen des keramischen Materials in die Poren (5) der metallischen Matrix (3), (b) gegebenenfalls Umwandeln der Vorstufen des keramischen Materials (7) in das keramische Material, (c) gegebenenfalls thermische oder chemische Nachbehandlung der porösen metallischen Schicht (1).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das keramische Material (7) in Form von keramischen Partikeln mit einem Partikeldurchmesser im Bereich von 1 nm bis 1000 nm ausgebildet ist.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das keramische Material (7) als Suspension, die dispergierte keramische Partikel enthält, auf die metallische Matrix aufgebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Suspension auf die metallische Matrix aufgeschleudert oder aufgetropft wird oder dass die metallische Matrix in die Suspension getaucht wird.
Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Suspension als Lösungsmittel Wasser, mindestens ein organisches Lösungsmittel oder Mischungen davon enthält.
Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Suspension mindestens einen Zusatz zur Stabilisierung enthält, vorzugsweise eine Säure, ein Tensid oder Diethylenglykolmonobutylether.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorstufen des keramischen Materials in gelöster Form, vorzugsweise als Salzlösung, vorliegen.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das keramische Material oder die Vorstufen des keramischen Materials durch Sputter- oder Aufdampfprozesse auf die metallische Matrix aufgebracht werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das keramische Material mindestens ein Oxid, mindestens ein Nitrid, mindestens ein Silizid, mindestens ein Carbid oder Mischungen davon enthält.
Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Oxid ein Aluminiumoxid, Siliziumoxid, Indiumoxid, Zinnoxid, Zinkoxid, Eisenoxid, Titanoxid, Zirkonoxid, Scandiumoxid, Yttriumoxid, Lanthanoxid oder Ceroxid ist, das Nitrit ein Aluminiumnitrit, Siliziumnitrit, Indiumnitrit, Titannitrit oder Bornitrit, das Silizid ein Aluminiumsilizid, Wolframsilizid, Vanadiumsilizid, Tantalsilizid, Niobsilizid, Zirkonsilizid, Hafniumsilizid, Molybdänsilizid oder Titansilizid und das Carbid ein Siliziumcarbid, Aluminiumcarbid, Wolframcarbid, Vanadiumcarbid, Tantalcarbid, Neobcarbid, Zirkoncarbid, Hafniumcarbid, Molybdäncarbid oder Titancarbid ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die poröse, metallische Schicht ein Element der 8. bis 11. Gruppe des Periodensystems der Elemente enthält.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die poröse metallische Schicht Platin, Palladium, Iridium, Nickel, Gold, Silber, Rhodium, Kupfer, Osmium, Rhenium oder Legierungen daraus enthält.
Poröse, metallische Schicht, insbesondere für Gateelektroden für Halbleitertransistoren, Poren (5) in einer metallischen Matrix (3) umfassend, dadurch gekennzeichnet, dass in den Poren (5) der metallischen Matrix (3) keramisches Material (7) enthalten ist.
Struktur nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Matrix (3) aus einem Element der 8., 9., 10. oder 11. Gruppe des Periodensystems der Elemente gefertigt ist.
Struktur nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass das keramische Material ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Aluminiumoxid, Siliziumoxid, Indiumoxid, Zinnoxid, Zinkoxid. Eisenoxid, Titanoxid, Zirkonoxid, Scandiumoxid, Ytt riumoxid, Lanthanoxid, Ceroxid, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid, Inidumnitrid, Titannitrid, Bornitrid, Aluminiumsilizid, Wolframsilizid, Vanadiumsilizid, Tantalsilizid, Niobsilizid, Zirkonsilizid, Hafniumsilizid, Molybdänsilizid, Titansilizd, Siliziumcarbid, Aluminiumcarbid, Wolframcarbid, Vanadiumcarbid, Tantalcarbid, Niobcarbid, Zirkoncarbid, Hafniumcarbid, Molybdäncarbid und Titancarbid sowie aus Mischungen dieser Verbindungen.