DE102006023879A1 - Verfahren zum Häusen eines Bildsensors und ein gehäuster Bildsensor - Google Patents

Verfahren zum Häusen eines Bildsensors und ein gehäuster Bildsensor Download PDF

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Abstract

Ein Bildsensor wird durch ein Anbringen des Bildsensors an ein Substrat gehäust, wobei Metallbumps an entweder dem Bildsensor oder einer transparenten Abdeckung gebildet werden, wobei die Metallbumps in einem Muster um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors gebildet werden. Die transparente Abdeckung wird dann an den Metallbumps an den Bildsensor geklebt. Elektrische Verbindungen werden zwischen dem Bildssensor und dem Substrat z. B. unter Verwendung von herkömmlichen Drahtbondtechniken gebildet. Die elektrischen Verbindungen werden zum Schutz in einem Epoxid eingekapselt. Bei einem Ausführungsbeispiel werden mehrere Bildsensoren zusammen an dem gleichen Substrat gehäust und z. B. durch Sägen in einzeln gehäuste Bildsensoren getrennt.

Description

  • Bildsensoren, die zur Digitalbilderfassung verwendet werden, müssen gehäust sein, um elektrische Verbindungen zwischen dem Bildsensor und einer Schaltungsplatine zu liefern. Bildsensoren sind gegenüber Staub und Partikeln empfindlich, die während eines Häusens und einer Verwendung vorhanden sein können. Deshalb umfasst eine Bildsensorhäusung normalerweise eine transparente Abdeckung, die über dem aktiven Bereich des Bildsensors befestigt ist. Herkömmliche Techniken zum Befestigen einer transparenten Abdeckung über einem Bildsensor umfassen ein Kleben der transparenten Abdeckung direkt an den Bildsensor und ein Verwenden einer transparenten Abdeckung mit kristallinen Abstandhaltern, die an der transparenten Abdeckung unter Verwendung eines Flüssigkristall-auf-Substrat- (LCOS-) Prozesses gebildet werden. Obwohl diese Techniken gut funktionieren, erfordern dieselben mehrere Prozessschritte und/oder Ausrüstung, die normalerweise nicht bei Integrierte-Schaltung- (IC-) Häusungsprozessen verwendet wird.
    •
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Häusen von Bildsensoren und einen gehäusten Bildsensor mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 12 sowie einen Bildsensor gemäß Anspruch 15 gelöst.
  • Ein Bildsensor wird durch ein Anbringen des Bildsensors an ein Substrat gehäust, wobei Metallbumps bzw. -höcker entweder an dem Bildsensor oder einer transparenten Abdeckung gebildet werden, wobei die Metallbumps in einem Muster um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors gebildet werden. Die transparente Abdeckung wird dann an den Metall bumps an den Bildsensor geklebt. Elektrische Verbindungen werden zwischen dem Bildsensor und dem Substrat z. B. unter Verwendung von herkömmlichen Drahtbondtechniken gebildet. Die elektrischen Verbindungen werden zum Schutz in einem Epoxid eingekapselt. Bei einem Ausführungsbeispiel werden mehrere Bildsensoren zusammen an dem gleichen Substrat gehäust und in einzeln gehäuste Bildsensoren z. B. durch Sägen getrennt. Da die Häusungstechnik herkömmliche Häusungstechnologien verwendet, wie z. B. Chipanschluss, Drahtbonden, Haftmittelverteilen und -härten und Vereinzelung, ist eine spezialisierte Häusungsausrüstung nicht nötig.
  • Andere Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung zusammen mit den beiliegenden Zeichnungen ersichtlich, die als Beispiel der Prinzipien der Erfindung veranschaulicht sind.
    •
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1A und 1B eine Drauf- bzw. eine Seitenansicht eines Bild sensors;
  • 2A bis 2H Schritte in einem Verfahren zum Häusen von Bild sensoren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem Metallbumps an dem Bildsensor gebildet werden und ein Drahtbonden durchgeführt wird, bevor eine transparente Abdeckung angebracht wird;
  • 3 eine Draufsicht eines Bildsensors mit einem exemplarischen Muster von Metallbumps, die um den Umfang des aktiven Bereichs gebildet sind;
  • 4A eine „normale" Bondtechnik, bei der eine Kugelverbindung an dem Bildsensor verwendet wird und eine Stitch-Verbindung an dem Substrat verwendet wird;
  • 4B eine „umgekehrte" Bondtechnik, bei der eine Stitch-Verbindung an dem Bildsensor verwendet wird und eine Kugelverbindung an dem Substrat verwendet wird;
  • 4C die Kugel-Stitch-an-Kugel-Bondtechnik, bei der Kugelverbindungen an sowohl dem Bildsensor als auch dem Substrat verwendet werden;
  • 5 eine Draufsicht eines Bildsensors, wobei Haftmittel um den Umfang des aktiven Bereichs an den Metallbumps in einer durchgehenden Spur verteilt ist, die den aktiven Bereich des Bildsensors umringt;
  • 6A bis 6H Schritte in einem Verfahren zum Häusen von Bild sensoren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem ein Drahtbonden durchgeführt wird, nachdem die transparenten Abdeckungen angebracht sind;
  • 7A bis 7H Schritte in einem Verfahren zum Häusen von Bild sensoren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem die Metallbumps an der transparenten Abdeckung anstatt dem Bildsensor gebildet werden;
  • 8 eine Draufsicht einer transparenten Abdeckung mit einem exemplarischen Muster von Metallbumps, die um den Umfang gebildet sind;
  • 9 ein Prozessflussdiagramm eines Verfahrens zum Häusen eines Bildsensors; und
  • 10 ein Prozessflussdiagramm eines Verfahrens zum Häusen eines Bildsensors.
  • In der gesamten Beschreibung können ähnliche Bezugszeichen verwendet werden, um ähnliche Elemente zu identifizieren.
  • Ein Bildsensor wird durch ein Anbringen des Bildsensors an ein Substrat gehäust, wobei Metallbumps entweder an dem Bildsensor oder einer transparenten Abdeckung gebildet werden, wobei die Metallbumps in einem Muster um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors gebildet werden. Die transparente Abdeckung wird dann an den Metallbumps an den Bildsensor geklebt. Elektrische Verbindungen werden zwischen dem Bildsensor und dem Substrat z. B. unter Verwendung von herkömmlichen Drahtbondtechniken gebildet. Die elektrischen Verbindungen werden zum Schutz in einem Epoxid eingekapselt. Bei einem Ausführungsbeispiel werden mehrere Bildsensoren zusammen an dem gleichen Substrat gehäust und z. B. durch Sägen in einzeln gehäuste Bildsensoren getrennt.
  • Die 1A und 1B zeigen eine Drauf- bzw. eine Seitenansicht eines Bildsensors 100. Der Bildsensor umfasst einen aktiven Bereich 102 (d. h. einen photoempfindlichen Bereich), der Bildinformationen ansprechend auf Licht erfasst. Bei dem Bildsensor kann es sich z. B. um einen Bildsensor vom Typ eines Komplementär-Metalloxid-Halbleiters (CMOS) oder einer ladungsgekoppelten Vorrichtung (CCD) handeln. Der Bildsensor umfasst Bondanschlussflächen 104 zum elektrischen Verbinden des Bildsensors mit einem Substrat, wie z. B. einer organischen gedruckten Schaltungsplatine (PCB), einer Keramikplatte oder einem Metallleitungsrahmen.
  • Verschiedene alternative Ausführungsbeispiele des Häusungsprozesses sind im Folgenden unter Bezugnahme auf die 2A–7H beschrieben. Die 2A–2H zeigen Schritte in einem Verfahren zum Häusen von Bildsensoren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem Metallbumps an dem Bildsensor gebildet werden und ein Drahtbonden durchgeführt wird, bevor eine transparente Abdeckung angebracht wird. Unter Bezugnahme auf 2A werden Bildsensoren 100, wie es im Vorhergehenden in den 1A und 1B beschrieben ist, an einem Substrat 106 angebracht. Bei dem Substrat handelt es sich z. B. um eine organische PCB, eine Keramikplatte oder einen Metallleitungsrahmen. Wie es in 2A gezeigt ist, ist mehr als ein Bildsensor an dem gleichen Substrat angebracht. Ein Anbringen von mehreren ICs an dem gleichen Substrat ist bei IC-Häusungsprozessen weit verbreitet, um eine Effizienz zu verbessern.
  • Nachdem die Bildsensoren 100 an dem Substrat 106 angebracht sind, werden Metallbumps 110 an den Bildsensoren gebildet, wie es in 2B gezeigt ist. Bei einem Ausführungsbeispiel weisen die Metallbumps eine einheitliche Höhe auf und werden in einem Muster um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors gebildet. 3 zeigt eine Draufsicht eines Bildsensors 100 mit einem exemplarischen Muster von Metallbumps 110, die um den Umfang des aktiven Bereichs 102 gebildet sind. Bei dem Ausführungsbeispiel von 3 werden die Metallbumps an den Bondanschlussflächen (1A) des Bildsensors gebildet. Die Metallbumps können aus Gold unter Verwendung von Drahtbondausrüstung gebildet werden. Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel können Metallbumps auch bei dem gleichen Prozessschritt an dem Substrat gebildet werden.
  • Wenn die Metallbumps 110 an den Bildsensoren 100 und dem Substrat 106 gebildet sind, werden elektrische Verbindungen zwischen den Bildsensoren und dem Substrat hergestellt, wie es in 2C gezeigt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel von 2C werden die elektrischen Verbindungen über Drahtverbindungen 114 gebildet, die zwischen die Metallbumps 110 an den Bildsensoren und dem Substrat gelötet werden. Die Metallbumps 112 können an dem Substrat während eines Drahtbondens gebildet werden. Das Drahtbonden wird z. B. unter Verwendung einer Kugel-Stitch-an-Kugel- (BSOB) Technik erreicht, obwohl andere Drahtbondtechniken möglich sind. Beispiele für Drahtbondtechniken, die verwendet werden können, um elektrische Verbindungen zwischen einem Bildsensor und einem Substrat herzustellen, sind unter Bezugnahme auf die 4A–4C beschrieben. 4A zeigt eine „normale" Bondtechnik, bei der eine Kugelverbindung (bzw. Bondkugel) 120 an dem Bildsensor verwendet wird und eine Stitch-Verbindung (bzw. Maschenverbindung) 122 an dem Substrat verwendet wird. 4B zeigt eine „umgekehrte" Bondtechnik, bei der eine Stitch-Verbindung 124 an dem Bildsensor verwendet wird und eine Kugelverbindung 126 an dem Substrat verwendet wird. 4C zeigt die BSOB-Technik, bei der Kugelverbindungen 128 und 130 an sowohl dem Bildsensor als auch dem Substrat verwendet werden. Obwohl einige Drahtbondtechniken beschrieben sind, können andere Techniken verwendet werden, um elektrische Verbindungen zwischen den Bildsensoren und dem Substrat herzustellen.
  • Wenn das Drahtbonden abgeschlossen ist, besteht der nächste Schritt darin, eine transparente Abdeckung an jeden der Bildsensoren zu kleben. Unter Bezugnahme auf 2D wird ein Haftmittel 132 auf den Bildsensoren 100 verteilt. Bei dem Ausführungsbeispiel von 2D wird das Haftmittel um den Umfang des aktiven Bereichs 102 der Bildsensoren an den Metallbumps 110 verteilt. Bei einem Ausführungsbeispiel wird das Haftmittel derart verteilt, dass eine durchgehende Spur von Haftmittel den aktiven Bereich der Bildsensoren umringt. 5 zeigt eine Draufsicht eines Bildsensors, wobei ein Haftmittel 132 um den Umfang des aktiven Bereichs an den Metallbumps in einer durchgehenden Spur verteilt ist, die den aktiven Bereich des Bildsensors umringt.
  • Wenn das Haftmittel 132 um den Umfang des aktiven Bereichs 102 der Bildsensoren 100 verteilt ist, werden transparente Abdeckungen in Kontakt mit dem Haftmittel und den Metallbumps 110 platziert. 2E zeigt transparente Abdeckungen 134, die in Kontakt mit dem Haftmittel 132 und den Metallbumps 110 platziert sind. Wie es in 2E gezeigt ist, dienen die Metallbumps als Träger und Abstandhalter für die transparenten Abdeckungen. Das heißt, die Metallbumps liefern einen strukturellen Träger, auf dem die transparenten Abdeckungen sitzen, während ebenfalls der Abstand zwischen den transparenten Abdeckungen und den Bildsensoren festgelegt wird. Bei Metallbumps einheitlicher Höhe sitzen die transparenten Abdeckungen bündig auf den Metallbumps. Nachdem die transparenten Abdeckungen in Kontakt mit dem Haftmittel und den Metallbumps platziert worden sind, wird das Haftmittel gehärtet, um die transparenten Abdeckungen mit den Bildsensoren zu verbinden. Das Haftmittel kann z. B. bei Zimmertemperatur, bei einer erhöhten Temperatur oder durch ein Anwenden von UV-Licht gehärtet werden. Wenn das Haftmittel gehärtet ist, ist der aktive Bereich jedes Bildsensors in einem Hohlraum 136 eingekapselt, der durch den Bildsensor, die Metallbumps, die transparente Abdeckung und das Haftmittel gebildet wird.
  • Wenn das Haftmittel 132 gehärtet ist, werden die elektrischen Verbindungen 114 zwischen den Bildsensoren 100 und dem Substrat 106 durch ein Aufbringen eines Epoxids 138 in den Zwischenräumen zwischen den Bildsensoren geschützt, wie es in 2F gezeigt ist. Wenn dasselbe aufgebracht worden ist, wird das Epoxid zu einem Festkörper gehärtet, der die Drahtverbindungen 114 einkapselt. Obwohl ein Epoxid beschrieben ist, können andere Materialien verwendet werden, um die Zwischenräume zwischen den Bildsensoren aufzufüllen.
  • Wenn das Epoxid 138 in den Zwischenräumen zwischen den Bildsensoren 100 gehärtet ist, werden Lötkugeln 140 an das Substrat 106 angebracht, wie es in 2G gezeigt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel von 2G werden die Lötkugeln an der Unterseite des Substrats angebracht, so dass die Bildsensorgehäuse physisch und elektrisch mit anderen Systemen verbunden werden können.
  • Wenn die Lötkugeln 140 an dem Substrat 106 angebracht sind, werden die Bildsensorgehäuse zu einzeln gehäusten Bildsensoren getrennt oder „vereinzelt". 2H zeigt die drei Bildsensoren 100 von 2G, nachdem dieselben voneinander in drei einzeln gehäuste Bildsensoren 142 getrennt worden sind. Bei einem Ausführungsbeispiel werden die einzeln gehäusten Bildsensoren durch ein Sägen zwischen den Bauelementen vereinzelt.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel der 2A–2H wird ein Drahtbonden durchgeführt, bevor die transparenten Abdeckungen 134 angebracht werden. Die 6A–6H zeigen Schritte in einem Verfahren zum Häusen von Bildsensoren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem ein Drahtbonden durchgeführt wird, nachdem die transparenten Abdeckungen angebracht worden sind. Unter Bezugnahme auf 6A werden Bildsensoren 100, wie dieselben im Vorhergehenden in den 1A und 1B beschrieben sind, an einem Substrat 106 angebracht.
  • Nachdem die Bildsensoren 100 an dem Substrat 106 angebracht sind, werden Metallbumps 110 an den Bildsensoren gebildet, wie es in 6B gezeigt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel von 6B weisen die Metallbumps eine einheitliche Höhe auf und sind in einem Muster um den Umfang des aktiven Bereichs 102 der Bildsensoren gebildet. 3 zeigt eine Draufsicht eines Bildsensors 100 mit einem exemplarischen Muster von Metallbumps 110, die um den Umfang des aktiven Bereichs 102 des Bildsensors gebildet sind. Bei dem exemplarischen Verfahren, das unter Bezugnahme auf die 6A–6H beschrieben ist, werden die Metallbumps nicht an Bondanschlussflächen des Bildsensors gebildet. Insbesondere werden Bondanschlussflächen der Bildsensoren freiliegend gelassen, so dass ein Ende der Bonddrähte an den Bondanschlussflächen angebracht werden kann.
  • Wenn die Metallbumps 110 an den Bildsensoren und dem Substrat gebildet sind, besteht der nächste Schritt darin, eine transparente Abdeckung an jeden der Bildsensoren 100 zu kleben. Unter Bezugnahme auf 6C wird ein Haftmittel 132 auf den Bildsensoren verteilt. Bei dem Ausführungsbeispiel von 6C wird das Haftmittel um den Umfang des aktiven Bereichs der Bildsensoren an den Metallbumps verteilt. Bei einem Ausführungsbeispiel wird das Haftmittel derart verteilt, dass eine durchgehende Spur von Haftmittel den aktiven Bereich 102 der Bildsensoren umringt, wie es in 5 gezeigt ist.
  • Wenn das Haftmittel um den Umfang des aktiven Bereichs der Bildsensoren verteilt ist, werden transparente Abdeckungen in Kontakt mit dem Haftmittel 132 und den Metallbumps 110 platziert. 6D zeigt transparente Abdeckungen 134, die in Kontakt mit dem Haftmittel und den Metallbumps platziert sind. Wie es in 6D gezeigt ist, dienen die Metallbumps 110 als Träger und Abstandhalter für die transparenten Abdeckungen. Das heißt, die Metallbumps liefern einen strukturellen Träger, auf dem die transparenten Abdeckungen sitzen, während ebenfalls der Abstand zwischen den transparenten Abdeckungen und den Bildsensoren festgelegt wird. Bei Metallbumps einheitlicher Höhe sitzen die transparenten Abdeckungen bündig auf den Metallbumps. Nachdem die transparenten Abdeckungen in Kontakt mit dem Haftmittel 132 und den Metallbumps platziert worden sind, wird das Haftmittel gehärtet. Das Haftmittel kann z. B. bei Zimmertemperatur, bei einer erhöhten Temperatur oder durch ein Anwenden von UV-Licht gehärtet werden. Wenn das Haftmittel gehärtet ist, ist der aktive Bereich jedes Bildsensors in einem Hohlraum 136 eingekapselt, der durch den Bildsensor, die Metallbumps, die transparente Abdeckung und das Haftmittel gebildet wird.
  • Wenn die transparenten Abdeckungen 134 an den Bildsensoren 100 angebracht sind, werden elektrische Verbindungen zwischen den Bildsensoren und dem Substrat 106 hergestellt, wie es in 6E gezeigt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel von 6E werden die elektrischen Verbindungen über Drahtverbindungen 114 gebildet, die zwischen das Substrat und den Bildsensor gelötet werden. Das Drahtbonden wird z. B. unter Verwendung eines normalen Bondens erreicht, wie es im Vorhergehenden unter Bezugnahme auf 4A beschrieben ist, obwohl andere Drahtbondtechniken möglich sind. Alternativ dazu können andere Techniken verwendet werden, um elektrische Verbindungen zwischen den Bildsensoren und dem Substrat herzustellen.
  • Wenn das Drahtbonden abgeschlossen ist, werden die elektrischen Verbindungen 114 zwischen den Bildsensoren 100 und dem Substrat 106 durch ein Aufbringen eines Epoxids 138 in den Zwischenräumen zwischen den Bildsensoren geschützt, wie es in 6F gezeigt ist. Wenn dasselbe aufgebracht worden ist, wird das Epoxid zu einem Festkörper gehärtet, wodurch die elektrischen Verbindungen eingekapselt werden.
  • Wenn das Epoxid 138 in den Zwischenräumen zwischen den Bildsensoren 100 gehärtet ist, werden Lötkugeln 140 an dem Substrat 106 angebracht, wie es in 6G gezeigt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel von 6G werden die Lötkugeln an der Unterseite des Substrats angebracht, so dass die Bildsensorgehäuse physisch und elektrisch mit anderen Systemen verbunden werden können.
  • Wenn die Lötkugeln 140 an dem Substrat 106 angebracht sind, werden die Bildsensorgehäuse in einzeln gehäuste Bildsensoren getrennt oder „vereinzelt". 6H zeigt die drei Bildsensoren von 6G, nachdem dieselben voneinander in drei einzeln gehäuste Bildsensoren 144 getrennt worden sind. Bei einem Ausführungsbeispiel werden die einzeln gehäusten Bildsensoren durch ein Sägen zwischen den Bauelementen vereinzelt.
  • Bei den Ausführungsbeispielen der 2A–2H und der 6A–6H werden die Metallbumps 110 an den Bildsensoren 100 gebildet. Die 7A–7H zeigen Schritte in einem Verfahren zum Häusen von Bildsensoren gemäß einem Ausführungsbei spiel der Erfindung, bei dem die Metallbumps an der transparenten Abdeckung 134 anstelle des Bildsensors gebildet werden. Unter Bezugnahme auf 7A werden Bildsensoren 100, wie dieselben im Vorhergehenden in den 1A und 1B beschrieben sind, an ein Substrat 106 angebracht.
  • Getrennt von dem Schritt, der unter Bezugnahme auf 7A beschrieben ist, werden Metallbumps 110 an transparenten Abdeckungen 134 gebildet. 7B zeigt drei transparente Abdeckungen, an denen Metallbumps gebildet sind. Zum Beispiel werden die Metallbumps an den transparenten Abdeckungen unter Verwendung einer Drahtbondausrüstung gebildet. Bei einem Ausführungsbeispiel weisen die Metallbumps eine einheitliche Höhe auf und sind in einem Muster gebildet, das um den Umfang des aktiven Bereichs 102 der entsprechenden Bildsensoren 100 passt. 8 zeigt eine Draufsicht einer transparenten Abdeckung 134 mit einem exemplarischen Muster von Metallbumps 110, die um den Umfang gebildet sind. Bei diesem Beispiel sind die Metallbumps konfiguriert, um Bondanschlussflächen an dem Bildsensor freiliegend zu lassen. Bei einem Ausführungsbeispiel können die transparenten Abdeckungen während des Häusungsprozesses miteinander verbunden werden.
  • Wenn die Bildsensoren 100 an dem Substrat 106 angebracht sind und die Metallbumps 110 an den transparenten Abdeckungen 134 gebildet sind, besteht der nächste Schritt darin, die transparenten Abdeckungen an die Bildsensoren zu kleben. Unter Bezugnahme auf 7C wird ein Haftmittel auf den Bildsensoren verteilt. Bei dem Ausführungsbeispiel von 7C wird das Haftmittel 132 um den Umfang des aktiven Bereichs jedes Bildsensors in einem Muster verteilt, das den Metallbumps entspricht, die an den transparenten Abdeckungen gebildet sind. Bei einem Ausführungsbeispiel wird das Haftmittel derart verteilt, dass eine durchgehende Spur von Haftmittel den aktiven Bereich der Bildsensoren ähnlich derjenigen umringt, die in 5 gezeigt ist, allerdings ohne die Metallbumps. Bei einem alternativen Ausführungs beispiel wird das Haftmittel auf der transparenten Abdeckung an den Metallbumps anstatt dem Bildsensor verteilt.
  • Wenn das Haftmittels 132 um den Umfang des aktiven Bereichs 102 der Bildsensoren 100 verteilt ist, werden die Metallbumps 110 der transparenten Abdeckungen 134, die in 7B gezeigt sind, in Kontakt mit dem Haftmittel und den Bildsensoren platziert. 7D zeigt die Metallbumps 110 der transparenten Abdeckungen, die in Kontakt mit dem Haftmittel und den Bildsensoren platziert sind. Wie es in 7D gezeigt ist, dienen die Metallbumps als Träger und Abstandhalter für die transparenten Abdeckungen. Das heißt, die Metallbumps liefern einen strukturellen Träger für die transparenten Abdeckungen, während ebenfalls der Abstand zwischen den transparenten Abdeckungen und den Bildsensoren festgelegt wird. Bei Metallbumps einheitlicher Höhe sitzen die transparenten Abdeckungen bündig auf den Metallbumps. Nachdem die Metallbumps der transparenten Abdeckungen in Kontakt mit dem Haftmittel und den Bildsensoren platziert worden sind, wird das Haftmittel gehärtet. Das Haftmittel kann z. B. bei Zimmertemperatur, bei einer erhöhten Temperatur oder durch ein Anwenden von UV-Licht gehärtet werden. Wenn das Haftmittel gehärtet ist, ist der aktive Bereich 102 jedes Bildsensors in einem Hohlraum 136 eingekapselt, der durch den Bildsensor, die Metallbumps, die transparente Abdeckung und das Haftmittel gebildet wird.
  • Wenn die transparenten Abdeckungen 134 an den Bildsensoren 100 angebracht sind, werden elektrische Verbindungen zwischen den Bildsensoren und dem Substrat 106 hergestellt, wie es in 7E gezeigt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel von 7E werden die elektrischen Verbindungen über Drahtverbindungen 114 gebildet, die zwischen das Substrat und den Bildsensor gelötet werden. Das Drahtbonden wird z. B. unter Verwendung eines normalen Bondens erreicht, wie es im Vorhergehenden unter Bezugnahme auf 4A beschrieben ist, obwohl andere Drahtbondtechniken möglich sind. Andere Techniken können verwendet werden, um elektrische Verbindungen zwischen den Bildsensoren und dem Substrat herzustellen.
  • Wenn das Drahtbonden abgeschlossen ist, werden die elektrischen Verbindungen 114 zwischen den Bildsensoren 100 und dem Substrat 106 durch ein Aufbringen eines Epoxids 138 in den Zwischenräumen zwischen den Bildsensoren geschützt, wie es in 7F gezeigt ist. Wenn dasselbe aufgebracht worden ist, wird das Epoxid in den Zwischenräumen zwischen den Bildsensoren zu einem Festkörper gehärtet.
  • Wenn das Epoxid 138 in den Zwischenräumen zwischen den Bildsensoren gehärtet ist, werden Lötkugeln 140 an dem Substrat angebracht, wie es in 7G gezeigt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel von 7G werden die Lötkugeln an der Unterseite des Substrats angebracht, so dass die Bildsensorgehäuse physisch und elektrisch mit anderen Systemen verbunden werden können.
  • Wenn die Lötkugeln 140 an dem Substrat 106 angebracht sind, werden die Bildsensorgehäuse in einzeln gehäuste Bildsensoren 146 getrennt oder „vereinzelt". 7H zeigt die drei Bildsensoren von 7G, nachdem dieselben voneinander in drei einzeln gehäuste Bildsensoren 146 getrennt worden sind. Bei einem Ausführungsbeispiel werden die einzeln gehäusten Bildsensoren durch ein Sägen zwischen den Bauelementen vereinzelt.
  • Unter Verwendung der im Vorhergehenden beschriebenen Häusungstechniken kann eine Vereinzelung durch ein Sägen mit einer herkömmlichen Sägestraßenbreite erreicht werden. Die herkömmliche Sägestraßenbreite ermöglicht, dass die Anzahl von Bildsensoren pro Substrat aufrechterhalten wird.
  • 9 zeigt ein Prozessflussdiagramm eines Verfahrens zum Häusen eines Bildsensors. Bei Block 200 wird ein Bildsensor an ein Substrat angebracht, wobei der Bildsensor einen aktiven Bereich aufweist. Bei Block 202 werden Metallbumps an einem von dem Bildsensor oder einer transparenten Abdeckung gebildet, wobei die Metallbumps in einem Muster um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors gebildet werden. Bei Block 204 wird die transparente Abdeckung an den Metallbumps an den Bildsensor geklebt.
  • 10 zeigt ein Prozessflussdiagramm eines Verfahrens zum Häusen eines Bildsensors. Bei Block 210 wird ein Bildsensor an ein Substrat angebracht, wobei der Bildsensor einen aktiven Bereich aufweist. Bei Block 212 werden Metallbumps an dem Bildsensor um den aktiven Bereich des Bildsensors gebildet. Bei Block 214 wird ein Haftmittel auf den Metallbumps verteilt. Bei Block 216 wird eine transparente Abdeckung in Kontakt mit dem Haftmittel und über dem aktiven Bereich des Bildsensors platziert. Bei Block 218 wird das Haftmittel gehärtet, um die transparente Abdeckung an dem Bildsensor zu befestigen.
  • Obwohl spezifische Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben und veranschaulicht worden sind, soll die Erfindung nicht auf die spezifischen Formen oder Anordnungen von Teilen beschränkt sein, die so beschrieben und veranschaulicht sind. Der Schutzbereich der Erfindung soll durch die Ansprüche, die hieran angehängt sind, und ihre Äquivalente definiert sein.

Claims (20)

  1. Verfahren zum Häusen von Bildsensoren, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Anbringen (200) eines Bildsensors an ein Substrat, wobei der Bildsensor einen aktiven Bereich aufweist; Bilden (202) von Metallbumps (110) an einem von dem Bildsensor (102) oder einer transparenten Abdeckung (134), wobei die Metallbumps in einem Muster um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors gebildet werden; und Kleben (204) der transparenten Abdeckung an den Metallbumps an den Bildsensor.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die Metallbumps (110) einheitliche Höhen aufweisen.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die Metallbumps (110) Gold sind.
  4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Metallbumps (110) mit Drahtbondausrüstung gebildet werden.
  5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Kleben (204) der transparenten Abdeckung (134) an den Metallbumps an den Bildsensor ein Verteilen eines Haftmittels um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors aufweist.
  6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Kleben (204) der transparenten Abdeckung (134) an den Metallbumps an den Bildsensor ein Verteilen eines Haftmittels um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors aufweist, derart, dass der aktive Bereich des Bildsensors in einem Hohlraum eingekapselt wird, der durch den Bildsensor, die Metallbumps, die transparente Abdeckung und das Haftmittel gebildet wird.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, das ferner ein Herstellen von elektrischen Verbindungen (114) zwischen dem Bildsensor (100) und dem Substrat (106) aufweist.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 7, bei dem die elektrischen Verbindungen (114) hergestellt werden, bevor die transparente Abdeckung (134) an den Bildsensor (100) geklebt wird.
  9. Verfahren gemäß Anspruch 7, bei dem die elektrischen Verbindungen (114) hergestellt werden, nachdem die transparente Abdeckung (134) an den Bildsensor (100) geklebt worden ist.
  10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, das ferner ein Verteilen von Epoxid (138) über den elektrischen Verbindungen aufweist, um die elektrischen Verbindungen einzukapseln.
  11. Verfahren gemäß Anspruch 10, das ferner ein Trennen der Bildsensoren (100) von einer Matrix von Bildsensoren aufweist, die an dem gleichen Substrat angebracht sind.
  12. Verfahren zum Häusen von Bildsensoren, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Anbringen (210) eines Bildsensors an ein Substrat, wobei der Bildsensor einen aktiven Bereich aufweist; Bilden (212) von Metallbumps (110) an dem Bildsensor (100) um den aktiven Bereich des Bildsensors; Verteilen (214) eines Haftmittels (132) auf den Metallbumps; Platzieren (216) einer transparenten Abdeckung (134) in Kontakt mit dem Haftmittel und über dem aktiven Bereich des Bildsensors; und Härten (218) des Haftmittels (132), um die transparente Abdeckung an dem Bildsensor zu befestigen.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 12, bei dem das Haftmittel (132) um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors (100) verteilt wird.
  14. Verfahren gemäß Anspruch 12, bei dem das Haftmittel (132) um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors (100) verteilt wird, derart, dass der aktive Bereich des Bildsensors in einem Hohlraum (136) eingekapselt wird, der durch den Bildsensor (100), die Metallbumps (110), die transparente Abdeckung (134) und das Haftmittel (132) gebildet wird.
  15. Gehäuster Bildsensor, der folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (106); einen Bildsensor (100), der an dem Substrat angebracht ist, wobei der Bildsensor einen aktiven Bereich (102) aufweist; elektrische Verbindungen (114) zwischen dem Bildsensor und dem Substrat; eine transparente Abdeckung (134), die groß genug ist, um den aktiven Bereich des Bildsensors abzudecken; Metallbumps (110) zwischen dem Bildsensor und der transparenten Abdeckung in einem Muster um den Umfang des aktiven Bereichs des Bildsensors; und ein Haftmittel (132) zwischen dem Bildsensor und der transparenten Abdeckung um den Umfang des aktiven Bereichs in einem Muster, das den Metallbumps entspricht, wobei das Haftmittel die transparente Abdeckung und den Bildsensor verbindet.
  16. Gehäuster Bildsensor gemäß Anspruch 15, wobei der Bildsensor (100), die transparente Abdeckung (134), die Metallbumps (110) und das Haftmittel (132) den aktiven Bereich (102) des Bildsensors einkapseln.
  17. Gehäuster Bildsensor gemäß Anspruch 16, der ferner ein Epoxid (138) umfasst, das über den elektrischen Verbindungen gebildet ist, um die elektrischen Verbindungen einzukapseln.
  18. Gehäuster Bildsensor gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, bei dem die Metallbumps (110) an dem Bildsensor gebildet sind.
  19. Gehäuster Bildsensor gemäß Anspruch 18, bei dem die Metallbumps (110) an Bondanschlussflächen des Bildsensors gebildet sind.
  20. Gehäuster Bildsensor gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, bei dem die Metallbumps (110) an der transparenten Abdeckung (134) gebildet sind.
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4704819B2 (ja) * 2005-06-30 2011-06-22 京セラキンセキ株式会社 圧電デバイスの製造方法
US20070182841A1 (en) * 2006-02-07 2007-08-09 Donnie Drake Image sensing microelectronic device with glass tilt control features, and various methods of making same
KR100799984B1 (ko) 2006-12-29 2008-01-31 옵토팩 주식회사 이미지센서 패키지 검사 장치 및 방법
CN100561280C (zh) * 2007-05-30 2009-11-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 相机模组及其制造方法
JPWO2009113262A1 (ja) * 2008-03-11 2011-07-21 パナソニック株式会社 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法
JP5248179B2 (ja) * 2008-04-17 2013-07-31 新光電気工業株式会社 電子装置の製造方法
US7776640B2 (en) * 2008-09-26 2010-08-17 Tong Hsing Electronic Industries Ltd. Image sensing device and packaging method thereof
CN101431034B (zh) * 2008-11-27 2010-10-06 江苏康众数字医疗设备有限公司 用于多芯片平面封装的方法
TW201104850A (en) * 2009-07-29 2011-02-01 Kingpak Tech Inc Image sensor package structure with large air cavity
CN102800765A (zh) * 2012-03-21 2012-11-28 深圳雷曼光电科技股份有限公司 Led封装结构及其封装工艺
CN102723345B (zh) * 2012-05-31 2015-04-01 苏州晶方半导体科技股份有限公司 红外传感器封装结构及其封装方法
TW201503334A (zh) * 2013-07-08 2015-01-16 Kingpaktechnology Inc 影像感測器二階段封裝方法
JP6244784B2 (ja) * 2013-09-30 2017-12-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9525002B2 (en) 2015-01-05 2016-12-20 Stmicroelectronics Pte Ltd Image sensor device with sensing surface cavity and related methods
KR102384157B1 (ko) 2015-03-04 2022-04-08 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US10009523B2 (en) * 2015-05-11 2018-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic module and method of manufacturing the same
KR102126418B1 (ko) * 2015-11-03 2020-06-24 삼성전기주식회사 이미지 센서 패키지
CN105472216B (zh) * 2015-12-01 2020-01-10 宁波舜宇光电信息有限公司 具有缓冲结构的电气支架及摄像模组
CN107808888B (zh) * 2017-10-25 2020-12-01 积高电子(无锡)有限公司 一种cmos图像传感器的封装工艺
CN109729240B (zh) * 2017-10-27 2020-12-18 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其扩展布线封装感光组件和电子设备
EP3534292A4 (de) * 2017-11-09 2020-07-22 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Optisches modul und verarbeitungsverfahren dafür sowie endgerätevorrichtung
KR102073956B1 (ko) * 2017-11-29 2020-02-05 삼성전자주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
WO2019217516A1 (en) * 2018-05-08 2019-11-14 Eastern Blue Technologies, Inc. Module and methods of assembly for large area flat panel detectors
KR101967261B1 (ko) * 2018-05-28 2019-08-13 테라셈 주식회사 이미지 센서 패키지 및 이것의 제조 방법
US11177301B2 (en) 2018-11-19 2021-11-16 UTAC Headquarters Pte. Ltd. Reliable semiconductor packages
CN109544977B (zh) * 2018-12-27 2020-10-16 东南大学 一种智能停车管理系统及方法
CN111866323A (zh) * 2019-04-30 2020-10-30 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其感光组件、电子设备和制备方法
CN112399037B (zh) * 2019-08-15 2022-04-05 宁波舜宇光电信息有限公司 感光组件、摄像模组及其制作方法
WO2021095193A1 (ja) * 2019-11-14 2021-05-20 株式会社ティエーブル イメージセンサモジュール、及び、イメージセンサモジュールの製造方法
US20220093664A1 (en) * 2020-09-20 2022-03-24 UTAC Headquarters Pte. Ltd. Reliable semiconductor packages
EP4235769A4 (de) * 2020-10-22 2024-04-03 Sony Semiconductor Solutions Corporation Bildgebungsvorrichtung, elektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung der bildgebungsvorrichtung
US20240120355A1 (en) 2022-10-05 2024-04-11 Semiconductor Components Industries, Llc Black mask on glass systems and related methods

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19816309B4 (de) * 1997-04-14 2008-04-03 CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH Verfahren zur Direktmontage von Silizium-Sensoren und danach hergestellte Sensoren
US6117705A (en) * 1997-04-18 2000-09-12 Amkor Technology, Inc. Method of making integrated circuit package having adhesive bead supporting planar lid above planar substrate
IL123207A0 (en) * 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
IL133453A0 (en) * 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US6492699B1 (en) * 2000-05-22 2002-12-10 Amkor Technology, Inc. Image sensor package having sealed cavity over active area
EP1246235A1 (de) * 2001-03-26 2002-10-02 European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. Verfahren zum Einkapseln eines Chips mit empfindlicher Oberfläche
JP2002359346A (ja) * 2001-05-30 2002-12-13 Sharp Corp 半導体装置および半導体チップの積層方法
KR100476558B1 (ko) * 2002-05-27 2005-03-17 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정
US6906403B2 (en) * 2002-06-04 2005-06-14 Micron Technology, Inc. Sealed electronic device packages with transparent coverings
US6995462B2 (en) * 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages
US20050077603A1 (en) * 2003-10-08 2005-04-14 Dylan Yu Method and structure for a wafer level packaging
TWM264775U (en) * 2004-10-21 2005-05-11 Chipmos Technologies Inc Image sensor with multi chip module

Also Published As

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