DE102006013812A1 - Dünnfilmkondensator und Verfahren zur Herstellung desselben, elektronische Anordnung und Leiterplatte - Google Patents

Dünnfilmkondensator und Verfahren zur Herstellung desselben, elektronische Anordnung und Leiterplatte Download PDF

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DE102006013812A1
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capacitor
electrode
barrier film
conductive barrier
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Kazuaki Kawasaki Kurihara
Takeshi Kawasaki Shioga
John David Kawasaki Baniecki
Masatoshi Kawasaki Ishii
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

Der Dünnfilmkondensator umfasst einen Kondensatorteil 20, der über einem Basissubstrat 10 gebildet ist und eine erste Kondensatorelektrode 14, einen über der ersten Kondensatorelektrode 14 gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm 16 und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildete zweite Kondensatorelektrode 18 enthält; herausführende Elektroden 26a, 26b, die aus der ersten Kondensatorelektrode 14 oder der zweiten Kondensatorelektrode 18 herausgeführt werden und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet sind, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; und Außenanschlusselektroden 34a, 34b zum Verbinden mit der Außenseite, die mit den herausführenden Elektroden 26a, 26b verbunden sind.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Dünnfilmkondensator und ein Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, und auf eine elektronische Anordnung und eine Leiterplatte.
  • Im Allgemeinen werden Entkopplungskondensatoren nahe bei einer LSI (Großintegrationsschaltung), etc., montiert, die auf einer Leiterplatte montiert ist, um so Fehlbetriebe aufgrund von Quellenspannungsvariationen und eines Hochfrequenzrauschens zu verhindern.
  • Die Entkopplungskondensatoren werden auf einem Substrat gebildet, das von der Leiterplatte getrennt ist, und werden auf der Leiterplatte geeignet montiert.
  • Da in letzter Zeit die LSI, etc., eine höhere Betriebsgeschwindigkeit und einen niedrigeren elektrischen Energieverbrauch aufweisen, müssen die Entkopplungskondensatoren verbesserte Charakteristiken zeigen. Wenn die Größe der LSI, etc., verringert wird, muss auch die Größe der Entkopplungskondensatoren verringert werden.
  • Dann werden Techniken vorgeschlagen, um die Anforderung der Verringerung der Größe der Entkopplungskondensatoren zu erfüllen, während die Kapazität erhöht wird.
  • Ein vorgeschlagener Kondensator wird mit Bezugnahme auf 35 erläutert. 35 ist eine Schnittansicht des vorgeschlagenen Kondensators.
  • Ein Siliciumoxidfilm 122, wie in 22A und 22B veranschaulicht, wird auf einem Siliciumsubstrat 110 gebildet. Auf dem Siliciumoxidfilm 112 werden Kondensatorelektroden (untere Elektroden) 114 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet. Auf den Kondensatorelektroden 114 wird ein 100 nm dicker dielektrischer Kondensatorfilm 116 z.B. aus einem BaxSr1-xTiO3-Film gebildet (hier im Nachstehenden auch "BST-Film" genannt), der eine hoch dielektrische Substanz ist. Auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 116 werden Kondensatorelektroden (obere Elektroden) 118 aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet. So werden Kondensatorteile 120 jeweils aus der Kondensatorelektrode 114, dem dielektrischen Kondensatorfilm 116 und der Kondensatorelektrode 118 gebildet.
  • Auf dem Siliciumsubstrat 110 mit den darauf gebildeten Kondensatorteilen 120 wird ein isolierender Barrierefilm 122 gebildet. Der isolierende Barrierefilm 122 dient dazu zu verhindern, dass Wasserstoff oder Wasser die Kondensatorteile 120 erreicht.
  • Das heißt, wenn bei der Herstellung oder Verwendung der Dünnfilmkondensatoren Wasserstoff oder Wasser den dielektrischen Kondensatorfilm 116 erreicht, besteht ein Risiko, dass das den dielektrischen Kondensatorfilm 116 bildende Oxid mit dem Wasserstoff reduziert wird, und die elektrischen Charakteristiken der Kondensatorteile 120 können verschlechtert werden. Bei dem in 22 veranschaulichten Dünnfilmkondensator wird der isolierende Barrierefilm 122 gebildet, wobei er die Kondensatorteile 120 bedeckt, wodurch verhindert wird, dass Wasserstoff oder Wasser den dielektrischen Kondensatorfilm 116 erreicht.
  • Auf dem isolierenden Barrierefilm 122 wird ein Schutzfilm 130 z.B. aus einem Harz gebildet. In dem Schutzfilm 130 und dem isolierenden Barrierefilm 122 werden Öffnungen 132a und Öffnungen 132b jeweils abwärts zu den Kondensatorelektroden 114 und den Kondensatorelektroden (oberen Elektroden) 118 gebildet. Elektroden 134a, 134b für eine Verbindung mit der Außenseite werden jeweils in den Öffnungen 132a, 132b vergraben. Lötkontakthöcker 136 werden an den Außenanschlusselektroden 134a, 134b gebildet.
  • Die Kondensatorelektroden 114 der Kondensatorteile 120 werden mit der Energiequellenleitung z.B. der Leiterplatte (nicht veranschaulicht) über die Außenanschlusselektroden 134a und die Lötkontakthöcker 136 elektrisch verbunden. Die Kondensatorelektroden 118 der Kondensatorteile 120 werden mit der Erdleitung z.B. der Leiterplatte (nicht veranschaulicht) über die Außenanschlusselektroden 134b und die Lötkontakthöcker 136 elektrisch verbunden.
  • Der in 22A und 22B veranschaulichte Dünnfilmkondensator weist den dielektrischen Kondensatorfilm 116 auf, der aus dem hoch dielektrischen Material gebildet ist und nur etwa 100 nm dünn gebildet ist, und die Kapazität kann verbessert werden. Ferner kann der Dünnfilmkondensator durch den Halbleiterprozess gebildet werden, und kann mikronisiert gebildet werden. Die Induktanz kann verringert werden. So kann der vorgeschlagene Dünnfilmkondensator sicher die Quellenspannungsvariation verhindern, und kann das Hochfrequenzrauschen ausreichend entfernen.
  • Die folgenden Literaturstellen offenbaren die Hintergrundtechnik der vorliegenden Erfindung.
  • [Patentverweis 1]
    • Spezifikation der Japanischen ungeprüften Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. Hei 11-97289
  • [Patentverweis 2]
    • Spezifikation der Japanischen ungeprüften Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2000-228499
  • [Patentverweis 3]
    • Spezifikation des Japanischen Patents Nr. 3157734
  • [Patentverweis 4]
    • Spezifikation der Japanischen ungeprüften Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. Hei 9-293869
  • [Patentverweis 5]
    • Spezifikation der Japanischen ungeprüften Patentanmel dungsveröffentlichung Nr. 2002-110931
  • Bei dem in 22A und 22B veranschaulichten Dünnfilmkondensator kann jedoch nicht verhindert werden, dass Wasserstoff oder Wasser den dielektrischen Kondensatorfilm 116 über die Außenanschlusselektroden 134a, 134b erreicht. Der dielektrische Kondensatorfilm 116 wird in einem bestimmten Ausmaß reduziert, und es können nicht immer ausreichend zufriedenstellende elektrische Charakteristiken erhalten werden.
    •
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Dünnfilmkondensator, der sicher die Reduktion des dielektrischen Kondensatorfilms mit Wasserstoff oder Wasser verhindern kann, und ein Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, und eine elektronische Anordnung und eine Leiterplatte unter Verwendung des Dünnfilmkondensators vorzusehen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Dünnfilmkondensator vorgesehen, mit: einem Kondensatorteil, der über einem Basissubstrat gebildet ist und eine erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; einer herausführenden Elektrode, die aus der ersten Kondensatorelektrode oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; und einer Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden ist.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmkondensators vorgesehen, welches die Schritte umfasst: Bilden, über einem Basissubstrat, eines Kondensatorteils, der eine erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; Bilden einer herausführenden Elektrode, die aus der ersten Kondensatorelektrode oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet wird, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; und Bilden einer Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode verbunden ist.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine elektronische Anordnung vorgesehen, mit: einer Leiterplatte; einem auf der Leiterplatte montierten Dünnfilmkondensator, wobei der Dünnfilmkondensator einen Kondensatorteil umfasst, der eine über einem Basissubstrat gebildete erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; einer herausführenden Elektrode, die aus der ersten oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; und einer Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode verbunden ist; und einer Halbleiteranordnung, die auf der Leiterplatte montiert ist.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine elektronische Anordnung vorgesehen, mit: einer Leiterplatte; einem auf der Leiterplatte montierten Dünnfilmkondensator, wobei der Dünnfilmkondensator einen Kondensatorteil umfasst, der eine über einem Basissubstrat gebildete erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; einer herausführenden Elektrode, die aus der ersten oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; einer Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode verbunden ist; und einer Durchgangselektrode, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden ist und durch das Basissubstrat hindurch gebildet ist; und einer Halbleiteranordnung, die auf dem Dünnfilmkondensator montiert und mit der Leiterplatte über die Außenanschlusselektrode und die Durchgangselektrode elektrisch verbunden ist.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Leiterplatte mit einem darin eingebauten Dünnfilmkondensator vorgesehen, bei welcher der Dünnfilmkondensator umfasst: eine über einem Basissubstrat gebildete erste Kondensatorelektrode; einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm; eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode; eine herausführende Elektrode, die aus der ersten oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird, und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; und eine Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode verbunden ist; und die Außenanschlusselektrode ist mit einer in dem Schaltungssubstrat gebildeten Zwischenverbindung elektrisch verbunden.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Leiterplatte mit einem darin eingebauten Dünnfilmkondensator vorgesehen, bei welcher der Dünnfilmkondensator umfasst: einen Kondensatorteil, der eine über einem Basissubstrat gebildete erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; eine herausführende Elektrode, die aus der ersten oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird, und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; eine Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode verbunden ist; und eine Durchgangselektrode, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden und durch das Basissubstrat hindurch gebildet ist; und die Durchgangselektrode ist mit einer in dem Schaltungssubstrat gebildeten Zwischenverbindung elektrisch verbunden.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Dünnfilmkondensator vorgesehen, mit: einem Kondensatorteil, der über einem Basissubstrat gebildet ist, und eine erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; einem ersten leitenden Barrierefilm, der über der ersten Kondensatorelektrode gebildet ist und die Diffusion von Wasserstoff und Wasser verhindert; einem zweiten leitenden Barrierefilm, der über der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist und die Diffusion von Wasserstoff und Wasser verhindert; einem Isolierfilm, der über den Kondensatorteil gebildet ist, wobei er den ersten leitenden Barrierefilm und den zweiten leiten den Barrierefilm bedeckt; einer ersten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die in dem Isolierfilm vergraben und mit der ersten Kondensatorelektrode über den ersten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist; und einer zweiten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die in dem Isolierfilm vergraben und mit der zweiten Kondensatorelektrode über den zweiten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Dünnfilmkondensator vorgesehen, mit: einer ersten Kondensatorelektrode, die über einem Basissubstrat gebildet ist; einem ersten leitenden Barrierefilm, der über der ersten Kondensatorelektrode gebildet ist und die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; einem dielektrischen Kondensatorfilm, der über dem ersten leitenden Barrierefilm gebildet ist; einer zweiten Kondensatorelektrode, die über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildet ist; einem zweiten leitenden Barrierefilm, der über der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist und die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; einem Isolierfilm, der über der ersten Kondensatorelektrode und der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist; einer ersten Außenananschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die in dem Isolierfilm vergraben und mit der ersten Kondensatorelektrode über den ersten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist; und einer zweiten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die in der Isolierschicht vergraben und mit der zweiten Kondensatorelektrode über den zweiten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmkondensators vorgesehen, welches die Schritte umfasst: Bilden, über einem Basissubstrat, eines Kondensatorteils, der eine erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; Bilden, über der ersten Kondensatorelektrode, eines ersten leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert, und Bilden, über der zweiten Kondensatorelektrode, eines zweiten leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; Bilden eines Isolierfilms über dem Kondensatorteil, der die erste leitende Schicht und die zweite leitende Schicht bedeckt; und Vergraben, in dem Isolierfilm, einer ersten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der ersten Kondensatorelektrode über den ersten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist, und einer zweiten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der zweiten Kondensatorelektrode über den zweiten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmkondensators vorgesehen, welches die Schritte umfasst: Bilden einer ersten Kondensatorelektrode über einem Basissubstrat; Bilden, über einer ersten Kondensatorelektrode, eines ersten leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; Bilden eines dielektrischen Kondensatorfilms über dem ersten leitenden Barrierefilm; Bilden einer zweiten Kondensatorelektrode über dem dielektrischen Kondensatorfilm; Bilden, über der zweiten Kondensatorelektrode, eines zweiten leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; Bilden eines Isolierfilms über dem ersten leitenden Barrierefilm und dem zweiten leitenden Barrierefilm; und Vergraben, in dem Isolierfilm, einer ersten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der ersten Kondensatorelektrode über den ersten leitenden Barrierefilm verbunden ist, und einer zweiten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der zweiten Kondensatorelektrode über den zweiten leitenden Barrierefilm verbunden ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung sind die Kondensatorelektroden und die Außenanschlusselektroden über die herausführenden Elektroden des leitenden Barrierefilms miteinander verbunden, wodurch Wasserstoff oder Wasser, die über die Außenanschlusselektroden eindringen, durch die herausführenden Elektroden ausreichend blockiert wird, damit diese nicht die Kondensatorelektroden erreichen, und die Verschlechterung des dielektrischen Kondensatorfilms aufgrund von Wasserstoff oder Wasser kann verhindert werden. So kann die vorliegende Erfindung einen Dünnfilmkondensator, der die Verschlechterung der elektrischen Charakteristiken und der Zuverlässigkeit verhindern kann, und ein Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, und eine elektronische Anordnung und eine Leiterplatte unter Verwendung des Dünnfilmkondensators vorsehen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der erste leitende Barrierefilm zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser auf den ersten Kondensatorelektroden gebildet, und auf den zweiten Kondensatorelektroden wird der zweite leitende Barrierefilm zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser gebildet. Die ersten Außenanschlusselektroden werden mit den ersten Kondensatorelektroden über den ersten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden, und die zweiten Außenanschlusselektroden werden mit den zweiten Kondensatorelektroden über den zweiten leitenden Barrierefilm verbunden. So kann verhindert werden, dass Wasserstoff oder Wasser den dielektrischen Kondensatorfilm über die ersten Außenanschlusselektroden und die zweiten Außenan schlusselektroden erreicht.
    •
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1A und 1B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2A bis 2D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 1).
  • 3A bis 3C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 2).
  • 4A bis 4C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 3).
  • 5A und 5B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 6A bis 6D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 1).
  • 7A bis 7C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 2).
  • 8A bis 8C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 3).
  • 9A und 9B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 10A bis 10D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 1).
  • 11A bis 11C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 2).
  • 12A bis 12C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 3).
  • 13A und 13B sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 4).
  • 14 ist eine Schnittansicht des Dünnfilmkondensators gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 15A bis 15C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 1).
  • 16A bis 16C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 2).
  • 17 ist eine Schnittansicht des Dünnfilmkondensators gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 3).
  • 18 ist eine Schnittansicht der elektronischen Anordnung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 19 ist eine Schnittansicht der elektronischen Anordnung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 20 ist eine Schnittansicht der elektronischen Anordnung gemäß einer siebenten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 21 ist eine Schnittansicht der elektronischen Anordnung gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 22A und 22B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 23A bis 23D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 1).
  • 24A bis 24D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 2).
  • 25 ist eine Schnittansicht des Dünnfilmkondensators gemäß der neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 3).
  • 26A und 26B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß einer zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 27A bis 27D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 1).
  • 28A und 28B sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 2).
  • 29A und 29B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß einer elften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 30A bis 30D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der elften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 1).
  • 31A und 31B sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der elften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 2).
  • 32A und 32B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 33A bis 33D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der zwölften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 1).
  • 34A bis 34D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der zwölften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen (Teil 2).
  • 35 ist eine Schnittansicht des vorgeschlagenen Dünnfilmkondensators.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • [Eine erste Ausführungsform]
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators werden mit Bezugnahme auf 1A bis 4C erläutert. 1A und 1B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Erfindung. 1A ist die Schnittansicht entlang der Linie A-A' in 1B.
  • (Der Dünnfilmkondensator)
  • Zuerst wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 1A und 1B erläutert.
  • Ein Isolierfilm 12 wird auf einem Basissubstrat 10 gebildet, wie in 1A und 1B veranschaulicht. Das Basissubstrat 10 ist z.B. ein Halbleitersubstrat, spezifischer ein Siliciumsubstrat. Als Isolierfilm 12 wird beispielsweise ein Siliciumoxidfilm gebildet. Der Isolierfilm 12 dient zum Isolieren des Basissubstrats 10 und der Kondensatorteile 20 gegeneinander, die im Nachstehenden beschrieben werden.
  • Eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) wird auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Als Adhäsionsschicht wird beispielsweise eine 100 nm dicke Titanoxid (TiO2)-Schicht gebildet.
  • Auf der Adhäsionsschicht werden Kondensatorelektroden (untere Elektroden) aus einer 100 nm dicken Platin (Pt)-Schicht gebildet. Öffnungen 15 werden in den Kondensatorelektroden 14 abwärts zum Isolierfilm 12 gebildet.
  • Ein dielektrischer Kondensatorfilm 16 wird auf den Kondensatorelektroden 14 gebildet. Der dielektrische Kondensatorfilm 16 wird z.B. aus einem Material mit hoher dielektrischer Konstante gebildet. Spezifischer wird ein polykristalliner BaxSr1-xTiO3-Film (hier im Nachstehenden auch "BST"-Film genannt) als dielektrischer Kondensatorfilm 16 verwendet. Die Dicke des dielektrischen Kondensatorfilms 16 beträgt z.B. 100 nm. Öffnungen 17 werden in dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet, die den in den Kondensatorelektroden 14 gebildeten Öffnungen 15 entsprechen. Der Durchmesser der Öffnungen 17 ist größer als der Durchmesser der Öffnungen 15.
  • Auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 werden Kondensatorelektroden (obere Elektroden) 18 auf einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet. Öffnungen 19 werden in den Kondensatorelektroden 18 gebildet, die den Öffnungen 15, 17 entsprechen. Der Durchmesser der Öffnungen 19 ist größer als der Durchmesser der Öffnungen 17.
  • So werden Kondensatorteile gebildet, die jeweils die Kondensatorelektroden 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektroden 18 enthalten.
  • Auf dem Basissubstrat 10 mit den darauf gebildeten Kondensatorteilen 20 wird ein isolierender Barrierefilm 22 gebildet, um die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser zu verhindern. Der Barrierefilm 22 wird gebildet, wobei er die Kondensatorteile 20 bedeckt. Der isolierende Barrierefilm 22 verhindert, dass das Wasserstoffgas, etc., das während der Aushärtung eines im Nachstehenden beschriebenen Schutzfilms 30 und bei der Bildung von Elektroden 34a, 34b zur Verbindung mit der Außenseite durch Elektroplattieren generiert wird, die Kondensatorteile 20 erreicht, im Zusammenwirken mit einem isolierenden Barrierefilm 28 und einem leitenden Barrierefilm 26a, 26b. Der isolierende Barrierefilm 22 ist aus dem amorphen Film desselben Materials wie z.B. der dielektrische Kondensatorfilm 16 gebildet. In der vorliegenden Ausführungsform ist der dielektrische Kondensatorfilm 16 aus einem BST-Film gebildet, und der isolierende Barrierefilm 22 ist aus einem amorphen BST-Film gebildet. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 22 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist der isolierende Barrierefilm 22 aus dem folgenden Grund aus einem amorphen Film gebildet. Das heißt, der polykristalline Film hat Lücken unter Körnern, d.h. Korngrenzen, und Wasserstoff oder Wasser tendiert dazu, durch die Lücken unter den Körnern hindurchzugehen. Im Gegensatz dazu hat der amorphe Film keine Korngrenzen, und Wasserstoff oder Wasser kann nicht leicht durch den amorphen Film hindurchgehen. Aus diesem Grund ist der isolierende Barrierefilm 22 in der vorliegenden Ausführungsform aus einem amorphen Film gebildet.
  • Der isolierende Barrierefilm 22 ist aus dem folgenden Grund aus einem amorphen Film desselben Materials wie der dielektrische Kondensatorfilm 16 gebildet. Das heißt, wenn der isolierende Barrierefilm 22 aus einem anderen Material als dem Material des dielektrischen Kondensatorfilms 16 gebildet ist, besteht ein Risiko, dass eine Beanspruchung aufgrund einer Differenz zwischen dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des isolierenden Barrierefilms 22 und dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des dielektrischen Kondensatorfilms 16 auf die Kondensatorteile 20 ausgeübt werden kann. Wenn im Gegensatz dazu der isolierende Barrierefilm 22 aus einem amorphen Film desselben Materials wie der dielektrische Kondensatorfilm 16 gebildet ist, kann die Ausübung der Beanspruchung verhindert werden, da der Wärmeausdehnungskoeffizient des isolierenden Barrierefilms 22 und der Wärmeausdehnungskoeffizient des dielektrischen Kondensatorfilms 16 gleich sind. Aus diesem Grund ist in der vorliegenden Ausführungsform der isolierende Barrierefilm 22 aus einem amorphen Film desselben Materials wie der dielektrische Kondensatorfilm 16 gebildet.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist der isolierende Barrierefilm 22 aus einem amorphen Film desselben Materials gebildet wie der dielektrische Kondensatorfilm 16. Der isolierende Barrierefilm 22 kann jedoch aus einem anderen Material gebildet werden als jenem des dielektrischen Kondensatorfilms 16.
  • In dem isolierenden Barrierefilm 22 sind Öffnungen 24a zum Freilegen der Innenränder der Kondensatorelektroden 14 und des Isolierfilms 12, und Öffnungen 24b zum teilweisen Freilegen der Kondensatorelektroden 18 gebildet. Die Distanz zwischen den Öffnungen 24b und den Außenanschlusselektroden 34b ist z.B. auf 5 μm oder mehr eingestellt. Die Distanz zwischen den Öffnungen 24b und den Außenanschlusselektroden 34b ist auf 5 μm oder mehr eingestellt, so dass, wie im Nachstehenden beschrieben wird, Wasserstoff oder Wasser, die über die Außenanschlusselektroden 34b eindringen, durch herausführende Elektroden 26b sicher daran gehindert wird, die Kondensatorteile 20 erreichen.
  • Auf dem Isolierfilm 12 und den Kondensatorelektroden 14 in den Öffnungen 24a sind herausführende Elektroden 26a, die die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindern, aus einem leitenden Barrierefilm gebildet. Auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und in den Öffnungen 24b sind herausführende Elektroden 26b, die die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindern, aus dem leitenden Barrierefilm gebildet. Das heißt, die herausführenden Elektroden 26b sind mit den Kondensatorelektroden 18 über die Öffnungen 24b verbunden. Der leitende Barrierefilm, der die herausführenden Elektroden 26a, 26b bildet, ist z.B. ein amorpher TaSiN-Film. Die Filmdicke der herausführenden Elektroden 26a, 26b beträgt z.B. etwa 100 nm.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind die herausführenden Elektroden 26a, 26b aus dem folgenden Grund aus einem amorphen Film gebildet. Das heißt, der polykristalline Film hat Lücken unter Körnern, d.h. Korngrenzen, und Wasserstoff oder Wasser tendiert dazu, durch die Lücken unter den Körnern hindurchzugehen. Im Gegensatz dazu hat der amorphe Film keine Korngrenzen, und Wasserstoff oder Wasser kann nicht leicht durch den amorphen Film hindurchgehen. Aus diesem Grund ist, in der vorliegenden Ausführungsform, der leitende Barrierefilm, der die herausführenden Elektroden 26a, 26b bildet, ein amorpher Film.
  • Ferner ist ein isolierender Barrierefilm 28 auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und den herausführenden Elektroden 26a, 26b gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein amorpher Aluminiumoxid (Alumina, Al2O3)-Film. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm. Der isolierende Barrierefilm 22 verhindert, dass das Wasserstoffgas, etc., das während der Aushärtung des im Nachstehenden beschriebenen Schutzfilms 30 und bei der Bildung der Elektroden 34a, 34b zur Verbindung mit der Außenseite durch Elektroplattieren generiert wird, die Kondensatorteile 20 erreicht, im Zusammenwirken mit dem isolierenden Barrierefilm 22 und dem leitenden Barrierefilm 26a, 26b.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist der isolierende Barrierefilm 28 ein amorpher Film aus demselben Grund, der oben dafür beschrieben ist, warum der isolierende Barrierefilm 22 ein amorpher Film ist.
  • Auf dem isolierenden Barrierefilm 28 ist ein Schutzfilm 30 z.B. aus einem lichtempfindlichen Polyimidharz gebildet. Die Dicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. 2 μm.
  • Öffnungen 32a, 32b sind in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a, 26b gebildet.
  • Ein Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem Titan (Ti)-Film und einem Kupfer (Cu)-Film, die sequentiell gelegt sind, wird in den Öffnungen 32a, 32b gebildet. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht.
  • Elektroden (Kontaktstellenelektroden) zur Verbindung mit der Außenseite 34a, 34b sind aus Ni (Nickel) in den Öffnungen 32a, 32b mit dem darin gebildeten Schichtfilm gebildet.
  • Auf den Außenanschlusselektroden 34a, 34b sind Lötkontakthöcker 36 z.B. aus einem auf Sn-Ag basierenden Material gebildet.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform gebildet.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass die Kondensatorelektroden 14, 18 mit den herausführenden Elektroden 26a, 26b des leitenden Barrierefilms verbunden sind, die die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindern, und die herausführenden Elektroden 26a, 26b, die aus den Kondensatorelektroden 14, 18 herausgeführt werden, mit den Außenanschlusselektroden 34a, 34b verbunden sind.
  • Da der leitende Barrierefilm einfach sandwichartig zwischen den Außenanschlusselektroden und den Kondensatorelektroden angeordnet ist, entspricht die Distanz, entlang welcher über die Außenanschlusselektroden eindringender Wasserstoff oder Wasser die Kondensatorteile erreicht, der Filmdicke des leitenden Barrierefilms. Die Filmdicke des leitenden Barrierefilms beträgt üblicherweise nur etwa 100 nm. Da der leitende Barrierefilm einfach sandwichartig zwischen den Außenanschlusselektroden und den Kondensatorelektroden angeordnet ist, besteht ein Risiko, dass über die Außenanschlusselektroden eindringender Wasserstoff oder das Wasser nicht ausreichend blockiert werden kann und den dielektrischen Kondensatorfilm erreicht, und die elektrischen Charakteristiken und die Zuverlässigkeit können verschlechtert werden.
  • Im Gegensatz dazu ist, in der vorliegenden Ausführungsform, bei welcher die Kondensatorelektroden 14, 16 und die Außenanschlusselektroden 26a, 26b über die herausführenden Elektroden 26a, 26b verbunden sind, die aus dem leitenden Barrierefilm gebildet sind, die Distanz, entlang welcher über die Außenanschlusselektroden 34a, 36b eindringender Wasserstoff oder Wasser die Kondensatorelektroden 14, 16 erreicht, die Distanz von den Verbindungen zwischen den Außenanschlusselektroden 34a, 34b und den herausführenden Elektroden 26a, 26b zu den Verbindungen zwischen den Kondensatorelektroden 14, 18 und den herausführenden Elektroden 26a, 26b. Da die Kondensatorelektroden 14, 18 und die Außen anschlusselektroden 34a, 34b über die herausführenden Elektroden 26a, 26b miteinander verbunden sind, kann die Distanz von der Verbindung zwischen den Außenanschlusselektroden 34a, 34b und den herausführenden Elektroden 26a, 26b zu der Verbindung zwischen den Kondensatorelektroden 14, 18 und den herausführenden Elektroden 26a, 26b so groß eingestellt werden, dass sie einige μm bis hunderte μm beträgt. Demgemäß kann, in der vorliegenden Ausführungsform, bei der die Kondensatorelektroden 14, 18 und die Außenanschlusselektroden 34a, 34b über die herausführenden Elektroden 26a, 26b miteinander verbunden sind, die aus dem leitenden Barrierefilm gebildet sind, über die Außenanschlusselektroden eindringender Wasserstoff oder Wasser von den herausführenden Elektroden 26a, 26b ausreichend blockiert werden. So kann gemäß der vorliegenden Erfindung sicher verhindert werden, dass Wasserstoff oder Wasser die Kondensatorteile 20 erreicht, und die Verschlechterung des dielektrischen Kondensatorfilms 16 aufgrund von Wasserstoff oder Wasser kann verhindert werden. Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die Verschlechterung der elektrischen Charakteristiken und der Zuverlässigkeit verhindern.
  • (Das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators)
  • Dann wird das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 2A bis 4C erläutert. 2A bis 4C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen.
  • Zuerst wird das Basissubstrat 10 mit dem darauf gebildeten Isolierfilm 12 hergestellt. Das Basissubstrat 10 ist z.B. ein Halbleitersubstrat. Spezifischer ist das Basissub strat 10 z.B. ein Siliciumsubstrat, und beispielsweise wird ein Siliciumoxidfilm als Isolierfilm 12 gebildet.
  • Dann wird das Basissubstrat 10 in die Filmbildungskammer eines Sputter-Systems (nicht veranschaulicht) geladen. Das Sputter-System ist z.B. ein Sputter-System des Multitarget-Magnetrontyps.
  • Dann wird eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus einem 100 nm dicken TiO2-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Dann wird der Leiterfilm 14 zur Bildung der Kondensatorelektroden (unteren Elektroden) durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der Leiterfilm 14 ist z.B. ein Pt-Film. Die Filmdicke des Leiterfilms 14 beträgt z.B. 100 nm.
  • Dann wird der dielektrische Kondensatorfilm 16 durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der dielektrische Kondensatorfilm 16 ist z.B. ein polykristalliner BST-Film. Die Filmdicke des dielektrischen Kondensatorfilms 16 beträgt z.B. 100 nm.
  • Dann wird der Leiterfilm 18 zur Bildung der Kondensatorelektroden (oberen Elektroden) durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der Leiterfilm 18 ist z.B. ein Pt-Film. Die Filmdicke des Leiterfilms 18 beträgt z.B. 100 nm (siehe 1A).
  • Dann wird das Basissubstrat 10 aus der Filmbildungskammer des Sputter-Systems entladen.
  • Dann wird ein Photoresistfilm (nicht veranschaulicht) durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Dann wird der Photoresistfilm durch Photolithographie in die planare Form der Kondensatorelektroden (oberen Elektroden) 18 gemustert (siehe 1A und 1B).
  • Als Nächstes wird, mit dem Photoresistfilm als Maske, der Leiterfilm 18 durch Ionenmilling gemustert (siehe 2B). So werden die Kondensatorelektroden (oberen Elektroden) 18 mit den abwärts zum dielektrischen Film 16 gebildeten Öffnungen 19 gebildet.
  • Als Nächstes wird ein Photoresistfilm (nicht veranschaulicht) durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Dann wird, durch Photolithographie, der Photoresistfilm in die planare Form des dielektrischen Kondensatorfilms 16 gemustert (siehe 1A und 1B).
  • Dann wird, mit dem Photoresistfilm als Maske, der dielektrische Film 16 durch Ionenmilling gemustert (siehe 2C). So werden die Öffnungen 17 in dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 abwärts zum Leiterfilm 14 gebildet.
  • Dann wird ein Photoresistfilm (nicht veranschaulicht) durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Dann wird der Photoresistfilm durch Photolithographie in die planare Form der Kondensatorelektroden (unteren Elektroden) 14 gemustert (siehe 1A und 1B).
  • Als Nächstes wird, mit dem Photoresistfilm als Maske, der Leiterfilm 14 durch Ionenmilling gemustert. So werden die Kondensatorelektroden (unteren Elektroden) 14 mit den abwärts zum Isolierfilm 12 gebildeten Öffnungen 15 gebildet.
  • So werden die Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten (siehe 2D).
  • In der vorliegenden Ausführungsform werden die Kondensatorelektroden 14, der dielektrische Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektroden 18 aus dem folgenden Grund kontinuierlich fest gebildet, und dann werden die Kondensatorelektroden 18, der dielektrische Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektroden 14 sequentiell gemustert.
  • Das heißt, wenn jedes Mal, wenn die Kondensatorelektroden 14, der dielektrische Kondensatorfilm 16 und die Konden satorelektroden 18 jeweils gebildet werden, die Filme jeweils gemustert werden, können die Herstellungsausbeute und die Zuverlässigkeit der Kondensatorteile 20 aufgrund von Staub und Feinstoffen verringert werden, die bei jedem Mustern generiert werden. Im Gegensatz dazu besteht, indem die Kondensatorelektroden 14, der dielektrische Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektroden 18 kontinuierlich fest gebildet werden, und indem dann die Kondensatorelektroden 18, der dielektrische Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektroden 14 sequentiell gemustert werden, kein Risiko einer Verringerung der Herstellungsausbeute und einer Verringerung der Zuverlässigkeit aufgrund von Staub und Feinstoffen. Demgemäß werden, bei der vorliegenden Ausführungsform, die Kondensatorelektroden 14, der dielektrische Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektroden 18 kontinuierlich fest gebildet, und dann werden die Kondensatorelektroden 18, der dielektrische Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektroden 14 sequentiell gemustert.
  • Dann wird der isolierende Barrierefilm 22 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff und Wasser durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der isolierende Barrierefilm 22 ist z.B. ein amorpher BST-Film. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 22 beträgt z.B. 50 nm.
  • Als Nächstes werden die Öffnungen 24a zum Freilegen der Kondensatorelektroden 14 und des Isolierfilms 12, und die Öffnungen 24b zum teilweisen Freilegen der Kondensatorelektroden 18 in dem isolierenden Barrierefilm 22 gebildet. Die Öffnungen 24a werden gebildet, wobei die Innenränder der Kondensatorelektroden 14, d.h. die peripheren Ränder der Öffnungen 15 der Kondensatorelektroden 14, freigelegt werden (siehe 3A).
  • Dann wird, auf der gesamten Oberfläche, durch Sputtern der leitende Barrierefilm zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser gebildet. Der leitende Barrierefilm ist z.B. ein amorpher TaSiN-Film. Die Filmdicke des leitenden Barrierefilms beträgt z.B. 100 nm.
  • Dann wird der Leiterfilm durch Photolithographie gemustert. So werden die herausführenden Elektroden 26a des leitenden Barrierefilms auf dem Isolierfilm 12 in der Öffnung 24a und auf den Kondensatorelektroden 14 gebildet. Auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und in den Öffnungen 24b werden die herausführenden Elektroden 26b des leitenden Barrierefilms gebildet (siehe 3B).
  • Als Nächstes wird der isolierende Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff und Wasser durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein amorpher Aluminiumoxid (Alumina)-Film. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm (siehe 3C).
  • Als Nächstes wird der Schutzfilm 30 z.B. durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der Schutzfilm 30 ist z.B. aus einem lichtempfindlichen Polyimidharz gebildet. Die Filmdicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 2 μm.
  • Dann werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 durch Photolithographie abwärts zum isolierenden Barrierefilm 28 gebildet (siehe 4A).
  • Als Nächstes wird der in den Öffnungen 32a, 32b freigelegte isolierende Barrierefilm 28 abgeätzt. So werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a, 26b gebildet (siehe 4B).
  • Dann werden ein Ti-Film (nicht veranschaulicht) und ein Cu-Film (nicht veranschaulicht) sequentiell z.B. durch Sputtern gelegt, um den Schichtfilm zu bilden. Der Schicht film dient als Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht). Der Schichtfilm dient auch als Keimschicht für das Elektroplattieren in einem späteren Schritt.
  • Dann wird ein Photoresistfilm (nicht veranschaulicht) durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Dann werden Öffnungen (nicht veranschaulicht) durch Photolithographie in dem Photoresistfilm gebildet. Die Öffnungen dienen zur Bildung der Außenanschlusselektroden (Kontaktstellenelektroden) 34a, 34b.
  • Dann werden, durch Elektroplattieren, die Außenanschlusselektroden 34a, 34b z.B. aus Ni in den Öffnungen 32a, 32b und auf dem Schutzfilm 30 rund um die Öffnungen 32a, 32b gebildet.
  • Dann werden die Lötkontakthöcker 36 durch Elektroplattieren z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis gebildet. Dann wird der Photoresistfilm abgetrennt.
  • Als Nächstes wird der rund um die Außenanschlusselektroden 34a, 34b freiliegende Schichtfilm durch Nassätzen entfernt.
  • Dann werden, durch einen Aufschmelzofen, die Lötkontakthöcker 36 in Hemisphären geschmolzen.
  • Dann wird das Basissubstrat 10 in eine vorgeschriebene Größe geschnitten.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt (siehe 4C).
  • (Evaluierungsergebnis)
  • Das Evaluierungsergebnis des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird erläutert.
  • Die Kapazität pro Flächeneinheit wurde an dem in 22A und 22B veranschaulichten vorgeschlagenen Dünnfilmkondensator gemessen. Die Kapazität betrug 5 μF/cm2.
  • Die Kapazität pro Flächeneinheit wurde an dem Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform gemessen und betrug 5 μF/cm2.
  • Auf dieser Basis wird gefunden, dass die Kapazität des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform gleich ist der Kapazität pro Flächeneinheit des in 22A und 22B veranschaulichten vorgeschlagenen Dünnfilmkondensators.
  • Der Isolierwiderstand wurde an dem in 22A und 22B veranschaulichten vorgeschlagenen Dünnfilmkondensator gemessen und betrug etwa 50 MΩ bei einer angelegten Spannung von 1,5 V.
  • Der Isolierwiderstand wurde an dem Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform gemessen und betrug mehr als 10 GΩ bei einer angelegten Spannung von 1,5 V.
  • Auf dieser Basis wird gefunden, dass das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform einen Dünnfilmkondensator mit sehr hohem Isolierwiderstand realisieren kann.
  • Der PCBT (Pressure Cooker Bias Test) wurde an dem in 22A und 22B veranschaulichten vorgeschlagenen Dünnfilmkondensator durchgeführt. Der in dem PCBT erhaltene Isolierwiderstand betrug etwa 1 MΩ bei einer angelegten Spannung von 1,5 V. Als Bedingungen für den PCBT-Test betrug der Druck 2 atm.; die Temperatur betrug 125°C; die Feuchtigkeit betrug 85 %; die angelegte Spannung betrug 3 V; und die Testzeitperiode betrug 48 Stunden.
  • Der PCBT wurde an dem Dünnfilmkondensator der vorliegenden Ausführungsform durchgeführt. Der durch den PCBT erhaltene Isolierwiderstand betrug etwa 1 GΩ bei einer angelegten Spannung von 1,5 V. Die Bedingungen für den PCBT-Test waren gleich wie jene für den PCBT an dem vorgeschlagenen Dünnfilmkondensator; der Druck betrug 2 atm.; die Temperatur betrug 125°C; die Feuchtigkeit betrug 85 %; die angelegte Spannung betrug 3 V; und die Testzeitperiode betrug 48 Stunden.
  • Auf dieser Basis wird gefunden, dass die vorliegende Ausführungsform die Verschlechterung der elektrischen Charakteristika drastisch unterdrücken kann.
  • [Eine zweite Ausführungsform]
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators werden mit Bezugnahme auf 5A bis 8C erläutert. 5A und 5B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform. 5A ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' in 5B. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der in 1A bis 4C veranschaulichten ersten Ausführungsform sind durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • (Der Dünnfilmkondensator)
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird mit Bezugnahme auf 5A und 5B erläutert. Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Außenanschlusselektrode 34b in der in der Kondensatorelektrode 14 gebildeten Öffnung 15a gebildet wird.
  • Ein Isolierfilm 12, wie in 5A und 5B veranschaulicht, wird auf der Oberfläche eines Basissubstrats 10 gebildet.
  • Eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus TiO2 wird auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Kondensatorelektroden (untere Elektroden) 14 werden auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Als Kondensatorelektroden 14 wird beispielsweise ein 100 nm dicker Pt-Film gebildet. Öffnungen 15, 15a werden in den Kondensatorelektroden 14 abwärts zum Isolierfilm 12 gebildet.
  • Ein dielektrischer Kondensatorfilm 16 wird auf den Kondensatorelektroden 14 gebildet. Der dielektrische Kondensatorfilm 16 wird z.B. aus einem Material mit einer hohen dielektrischen Konstante gebildet. Spezifischer wird der dielektrische Kondensatorfilm 16 aus einem polykristallinen BST-Film gebildet. Die Filmdicke des dielektrischen Kondensatorfilms 16 beträgt z.B. 100 nm. Öffnungen 17, 17a werden in dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 abwärts zu den Kondensatorelektroden 14 entsprechend den Öffnungen 15, 15a gebildet. Der Durchmesser der Öffnungen 17, 17a ist größer als der Durchmesser der Öffnungen 15, 15a.
  • Kondensatorelektroden (obere Elektroden) 18 werden auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet. Die Kondensatorelektroden 18 werden z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet. Öffnungen 19, 19a werden in den Kondensatorelektroden 18 abwärts zum dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet. Die Öffnungen 19 werden entsprechend den Öffnungen 15, 17 gebildet. Die Öffnungen 19a werden entsprechend den Öffnungen 15a, 17a gebildet. Der Durchmesser der Öffnungen 19, 19a ist größer als der Durchmesser der Öffnungen 17, 17a.
  • So werden Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Ein isolierender Barrierefilm 22 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf dem Basissubstrat 10 mit den darauf gebildeten Kondensatorteilen 20 gebildet. Der isolierende Barrierefilm 22 wird gebildet, wobei er die Kondensatorteile 20 bedeckt. Der isolierende Barrierefilm 22 ist aus einem amorphen Film z.B. aus demselben Material wie der dielektrische Kondensatorfilm gebildet. Der isolierende Barrierefilm 22 wird hier aus einem amorphen BST-Film gebildet. Die Filmdicke des Isolierfilms 22 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Der isolierende Barrierefilm 22 wird hier aus einem amorphen Film z.B. aus demselben Material wie der dielektrische Kondensatorfilm 16 gebildet, aber das Material des isolierenden Barrierefilms 22 kann aus einem anderen Material als jenem des dielektrischen Kondensatorfilms 16 gebildet werden.
  • In dem isolierenden Barrierefilm 22 werden Öffnungen 24a zum Freilegen der Innenränder der Kondensatorelektroden 14 und des Isolierfilms 12, Öffnungen 24b zum teilweisen Freilegen der Kondensatorelektroden 18 und Öffnungen 24c zum Freilegen des Isolierfilms 12 gebildet.
  • Herausführende Elektroden 26a des leitenden Barrierefilms, die die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindern, werden auf dem Isolierfilm 12 und an den Innenrändern der Kondensatorelektroden 14 gebildet. Herausführende Elektroden 26c des leitenden Barrierefilms, die die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindern, werden auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und in den Öffnungen 24b, 24c gebildet. Der leitende Barrierefilm, der die herausführenden Elektroden 26a, 26b bildet, ist z.B. ein TaSiN-Film. Die Dicke der herausführenden Elektroden 26a, 26b beträgt z.B. etwa 100 nm.
  • Auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und den herausführenden Elektroden 26a, 26b wird ferner ein isolierender Barrierefilm 28 gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 wird z.B. aus einem amorphen Aluminiumoxidfilm gebildet. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Auf dem isolierenden Barrierefilm 28 wird ein Schutz film 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid gebildet. Die Filmdicke des Schutzfilms 30 beträgt etwa 2 μm.
  • In dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 werden Öffnungen 32a abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a gebildet. In dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 werden Öffnungen 32b abwärts zu den herausführenden Elektroden 26c gebildet.
  • In den Öffnungen 32a, 32b wird ein Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem sequentiell gelegten Ti-Film und Cu-Film gebildet. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht.
  • In den Öffnungen 32a, 32b mit dem darin gebildeten Schichtfilm werden Elektroden 34a, 34b für die Verbindung mit der Außenseite gebildet.
  • Auf den Außenanschlusselektroden 34a, 34b werden Lötkontakthöcker 36 z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis gebildet.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform gebildet.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wie oben beschrieben, ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass die Außenanschlusselektroden 34a, 34b in den Öffnungen 15, 15a mit den darin gebildeten Kondensatorelektroden 14 vorgesehen sind.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform, bei der die Außenanschlusselektroden 34a, 34b in den Öffnungen 15, 15a mit den darin gebildeten Kondensatorelektroden 14 vorgesehen sind, wird verhindert, dass die Beanspruchung, die beim Bonden der Dünnfilmkondensatoren an eine Leiterplatte, etc. (nicht veranschaulicht) generiert wird, auf die Kondensatorteile 20 ausgeübt wird. Demgemäß kann die vorliegende Ausführungsform die Zuverlässigkeit weiter verbessern.
  • (Das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators)
  • Dann wird das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Erfindung mit Bezugnahme auf 6A bis 8C erläutert. 6A bis 8C sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen.
  • Zuerst wird das Basissubstrat 10 mit dem darauf gebildeten Isolierfilm 12 hergestellt. Spezifischer wird ein Siliciumsubstrat 10 z.B. mit dem darauf gebildeten Siliciumoxidfilm 12 hergestellt.
  • Dann wird das Basissubstrat 10 in die Filmbildungskammer eines Sputter-Systems (nicht gezeigt) geladen. Das Sputter-System ist z.B. ein Sputter-System des Multitarget-Magnetrontyps.
  • Dann wird eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus einem 100 nm dicken TiO2-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Dann wird ein 100 nm dicker Leiterfilm 14 beispielsweise durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Dann wird, auf der gesamten Oberfläche, der dielektrische Kondensatorfilm 16 durch Sputtern z.B. aus einem 100 nm dicken polykristallinen BST-Film gebildet.
  • Als Nächstes wird, auf der gesamten Oberfläche, ein Leiterfilm 18 durch Sputtern z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet (siehe 6A).
  • Dann wird das Basissubstrat 10 aus der Filmbildungskammer des Sputter-Systems entladen.
  • Dann wird der Leiterfilm 18 durch Photolithographie gemustert. So werden die Kondensatorelektroden 18 mit den abwärts zum dielektrischen Film 16 gebildeten Öffnungen 19, 19a gebildet (siehe 6B).
  • Als Nächstes wird der dielektrische Kondensatorfilm 16 durch Photolithographie gemustert. So werden die Öffnungen 17, 17a in dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet (siehe 6C).
  • Dann wird der Leiterfilm 14 durch Photolithographie gemustert. So werden die Kondensatorelektroden 14 mit den abwärts zum Isolierfilm 12 gebildeten Öffnungen 15, 15a gebildet (siehe 6D).
  • So werden die Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Dann wird der isolierende Barrierefilm 22 z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der isolierende Barrierefilm 22 ist z.B. ein 50 nm dicker amorpher BST-Film.
  • Dann werden, in dem isolierenden Barrierefilm 22, die Öffnungen 24a zum Freilegen der Innenränder der Kondensatorelektroden 14 und des Isolierfilms 12, die Öffnungen 24b zum teilweisen Freilegen der Kondensatorelektroden 18 und die Öffnungen 24c zum Freilegen des Isolierfilms 12 gebildet (siehe 7A).
  • Dann wird, auf der gesamten Oberfläche, z.B. durch Sputtern der leitende Barrierefilm zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser gebildet. Der leitende Barrierefilm ist z.B. ein 100 nm dicker amorpher TaSiN-Film.
  • Dann wird der leitende Barrierefilm durch Photolithographie gemustert. So werden die herausführenden Elektroden 26a des leitenden Barrierefilms auf dem Isolierfilm 12 und den Innenrändern der Kondensatorelektroden 14 gebildet. Die herausführenden Elektroden 26b des leitenden Barrierefilms werden auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und in den Öffnungen 24b, 24c gebildet (siehe 7B).
  • Dann wird der isolierende Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff und Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein amorpher Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm (siehe 7C).
  • Als Nächstes wird der Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid z.B. durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Die Dicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 2 μm.
  • Dann werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 durch Photolithographie abwärts zum isolierenden Barrierefilm 28 gebildet (siehe 8A).
  • Als Nächstes wird der isolierende Ätzfilm 28 in den Öffnungen 32a, 32b abgeätzt. So werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a, 26b gebildet (siehe 8B).
  • Dann wird der Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem Ti-Film und einem Cu-Film, die sequentiell gelegt werden, z.B. durch Sputtern gebildet. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht. Der Schichtfilm dient auch als Keimschicht zur Bildung der Außenanschlusselektroden 34a, 34b durch Elektroplattieren in einem späteren Schritt.
  • Dann wird, auf der gesamten Oberfläche, ein Photoresistfilm (nicht veranschaulicht) durch Spin-Überzug gebildet.
  • Dann werden Öffnungen (nicht veranschaulicht) durch Photolithographie in dem Photoresistfilm gebildet. Die Öffnungen dienen zur Bildung der Außenanschlusselektroden 34a, 34b.
  • Als Nächstes werden durch Elektroplattieren die Außenanschlusselektroden 34a, 34b z.B. aus Ni in den Öffnungen gebildet. Dann werden die Lötkontakthöcker 36 durch Elektroplattieren z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis gebildet. Dann wird der Photoresistfilm abgetrennt.
  • Als Nächstes wird der rund um die Außenanschlusselektroden 34a, 34b freiliegende Schichtfilm durch Nassätzen entfernt.
  • Als Nächstes werden die Lötkontakthöcker 36 durch einen Aufschmelzofen geschmolzen und in eine Hemisphäre gebildet. Als Nächstes wird das Basissubstrat 10 in eine vorgeschriebene Größe geschnitten.
  • Dann wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt (siehe 8C).
  • [Eine dritte Ausführungsform]
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezugnahme auf 9A bis 13B erläutert. 9A und 9B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform. 9A ist die Schnittansicht entlang der Linie A-A' in 9B. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten oder der zweiten Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die in 1A bis 8C veranschaulicht sind, sind durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass ferner ein dielektrischer Kondensatorfilm 38 auf den Kondensatorelektroden 18 gebildet ist, und ferner Kondensatorelektroden 40 auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 38 gebildet sind, und die Kondensatorelektroden 40 und die Kondensatorelektroden 14 miteinander elektrisch verbunden sind.
  • Der dielektrische Kondensatorfilm 38, wie in 9A und 9B veranschaulicht, wird auf den Kondensatorelektroden 18 gebildet. Der dielektrische Kondensatorfilm 38 ist aus einem Material mit einer hohen dielektrischen Konstante gebildet, wie beispielsweise der dielektrische Kondensatorfilm 16. Spezifischer ist der dielektrische Kondensatorfilm 38 ein polykristalliner BST-Film. Die Filmdicke des dielektrischen Kondensatorfilms 38 beträgt z.B. 100 nm.
  • Kondensatorelektroden 40 werden auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 38 gebildet. Die Kondensatorelektroden 40 werden z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet. Die Kondensatorelektroden 40 sind mit der Kondensatorelektrode 14 über die herausführenden Elektroden 26d elektrisch verbunden, die im Nachstehenden beschrieben werden.
  • So werden Kondensatorteile 20a gebildet, die jeweils die Kondensatorelektroden 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16, die Kondensatorelektrode 18, den dielektrischen Kondensatorfilm 38 und die Kondensatorelektrode 40 enthalten.
  • Auf dem Basissubstrat 10 mit den darauf gebildeten Kondensatorteilen 20a wird ein isolierender Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 wird gebildet, wobei er die Kondensatorteile 20a bedeckt. Der isolierende Barrierefilm 28 ist ein amorpher Film aus demselben Material, aus dem z.B. die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 gebildet sind. Der dielektrische Kondensatorfilm 28 ist hier ein amorpher BST-Film. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Der isolierende Barrierefilm 28 wird hier aus einem amorphen Film aus demselben Material gebildet, aus dem die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 gebildet sind. Der isolierende Barrierefilm 28 kann jedoch aus einem anderen Material als dem Material der dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 gebildet werden.
  • Öffnungen 24a zum Freilegen der Innenränder der Kondensatorelektroden 14 und des Isolierfilms 12, Öffnungen 24b zum teilweisen Freilegen der Kondensatorelektroden 18, Öffnungen 24c zum Freilegen der Oberfläche des Isolierfilms 12 und Öffnungen 24d zum teilweisen Freilegen der Kondensatorelektroden 40 werden in dem isolierenden Barrierefilm 22 gebildet.
  • Die herausführenden Elektroden 26d des leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert, werden in den Öffnungen 24d, auf dem isolierenden Barrierefilm 22, an den Innenrändern der Kondensatorelektroden 14 und auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Die herausführenden Elektroden 26c des leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert, werden an den Innenrändern der Kondensatorelektroden 18, auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Der die herausführenden Elektroden 26c, 26d bildende leitende Barrierefilm ist z.B. ein Iridiumoxid (IrO2)-Film. Die Filmdicke der herausführenden Elektroden 26c, 26d beträgt z.B. etwa 100 nm.
  • Ein isolierender Barrierefilm 28 wird ferner auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und den herausführenden Elektroden 26c, 26d gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein amorpher Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Auf dem isolierenden Barrierefilm 28 wird ein Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid gebildet. Die Dicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 2 μm.
  • Öffnungen 32a, 32b werden in dem Schutzfilm und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26c, 26d gebildet.
  • Ein Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem Ti-Film und einem Cu-Film, die sequentiell gelegt werden, wird in den Öffnungen 32a, 32b gebildet. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht. Außenanschlusselektroden 34a, 34b aus Ni zum Verbinden mit der Außenseite werden in den Öffnungen 32a, 32b mit dem darin gebildeten Schichtfilm gebildet.
  • Lötkontakthöcker z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis werden auf den Außenanschlusselektroden 34a, 34b gebildet.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wie oben beschrieben, ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass ferner der dielektrische Kondensatorfilm 38 auf den Kondensatorelektroden 18 gebildet ist, ferner die Kondensatorelektroden 40 auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 38 gebildet sind, und die Kondensatorelektroden 40 und die Kondensatorelektroden 14 durch die herausführenden Elektroden 26d miteinander elektrisch verbunden sind.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die Kondensatorelektroden 14, 40 und die Kondensatorelektroden 16 einander gegenüberliegend über einen großen Gesamtbereich aufweisen, wodurch der Dünnfilmkondensator eine größere Kapazität hat.
  • (Das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators)
  • Als Nächstes wird das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 10A bis 13B erläutert. 10A bis 13B sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Erfindung in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren ver anschaulichen.
  • Zuerst wird das Basissubstrat 10 mit dem Isolierfilm 12 hergestellt. Spezifischer wird beispielsweise ein Siliciumsubstrat 10 mit einem auf der Oberfläche gebildeten Siliciumoxidfilm 12 hergestellt.
  • Dann wird das Basissubstrat 10 in die Filmbildungskammer eines Sputter-Systems (nicht veranschaulicht) geladen. Das Sputter-System ist z.B. ein Sputter-System des Multitarget-Magnetrontyps.
  • Dann wird eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus einem 100 nm dicken TiO2-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Dann wird der Leiterfilm 14 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der dielektrische Kondensatorfilm 16 durch Sputtern z.B. aus einem 100 nm dicken polykristallinen BST-Film auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 18 durch Sputtern z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Dann wird der dielektrische Kondensatorfilm 38 durch Sputtern z.B. aus einem 100 nm dicken BST-Film auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Dann wird der Leiterfilm 40 durch Sputtern z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film auf der gesamten Oberfläche gebildet (siehe 10A).
  • Dann wird das Basissubstrat 10 aus der Filmbildungskammer des Sputter-Systems entladen.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 40 durch Photolithographie gemustert. So werden die Kondensatorelektroden 40 mit den abwärts zum dielektrischen Kondensatorfilm 38 gebildeten Öffnungen 41, 41a gebildet (siehe 10B).
  • Dann wird der dielektrische Kondensatorfilm 38 durch Photolithographie gemustert. So werden die Öffnungen 41, 41a in dem dielektrischen Kondensatorfilm 38 abwärts zum Leiterfilm 18 gebildet (siehe 10D).
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 18 durch Photolithographie gemustert. So werden die Kondensatorelektroden 18 mit den abwärts zum dielektrischen Kondensatorfilm gebildeten Öffnungen gebildet (siehe 10D).
  • Dann wird der dielektrische Kondensatorfilm 16 durch Photolithographie gemustert. So werden die Öffnungen 17, 17a in dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 abwärts zum Leiterfilm 14 gebildet (siehe 11A).
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 14 durch Photolithographie gemustert. So werden die Kondensatorelektroden 14 mit den abwärts zum Isolierfilm 12 gebildeten Öffnungen 15, 15a gebildet (siehe 11B).
  • So werden die Kondensatorteile 20a gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16, die Kondensatorelektrode 18, den dielektrischen Kondensatorfilm 38 und die Kondensatorelektrode 40 enthalten.
  • Als Nächstes wird der isolierende Barrierefilm 22 z.B. aus einem 50 nm dicken amorphen BST-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Dann werden die Öffnungen 24a zum Freilegen der Innenränder der Kondensatorelektroden 14 und des Isolierfilms 12, die Öffnungen 24b zum teilweisen Freilegen der Kondensatorelektroden 18, die Öffnungen 24c zum Freilegen des Isolierfilms 12 und die Öffnungen 24d zum teilweisen Freilegen der Kondensatorelektroden 40 in dem isolierenden Barrierefilm 22 durch Photolithographie gebildet (siehe 11C).
  • Dann wird der leitende Barrierefilm zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der leitende Barrierefilm ist z.B. ein 100 nm dicker amorpher Iridiumoxid (IrO2)-Film.
  • Dann wird der leitende Barrierefilm durch Photolitho graphie gemustert. So werden die herausführenden Elektroden 26d des leitenden Barrierefilms auf dem Isolierfilm 12 und den Innenrändern der Kondensatorelektroden 14 in den Öffnungen 24a gebildet. Die herausführenden Elektroden 26c des leitenden Barrierefilms werden auf den Innenrändern der Kondensatorelektroden 18, dem isolierenden Barrierefilm 22 und dem Isolierfilm 12 gebildet (siehe 12A).
  • Als Nächstes wird der isolierende Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein amorpher Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm (siehe 12B).
  • Dann wird der Schutzfilm 30 z.B. aus einem lichtempfindlichen Polyimid z.B. durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Die Dicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 2 μm.
  • Dann werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 durch Photolithographie abwärts zum isolierenden Barrierefilm 28 gebildet (siehe 12C).
  • Als Nächstes wird der in den Öffnungen 32a, 32b freiliegende isolierende Barrierefilm 28 abgeätzt. So werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a, 26b gebildet.
  • Als Nächstes wird der Schichtfilm aus einem Ti-Film und einem Cu-Film, die sequentiell gelegt werden, z.B. durch Sputtern gebildet.
  • Dann wird ein Photoresistfilm (nicht veranschaulicht) auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Dann werden Öffnungen durch Photolithographie in dem Photoresistfilm gebildet. Die Öffnungen dienen zur Bildung der Außenanschlusselektroden 34a, 34b.
  • Als Nächstes werden die Außenanschlusselektroden 34a, 34b z.B. aus Ni in den Öffnungen 32a, 32b durch Elektroplattieren gebildet.
  • Dann werden die Lötkontakthöcker z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis durch Elektroplattieren gebildet. Dann wird der Photoresistfilm abgetrennt.
  • Als Nächstes wird der Schichtfilm des Cu-Films und des Ti-Films durch Nassätzen entfernt.
  • Als Nächstes werden die Lötkontakthöcker 36 durch einen Aufschmelzofen geschmolzen und in eine Hemisphäre gebildet. Als Nächstes wird das Basissubstrat 10 in eine vorgeschriebene Größe geschnitten.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt (siehe 13B).
  • (Evaluierungsergebnis)
  • Das Evaluierungsergebnis des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird erläutert.
  • Der in 22A und 22B veranschaulichte vorgeschlagene Dünnfilmkondensator hatte eine Kapazität von 5 μF/cm2 pro Flächeneinheit, wie oben beschrieben.
  • Die Kapazität wurde an dem Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform gemessen. Die Kapazität betrug 9 μF/cm2.
  • Auf dieser Basis wird gefunden, dass die vorliegende Ausführungsform einen Dünnfilmkondensator mit einer größeren Kapazität pro Flächeneinheit realisieren kann. Die vorliegende Ausführungsform kann einen Dünnfilmkondensator mit einer großen Kapazität pro Flächeneinheit aufgrund der jeweils über und unter den Kondensatorelektroden 18 gebildeten Kondensatorelektroden 14, 30 realisieren.
  • Der in 22A und 22B veranschaulichte vorgeschlagene Dünnfilmkondensator hatte einen Isolierwiderstand von etwa 50 MΩ bei einer angelegten Spannung von 1,5 V.
  • Der Isolierwiderstand wurde an dem Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform gemessen. Der Isolierwiderstand betrug etwa 10 GΩ oder mehr bei einer angelegten Spannung von 1,5 V.
  • Auf dieser Basis wird gefunden, dass die vorliegende Erfindung einen Dünnfilmkondensator mit einem sehr hohen Isolierwiderstand realisieren kann.
  • Der in 22A und 22B veranschaulichte vorgeschlagene Dünnfilmkondensator hatte einen Isolierwiderstand von etwa 1 MΩ nach einem PCBT bei einer angelegten Spannung von 1,5 V. Als Bedingungen für den PCBT betrug der Druck 2 atm.; die Temperatur betrug 125°C; die Feuchtigkeit betrug 85 %; die angelegte Spannung betrug 3 V; und die Testzeitperiode betrug 48 Stunden.
  • Der PCBT wurde an dem Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform durchgeführt. Der nach dem PCBT erhaltene Isolierwiderstand betrug etwa 1 GΩ bei einer angelegten Spannung von 1,5 V. Die Bedingungen für den PCBT-Test waren gleich wie jene des an dem vorgeschlagenen Dünnfilmkondensator durchgeführten PCBT: der Druck betrug 2 atm.; die Temperatur betrug 125°C; die Feuchtigkeit betrug 85 %; die angelegte Spannung betrug 3 V; und die Testzeitperiode betrug 48 Stunden.
  • Auf dieser Basis kann die vorliegende Ausführungsform die Verschlechterung der elektrischen Charakteristika drastisch unterdrücken.
  • [Eine vierte Ausführungsform]
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform und das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators werden mit Bezugnahme auf 14 bis 17 erläu tert. 14 ist eine Schnittansicht des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten bis dritten Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die in 1A bis 13B veranschaulicht sind, sind durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform dient als Interposer. Der Interposer ist z.B. zwischen einer Leiterplatte, etc., und einer Halbleiteranordnung (LSI), etc., angeordnet. In der Beschreibung und den Ansprüchen der vorliegenden Anmeldung enthält der Dünnfilmkondensator den Interposer.
  • Ein Isolierfilm 12 wird auf einem Basissubstrat 10 gebildet, wie in 14 veranschaulicht.
  • Eine Adhäsionsschicht z.B. aus einem 100 nm dicken Titanoxid (TiO2)-Film wird auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Auf der Adhäsionsschicht werden Kondensatorelektroden 14 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet. Öffnungen 13, 13a werden in den Kondensatorelektroden 14 abwärts zum Isolierfilm 12 gebildet.
  • Ein dielektrischer Kondensatorfilm 16 z.B. aus einem 100 nm dicken BST-Film wird auf den Kondensatorelektroden 14 gebildet. Öffnungen 15, 15a werden in dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 abwärts zu den Kondensatorelektroden 14 gebildet. Die Öffnungen 15, 15a werden entsprechend den Öffnungen 13, 13a gebildet.
  • Kondensatorelektroden 18 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film werden auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet. Öffnungen 19, 19a werden in den Kondensatorelektroden 18 abwärts zum dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet. Die Öffnungen 19, 19a werden entsprechend den Öffnungen 13, 13a gebildet.
  • Auf den Kondensatorelektroden 18 wird ein dielektrischer Kondensatorfilm 38 z.B. aus einem 100 nm dicken BST-Film gebildet. Öffnungen 39, 39a werden in dem dielektrischen Kondensatorfilm 38 abwärts zu den Kondensatorelektroden 18 gebildet. Die Öffnungen 39, 39a werden entsprechend den Öffnungen 13, 13a gebildet.
  • Auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 38 werden Kondensatorelektroden 40 z.B. aus einem 100 mm dicken Pt-Film gebildet. Die Kondensatorelektroden 40 sind mit den Kondensatorelektroden 14 über herausführende Elektroden 26d elektrisch verbunden. Öffnungen 41, 41a werden in den Kondensatorelektroden 40 abwärts zum dielektrischen Kondensatorfilm 38 gebildet. Die Öffnungen 41, 41a werden entsprechend den Öffnungen 13, 13a gebildet.
  • So werden Kondensatorteile 20a gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16, die Kondensatorelektrode 18, den dielektrischen Kondensatorfilm 38 und die Kondensatorelektrode 40 enthalten.
  • Ein isolierender Barrierefilm 22 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf dem Basissubstrat 10 mit den darauf gebildeten Kondensatorteilen 20a gebildet. Der isolierende Barrierefilm 22 wird gebildet, wobei er die Kondensatorteile 20a bedeckt. Der isolierende Barrierefilm 22 ist ein amorpher Film aus demselben Material wie z.B. der dielektrische Kondensatorfilm 16. Der isolierende Film 22 ist hier z.B. ein 50 nm dicker amorpher BST-Film.
  • Der isolierende Barrierefilm 22 wird hier aus einem amorphen Film aus demselben Material wie die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 gebildet. Der isolierende Barrierefilm 22 kann auch aus einem anderen Material als dem die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 bildenden Material ge bildet werden.
  • Öffnungen 24a zum Freilegen der Innenränder der Kondensatorelektroden 14 und des Isolierfilms 12, Öffnungen 24d zum teilweisen Freilegen der Kondensatorelektroden 40, Öffnungen 24c zum Freilegen des Isolierfilms 12 und Öffnungen 24b zum Freilegen der Innenränder der Kondensatorelektroden 18 werden in dem isolierenden Barrierefilm 22 gebildet.
  • Die herausführenden Elektroden 26d eines leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert, werden in den Öffnungen 24d, auf dem isolierenden Barrierefilm 22, an den Innenrändern der Kondensatorelektroden 14 und auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Die herausführenden Elektroden 26c des leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert, werden an den Innenrändern der Kondensatorelektroden 18, auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Der die herausführenden Elektroden 26c, 26d bildende leitende Barrierefilm ist z.B. ein 100 nm dicker Iridiumoxid (IrO2)-Film.
  • Ein Isolierfilm 28 wird ferner auf dem isolierenden Barrierefilm 22 und den herausführenden Elektroden 26c, 26d gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein 50 nm dicker amorpher Aluminiumoxidfilm.
  • Ein Schutzfilm 30 z.B. aus einem 2 μm dicken lichtempfindlichem Polyimidfilm wird auf dem isolierenden Barrierefilm 28 gebildet.
  • In dem Schutzfilm und dem isolierenden Barrierefilm 28 werden Öffnungen 32a, 32b abwärts zu den herausführenden Elektroden 26c, 26d gebildet.
  • Ein Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem Ti-Film und einem Cu-Film, die sequentiell gelegt werden, wird in den Öffnungen 32a, 32b gebildet.
  • Partielle Elektroden 34a, 34b z.B. aus Ni werden in den Öffnungen 32a, 32b mit dem darin gebildeten Schichtfilm gebildet. Die partiellen Elektroden 34a, 34b sind Teile von Durchgangselektroden 54a, 54b.
  • Auf den partiellen Elektroden 34a, 34b werden Lötkontakthöcker 36 z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis gebildet.
  • Durchgangslöcher 42a, 42b werden in dem Basissubstrat 10 und dem Isolierfilm abwärts zu den herausführenden Elektroden 26c, 26d gebildet.
  • Ein Isolierfilm 44 z.B. aus einem Harz wird in den Durchgangslöchern 42a, 42b und auf der Unterseite des Basissubstrats 10 gebildet (gegenüber der Seite, wo die Kondensatorteile 20a darauf gebildet sind).
  • Durchgangslöcher 46a, 46b werden in dem Isolierfilm 12 und dem Isolierfilm 44 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26c, 26d gebildet.
  • Ein leitender Barrierefilm 48 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf der Unterseite der herausführenden Elektroden 26c, 26d in den Öffnungen 46a, 46b gebildet (gegenüber der Seite, die mit den partiellen Elektroden 34a, 34b in Kontakt gelangt).
  • In den Durchgangslöchern mit dem Isolierfilm 44 und dem darin gebildeten leitenden Barrierefilm 48 werden partielle Elektroden 50a, 50b z.B. aus Ni gebildet. Die partiellen Elektroden 50a, 50b sind Teile der Durchgangselektroden 54a, 54b. Die partiellen Elektroden 34a und die partiellen Elektroden 54a bilden die Durchgangselektroden 54a. Die partiellen Elektroden 34b und die partiellen Elektroden 54b bilden die Durchgangselektroden 54b.
  • Lötkontakthöcker 52 z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis werden auf der Unterseite der partiellen Elektroden 50a, 50b gebildet (gegenüber der Seite, die mit dem leitenden Barrierefilm 48 in Kontakt gelangt).
  • So wird der Dünnfilmkondensator 4 gemäß der vorliegenden Ausführungsform gebildet.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist z.B. zwischen einer Leiterplatte (nicht veranschaulicht) und einer LSI (nicht veranschaulicht) angeordnet. Die Dünnfilmkondensatoren sind zwischen der Leiterplatte und der LSI angeordnet, wodurch die Induktanz zwischen der LSI und den Kondensatorteilen 20a sehr klein ausgebildet werden kann. So können, gemäß der vorliegenden Ausführungsform, die Quellenspannungsänderung, ein Hochfrequenzrauschen, etc., sicherer entfernt werden.
  • (Das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators)
  • Dann wird das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 15A bis 17 erläutert. 15A bis 17 sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen.
  • Zuerst sind der Schritt der Herstellung des Basissubstrats 10 mit dem auf der Oberfläche gebildeten Isolierfilm bis zu dem Schritt der Bildung der Lötkontakthöcker 36 auf den partiellen Elektroden 34a, 34b gleich wie jene des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der in 10A bis 13B veranschaulichten dritten Ausführungsform, und ihre Erläuterung wird nicht wiederholt (siehe 15A).
  • Dann wird die Vorderseite des Basissubstrats 10 (wo der Schutzfilm 30, die Lötkontakthöcker 36, etc., gebildet sind) auf einer Basis (Trägersubstrat) z.B. einem Haftband (nicht veranschaulicht) haftend aufgebracht. Das Haftband ist z.B. ein UV-Band. Das UV-Band ist ein Band, das die Eigenschaft hat, dass das Band stark haftet, wenn es aufgebracht wird, und wenn UV angewendet wird, abrupt weniger haftend wird.
  • Als Nächstes wird die Unterseite des Basissubstrats 10 (gegenüber der Seite, wo die Kondensatorteile 20a gebildet sind) z.B. mit einem Rückseitenschleifer poliert, bis die Dicke des Basissubstrats 10 etwa 50 μm wird (siehe 15B).
  • Dann wird ein Photoresistfilm durch Spin-Überzug auf der Unterseite des Basissubstrats 10 gebildet. Dann wird der Photoresistfilm durch Photolithographie gemustert. So werden Öffnungen zur Bildung der Durchgangslöcher 42a, 42b (siehe 15C) in dem Photoresistfilm gebildet.
  • Dann, mit dem Photoresistfilm als Maske und mit Isolierfilm 22 als Ätzstopper, wird das Basissubstrat 10 naß geätzt, um dadurch die Durchgangslöcher 42a, 42b zu bilden. Das Ätzmittel ist z.B. eine gemischte Lösung aus Fluorwasserstoff und Salpetersäure. Der Durchmesser der Durchgangslöcher 42a, 42b beträgt z.B. etwa 100 μm. Der Abstand der Durchgangslöcher 42a, 42b beträgt z.B. etwa 250 μm (siehe 15C).
  • Dann wird Epoxyharz durch Spin-Überzug auf der Unterseite des Basissubstrats 10 aufgebracht. Dann wird eine thermische Verarbeitung durchgeführt, um das Epoxyharz auszuhärten. So wird der Isolierfilm 44 aus dem Epoxyharz gebildet (siehe 16A).
  • Dann werden die Durchgangslöcher 46a in dem Isolierfilm 44 z.B. durch einen ArF-Excimerlaser gebildet. Der Durchmesser der Durchgangslöcher 46a beträgt z.B. etwa 70 μm. Zu dieser Zeit wird auch der in den Durchgangslöchern 46a freiliegende Isolierfilm 12 entfernt (siehe 16B).
  • Als Nächstes wird ein leitender Barrierefilm zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser durch Sputtern auf der Unterseite des Basissubstrats 10 gebildet.
  • Der leitende Barrierefilm ist z.B. ein 200 nm dicker amorpher TaSiN-Film.
  • Als Nächstes wird der leitende Barrierefilm auf der Unterseite des Basissubstrats 10 und den Seitenflächen der Durchgangslöcher 46a, 46b durch Ionenmilling entfernt. So wird der leitende Barrierefilm 48 auf der Unterseite der herausführenden Elektroden 26c, 26d in den Durchgangslöchern 46a, 46b gebildet (siehe 16C).
  • Dann wird der Schichtfilm aus einem Ti-Film und einem Cu-Film z.B. durch Sputtern auf der Unterseite des Basissubstrats gebildet. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht. Der Schichtfilm dient auch als Keimschicht für das Elektroplattieren in einem späteren Schritt.
  • Als Nächstes wird ein Photoresistfilm (nicht veranschaulicht) durch Spin-Überzug auf der gesamten Unterseite des Basissubstrats 10 gebildet.
  • Dann werden Öffnungen (nicht veranschaulicht) durch Photolithographie in dem Photoresistfilm gebildet. Die Öffnungen dienen zur Bildung der partiellen Elektroden 50a, 50b.
  • Als Nächstes werden durch Elektroplattieren die partiellen Elektroden 50a, 50b z.B. aus Ni in den Öffnungen gebildet. Die partiellen Elektroden 34a und die partiellen Elektroden 50a bilden die Durchgangselektroden 54a. Die partiellen Elektroden 34b und die partiellen Elektroden 50b bilden die Durchgangselektroden 54b.
  • Als Nächstes werden die Lötkontakthöcker 52 durch Elektroplattieren z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis gebildet. Dann wird der Photoresistfilm abgetrennt.
  • Dann wird der Schichtfilm aus einem Cu-Film und einem Ti-Film durch Nassätzen entfernt.
  • Als Nächstes wird das Basissubstrat 10 in eine vorgeschriebene Größe geschnitten.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt (siehe 17).
  • (Evaluierungsergebnis)
  • Das Evaluierungsergebnis des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird erläutert.
  • Der in 22A und 22B veranschaulichte vorgeschlagene Dünnfilmkondensator hatte eine Kapazität pro Flächeneinheit von etwa 5 μF/cm2, wie oben beschrieben.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hatte eine Kapazität pro Flächeneinheit von 8 μF/cm2.
  • Auf dieser Basis wird gefunden, dass die vorliegende Ausführungsform einen Dünnfilmkondensator mit einer großen Kapazität pro Flächeneinheit realisieren kann. In der vorliegenden Ausführungsform kann der Dünnfilmkondensator eine große Kapazität pro Flächeneinheit aufweisen, da die Kondensatorelektroden 14, 40 über und unter den Kondensatorelektrode 18 gebildet sind, wodurch die Kondensatorelektroden 18 und die Kondensatorelektroden 14, 40 über einen großen Gesamtbereich einander gegenüberliegen.
  • Der vorgeschlagene Dünnfilmkondensator, wie oben beschrieben, hatte einen Isolierwiderstand von etwa 50 MΩ bei einer angelegten Spannung von 1,5 V.
  • Der Isolierwiderstand wurde an dem Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform gemessen. Der Isolierwiderstand betrug 10 GΩ oder mehr bei einer angelegten Spannung von 1,5 V.
  • Auf dieser Basis wird gefunden, dass die vorliegende Erfindung einen Dünnfilmkondensator mit einem sehr viel höheren Isolierwiderstand realisieren kann.
  • Der in 22A und 22B veranschaulichte vorgeschlagene Dünnfilmkondensator hatte einen Isolierwiderstand von etwa 1 MΩ bei einer angelegten Spannung von 1,5 V nach einem PCBT. Als Bedingungen für den PCBT, wie oben beschrieben, betrug der Druck 2 atm.; die Temperatur betrug 125°C; die Feuchtigkeit betrug 85 %; die angelegte Spannung betrug 3 V; und die Testzeitperiode betrug 48 Stunden.
  • Der PCBT wurde an dem Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform durchgeführt. Nach dem PCBT betrug der Isolierwiderstand etwa 10 MΩ bei einer angelegten Spannung von 1,5 V. Als Bedingungen für den PCBT, wie die Bedingungen- für den PCBT an dem vorgeschlagenen Dünnfilmkondensator, betrug der Druck 2 atm.; die Temperatur betrug 125°C; die Feuchtigkeit betrug 85 %; die angelegte Spannung betrug 3 V; und die Testzeitperiode betrug 48 Stunden.
  • Auf dieser Basis wird gefunden, dass die vorliegende Ausführungsform die Verschlechterung der elektrischen Charakteristiken drastisch unterdrücken kann.
  • [Eine fünfte Ausführungsform]
  • Die elektronische Anordnung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezugnahme auf 18 erläutert. 18 ist eine Schnittansicht der elektronischen Anordnung gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten bis vierten Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die in 1A bis 17 veranschaulicht sind, werden durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • Die elektronische Anordnung (Paket mit eingebauten Kondensatoren) gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass der Dünnfilmkondensator 2 gemäß einer der oben beschriebenen ersten bis dritten Ausführungsform verwendet wird.
  • Zwischenverbindungen, etc., werden auf einem Paket substrat (Leiterplatte) 55 gebildet. Stifte 56 sind auf der Unterseite des Paketsubstrats 55 vorgesehen. Die Stifte dienen zur elektrischen Verbindung der elektronischen Anordnung gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit einer anderen Leiterplatte (nicht veranschaulicht) beim Montieren der ersteren auf der letzteren. Die Stifte 56 sind mit den auf dem Paketsubstrat 55 gebildeten Zwischenverbindungen elektrisch verbunden. Eine Vielzahl von Elektroden (nicht veranschaulicht) sind jeweils auf der Oberseite und der Unterseite des Paketsubstrats 55 vorgesehen. Die Elektroden sind mit den auf dem Paketsubstrat 55 gebildeten Zwischenverbindungen, etc., elektrisch verbunden.
  • Eine LSI (Halbleiteranordnung) 58 ist auf dem Paketsubstrat 55 montiert. Die auf dem Paketsubstrat 55 montierten Elektroden und die auf der LSI 58 gebildeten Elektroden (nicht veranschaulicht) sind miteinander durch Lötkontakthöcker 60 elektrisch verbunden. Eine Unterfüllung 62 ist in den Spalten zwischen dem Paketsubstrat 55 und der LSI 58 vergraben.
  • Ein Rahmen 64 ist auf dem Paketsubstrat 55 mit der darauf montierten LSI 55 vorgesehen, wobei er die LSI 58 umgibt.
  • Eine thermische Verbindung 66, d.h. ein wärmeleitendes Fett, ist auf der LSI 58 aufgebracht.
  • Eine Strahlungsplatte 68 ist auf der LSI 58 mit der darauf aufgebrachten thermischen Verbindung 66 vorgesehen. Andererseits werden die Dünnfilmkondensatoren 2 gemäß einer der oben beschriebenen ersten bis dritten Ausführungsform auf der Unterseite des Paketsubstrats 55 montiert. Die Elektroden 34a, 34b der Dünnfilmkondensatoren 2 und die Elektroden des Paketsubstrats 55 sind über die Lötkontakthöcker 36 elektrisch verbunden. Die Dünnfilmkondensatoren 2 sind mit einer Unterfüllung 70 bedeckt.
  • So ist die elektronische Anordnung (Paket mit eingebauten Kondensatoren) gemäß der vorliegenden Ausführungsform zusammengesetzt.
  • Die elektronische Anordnung gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet die Dünnfilmkondensatoren 2 mit guten elektrischen Charakteristiken und hoher Zuverlässigkeit, und kann gute elektrische Charakteristiken und hohe Zuverlässigkeit zeigen.
  • [Eine sechste Ausführungsform]
  • Die elektronische Anordnung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezugnahme auf 19 erläutert. 19 ist eine Schnittansicht der elektronischen Anordnung gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten bis fünften Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die in 1A bis 18 veranschaulicht sind, werden durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • Die elektronische Anordnung (Paket mit eingebauten Kondensatoren) gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass der Dünnfilmkondensator 4 gemäß der oben beschriebenen vierten Ausführungsform verwendet wird.
  • Zwischenverbindungen (nicht veranschaulicht), etc., werden auf einem Paketsubstrat (Leiterplatte) 70 gebildet. Eine Vielzahl von Elektroden ist jeweils auf der Oberseite und der Unterseite des Paketsubstrats 70 vorgesehen. Die Elektroden sind mit den auf dem Paketsubstrat 70 gebildeten Zwischenverbindungen, etc., elektrisch verbunden. Lötkontakthöcker 72 sind auf den auf dem Paketsubstrat 70 gebildeten Elektroden gebildet. Die Lötkontakthöcker 72 dienen zur elektrischen Verbindung der elektronischen Anordnung gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit einer weiteren Leiterplatte (nicht veranschaulicht) beim Montieren der ersteren auf der anderen.
  • Die Dünnfilmkondensatoren 4 gemäß der oben beschriebenen vierten Ausführungsform werden auf dem Paketsubstrat 70 montiert. Die Dünnfilmkondensatoren 4 dienen als Interposer. Die Durchgangselektroden 54a, 54b (siehe 14), die in den Dünnfilmkondensatoren 4 gebildet sind, und die Elektroden (nicht veranschaulicht) auf dem Paketsubstrat 70 sind über Lötkontakthöcker 52 elektrisch verbunden.
  • Eine LSI (Halbleiteranordnung) 58 ist auf den Dünnfilmkondensatoren 4 montiert. Die in den Dünnfilmkondensatoren 4 gebildeten Durchgangselektroden 54a, 54b (siehe 14) und die Elektroden (nicht veranschaulicht) auf der LSI 58 sind über Lötkontakthöcker 36 elektrisch verbunden.
  • Auf dem Paketsubstrat 70 ist eine Unterfüllung in den Spalten zwischen dem Paketsubstrat 70 und den Dünnfilmkondensatoren 4 und zwischen den Dünnfilmkondensatoren 4 und der LSI 58 vergraben, um die Spalte auszufüllen.
  • Ein Rahmen 64 ist auf dem Paketsubstrat 70 mit den darauf montierten Dünnfilmkondensatoren 4 und der LSI 58 angeordnet, wobei er die Dünnfilmkondensatoren 4 und die LSI 58 umgibt.
  • Eine thermische Verbindung 66, d.h. ein wärmeleitendes Fett, ist auf der LSI 58 aufgebracht.
  • Eine Strahlungsplatte 68 ist auf der LSI 58 mit der darauf aufgebrachten thermischen Verbindung 66 vorgesehen. So ist die elektronische Anordnung (Paket mit eingebauten Kondensatoren) gemäß der vorliegenden Ausführungsform zusammengesetzt.
  • Die elektronische Anordnung gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet die Dünnfilmkondensatoren 4 mit guten elektrischen Charakteristiken und hoher Zuverlässigkeit, und kann gute elektrische Charakteristiken und hohe Zuverlässigkeit zeigen.
  • [Eine siebente Ausführungsform]
  • Die Leiterplatte gemäß einer siebenten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezugnahme auf 20 erläutert. 20 ist eine Schnittansicht der Leiterplatte 74 gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit einer darauf montierten LSI 58. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten bis sechsten Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die in 1A bis 19 veranschaulicht sind, werden durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • Die Leiterplatte (Leiterplatte mit eingebauten Kondensatoren) gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass der Dünnfilmkondensator gemäß einer der ersten bis dritten Ausführungsform eingebaut ist.
  • Die Leiterplatte gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wie in 20 veranschaulicht, ist aus einer Harzschicht 76, und einer in einer vorgeschriebenen Konfiguration gemusterten Zwischenverbindungsschicht 78 gebildet, die abwechselnd gelegt sind.
  • In der Harzschicht 76 sind die Dünnfilmkondensatoren 2 gemäß einer der oben beschriebenen ersten bis dritten Ausführungsform vergraben.
  • Die Dünnfilmkondensatoren 2 sind mit der elektronischen Schaltung (nicht veranschaulicht) der LSI 58 durch eine in der Harzschicht 76 vergrabene Durchkontaktierung 80 und Lötkontakthöcker 82 elektrisch verbunden. Die in der Harzschicht 76 vergrabenen Zwischenverbindungen 78 sind mit der elektronischen Schaltung (nicht veranschaulicht) der LSI 58 durch die Durchkontaktierung 80 und die Lötkontakthöcker 82 elektrisch verbunden.
  • So ist die Leiterplatte (Substrat mit eingebauten Kondensatoren) 74 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zusammengesetzt.
  • Die Leiterplatte 74 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist darin vergraben die Dünnfilmkondensatoren 2 mit guten elektrischen Charakteristiken und hoher Zuverlässigkeit auf, und kann gute elektrische Charakteristiken und hohe Zuverlässigkeit zeigen.
  • [Eine achte Ausführungsform]
  • Die Leiterplatte gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezugnahme auf 21 erläutert. 21 ist eine Schnittansicht der Leiterplatte gemäß der vorliegenden Ausführungsform. 21 veranschaulicht die Leiterplatte 84 mit einer darauf montierten LSI 58. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators, etc., gemäß der ersten bis siebenten Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, etc., die in 1A bis 20 veranschaulicht sind, werden durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • Die Leiterplatte (Substrat mit eingebauten Kondensatoren) gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass die Dünnfilmkondensatoren 4 gemäß der oben beschriebenen vierten Ausführungsform eingebaut sind.
  • Die Leiterplatte 84 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wie in 21 veranschaulicht, ist aus einer Harzschicht 76, und einer in einer vorgeschriebenen Konfiguration gemusterten Zwischenverbindungsschicht 78 gebildet, die abwechselnd gelegt sind.
  • Auf der Harzschicht 76 sind die Dünnfilmkondensatoren 4 gemäß der oben beschriebenen vierten Ausführungsform vergraben.
  • Die in der Harzschicht 76 vergrabenen Zwischenverbindungen 78 sind mit der LSI 58 über eine in der Harzschicht vergrabene Durchkontaktierung 80, Durchgangselektroden 54a, 54b (siehe 14) der Dünnfilmkondensatoren und die Lötkontakthöcker elektrisch verbunden.
  • So ist die Leiterplatte (Substrat mit eingebauten Kondensatoren) 84 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zusammengesetzt.
  • Die Leiterplatte 84 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist darin vergraben die Dünnfilmkondensatoren 4 mit guten elektrischen Charakteristiken und hoher Zuverlässigkeit auf, und kann gute elektrische Charakteristiken und hohe Zuverlässigkeit zeigen.
  • [Eine neunte Ausführungsform]
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators werden mit Bezugnahme auf 22A bis 25 erläutert. 22A und 22B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators, etc., gemäß der ersten bis achten Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, etc., die in 1A bis 20 veranschaulicht sind, werden durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • (Der Dünnfilmkondensator)
  • Zuerst wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 22A und 22B erläutert.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass leitende Barrierefilme 86a, 86b zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser jeweils für Kondensatorelektroden 14, 18 gebildet sind, und Elektroden 34a, 34b für die Verbindung mit der Außenseite jeweils mit den Kondensatoren 14, 18 über die leitenden Barrierefilme 86a, 86b elektrisch verbunden sind.
  • Ein Leiterfilm 12, wie in 22A und 22B veranschaulicht, wird auf der Oberfläche eines Basissubstrats 10 gebildet.
  • Eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus TiO2 wird auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Kondensatorelektroden (untere Elektroden) 14 werden auf der Adhäsionsschicht gebildet. Die Kondensatorelektroden 14 sind z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet.
  • Ein dielektrischer Kondensatorfilm 16 ist auf den Kondensatorelektroden 14 gebildet. Der dielektrische Kondensatorfilm 16 ist z.B. als Material mit einer hohen dielektrischen Konstante gebildet. Spezifischer ist der dielektrische Kondensatorfilm 16 ein polykristalliner BST-Film. Die Filmdicke des dielektrischen Kondensatorfilms 16 beträgt z.B. 100 nm.
  • Kondensatorelektroden (obere Elektroden) 18 sind auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet. Die Kondensatorelektroden 18 sind z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet. Öffnungen 19 sind in den Kondensatorelektroden 18 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 abwärts zu den Kondensatorelektroden 14 gebildet.
  • So werden Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Der leitende Barrierefilm 86a zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ist auf den Kondensatorelektroden 14 in den Öffnungen 19 gebildet. Der leitende Barrierefilm 86b zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ist auf den Kondensatorelektroden 18 gebildet. Der leitende Barrierefilm 86a und der leitende Barrierefilm 86b sind durch Mustern auf ein und demselben Leiterfilm gebildet. Die leitenden Barrierefilme 86a, 86b sind z.B. ein IrO2-Film. Die leitenden Barrierefilme 86a, 86b sind in der vorliegenden Ausführungsform ein IrO2-Film, da ein IrO2-Film hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen ist. Die Filmdicke der leitenden Barrierefilme 86a, 86b beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Der leitende Barrierefilm 86a und der leitende Barrierefilm 86b sind aus dem folgenden Grund in der vorliegenden Ausführungsform aus ein und demselben leitenden Film gebildet. Das heißt, ein IrO2-Film, aus dem die leitenden Barrierefilme 86a, 86b gebildet sind, ist hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen, wobei er eine sehr hohe Eigenfestigkeit aufweist. Wenn die mehrfachen leitenden Barrierefilme 86a und die leitenden Barrierefilme 86b in verschiedenen Schritten gebildet werden, werden demgemäß starke Beanspruchungen auf die Kondensatorteile 20 ausgeübt, die das Problem des Abschälens der Filme und andere Probleme verursachen können. In der vorliegenden Ausführungsform ist, wie nachstehend beschrieben wird, der leitende Barrierefilm 86 auf der gesamten Oberfläche gebildet (siehe 23D), und dann wird der leitende Film 86 gemustert, um den leitenden Barrierefilm 86a und den leitenden Barrierefilm 86b zu bilden (siehe 26A), wodurch die Ausübung starker Beanspruchungen auf die Kondensatorteile 20 verhindert werden kann, und die Probleme des Abschälens des Films, etc., können verhindert werden.
  • Leiterfilme 88a, 88b sind auf den leitenden Barrierefilmen 86a, 86b gebildet. Die Leiterfilme 88a, 88b dienen zum Verhindern des Abätzens der leitenden Barrierefilme 86a, 86b, wenn ein Schutzfilm 30 geätzt wird, um Öffnungen 32a, 32b zu bilden. Die leitenden Barrierefilme 86a, 86b, die nicht abgeätzt wurden, können die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ausreichend verhindern.
  • Der Leiterfilm 86a und der Leiterfilm 88a bilden eine Leiterschicht 90a. Der leitende Barrierefilm 86b und der Leiterfilm 88b bilden eine Leiterschicht 90b.
  • Ein isolierender Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ist auf dem Basissubstrat 10 mit den darauf gebildeten Kondensatorteilen 20, der Leiterschicht 90a und der Leiterschicht 90b gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist gebildet, wobei er die Kondensatorteile 20 bedeckt. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Ein Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid ist auf dem isolierenden Barrierefilm 28 gebildet. Die Filmdicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 5 μm.
  • Öffnungen 32a sind in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zur Leiterschicht 90a gebildet. Öffnungen 32b sind in dem Schutzfilm 30 und der isolierenden Schicht 28 abwärts zur Leiterschicht 90a gebildet.
  • In den Öffnungen 32a, 32b ist ein Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem Ti-Film und einem Cu-Film gebildet, die sequentiell gelegt sind. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht.
  • Die Außenanschlusselektroden 34a, 34b aus Ni sind in den Öffnungen 32a, 32b gebildet.
  • Auf den Außenanschlusselektroden 34a, 34b sind Lötkontakthöcker 36 z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis gebildet.
  • So ist der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform zusammengesetzt.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausfüh rungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass die leitenden Barrierefilme 86a, 86b zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser jeweils für Kondensatorelektroden 14, 18 gebildet sind, und Elektroden 34a, 34b für die Verbindung mit der Außenseite sind jeweils mit den Kondensatoren 14, 18 über die leitenden Barrierefilme 86a, 86b elektrisch verbunden.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind die Außen anschlusselektroden 34a, 34b jeweils mit den Kondensatoren 14, 18 über die leitenden Barrierefilme 86a, 86b elektrisch verbunden, wodurch Wasserstoff oder Wasser daran gehindert werden, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 über die Außenanschlusselektroden 34a, 34b zu erreichen.
  • (Das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators)
  • Als Nächstes wird das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 23A bis 25 erläutert. 23A bis 25 sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen.
  • Zuerst wird das Basissubstrat 10 mit dem auf der Oberfläche gebildeten Isolierfilm 12 hergestellt. Spezifischer wird ein Siliciumsubstrat 10 z.B. mit einem auf der Oberfläche gebildeten Siliciumoxidfilm 12 hergestellt.
  • Als Nächstes wird das Basissubstrat 10 in die Filmbil dungskammer eines Sputter-Systems geladen. Das Sputter-System (nicht veranschaulicht) ist z.B. ein Sputter-System des Multitarget-Magnetrontyps.
  • Als Nächstes wird eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus einem 100 nm dicken TiO2-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 14 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der dielektrische Kondensatorfilm 16 z.B. aus einem 100 nm dicken polykristallinen BST-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 18 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet (siehe 23A).
  • Dann wird das Basissubstrat 10 aus der Filmbildungskammer des Sputter-Systems entladen.
  • Als Nächstes werden der Leiterfilm 18 und der dielektrische Kondensatorfilm 16 durch Photolithographie gemustert. So werden die Öffnungen 19 in den Kondensatorelektroden 18 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet (siehe 23B).
  • So werden die Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Als Nächstes wird, wie in 23C veranschaulicht, der leitende Barrierefilm 86 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der leitende Barrierefilm 86 ist z.B. ein 50 nm dicker IrO2-Film.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 88 z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der Leiterfilm 88 ist z.B. ein 50 nm dicker Au-Film oder Ir-Film. So wird der Schichtfilm 90 des leitenden Barrierefilms 86 und des Leiterfilms 88 gebildet (siehe 23D).
  • Als Nächstes wird der Schichtfilm 90 durch Photolithographie gemustert. Der Leiterfilm 90a des Schichtfilms 90 wird auf den Kondensatorelektroden 14 in den Öffnungen 19 gebildet. Die Leiterschicht 90b des Schichtfilms 90 wird auf den Kondensatorelektroden 18 gebildet (siehe 24A).
  • Dann wird der isolierende Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein amorpher Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm (siehe 24B).
  • Als Nächstes wird, wie in 24C veranschaulicht, der Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid z.B. durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Die Dicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 5 μm.
  • Als Nächstes werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 durch Photolithographie abwärts zum isolierenden Barrierefilm 28 gebildet.
  • Als Nächstes wird der isolierende Barrierefilm 28, der in den Öffnungen 32a, 32b freiliegt, abgeätzt. So werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a, 26b gebildet (siehe 24D).
  • Dann wird der Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem Ti-Film und einem Cu-Film, die sequentiell gelegt werden, z.B. durch Sputtern gebildet. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht. Der Schichtfilm dient auch als Keimschicht zur Bildung der Außenanschlusselektroden 34a, 34b durch Elektroplattieren in einem späteren Schritt.
  • Dann wird, ein Photoresistfilm (nicht veranschaulicht) durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Öffnungen (nicht veranschaulicht) werden durch Photolithographie in dem Photoresistfilm gebildet. Die Öffnungen bilden die Außenanschlusselektroden 34a, 34b. Da die Leiterfilme 88a, 88b auf den leitenden Barrierefilmen 88a, 88b gebildet sind, wird verhindert, dass die leitenden Barrierefilme 86a, 86b bei der Bildung der Öffnungen 32a, 32b abgeätzt werden. Die leitenden Barrierefilme 86a, 86b, deren Abätzen verhindert wird, können die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ausreichend verhindern.
  • Der leitende Barrierefilm 86a und der Leiterfilm 88a bilden die Leiterschicht 90a. Der leitende Barrierefilm 86b und der Leiterfilm 88b bilden die Leiterschicht 90b.
  • Als Nächstes werden durch Elektroplattieren die Außenanschlusselektroden 34a, 34b z.B. aus Ni in den Öffnungen 34a, 34b gebildet.
  • Dann werden die Lötkontakthöcker 36 durch Elektroplattieren z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis gebildet. Dann wird der Photoresistfilm abgetrennt.
  • Als Nächstes wird der rund um die Außenanschlusselektroden 34a, 34b freiliegende Schichtfilm durch Nassätzen entfernt.
  • Als Nächstes werden die Lötkontakthöcker 36 durch einen Aufschmelzofen in eine Hemisphäre geschmolzen.
  • Als Nächstes wird das Basissubstrat 10 in eine vorgeschriebene Größe geschnitten.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt (siehe 25).
  • Das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Barrierefilm 86a und der leitende Barrierefilm 86b aus ein und demselben Leiterfilm 86 gebildet werden.
  • Ein IrO2-Film, aus dem die leitenden Barrierefilme 86a, 86b gebildet werden, ist hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen, wie oben beschrieben, wobei er eine sehr große Eigenfestigkeit aufweist. Wenn die mehrfachen leitenden Barrierefilme 86a und die leitenden Barrierefilme 86b in verschiedenen Stufen gebildet werden, sind die Kondensatorteile 20 großen Beanspruchungen ausgesetzt, wodurch das Problem der Abtrennung von Filmen, etc., entsteht. In der vorliegenden Ausführungsform wird der leitende Barrierefilm 66 auf der gesamten Oberfläche gebildet und dann gemustert, um dadurch den leitenden Barrierefilm 86a und den leitenden Barrierefilm 86b zu bilden. Demgemäß kann nur eine Schicht des leitenden Barrierefilms 86 gebildet werden. Es muss nur eine Schicht des leitenden Barrierefilms 86 gebildet werden, die verhindert, dass die Kondensatorteile 20 übermäßigen Beanspruchungen ausgesetzt werden, und die Probleme der Abtrennung von Filmen, etc., können verhindert werden.
  • Eine Hauptcharakteristik des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist, dass die Leiterschichten 88a, 88b auf den leitenden Barrierefilmen 86a, 86b gebildet werden.
  • Da gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Leiterfilme 88a, 88b auf den leitenden Barrierefilmen 86a, 86b gebildet werden, wird verhindert, dass die leitenden Barrierefilmen 86a, 86b bei der Bildung der Öffnungen 32a, 32b abgeätzt werden. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform können die leitenden Barrierefilme 86a, 86b, deren Abätzen verhindert werden kann, die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ausreichend verhindern.
  • [Eine zehnte Ausführungsform]
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß einer zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators werden mit Bezugnahme auf 26A bis 28B erläutert. 26A und 26B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten bis neunten Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die in 1A bis 25 veranschaulicht sind, werden durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • (Der Dünnfilmkondensator)
  • Zuerst wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 26A und 26B erläutert.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass ein leitender Barrierefilm 92 auf Kondensatorelektroden (unteren Elektroden) 14 gebildet ist, ein leitender Barrierefilm 94, der von dem leitenden Barrierefilm 92 verschieden ist, auf Kondensatorelektroden (oberen Elektroden) 18 gebildet ist, und der leitende Barrierefilm 92 zwischen den Kondensatorelektroden (unteren Elektroden) 14 und einem dielektrischen Kondensatorfilm 16 vorhanden ist.
  • Ein Isolierfilm 12, wie in 26A und 26B veranschaulicht, wird auf der Oberfläche eines Basissubstrats 10 gebildet.
  • Eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus TiO2 wird auf dem Isolierfilm 12 gebildet.
  • Kondensatorelektroden (untere Elektroden) 14 werden auf der Adhäsionsschicht gebildet. Die Kondensatorelektroden 14 sind z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet.
  • Ein leitender Barrierefilm 92 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf den Kondensatorelektroden 14 gebildet. Der leitende Barrierefilm 92 ist z.B. ein IrO2-Film. Der leitende Barrierefilm 92 ist in der vorliegenden Ausführungsform ein IrO2-Film, da, wie oben beschrieben, ein IrO2-Film hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen ist. Die Filmdicke des leitenden Barrierefilms 92 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Ein dielektrischer Kondensatorfilm 16 wird auf dem leitenden Barrierefilm 92 gebildet. Der dielektrische Kondensatorfilm 16 wird z.B. aus einem Material mit einer hohen dielektrischen Konstante gebildet. Spezifischer ist der dielektrische Kondensatorfilm 16 ein polykristalliner BST-Film. Die Filmdicke des dielektrischen Kondensatorfilms 16 beträgt z.B. 100 nm.
  • Kondensatorelektroden (obere Elektroden) 18 werden auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet. Die Kondensatorelektroden 18 sind z.B. ein 100 nm dicker Pt-Film.
  • Ein leitender Barrierefilm 94 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf den Kondensatorelektroden 18 gebildet. Der leitende Barrierefilm 94 ist z.B. ein IrO2-Film. Der leitende Barrierefilm 94 ist in der vorliegenden Ausführungsform ein IrO2-Film, da, wie oben beschrieben, ein IrO2-Film hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen ist. Die Filmdicke des leitenden Barrierefilms 94 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Öffnungen 19 werden in dem leitenden Barrierefilm 94, den Kondensatorelektroden 18 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 abwärts zu den Kondensatorelektroden 14 gebildet.
  • So werden Kondensatorteile 20 zusammengesetzt, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Ein isolierender Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf dem Basissubstrat 10 mit den darauf gebildeten Kondensatorteilen 20 gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 wird gebildet, wobei er die Kondensatorteile 20 bedeckt. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Films 28 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Ein Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid wird auf dem isolierenden Barrierefilm 28 gebildet. Die Filmdicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 5 μm.
  • Öffnungen 32a werden in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zum leitenden Barrierefilm 92 gebildet. Öffnungen 32b werden in dem Schutzfilm 30 und der Isolierschicht 28 abwärts zum leitenden Barrierefilm 94 gebildet.
  • Ein Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem Ti-Film und einem Cu-Film, die sequentiell gelegt sind, wird in den Öffnungen 32a, 32b gebildet. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht.
  • Elektroden für die Verbindung mit der Außenseite 34a, 34b aus Ni werden in den Öffnungen 32a, 32b mit dem darin gebildeten Schichtfilm gebildet.
  • Lötkontakthöcker 36 z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis werden auf den Außenanschlusselektroden 34a, 34b gebildet.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Barrierefilm 92 auf den Kondensatorelektroden (unteren Elektroden) 14 gebildet ist, der leitende Barrierefilm 94, der von dem leitenden Barrierenfilm 92 verschieden ist, auf den Kondensatorelektroden (oberen Elektroden) 18 gebildet ist, und der leitende Barrierefilm 92 zwischen den Kon densatorelektroden (unteren Elektroden) 14 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 vorhanden ist.
  • Da gemäß der vorliegenden Ausführungsform die leitenden Barrierefilme 92, 94 zwischen den Außenanschlusselektroden 34a, 34b und den Kondensatorelektroden 14, 18 vorhanden sind, wird verhindert, dass über die Außenanschlusselektroden 34a, 34b von der Außenseite eindringender Wasserstoff oder Wasser daran gehindert wird, die Kondensatorelektroden 14, 18 zu erreichen. Da gemäß der vorliegenden Ausführungsform der leitende Barrierefilm 92 zwischen den Kondensatorelektroden 14 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 vorhanden ist, kann ferner von den Kondensatorelektroden 14 durch den leitenden Barrierefilm 92, der zwischen den Kondensatorelektroden 14 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 vorhanden ist, verhindert werden, dass Wasserstoff oder Wasser, auch wenn Wasserstoff oder Wasser die Kondensatorelektroden 14 erreichen sollte, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 erreicht.
  • (Das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators)
  • Als Nächstes wird das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 27A bis 28B erläutert. 27A bis 28B sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen.
  • Zuerst wird das Basissubstrat 10 mit dem darauf gebildeten Isolierfilm 12 hergestellt. Spezifischer wird ein Siliciumsubstrat 10 z.B. mit dem auf der Oberfläche gebildeten Siliciumoxidfilm 12 hergestellt.
  • Als Nächstes wird das Basissubstrat 10 in die Filmbildungskammer eines Sputter-Systems geladen. Das Sputter- System (nicht veranschaulicht) ist z.B. ein Multitarget-Magnetron-Sputter-System.
  • Als Nächstes wird eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus einem 100 nm dicken TiO2-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 14 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der leitende Barrierefilm 92 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der leitende Barrierefilm 92 ist z.B. ein 50 nm dicker IrO2-Film.
  • Als Nächstes wird der dielektrische Kondensatorfilm 16 z.B. aus einem 100 nm dicken polykristallinen BST-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 18 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der leitende Barrierefilm 94 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der leitende Barrierefilm 94 ist z.B. ein 50 nm dicker IrO2-Film (siehe 27A).
  • Dann wird das Basissubstrat 10 aus der Filmbildungskammer des Sputter-Systems entladen.
  • Dann werden der leitende Barrierefilm 94, der Leiterfilm 18 und der dielektrische Kondensatorfilm 16 durch Photolithographie gemustert. So werden die Öffnungen 19 in dem leitenden Barrierefilm 94, den Kondensatorelektroden 18 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet (siehe 27B).
  • So werden die Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Als Nächstes wird der isolierende Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein amorpher Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm (siehe 27C).
  • Als Nächstes wird, wie in 27D veranschaulicht, der Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid z.B. durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Die Dicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 5 μm.
  • Als Nächstes werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 durch Photolithographie abwärts zum isolierenden Barrierefilm 28 gebildet.
  • Als Nächstes wird der isolierende Barrierefilm 28, der in den Öffnungen 32a, 32b freiliegt, abgeätzt. So werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a, 26b gebildet (siehe 28A).
  • Das folgende Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung ist gleich wie das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung der oben mit Bezugnahme auf 25 beschriebenen neunten Ausführungsform und wird nicht wiederholt.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt (siehe 28B).
  • [Eine elfte Ausführungsform]
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß einer elften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators werden mit Bezugnahme auf 29A bis 31B erläutert. 29A und 29B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Dieselben Glieder des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten bis zehnten Ausführungsform, die in 1 bis 28B veranschaulicht sind, werden durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • (Der Dünnfilmkondensator)
  • Zuerst wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 29A und 29B erläutert.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass ferner ein Leiterfilm 96 auf dem leitenden Barrierefilm 92 gebildet ist.
  • Ein Isolierfilm 12, wie in 29A und 29B veranschaulicht, wird auf der Oberfläche eines Basissubstrats 10 gebildet.
  • Eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus TiO2 wird auf dem Isolierfilm 12 gebildet.
  • Kondensatorelektroden (untere Elektroden) 14 werden auf der Adhäsionsschicht gebildet. Die Kondensatorelektroden 14 werden z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet.
  • Ein leitender Barrierefilm 92 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf den Kondensatorelektroden 14 gebildet. Der leitende Barrierefilm 92 ist z.B. ein IrO2-Film. Der leitende Barrierefilm 92 ist in der vorliegenden Ausführungsform ein IrO2-Film, da, wie oben beschrieben, ein IrO2-Film hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen ist. Die Filmdicke des leitenden Barrierefilms 92 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Ein dielektrischer Kondensatorfilm 16 wird auf dem lei tenden Barrierefilm 92 gebildet. Der dielektrische Kondensatorfilm 16 wird z.B. aus einem Material mit einer hohen dielektrischen Konstante gebildet. Spezifischer ist der dielektrische Kondensatorfilm 16 ein polykristalliner BST-Film. Die Filmdicke des dielektrischen Kondensatorfilms 16 beträgt z.B. 100 nm.
  • Kondensatorelektroden (obere Elektroden) 18 werden auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet. Die Kondensatorelektroden 18 werden z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet.
  • Ein leitender Barrierefilm 94 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf den Kondensatorelektroden 18 gebildet. Der leitende Barrierefilm 94 ist z.B. ein IrO2-Film. Der leitende Barrierefilm 94 ist in der vorliegenden Ausführungsform ein IrO2-Film, da, wie oben beschrieben, ein IrO2-Film hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen ist. Die Filmdicke des leitenden Barrierefilms 94 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Ein Leiterfilm 96 wird auf dem leitenden Barrierefilm 94 gebildet. Der Leiterfilm 96 dient dazu zu verhindern, dass der leitende Barrierefilm 94 beim Ätzen eines Schutzfilms 30 zur Bildung von Öffnungen 92b abgeätzt wird. Der leitende Barrierefilm 94, der nicht abgeätzt wird, kann die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ausreichend verhindern.
  • Der leitende Barrierefilm 94 und der Leiterfilm 96 bilden einen Schichtfilm 98.
  • Öffnungen 19 werden in dem leitenden Barrierefilm 98, den Kondensatorelektroden 18 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 abwärts zu den Kondensatorelektroden 14 gebildet.
  • So werden Kondensatorteile 20 zusammengesetzt, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Ein isolierender Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf dem Basissubstrat 10 mit den darauf gebildeten Kondensatorteilen 20 gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 wird gebildet, wobei er die Kondensatorteile 20 bedeckt. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Ein Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid wird auf dem isolierenden Barrierefilm 28 gebildet. Die Filmdicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 5 μm.
  • Öffnungen 32a werden in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zum leitenden Barrierefilm 92 gebildet. Öffnungen 32b werden in dem Schutzfilm 30 und der Isolierschicht 28 abwärts zum leitenden Barrierefilm 94 gebildet.
  • Ein Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem Ti-Film und einem Cu-Film, die sequentiell gelegt sind, wird in den Öffnungen 32a, 32b gebildet. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht.
  • Elektroden für die Verbindung mit der Außenseite 34a, 34b aus Ni werden in den Öffnungen 32a, 32b mit dem darin gebildeten Schichtfilm gebildet.
  • Lötkontakthöcker 36 z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis werden auf den Außenanschlusselektroden 34a, 34b gebildet.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform zusammengesetzt.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass ferner der Leiterfilm 96 auf dem leitenden Barrierefilm 92 gebildet ist. Da gemäß der vorliegenden Ausführungsform ferner der Leiterfilm 96 auf dem leitenden Barrierefilm 96 gebildet ist, wird verhindert, dass der leitende Barrierefilm 94 beim Ätzen des Schutzfilms 30 zur Bildung der Öffnungen 32b abgeätzt wird. So kann, gemäß der vorliegenden Ausführungsform, die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser durch den leitenden Barrierefilm 94 sicherer verhindert werden.
  • (Das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators)
  • Als Nächstes wird das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 30A bis 31B erläutert. 30A bis 31B sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen.
  • Zuerst wird das Basissubstrat 10 mit dem auf der Oberfläche gebildeten Isolierfilm 12 hergestellt. Spezifischer wird ein Siliciumsubstrat 10 z.B. mit einem auf der Oberfläche gebildeten Siliciumoxidfilm 12 hergestellt.
  • Als Nächstes wird das Basissubstrat 10 in die Filmbildungskammer eines Sputter-Systems geladen. Das Sputter-System (nicht veranschaulicht) ist z.B. ein Multitarget-Magnetron-Sputter-System.
  • Als Nächstes wird die Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus einem 100 nm dicken TiO2-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird die Leiterschicht 14 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der leitende Barrierefilm 92 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der leitende Barrierefilm 92 ist z.B. ein 50 nm dicker IrO2-Film.
  • Als Nächstes wird der dielektrische Kondensatorfilm 16 z.B. aus einem 100 nm dicken polykristallinen BST-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 18 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der leitende Barrierefilm 94 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der leitende Barrierefilm 94 ist z.B. ein 50 nm dicker IrO2-Film.
  • Dann wird der Leiterfilm 96 z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der Leiterfilm 96 ist z.B. ein 50 nm dicker Au-Film oder Ir-Film. So wird der Schichtfilm 98 des leitenden Barrierefilms 94 und des Leiterfilms 96 gebildet (siehe 30A).
  • Dann wird das Basissubstrat 10 aus der Filmbildungskammer des Sputter-Systems entladen.
  • Als Nächstes werden der Schichtfilm 98, der Leiterfilm 18 und der dielektrische Kondensatorfilm 16 gemustert. So werden die Öffnungen 19 in dem Schichtfilm 98, den Kondensatorelektroden 18 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet (siehe 30B).
  • So werden die Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Dann wird der isolierende Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein amorpher Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm (siehe 30C).
  • Als Nächstes wird, wie in 30D veranschaulicht, der Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid z.B. durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Die Dicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 50 μm.
  • Dann werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 durch Photolithographie abwärts zum isolierenden Barrierefilm 28 gebildet. In der vorliegenden Ausführungsform wird ferner der Leiterfilm 96 auf dem leitenden Barrierefilm 94 gebildet, wodurch verhindert werden kann, dass der leitende Barrierefilm 94 bei der Bildung der Öffnungen 32b abgeätzt wird.
  • Als Nächstes wird der isolierende Barrierefilm 28, der in den Öffnungen 32a, 32b freiliegt, abgeätzt. So werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a, 26b gebildet (siehe 31A).
  • Das folgende Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung ist gleich wie das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung der oben mit Bezugnahme auf 25 beschriebenen neunten Ausführungsform und wird nicht wiederholt.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt (siehe 31B).
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird ferner der Leiterfilm 96 auf dem leitenden Barrierefilm 94 gebildet, wodurch verhindert werden kann, dass der leitende Barrierefilm 94 bei der Bildung der Öffnungen 32b abgeätzt wird. So kann gemäß der vorliegenden Ausführungsform durch den leitenden Barrierefilm 94 besser sichergestellt werden, dass die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert wird.
  • [Eine zwölfte Ausführungsform]
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators werden mit Bezugnahme auf 32A bis 34D erläutert. 32A und 32B sind eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Dieselben Glieder der vorliegenden Ausführungsform wie jene des Dünnfilmkondensators gemäß der ersten bis elften Ausführungsform und des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die in 1 bis 31B veranschaulicht sind, werden durch dieselben Bezugszahlen repräsentiert, um ihre Erläuterung nicht zu wiederholen oder um diese zu vereinfachen.
  • (Der Dünnfilmkondensator)
  • Zuerst wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 32A und 32B erläutert.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass ein Leiterfilm 96b auf dem leitenden Barrierefilm 94 gebildet ist, und ein Leiterfilm 96a auf dem leitenden Barrierefilm 92a gebildet ist.
  • Ein Isolierfilm 12, wie in 32A und 32B veranschaulicht, wird auf der Oberfläche eines Basissubstrats 10 gebildet.
  • Eine Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus TiO2 wird auf dem Isolierfilm 12 gebildet. Kondensatorelektroden (untere Elektroden) 14 werden auf der Adhäsionsschicht gebildet. Die Kondensatorelektroden 14 werden z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet. Leitende Barrierefilme 92a, 92b zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser werden auf den Kondensatorelektroden 14 gebildet. Die leitenden Barrierefilme 92a, 92b sind z.B. ein IrO2-Film. Die leitenden Barrierefilme 92a, 92b sind in der vorliegenden Ausführungsform ein IrO2-Film, da, wie oben beschrieben, ein IrO2-Film hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser stark überlegen ist. Die Filmdicke der leitenden Barrierefilme 92a, 92b beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Ein dielektrischer Kondensatorfilm 16 wird auf dem leitenden Barrierefilm 92b gebildet. Der dielektrische Kondensatorfilm 16 wird z.B. aus einem Material mit einer hohen dielektrischen Konstante gebildet. Spezifischer ist der dielektrische Kondensatorfilm 16 ein polykristalliner BST-Film. Die Filmdicke des dielektrischen Kondensatorfilms 16 beträgt z.B. 100 nm.
  • Kondensatorelektroden (obere Elektroden) 18 werden auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet. Die Kondensatorelektroden 18 werden z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film gebildet.
  • Ein leitender Barrierefilm 94 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf den Kondensatorelektroden 18 gebildet. Der leitende Barrierefilm 94 ist z.B. ein IrO2-Film. Der leitende Barrierefilm 94 ist in der vorliegenden Ausführungsform ein IrO2-Film, da, wie oben beschrieben, ein IrO2-Film hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen ist. Die Filmdicke des leitenden Barrierefilms 94 beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Ein Leiterfilm 96b wird auf dem leitenden Barrierefilm 94 gebildet. Der Leiterfilm 96b dient dazu zu verhindern, dass der leitende Barrierefilm 94 beim Ätzen des Schutzfilms 30 zur Bildung von Öffnungen 32b abgeätzt wird. Der leitende Barrierefilm 94, der nicht abgeätzt wird, kann die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ausreichend verhindern.
  • Ein Leiterfilm 96a wird auf dem leitenden Barrierefilm 92a gebildet. Der leitende Film 96a dient dazu zu verhindern, dass der leitende Barrierefilm 92a beim Ätzen des Schutzfilms 30 zur Bildung von Öffnungen 32a abgeätzt wird. Der leitende Barrierefilm 92a, der nicht abgeätzt wird, kann die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ausreichend verhindern.
  • Der leitende Barrierefilm 92a und der leitende Barrierefilm 96a bilden einen Schichtfilm (Leiterschicht) 98a. Der leitende Barrierefilm 94 und der Leiterfilm 96b bilden einen Schichtfilm (Leiterschicht) 98b.
  • Öffnungen 19 werden in dem Schichtfilm 98b, den Kondensatorelektroden 18 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 abwärts zu den Kondensatorelektroden 14 gebildet.
  • So werden Kondensatorteile 20 zusammengesetzt, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Ein isolierender Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser wird auf dem Basissubstrat 10 mit den darauf gebildeten Kondensatorteilen 20 gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 wird gebildet, wobei er die Kondensatorteile 20 bedeckt. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms beträgt z.B. etwa 50 nm.
  • Ein Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid wird auf dem isolierenden Barrierefilm 28 gebildet. Die Filmdicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 5 μm.
  • Öffnungen 32a werden in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zum Leiterfilm 96a gebildet. Öffnungen 32b werden in dem Schutzfilm 30 und der Isolierschicht 28 abwärts zum Leiterfilm 96b gebildet.
  • Ein Schichtfilm (nicht veranschaulicht) aus einem Ti-Film und einem Cu-Film, die sequentiell gelegt sind, wird in den Öffnungen 32a, 32b gebildet. Der Schichtfilm dient als Adhäsionsschicht.
  • Elektroden für die Verbindung mit der Außenseite 34a, 34b aus Ni werden in den Öffnungen 32a, 32b mit dem darin gebildeten Schichtfilm gebildet.
  • Lötkontakthöcker 36 z.B. aus einem Material auf Sn-Ag-Basis werden auf den Außenanschlusselektroden 34a, 34b gebildet.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform zusammengesetzt.
  • Der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist hauptsächlich dadurch gekennzeichnet, dass, wie oben beschrieben, der Leiterfilm 96b auf dem leitenden Barrierefilm 94 gebildet ist, und der Leiterfilm 96a auch auf dem leitenden Barrierefilm 92a gebildet ist.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist der Leiterfilm 96b auf dem leitenden Barrierefilm 94 gebildet, und der Leiterfilm 96a ist auf dem leitenden Barrierefilm 92a gebildet, wodurch verhindert wird, dass der leitende Barrierefilm 94 beim Ätzen des Schutzfilms 30 zur Bildung der Öffnungen 32a, 32b abgeätzt wird, und auch verhindert wird, dass der leitende Barrierefilm 92a abgeätzt wird. So kann, gemäß der vorliegenden Ausführungsform, die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser durch die leitenden Barrierefilme 92a, 94 sicherer verhindert werden.
  • (Das Verfahren zur Herstellung des Dünnfilmkondensators)
  • Als Nächstes wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit Bezugnahme auf 33A bis 34D erläutert. 33A bis 34D sind Schnittansichten des Dünnfilmkondensators gemäß der vorliegenden Ausführungsform in den Schritten des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmkondensators, die das Verfahren veranschaulichen.
  • Zuerst wird das Basissubstrat 10 mit dem auf der Oberfläche gebildeten Isolierfilm 12 hergestellt. Spezifischer wird ein Siliciumsubstrat 10 z.B. mit einem darauf gebildeten Siliciumoxidfilm 12 hergestellt.
  • Dann wird das Basissubstrat 10 in die Filmbildungskam mer eines Sputter-Systems geladen. Das Sputter-System (nicht veranschaulicht) ist z.B. ein Sputter-System des Multitarget-Magnetrontyps.
  • Als Nächstes wird die Adhäsionsschicht (nicht veranschaulicht) z.B. aus einem 100 nm dicken TiO2-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Dann wird der Leiterfilm 14 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der leitende Barrierefilm 92 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der leitende Barrierefilm 92 ist z.B. ein 50 nm dicker IrO2-Film.
  • Als Nächstes wird der dielektrische Kondensatorfilm 16 z.B. aus einem 100 nm dicken polykristallinen BST-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 18 z.B. aus einem 100 nm dicken Pt-Film durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet.
  • Dann wird der leitende Barrierefilm 94 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der leitende Barrierefilm 94 ist z.B. ein 50 nm dicker IrO2-Film (siehe 33A).
  • Dann wird das Basissubstrat 10 aus der Filmbildungskammer des Sputter-Systems entladen.
  • Dann werden der leitende Barrierefilm 94, der Leiterfilm 18 und der dielektrische Kondensatorfilm 16 durch Photolithographie gemustert. So werden die Öffnungen 19 in dem leitenden Barrierefilm 94, dem dielektrischen Kondensatorfilm 18 und dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet (siehe 33B).
  • So werden die Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektrode 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektrode 18 enthalten.
  • Als Nächstes wird der Leiterfilm 96 z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der Leiterfilm 96 ist z.B. ein 50 nm dicker Au-Film oder Ir-Film. So wird der Schichtfilm 98 des leitenden Barrierefilms 94 und des Leiterfilms 96 gebildet (siehe 33C).
  • Dann wird der Schichtfilm 98 durch Photolithographie gemustert. So wird der Schichtfilm 98a aus dem leitenden Barrierefilm 92a und dem Leiterfilm 96a gebildet. Der Schichtfilm 98b wird aus dem leitenden Barrierefilm 94 und dem Leiterfilm 96b gebildet (siehe 33D). In der vorliegenden Ausführungsform werden ferner die Leiterfilme 96a, 96b auf den leitenden Barrierefilmen 92a, 94 gebildet, wodurch verhindert wird, dass die leitenden Barrierefilme 92a, 94 bei der Bildung der Öffnungen 32a, 32b abgeätzt werden.
  • Als Nächstes wird der isolierende Barrierefilm 28 zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser z.B. durch Sputtern auf der gesamten Oberfläche gebildet. Der isolierende Barrierefilm 28 ist z.B. ein amorpher Aluminiumoxidfilm. Die Filmdicke des isolierenden Barrierefilms 28 beträgt z.B. etwa 50 nm (siehe 34A).
  • Als Nächstes wird, wie in 34B veranschaulicht, der Schutzfilm 30 z.B. aus lichtempfindlichem Polyimid z.B. durch Spin-Überzug auf der gesamten Oberfläche gebildet. Die Dicke des Schutzfilms 30 beträgt z.B. etwa 5 μm.
  • Als Nächstes wird der isolierende Barrierefilm 28, der in den Öffnungen 32a, 32b freiliegt, abgeätzt. So werden die Öffnungen 32a, 32b in dem Schutzfilm 30 und dem isolierenden Barrierefilm 28 abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a, 26b gebildet (siehe 34C).
  • Das folgende Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung ist gleich wie das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung der oben mit Bezugnahme auf 25 beschriebenen neunten Ausführungsform und wird nicht wiederholt.
  • So wird der Dünnfilmkondensator gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt (siehe 34A bis 34B).
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der Leiterfilm 96b auf dem leitenden Barrierefilm 94 gebildet, und der Leiterfilm 96a wird auch auf dem leitenden Barrierefilm 92a gebildet, wodurch verhindert werden kann, dass der leitende Barrierefilm 94 beim Ätzen des Schutzfilms 30 zur Bildung der Öffnungen 32a, 32b abgeätzt wird, und es kann verhindert werden, dass der leitende Barrierefilm 92a abgeätzt wird. So kann, gemäß der vorliegenden Ausführungsform, von den leitenden Barrierefilmen 92a, 94 besser sichergestellt werden, dass die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert wird.
  • (Modifizierte Ausführungsformen)
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt und kann verschiedenste andere Modifikationen abdecken.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen ist beispielsweise der leitende Barrierefilm, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, ein amorpher Film. Der leitende Barrierefilm ist jedoch nicht notwendigerweise amorph. Der leitende Barrierefilm, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, kann ein polykristalliner Film aus Mikrokristallen sein, d.h. ein mikrokristalliner Film. Spezifischer kann der polykristalline Film aus Mikrokristallen mit einem Korndurchmesser von 50 nm oder weniger als leitender Barrierefilm verwendet werden, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet. Der polykristalline Film aus Mikrokristallen zeigt eine sehr schmale Lücke zwischen den Kristallkörnern, d.h. sehr kleine Korngrenzen, und Wasserstoff oder Wasser kann nicht leicht durch die Lücken zwischen den Kristallkörnern hindurchgehen. Wenn der leitende Barrierefilm, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, ein polykristalliner Film aus Mikrokristallen ist, kann demgemäß die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser ausreichend verhindert werden.
  • Das Material des leitenden Barrierefilms, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, ist nicht auf die Materialien beschränkt, die in den oben beschriebenen Ausführungsformen beschrieben sind. Der leitende Barrierefilm, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, kann beispielsweise ein Oxid, wie IrO2 o.a., sein. Das Material des leitenden Barrierefilms, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, kann ein Nitrid, wie TiN, TaSiN o.a., sein. Das Material des leitenden Barrierefilms, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, kann ein Carbid, wie TiC, SiC o.a., sein. Das Material des leitenden Barrierefilms, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, kann ein leitender diamantähnlicher Kohlenstoff o.a. sein. Das heißt, das Material des leitenden Barrierefilms, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, kann ein leitender Carbonfilm sein. Das Material des leitenden Barrierefilms, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet, kann ein Silicid, wie CoSi, TaSi o.a., sein. Ein Verbundstoff dieser Materialien kann als Material des leitenden Barrierefilms verwendet werden, der die herausführenden Elektroden 26a–26d bildet.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsform werden die herausführenden Elektroden 26a–26d aus dem leitenden Barrierefilm gebildet, d.h. der hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen ist. Ein Material, das nicht effektiv ist, die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser zu verhindern, kann jedoch als Material der herausführenden Elektroden 26a–26d verwen det werden; die Außenanschlusselektroden 34a, 34b und die Kondensatorelektroden 14, 18 sind durch die herausführenden Elektroden 26a, 26d verbunden, wodurch die Verbindungen zwischen den Außenanschlusselektroden 34a, 34b und den herausführenden Elektroden 26a, 26b, und die Verbindungen zwischen den Elektroden 14, 18 und den herausführenden Elektroden 26a, 26b, ausreichend weit entfernt voneinander sein können, und demgemäß über die Außenanschlusselektroden 34a, 34b eindringender Wasserstoff oder Wasser von den herausführenden Elektroden 26a, 26b ausreichend blockiert werden kann. Auch wenn die herausführenden Elektroden 26a–26d aus einem üblichen Metall gebildet sind, wie Cu, Au, Al, Ni, W (Wolfram) o.a., kann der ausreichende Barriereeffekt in Abhängigkeit von den Bedingungen zur Verwendung des Materials vorgesehen werden.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen werden die isolierenden Barrierefilme 22, 28 aus einem amorphen Film gebildet. Die isolierenden Barrierefilme 22, 28 sind jedoch nicht notwendigerweise amorph. Die isolierenden Barrierefilme 22, 28 können beispielsweise ein polykristalliner Film aus Mikrokristallen sein, d.h. ein mikrokristalliner Film. Spezifischer können die isolierenden Barrierefilme 22, 28 ein polykristalliner Film mit einem Kristalldurchmesser von 50 nm oder weniger sein. Der polykristalline Film aus Mikrokristallen zeigt, wie oben beschrieben, sehr schmale Lücken zwischen den Kristallkörnern, d.h. sehr kleine Korngrenzen, und demgemäß kann Wasserstoff oder Wasser nicht leicht durch die Lücken zwischen den Kristallkörnern hindurchgehen. Auch wenn die isolierenden Barrierefilme 22, 28 aus einem polykristallinen Film aus Mikrokristallen gebildet sind, können so die isolierenden Barrierefilme 22, 28 die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindern.
  • Das Material der isolierenden Barrierefilme 22, 28 ist nicht auf das in den oben beschriebenen Ausführungsformen verwendete Material beschränkt. Beispielsweise kann ein Oxid, wie Aluminiumoxid, Titanoxid, Zirconiumoxid, BaSrTiO3 (BST), SrTiO3 (STO) o.a., als Material der isolierenden Barrierefilme 22, 28 verwendet werden. Isolierender diamantähnlicher Kohlenstoff o.a. kann als Material der isolierenden Barrierefilme 22, 28 verwendet werden. Das heißt, ein isolierenden Carbonfilm kann als isolierende Barrierefilme 22, 28 verwendet werden. Ein Verbundstoff der Materialien kann als Material der isolierenden Barrierefilme 22, 28 verwendet werden.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsform werden die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 aus einem BST-Film gebildet. Das Material der dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 ist jedoch nicht auf einen BST-Film beschränkt. Ein beliebiger anderer dielektrischer Film kann geeignet als dielektrische Kondensatorfilme 16, 38 verwendet werden.
  • Dielektrische Filme, die hauptsächlich aus Oxiden mit der Perowskit-Kristallstruktur (Perowskit-Oxide) gebildet sind, können beispielsweise als dielektrische Kondensatorfilme 16, 38 verwendet werden. Spezifischer können Perowskit-Oxide auf BaTiO3-Basis, wie BaSrTiO3 (BST), SrTiO3 (STC), BaZrTiO3, BaTiSnO3 o.a., als Material der dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 verwendet werden. Ein Perowskit-Oxid auf Pb-Basis, wie PbMnNbO3-PbTiO3(PMN-PT), kann als Material der dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 verwendet werden.
  • Ein Oxid, wie Tantaloxid, Nioboxid, Hafniumoxid, Yttriumoxid, Aluminiumoxid o.a., kann als Material der dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 verwendet werden. Ein zusammengesetztes Oxid aus zwei oder mehreren Metallen, wie Ta, Nb, Hhat Y, Al, etc., kann als Material der dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 verwendet werden. Eine Mi schung dieser Materialien kann als Material der dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 verwendet werden.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsform sind die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 ein polykristalliner dielektrischer Film. Die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 sind jedoch nicht notwendigerweise polykristallin. Die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 können beispielsweise ein einkristalliner dielektrischer Film sein. Die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 sind ein einkristalliner dielektrischer Film, wodurch die spezifische dielektrische Konstante der Kondensatorteile 20, 20a sehr hoch sein kann. Die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 können ein amorpher dielektrischer Film sein. Die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 aus einem amorphen dielektrischen Film können die Kondensatorteile mit guten Leckcharakteristiken bilden. Die dielektrischen Kondensatorfilme 16, 38 können eine gemischte kristalline und amorphe Phase aufweisen.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen sind die Kondensatorelektroden 14, 18, 40 aus Pt gebildet. Die Kondensatoren 14, 18, 40 sind jedoch nicht notwendigerweise aus Pt gebildet. Die Kondensatorelektroden 14, 18, 40 können aus einem Edelmetall gebildet sein, wie Ir, Ru, Rh o.a. Das Edelmetall tendiert dazu, nicht oxidiert zu werden, und hat darüber hinaus einen niedrigen elektrischen Widerstand, geeignet für die Kondensatorelektroden 14, 18, 40. Die Kondensatorelektroden 14, 18, 40 können aus einem leitenden Oxid gebildet sein, wie SrRuO3, LaNiO3, LaSrCoO3 o.a. Die Kondensatorelektroden 14, 18, 40 können aus einem leitenden Nitrid gebildet sein, wie AlTiN o.a. Die Kondensatorelektroden 14, 18, 40 können aus einem leitenden Carbid, wie TiC o.a., gebildet sein. Die Kondensatorelektroden 14, 18, 40 können aus Cu, Ni o.a. gebildet sein.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen ist der Schutzfilm 30 aus Polyimidharz gebildet. Der Schutzfilm ist jedoch nicht notwendigerweise aus Polyimidharz gebildet. Beispielsweise kann ein beliebiges anderes Harz, wie Epoxyharz o.a., geeignet als Material des Schutzfilms 30 verwendet werden. Der Schutzfilm 30 kann ein Aluminiumoxidfilm, Siliciumoxidfilm o.a. sein. Der Schutzfilm 30 kann ein Nitrid, Oxidnitrid o.a. sein. Der Schutzfilm 30 kann aus einem anderen Isoliermaterial gebildet sein. Der Schutzfilm 30 kann ein Schichtfilm einer Vielzahl gestapelter Isolierfilme sein. In dem Schutzfilm 30 dieser Materialien können die Öffnungen 32a, 32b z.B. durch Ätzen abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a–26d gebildet werden. Wenn der Schutzfilm 30 aus einem lichtempfindlichen Material gebildet wird, wird der Schutzfilm einer Belichtung, einer Entwicklung und einer anderen Verarbeitung ausgesetzt, um dadurch die Öffnungen 32a, 32b abwärts zu den herausführenden Elektroden 26a–26d zu bilden.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen ist das Basissubstrat 10 ein Siliciumsubstrat. Das Basissubstrat 10 ist jedoch nicht auf das Siliciumsubstrat beschränkt. Beispielsweise kann ein Glassubstrat als Basissubstrat 10 verwendet werden. Das Basissubstrat 10 kann ein Keramiksubstrat aus Aluminiumoxid o.a. sein. Das Basissubstrat 10 kann ein Metallsubstrat aus Molybdän (Mo), Wolfram (W) o.a. sein. Das Basissubstrat 10 kann ein Harzsubstrat aus Epoxyharz o.a. sein. Ein Verbundmaterial dieser Materialien kann als Material des Basissubstrats 10 verwendet werden.
  • In der neunten bis zwölften Ausführungsform sind die leitenden Barrierefilme 86a, 86b IrO2-Filme. Die leitenden Barrierefilme 86a, 86b sind jedoch nicht auf den IrO2-Film beschränkt. Die leitenden Barrierefilme 86a, 86b können aus einem beliebigen anderen geeigneten Material gebildet sein. Es wird jedoch bevorzugt, dass die leitenden Barrierefilme 86a, 86b aus einem Material gebildet sind, dass effektiv ist, die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser zu verhindern. Materialien, die hinsichtlich der Funktion des Verhinderns der Diffusion von Wasserstoff oder Wasser überlegen sind, sind, zusätzlich zu IrO2, z.B. Oxide, wie RuO2, etc., Nitride, wie TiN, TiSiN, TaSiN, NbSiN, etc., Carbide, wie TiC, SiC, etc., Kohlenstoff, etc.

Claims (29)

  1. Dünnfilmkondensator, mit: einem Kondensatorteil, der über einem Basissubstrat gebildet ist und eine erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; einer herausführenden Elektrode, die aus der ersten Kondensatorelektrode oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; und einer Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden ist.
  2. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, ferner mit einem isolierenden Barrierefilm, der gebildet ist, wobei er den Kondensatorteil und die herausführende Elektrode bedeckt, und die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert.
  3. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, bei welchem eine Öffnung in der ersten Kondensatorelektrode, dem dielektrischen Kondensatorfilm und der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist; die herausführende Elektrode aus dem Innenrand der ersten Kondensatorelektrode in der Öffnung herausgeführt wird; und die Außenanschlusselektrode auf der herausführenden Elektrode in der Öffnung gebildet ist.
  4. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, bei welchem eine Öffnung in der ersten Kondensatorelektrode, dem dielektrischen Kondensatorfilm und der zweiten Kondensator elektrode gebildet ist; die herausführende Elektrode aus dem Innenrand der zweiten Kondensatorelektrode in der Öffnung herausgeführt wird; und die Außenanschlusselektrode auf der herausführenden Elektrode in der Öffnung gebildet ist.
  5. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, bei welchem der erste Kondensatorteil ferner einen weiteren dielektrischen Kondensatorfilm, der auf der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist, und eine dritte Kondensatorelektrode, die auf dem weiteren dielektrischen Kondensatorfilm gebildet ist, enthält; und die erste Kondensatorelektrode und die dritte Kondensatorelektrode miteinander elektrisch verbunden sind.
  6. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, ferner mit: einem ersten isolierenden Barrierefilm, der gebildet ist, wobei er den Kondensatorteil bedeckt, und die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert, der herausführenden Elektrode, die auf dem ersten isolierenden Barrierefilm gebildet ist und mit der zweiten Kondensatorelektrode über eine in dem ersten isolierenden Barrierefilm gebildete Öffnung verbunden ist; und einem zweiten isolierenden Barrierefilm, der gebildet ist, wobei er den ersten isolierenden Barrierefilm und die herausführende Elektrode bedeckt, und die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert, der Außenanschlusselektrode, die mit der herausführenden Elektrode über eine in dem zweiten isolierenden Barrierefilm gebildete Öffnung verbunden ist.
  7. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, ferner mit einer Durchgangselektrode, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden und durch das Basissubstrat hindurch gebildet ist.
  8. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, bei welchem die herausführende Elektrode aus einem amorphen Film oder einem polykristallinen Film aus Mikrokristallen mit einem Kristallkorndurchmesser von 50 nm oder weniger gebildet ist.
  9. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, bei welchem die herausführende Elektrode aus Oxid, Nitrid, Kohlenstoff, Carbid, Silicid oder einem Verbundstoff dieser gebildet ist.
  10. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, bei welchem der isolierende Barrierefilm ein amorpher Film oder polykristalliner Film aus Mikrokristallen mit einem Kristallkorndurchmesser von 50 nm oder weniger ist.
  11. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 1, bei welchem der dielektrische Kondensatorfilm ein dielektrischer Film ist, der hauptsächlich aus Oxid mit der Perowskit-(engl. Prevskite-)Kristallstruktur gebildet ist.
  12. Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmkondensators, welches die Schritte umfasst: Bilden, über einem Basissubstrat, eines Kondensatorteils, der eine erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; Bilden einer herausführenden Elektrode, die aus der ersten Kondensatorelektrode oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet wird, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; und Bilden einer Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode verbunden wird.
  13. Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmkondensators nach Anspruch 12, welches ferner die Schritte umfasst: Bilden einer Durchgangselektrode, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden und durch das Basissubstrat hindurch gebildet wird.
  14. Elektronische Anordnung, mit: einer Leiterplatte; einem auf der Leiterplatte montierten Dünnfilmkondensator, wobei der Dünnfilmkondensator umfasst: einen Kondensatorteil, der eine über einem Basissubstrat gebildete erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; eine herausführende Elektrode, die aus der ersten oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; und eine Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden ist; und einer Halbleiteranordnung, die auf der Leiterplatte montiert ist.
  15. Elektronische Anordnung, mit: einer Leiterplatte; einem auf der Leiterplatte montierten Dünnfilmkondensator, wobei der Dünnfilmkondensator umfasst: einen Kondensatorteil, der eine über einem Basissubstrat gebildete erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; eine herausführende Elektrode, die aus der ersten oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird und aus einem leitenden Barrierefilm ge bildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert, eine Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden ist, und eine Durchgangselektrode, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden und durch das Basissubstrat hindurch gebildet ist; und einer Halbleiteranordnung, die auf dem Dünnfilmkondensator montiert und mit der Leiterplatte über die Außenanschlusselektrode und die Durchgangselektrode elektrisch verbunden ist.
  16. Leiterplatte mit einem darin eingebauten Dünnfilmkondensator, bei welcher der Dünnfilmkondensator eine über einem Basissubstrat gebildete erste Kondensatorelektrode; einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm; eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode; eine herausführende Elektrode, die aus der ersten oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; und eine Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden ist, umfasst, und die Außenanschlusselektrode mit einer in dem Schaltungssubstrat gebildeten Zwischenverbindung elektrisch verbunden ist.
  17. Leiterplatte mit einem darin eingebauten Dünnfilmkondensator, bei welcher der Dünnfilmkondensator umfasst: einen Kondensatorteil, der eine über einem Basissubstrat gebildete erste Kondensatorelektrode; einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm; und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensator elektrode enthält; eine herausführende Elektrode, die aus der ersten oder der zweiten Kondensatorelektrode herausgeführt wird und aus einem leitenden Barrierefilm gebildet ist, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; eine Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der herausführenden Elektrode verbunden ist; und eine Durchgangselektrode, die mit der herausführenden Elektrode elektrisch verbunden und durch das Basissubstrat hindurch gebildet ist.
  18. Dünnfilmkondensator, mit: einem Kondensatorteil, der über einem Basissubstrat gebildet ist, und eine erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; einem ersten leitenden Barrierefilm, der über der ersten Kondensatorelektrode gebildet ist und die Diffusion von Wasserstoff und Wasser verhindert; einem zweiten leitenden Barrierefilm, der über der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist und die Diffusion von Wasserstoff und Wasser verhindert; einem Isolierfilm, der über den Kondensatorteil gebildet ist, wobei er den ersten leitenden Barrierefilm und den zweiten leitenden Barrierefilm bedeckt; einer ersten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die in dem Isolierfilm vergraben und mit der ersten Kondensatorelektrode über den ersten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist; und einer zweiten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die in dem Isolierfilm vergraben und mit der zweiten Kondensatorelektrode über den zweiten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist.
  19. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 18, bei welchem eine dritte Öffnung in dem dielektrischen Kondensatorfilm und der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist, und der erste leitende Barrierefilm auf der ersten Kondensatorelektrode in der dritten Öffnung gebildet ist.
  20. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 18, bei welchem der erste leitende Barrierefilm und der zweite leitende Barrierefilm aus ein und demselben Leiterfilm gebildet sind.
  21. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 18, ferner mit: einem ersten Leiterfilm, der über dem ersten leitenden Barrierefilm gebildet ist; und einem zweiten Leiterfilm, der über dem zweiten leitenden Barrierefilm gebildet ist, wobei die erste Außenanschlusselektrode mit dem ersten Leiterfilm verbunden ist, und die zweite Außenanschlusselektrode mit dem zweiten Leiterfilm verbunden ist.
  22. Dünnfilmkondensator, mit: einer ersten Kondensatorelektrode, die über einem Basissubstrat gebildet ist; einem ersten leitenden Barrierefilm, der über der ersten Kondensatorelektrode gebildet ist und die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; einem dielektrischen Kondensatorfilm, der über dem ersten leitenden Barrierefilm gebildet ist; einer zweiten Kondensatorelektrode, die über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildet ist; einem zweiten leitenden Barrierefilm, der über der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist und die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; einem Isolierfilm, der über der ersten Kondensatorelektrode und der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist; einer ersten Außenananschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die in dem Isolierfilm vergraben und mit der ersten Kondensatorelektrode über den ersten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist; und einer zweiten Außenananschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die in der Isolierschicht vergraben und mit der zweiten Kondensatorelektrode über den zweiten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden ist.
  23. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 22, ferner mit einem Leiterfilm, der auf dem ersten leitenden Barrierefilm oder dem zweiten leitenden Barrierefilm gebildet ist.
  24. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 18, bei welchem der erste leitende Barrierefilm und der zweite leitende Barrierefilm aus IrO2 gebildet sind.
  25. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 22, bei welchem der erste leitende Barrierefilm und der zweite leitende Barrierefilm aus IrO2 gebildet sind.
  26. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 22, bei welchem der dielektrische Kondensatorfilm ein dielektrischer Film ist, der hauptsächlich aus Oxid mit der Perowskit-Kristallstruktur gebildet ist.
  27. Dünnfilmkondensator nach Anspruch 22, bei welchem der dielektrische Kondensatorfilm ein dielektrischer Film ist, der hauptsächlich aus einem Oxid mit der Perowskit-Kristallstruktur gebildet ist.
  28. Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmkondensators, welches die Schritte umfasst: Bilden, über einem Basissubstrat, eines Kondensatorteils, der eine erste Kondensatorelektrode, einen über der ersten Kondensatorelektrode gebildeten dielektrischen Kondensatorfilm, und eine über dem dielektrischen Kondensatorfilm gebildete zweite Kondensatorelektrode enthält; Bilden, über der ersten Kondensatorelektrode, eines ersten leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert, und Bilden, über der zweiten Kondensatorelektrode, eines zweiten leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; Bilden eines Isolierfilms über dem Kondensatorteil, wobei er die erste leitende Schicht und die zweite leitende Schicht bedeckt; und Vergraben, in dem Isolierfilm, einer ersten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der ersten Kondensatorelektrode über den ersten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden wird, und einer zweiten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der zweiten Kondensatorelektrode über den zweiten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden wird.
  29. Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmkondensators, welches die Schritte umfasst: Bilden einer ersten Kondensatorelektrode über einem Basissubstrat; Bilden, über einer ersten Kondensatorelektrode, eines ersten leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; Bilden eines dielektrischen Kondensatorfilms über dem ersten leitenden Barrierefilm; Bilden einer zweiten Kondensatorelektrode über dem dielektrischen Kondensatorfilm; Bilden, über der zweiten Kondensatorelektrode, eines zweiten leitenden Barrierefilms, der die Diffusion von Wasserstoff oder Wasser verhindert; Bilden eines Isolierfilms über dem ersten leitenden Barrierefilm und dem zweiten leitenden Barrierefilm; und Vergraben, in dem Isolierfilm, einer ersten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der ersten Kondensatorelektrode über den ersten leitenden Barrierefilm verbunden ist, und einer zweiten Außenanschlusselektrode zum Verbinden mit der Außenseite, die mit der zweiten Kondensatorelektrode über den zweiten leitenden Barrierefilm verbunden ist.
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Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8003479B2 (en) * 2006-03-27 2011-08-23 Intel Corporation Low temperature deposition and ultra fast annealing of integrated circuit thin film capacitor
JP5183893B2 (ja) * 2006-08-01 2013-04-17 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法、及び半導体装置
US20110012239A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Qualcomm Incorporated Barrier Layer On Polymer Passivation For Integrated Circuit Packaging
DE102009043740B4 (de) 2009-09-30 2021-08-05 Globalfoundries Dresden Module One Llc & Co. Kg Rückseitenmetallisierung mit besserer Haftung in Hochleistungshalbleiterbauelementen
JP2011204852A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Elpida Memory Inc キャパシタおよびその製造方法、半導体装置
JP2011228462A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Taiyo Yuden Co Ltd 薄膜キャパシタ
TWI463639B (zh) * 2011-01-28 2014-12-01 Xintec Inc 電容耦合器封裝結構
CN102412250A (zh) * 2011-11-04 2012-04-11 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装结构、整合式无源元件及其制造方法
US9076600B2 (en) * 2012-03-27 2015-07-07 Tdk Corporation Thin film capacitor
KR101358939B1 (ko) * 2012-05-23 2014-02-06 한국과학기술연구원 고밀도 실장용 박막 콘덴서, 그 제조방법 및 고밀도 실장 기판
DE102012223904A1 (de) * 2012-10-05 2014-04-10 Continental Automotive Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Hochstrom-Schaltkreises mittels Gasspritz-Technologie und Abdichten mit isolierendem Polymer
JP2013051450A (ja) * 2012-12-11 2013-03-14 Hitachi Ltd 半導体装置及びその配線部品
US8847389B1 (en) * 2013-03-12 2014-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for a conductive bump structure
US8994171B2 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for a conductive pillar structure
US9343403B2 (en) 2014-04-04 2016-05-17 Qualcomm Incorporated Stress mitigation structure for wafer warpage reduction
JP6284859B2 (ja) * 2014-08-29 2018-02-28 太陽誘電株式会社 可変容量デバイス及びアンテナ装置
CN104377033A (zh) * 2014-10-22 2015-02-25 厦门法拉电子股份有限公司 一种薄膜电容器表面安装焊接引出结构及其安装方法
KR102225215B1 (ko) * 2014-11-07 2021-03-09 삼성전자주식회사 반도체 장치
JP6887655B2 (ja) * 2015-03-06 2021-06-16 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ビスマス系誘電体用電極及びキャパシタ
JPWO2016158228A1 (ja) * 2015-04-02 2017-10-12 太陽誘電株式会社 薄膜キャパシタ
KR101703261B1 (ko) * 2015-11-13 2017-02-06 가부시키가이샤 노다스크린 반도체 장치
FR3047604B1 (fr) * 2016-02-04 2018-02-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif electronique hybride protege contre l'humidite et procede de protection contre l'humidite d'un dispositif electronique hybride
JP2017208369A (ja) * 2016-05-16 2017-11-24 富士通株式会社 回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置
EP3270392A1 (de) * 2016-07-13 2018-01-17 Rhodia Operations Pseudokapazitive materialien für superkondensatorelektroden
CN107622950A (zh) * 2016-07-13 2018-01-23 欣兴电子股份有限公司 封装基板及其制造方法
KR20180069507A (ko) * 2016-12-15 2018-06-25 삼성전기주식회사 박막 커패시터
JP6380726B1 (ja) * 2016-12-21 2018-08-29 大日本印刷株式会社 貫通電極基板、半導体装置及び貫通電極基板の製造方法
KR101981319B1 (ko) * 2016-12-28 2019-05-22 가부시키가이샤 노다스크린 박막 캐패시터, 및 반도체 장치
JP6822192B2 (ja) 2017-02-13 2021-01-27 Tdk株式会社 電子部品内蔵基板
JP6862886B2 (ja) 2017-02-13 2021-04-21 Tdk株式会社 電子部品内蔵基板
JP2018137311A (ja) 2017-02-21 2018-08-30 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ
JP2018137310A (ja) * 2017-02-21 2018-08-30 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ
JP6826947B2 (ja) * 2017-05-18 2021-02-10 新光電気工業株式会社 配線基板、配線基板の製造方法
JP7238771B2 (ja) * 2017-05-31 2023-03-14 Tdk株式会社 薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサの製造方法
WO2019021827A1 (ja) * 2017-07-26 2019-01-31 株式会社村田製作所 キャパシタ
US10741488B2 (en) 2017-09-29 2020-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device with integrated capacitor and manufacturing method thereof
JP7206589B2 (ja) * 2017-12-22 2023-01-18 凸版印刷株式会社 キャパシタ内蔵ガラス回路基板の製造方法
US11011315B2 (en) 2018-06-20 2021-05-18 Tdk Corporation Thin film capacitor, manufacturing method therefor, and multilayer circuit board embedded with thin film capacitor
GB2576194A (en) * 2018-08-08 2020-02-12 Xaar Technology Ltd Electrical component comprising a lead-free thin film ceramic member and an alumina barrier layer
JP6961639B2 (ja) * 2019-03-19 2021-11-05 株式会社東芝 圧力センサ
US11756948B2 (en) 2019-05-01 2023-09-12 Intel Corporation In situ package integrated thin film capacitors for power delivery
GB2590643B (en) * 2019-12-20 2022-08-03 Graphcore Ltd Method of manufacturing a computer device
US11437312B2 (en) * 2020-02-07 2022-09-06 International Business Machines Corporation High performance metal insulator metal capacitor
JP7428000B2 (ja) * 2020-02-20 2024-02-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びこれを内蔵する回路基板、並びに、薄膜キャパシタの製造方法
CN111834341B (zh) * 2020-06-17 2021-09-21 珠海越亚半导体股份有限公司 电容电感嵌埋结构及其制作方法和基板
JP2022094534A (ja) * 2020-12-15 2022-06-27 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03157734A (ja) * 1989-11-15 1991-07-05 Nec Field Service Ltd 論理回路管理装置
JPH09293869A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH1197289A (ja) * 1997-09-18 1999-04-09 Fujitsu Ltd 薄膜チップコンデンサー及びその製造方法
JPH11274408A (ja) * 1998-02-26 1999-10-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> インタ―ポ―ザ・キャパシタ構造
US5976928A (en) * 1997-11-20 1999-11-02 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors
US6023407A (en) * 1998-02-26 2000-02-08 International Business Machines Corporation Structure for a thin film multilayer capacitor
JP2000228499A (ja) * 1998-12-03 2000-08-15 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2002110931A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 強誘電体メモリ装置
US20020070423A1 (en) * 2000-11-30 2002-06-13 Kyocera Corporation Thin-film electronic component and motherboard
US20050111162A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Tetsuya Osaka Thin film capacitor, high-density packaging substrate incorporating thin film capacitor, and method for manufacturing thin-film capacitor
US20050146838A1 (en) * 2002-08-19 2005-07-07 Fujitsu Limited Capacitor device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3369827B2 (ja) * 1995-01-30 2003-01-20 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JPH08241830A (ja) * 1995-03-07 1996-09-17 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜コンデンサ
JP3157734B2 (ja) 1997-02-03 2001-04-16 松下電子工業株式会社 強誘電体メモリ装置及びその製造方法
JP3212930B2 (ja) * 1997-11-26 2001-09-25 日本電気株式会社 容量及びその製造方法
JP3183243B2 (ja) * 1998-02-25 2001-07-09 日本電気株式会社 薄膜キャパシタ及びその製造方法
US6225656B1 (en) * 1998-12-01 2001-05-01 Symetrix Corporation Ferroelectric integrated circuit with protective layer incorporating oxygen and method for fabricating same
TW434877B (en) * 1998-12-03 2001-05-16 Matsushita Electronics Corp Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
IT1318279B1 (it) * 2000-07-28 2003-07-28 Getters Spa Dispositivo capacitivo integrato con strato dielettrico degradabiledall'idrogeno protetto da strato getter.
US6624501B2 (en) * 2001-01-26 2003-09-23 Fujitsu Limited Capacitor and semiconductor device
JP4827299B2 (ja) * 2001-01-26 2011-11-30 富士通株式会社 キャパシタ及び半導体装置
JP2002231903A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Sanyo Electric Co Ltd 誘電体素子およびその製造方法
JP4475919B2 (ja) * 2003-11-06 2010-06-09 富士通株式会社 デカップリングキャパシタ及びその製造方法
JP4357289B2 (ja) * 2003-12-26 2009-11-04 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03157734A (ja) * 1989-11-15 1991-07-05 Nec Field Service Ltd 論理回路管理装置
JPH09293869A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH1197289A (ja) * 1997-09-18 1999-04-09 Fujitsu Ltd 薄膜チップコンデンサー及びその製造方法
US5976928A (en) * 1997-11-20 1999-11-02 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors
JPH11274408A (ja) * 1998-02-26 1999-10-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> インタ―ポ―ザ・キャパシタ構造
US6023407A (en) * 1998-02-26 2000-02-08 International Business Machines Corporation Structure for a thin film multilayer capacitor
JP2000228499A (ja) * 1998-12-03 2000-08-15 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2002110931A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 強誘電体メモリ装置
US20020070423A1 (en) * 2000-11-30 2002-06-13 Kyocera Corporation Thin-film electronic component and motherboard
US20050146838A1 (en) * 2002-08-19 2005-07-07 Fujitsu Limited Capacitor device and method of manufacturing the same
US20050111162A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Tetsuya Osaka Thin film capacitor, high-density packaging substrate incorporating thin film capacitor, and method for manufacturing thin-film capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
JP4997757B2 (ja) 2012-08-08
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CN1988083B (zh) 2012-10-24
US7456078B2 (en) 2008-11-25
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US20070141800A1 (en) 2007-06-21
JP2007173386A (ja) 2007-07-05
CN1988083A (zh) 2007-06-27
TW200725658A (en) 2007-07-01

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