DE102005062526A1 - Ladungspumpenzelle, Ladungspumpenschaltung und Betriebsverfahren - Google Patents

Ladungspumpenzelle, Ladungspumpenschaltung und Betriebsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102005062526A1
DE102005062526A1 DE102005062526A DE102005062526A DE102005062526A1 DE 102005062526 A1 DE102005062526 A1 DE 102005062526A1 DE 102005062526 A DE102005062526 A DE 102005062526A DE 102005062526 A DE102005062526 A DE 102005062526A DE 102005062526 A1 DE102005062526 A1 DE 102005062526A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
charge
charge pump
output node
transistor
node
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102005062526A
Other languages
English (en)
Inventor
Seung-Won Seongnam Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE102005062526A1 publication Critical patent/DE102005062526A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type
    • H02M3/075Charge pumps of the Schenkel-type including a plurality of stages and two sets of clock signals, one set for the odd and one set for the even numbered stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Ladungspumpenschaltung mit einer Mehrzahl von Ladungspumpenzellen, auf eine Ladungspumpenzelle mit einem ersten Ausgabeknoten (N(i)) zum Übertragen von Ladung, einem ersten Pumpknoten (P(i)) zum Empfangen eines Taktsignals und einem Kondensator (Cp), der zwischen dem ersten Ausgabeknoten (N(i)) und dem ersten Pumpknoten (P(i)) zum Speichern von Ladung eingeschleift ist und wiederholt einen Lade-, Entlade- und/oder Vorladevorgang in Reaktion auf eine Mehrzahl von Taktsignalen ausführt, und auf ein Betriebsverfahren für eine Ladungspumpe. DOLLAR A Erfindungsgemäß umfasst der Vorladevorgang eine unidirektionale Ladungsübertragung vom ersten Ausgabeknoten (N(i)) zu einem zweiten Ausgabeknoten (N(i + 1)), wobei der zweite Ausgabeknoten (N(i + 1)) eine höhere Spannung als der erste Ausgabeknoten (N(i)) aufweist. DOLLAR A Verwendung z. B. für Spannungsgeneratorschaltungen.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Ladungspumpenzelle nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, eine Ladungspumpenschaltung mit mehreren Ladungspumpenzellen und ein Betriebsverfahren für eine Ladungspumpe.
  • Bekannte Ladungspumpenschaltungen können an einem Knoten einen Kondensator mit Hilfe eines Treibers laden, während gleichzeitig ein Kondensator an einem benachbarten Knoten entladen wird. In diesen bekannten Ladungspumpenschaltungen kann die Ladungsaufnahme proportional zum Produkt der Kapazität und einer Versorgungsspannung sein und durch Laden über einen Knoten, Vorentladen oder Vorladen über den benachbarten Knoten, bevor über einen Masseknoten entladen wird, und Abschließen des Entladevorgangs über den Masseknoten nach der Trennung vom benachbarten Knoten reduziert werden.
  • Wird ein Ladungspumpvorgang durch alternierende Lade- und Vorladevorgänge ausgeführt, dann kann der Vorladevorgang zuerst vom Knoten des Ladevorgangs ausgeführt werden und die verbleibende Ladung kann dann von einer externen Spannungsquelle zur Verfügung gestellt werden und die vom Ladevorgang verbrauchte Ladungsmenge kann reduziert werden.
  • 1 zeigt ein Blockdiagramm einer herkömmlichen Spannungsgeneratorschaltung 10, die einen Oszillator 11, einen Taktgenerator 12, eine Ladungspumpenschaltung 13 und einen Regler 14 umfasst. Der Oszillator 11, z.B. ein Ringoszillator, der durch ein Freigabesignal EN freigegeben bzw. gestartet, getriggert usw. wird, kann ein Oszillationssignal zum Triggern des Betriebs des Taktgenerators 12 erzeugen. Der Taktgenerator 12 kann durch das Oszillationssignal getriggert werden und Taktsignale zum Steuern des Betriebs der Ladungspumpenschaltung 13 erzeugen. Die Ladungspumpenschaltung 13 kann ein Mehrzahl von Ladungspumpenzellen umfassen und einen Ladungspumpvorgang durch alternierende Lade- und Entladevorgänge basierend auf den vom Taktgenerator 12 ausgegebenen Taktsignalen ausführen, um eine höhere Spannung für eine Halbleiterschaltung auszugeben. Der Regler 14 kann beispielsweise ein Rücksetzsignal RST zum Deaktivieren bzw. Abschalten des Oszillators 11 ausgeben, wenn die von der Ladungspumpenschaltung 13 ausgegebene Spannung einen Schwellwertpegel bzw. einen Sollpegel erreicht. Der Regler 14 kann den Betrieb des Oszillators 11 so steuern, dass die Ausgabespannung der Ladungspumpenschaltung 13 den Schwellwertpegel bzw. den gewünschten Pegel erreicht.
  • 2 zeigt ein Schaltbild einer herkömmlichen Ladungspumpenschaltung 20. 3 zeigt ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der herkömmlichen Ladungspumpenschaltung 20 gemäß 2.
  • Speziell zeigt 2 einen Teil einer Mehrzahl von Ladungspumpenzellen der herkömmlichen Ladungspumpenschaltung 20. Die Ladungspumpenschaltung 20 kann, wie aus 2 ersichtlich ist, eine höhere Spannung durch Pumpen von Ladung unter Verwendung der in Reihe ge schalteten Ladungspumpenzellen erzeugen. Gemäß 2 kann die Ladungspumpenschaltung 20 die über einen Kondensator Cp, z.B. einen Pumpkondensator, eingegebene Ladung für einen Ladungspumpvorgang auf eine höhere Spannung hochziehen und die hochgezogene Spannung an eine nächste Zelle ausgeben. Wenn die Ladungspumpenschaltung 20 beispielsweise den mit einem Spannungsausgabeknoten N(i) einer i-ten Zelle verbundenen Kondensator Cp durch Verwendung eines Ladetaktsignals nPh1 auf eine höhere Spannung treibt und ein Schalttaktsignal Ph1a auf einen höheren Pegel hochzieht, bewegt sich Ladung vom Spannungsausgabeknoten N(i) der i-ten Zelle zum Ausgabeknoten N(i + 1) einer (i + 1)-ten Zelle. Der Kondensator Cp, eine erste parasitäre Kapazität Cc und eine zweite parasitäre Kapazität Cs können durch die Ladungstaktsignale nPh1 und nPh2 getrieben werden. Die erste parasitäre Kapazität Cc kann eine parasitäre Kapazität des Kondensator Cp umfassen, wenn der Pumpkondensator Cp arbeitet, und die zweite parasitäre Kapazität Cs kann eine andere Kapazität, z.B. eine Streukapazität, aufweisen, welche ebenfalls die parasitäre Kapazität eines jeden Knotens sein kann.
  • Die verbrauchte Ladungsmenge, wenn der Ladungspumpvorgang in der Ladungspumpenschaltung 20 ausgeführt wird, kann durchschnittlich Vdd·(Cp + Cc)·N betragen, wobei Vdd eine Eingangsspannung und N die Anzahl der Ladungspumpenzellen angibt. Der Ladungspumpenwirkungsgrad E berechnet sich gemäß E = Q_load/Q_cons = {Cp/(Cp + Cs)·(N + 1)·Vdd-V_targ}/{N2·Vdd·(Cp + Cc)},wobei Q_load die an eine Last, beispielsweise an den Ausgabeknoten, ausgegebene Ladungsmenge, Q_cons die Ladungsmenge, welche durch den Pumpvorgang verbraucht wird, und V_targ eine Ausgangsspannung der Last bezeichnet.
  • Die erste und zweite parasitäre Kapazität Cc und Cs können eliminiert werden, um den Ladungspumpenwirkungsgrad E zu erhöhen bzw. zu maximieren. Die Kapazitäten der ersten und zweiten parasitären Kapazität Cc und Cs sind durch ein Ladungsversorgungsschema und durch die Konfiguration des Pumpkondensators Cp bestimmt.
  • In herkömmlichen Ladungspumpverfahren kann Ladung zum Laden des Pumpkondensators Cp nachfolgend entladen werden. Um die zu entladende Ladungsmenge zu reduzieren und den Ladungspumpenwirkungsgrad E zu erhöhen, können sich herkömmliche Ladungspumpenschaltungen Ladung in einem Pumpkondensator mit einem benachbarten Kondensator teilen, bevor der Pumpkondensator entladen wird.
  • 4 zeigt ein Schaltbild einer herkömmlichen Ladungspumpenschaltung 40, welche in der Lage ist, Ladung zu verteilen. 5 zeigt ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der herkömmlichen Ladungspumpenschaltung 40 gemäß 4.
  • Wenn die Ladungspumpenschaltung 40 einen Ausgabeknoten N(i) einer i-ten Zelle und einen Ausgabeknoten N(i + 1) einer (i + 1)-ten Zelle unter Verwendung der in 5 gezeigten Taktsignale lädt oder entlädt, kann die Ladungspumpenschaltung 40 den Ladungsverbrauch durch gemeinsames Nutzen der anfänglichen Ladung an jedem Knoten und durch Laden oder Entladen, um das Fehlen oder den Überfluss von Ladung zu kompensieren, reduzieren. Wenn beispielsweise das Taktsignal eines mit dem Ausgabeknoten N(i) der i-ten Zelle verbundenen Pumpkondensators Cp auf 0V liegt und das Taktsignal eines mit dem Ausgabeknoten N(i + 1) der (i + 1)-ten Zelle verbundenen Pumpkondensators Cp auf Vdd liegt, kann die Ladung der mit dem Ausgabeknoten N(i) und dem Ausgabeknoten N(i + 1) verbundenen Pumpkondensatoren Cp durch Freigabe eines Vorladetaktsignals Ph3 auf die Spannung Vdd gemeinsam genutzt werden, bevor der mit dem Ausgabeknoten N(i) verbundene Pumpkondensator Cp geladen und der mit dem Ausgabeknoten N(i + 1) verbundene Pumpkondensator Cp entladen wird. Im Stand der Technik kann der Vorladevorgang die Spannung am Ausgabeknoten N(i) auf Vdd/2 durch Teilen der Ladung mit dem Nachbarknoten N(i + 1) erhöhen und die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) kann auf Vdd/2 abnehmen. Durch das Anlegen der Spannung Vdd an den mit dem Ausgabeknoten N(i) verbundenen Pumpkondensator Cp und der Spannung von 0V an den mit dem Ausgabeknoten N(i + 1) verbundenen Pumpkondensator Cp nach dem Deaktivieren des Vorladetaktsignals Ph3 auf 0V kann der mit dem Ausgabeknoten N(i) verbundene Pumpkondensator Cp von Vdd/2 auf Vdd aufgeladen und der mit dem Ausgabeknoten N(i + 1) verbundene Pumpkondensator Cp von Vdd/2 auf 0V entladen werden, so dass die Ladungspumpenschaltung 40 nur eine reduzierte Ladungsmenge verbraucht.
  • Die herkömmliche Ladungspumpenschaltung 40 kann die umgekehrt fließende Ladung vom Ausgabeknoten N(i + 1) zum Ausgabeknoten N(i) dadurch unterdrücken, dass ein Ladungsversorgungstransistor 42 während des Vorladevorgangs in einem inaktiven bzw. abgeschalteten Zustand gehalten wird.
  • 6 zeigt eine herkömmliche Ladungspumpenschaltung 60 während eines Vorladevorgangs. Bei der in 6 dargestellten herkömmlichen Ladungspumpenschaltung 60 ist der Pumpkondensator Cp in Reihe zur zweiten parasitären Kapazität Cs geschaltet. Die geteilte Ladungsmenge für jeden Knoten kann dann Vdd/2·[Cc + {Cp·Cs/(Cp + Cs)}] betragen. Im Stand der Technik können die zweiten parasitären Kapazitäten Cs an den betreffenden Knoten der Ladungspumpenschaltung 60 den Pumpwirkungsgrad reduzieren. Da die parasitären Kapazitäten Cc und Cs kleiner als die Kapazität des Pumpkondensators Cp sind, ist der Wert Vdd/2·(Cc + Cs) der geteilten Ladung und der Anstieg des Pumpwirkungsgrades meist begrenzt bzw. unerheblich.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Ladungspumpenschaltung, eine Ladungspumpenzelle, ein Betriebsverfahren für eine Ladungspumpe anzugeben, welche die oben im Zusammenhang mit dem Stand der Technik genannten Unzulänglichkeiten wenigstens teilweise vermeiden.
  • Die Erfindung löst diese Aufgabe durch eine Ladungspumpenzelle mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, durch eine Ladungspumpenschaltung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 12 und durch ein Betriebsverfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 13.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Erfindungsgemäße Ausführungsformen stellen Ladungspumpenschaltungen zur Verfügung, welche höhere Spannungen erzeugen, den Ladungsverbrauch unterdrücken und/oder die Ladungsmenge, die während eines Vorladevorgangs der Ladungspumpenschaltung zum Erzeugen der höheren Spannung vorgeladen wird, beispielsweise durch alternierende Ladevorgänge und Entladevorgänge erhöhen.
  • Erfindungsgemäße Ausführungsformen stellen Ladungspumpenschaltungen zur Verfügung, welche beispielsweise durch eine Erhöhung der während eines Vorladevorgangs angelegten Ladungsmenge einen höheren Pumpwirkungsgrad erzielen.
  • Vorteilhafte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie die zu deren besserem Verständnis oben erläuterten, herkömmlichen Ausführungsbeispiele sind in den Zeichnungen dargestellt. Es zeigen:
  • 1 ein Blockdiagramm einer herkömmlichen Spannungsgeneratorschaltung,
  • 2 ein Schaltbild einer herkömmlichen Ladungspumpenschaltung,
  • 3 ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der herkömmlichen Ladungspumpenschaltung gemäß 2,
  • 4 ein Schaltbild einer anderen herkömmlichen Ladungspumpenschaltung,
  • 5 ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der herkömmlichen Ladungspumpenschaltung gemäß 4,
  • 6 ein Schaltbild einer weiteren herkömmlichen Ladungspumpenschaltung,
  • 7 ein Schaltbild einer erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung,
  • 8 ein Schaltbild einer weiteren erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung,
  • 9 ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung,
  • 10 ein Schaltbild einer weiteren erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung gemäß 8,
  • 11 ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung gemäß 10,
  • 12 ein Schaltbild einer weiteren erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung,
  • 13 ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung gemäß 12,
  • 14 ein Schaltbild einer weiteren erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung und
  • 15 ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung gemäß 14.
  • 7 zeigt eine beispielhafte erfindungsgemäße Ladungspumpenschaltung 70, in welcher ein Transistor 72 zwischen einem Pumpknoten P(i) einer i-ten Zelle und einem Pumpknoten P(i + 1) einer (i + 1)-ten Zelle aktiviert bzw. im leitend geschalteten Zustand ist. Eine Diode 74 ist zwischen einem Ausgabeknoten N(i) der i-ten Zelle und einem Ausgabeknoten N(i + 1) der (i + 1)-ten Zelle eingeschleift. Während eines beispielhaften Vorladevorgangs kann die Verbindung zwischen dem Ausgabeknoten N(i) der i-ten Zelle und dem Ausgabeknoten N(i + 1) der (i + 1)-ten Zelle inaktiv bzw. in einem sperrenden Zustand sein, wenn die Spannung am Ausgabeknoten N(i) der i-ten Zelle niedriger als die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) der (i + 1)-ten Zelle ist, und kann aktiviert bzw. in einem leitenden Zustand sein, wenn die Spannung am Ausgabeknoten N(i) der i-ten Zelle größer oder gleich der Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) der (i + 1)-ten Zelle ist.
  • In der Schaltung gemäß 7 kann die Spannung am Ausgabeknoten N(i) gleich Vpp – α sein und die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) kann gleich Vpp sein, beispielsweise wenn der Pegel eines Taktes eines Pumpkondensators Cp der i-ten Zelle gleich 0V ist und der Pegel eines Taktes eines Pumpkondensators Cp der (i + 1)-ten Zelle gleich Vdd ist. Wird ein Vorladetaktsignal Ph3 freigegeben und der Pumpknoten P(i) mit dem Pumpknoten P(i + 1) verbunden, dann kann die Spannung am Pumpknoten P(i) von 0V auf Vdd/2 ansteigen und die Spannung am Pumpknoten P(i + 1) kann von Vdd auf Vdd/2 abfallen. Die Spannung am Ausgabeknoten N(i) kann beispielsweise um einen Wert ansteigen, welcher der Menge an Ladung in Reaktion auf den Spannungsanstieg am Pumpknoten P(i) entspricht, und die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) kann in Reaktion auf den Spannungsabfall am Pumpknoten P(i + 1) abnehmen. Steigt die Spannung am Ausgabeknoten N(i) an und nimmt die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) ab, dann kann die Spannung am Ausgabeknoten N(i) der i-ten Zelle größer als die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) der (i + 1)-ten Zelle werden und die Verbindung zwischen den zwei Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) kann aktiv werden. Die zwei Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) können die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche Spannung behalten, da Ladung vom Ausgabeknoten N(i) zum Ausgabeknoten N(i + 1) übertragen werden kann.
  • Nach einem Ladungspumpvorgang, z.B. nach einem ersten Ladungspumpvorgang, können die Pumpspannungen am Pumpknoten P(i) und am Pumpknoten P(i + 1) beispielsweise gleich 2V sein, die Spannung am Ausgabeknoten N(i) kann gleich 7V sein und die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) kann gleich 8V sein.
  • Während eines anderen beispielhaften Vorladevorgangs kann die Spannung am Pumpknoten P(i) von 0V auf 1 V ansteigen und die Spannung am Pumpknoten P(i + 1) kann von 2V auf 1 V abfallen. Ist die Spannung am Ausgabeknoten N(i) niedriger als die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1), beispielsweise wenn die Spannung am Pumpknoten P(i) gleich 0V ist und die Spannung am Pumpknoten P(i + 1) gleich 2V ist, dann kann die Diode 74 während des Vorladevorgangs inaktiv bzw. in einem sperrenden Zustand sein. Nimmt die Spannung am Pumpknoten P(i) beispielsweise den Wert 0,5V an, dann kann die Spannung am Pumpknoten P(i + 1) gleich 1,5V, die Spannung am Ausgabeknoten N(i) gleich 7,5V und die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) gleich 7,5V sein. In beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen können die Spannungen an den Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) gleich oder im Wesentlichen gleich sein und die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) kann aktiv sein.
  • Wenn die Spannung am Pumpknoten P(i) um 0,25V auf 0,75V ansteigt und die Spannung am Pumpknoten P(i + 1) um 0,25V auf 1,25V abnimmt, kann durch die Spannungsänderung von 0,25V beispielsweise die Spannung am Ausgabeknoten N(i) gleich 7,75V und die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) gleich 7,25V sein. In diesem Beispiel werden, da die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) aktiv ist, die Spannungen an den Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) beispielsweise durch Übertragen von Ladungen vom Ausgabeknoten N(i) zum Ausgabeknoten N(i + 1) auf 7,5V gehalten.
  • Wenn die Spannung am Pumpknoten P(i) um 0,25V auf 1 V ansteigt und die Spannung am Pumpknoten P(i + 1) um 0,25V auf 1 V abnimmt, kann durch die Spannungsänderung von 0,25V beispielsweise die Spannung am Ausgabeknoten N(i) gleich 7,75V und die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) gleich 7,25V sein. In diesem Beispiel werden, da die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) aktiv ist, die Spannungen an den Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) beispielsweise durch Übertragen von Ladungen vom Ausgabeknoten N(i) zum Ausgabeknoten N(i + 1) auf 7,5V gehalten.
  • In beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen kann ein Ladungspumpvorgang dadurch ausgeführt werden, dass der zwischen den beiden Pumpknoten P(i) und P(i + 1) eingeschleifte Transistor 72 deakti viert bzw. sperrend geschaltet wird. Der Transistor 72 kann durch Sperren des Vorladetaktsignals Ph3 deaktiviert werden, wodurch der mit dem Ausgabeknoten N(i) verbundene Pumpkondensator Cp beispielsweise durch Erhöhen der Spannung am Pumpknoten P(i) aufgeladen wird und der mit dem Ausgabeknoten N(i + 1) verbundene Pumpkondensator Cp beispielsweise durch Absenken der Spannung am Pumpknoten P(i + 1) entladen wird.
  • Während der beispielhaften Vorladevorgänge kann die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) aktiv sein, wenn die Spannung am Ausgabeknoten N(i) gleich oder im Wesentlichen gleich der Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) ist. In beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen können der Pumpkondensator Cp, eine erste parasitäre Kapazität Cc und eine zweite parasitäre Kapazität Cs parallel geschaltet sein und die Kapazität und/oder die geteilte Ladungsmenge können zunehmen. Die parallele Kapazität einer Ladungspumpenzelle kann z.B. gleich Cc + Cp//Cs(Cc + (Cp·Cs)/(Cp + Cs)) sein, beispielsweise wenn die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) deaktiviert ist, wobei die Kapazität gleich Cc + Cp + Cs sein kann, wenn die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) aktiviert ist. Dabei steht das Symbol „//" für die mathematische Beziehung x//y = x·y/(x + y).
  • In einem anderen Beispiel im Hinblick auf 7 kann die während der Spannungsänderung am Pumpknoten P(i) von 0V auf 0,5V geteilte Ladungsmenge beispielsweise gleich 0,5V·(Cc + Cp//Cs) sein, da die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) deaktiviert sein kann. Während der Spannungsänderung am Pumpknoten P(i) von 0,5V auf 1V kann die geteilte Ladungsmenge beispielsweise auf einer Kapazität von Cc + Cp + Cs basieren, da die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) aktiviert ist.
  • In beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen kann eine Schwellwertspannung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) existieren. Die Diode 74 kann beispielsweise eine Schwellwertspannung von ungefähr 0,5V haben, wenn sie einen einzelnen Transistor umfasst. In diesem Beispiel kann die Diode 74 beispielsweise gesperrt sein, während die Spannung am Pumpknoten P(i) von 0V auf 0,75V ansteigt, die Spannung am Ausgabeknoten N(i) von 7V auf 7,75V ansteigt und die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) von 8V auf 7,25V abfällt. Die Diode 74 kann beispielsweise leitend sein, während die Spannung am Pumpknoten P(i) von 0,75 auf 1V ansteigt. In diesem Beispiel kann die während des Vorladevorgangs der Schaltung gemäß 7 geteilte Ladungsmenge den Wert 0,75V·(Cc + Cp//Cs) annehmen, während die Spannung am Pumpknoten P(i) beispielsweise von 0V auf 0,75V ansteigt, da die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) deaktiviert ist. Während des Vorladevorgangs der Schaltung gemäß 7 kann die geteilte Ladungsmenge den Wert 0,25V·(Cc + Cp + Cs) annehmen, während die Spannung am Pumpknoten P(i) beispielsweise von 0,75V auf 1 V ansteigt, da die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) aktiviert ist.
  • Wie oben ausgeführt, kann bei herkömmlichen Vorladevorgängen die geteilte Ladungsmenge beispielsweise den Wert½·Vdd(Cc + Cp//Cs) annehmen, da die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) deaktiviert ist. Da die parasitäre Kapazität Cs typischerweise kleiner als die Kapazität des Pumpkondensators Cp ist, kann die geteilte Ladungsmenge den Wert 1V·(Cc + Cs) annehmen.
  • In beispielhaften Vorladevorgängen, die von erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltungen ausgeführt werden, kann die geteilte Ladungsmenge den Wert 0,5V(Cc + Cp//Cs) + 0,5V(Cc + Cp + Cs) annehmen. Analog kann, da die parasitäre Kapazität Cs kleiner bzw. wesentlich kleiner als die Kapazität des Pumpkondensators Cp ist, die geteilte La dungsmenge den Wert 0,5V(Cc + Cs) + 0,5V(Cc + Cp + Cs) annehmen. Die geteilte Ladungsmenge kann im Vergleich zu herkömmlichen Ladungspumpenschaltungen somit beispielsweise um 0,5V·Cp erhöht sein. Unter Berücksichtigung der Schwellwertspannung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) kann die geteilte Ladungsmenge im Vergleich zum Stand der Technik beispielsweise um 0,25V·Cp erhöht sein und den Wert 0,75V(Cc + Cs) + 0,25V(Cc + Cp + Cs) annehmen.
  • In beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen kann die Kapazität des Pumpkondensator Cp größer bzw. wesentlich größer als die parasitären Kapazitäten Cc und Cs sein und die Erhöhungsrate der geteilten Ladungsmenge der erfindungsgemäßen Ausführungsformen kann größer bzw. wesentlich größer im Vergleich mit dem erwähnten Stand der Technik sein.
  • In beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen kann, da die während des Vorladevorgangs der Ladungspumpenschaltung 70 geteilte Ladungsmenge von der während des Lade- und/oder Entladevorgangs verbrauchten Ladung ausgenommen ist, die Erhöhung der während des Vorladevorgangs geteilten Ladungsmenge zu einem niedrigeren Ladungsverbrauch während des Lade- und/oder Entladevorgangs der Ladungspumpenschaltung 70 führen. Beispielsweise kann in der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung 70 der Ladungsverbrauch um 0,5V·Cp oder 0,25V·Cp je Ladungspumpenzelle im Vergleich zum erwähnten Stand der Technik reduziert werden.
  • Das Maß an reduziertem Ladungsverbrauch, beispielsweise während eines Vorladevorgangs der Ladungspumpenschaltung 70, wird nachfolgend im Vergleich zum betrachteten Stand der Technik beschrieben.
  • Wenn die Spannung am Pumpknoten P(i) von 0V auf Vdd/2 ansteigt, kann die Spannung am Ausgabeknoten N(i) von Vpp – α auf Vpp – α + Vdd/2 ansteigen. Wenn die Spannung am Pumpknoten P(i + 1) von Vdd auf Vdd/2 abfällt, kann die Spannung am Ausgabeknoten N(i + 1) von Vpp auf Vpp – Vdd/2 abfallen. Da die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) aktiviert ist, können die Spannungen an den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) gleich dem Mittelwert bzw. Durchschnittswert der beiden Spannungen {(Vpp – α + Vdd/2) + (Vpp – Vdd/2)}/2 und Vpp – α/2 sein.
  • In beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen kann, wenn der mit dem Ausgabeknoten N(i) verbundene Pumpkondensator Cp auch mit dem Ausgabeknoten N(i + 1) verbunden ist, die Ladungsmenge auf der Spannung (Vpp - α + Vdd/2) – (Vpp – α/2) basieren. Die geteilte Ladungsmenge, welche von den mit dem Ausgabeknoten N(i) verbundenen Kapazitäten erhalten wird, kann durch {Ladung von Cc} + {verbleibende Ladung beispielsweise nach der Ladungsbewegung von N(i) zu N(i + 1)} + {Ladung, die von N(i) zu N(i + 1) bewegt wird} ermittelt werden, d.h. durch {Cc·Vdd/2} + {Cp//Cs·α/2} + {[Cp//(2·Cp + 2·Cs)]·(Vdd/2 – α/2)}. In diesem Beispiel kann, da die Kapazität des Pumpkondensators Cp größer bzw. wesentlich größer als die parasitären Kapazitäten Cc und Cs ist, die geteilte Ladungsmenge den Wert {Cc·Vdd/2} + {Cs·α/2} + {Cp·(Vdd – α)/3} annehmen.
  • Bei der Ladungspumpenschaltung 70 kann, wenn die Ausgabespannung gleich Vpp ist, die Pumpspannung gleich Vdd ist und die Anzahl der Ladungspumpenzellen gleich N ist, die Spannungsdifferenz zwischen jedem Ausgabeknoten und jedem Pumpknoten in einem quasistatischen Zustand beispielsweise gleich (Vpp – Vdd)/N sein. Da α = 2·(Vpp – Vdd)/N ist, kann der reduzierte Ladungsverbrauch für jede Ladungspumpenzelle den Wert {Cc·Vdd/2} + {Cs·(Vpp – Vdd)/N} + {Cp·{(N + 2)·Vdd – 2·Vpp}/(3·N)} annehmen. Der Ladungspumpenwirkungsgrad E kann als Quotient der Ausgabeladungsmenge geteilt durch die verbrauchte Ladungsmenge geschrieben werden und sich beim Stand der Technik zu E = [{(N + 1)·Vdd – Vpp}/N]/[N·Vdd] berechnen. In erfindungsgemäßen Ausführungsbeispielen kann der Ladungsverbrauch durch den Vorladevorgang der Ladungspumpenschaltung 70 reduziert werden, so dass ein Wirkungsgrad von E = [{(N + 1)·Vdd – Vpp}/N]/[N·Vdd – {(N + 2)·Vdd – 2·Vpp}/3] erhalten wird. In erfindungsgemäßen Ausführungsbeispielen kann der Ladungspumpenwirkungsgrad größer oder wesentlich größer als der herkömmliche Ladungspumpenwirkungsgrad sein.
  • Die 8 und 9 veranschaulichen eine weitere erfindungsgemäße Ladungspumpenschaltung 80. Wie aus 8 ersichtlich ist, kann die Ladungspumpenschaltung 80 beispielsweise eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten Ladungspumpenzellen umfassen. In einer i-ten Ladungspumpenzelle 82 kann ein Pumpkondensator Cp zwischen einem Pumpknoten P(i), an welchen eine Pumpspannung anlegbar ist, und einem Ausgabeknoten N(i) eingeschleift sein, von welchem eine höhere Spannung erzeugbar ist, eine erste parasitäre Kapazität Cc kann mit dem Pumpkondensator Cp verbunden sein und eine zweite parasitäre Kapazität Cs kann mit dem Ausgabeknoten N(i) verbunden sein. Ein Vorladetransistor 84 zum Ausführen eines Vorladevorgangs kann zwischen dem Pumpknoten P(i) der i-ten Ladungspumpenzelle 82 und einem Pumpknoten P(i + 1) einer (i + 1)-ten Ladungspumpenzelle eingeschleift sein. Ein Ladungsübertragungstransistor 86 kann zwischen dem Ausgabeknoten N(i) der i-ten Ladungspumpenzelle 82 und einem Ausgabeknoten N(i + 1) der (i + 1)-ten Ladungspumpenzelle eingeschleift sein und ein Gate des Ladungsübertragungstransistors 86 kann mit dem Ausgabeknoten N(i) verbunden sein. In diesem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel führt der Ladungsübertragungstransistor 86 die Funktion einer Diode aus, beispielsweise ähnlich der Diode 74 aus 7.
  • Der Pumpknoten P(i) kann durch zwei Pumpsignale Ph1p und Ph1n gepumpt werden, welche an einen Transistor 88, z.B. einen PMOS-Transistor, bzw. einen Transistor 90, z.B. einen NMOS-Transistor, ange legt werden, um selektiv die Spannung Vdd oder 0V an den Pumpknoten P(i) anzulegen.
  • Nachfolgend wird ein beispielhafter Betrieb der Ladungspumpenschaltung 80 unter Bezugnahme auf die 8 und 9 beschrieben. Während eines beispielhaften Ladevorgangs, wenn die zwei Pumpsignale Ph1p und Ph1n der i-ten Ladungspumpenzelle 82 auf einem niedrigen Pegel sind, kann der Transistor 88 aktiviert bzw. leitend geschaltet sein, und der Transistor 90 kann deaktiviert bzw. sperrend geschaltet sein. Der Pumpknoten P(i) kann auf den Pegel Vdd gepumpt werden und der mit dem Pumpknoten P(i) verbundene Pumpkondensator Cp kann auf den Pegel Vdd aufgeladen werden. Gleichzeitig kann die benachbarte bzw. angrenzende (i + 1)-te Ladungspumpenzelle im Gegensatz zur i-ten Ladungspumpenzelle 82 einen Entladevorgang ausführen.
  • Während eines anderen beispielhaften Vorladevorgangs, welcher beispielsweise auf den obigen Ladevorgang folgt, kann das an den Transistor 88 angelegte Taktsignal Ph1 p einen hohen Pegel aufweisen und das an den Transistor 90 angelegte Taktsignal Ph1n kann einen niedrigen Pegel aufweisen. Die beiden Transistoren 88 und 90 können dann gesperrt sein. Ein Vorladetaktsignal Ph3 wird freigegeben und der Vorladetransistor 84 wird leitend geschaltet. Der beispielhafte Vorladevorgang kann durch Teilen der Ladung des mit dem Pumpknoten P(i) verbundenen Pumpkondensators Cp mit dem Pumpkondensator Cp der benachbarten (i + 1)-ten Ladungspumpenzelle ausgeführt werden.
  • Wenn die beiden Pumpsignale Ph1p und Ph1n der i-ten Ladungspumpenzelle 82 auf einem hohen Pegel sind, kann der Transistor 88 deaktiviert sein, und der Transistor 90 kann aktiviert sein. Der Pumpknoten P(i) nimmt dann den Wert 0V an und der mit dem Pumpknoten P(i) verbundene Pumpkondensator Cp wird entladen und die benachbarte (i + 1)-te Ladungspumpenzelle kann einen Ladevorgang ausführen.
  • 10 zeigt im Schaltbild eine weitere erfindungsgemäße Ladungspumpenschaltung 100. 11 zeigt ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der Ladungspumpenschaltung 100 gemäß 10. Die Ladungspumpenschaltung 100 gemäß 10 kann die während eines Vorladevorgangs geteilte Ladungsmenge erhöhen, beispielsweise durch Reduzieren der Schwellwertspannung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1).
  • Wie aus 10 ersichtlich ist, ist ein erster Transistor 102, z.B. ein NMOS-Transistor, zum Vorladen zwischen den beiden Pumpknoten P(i) und P(i + 1) eingeschleift und ein zweiter Transistor 104, z.B. ein NMOS-Transistor, ist zur Ladungsübertragung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) eingeschleift. Ein dritter Transistor 106, z.B. ein NMOS-Transistor, ist zwischen dem Ausgabeknoten N(i) der i-ten Ladungspumpenzelle und dem zweiten Transistor 104 eingeschleift und ein Gate des dritten Transistors 104 ist mit dem Ausgabeknoten N(i) der i-ten Ladungspumpenzelle verbunden. Ein Kondensator 108 ist zwischen einem Gate des zweiten Transistors 104 und einem Taktsignal Ph2g eingeschleift.
  • Nachfolgend wird ein beispielhafter Betrieb der Ladungspumpenschaltung 100 unter Bezugnahme auf 10 und 11 beschrieben. In einem beispielhaften Lade- und Entladevorgang I, während dem die i-te Ladungspumpenzelle entladen und die (i + 1)-te Ladungspumpenzelle geladen wird, kann das an das Gate des zweiten Transistors 104 angelegte Taktsignal Ph2g einen niedrigen Pegel aufweisen. Die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) ist dann deaktiviert.
  • Während eines beispielhaften Vorladevorgangs II kann das an das Gate des zweiten Transistors 104 angelegte Taktsignal Ph2g einen hohen Pegel aufweisen. Die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) ist dann aktiviert, der dritte Transistor 106 ist aktiviert und die Spannungsdifferenz zwischen dem Gate des zweiten Transistors 104 und der Source des zweiten Transistors 104 ist konstant bzw. im Wesentlichen konstant, beispielsweise durch Verwendung eines Abfalls an einer Diode. In beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsbeispielen kann unabhängig von der Schwellwertspannung des zweiten Transistors 104 die Verbindung zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) aktiviert sein, wenn die Spannungen an den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) gleich oder im Wesentlichen gleich sind. Dies führt zu einer effektiveren Schwellwertspannung von 0V, wodurch die Höhe der während des Vorladevorgangs geteilten Ladung gemäß den erfindungsgemäßen Ausführungsbeispielen erhöht werden kann.
  • 12 zeigt im Schaltbild eine weitere erfindungsgemäße Ladungspumpenschaltung 120. 13 zeigt ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der Ladungspumpenschaltung 120 gemäß 12. Die Ladungspumpenschaltung 120 gemäß 12 kann beispielsweise durch Verwendung einer Ladungspumpenschaltung mit PMOS-Transistoren umgesetzt werden.
  • Wie aus 12 ersichtlich, ist ein Transistor 122, z.B. ein NMOS-Transistor, zum Vorladen zwischen den beiden Pumpknoten P(i) und P(i + 1) eingeschleift, und ein erster Transistor 124, z.B. ein PMOS-Transistor, zur Ladungsübertragung ist zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) eingeschleift. Ein erster Kondensator 132 ist zwischen einem Gate des ersten Transistors 124 und dem Taktsignal Ph2g eingeschleift. Ein zweiter und dritter Transistor 126 und 128, z.B. PMOS-Transistoren, sind in Reihe zwischen dem Gate des ersten Transistors 124 und dem Ausgabeknoten N(i + 1) eingeschleift. Ein Gate des zweiten Transistors 126 ist mit dem Ausgabeknoten N(i) verbunden. Ein vierter Transistor 130, z.B. ein PMOS-Transistor, ist zwischen dem Gate des dritten Transistors 128 und dem Ausgabeknoten N(i + 1) eingeschleift.
  • Die Gates des dritten und vierten Transistors 128 und 130 sind beide über einen zweiten Kondensator 134 mit einem Taktsignal Ph2t verbunden.
  • 14 zeigt im Schaltbild eine weitere erfindungsgemäße Ladungspumpenschaltung 140. 15 zeigt ein Zeitablaufdiagramm von Taktsignalen zum Treiben der Ladungspumpenschaltung 140 gemäß 14. In der Ladungspumpenschaltung 140 gemäß 14 kann die Ladung beispielsweise unabhängig von der Schwellwertspannung des Ladungsübertragungstransistor, z.B. des PMOS-Transistors 120 aus 12, geteilt werden. Die Ladungspumpenschaltung 140 gemäß 14 kann einige oder alle Aspekte der erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele gemäß 10 und 12 kombinieren.
  • Wie aus 14 ersichtlich, ist ein Transistor 142, z.B. ein NMOS-Transistor, zum Vorladen zwischen den beiden Pumpknoten P(i) und P(i + 1) eingeschleift, und ein erster Transistor 144, z.B. ein PMOS-Transistor, zur Ladungsübertragung ist zwischen den beiden Ausgabeknoten N(i) und N(i + 1) eingeschleift. Ein zweiter und dritter Transistor 146 und 148, z.B. PMOS-Transistoren, sind in Reihe zwischen dem Gate des ersten Transistors 144 und dem Ausgabeknoten N(i + 1) eingeschleift. Ein erster Kondensator 152 ist zwischen einem Gate des ersten Transistors 144 und einem Taktsignal Ph2g eingeschleift. Ein Gate des zweiten Transistors 146 ist mit dem Gate des ersten Transistors 144 verbunden, und ein vierter Transistor 150, z.B. ein PMOS-Transistor, ist zwischen dem Gate des dritten Transistors 148 und dem Ausgabeknoten N(i + 1) eingeschleift. Die Gates des dritten und vierten Transistors 148 und 150 sind beide über einen zweiten Kondensator 154 mit einem Taktsignal Ph2t verbunden.
  • Wie anhand der gezeigten und der oben erläuterten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele deutlich wird, stellt die Erfindung eine Ladungs pumpenschaltung zur Verfügung, welche die während eines Lade-/Entladevorgangs verbrauchte Ladungsmenge durch Ausführen eines Vorladevorgangs zwischen den Lade-/Entladevorgängen reduziert. Die verbrauchte Ladungsmenge kann durch Erhöhung der während des Vorladevorgangs geteilten Ladungsmenge weiter reduziert werden. Die Ladungspumpenschaltung kann die geteilte Ladungsmenge beispielsweise dadurch erhöhen, dass ein Pumpkondensator und parasitäre Kapazitäten parallel geschaltet werden und/oder die Ladung von einem Ausgabeknoten mit einer höheren Spannung in Richtung eines Ausgabeknotens mit einer niedrigeren Spannung übertragen wird.
  • Wie oben ausgeführt, können, im Gegensatz zu den eingangs erwähnten herkömmlichen Verfahren zur Ladungsverbrauchsreduzierung, welche nur die in einer Streukapazität eines Pumpkondensators verbrauchte Ladung reduzieren, die erfindungsgemäßen Ausführungsformen Verfahren zur Verfügung stellen, welche den Pumpwirkungsgrad beispielsweise durch ein Taktschema verbessern, das die Ladung von allen oder im Wesentlichen allen Kapazitäten reduziert, die während eines Pumpvorgangs mit zwei Knoten zur Ladungsübertragung verbunden sind.
  • Die erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele wurden in Verbindung mit speziellen Aspekten, wie PMOS- und NMOS-Transistoren, beschrieben, welche jedoch bei Bedarf ausgetauscht und/oder auf andere geeignete Weise kombiniert werden können. Alternativ oder zusätzlich können die erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele der Ladungspumpenschaltungen den Ladungsverbrauch reduzieren.

Claims (14)

  1. Ladungspumpenzelle für eine Ladungspumpenschaltung, mit – einem ersten Ausgabeknoten (N(i)) zum Übertragen von Ladung, – einem ersten Pumpknoten (P(i)) zum Empfangen eines Taktsignals und – einem ersten Kondensator (Cp), der zwischen dem ersten Ausgabeknoten (N(i)) und dem ersten Pumpknoten (P(i)) zum Speichern der Ladung eingeschleift ist und wiederholt einen Lade-, Entlade- und/oder Vorladevorgang in Reaktion auf eine Mehrzahl von Taktsignalen ausführt, dadurch gekennzeichnet, dass – die Ladungspumpenzelle dafür eingerichtet ist, den Vorladevorgang durch eine unidirektionale Ladungsübertragung vom ersten Ausgabeknoten (N(i)) zu einem zweiten Ausgabeknoten (N(i + 1)) auszuführen, wobei der zweite Ausgabeknoten (N(i + 1)) eine höhere Spannung als der erste Ausgabeknoten (N(i)) aufweist.
  2. Ladungspumpenzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie zur Ladungsübertragung durch Aktivierung einer Verbindung zwischen dem ersten Ausgabeknoten (N(i)) und dem zweiten Ausgabeknoten (N(i + 1)), wenn die Spannung am ersten Ausgabeknoten (N(i)) gleich der Spannung am zweiten Ausgabeknoten (N(i + 1)) ist, eingerichtet ist.
  3. Ladungspumpenzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Verbindung zwischen dem ersten Ausgabeknoten (N(i)) und dem zweiten Ausgabeknoten (N(i + 1)) während des Lade- und Entladevorgangs deaktiviert ist.
  4. Ladungspumpenzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Pumpknoten (P(i)) über einen Schalter (72, 84, 102, 122, 142) mit einem zweiten Pumpknoten (P(i + 1)) verbindbar ist, wobei der Schalter während des Vorladevorgangs aktiviert ist und während der Lade- und Entladevorgänge deaktiviert ist.
  5. Ladungspumpenzelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Schalter einen ersten Transistor (72, 84, 102, 122, 142) umfasst, der auf ein Taktsignal reagiert, das während des Vorladevorgangs freigegeben ist.
  6. Ladungspumpenzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Ausgabeknoten (N(i)) über einen zweiten Transistor (86, 104, 124, 144) mit dem zweiten Ausgabeknoten (N(i + 1)) verbindbar ist, dessen Gate mit dem ersten Ausgabeknoten (N(i)) verbunden ist.
  7. Ladungspumpenzelle nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass sie dafür eingerichtet ist, den Ladevorgang oder Entladevorgang in Reaktion auf ein Pumptaktsignal auszuführen, das an den ersten Pumpknoten (P(i)) anlegbar ist, und den Vorladevorgang in Reaktion auf ein Vorladetaktsignal (Ph3) auszuführen, das an den Schalter (72, 84, 102, 122, 142) anlegbar ist.
  8. Ladungspumpenzelle nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass sie folgende weitere Komponenten umfasst: – einen dritten Transistor (106, 126), der zwischen dem ersten Ausgabeknoten (N(i)) und einem Gate des zweiten Transistors (104) eingeschleift ist, und – einen zweiten Kondensator (108, 132), der mit dem Gate des zweiten Transistors (104, 124) verbunden ist.
  9. Ladungspumpenzelle nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und/oder zweite und/oder dritte Transistor (72, 84, 86, 102, 104, 106, 122, 124) als NMOS-Transistor ausgeführt ist.
  10. Ladungspumpenzelle nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass sie folgende weitere Komponenten umfasst: – einen vierten Transistor (128, 148), der in Reihe mit dem dritten Transistor (126, 146) zwischen dem Gate des zweiten Transistors (124, 144) und dem zweiten Ausgabeknoten (N(i + 1)) eingeschleift ist, – einen fünften Transistor (130, 150), der zwischen dem Gate des vierten Transistors (128, 148) und dem zweiten Ausgabeknoten (N(i + 1)) eingeschleift ist, und – einen dritten Kondensator (134, 154), der mit dem Gate des vierten Transistors (128, 148) verbunden ist, – wobei ein Gate des dritten Transistors (126, 146) mit dem ersten Ausgabeknoten (N(i)) oder mit dem Gate des zweiten Transistors (144) verbunden ist und ein Gate des fünften Transistors (130, 150) mit dem Gate des vierten Transistors (128, 148) verbunden ist.
  11. Ladungspumpenzelle nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite und/oder dritte und/oder vierte und/oder fünfte Transistor (124, 126, 128, 130) als PMOS-Transistor ausgeführt ist.
  12. Ladungspumpenschaltung mit mehreren Ladungspumpenzellen, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine der Ladungspumpenzellen eine solche nach einem der Ansprüche 1 bis 11 ist.
  13. Betriebsverfahren für eine Ladungspumpe mit mehreren Ladungspumpenzellen, insbesondere für eine Ladungspumpenschaltung nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch die Schritte: – Aktivieren einer Verbindung zwischen einem ersten Pumpknoten (P(i)) in einer ersten Ladungspumpenzelle und einem zweiten Pumpknoten (P(i + 1)) in einer zweiten Ladungspumpenzelle in Reaktion auf ein Vorladefreigabetaktsignal, – Variieren einer Spannung an einem ersten Ausgabeknoten (N(i)) durch Aufladen eines ersten Pumpkondensators (Cp) mit Ladung, die vom ersten Pumpknoten (P(i)) übertragen wird, – Aktivieren einer Verbindung zwischen einem ersten Ausgabeknoten (N(i)) in der ersten Ladungspumpenzelle und einem ersten Ausgabeknoten (N(i + 1)) in der zweiten Ladungspumpenzelle, wenn der erste und zweite Ausgabeknoten (N(i), N(i + 1)) gleiche Spannungen aufweisen, und – Übertragen der Ladung zwischen dem ersten und zweiten Ausgabeknoten (N(i), N(i + 1)).
  14. Betriebsverfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein Laden oder Entladen des Pumpkondensators (Cp) in Reaktion auf das Pumptaktsignal ausgeführt wird und dazu das Vorladefreigabetaktsignal gesperrt wird.
DE102005062526A 2004-12-20 2005-12-19 Ladungspumpenzelle, Ladungspumpenschaltung und Betriebsverfahren Withdrawn DE102005062526A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040108826A KR100640615B1 (ko) 2004-12-20 2004-12-20 고 전압 발생용 전하 펌프 회로
KR10-2004-0108826 2004-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005062526A1 true DE102005062526A1 (de) 2006-07-06

Family

ID=36590769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005062526A Withdrawn DE102005062526A1 (de) 2004-12-20 2005-12-19 Ladungspumpenzelle, Ladungspumpenschaltung und Betriebsverfahren

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7439793B2 (de)
JP (1) JP4865317B2 (de)
KR (1) KR100640615B1 (de)
CN (1) CN1832311A (de)
DE (1) DE102005062526A1 (de)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007084496A2 (en) 2006-01-17 2007-07-26 Broadcom Corporation Power over ethernet controller integrated circuit architecture
EP1903653B1 (de) * 2006-08-31 2018-09-26 Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd. Überspannungsschutz für Strom- und Datenanwendungen
US8115597B1 (en) * 2007-03-07 2012-02-14 Impinj, Inc. RFID tags with synchronous power rectifier
US7808301B2 (en) * 2007-07-26 2010-10-05 Macronix International Co., Ltd. Multiple-stage charge pump circuit with charge recycle circuit
US7994844B2 (en) * 2007-11-12 2011-08-09 Macronix International Co., Ltd. Multiple-stage charge pump with charge recycle circuit
US20090121780A1 (en) * 2007-11-12 2009-05-14 Macronix International Co., Ltd. Multiple-stage charge pump with charge recycle circuit
US7714636B2 (en) * 2007-11-26 2010-05-11 Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Charge pump circuit and cell thereof
KR100908536B1 (ko) * 2007-12-28 2009-07-20 주식회사 하이닉스반도체 고전압 발생기의 전류 소모 방지 장치
US7671665B2 (en) * 2008-07-01 2010-03-02 Hamilton Sundstrand Corporation Constant-ON state high side switch circuit
US7902915B2 (en) * 2009-06-08 2011-03-08 Freescale Semiconductor, Inc. Method and circuit for charging and discharging a circuit node
KR101040004B1 (ko) 2009-09-24 2011-06-09 성균관대학교산학협력단 전하 펌프 회로
KR20110106686A (ko) * 2010-03-23 2011-09-29 삼성전자주식회사 차지 펌프, 그 제어 방법, 및 이를 구비한 디스플레이 구동 시스템
US8536928B1 (en) * 2012-05-25 2013-09-17 Fairchild Semiconductor Corporation Constant VGS charge pump for load switch applications
TWI466087B (zh) * 2012-12-12 2014-12-21 Novatek Microelectronics Corp 源極驅動器
KR102053944B1 (ko) * 2013-02-21 2019-12-11 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
TWI499182B (zh) * 2013-11-20 2015-09-01 Sitronix Technology Corp 回收電能之方法及其相關驅動電路
US10050621B2 (en) * 2016-09-29 2018-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Low static current semiconductor device
WO2018151854A1 (en) 2017-02-16 2018-08-23 Wispry, Inc. Charge pump systems, devices, and methods
CN107171547B (zh) * 2017-05-15 2019-04-02 合肥恒烁半导体有限公司 一种电荷泵及flas存储器
US10348192B1 (en) 2017-12-20 2019-07-09 Micron Technology, Inc. Electronic device with a charge recycling mechanism
US10312803B1 (en) 2017-12-20 2019-06-04 Micron Technology, Inc. Electronic device with a charging mechanism
US10211724B1 (en) 2017-12-20 2019-02-19 Micron Technology, Inc. Electronic device with an output voltage booster mechanism
US10263514B1 (en) * 2018-03-13 2019-04-16 Psemi Corporation Selectable conversion ratio DC-DC converter
KR20200053324A (ko) * 2018-11-08 2020-05-18 삼성전자주식회사 차지 펌프 및 차지 펌프를 포함하는 메모리 장치
KR102581100B1 (ko) * 2019-03-07 2023-09-20 삼성전기주식회사 차지 펌프 기반의 네가티브 전압 회로

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2805210B2 (ja) * 1989-06-09 1998-09-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 昇圧回路
KR0167692B1 (ko) * 1995-09-14 1999-02-01 김광호 반도체 메모리장치의 차아지 펌프회로
US5818289A (en) 1996-07-18 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Clocking scheme and charge transfer switch for increasing the efficiency of a charge pump or other circuit
JPH10228793A (ja) * 1997-02-13 1998-08-25 Sony Corp 半導体装置
JPH114575A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Nec Corp 昇圧回路
US6373324B2 (en) * 1998-08-21 2002-04-16 Intel Corporation Voltage blocking method and apparatus for a charge pump with diode connected pull-up and pull-down on boot nodes
WO2000038303A1 (de) 1998-12-21 2000-06-29 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur spannungsvervielfachung mit hohem wirkungsgrad und ihre verwendung
DE19953882C2 (de) * 1999-11-09 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Ladungspumpe zum Erzeugen von hohen Spannungen für Halbleiterschaltungen
KR100347144B1 (ko) 2000-05-02 2002-08-03 주식회사 하이닉스반도체 고전압 발생회로
KR100366636B1 (ko) 2000-12-08 2003-01-09 삼성전자 주식회사 전하 펌프 전압 변환기
KR100399359B1 (ko) * 2001-07-07 2003-09-26 삼성전자주식회사 전하 펌프 회로
US6717459B2 (en) 2002-02-21 2004-04-06 Micron Technology, Inc. Capacitor charge sharing charge pump
US7116154B2 (en) * 2003-08-06 2006-10-03 Spansion Llc Low power charge pump

Also Published As

Publication number Publication date
US20060132220A1 (en) 2006-06-22
CN1832311A (zh) 2006-09-13
US7439793B2 (en) 2008-10-21
JP2006180692A (ja) 2006-07-06
JP4865317B2 (ja) 2012-02-01
KR100640615B1 (ko) 2006-11-01
KR20060070173A (ko) 2006-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005062526A1 (de) Ladungspumpenzelle, Ladungspumpenschaltung und Betriebsverfahren
DE602004008935T2 (de) Flächeneffiziente ladungspumpe
DE10196673B4 (de) Stromsparende Spannungsversorgungsvorrichtungen für ein Speicherbauelement und Verfahren hierzu
DE60315396T2 (de) Schaltung und Verfahren zum Erzeugen einer internen Betriebsspannung
DE602004004597T2 (de) Spannungs-Abwärts-Wandler mit reduzierter Welligkeit
DE102007042356A1 (de) Spannungssteuervorrichtung eines Halbleiterbauelements
DE19749602C2 (de) Substratspannungs-Generatorschaltung
DE102005030547A1 (de) Speicherbauelement und Betriebsverfahren
DE102014119097B4 (de) Spannungsregler mit schneller übergangsreaktion
DE112007001308T5 (de) Verfahren und System zum Vorsehen einer Ladungspumpe für Anwendungen mit sehr niedriger Spannung
DE102004024612B4 (de) Spannungserzeugungsschaltung
DE10164027A1 (de) Schaltung zum Klammern einer Wortleitungsspannung
DE102006001082B4 (de) Belastungszykluskorrektor
DE4342458C2 (de) Spannungsgenerator für eine Halbleiterspeichervorrichtung mit Standby-Betriebsart
DE3038409A1 (de) Spannungserhoehungsschaltung
DE102009049615B4 (de) Elektronische Vorrichtung zur Ansteuerung eines Leistungsschalters
DE102006033707B4 (de) Spannungsgenerator-Schaltkreis, Verfahren zum Bereitstellen einer Ausgangsspannung und elektronische Speichereinrichtung
DE102005061967A1 (de) Leistungsversorgungsanordnung zum Bereitstellen eines Ausgangssignals mit einem vorbestimmten Ausgangssignalpegel
DE102019219965A1 (de) Ladungspumpenübergangsantwortoptimierung durch gesteuerte Entladung eines fliegenden Kondensators während eines Übergangs vom Umgehungs- zum Schaltmodus
DE60305669T2 (de) Nebenschluss-Schaltregler und Stromversorgungsanordnung, die diesen insbesondere in der Raumfahrt verwendet
DE10030795A1 (de) Gleichspannungswandlerschaltung
DE102006040571B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Auslesen einer Speicherinformation
EP1332468B1 (de) Verfahren zur steuerung der lade- und entladephasen eines stützkondensators
WO2014140010A1 (de) Vorrichtung zur stabilisierenden versorgung eines verbrauchers
DE60224991T2 (de) Anordnung und system zum erreichen von schnellem schalten von analogen spannungen an einer grossen kapazitiven ladung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20110701