JPH114575A - 昇圧回路 - Google Patents

昇圧回路

Info

Publication number
JPH114575A
JPH114575A JP15368197A JP15368197A JPH114575A JP H114575 A JPH114575 A JP H114575A JP 15368197 A JP15368197 A JP 15368197A JP 15368197 A JP15368197 A JP 15368197A JP H114575 A JPH114575 A JP H114575A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
node
circuit
capacitor
driving
pump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15368197A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Takeshima
俊夫 竹島
Shinken Okawa
真賢 大川
Hiroshi Sugawara
寛 菅原
Naoaki Sudo
直昭 須藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP15368197A priority Critical patent/JPH114575A/ja
Priority to US09/095,050 priority patent/US6008690A/en
Publication of JPH114575A publication Critical patent/JPH114575A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 昇圧回路において電荷の再利用を図ることに
より消費電力を低減し、かつ高電圧を出力させる。 【解決手段】 ダイオードD1の一方に電源電圧Vcc
が供給され、他方にキャパシタCP1を接続した第1の
ポンプ回路(PC)のダイオード・キャパシタの接続点
に、ダイオードD2及びキャパシタCP2からなる第2
のポンプ回路のダイオードD2を接続し、各キャパシタ
の駆動節点(n1,n2)をスイッチTSW1を介して
接続し、かつ各駆動節点を節点駆動回路10のクロック
CK1,CK2により駆動して出力端Voaから高電圧
を発生させる。ここで、節点駆動回路は出力切替時に一
時的に各駆動節点をフローティングにする機能を有し、
このフローティング状態時にスイッチTSW1を制御信
号P0によりオンさせて各駆動節点間を接続し、各駆動
節点の電位を電源電圧の中間レベルに制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
などに用いられる昇圧回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、フラッシュメモリにデータを書
き込んだり、消去するとき、チャネル・ホット・エレク
トロンやトンネル電流を使うため、ゲートに高い電界を
印加しなければならず、高電圧が必要になる。従来は、
電源端子とは別に外部から高い電圧を供給する端子を設
けて動作させていたが、近年、外部電源回路を簡略化す
るため、単一の電源化が進められている。さらに、供給
する電源電圧も、従来は5Vが主流であったが、低消費
電力化や高速動作化のため、3Vや2Vと低くなりつつ
ある。このため、メモリチップ内部には昇圧回路を設け
て、外部から供給された電源の電圧以上の値の電圧を発
生させているが、その昇圧倍率も従来より高めることが
必要になってきた。
【0003】図16は特開平9−8229号公報に開示
された昇圧回路(以下、従来例1とする)の回路図であ
り、該昇圧回路はダイオードD1〜D5と、キャパシタ
CP1〜CP4と、容量負荷CLと、ドライブ回路DV
1,DV2とからなる。図において、例えば1つのダイ
オードD2とキャパシタCP2とからなる回路をポンプ
回路PCと呼び、図の例は、4段のポンプ回路PCによ
り構成された例を示している。ダイオードD1〜D4と
キャパシタCP1〜CP4の一端との節点をそれぞれN
1〜N4、ダイオードD5と負荷キャパシタCLとの節
点をNL、キャパシタCP1、CP2とドライブ回路D
V1,DV2の出力端との接点をそれぞれN181、N
182とする。
【0004】次に図16の昇圧回路の接続について説明
すると、ダイオードD1のアノード側は電源に接続さ
れ、カソード側は節点N1を介してキャパシタCP1に
接続され、第1のポンプ回路を構成する。ダイオードD
2のアノード側は節点N1に接続され、カソード側は節
点N2を介してキャパシタCP2に接続され、第2のポ
ンプ回路を構成する。以下同様にダイオードD3,D
4、キャパシタCP3,CP4からなる第3,第4のポ
ンプ回路が直列に複数段接続される。一方、第1のポン
プ回路から数えて奇数段目のキャパシタCP1,CP3
の他端は駆動節点N181に接続され、第1のポンプ回
路から数えて偶数段目のキャパシタCP2,CP4の他
端は駆動節点N182に接続される。
【0005】そして、ドライブ回路DV1,DV2の出
力、即ち駆動節点N181,N182に対し、図17
(a),(b)に示すようなタイミングの2相のクロッ
ク信号φ181、及びクロックφ181の反転信号を示
すクロックφ182を与えて、キャパシタCP1,CP
3及びキャパシタCP2,CP4の駆動節点N181,
N182を交互に逆位相で駆動することにより、出力端
子Vozから高電圧を出力し、図16の構成では電源電
圧Vccの5倍の電圧を得るようにしている。なお、キ
ャパシタCPのことをポンプ容量と呼ぶ。
【0006】次に、図16及び図17を参照して本回路
の具体的な動作を説明する。まず、説明の都合上、図1
6において2段のポンプ回路により構成されていると
し、負荷容量CLが節点N3に接続されているとし、電
源電圧Vccを4V、各キャパシタCP1,CP2の容
量を負荷キャパシタCLの容量と同一値とし、かつダイ
オードD1〜D3のしきい値を0V、クロックφ18
1,φ182のLレベル,Hレベルをそれぞれ0V,4
Vとする。
【0007】初期状態、即ち時点T180では、駆動節
点N181,N182は0Vであり、節点N1、N2、
節点NLはダイオードD1〜D3を介して電源電圧Vc
cが充電されるため、ともに4Vである。この結果、出
力電圧Vozも4Vである。
【0008】次に、時点T181でクロックφ181が
立ち上がって駆動節点N181が4Vになると、節点N
1は4Vから一旦8Vになり、その直後にダイオードD
2、D3により電荷が節点N2とNL側へ流れて5.3
Vに落ち着く。これは、キャパシタCP1に充電された
電荷がキャパシタCP2と負荷キャパシタCLに配分さ
れるためである。このとき、クロックφ182は変化せ
ず、駆動節点N182も0Vのまま変化はない。
【0009】次に、時点T182でクロックφ181が
立ち下がって、駆動節点N181が0Vになると、キャ
パシタCP1のN181側に充電された4V相当の電荷
がドライブ回路DV1を通して放電されるとともに、キ
ャパシタCP1の節点N1側は、電圧が5.3Vから
1.3Vに低下するが、ダイオードD1を通して電源電
圧Vccが充電されて4Vになる。ここで、キャパシタ
CP1の静電容量をC(F)とすると、放電による損失
電荷量はC×Vcc(クーロン)で表される。一方、ク
ロックφ182が立ち上がって、駆動節点N182が4
Vになると、キャパシタCP2の節点N2側は5.3V
に4Vが加算されて一旦9.3Vになるが、ダイオード
D3が導通して負荷キャパシタCLに電荷が転送される
ので、7.3Vに落ち着き、出力電圧Vozも7.3V
になる。
【0010】次に、時点T183でクロックφ181が
再び立ち上がると、時点T181と同様の動作をくり返
す。一方、クロックφ182が立ち下がると、駆動節点
N182が0Vになり、キャパシタCP2の駆動節点N
182側に充電された電荷がドライブ回路DV2を通し
て放電される。このときの放電による損失電荷量もキャ
パシタCP2の静電容量をC(F)とすると、C×Vc
c(クーロン)で表される。このような昇圧動作を繰り
返し最終的に出力電圧Vozは12Vに収束する。ま
た、1周期の間に2回放電するので、1周期当たりの損
失電荷量はC×Vcc×2(クーロン)、即ちVccを
4Vとすると8C(クーロン)になる。従来例1におい
て、ポンプ回路の段数をZとすると、昇圧電圧は一般に
(Z+1)×Vccで表され、損失電荷量はZ×C×V
cc(クーロン)で表される。従って、単位昇圧倍率あ
たりの損失電荷量は{Z/(Z+1)}×C×Vcc
(クーロン)で表される。
【0011】図18は、従来の昇圧回路の第2の例(以
下、従来例2とする)として1996 Symposium on VLSI C
ircuits Digest of Technical Papers pp110-111に開示
された回路図で、モード2のときの回路を示す。この昇
圧回路は全波整流タイプで、昇圧回路から出力できる電
流量を増やすとともに、放電電荷量の一部を再利用する
ことで低消費電力化を目的としたものである。従来例2
の昇圧回路は、PチャネルMOSトランジスタM1,M
4、NチャネルMOSトランジスタM2,M3,M5,
M6,M7,M8、入力信号を反転して出力するドライ
バDV201,DV202、ダイオードD201,D2
02、キャパシタC201,C202,C203,C2
04から構成される。また、トランジスタM1とM2、
M2とM3、M5とM7、M6とM8の節点をそれぞれ
N201,N202,N203,N205とする。
【0012】ここで図18に示す従来例2の回路の接続
関係について説明する。クロックφ201はトランジス
タM2のゲートと、ドライバDV202を介してトラン
ジスタM4のゲートに接続される。また、クロックφ2
02はトランジスタM3のゲートと、ドライバDV20
1を介してトランジスタM1のゲートに接続される。ト
ランジスタM1のソースは電源Vccに接続され、ドレ
インは節点N201でトランジスタM2,M4のドレイ
ンと接続されると共に、キャパシタ201と接続され
る。また、トランジスタM3のソースは接地GNDに接
続され、ドレインは節点N202でトランジスタM2,
M4のソースと接続されると共に、キャパシタ202と
接続される。
【0013】キャパシタC201,C202の他端であ
る節点N203,N204にはトランジスタM5,M6
のソースと、トランジスタM7,M8のドレインがそれ
ぞれ接続される。トランジスタM5,M6のドレイン
と、ダイオードD201,D202のアノードとは電源
Vccに接続される。ダイオードD201のカソードは
トランジスタM5,M8のゲートとキャパシタC203
に接続され、ダイオードD202のカソードはトランジ
スタM6,M7のゲートとキャパシタC204に接続さ
れる。キャパシタC203とC204の他端はそれぞれ
クロックφ203とφ204接続される。トランジスタ
M7,M8のソース同士は節点NLで共に負荷キャパシ
タCLに接続される。
【0014】次に、図19に示すタイミングチャートを
用いて従来例2の動作を説明する。説明の都合上、図1
9において、電源電圧Vccを4V、各キャパシタC2
01,C202の容量を負荷キャパシタCLの容量と同
一とし、その値をC(F)とする。また、トランジスタ
M1〜M8のしきい値を0Vとし、クロックφ201〜
204のLレベル,Hレベルをそれぞれ0V,4Vとす
る。また、クロックφ201〜φ204は同一周波数
で、φ201はφ202と、φ203はφ204と1/
2周期の位相差を有する信号であり、Hレベルの期間は
Lレベルの期間より短い。さらに、φ203はφ201
が、そしてφ204はφ202が、Hレベルとなって一
定時間後にHレベルとなり、同時にLレベルになる。こ
こで、過渡状態のある時点T200において、節点N2
01は4V(Vcc),節点N202は0V(GN
D),節点N203は約5V(Vpp),節点N204
は4V(Vcc)となっているとする。
【0015】次に、時点T201において、φ202が
Lレベルの状態で、φ201がHレベルになるので、ド
ライバDV201,DV202の出力はそれぞれHレベ
ル、Lレベルになる。このとき、トランジスタM1はオ
フ、M2はオン、M3はオフ、M4はオンする。この結
果、キャパシタC201の節点N201側に充電されて
いた4Vの電荷が、トランジスタM2,M4を通して、
0Vに放電されているキャパシタC202の節点N20
2側に移動し、N201,N202はともに2V(1/
2×Vcc)になる。一方、キャパシタC201の節点
N203側に充電されていた5V(Vpp)の電荷が2
V分低下し、3V(Vpp−1/2×Vcc)となる。
また、4Vに充電されているキャパシタC202の節点
N204側は2V分の電荷が加算され、6V(3/2×
Vcc)になる。
【0016】次に、時点T202において、φ201が
Hレベル、φ202がLレベルの状態で、φ203がH
レベルになるので、トランジスタM5とM8がオンす
る。この結果、キャパシタC202の節点N204側に
充電されていた6V(3/2×Vcc)の電荷は、トラ
ンジスタM8を通して負荷キャパシタCLへ配分され、
5.5V(Vpp)に収束する。また、3V(Vpp−
1/2×Vcc)に放電したキャパシタC201の節点
N203側は、トランジスタM5を通して電源電圧Vc
cの4Vが充電される。その後、クロックφ201、φ
203がLレベルになり、トランジスタM2,M4,M
5,M8がオフするが、各点の電圧は保持され、変化は
ない。
【0017】次に、時点T203において、φ202が
Hレベルになるので、ドライバDV201,DV202
の出力はそれぞれLレベル,Hレベルになる。このと
き、トランジスタM1はオン、M2はオフ、M3はオ
ン、M4はオフする。この結果、キャパシタC201の
節点N201側はトランジスタM1を通して電源電圧V
ccの4Vが充電され、2Vに充電されているキャパシ
タC202の節点N202側はトランジスタM3を通し
てGND、即ち、0Vになる。一方、4Vに充電されて
いたキャパシタC201の節点N203側の電荷は、2
V分加算されて6V(3/2×Vcc)となる。また、
5.5V(Vpp)に放電されているキャパシタC20
2の節点N204側は2V分の電荷が放電され、3.5
V(Vpp−1/2×Vcc)になる。
【0018】次に、時点T204において、φ201が
Lレベル、φ202がHレベルの状態で、φ204がH
レベルになるので、トランジスタM6とM7がオンす
る。この結果、キャパシタC201の節点N203側に
充電されていた6V(3/2×Vcc)の電荷が、トラ
ンジスタM7および節点NLを通して負荷キャパシタC
Lへ移動し、5.75V(Vpp)に収束する。また、
3.5Vに放電したキャパシタC202の節点N204
側はトランジスタM6を通して電源電圧Vccの4Vが
充電される。その後、クロックφ202、φ204がL
レベルになり、トランジスタM1,M3,M6,M7が
オフするが、各節点の電圧は保持される。この動作を繰
り返すことにより、負荷キャパシタCLは徐々に高い電
圧が充電され、出力電圧Vppは、理想状態では最終的
に6Vに収束する。
【0019】従来例2の昇圧回路では、キャパシタC2
01に充電された電源電圧Vcc相当の電荷がトランジ
スタM2,M4を通してキャパシタC202に配分さ
れ、C202には1/2×Vcc相当の電荷が充電され
る。この電荷は次のクロックで接地GNDに放電され
る。ここで、1周期の損失電荷量はC×Vcc/2(ク
ーロン)、Vccが4Vとすると2C(クーロン)であ
る。また、単位昇圧倍率あたりの損失電荷量は1/3×
C×Vcc(クーロン)で表される。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来例1に示
す昇圧回路では、スイッチングによるキャパシタCPの
充放電量が多く、クロック1周期で1つのキャパシタC
Pあたり、C×Vcc(クーロン)の電荷が損失するこ
とになり、従来例1のように4段のキャパシタを設ける
とC×Vcc×4(クーロン)が損失する。この損失は
昇圧回路の昇圧倍率が大きくなるほど増える。従って、
回路の消費電力が増大するという欠点があった。
【0021】また、従来例2に示す昇圧回路では、ポン
プ回路を双方向に動作するように接続し、1クロック周
期で2回の昇圧動作を行うことで、電流容量を増大する
ことができる。さらに、トランジスタM2,M4を設け
ることで、キャパシタC201の充電電荷を接地に放電
するのではなく、キャパシタC202の充電に充当し、
これを放電するようにしたので、損失電荷量を低減で
き、その結果として昇圧回路の消費電力を低減できる。
しかしながら、従来例2の昇圧回路では、駆動節点N2
01,N202の電圧はVcc/2しか変化しないの
で、Vcc/2分の電荷しか昇圧動作に寄与せず、高電
圧が得られないという欠点がある。従って、従来例2の
昇圧回路はDRAMのメモリセルへの書き込み電圧に使
うことはできても、フラッシュ・メモリの書き込みや消
去には低電圧すぎて使うことができない。
【0022】さらに、キャパシタC201の節点N20
1は、トランジスタM1,M2により0Vと4Vでスイ
ッチングし、他の節点N203は、キャパシタC203
とダイオードD201とを使って2×Vcc、即ち、8
VでトランジスタM5,M8のゲートを駆動し、トラン
ジスタM5,M8のオン抵抗を低減するとともに、電源
電圧以上の電圧でもスイッチングできるように工夫しな
ければならない。また、このような回路構成となってい
るため、使用素子数が多く、回路構成が非常に複雑にな
るという欠点もある。
【0023】さらに、従来例2には昇圧倍率が3倍以上
の構成についてはなんら開示されていない。仮に、3倍
以上の昇圧を実現するとすると、従来例2の昇圧回路を
複数個用意しておき、前段の出力端子OUTの出力を次
段の電源端子Vccに供給するなどの方法が考えられ
る。しかし、後段にいくほど電圧が高くなるので、使用
するトランジスタMやダイオードDの耐圧を高くしなけ
ればならず、これら素子のサイズが大きくなる。このよ
うに、1段あたりの使用素子数が多くてチップサイズが
大きいのに加えて、さらにチップサイズを大きくする要
因になる。本発明の第1の目的は、昇圧倍率を高くして
も、放電による損失電荷量を低減し、消費電力を低減す
る昇圧回路を実現することである。本発明の第2の目的
は、放電による損失電荷量を低減しても、使用素子数が
少なく、簡単な回路で、高昇圧倍率の昇圧回路を実現す
ることである。
【0024】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明は、第1の整流素子の一方の端子に電圧
が供給されると共に第1の整流素子の他方の端子に第1
の接続点を介して第1のキャパシタが接続される第1の
ポンプ回路と、第1の接続点を介して第2の整流素子の
一方の端子が接続されると共に第2の整流素子の他方の
端子に第2の接続点を介して第2のキャパシタが接続さ
れる第2のポンプ回路と、キャパシタの上記接続点と反
対側の駆動節点に対し駆動信号を出力する節点駆動回路
と、キャパシタの駆動節点に接続されるスイッチ手段
と、スイッチ手段を駆動してキャパシタの電位を制御す
る制御手段とを備え、第1のキャパシタに供給されてい
る電圧を昇圧し、この昇圧された電圧を第1及び第2の
接続点を介して出力するようにしたものである。また、
第2の接続点を介して複数のポンプ回路を第2のポンプ
回路と直列に複数接続したポンプ回路群を設けたもので
ある。また、第1のポンプ回路を含む複数段のポンプ回
路のうち、第1のポンプ回路から数えて奇数段目及び偶
数段目の2つのポンプ回路からなる1組の回路内の各駆
動節点間を順次各組毎に各スイッチ手段により接続し、
各スイッチ手段の開閉を共通に制御するものである。ま
た、第1のポンプ回路から数えて偶数段目及び奇数段目
の2つのポンプ回路からなる1組の回路内の各駆動節点
間を順次各組毎に各スイッチ手段により接続し、各スイ
ッチ手段の開閉を共通に制御するものである。また、第
1のポンプ回路を含む複数段のポンプ回路の各駆動節点
に各スイッチ手段を接続し、各スイッチ手段の開閉を共
通に制御するものである。また、各スイッチ手段を駆動
節点の前後の間に接続するものである。また、各スイッ
チ手段の一端を駆動節点に接続し、他端同士を共通に接
続するものである。
【0025】また、第2の接続点を介して複数のポンプ
回路を第2のポンプ回路と直列に複数接続した第1のポ
ンプ回路群と、第1のポンプ回路群と同じ構成で、出力
同士を接続した第2のポンプ回路群と、第1のポンプ回
路群と第2のポンプ回路群の同一段目の駆動節点にそれ
ぞれ逆相の駆動信号を出力する節点駆動回路と、第1の
ポンプ回路群の駆動節点と第2のポンプ回路群の駆動節
点との間に設けられた少なくとも1つのスイッチ手段と
を設け、スイッチ手段を駆動してキャパシタの電位を制
御し、放電電荷の損失を低減すると共に各ポンプ回路群
の各出力電流を加算して電流駆動能力を高くしたもので
ある。また、節点駆動回路に、駆動信号の出力切替時に
一時的に駆動節点をフローティング状態にする機能を持
たせ、節点駆動回路から第1及び第2のキャパシタに対
する駆動節点がフローティング状態を示しているとき、
スイッチ手段を閉状態に制御して第1及び第2のキャパ
シタの各駆動節点間を接続し、各駆動節点の電位を該電
位の中間のレベルに制御するものである。また、節点駆
動回路を、少なくとも2組のCMOS回路で構成し、H
レベル出力とLレベル出力とハイインピーダンス出力と
の3つの出力状態を出力できるようにしたものである。
また、節点駆動回路を、少なくとも2組のクロックドイ
ンバータ回路で構成し、Hレベル出力とLレベル出力と
ハイインピーダンス出力との3つの出力状態を出力でき
るようにしたものである。また、節点駆動回路を、一方
の駆動節点と電源との間にソースとドレインが接続され
たP型トランジスタと、他方の駆動節点と接地との間に
ドレインとソースが接続されたN型トランジスタとから
構成し、2つのトランジスタが同時に非導通状態となる
期間を有するようにしたものである。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図1〜4を
参照して説明する。図1は、本発明に係る昇圧回路の第
1の実施の形態を示すブロック図である。同図におい
て、10はクロック信号CK1,CK2を発生し、駆動
節点n1,n2を駆動する節点駆動回路であり、D1〜
D3はダイオード、CP1,CP2はキャパシタ、CL
は負荷キャパシタ、制御信号P0で開閉するTSW1は
スイッチである。なお、PCはダイオード及びキャパシ
タからなるポンプ回路であり、図1に示す昇圧回路で
は、2段のポンプ回路により構成される。また、N1は
ダイオードD1とキャパシタCP1との接続点を示す節
点、N2はダイオードD2とキャパシタCP2との接続
点を示す節点、n1,n2はキャパシタCP1,CP2
と節点駆動回路10との駆動節点である。
【0027】次に、図1に示す昇圧回路の接続について
説明する。ダイオードD1のアノードは電源Vccに接
続され、カソードは節点N1でキャパシタCP1とダイ
オードD2と接続される。ダイオードD2のカソードは
節点N2でキャパシタCP2とダイオードD3と接続さ
れ、ダイオードD3のカソードは節点NLで負荷キャパ
シタCLと接続される。節点駆動回路10の出力CK
1,CK2はそれぞれ駆動節点n1,n2でキャパシタ
CP1,CP2と接続される。また、スイッチTSW1
の開閉端子は駆動節点n1,n2と接続され、その制御
端子には開閉を制御する制御信号P0が入力される。
【0028】図2は図1の昇圧回路の各部の動作タイミ
ングを示すタイミングチャートである。図1及び図2を
参照して本回路の具体的な動作を説明する。説明の都合
上、図1において、電源電圧Vccを4V、各キャパシ
タCP1,CP2の容量を負荷キャパシタCLの容量と
同一値C(F)とし、かつダイオードD1〜D3のしき
い値を0Vとし、クロックCK1,CK2のLレベル及
びHレベルをそれぞれ0V及び4Vとする。また、クロ
ックCK1とCK2は同一周波数で、1/2周期の位相
差を有し、Hレベル,Lレベルの期間は1/4周期以下
である。また、クロックCK1とCK2がHレベルから
Lレベルに、またはLレベルからHレベルに切り替わる
とき、駆動節点n1,n2がフローティング状態になる
ようにしてある。(図2(a),(b)) 制御信号P0はクロックCK1とCK2の2倍の周波数
を有し、クロックCK1とCK2がフローティング状態
になる期間にHレベルとなる。また、制御信号P0がH
レベルの期間はクロックCK1とCK2がHレベル、ま
たはLレベルの期間と重なることはない。(図2
(c))
【0029】時点T0では、クロックCK1,CK2は
ともに0Vであり、また、節点N1,N2及び出力電圧
Voaは、ダイオードD1〜D3が導通して、電源電圧
がキャパシタCP1,CP2及びCLに充電されるの
で、ともに4Vである。このため、出力電圧Voaは4
Vである。
【0030】次に時点T1でクロックCK1が立ち上が
って4Vになると、節点N1は初期に充電されていた4
VにクロックCK1の4Vが加算されて一旦8Vになる
が、その直後に、ダイオードD2,D3を通して電荷が
節点N2,NL側へ流れて、キャパシタCP1に加算さ
れた4V分の電荷がキャパシタCP2とCLに配分され
て、5.3Vに落ち着く(図2(d))。
【0031】次に時点T2の直前では、キャパシタCP
1の駆動節点n1側には4V相当の電荷が、キャパシタ
CP2の駆動節点n2側には0V相当の電荷が蓄積され
ている。この状態で時点T2になり、制御信号P0がH
レベルになり、スイッチTSWが閉状態になると、キャ
パシタCP1の4V相当の電荷が、スイッチTSWを通
してキャパシタCP2の駆動節点n2側へ移動し、駆動
節点n1,n2はともに2Vになる。ここでは、電荷の
移動だけで、電荷の損失、即ち電力の消費は生じていな
い。これに伴って、節点N1は5.3Vから、2V分の
電荷が放電され、3.3Vに低下するが、電源Vccか
らダイオードD1を通して充電されるので、Vccレベ
ルの4Vに落ち着く(図2(d))。また、節点N2は
5.3Vから7.3Vに上昇した後、ダイオードD3を
介してキャパシタCP2の電荷が負荷キャパシタCLに
配分され6.3Vに落ち着く(図2(e))。従って出
力電圧Voaも6.3Vになる(図2(f))。なお、
このとき、節点N1は4Vなので、キャパシタCP1側
への電荷転送はダイオードD2により阻止される。
【0032】次に時点T3で、クロックCK1が0Vに
なると、キャパシタCPの節点n1側の2Vの電荷がC
K1端子を通して放電され、節点N1は4Vから2Vに
低下するが、その直後に電源VccからダイオードD1
を介して充電されるので、Vccレベルの4Vに落ち着
く(図2(d))。また,クロックCK2が4Vになる
と、駆動節点n2は2Vから4Vに充電され、節点N2
は6.3Vから8.3Vに上昇するが、その電荷はダイ
オードD3と節点NLを介して負荷キャパシタCLへ配
分され、7.3Vに落ち着く(図2(e))。従って出
力電圧Voaも同様に7.3Vになる(図2(f))。
【0033】時点T4の直前では、駆動節点n1には0
V相当の電荷が、駆動節点n2には4V相当の電荷が蓄
積されている。この状態で時点T4になり、駆動節点n
1とn2が導通状態になると、駆動節点n2の4V相当
の電荷が、駆動節点n1側へ移動し、駆動節点n1,n
2はともに2Vになる。また、節点N1は4Vから、2
V分の電荷が充電され、6Vに上昇するが、ダイオード
D2を通してキャパシタCP2へ電荷が配分されるの
で、5.7Vに落ち着く(図2(d))。また、駆動節
点n2は4Vから2Vになるので、節点N2は7.3V
から5.3Vに低下するが、前述のようにキャパシタC
P1から電荷が配分されるので、5.7Vに落ち着く
(図2(e))。このとき、節点NLは7.3Vになっ
ているので、負荷キャパシタCL側への電荷転送はダイ
オードD3により阻止され、7.3Vを維持する。(図
2(f))。
【0034】次に時点T5〜時点T8、および時点T9
〜時点T12の動作は、ぞれぞれ時点T1〜時点T4の
場合と同様な動作を繰り返す。ただし、節点N1,N
2,NLの電位関係により、それぞれの節点への電荷の
移動があったり、なかったりすることはいうまでもな
い。このような周期的な動作を経て、負荷キャパシタC
Lには順次電荷が蓄積され、この結果、最終的には出力
電圧Voaは12Vになり、2段のポンプ回路で電源電
圧Vccの3倍の高電圧を得ることができる。
【0035】また、節点駆動回路10からの各クロック
CK1,CK2出力が反転する間に、駆動節点n1とn
2が導通状態になる期間を設けることで、キャパシタC
Pの放電電荷の1/2を充電電荷として再利用できるた
め、高電圧を得る際に昇圧回路の消費電力を低減するこ
とが可能になる。第1の実施の形態では、1つのキャパ
シタCPで、1周期あたり、C×Vcc/2(クーロ
ン)の電荷が損失するだけである。本例では2段構成
で、1周期あたり2回あるので、Vcc×C(クーロ
ン)の電荷が節約できることになる。本実施の形態にお
いて、ポンプ回路の段数をGとすると、昇圧電圧は一般
に(G+1)×Vccで表され、1周期あたりの損失電
荷量はG×C×Vcc/2(クーロン)で表される。従
って、単位昇圧倍率あたりの損失電荷量は{G/2(G
+1)}×C×Vcc(クーロン)で表される。これを
従来例1と比べると、従来例1の電荷損失量は、1周期
あたり2×C×Vcc(クーロン)であるのに対し、5
割の電荷が節約できる。また、従来例2と比べると、1
周期あたり2倍の損失電荷量になるが、2倍以上の高電
圧が得られ、昇圧倍率当たりの損失電荷量は同等であ
る。しかも、出力切替用トランジスタM7,M8、ゲー
ト電圧昇圧用ダイオードD201,D202とキャパシ
タC203,C204が不要になるため、回路構成は簡
単になり、使用素子数を減らすことができる。
【0036】なお、クロックCK1,CK2の周期は、
キャパシタCP1とCP2の電荷がダイオードD1〜D
3を通して転送され、所望のレベルに収束するのに必要
な時定数の4倍以上に設定すればよい。また、スイッチ
TSWの制御信号P0がHレベルになっている時間は、
キャパシタCP1とCP2の電荷がスイッチTSWを通
して転送され、所望のレベルに収束するのに必要な時定
数以上に設定すればよい。
【0037】図3は節点駆動回路10の第1の構成例を
示す回路図であり節点駆動回路10をCMOSドライバ
により構成したものである。図3において、この節点駆
動回路10は、トランジスタMOS2〜MOS5から構
成される。ここで、トランジスタMOS2,MOS4は
p型トランジスタ、その他のトランジスタはn型のトラ
ンジスタを示す。なお、以降、図面上で○で囲まれたト
ランジスタはp型トランジスタ、それ以外のトランジス
タはn型トランジスタとして説明する。また、図中にお
いて、Vccは電源電圧であり、P0〜P4は各トラン
ジスタのゲートに与える制御信号を示し、クロックCK
1,CK2は節点駆動回路10の出力信号を示す。図4
にそのタイミングチャートを示す。
【0038】図3において、p型トランジスタMOS
2,MOS4のソースは電源Vccに接続され、ゲート
は信号P1,P2と接続され、ドレインは駆動節点n
1,n2と接続されている。n型トランジスタMOS
3,MOS5のドレインは駆動節点n1,n2と接続さ
れ、ゲートは信号P2,P4と接続され、ソースは接地
GNDに接続される。また、駆動節点n1,n2の間に
はスイッチTSWとして、n型トランジスタMOS1の
ドレインとソースが接続され、ゲートにはスイッチTS
Wの開閉を制御する制御信号P0が接続される。
【0039】図3,図4を用いて節点駆動回路10の動
作を詳しく説明する。制御信号P1〜P4の各トランジ
スタへの入力タイミングは図4(b)〜(e)に示すよ
うに、同一周波数であり、時点T1〜T4を1周期とし
て繰り返している。信号P1とP4、および信号P2と
P3は、逆相である。また、信号P1とP2、および信
号P3とP4は、逆相で、1/2周期の位相差を有して
いる。さらに、信号P1とP3がLレベルの期間、およ
び信号P2とP4がHレベルの期間は1周期の1/4以
下とした。また、この期間は、キャパシタCPへの充放
電が確実に行われるよう、その周期が設定されている。
【0040】制御信号P0は、図4(a)に示すよう
に、1周期に2回Hレベルになり、1回のHレベルの期
間は1周期の1/4以下である。信号P1とP3がHレ
ベルで、かつ信号P2とP4がLレベルとなる条件を満
たすときに、Hレベルとなる。ここで、信号P0がHレ
ベルの期間は、信号P1とP3がLレベルとなったり、
あるいは、信号P2とP4がHレベルとなることは絶対
に許されない。なお、初期状態の時点T0では、クロッ
クCK1,CK2はともにLレベルであるとする。
【0041】次に時点T1では、信号P1,P2がLレ
ベル、信号P3,P4がHレベルであるため(図4
(a)〜(e))、トランジスタMOS2,MOS5が
オンし、トランジスタMOS3,MOS4がオフし、ク
ロックCK1はHレベル、クロックCK2はLレベルに
なる(図4(f),(g))。時点T1の後半で信号P
1,P2がHレベル、信号P3,P4がLレベルに反転
しても、クロックCK1,CK2の放電量は少なく、ク
ロックCK1はHレベルを、クロックCK2はLレベル
を維持する。以下、これをフローティング出力状態と呼
ぶ。
【0042】次に時点T2で、制御信号P0をHレベル
にすると(図4(a))、トランジスタMOS1が導通
して、駆動節点n1と駆動節点n2間で電荷が移動し、
駆動節点n1と駆動節点n2の電位はともにそれらの電
位の中間のレベルとなる(図4(f),(g))。以
下、Vcc/2レベルと記述するが、キャパシタCP1
とCP2の容量が異なっていたり、充電電荷量が異なっ
ていると、必ずしもVcc/2(V)になるとは限らな
い。なお、この状態で制御信号P0をLレベルにしてト
ランジスタMOS1をオフしても、フローティング出力
状態となるため駆動節点n1と駆動節点n2のレベルは
維持される。
【0043】次に時点T3では、信号P1,P2がHレ
ベル、信号P3,P4がLレベルであるため(図4
(a)〜(e))、トランジスタMOS3,MOS4が
オンし、トランジスタMOS2,MOS5がオフし、ク
ロックCK1はLレベル、クロックCK2はHレベルに
なる(図4(f),(g))。時点T3の後半で信号P
1,P2がHレベル、信号P3,P4がLレベルに反転
しても、クロックCK1,CK2の放電量は少なく、ク
ロックCK1はLレベルを、クロックCK2はHレベル
を維持する(フローティング出力状態)。
【0044】次に時点T4で、制御信号P0をHレベル
にすると(図4(a))、駆動節点n1と駆動節点n2
間で電荷が移動し、駆動節点n1と駆動節点n2の電位
はともにVcc/2レベルとなる(図4(f),
(g))。なお、この状態で制御信号P0をLレベルに
してトランジスタMOS1をオフしても各クロックCK
1,CK2のレベルは維持される。(フローティング出
力状態) 時点T5以降は、時点T1〜T4を繰り返す。
【0045】図5は節点駆動回路10の第2の構成例を
示す回路図である。図5は、それぞれトランジスタMO
S12〜MOS15及びトランジスタMOS16〜MO
S19からなるクロックドインバータと呼ばれる回路を
2回路構成して、これらの各回路の出力間の接続・非接
続をトランジスタMOS11により制御するものであ
る。ここで、トランジスタMOS11は図3のトランジ
スタMOS1に相当するものである。
【0046】図5において、p型トランジスタMOS1
3,MOS17とn型トランジスタMOS14,MOS
18はゲートとドレインが共通接続され、CMOSイン
バータを構成し、出力は節点n1,n2に接続される。
p型トランジスタMOS12,MOS16のソースは電
源Vccに接続され、ゲートはそれぞれP11,P13
に接続され、ドレインはCMOSインバータに接続され
る。n型トランジスタMOS15,MOS19のドレイ
ンはCMOSインバータに接続され、ゲートはそれぞれ
P12,P14に接続され、ソースは接地GNDに接続
される。また、駆動節点n1,n2の間にはスイッチT
SW5として、n型トランジスタMOS11のドレイン
とソースが接続され、ゲートにはスイッチTSW5の開
閉を制御する制御信号P10が接続される。
【0047】図5の節点駆動回路に与える制御信号P1
0〜P16のタイミングは図6(a)〜(g)に示すよ
うなタイミングとなっている。即ち、信号P15とP1
6は同一周波数、かつ逆相の信号で、Hレベルは1/2
周期である(図6(f),(g))。信号P15とP1
6の1クロックを1周期とする。信号P11とP13は
同一信号で、1周期の間に2回Lレベルになる(図6
(b),(d))。同様に、信号P12とP14は同一
信号で、1周期の間に2回Hレベルになり信号P11と
P13と逆振幅である(図6(c),(e))。制御信
号P10は信号P15とP16が反転する前後でHレベ
ルになり、1周期で2回Hレベルになる。また、信号P
11とP13がHレベルとなる期間、及び、信号P12
とP14がLレベルとなる期間は制御信号P10がHレ
ベルになる期間を含み、かつ長い。この期間は節点駆動
回路の出力をフローティング状態とする。さらに、制御
信号P10がHレベルになる期間と、信号P11とP1
3がLレベルとなる期間、及び、信号P12とP14が
Hレベルとなる期間とは重なることがない。
【0048】次に、図5の節点駆動回路とスイッチTS
Wの動作を図6に示すタイミングチャートをもとに説明
する。時点T1で、信号P11,P13,P15がLレ
ベルであり、信号P12,P14,P16がHレベルで
あるので、トランジスタMOS12,MOS13,MO
S15,MOS16,MOS18,MOS19がオン
し、トランジスタMOS14,MOS17がオフする。
このため、クロックCK1はHレベル、クロックCK2
はLレベルになる。時点T1の終わりに信号P11,P
13がHレベルになり、信号P12,P14がLレベル
なると、トランジスタMOS12,MOS15,MOS
16,MOS19がオフするので、フローティング出力
状態になるが、クロックCK1とクロックCK2のレベ
ルはそのまま維持される。
【0049】時点T2で、信号P10がHレベルになる
と、スイッチTSWを構成するトランジスタMOS11
がオンして、節点n1とn2間を導通状態にして、クロ
ックCK1とCK2はVcc/2レベルになる。時点T
2の終わりに信号P10がLレベルになっても、フロー
ティング出力状態であるためクロックCK1とクロック
CK2のレベルはそのまま維持される。
【0050】時点T3で、信号P11,P13,P16
がLレベルであり、信号P12,P14,P15がHレ
ベルであるので、トランジスタMOS12,MOS1
4,MOS15,MOS16,MOS17,MOS19
がオンし、トランジスタMOS13,MOS18がオフ
する。このため、クロックCK1はLレベル、クロック
CK2はHレベルになる。時点T3の終わりに信号P1
1,P13がHレベルになり、信号P12,P14がL
レベルなると、トランジスタMOS12,MOS15,
MOS16,MOS19がオフするので、フローティン
グ出力状態になるが、クロックCK1とクロックCK2
のレベルはそのまま維持される。
【0051】時点T4で、信号P10がHレベルになる
と、スイッチTSWを構成するトランジスタMOS11
がオンして、節点n1とn2間を導通状態にして、クロ
ックCK1とCK2はVcc/2レベルになる。時点T
2の終わりに信号P10がLレベルになってもフローテ
ィング出力状態であるため、クロックCK1とクロック
CK2のレベルはそのまま維持される。時点T5以降の
動作は、時点T1〜T4の動作を繰り返す。
【0052】なお、図5及び図6において、第1の変形
例として、制御信号P13、P14はそれぞれ制御信号
P11、P12を用いても良く、さらに制御信号P16
は制御信号P15の反転信号を用いるようにしても良
い。また、制御信号P10を制御信号P11と制御信号
P12の反転信号との論理積信号としても良い。また、
第2の変形例として、制御信号P12、P14、P16
をそれぞれ制御信号P11、P13、P15の反転信号
としても良く、さらに制御信号P11を制御信号P10
として用いるようにしても良い。また、第3の変形例と
して、制御信号P12は制御信号P14でも良く、制御
信号P11の反転信号でも良い。また、制御信号P13
は制御信号P11を、P16はP15の反転信号を用い
てもよく、さらに制御信号P10として制御信号P11
を用いても良い。
【0053】次に図7は、本昇圧回路の第2の実施の形
態を示す回路図であり、1つのダイオードDとキャパシ
タCPとからなるポンプ回路PCを偶数段、即ち4段接
続したものである。そして、奇数段目のポンプ回路、即
ち、図7ではダイオードD1とキャパシタCP1からな
るポンプ回路の駆動節点と、ダイオードD3とキャパシ
タCP3からなるポンプ回路の駆動節点とを駆動節点7
1で接続し、偶数段目のポンプ回路、即ち、図7ではダ
イオードD2とキャパシタCP2からなるポンプ回路の
駆動節点と、ダイオードD4とキャパシタCP4からな
るポンプ回路の駆動節点とを駆動節点72で接続して、
各駆動節点71及び72をスイッチTSW71の両端に
接続して、クロックφ2によりスイッチTSW71の開
閉を制御する。このクロックφ2は上述した制御信号P
0や、P10に相当する。また、節点駆動回路10はド
ライバDT1,DT2で構成され、その内部構成は図5
と同じである。また、タイミングチャートは図6と同じ
でり、信号φ1は図6の信号P11に、信号φは図6の
信号P15に相当する。
【0054】図7の昇圧回路の接続関係について説明す
ると、ダイオードD1のアノード側は電源Vccに接続
され、カソード側は節点N1を介してキャパシタCP1
に接続され、第1のポンプ回路を構成する。ダイオード
D2のアノード側は節点N1に接続され、カソード側は
節点N2を介してキャパシタCP2に接続され、第2の
ポンプ回路を構成する。以下同様にダイオードD3,D
4、キャパシタCP3,CP4からなる第3,第4のポ
ンプ回路が直列に複数段接続される。一方、第1のポン
プ回路から数えて奇数段目のキャパシタCP1,CP3
の他端は駆動節点n71に接続され、第1のポンプ回路
から数えて偶数段目のキャパシタCP2,CP4の他端
は駆動節点72に接続される。各駆動節点n71、n7
2間はスイッチTSW71により接続され、スイッチT
SW71のゲートにはクロックφ2が印加される。ま
た、駆動節点n71、n72は節点駆動回路10のドラ
イバDT1、DT2の各出力と接続され、各ドライバD
T1、DT2から出力されるクロックCK1、CK2に
より駆動される。
【0055】次に図7の昇圧回路の動作を、上述の図6
のタイミングチャートを参照して説明する。説明の都合
上、図1と同様に、電源電圧Vccを4V、各キャパシ
タCP1〜CP4の容量を負荷キャパシタCLの容量と
同一値とし、かつダイオードD1〜D5のしきい値を0
Vとし、クロックCK1,CK2のLレベル及びHレベ
ルをそれぞれ0V,4Vとする。また、クロックCK1
とCK2の周波数及び位相差は図6と同様で、クロック
CK1とCK2がHレベルからLレベルに、またはLレ
ベルからHレベルに切り替わるとき、φ1,φ1(バ
ー)(以下、φの反転信号を/φとかく)により駆動節
点n71,n72がフローティング状態になるようにし
てある。また、制御信号φ2はクロックCK1とCK2
の2倍の周波数を有し、クロックCK1とCK2がフロ
ーティング状態である期間にHレベルとなる。また、制
御信号φ2がHレベルの期間はクロックCK1とCK2
がHレベル、またはLレベルの期間と重なることはな
い。また以下の動作説明では、過渡的な時点T5〜T8
について説明する。
【0056】図6の時点T5では、節点駆動回路10の
クロックCK1はHレベル(4V)、クロックCK2は
Lレベル(0V)になる。クロックCK1が4Vとなる
ことにより、駆動節点n71が2Vから4Vになるの
で、この差電圧2Vが節点N1,N3に加算される。も
し、節点N1の電位が節点N2より高いか、節点N3の
電位が節点N4の電位より高いと、その直後に、節点N
1の電荷は節点N2側へ、また節点N3の電荷は節点N
4,NL側へ流れる。その結果、キャパシタCP1,C
P3に加算された2V分の電荷がキャパシタCP2,C
P4とCLに配分されて、出力電圧Vobは昇圧され
る。一方、クロックCK2が0Vとなることにより、駆
動節点72が2Vから0Vになるので、この差電圧2V
が節点N2,N4から減算される。もし、節点N2の電
位が前段の節点N1より低くなるか、節点N4の電位が
前段の節点N3より低くなると、その直後に、節点N
1,N3から電荷が補充されて、昇圧される。ここで、
キャパシタCP2,CP4に充電されていた2Vの電荷
がドライバDT2を通して放電されるので、損失電荷量
はC×Vcc/2×2、即ちC×Vccである。
【0057】この状態で時点T6になり、スイッチTS
W71が閉状態になると、キャパシタCP1,CP3の
駆動節点71側の電荷がスイッチTSW71を通してキ
ャパシタCP2,CP4の駆動節点72側へ移動し、駆
動節点n71,72はともに2Vになる。ここでは、電
荷の移動だけで、電荷の損失、即ち電力の消費は生じて
いない。これに伴って、節点N1,N3の電圧は2V分
の電荷が放電され低下するが、節点N1,N3の電圧
は、電源Vccや前段のキャパシタからダイオードD
1,D3を通して充電されるので、4Vより低下するこ
とはない。また、節点N2,N4の電圧は上昇した後、
キャパシタCP2の電荷が節点N3側へ、キャパシタC
P4の電荷が負荷キャパシタCLに配分され所定レベル
に落ち着く。従って、出力電圧Vobもそのレベルにな
り負荷キャパシタCLによりその電圧を保持する。
【0058】次に時点T7で、クロックCK1が0Vに
なると、キャパシタCP1,CP3の駆動節点n71,
72側の2Vの電荷がドライバDT1を通して放電さ
れ、節点N1,N3は2V分低下するが、節点N1,N
3の電圧は、電源Vccや前段のキャパシタCPからダ
イオードD1,D3を通して充電されるので、4Vより
低下することはない。一方、クロックCK2が4Vにな
ると、駆動節点n72は2Vから4Vに充電され、節点
N2,N4の電圧は上昇するが、後段の電位より高い
と、節点N2の電荷は節点N3側へ、また、節点N4の
電荷はダイオードD5を介して節点NL側の負荷キャパ
シタCLへ配分されて、所定レベルに落ち着く。従って
出力電圧Vobも同様のレベルになり、これを負荷キャ
パシタCLにより保持する。ここで、キャパシタCP
1,CP3に充電されていた2Vの電荷がドライバDT
2を通して放電されるので、損失電荷量はC×Vcc/
2×2、即ちC×Vccである。
【0059】この状態で時点T8になり、駆動節点n7
1とn72がスイッチTSW71により導通状態になる
と、駆動節点n72の4V相当の電荷が、駆動節点n7
1側へ移動し、駆動節点n71,72はともに2Vにな
る。また、節点N1,N3の電圧は2V分上昇するが、
後段の節点N2,N4より高いと節点N4,NL側へ電
荷が移動し、所定レベルに落ち着く。一方、駆動節点n
72は4Vから2Vになるので、節点N2,N4は2V
分電圧レベルが低下するが、前段の節点N1,N3より
低いと前述のようにキャパシタCP1、CP3から電荷
が配分されるので、電圧レベルは上昇する。このように
して時点T5〜T8おける各動作により節点N2〜N4
の各電圧及び節点NLの出力電圧Vobがそれぞれ上昇
する。そして、各節点N2〜N4,NLの各キャパシタ
の電荷がそれぞれ各ダイオードD2〜D5によって前段
のポンプ回路側への逆流が阻止されることによりその上
昇電圧は保持される。時点T9以降も、時点T5〜T8
と同様の動作を繰り返し、最終的に節点NLには電源電
圧Vccの5倍の電圧を得ることができる。
【0060】このように図7の昇圧回路においては、節
点駆動回路10内のドライバDT1の出力とドライバD
T2の出力とにより、駆動節点n71,n72の電圧を
制御することで出力電圧Vobとして電源電圧Vccの
5倍の電圧を得ることができる。即ち、ポンプ回路の段
数をmとした場合、電源電圧のm+1倍の高電圧を得る
ことができる。また、スイッチTSW71を閉状態に制
御し、駆動節点n71とn72とを導通状態とすること
で、キャパシタCP1,CP3の電荷、またはキャパシ
タCP2,CP4の電荷が放電する前に他方へ転送する
ので、放電による損失電荷量を半減できる。本実施の形
態では、1周期あたりの損失電荷量は2×C×Vcc
(クーロン)である。
【0061】次に、図8は本昇圧回路の第3の実施の形
態を示す回路図である。図8の昇圧回路は、ポンプ回路
を奇数段、本例では5段接続した例であり、したがって
出力電圧Vocとして電源電圧Vccの6倍の高電圧を
得ることができる。図8の昇圧回路は、奇数段目のポン
プ回路の駆動節点と次段の偶数段目のポンプ回路の駆動
節点間を2個のスイッチTSW81,TSW82で接続
すると共に、駆動節点n81〜n85を駆動するドライ
バ(トライステートインバータ)DT1〜DT5を各駆
動節点に各個に設けたものである。
【0062】図8の昇圧回路の接続関係について説明す
ると、ダイオードD1のアノード側は電源Vccに接続
され、カソード側は節点N1を介してキャパシタCP1
に接続され、第1のポンプ回路を構成する。ダイオード
D2のアノード側は節点N1に接続され、カソード側は
節点N2を介してキャパシタCP2に接続され、第2の
ポンプ回路を構成する。以下同様にダイオードD3,D
4,D5、キャパシタCP3,CP4,CP5からなる
第3,第4,第5のポンプ回路が直列に複数段接続され
る。
【0063】一方、各ポンプ回路のキャパシタCP1〜
CP5の他端はそれぞれ駆動節点n81〜n85に接続
される。そして、第1のポンプ回路から数えて奇数段目
のキャパシタCP1,CP3の他端に接続された駆動節
点n81,n83と、第1のポンプ回路から数えて偶数
段目のキャパシタCP2,CP4の他端に接続された駆
動節点n82,n84とが、それぞれスイッチTSW8
1,82の両端に接続され、各スイッチTSW81,8
2のゲートにはクロックφ2が印加される。第1〜第4
のポンプ回路に接続される各駆動節点n81〜n84
は、節点駆動回路10のドライバDT1〜DT4の各出
力とそれぞれ接続され、各ドライバDT1〜DT4から
各個に出力されるクロックCK1またはCK2により駆
動される。なお、第5のポンプ回路のキャパシタCP5
に接続される駆動節点n85は、節点駆動回路10のド
ライバDT5と接続され、ドライバDT5から出力され
るクロックCK1により駆動される。
【0064】次に図8の昇圧回路の動作を、上述の図6
のタイミングチャートを参照して説明する。なお、説明
の都合上、回路の電圧やキャパシタの容量及びクロック
のタイミング等は、図7と同様の条件で説明する。また
以下の動作説明では、過渡的な時点T5〜T8について
説明する。図6の時点T5では、クロックCK1が4V
となることにより、駆動節点n81,n83が2Vから
4V、駆動節点n85が0Vから4Vになるので、この
差電圧に相当する電圧が節点N1,N3,N5に加算さ
れる。もし、節点N1,N3,N5の電位が各後段の節
点より高いと、その直後に、各後段の節点側へ電荷が移
動する。その結果、キャパシタCP1,CP3,CP5
に加算された電荷がキャパシタCP2,CP4とCLに
配分されて、出力電圧Vocは昇圧する。一方、クロッ
クCK2が0Vとなることにより、駆動節点n82,n
84が2Vから0Vになるので、この差電圧2Vが節点
N2,N4から減算される。もし、節点N2,N4の電
位が各前段の節点より低くなると、その直後に、前段の
キャパシタから電荷が転送されて、昇圧される。ここ
で、キャパシタCP2,CP4に充電されていた2Vの
電荷がそれぞれドライバDT2,DT4を通して放電さ
れるので、損失電荷量はC×Vcc/2×2、即ちC×
Vccである。
【0065】この状態で時点T6になると、スイッチT
SW81,82が閉状態になり、キャパシタCP1,C
P3の電荷が、スイッチTSW81,82を通してそれ
ぞれキャパシタCP2,CP4の駆動節点n82,n8
4側へ移動し、各駆動節点n82,n84はともに2V
になる。ここでは電荷の移動だけで、電荷の損失、即ち
電力の消費は生じていない。これに伴って、節点N1,
N3の電圧は2V分低下するが、電源や前段の節点より
低くなると、N1,N3の電圧は、電源Vccや前段か
ら補充されるので、Vccレベルの4Vより低下するこ
とはない。また、節点N2,N4の電圧は上昇した後、
キャパシタCP2の電荷は節点N3側へ、キャパシタC
P4の電荷はキャパシタCP5,CL側に配分され所定
レベルに落ち着く。
【0066】次に時点T7で、クロックCK1が0Vに
なると、キャパシタCP1,CP3の駆動節点n81,
n83側の2Vの電荷がそれぞれドライバDT1,DT
3を通して放電され、節点N1,N3は2V分低下し、
キャパシタCP5の駆動節点n85側の4Vの電荷がド
ライバDT5を通して放電され、節点N5は4V分低下
する。節点N1,N3,N5の電圧が各前段より低くな
ると、その直後に、電源Vccや各前段から電荷が補充
されるので、Vccレベルの4V以下になることはな
い。一方、クロックCK2が4Vになると、キャパシタ
CP2,CP4の駆動節点n82,n84は2Vから4
Vに充電され、節点N2,N4の電圧レベルは上昇する
が、節点N2の電荷は節点N3側へ、また節点N4の電
荷は節点N5,NL側へ配分されて、所定レベルに落ち
着く。ここで、キャパシタCP1,CP3に充電されて
いた2Vの電荷がドライバDT1,DT3を通して放電
され、キャパシタCP5に充電されていた4Vの電荷が
ドライバDT5を通して放電されるので、損失電荷量は
C×Vcc/2×2+C×Vcc、即ち2×C×Vcc
(クーロン)である。
【0067】この状態で時点T8になり、スイッチTS
W81と82が導通状態になると、各駆動節点はともに
2Vになる。そして、節点N1,N3は2V分の電荷が
充電され、電圧が上昇するが、それぞれ節点N2側、及
び節点N4,N5側へ電荷が配分されるので所定レベル
に落ち着く。また、このとき節点N2,N4は2V分電
圧レベルが低下するが、前述のように各前段より低下す
ると、キャパシタCP1、CP3から電荷が配分される
ので電圧レベルは上昇する。このようにして時点T5〜
T8おける各動作により節点N2〜N5の各電圧及び節
点NLの出力電圧Vocがそれぞれ上昇する。そして、
各節点N2〜N5,NLの各キャパシタの電荷はそれぞ
れ各ダイオードD2〜D6によって前段のポンプ回路側
への逆流が阻止されることによりその上昇電圧が保持さ
れる。そして、時点T9以降も、時点T5〜T8と同様
の動作を繰り返し、時点T5〜T8の動作で保持されて
いるその上昇電圧にクロック電圧をさらに印加すること
で、最終的に節点NLから電源電圧Vccの6倍の電圧
を得ることができる。
【0068】このように構成した場合も、図7に示す昇
圧回路と同様に動作し、放電による1周期あたりの損失
電荷量は、3×C×Vcc(クーロン)となる。スイッ
チTSW81,TSW82を設けない場合、損失電荷量
は5×C×Vcc(クーロン)であるのに比べ、損失電
荷量を6割に低減できる。一般に、ポンプ回路の段数が
K段で、1つのポンプ回路だけ電荷再利用をしないとす
ると、1周期あたりの損失電荷量は(K+1)/2×C
×Vcc(クーロン)で表される。また、電荷を再利用
しない場合に比べ、損失を(K+1)/2Kに低減でき
る。さらに、節点駆動回路10の各出力線を引き回すこ
とが無くなり、ノイズの発生を低減できるとともに、余
分な配線が不要となることから回路のレイアウト設計が
容易になるという利点がある。さらに、スイッチTSW
を2個設けることで、キャパシタCP間の充放電経路を
短くできるので、信号φ2がHレベルの期間を短くでき
る。また、スイッチが1個の場合に比べて小さいサイズ
のトランジスタを使うことができる。
【0069】次に、図9は本昇圧回路の第4の実施の形
態を示す回路図である。図9の昇圧回路は、図8と同様
に、ポンプ回路を5段(奇数段)接続した例であり、し
たがって出力電圧Vodとして電源電圧Vccの6倍の
高電圧を得ることができる。この昇圧回路は、偶数段目
のポンプ回路の駆動節点と次段の奇数段目のポンプ回路
の駆動節点間を2個のスイッチTSW91,TSW92
で接続すると共に、駆動節点91を駆動するドライバD
T1〜DT5を各駆動節点に各個に設けたものである。
【0070】図9の昇圧回路の接続関係について説明す
ると、ダイオードD1のアノード側は電源Vccに接続
され、カソード側は節点N1を介してキャパシタCP1
に接続され、第1のポンプ回路を構成する。ダイオード
D2のアノード側は節点N1に接続され、カソード側は
節点N2を介してキャパシタCP2に接続され、第2の
ポンプ回路を構成する。以下同様にダイオードD3,D
4,D5、キャパシタCP3,CP4,CP5からなる
第3,第4,第5のポンプ回路が直列に複数段接続され
る。
【0071】一方、各ポンプ回路のキャパシタCP1〜
CP5の他端はそれぞれ駆動節点91に接続される。そ
して、第1のポンプ回路から数えて偶数段目のキャパシ
タCP2,CP4の他端に接続された駆動節点n92,
n94と、第1のポンプ回路から数えて奇数段目のキャ
パシタCP3,CP5の他端に接続された駆動節点n9
3,n95とが、それぞれスイッチTSW91,92を
介して接続され、各スイッチTSW91,92のゲート
にはクロックφ2が印加される。第1〜第5のポンプ回
路に接続される各駆動節点n91〜n95は、節点駆動
回路10のドライバDT1〜DT5の各出力とそれぞれ
接続され、ドライバDT1,DT3,DT5は図6に示
すCK1相当の信号を各個に出力し、ドライバDT2,
DT4はCK2相当の信号を各個に出力する。
【0072】次に図9の昇圧回路の動作を、上述の図6
のタイミングチャートを参照して説明する。なお、説明
の都合上、回路の電圧やキャパシタの容量及びクロック
のタイミング等は、図7と同様の条件で説明する。また
以下の動作説明では、過渡的な時点T5〜T8について
説明する。図6の時点T5で、節点駆動回路10のクロ
ックCK1が4Vとなることにより、節点N3,N5は
2V分の電圧値が加算され、節点N1は4V分の電圧値
が加算されて、上昇する。各後段の電位が低いときは、
電荷が後段へ流れて、キャパシタCP1,CP3,CP
5に加算された電荷がそれぞれキャパシタCP2,CP
4,CLに配分される。一方、クロックCK2が0Vと
なることにより、キャパシタCP2,CP4に充電され
ていた2V相当の電荷が、ドライバDT2,DT4を通
して放電する。このときの損失電荷量はC×Vcc/2
×2、即ちC×Vcc(クーロン)である。この放電に
伴って節点N2,N4は2V分の電圧値が減算される
が、各前段の電位が高いときは、前段から電荷が流れ
て、キャパシタCP2,CP4に配分される。
【0073】この状態で時点T6になり、スイッチTS
W91,92が閉状態になると、キャパシタCP3,C
P5の電荷が、スイッチTSW91,92を通してキャ
パシタCP2,CP4の駆動節点n92,n94側へ移
動し、各駆動節点n92〜n95はともに2Vになる。
ここでは電荷の移動だけで、電荷の損失、即ち電力の消
費は生じていない。これに伴って、節点N2,N4の電
圧は2V分上昇し、節点N3,N5の電圧は2V分低下
するが、各前段より電圧が低いと、電源Vccや各前段
からダイオードDを介して充電されるので、4V以下に
はならない。
【0074】次に時点T7で、クロックCK1が0Vに
なると、キャパシタCP3,CP5の各駆動節点n9
3,n95側の2Vの電荷がドライバDT3,DT5を
通して放電され、節点N3,N5は2V分低下する。ま
た駆動節点n91は4Vの電荷がドライバDT1を通し
て放電され、節点N1の電圧も4V低下する。一方、ク
ロックCK2が4Vになると、キャパシタCP2,CP
4の駆動節点は2Vから4Vに充電され、節点N2,N
4の電圧レベルは上昇する。各節点の電圧が前段より低
いと、各前段から電荷が後段へ配分されて、所定レベル
に落ち着く。従って出力電圧Vodも同様のレベルにな
り、これを負荷キャパシタCLにより保持する。ここで
の損失電荷量は2×C×Vcc(クーロン)である。
【0075】この状態で時点T8になり、スイッチTS
W91と92が導通状態になると、各駆動節点はともに
2Vになる。そして、節点N3,N5は2V分の電荷が
充電され、電圧が上昇するが、それぞれ節点N4及びN
L側へ電荷が配分されるので所定レベルに落ち着く。こ
こでの電荷の損失はない。このようにして時点T5〜T
8おける各動作により節点N1〜N5の各電圧及び節点
NLの出力電圧Vodがそれぞれ上昇する。そして、各
節点N1〜N5,NLの各キャパシタの電荷はそれぞれ
各ダイオードD1〜D6によって前段のポンプ回路側へ
の逆流が阻止されることによりその上昇電圧が保持され
る。そして、時点T9以降も、時点T5〜T8と同様の
動作を繰り返し、時点T5〜T8の動作で保持されてい
るその上昇電圧にクロック電圧をさらに印加すること
で、最終的に節点NLから電源電圧Vccの6倍の電圧
を得ることができる。
【0076】この図9の昇圧回路も図8に示す回路と同
様、放電による損失電荷量を6割に低減することがで
き、かつ余分な配線が不要となることから回路のレイア
ウト設計が容易になるという利点を有する。さらに、ト
ランジスタTSWを2個設けることで、キャパシタCP
間の充放電経路を短くできるので、ノイズの発生を低減
でき、信号φ2がHレベルの期間を短くできる。また、
スイッチが1個の場合に比べて小さいサイズのトランジ
スタを使うことができる。
【0077】次に、図10は本昇圧回路の第5の実施の
形態を示す回路図である。図10の昇圧回路は、図9と
同様に、ポンプ回路を5段(奇数段)接続した例であ
り、したがって出力電圧Voeとして電源電圧Vccの
6倍の高電圧を得ることができる。この昇圧回路は、各
ポンプ回路の駆動節点間を4個のスイッチTSW101
〜TSW104で接続すると共に、駆動節点を駆動する
ドライバDT1〜DT5を各駆動節点に個別に設けたも
のである。
【0078】図10の昇圧回路の接続関係について説明
すると、ダイオードD1のアノード側は電源Vccに接
続され、カソード側は節点N1を介してキャパシタCP
1に接続され、第1のポンプ回路を構成する。ダイオー
ドD2のアノード側は節点N1に接続され、カソード側
は節点N2を介してキャパシタCP2に接続され、第2
のポンプ回路を構成する。以下同様にダイオードD3,
D4,D5、キャパシタCP3,CP4,CP5からな
る第3,第4,第5のポンプ回路が直列に複数段接続さ
れる。
【0079】各ポンプ回路のキャパシタCP1〜CP5
の他端はそれぞれ各駆動節点n101〜n105に接続
される。そして、各駆動節点n101〜n105間が、
それぞれスイッチTSW101〜TSW104により接
続される。各スイッチTSW101〜104のゲートに
はクロックφ2が共通に印加される。第1〜第5の各ポ
ンプ回路に接続される各駆動節点n101〜n105
は、節点駆動回路10のドライバDT1〜DT5の各出
力とそれぞれ接続さる。ドライバDT1,DT3,DT
5は図6に示すクロックCK1相当の信号を各個に出力
し、ドライバDT2,DT4はクロックCK2相当の信
号を各個に出力し、各駆動節点n101〜n105を駆
動する。
【0080】次に図10の昇圧回路の動作を、上述の図
6のタイミングチャートを参照して説明する。なお、説
明の都合上、回路の電圧やキャパシタの容量及びクロッ
クのタイミング等は、図7と同様の条件で説明する。ま
た以下の動作説明では、過渡的な時点T5〜T8につい
て説明する。図6の時点T5で、節点駆動回路10のク
ロックCK1が4Vとなると、駆動節点n101,n1
03,n105は1.6Vから4Vに電圧が上昇する。
一方、クロックCK2が0Vとなると、駆動節点n10
2,n104は電圧が1.6Vから0Vに低下する。こ
れに伴って、節点N1,N3,N5の電圧は2.4V上
昇し、節点N2,N4の電圧は1.6V低下するが、そ
の電圧が前段より低いと、その直後に、電源Vccまた
は各前段の節点から電荷が補充され、所定の電圧に落ち
つく。ここで、キャパシタCP2,CP4に充電されて
いた1.6V、即ち2/5Vccの電荷がドライバDT
2,DT4を通して放電されるので、損失電荷量はC×
(2/5×Vcc)×2、即ち4/5×C×V(クーロ
ン)である。
【0081】この状態で時点T6になり、スイッチTS
W101〜104が閉状態になると、キャパシタCP
1,CP3,CP5の駆動節点n101,n103,n
105側の電荷が、スイッチTSW101〜104を通
してキャパシタCP2,CP4の駆動節点n102,n
104側へ移動し、各駆動節点n101〜n105はと
もに2.4V、即ち3/5×Vccになる。ここでは電
荷の移動だけで、電荷の損失、即ち電力の消費は生じて
いない。これに伴って、節点N1,N3,N5の電圧は
2.4V分低下し、節点N2,N4の電圧は2.4V分
上昇するが、同様にして電荷が前段から後段に転送され
て、所定の電圧に落ちつく。
【0082】次に時点T7で、クロックCK1が0Vに
なると、キャパシタCP1,CP3,CP5の駆動節点
側の2.4V、即ち3/5×Vccの電荷がドライバD
T1,DT3,DT5を通して放電され、節点N1,N
3,N5は2.4V分低下する。一方、クロックCK2
が4Vになると、キャパシタCP2,CP4の駆動節点
n102,n104は2.4Vから4Vに充電され、節
点N2,N4の電圧レベルは1.6V上昇する。同様に
して電荷の転送が起こり、所定の電圧に落ちつく。従っ
て、出力電圧Voeも上昇し、これを負荷キャパシタC
Lにより保持する。ここで、放電による損失電荷量はC
×(3/5×Vcc)×3、即ち9/5×C×Vcc
(クーロン)である。
【0083】この状態で時点T8になり、スイッチTS
Wが導通状態になると、3個のキャパシタに充電されて
いた4Vの電荷が5個のキャパシタに配分されるので、
各駆動節点はともに1.6V、即ち4/5×Vccにな
る。これに伴い、節点N1,N3,N5は電圧が1.6
V上昇し、節点N2,N4の電圧は2.4V低下する
が、電荷が配分されるので所定レベルに落ち着く。この
ようにして時点T5〜T8おける各動作により節点N2
〜N5の各電圧及び節点NLの出力電圧Voeがそれぞ
れ上昇する。そして、各節点N2〜N5,NLの各キャ
パシタの電荷はそれぞれ各ダイオードD2〜D6によっ
て前段のポンプ回路側への逆流が阻止されることにより
その上昇電圧が保持される。そして、時点T9以降も、
時点T5〜T8と同様の動作を繰り返し、時点T5〜T
8の動作で保持されているその上昇電圧にクロック電圧
をさらに印加することで、最終的に節点NLから電源電
圧Vccの6倍の電圧を得ることができる。
【0084】図10の昇圧回路では、1周期あたりの損
失電荷量は、(4/5+9/5)×C×Vcc、即ち1
3/5×C×Vcc(クーロン)である。スイッチTS
W101〜TSW105を設けない場合、損失電荷量は
5×C×Vcc(クーロン)であるのに比べ、損失電荷
量を52%に低減できる。一般に、ポンプ回路の段数が
奇数段で構成され、その段数をLとし、各ポンプ回路の
電荷を共通に再利用するとすると、1周期あたりの損失
電荷量は(L2 +1)/2L×C×Vcc(クーロン)
で表される。また、電荷を再利用しない場合に比べ、損
失を(L2 +1)/2L2 に低減できる。本実施の形態
では、ポンプ回路が奇数段であっても、各駆動節点間に
スイッチを設けることで、各段の電荷を再利用すること
ができ、回路の消費電力の増加を一層抑えることができ
る。さらに、各駆動節点とスイッチとを接続するための
配線が最短となることから、ノイズの発生を抑えること
ができ、回路のレイアウト設計が容易になるという利点
を有する。
【0085】次に、図11は本昇圧回路の第6の実施の
形態を示す回路図である。図11の昇圧回路は、図9と
同様に、ポンプ回路を5段(奇数段)接続した例であ
り、各ポンプ回路の各駆動節点毎にスイッチTSWの一
端を接続し、他端を共通に接続したものである。
【0086】図11の昇圧回路の接続関係について説明
すると、ダイオードD1のアノード側は電源Vccに接
続され、カソード側は節点N1を介してキャパシタCP
1に接続され、第1のポンプ回路を構成する。ダイオー
ドD2のアノード側は節点N1に接続され、カソード側
は節点N2を介してキャパシタCP2に接続され、第2
のポンプ回路を構成する。以下同様にダイオードD3,
D4,D5、キャパシタCP3,CP4,CP5からな
る第3,第4,第5のポンプ回路が直列に複数段接続さ
れる。
【0087】各ポンプ回路のキャパシタCP1〜CP5
の他端はそれぞれ各駆動節点n111〜n115に接続
される。そして、各駆動節点n111〜n115に、各
スイッチTSW111〜TSW115の一端が接続さ
れ、各スイッチTSW111〜TSW115の他端は共
通に接続される。また、各スイッチTSW111〜11
5のゲートにはクロックφ2が共通に印加される。ま
た、各駆動節点n111〜n115は、節点駆動回路1
0のドライバDT1〜DT5の各出力とそれぞれ接続さ
れる。そして、各ドライバDT1,DT3,DT5は図
6に示すクロックCK1に相当する信号を出力し、各駆
動節点n111,n113,n115を駆動する。ま
た、各ドライバDT2,DT4は図6に示すクロックC
K2に相当する信号を出力し、各駆動節点n112,n
114を駆動する。
【0088】次に図11の昇圧回路の動作を、図6のタ
イミングチャートを参照して説明する。なお、説明の都
合上、回路の電圧やキャパシタの容量及びクロックのタ
イミング等は、図7と同様の条件で説明する。また、以
下の動作説明では、過渡的な時点T5〜T8について説
明する。図6の時点T5で、節点駆動回路10のクロッ
クCK1が4Vになると、駆動節点n111,n11
3,n115は1.6Vから4Vになり、節点N1,N
3,N5は2.4Vが加算されて上昇する。一方、クロ
ックCK2が0Vになると、駆動節点n112,n11
4は1.6Vから0Vになり、節点N2,N4は1.6
V低下する。そして、その直後に、各節点の電圧が各前
段の電圧より低いと、電源Vccや前段のキャパシタか
ら電荷が移動して、所定の電圧に収束する。ここで、キ
ャパシタCP2,CP4の駆動節点n112,n114
側に充電されていた1.6V、即ち2/5Vccの電荷
がドライバDT2,DT4を通して放電されるので、損
失電荷量はC×(2/5×Vcc)×2、即ち4/5×
C×V(クーロン)である。
【0089】この状態で時点T6になり、スイッチTS
W111〜115が閉状態になると、キャパシタCP
1,CP3,CP5の電荷が、スイッチTSW111〜
115を通してキャパシタCP2,CP4の駆動節点n
112,n114側へ移動し、各駆動節点n111〜n
115はともに2.4Vになる。ここでは電荷の移動だ
けで、電荷の損失、即ち電力の消費は生じていない。こ
れに伴って、節点N1,N3,N5の電圧は1.6V分
低下し、節点N2,N4の電圧は2.4V上昇するが、
後段の方が低いと、電荷が移動し、所定の電圧に収束す
る。
【0090】次に時点T7で、クロックCK1が0Vに
なると、キャパシタCP1,CP3,CP5の駆動節点
側の2.4Vの電荷がドライバDT1,DT3,DT5
を通して放電され、節点N1,N3,N5は2.4V分
低下する。一方、クロックCK2が4Vになると、キャ
パシタCP2,CP4の駆動節点は2.4Vから4Vに
充電され、節点N2,N4の電圧レベルは1.6V上昇
する。その後、後段の方の電圧が低いと、電荷が移動
し、所定の電圧に収束する。従って、出力電圧Vofも
上昇し、これを負荷キャパシタCLにより保持する。こ
こで、放電による損失電荷量はC×(3/5×Vcc)
×3、即ち9/5×C×Vcc(クーロン)である。
【0091】この状態で時点T8になり、スイッチTS
W111〜TSW115が導通状態になると、キャパシ
タCP2,CP4の駆動節点n112,n114側に充
電された4Vの電荷が、キャパシタCP1〜CP5に配
分されるので、各駆動節点n111〜n115はともに
1.6Vになる。そして、節点N1,N3,N5は1.
6V分の電荷が充電され、電圧が上昇し、節点N2,N
4は2.4V低下するが、後段の電圧が低いと、電荷が
配分されるので所定レベルに落ち着く。このようにし
て、時点T5〜T8おける各動作により出力電圧Vof
が上昇し、上昇した電圧は負荷キャパシタCLにより保
持される。そして、時点T9以降も、時点T5〜T8と
同様の動作を繰り返し、時点T5〜T8の動作で既に各
節点N2〜N4及びNLに保持されている電圧にクロッ
ク電圧がさらに印加されることにより最終的に電源電圧
Vccの6倍の電圧を得ることができる。
【0092】図11の昇圧回路では、図10の昇圧回路
と同様、1周期あたりの損失電荷量は、(4/5+9/
5)×C×Vcc、即ち13/5×C×Vcc(クーロ
ン)である。スイッチTSW111〜TSW115を設
けない場合、損失電荷量は5×C×Vcc(クーロン)
であるのに比べ、損失電荷量を52%に低減できる。こ
の図11の回路の各ドライバDT1〜DT5もその出力
レベルの切替時にはその出力端を一時的にフローティン
グ状態にする機能を有し、この出力端のフローティング
状態のときに各スイッチTSW111〜115を導通し
て各ドライバDT1〜DT5の出力端を短絡する。した
がって、キャパシタCPの放電電荷を充電電荷として再
利用できることから消費電力を低減でき、かつ図10に
示す第5の実施の形態の回路に比較してキャパシタCP
間の電荷転送が速やかに行われるという利点を有する。
また、1つのスイッチTSW(トランジスタ)に流れる
電荷量が少なくなるので、トランジスタのサイズを小さ
くできる。さらに、ポンプ回路の配置に依存することな
くスイッチTSWを配置することができるので、マスク
レイアウト設計の自由度が増すとともに、奇数段のポン
プ回路にも有効的に適用できる。
【0093】次に、図12は本昇圧回路の第7の実施の
形態を示す回路図であり、図13はその回路の各部の動
作タイミングを示すタイミングチャートである。図12
の昇圧回路は、図7の回路例と同様、ポンプ回路を4段
(偶数段)接続し、駆動節点の一方を電源電圧で充電
し、この電荷を利用して駆動節点の他方を駆動するよう
にしたものである。図12の昇圧回路の接続関係につい
て説明すると、ダイオードD1のアノード側は電源Vc
cに接続され、カソード側は節点N1を介してキャパシ
タCP1に接続され、第1のポンプ回路を構成する。ダ
イオードD2のアノード側は節点N1に接続され、カソ
ード側は節点N2を介してキャパシタCP2に接続さ
れ、第2のポンプ回路を構成する。以下同様にダイオー
ドD3,D4、キャパシタCP3,CP4からなる第
3,第4のポンプ回路が直列に複数段接続される。
【0094】一方、第1のポンプ回路から数えて奇数段
目のキャパシタCP1,CP3の他端は駆動節点n12
1に接続され、第1のポンプ回路から数えて偶数段目の
キャパシタCP2,CP4の他端は駆動節点n122に
接続される。各駆動節点n121、n122にはスイッ
チTSW121の両端が接続され、スイッチTSW12
1の制御端子にはクロックφ122が印加される。ま
た、節点駆動回路10はp型トランジスタMOS31
と、n型トランジスタMOS32とで構成され、トラン
ジスタMOS31のソースは電源Vccに接続され、ド
レインは駆動節点n121に、ゲートは制御信号/φ1
21に接続される。また、トランジスタもS32のドレ
インは駆動節点n122に、ソースは接地GNDに、ゲ
ートは制御信号φ121に接続される。
【0095】次に図12の昇圧回路の動作を図13のタ
イミングチャートを参照して説明する。なお、説明の都
合上、回路の電圧やキャパシタの容量等は、図7と同様
の条件で説明する。図13で、制御信号φ121は/φ
121と同一周波数で、逆位相である。制御信号φ12
2は、制御信号φ121と同一周波数であるが、制御信
号φ121がLレベルで、かつ/φ121がHレベルの
期間内でHレベルになる。図13の時点T130では制
御信号φ121及び/φ121がそれぞれ、Lレベル及
びHレベルとなっている(図13(a),(b))の
で、トランジスタMOS31,32はともにオフし、駆
動節点n121,122は中間電位の2Vとなってい
る。ここで、制御信号φ122がLレベルになる(図1
3(c))ことにより、スイッチTSW121はオフす
る。
【0096】時点T131で、制御信号φ121及び/
φ121がそれぞれ、Hレベル及びLレベルとなる(図
13(a),(b))と、トランジスタMOS31,3
2はともにオンし、駆動節点n121は4V、駆動節点
n122は0Vとなり、節点N1,N3は2Vが加算さ
れ、節点N2,N4は2Vが減算される。そして、その
直後に、節点N1〜N4の電荷は後段の電圧が低いと、
後段の節点側へ移動し、出力電圧Vogを上昇させ、負
荷キャパシタCLによりこの電圧を保持する。この状態
で制御信号φ121及び/φ121をそれぞれ、Lレベ
ル及びHレベルとし、各ドライバをオフしても駆動節点
n121,122の電圧レベルは保持されている。ここ
では後述のようにC×Vcc(クーロン)の電荷が損失
する。
【0097】時点T132になり、制御信号φ122が
Hレベルになると、スイッチTSW121が閉状態にな
り、キャパシタCP1,CP3の駆動節点n121側の
電荷がスイッチTSW121を通して駆動節点n122
側へ移動し、各駆動節点n121,n122はともに2
Vになる。ここでは、電荷の移動だけで、電荷の損失、
即ち電力の消費は生じていない。これに伴って、節点N
1,N3の電圧は2V分の電荷が放電され低下し、節点
N2,N4の電圧は2V上昇するが、各後段の電圧が低
いと、各節点の電圧は電源Vccや前段からダイオード
を通して充電されるので、Vccレベル4V以上の電圧
に落ち着く。従って、出力電圧Vogも上昇し、負荷キ
ャパシタCLによりその電圧を保持する。ここで、制御
信号φ122をLレベルとしスイッチTSW121をオ
フしても、駆動節点n121,122の電圧レベルは保
持されている。
【0098】次の周期の時点T133で、制御信号φ1
及び/φ1を再びそれぞれ、Hレベル及びLレベルと
し、各トランジスタをオンすると、駆動節点n121は
4V、駆動節点n122は0Vとなり、キャパシタCP
2,CP4に充電されていた2V相当の電荷がトランジ
スタMOS32を通して放電されるので、損失電荷量は
C×Vcc/2×2、即ちC×Vcc(クーロン)であ
る。本実施の形態では、1周期に1回しか放電されない
ので、1周期あたりの損失電荷量もC×Vcc(クーロ
ン)である。一般に、ポンプ回路の段数がJ段で構成さ
れ、一方の駆動節点を電源電圧に充電して昇圧したの
ち、この電荷を他方の駆動節点に移動して再利用すると
すると、1周期あたりの損失電荷量は(J/2)×C×
Vcc/2、即ち、J×C×Vcc/4(クーロン)で
表される。また、昇圧電圧は(J+1)×Vcc/2で
表されるので、単位昇圧倍率あたりの損失電荷量は、
{J/2(J+1)}×C×Vcc(クーロン)で表さ
れる。本実施の形態では、2つのトランジスタで構成し
た簡単な節点駆動回路で、電源電圧の2.5倍の出力電
圧が得られ、しかも、単位昇圧倍率あたりの電荷損失量
は従来例1に比べて半減できる。
【0099】次に、図14は本昇圧回路の第8の実施の
形態を示す回路図である。図14の回路例は、図12に
示す昇圧回路の変形例であり、ポンプ回路を4段(偶数
段)接続し、図12に示す節点駆動回路を2組設け、各
駆動節点間にスイッチを設けたものである。図14の昇
圧回路の接続関係について説明すると、ダイオードD1
のアノード側は電源Vccに接続され、カソード側は節
点N1を介してキャパシタCP1に接続され、第1のポ
ンプ回路を構成する。ダイオードD2のアノード側は節
点N1に接続され、カソード側は節点N2を介してキャ
パシタCP2に接続され、第2のポンプ回路を構成す
る。以下同様にダイオードD3,D4、キャパシタCP
3,CP4からなる第3,第4のポンプ回路が直列に複
数段接続される。
【0100】一方、キャパシタCP1〜CP4の他端は
駆動節点n141〜n144にそれぞれ接続される。ま
た、p型トランジスタMOS31,MOS33のドレイ
ンは駆動節点n141,n143に、ソースは電源Vc
cに、ゲートは図13に示す制御信号/φ121にそれ
ぞれ接続され、n型トランジスタMOS32,MOS3
4のドレインを駆動節点n142,n144に、ソース
は接地GNDに、ゲートは図13に示す制御信号φ12
1にそれぞれ接続される。そして各駆動節点n141,
n142間をスイッチTSW141により接続し、かつ
各駆動節点n143,n144間をスイッチTSW14
2により接続する。ここで、各スイッチ及び各ドライバ
を、図13(a)〜(c)のようなタイミングを発生す
る制御信号で制御することで、図13(d)に示すよう
に各駆動節点の電位を変動させることができる。ここ
で、n141,n143はn121に相当し、n14
2,n144はn122に相当する。
【0101】次に図14の昇圧回路の動作を図13のタ
イミングチャートを参照して説明する。なお、説明の都
合上、回路の電圧やキャパシタの容量等は、図7および
図13と同様の条件で説明する。図13の時点T130
では制御信号φ121及び/φ121がそれぞれ、Lレ
ベル及びHレベルとなっている(図13(a),
(b))ことにより各ドライバはともにオフし、駆動節
点n141〜n144は中間電位の2Vとなっている。
ここで、制御信号φ122がLレベルになる(図13
(c))ことにより、スイッチTSW141,142は
オフする。
【0102】時点T131で、制御信号φ121及び/
φ121がそれぞれ、Hレベル及びLレベルとなる(図
13(a),(b))と、各トランジスタMOS31〜
MOS34はともにオンし、駆動節点n141,143
は4V、駆動節点n142,144は0Vとなり、節点
N1,N3は2Vが加算され、節点N1,N3のレベル
は2V低下する。その直後に、前段の節点の電圧が高け
れば、後段へ電荷が移動し、出力電圧Vohを昇圧し負
荷キャパシタCLによりこの電圧を保持する。この状態
で制御信号φ121及び/φ121をそれぞれ、Lレベ
ル及びHレベルとし、各トランジスタをオフして、各駆
動節点をフローティング状態にしても、この電圧レベル
は保持されている。ここでの損失電荷量は図12の同じ
C×Vcc(クーロン)である。
【0103】時点T132になり、制御信号φ122の
HレベルによりスイッチTSW141,142が閉状態
になると、キャパシタCP1,CP3の電荷がスイッチ
TSW141,142を通して駆動節点n142,14
4側へそれぞれ移動し各駆動節点はともに2Vになる。
ここでは、電荷の移動だけで、電荷の損失、即ち電力の
消費は生じていない。これに伴って、節点N1,N3の
電圧は2V分の電荷が放電され低下し、節点N2,N4
の電圧は2V上昇したするが、その直後に、前段の節点
の電圧が高ければ、後段へ電荷が移動し、出力電圧Vo
hを昇圧し、負荷キャパシタCLによりこの電圧を保持
する。ここで、制御信号φ122をLレベルとしスイッ
チTSW141,142をオフしても、各駆動節点の電
圧レベルは保持されている。
【0104】次の周期の時点T133以降では、時点T
131〜T132の動作を繰り返し、最終的に出力電圧
Vohとして電源電圧Vccの2.5倍の高電圧を得
る。本実施の形態では、トランジスタMOS32,MO
S34をオンすると、駆動節点n142,n144は0
Vとなり、キャパシタCP2,CP4に充電されていた
2V相当の電荷がそれぞれトランジスタMOS32,M
OS34を通して放電されるので、損失電荷量はC×V
cc/2×2、即ちC×Vcc(クーロン)である。本
実施の形態では、1周期に1回しか放電されないので、
1周期あたりの損失電荷量もC×Vcc(クーロン)で
ある。このように、図12に示す回路と同様、低消費電
力を保持したまま高出力電圧を得ることができる。ま
た、スイッチを2個設けたので、キャパシタの直近にス
イッチを配置することができ、これらを接続する配線を
最短にできる。したがって、ノイズの発生を抑えること
ができるとともに、配線に要する面積を低減できる。
【0105】次に図15は、本昇圧回路の第9の実施の
形態を示すブロック図であり、それぞれ直列にポンプ回
路が3段接続されたものを、並列に接続したものであ
り、キャパシタCP1,CP2,CP3はそれぞれキャ
パシタCP4,CP5,CP6との間で電荷を再利用す
るようにしたものである。そして、各節点駆動回路11
〜13は第1の実施の形態と同様、図4または図6に示
すクロックCK1とCK2相当の信号を出力する。
【0106】図15の昇圧回路の接続関係について説明
すると、ダイオードD1のアノード側は電源Vccに接
続され、カソード側は節点N1を介してキャパシタCP
1に接続され、第1のポンプ回路を構成する。ダイオー
ドD2のアノード側は節点N1に接続され、カソード側
は節点N2を介してキャパシタCP2に接続され、第2
のポンプ回路を構成する。以下同様にダイオードD3、
キャパシタCP3からなる第3のポンプ回路が直列に接
続される。一方、ダイオードD5のアノード側は電源V
ccに接続され、カソード側は節点N4を介してキャパ
シタCP1に接続され、第4のポンプ回路を構成する。
ダイオードD6のアノード側は節点N4に接続され、カ
ソード側は節点N5を介してキャパシタCP5に接続さ
れ、第5のポンプ回路を構成する。以下同様にダイオー
ドD7、キャパシタCP6からなる第6のポンプ回路が
直列に接続される。
【0107】第1〜第3のポンプ回路のキャパシタCP
1〜CP3の他端はそれぞれ駆動節点n151〜n15
3と接続され、第4〜第6のポンプ回路のキャパシタC
P4〜CP6の他端はそれぞれ駆動節点n154〜n1
56と接続される。節点駆動回路11〜13は、図3ま
たは図5に示す回路で構成され、2つの信号CK1とC
K2を出力する端子を有する。節点駆動回路11〜13
の一方の出力端子は駆動節点n151,n155,n1
53に接続され、クロックCK1に相当する信号を出力
し、節点駆動回路11〜13の他方の出力端子は駆動節
点n154,n152,n156に接続され、クロック
CK2に相当する信号を出力する。そして、駆動節点n
151,154間はスイッチTSW151により接続さ
れ、また駆動節点n152,155間はスイッチTSW
152により接続される。さらに、駆動節点n153,
156間はスイッチTSW153により接続される。こ
こで、並列接続したポンプ回路の同一段同士、たとえば
駆動節点n151と同一段である駆動節点n154に
は、それぞれ逆相のクロックCK1,CK2が供給され
るようになっている。
【0108】次に、この図15の回路動作を図2を参照
しながら説明する。以下の動作説明では、過渡的な時点
T5〜T8について説明する。時点T5でクロックCK
1が立ち上がって4Vになると、節点N1,N5,N3
は2Vが加算されてその電圧は上昇し、クロックCK2
が立ち下がって0Vになると、節点N4,N2,N6は
2Vが減算されてその電圧は低下するが、後段の電圧が
低いと、その直後に、各ダイオードを通して電荷が次段
の節点側へ流れて、出力電圧を昇圧させる。そして、こ
の上昇した電圧はダイオードD4,D8で逆流が阻止さ
れ、負荷キャパシタCLにより出力電圧Voiが保持さ
れる。ここで、キャパシタCP4,CP2,CP6の駆
動節点n154,n152,n156側に充電された2
Vの電荷が節点駆動回路10〜13を通して放電される
ので、損失電荷量はC×Vcc/2×3、即ち、3/2
×C×Vcc(クーロン)である。
【0109】この状態で時点T6で制御信号P0がHレ
ベルになり、スイッチTSW151〜153が閉状態に
なると、キャパシタCP1,CP5,CP3の電荷が、
各スイッチTSW151〜153を通してキャパシタC
P4,CP2,CP6側へ移動し、各駆動節点はともに
2Vになる。ここでは、電荷の移動だけで、電荷の損
失、即ち電力の消費は生じていない。これに伴って、節
点N1,N5,N3は2V分の電圧が低下し、節点N
4,N2,N6は2V上昇するが、後段の電圧が低い
と、その直後に、各ダイオードを通して電荷が次段の節
点側へ流れて、所定の電圧に収束する。
【0110】次に時点T7で、クロックCK1が0Vに
なり、かつクロックCK2が4Vになると、駆動節点n
151,n155,n153が2Vから0Vに放電さ
れ、駆動節点n154,n152,n156は2Vから
4Vに充電され、節点N1,N5,N3は2V分の電圧
が低下し、節点N4,N2,N6は2V上昇するが、後
段の電圧が低いと、その直後に、電源Vccあるいは前
段のキャパシタから各ダイオードを通して電荷が次段の
節点側へ流れて、所定の電圧に収束する。そして、この
上昇した電圧は負荷キャパシタCLにより保持される。
ここで、キャパシタCP1,CP5,CP3の駆動節点
n151,n155,n153側に充電された2Vの電
荷が節点駆動回路10〜13を通して放電されるので、
損失電荷量はC×Vcc/2×3、即ち、3/2×C×
Vcc(クーロン)である。
【0111】時点T8で制御信号P0がHレベルにな
り、スイッチTSW151〜153が閉状態になると、
キャパシタCP4,CP2,CP6の電荷が、各スイッ
チTSW151〜153を通してキャパシタCP1,C
P5,CP3側へ移動し、各駆動節点はともに2Vにな
る。ここでは、電荷の移動だけで、電荷の損失、即ち電
力の消費は生じていない。これに伴って、節点N1,N
5,N3は2V分の電圧が上昇し、節点N4,N2,N
6は2V低下するが、後段の電圧が低いと、その直後
に、各ダイオードを通して電荷が次段の節点側へ流れ
て、所定の電圧に収束する。そして、時点T9以降も、
時点T5〜時点T8の場合と同様な動作を繰り返すこと
により負荷キャパシタCLには順次電荷が蓄積され、1
6Vの高電圧を得ることができる。
【0112】本実施の形態では、それぞれ直列にポンプ
回路が3段接続されたものを、並列に接続し、キャパシ
タCP1,CP2,CP3とキャパシタCP4,CP
5,CP6間とそれぞれ電荷を再利用するようにしたの
で、1周期の前半で、ダイオードD1〜D4を介する電
荷を負荷キャパシタCLに蓄積し、1周期の後半で、続
いてダイオードD5〜D8を介する電荷を負荷キャパシ
タCLに蓄積することができる。このため、1周期で2
回の出力電圧Voiを出力するので、大きな電流供給能
力で16Vの高電圧を得ることができる。
【0113】本実施の形態では、節点駆動回路を3つ用
いた例を示したが、駆動節点n151,n155,n1
53を共通接続し、駆動節点n154,n152,n1
56を共通接続して、1つの節点駆動回路で駆動するこ
ともできる。スイッチTSW151〜153について
も、同様に1つにまとめることもできる。また、本例で
は、スイッチTSW151〜153を並列接続したポン
プ回路の同一段同士の駆動節点間を接続するようにした
が、これに限定されるこはなく、逆相のクロックが供給
されている駆動節点間であれば、どこに設けてもよい。
このため、マスクレイアウトの自由度が向上できる。
【0114】なお、第1から第9の実施の形態で、トラ
ンジスタスイッチTSWを1つのトランジスタとして説
明したが、これに限定されるものではなく、トランスフ
ァ・ゲートなど電気的に開閉動作ができるものであれば
よい。
【0115】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
源電圧が供給される第1のポンプ回路と、第1のポンプ
回路に接続される第2のポンプ回路とを備え、前記電源
電圧を昇圧する場合に、節点駆動回路はポンプ回路のキ
ャパシタに駆動信号を出力してキャパシタを充電し、ス
イッチ手段によりその電荷を他方のキャパシタへ転送す
るようにしたので、昇圧倍率を高くしても回路の消費電
力を低減できる。また、節点駆動回路から第1及び第2
のキャパシタに対する駆動信号がフローティング状態を
示しているとき、制御手段はスイッチ手段を制御して第
1及び第2のキャパシタの各駆動節点間を接続するよう
にしたので、第1のポンプ回路のキャパシタの放電電荷
を第2のポンプ回路のキャパシタの充電電荷として再利
用でき、従って消費電力を半減した高電圧発生回路を実
現できる。また、第2のポンプ回路を複数接続して第1
のポンプ回路を含む複数段のポンプ回路のうち、第1の
ポンプ回路から数えて奇数段の各ポンプ回路の各駆動節
点間同士を接続し、かつ偶数段の各ポンプ回路の各駆動
節点間同士を接続するようにしたので、昇圧倍率を高く
しても回路の消費電力を低減できる。また、第2のポン
プ回路を複数接続して第1のポンプ回路を含む複数段の
ポンプ回路のうち、2つのポンプ回路毎に各駆動節点間
を順次各スイッチ手段により接続し、各スイッチ手段の
開閉を共通に制御するようにしたので、キャパシタとス
イッチとを接続する配線を最短にでき、従って、ノイズ
の発生を抑え、配線に要する面積を低減できるととも
に、回路のレイアウト設計が容易になる。また、第2の
ポンプ回路を複数接続し、かつ第1のポンプ回路を含む
複数段のポンプ回路の各駆動節点に各スイッチ手段を接
続し、各スイッチ手段の開閉を共通に制御するようにし
たので、高電圧を発生させる際には同様に、各部の入出
力線数を低減でき、この結果、回路のレイアウト設計が
容易になる。また、第2のポンプ回路を複数接続し、か
つ第1のポンプ回路を含む複数段のポンプ回路からなる
ポンプ回路群を複数並列に接続し、各ポンプ回路群の各
出力電圧を1周期で2回得るようにしたので、電流供給
能力の大きい高電圧を発生させることができるととも
に、回路の低消費電力を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る昇圧回路の第1の実施の形態を
示すブロック図である。
【図2】 上記昇圧回路の動作を示すタイミングチャー
トである。
【図3】 昇圧回路に用いられる節点駆動回路の第1の
構成例を示す回路図である。
【図4】 図3の節点駆動回路の動作を示すタイミング
チャートである。
【図5】 節点駆動回路の第2の構成例を示す回路図で
ある。
【図6】 図5の節点駆動回路の動作を示すタイミング
チャートである。
【図7】 昇圧回路の第2の実施の形態を示す回路図で
ある。
【図8】 昇圧回路の第3の実施の形態を示す回路図で
ある。
【図9】 昇圧回路の第4の実施の形態を示す回路図で
ある。
【図10】 昇圧回路の第5の実施の形態を示す回路図
である。
【図11】 昇圧回路の第6の実施の形態を示す回路図
である。
【図12】 昇圧回路の第7の実施の形態を示す回路図
である。
【図13】 図13の回路の各部の動作を示すタイミン
グチャートである。
【図14】 昇圧回路の第8の実施の形態を示す回路図
である。
【図15】 昇圧回路の第9の実施の形態を示すブロッ
ク図である。
【図16】 従来の昇圧回路の一例を示す回路図であ
る。
【図17】 図16の回路の各部の動作を示すタイミン
グチャートである。
【図18】 従来の昇圧回路の他の例を示す回路図であ
る。
【図19】 図18の回路の各部の動作を示すタイミン
グチャートである。
【符号の説明】
10〜13…節点駆動回路、D1〜D8…ダイオード
(整流素子)、CP1〜CP6…キャパシタ、CL…負
荷キャパシタ、PC…ポンプ回路、TSW…トランジス
タスイッチ(スイッチ手段)、DT1〜DT5…ドライ
バ、MOS1〜MOS5,MOS11〜MOS19,M
OS21〜MOS26,MOS31〜MOS34…トラ
ンジスタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須藤 直昭 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の整流素子の一方の端子に電圧が供
    給されると共に第1の整流素子の他方の端子に第1の接
    続点を介して第1のキャパシタが接続される第1のポン
    プ回路と、 前記第1の接続点を介して第2の整流素子の一方の端子
    が接続されると共に第2の整流素子の他方の端子に第2
    の接続点を介して第2のキャパシタが接続される第2の
    ポンプ回路と、 前記キャパシタの前記接続点と反対側の駆動節点に対し
    駆動信号を出力する節点駆動回路と、 前記キャパシタの駆動節点に接続されるスイッチ手段
    と、 前記スイッチ手段を駆動して前記キャパシタの電位を制
    御する制御手段とを備え、 第1のキャパシタに供給されている電圧を昇圧し、この
    昇圧された電圧を第1及び第2の接続点を介して出力す
    ることを特徴とする昇圧回路。
  2. 【請求項2】 第1の整流素子の一方の端子に電圧が供
    給されると共に第1の整流素子の他方の端子に第1の接
    続点を介して第1のキャパシタが接続される第1のポン
    プ回路と、 前記第1の接続点を介して第2の整流素子の一方の端子
    が接続されると共に第2の整流素子の他方の端子に第2
    の接続点を介して第2のキャパシタが接続される第2の
    ポンプ回路と、 前記第2の接続点を介して複数のポンプ回路を第2のポ
    ンプ回路と直列に複数接続したポンプ回路群と、 前記キャパシタの前記接続点と反対側の駆動節点に対し
    駆動信号を出力する節点駆動回路と、 第1のポンプ回路から数えて奇数段目の各ポンプ回路の
    各駆動節点間同士を接続した第1の駆動節点と、偶数段
    目の各ポンプ回路の各駆動節点間同士を接続した第2の
    駆動節点との間に接続されるスイッチ手段と、 前記スイッチ手段を駆動して前記キャパシタの電位を制
    御する制御手段とを備え、 第1のキャパシタに供給されている電圧を昇圧し、この
    昇圧された電圧を第1及び第2の接続点を含む接続点を
    介して出力することを特徴とする昇圧回路。
  3. 【請求項3】 第1の整流素子の一方の端子に電圧が供
    給されると共に第1の整流素子の他方の端子に第1の接
    続点を介して第1のキャパシタが接続される第1のポン
    プ回路と、 前記第1の接続点を介して第2の整流素子の一方の端子
    が接続されると共に第2の整流素子の他方の端子に第2
    の接続点を介して第2のキャパシタが接続される第2の
    ポンプ回路と、 前記第2の接続点を介して複数のポンプ回路を第2のポ
    ンプ回路と直列に複数接続したポンプ回路群と、 前記キャパシタの前記接続点と反対側の駆動節点に対し
    駆動信号を出力する節点駆動回路と、 第1のポンプ回路を含む複数段のポンプ回路のうち、第
    1のポンプ回路から数えて奇数段目及び偶数段目の2つ
    のポンプ回路からなる1組の回路内の各駆動節点間を順
    次各組毎に各スイッチ手段により接続し、各スイッチ手
    段の開閉を共通に制御することを特徴とする昇圧回路。
  4. 【請求項4】 第1の整流素子の一方の端子に電圧が供
    給されると共に第1の整流素子の他方の端子に第1の接
    続点を介して第1のキャパシタが接続される第1のポン
    プ回路と、 前記第1の接続点を介して第2の整流素子の一方の端子
    が接続されると共に第2の整流素子の他方の端子に第2
    の接続点を介して第2のキャパシタが接続される第2の
    ポンプ回路と、 前記第2の接続点を介して複数のポンプ回路を第2のポ
    ンプ回路と直列に複数接続したポンプ回路群と、 前記キャパシタの前記接続点と反対側の駆動節点に対し
    駆動信号を出力する節点駆動回路と、 第1のポンプ回路を含む複数段のポンプ回路のうち、第
    1のポンプ回路から数えて偶数段目及び奇数段目の2つ
    のポンプ回路からなる1組の回路内の各駆動節点間を順
    次各組毎に各スイッチ手段により接続し、各スイッチ手
    段の開閉を共通に制御することを特徴とする昇圧回路。
  5. 【請求項5】 第1の整流素子の一方の端子に電圧が供
    給されると共に第1の整流素子の他方の端子に第1の接
    続点を介して第1のキャパシタが接続される第1のポン
    プ回路と、 前記第1の接続点を介して第2の整流素子の一方の端子
    が接続されると共に第2の整流素子の他方の端子に第2
    の接続点を介して第2のキャパシタが接続される第2の
    ポンプ回路と、 前記第2の接続点を介して複数のポンプ回路を第2のポ
    ンプ回路と直列に複数接続したポンプ回路群と、 前記キャパシタの前記接続点と反対側の駆動節点に対し
    駆動信号を出力する節点駆動回路と、 第1のポンプ回路を含む複数段のポンプ回路の各駆動節
    点に各スイッチ手段を接続し、各スイッチ手段の開閉を
    共通に制御することを特徴とする昇圧回路。
  6. 【請求項6】 請求項5において、 前記各スイッチ手段は前記駆動節点の前後の間に接続さ
    れたことを特徴とする昇圧回路。
  7. 【請求項7】 請求項5において、 前記各スイッチ手段の一端は前記駆動節点に接続され、
    他端同士は共通に接続されたことを特徴とする昇圧回
    路。
  8. 【請求項8】第1の整流素子の一方の端子に電圧が供給
    されると共に第1の整流素子の他方の端子に第1の接続
    点を介して第1のキャパシタが接続される第1のポンプ
    回路と、 前記第1の接続点を介して第2の整流素子の一方の端子
    が接続されると共に第2の整流素子の他方の端子に第2
    の接続点を介して第2のキャパシタが接続される第2の
    ポンプ回路と、 前記第2の接続点を介して複数のポンプ回路を第2のポ
    ンプ回路と直列に複数接続した第1のポンプ回路群と、 前記第1のポンプ回路群と同じ構成で、出力同士を接続
    した第2のポンプ回路群と、 前記キャパシタの前記接続点と反対側の駆動節点に対し
    駆動信号を出力し、第1のポンプ回路群と第2のポンプ
    回路群の同一段目の駆動節点にそれぞれ逆相の駆動信号
    を出力する節点駆動回路と、 前記第1のポンプ回路群の駆動節点と前記第2のポンプ
    回路群の駆動節点との間に設けられた少なくとも1つの
    スイッチ手段と、 前記スイッチ手段を駆動して前記キャパシタの電位を制
    御する制御手段とを備え、 放電電荷の損失を低減すると共に各ポンプ回路群の各出
    力電流を加算して電流駆動能力を高くしたことを特徴と
    する昇圧回路。
  9. 【請求項9】 請求項1ないし請求項8の何れかの請求
    項において、 前記節点駆動回路は、前記駆動信号の出力切替時に一時
    的に前記駆動節点をフローティング状態にする機能を有
    し、前記節点駆動回路から第1及び第2のキャパシタに
    対する前記駆動節点がフローティング状態を示している
    とき、前記制御手段は前記スイッチ手段を閉状態に制御
    して第1及び第2のキャパシタの各駆動節点間を接続
    し、各駆動節点の電位を該電位の中間のレベルに制御す
    ることを特徴とする昇圧回路。
  10. 【請求項10】 請求項1ないし請求項8の何れかの請
    求項において、 前記節点駆動回路は、少なくとも2組のCMOS回路で
    構成され、Hレベル出力とLレベル出力とハイインピー
    ダンス出力との3つの出力状態を出力しうることを特徴
    とする昇圧回路。
  11. 【請求項11】 請求項1ないし請求項8の何れかの請
    求項において、 前記節点駆動回路は、少なくとも2組のクロックドイン
    バータ回路で構成され、Hレベル出力とLレベル出力と
    ハイインピーダンス出力との3つの出力状態を出力しう
    ることを特徴とする昇圧回路。
  12. 【請求項12】 請求項1ないし請求項8の何れかの請
    求項において、 前記節点駆動回路は、一方の駆動節点と電源との間にソ
    ースとドレインが接続されたP型トランジスタと、他方
    の駆動節点と接地との間にドレインとソースが接続され
    たN型トランジスタとからなり、前記2つのトランジス
    タが同時に非導通状態となる期間を有することを特徴と
    する昇圧回路。
JP15368197A 1997-06-11 1997-06-11 昇圧回路 Pending JPH114575A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15368197A JPH114575A (ja) 1997-06-11 1997-06-11 昇圧回路
US09/095,050 US6008690A (en) 1997-06-11 1998-06-10 Booster circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15368197A JPH114575A (ja) 1997-06-11 1997-06-11 昇圧回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH114575A true JPH114575A (ja) 1999-01-06

Family

ID=15567843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15368197A Pending JPH114575A (ja) 1997-06-11 1997-06-11 昇圧回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6008690A (ja)
JP (1) JPH114575A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005033864A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体集積回路
JP2006180692A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Samsung Electronics Co Ltd 電荷ポンプ回路及び電荷ポンプ方法
JP2007501599A (ja) * 2003-08-06 2007-01-25 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 低電力チャージポンプ
JP2008065881A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
KR100857495B1 (ko) * 2002-07-06 2008-09-08 삼성전자주식회사 비정질-실리콘 박막 트랜지스터 게이트 구동 쉬프트레지스터 구동방법
JP2008310940A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 United Memories Inc 多重バス電荷共有
JP2011054241A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 断熱充電回路
CN116155102A (zh) * 2023-04-20 2023-05-23 深圳市恒运昌真空技术有限公司 一种高增益变换器

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6181502B1 (en) * 1998-07-01 2001-01-30 Western Digital Corporation Faster access time in a disk drive by utilizing increased VCM potential voltage
JP2000123575A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Nec Corp 内部昇圧回路
JP3477097B2 (ja) * 1998-12-22 2003-12-10 パイオニア株式会社 集積回路装置
JP2000188374A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Pioneer Electronic Corp 昇圧電源回路及び半導体集積回路装置
JP3713401B2 (ja) * 1999-03-18 2005-11-09 株式会社東芝 チャージポンプ回路
US6388392B1 (en) * 1999-03-23 2002-05-14 Hubbell Incorporated System for providing auxiliary power to lighting unit for heavy equipment having a direct current power supply and no uninterruptible power supply
JP4115044B2 (ja) * 1999-06-23 2008-07-09 株式会社ルネサステクノロジ 電圧発生回路およびそれを備える半導体記憶装置
JP2001078437A (ja) * 1999-06-30 2001-03-23 Toshiba Corp ポンプ回路
US6570435B1 (en) * 1999-11-18 2003-05-27 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with current limited charge pump and method
TW578377B (en) * 2000-05-10 2004-03-01 Sanyo Electric Co Charge-pump circuit and method for controlling the same
KR100348216B1 (ko) * 2000-06-30 2002-08-09 주식회사 하이닉스반도체 듀얼 레벨을 이용한 기판전압 발생장치
JP2002026254A (ja) * 2000-07-03 2002-01-25 Hitachi Ltd 半導体集積回路および不揮発性メモリ
US6404273B1 (en) * 2000-10-26 2002-06-11 Stmicroelectronics S.R.L. Voltage booster with a low output resistance
US6518829B2 (en) * 2000-12-04 2003-02-11 United Memories, Inc. Driver timing and circuit technique for a low noise charge pump circuit
US6803553B1 (en) * 2001-05-23 2004-10-12 Pixim, Inc. Image sensor with charge recycling
JP2003033007A (ja) * 2001-07-09 2003-01-31 Sanyo Electric Co Ltd チャージポンプ回路の制御方法
JP2003197792A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
US6717459B2 (en) * 2002-02-21 2004-04-06 Micron Technology, Inc. Capacitor charge sharing charge pump
US20030184360A1 (en) * 2002-03-29 2003-10-02 Yi-Ti Wang Charge pump for flash memory with serially connected capacitors for preventing breakdown
ITMI20021486A1 (it) * 2002-07-05 2004-01-05 St Microelectronics Srl Dispositivo elevatore di tensione e sistema di memoria
US7088171B2 (en) * 2003-06-13 2006-08-08 Texas Instruments Incorporated Charge pump with constant output current
TW200620795A (en) * 2004-12-10 2006-06-16 Asour Technology Inc Voltage-doubling circuit
DE602005023703D1 (de) * 2005-02-28 2010-11-04 St Microelectronics Srl Spannungsvervielfacher und diesbezügliches Betriebsverfahren
US7855904B2 (en) * 2005-03-17 2010-12-21 Los Alamos National Security, Llc Apparatus for producing voltage and current pulses
US7629831B1 (en) 2006-10-11 2009-12-08 Altera Corporation Booster circuit with capacitor protection circuitry
US8044705B2 (en) 2007-08-28 2011-10-25 Sandisk Technologies Inc. Bottom plate regulation of charge pumps
US20090121780A1 (en) * 2007-11-12 2009-05-14 Macronix International Co., Ltd. Multiple-stage charge pump with charge recycle circuit
US7994844B2 (en) * 2007-11-12 2011-08-09 Macronix International Co., Ltd. Multiple-stage charge pump with charge recycle circuit
KR100908536B1 (ko) * 2007-12-28 2009-07-20 주식회사 하이닉스반도체 고전압 발생기의 전류 소모 방지 장치
US7969235B2 (en) 2008-06-09 2011-06-28 Sandisk Corporation Self-adaptive multi-stage charge pump
US8710907B2 (en) 2008-06-24 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Clock generator circuit for a charge pump
US20100156513A1 (en) * 2008-12-23 2010-06-24 Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. Charge pump
US7973592B2 (en) 2009-07-21 2011-07-05 Sandisk Corporation Charge pump with current based regulation
US8339183B2 (en) * 2009-07-24 2012-12-25 Sandisk Technologies Inc. Charge pump with reduced energy consumption through charge sharing and clock boosting suitable for high voltage word line in flash memories
US8339185B2 (en) 2010-12-20 2012-12-25 Sandisk 3D Llc Charge pump system that dynamically selects number of active stages
US8294509B2 (en) 2010-12-20 2012-10-23 Sandisk Technologies Inc. Charge pump systems with reduction in inefficiencies due to charge sharing between capacitances
US8699247B2 (en) 2011-09-09 2014-04-15 Sandisk Technologies Inc. Charge pump system dynamically reconfigurable for read and program
US8514628B2 (en) 2011-09-22 2013-08-20 Sandisk Technologies Inc. Dynamic switching approach to reduce area and power consumption of high voltage charge pumps
US8400212B1 (en) 2011-09-22 2013-03-19 Sandisk Technologies Inc. High voltage charge pump regulation system with fine step adjustment
US8710909B2 (en) 2012-09-14 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Circuits for prevention of reverse leakage in Vth-cancellation charge pumps
US8836412B2 (en) 2013-02-11 2014-09-16 Sandisk 3D Llc Charge pump with a power-controlled clock buffer to reduce power consumption and output voltage ripple
US8981835B2 (en) 2013-06-18 2015-03-17 Sandisk Technologies Inc. Efficient voltage doubler
US9024680B2 (en) 2013-06-24 2015-05-05 Sandisk Technologies Inc. Efficiency for charge pumps with low supply voltages
US9077238B2 (en) 2013-06-25 2015-07-07 SanDisk Technologies, Inc. Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption
US9007046B2 (en) 2013-06-27 2015-04-14 Sandisk Technologies Inc. Efficient high voltage bias regulation circuit
US9083231B2 (en) 2013-09-30 2015-07-14 Sandisk Technologies Inc. Amplitude modulation for pass gate to improve charge pump efficiency
US9154027B2 (en) 2013-12-09 2015-10-06 Sandisk Technologies Inc. Dynamic load matching charge pump for reduced current consumption
WO2016089781A1 (en) 2014-12-01 2016-06-09 Electroblate, Inc. Nanoelectroablation control and vaccination
KR102333485B1 (ko) * 2015-03-02 2021-12-01 삼성전자주식회사 디스플레이 구동 회로 및 그것을 포함하는 표시 장치
US9917507B2 (en) 2015-05-28 2018-03-13 Sandisk Technologies Llc Dynamic clock period modulation scheme for variable charge pump load currents
US9647536B2 (en) 2015-07-28 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc High voltage generation using low voltage devices
US9520776B1 (en) 2015-09-18 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Selective body bias for charge pump transfer switches
US10874451B2 (en) 2016-02-29 2020-12-29 Pulse Biosciences, Inc. High-voltage analog circuit pulser and pulse generator discharge circuit
US10548665B2 (en) 2016-02-29 2020-02-04 Pulse Biosciences, Inc. High-voltage analog circuit pulser with feedback control
EP3457976A4 (en) 2016-05-16 2019-12-11 Pulse Biosciences, Inc. PULSAPPLIKATOR
US10543357B2 (en) 2016-09-19 2020-01-28 Pulse Biosciences, Inc. High voltage connectors for pulse generators
US10946193B2 (en) 2017-02-28 2021-03-16 Pulse Biosciences, Inc. Pulse generator with independent panel triggering
US10857347B2 (en) 2017-09-19 2020-12-08 Pulse Biosciences, Inc. Treatment instrument and high-voltage connectors for robotic surgical system
US10312803B1 (en) 2017-12-20 2019-06-04 Micron Technology, Inc. Electronic device with a charging mechanism
US10348192B1 (en) 2017-12-20 2019-07-09 Micron Technology, Inc. Electronic device with a charge recycling mechanism
US10211724B1 (en) 2017-12-20 2019-02-19 Micron Technology, Inc. Electronic device with an output voltage booster mechanism
US11571569B2 (en) 2019-02-15 2023-02-07 Pulse Biosciences, Inc. High-voltage catheters for sub-microsecond pulsing

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4236199A (en) * 1978-11-28 1980-11-25 Rca Corporation Regulated high voltage power supply
JP3307453B2 (ja) * 1993-03-18 2002-07-24 ソニー株式会社 昇圧回路
JP2639325B2 (ja) * 1993-11-30 1997-08-13 日本電気株式会社 定電圧発生回路
JPH08256473A (ja) * 1995-03-16 1996-10-01 Toshiba Corp 昇圧回路
JP3290563B2 (ja) * 1995-06-26 2002-06-10 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体集積回路装置及び電子機器
US5621342A (en) * 1995-10-27 1997-04-15 Philips Electronics North America Corporation Low-power CMOS driver circuit capable of operating at high frequencies
US5625544A (en) * 1996-04-25 1997-04-29 Programmable Microelectronics Corp. Charge pump
JP3394133B2 (ja) * 1996-06-12 2003-04-07 沖電気工業株式会社 昇圧回路
US5818289A (en) * 1996-07-18 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Clocking scheme and charge transfer switch for increasing the efficiency of a charge pump or other circuit
US5767728A (en) * 1996-09-05 1998-06-16 International Business Machines Corporation Noise tolerant CMOS inverter circuit having a resistive bias

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100857495B1 (ko) * 2002-07-06 2008-09-08 삼성전자주식회사 비정질-실리콘 박막 트랜지스터 게이트 구동 쉬프트레지스터 구동방법
JP2005033864A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体集積回路
JP2007501599A (ja) * 2003-08-06 2007-01-25 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 低電力チャージポンプ
JP2006180692A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Samsung Electronics Co Ltd 電荷ポンプ回路及び電荷ポンプ方法
JP2008065881A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JP2008310940A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 United Memories Inc 多重バス電荷共有
JP2011054241A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 断熱充電回路
CN116155102A (zh) * 2023-04-20 2023-05-23 深圳市恒运昌真空技术有限公司 一种高增益变换器

Also Published As

Publication number Publication date
US6008690A (en) 1999-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH114575A (ja) 昇圧回路
US10192594B2 (en) Semiconductor device
KR100311570B1 (ko) 챠지펌프회로
KR100347144B1 (ko) 고전압 발생회로
CN100448144C (zh) 电源电路
EP0576008A2 (en) Boost voltage generating circuit
US20050024126A1 (en) Booster circuit
KR100463619B1 (ko) 차지펌프 회로의 제어 방법
US8106703B2 (en) Booster circuit
JPH11273378A (ja) 高電圧発生回路
JPH09198887A (ja) 高電圧発生回路
US8018270B2 (en) Charge pump circuit
US20060273843A1 (en) High efficiency bi-directional charge pump circuit
KR0128512B1 (ko) 승압회로
CN101340145A (zh) 升压电路和具有该升压电路的集成电路
JP4393182B2 (ja) 電圧発生回路
KR20100020208A (ko) 음 전원전압 발생회로 및 이를 포함하는 반도체 집적회로
JP2001292563A (ja) チャージポンプ回路
KR100586750B1 (ko) 전위 부스트 회로
KR100364427B1 (ko) 반도체 메모리장치의 고 효율 펌프회로
KR100296612B1 (ko) 출력버퍼의출력전류를크게할수있는반도체기억장치
EP0685846B1 (en) Signal transmission method, signal transmission circuit, and semiconductor integrated circuit using the same
US10157645B2 (en) Booster circuit and non-volatile memory including the same
US5059816A (en) High speed booster circuit
US20010052812A1 (en) Charge-pump circuit and control method thereof