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Hintergrund der Erfindung
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Gebiet der Erfindung
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Die
Erfindung betrifft eine dynamische Speicherstruktur mit wahlfreiem
Zugriff und betrifft insbesondere eine dynamische Speicherstruktur
mit wahlfreiem Zugriff mit schachbettartigen tiefen Grabenstrukturen,
um die Packungsdichte von Bauteilen zu erhöhen.
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Dynamische
Speicherbauteile mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) werden häufig in
integrierten Schaltungen (IC) der Elektronikindustrie für den binären Datenzugriff
verwendet. Mit zunehmender Dichte der Halbleiterschaltungen müssen auch
die Größe der Halbleiterbauelemente
kleiner werden. Daher wird der Kondensatoraufbau in DRAM-Speichern in der
jüngeren
Vergangenheit dreidimensional ausgeführt, um die strengen Anforderungen
hinsichtlich der Leckströme
zu erfüllen,
die bei Bauelementen mit geringer Größe auftreten. Es gibt auch
Entwicklungen, in denen der Aufbau der DRAM-Speichereinheitszelle so vorangetrieben
wird, dass diese aus vertikalen Transistoren in tiefen Gräben (DT)
und DT-Kondensatoren bestehen, um die Bauteildichte effizient zu vergrößern.
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Obwohl
vertikale Transistoren und DT-Kondensatorstrukturen die Dichte an
Speichereinheitszellen in dem DRAM verbessern können, sind die DT-Strukturen
ferner so gestaltet, dass diese eine spiegelsymmetrische Struktur
(siehe 1) aufweisen,
um noch weiter Chipfläche
einzusparen.
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Wie
in 1 gezeigt ist, ist
das Substrat 100 mit einem aktiven Bereich 102,
DT-Strukturen 104 und
Bitleitungskontaktlöchern 106 aufgebaut.
Die vertikale Anordnung der DT-Strukturen 104 liegt entlang
der Wortleitungsrichtung, während
die horizontale Anordnung entlang der Bitleitungsrichtung liegt. Ein
flaches Grabenisolationsgebiet 108 ist zwischen jeweils
zwei aktiven Bereichen 102 als elektrische Isolierung vorgesehen.
Ein Kennzeichen dieser konventionellen Struktur besteht darin, dass
eine Speichereinheitszelle 111 und ihre Nachbarspeichereinheitszelle 112 eine
gespiegelte DT-Struktur 104 aufweisen, um eine spiegelsymmetrische
Bauteilstruktur zu bilden. Die Speichereinheitszellen 111, 112 teilen sich
ein gemeinsames Kontaktloch 106.
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Daher
wird in dem DRAM-Bauteil mit spiegelsymmetrischen DT-Strukturen
die Eigenschaft ausgenutzt, dass zwei benachbarte Speichereinheitszellen
ein gemeinsames Kontaktloch 106 aufweisen, um damit in
effizienter Weise Chipfläche
einzusparen. Jedoch sind einige der DT-Strukturen 104 so
dicht aneinanderliegend, dass diese eine Verbindung aufweisen können, um
damit Kurzschlussdefekte während
des Herstellungsprozesses zu bilden, wodurch die Qualität der Bauelemente
beeinträchtigt wird.
Diese Art der DT-Kurzschlussdefekte 110 tritt noch stärker auf,
wenn sich das Aspektverhältnis
der DT-Strukturen 104 vergrößert.
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Daher
ist es für
die Herstellung von DRAM-Bauelementen mit höherer Packungsdichte wichtig,
gemeinsam genutzte Kontaktlöcher
für die Speichereinheitszellen
beizubehalten und gleichzeitig das Auftreten von DT-Kurzschlussdefekten
zu verhindern.
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Überblick über die
Erfindung
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Es
ist eine Aufgabe der Erfindung, eine DT-Struktur mit einer Schachbrettanordnung
für ein DRAM-Bauelement
bereitzustellen, die größere Prozesstoleranzen
bei der Herstellung der Bauelemente erlaubt. Unter Anwendung der
speziellen Gestaltung von Bitleitungskontaktpfropfen weisen Speichereinheitszellen
diagonaler Nachbarstrukturen einen gemeinsamen Bitleitungskontaktpfropfen
auf. Dies eignet sich zur Herstellung von Speicherbauelementen mit
geringer Größe und hoher
Packungsdichte.
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Zur
Lösung
der Aufgabe wird erfindungsgemäß eine DRAM-Struktur
bereitgestellt. Gemäß einer bevorzugten
Ausführungsform
umfasst die offenbarte DRAM-Struktur mehrere aktive Bereiche, mehrere tiefe
Gräben,
mehrere lange Bitleitungskontaktpfropfen, mehrere Wortleitungen
und mehrere Bitleitungen. Jeder der aktiven Bereiche ist entsprechend
so in einem Substrat angeordnet, um ein horizontales Feld bzw. Array
zu bilden. Jeder der tiefen Gräben
ist auf einem entsprechenden aktiven Bereich so angeordnet, um ein
Speichereinheitszeilengebiet zu bilden. Die tiefen Gräben besitzen
eine schachbrettartige Anordnung. Jedes Paar aus benachbarten tiefen Gräben weist
einen festen Abstand auf. Insbesondere besitzen diagonal benachbarte
Speichereinheitszellengebiete eine spiegelbildliche Struktur.
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Die
langen Bitleitungskontaktpfropfen sind so gestaltet, dass diese über dem
aktiven Bereich angeordnet und mit diesem in Kontakt sind. Insbesondere
verbindet jeder der fangen Bitleitungskontaktpfropfen zwei diagonal
benachbarte aktive Bereiche, wodurch die entsprechenden Speichereinheitszellengebiete
verbunden werden.
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Jede
der Wortleitungen liegt in dem vertikalen Array über dem aktiven Bereich. Alle
benachbarten Wortleitungspaare kreuzen und überlappen einen aktiven Bereich.
Die Bitleitung verläuft über einen langen
Bitleitungskontaktpfropfen und ist mit diesem in Kontakt. Die Bitleitungen
und die Wortleitungen bilden ein Kreuzungspunktarray, dh. ein Array
aus Kreuzungspunkten von sich kreuzenden Leitungen.
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Ferner
kann eine isolierende Schicht auf den langen Bitleitungskontaktpfropfen
ausgebildet sein. Es werden dann Kontaktlöcher in der isolierenden Schicht
gebildet, um die langen Bitleitungskontaktpfropfen freizulegen.
Die Größe der Kontaktlöcher ist größer als
die der langen Bitleitungskontaktpfropfen und überlappt nicht mit der Lage
des aktiven Bereichs. Die Kontaktlöcher sind so ausgebildet, dass die
langen Bitleitungskontaktpfropfen mit den Bitleitungen, die darüber verlaufen,
in Kontakt sind, um damit eine elektrische Verbindung mit dem aktiven Bereich
herzustellen. Die isolierende Schicht wird verwendet, um einen langen
Bitleitungskontaktpfropfen von einem weiteren langen Bitleitungskontaktpfropfen,
der über
die benachbarte Bitleitung verläuft, zu
isolieren, um damit einen Kurzschluss zu vermeiden.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung umfasst ein DRAM-Bauelement zumindest mehrere streifenförmige aktive
Bereiche, mehrere tiefe Gräben,
mehrere Kragen- bzw. Randoxidschichten, mehrere lange Bitleitungskontaktpfropfen,
mehrere Wortleitungen und mehrere Bitleitungen. Die streifenförmigen aktiven
Bereiche sind in einem Substrat angeordnet. Jeder der streifenförmigen aktiven Bereiche
besitzt mehrere Speichereinheitszellengebiete, die als Struktur
verbunden sind. Jeder tiefe Graben liegt in dem zugeordneten Speichereinheitszellengebiet.
Die tiefen Gräben
sind in Bezug auf die streifenförmigen
aktiven Bereiche symmetrisch. Die tiefen Gräben in einer ungeradzahligen
Zeile sind symmetrisch zu einer weiteren ungeradzahligen Zeile.
Sie bilden ein schachbrettartiges Muster auf dem Substrat. Benachbarte
tiefe Gräben
in der gleichen Zeile sind durch einen festgelegten Abstand getrennt.
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In
dieser Ausführungsform
ist die Randoxidschicht auf der oberen Hälfte an der inneren Grenze jedes
tiefen Grabens ausgebildet. Jede Randoxidschicht ist so gestaltet,
dass diese einen ersten Randbereich und einen zweiten Randbereich
aufweist, wobei der erstere größer als
der zuletzt genannte ist. Der erste Randbereich isoliert die Speichereinheitszellengebiete,
die als Struktur verbunden sind.
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Die
Herstellung des ersten Randbereichs und des zweiten Randbereichs
kann bewerkstelligt werden, indem eine Photolackmaskenstruktur verwendet
wird und ein Ätzprozess
an der Randoxidschicht ausgeführt
wird, wodurch ein Teil jeder Randoxidschicht bis zu einer gewissen
Tiefe entfernt wird. Der Rand, der bis zu einer gewissen Tiefe abgetragen
wird, wird zu dem zweiten Randbereich. Der Teil, der von der Photolackmaske
beim Abtragen geschützt
wird, ist der erste Randbereich.
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In
dieser Ausführungsform
sind ebenso lange Bitleitungskontaktpfropfen vorgesehen, um zwei diagonal
benachbarte Speichereinheitszellengebiete zu verbinden. Daher verläuft jeder
fange Bitleitungskontaktpfropfen quer über zwei benachbarte Zeilen streifenartiger
aktiver Bereiche und ist mit diesen in Kontakt.
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Ferner
bilden die Wortleitungen ein vertikales Array über dem streifenartigen aktiven
Bereichen. Jeweils zwei benachbarte Wortleitungen kreuzen eine entsprechende
Speichereinheitszelle und überlappen
mit dieser. Die Bitleitung verläuft über einen langen
Bitleitungskontaktpfropfen und ist mit diesem in Kontakt. Die Wortleitungen
und die Bitleitungen bilden ein sich kreuzendes Array.
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Die
Kombination einer schachbrettförmigen tiefen
Grabenanordnung und einer Struktur aus langen Bitleitungskontaktpfropfen
gemäß der Erfindung bewahrt
die Vorteile hinsichtlich der Schaltungskonfiguration, dass zwei
benachbarte Speichereinheitszellen gemeinsam den gleichen Bitleitungskontaktpfropfen
benutzen. Ferner sind die benachbarten tiefen Gräben durch einen vorgegebenen
Abstand getrennt, um damit in wirksamer Weise eine Kurzschlussbildung
in den Tiefgräbenstrukturen
zu verhindern.
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Ferner
wird in der Erfindung eine Photolackmaskenstruktur für eine Kragen-
bzw. Randoxidschicht in einem tiefen Graben so verwendet, dass dieses
unterschiedliche Höhen
aufweist. Der Randbereich mit einer größeren Höhe wird verwendet, um zu vermeiden,
dass eine nachfolgend hergestellte vergrabene Streifenleiterschicht
mit ihrem benachbarten aktiven Bereich in Kontakt gerät. Somit
wird eine elektrische Isolierung der aktiven Bereich der Speichereinheitszellen
erzielt. Daher kann die Erfindung das Problem einer beeinträchtigten
Definierung des aktiven Bereichs vermeiden oder verringern, wenn
die Bauteildichte und die Erfordernisse für mehr Prozessflexibilität ansteigen.
Ferner kann auch die Speicherproduktionsausbeute und die Zuverlässigkeit
verbessert werden.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Diese
und weitere Merkmale, Aspekte und Vorteile der Erfindung gehen deutlicher
unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung und die begleitenden
Zeichnungen hervor, die lediglich anschaulicher Natur sind und damit
keine Beschränkung
der Erfindung darstellen. Es zeigen:
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1 eine
Draufsicht eines Teils der Substratoberfläche in einer konventionellen
DRAM-Einrichtung
mit spiegelsymmetrischen DT-Strukturen;
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2a eine
Draufsicht eines Teils der Substratoberfläche in dem DRAM-Bauelement
gemäß der ersten
Ausführungsform
der Erfindung;
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2b eine
Draufsicht eines Teils des Schaltungsaufbaus in dem DRAM-Bauteil
gemäß der ersten
Ausführungsform
der Erfindung;
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3 eine
Draufsicht eines Teils der Substratoberfläche in dem DRAM-Bauelement
gemäß der zweiten
Ausführungsform
der Erfindung;
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4a und 4b schematisch
Querschnittsansichten bei der Herstellung von Randoxidschichten
in der DT-Struktur eines DRAM-Bauelements gemäß der zweiten Ausführungsform
der Erfindung; und
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5a bis 5c schematisch
Querschnittsansichten bei der Herstellung von Randoxidschichten
in der DT-Struktur eines weiteren DRAM-Bauelements gemäß der zweiten
Ausführungsform
der Erfindung.
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Detaillierte
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
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In
der offenbarten Speicherstruktur eines dynamischen Speichers mit
wahlfreiem Zugriff (DRAM) und bei dem Herstellungsverfahren wird
eine schachbrettartige Tiefgraben- (DT) Strukturgestaltung verwendet,
um benachbarte DTs unter einem fixierten Abstand anzuordnen und
damit in effizienter Weise Kurzschlüsse zu vermeiden. Mit dem Vorsehen
langer Bitleitungskontaktpfropfen werden zwei Speichereinheitszellen
so miteinander verbunden, dass diese den gleichen Bitleitungskontaktpfropfen
gemeinsam nutzen. Zum Zwecke der detaillierteren Darstellung des
offenbarten Verfahrens sei auf die folgende Ausführungsform verwiesen.
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Ausführungsform 1
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In 2a ist
der Oberflächenbereich
des Substrats eines DRAM-Bauelements gemäß einer ersten Ausführungsform
der Erfindung gezeigt.
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Zunächst werden
erfindungsgemäß aktive Bereiche
mit einem spiegelbildlichen Anschlussaufbau der konventionellen
Speichereinheitszellen separiert, wodurch Anordnungen entstehen,
wie sie in 2a gezeigt sind. Das Substrat 200 weist
unabhängige
aktive Bereiche 202 auf. Die DT-Strukturen 204 weisen
eine schachbrettförmige
Anordnung auf den aktiven Bereichen 202 auf. Der aktive
Bereich 202 ist aus einem P-dotierten Siliziumsubstrat
als eine untere Elektrode hergestellt. Das Innere der DT-Struktur 204 ist
eine Kondensatorstruktur. Zwei diagonal benachbarte Speichereinheitszellen
sind so gestaltet, um einen Kontaktpfropfen gemeinsam zu benutzen,
wodurch diese mit der gleichen Bitleitung elektrisch verbunden sind.
Beispielsweise wird in dieser Ausführungsform ein langer Bitleitungskontaktpfropfen 207 verwendet,
um jede Speichereinheitszelle 212 mit ihrer oberen rechten
benachbarten Speichereinheitszelle 211 zu verbinden.
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Die
Speichereinheitszellen 211 und 212 sind spiegelbildlich
zueinander. Die Konfiguration eines langen Bitleitungskontaktpfropfens 207 wird
benutzt, um die Speichereinheitszellen 211, 212 zu
verbinden. Eine flache Grabenisolation (STI) 208 wird verwendet,
um zwei benachbarte aktive Bereiche 202 elektrisch voneinander
zu isolieren.
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Durch
die Anordnung der zuvor genannten schachbrettartigen DT-Struktur 204,
deren benachbarte DT-Struktren 204 unter einem Abstand
D gehalten werden, wird erreicht, dass benachbarte DTs nicht zu
nahe einander liegen, um einen Kurzschluss hervorrufen. Ferner werden
in der Ausführungsform die
langen Bitleitungskontaktpfropfen 207 verwendet, um die
Speichereinheitszellen 211, 212 zu verbinden,
deren aktive Bereiche 202 nicht verbunden sind.
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2b ist
eine Draufsicht eines Teils der DRAM-Struktur der ersten bevorzugten
Ausführungsform.
Hierbei ist die vollständige
Anordnung mit den Worleitungen und den Bitleitungen, die der Ansicht
aus 2a hinzugefügt
sind, dargestellt.
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In 2b bilden
die Wortleitungen 220 ein vertikales Array, das entlang
der DT-Strukturen 204 verläuft. Die
Bitleitungen 230 bilden ein horizontales Array, das ebenso
entlang der DT-Strukturen 204 verläuft und elektrisch mit den
langen Bitleitungskontaktpfropfen 207 verbunden ist.
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Gemäß 2b liegen
die Positionen der Bitleitungen 230 in der Nähe ihrer
benachbarten horizontalen langen Bitleitungskontaktpfropfen 207.
Daher besteht eine große
Wahrscheinlichkeit, dass die langen Bitleitungskontaktpfropfen 207 unterschiedlicher
Zeilen auf Grund der Bitleitungen 230 Kurzschlüsse bilden.
Beispielsweise sollten ein langer Bitleitungskontaktpfropfen 207a und
sein benachbarter horizontaler langer Bitleitungspfropfen 207b elektrisch
voneinander unabhängig
sein. Jedoch verläuft die
Bitleitung 230, die den langen Bitleitungskontaktpfropfen 207a kreuzt,
sehr dicht an dem langen Bitleitungskontaktpfropfen 207b.
Daher kann es einen teilweisen Überlappungsbereich
zwischen diesen auf Grund von Ungenauigkeiten beim Herstellungsprozess
geben, woraus ein Kurzschluss zwischen dem langen Bitleitungskontaktpfropfen 207a und
dem langen Bitleitungskontaktpfropfen 207b resultiert.
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Um
derartige Kurzschlussprobleme zwischen den langen Bitleitungskontaktpfropfen 207 zu vermeiden,
wird zunächst
eine isolierende Schicht, etwa Siliziumnitrid, in dieser Ausführungsform
auf die langen Bitleitungskontaktpfropfen 207 aufgebracht. Es
werden dann Kontaktlöcher 209,
die kleiner als die langen Bitleitungskontaktpfropfen 207 sind,
gebildet. Insbesondere werden die langen Bitleitungskontaktpfropfen 207 verwendet,
um die aktiven Bereiche jener Speichereinheitszellen zu verbinden,
die elektrisch zu verbinden sind. Die Kontaktlöcher 209 werden verwendet,
um die Bitleitungen 230 und die langen Bitleitungskontaktpfropfen 207 zu
verbinden, so dass jede Bitleitung 230 mit ihrer diagonal
benachbarten Speichereinheitszelle über das Kontaktloch 209 verbunden
ist. Das Gebiet 205 über
den langen Bitleitungskontaktpfropfen 207, das nicht den
Kontaktlöchern 209 entspricht,
wird von der isolierenden Schicht abgedeckt.
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Da
die Größe des Kontaktlochs 209 deutlich kleiner
als der lange Bitleitungskontaktpfropfen 207 ist, kann
die Anordnung der Bitleitungen 230 im Wesentlichen nicht
mit den Kontaktlöchern 209,
sondern lediglich mit dem Gebiet 205 überlappen. Wenn daher selbst
die Bitleitungen 230 in der Anordnung einen gewissen Überlappungsbereich
mit den langen Bitleitungskontaktpfropfen 207 in den horizontalen Zeilen
aufweisen, kann dennoch die isolierende Schicht in dem Gebiet 205 die
Bitleitungen 230 wirksam von ihren benachbarten langen
Bitleitungskontaktpfropfen 207 isolieren, um damit Kurzschlüsse zu verhindern.
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Ausführungsform 2
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Erfindungsgemäß wird eine
weitere DRAM-Struktur bereitgestellt. 3 zeigt
die Draufsicht eines Teils der Substratoberfläche des DRAM-Bauelements gemäß der zweiten
Ausführungsform
der Erfindung.
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Wie
in der Zeichnung dargestellt ist, besitzt das Substrat 300 eine
Konfiguration mit streifenartigen aktiven Bereichen 302 ergänzend zu
den schachbrettartigen DT-Strukturen 304.
In dieser Ausführungsform
ist jede Speichereinheitszelle in dem gleichen streifenartigen aktiven
Bereich 302 nicht als ein unabhängiger aktiver Bereich definiert
(wie dies in 2a gezeigt ist). Stattdessen
wird eine Photolackmaske 340 für eine Randoxidschicht verwendet,
um Randoxidschichten 350 mit unterschiedlichen Höhen in den
DT-Strukturen 304 herzustellen, um damit die aktiven Bereiche
der Speichereinheitszelle voneinander abzugrenzen.
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4a und 4b zeigen
schematisch Querschnittsansichten, wie Randoxidschichten in den
DT-Strukturen eines DRAM-Bauelements herzustellen sind. Es ist der
Querschnitt entlang der Linie I-I aus 3 gezeigt.
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In 4a besitzt
das Substrat 400 einen DT 404 und aktive Bereiche 402.
Eine obere Elektrodenschicht 401 ist in dem DT 404 vorgesehen.
Eine dielektrische Schicht 403 und eine Randoxidschicht 450 mit
Dielektrizitätsfunktion
sind zwischen der Seitenwand des DTs 404 und der oberen
Elektrodenschicht 401 angeordnet. Zunächst besitzen die Randoxidschichten 450,
die innerhalb des DTs 404 gebildet sind, die gleiche Höhe. Nach
dem Bilden der Randoxidschicht 450 wird jedoch ein Maskenmuster
für die Randoxidschicht
verwendet, um eine Photolackmaske 440 für die Randoxidschicht zu bilden
(die Photolackmaske 340 in 3), um damit
die Hälfte
der Randoxidschicht 450 abzudecken. Danach wird ein standardmäßiger Ätzprozess
für die
Randoxidschicht durchgeführt.
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Beim
Schritt des Ätzens
der Randoxidschicht 450 wird nur der Teil der Randoxidschicht 450 bis
zu einer gewissen Tiefe 417 abgetragen, der nicht von der
Photolackmaske 440 bedeckt ist. Der Bereich der Randoxidschicht 450,
der durch die Photolackmaske 440 geschützt ist, bleibt erhalten. Daher
erhält
man eine Struktur, wie sie in 4b gezeigt
ist. Wie in der Figur dargestellt ist, besitzen beide Seite des
DTs 404 Randoxidschichten 450 mit unterschiedlichen Höhen. Die
Randoxidschicht 450a ist höher als die Randoxidschicht 450b.
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Wenn
ein vergrabener Streifenleiter in dem DT 404 in nachfolgenden
Prozessen hergestellt wird, verhindert die höhere Randoxidschicht 450a,
dass der vergrabene Streifenleiter mit seinem benachbarten aktiven
Bereich 402 in Kontakt kommt. Somit wird erfindungsgemäß erreicht,
dass die aktiven Bereiche aller Speichereinheitszellen isoliert
sind.
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Es
sei nun wieder weiter auf 3 verwiesen;
jede Speichereinheitszelle 311 und ihre diagonal benachbarte
Speichereinheitszelle 312 sind mittels des langen Bitleitungskontaktpfropfens 307 verbunden.
Jedoch sollten beide von ihren horizontal benachbarten Speichereinheitszellen
getrennt sein. In dieser Ausführungsform
wird eine Photolackmaske 340 für die Randoxidschicht verwendet,
um einen Teil der Randoxidschicht 350 in der DT-Struktur 304 bei einer
vorgegebenen Höhe
zu halten (wie die Randoxidschicht 450a, die in 4b gezeigt
ist). Mit dieser Konfiguration können
die aktiven Bereiche aller Speichereinheitszellen, etwa der Speichereinheitszelle 311 und
der Speichereinheitszelle 315 elektrisch isoliert werden.
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Neben
dem zuvor beschriebenen Herstellungsprozess kann ein weiteres Verfahren
verwendet werden, wie dies in 5a bis 5c gezeigt
ist.
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In 5a weist
das Substrat 500 wiederum einen DT 504, aktive
Bereiche 502, obere Elektrodenschichten 501, eine
dielektrische Schicht 503 und Randoxidschichten 550 auf.
Jedoch unterscheidet sich diese Anordnung aus der von der 4a dahingehend,
dass die Streifenleiterschicht 505 zunächst gebildet wird, um die
aktiven Bereiche 502 und den DT 504 abzudecken,
bevor die Randoxidschicht 550 teilweise entfernt wird.
Die Streifenleiterschicht 505 kann durch Abscheiden von
As-dotiertem Polysilizium mit nachfolgender chemischer-mechanischer
Polierung (CMP) gebildet werden. Anschließend wird eine Photolackmaske 540 gebildet
(deren Struktur durch die spiegelbildliche Position der Photolackmaske 340 in 3 definiert
ist), um einen Teil der aktiven Bereiche 502 und die Hälfte des
DTs 504 abzudecken. Anschließend wird eine Ätzung an
der Streifenleiterschicht 505 und der unteren Elektrodenschicht 501 ausgeführt.
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Schließlich entsteht
die in 5b gezeigte Struktur. Mittels
zweier Ätzschritte
wird die Streifenleiterschicht 505 in der Hälfte des
DTs 504 entfernt. Anschließend wird ein Teil der unteren
Elektrodenschicht 505 darunter entfernt, um die Hälfte der
Randoxidschicht 550 bis zu einer gewissen Tiefe 517 freizulegen.
Ferner wird eine Vertiefung in der Streifenleiterschicht 505 über der
anderen Hälfte
der Randoxidschicht 550 gebildet, so dass sie tiefer als
der aktive Bereich 502 liegt.
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Schließlich wird
die freigelegte halbe Randoxidschicht 550 direkt geätzt, um
eine Struktur zu bilden, wie sie in 5c gezeigt
ist. In der Zeichnung ist die freigelegte Randoxidschicht 550b bis
zu einer gewissen Tiefe abgetragen. Die von der Streifenleiterschicht 505 bedeckte
Randoxidschicht 550a wird vollständig bewahrt. Die gemäß dem zuvor
dargelegten Prozess hergestellte Randoxidschicht 550b wird verwendet,
um den aktiven Bereich der Speichereinheitszellen zu isolieren.
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Gemäß der Vorgehensweise
in der offenbarten zweiten Ausführungsform
besteht keine Notwendigkeit, den aktiven Bereich von vornherein
zu definieren. Daher wird die streifenförmige aktive Bereichsstruktur
und die verbesserte Randoxidschicht direkt verwendet, um eine Isolierung
des aktiven Bereichs zu erreichen. Mit zunehmender Bauteildichte kann
die Festlegung des aktiven Bereichs fehlerhaft werden, da die Anforderungen
hinsichtlich der Freiheitsgrade im Herstellungsprozess höher werden.
Es kann daher eine Kurzschlussbildung in den aktiven Bereichen auftreten.
Unter Anwendung der Gestalt der offenbarten zweiten Ausführungsform
kann das Problem der Kurzschlussbildung auf Grund einer ungenauen
Festlegung der aktiven Bereiche in effizienter Weise verhindert
werden.
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Zusammengefasst
gilt also: die hierin beschriebenen Ausführungsformen kombinieren die schachbrettartige
DT-Struktur und die Struktur mit den langen Bitleitungskontaktpfropfen,
um die Gestaltungs- und Entwurfsvorteile hinsichtlich des gemeinsamen
Nutzens von Bitleitungskontaktpfropfen von Speichereinheitszellen
zu bewahren und um in effizienter Weise eine Kurzschlussbildung
der DT-Strukturen zu verhindern. Ferner werden erfindungsgemäß Photolackmasken
für Randoxidschichten
verwendet, um Randoxidschichten mit unterschiedlichen Höhen innerhalb
des gleichen DTs zu bilden. Diese Gestaltungsweise verhindert, dass
die vergrabene Streifenleiterschicht direkt mit ihrem benachbarten
aktiven Bereich in Kontakt gerät.
Somit wird erfindungsgemäß eine Isolierung
der aktiven Bereiche aller Speichereinheitszellen erreicht.