DE102004017836A1 - Flip Chip Bonder - Google Patents

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Abstract

Ein Flip-Chip-Bondgerät, umfassend Substrathaltemittel, und ein Chipmatrizen-Bondgerät zum Verbinden bzw. Bonden eines Halbleiterchips, der eine Mehrzahl von Elektroden von seiner Vorderseite vorragend aufweist, auf ein Substrat, das auf den Substrathaltemitteln gehalten ist, wobei DOLLAR A das Flip-Chip-Bondgerät einen Einspanntisch bzw. Ansaugtisch zum Halten eines Halbleiterchips, welcher zu einem Halbleiterchip-Aufnahmebereich, einem Halbleiter-Ausgabebereich und einem Elektrodenschneidbereich bewegbar ist, Schneidmittel, die ein Schneidwerkzeug zum Schneiden der Mehrzahl von Elektroden aufweist, die von der vorderen Oberfläche des Halbleiterchips vorragen, der auf dem Einspanntisch gehalten ist und in dem Elektrodenschneidbereich angeordnet ist, um sie in der Höhe zu vergleichmäßigen, Halbleiterchip-Aufnahmemittel zum Fördern bzw. Tragen eines Halbleiterchips vor einem Bearbeiten auf dem Ansaugtisch, der in dem Halbleiterchip-Aufnahmebereich positioniert ist, und Halbleiterchip-Fördermittel zum Fördern bzw. Tragen eines Halbleiterchips nach einem Verarbeiten, der auf dem Einspanntisch gehalten ist, der in dem Halbleiterchip-Ausgabebereich positioniert ist, zu dem Chipmatrizenverbinder umfaßt.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Flip-Chip-Bondgerät zum Bonden bzw. Verbinden eines Halbleiterchips, der eine Mehrzahl von Elektroden von seiner vorderen Oberfläche vorragend aufweist, auf ein Substrat, das zu implementieren ist.
  • Ein Halbleitenrwafer, der eine Mehrzahl von Halbleiterchips aufweist, die in individuelle Halbleiterchips durch ein Schneidgerät bzw. eine Zerteileinrichtung oder dgl. unterteilt sind, und die erhaltenen Halbleiterchips werden weit verbreitet in elektrischen Anlagen, wie Mobiltelefon und Personal Computern verwendet.
  • Um elektrische Vorrichtungen leicht und kompakt zu machen, wurde ein Halbleiterchip, der "Flip-Chip" genannt wird, der vorragende Bumps bzw. Kontakthöcker in der Höhe von 50 bis 100 μm aufweist, welche auf den Elektroden des Halbleiterchips ausgebildet sind und direkt an Elektroden gebondet sind bzw. werden, die auf einem "zu implementierenden Substrat" (der Einfachheit halber als "Substrat" nachfolgend bezeichnet) gebildet sind, entwickelt und in praktische Verwendung gebracht. Da der oben genannte Halbleiterchip, der "Flip-Chip" genannt wird, durch ein Ausbilden einer Vielzahl von Stifthöckern (Elektroden) auf der vorderen bzw. Vorderoberfläche des Halbleiterchips und durch ein Bonden desselben auf ein Substrat über die Stifthöcker (Elektroden) hergestellt ist, müssen die vorragenden Höcker bzw. Kontakthügel (Elektroden) in der Höhe gleichmäßig gemacht sein. Die Stifhöcker bzw. Kontakthöcker bzw. -hügel sind durch ein Stifthöcker-Bondgerät unter Verwendung eines Verfahrens, in welchem ein Ball durch ein Schmelzen unter Erhitzen gebildet ist, das Spitzenende eines Drahts, wie eines Golddrahts, durch Erhitzen und Ultraviolettwellen auf die Elektrodenplatte eines Halbleiterchips preßgebondet ist und an seiner Basis abgeschnitten wird. Jedoch sie sind die so ausgebildeten Stifthöcker nicht gleichmäßig in der Höhe. Da der Flip-Chip an ein Substrat durch ein Flip-Chip-Bondgerät gebondet wird, müssen die Stifthöcker (Elektroden) in der Höhe gleichmäßig sein. Um dies zu realisieren, wird üblicherweise ein Schleifen verwendet. Jedoch werden, wenn die Stiftkontakthöcker (Elektroden) geschliffen werden, Grate ausgebildet, wenn die Höcker (Elektroden) aus einem zähen Metall, wie Gold oder dgl. gefertigt sind, wodurch ein Problem veranlaßt wird, daß ein Kurzschluß zwischen benachbarten Kontakt- bzw. Verbindungshöckern (Elektroden) bewirkt wird.
  • Als eine Technologie zum Ausbilden einer Vielzahl von Stifthöckern (Elektroden), die an der Vorderoberfläche eines Halbleiterchips gleichmäßig in der Höhe ausgebildet sind, schlägt eine nicht geprüfte, veröffentlichte japanische Patentanmeldung JP-A 2001-53097 vor, sie in der Höhe durch Pressen einer erhitzten Platte gegen sie zu vergleichmäßigen.
  • Wenn die Bumps bzw. Höcker durch Drücken der erhitzten Platte gegen sie in der Höhe vergleichmäßigt werden, werden jedoch die Köpfe der Kontakthöcker zerdrückt, wobei ein Problem auftritt, daß ein Kurzschluß zwischen benachbarten Höckern bewirkt wird. Um dieses Problem zu lösen, ist in der Erfindung, die durch die obige Publikation geoffenbart ist, ein zusätzlicher Schritt zum Entfernen der Spitzenendabschnitte der Höcker vorgesehen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Flip-Chip-Bondgerät zur Verfügung zu stellen, das fähig ist, leicht eine Vielzahl von Elektroden, die von der Vorderoberfläche eines Halbleiterchips vorragen, in der Höhe gleichmäßig auszubilden, ohne einen Kurzschluß zu bewirken.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das obige Ziel durch ein Flip-Chip-Bondgerät erreicht werden, umfassend Substrathaltemittel, die in einer Chipmatrizen-Bondfläche angeordnet sind, und ein Chipmatrizen-Bondgerät zum Verbinden bzw. Bonden eines Halbleiterchips, der eine Mehrzahl von Elektroden von seiner vorderen Oberfläche vorragend aufweist, auf ein auf den Substrathaltemitteln gehaltenes Substrat, das zu implementieren ist, wobei
    das Flip-Chip-Bondgerät einen Ansaug- bzw. Einspanntisch zum Halten eines Halbleiterchips, welcher zu einem Halbleiterchip-Aufnahmebereich, einem Halbleiterchip-Entnahmebereich und einem Elektrodenschneidbereich bewegbar ist, Schneidmittel, die ein Schneidwerkzeug zum Schneiden einer Mehrzahl von Elektroden aufweisen, die von der vorderen Oberfläche des Halbleiterchips vorragen, der in dem Elektrodenschneidbereich angeordnet ist und auf dem Einspanntisch gehalten ist, um sie in der Höhe zu vergleichmäßigen, Halbleiterchip-Aufnahmemittel zum Führen bzw. Tragen eines Halbleiterchips vor einem Bearbeiten auf dem Einspanntisch, der in dem Halbleiterchip-Aufnahmebereich angeordnet ist, und Halbleiterchip-Fördermittel zum Fördern bzw. Tragen eines Halbleiterchips nach einem Bearbeiten, welcher auf dem Einspanntisch gehalten ist, der in dem Halbleiterchip-Ausgabebereich angeordnet ist, zu dem Chipmatrizen-Bondgerät umfaßt.
  • Vorzugsweise umfaßt das Flip-Chip-Bondgerät weiters Bearbeitungsfluid-Zufuhrmittel zum Zuführen eines Be- bzw. Verarbeitungsfluids zu dem Halbleiterchip, der auf dem Einspanntisch in dem Elektrodenschneidbereich gehalten ist, und die Bearbeitungsfluid-Zufuhrmittel führen ionisierte Luft zu.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Flip-Chip-Bondgeräts, das gemäß einer Ausbildung der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht des wesentlichen Abschnitts des Flip-Chip-Bondgeräts, das in 1 gezeigt ist;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Beispiels eines Schneidwerkzeugs bestehend aus einem Schneidmitteln, die in dem Flip-Chip-Bondgerät vorgesehen sind, das in 1 gezeigt ist;
  • 4 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht des wesentlichen Abschnitts des Schneidwerkzeugs, das in 3 gezeigt ist, wenn es von der Bodenseite gesehen wird;
  • 5 ist eine vergrößerte, perspektivische Ansicht des wesentlichen Abschnitts eines weiteren Beispiels des Schneidwerkzeugs;
  • 6 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht des wesentlichen Abschnitts von noch einem weiteren Beispiel des Schneidwerkzeugs;
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht eines weiteren Beispiels des Schneidewerkzeugs, das an den Schneidmitteln festgelegt ist;
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers, der Stifthöcker bzw. Kontakthügel an der Vorderoberfläche ausgebildet aufweist;
  • 9(a), 9(b) und 9(c) sind Diagramm zum Erläutern der Ausbildung von Stifthöckern an der Vorderoberfläche eines Halbleiterchips;
  • 10 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen einem Halbleiterchip, der auf einem Einspanntisch gehalten ist, und dem Schneidwerkzeug zeigt; und
  • 11 ist ein Diagramm, das einen Zustand von Höckern (Elektroden) zeigt, die auf dem Halbleiterchip ausgebildet sind, der geschnitten wird bzw. ist.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausbildungen
  • Ein Flip-Chip-Bondgerät gemäß den bevorzugten Ausbildungen der vorliegenden Erfindung wird im Detail nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Flip-Chip-Bondgeräts, das gemäß der vorliegenden Erfindung konstruiert bzw. aufgebaut ist.
  • Das Flip-Chip-Bondgerät in der illustrierten Ausbildung hat ein rechteckiges, parallelepipedisches Gehäuse, das als Gesamtes mit 2 bezeichnet ist. Ein Chip-Matrizen-Bondbereich 21 ist in dem unteren linken Eck des Gehäuses 2 in der Zeichnung ausgebildet. In diesem Chip-Matrizen-Bondbereich 21 ist ein Substrathaltemittel 3 angeordnet. Dieses Substrathaltemittel 3 besteht aus einem Einspann- bzw. Ansaugtisch 31, der aus geeignetem porösem Material, wie porösen Keramiken, und einem Saugmittel (nicht gezeigt) ausgebildet ist, um einen negativen Druck bzw. Unterdruck auf den Ansaugtisch 31 aufzubringen. In dem Chip-Matrizen-Bondbereich 21 ist ein Chip-Matrizen-Bondgerät 4 zum Bonden eines Halbleiterchips, der später beschrieben werden wird, an ein Substrat, welches auf dem Ansaugtisch 31 gehalten ist und später im Detail beschrieben werden wird, in stalliert. Das Chip-Matrizen-Bondgerät 4 umfaßt einen Bondkopf 41 und Bondkopf-Bewegungsmittel 42, um den Bondkopf 41 in der X-, Y- und Z-Richtung zu bewegen. Der Bondkopf 41 hat einen Kragen 411 zum Saughalten des Halbleiterchips, welcher später beschrieben werden wird.
  • Ein Kassettenanordnungsabschnitt 22 und ein temporärer Substratspeicherabschnitt 23 sind in der unteren linken Ecke des obigen Chip-Bondbereichs 21 des Gehäuses 2 in der Zeichnung angeordnet.
  • Ein Kassettenanordnungstisch 51, der auf Anhebemitteln (nicht gezeigt) abgestützt bzw. unterstützt ist, ist an dem Kassettenanordnungsabschnitt 22 angeordnet und eine Kassette 53, die ein Substrat 52 speichert, ist auf diesem Kassettenanordnungstisch 51 angeordnet. Ein temporäres Substratspeichermittel 54 ist an dem obigen temporären Substratspeicherabschnitt 23 angeordnet. Dieses temporäre Substratspeichermittel 54 besteht aus einem Gurt- bzw. Bandmechanismus, welcher aus einer Antriebswalze besteht, die in einer normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durch einen Elektromotor angetrieben ist, welcher nicht gezeigt ist, einer angetriebenen Walze, die unter einem vorbestimmten Abstand von der Antriebswalze angeordnet ist, und einem Endlosband, das um die Antriebswalze und die angetriebene Walze geführt ist. Ein Substratentnahmemittel 55 ist an der Seite gegenüberliegend zudem temporären Substratspeicherabschnitt 23 über den Kassettenanordnungsabschnitt 22 installiert. Diese Substratentnahmemittel 55 können sich in der X-Richtung in der Zeichnung bewegen und führen bzw. tragen ein Substrat 52, das in der Kassette 53 gespeichert ist, die auf dem Kassettenanordnungstisch 51 angeordnet ist, zu den temporären Substratspeichermitteln 54. Das dargestellte bzw. illustrierte Flip-Chip-Bondgerät umfaßt Substratfördermittel 56 zum Fördern des Substrats 52, das auf dem temporären Substratspeichermittel 54 auf der Oberseite des Ansaugtischs 31 der obigen Substrathaltemittel 3 gehalten ist. Die Substratfördermittel 56 umfassen ein Saughaltewerkzeug 561 zum Halten des Substrats 52 durch Ansaugen und ein Saughaltewerkzeug-Bewegungsmittel 562, um das Saughaltewerkzeug 561 in der Y- und Z-Richtung zu bewegen.
  • Ein Halbleiterchip-Aufnahmebereich 24, ein Halbleiterchip-Entnahmebereich 25 und ein Elektrodenschneidbereich 26 sind in dem zentralen Abschnitt in der X- Richtung des Gehäuses 2 vorgesehen. Eine Einspann- bzw. Ansaugtischeinheit 6 ist zwischen dem Halbleiterchip-Entnahmebereich 25 und dem Elektrodenschneidbereich 26 installiert. Die Ansaugtischeinheit 6 hat einen Ansaugtisch 61, der aus einem geeigneten porösen Material, wie porösen Keramiken, gefertigt ist, Saugmittel (nicht gezeigt) zum Aufbringen eines negativen Drucks auf den Ansaugtisch 61 und einen Ansaugtisch-Bewegungsmechanismus (nicht gezeigt), um den Ansaugtisch 61 in der X-Richtung zu bewegen, um ihn in dem Halbleiterchip-Aufnahmebereich 24, dem Halbleiterchip-Entnahme- bzw. -Ausgabebereich 25 und dem Elektrodenschneidbereich 26 zu positionieren. Die Ansaugtischeinheit 6 hat einen Rotationsantriebsmechanismus, um den Ansaugtisch 61 zu rotieren.
  • In dem Elektrodenscheidbereich 26 des Gehäuses 2 sind Schneidmittel 7 installiert. Diese Schneidmittel 7 sind auf einer aufgerichteten Wand 27 festgelegt, die in dem Gehäuse 2 vorgesehen ist. D.h. ein Paar von Führungsschienen 271 und 271, die sich in der vertikalen Richtung erstrecken, ist an der Vorderseite der aufgerichteten Wand 22 installiert, und die Schneidmittel 7 sind auf dem Paar von Führungsschienen 271 und 271 in einer derartigen Weise festgelegt bzw. montiert, daß es sich in der vertikalen Richtung bewegen kann. Die Schneidmittel 7 werden nachfolgend unter Bezugnahme auf 2 beschrieben. Die Schneidmittel 7 haben eine bewegbare Basis 71 und eine Spindeleinheit 72, die auf der bewegbaren Basis 71 festgelegt ist. Die bewegbare Basis 71 ist mit einem Paar von Schenkeln 711 und 711 versehen, die sich in der vertikalen Richtung auf beiden Seiten der Rückseite erstrecken, und zu führende Nuten bzw. Rillen 712 und 712, um in gleitenden Eingriff mit dem Paar von Führungsschienen 271 und 271 zu gelangen, sind in dem Paar von Schenkeln 711 und 711 ausgebildet. Ein Abstütz- bzw. Supportabschnitt 713, der sich nach vorne erstreckt, ist auf der Vorderseite der bewegbaren Basis 71 installiert, die gleitend auf dem Paar von Führungsschienen 271 und 271 festgelegt bzw. montiert ist, die auf der aufgerichteten Wand 22 vorgesehen sind. Die Spindeleinheit 72 ist an den Supportabschnitt 713 angelenkt.
  • Die Spindeleinheit 72 umfaßt ein Spindelgehäuse 721, das in den Supportabschnitt 713 eingepaßt ist, eine rotierende bzw. drehbare Spindel 722, die drehbar in dem Spindelgehäuse 721 angeordnet ist, und einen Servomotor 723 als eine Antriebsquelle für ein drehendes Antreiben der Drehspindel 722. Der untere Endabschnitt der drehbaren bzw. drehenden Spindel 722 ragt nach unten über das untere Ende des Spindelgehäuses 721 vor, und ein scheibenartiges Werkzeugfestlegungsglied 724 ist an dem unteren Endabschnitt vorgesehen. Eine Vielzahl von Schrauben- bzw. Bolzeneinsetzlöchern (nicht gezeigt) ist in dem Werkzeugfestlegungsglied 724 an vorbestimmten Intervallen bzw. Abständen in der Umfangsrichtung vorgesehen. Ein Schneidwerkzeug 73 ist an der unteren Oberfläche des Werkzeugsfestlegungsglieds 724 festgelegt.
  • Ein Beispiel des Schneidwerkzeugs 73 wird unter Bezugnahme auf 3 und 4 beschrieben.
  • Das in 3 und 4 gezeigte Schneidwerkzeug 73 umfaßt eine ringartige Basis 731 und eine Schneidklinge 732, die an wenigstens eine Position von einer Oberflächenseite der Basis 731 angelenkt ist. Die Basis 731 ist aus einer Aluminiumlegierung oder dgl. gefertigt und eine Vielzahl von Blind- bzw. Sack-Schraubenlöchern 731a, die sich von einer Oberflächenseite zu der anderen Oberflächenseite erstrecken, ist in der Basis 731 ausgebildet. Die Schneidklinge 732 ist aufgerichtet bzw. aufragend von der Basis 731 installiert, weist ein spitzwinkeliges Ende auf und ist beispielsweise aus einem Diamantschneidwerkzeug ausgebildet. Das so ausgebildete Schneidwerkzeug 73 ist auf dem Werkzeugfestlegungsglied 724 durch Positionieren desselben an der unteren Oberfläche des Werkzeugfestlegungsglieds 724, das an dem unteren Endabschnitt der drehbaren Spindel 722 festgelegt ist, in einer solchen Weise, daß eine Seite, die die Schneidklinge 732 des Schneidwerkzeugs 73 aufweist, nach unten schaut bzw. gerichtet ist und durch Einschrauben von Festlegungsbolzen bzw. -schrauben 725 in die Blind-Schraubenlöcher 731a, die in der Basis 731 ausgebildet sind, über Durchtritts- bzw. Durchgangslöcher montiert, die in dem Werkzeugfestlegungsglied 724 ausgebildet sind.
  • Andere Beispiele des Schneidwerkzeugs werden unter Bezugnahme auf 5 bis 7 beschrieben.
  • Ein Schneidwerkzeug 74, das in 5 gezeigt ist, ist durch Ausbilden von wenigstens einer Vertiefung 741a auf einer Seite einer ringartigen Basis 741 und durch Festlegen bzw. Montieren einer Schneidklinge 742, wie beispielsweise eines rechtwinkeligen Superstahl-Schneidwerkzeugs oder Diamantschneidwerkzeugs mit einer Dicke von mehreren Millimetern, in der Nachbarschaft der Vertiefung 741a ausgebildet bzw. konstruiert.
  • Ein Schneidwerkzeug 75, das in 6 gezeigt ist, ist derart ausgebildet, daß eine ringförmige Basis 751 aus Werkzeugstahl, wie Superstahllegierung, gefertigt ist und wenigstens eine Schneidklinge 752 (mehrere in dem Beispiel, das in 6 gezeigt ist), die in der Rotationsrichtung spitzwinkelig sind, an wenigstens einer Position von einer Seite der Basis 751 ausgebildet ist. Ein Diamantchip bzw. -stück kann an der Oberfläche der Schneidklinge 752 vorgesehen sein.
  • Ein Schneidwerkzeug 76, das in 7 gezeigt ist, hat eine Schneidklinge 762, die aus Diamant gefertigt ist, an dem Ende ihres Werkzeugskörpers 761, welcher wie eine Stange gefertigt ist und aus Werkzeugstahl, wie Superstahllegierung, gefertigt bzw. hergestellt ist. Wenn das Schneidwerkzeug 76, das in 7 gezeigt ist, verwendet wird, wird das Werkzeugfestlegungsglied 77 direkt an der bewegbaren Basis 71 festgelegt, die die Schneidmittel 7 ausbildet, und der Werkzeugkörper 761 ist an dem Werkzeugfestlegungsglied 77 festgelegt.
  • Zurückkommend auf 2 weist das Flip-Chip-Bondgerät in der illustrierten Ausbildung einen Schneidmittel-Zufuhrmechanismus 8 zum Bewegen der obigen Schneidmittel 7 entlang des Paars von Führungsschienen 271 und 271 in der vertikalen Richtung (Richtung senkrecht zu der Anordnungsoberfläche auf dem Ansaugtisch 61) auf. Dieser Schneidmittel-Zufuhrmechanismus 8 hat eine aufzunehmende Schraubenstange 81, die an der Vorderseite der aufgerichteten Wand 22 angeordnet ist und sich im wesentlichen vertikal erstreckt. Der obere Endabschnitt und der untere Endabschnitt dieser aufzunehmenden Schraubenstange 81 sind drehbar durch Lagermittel 82 und 83 unterstützt, die auf der aufgerichteten Wand 22 festgelegt sind. Ein Schritt- bzw. Pulsmotor 84 als eine Antriebsquelle für ein drehbares Antreiben der aufzunehmenden Schraubenstange bzw. Gewindestange 81 ist an dem oberen Lagerglied 82 festgelegt und die Abtriebswelle dieses Pulsmotors ist mit der aufzunehmenden Gewindestange 81 gekoppelt. Ein Koppelabschnitt (nicht gezeigt), der nach rückwärts von dem zentralen Abschnitt in der Breitenrichtung der Rückseite der bewegbaren Basis 71 vorragt, ist auf der Rückseite davon ausgebildet, ein Gewindeschraubenloch, das sich in der vertikalen Richtung erstreckt, ist in dem Kopplungsabschnitt ausgebildet, und die obige aufzunehmende Schrauben- bzw. Gewindestange 81 ist in das Gewindeschraubenloch eingeschraubt. Wenn sich der Pulsmotor 84 in einer normalen Richtung dreht, wird daher die bewegbare Basis 71, d.h. das Schneidmittel 7 abgesenkt, d.h. vorgetrieben, während, wenn sich der Pulsmotor 84 in einer umgekehrten bzw. Umkehrrichtung dreht, die bewegbare Basis 71, d.h. das Schneidmittel 7, nach oben bewegt, d.h. zurückgezogen wird.
  • Das Flip-Chip-Bondgerät in der dargestellten bzw. illustrierten Ausbildung umfaßt eine Düse 9, die Bearbeitungsfluid-Zufuhrmittel zum Zuführen eines Arbeitsfluids zu einem Halbleiterchip, der auf dem Ansaugtisch 61 in dem Elektrodenschneidbereich 26 gehalten ist, in der Seitenrichtung des Elektrodenschneidbereichs 26 des Gehäuses 2 ist. Das Bearbeitungsfluid kann Luft, Schneidwasser, Dunst bzw. Nebel oder ionisierte Luft sein. Ionisierte Luft ist bevorzugt, um statische Elektrizität zu entfernen. Daher ist die Düse 9 in der illustrierten Ausbildung mit einem Zufuhrmittel für ionisierte Luft verbunden, welches nicht gezeigt ist.
  • Zurückkommend auf 1 weist das Flip-Chip-Bondgerät in der dargestellten Ausbildung ein Halbleiterchip-Aufnahmemittel 11 auf, das über dem Halbleiterchip-Aufnahmebereich 24 angeordnet ist. Dieses Halbleiterchip-Aufnahmemittel 11 hat eine Hülse 111 und ein Bewegungsmittel 112 zum Bewegen der Hülse 111 in der X- und Z-Richtung. Das so ausgebildete Halbleiterchip-Aufnahmemittel 11 trägt einen Halbleiterchip vor einem Be- bzw. Verarbeiten, welches später beschrieben werden wird, zu der Oberseite des Einspanntisches 61 durch Absorbieren bzw. Ansaugen desselben mit der Hülse 111. Weiters weist das Flip-Chip-Bondgerät in der illustrierten Ausbildung ein Halbleiterchip-Fördermittel 12 auf, das zwischen dem Halbleiterchip-Entnahmebereich 25 und dem obigen Chipmatrizen-Bondbereich 21 angeordnet ist. Dieses Halbleiterchip-Fördermittel 12 hat eine Hülse 121 und einen Schwenk- bzw. Dreharm 122, der die Hülse 121 an einem Ende davon aufweist, und der Basisabschnitt des Dreharms 122 ist an einem Supportglied 123 durch eine Supportwelle 124 in einer derartigen Weise unterstützt, daß es sich unter einem Winkel von bis zu 180° drehen kann. Das Halbleiterchip-Fördermittel 12 hat Antriebsmittel (nicht gezeigt) zum Drehen bzw. Schwenken des Dreharms 122 auf der Supportwelle 124 unter einem Winkel von bis zu 180°. Das so ausgebildete Halbleiterchip-Fördermittel 12 hält den Halbleiterchip durch Saugen und dreht ihn um, nachdem er auf dem Einspanntisch 61 gehalten bearbeitet wurde, der in dem Halbleiterchip-Entnahmebereich 25 mittels der Hülse 121 positioniert ist, und führt ihn zu einer Halbleiterchip-Empfangsposition in dem Arbeitsbereich des obigen Chipmatrizen-Bondgeräts 4.
  • Unter Bezugnahme auf 1 sind ein erstes Schalen- bzw. Tablettanordnungsmittel 13 und ein zweites Tablettanordnungsmittel 14 an dem unteren rechten Endabschnitt des Gehäuses 2 in der Zeichnung installiert. Ein Tablett bzw. ein Magazin 15, das einen Halbleiterchip 10 vor einem Bearbeiten speichert, ist an dem ersten Tablett- bzw. Magazinanordnungsmittel 13 angeordnet, während ein leeres Magazin 15, von welchem der Halbleiterchip vor einem Be- bzw. Verarbeiten entnommen wurde, an dem zweiten Tablett- bzw. Magazinanordnungsmittel 14 angeordnet ist. Der Halbleiterchip 10, der vor der Verarbeitung in dem Magazin 15 gespeichert ist, wird unter Bezugnahme auf 8 und 9 beschrieben. Der Halbleiterchip 10 vor einem Verarbeiten hat eine Vielzahl (acht in der illustrierten Ausbildung) von Stifthöckern bzw. Kontakthügeln (Elektroden) 100, die von seiner Vorderoberfläche vorragen, wie dies in 8 gezeigt ist. Die Stifthöcker (Elektroden) 100 sind beispielsweise durch ein Stifthöcker-Ausbildungsverfahren ausgebildet. D.h., wie dies in 9(a) gezeigt ist, wird das Spitzenende eines Golddrahts 102, das in eine Kapillare 101 eingesetzt ist, unter Entladungserhitzen mit einer elektrischen Fackel geschmolzen, um eine Kugel 103 auszubilden, und diese Kugel 103 wird durch Hitze und Ultraschallwellen auf eine Elektrodenplatte 110 preßgebondet, die aus Aluminium gefertigt bzw. hergestellt ist, die auf dem Halbleiterchip 10 ausgebildet ist, wie dies in 9(b) gezeigt ist, und wird an seiner Basis abgeschnitten. Eine Mehrzahl von Stifthöckern (Elektroden) 100, die so ausgebildet sind, haben nadelförmige Whisker 104 und sind in der Höhe nicht gleichmäßig bzw. einheitlich, wie dies in 9(c) gezeigt ist.
  • Rückkehrend zu 1 sind in dem Flip-Chip-Bondgerät in der illustrierten Ausbildung ein erster Magazinfestlegungsabschnitt 28 und ein zweiter Magazinfestlegungsabschnitt 29 an der oberen rechten Seite der Zeichnung der ersten Magazinanordnungsmittel 13 und der zweiten Magazin- bzw.
  • Tablettanordnungsmittel 14 des Gehäuses 2 angeordnet und eine erste Magazinhaltebasis 16 und eine zweite Magazinhaltebasis 17 sind auf dem ersten Magazineinstell- bzw. -festlegungsabschnitt 28 bzw. dem zweiten Magazinfestlegungsabschnitt 29 angeordnet. Die erste Magazinhaltebasis 16 und die zweite Magazinhaltebasis 17 werden in der Y-Richtung zwischen dem ersten Magazinanordnungsmittel 13 und dem Magazinanordnungsmittel 14 bewegt und durch einen Bewegungsmechanismus (nicht gezeigt) unterstützt bzw. getragen, welcher sich in der vertikalen Richtung bewegen kann, wie dies durch den Pfeil Z gezeigt ist. Das dargestellte Flip-Chip-Bondgerät hat ein Magazinfördermittel 18 zum Tragen des Magazins 16, das auf der ersten Magazinhaltebasis 16 angeordnet, die an dem ersten Magazinfestlegeabschnitt 28 positioniert ist, zu der Oberseite der zweiten Magazinhaltebasis 17, die auf dem zweiten Magazinfestlegungsabschnitt 29 positioniert ist.
  • Das Flip-Chip-Bondgerät in der illustrierten Ausbildung ist wie oben ausgebildet bzw. konstruiert und seine Arbeitsweise wird nachfolgend beschrieben.
  • Eine Mehrzahl von Tabletts bzw. Magazinen 15, die eine vorbestimmte Anzahl von Halbleiterchips 10 als Werkstücke vor einer Verarbeitung speichern, sind auf dem ersten Magazinanordnungsmittel 13 angeordnet. Um das Magazin 15, das auf dem ersten Magazinanordnungsmittel 13 angeordnet ist, zu der Oberseite der ersten Magazinhaltebasis 16 zu bewegen, wird die erste Magazinhaltebasis 16, die auf dem ersten Magazinfestlegungsabschnitt 28 angeordnet bzw. positioniert ist, nach unten durch einen Bewegungsmechanismus (nicht gezeigt) bewegt und unter dem ersten Magazinanordnungsmittel 13 angeordnet. Die erste Magazinhaltemittelbasis 16 wird nach oben bewegt und das unterste Magazin 15, das auf dem ersten Magazinanordnungsmittel 13 angeordnet ist, wird auf der ersten Magazinhaltebasis 16 angeordnet. Ein Haltemittel zum Halten des am untersten positionierten Magazins 15 ist an dem unteren Ende des ersten Magazinanordnungsmittels 13 vorgesehen, und wenn sich die erste Magazinhaltebasis 16 nach oben bewegt und in Kontakt mit den Haltemitteln gelangt, wird das Halten des am untersten positionierten Magazins 15 gelöst, so daß das unterste Magazin 15 auf der ersten Magazinhaltebasis 16 angeordnet wird. Nachdem das am untersten positionierte Magazin 15, das auf dem ersten Magazinanordnungsmittel 13 plaziert ist, so auf der ersten Magazinhaltebasis 16 angeordnet wurde, wird die erste Magazinhaltebasis 16 in ihrer Position zu dem ersten Magazinfestlegungsabschnitt 28 durch Bewegen des Mechanismus gebracht, der nicht gezeigt ist. Das Magazin 15, das eine vorbestimmte Anzahl von Halbleiterchips 10 vor einem Verarbeiten speichert, welches auf dem ersten Magazinfestlegungsabschnitt 28 positioniert wurde, wird auf die zweite Magazinhaltebasis 17, die auf dem zweiten Magazinfestlegungsabschnitt 29 positioniert ist, durch die Magazinfördermittel 18 tragen.
  • Als nächstes werden die Halbleiterchip-Aufnahmemittel 11 betätigt, um es der Hülse 111 zu ermöglichen, einen der Halbleiterchips 110 durch Saugen als ein Werkstück vor einem Verarbeiten zu halten, der in dem Magazin 15 gespeichert ist, das auf die zweite Magazinhaltebasis 17 getragen ist, die auf dem zweiten Magazinfestlegungsabschnitt 29 positioniert ist, und trägt ihn zu der Oberseite des Ansaugtischs 61 der Ansaugtischeinheit 6, die in dem Halbleiterchip-Aufnahmebereich 24 positioniert ist. Nachdem der Halbleiterchip 10 vor einem Verarbeiten so auf den Ansaugtisch 61 gefördert bzw. getragen wurde, wird der Halbleiterchip 10, der auf dem Ansaugtisch 61 angeordnet ist, auf den Ansaugtisch 61 durch ein Saugmittel, das nicht gezeigt ist, durch Saugen gehalten.
  • Nachdem der Halbleiterchip 10 auf dem Ansaugtisch 61 durch Saugen gehalten wird, wird der Ansaugtisch 61 zu dem Elektrodenschneidbereich 26 geführt und zu einer Position gebracht, wo er dem Schneidwerkzeug 73 des Schneidmittels 7 gegenüberliegt. Ein Schneiden wird mit dem Schneidmittel 7 durchgeführt, um die Mehrzahl von Stifthöckern (Elektroden) 100 in der Höhe gleichmäßig zu machen, die an der Vorderoberfläche des Halbleiterchips 10 ausgebildet sind. Die Schneidwerkzeuge 73, die in 2 und 3 gezeigt sind, werden als das Schneidwerkzeug verwendet.
  • Wenn der Einspann- bzw. der Ansaugtisch 61 in dem Elektrodenschneidbereich 26 angeordnet ist, ist bzw. wird das Schneidmittel 7 abgesenkt, während der Einspanntisch 61 und die drehbare Spindel 722 der Schneidmittel 7 zum Drehen veranlaßt werden. Als ein Ergebnis wird die Schneidklinge 732 des Schneidwerkzeugs 73, welche gemeinsam mit der Umdrehung der drehenden bzw. Drehspindel 722 gedreht wird, in Kontakt mit der Mehrzahl von Stifthöckern (Elektroden) 100 gebracht, die an der vorderen bzw. Vorderoberfläche des Halb leiterchips 10 ausgebildet sind, um die oberen Endabschnitte der Stifthöcker (Elektroden) 120 stufenweise bzw. zunehmend wegzuschneiden.
  • Die Beziehung zwischen dem Halbleiterchip 10, der auf dem Einspanntisch 61 gehalten ist, und des Schneidwerkzeugs 73 wird unter Bezugnahme auf 10 beschrieben.
  • Der Halbleiterchip 10 ist an einer Position angeordnet, wo die Schneidklinge 732 des Schneidwerkzeugs 73 den zentralen Abschnitt des Halbleiterchips 10 passiert. Der Ansaugtisch 61, d.h. der Halbleiterchip 10, wird in der Richtung, die durch den Pfeil angezeigt ist, mit einer Umdrehung von 10 Umdrehungen/min oder weniger gedreht wird und gleichzeitig das Schneidwerkzeug 73 veranlaßt wird, in der durch den Pfeil angezeigten Richtung mit einer Umdrehung von 3000 Umdrehungen/min oder mehr zu rotieren. Es werden nämlich der Halbleiterchip 10 und das Schneidwerkzeug 73 in derselben Richtung gedreht. Indem es dem Halbleiterchip 10 und dem Schneidwerkzeug 73 ermöglicht wird, wie oben beschrieben zu rotieren, wird die Vielzahl von Stifthöckern (Elektroden) 100, die an der vorderen Oberfläche des Halbleiterchips 10 ausgebildet sind, durch Schneiden an ihrem Endabschnitt weggeschnitten, wie dies in 11 gezeigt ist, um sie in der Höhe gleichmäßig zu machen. Daher ist bzw. wird die Vielzahl von Stifthöckern (Elektroden) 100 leicht in der Höhe gleichmäßig gemacht, ohne einen Kurzschluß zu verursachen.
  • Wenn das Schneidwerkzeug 76, das in 7 gezeigt ist, als das Schneidwerkzeug verwendet wird, wird, wenn das Schneidwerkzeug 76 festgelegt ist, der Schneidtisch 61 um einen Abstand entsprechend der Länge des Halbleiterchips 10 in der X-Richtung bewegt, während er zum Rotieren veranlaßt wird.
  • Zur Zeit der obigen Verarbeitung wird ionisierte Luft zu dem Halbleiterchip 10, der bearbeitet wird, von der Düse 9 ausgebracht bzw. ausgestoßen, die in der Seitenrichtung des Elektrodenschneidbereichs 26 installiert ist. Indem ionisierte Luft zu dem Halbleiterchip 10, der bearbeitet wird, ausgetragen wird, kann statische Elektrizität, die zum Zeitpunkt der Verarbeitung gebildet wird, entfernt werden und weiters wird ein Kühleffekt erhalten.
  • Nachdem die Vielzahl von Bumps bzw. Höckern (Elektroden) 100, die an der Vorderoberseite des Halbleiterchips 10 ausgebildet sind, geschnitten ist, werden die Schneidmittel 7 nach oben bewegt und die Umdrehung der drehenden Spindel 722 und die Umdrehung des Ansaugtischs 61 werden ausgesetzt. Danach wird der Ansaugtisch 61 in dem Halbleiterchip-Entnahme- bzw. -Austragsbereich 25 positioniert und das Saughalten des geschnittenen Halbleiterchips 10 auf dem Ansaugtisch 61 wird gelöst bzw. aufgehoben. Der Halbleiterchip 10, dessen Saughalten gelöst wurde, wird zu der Halbleiterchip-Empfangsposition in dem Arbeitsbereich des Chipmatrizen-Bondgeräts 4 durch die Halbleiterchip-Fördermittel 12 getragen. Bei dieser Gelegenheit wird der Halbleiterchip 10, dessen vordere Oberfläche durch die Hülse 121 der Halbleiterchip-Fördermittel 12 gehalten ist, durch den Dreharm 122 umgekehrt, der die Hülse 121 aufweist, welche auf der Supportwelle 124 um 180° gedreht wird, so daß die rückwärtige Oberfläche nach oben schaut.
  • Eines der Substrate 52, die in der Kassette 53 gespeichert sind, die auf dem Kassettenanordnungstisch 51 angeordnet ist, wird auf den Ansaugtisch 31 der Substrathaltemittel 3 während des obigen Verfahrens getragen. D.h. die Substratentnahmemittel 55 werden zu dem Kassettenanordnungstisch 51 bewegt, um das Substrat 52, das an einer vorbestimmten Position der Kassette 53 gespeichert ist, herauszuzwingen bzw. zu beaufschlagen und es zu der Oberseite der temporären Substratspeichermittel 54 zu tragen. Die temporären Substratspeichermittel 54, welche ein Gurt- bzw. Bandmechanismus sind, bewegen das Substrat 52 zu einer vorbestimmten Position. Dann werden die Substratfördermittel 56 aktiviert, um das Substrat 52 auf die temporären Substratspeichermittel 54 zu der Oberseite des Einspanntisches 31 der Substrathaltemittel 3 zu tragen. Das Substrat 52, das zu der Oberseite des Ansaugtisches 31 getragen wird, wird durch Saugen gehalten.
  • Nachdem der Halbleiterchip 10, dessen Bumps bzw. Höcker (Elektroden) 100, die an der Vorderoberfläche ausgebildet sind, geschnitten wurden, zu der Halbleiterchip-Empfangsposition in dem Arbeitsbereich des Chipmatrizen-Bondgeräts 4 durch die Halbleiterchip-Fördermittel 12, wie oben beschrieben, getragen wurde, wird das Chipmatrizen-Bondgerät 4 aktiviert, so daß die Hülse 411 die rückwärtige Oberfläche des Halbleiterchips 10 durch Ansaugen hält. Die Bond kopfbewegungsmittel 42 werden aktiviert, um den Halbleiterchip 10, der durch den Ring bzw. die Hülse 411 an einer vorbestimmten Position des Substrats 52 durch Saugen gehalten ist, das an dem Ansaugtisch 31 gehalten ist, um den Halbleiterchip 10 auf das Substrat 52 zu pressen und zu bonden. In diesem Bonden kann, da die Vielzahl von Höckern (Elektroden) 100, die an der vorderen Oberfläche des Halbleiterchips 10 ausgebildet sind, geschnitten wurde und in der Höhe gleichmäßig gemacht wurde, der Halbleiterchip 10 ohne Versagen bzw. Fehler gebondet werden. Da die Vielzahl von Bumps bzw. Kontakthügeln (Elektroden) 100 geschnitten ist und ihre bondenden Oberflächen aktiviert sind, kann der Halbleiterchip 10 ohne Versagen einfach durch Pressen desselben gegen die vorbestimmte Position des Substrats 52 gebondet werden.
  • Nachdem die obige Arbeitsweise wiederholt wird, um eine vorbestimmte Anzahl von Halbleiterchips 10 an das Substrat zu bonden, wird das Saughalten des Substrats 52 an dem Ansaugtisch 31 gelöst bzw. aufgehoben. Die Substratfördermittel 56 werden aktiviert, um das Substrat 52 auf den Ansaugtisch 31 zu der Oberseite der temporären Substratspeichermittel 54 zu tragen. Die temporären Substratspeichermittel 54 werden aktiviert, um das Substrat 52 zu dem Kassettenanordnungstisch 51 zu bewegen, um das Substrat 52 in die Kassette 53 an einer vorbestimmten Position einzusetzen. An diesem Punkt werden die Substratentnahmemittel 55 aktiviert, um das Substrat 52, das in die Kassette 53 eingesetzt ist, an der vorbestimmten Position zu halten und es an der vorbestimmten Speicherposition der Kassette 53 zu positionieren.
  • Das Flip-Chip-Bondgerät, das gemäß der vorliegenden Erfindung konstituiert bzw. ausgebildet ist, umfaßt einen Ansaug- bzw. Einspanntisch zum Halten eines Halbleiterchips, welcher zu einem Halbleiterchip-Aufnahmebereich, einem Halbleiterchip-Entnahmebereich und einem elektronischen Schneidbereich bewegt werden kann, Schneidmittel, die ein Schneidwerkzeug zum Schneiden einer Vielzahl von Elektroden aufweisen, die von der Vorderoberfläche des Halbleiterchips vorragen, der auf dem Ansaugtisch gehalten ist und in dem Elektrodenschneidbereich angeordnet ist, um sie in der Höhe zu vergleichmäßigen, Halbleiterchip-Aufnahmemittel zum Tragen des Halbleiterchips vor einem Bearbeiten zu dem Ansaugtisch, der in dem Halbleiterchip-Aufnahmebereich positioniert ist, und Halbleiterchip-Fördermittel zum Tragen des Halbleiterchips nach einem Bearbeiten auf dem Ansaugtisch, der in dem Halbleiterchip-Austragsbereich positioniert ist, zu dem Chipmatrizen-Bondgerät. Da die Endabschnitte der Elektroden, die von der Vorderoberfläche des Halbleiterchips vorragen, weggeschnitten sind, können die Elektroden leicht in der Höhe vergleichmäßigt bzw. einheitlich gemacht werden, ohne einen Kurzschluß zu bewirken. Folglich kann die Vielzahl von Höcker- bzw. Bump-Elektroden, die an der Vorderoberfläche des Halbleiterchips ausgebildet sind, an das Substrat ohne Versagen gebondet werden.

Claims (3)

  1. Flip-Chip-Bondgerät, umfassend Substrathaltemittel, die in einer Chipmatrizen- bzw. Chipplättchen-Bondfläche angeordnet sind, und ein Chipplättchen-Bondgerät zum Verbinden bzw. Bonden eines Halbleiterchips, der eine Mehrzahl von Elektroden von seiner vorderen Oberfläche vorragend aufweist, auf ein auf den Substrathaltemitteln gehaltenes Substrat, das zu implementieren ist, wobei das Flip-Chip-Bondgerät einen Ansaug- bzw. Einspanntisch zum Halten eines Halbleiterchips, welcher zu einem Halbleiterchip-Aufnahmebereich, einem Halbleiterchip-Entnahmebereich und einem Elektrodenschneidbereich bewegbar ist, Schneidmittel, die ein Schneidwerkzeug zum Schneiden der Mehrzahl von Elektroden aufweisen, die von der vorderen Oberfläche des Halbleiterchips vorragen, der auf dem Einspanntisch gehalten ist und in dem Elektrodenschneidbereich angeordnet sind, um sie in der Höhe zu vergleichmäßigen, Halbleiterchip-Aufnahmemittel zum Führen bzw. Tragen eines Halbleiterchips vor einem Bearbeiten auf dem Einspanntisch, der in dem Halbleiterchip-Aufnahmebereich angeordnet ist, und Halbleiterchip-Fördermittel zum Fördern bzw. Tragen eines Halbleiterchips nach einem Bearbeiten, welcher auf dem Einspanntisch gehalten ist, der in dem Halbleiterchip-Ausgabebereich angeordnet ist, zu dem Chipmatrizen-Bondgerät umfaßt.
  2. Flip-Chip-Bondgerät nach Anspruch 1, welches Bearbeitungsfluid-Zufuhrmittel zum Zuführen eines Be- bzw. Verarbeitungsfluids zu dem Halbleiterchip umfaßt, der auf dem Einspanntisch in dem Elektrodenschneidbereich gehalten ist.
  3. Flip-Chip-Bondgerät nach Anspruch 2, wobei die Bearbeitungsfluid-Zufuhrmittel ionisierte Luft zuführen.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319697A (ja) * 2003-04-15 2004-11-11 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物に形成された電極の加工装置
JP4153899B2 (ja) * 2004-05-25 2008-09-24 株式会社ディスコ 加工装置におけるチャックテーブルの加工方法
US7656810B2 (en) * 2005-03-25 2010-02-02 Microsoft Corporation System and method for monitoring and reacting to peer-to-peer network metrics
WO2006123478A1 (ja) * 2005-05-17 2006-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. フリップチップ実装方法とフリップチップ実装装置及びフリップチップ実装体
JP4767090B2 (ja) * 2006-05-31 2011-09-07 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7845543B1 (en) * 2009-11-17 2010-12-07 Asm Assembly Automation Ltd Apparatus and method for bonding multiple dice
JP2012240148A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Disco Corp バイト切削装置及び被加工物のバイト切削方法
AT512859B1 (de) * 2012-05-11 2018-06-15 Hanmi Semiconductor Co Ltd Halbleiterchip Wende- und Befestigungseinrichtung
TWI490956B (zh) * 2013-03-12 2015-07-01 Shinkawa Kk 覆晶接合器以及覆晶接合方法
US9093549B2 (en) * 2013-07-02 2015-07-28 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bond heads for thermocompression bonders, thermocompression bonders, and methods of operating the same
JP2016120569A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 株式会社ディスコ 加工装置
CN113560760B (zh) * 2021-08-06 2022-09-16 甫洛照明有限公司 一种用于照明灯具的led芯片引脚焊接装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3735911A (en) * 1971-04-30 1973-05-29 Ibm Integrated circuit chip repair tool
US3611061A (en) * 1971-07-07 1971-10-05 Motorola Inc Multiple lead integrated circuit device and frame member for the fabrication thereof
US4321738A (en) * 1979-05-07 1982-03-30 International Business Machines Corp. Apparatus and method for rework dressing of a chip site
US5060843A (en) * 1989-06-07 1991-10-29 Nec Corporation Process of forming bump on electrode of semiconductor chip and apparatus used therefor
US4976392A (en) * 1989-08-11 1990-12-11 Orthodyne Electronics Corporation Ultrasonic wire bonder wire formation and cutter system
US5263620A (en) * 1992-02-28 1993-11-23 International Business Machines Corporation Wirebond removal apparatus using alternating fluid stream
JP2707189B2 (ja) * 1992-08-26 1998-01-28 株式会社日立製作所 電子部品の基板からの取外し方法及び装置
KR0129119B1 (ko) * 1992-11-27 1998-04-07 모리시다 요이찌 반도체칩의 제거방법 및 제거장치
US5340011A (en) * 1992-12-09 1994-08-23 Lsi Logic Corporation Adjustable height work holder for bonding semiconductor dies
US5485949A (en) * 1993-04-30 1996-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary
KR100199293B1 (ko) * 1996-11-08 1999-06-15 윤종용 반도체 패키지 제조 장치
US6056191A (en) * 1998-04-30 2000-05-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for forming solder bumps
JP4249827B2 (ja) * 1998-12-04 2009-04-08 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
US6276588B1 (en) * 1999-04-20 2001-08-21 International Rectifier Corp. Insert-type cutting blade for ultrasonic bonding wire termination
US6267650B1 (en) * 1999-08-09 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for substantial planarization of solder bumps
JP2001053097A (ja) * 1999-08-10 2001-02-23 Matsushita Electric Works Ltd スタッドバンプ形成方法
US6244499B1 (en) * 1999-12-13 2001-06-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Structure of a ball bump for wire bonding and the formation thereof
US6537400B1 (en) * 2000-03-06 2003-03-25 Micron Technology, Inc. Automated method of attaching flip chip devices to a substrate
JP2002257829A (ja) 2001-02-27 2002-09-11 Advance Co Ltd 簡易体液検査ユニット
JP4711549B2 (ja) * 2001-06-27 2011-06-29 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US6719188B2 (en) * 2001-07-24 2004-04-13 International Business Machines Corporation Rework methods for lead BGA/CGA
US6698649B2 (en) * 2001-12-28 2004-03-02 Texas Instruments Incorporated Desolder apparatus

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Publication number Publication date
JP2004319699A (ja) 2004-11-11
SG117482A1 (en) 2005-12-29
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US7222772B2 (en) 2007-05-29
CN100378936C (zh) 2008-04-02

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