DE102019216551A1 - Waferherstellungsvorrichtung - Google Patents

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Kentaro Iizuka
Naoki Omiya
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Original Assignee
Disco Corp
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Abstract

Eine Waferherstellungsvorrichtung weist eine Ingotschleifeinheit, welche die obere Fläche eines Ingots schleift, um die obere Fläche zu planarisieren, eine Laserbestrahlungseinheit, die den Brennpunkt eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch den Ingot übertragbar ist, auf einer Tiefe von der oberen Fläche des Ingots aus positioniert, die mit der Dicke eines herzustellenden Wafers korrespondiert, und den Ingot mit dem Laserstrahl bestrahlt, um eine Trennschicht auszubilden, eine Wafertrenneinheit, die den Wafer von dem Ingot abtrennt, und eine Ablage auf, die einen Stützteil aufweist, der den abgetrennten Wafer unterstützt.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Waferherstellungsvorrichtung, die Wafer aus einem Ingot herstellt.
  • BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
  • Bauelemente, wie zum Beispiel ein integrierter Schaltkreis (IC), eine Large Scale Integration (LSI) und eine lichtemittierende Diode (LED), werden wie folgt ausgebildet. Insbesondere wird eine Funktionsschicht über eine Fläche eines Wafers gelegt, dessen Material Silizium (Si), Saphir (Al2O3) oder Ähnliches ist, und die Bauelemente werden auf so eine Weise basierend auf dieser Funktionsschicht ausgebildet, dass sie durch mehrere sich schneidende geplante Trennlinien markiert werden. Darüber hinaus werden ein Leistungsbauelement, eine LED usw. wie folgt ausgebildet. Insbesondere wird eine Funktionsschicht über eine Fläche eines Wafers gelegt, dessen Material Siliziumcarbid-Einkristall (SiC-Einkristall) ist, und diese Bauelemente werden auf so eine Weise auf Grundlage dieser Funktionsschicht ausgebildet, dass sie durch mehrere sich schneidende, geplante Trennlinien abgegrenzt werden. Der Wafer, über den Bauelemente ausgebildet worden sind, wird durch Ausführen einer Bearbeitung an den geplanten Trennlinien durch eine Schneidvorrichtung oder eine Laserbearbeitungsvorrichtung in einzelne Bauelementchips geteilt, und die jeweiligen geteilten Bauelementchips werden für Teile elektrischer Ausrüstung, wie zum Beispiel Mobiltelefonen und Personal Computer, verwendet.
  • Der Wafer, über den die Bauelemente auszubilden sind, wird im Allgemeinen durch dünnes Schneiden eines Ingots mit einer Kreissäulenform durch eine Drahtsäge hergestellt. Die vordere Fläche und hintere Fläche des geschnittenen Wafers werden durch Polieren zu Hochglanzflächen fertiggestellt (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent mit der Nummer 2000-94221). Wenn ein Ingot durch eine Drahtsäge geschnitten wird und die vordere Fläche und hintere Fläche des geschnittenen Wafers poliert werden, gibt es jedoch das Problem, dass der Großteil des Ingots (70% bis 80%) zu Ausschuss wird und dies unwirtschaftlich ist. Insbesondere im Fall eines hexagonalen SiC-Einkristallingots ist die Härte hoch und ein Schneiden durch die Drahtsäge ist schwierig und benötigt eine beachtliche Zeit. Daher ist die Produktivität niedrig. Zudem sind die Stückkosten des Ingots hoch und es ist eine Herausforderung, Wafer auf effiziente Weise herzustellen.
  • Aus diesem Grund wurde eine Technik vorgeschlagen, bei welcher der Brennpunkt eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch einen hexagonalen SiC-Einkristallingot übertragbar ist, im Inneren eines hexagonalen SiC-Einkristallingot positioniert wird, und der hexagonale SiC-Einkristallingot mit dem Laserstrahl bestrahlt wird, um auf einer vorgesehenen Schnittebene eine Trennschicht auszubilden, und ein Wafer wird entlang der vorgesehenen Schnittebene, bei welcher die Trennschicht ausgebildet worden ist, von dem hexagonalen SiC-Einkristallingot getrennt (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent mit der Nummer 2013-49161).
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Jedoch werden ein Schritt mit einem Ausbilden einer Trennschicht in einem Ingot, ein Schritt mit einem Trennen eines Wafers von dem Ingot und ein Schritt mit einem Schleifen der oberen Fläche des Ingots, um die obere Fläche zu planarisieren, mittels Arbeitskraft ausgeführt, sodass sich das Problem einer niedrigen Effizienz der Herstellung ergibt.
  • Folglich ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Waferherstellungsvorrichtung bereitzustellen, die automatisch Wafer aus einem Ingot herstellen kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Waferherstellungsvorrichtung bereitgestellt, die einen Wafer aus einem Ingot herstellt. Die Waferherstellungsvorrichtung schließt eine Ingotschleifeinheit mit einem ersten Haltetisch, der den Ingot hält, und einem Schleifmittel, das eine obere Fläche des durch den ersten Haltetisch gehaltenen Ingots schleift, um die obere Fläche zu planarisieren, eine Laserbestrahlungseinheit mit einem zweiten Haltetisch, der den Ingot hält, und einem Laserbestrahlungsmittel, das einen Brennpunkt eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch den Ingot übertragbar ist, auf einer Tiefe von der oberen Fläche des durch den zweiten Haltetisch gehaltenen Ingots positioniert, die mit einer Dicke eines herzustellenden Wafers korrespondiert, und den Ingot mit dem Laserstrahl bestrahlt, um eine Trennschicht auszubilden, und eine Wafertrenneinheit mit einem dritten Haltetisch, der den Ingot hält, und einem Wafertrennmittel, das die obere Fläche des durch den dritten Haltetisch gehaltenen Ingots hält und einen Wafer von der Trennschicht aus abtrennt, ein. Die Waferherstellungsvorrichtung schließt auch eine Ablage mit einem Ingotstützteil, der den Ingot unterstützt, und einem Waferstützteil, der den abgetrennten Wafer unterstützt, eine Förderbandeinheit, die den durch die Ablage unterstützten Ingot zwischen der Ingotschleifeinheit, der Laserbestrahlungseinheit und der Wafertrenneinheit befördert, eine Ingotlagereinrichtung, in welcher der durch die Ablage unterstützte Ingot aufgenommen wird, und eine Ingotzuliefereinheit ein, die der Förderbandeinheit den Ingot zuführt, der durch die Ablage unterstützt wird, welche in der Ingotlagereinrichtung aufgenommen wird.
  • Vorzugsweise schließt die Ingotlagereinrichtung einen Platziertisch, auf dem die den Ingot unterstützende Ablage platziert wird, ein erstes Endlosband, das in dem Platziertisch angeordnet ist und die den Ingot unterstützende Ablage herausführt, einen Antriebskraftübertragungsteil, der mit dem ersten Endlosband verbunden ist und eine Antriebskraft überträgt, und ein Gestell ein, in dem eine Vielzahl der Platziertische in vertikaler Richtung angeordnet sind, und die Ingotzuliefereinheit schließt einen Empfangstisch, der die den Ingot unterstützende Ablage von dem Platziertisch empfängt, ein zweites Endlosband, das in dem Empfangstisch angeordnet ist und der Förderbandeinheit die den Ingot unterstützende Ablage zuführt, einen Motor, der das zweite Endlosband antreibt, einen Kupplungsteil, der mit dem zweiten Endlosband verbunden ist und eine Antriebskraft an das Antriebskraftübertragungsteil überträgt, und einen Aufzug ein, der den Empfangstisch bei einem beliebigen der Vielzahl von Platziertischen positioniert, die in vertikaler Richtung angeordnet sind. Vorzugsweise schließt die Waferherstellungsvorrichtung ferner eine Kassettenlagereinrichtung, in der eine Vielzahl von Kassetten, welche die abgetrennten Wafer aufnehmen, aufgenommen werden, und ein Aufnahmemittel ein, das verursacht, dass der durch den Waferstützteil der Ablage unterstützte Wafer in der Kassette aufgenommen wird, die in der Kassettenlagereinrichtung aufgenommen wird.
  • In Übereinstimmung mit der Waferherstellungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung können eine Reihe von Arbeiten zum Herstellen der Wafer aus dem Ingot automatisch ausgeführt werden, und die Effizienz der Herstellung wird verbessert.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Waferherstellungsvorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht einer in 1 dargestellten Ingotschleifeinheit;
    • 3 ist eine vergrößerte perspektivische Teilansicht der in 2 dargestellten Ingotschleifeinheit;
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht einer in 1 dargestellten Laserbestrahlungseinheit;
    • 5 ist ein Blockschaubild des in 4 dargestellten Laserbestrahlungsmittels;
    • 6 ist eine perspektivische Ansicht einer in 1 dargestellten Wafertrenneinheit;
    • 7 ist eine Teilschnittansicht der in 6 dargestellten Wafertrenneinheit;
    • 8 ist eine perspektivische Ansicht einer in 1 dargestellten Ablage;
    • 9 ist eine perspektivische Teilansicht der in 1 dargestellten Waferherstellungsvorrichtung;
    • 10A ist eine perspektivische Ansicht eines Ablagestoppers in dem Zustand, in dem eine Anhebe-/Absenkplatte bei einer Durchgangsposition angeordnet ist;
    • 10B ist eine perspektivische Ansicht des Ablagestoppers in dem Zustand, in dem die Anhebe-/Absenkplatte bei einer Stoppposition angeordnet ist;
    • 10C ist eine perspektivische Ansicht des Ablagestoppers in dem Zustand, in dem die Anhebe-/Absenkplatte bei einer Trennposition angeordnet ist;
    • 11A ist eine Schnittansicht des Ablagestoppers usw., die mit dem in 10A dargestellten Zustand korrespondiert;
    • 11B ist eine Schnittansicht des Ablagestoppers usw., die mit dem in 10B dargestellten Zustand korrespondiert;
    • 11C ist eine Schnittansicht des Ablagestoppers usw., die mit dem in 10C dargestellten Zustand korrespondiert;
    • 12A ist eine perspektivische Ansicht eines Beförderungsmittels in dem Zustand, in dem eine Anhebe-/Absenkplatte bei einer angehobenen Position angeordnet ist;
    • 12B ist eine perspektivische Ansicht des Beförderungsmittels in dem Zustand, in dem die Anhebe-/Absenkplatte bei einer abgesenkten Position angeordnet ist;
    • 13 ist eine perspektivische Ansicht einer in 1 dargestellten Ingotlagereinrichtung;
    • 14 ist eine perspektivische Ansicht einer in 1 dargestellten Ingotzuliefereinheit;
    • 15 ist eine perspektivische Ansicht des Zustands, in dem die in 13 dargestellte Ingotlagereinrichtung und die in 14 dargestellte Ingotzuliefereinheit kombiniert sind;
    • 16 ist eine perspektivische Ansicht, die ein abgewandeltes Beispiel eines Kupplungsteils darstellt;
    • 17A ist eine Vorderansicht eines hexagonalen SiC-Einkristallingots;
    • 17B ist eine Draufsicht des hexagonalen SiC-Einkristallingots;
    • 17C ist eine perspektivische Ansicht des hexagonalen SiC-Einkristallingots;
    • 18 ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem der Ingot zu einem zweiten Haltetisch der Laserbestrahlungseinheit befördert wird;
    • 19A ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem ein Trennschichtausbildungsschritt ausgeführt wird;
    • 19B ist eine Vorderansicht, die den Zustand darstellt, in dem der Trennschichtausbildungsschritt ausgeführt wird;
    • 20A ist eine Draufsicht des Ingots, in dem eine Trennschicht ausgebildet ist;
    • 20B ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B in 20A;
    • 21A ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem ein Flüssigkeitsbad über einem dritten Haltetisch der Wafertrenneinheit angeordnet ist;
    • 21B ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem das untere Ende des Flüssigkeitsbads mit der oberen Fläche des dritten Haltetischs in Kontakt ist; und
    • 22 ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem ein Wafer durch die Wafertrenneinheit von dem Ingot getrennt wird.
  • AUSFÜHRLICHE ERLÄUTERUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Es wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen nachfolgend eine Waferherstellungsvorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben. Eine in 1 dargestellte Waferherstellungsvorrichtung 2 ist mindestens mit einer Ingotschleifeinheit 4, einer Laserbestrahlungseinheit 6, einer Wafertrenneinheit 8, einer Ablage 9 einschließlich eines Ingotstützteils, der einen Ingot unterstützt, und eines Waferstützteils, der einen getrennten Wafer unterstützt, einer Förderbandeinheit 10, die den durch die Ablage 9 unterstützten Ingot zwischen der Ingotschleifeinheit 4, der Laserbestrahlungseinheit 6 und der Wafertrenneinheit 8 befördert, einer Ingotlagereinrichtung 11, die den durch die Ablage 9 unterstützten Ingot aufnimmt, und einer Ingotzuliefereinheit 12 aufgebaut, die den durch die Ablage 9 unterstützten Ingot, der in der Ingotlagereinrichtung 11 aufgenommen ist, zu der Förderbandeinheit 10 führt.
  • Die Ingotschleifeinheit 4 wird unter Bezugnahme auf 2 beschrieben. Die Ingotschleifeinheit 4 ist zumindest mit einem ersten Haltetisch 14, der einen Ingot hält und eine Kreisform aufweist, und einem Schleifmittel 16 aufgebaut, das die obere Fläche eines durch den ersten Haltetisch 14 gehaltenen Ingots schleift, um die obere Fläche zu planarisieren bzw. zu ebnen. Die Ingotschleifeinheit 4 der vorliegenden Ausführungsform schließt eine Basis 18 mit einer rechtwinkligen Quaderform und einen kreisförmigen Drehtisch 20 ein, der an der oberen Fläche der Basis 18 drehbar montiert ist. Der Drehtisch 20 wird durch einen nicht dargestellten Motor für den Drehtisch, der in der Basis 18 eingebaut ist, gedreht, und zwar mit dem Rotationsmittelpunkt als Achslinie, die in der radialen Richtung durch den Mittelpunkt des Drehtischs 20 hindurchgeht und sich in einer Z-Achsenrichtung erstreckt. Darüber hinaus ist bei der vorliegenden Ausführungsform ein Paar erste Haltetische 14 drehbar an der oberen Fläche des Drehtischs 20 montiert und ist mit einer Punktsymmetrie angeordnet, und zwar mit dem Symmetriepunkt als Mittelpunkt des Drehtischs 20 in der radialen Richtung (Rotationsmittelpunkt). Die ersten Haltetische 14 werden abwechselnd bei einer Schleifposition, bei welcher durch das Schleifmittel 16 eine Schleifbearbeitung ausgeführt wird (hintere Position in 2) und einer Ingotanbring-/Ingotabnahmeposition zum Anbringen/Abnehmen eines Ingots (vordere Position in 2) durch Drehen des Drehtischs 20 positioniert.
  • Der erste Haltetisch 14 wird durch einen nicht dargestellten Motor für den ersten Haltetisch, der an der unteren Fläche des Drehtischs 20 montiert ist, gedreht, wobei der Rotationsmittelpunkt eine Achslinie ist, die durch den in der radialen Richtung Mittelpunkt des ersten Haltetischs 14 hindurchgeht und sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt. Darüber hinaus ist eine poröse Saughafteinspannung 22, die mit einem nicht dargestellten Saugmittel verbunden ist, an der oberen Fläche des ersten Haltetischs 14 angeordnet. Bei dem ersten Haltetisch 14 wird ein an der oberen Fläche der Saughafteinspannung 22 platzierter Ingot durch Erzeugen einer Saugkraft für die obere Fläche der Saughafteinspannung 22 durch das Saugmittel angesaugt und gehalten. Die Z-Achsenrichtung ist die Oben-Unten-Richtung, die in 2 durch einen Pfeil Z dargestellt wird. Darüber hinaus ist eine X-Achsenrichtung, die in 2 durch einen Pfeil X dargestellt wird, eine Richtung senkrecht zu der Z-Achsenrichtung, und eine Y-Achsenrichtung, die in 2 durch einen Pfeil Y dargestellt wird, ist eine Richtung senkrecht zu der X-Achsenrichtung und der Z-Achsenrichtung. Die durch die X-Achsenrichtung und die Y-Achsenrichtung definierte Ebene ist im Wesentlichen horizontal.
  • Wie in 2 dargestellt, schließt das Schleifmittel 16 der Ingotschleifeinheit 4 bei der vorliegenden Ausführungsform einen torförmigen Stützrahmen 24 ein, der an der oberen Fläche der Basis 18 montiert ist. Der Stützrahmen 24 weist ein Paar Stützsäulen 26, die sich von der oberen Fläche der Basis 18 über einen Abstand in der Y-Achsenrichtung nach oben erstreckt, und einen Träger 28 auf, der sich zwischen den oberen Enden der Stützsäulen 26 spannt und sich in der Y-Achsenrichtung erstreckt. Ein Spindelgehäuse 30 wird durch das Paar Stützsäulen 26 mittels einem Paar Verbindungsstücke 32 in der Z-Achsenrichtung bewegbar unterstützt (aufwärts und abwärts bewegbar). Ein Paar Motoren 34 zum Anheben und Absenken, um das Spindelgehäuse 30 dazu zu bringen, sich in der Z-Achsenrichtung zu bewegen (sich aufwärts und abwärts zu bewegen), ist an der oberen Fläche des Trägers 28 montiert. Der Motor 34 zum Anheben und Absenken ist mit einem einzelnen Endteil einer nicht dargestellten Kugelspindel verbunden, die sich im Inneren der Stützsäule 26 in der Z-Achsenrichtung erstreckt, und ein nicht dargestellter Mutternteil der Kugelspindel ist an dem Verbindungsstück 32 befestigt. Darüber hinaus wird eine Rotationsbewegung des Motors 34 zum Anheben und Absenken durch die Kugelspindel in eine lineare Bewegung umgewandelt und zu dem Verbindungsstück 32 übertragen, wodurch das Spindelgehäuse 30 angehoben und abgesenkt wird.
  • Eine Spindel 36 (siehe 3) wird durch das Spindelgehäuse 30 um eine Achslinie drehbar unterstützt, die sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt, und diese Spindel 36 wird durch einen nicht dargestellten Motor für die Spindel, der in das Spindelgehäuse 30 eingebaut ist, um die Achslinie gedreht, die sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt. Eine Radhalterung 38 mit einer Kreisscheibenform ist an dem unteren Ende der Spindel 36 befestigt, und ein ringförmiges Schleifrad 42 ist durch Bolzen 40 an der unteren Fläche der Radhalterung 38 befestigt. An dem äußeren Umfangskantenteil der unteren Fläche des Schleifrads 42 sind mehrere Schleifmittel 44 auf die Weise eines Rings mit Abständen in der Umfangsrichtung befestigt angeordnet. Wenn der erste Haltetisch 14 bei der Schleifposition positioniert ist, wird der Rotationsmittelpunkt des Schleifrads 42, wie in 3 dargestellt, in Bezug auf den Rotationsmittelpunkt des ersten Haltetischs 14 auf so eine Weise versetzt, dass die Schleifmittel 44 durch den Rotationsmittelpunkt des ersten Haltetischs 14 hindurchgehen. Aus diesem Grund kann bei dem Schleifmittel 16 die gesamte obere Fläche eines Ingots durch Schleifen mittels der Schleifmittel 44 durch in Kontakt Bringen der oberen Fläche des durch den ersten Haltetisch 14 gehaltenen Ingots mit den Schleifmitteln 44 während eines gemeinsamen Drehens des ersten Haltetischs 14 und des Schleifrads 42 planarisiert werden.
  • Die Laserbestrahlungseinheit 6 wird unter Bezugnahme auf die 1 bis 4 beschrieben. Wie in 1 dargestellt, ist die benachbart zu der Ingotschleifeinheit 4 angeordnete Laserbestrahlungseinheit 6 zumindest mit einem zweiten Haltetisch 60, der einen Ingot hält und eine Kreisform aufweist, und einem Laserbestrahlungsmittel 62 aufgebaut, das den Brennpunkt eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch den Ingot übertragen wird, auf einer Tiefe von der oberen Fläche des durch den zweiten Haltetisch 60 gehaltenen Ingots aus positioniert wird, die mit der Dicke des herzustellenden Wafers korrespondiert, und den Ingot mit dem Laserstrahl bestrahlt, um eine Trennschicht auszubilden.
  • Wie in 4 dargestellt, schließt die Laserbestrahlungseinheit 6 bei der vorliegenden Ausführungsform eine Basis 64 mit einer rechtwinkligen Quaderform ein, und eine Montageaussparung 64a, die nach unten ausgespart und sich in der X-Achsenrichtung erstreckt, ist in der oberen Fläche dieser Basis 64 ausgebildet. Darüber hinaus ist der zweite Haltetisch 60 bei der vorliegenden Ausführungsform in der Montageaussparung 64a der Basis 64 in der X-Achsenrichtung bewegbar und um eine Achslinie drehbar montiert, die sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt. Darüber hinaus ist die Basis 64 mit einem nicht dargestellten X-Achsen-Zuführmittel ausgestattet, das den zweiten Haltetisch 60 in der X-Achsenrichtung entlang der Montageaussparung 64a bewegt, und einem nicht dargestellten Motor für den zweiten Haltetisch ausgestattet, der den zweiten Haltetisch 60 um eine Achslinie dreht, die in der radialen Richtung durch den Mittelpunkt des zweiten Haltetischs 60 verläuft und sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt. Es reicht zum Beispiel für das X-Achsen-Zuführmittel aus, ein Aufbau zu sein, der eine Kugelspindel, welche mit dem zweiten Haltetisch 60 verbunden ist und sich in der X-Achsenrichtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der diese Kugelspindel dreht. Der Motor für den zweiten Haltetisch wird durch das X-Achsen-Zuführmittel zusammen mit dem zweiten Haltetisch 60 in der X-Achsenrichtung bewegt. Selbst wenn der zweite Haltetisch 60 durch das X-Achsen-Zuführmittel in der X-Achsenrichtung bewegt wird, dreht der Motor für den zweiten Haltetisch daher den zweiten Haltetisch 60. Zudem ist eine mit einem nicht dargestellten Saugmittel verbundene poröse Saughafteinspannung 66 an der oberen Fläche des zweiten Haltetischs 60 angeordnet. Bei dem zweiten Haltetisch 60 wird ein Ingot, der an der oberen Fläche der Saughafteinspannung 66 platziert ist, durch Erzeugen einer Saugkraft für die obere Fläche der Saughafteinspannung 66 durch das Saugmittel angesaugt und gehalten.
  • Wie in 4 dargestellt, schließt das Laserbestrahlungsmittel 62 der Laserbestrahlungseinheit 6 einen torförmigen Stützrahmen 68, der an der oberen Fläche der Basis 64 montiert ist, ein Gehäuse 70, das im Inneren des Stützrahmens 68 unterstützt wird, ein nicht dargestelltes in der Y-Achsenrichtung bewegbares Element, das an der unteren Endseite des Gehäuses 70 in der Y-Achsenrichtung bewegbar montiert ist, und ein nicht dargestelltes Y-Achsen-Zuführmittel ein, welches das in Y-Achsenrichtung bewegbare Element in der Y-Achsenrichtung bewegt. Es reicht zum Beispiel für das Y-Achsen-Zuführmittel aus, ein Aufbau zu sein, der eine Kugelspindel, welche mit dem in Y-Achsenrichtung bewegbaren Elements verbunden ist und sich in der Y-Achsenrichtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der diese Kugelspindel dreht.
  • Bezugnehmend auf 5 in Verbindung mit 4 schließt das Laserbestrahlungsmittel 62 ferner einen Laseroszillator 72 (siehe 5), der in dem Gehäuse 70 eingebaut ist, einen Lichtkollektor oder einen Kondensor 74 (siehe 4 und 5), der an der unteren Endseite des in Y-Achsenrichtung bewegbaren Elements nach oben und unten bewegbar montiert ist, ein Ausrichtungsmittel 76 (siehe 4), das an der unteren Endseite des in Y-Achsenrichtung bewegbaren Elements in der Y-Achsenrichtung in einem Abstand von dem Lichtkollektor 74 montiert ist, und ein nicht dargestelltes Brennpunktpositionseinstellmittel ein, das den Lichtkollektor 74 anhebt und absenkt, um die Position in der Z-Achsenrichtung in Bezug auf den Brennpunkt eines gepulsten Laserstrahls LB einzustellen, der durch den Lichtkollektor 74 gebündelt wird. Der Laseroszillator 72 oszilliert einen gepulsten Laser mit so einer Wellenlänge, die durch den Ingot übertragen wird, und der gepulste Laserstrahl LB wird von dem Laseroszillator 72 emittiert. Der Lichtkollektor 74 weist eine nicht dargestellte Sammellinse auf, die den von dem Laseroszillator 72 emittierten gepulsten Laserstrahl LB bündelt. Das Ausrichtungsmittel 76 bildet den durch den zweiten Haltetisch 60 gehaltenen Ingot ab und erfasst den Bereich, der einer Laserbearbeitung auszusetzen ist. Es reicht zum Beispiel für das Brennpunktpositionseinstellmittel aus, ein Aufbau zu sein, der eine Kugelspindel, die mit dem Lichtkollektor 74 verbunden ist und sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der diese Kugelspindel dreht.
  • Wie in 5 dargestellt, sind die folgenden Spiegel in dem Gehäuse 70 verbaut: ein erster Spiegel 78, der mit einem Abstand von dem Laseroszillator 72 in der X-Achsenrichtung angeordnet ist und den von dem Laseroszillator 72 emittierten gepulsten Laserstrahl LB reflektiert, mit der optischen Achse entlang der X-Achsenrichtung eingerichtet, um die Richtung der optischen Achse in die Y-Achsenrichtung zu ändern; und ein nicht dargestellter zweiter Spiegel, der über dem Lichtkollektor 74 mit einem Abstand von dem ersten Spiegel 78 in der Y-Achsenrichtung angeordnet ist und die Richtung des optischen Pfads des gepulsten Laserstrahls LB, der durch den ersten Spiegel 78 reflektiert wurde, von der Y-Achsenrichtung zu der Z-Achsenrichtung ändert, um den gepulsten Laserstrahl LB zu dem Lichtkollektor 74 zu führen.
  • Der zweite Spiegel ist an dem in Y-Achsenrichtung bewegbaren Elements montiert und bewegt sich zusammen mit dem Lichtkollektor 74 und dem Ausrichtungsmittel 76 in der Y-Achsenrichtung, wenn das in Y-Achsenrichtung bewegbaren Elements durch das Y-Achsen-Zuführmittel bewegt wird. Darüber hinaus wird der von dem Laseroszillator 72 emittierte gepulste Laserstrahl LB mit dem optischen Pfad entlang der X-Achsenrichtung eingestellt, durch den ersten Spiegel 78 einer Änderung der Richtung des optischen Pfads von der X-Achsenrichtung zu der Y-Achsenrichtung ausgesetzt und zu dem zweiten Spiegel geführt. Nachfolgend wird die Richtung des optischen Pfads durch den zweiten Spiegel von der Y-Achsenrichtung zu der Z-Achsenrichtung geändert, und der gepulste Laserstrahl LB wird zu dem Lichtkollektor 74 geführt. Dann wird der gepulste Laserstrahl LB durch die Sammellinse des Lichtkollektors 74 gebündelt und auf den durch den zweiten Haltetisch 60 gehaltenen Ingot aufgebracht. Selbst wenn der Lichtkollektor 74 durch eine Bewegung des in Y-Achsenrichtung bewegbaren Elements durch das Y-Achsen-Zuführmittel in der Y-Achsenrichtung bewegt wird und selbst wenn der Lichtkollektor 74 durch das Brennpunktpositionseinstellmittel angehoben oder abgesenkt wird, wird darüber hinaus der gepulste Laserstrahl LB, der von dem Laseroszillator 72 parallel zu der X-Achsenrichtung emittiert wird, durch den ersten Spiegel 78 einer Änderung der Richtung des optischen Pfads von der X-Achsenrichtung zu der Y-Achsenrichtung ausgesetzt und wird zu dem zweiten Spiegel geführt, und der gepulste Laserstrahl LB, der zu dem zweiten Spiegel geführt wird, wird durch den zweiten Spiegel einer Änderung der Richtung des optischen Pfads von der Y-Achsenrichtung zu der Z-Achsenrichtung ausgesetzt und wird zu dem Lichtkollektor 74 geführt.
  • Darüber hinaus wird der durch den zweiten Haltetisch 60 gehaltene Ingot bei dem Laserbestrahlungsmittel 62 durch das Ausrichtungsmittel 76 abgebildet bzw. aufgenommen, und der einer Laserbearbeitung auszusetzende Bereich wird erfasst. Dann wird der Lichtkollektor 74 durch das Brennpunktpositionseinstellmittel angehoben und abgesenkt, und der Brennpunkt des gepulsten Laserstrahl LB mit so einer Wellenlänge, die durch den Ingot übertragen wird, wird auf einer Tiefe von der oberen Fläche des durch den zweiten Haltetisch 60 gehaltenen Ingots aus positioniert, die mit der Dicke des herzustellenden Wafers korrespondiert. Danach wird der durch den zweiten Haltetisch 60 gehaltene Ingot mit dem gepulsten Laserstrahl LB bestrahlt, während der Lichtkollektor 74 durch das Y-Achsen-Zuführmittel auf angemessene Weise in der Y-Achsenrichtung bewegt wird. Dadurch kann eine Trennschicht, bei welcher die Festigkeit verringert ist, im Inneren des Ingots ausgebildet werden. Wenn der durch den zweiten Haltetisch 60 gehaltene Ingot mit dem gepulsten Laserstrahl LB bestrahlt wird, kann der zweite Haltetisch 60 durch das X-Achsen-Zuführmittel in der X-Achsenrichtung bewegt werden.
  • Die Wafertrenneinheit 8 wird unter Bezugnahme auf die 1 und 6 beschrieben. Wie in 1 dargestellt, ist die neben der Laserbestrahlungseinheit 6 angeordnete Wafertrenneinheit 8 mit zumindest einem dritten Haltetisch 80, der einen Ingot hält und eine Kreisform aufweist, und einem Wafertrennmittel 82 aufgebaut, das die obere Fläche des durch den dritten Haltetisch 80 gehaltenen Ingots hält und von einer Trennschicht aus einen Wafer abtrennt.
  • Wie in 6 dargestellt, schließt die Wafertrenneinheit 8 bei der vorliegenden Ausführungsform eine Basis 84 mit einer rechtwinkligen Quaderform ein, und eine Montageaussparung 84a, die nach unten ausgespart ist und sich in der X-Achsenrichtung erstreckt, ist in der oberen Fläche dieser Basis 84 ausgebildet. Darüber hinaus ist der dritte Haltetisch 80 bei der vorliegenden Ausführungsform in der Montageaussparung 84a der Basis 84 in der X-Achsenrichtung bewegbar montiert. Zudem ist die Basis 84 mit einem nicht dargestellten X-Achsen-Zuführmittel ausgestattet, das den dritten Haltetisch 80 entlang der Montageaussparung 84a in der X-Achsenrichtung bewegt. Es reicht zum Beispiel für das X-Achsen-Zuführmittel aus, ein Aufbau zu sein, der eine Kugelspindel, die mit dem dritten Haltetisch 80 verbunden ist und sich in der X-Achsenrichtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der diese Kugelspindel dreht. Außerdem ist eine poröse Saugkrafteinspannung 86, die mit einem nicht dargestellten Saugmittel verbunden ist, auf der oberen Fläche des dritten Haltetischs 80 angeordnet. Bei dem dritten Haltetisch 80 wird ein Ingot, der auf der oberen Fläche der Saughafteinspannung 86 platziert ist, durch Erzeugen einer Saugkraft für die obere Fläche der Saughafteinspannung 86 durch das Saugmittel angesaugt und gehalten.
  • Wie in 6 dargestellt, schließt das Wafertrennmittel 82 der Wafertrenneinheit 8 einen torförmigen Stützrahmen 88, der an der oberen Fläche der Basis 84 montiert ist, ein Gehäuse 90, das im Inneren des Stützrahmens 88 unterstützt ist, einen Arm 92, der sich in der X-Achsenrichtung nach oben und nach unten bewegbar von einem durch das Gehäuse 90 unterstützten Basisendteil erstreckt, und ein nicht dargestelltes Armbewegungsmittel ein, das den Arm 92 anhebt und absenkt. Es reicht zum Beispiel für das Armbewegungsmittel aus, ein Aufbau zu sein, der eine Kugelspindel, die mit dem Basisendteil des Arms 92 verbunden ist und sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der diese Kugelspindel dreht.
  • Die Beschreibung über das Wafertrennmittel 82 wird mit einer Bezugnahme auf die 7 in Zusammenschau mit 6 fortgeführt. Wie in 6 und 7 dargestellt, ist ein Flüssigkeitsbad 94 an dem vorderen Teil des Arms 92 befestigt, das in Zusammenarbeit mit dem dritten Haltetisch 80 eine Flüssigkeit enthält, wenn ein Wafer von einem Ingot getrennt wird. Das Flüssigkeitsbad 94 weist eine kreisförmige obere Wand 96 und eine Schürzenwand 98 auf, die von der Umfangskante der oberen Wand 96 aus abfällt und eine Kreiszylinderform aufweist, und deren untere Endseite offen ist. Der Außendurchmesser der Schürzenwand 98 ist gleich wie oder kleiner als der Durchmesser des dritten Haltetischs 80 eingerichtet, und das untere Ende der Schürzenwand 98 kommt mit der oberen Fläche des dritten Haltetischs 80 in Kontakt, wenn der Arm 92 abgesenkt wird. Ein Flüssigkeitszuführteil 100, der die Außenseite und die Innenseite des Flüssigkeitsbads 94 miteinander kommunizieren lässt und eine Kreiszylinderform aufweist, ist an der oberen Wand 96 vorgesehen, und das Flüssigkeitszuführteil 100 ist mit einem nicht dargestellten Flüssigkeitszuführmittel verbunden. Wie in 7 dargestellt, ist eine ringförmige Dichtung 102 an dem unteren Ende der Schürzenwand 98 angebracht. Wenn der Arm 92 durch das Armbewegungsmittel abgesenkt wird, um das untere Ende der Schürzenwand 98 mit der oberen Fläche des dritten Haltetischs 80 in engen Kontakt zu bringen, wird darüber hinaus ein Flüssigkeitsgehäuseraum 104 durch die obere Fläche des dritten Haltetischs 80 und die innere Fläche des Flüssigkeitsbads 94 definiert. Eine von dem Flüssigkeitszuführmittel zu dem Flüssigkeitsaufnahmeraum 104 durch das Flüssigkeitszuführteil 100 zugeführte Flüssigkeit 106 wird durch die Dichtung 102 von einem Auslaufen aus dem Flüssigkeitsaufnahmeraum 104 abgehalten.
  • Wie in 7 dargestellt, wird ein Luftzylinder 108 an der oberen Wand 96 des Flüssigkeitsbads 94 montiert, und ein Zylinderrohr 108a des Luftzylinders 108 erstreckt sich von der oberen Fläche der oberen Wand 96 nach oben. Ein unterer Endteil einer Kolbenstange 108b des Luftzylinders 108 gelangt durch eine Durchgangsöffnung 96a der oberen Wand 96 und steht zu der unteren Seite der oberen Wand 96 hervor. Ein Ultraschallschwingungserzeugungselement 110, das aus piezoelektrischen Keramiken oder Ähnlichem ausgebildet sein kann, ist an dem unteren Endteil der Kolbenstange 108b befestigt, und ein Saughaftstück 112 ist an der unteren Fläche des Ultraschallschwingungserzeugungselements 110 befestigt. Das Saughaftstück 112, das mehrere nicht dargestellte Sauglöcher in der unteren Fläche ausgebildet aufweist, ist mit einem nicht dargestellten Saugmittel verbunden. Durch Erzeugen einer Saugkraft für die untere Fläche des Saughaftstücks 112 durch das Saugmittel, saugt das Saughaftstück 112 einen Ingot an und hält diesen.
  • Darüber hinaus wird der Arm 92 bei dem Wafertrennmittel 82 durch das Armbewegungsmittel abgesenkt und das untere Ende der Schürzenwand 98 wird mit der oberen Fläche des dritten Haltetischs 80 in engen Kontakt gebracht, die einen Ingot hält, in dem eine Trennschicht ausgebildet worden ist. Zudem wird die Kolbenstange 108b des Luftzylinders 108 abgesenkt, und das Saughaftstück 112 wird dazu gebracht, durch einen Unterdruck an der oberen Fläche des Ingots anzuhaften. Danach wird die Flüssigkeit 106 in dem Flüssigkeitsaufnahmeraum 104 aufgenommen, und dann wird das Ultraschallschwingungserzeugungselement 110 betätigt, um eine Ultraschallschwingung auf den Ingot aufzubringen. Dadurch kann die Festigkeit der Trennschicht weiter abgesenkt werden. Darüber hinaus kann bei dem Wafertrennmittel 82 ein Wafer durch Anheben des Saughaftstücks 112 durch den Luftzylinder 108 in dem Zustand, in dem die obere Fläche des Ingots dazu gebracht wird, an dem Saughaftstück 112 durch einen Unterdruck anzuhaften, durch Verwendung der Trennschicht, deren Festigkeit weiter verringert worden ist, als Ausgangspunkt von dem Ingot getrennt werden.
  • Die Ablage 9 wird unter Bezugnahme auf 8 beschrieben. Die Ablage 9 der vorliegenden Ausführungsform ist mit einer rechtwinkligen oberen Wand 113, einer rechtwinkligen unteren Wand 114, die unter der oberen Wand 113 angeordnet ist, einem Paar rechtwinkliger Seitenwände 115, welche die obere Wand 113 und die untere Wand 114 koppeln, und einem Hohlraum 116 aufgebaut, der zwischen dem Paar Seitenwänden 115 verläuft. Die Ablage 9 weist einen Ingotstützteil 117, der einen Ingot unterstützt, in der oberen Fläche der oberen Wand 113 auf und weist einen Waferstützteil 118 auf, der einen abgetrennten Wafer in der oberen Fläche der unteren Wand 114 unterstützt.
  • Der Ingotstützteil 117 der vorliegenden Ausführungsform weist einen Aussparungsteil 119 auf, der mit Ingots zweier oder mehrerer Größen korrespondiert. Der Aussparungsteil 119 weist einen ringförmigen Aussparungsteil größeren Durchmessers 119a, der von der oberen Fläche der oberen Wand 113 nach unten ausgespart ist, und einen kreisförmigen Aussparungsteil kleineren Durchmessers 119b auf, der einen kleineren Durchmesser als der Aussparungsteil größeren Durchmessers 119a aufweist und relativ zu dem Aussparungsteil größeren Durchmessers 119a weiter nach unten ausgespart ist. Der Aussparungsteil größeren Durchmessers 119a und der Aussparungsteil kleineren Durchmessers 119b sind konzentrisch ausgebildet. Darüber hinaus wird in der Ablage 9 ein Ingot mit einem vergleichsweise großen Durchmesser (zum Beispiel einem Durchmesser von 6 Inch) durch den Aussparungsteil größeren Durchmessers 119a unterstützt, und ein Ingot mit einem vergleichsweise kleinen Durchmesser (zum Beispiel einem Durchmesser von 5 Inch) wird durch den Aussparungsteil kleineren Durchmessers 119b unterstützt.
  • Auch wenn eine detaillierte schematische Wiedergabe weggelassen wurde, weist der Waferstützteil 118 einen Aussparungsteil 120 auf, der mit Wafern zweier oder mehrerer Größen korrespondiert. Der Aufbau des Aussparungsteils 120 des Waferstützteils 118 kann ein Aufbau sein, der einen ringförmigen Aussparungsteil größeren Durchmessers, der von der oberen Fläche der unteren Wand 114 nach unten ausgespart ist, und einen kreisförmigen Aussparungsteil kleineren Durchmessers aufweist, der einen kleineren Durchmesser als der Aussparungsteil größeren Durchmessers aufweist und relativ zu dem Aussparungsteil größeren Durchmessers ähnlich wie bei dem Aufbau des Aussparungsteils 119 des Ingotstützteils 117 weiter nach unten ausgespart ist. Der Aussparungsteil größeren Durchmessers und der Aussparungsteil kleineren Durchmessers des Waferstützteils 118 können konzentrisch ausgebildet sein. Darüber hinaus wird bei der Ablage 9 ein Wafer mit einem vergleichsweise großen Durchmesser (zum Beispiel einem Durchmesser von 6 Inch) durch den Aussparungsteil größeren Durchmessers des Waferstützteils 118 unterstützt, und ein Wafer mit einem vergleichsweise kleinen Durchmesser (zum Beispiel einem Durchmesser von 5 Inch) wird durch den Aussparungsteil kleineren Durchmessers des Waferstützteils 118 unterstützt. Im Gegensatz zu der vorliegenden Ausführungsform kann die Ablage 9 einen Aufbau aufweisen, der den Waferstützteil in der oberen Fläche der oberen Wand 113 aufweist und den Ingotstützteil in der oberen Fläche der unteren Wand 114 aufweist.
  • Die Förderbandeinheit 10 wird unter Bezugnahme auf 9 beschrieben. Die Förderbandeinheit 10, die entlang der Ingotschleifeinheit 4, der Laserbestrahlungseinheit 6 und der Wafertrenneinheit 8 angeordnet ist, ist zumindest mit einem vorwärtslaufenden Förderband 121, das die Ablage 9 in der durch einen Pfeil Y1 in 9 wiedergegebenen Richtung Y1 befördert, einem rückwärtslaufenden Förderband 122, das die Ablage 9 in der durch einen Pfeil Y2 in 9 wiedergegebenen Richtung Y2 (zu Y1 entgegengesetzte Richtung) befördert, und einem Beförderungsmittel 123 aufgebaut, das die Ablage 9 von dem Endpunkt des vorwärtslaufenden Förderbands 121 zu dem Startpunkt des rückwärtslaufenden Förderbands 122 befördert.
  • Das vorwärtslaufende Förderband 121 schließt ein Paar Stützwände 125, die sich in der Y-Achsenrichtung erstrecken, mit einer innen liegenden Vielzahl von Rollen oder Walzen 126 in der X-Achsenrichtung, die drehbar an der inneren Fläche jeder Stützwand 125 mit Abständen in der Y-Achsenrichtung montiert sind, ein Paar Endlosbänder 127, die um die Walzen 126 gewickelt sind, und einen Motor 128 ein, der die Walzen 126 dreht. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind drei vorwärtslaufende Förderbänder 121 entlang der Y-Achsenrichtung angeordnet. Jedoch kann die Länge des Beförderungspfads der Ablage 9 durch Verändern der Anzahl von vorwärtslaufenden Förderbändern 121 und die Länge der Stützwände 125 in der Y-Achsenrichtung auf angemessene Weise verändert werden. Darüber hinaus wird die Ablage 9 bei dem vorwärtslaufenden Förderband 121, die an den Endlosbändern 127 angebracht ist, durch Drehen der Endlosbänder 127 über den Motor 128 durch die Walzen 126 in der Richtung Y1 befördert.
  • Wie in 9 dargestellt, kann der Aufbau des rückwärtslaufenden Förderbands 122, das unter dem vorwärtslaufenden Förderband 121 angeordnet ist, bei der vorliegenden Ausführungsform im Wesentlichen der gleiche sein, wie der Aufbau des vorwärtslaufenden Förderbands 121. Folglich wurden dem Aufbau des rückwärtslaufenden Förderbands 122 die gleichen Bezugszeichen gegeben wie dem Aufbau des vorwärtslaufenden Förderbands 121. Außerdem wird die an den Endlosbändern 127 angebrachte Ablage 9 bei dem rückwärtslaufenden Förderband 122 durch Drehen der Endlosbänder 127 durch den Motor 128 über die Walzen 126 in der entgegengesetzten Richtung zu dem vorwärtslaufenden Förderband 121 in der Richtung Y2 befördert. Das rückwärtslaufende Förderband 122 kann über dem vorwärtslaufenden Förderband 121 angeordnet sein. Außerdem wird bevorzugt, dass sowohl das vorwärtslaufende Förderband 121 als auch das rückwärtslaufende Förderband 122 immer laufen, wenn die Waferherstellungsvorrichtung 2 läuft.
  • Wie in 9 dargestellt, ist ein Ablagestopper 129, der die Ablage 9 anhält, welche durch das vorwärtslaufende Förderband 121 befördert wird, bei sowohl einer der Ingotschleifeinheit 4 gegenüberliegenden Position als auch einer der Laserbestrahlungseinheit 6 gegenüberliegenden Position bei dem vorwärtslaufenden Förderband 121 angeordnet. Wie in 10 dargestellt, schließt der Ablagestopper 129 bei der vorliegenden Ausführungsform ein Substrat 130, das durch eine nicht dargestellte geeignete Klammer befestigt ist, eine Anhebe-/Absenkplatte 131, die nach oben und unten bewegbar durch die obere Fläche des Substrats 130 unterstützt wird, ein Zylindermittel 132, das die Anhebe-/Absenkplatte 131 anhebt und absenkt, und ein Stopperstück 133 ein, das auf der in der Richtung Y1 nachgelagerten Seite an dem Endteil der Anhebe-/Absenkplatte 131 befestigt ist.
  • Wie in den 10A bis 10C dargestellt, sind an der oberen Fläche der Anhebe-/Absenkplatte 131 ein Paar Eingriffsvorsprünge 131a ausgebildet, die mit einem Paar nicht dargestellter Eingriffsaussparungen in Eingriff gehen, die in der unteren Fläche der unteren Wand 114 der Ablage 9 ausgebildet sind. Wie in den 10A bis 11C dargestellt, positioniert das Zylindermittel 132, das luftbetrieben oder elektrisch betrieben ist, die Anhebe-/Absenkplatte 131 bei den folgenden Positionen: eine Durchgangsposition (zum Beispiel die in den 10A und 11A dargestellte Position), bei welche das obere Ende des Stopperstücks 133 relativ zu dem unteren Ende der Ablage 9, die durch das vorwärtslaufende Förderband 121 befördert wird, an der unteren Seite angeordnet ist; eine Stoppposition (zum Beispiel die in den 10B und 11B dargestellte Position), bei der das Stopperstück 133 mit der Ablage 9 in Kontakt kommt, die durch das vorwärtslaufende Förderband 121 befördert wird; und eine Trennposition (zum Beispiel die in den 10C und 11C dargestellte Position), über welche die Ablage 9 von den Endlosbändern 127 getrennt wird.
  • Außerdem wird bei dem Ablagestopper 129 das Passieren der Ablage 9 über dem Ablagestopper 129 durch Positionieren der Anhebe-/Absenkplatte 131 bei der Durchgangsposition (siehe 11A) zugelassen, und die Ablage 9, die durch das vorwärtslaufende Förderband 121 befördert wird, kann durch Positionieren der Anhebe-/Absenkplatte 131 bei der Stoppposition auf der relativ zu der Durchgangsposition oberen Seite (siehe 11B) angehalten werden. Darüber hinaus wird bei dem Ablagestopper 129 durch Positionieren der Anhebe-/Absenkplatte 131 bei der Trennposition auf der relativ zu der Stoppposition oberen Seite dagegen vorgebeugt, dass die Last an dem Motor 128 des vorwärtslaufenden Förderbands 121 aufgrund einer Verschiebung zwischen der unteren Fläche der angehaltenen Ablage 9 und den oberen Flächen der Endlosbänder 127 ansteigt (siehe 11C). Zudem wird gegen einen Positionsversatz der Ablage 9 bei der Anhebe-/Absenkplatte 131 vorgebeugt, wenn die Eingriffsvorsprünge 131a der Anhebe-/Absenkplatte 131 bei der Stoppposition oder der Trennposition mit den Eingriffsaussparungen der Ablage 9 in Eingriff gehen.
  • Das Beförderungsmittel 123 wird unter Bezugnahme auf die 9, 12A und 12B beschrieben. Das Beförderungsmittel 123, das neben dem Endpunkt des vorwärtslaufenden Förderbands 121 und dem Startpunkt des rückwärtslaufenden Förderbands 122 angeordnet ist, schließt eine Stützwand 134, die sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt, eine Anhebe-/Absenkplatte 135, die auf- und abbewegbar durch die Stützwand 134 unterstützt wird, ein Anhebe-/Absenkmittel 136, das die Anhebe-/Absenkplatte 135 anhebt und absenkt, eine in Y-Achsenrichtung bewegbare Platte 137, die durch die obere Fläche der in der Y-Achsenrichtung bewegbaren Anhebe-/Absenkplatte 135 unterstützt wird, ein Y-nicht dargestelltes Achsen-Zuführmittel, das die in Y-Achsenrichtung bewegbare Platte 137 in der Y-Achsenrichtung bewegt, und ein Stopperstück 138 ein, das an dem Endteil der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 auf der in der Richtung Y1 nachgelagerten Seite befestigt ist.
  • Das Anhebe-/Absenkmittel 136 weist eine Kugelspindel 139, die mit der Anhebe-/Absenkplatte 135 verbunden ist und sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt, und einen Motor 140 auf, der die Kugelspindel 139 dreht. Das Anhebe-/Absenkmittel 136 hebt die Anhebe-/Absenkplatte 135 in der Z-Achsenrichtung entlang von Führungsschienen 134a der Stützwand 134 an und senkt diese ab und stoppt die Anhebe-/Absenkplatte 135 bei einer beliebigen Position zwischen einer in 12A dargestellten angehobenen Position und einer in 12B dargestellten abgesenkten Position. An der oberen Fläche der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 ist ein Paar Eingriffsvorsprünge 137a ausgebildet, das mit dem oben beschriebenen Paar von Eingriffsaussparungen der Ablage 9 in Eingriff geht. Das Y-Achsen-Zuführmittel ist beispielsweise mit einem Luftzylinder oder einem elektrischen Zylinder ausgebildet und bewegt die in Y-Achsenrichtung bewegbare Platte 137 in der Y-Achsenrichtung entlang von Führungsschienen 135a der Anhebe-/Absenkplatte 135 zwischen einer vorgeschobenen Position, die in den 12A und 12B durch eine strichdoppelpunktierte Linie dargestellt wird, und einer zurückgezogenen Position, die in den 12A und 12B durch durchgezogene Linien dargestellt wird.
  • Durch Positionieren der oberen Fläche der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 auf der relativ zu den oberen Flächen der Endlosbänder 127 des vorwärtslaufenden Förderbands 121 etwas tieferen bzw. unteren Seite und durch Positionieren der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 bei der ausgefahrenen Position, kann das Stopperstück 138 bei dem Beförderungsmittel 123 darüber hinaus mit der Ablage 9 in Kontakt gebracht werden, die durch das vorwärtslaufende Förderband 121 befördert wird, und die Ablage 9 kann bei dem Endpunkt des vorwärtslaufenden Förderbands 121 angehalten werden (bei der vorliegenden Ausführungsform auch die der Wafertrenneinheit 8 gegenüberliegenden Position). Darüber hinaus kann durch Anheben der Anhebe-/Absenkplatte 135 in dem Zustand, in dem die Ablage 9 steht bzw. angehalten worden ist, die untere Fläche der Ablage 9 von den oberen Flächen der Endlosbänder 127 getrennt werden, und die Ablage 9 kann an der oberen Fläche der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 angebracht werden. Wenn die Ablage 9 an der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 angebracht ist, stehen die Eingriffsvorsprünge 137a der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 mit den Eingriffsaussparungen der Ablage 9 im Eingriff, und einem Positionsversatz der Ablage 9 bei der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 wird vorgebeugt. Darüber hinaus ist die in Y-Achsenrichtung bewegbare Platte 137, an welcher die Ablage 9 angebracht ist, bei der zurückgezogenen Position positioniert und die Anhebe-/Absenkplatte 135 wird nachfolgend abgesenkt, bis die obere Fläche der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 auf der relativ zu der oberen Fläche der Endlosbänder 127 des rückwärtslaufenden Förderbands 122 etwas oberen bzw. darüber liegenden Seite angeordnet ist. Nachfolgend wird die in Y-Achsenrichtung bewegbare Platte 137 bei der vorgeschobenen Position bzw. Vorschubposition positioniert, und dann wird die Anhebe-/Absenkplatte 135 leicht abgesenkt. Dadurch kann die Ablage 9 von der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 zu den Endlosbändern 127 des rückwärtslaufenden Förderbands 122 überführt werden. Auf diese Weise befördert das Beförderungsmittel 123 die Ablage 9 von dem Endpunkt des vorwärtslaufenden Förderbands 121 zu dem Startpunkt des rückwärtslaufenden Förderbands 122.
  • Wie in 9 dargestellt, schließt die Förderbandeinheit 10 bei der vorliegenden Ausführungsform ferner ein erstes Transfermittel 141, das einen Ingot zwischen der Ablage 9, die durch den Ablagestopper 129 auf der Startpunktseite des in Vorwärtsrichtung laufenden Förderbands 121 angehalten worden ist, und der Ingotschleifeinheit 4 überführt, ein zweites Transfermittel 142, das einen Ingot zwischen der Ablage 9, die durch den Ablagestopper 129 auf der Endpunktseite des in Vorwärtsrichtung laufenden Förderbands 121 angehalten worden ist, und der Laserbestrahlungseinheit 6 überführt, und ein drittes Transfermittel 143 ein, das einen Ingot zwischen der Ablage 9, die durch das Beförderungsmittel 123 angehalten worden ist, und der Wafertrenneinheit 8 überführt und einen Wafer zu der Ablage 9 überführt, der durch die Wafertrenneinheit 8 von einem Ingot getrennt worden ist.
  • Der Aufbau des zweiten Transfermittels 142 und der Aufbau des dritten Transfermittels 143 kann der gleiche sein, wie der Aufbau des ersten Transfermittels 141. Daher wird nachfolgend der Aufbau des ersten Transfermittels 141 beschrieben, während eine Beschreibung über den Aufbau des zweiten Transfermittels 142 und den Aufbau des dritten Transfermittels 143 weggelassen wird. Das erste Transfermittel 141 schließt einen mehrgelenkigen Arm 144, eine nicht dargestellte Antriebsquelle, die den mehrgelenkigen Arm 144 antreibt, und ein Saughaftstück 145 ein, das an dem Ende des mehrgelenkigen Arms 144 angebracht ist. Die Antriebsquelle, die mit einer Luftantriebsquelle oder einer elektrischen Antriebsquelle ausgebildet ist, treibt den mehrgelenkigen Arm 144 an, um das Saughaftstück 145 bei einer beliebigen Position in jeder Richtung der X-Achsenrichtung, der Y-Achsenrichtung und der Z-Achsenrichtung zu positionieren und das Saughaftstück 145 umzudrehen bzw. auf den Kopf zu stellen. Das Saughaftstück 145, das mehrere Sauglöcher (nicht dargestellt) in einer einzelnen Fläche ausgebildet aufweist, ist mit einem nicht dargestellten Saugmittel verbunden. Bei dem ersten Transfermittel 141 wird ein Ingot über das Saughaftstück 145 durch Erzeugen einer Saugkraft für das Saughaftstück 145 durch das Saugmittel angesaugt und gehalten. Außerdem wird bei dem ersten Transfermittel 141 der Ingot, der dazu gebracht worden ist, durch einen Unterdruck an dem Saughaftstück 145 anzuhaften, durch Antreiben des mehrgelenkigen Arms 144 mittels der Antriebsquelle zwischen der Ablage 9, die durch den Ablagestopper 129 angehalten worden ist, und der Ingotschleifeinheit 4 überführt.
  • Die Ingotlagereinrichtung 11 wird unter Bezugnahme auf 13 beschrieben. Die Ingotlagereinrichtung 11 der vorliegenden Ausführungsform ist zumindest mit Platziertischen 146, auf denen die Ablage 9 platziert wird, die einen Ingot unterstützt, erste Endlosbänder 148, die in den Platzierungstischen 146 angeordnet sind und die Ablage 9, die einen Ingot unterstützt herausführen, Antriebskraftübertragungsteile 150, die mit den ersten Endlosbändern 148 verbunden sind und eine Antriebskraft übertragen, und einem Gestell 152 aufgebaut, bei dem mehrere Platzierungstische 146 in vertikaler Richtung angeordnet sind.
  • Wie in 13 dargestellt, ist eine rechtwinklige Öffnung 154, die sich in der Y-Achsenrichtung erstreckt, in der oberen Fläche des Platziertischs 146 mit einer rechtwinkligen Form ausgebildet, und mehrere nicht dargestellte Walzen sind drehbar an dem Platziertisch 146 angebracht. Das erste Endlosband 148 ist um die mehreren Walzen des Platziertischs 146 gewickelt, und die obere Fläche des ersten Endlosbands 148 ist durch die rechtwinklige Öffnung 154 exponiert. Außerdem ist das Antriebskraftübertragungsteil 150, das sich in der X-Achsenrichtung erstreckt und eine Kreiszylinderform aufweist, drehbar an dem Platziertisch 146 angebracht. Ein Endteil des Antriebskraftübertragungsteils 150 steht von einer Seitenfläche an einer Endseite des Platziertischs 146 in der Y-Achsenrichtung hervor, und das andere Endteil des Antriebskraftübertragungsteils 150 ist mit der Walze verbunden, um die das erste Endlosband 148 gewickelt ist. Das Gestell 152 der vorliegenden Ausführungsform schließt ein Paar Seitenplatten 156, die mit einem Abstand in der X-Achsenrichtung angeordnet sind, und vier Regalbretter 158 ein, die mit Abständen in der Aufwärts-Abwärts-Richtung zwischen den Seitenplatten 156 angeordnet sind, und ein Platziertisch 146 ist auf jedem Regalbrett 158 angeordnet. Wenn das Antriebskraftübertragungsteil 150 bei der Ingotlagereinrichtung 11 gedreht wird, dreht sich darüber hinaus das erste Endlosband 148, und die Ablage 9, die auf der oberen Fläche des Platziertischs 146 platziert ist, wird durch das erste Endlosband 148 in der Y-Achsenrichtung herausgeführt. Die Walze des Platziertischs 146 kann mit einem kreiszylindrischen Element und doppelt als das Antriebskraftübertragungsteil 150 ausgebildet sein.
  • Die Ingotzuliefereinheit 12 wird unter Bezugnahme auf 1 und 14 beschrieben. Wie in 1 dargestellt, ist die Ingotzuliefereinheit 12 zwischen der Förderbandeinheit 10 und der Ingotlagereinrichtung 11 angeordnet. Außerdem ist die Ingotzuliefereinheit 12 der vorliegenden Ausführungsform, wie in 14 dargestellt, zumindest mit einem Empfangstisch 160, der die Ablage 9 von dem Platziertisch 146 empfängt, die einen Ingot unterstützt, einem zweiten Endlosband 162, das die Ablage 9, die auf dem Empfangstisch 160 angeordnet ist und einen Ingot unterstützt, der Förderbandeinheit 10 zuführt, einem Motor 164, der das zweite Endlosband 162 antreibt, einem Kupplungsteil 166, der mit dem zweiten Endlosband 162 verbunden ist und eine Antriebskraft an das Antriebskraftübertragungsteil 150 der Ingotlagereinrichtung 11 überträgt, und einem Aufzug 168 aufgebaut, der den Empfangstisch 160 bei einem der Vielzahl von Platziertischen 146 positioniert, die in vertikaler Richtung angeordnet sind.
  • Wie in 14 dargestellt, ist ein Paar rechtwinkliger Öffnungen 170, die sich in der Y-Achsenrichtung mittels eines Abstands in der X-Achsenrichtung erstrecken, in der oberen Fläche des Empfangstischs 160 mit einer rechtwinkligen Form ausgebildet, und mehrere nicht dargestellte Walzen sind drehbar an dem Empfangstisch 160 angebracht. Die zweiten Endlosbänder 162 sind um mehrere Walzen des Empfangstischs 160 gewickelt, und die oberen Flächen der zweiten Endlosbänder 162 sind durch die rechtwinkligen Öffnungen 170 exponiert. Außerdem ist ein Antriebskraftübertragungsteil 172, das sich in der X-Achsenrichtung erstreckt und eine Kreiszylinderform aufweist, in der Y-Achsenrichtung drehbar an einer Endseite des Empfangstischs 160 angebracht. Ein Endteil des Antriebskraftübertragungsteils 172 steht von einer Seitenfläche des Empfangstischs 160 hervor, und das andere Endteil des Antriebskraftübertragungsteils 172 ist mit der Walze verbunden, um die das zweite Endlosband 162 gewickelt ist. Der Motor 164 ist an der Seitenfläche des Empfangstischs 160 auf der anderen Endseite in der Y-Achsenrichtung angebracht, und eine nicht dargestellte Welle des Motors 164 ist mit der Walze verbunden, um die das zweite Endlosband 162 gewickelt ist. Die Walze des Empfangstischs 160 kann mit einem kreiszylindrischen Element und doppelt als Antriebskraftübertragungsteil 172 ausgebildet sein.
  • Es wird die Beschreibung unter Bezugnahme auf 14 fortgesetzt. Der Kupplungsteil 166 weist einen Luftzylinder 174 mit einem Zylinderrohr 174a an dem Empfangstisch 160 befestigt und einer Kolbenstange 174b an dem Zylinderrohr 174a in der X-Achsenrichtung nach vorne und nach hinten bewegbar montiert, ein Klammerstück 176, das an dem Ende der Kolbenstange 174b des Luftzylinders 174 befestigt ist, ein Paar sich verjüngende bzw. konische Stifte 178, die mit einem Abstand in der Y-Achsenrichtung an dem Klammerstück 176 drehbar montiert sind, und einen Endlosantriebsriemen 180 auf, der um das Paar sich verjüngende Stifte 178 gewickelt ist. Außerdem schließt der Aufzug 168 ein Substrat 182, eine Stützplatte 184, die sich von einem Endteil des Substrats 182 in der X-Achsenrichtung in der Z-Achsenrichtung erstreckt, eine Anhebe-/Absenkplatte 186, die durch die Stützplatte 184 nach oben und nach unten bewegbar unterstützt wird, und ein Anhebe-/Absenkmittel 188 ein, das die Anhebe-/Absenkplatte 186 anhebt und absenkt. Der Empfangstisch 160 ist auf der oberen Fläche der Anhebe-/Absenkplatte 186 angeordnet. Das Anhebe-/Absenkmittel 188 weist eine nicht dargestellte Kugelspindel, die mit der Anhebe-/Absenkplatte 186 verbunden ist und sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt, und einen Motor 190 auf, der diese Kugelspindel dreht. Das Anhebe-/Absenkmittel 188 hebt die Anhebe-/Absenkplatte 186 in der Z-Achsenrichtung entlang von Führungsschienen 184a der Stützplatte 184 an und senkt diese ab und hält die Anhebe-/Absenkplatte 186 bei einer beliebigen Position an.
  • Bezugnehmend auf 15 wird bei der Ingotzuliefereinheit 12 die Anhebe-/Absenkplatte 186 des Aufzugs 168 angehoben und abgesenkt, und die Anhebe-/Absenkplatte 186 wird bei einer Position angehalten, bei welcher die obere Fläche des beliebigen Platziertischs 146 der Ingotlagereinrichtung 11 und die obere Fläche des Empfangstischs 160 auf der gleichen Höhe angeordnet sind. Danach wird die Kolbenstange 174b des Luftzylinders 174 des Kupplungsteils 166 von einer in 15 dargestellten ausgefahrenen Position zu einer eingefahrenen Position bewegt. Aufgrund dessen wird einer des Paars sich verjüngender Stifte 178 des Kupplungsteils 166 in das Antriebskraftübertragungsteil 150 der Ingotlagereinrichtung 11 eingeführt und wird so verbunden, dass er imstande ist, eine Drehung zu übertragen. Zudem wird der andere des Paars sich verjüngender Stifte 178 in das Antriebskraftübertragungsteil 172 der Ingotzuliefereinheit 12 eingeführt und wird auf so eine Weise verbunden, dass er imstande ist, eine Drehung zu übertragen. Wenn sich der Motor 164 in diesem Zustand dreht, drehen sich die zweiten Endlosbänder 162. Zudem dreht sich das erste Endlosband 148 der Ingotlagereinrichtung 11 durch eine Drehung des Antriebskraftübertragungsteils 172, des Paars sich verjüngender Stifte 178 und des Antriebsriemens 180 der Ingotzuliefereinheit 12 und des Antriebskraftübertragungsteils 150 der Ingotlagereinrichtung 11. Dadurch wird die Ablage 9, die auf der oberen Fläche des Platziertischs 146 der Ingotlagereinrichtung 11 platziert ist, in der Y-Achsenrichtung durch das erste Endlosband 148 herausgeführt und wird dem Empfangstisch 160 der Ingotzuliefereinheit 12 zugeführt.
  • Außerdem hält die Ingotzuliefereinheit 12 die Drehung des Motors 164 nach Aufnahme der Ablage 9 durch den Empfangstisch 160 an und bewegt die Kolbenstange 174b des Luftzylinders 174 des Kupplungsteils 166 von der eingefahrenen Position zu der ausgefahrenen Position. Dies gibt die Verbindung zwischen dem einen des Paars sich verjüngender Stifte 178 und dem Antriebskraftübertragungsteil 150 der Ingotlagereinrichtung 11 frei und gibt die Verbindung zwischen dem anderen des Paars sich verjüngender Stifte 178 und dem Antriebskraftübertragungsteil 172 der Ingotzuliefereinheit 12 frei. Dann stellt die Ingotzuliefereinheit 12 die obere Fläche des Empfangstischs 160, auf dem die Ablage 9 platziert ist, durch Anheben und Absenken der Anhebe-/Absenkplatte 186 mittels des Aufzugs 168 wie erforderlich auf die gleiche Höhe ein wie die obere Fläche der Endlosbänder 127 des vorwärtslaufenden Förderbands 121 der Förderbandeinheit 10 ein und dreht dann den Motor 164. Dadurch drehen sich die zweiten Endlosbänder 162, und die Ablage 9, die auf der oberen Fläche des Empfangstischs 160 platziert ist, wird dem vorwärtslaufenden Förderband 121 der Förderbandeinheit 10 zugeführt. Auf diese Weise führt die Ingotzuliefereinheit 12 den Ingot, der durch die in der Ingotlagereinrichtung 11 aufgenommenen Ablage 9 unterstützt wird, der Förderbandeinheit 10 zu.
  • Der Antriebskraftübertragungsteil 150 der Ingotlagereinrichtung 11 und der Antriebskraftübertragungsteil 172 und der Kupplungsteil 166 der Ingotzuliefereinheit 12 sind nicht auf die oben beschriebene Ausführungsform beschränkt und können zum Beispiel eine andere Ausführungsform, wie die in 16 dargestellte, aufweisen. Bei der in 16 dargestellten anderen Ausführungsform sind anstelle des Paars sich verjüngender Stifte 178 des oben beschriebenen Kupplungsteils 166 eine Welle 192, die mit der Walze des Empfangstischs 160 verbunden ist, und ein Antriebsmagnetelement 194 drehbar an einem Klammerstück 176 angebracht. Darüber hinaus ist ein Antriebsmagnetelement 196 als Antriebskraftübertragungsteil an der Walze des Platziertischs 146 angebracht.
  • Nachdem die Anhebe-/Absenkplatte 186 zu einer Position bewegt worden ist, bei welcher die obere Fläche des beliebigen Platziertischs 146 der Ingotlagereinrichtung 11 und die obere Fläche des Empfangstischs 160 auf der gleichen Höhe angeordnet sind, wird darüber hinaus eine Drehung des Motors 164 bei der in 16 dargestellten anderen Ausführungsform zu dem ersten Endlosband 148 des Platziertischs 146 über eine Magnetkupplung übertragen, die mit dem Antriebsmagnetelement 194 und dem Antriebsmagnetelement 196 ausgebildet wird. Da die oben beschriebene Magnetkupplung kontaktfrei sein kann (ein Spalt kann zwischen dem Antriebsmagnetelement 194 und dem Antriebsmagnetelement 196 vorgesehen sein), ist bei der in 16 dargestellten anderen Ausführungsform kein Luftzylinder 174 zum Bewegen des Klammerstücks 176 in der X-Achsenrichtung notwendig.
  • Bezugnehmend auf 1 und 9 schließt die Waferherstellungsvorrichtung 2 der vorliegenden Ausführungsform ferner eine Kassettenlagereinrichtung 2, in welcher eine Vielzahl von Kassetten 198, die abgetrennte Wafer aufnehmen, aufgenommen werden, und ein Aufnahmemittel 202 ein, das verursacht, dass ein durch das Waferstützteil 118 der Ablage 9 unterstützter Wafer in der Kassette 198 aufgenommen wird, die in der Kassettenlagereinrichtung 200 aufgenommen ist.
  • Wie in 1 dargestellt, weist die Kassettenlagereinrichtung 200 insgesamt 16 Kassettenaufnahmeteile 204 an vier Säulen in der X-Achsenrichtung und vier Bühnen in der Z-Achsenrichtung auf. In jedem Kassettenaufnahmeteil 204 ist eine Kassette 198, die von einem Ingot in der Wafertrenneinheit 8 abgetrennte Wafer aufnimmt, aufgenommen. Die Kassette 198 kann mehrere (zum Beispiel 25) Wafer mit Abständen in der Aufwärts-Abwärts-Richtung aufnehmen. Darüber hinaus wird jedes Kassettenaufnahmeteil 204 bei der Kassettenlagereinrichtung 200 in der Y-Achsenrichtung aufgenommen. Die Kassette 198 kann in der von der Y-Achsenrichtung in 1 aus vorderen Seite in jedem Kassettenaufnahmeteil 204 aufgenommen werden, und ein Wafer kann von der in Y-Achsenrichtung in 1 hinteren Seite aus in dem Kassettenaufnahmeteil 204 aufgenommen werden.
  • Wie in 9 dargestellt, ist das Aufnahmemittel 202 neben der Ingotzuliefereinheit 12 und der Kassettenlagereinrichtung 200 angeordnet. Das Aufnahmemittel 202 schließt eine Stützwand 206, ein in X-Achsenrichtung bewegbares Element 208, das durch die Stützwand 206 in der X-Achsenrichtung bewegbar unterstützt wird, ein X-Achsen-Zuführmittel 210, welches das in X-Achsenrichtung bewegbare Element 208 in der X-Achsenrichtung bewegt, einen Anhebe-/Absenkblock 212, der durch das in X-Achsenrichtung bewegbare Element 208 nach oben und nach unten bewegbar unterstützt wird, ein Anhebe-/Absenkmittel 214, das den Anhebe-/Absenkblock 212 anhebt und absenkt, einen mehrgelenkigen Arm 216, der durch den Anhebe-/Absenkblock 212 unterstützt wird, ein Haltestück 218, das auf so eine Weise an dem Ende des mehrgelenkigen Arms 216 angebracht ist, dass es imstande ist, umgedreht (auf den Kopf gestellt) zu werden, und eine nicht dargestellte Antriebsquelle ein, die den mehrgelenkigen Arm 216 antreibt.
  • Die Beschreibung wird unter Bezugnahme auf 9 fortgesetzt. Das durch die Stützwand 206 unterstützte X-Achsen-Zuführmittel 210 weist eine Kugelspindel 220, die einen an dem in X-Achsenrichtung bewegbaren Element 208 einen Mutterteil 220a befestigt aufweist und sich in der X-Achsenrichtung erstreckt, und einen Motor 222 auf, der die Kugelspindel 220 dreht und das in X-Achsenrichtung bewegbare Element 208 in der X-Achsenrichtung entlang einer Führungsschiene 206a der Stützwand 206 bewegt. Das Anhebe-/Absenkmittel 214, das durch das in X-Achsenrichtung bewegbare Element 208 unterstützt wird, weist eine Kugelspindel 224, die mit dem Anhebe-/Absenkblock 212 verbunden ist und sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt, und einen Motor 226 auf, der die Kugelspindel 224 dreht und den Anhebe-/Absenkblock 212 entlang von Führungsschienen 208a des in X-Achsenrichtung bewegbaren Elements 208 anhebt und absenkt. Die mit einer Luftantriebsquelle oder elektrischen Antriebsquelle ausgebildete Antriebsquelle treibt den mehrgelenkigen Arm 216 an, um das Haltestück 218 bei einer beliebigen Position in sowohl der X-Achsenrichtung, der Y-Achsenrichtung und der Z-Achsenrichtung zu positionieren und das Haltestück 218 umzudrehen bzw. auf den Kopf zu stellen. Das Haltestück 218, das mehrere nicht dargestellte Sauglöcher in einer einzigen Fläche ausgebildet aufweist, ist mit einem nicht dargestellten Saugmittel verbunden.
  • Außerdem kann bei dem Aufnahmemittel 202 durch Ausrichten der Sauglöcher des Haltestücks 218 nach unten und Erzeugen einer Saugkraft für das Haltestück 218 durch das Saugmittel ein durch den Waferstützteil 118 der Ablage 9 unterstützter Wafer durch das Haltestück 218 angesaugt und gehalten werden, und der durch das Haltestück 218 gehaltene Wafer kann in der Kassette 198 aufgenommen werden, die in der Kassettenlagereinrichtung 200 aufgenommen wird.
  • In den 17A bis 17C wird ein Ingot 230 dargestellt, für den eine Bearbeitung durch die Waferherstellungsvorrichtung 2 ausgeführt werden kann. Der Ingot 230 ist mit einer Kreissäulenform als Ganzes aus einem hexagonalen SiC-Einkristall ausgebildet und weist eine erste Fläche 232 mit einer Kreisform, eine zweite Fläche 234 mit einer Kreisform auf der der ersten Fläche 232 entgegengesetzten Seite, eine Umfangsfläche 236, die zwischen der ersten Fläche 232 und der zweiten Fläche 234 angeordnet ist, die c-Achse (<0001>-Richtung), welche die zweite Fläche 234 von der ersten Fläche 232 aus erreicht, und die c-Ebene ({0001}-Ebene) senkrecht zu der c-Achse auf.
  • Bei dem Ingot 230 ist die c-Achse in Bezug auf eine Senkrechte 238 zu der ersten Fläche 232 geneigt, und ein Abweichungswinkel α (zum Beispiel α gleich 1°, 3° oder 6°) wird durch die c-Ebene und die erste Fläche 232 ausgebildet. Die Richtung, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, wird in den 17A bis 17C durch einen Pfeil A dargestellt. Außerdem sind in der Umfangsfläche 236 des Ingots 230 eine erste Ausrichtungsebene 240 und eine zweite Ausrichtungsebene 242 ausgebildet, welche die Kristallausrichtung darstellen und eine rechtwinklige Form aufweisen. Die erste Ausrichtungsebene 240 ist parallel zu der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, und die zweite Ausrichtungsebene 240 ist senkrecht zu der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist. Wie in 17B dargestellt, ist eine Länge L2 der zweiten Ausrichtungsebene 242 von oben gesehen kürzer als eine Länge L1 der ersten Ausrichtungsebene 240 (L2<L1) .
  • Der Ingot, für den die Bearbeitung durch die Waferherstellungsvorrichtung 2 ausgeführt werden kann, ist nicht auf den oben beschriebenen Ingot 230 beschränkt und kann zum Beispiel ein hexagonaler SiC-Einkristallingot sein, bei dem die c-Achse in Bezug auf die Senkrechte zu der ersten Fläche nicht geneigt ist und der Abweichungswinkel zwischen der c-Ebene und der ersten Fläche 0° ist (das heißt, dass die Senkrechte zu der ersten Fläche der c-Achse entspricht) oder kann ein Ingot sein kann, der aus einem anderen Material als SiC-Einkristall ausgebildet ist, wie zum Beispiel Galliumnitrid (GaN).
  • Wenn ein Wafer durch die oben beschriebene Waferherstellungsvorrichtung 2 aus dem Ingot 230 hergestellt wird, wird als erstes ein Ingotaufnahmeschritt ausgeführt, der verursacht, dass der Ingot 230 in der Ingotlagereinrichtung 11 aufgenommen wird. Bei dem Ingotaufnahmeschritt der vorliegenden Ausführungsform werden als erstes vier Ingots 230 vorbereitet und die Ingotstützteile 117 von vier Ablagen 9 werden dazu gebracht, die vier Ingots 230, wie in 1 dargestellt, zu unterstützen. Nachfolgend werden die jeweiligen Ablagen 9, welche die Ingots 230 unterstützen, auf den jeweiligen Platziertischen 146 der Ingotlagereinrichtung 11 platziert, um aufgenommen zu werden.
  • Nachdem der Ingotaufnahmeschritt ausgeführt worden ist, wird als erstes ein Beförderungsschritt mit einem Befördern des Ingots 230 von der Ingotlagereinrichtung 11 zu der Laserbestrahlungseinheit 6 durch die Ingotzuliefereinheit 12 und die Förderbandeinheit 10 ausgeführt. Bei dem Ingot 230 werden die Endflächen (erste Fläche 232 und zweite Fläche 234) normalerweise zu so einem Ausmaß planarisiert, dass sie den Einfall eines Laserstrahls bei einem später beschriebenen Trennschichtausbildungsschritt nicht behindern. Daher wird bei der vorliegenden Ausführungsform ein Beispiel beschrieben, bei dem der Ingot 230 während des ersten Beförderungsschritts von der Ingotlagereinrichtung 11 zu der Laserbestrahlungseinheit 6 befördert wird. Wenn die Endflächen des Ingots 230 jedoch nicht zu so einem Ausmaß planarisiert worden sind, dass sie den Einfall des Laserstrahls bei dem Trennschichtausbildungsschritt nicht behindern, kann der Ingot 230 während des ersten Beförderungsschritts von der Ingotlagereinrichtung 11 zu der Ingotschleifeinheit 4 befördert werden.
  • Bei dem ersten Beförderungsschritt wird als erstes die Anhebe-/Absenkplatte 186 des Aufzugs 168 der Ingotzuliefereinheit 12 angehoben oder abgesenkt, und die Anhebe-/Absenkplatte 186 wird bei der Position positioniert, bei welcher die obere Fläche des Platziertischs 146 bei einer beliebigen Position (zum Beispiel der obersten Stufe) der Ingotlagereinrichtung 11 und die obere Fläche des Empfangstischs 160 auf der gleichen Höhe angeordnet sind. Nachfolgend wird der Luftzylinder 174 des Kupplungsteils 166 betätigt, um einen des Paars sich verjüngender Stifte 178 des Kupplungsteils 166 in das Antriebskraftübertragungsteil 150 der Ingotlagereinrichtung 11 einzuführen und den anderen des Paars von sich verjüngenden Stiften 178 in das Antriebskraftübertragungsteil 172 der Ingotzuliefereinheit 12 einzuführen. Nachfolgend wird der Motor 164 der Ingotzuliefereinheit 12 gedreht, um das erste Endlosband 148 zusammen mit den zweiten Endlosbändern 162 zu drehen. Dadurch wird die auf dem Platziertisch 146 platzierte Ablage 9 durch das erste Endlosband 148 in der Y-Achsenrichtung herausgeführt und dem Empfangstisch 160 der Ingotzuliefereinheit 12 zugeführt.
  • Nachdem die Ablage 9 dem Empfangstisch 160 zugeführt worden ist, wird die Drehung des Motors 164 angehalten. Außerdem wird die Kolbenstange 174b des Luftzylinders 174 von der eingefahrenen Position zu der ausgefahrenen Position bewegt. Dadurch wird die Verbindung zwischen dem einen des Paars sich verjüngender Stifte 178 und dem Antriebskraftübertragungsteil 150 der Ingotlagereinrichtung 11 freigegeben, und die Verbindung zwischen dem anderen des Paars sich verjüngender Stifte 178 und dem Antriebskraftübertragungsteil 172 der Ingotzuliefereinheit 12 wird freigegeben. Durch Bewegen der Anhebe-/Absenkplatte 186 des Aufzuges 168 wird die obere Fläche des Empfangstischs 160, auf dem die Ablage 9 platziert ist, auf die gleiche Höhe wie die oberen Flächen der Endlosbänder 127 des vorwärtslaufenden Förderbands 121 der Förderbandeinheit 10 eingestellt. Nachfolgend werden die zweiten Endlosbänder 162 durch Drehung des Motors 164 gedreht, und die auf der oberen Fläche des Empfangstischs 160 platzierte Ablage 9 wird dem vorwärtslaufenden Förderband 121 zugeführt.
  • Nachdem die Ablage 9 dem vorwärtslaufenden Förderband 121 zugeführt worden ist, wird die Ablage 9 durch das vorwärtslaufende Förderband 121 zu der der Laserbestrahlungseinheit 6 gegenüberliegenden Position befördert. Gleichzeitig wird die Anhebe-/Absenkplatte 131 des Ablagestoppers 129, die bei der der Ingotschleifeinheit 4 gegenüberliegenden Position angeordnet ist, bei der Durchgangsposition positioniert, und die Anhebe-/Absenkplatte 131 des Ablagestoppers 129, die bei der der Laserbestrahlungseinheit 6 gegenüberliegenden Position angeordnet ist, wird bei der Stoppposition positioniert. Aufgrund dessen kann die Ablage 9, die durch das vorwärtslaufende Förderband 121 in der Richtung Y1 befördert wird, dazu gebracht werden, über den Ablagestopper 129, der bei der der Ingotschleifeinheit 4 gegenüberliegenden Position angeordnet ist, hinweg zu gelangen und kann durch den Ablagestopper 129 bei der Position angehalten werden, die der Laserbestrahlungseinheit 6 gegenüberliegt.
  • Nachfolgend wird die Anhebe-/Absenkplatte 131 des Ablagestoppers 129 zu der Trennposition angehoben, um die untere Fläche der angehaltenen Ablage 9 von den oberen Flächen der Endlosbänder 127 zu trennen. Nachfolgend wird der mehrgelenkige Arm 144 des zweiten Transfermittels 142 angetrieben, und das Saughaftstück 145 wird mit der oberen Fläche des Ingots 230 (bei der vorliegenden Ausführungsform die erste Fläche 232) in engen Kontakt gebracht. Dann wird das mit dem Saughaftstück 145 verbundene Saugmittel betätigt, um für das Saughaftstück 145 eine Saugkraft zu erzeugen, und der Ingot 230 wird durch das Saughaftstück 145 angesaugt und gehalten. Danach wird das Saughaftstück 145 durch den mehrgelenkigen Arm 144 bewegt, und die untere Fläche (bei der vorliegenden Ausführungsform die zweite Fläche 234) des durch das Saughaftstück 145 angesaugten und gehaltenen Ingots 230 wird, wie in 18 dargestellt, mit der oberen Fläche des zweiten Haltetischs 60 der Laserbestrahlungseinheit 6 in Kontakt gebracht. Zu diesem Zeitpunkt ist der zweite Haltetisch 60 bei der Ingotanbring-/Ingotabnahmeposition (in 4 dargestellte Position) zum Anbringen/Abnehmen eines Ingots positioniert.
  • Wie unter Bezugnahme auf 18 verständlich ist, werden bei der umlaufenden Kante der kreisförmigen Saughafteinspannung 66 der vorliegenden Ausführungsform ein erster geradliniger Teil 66a, der mit der ersten Ausrichtungsebene 240 des Ingots 230 korrespondiert, und ein zweite geradliniger Teil 66b, der mit der zweiten Ausrichtungsebene 242 korrespondiert, ausgebildet, und der Ingot 230, bei dem die erste Ausrichtungsebene 240 und die zweite Ausrichtungsebene 242 ausgebildet sind, kann durch die Saughafteinspannung 66 mit einer vorbestimmten Saugkraft angesaugt und gehalten werden. Dann wird das mit dem Saughaftstück 145 verbundene Saugmittel angehalten, um die Saugkraft des Saughaftstücks 145 zu deaktivieren und den Ingot 230 auf der oberen Fläche des zweiten Haltetischs 60 zu platzieren. Auf diese Weise wird der erste Beförderungsschritt mit einem Befördern des Ingots 230 von der Ingotlagereinrichtung 11 zu der Laserbestrahlungseinheit 6 ausgeführt. Obwohl eine veranschaulichende Darstellung weggelassen wird, werden auch bei der Saughafteinspannung 22 des ersten Haltetischs 14 der Ingotschleifeinheit 4 und der Saughafteinspannung 86 des dritten Haltetischs 80 der Wafertrenneinheit 8 ein erster geradliniger Teil, der mit der ersten Ausrichtungsebene 240 korrespondiert, und ein zweiter geradliniger Teil, der mit der zweiten Ausrichtungsebene 242 korrespondiert, ausgebildet.
  • Nachdem der erste Beförderungsschritt ausgeführt worden ist, wird der Trennschichtausbildungsschritt mit einem Halten des Ingots 230 durch den zweiten Haltetisch 60 und einem Positionieren des Brennpunkts eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch den Ingot 230 übertragbar ist, auf einer Tiefe von der oberen Fläche des durch den zweiten Haltetisch 60 gehaltenen Ingots 230 aus, die mit der Dicke des herzustellenden Wafers korrespondiert, und Bestrahlen des Ingots 230 mit dem Laserstrahl, um eine Trennschicht auszubilden, durch die Laserbestrahlungseinheit 6 ausgeführt.
  • Bei dem Trennschichtausbildungsschritt wird als erstes eine Saugkraft für die obere Fläche des zweiten Haltetischs 60 erzeugt, und der Ingot 230 wird durch den zweiten Haltetisch 60 angesaugt und gehalten. Nachfolgend wird der zweite Haltetisch 60 durch das X-Achsen-Zuführmittel in der X-Achsenrichtung bewegt, und das in Y-Achsenrichtung bewegbare Element wird durch das Y-Achsen-Zuführmittel in der Y-Achsenrichtung bewegt, um den Ingot 230 unter dem Ausrichtungsmittel 76 zu positionieren. Nachfolgend wird der Ingot 230 durch das Ausrichtungsmittel 76 von der oberen Seite des Ingots 230 aus abgebildet. Dann wird der zweite Haltetisch 60 basierend auf dem durch das Ausrichtungsmittel 76 aufgenommene Bild des Ingots 230 durch den Motor für den zweiten Haltetisch und das X-Achsen-Zuführmittel gedreht und bewegt, und das in Y-Achsenrichtung bewegbare Element wird durch das Y-Achsen-Zuführmittel bewegt. Dadurch wird die Ausrichtung des Ingots 230 auf eine vorbestimmte Ausrichtung eingestellt, und die Positionen des Ingots 230 und des Lichtkollektors 74 in der XY-Ebene werden eingestellt. Wenn die Ausrichtung des Ingots 230, wie in 19A dargestellt, auf die vorbestimmte Ausrichtung eingestellt wird, ist die zweite Ausrichtungsebene 242 mit der X-Achsenrichtung ausgerichtet. Dadurch wird die Richtung senkrecht zu der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet wird, mit der X-Achsenrichtung ausgerichtet, und die Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, wird an der Y-Achsenrichtung ausgerichtet.
  • Dann wird der Lichtkollektor 74 durch das Brennpunktpositionseinstellmittel angehoben und abgesenkt, und der Brennpunkt FP wird, wie in 19B dargestellt, auf einer Tiefe von der ersten Fläche 232 des Ingots 230 aus positioniert, die mit der Dicke des herzustellenden Wafers korrespondiert. Während der zweite Haltetisch 60 durch das X-Achsen-Zuführmittel in der X-Achsenrichtung, die mit der Richtung senkrecht zu der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, ausgerichtet ist, bewegt wird, wird der Ingot 230 nachfolgend von dem Lichtkollektor 74 mit dem gepulsten Laserstrahl LB mit so einer Wellenlänge bestrahlt, die durch den Ingot 230 übertragbar ist. Aufgrund dessen wird SiC durch die Bestrahlung mit dem gepulsten Laserstrahl LB in Si und Kohlenstoff (C) getrennt, und der gepulste Laserstrahl LB, mit dem als Nächstes eine Bestrahlung ausgeführt wird, wird durch das zuvor ausgebildete C absorbiert, sodass SiC auf Art und Weise einer Kettenreaktion in Si und C getrennt wird. Zudem werden Risse 248 erzeugt, die sich von Teilen 246, bei denen SiC in Si und C getrennt ist, isotropisch entlang der c-Ebene erstrecken.
  • Danach wird durch Bewegen des in Y-Achsenrichtung bewegbaren Elements durch das Y-Achsen-Zuführmittel eine Einteilungszufuhr bzw. Weiterbewegung des Brennpunkts FP relativ zu dem Ingot 230 in der Y-Achsenrichtung, die mit der Richtung A ausgerichtet ist, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, um einen vorbestimmten Einteilungsbetrag Li in einem Bereich ausgeführt, der die Breite der Risse 248 nicht überschreitet. Durch abwechselndes Wiederholen der Bestrahlung mit dem gepulsten Laserstrahl LB und der Einteilungszufuhr werden mehrere Trennteile 246, die sich in der Richtung senkrecht zu der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet wird, kontinuierlich erstrecken, mit Abständen des vorbestimmten Einteilungsbetrags Li in der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet wird, ausgebildet. Zudem werden die Risse 248, die sich von den Trennteilen 246 isotropisch entlang der c-Ebene erstrecken, aufeinanderfolgend erzeugt, um zu verursachen, dass sich die in der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet wird, benachbarten Risse 248 in der Aufwärts-Abwärts-Richtung gesehen überlappen. Auf der Tiefe von der oberen Fläche des Ingots 230 aus, die mit der Dicke des herzustellenden Wafers korrespondiert, kann dadurch eine Trennschicht 250 ausgebildet werden, die mit den Trennteilen 246 und den Rissen 248 aufgebaut ist und bei der die Festigkeit zum Abtrennen eines Wafers von dem Ingot 230 vermindert ist. Nachdem die Trennschicht 250 ausgebildet worden ist, wird der zweite Haltetisch 60 bei der Ingotanbring-/Ingotabnahmeposition positioniert, und die Saugkraft des zweiten Haltetischs 60 wird deaktiviert. Der Trennschichtausbildungsschritt kann zum Beispiel unter den folgenden Bearbeitungsbedingungen ausgeführt werden.
    • Wellenlänge des gepulsten Laserstrahls: 1064 nm
    • Wiederholfrequenz: 80 kHz
    • Durchschnittliche Ausgangsleistung: 3,2 Watt
    • Pulsbreite: 4 ns
    • Durchmesser des Brennpunkts: 3 µm
    • Numerische Blende (NA) der Sammellinse: 0,43
    • Position des Brennpunkts in der Z-Achsenrichtung: 300 µm von der oberen Fläche des Ingots aus
    • Zuführgeschwindigkeit des zweiten Haltetischs: 120 bis 260 mm/s
    • Einteilungsbetrag: 250 bis 400 µm
  • Nachdem der Trennschichtausbildungsschritt ausgeführt worden ist, wird durch die Förderbandeinheit 10 ein zweiter Beförderungsschritt mit einem Befördern des Ingots 230, in dem über die Laserbestrahlungseinheit 6 die Trennschicht 250 ausgebildet worden ist, zu der Wafertrenneinheit 8 ausgeführt. Bei dem zweiten Beförderungsschritt wird als erstes der mehrgelenkige Arm 144 des zweiten Transfermittels 142 angetrieben, und das Saughaftstück 145 wird mit der ersten Fläche 232 des Ingots 230 auf dem zweiten Haltetisch 60 in engen Kontakt gebracht, um den Ingot 230 durch das Saughaftstück 145 anzusaugen und zu halten. Nachfolgend wird das Saughaftstück 145 durch den mehrgelenkigen Arm 144 bewegt, und die zweite Fläche 234 des durch das Saughaftstück 145 angesaugten und gehaltenen Ingots 230 wird mit dem Ingotstützteil 117 der Ablage 9 in Kontakt gebracht. Danach wird die Saugkraft des Saughaftstücks 145 deaktiviert, um zu verursachen, dass der Ingotstützteil 117 der Ablage 9 den Ingot 230 unterstützt. Nachfolgend wird die Ablage 9 durch Absenken der Anhebe-/Absenkplatte 131 des Ablagestoppers 129 von der Trennposition zu der Durchgangsposition auf den Endlosbändern 127 des vorwärtslaufenden Förderbands 121 platziert.
  • Nachdem das vorwärtslaufende Förderband 121 der Ablage 9 platziert ist, wird die Ablage 9 durch das vorwärtslaufende Förderband 121 zu der Position befördert, die der Wafertrenneinheit 8 gegenüberliegt (bei der vorliegenden Ausführungsform der Endpunkt des vorwärtslaufenden Förderbands 121). Zu diesem Zeitpunkt wird die Anhebe-/Absenkplatte 135 auf einer Höhe positioniert, bei welcher die obere Fläche der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 des Beförderungsmittels 123 niedriger ist als die oberen Flächen der Endlosbänder 127 des vorwärtslaufenden Förderbands 121, und das Stopperstück '138 kommt mit der Ablage 9 in Kontakt, die durch das vorwärtslaufende Förderband 121 befördert wird. Zudem wird die in Y-Achsenrichtung bewegbare Platte 137 bei der vorgefahrenen Position positioniert. Dies kann das Stopperstück 138 mit der Ablage 9 in Kontakt bringen, die durch das vorwärtslaufende Förderband 121 in der Richtung Y1 befördert wird und die Ablage 9 bei der Position anhalten, die der Wafertrenneinheit 8 gegenüberliegt.
  • Nachfolgend wird die Anhebe-/Absenkplatte 135 des Beförderungsmittels 123 angehoben, um die angehaltene Ablage 9 auf der oberen Fläche der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 anzubringen und die untere Fläche der Ablage 9 von den oberen Flächen der Endlosbänder 127 zu trennen. Dann wird der mehrgelenkige Arm 144 des dritten Transfermittels 143 angetrieben, und das Saughaftstück 145 wird mit der ersten Fläche 232 des Ingots 230 in engen Kontakt gebracht, und der Ingot 230 wird durch das Saughaftstück 145 angesaugt und gehalten. Daraufhin wird das Saughaftstück 145 durch den mehrgelenkigen Arm 144 bewegt, und die zweite Fläche 234 des Ingots 230, der durch das Saughaftstück 145 angesaugt und gehalten wird, wird mit der oberen Fläche des dritten Haltetischs 80 der Wafertrenneinheit 8 in Kontakt gebracht. Zu diesem Zeitpunkt wird der dritte Haltetisch 80 bei der Ingotanbring-/Ingotabnahmeposition (die in 6 dargestellte Position) positioniert. Dann wird die Saugkraft des Saughaftstücks 145 deaktiviert, und der Ingot 230 wird auf der oberen Fläche des dritten Haltetischs 80 platziert. Auf diese Weise wird der zweite Beförderungsschritt mit einem Befördern des Ingots 230 von der Laserbestrahlungseinheit 6 zu der Wafertrenneinheit 8 ausgeführt.
  • Nachdem der zweite Beförderungsschritt ausgeführt worden ist, wird ein Wafertrennschritt mit einem Halten des Ingots 230, in dem die Trennschicht 250 ausgebildet worden ist, durch den dritten Haltetisch 80 und einem Halten der oberen Fläche des durch den dritten Haltetisch 80 gehaltenen Ingots 230, um von der Trennschicht 250 aus einen Wafer abzutrennen, durch die Wafertrenneinheit 8 ausgeführt.
  • Bei dem Wafertrennschritt wird als erstes der Ingot 230 durch den dritten Haltetisch 80 angesaugt und gehalten. Wie in 21A dargestellt, wird der dritte Haltetisch 80 nachfolgend bei einer Wafertrennposition unter dem Flüssigkeitsbad 94 positioniert. Dann wird der Arm 92 durch das Armbewegungsmittel abgesenkt und das untere Ende der Schürzenwand 98 des Flüssigkeitsbads 94 wird, wie in 21B dargestellt, mit der oberen Fläche des dritten Haltetischs 80 in engen Kontakt gebracht.
  • Wie in 7 dargestellt, wird danach die Kolbenstange 108b des Luftzylinders 108 bewegt und die untere Fläche des Saughaftstücks 112 wird mit der ersten Fläche 232 des Ingots 230 in engen Kontakt gebracht. Dann wird eine Saugkraft für die untere Fläche des Saughaftstücks 112 erzeugt, und der Ingot 230 wird durch das Saughaftstück 112 von der Seite der ersten Fläche 232 aus angesaugt und gehalten. Nachfolgend wird das mit dem Flüssigkeitszuführteil 100 verbundene Flüssigkeitszuführmittel betätigt, um die Flüssigkeit 106 (zum Beispiel Wasser) von dem Flüssigkeitszuführteil 100 zu dem Flüssigkeitsaufnahmeraum 104 zu führen, bis das Ultraschallschwingungserzeugungselement 110 eingetaucht ist. Nachfolgend wird das Ultraschallschwingungserzeugungselement 110 betätigt, um Ultraschallschwingungen auf den Ingot 230 auszuüben. Dadurch wird die Trennschicht 250 stimuliert, und die Risse 248 werden verlängert, um die Festigkeit der Trennschicht 250 weiter abzusenken.
  • Dann kann, wie in 22 dargestellt, durch Anheben des Arms 92 über das Armbewegungsmittel in dem Zustand, in dem der Ingot 230 durch das Saughaftstück 112 angesaugt und gehalten wird, ein herzustellender Wafer 252 durch Verwendung der Trennschicht 250 als Ausgangspunkt von dem Ingot 230 abgetrennt werden. Wenn der Arm 92 angehoben wird, wird darüber hinaus die Flüssigkeit 106 aus dem Flüssigkeitsaufnahmeraum 104 abgegeben, und die Flüssigkeit 106 wird durch eine nicht dargestellte Auslassöffnung, die in der Basis 84 ausgebildet ist, an die Außenseite der Wafertrenneinheit 8 abgegeben. Nachdem der Wafer 252 von dem Ingot 230 getrennt worden ist, wird der dritte Haltetisch 80 bei der Ingotanbring-/Ingotabnahmeposition positioniert, und die Saugkraft des dritten Haltetischs 80 wird deaktiviert. Wenn die Ultraschallschwingung auf den Ingot 230 ausgeübt wird, kann ein Spalt (zum Beispiel von 2 bis 3 mm) zwischen der oberen Fläche des Ingots 230 und der unteren Fläche des Saughaftstücks 112 erzeugt werden. Wenn der Wafer 252 durch Verwendung der Trennschicht als Ausgangspunkt von dem Ingot 230 abgetrennt wird, kann der Wafer 252 darüber hinaus durch Anheben des Saughaftstücks 145 von dem Ingot 230 getrennt werden, nachdem die obere Fläche des Ingots 230 durch das Saughaftstück 145 des dritten Transfermittels 143 angesaugt und gehalten worden ist.
  • Nachdem der Wafertrennschritt ausgeführt worden ist, wird durch die Förderbandeinheit 10, die Ingotzuliefereinheit 12 und das Aufnahmemittel 202 ein dritter Beförderungsschritt mit einem Befördern des von dem Ingot 230 abgetrennten Wafers 252 von der Wafertrenneinheit 8 zu der Kassette 198 der Kassettenlagereinrichtung 200 und einem Verursachen, dass der Wafer 252 aufgenommen wird, ausgeführt. Bei dem dritten Beförderungsschritt wird als erstes der mehrgelenkige Arm 144 des dritten Transfermittels 143 angetrieben, und das Saughaftstück 145 des dritten Transfermittels 143 wird mit einer Trennfläche 252a des Wafers 252 in engen Kontakt gebracht, um an dem Saughaftstück 112 des Wafertrennmittels 82 durch Unterdruck anzuhaften, und der Wafer 252 wird durch das Saughaftstück 145 angesaugt und gehalten. Nachfolgend wird die Saugkraft des Saughaftstücks 112 des Wafertrennmittels 82 deaktiviert, und der Wafer 252 wird von dem Saughaftstück 112 des Wafertrennmittels 82 an das Saughaftstück 145 des dritten Transfermittels 143 übergeben. Dann wird das Saughaftstück 145 durch den mehrgelenkigen Arm 144 bewegt, und der durch das Saughaftstück 145 angesaugte und gehaltene Wafer 252 wird mit dem Waferstützteil 118 der Ablage 9 in Kontakt gebracht. Nachfolgend wird die Saugkraft des Saughaftstücks 145 deaktiviert, um zu verursachen, dass der Waferstützteil 118 der Ablage 9 den Wafer 252 unterstützt.
  • Um den Ingot 230, von dem der Wafer 252 durch die Wafertrenneinheit 8 abgetrennt worden ist, zusammen mit der Beförderung des Wafers 252 von der Wafertrenneinheit 8 zu der Ingotschleifeinheit 4 zu befördern, wird der mehrgelenkige Arm 144 darüber hinaus bei dem dritten Beförderungsschritt angetrieben, und das Saughaftstück 145 wird mit einer Trennfläche 230a des Ingots 230 auf dem dritten Haltetisch 80 in engen Kontakt gebracht, um den Ingot 230 durch das Saughaftstück 145 anzusaugen und zu halten. Nachfolgend wird das Saughaftstück 145 durch den mehrgelenkigen Arm 144 bewegt, und der durch das Saughaftstück 145 angesaugte und gehaltene Ingot 230 wird zu dem Ingotstützteil 117 der Ablage 9 befördert, um zu verursachen, dass der Ingotstützteil 117 den Ingot 230 unterstützt. Dann wird die in Y-Achsenrichtung bewegbare Platte 137 des Beförderungsmittels 123, an dem sich die Ablage 9 befindet bzw. angebracht ist, bei der zurückgezogenen Position positioniert. Dann wird die Anhebe-/Absenkplatte 135 abgesenkt, und die obere Fläche der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 wird relativ zu den oberen Flächen der Endlosbänder 127 des rückwärtslaufenden Förderbands 122 bei der etwas oberen Seite positioniert. Dann wird die Ablage 9 durch Positionieren der in Y-Achsenrichtung bewegbaren Platte 137 bei der vorgefahrenen Position und Absenken der Anhebe-/Absenkplatte 135 auf den Endlosbändern 127 des rückwärtslaufenden Förderbands 122 platziert.
  • Nachdem die Ablage 9 auf dem rückwärtslaufenden Förderband 122 platziert worden ist, wird die Ablage 9 durch das rückwärtslaufende Förderband 122 zu dem Endpunkt des rückwärtslaufenden Förderbands 122 befördert. Zu diesem Zeitpunkt ist die obere Fläche des Empfangstischs 160 durch den Aufzug 168 der Ingotzuliefereinheit 12 auf die gleiche Höhe wie die oberen Flächen der Endlosbänder 127 des rückwärtslaufenden Förderbands 122 eingestellt. Zudem werden die zweiten Endlosbänder 162 durch den Motor 164 so gedreht, sodass sich die obere Flächenseite der zweiten Endlosbänder 162 in der Richtung Y2 bewegen. Dadurch wird die Ablage 9, die durch das rückwärtslaufende Förderband 122 in der Richtung Y2 befördert wird, auf der oberen Fläche des Empfangstischs 160 platziert.
  • Nachdem die Ablage 9 auf dem Empfangstisch 160 platziert worden ist, wird die Drehung des Motors 164 angehalten. Zudem wird die Anhebe-/Absenkplatte 186 des Aufzugs 168 bewegt, und die obere Fläche des Empfangstischs 160, auf dem die Ablage 9 platziert ist, wird auf die gleiche Höhe wie die oberen Flächen der Endlosbänder 127 des vorwärtslaufenden Förderbands 121 der Förderbandeinheit 10 eingestellt. Zu diesem Zeitpunkt wird die Kolbenstange 174b des Luftzylinders 174 bei der eingefahrenen Position positioniert, um gegen eine Behinderung einer Bewegung der Anhebe-/Absenkplatte 186 vorzubeugen. Durch Bewegen des Anhebe-/Absenkblocks 212 durch das X-Achsen-Zuführmittel 210 und das Anhebe-/Absenkmittel 214 des Aufnahmemittels 202 und Antreiben des mehrgelenkigen Arms 216 wird das Haltestück 218 danach mit der oberen Fläche des Wafers 252, der durch die Ablage 9 auf dem Empfangstisch 160 unterstützt wird, in engen Kontakt gebracht, und der Wafer 252 wird durch das Haltestück 218 angesaugt und gehalten. Durch Bewegen des Haltestücks 218 über das X-Achsen-Zuführmittel 210, das Anhebe-/Absenkmittel 214 und den mehrgelenkigen Arm 216 wird der Wafer 252, der durch das Haltestück 218 angesaugt und gehalten wird, dann von der Ablage 9 aus herausgetragen und wird in die Kassette 198 der Kassettenlagereinrichtung 200 bewegt. Dann wird die Saugkraft des Haltestücks 218 deaktiviert. Auf diese Weise wird der von dem Ingot 230 getrennte Wafer 252 von der Wafertrenneinheit 8 zu der Kassette 198 der Kassettenlagereinrichtung 200 befördert und aufgenommen.
  • Nachdem der Wafer von der Ablage 9 aus herausgetragen worden ist, werden die zweiten Endlosbänder 162 rotiert, um die auf der oberen Fläche des Empfangstischs 160 platzierte Ablage 9 zu dem vorwärtslaufenden Förderband 121 zu führen und die Ablage 9 durch das vorwärtslaufende Förderband 121 zu befördern. Zu diesem Zeitpunkt wird die Anhebe-/Absenkplatte 131 des Ablagestoppers 129, die bei der der Ingotschleifeinheit 4 gegenüberliegenden Position angeordnet ist, bei der Stoppposition positioniert. Dies kann die Ablage 9, die durch das vorwärtslaufende Förderband 121 in der Richtung Y1 befördert wird, durch den Ablagestopper 129 bei der der Ingotschleifeinheit 4 gegenüberliegenden Position anhalten.
  • Nachfolgend wird die Anhebe-/Absenkplatte 131 des Ablagestoppers 129 zu der Trennposition angehoben, um die untere Fläche der angehaltenen Ablage 9 von den oberen Flächen der Endlosbänder 127 zu trennen. Nachfolgend wird der mehrgelenkige Arm 144 des ersten Transfermittels 141 angetrieben, und das Saughaftstück 145 wird mit der Trennfläche 230a des Ingots 230 in engen Kontakt gebracht, um den Ingot 230 durch das Saughaftstück 145 anzusaugen und zu halten. Dann wird das Saughaftstück 145 durch den mehrgelenkigen Arm 144 bewegt, und die zweite Fläche 234 des Ingots 230 wird mit der oberen Fläche des ersten Haltetischs 14 der Ingotschleifeinheit 4, der bei der Ingotanbring-/Ingotabnahmeposition positioniert ist, in Kontakt gebracht. Danach wird die Saugkraft des Saughaftstücks 145 deaktiviert, und der Ingot 230 wird auf der oberen Fläche des ersten Haltetischs 14 platziert. Auf diese Weise wird der Ingot 230, von dem der Wafer 252 getrennt worden ist, von der Wafertrenneinheit 8 zu der Ingotschleifeinheit 4 befördert.
  • Nachdem der dritte Beförderungsschritt ausgeführt worden ist, wird durch die Ingotschleifeinheit 4 ein Ingotschleifschritt mit einem Halten des Ingots 230, von dem der Wafer 252 abgetrennt worden ist, durch den ersten Haltetisch 14 und einem Schleifen der Trennfläche 230a des durch den ersten Haltetisch 14 gehaltenen Ingots 230, um die Trennfläche 230a zu planarisieren, ausgeführt.
  • Bezugnehmend auf 3 wird bei dem Ingotschleifschritt als erstes eine Saugkraft für die obere Fläche des ersten Haltetischs 14 erzeugt, und der Ingot 230 wird durch den ersten Haltetisch 14 angesaugt und gehalten. Nachfolgend wird der erste Haltetisch 14, der den Ingot 230 hält, bei der Schleifposition positioniert. Danach wird der erste Haltetisch 14, der den Ingot 230 hält, mit einer vorbestimmten Rotationsgeschwindigkeit (zum Beispiel 300 Umdrehungen pro Minute) von oben gesehen gegen den Uhrzeigersinn gedreht. Darüber hinaus wird die Spindel 36 mit einer vorbestimmten Rotationsgeschwindigkeit (zum Beispiel 6000 Umdrehungen pro Minute) von oben gesehen gegen den Uhrzeigersinn gedreht. Nachfolgend wird das Spindelgehäuse 30 abgesenkt, und die Schleifmittel 44 werden mit der Trennfläche 230a des Ingots 230 in Kontakt gebracht. Dann wird das Gehäuse 30 mit einer vorbestimmten Schleifzuführgeschwindigkeit (zum Beispiel 1,0 µm pro Sekunde) abgesenkt. Dies kann die Trennfläche 230a des Ingots 230, von welcher der Wafer 252 abgetrennt worden ist, schleifen und die Trennfläche 230a des Ingots 230 zu so einem Ausmaß planarisieren, dass der Einfall des gepulsten Laserstrahls LB bei dem Trennschichtausbildungsschritt nicht behindert wird. Nachdem die Trennfläche 230a des Ingots 230 planarisiert worden ist, wird der erste Haltetisch 14, der den Ingot 230 hält, bei der Ingotanbring-/Ingotabnahmeposition positioniert, und die Saugkraft des ersten Haltetischs 14 wird deaktiviert.
  • Nachdem der Ingotschleifschritt ausgeführt worden ist, wird ein vierter Beförderungsschritt mit einem Befördern des Ingots 230, bei dem die Trennfläche 230a von der Ingotschleifeinheit 4 planarisiert worden ist, zu der Laserbestrahlungseinheit 6 durch die Förderbandeinheit 10 ausgeführt. Bei dem vierten Beförderungsschritt wird als erstes der mehrgelenkige Arm 144 des ersten Transfermittels 141 angetrieben, und das Saughaftstück 145 wird mit der Trennfläche 230a des Ingots 230 auf dem ersten Haltetisch 14 in engen Kontakt gebracht, um den Ingot 230 durch das Saughaftstück 145 anzusaugen und zu halten. Nachfolgend wird das Saughaftstück 145 durch den mehrgelenkigen Arm 144 bewegt, und die zweite Fläche 234 des Ingots 230, die durch das Saughaftstück 145 angesaugt und gehalten wird, wird mit dem Ingotstützteil 117 der Ablage 9 in Kontakt gebracht. Danach wird die Saugkraft des Saughaftstücks 145 deaktiviert, um zu verursachen, dass der Ingotstützteil 117 der Ablage 9 den Ingot 230 unterstützt. Dann wird die Ablage 9 auf den Endlosbändern 127 des vorwärtslaufenden Förderbands 121 durch Absenken der Anhebe-/Absenkplatte 131 des Ablagestoppers 129 von der Trennposition zu der Durchgangsposition platziert.
  • Nachdem die Ablage 9 auf dem vorwärtslaufenden Förderband 121 platziert worden ist, wird die Ablage 9 durch das vorwärtslaufende Förderband 121 zu der der Laserbestrahlungseinheit 6 gegenüberliegenden Position befördert. Zu diesem Zeitpunkt wird die Anhebe-/Absenkplatte 131 des Ablagestoppers 129, die bei der der Laserbestrahlungseinheit 6 gegenüberliegenden Position positioniert ist, bei der Stoppposition positioniert, und die Ablage 9, die durch das vorwärtslaufende Förderband 121 in der Richtung Y1 befördert wird, wird durch den Ablagestopper 129 bei der der Laserbestrahlungseinheit 6 gegenüberliegenden Position angehalten. Nachfolgend wird die Anhebe-/Absenkplatte 131 des Ablagestoppers 129 zu der Trennposition angehoben, um die untere Fläche der angehaltenen Ablage 9 von den oberen Flächen der Endlosbänder 127 zu trennen. Danach wird der mehrgelenkige Arm 144 des zweiten Transfermittels 142 angetrieben, und das Saughaftstück 145 wird mit der Trennfläche 230a des Ingots 230 in engen Kontakt gebracht, um den Ingot 230 durch das Saughaftstück 145 anzusaugen und zu halten. Nachfolgend wird der mehrgelenkige Arm 144 des zweiten Transfermittels 142 angetrieben, und das Saughaftstück 145 wird mit der Trennfläche 230a des Ingots 230 in engen Kontakt gebracht, um den Ingot 230 durch das Saughaftstück 145 anzusaugen und zu halten. Danach wird das Saughaftstück 145 durch den mehrgelenkigen Arm 144 bewegt, und die zweite Fläche 234 des durch das Saughaftstück 145 angesaugten und gehaltenen Ingots 230 wird mit der oberen Fläche des zweiten Haltetischs 60 der Laserbestrahlungseinheit 6 in Kontakt gebracht, die bei der Ingotanbring-/Ingotabnahmeposition positioniert ist. Dann wird die Saugkraft des Saughaftstücks 145 deaktiviert, und der Ingot 230 wird auf der oberen Fläche des zweiten Haltetischs 60 platziert. Auf diese Weise wird der vierte Beförderungsschritt mit einem Befördern des Ingots 230, bei dem die Trennfläche 230a planarisiert worden ist, von der Ingotschleifeinheit 4 zu der Laserbestrahlungseinheit 6 ausgeführt.
  • Nachdem der vierte Beförderungsschritt ausgeführt worden ist, wird der oben beschriebene Trennschichtausbildungsschritt durch die Laserbestrahlungseinheit 6 ausgeführt. Darüber hinaus werden durch ein wiederholtes Ausführen des Trennschichtausbildungsschritts, des Wafertrennschritts, des Ingotschleifschritts und des zweiten bis vierten Beförderungsschritts die Wafer 252 in einer herstellbaren Menge aus dem Ingot 230 hergestellt, und die Wafer 252 werden in der Kassette 198 der Kassettenlagereinrichtung 200 aufgenommen.
  • Oben wurden die jeweiligen Schritte beschrieben, die für den Ingot 230 bei der Waferherstellungsvorrichtung 2 ausgeführt werden, wobei die Aufmerksamkeit auf einen Ingot 230 gelenkt worden ist. Jedoch können bei der Waferherstellungsvorrichtung 2 die Wafer 252 nach dem Ausführen des ersten Beförderungsschritts mit einem Befördern des Ingots 230 von der Ingotlagereinrichtung 11 zu der Laserbestrahlungseinheit 6 durch wiederholtes Ausführen des ersten Beförderungsschritts mit erforderlichen Abständen und wiederholtes Ausführen des Trennschichtausbildungsschritts, des Wafertrennschritts, des Ingotschleifschritts und des zweiten bis vierten Beförderungsschritts mit mehreren Ingots 230 gleichzeitig (bei der vorliegenden Ausführungsform vier) in einer herstellbaren Menge aus der Vielzahl von Ingots 230 hergestellt werden. Wenn die Menge an Wafern 252, die aus einem Ingot 230 hergestellt werden, zum Beispiel 100 ist, werden darüber hinaus die Wafer 252 in vier Kassetten 198 aufgenommen, in denen 25 Wafer 252 aufgenommen werden können. Durch Bereitstellen einer Identifikation (ID) für die Ablage 9, um die Ablage 9 zu identifizieren, und Vorsehen eines Lesemittels, das die ID der Ablage 9 bei der Waferherstellungsvorrichtung 2 liest, können die hergestellten Wafer 252 in diesem Fall in der Kassette 198 mit einer Klassifizierung für jeden Ingot 230 aufgenommen werden.
  • Wie oben beschrieben ist die Waferherstellungsvorrichtung 2 der vorliegenden Ausführungsform zumindest mit den folgenden Komponenten aufgebaut: der Ingotschleifeinheit 4, die zumindest mit dem ersten Haltetisch 14, der den Ingot 230 hält, und dem Schleifmittel 16 aufgebaut, das die obere Fläche des durch den ersten Haltetisch 14 gehaltenen Ingots 230 schleift, um die obere Fläche zu planarisieren; der Laserbestrahlungseinheit 6, die zumindest mit dem zweiten Haltetisch 60, der den Ingot 230 hält, und dem Laserbestrahlungsmittel 62 aufgebaut ist, das den Brennpunkt FP des Laserstrahls LB mit so einer Wellenlänge, die durch den Ingot 230 übertragbar ist, auf einer Tiefe von der oberen Fläche des durch den zweiten Haltetisch 60 gehaltenen Ingots 230 aus positioniert, die mit der Dicke des herzustellenden Wafers 252 korrespondiert, und den Ingot 230 mit dem Laserstrahl LB bestrahlt, um die Trennschicht 250 auszubilden; der Wafertrenneinheit 8, die zumindest mit dem dritten Haltetisch 80, der den Ingot 230 hält, und dem Wafertrennmittel 82 aufgebaut ist, das die obere Fläche des durch den dritten Haltetisch 80 gehaltenen Ingots 230 hält und den Wafer 252 von der Trennschicht 250 aus abtrennt; der Ablage 9, die den Ingotstützteil 117, der den Ingot 230 unterstützt, und den Waferstützteil 118 aufweist, der den abgetrennten Wafer 252 unterstützt; der Förderbandeinheit 10, die den durch die Ablage 9 unterstützten Ingot 230 zwischen der Ingotschleifeinheit 4, der Laserbestrahlungseinheit 6 und der Wafertrenneinheit 8 befördert; der Ingotlagereinrichtung 11, in welcher der durch die Ablage 9 unterstützte Ingot 230 aufgenommen wird; und der Ingotzuliefereinheit 12, die den Ingot 230, der durch die in der Ingotlagereinrichtung 11 aufgenommene Ablage 9 unterstützt wird, der Förderbandeinheit 10 zuführt. Daher können eine Reihe von Arbeiten zum Herstellen des Wafers 252 aus dem Ingot 230 automatisch ausgeführt und die Effizienz der Herstellung kann verbessert werden.
  • Darüber hinaus ist bei der Waferherstellungsvorrichtung 2 der vorliegenden Ausführungsform jede Einheit unabhängig eingerichtet. Daher kann die Anzahl jeder Einheit entsprechend den Bedingungen des Ingots, wie zum Beispiel Material und Größe, Kundenanforderungen, usw., geändert werden. Wenn die Waferherstellungsvorrichtung 2 zum Beispiel mehrere Einheiten von jeder Art von Einheit aufweist, kann der gleiche Schritt gleichzeitig ausgeführt werden, und die Menge an pro Zeiteinheit hergestellten Wafern kann erhöht werden. Durch Anordnen einer großen Anzahl von Einheiten, bei denen es eine vergleichsweise lange Zeit benötigt, um einen Schritt auszuführen, im Vergleich zu einer Anzahl von Einheiten, mit denen ein Schritt in einer vergleichsweise kurzen Zeit ausgeführt werden kann, ist es bei der Waferherstellungsvorrichtung 2 darüber hinaus auch möglich, eine Verzögerung bei dem Schritt zu vermeiden und die Effizienz der Herstellung zu verbessern.
  • Bei dem Trennschichtausbildungsschritt der vorliegenden Erfindung ist das Beispiel beschrieben worden, bei dem der Ingot 230 beim Bestrahlen mit dem Laserstrahl LB in der Richtung senkrecht zu der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet wird, relativ zu dem Brennpunkt FP bewegt wird, und der Brennpunkt FP bei einer Einteilungszufuhr relativ zu dem Ingot 230 in der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet wird, bewegt wird. Jedoch muss die Richtung der relativen Bewegung des Brennpunkts FP und des Ingots 230 beim Bestrahlen mit dem Laserstrahl LB nicht die Richtung senkrecht zu der Richtung A sein, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet wird. Zudem muss die Richtung der relativen Bewegung des Brennpunkts FP und des Ingots 230 bei der Einteilungszufuhr nicht die Richtung A sein, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet wird.
  • Wenn gewünscht kann darüber hinaus eine Waferschleifeinheit, welche die Trennfläche 252a des Wafers 252, der von dem Ingot 230 abgetrennt worden ist, schleift, um die Trennfläche 252a zu planarisieren, angeordnet sein, und der Wafer 252 kann in der Kassette 198 aufgenommen werden, nachdem die Trennfläche 252a des Wafers 252 durch die Waferschleifeinheit planarisiert worden ist. Darüber hinaus kann eine Reinigungseinheit angeordnet werden, welche den Ingot 230, der durch die Ingotschleifeinheit 4 geschliffen worden ist, und den Wafer 252 reinigt, der durch die Waferschleifeinheit geschliffen worden ist.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.

Claims (3)

  1. Waferherstellungsvorrichtung, die einen Wafer aus einem Ingot herstellt, wobei die Waferherstellungsvorrichtung aufweist: eine Ingotschleifeinheit, die einen ersten Haltetisch, der den Ingot hält, und ein Schleifmittel, das eine obere Fläche des durch den ersten Haltetisch gehaltenen Ingots schleift, um die obere Fläche zu planarisieren, aufweist; eine Laserbestrahlungseinheit, die einen zweiten Haltetisch, der den Ingot hält, und ein Laserbestrahlungsmittel aufweist, das einen Brennpunkt eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch den Ingot übertragbar ist, auf einer Tiefe von der oberen Fläche des durch den zweiten Haltetisch gehaltenen Ingots aus positioniert, die mit einer Dicke eines herzustellenden Wafers korrespondiert, und den Ingot mit dem Laserstrahl bestrahlt, um eine Trennschicht auszubilden; eine Wafertrenneinheit, die einen dritten Haltetisch, der den Ingot hält, und ein Wafertrennmittel aufweist, das die obere Fläche des durch den dritten Haltetisch gehaltenen Ingots hält und einen Wafer von der Trennschicht aus abtrennt; eine Ablage, die einen Ingotstützteil, der den Ingot unterstützt, und einen Waferstützteil, der den abgetrennten Wafer unterstützt, aufweist; eine Förderbandeinheit, die den durch die Ablage unterstützten Ingot zwischen der Ingotschleifeinheit, der Laserbestrahlungseinheit und der Wafertrenneinheit transportiert; eine Ingotlagereinrichtung, in welcher der durch die Ablage unterstützte Ingot aufgenommen wird; und eine Ingotzuliefereinheit, die der Förderbandeinheit den Ingot zuführt, der durch die Ablage unterstützt wird, die in der Ingotlagereinrichtung aufgenommen wird.
  2. Waferherstellungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Ingotlagereinrichtung einen Platziertisch, auf dem die Ablage platziert wird, die den Ingot unterstützt, ein erstes Endlosband, das in dem Platziertisch angeordnet ist und die Ablage herausführt, die den Ingot unterstützt, ein Antriebskraftübertragungsteil, das mit dem ersten Endlosband verbunden ist und eine Antriebskraft überträgt, und ein Gestell aufweist, in dem eine Vielzahl der Platziertische in vertikaler Richtung angeordnet ist, und wobei die Ingotzuliefereinheit einen Empfangstisch, der die Ablage, die den Ingot unterstützt, von dem Platziertisch empfängt, ein zweites Endlosband, das in dem Empfangstisch angeordnet ist und der Förderbandeinheit die Ablage zuführt, die den Ingot unterstützt, einen Motor, der das zweite Endlosband antreibt, einen Kupplungsteil, der mit dem zweiten Endlosband verbunden ist und an das Antriebskraftübertragungsteil eine Antriebskraft überträgt, und einen Aufzug aufweist, der den Empfangstisch bei einem beliebigen der Vielzahl von in vertikaler Richtung angeordneten Platziertischen positioniert.
  3. Waferherstellungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner aufweist: eine Kassettenlagereinrichtung, in der eine Vielzahl von die abgetrennten Wafer aufnehmende Kassetten aufgenommen werden; und ein Aufnahmemittel, das verursacht, dass der durch den Waferstützteil der Ablage unterstützte Wafer in der in der Kassettenlagereinrichtung aufgenommenen Kassette aufgenommen wird.
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