DE10117923A1 - Halbleiterwaferschneidmaschine - Google Patents
HalbleiterwaferschneidmaschineInfo
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Abstract
Eine Schneidmaschine umfaßt eine Aufspanneinrichtung zum Halten des Halbleiterwafers, welcher geschnitten werden soll, eine Schneideinrichtung zum Schneiden des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers, eine erste Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Aufspanneinrichtung relativ zu der Schneideinrichtung in einer Bewegungsrichtung senkrecht zu der Mittelachse der Aufspanneinrichtung, und eine zweite Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Schneideinrichtung relativ zu der Aufspanneinrichtung in einer Richtung der Tiefe des Schneidens, welches die Richtung der Mittelachse der Aufspanneinrichtung ist. Die Schneidmaschine umfaßt weiter eine Dickenerfassungseinrichtung zum Erfassen der Dicke des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks, und eine Steuereinrichtung zum Steuern der Bewegung der zweiten Bewegungseinrichtung, abhängig von der Dicke des Werkstücks, welche erfaßt wurde durch die Dickenerfassungseinrichtung, und zum Setzen der Position der Schneideinrichtung in der Richtung der Tiefe des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung, um so die Tiefe des Schneidens des Werkstücks durch die Schneideinrichtung zu setzen. Die Dickenerfassungseinrichtung beinhaltet einen Nichtkontaktgegendrucksensor mit einer Düse zum Ausströmen eines Gases in Richtung der Oberfläche des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schneidmaschine zum Schneiden
eines Werkstücks und, insbesondere, zum Schneiden eines Halbleiterwafers bzw.
-plättchens bzw. -scheibe bzw. -chips mit einer benötigten Tiefe des Schneidens.
In der Herstellung von Halbleiterchips, wie es wohl bekannt ist unter den Fachleuten
auf diesem Gebiet, wird eine Anzahl von rechteckigen Regionen in Abschnitte
aufgeteilt an der Oberfläche eines Halbleiterwafers durch Straßen bzw. Linien,
welche in einer Raster- bzw. Gitterform angeordnet sind, und eine
Halbleiterschaltung bzw. -schaltkreis ist angeordnet in jeder der rechteckigen
Regionen. Der Halbleiterwafer wird entlang der Straßen bzw. Linien in einzelne
rechteckige Regionen getrennt, um Halbleiterchips zu erhalten. Eine
Schneidmaschine, welche verwendet wird zum Trennen des Halbleiterwafers entlang
der Straßen, beinhaltet eine Aufspanneinrichtung zum Halten des Halbleiterwafers,
der geschnitten werden soll, eine Schneideinrichtung zum Schneiden des an der
Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers, eine erste Bewegungseinrichtung
zum Bewegen der Aufspanneinrichtung relativ zu der Schneideinrichtung in einer
Bewegungsrichtung senkrecht auf die Mittelachse der Aufspanneinrichtung, und eine
zweite Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Schneideinrichtung relativ zu der
Aufspanneinrichtung in einer Richtung der Tiefe des Schneidens, welche die
Richtung der Mittelachse der Aufspanneinrichtung ist. In dieser Schneidmaschine ist
eine Position der Schneideinrichtung in der Richtung der Tiefe des Schneidens
relativ zu der Aufspanneinrichtung gesetzt durch die zweite Bewegungseinrichtung,
und die Aufspanneinrichtung wird relativ zu der Schneideinrichtung bewegt durch die
erste Bewegungseinrichtung, um den Halbleiterwafer zu schneiden. Die Tiefe des
Schneidens des Halbleiterwafers ist definiert durch die Position der
Schneideinrichtung in der Richtung des Schneidens relativ zu der
Aufspanneinrichtung und durch die Dicke des an der Aufspannvorrichtung bzw. dem
Futter gehaltenen Wafers.
Im allgemeinen ist die Dicke des Halbleiterwafers fast die gleiche in jeder Charge
bzw. Serie, und somit wird nur ein Teil des Halbleiterwafers in jeder Charge manuell
für seine Dicke gemessen, um die Dicke des zu schneidenden Halbleiterwafers zu
erkennen. Beim Schneiden des Halbleiterwafers durch die Schneidmaschine wird die
Tiefe des Schneidens des Halbleiterwafers gesetzt durch Setzen der Position der
Schneideinrichtung in der Richtung des Schneidens relativ zu der
Aufspanneinrichtung an einer vorbestimmten Position, ohne die Dicke des einzelnen
zu schneidenden Halbleiterwafers zu erfassen. Jedoch fluktuieren die einzelnen
Halbleiterwafer in jeder Charge ein wenig in der Dicke, und somit variiert die Dicke
des Schneidens bzw. Schnittiefe des Halbleiterwafers ebenfalls bei den einzelnen
Halbleiterwafern, obwohl es nur ein minimaler Betrag ist.
Währenddessen ist es wichtig, die Dicke des Schneidens des Halbleiterwafers sehr
präzise zu setzen, und es ist erwünscht, eine Veränderung in der Tiefe des
Schneidens des Halbleiterwafers zu vermeiden, welcher eine Veränderung in der
Dicke der einzelnen Halbleiterwafer zugeschrieben wird. Zum Beispiel wurde es
durchgeführt, eine Nut bzw. Rille von einer V-Form im Querschnitt entlang der
Straßen in der Oberfläche des Halbleiters auszubilden, um die vier Seitenkanten
bzw. Ränder der Oberfläche der einzelnen rechteckigen Regionen zu schrägen bzw.
zu phasen vor dem vollständigen Schneiden des Halbleiterwafers entlang der
Straßen, um ihn in die individuellen rechteckigen Regionen zu trennen. Auch mit
dem Ausbilden der V-förmigen Rillen ist es jedoch wichtig, ausreichend präzise die
Tiefe des Schneidens zu setzen, um ausreichend präzise die Größe des
Abschrägens festzusetzen. In vergangenen Jahren wurde des weiteren eine Art des
Trennens in rechteckige Regionen oder ein sogenanntes Vorschneiden (englisch:
predicing) in die Praxis umgesetzt. In dieser Art ist es ebenfalls wichtig, sehr präzise
die Tiefe des Schneidens des Halbleiterwafers zu setzen bzw. einzustellen. In der Art
der Trennung in rechteckige Regionen, welche Schneiden vor dem Schleifen
(englisch: dicing-before-grinding) genannt wird, wird der Halbleiterwafer geschnitten,
um Nuten bzw. Rillen einer vorbestimmten Tiefe von der Oberfläche entlang der in
einer Rasterform angeordneten Straßen auszubilden. Dann wird die hintere
Oberfläche bzw. Fläche des Halbleiterwafers geschliffen, um die Dicke des
Halbleiterwafers zu vermindern bis zu einer Dicke, welche gleich ist zu der Tiefe der
Rillen, um dabei den Halbleiterwafer in die einzelnen rechteckigen Regionen zu
trennen.
Die Japanische Offengelegte Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 261907/1987 (JP-A
62-261907) offenbart eine Weise, bei welcher ein Spalt bzw. Abstand zwischen
einem Mikroskopsystem und der Oberfläche der Aufspanneinrichtung und ein Spalt
bzw. Abstand zwischen dem Mikroskopsystem und der Oberfläche eines an der
Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers gemessen werden durch eine
automatische Fokussiertechnologie, welche das Mikroskopsystem, welches über der
Aufspanneinrichtung, welche an einer vorbestimmten Position angeordnet ist,
angeordnet ist, verwendet, und die Dicke des Halbleiterwafers wird berechnet aus
den gemessenen Werten. Gemäß dieses Stands der Technik wird weiter die
Position der Schneideinrichtung in der Richtung des Schneidens relativ zu der
Aufspanneinrichtung gesetzt, basierend auf der berechneten Dicke des
Halbleiterwafers, um dabei die Tiefe des Schneidens des Halbleiterwafers zu setzen.
Wenn ein transparenter oder semitransparenter Film, wie ein glasartiger bzw.
glasiger bzw. durchsichtiger Film, an der Oberfläche des Halbleiterwafers
ausgebildet ist, ist es jedoch nicht möglich, die Dicke des Halbleiterwafers präzise
durch die oben beschriebene automatische Fokussiertechnologie zu bestimmen,
was ein ernsthaftes Problem ist.
Es ist deshalb eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, eine
Schneidmaschine bereitzustellen, welche insbesondere geeignet ist zum Schneiden
eines Halbleiterwafers, welche fähig ist, die Dicke eines auf einer
Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks zu erfassen mit einem ausreichenden
Maß an Präzision, auch wenn ein transparenter oder semitransparenter Film an der
Oberfläche des Werkstücks existiert, und welche die Tiefe des Werkstücks mit
einem ausreichenden Maß an Präzision festsetzen kann, basierend auf der erfaßten
Dicke des Werkstücks, ohne die Notwendigkeit des Inkontaktbringens einer Probe
mit der Oberfläche des Werkstücks wie dem Halbleiterwafer und deshalb ohne
Möglichkeit des Beschädigens der Oberfläche des Werkstücks.
Um die oben beschriebene Hauptaufgabe gemäß der Erfindung zu lösen, wird eine
Schneidmaschine bereitgestellt umfassend eine Aufspanneinrichtung zum Halten
eines Halbleiterwafers, welcher geschnitten werden soll; eine Schneideinrichtung
zum Schneiden des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers; eine
erste Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Aufspanneinrichtung relativ zu der
Schneideinrichtung in einer Bewegungsrichtung senkrecht zu der Mittelachse der
Aufspanneinrichtung; eine zweite Bewegungseinrichtung zum Bewegen der
Schneideinrichtung relativ zu der Aufspanneinrichtung in einer Richtung der Tiefe
des Schneidens bzw. Schnittiefe, welche die Richtung der Mittelachse der
Aufspanneinrichtung ist; eine Dickenerfassungseinrichtung zum Erfassen der Dicke
des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks; und eine Regel- bzw.
Steuereinrichtung zum Regeln bzw. Steuern der Bewegung der zweiten
Bewegungseinrichtung, abhängig von der Dicke des Werkstücks, welche durch die
Dickenerfassungseinrichtung erfaßt wurde und zum Setzen der Position der
Schneideinrichtung in der Richtung der Tiefe des Schneidens relativ zu der
Aufspanneinrichtung, um dabei die Tiefe des Schneidens des Werkstücks durch die
Schneideinrichtung zu setzen;
wobei die Dickenerfassungseinrichtung einen Nichtkontaktgegen- bzw. -rück- bzw. -staudrucksensor beinhaltet, welcher eine Düse bzw. Ausguß zum Ausströmen eines Gases in Richtung der Oberfläche des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks aufweist.
wobei die Dickenerfassungseinrichtung einen Nichtkontaktgegen- bzw. -rück- bzw. -staudrucksensor beinhaltet, welcher eine Düse bzw. Ausguß zum Ausströmen eines Gases in Richtung der Oberfläche des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks aufweist.
Bevorzugt ist die Düse des Nichtkontaktgegendrucksensors montiert, um sich frei in
der Richtung der Tiefe des Schneidens zu bewegen. In einer bevorzugten
Ausführungsform weist die Aufspanneinrichtung eine Adsorbieroberfläche zum
Vakuumadsorbieren bzw. -ansaugen des Werkstücks auf; und die
Dickenerfassungseinrichtung beinhaltet eine Düsenpositionserfassungseinrichtung
zum Erfassen eines Spalts bzw. Abstands von einer ursprünglichen Position der
Düse, in welcher ein Ende der Düse in Kontakt kommt mit der Adsorptionsoberfläche
der Aufspanneinrichtung zu der gegenwärtigen Position der Düse, und eine
Dickenberechnungseinrichtung zum Berechnen der Dicke des Werkstücks von dem
Spalt bzw. Abstand zwischen dem Ende der Düse und der Oberfläche des
Werkstücks an der Aufspanneinrichtung, welcher durch den
Nichtkontaktgegendrucksensor erfaßt wurde, und von dem Spalt bzw. Abstand
zwischen der ursprünglichen Position der Düse und der gegenwärtigen Position der
Düse, welche erfaßt wurde durch die Düsenpositionserfassungseinrichtung. Des
weiteren ist das Werkstück ein Halbleiterwafer.
Fig. 1 ist eine schematische perspektivische Ansicht, welche eine bevorzugte
Ausführungsform einer Schneidmaschine, welche gemäß der vorliegenden Erfindung
aufgebaut ist, zeigt;
Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen Halbleiterwafer zeigt, welcher
als ein Werkstück zu der Schneidmaschine von Fig. 1 zugeführt wird, welcher an
einen Rahmen über ein Montierband montiert ist;
Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht, welche auf eine vereinfachte Weise einen
Bereich einer Dickenerfassungseinrichtung darstellt, welche die Dicke des an der
Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks erfaßt;
Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Schneideinrichtung und eine
Aufspanneinrichtung in der Schneidmaschine von Fig. 1 zeigt;
Fig. 5 ist ein Blockdiagramm, welches eine Regel- bzw. Steuereinrichtung, welche in
der Schneidmaschine von Fig. 1 angeordnet ist, und dazugehörige Elemente zeigt;
und
Fig. 6 ist ein Diagramm, welches eine Beziehung zwischen der Ausgabespannung
eines Voltmeters und dem Spalt bzw. Abstand von einem Ende einer Düse zu einem
Werkstück in der Dickenerfassungseinrichtung von Fig. 3 zeigt.
Fig. 1 ist eine Ansicht, welche eine bevorzugte Ausführungsform einer gemäß der
vorliegenden Erfindung ausgebildeten Schneidmaschine zeigt. Die dargestellte
Schneidmaschine weist ein Gehäuse 2 auf, an welchem spezifiziert sind ein
Ladebereich 4, ein Wartebereich 6, ein Aufspannbereich 8, ein
Dickenerfassungsbereich 10, ein Ausrichtbereich 12, ein Schneidbereich 14 und ein
Wasch-/Trockenbereich 16. Ein Hub- bzw. Hebetisch 18 ist in dem Ladebereich 4
angeordnet. Der Hubtisch 18 ist mit einer Kassette 22 beladen, welche eine Vielzahl
von Teilen von Halbleiterwafern bzw. -plättchen bzw. -scheiben bzw. -chips 20 (Fig.
2) aufnimmt, wobei ein Freiraum in der Hoch- und Tief-Richtung beibehalten wird.
Wie deutlich in Fig. 2 gezeigt, ist der in der Kassette 22 aufgenommene
Halbleiterwafer 20 an einen Rahmen 26 über ein Montierband 24 montiert. Der
Rahmen 26, welcher aus einer dünnen Metallplatte oder einem Kunstharz
ausgebildet sein kann, weist eine relativ große kreisförmige Öffnung 28 an dem
mittleren Teil davon auf, und das Montierband 24, welches an der hinteren Fläche
bzw. Oberfläche des Rahmens 26 haftet, erstreckt sich über die kreisförmige
Öffnung 28. Der Halbleiterwafer 20 ist in der kreisförmigen Öffnung 28 angeordnet
und seine hintere Oberfläche haftet an dem Montierband 24. Straßen bzw. Linien 30
sind in einer Gitter- bzw. Rasterform an der Oberfläche des Halbleiterwafers 20
angeordnet, und eine Anzahl von rechteckigen Regionen 32 ist durch die Straßen 30
in Abschnitte aufgeteilt. Eine Halbleiterschaltung bzw. -schaltkreis ist an jeder der
rechteckigen Regionen 32 angeordnet.
Weiter beschrieben mit Bezug auf Fig. 1, ist eine erste Beförderungseinrichtung 34
in Relation zu dem Ladebereich 4 und dem Wartebereich 6 angeordnet. Die erste
Beförderungseinrichtung 34 wird in Antwort zu der Hoch- und Tief-Bewegung des
Hubtisches 18 angetrieben bzw. betätigt, um nacheinander die Rahmen 26, welche
den zu schneidenden Halbleiterwafer 20 montieren bzw. tragen, auszuliefern von der
Kassette 22 in den Wartebereich 6 (und wie später beschrieben wird, um die
Rahmen 26, welche den Halbleiterwafer 20, welcher geschnitten, gewaschen und
getrocknet worden ist, montieren bzw. tragen in die Kassette 22 von dem
Wartebereich 6). Eine zweite Beförderungseinrichtung 36 ist in Relation zu dem
Wartebereich 6, dem Aufspannbereich 8 und dem Wasch-/Trockenbereich 16
angeordnet. Der von der Kassette 22 zu dem Wartebereich 6 gelieferte Rahmen 26
wird durch die zweite Beförderungseinrichtung 36 zu dem Aufspannbereich 8
befördert. In dem Aufspannbereich 8 werden der Rahmen 26 und der daran
montierte Halbleiterwafer 20 durch eine Aufspanneinrichtung 38 gehalten. Wie in
weiterem Detail beschrieben, beinhaltet die Aufspanneinrichtung 38 eine
Aufspannplatte 40 mit einer im wesentlichen horizontalen Adsorptions- bzw.
Ansaugoberfläche bzw. -fläche. Eine Vielzahl von Ansauglöchern oder -nuten bzw.
-rillen sind in der Aufspannplatte 40 ausgebildet. Der an den Rahmen 26 montierte
Halbleiterwafer 20 wird an der Aufspannplatte 40 angeordnet und wird
vakuumadsorbiert durch die Aufspannplatte 40. Die Aufspanneinrichtung 38
beinhaltet weiter ein Paar von Greifeinrichtungen 42, und der Rahmen 26 wird durch
das Paar von Greifeinrichtungen 42 gegriffen.
Wie später beschrieben wird, kann die Aufspanneinrichtung 38 sich frei in einer im
wesentlichen horizontalen Richtung der X-Achse (Bewegungsrichtung rechtwinklig zu
i der Mittelachse, welche sich im wesentlichen vertikal zu der Aufspanneinrichtung 38
erstreckt) bewegen. Der durch die Aufspanneinrichtung 38 gehaltene Halbleiterwafer
20 wird mit der Bewegung der Aufspanneinrichtung 38 bewegt und wird zu dem
Dickenerfassungsbereich 10, dem Ausrichtbereich 12 und dem Schneidbereich 14
nacheinander befördert. In der dargestellten Ausführungsform sind Balg- bzw.
Wellrohreinrichtungen 48 an beiden Seiten (stromabwärtige Seite und
stromaufwärtige Seite) der Aufspanneinrichtung 38, wie in der Richtung der X-Achse
gesehen, angeordnet, um ausgedehnt und zusammengezogen zu werden mit der
Bewegung der Aufspanneinrichtung 38. Der Dickenerfassungsbereich 10 erfaßt die
Dicke des Werkstücks (oder genauer, die gesamte Dicke der Dicke des
Halbleiterwafers 20 und der Dicke des an die hintere Oberfläche davon haftenden
Montierbands 24 in der dargestellten Ausführungsform), welches an der
Aufspannplatte 40 gehalten wird, wie in größerem Detail später beschrieben werden
wird. Eine Bildsynthese- bzw. Bildverarbeitungseinrichtung 50 ist in dem
Ausrichtbereich 12 angeordnet, die Oberfläche des Halbleiterwafers 20 wird durch
die Bildsyntheseeinrichtung 50 abgebildet, und die Positionen der an der Oberfläche
des Halbleiterwafers 20 angeordneten Straßen 30 werden präzise erkannt nach dem
Analysieren des abgebildeten Bildes. Das Bild der Oberfläche des Halbleiterwafers
20, welcher durch die Bildsyntheseeinrichtung 50 abgebildet wurde, kann an einem
Monitor 52 angezeigt werden. Eine Schneideinrichtung 54 mit drehbaren
Schneidklingen bzw. -kanten 56 ist an dem Schneidbereich 14 angeordnet, um den
Halbleiterwafer 20 zu schneiden. Die Aufspannplatte 40 ist so an der
Aufspanneinrichtung 38 montiert, um frei um die Mittelachse zu rotieren, welche sich
im wesentlichen vertikal erstreckt. Indem die Aufspannplatte 40 angemessen bzw.
geeignet gedreht wird, werden die sich in einer vorbestimmten Richtung
erstreckenden Straßen 30 parallel mit der Bewegungsrichtung der
Aufspanneinrichtung 38 angeordnet, d. h. parallel zu der Richtung der X-Achse mit
einem ausreichenden Maß an Präzision. Eine der Straßen 30 ist mit der drehbaren
Schneidklinge 56 ausgerichtet, wie in einer im wesentlichen horizontalen Richtung
der Y-Achse (Indizierungsrichtung) gesehen, und die drehbare Schneidklinge 56 wird
in einer vorbestimmten Schneidtiefe in einer Richtung der Z-Achse (Richtung der
Tiefe des Schneidens) angeordnet, welche im wesentlichen vertikal ist. Danach wird
die Aufspanneinrichtung 38 bewegt zum Ausführen des Schneidens in Richtung der
stromabwärtigen Seite in die Richtung der X-Achse, d. h. in die durch einen Pfeil 44
angedeutete Richtung, wobei der Halbleiterwafer 20 entlang einer Straße 30
geschnitten wird. Dann wird die drehbare Schneidklinge 56 angehoben zu ihrer
zurückgezogenen Position, und die Aufspanneinrichtung 38 wird zurückbewegt in
Richtung der stromaufwärtigen Seite in der Richtung der X-Achse, d. h. in der durch
einen Pfeil 46 angedeuteten Richtung. Danach wird die drehbare Schneidklinge 46
index bzw. schaltend bzw. schrittweise bewegt in die Richtung der Y-Achse, und die
drehbare Schneidklinge 56 wird wieder abgesenkt zu einer Position der
vorbestimmten Tiefe des Schneidens. Die Aufspanneinrichtung 38 wird bewegt zum
Ausführen des Schneidens in die durch den Pfeil 44 angedeutete Richtung, und der
Halbleiterwafer 20 wird entlang der nächsten Straße 30 geschnitten. Somit, nachdem
der Halbleiterwafer 20 entlang aller sich in der vorbestimmten Richtung
erstreckender Straßen 30 geschnitten worden ist, wird die Aufspannplatte 40 an der
Aufspanneinrichtung 38 um 90 Grad gedreht. Dann wird der Halbleiterwafer 20
entlang der verbleibenden Straßen 30 geschnitten in rechten Winkeln zu den
Straßen 30, welche geschnitten worden sind. Obwohl der Halbleiterwafer 20 entlang
der Straßen 30 in einzelne rechteckige Regionen 32 geschnitten wird, wird das
Montierband 24 nicht geschnitten, und die einzelnen rechteckigen Regionen 32,
welche geschnitten worden sind, verbleiben an den Rahmen über das Montierband
24 montiert. Der Aufbau der Schneideinrichtung 54 und das Schneiden des
Halbleiterwafers 20 durch die Schneideinrichtung 54 wird nachfolgend in größerem
Detail beschrieben.
Nachdem der Halbleiterwafer 20 wie gewünscht in dem Schneidbereich 14
geschnitten worden ist, wird die Aufspanneinrichtung 38 zurück zu dem
Aufspannbereich 8 geführt. Eine dritte Beförderungseinrichtung 66 ist in Relation zu
dem Aufspannbereich 8 und dem Wasch-/Trockenbereich 16 angeordnet, um den
Rahmen 26 und den daran montierten Halbleiterwafer 20 zu dem Wasch-
/Trockenbereich 16 zu tragen. In dem Wasch-/Trockenbereich 16 wird der
Halbleiterwafer 20, welcher geschnitten worden ist, gewaschen und getrocknet durch
die Wasch-/Trockeneinrichtung (nicht gezeigt). Danach werden der Rahmen 26 und
der daran montierte Halbleiterwafer 20 (getrennt in einzelne rechteckige Regionen
32) zurückgeführt durch die zweite Beförderungseinrichtung 36 zurück zu dem
Wartebereich 4 und werden durch die erste Beförderungseinrichtung 34 in die
Kassette 22 zurückgeführt.
In der dargestellten Schneidmaschine liegt ein neues und verbessertes Merkmal der
vorliegenden Erfindung in dem Aufbau bezüglich des Erfassens der Dicke des
Halbleiterwafers 20 und Steuerns bzw. Regelns der Tiefe des Schneidens bzw.
Schnittiefe darauf basierend. In anderen Aspekten kann der Aufbau einer sein,
welcher wohlbekannt ist unter den Fachleuten und wird deshalb nicht im Detail in
dieser Beschreibung beschrieben.
Wenn bezugnehmend auf Fig. 1 als auch Fig. 3 und 5 beschrieben, ist es in der
gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Schneidmaschine wichtig, eine
Dickenerfassungseinrichtung 68 zum Erfassen der Dicke des Werkstücks, d. h. die
gesamte Dicke T des Halbleiterwafers 20 und des an der hinteren Oberfläche davon
haftenden Montierbands 24, in dem Dickenerfassungsbereich 10 anzuordnen. Es ist
wichtig, daß die Dickenerfassungseinrichtung 68 einen Nichtkontaktgegendruck-
bzw. -rückdrucksensor bzw. berührungslosen Nichtkontaktgegendruck- bzw.
rückdrucksensor 70 beinhaltet. Wie deutlich in Fig. 3 gezeigt, beinhaltet der
Nichtkontaktgegendrucksensor 70, auch ein pneumatisches Micrometer genannt,
eine Düse bzw. Ausguß 72, welche in dem Dickenerfassungsbereich 10 angeordnet
ist.
Wenn weiter im Detail beschrieben, wie in Fig. 1 gezeigt, weist das Gehäuse 2 der
Schneidmaschine einen vorspringenden Bereich 73 auf, welcher nach oben an einer
Seitenregion davon vorspringt, und ein Sensorgehäuse bzw. -verkleidung bzw.
-behälter 74 ist an der inneren hochstehenden Wandoberfläche des vorspringenden
Bereichs 73 gesichert. Das Gehäuse 74 weist einen hohlen oberen Bereich 76 und
einen hängenden Bereich 78 auf, welcher nach unten hängt von einer Seitenregion
des hohlen oberen Bereichs 76. Ein Hub- bzw. Hebeblock 80 ist so montiert, um sich
nach oben und unten an der Oberfläche des hängenden Bereichs 78 zu bewegen,
welcher sich im wesentlichen vertikal erstreckt. Eine Führungsrille bzw. -nut (nicht
gezeigt), welche sich im wesentlichen vertikal erstreckt, ist in der Oberfläche des
hängenden Bereichs 78 ausgebildet und eine Erhebung bzw. ein Vorsprung, welcher
geführt werden soll (nicht gezeigt), ist an dem Hubblock 80 ausgebildet. Nach dem
Eingreifen des zu führenden Vorsprungs mit der Führungsrille, wird der Hubblock 80
so an dem hängenden Bereich 78 montiert, um sich frei nach oben und unten zu
bewegen. Ein Puls- bzw. Schrittmotor 82 ist in dem hohlen oberen Bereich 76 in dem
Gehäuse 74 angeordnet und ein mit einem Gewinde versehener Schaft 84, welcher
im wesentlichen vertikal nach unten hängt, ist an den Ausgangsschaft des
Schrittmotors 82 gekoppelt. Ein Innengewindeloch, welches durch den Hubblock im
wesentlichen vertikal hindurchgeht, ist in dem Hubblock 80 ausgebildet, und der mit
einem Gewinde versehene Schaft 84 wird in das Innengewindeloch geschraubt.
Wenn der mit einem Gewinde versehene Schaft 84 vorwärts und rückwärts gedreht
wird durch den Schrittmotor 82, bewegt sich deshalb der Hubblock 80 hoch und
runter. Die vorstehend erwähnte Düse 72 ist an dem Hubblock 80 gesichert. Die
Düse 72, welche sich im wesentlichen vertikal erstreckt, weist eine Ausstoßöffnung
auf, welche an einem unteren Ende davon ausgebildet ist. Der Schrittmotor 82 ist
versehen mit einer Düsenpositionserfassungseinrichtung 86 (Fig. 5) zum Erfassen
des Betrags der Vorwärts- oder Rückwärtsdrehung, d. h. zum Erfassen des Betrags,
um welchen sich die an dem Hubblock 80 gesicherte Düse 72 nach oben oder unten
bewegt hat.
Wie in Fig. 3 schematisch dargestellt, ist eine pneumatische Druckbrückenschaltung
88 mit der Düse 72 verbunden. Die pneumatische Druckbrückenschaltung 88,
welche an sich bekannt war, beinhaltet eine Quelle von Druckluft 89, einen
Durchflußkanal bzw. Durchfluß 92 mit einer fixierten bzw. festen Verengungs- bzw.
Quetscheinrichtung 90 und einen Durchflußkanal bzw. Durchfluß 98 mit einer
fixierten bzw. festen Verengungs- bzw. Quetscheinrichtung 94 und einer variablen
Verengungs- bzw. Quetscheinrichtung 96. Der Durchfluß 92 erlaubt es der Quelle
von Druckluft 89, mit der Düse 72 verbunden zu sein, und der Durchfluß 98 erlaubt
es der Quelle von Druckluft, mit der offenen Luft verbunden zu sein. Die
pneumatische Brückenschaltung 88 beinhaltet weiter einen Differenz- bzw.
Differentialdruckmesser bzw. -druckmeßgerät bzw. -manometer 104, welches mit
dem Durchfluß 92 durch einen Durchfluß 100 verbunden ist, und mit dem Durchfluß
98 über einen Durchfluß 102 verbunden ist, und ein Voltmeter 106, welches mit dem
Differenzdruckmeßgerät 104 verbunden ist. Die Druckluft, welche zu der Düse 72
durch den Durchfluß 92 zugeführt wurde, kann herausfließen in Richtung des
Halbleiterwafers 20 an der Aufspannplatte 40 von der Auslaßöffnung der Düse 72.
Der Ausflußwiderstand aus der Düse 72 variiert abhängig von einem Spalt bzw.
Abstand zwischen dem Ende der Düse 72 und der Oberfläche des Halbleiterwafers
20. Deshalb variiert die Druckdifferenz zwischen dem Druck des Durchflusses 92
und dem Druck des Durchflusses 98 abhängig von dem Spalt zwischen dem Ende
der Düse 72 und der Oberfläche des Halbleiterwafers 20. Das
Differenzdruckmeßgerät 104 erzeugt eine Spannung, welche sich verändert
abhängig von der Druckdifferenz zwischen dem Druck des Durchflusses 92 und dem
Druck des Durchflusses 98. Entsprechend variiert die durch das Voltmeter 106
angezeigte Spannung abhängig von dem Spalt zwischen dem Ende der Düse 72
und der Oberfläche des Halbleiterwafers 20. Bezüglich der Details des
Nichtkontaktgegendrucksensors 70, welcher mit der pneumatischen
Druckbrückenschaltung 88 ausgestattet ist, sollte Bezug genommen werden auf z. B.
die Japanische geprüfte Gebrauchsmusterveröffentlichung (Kokoku) Nr. 29446/1995
(JM-B 7-29446).
Der Nichtkontaktgegendrucksensor 70 ist versehen mit einer Referenztabelle 108,
welche Daten einer Beziehung zwischen der durch das Voltmeter 106 angezeigten
Spannung und dem Abstand von dem vorderen Ende der Düse 72 zu der Oberfläche
des Halbleiterwafers 20 speichert. Die in der Referenztabelle 108 gespeicherten
Daten können z. B. auf solch eine Weise wie unten stehend beschrieben erhalten
werden. In einem Zustand, in welchem weder der Rahmen 26 noch der daran
montierte Halbleiterwafer 20 durch die Aufspanneinrichtung 38 gehalten wird, wird
die Düse 72 abgesenkt, und ein Ende davon wird in Kontakt gebracht mit der
Oberfläche der Aufspannplatte 40. Diese Position der Düse 72 wird betrachtet als
eine ursprüngliche Position der Düse. Dann wird die Düse 72 schrittweise jedes Mal
um einen vorbestimmten Abstand angehoben, die Beträge, um welche die Düse 72
sich nach oben bewegt hat von der ursprünglichen Position der Düse, werden
gespeichert, und Spannungen des Voltmeters 106 an den entsprechenden
Positionen der Düse 72 werden ebenfalls gespeichert. Der Betrag, um welchen die
Düse 72 sich nach oben bewegt hat, kann präzise durch die
Düsenpositionserfassungseinrichtung 86 gemessen werden. Fig. 6 ist ein Diagramm,
welches Daten zeigt, die in der Referenztabelle 108 gespeichert sind.
Um die Dicke des Werkstücks, welches an der Aufspannplatte 40 der
Aufspanneinrichtung 38 gehalten wird, zu messen, d. h. die gesamte Dicke T des
Halbleiterwafers 20 und des an der hinteren Oberfläche davon haftenden
Montierbands 24, wird die Druckluft ausgeströmt in Richtung der Oberfläche des
Halbleiterwafers 20 von der Düse 72, welche an einer vorbestimmten Position über
dem Halbleiterwafer 20 angeordnet ist, und eine Spannung, welche in diesem
Moment durch das Voltmeter 106 angezeigt wird, wird gemessen. Dann, indem
Bezug genommen wird auf die in der Referenztabelle 108 gespeicherten Daten, wird
ein Abstand D1 zwischen dem Ende der Düse 72 und der Oberfläche des
Halbleiterwafers 20 erhalten aus der gemessenen Spannung. Dann berechnet eine
Berechnungseinrichtung 110 die gesamte Dicke T (T = D2-D1) des Halbleiterwafers
20 und des an der hinteren Oberfläche davon haftenden Montierbands 24 durch
Subtrahieren des Abstands D1 von einem Abstand D2 zwischen der Düsenposition,
welche angezeigt wurde durch die Düsenpositionserfassungseinrichtung 86, d. h.
zwischen der ursprünglichen Position der Düse und der gegenwärtigen Position der
Düse (d. h. ein Abstand von der Oberfläche der Aufspannplatte 40 zu dem Ende der
gegenwärtigen bzw. anwesenden Düse 72); Die folgende Tatsache beim Erfassen
der Dicke des Werkstücks (gesamte Dicke T des Halbleiterwafers 20 und des an der
hinteren Seite davon haftenden Montierbands 24) durch die
Dickenerfassungseinrichtung 68, welche den Nichtkontaktgegendrucksensor 70
beinhaltet, sollte beachtet werden. Das heißt, es ist nicht notwendig, ein Kontaktteil
oder ähnliches in physikalischen Kontakt mit dem Werkstück zu bringen, und
deshalb besteht überhaupt keine Möglichkeit, daß das Werkstück beschädigt werden
könnte. Auch wenn ein transparenter oder semitransparenter Film an der Oberfläche
des Werkstücks vorhanden ist, kann die Dicke des Werkstücks mit einem
ausreichenden Maß an Präzision ohne Beeinflussung durch solch einen Film erfaßt
werden.
Fig. 4 zeigt Elemente in der Hauptausbildung in dem Schneidbereich 14 (Fig. 4 zeigt
weder die obere Wand des Gehäuses 2, noch die Balgeinrichtung 48 an beiden
Seiten der Aufspanneinrichtung 38, aber zeigt darunter angeordnete Elemente). Ein
Stütz- bzw. Tragebrett bzw. -platte 112 ist in dem Gehäuse 2 angeordnet. Ein Paar
von Führungsschienen 114 ist an dem Tragebrett 112 gesichert, um sich in einer
Richtung der X-Achse zu erstrecken, und ein Gleit- bzw. Rutschblock 116 ist so an
dem Paar der Führungsschienen 114 montiert, um sich frei in der Richtung der X-
Achse zu bewegen. Ein Gewindeschaft 118 ist drehbar vorgesehen zwischen dem
3 Paar der Führungsschienen 114 und erstreckt sich in der Richtung der X-Achse. Der
Ausgangsschaft bzw. die Ausgangswelle eines Schritt- bzw. Pulsmotors 120 ist an
den Gewindeschaft 118 gekoppelt. Der Gleitblock 116 weist einen hängenden
Bereich auf(nicht gezeigt), welcher nach unten hängt, wobei ein Innengewindeloch,
welches durch den hängenden Bereich in der Richtung der X-Achse hindurchgeht, in
dem hängenden Bereich ausgebildet ist, und der Gewindeschaft 118 in das
Innengewindeloch geschraubt ist. Die Aufspanneinrichtung 38 ist an dem Gleitblock
116 über ein zylindrisches Glied 122 montiert. Wenn der Schrittmotor 120 vorwärts
gedreht wird, bewegt sich deshalb die Aufspanneinrichtung 38 in der
Schneidrichtung, welche durch einen Pfeil 44 bezeichnet bzw. angedeutet wird.
Wenn der Schrittmotor 120 rückwärts gedreht wird, bewegt sich die
Aufspanneinrichtung 38 in der umgekehrten Richtung, welche durch einen Pfeil 46
bezeichnet bzw. angedeutet wird. Deshalb bildet der Schrittmotor 120 eine erste
Bewegungseinrichtung aus zum Bewegen der Aufspanneinrichtung 38 in der
Richtung der X-Achse. Die Aufspannplatte 40 ist so an die Aufspanneinrichtung 38
montiert, um sich frei an der Mittelachse, welche sich im wesentlichen vertikal
erstreckt, zu drehen, und ein Schritt- bzw. Pulsmotor (nicht gezeigt) ist in dem
zylindrischen Glied 122 angeordnet, um die Aufspannplatte 40 zu drehen.
Ein Paar von Führungsschienen 124 sind ebenfalls an dem Tragebrett 112 gesichert,
um sich in der Richtung der Y-Achse zu erstrecken, und ein Gleit- bzw. Rutschblock
126 ist an dem Paar der Führungsschienen 124 montiert, um sich der Richtung der
Y-Achse zu bewegen. Ein Gewindeschaft bzw. Gewindewelle 128 ist drehbar
vorgesehen zwischen dem Paar der Führungsschienen 124 und erstreckt sich in der
Richtung der Y-Achse, und der Ausgangsschaft bzw. -welle eines Schritt- bzw.
Pulsmotors 130 ist an den Gewindeschaft 128 gekoppelt. Der Gleitblock 126 ist fast
von L-Form und weist einen horizontalen Basisbereich 132 und einen
hochstehenden Bereich 134 auf, welcher sich nach oben erstreckt von dem
horizontalen Basisbereich 132. Der horizontale Bereich 132 weist einen hängenden
Bereich auf(nicht gezeigt), welcher nach unten hängt, und wobei ein
Innengewindeloch, welches durch den hängenden Bereich in der Richtung der Y-
Achse hindurchgeht, in dem hängenden Bereich ausgebildet ist, und der
Gewindeschaft 128 in das Innengewindeloch geschraubt ist. Ein Paar von
Führungsschienen 136 (Fig. 4 zeigt nur ein oberes Ende einer Führungsschiene 136)
ist an dem hochstehenden Bereich des Gleitblocks 126 ausgebildet, um sich in der
Richtung der Z-Achse zu erstrecken. Ein Kopplungsblock 138 ist an dem Paar der
Führungsschienen 136 montiert, um sich in der Richtung der Z-Achse zu bewegen.
Ein Gewindeschaft bzw. -welle (nicht gezeigt) ist drehbar vorgesehen in dem
hochstehenden Bereich 134 des Gleitblocks 126, um sich in der Richtung der Z-
Achse zu erstrecken und der Ausgangsschaft eines Schritt- bzw. Pulsmotors 140 ist
an den Gewindeschaft gekoppelt. Der Kopplungsblock 138 weist einen
vorspringenden Bereich auf(nicht gezeigt), welcher in Richtung des hochstehenden
Bereichs 134 des Gleitblocks 126 vorspringt, ein Innengewindeloch, welches durch
den vorspringenden Bereich in der Richtung der Z-Achse durchgeht, ist in dem
vorspringenden Bereich ausgebildet, und der Gewindeschaft, welcher sich in der
Richtung der Z-Achse erstreckt, ist in das Innengewindeloch geschraubt. Die oben
beschriebene Schneideinrichtung 54 ist an dem Kopplungsblock 138 montiert. Die
Schneideinrichtung 54 weist ein Gehäuse bzw. Ummantelung 142 auf, welche an
den Kopplungsblock 138 gesichert ist, und ein drehbarer Schaft bzw. Welle (nicht
gezeigt) ist drehbar in dem Gehäuse 142 montiert, um sich in der Richtung der Y-
Achse zu erstrecken. Die oben beschriebene drehbare Schneidklinge 56 ist an dem
drehbaren Schaft gesichert. Ein Motor (nicht gezeigt) ist in dem Gehäuse 142
angeordnet, um den drehbaren Schaft mit einer hohen Geschwindigkeit zu drehen.
Wünschenswerterweise ist die Schneidklinge 56 von einer dünnen scheibenartigen
Form, welche erhalten wird durch Verteilen von Diamantpartikeln in einem
elektrochemisch bzw. elektrolytisch abgeschiedenen bzw. galvanisierten Metall. Eine
Kühlwasserauswurf- bzw. -ausstoßeinrichtung 146 ist an einem Ende des Gehäuses
142 angeordnet, um eine Kühlflüssigkeit auszustoßen bzw. auszuwerfen, welche
reines Wasser sein kann.
Wenn der Schrittmotor 130 vorwärts gedreht wird, wird der Gleitblock 126 nach
vorwärts index bzw. schrittweise bewegt in der Richtung der Y-Achse, und
zusammen mit dieser Bewegung wird die drehbare Schneidklinge 56 vorwärts index
bzw. schrittweise bewegt in der Richtung der Y-Achse. Wenn der Schrittmotor 130
rückwärts gedreht wird, wird der Gleitblock 126 rückwärts index bzw. schrittweise
bewegt in der Richtung der Y-Achse, und die drehbare Schneidklinge 56 ist
rückwärts index bzw. schrittweise bewegt in der Richtung der Y-Achse. Wenn der
Schrittmotor 140 vorwärts bewegt wird, wird der Kopplungsblock 138 in der Richtung
der Z-Achse abgesenkt, d. h. wird in der Richtung der Tiefe des Schneidens
abgesenkt, wobei die drehbare Schneidklinge 56 in der Richtung der Tiefe des
Schneidens abgesenkt wird. Wenn der Schrittmotor 140 rückwärts gedreht wird, wird
der Kopplungsblock 138 in der Richtung der Z-Achse angehoben, d. h. wird
angehoben in der Richtung der Tiefe des Schneidens, wobei die drehbare
Schneidklinge 56 in der Richtung der Tiefe des Schneidens angehoben wird.
Deshalb bildet der Schrittmotor 140 eine zweite Bewegungseinrichtung aus zum
Bewegen der Schneideinrichtung 54, welche ausgestattet ist mit der drehbaren
Schneidklinge 56, in der Richtung der Tiefe des Schneidens. Wie verstanden wird
aus Fig. 5, regelt bzw. steuert eine Regel- bzw. Steuereinrichtung 148, welche
ausgebildet wird durch eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU), den Betrieb des
Schrittmotors 120, welcher die Aufspanneinrichtung 38 bewegt, des Schrittmotors
130, welcher die Schneideinrichtung 54 index bzw. schrittweise bewegt, und des
Schrittmotors 140, welcher die Schneideinrichtung 54 in der Richtung der Tiefe des
Schneidens bewegt. In der gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten
Schneidmaschine wird der Betrieb des Schrittmotors 140 gesteuert bzw. geregelt,
d. h. die Hoch- und Tief-Bewegung der Schneideinrichtung 54 wird mit Präzision
gesteuert durch die Dicke des Werkstücks (d. h. gesamte Dicke T des
Halbleiterwafers 20 und des an der hinteren Oberfläche davon haftenden
Montierbands 24), welche erfaßt wurde durch die Dickenerfassungseinrichtung 68.
Wenn der Halbleiterwafer nicht bis zu der gesamten Dicke davon geschnitten
werden soll, aber nur bis zu einer vorbestimmten Dicke bzw. Tiefe, wird die Position
der Schneideinrichtung 54 in der Richtung der Z-Achse so gesetzt bzw. eingestellt,
d. h. die Position der Schneideinrichtung 54 in der Richtung der Tiefe des Schneidens
wird so gesetzt, daß das unterste Ende der drehbaren Schneidklinge 56 an einer
Position angeordnet ist, welche nur um eine vorbestimmte Tiefe von der Oberfläche
des Halbleiterwafers 20 abgesenkt ist. Die Position des untersten Endes der
drehbaren Schneidklinge 56 kann ausgewählt werden mit einem ausreichenden Maß
an Präzision durch z. B. Inkontaktbringen des untersten Endes der drehbaren
Schneidklinge 56 mit der Oberfläche der Aufspannplatte 40, um die ursprüngliche
Position der drehbaren Schneidklinge 56 in einem Zustand zu erkennen, in welchem
kein Werkstück an der Aufspanneinrichtung 38 vorhanden ist, und Berechnen des
Betrags, um welchen die drehbare Schneidklinge 56 angestiegen ist bzw.
angehoben wurde von der ursprünglichen Position, basierend auf dem Betrag der
Drehung des durch den Schrittmotor 140 angetriebenen Gewindeschafts.
Vorstehend wurde im Detail eine bevorzugte Ausführungsform der gemäß der
vorliegenden Erfindung ausgebildeten Schneidmaschine, bezugnehmend auf die
begleitenden Zeichnungen, beschrieben. Es sollte jedoch beachtet werden, daß die
Erfindung in keinster Weise nur auf die oben beschriebene Ausführungsform
beschränkt ist, aber verändert oder modifiziert werden kann auf eine Vielzahl von
anderen Arten, ohne von dem Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Claims (4)
1. Schneidmaschine umfassend:
eine Aufspanneinrichtung zum Halten eines Halbleiterwafers bzw. -plättchens bzw. -scheibe, welcher geschnitten werden soll;
eine Schneideinrichtung zum Schneiden des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers;
eine erste Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Aufspanneinrichtung relativ zu der Schneideinrichtung in einer Bewegungsrichtung senkrecht zu der Mittelachse der Aufspanneinrichtung;
eine zweite Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Schneideinrichtung relativ zu der Aufspanneinrichtung in einer Richtung einer Tiefe des Schnei dens, welche die Richtung der Mittelachse der Aufspanneinrichtung ist;
eine Dickenerfassungseinrichtung zum Erfassen der Dicke des an der Auf spanneinrichtung gehaltenen Werkstücks; und
eine Regel- bzw. Steuereinrichtung zum Regeln bzw. Steuern der Bewegung der zweiten Bewegungseinrichtung, abhängig von der Dicke des Werk stücks, welche erfaßt wurde durch die Dickenerfassungseinrichtung, und zum Setzen der Position der Schneideinrichtung in der Richtung der Tiefe des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung, um dabei die Tiefe des Schneidens des Werkstücks durch die Schneideinrichtung zu setzen;
wobei die Dickenerfassungseinrichtung einen Nichtkontaktgegendruck- bzw. rückdrucksensor beinhaltet, welcher eine Düse bzw. Ausguß aufweist zum Ausströmen eines Gases in Richtung der Oberfläche bzw. Fläche des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks.
eine Aufspanneinrichtung zum Halten eines Halbleiterwafers bzw. -plättchens bzw. -scheibe, welcher geschnitten werden soll;
eine Schneideinrichtung zum Schneiden des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers;
eine erste Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Aufspanneinrichtung relativ zu der Schneideinrichtung in einer Bewegungsrichtung senkrecht zu der Mittelachse der Aufspanneinrichtung;
eine zweite Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Schneideinrichtung relativ zu der Aufspanneinrichtung in einer Richtung einer Tiefe des Schnei dens, welche die Richtung der Mittelachse der Aufspanneinrichtung ist;
eine Dickenerfassungseinrichtung zum Erfassen der Dicke des an der Auf spanneinrichtung gehaltenen Werkstücks; und
eine Regel- bzw. Steuereinrichtung zum Regeln bzw. Steuern der Bewegung der zweiten Bewegungseinrichtung, abhängig von der Dicke des Werk stücks, welche erfaßt wurde durch die Dickenerfassungseinrichtung, und zum Setzen der Position der Schneideinrichtung in der Richtung der Tiefe des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung, um dabei die Tiefe des Schneidens des Werkstücks durch die Schneideinrichtung zu setzen;
wobei die Dickenerfassungseinrichtung einen Nichtkontaktgegendruck- bzw. rückdrucksensor beinhaltet, welcher eine Düse bzw. Ausguß aufweist zum Ausströmen eines Gases in Richtung der Oberfläche bzw. Fläche des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks.
2. Schneidmaschine gemäß Anspruch 1, wobei die Düse des Nichtkontaktge
gendrucksensors montiert ist, um sich frei in der Richtung der Tiefe des
Schneidens zu bewegen.
3. Schneidmaschine gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Aufspanneinrichtung
eine Adsorptionsoberfläche bzw. -fläche aufweist zum Vacuumadsorbieren
des Werkstücks; und
die Dickenerfassungseinrichtung eine Düsenpositionserfassungseinrichtung beinhaltet zum Erfassen eines Abstands bzw. Spalts von einer ursprünglichen Position der Düse, in welcher ein Ende der Düse in Kontakt kommt mit der Adsorptionsoberfläche der Aufspanneinrichtung zu der gegenwärtigen Positi on der Düse, und eine Dickenberechnungseinrichtung zum Berechnen der Dicke des Werkstücks von dem Abstand zwischen dem Ende der Düse und der Oberfläche des Werkstücks an der Aufspanneinrichtung, welche erfaßt wurde durch den Nichtkontaktgegendrucksensor, und von dem Abstand zwi schen der ursprünglichen Position der Düse und der gegenwärtigen Position der Düse, welche erfaßt wurde durch die Düsenpositionserfassungseinrich tung.
die Dickenerfassungseinrichtung eine Düsenpositionserfassungseinrichtung beinhaltet zum Erfassen eines Abstands bzw. Spalts von einer ursprünglichen Position der Düse, in welcher ein Ende der Düse in Kontakt kommt mit der Adsorptionsoberfläche der Aufspanneinrichtung zu der gegenwärtigen Positi on der Düse, und eine Dickenberechnungseinrichtung zum Berechnen der Dicke des Werkstücks von dem Abstand zwischen dem Ende der Düse und der Oberfläche des Werkstücks an der Aufspanneinrichtung, welche erfaßt wurde durch den Nichtkontaktgegendrucksensor, und von dem Abstand zwi schen der ursprünglichen Position der Düse und der gegenwärtigen Position der Düse, welche erfaßt wurde durch die Düsenpositionserfassungseinrich tung.
4. Schneidmaschine gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei das Werkstück ein
Halbleiterwafer ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP113674/00 | 2000-04-14 | ||
JP2000113674A JP4675451B2 (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 切削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10117923A1 true DE10117923A1 (de) | 2001-10-31 |
DE10117923B4 DE10117923B4 (de) | 2007-03-15 |
Family
ID=18625600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10117923A Expired - Lifetime DE10117923B4 (de) | 2000-04-14 | 2001-04-10 | Halbleiterwaferschneidmaschine |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6500047B2 (de) |
JP (1) | JP4675451B2 (de) |
DE (1) | DE10117923B4 (de) |
SG (1) | SG100678A1 (de) |
TW (1) | TW548796B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004063860A1 (de) * | 2004-12-30 | 2006-07-13 | Supfina Grieshaber Gmbh & Co.Kg | Werkstückendickenmessung mit Staudruckdüse |
DE102006057075A1 (de) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Form eines Wafer-Chucks |
DE10228530B4 (de) * | 2001-06-28 | 2010-09-30 | Disco Corp. | Halbleiterwafer-Zerteilverfahren |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7267037B2 (en) * | 2001-05-05 | 2007-09-11 | David Walter Smith | Bidirectional singulation saw and method |
SG115602A1 (en) * | 2003-01-09 | 2005-10-28 | Disco Corp | Conveying device for a plate-like workpiece |
JP2004306191A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | テーブル装置、成膜装置、光学素子、半導体素子及び電子機器 |
JP4303041B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2009-07-29 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハの加工装置 |
JP2005079265A (ja) | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 背圧センサを備えた加工装置 |
US7281535B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-10-16 | Towa Intercon Technology, Inc. | Saw singulation |
US7804043B2 (en) * | 2004-06-15 | 2010-09-28 | Laserfacturing Inc. | Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser |
JP4326418B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2009-09-09 | 株式会社東京精密 | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 |
FR2877142B1 (fr) * | 2004-10-21 | 2007-05-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'au moins un objet de taille micrometrique ou millimetrique au moyen d'une poignee en polymere. |
JP5679171B2 (ja) * | 2010-10-26 | 2015-03-04 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及びダイシング方法 |
US8538576B2 (en) * | 2011-04-05 | 2013-09-17 | Asm Technology Singapore Pte. Ltd. | Method of configuring a dicing device, and a dicing apparatus for dicing a workpiece |
JP6001910B2 (ja) * | 2012-04-17 | 2016-10-05 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP2014116487A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP6159539B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2017-07-05 | コマツNtc株式会社 | ワークを適正寸法に加工する寸法管理装置 |
US9263352B2 (en) * | 2014-01-03 | 2016-02-16 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Singulation apparatus comprising an imaging device |
JP6289980B2 (ja) * | 2014-04-04 | 2018-03-07 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2015214002A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
JP2017042856A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社ディスコ | 位置調整装置 |
CN106079123A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-09 | 无锡宏纳科技有限公司 | 一种可保护刀刃的晶圆切割刀 |
KR101856875B1 (ko) * | 2016-12-06 | 2018-05-10 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 캐리어 두께 측정장치 |
CN108592844A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-28 | 内蒙古欧晶科技股份有限公司 | 一种自动测量坩埚透明层厚度的装置及方法 |
CN111266992B (zh) * | 2020-03-20 | 2021-08-31 | 苏州斯尔特微电子有限公司 | 一种基于形态变化的全自动晶圆研磨机 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56126939A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Nec Home Electronics Ltd | Dicing |
JPS5771147A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-01 | Toshiba Corp | Wafer dicing device |
JPS58108405A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | エア・マイクロメ−タ |
JPS62261907A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | オ−トフオ−カスによる厚さ等の計測方法 |
JPH0241871A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-13 | Citizen Watch Co Ltd | 数値制御研削盤 |
JPH0729446Y2 (ja) * | 1990-09-25 | 1995-07-05 | 日本空圧システム株式会社 | 位置検出装置 |
JPH06232258A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Nec Kansai Ltd | 半導体ウェーハのダイシング装置 |
US5628673A (en) * | 1993-11-26 | 1997-05-13 | Seiko Seiki Kabushiki Kaisha | Dicing machine with non-contact setup function |
JPH07243931A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Saginomiya Seisakusho Inc | 微差圧センサ |
US5718615A (en) * | 1995-10-20 | 1998-02-17 | Boucher; John N. | Semiconductor wafer dicing method |
US6152803A (en) * | 1995-10-20 | 2000-11-28 | Boucher; John N. | Substrate dicing method |
JPH10180459A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-07-07 | Kanto Auto Works Ltd | スポット溶接装置 |
TW418505B (en) * | 1997-07-02 | 2001-01-11 | Disco Corp | Device and method for precise cutting |
JP3873084B2 (ja) * | 1997-12-29 | 2007-01-24 | 財団法人くまもとテクノ産業財団 | 動粘度計 |
US6254454B1 (en) * | 1999-10-25 | 2001-07-03 | Agere Systems Guardian Corp. | Reference thickness endpoint techniques for polishing operations |
-
2000
- 2000-04-14 JP JP2000113674A patent/JP4675451B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-04 TW TW090108160A patent/TW548796B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-05 US US09/825,892 patent/US6500047B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-05 SG SG200102455A patent/SG100678A1/en unknown
- 2001-04-10 DE DE10117923A patent/DE10117923B4/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10228530B4 (de) * | 2001-06-28 | 2010-09-30 | Disco Corp. | Halbleiterwafer-Zerteilverfahren |
DE102004063860A1 (de) * | 2004-12-30 | 2006-07-13 | Supfina Grieshaber Gmbh & Co.Kg | Werkstückendickenmessung mit Staudruckdüse |
WO2006072455A1 (de) * | 2004-12-30 | 2006-07-13 | Supfina Grieshaber Gmbh & Co. Kg | Werkstückendickenmessung mit staudruckdüse |
DE102006057075A1 (de) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Form eines Wafer-Chucks |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW548796B (en) | 2003-08-21 |
SG100678A1 (en) | 2003-12-26 |
JP2001298003A (ja) | 2001-10-26 |
DE10117923B4 (de) | 2007-03-15 |
US6500047B2 (en) | 2002-12-31 |
JP4675451B2 (ja) | 2011-04-20 |
US20010029938A1 (en) | 2001-10-18 |
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