DE10117923B4 - Halbleiterwaferschneidmaschine - Google Patents

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DE10117923B4
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Abstract

Schneidmaschine umfassend:
eine Aufspanneinrichtung zum Halten eines Halbleiterwafers, welcher geschnitten werden soll;
eine Schneideinrichtung zum Schneiden des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers;
eine erste Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Aufspanneinrichtung relativ zu der Schneideinrichtung in einer Bewegungsrichtung senkrecht zu der Mittelachse der Aufspanneinrichtung;
eine zweite Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Schneideinrichtung relativ zu der Aufspanneinrichtung in einer Richtung einer Tiefe des Schneidens, welche die Richtung der Mittelachse der Aufspanneinrichtung ist;
eine Dickenerfassungseinrichtung zum Erfassen der Dicke des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks; und
eine Steuereinrichtung zum Steuern der Bewegung der zweiten Bewegungseinrichtung, abhängig von der Dicke des Werkstücks, welche erfaßt wurde durch die Dickenerfassungseinrichtung, und zum Setzen der Position der Schneideinrichtung in der Richtung der Tiefe des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung, um dabei die Tiefe des Schneidens des Werkstücks durch die Schneideinrichtung zu setzen;
wobei die Dickenerfassungseinrichtung einen Nichtkontaktgegendrucksensor beinhaltet, welcher eine Düse aufweist...

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schneidmaschine zum Schneiden eines Werkstücks und, insbesondere, zum Schneiden eines Halbleiterwafers bzw. -plättchens bzw. -scheibe bzw. -chips mit einer benötigten Tiefe des Schneidens.
  • In der US 6,254,454 B1 wird eine Dickenkontrolle für eine Poliermaschine beschrieben. Dabei erfolgt eine Abstandsmessung über verschiedene Verfahren wie Laser, Profilometer und andere.
  • Die US 5,628,673 A offenbart eine Wafersägemaschine, bei der eine Tiefe eines Schneidevorgangs bestimmt wird. Die Messung der Tiefe erfolgt optisch.
  • Auch die US 5,718,615 A offenbart eine Wafersägemaschine. Bei dieser Maschine wird die Abnutzung des Sägeblatts bzw. der Abstand zu einem Haltetisch bestimmt, um damit eine Tiefenbewegung der Säge zu kontrollieren bzw. zu stoppen. Die Messung erfolgt piezoelektrisch.
  • In der Herstellung von Halbleiterchips, wie es wohl bekannt ist unter den Fachleuten auf diesem Gebiet, wird eine Anzahl von rechteckigen Regionen in Abschnitte aufgeteilt an der Oberfläche eines Halbleiterwafers durch Straßen bzw. Linien, welche in einer Raster- bzw. Gitterform angeordnet sind, und eine Halbleiterschaltung bzw. -schaltkreis ist angeordnet in jeder der rechteckigen Regionen. Der Halbleiterwafer wird entlang der Straßen bzw. Linien in einzelne rechteckige Regionen getrennt, um Halbleiterchips zu erhalten. Eine Schneidmaschine, welche verwendet wird zum Trennen des Halbleiterwafers entlang der Straßen, beinhaltet eine Aufspanneinrichtung zum Halten des Halbleiterwafers, der geschnitten werden soll, eine Schneideinrichtung zum Schneiden des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers, eine erste Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Aufspanneinrichtung relativ zu der Schneideinrichtung in einer Bewegungsrichtung senkrecht auf die Mittelachse der Aufspanneinrichtung, und eine zweite Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Schneideinrichtung relativ zu der Aufspanneinrichtung in einer Richtung der Tiefe des Schneidens, welche die Richtung der Mittelachse der Aufspanneinrichtung ist. In dieser Schneidmaschine ist eine Position der Schneideinrichtung in der Richtung der Tiefe des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung gesetzt durch die zweite Bewegungseinrichtung, und die Aufspanneinrichtung wird relativ zu der Schneideinrichtung bewegt durch die erste Bewegungseinrichtung, um den Halbleiterwafer zu schneiden. Die Tiefe des Schneidens des Halbleiterwafers ist definiert durch die Position der Schneideinrichtung in der Richtung des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung und durch die Dicke des an der Aufspannvorrichtung bzw. dem Futter gehaltenen Wafers.
  • Im allgemeinen ist die Dicke des Halbleiterwafers fast die gleiche in jeder Charge bzw. Serie, und somit wird nur ein Teil des Halbleiterwafers in jeder Charge manuell für seine Dicke gemessen, um die Dicke des zu schneidenden Halbleiterwafers zu erkennen. Beim Schneiden des Halbleiterwafers durch die Schneidmaschine wird die Tiefe des Schneidens des Halbleiterwafers gesetzt durch Setzen der Position der Schneideinrichtung in der Richtung des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung an einer vorbestimmten Position, ohne die Dicke des einzelnen zu schneidenden Halbleiterwafers zu erfassen. Jedoch fluktuieren die einzelnen Halbleiterwafer in jeder Charge ein wenig in der Dicke, und somit variiert die Dicke des Schneidens bzw. Schnittiefe des Halbleiterwafers ebenfalls bei den einzelnen Halbleiterwafern, obwohl es nur ein minimaler Betrag ist.
  • Währenddessen ist es wichtig, die Dicke des Schneidens des Halbleiterwafers sehr präzise zu setzen, und es ist erwünscht, eine Veränderung in der Tiefe des Schneidens des Halbleiterwafers zu vermeiden, welcher eine Veränderung in der Dicke der einzelnen Halbleiterwafer zugeschrieben wird. Zum Beispiel wurde es durchgeführt, eine Nut bzw. Rille von einer V-Form im Querschnitt entlang der Straßen in der Oberfläche des Halbleiters auszubilden, um die vier Seitenkanten bzw. Ränder der Oberfläche der einzelnen rechteckigen Regionen zu schrägen bzw. zu phasen vor dem vollständigen Schneiden des Halbleiterwafers entlang der Straßen, um ihn in die individuellen rechteckigen Regionen zu trennen. Auch mit dem Ausbilden der V-förmigen Rillen ist es jedoch wichtig, ausreichend präzise die Tiefe des Schneidens zu setzen, um ausreichend präzise die Größe des Abschrägens festzusetzen. In vergangenen Jahren wurde des weiteren eine Art des Trennens in rechteckige Regionen oder ein sogenanntes Vorschneiden (englisch: predicing) in die Praxis umgesetzt. In dieser Art ist es ebenfalls wichtig, sehr präzise die Tiefe des Schneidens des Halbleiterwafers zu setzen bzw. einzustellen. In der Art der Trennung in rechteckige Regionen, welche Schneiden vor dem Schleifen (englisch: dicing-before-grinding) genannt wird, wird der Halbleiterwafer geschnitten, um Nuten bzw. Rillen einer vorbestimmten Tiefe von der Oberfläche entlang der in einer Rasterform angeordneten Straßen auszubilden. Dann wird die hintere Oberfläche bzw. Fläche des Halbleiterwafers geschliffen, um die Dicke des Halbleiterwafers zu vermindern bis zu einer Dicke, welche gleich ist zu der Tiefe der Rillen, um dabei den Halbleiterwafer in die einzelnen rechteckigen Regionen zu trennen.
  • Die Japanische Offengelegte Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 261907/1987 (JP 62-261907A) offenbart eine Weise, bei welcher ein Spalt bzw. Abstand zwischen einem Mikroskopsystem und der Oberfläche der Aufspanneinrichtung und ein Spalt bzw. Abstand zwischen dem Mikroskopsystem und der Oberfläche eines an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers gemessen werden durch eine automatische Fokussiertechnologie, welche das Mikroskopsystem, welches über der Aufspanneinrichtung, welche an einer vorbestimmten Position angeordnet ist, angeordnet ist, verwendet, und die Dicke des Halbleiterwafers wird berechnet aus den gemessenen Werten. Gemäß dieses Stands der Technik wird weiter die Position der Schneideinrichtung in der Richtung des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung gesetzt, basierend auf der berechneten Dicke des Halbleiterwafers, um dabei die Tiefe des Schneidens des Halbleiterwafers zu setzen. Wenn ein transparenter oder semitransparenter Film, wie ein glasartiger bzw. glasiger bzw. durchsichtiger Film, an der Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildet ist, ist es jedoch nicht möglich, die Dicke des Halbleiterwafers präzise durch die oben beschriebene automatische Fokussiertechnologie zu bestimmen, was ein ernsthaftes Problem ist.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es ist deshalb eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Schneidmaschine bereitzustellen, welche insbesondere geeignet ist zum Schneiden eines Halbleiterwafers, welche fähig ist, die Dicke eines auf einer Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks zu erfassen mit einem ausreichenden Maß an Präzision, auch wenn ein transparenter oder semitransparenter Film an der Oberfläche des Werkstücks existiert, und welche die Tiefe des Werkstücks mit einem ausreichenden Maß an Präzision festsetzen kann, basierend auf der erfaßten Dicke des Werkstücks, ohne die Notwendigkeit des Inkontaktbringens eines Tastkopfes mit der Oberfläche des Werkstücks wie dem Halbleiterwafer und deshalb ohne Möglichkeit des Beschädigens der Oberfläche des Werkstücks.
  • Um die oben beschriebene Hauptaufgabe gemäß der Erfindung zu lösen, wird eine Schneidmaschine bereitgestellt umfassend eine Aufspanneinrichtung zum Halten eines Halbleiterwafers, welcher geschnitten werden soll; eine Schneideinrichtung zum Schneiden des an der Aufspanneinrchtung gehaltenen Halbleiterwafers; eine erste Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Aufspanneinrichtung relativ zu der Schneideinrichtung in einer Bewegungsrichtung senkrecht zu der Mittelachse der Aufspanneinrichtung; eine zweite Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Schneideinrichtung relativ zu der Aufspanneinrichtung in einer Richtung der Tiefe des Schneidens bzw. Schnittiefe, welche die Richtung der Mittelachse der Aufspanneinrichtung ist; eine Dickenerfassungseinrichtung zum Erfassen der Dicke des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks; und eine Regel- bzw. Steuereinrichtung zum Regeln bzw. Steuern der Bewegung der zweiten Bewegungseinrichtung, abhängig von der Dicke des Werkstücks, welche durch die Dickenerfassungseinrichtung erfaßt wurde und zum Setzen der Position der Schneideinrichtung in der Richtung der Tiefe des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung, um dabei die Tiefe des Schneidens des Werkstücks durch die Schneideinrichtung zu setzen;
    wobei die Dickenerfassungseinrichtung einen Nichtkontaktgegen- bzw. -rück- bzw. -staudrucksensor beinhaltet, welcher eine Düse bzw. Ausguß zum Ausströmen eines Gases in Richtung der Oberfläche des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks aufweist.
  • Bevorzugt ist die Düse des Nichtkontaktgegendrucksensors montiert, um sich frei in der Richtung der Tiefe des Schneidens zu bewegen. In einer bevorzugten Ausführungsform weist die Aufspanneinrichtung eine Adsorbieroberfläche zum Vakuumadsorbieren bzw. -ansaugen des Werkstücks auf; und die Dickenerfassungseinrichtung beinhaltet eine Düsenpositionserfassungseinrichtung zum Erfassen eines Spalts bzw. Abstands von einer ursprünglichen Position der Düse, in welcher ein Ende der Düse in Kontakt kommt mit der Adsorptionsoberfläche der Aufspanneinrichtung zu der gegenwärtigen Position der Düse, und eine Dickenberechnungseinrichtung zum Berechnen der Dicke des Werkstücks von dem Spalt bzw. Abstand zwischen dem Ende der Düse und der Oberfläche des Werkstücks an der Aufspanneinrichtung, welcher durch den Nichtkontaktgegendrucksensor erfaßt wurde, und von dem Spalt bzw. Abstand zwischen der ursprünglichen Position der Düse und der gegenwärtigen Position der Düse, welche erfaßt wurde durch die Düsenpositionserfassungseinrichtung. Des weiteren ist das Werkstück ein Halbleiterwafer.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine schematische perspektivische Ansicht, welche eine bevorzugte Ausführungsform einer Schneidmaschine, welche gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, zeigt;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen Halbleiterwafer zeigt, welcher als ein Werkstück zu der Schneidmaschine von 1 zugeführt wird, welcher an einen Rahmen über ein Montierband montiert ist;
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, welche auf eine vereinfachte Weise einen Bereich einer Dickenerfassungseinrichtung darstellt, welche die Dicke des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks erfaßt;
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Schneideinrichtung und eine Aufspanneinrichtung in der Schneidmaschine von 1 zeigt;
  • 5 ist ein Blockdiagramm, welches eine Regel- bzw. Steuereinrichtung, welche in der Schneidmaschine von 1 angeordnet ist, und dazugehörige Elemente zeigt; und
  • 6 ist ein Diagramm, welches eine Beziehung zwischen der Ausgabespannung eines Voltmeters und dem Spalt bzw. Abstand von einem Ende einer Düse zu einem Werkstück in der Dickenerfassungseinrichtung von 3 zeigt.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • 1 ist eine Ansicht, welche eine bevorzugte Ausführungsform einer gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Schneidmaschine zeigt. Die dargestellte Schneidmaschine weist ein Gehäuse 2 auf, an welchem spezifiziert sind ein Ladebereich 4, ein Wartebereich 6, ein Aufspannbereich 8, ein Dickenerfassungsbereich 10, ein Ausrichtbereich 12, ein Schneidbereich 14 und ein Wasch-/Trockenbereich 16. Ein Hub- bzw. Hebetisch 18 ist in dem Ladebereich 4 angeordnet. Der Hubtisch 18 ist mit einer Kassette 22 beladen, welche eine Vielzahl von Teilen von Halbleiterwafern bzw. -plättchen bzw. -scheiben bzw. -chips 20 (2) aufnimmt, wobei ein Freiraum in der Hoch- und Tief-Richtung beibehalten wird.
  • Wie deutlich in 2 gezeigt, ist der in der Kassette 22 aufgenommene Halbleiterwafer 20 an einen Rahmen 26 über ein Montierband 24 montiert. Der Rahmen 26, welcher aus einer dünnen Metallplatte oder einem Kunstharz ausgebildet sein kann, weist eine relativ große kreisförmige Öffnung 28 an dem mittleren Teil davon auf, und das Montierband 24, welches an der hinteren Fläche bzw. Oberfläche des Rahmens 26 haftet, erstreckt sich über die kreisförmige Öffnung 28. Der Halbleiterwafer 20 ist in der kreisförmigen Öffnung 28 angeordnet und seine hintere Oberfläche haftet an dem Montierband 24. Straßen bzw. Linien 30 sind in einer Gitter- bzw. Rasterform an der Oberfläche des Halbleiterwafers 20 angeordnet, und eine Anzahl von rechteckigen Regionen 32 ist durch die Straßen 30 in Abschnitte aufgeteilt. Eine Halbleiterschaltung bzw. -schaltkreis ist an jeder der rechteckigen Regionen 32 angeordnet.
  • Weiter beschrieben mit Bezug auf 1, ist eine erste Beförderungseinrichtung 34 in Relation zu dem Ladebereich 4 und dem Wartebereich 6 angeordnet. Die erste Beförderungseinrichtung 34 wird in Antwort zu der Hoch- und Tief-Bewegung des Hubtisches 18 angetrieben bzw. betätigt, um nacheinander die Rahmen 26, welche den zu schneidenden Halbleiterwafer 20 montieren bzw. tragen, auszuliefern von der Kassette 22 in den Wartebereich 6 (und wie später beschrieben wird, um die Rahmen 26, welche den Halbleiterwafer 20, welcher geschnitten, gewaschen und getrocknet worden ist, montieren bzw. tragen in die Kassette 22 von dem Wartebereich 6). Eine zweite Beförderungseinrichtung 36 ist in Relation zu dem Wartebereich 6, dem Aufspannbereich 8 und dem Wasch-/Trockenbereich 16 angeordnet. Der von der Kassette 22 zu dem Wartebereich 6 gelieferte Rahmen 26 wird durch die zweite Beförderungseinrichtung 36 zu dem Aufspannbereich 8 befördert. In dem Aufspannbereich 8 werden der Rahmen 26 und der daran montierte Halbleiterwafer 20 durch eine Aufspanneinrichtung 38 gehalten. Wie in weiterem Detail beschrieben, beinhaltet die Aufspanneinrichtung 38 eine Aufspannplatte 40 mit einer im wesentlichen horizontalen Adsorptions- bzw. Ansaugoberfläche bzw. -fläche. Eine Vielzahl von Ansauglöchern oder -nuten bzw. -rillen sind in der Aufspannplatte 40 ausgebildet. Der an den Rahmen 26 montierte Halbleiterwafer 20 wird an der Aufspannplatte 40 angeordnet und wird vakuumadsorbiert durch die Aufspannplatte 40. Die Aufspanneinrichtung 38 beinhaltet weiter ein Paar von Greifeinrichtungen 42, und der Rahmen 26 wird durch das Paar von Greifeinrichtungen 42 gegriffen.
  • Wie später beschrieben wird, kann die Aufspanneinrichtung 38 sich frei in einer im wesentlichen horizontalen Richtung der X-Achse (Bewegungsrichtung rechtwinklig zu der Mittelachse, welche sich im wesentlichen vertikal zu der Aufspanneinrichtung 38 erstreckt) bewegen. Der durch die Aufspanneinrichtung 38 gehaltene Halbleiterwafer 20 wird mit der Bewegung der Aufspanneinrichtung 38 bewegt und wird zu dem Dickenerfassungsbereich 10, dem Ausrichtbereich 12 und dem Schneidbereich 14 nacheinander befördert. In der dargestellten Ausführungsform sind Balg- bzw. Wellrohreinrichtungen 48 an beiden Seiten (stromabwärtige Seite und stromaufwärtige Seite) der Aufspanneinrichtung 38, wie in der Richtung der X-Achse gesehen, angeordnet, um ausgedehnt und zusammengezogen zu werden mit der Bewegung der Aufspanneinrichtung 38. Der Dickenerfassungsbereich 10 erfaßt die Dicke des Werkstücks (oder genauer, die gesamte Dicke der Dicke des Halbleiterwafers 20 und der Dicke des an die hintere Oberfläche davon haftenden Montierbands 24 in der dargestellten Ausführungsform), welches an der Aufspannplatte 40 gehalten wird, wie in größerem Detail später beschrieben werden wird. Eine Bildsynthese- bzw. Bildverarbeitungseinrichtung 50 ist in dem Ausrichtbereich 12 angeordnet, die Oberfläche des Halbleiterwafers 20 wird durch die Bildsyntheseeinrichtung 50 abgebildet, und die Positionen der an der Oberfläche des Halbleiterwafers 20 angeordneten Straßen 30 werden präzise erkannt nach dem Analysieren des abgebildeten Bildes. Das Bild der Oberfläche des Halbleiterwafers 20, welcher durch die Bildsyntheseeinrichtung 50 abgebildet wurde, kann an einem Monitor 52 angezeigt werden. Eine Schneideinrichtung 54 mit drehbaren Schneidklingen bzw. -kanten 56 ist an dem Schneidbereich 14 angeordnet, um den Halbleiterwafer 20 zu schneiden. Die Aufspannplatte 40 ist so an der Aufspanneinrichtung 38 montiert, um frei um die Mittelachse zu rotieren, welche sich im wesentlichen vertikal erstreckt. Indem die Aufspannplatte 40 angemessen bzw. geeignet gedreht wird, werden die sich in einer vorbestimmten Richtung erstreckenden Straßen 30 parallel mit der Bewegungsrichtung der Aufspanneinrichtung 38 angeordnet, d.h. parallel zu der Richtung der X-Achse mit einem ausreichenden Maß an Präzision. Eine der Straßen 30 ist mit der drehbaren Schneidklinge 56 ausgerichtet, wie in einer im wesentlichen horizontalen Richtung der Y-Achse (Indizierungsrichtung) gesehen, und die drehbare Schneidklinge 56 wird in einer vorbestimmten Schneidtiefe in einer Richtung der Z-Achse (Richtung der Tiefe des Schneidens) angeordnet, welche im wesentlichen vertikal ist. Danach wird die Aufspanneinrichtung 38 bewegt zum Ausführen des Schneidens in Richtung der stromabwärtigen Seite in die Richtung der X-Achse, d.h. in die durch einen Pfeil 44 angedeutete Richtung, wobei der Halbleiterwafer 20 entlang einer Straße 30 geschnitten wird. Dann wird die drehbare Schneidklinge 56 angehoben zu ihrer zurückgezogenen Position, und die Aufspanneinrichtung 38 wird zurückbewegt in Richtung der stromaufwärtigen Seite in der Richtung der X-Achse, d.h. in der durch einen Pfeil 46 angedeuteten Richtung. Danach wird die drehbare Schneidklinge 46 index bzw. schaltend bzw. schrittweise bewegt in die Richtung der Y-Achse, und die drehbare Schneidklinge 56 wird wieder abgesenkt zu einer Position der vorbestimmten Tiefe des Schneidens. Die Aufspanneinrichtung 38 wird bewegt zum Ausführen des Schneidens in die durch den Pfeil 44 angedeutete Richtung, und der Halbleiterwafer 20 wird entlang der nächsten Straße 30 geschnitten. Somit, nachdem der Halbleiterwafer 20 entlang aller sich in der vorbestimmten Richtung erstreckender Straßen 30 geschnitten worden ist, wird die Aufspannplatte 40 an der Aufspanneinrichtung 38 um 90 Grad gedreht. Dann wird der Halbleiterwafer 20 entlang der verbleibenden Straßen 30 geschnitten in rechten Winkeln zu den Straßen 30, welche geschnitten worden sind. Obwohl der Halbleiterwafer 20 entlang der Straßen 30 in einzelne rechteckige Regionen 32 geschnitten wird, wird das Montierband 24 nicht geschnitten, und die einzelnen rechteckigen Regionen 32, welche geschnitten worden sind, verbleiben an den Rahmen über das Montierband 24 montiert. Der Aufbau der Schneideinrichtung 54 und das Schneiden des Halbleiterwafers 20 durch die Schneideinrichtung 54 wird nachfolgend in größerem Detail beschrieben.
  • Nachdem der Halbleiterwafer 20 wie gewünscht in dem Schneidbereich 14 geschnitten worden ist, wird die Aufspanneinrichtung 38 zurück zu dem Aufspannbereich 8 geführt. Eine dritte Beförderungseinrichtung 66 ist in Relation zu dem Aufspannbereich 8 und dem Wasch-/Trockenbereich 16 angeordnet, um den Rahmen 26 und den daran montierten Halbleiterwafer 20 zu dem Wasch-/Trockenbereich 16 zu tragen. In dem Wasch-/Trockenbereich 16 wird der Halbleiterwafer 20, welcher geschnitten worden ist, gewaschen und getrocknet durch die Wasch-/Trockeneinrichtung (nicht gezeigt). Danach werden der Rahmen 26 und der daran montierte Halbleiterwafer 20 (getrennt in einzelne rechteckige Regionen 32) zurückgeführt durch die zweite Beförderungseinrichtung 36 zurück zu dem Wartebereich 4 und werden durch die erste Beförderungseinrichtung 34 in die Kassette 22 zurückgeführt.
  • In der dargestellten Schneidmaschine liegt ein neues und verbessertes Merkmal der vorliegenden Erfindung in dem Aufbau bezüglich des Erfassens der Dicke des Halbleiterwafers 20 und Steuerns bzw. Regelns der Tiefe des Schneidens bzw. Schnittiefe darauf basierend. In anderen Aspekten kann der Aufbau einer sein, welcher wohlbekannt ist unter den Fachleuten und wird deshalb nicht im Detail in dieser Beschreibung beschrieben.
  • Wenn bezugnehmend auf 1 als auch 3 und 5 beschrieben, ist es in der gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Schneidmaschine wichtig, eine Dickenerfassungseinrichtung 68 zum Erfassen der Dicke des Werkstücks, d.h. die gesamte Dicke T des Halbleiterwafers 20 und des an der hinteren Oberfläche davon haftenden Montierbands 24, in dem Dickenerfassungsbereich 10 anzuordnen. Es ist wichtig, daß die Dickenerfassungseinrichtung 68 einen Nichtkontaktgegendruck- bzw. -rückdrucksensor bzw. berührungslosen Nichtkontaktgegendruck- bzw. rückdrucksensor 70 beinhaltet. Wie deutlich in 3 gezeigt, beinhaltet der Nichtkontaktgegendrucksensor 70, auch ein pneumatisches Micrometer genannt, eine Düse bzw. Ausguß 72, welche in dem Dickenerfassungsbereich 10 angeordnet ist.
  • Wenn weiter im Detail beschrieben, wie in 1 gezeigt, weist das Gehäuse 2 der Schneidmaschine einen vorspringenden Bereich 73 auf, welcher nach oben an einer Seitenregion davon vorspringt, und ein Sensorgehäuse bzw. -verkleidung bzw. -behälter 74 ist an der inneren hochstehenden Wandoberfläche des vorspringenden Bereichs 73 gesichert. Das Gehäuse 74 weist einen hohlen oberen Bereich 76 und einen hängenden Bereich 78 auf, welcher nach unten hängt von einer Seitenregion des hohlen oberen Bereichs 76. Ein Hub- bzw. Hebeblock 80 ist so montiert, um sich nach oben und unten an der Oberfläche des hängenden Bereichs 78 zu bewegen, welcher sich im wesentlichen vertikal erstreckt. Eine Führungsrille bzw. -nut (nicht gezeigt), welche sich im wesentlichen vertikal erstreckt, ist in der Oberfläche des hängenden Bereichs 78 ausgebildet und eine Erhebung bzw. ein Vorsprung, welcher geführt werden soll (nicht gezeigt), ist an dem Hubblock 80 ausgebildet. Nach dem Eingreifen des zu führenden Vorsprungs mit der Führungsrille, wird der Hubblock 80 so an dem hängenden Bereich 78 montiert, um sich frei nach oben und unten zu bewegen. Ein Puls- bzw. Schrittmotor 82 ist in dem hohlen oberen Bereich 76 in dem Gehäuse 74 angeordnet und ein mit einem Gewinde versehener Schaft 84, welcher im wesentlichen vertikal nach unten hängt, ist an den Ausgangsschaft des Schrittmotors 82 gekoppelt. Ein Innengewindeloch, welches durch den Hubblock im wesentlichen vertikal hindurchgeht, ist in dem Hubblock 80 ausgebildet, und der mit einem Gewinde versehene Schaft 84 wird in das Innengewindeloch geschraubt.
  • Wenn der mit einem Gewinde versehene Schaft 84 vorwärts und rückwärts gedreht wird durch den Schrittmotor 82, bewegt sich deshalb der Hubblock 80 hoch und runter. Die vorstehend erwähnte Düse 72 ist an dem Hubblock 80 gesichert. Die Düse 72, welche sich im wesentlichen vertikal erstreckt, weist eine Ausstoßöffnung auf, welche an einem unteren Ende davon ausgebildet ist. Der Schrittmotor 82 ist versehen mit einer Düsenpositionserfassungseinrichtung 86 (5) zum Erfassen des Betrags der Vorwärts- oder Rückwärtsdrehung, d.h. zum Erfassen des Betrags, um welchen sich die an dem Hubblock 80 gesicherte Düse 72 nach oben oder unten bewegt hat.
  • Wie in 3 schematisch dargestellt, ist eine pneumatische Druckbrückenschaltung 88 mit der Düse 72 verbunden. Die pneumatische Druckbrückenschaltung 88, welche an sich bekannt war, beinhaltet eine Quelle von Druckluft 89, einen Durchflußkanal bzw. Durchfluß 92 mit einer fixierten bzw. festen Verengungs- bzw. Quetscheinrichtung 90 und einen Durchflußkanal bzw. Durchfluß 98 mit einer fixierten bzw. festen Verengungs- bzw. Quetscheinrichtung 94 und einer variablen Verengungs- bzw. Quetscheinrichtung 96. Der Durchfluß 92 erlaubt es der Quelle von Druckluft 89, mit der Düse 72 verbunden zu sein, und der Durchfluß 98 erlaubt es der Quelle von Druckluft, mit der offenen Luft verbunden zu sein. Die pneumatische Brückenschaltung 88 beinhaltet weiter einen Differenz- bzw. Differentialdruckmesser bzw. -druckmeßgerät bzw. -manometer 104, welches mit dem Durchfluß 92 durch einen Durchfluß 100 verbunden ist, und mit dem Durchfluß 98 über einen Durchfluß 102 verbunden ist, und ein Voltmeter 106, welches mit dem Differenzdruckmeßgerät 104 verbunden ist. Die Druckluft, welche zu der Düse 72 durch den Durchfluß 92 zugeführt wurde, kann herausfließen in Richtung des Halbleiterwafers 20 an der Aufspannplatte 40 von der Auslaßöffnung der Düse 72. Der Ausflußwiderstand aus der Düse 72 variiert abhängig von einem Spalt bzw. Abstand zwischen dem Ende der Düse 72 und der Oberfläche des Halbleiterwafers 20. Deshalb variiert die Druckdifferenz zwischen dem Druck des Durchflusses 92 und dem Druck des Durchflusses 98 abhängig von dem Spalt zwischen dem Ende der Düse 72 und der Oberfläche des Halbleiterwafers 20. Das Differenzdruckmeßgerät 104 erzeugt eine Spannung, welche sich verändert abhängig von der Druckdifferenz zwischen dem Druck des Durchflusses 92 und dem Druck des Durchflusses 98. Entsprechend variiert die durch das Voltmeter 106 angezeigte Spannung abhängig von dem Spalt zwischen dem Ende der Düse 72 und der Oberfläche des Halbleiterwafers 20. Bezüglich der Details des Nichtkontaktgegendrucksensors 70, welcher mit der pneumatischen Druckbrückenschaltung 88 ausgestattet ist, sollte Bezug genommen werden auf z.B. die Japanische geprüfte Gebrauchsmusterveröffentlichung (Kokoku) Nr. 29446/1995 (JP 7-29446 Y2).
  • Der Nichtkontaktgegendrucksensor 70 ist versehen mit einer Referenztabelle 108, welche Daten einer Beziehung zwischen der durch das Voltmeter 106 angezeigten Spannung und dem Abstand von dem vorderen Ende der Düse 72 zu der Oberfläche des Halbleiterwafers 20 speichert. Die in der Referenztabelle 108 gespeicherten Daten können z.B. auf solch eine Weise wie unten stehend beschrieben erhalten werden. In einem Zustand, in welchem weder der Rahmen 26 nach der daran montierte Halbleiterwafer 20 durch die Aufspanneinrichtung 38 gehalten wird, wird die Düse 72 abgesenkt, und ein Ende davon wird in Kontakt gebracht mit der Oberfläche der Aufspannplatte 40. Diese Position der Düse 72 wird betrachtet als eine ursprüngliche Position der Düse. Dann wird die Düse 72 schrittweise jedes Mal um einen vorbestimmten Abstand angehoben, die Beträge, um welche die Düse 72 sich nach oben bewegt hat von der ursprünglichen Position der Düse, werden gespeichert, und Spannungen des Voltmeters 106 an den entsprechenden Positionen der Düse 72 werden ebenfalls gespeichert. Der Betrag, um welchen die Düse 72 sich nach oben bewegt hat, kann präzise durch die Düsenpositionserfassungseinrichtung 86 gemessen werden. 6 ist ein Diagramm, welches Daten zeigt, die in der Referenztabelle 108 gespeichert sind.
  • Um die Dicke des Werkstücks, welches an der Aufspannplatte 40 der Aufspanneinrichtung 38 gehalten wird, zu messen, d.h. die gesamte Dicke T des Halbleiterwafers 20 und des an der hinteren Oberfläche davon haftenden Montierbands 24, wird die Druckluft ausgeströmt in Richtung der Oberfläche des Halbleiterwafers 20 von der Düse 72, welche an einer vorbestimmten Position über dem Halbleiterwafer 20 angeordnet ist, und eine Spannung, welche in diesem Moment durch das Voltmeter 106 angezeigt wird, wird gemessen. Dann, indem Bezug genommen wird auf die in der Referenztabelle 108 gespeicherten Daten, wird ein Abstand D1 zwischen dem Ende der Düse 72 und der Oberfläche des Halbleiterwafers 20 erhalten aus der gemessenen Spannung. Dann berechnet eine Berechnungseinrichtung 110 die gesamte Dicke T (T = D2 – D1) des Halbleiterwafers 20 und des an der hinteren Oberfläche davon haftenden Montierbands 24 durch Subtrahieren des Abstands D1 von einem Abstand D2 zwischen der Düsenposition, welche angezeigt wurde durch die Düsenpositionserfassungseinrichtung 86, d.h. zwischen der ursprünglichen Position der Düse und der gegenwärtigen Position der Düse (d.h. ein Abstand von der Oberfläche der Aufspannplatte 40 zu dem Ende der gegenwärtigen bzw. anwesenden Düse 72). Die folgende Tatsache beim Erfassen der Dicke des Werkstücks (gesamte Dicke T des Halbleiterwafers 20 und des an der hinteren Seite davon haftenden Montierbands 24) durch die Dickenerfassungseinrichtung 68, welche den Nichtkontaktgegendrucksensor 70 beinhaltet, sollte beachtet werden. Das heißt, es ist nicht notwendig, ein Kontaktteil oder ähnliches in physikalischen Kontakt mit dem Werkstück zu bringen, und deshalb besteht überhaupt keine Möglichkeit, daß das Werkstück beschädigt werden könnte. Auch wenn ein transparenter oder semitransparenter Film an der Oberfläche des Werkstücks vorhanden ist, kann die Dicke des Werkstücks mit einem ausreichenden Maß an Präzision ohne Beeinflussung durch solch einen Film erfaßt werden.
  • 4 zeigt Elemente in der Hauptausbildung in dem Schneidbereich 14 (4 zeigt weder die obere Wand des Gehäuses 2, noch die Balgeinrichtung 48 an beiden Seiten der Aufspanneinrichtung 38, aber zeigt darunter angeordnete Elemente). Ein Stütz- bzw. Tragebrett bzw. -platte 112 ist in dem Gehäuse 2 angeordnet. Ein Paar von Führungsschienen 114 ist an dem Tragebrett 112 gesichert, um sich in einer Richtung der X-Achse zu erstrecken, und ein Gleit- bzw. Rutschblock 116 ist so an dem Paar der Führungsschienen 114 montiert, um sich frei in der Richtung der X-Achse zu bewegen. Ein Gewindeschaft 118 ist drehbar vorgesehen zwischen dem Paar der Führungsschienen 114 und erstreckt sich in der Richtung der X-Achse. Der Ausgangsschaft bzw. die Ausgangswelle eines Schritt- bzw. Pulsmotors 120 ist an den Gewindeschaft 118 gekoppelt. Der Gleitblock 116 weist einen hängenden Bereich auf (nicht gezeigt), welcher nach unten hängt, wobei ein Innengewindeloch, welches durch den hängenden Bereich in der Richtung der X-Achse hindurchgeht, in dem hängenden Bereich ausgebildet ist, und der Gewindeschaft 118 in das Innengewindeloch geschraubt ist. Die Aufspanneinrichtung 38 ist an dem Gleitblock 116 über ein zylindrisches Glied 122 montiert. Wenn der Schrittmotor 120 vorwärts gedreht wird, bewegt sich deshalb die Aufspanneinrichtung 38 in der Schneidrichtung, welche durch einen Pfeil 44 bezeichnet bzw. angedeutet wird. Wenn der Schrittmotor 120 rückwärts gedreht wird, bewegt sich die Aufspanneinrichtung 38 in der umgekehrten Richtung, welche durch einen Pfeil 46 bezeichnet bzw. angedeutet wird. Deshalb bildet der Schrittmotor 120 eine erste Bewegungseinrichtung aus zum Bewegen der Aufspanneinrichtung 38 in der Richtung der X-Achse. Die Aufspannplatte 40 ist so an die Aufspanneinrichtung 38 montiert, um sich frei an der Mittelachse, welche sich im wesentlichen vertikal erstreckt, zu drehen, und ein Schritt- bzw. Pulsmotor (nicht gezeigt) ist in dem zylindrischen Glied 122 angeordnet, um die Aufspannplatte 40 zu drehen.
  • Ein Paar von Führungsschienen 124 sind ebenfalls an dem Tragebrett 112 gesichert, um sich in der Richtung der Y-Achse zu erstrecken, und ein Gleit- bzw. Rutschblock 126 ist an dem Paar der Führungsschienen 124 montiert, um sich der Richtung der Y-Achse zu bewegen. Ein Gewindeschaft bzw. Gewindewelle 128 ist drehbar vorgesehen zwischen dem Paar der Führungsschienen 124 und erstreckt sich in der Richtung der Y-Achse, und der Ausgangsschaft bzw. -welle eines Schritt- bzw. Pulsmotors 130 ist an den Gewindeschaft 128 gekoppelt. Der Gleitblock 126 ist fast von L-Form und weist einen horizontalen Basisbereich 132 und einen hochstehenden Bereich 134 auf, welcher sich nach oben erstreckt von dem horizontalen Basisbereich 132. Der horizontale Bereich 132 weist einen hängenden Bereich auf (nicht gezeigt), welcher nach unten hängt, und wobei ein Innengewindeloch, welches durch den hängenden Bereich in der Richtung der Y-Achse hindurchgeht, in dem hängenden Bereich ausgebildet ist, und der Gewindeschaft 128 in das Innengewindeloch geschraubt ist. Ein Paar von Führungsschienen 136 (4 zeigt nur ein oberes Ende einer Führungsschiene 136) ist an dem hochstehenden Bereich des Gleitblocks 126 ausgebildet, um sich in der Richtung der Z-Achse zu erstrecken. Ein Kopplungsblock 138 ist an dem Paar der Führungsschienen 136 montiert, um sich in der Richtung der Z-Achse zu bewegen.
  • Ein Gewindeschaft bzw. -welle (nicht gezeigt) ist drehbar vorgesehen in dem hochstehenden Bereich 134 des Gleitblocks 126, um sich in der Richtung der Z-Achse zu erstrecken und der Ausgangsschaft eines Schritt- bzw. Pulsmotors 140 ist an den Gewindeschaft gekoppelt. Der Kopplungsblock 138 weist einen vorspringenden Bereich auf (nicht gezeigt), welcher in Richtung des hochstehenden Bereichs 134 des Gleitblocks 126 vorspringt, ein Innengewindeloch, welches durch den vorspringenden Bereich in der Richtung der Z-Achse durchgeht, ist in dem vorspringenden Bereich ausgebildet, und der Gewindeschaft, welcher sich in der Richtung der Z-Achse erstreckt, ist in das Innengewindeloch geschraubt. Die oben beschriebene Schneideinrichtung 54 ist an dem Kopplungsblock 138 montiert. Die Schneideinrichtung 54 weist ein Gehäuse bzw. Ummantelung 142 auf, welche an den Kopplungsblock 138 gesichert ist, und ein drehbarer Schaft bzw. Welle (nicht gezeigt) ist drehbar in dem Gehäuse 142 montiert, um sich in der Richtung der Y-Achse zu erstrecken. Die oben beschriebene drehbare Schneidklinge 56 ist an dem drehbaren Schaft gesichert. Ein Motor (nicht gezeigt) ist in dem Gehäuse 142 angeordnet, um den drehbaren Schaft mit einer hohen Geschwindigkeit zu drehen. Wünschenswerterweise ist die Schneidklinge 56 von einer dünnen scheibenartigen Form, welche erhalten wird durch Verteilen von Diamantpartikeln in einem elektrochemisch bzw. elektrolytisch abgeschiedenen bzw. galvanisierten Metall. Eine Kühlwasserauswurf- bzw. -ausstoßeinrichtung 146 ist an einem Ende des Gehäuses 142 angeordnet, um eine Kühlflüssigkeit auszustoßen bzw. auszuwerfen, welche reines Wasser sein kann.
  • Wenn der Schrittmotor 130 vorwärts gedreht wird, wird der Gleitblock 126 nach vorwärts index bzw. schrittweise bewegt in der Richtung der Y-Achse, und zusammen mit dieser Bewegung wird die drehbare Schneidklinge 56 vorwärts index bzw. schrittweise bewegt in der Richtung der Y-Achse. Wenn der Schrittmotor 130 rückwärts gedreht wird, wird der Gleitblock 126 rückwärts index bzw. schrittweise bewegt in der Richtung der Y-Achse, und die drehbare Schneidklinge 56 ist rückwärts index bzw. schrittweise bewegt in der Richtung der Y-Achse. Wenn der Schrittmotor 140 vorwärts bewegt wird, wird der Kopplungsblock 138 in der Richtung der Z-Achse abgesenkt, d.h. wird in der Richtung der Tiefe des Schneidens abgesenkt, wobei die drehbare Schneidklinge 56 in der Richtung der Tiefe des Schneidens abgesenkt wird. Wenn der Schrittmotor 140 rückwärts gedreht wird, wird der Kopplungsblock 138 in der Richtung der Z-Achse angehoben, d.h. wird angehoben in der Richtung der Tiefe des Schneidens, wobei die drehbare Schneidklinge 56 in der Richtung der Tiefe des Schneidens angehoben wird. Deshalb bildet der Schrittmotor 140 eine zweite Bewegungseinrichtung aus zum Bewegen der Schneideinrichtung 54, welche ausgestattet ist mit der drehbaren Schneidklinge 56, in der Richtung der Tiefe des Schneidens. Wie verstanden wird aus 5, regelt bzw. steuert eine Regel- bzw. Steuereinrichtung 148, welche ausgebildet wird durch eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU), den Betrieb des Schrittmotors 120, welcher die Aufspanneinrichtung 38 bewegt, des Schrittmotors 130, welcher die Schneideinrichtung 54 index bzw. schrittweise bewegt, und des Schrittmotors 140, welcher die Schneideinrichtung 54 in der Richtung der Tiefe des Schneidens bewegt. In der gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Schneidmaschine wird der Betrieb des Schrittmotors 140 gesteuert bzw. geregelt, d.h. die Hoch- und Tief-Bewegung der Schneideinrichtung 54 wird mit Präzision gesteuert durch die Dicke des Werkstücks (d.h. gesamte Dicke T des Halbleiterwafers 20 und des an der hinteren Oberfläche davon haftenden Montierbands 24), welche erfaßt wurde durch die Dickenerfassungseinrichtung 68.
  • Wenn der Halbleiterwafer nicht bis zu der gesamten Dicke davon geschnitten werden soll, aber nur bis zu einer vorbestimmten Dicke bzw. Tiefe, wird die Position der Schneideinrichtung 54 in der Richtung der Z-Achse so gesetzt bzw. eingestellt, d.h. die Position der Schneideinrichtung 54 in der Richtung der Tiefe des Schneidens wird so gesetzt, daß das unterste Ende der drehbaren Schneidklinge 56 an einer Position angeordnet ist, welche nur um eine vorbestimmte Tiefe von der Oberfläche des Halbleiterwafers 20 abgesenkt ist. Die Position des untersten Endes der drehbaren Schneidklinge 56 kann ausgewählt werden mit einem ausreichenden Maß an Präzision durch z.B. Inkontaktbringen des untersten Endes der drehbaren Schneidklinge 56 mit der Oberfläche der Aufspannplatte 40, um die ursprüngliche Position der drehbaren Schneidklinge 56 in einem Zustand zu erkennen, in welchem kein Werkstück an der Aufspanneinrichtung 38 vorhanden ist, und Berechnen des Betrags, um welchen die drehbare Schneidklinge 56 angestiegen ist bzw. angehoben wurde von der ursprünglichen Position, basierend auf dem Betrag der Drehung des durch den Schrittmotor 140 angetriebenen Gewindeschafts.
  • Vorstehend wurde im Detail eine bevorzugte Ausführungsform der gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Schneidmaschine, bezugnehmend auf die begleitenden Zeichnungen, beschrieben. Es sollte jedoch beachtet werden, daß die Erfindung in keinster Weise nur auf die oben beschriebene Ausführungsform beschränkt ist, aber verändert oder modifiziert werden kann auf eine Vielzahl von anderen Arten, ohne von dem Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims (3)

  1. Schneidmaschine umfassend: eine Aufspanneinrichtung zum Halten eines Halbleiterwafers, welcher geschnitten werden soll; eine Schneideinrichtung zum Schneiden des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Halbleiterwafers; eine erste Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Aufspanneinrichtung relativ zu der Schneideinrichtung in einer Bewegungsrichtung senkrecht zu der Mittelachse der Aufspanneinrichtung; eine zweite Bewegungseinrichtung zum Bewegen der Schneideinrichtung relativ zu der Aufspanneinrichtung in einer Richtung einer Tiefe des Schneidens, welche die Richtung der Mittelachse der Aufspanneinrichtung ist; eine Dickenerfassungseinrichtung zum Erfassen der Dicke des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks; und eine Steuereinrichtung zum Steuern der Bewegung der zweiten Bewegungseinrichtung, abhängig von der Dicke des Werkstücks, welche erfaßt wurde durch die Dickenerfassungseinrichtung, und zum Setzen der Position der Schneideinrichtung in der Richtung der Tiefe des Schneidens relativ zu der Aufspanneinrichtung, um dabei die Tiefe des Schneidens des Werkstücks durch die Schneideinrichtung zu setzen; wobei die Dickenerfassungseinrichtung einen Nichtkontaktgegendrucksensor beinhaltet, welcher eine Düse aufweist zum Ausströmen eines Gases in Richtung der Oberfläche des an der Aufspanneinrichtung gehaltenen Werkstücks.
  2. Schneidmaschine gemäß Anspruch 1, wobei die Düse des Nichtkontaktgegendrucksensors montiert ist, um sich frei in der Richtung der Tiefe des Schneidens zu bewegen.
  3. Schneidmaschine gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Aufspanneinrichtung eine Adsorptionsoberfläche aufweist zum Vacuumadsorbieren des Werkstücks; und die Dickenerfassungseinrichtung eine Düsenpositionserfassungseinrichtung beinhaltet zum Erfassen eines Abstands von einer ursprünglichen Position der Düse, in welcher ein Ende der Düse in Kontakt kommt mit der Adsorptionsoberfläche der Aufspanneinrichtung zu der gegenwärtigen Position der Düse, und eine Dickenberechnungseinrichtung zum Berechnen der Dicke des Werkstücks von dem Abstand zwischen dem Ende der Düse und der Oberfläche des Werkstücks an der Aufspanneinrichtung, welche erfaßt wurde durch den Nichtkontaktgegendrucksensor, und von dem Abstand zwischen der ursprünglichen Position der Düse und der gegenwärtigen Position der Düse, welche erfaßt wurde durch die Düsenpositionserfassungseinrichtung.
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